特開 2024-140580 基板処理装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024140580

(43)【公開日】2024-10-10

(54)【発明の名称】基板処理装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20241003BHJP

   C23C 16/44 20060101ALI20241003BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 E

C23C16/44 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023051771

(22)【出願日】2023-03-28

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】三浦 嘉隆

(72)【発明者】

【氏名】永田 朋幸

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030CA04

4K030CA12

4K030DA09

4K030EA03

4K030EA11

4K030FA10

4K030GA02

4K030KA23

4K030KA26

4K030KA45

4K030LA15

5F045AA06

5F045AC15

5F045BB08

5F045DP19

5F045DP28

5F045DQ05

5F045EB03

5F045EB10

5F045EC02

5F045EE04

5F045EE14

5F045EF03

5F045EF11

5F045EF20

5F045EG08

5F045EG10

5F045EJ01

5F045EJ02

5F045EK06

5F045EK07

5F045EK24

5F045EM09

5F045EM10

5F045EN05

(57)【要約】

【課題】断熱ユニットの昇降温時間を短縮できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による基板処理装置は、複数の基板を保持する基板保持具を収容すると共に下端に開口を有する処理容器と、前記開口を開閉する蓋体と、前記蓋体の上に設けられ、前記基板保持具の下方の第１空間を断熱する断熱ユニットと、を備え、前記断熱ユニットは、前記第１空間に対して区画された第２空間を形成する区画部材を有し、前記蓋体は、前記第２空間に温調流体を供給するための供給口と、前記第２空間から前記温調流体を排気するための排気口と、を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の基板を保持する基板保持具を収容すると共に下端に開口を有する処理容器と、
前記開口を開閉する蓋体と、
前記蓋体の上に設けられ、前記基板保持具の下方の第１空間を断熱する断熱ユニットと、
を備え、
前記断熱ユニットは、前記第１空間に対して区画された第２空間を形成する区画部材を有し、
前記蓋体は、前記第２空間に温調流体を供給するための供給口と、前記第２空間から前記温調流体を排気するための排気口と、を有する、
基板処理装置。

【請求項2】

前記断熱ユニットは、前記第２空間に供給される前記温調流体を前記第２空間の上方に導くガイド部材を有する、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

一端が前記排気口に接続され、他端が前記処理容器の外部の排気箇所に接続される配管を備える、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記排気箇所は、ローディング室を排気する排気ダクトである、
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記排気箇所は、前記開口の周囲にあるスカベンジャーである、
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記排気箇所は、前記処理容器と、前記処理容器を周囲から加熱するヒータとの間のヒータ室である、
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記排気箇所は、前記処理容器内を排気する排気配管である、
請求項３に記載の基板処理装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置に関する。

【背景技術】

【0002】

下端に開口を有する反応容器内に、多段に配列した複数の基板を保持する基板保持具を収容し、開口を蓋体で閉塞した状態で、複数の基板に熱処理を施す基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、蓋体を覆うカバー部を設け、カバー部で覆われた空間に断熱材を設置している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特許第６７３６７５５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、断熱ユニットの昇降温時間を短縮できる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による基板処理装置は、複数の基板を保持する基板保持具を収容すると共に下端に開口を有する処理容器と、前記開口を開閉する蓋体と、前記蓋体の上に設けられ、前記基板保持具の下方の第１空間を断熱する断熱ユニットと、を備え、前記断熱ユニットは、前記第１空間に対して区画された第２空間を形成する区画部材を有し、前記蓋体は、前記第２空間に温調流体を供給するための供給口と、前記第２空間から前記温調流体を排気するための排気口と、を有する。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、断熱ユニットの昇降温時間を短縮できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】第１実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。

【図2】図１のII－II矢視断面図である。

【図3】図１のIII－III矢視断面図である。

【図4】プレートを斜め上方から見た斜視図である。

【図5】第２実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。

【図6】第３実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。

【図7】第４実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。

【図8】第５実施形態に係る基板処理装置を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0009】

〔第１実施形態〕
図１から図４を参照し、第１実施形態に係る基板処理装置１について説明する。図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１を示す断面図である。図２は、図１のII－II矢視断面図である。図３は、図１のIII－III矢視断面図である。図４は、プレート６６を斜め上方から見た斜視図である。

【0010】

基板処理装置１は、複数の基板Ｗに対して一度に熱処理を行うバッチ式の熱処理装置である。基板Ｗは、例えば半導体ウエハである。基板処理装置１は、処理容器１０と、ガス供給部３０と、加熱部５０と、断熱ユニット６０と、制御部９０とを備える。

【0011】

処理容器１０は、内部を減圧可能である。処理容器１０は、内部に基板Ｗを収容する。処理容器１０は、内管１１と、外管１２とを有する。

【0012】

内管１１は、下端が開放された有天井の円筒形状を有する。外管１２は、下端が開放されて内管１１の外側を覆う有天井の円筒形状を有する。内管１１及び外管１２は、同軸状に配置されて２重管構造を有する。内管１１及び外管１２は、例えば石英により形成される。

【0013】

内管１１は、第１円筒部１１ａと、拡径部１１ｂと、第２円筒部１１ｃと、天板１１ｄとを有する。第１円筒部１１ａ、拡径部１１ｂ及び第２円筒部１１ｃは、上側から下側に向かってこの順に設けられる。第１円筒部１１ａは、後述する基板保持具１８の上端よりも上方から基板保持具１８の下端までの高さ領域を含んで設けられる。第１円筒部１１ａは、第１内径を有する。拡径部１１ｂは、第１円筒部１１ａの下に位置する。拡径部１１ｂは、上方から下方に向けて第１内径から第２内径まで拡径する。第２内径は、第１内径よりも大きい。第２円筒部１１ｃは、拡径部１１ｂの下に位置する。第２円筒部１１ｃは、第２内径を有する。天板１１ｄは、第１円筒部１１ａの上端の開口を塞ぐ。

【0014】

内管１１には、側壁の一部を外側へ向けて突出させた凸部１１ｅが形成される。凸部１１ｅは、内管１１の長手方向（上下方向）に沿って形成される。凸部１１ｅは、後述するガスインジェクタ３１を収容する収容部を内部に形成する。凸部１１ｅに対向させて内管１１の反対側の側壁には、上下方向に沿って延びる矩形状の排気口１１ｆが形成される。具体的には、排気口１１ｆは、内管１１の第１円筒部１１ａから第２円筒部１１ｃの上端近傍まで延びるように形成されている。処理容器１０内の処理ガスは、排気口１１ｆを通って排気される。

【0015】

外管１２の下端は、例えばステンレス鋼により形成される円環状のフランジ部材１３によって支持され、Ｏリング等のシール部材１５を介して気密に取り付けられる。外管１２の下方の内壁には、円環板状の支持部１２ａが設けられる。支持部１２ａは、内管１１の下端を支持する。外管１２の側壁であって、支持部１２ａの上方には、ガス出口１２ｂが設けられる。ガス出口１２ｂには、排気配管ＥＰが接続される。排気配管ＥＰには、圧力調整弁（図示せず）及び真空ポンプＶＰが順次介設される。円環状のフランジ部材１３の下端には、蓋体１４がＯリング等のシール部材（図示せず）を介して気密に取り付けられる。蓋体１４は、処理容器１０の下端の開口、すなわち外管１２の開口を気密に塞ぐ。蓋体１４は、例えばステンレス鋼等の金属により形成される。

【0016】

蓋体１４の中央部には、回転機構１６が設けられる。回転機構１６は、例えば磁性流体シールを含む。回転機構１６の下部には、ボートエレベータよりなる昇降機構のアーム（図示せず）が接続される。回転機構１６は、アームの昇降により上下動する。回転機構１６の上部には、支持部１７が接続される。支持部１７は、蓋体１４に対して回転自在である。支持部１７は、例えば石英により形成される。支持部１７は、軸部１７ａと、載置部１７ｂとを有する。軸部１７ａの下部は、回転機構１６に接続される。載置部１７ｂは、軸部１７ａの上部に位置する。載置部１７ｂは、上方からの平面視において軸部１７ａよりも直径が大きい円板形状を有する。載置部１７ｂは、基板保持具１８を支持する。基板保持具１８は、複数（例えば２５枚～２００枚）の基板Ｗを水平姿勢で上下方向に多段に配列して保持する。基板保持具１８は、例えば石英、炭化珪素により形成される。基板保持具１８は、アームの昇降により、蓋体１４、回転機構１６及び支持部１７と一体として上下動する。これにより、基板保持具１８が処理容器１０に対して挿脱される。

【0017】

ガス供給部３０は、ガスインジェクタ３１を有する。ガスインジェクタ３１は、内管１１の内面の近傍を複数の基板Ｗの配列方向（上下方向）に沿って直線状に延在すると共に、内管１１の下部においてＬ字状に屈曲し、外管１２を貫通して内管１１の外部まで延びる。ガスインジェクタ３１は、例えば石英により形成される。ガスインジェクタ３１において内管１１の外部の端部には、ガス供給経路（図示せず）を介して処理ガスのガス源（図示せず）が接続される。ガスインジェクタ３１において内管１１の内部に位置する部位には、複数のガス吐出孔３１ｈが設けられる。各ガス吐出孔３１ｈは、ガスインジェクタ３１の延在方向に沿って所定の間隔ごとに設けられる。ガス源の処理ガスは、ガス供給経路からガスインジェクタ３１に流入し、各ガス吐出孔３１ｈから内管１１内に吐出される。内管１１は、基板保持具１８が位置する高さ領域において内径が絞られており、かつガスインジェクタ３１と対向させて排気口１１ｆが設けられる。この場合、各ガス吐出孔３１ｈから吐出される処理ガスが基板Ｗ側へ流れることを促進できる。各ガス吐出孔３１ｈ同士の間隔は、例えば基板保持具１８に保持される基板Ｗの間隔と同じに設定される。各ガス吐出孔３１ｈの高さ方向の位置は、例えば上下方向に隣り合う基板Ｗ間の中間位置に設定される。この場合、各ガス吐出孔３１ｈは隣り合う基板Ｗ間の対向面に処理ガスを効率的に供給できる。

【0018】

ガス供給部３０は、複数種類の処理ガスを混合して１つのガスインジェクタから混合した処理ガスを吐出してもよい。ガス供給部３０は、ガスインジェクタ３１の他に、別の処理ガスを吐出するガスインジェクタを更に有してもよい。

【0019】

加熱部５０は、チャンバヒータ５１を含む。チャンバヒータ５１は、処理容器１０の径方向外側において処理容器１０を囲み、かつ処理容器１０の天井を覆う有天井の円筒形状を有する。チャンバヒータ５１は、ベースプレート５２の上に固定される。チャンバヒータ５１は、処理容器１０の側周囲及び天井を加熱することにより、処理容器１０内に収容された各基板Ｗを加熱する。

【0020】

断熱ユニット６０は、区画部材６１と、断熱材６２と、ヒータ６３と、放射板６４と、反射板６５と、プレート６６とを有する。

【0021】

区画部材６１は、蓋体１４の上に設置される。区画部材６１は、処理容器１０の下端の開口が蓋体１４により気密に塞がれた状態において、処理容器１０の内部に位置する。区画部材６１は、例えば石英により形成される。区画部材６１は、内壁部６１ａと、外壁部６１ｂと、天壁部６１ｃと、フランジ部６１ｄとを含む。

【0022】

内壁部６１ａは、軸部１７ａの周囲に設けられる。内壁部６１ａは、円筒形状を有する。内壁部６１ａの下端は、Ｏリング等のシール部材６７を介して蓋体１４の上に設置される。内壁部６１ａの内面と軸部１７ａの外面との間には、狭空間Ｂ１が設けられる。狭空間Ｂ１には、パージガス源ＰＧからパージガスが供給される。パージガスは、処理容器１０の下側から上側に向けて供給される。パージガスは、内管１１内に吐出された処理ガスが回転機構１６に流入することを抑制する。パージガスは、例えば窒素ガスである。

【0023】

外壁部６１ｂは、内壁部６１ａの周囲に設けられる。外壁部６１ｂは、円筒形状を有する。外壁部６１ｂは、内壁部６１ａと同軸状に設けられる。外壁部６１ｂの下端は、蓋体１４の上に設置される。

【0024】

天壁部６１ｃは、内壁部６１ａの上端と外壁部６１ｂの上端とを接続し、内壁部６１ａと外壁部６１ｂとの間の空間の上部を塞ぐ。天壁部６１ｃは、円環板状を有する。天壁部６１ｃは、蓋体１４、内壁部６１ａ及び外壁部６１ｂと共に、処理容器１０の内部の第１空間Ａ１に対して区画された第２空間Ａ２を形成する。第１空間Ａ１は、大気雰囲気と真空雰囲気との間で切り替えられる。第２空間Ａ２は、処理容器１０の外部の環境である。第２空間Ａ２は、例えば大気雰囲気又は不活性ガス雰囲気に維持される。不活性ガスは、例えば窒素ガスである。天壁部６１ｃは、載置部１７ｂに対して隙間をあけて対向する。

【0025】

フランジ部６１ｄは、外壁部６１ｂの下部から外側に向けて延びる。フランジ部６１ｄの外縁の上面と外管１２の下端との間には、Ｏリング等のシール部材６８が設けられる。この場合、フランジ部６１ｄの外縁の上面と外管１２の下端との間の隙間が気密にシールされる。

【0026】

断熱材６２は、第２空間Ａ２に設けられる。断熱材６２は、例えば蓋体１４の上に設置される。断熱材６２は、処理容器１０の下端の開口からの放熱を抑制する。断熱材６２は、繊維系断熱材を円筒状に成型した構造を有する。断熱材６２は、石英、炭化珪素等からなる断熱プレートを水平姿勢で上下方向に間隔をあけて積層した構造を有してもよい。

【0027】

ヒータ６３は、天板ヒータ６３ａと、外側円筒ヒータ６３ｂと、インジェクタヒータ６３ｃとを含む。ヒータ６３は、更に別のヒータを含んでもよい。

【0028】

天板ヒータ６３ａは、天壁部６１ｃと断熱材６２との間に設けられる。天板ヒータ６３ａを設けることで、処理容器１０内において上下方向の均熱長が向上する。天板ヒータ６３ａは、例えば円環板状を有する。天板ヒータ６３ａは、例えばカーボン系ヒータであってよい。この場合、昇降温特性を良くし温度リカバリ時間を短縮できる。天板ヒータ６３ａはカーボン系ヒータ以外であってもよい。第２空間Ａ２は第１空間Ａ１に対して区画された空間であるため、シースヒータやカンタル線ヒータなど、安価なヒータを用いることができる。この場合、カーボン系ヒータに比べて大幅にコストを削減できる。

【0029】

外側円筒ヒータ６３ｂは、外壁部６１ｂと断熱材６２との間に設けられる。外側円筒ヒータ６３ｂは、外壁部６１ｂを加熱する。これにより、外壁部６１ｂの表面に副生成物が付着することを抑制できる。外側円筒ヒータ６３ｂは、例えば円筒形状を有し、蓋体１４の上に設置される。外側円筒ヒータ６３ｂは、例えばシースヒータであってよい。この場合、遠赤外線が発せられるため、石英により形成される外壁部６１ｂが加熱されやすい。

【0030】

インジェクタヒータ６３ｃは、外壁部６１ｂと断熱材６２との間に設けられる。インジェクタヒータ６３ｃは、上下方向に沿って延びる棒状を有する。インジェクタヒータ６３ｃは、例えば処理容器１０の周方向におけるガスインジェクタ３１と同じ角度位置に設けられる。この場合、各ガス吐出孔３１ｈから吐出される前に処理ガスを加熱できるので、基板保持具１８の下部に保持される基板Ｗに向けて吐出される処理ガスの温度が低くなることを抑制できる。

【0031】

放射板６４は、天壁部６１ｃと天板ヒータ６３ａとの間に設けられる。放射板６４は、基板Ｗ側からの輻射を下側に放熱する前に吸収し、基板Ｗ側に放射する。これにより、基板Ｗを効率よく加熱できる。放射板６４は、例えばアルミナ、炭化珪素により形成される。この場合、放射板６４の放射率が高くなるため、基板Ｗの加熱効率が向上する。

【0032】

反射板６５は、断熱材６２と天板ヒータ６３ａとの間に設けられる。反射板６５は、天板ヒータ６３ａの下側への余計な輻射を反射して天板ヒータ６３ａの加熱性能を向上させる。反射板６５は、例えば金メッキ板により形成される。金メッキ板は、高反射率であるため、天板ヒータ６３ａの下側への余計な輻射を効率よく反射できる。金メッキ板は、化学的に安定であることから、劣化を抑制しやすい。

【0033】

プレート６６は、天壁部６１ｃの上に設置される。プレート６６は、例えば石英により形成される。プレート６６は、処理容器１０の軸方向からの平面視において、排気口１１ｆ側に開口するＣ字形状を有する。これにより、支持部１７の下面と区画部材６１の上面との間に、処理容器１０の周方向において、少なくとも排気口１１ｆが設けられる角度位置を含む第１隙間Ｇ１と、第１隙間Ｇ１を除く角度位置に設けられる第２隙間Ｇ２とが形成される。

【0034】

第１隙間Ｇ１は、第２隙間Ｇ２よりも広い。この場合、狭空間Ｂ１に供給されるパージガスが第１隙間Ｇ１を通って排気口１１ｆに誘導される。このため、狭空間Ｂ１に供給されるパージガスが基板保持具１８まで流れ込むことを抑制でき、基板保持具１８に保持された基板Ｗに対する熱処理への影響を低減できる。その結果、熱処理の均一性を高めることができる。

【0035】

排気口１１ｆは、少なくとも第１隙間Ｇ１と同じ高さ位置を含んで設けられることが好ましい。この場合、第１隙間Ｇ１を通過したパージガスが排気口１１ｆに誘導されやすい。また、排気口１１ｆは、内管１１の第１円筒部１１ａから第２円筒部１１ｃの上端近傍まで延びるように形成されている。内管１１の下方は拡径部１１ｂにより第２内径が第１内径よりも大きく形成されているため、第１隙間Ｇ１および第２隙間Ｇ２を通過したパージガスは基板保持具１８まで流れ込みにくい。すなわち、内管１１の内面と載置部１７ｂの外周面との距離は内管１１の内面と区画部材６１の外壁部６１ｂとの距離より十分に小さい。このため、パージガスは内管１１と区画部材６１の外壁部６１ｂとの間の空間に流れ、拡径部１１ｂおよび第２円筒部１１ｃに形成された排気口１１ｆに誘導される。その結果、パージガスが基板保持具１８まで流れ込むことを抑制でき、基板保持具１８に保持された基板Ｗに対する熱処理への影響を低減できる。

【0036】

なお、第１実施形態では、排気口１１ｆが内管１１の第１円筒部１１ａから第２円筒部１１ｃの上端近傍まで延びる例を説明したが、これに限定されない。排気口１１ｆは内管１１の第１円筒部１１ａから拡径部１１ｂの途中まで延びる構成であってもよい。少なくとも拡径部１１ｂの途中まで排気口１１ｆが形成されていれば、同様の作用効果を奏することができる。

【0037】

蓋体１４は、供給口１４ａと、排気口１４ｂとを有する。供給口１４ａは、第２空間Ａ２に温調流体を供給するための開口である。排気口１４ｂは、第２空間Ａ２から温調流体を排気するための開口である。

【0038】

供給口１４ａには、供給配管７１が接続される。供給配管７１には、上流側から順に供給源７２、バルブ７３、流量制御器７４、温調器７５、バルブ７６が設けられる。供給源７２は、温調流体の供給源である。温調流体は、例えばエア、窒素等の冷媒である。温調流体は、熱媒であってもよい。バルブ７３は、供給配管７１内の流路を開閉する。流量制御器７４は、供給配管７１内を流れる温調流体の流量を制御する。流量制御器７４は、例えばマスフローコントローラ（ＭＦＣ）である。温調器７５は、供給配管７１内を流れる温調流体の温度を調整する。温調器７５は、例えばエアクーラを含む。温調器７５は、冷凍機を含んでもよい。バルブ７６は、供給配管７１内の流路を開閉する。

【0039】

排気口１４ｂには、排気配管８１が接続される。排気配管８１は、一端が排気口１４ｂに接続され、他端がローディング室における排気ダクト８３の近傍に位置する。排気配管８１は、他端が排気ダクト８３に直接接続されてもよい。

【0040】

ローディング室は、処理容器１０の下方に位置する。ローディング室には、ファンフィルタユニット（ＦＦＵ）８２と、排気ダクト８３とが設けられる。ファンフィルタユニット８２は、ローディング室に清浄気体を供給する。排気ダクト８３は、ファンフィルタユニット８２と対向して配置される。排気ダクト８３は、ローディング室に供給された清浄気体を吸引する。これにより、ローディング室が清浄雰囲気に維持される。ローディング室では、処理対象の基板Ｗが基板保持具１８に搬入される。ローディング室では、処理済みの基板Ｗが基板保持具１８から搬出される。

【0041】

排気配管８１の途中には、フィルタ８４が設けられる。フィルタ８４は、温調流体に含まれる不純物を取り除く。これにより、第２空間Ａ２からローディング室内に不純物が持ち込まれることを防止できる。不純物は、例えば第２空間Ａ２に設けられる部品が加熱されて熱膨張することで発生するパーティクルを含む。

【0042】

排気ダクト８３の下流側は、例えばファンフィルタユニット８２に接続される。この場合、清浄気体を循環利用できる。排気ダクト８３とファンフィルタユニット８２との間には、熱交換器８５及びフィルタ８６が設けられる。熱交換器８５は、例えばラジエータであり、排気ダクト８３から排気される清浄気体及び温調流体を冷却する。フィルタ８６は、清浄気体及び温調流体に含まれる不純物を取り除く。

【0043】

制御部９０は、例えば基板処理装置１の各部の動作を制御する。制御部９０は、例えばコンピュータであってよい。また、基板処理装置１の各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体に記憶されている。記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。

【0044】

以上に説明したように、基板処理装置１によれば、蓋体１４が、第２空間Ａ２に温調流体を供給するための供給口１４ａと、第２空間Ａ２から温調流体を排気するための排気口１４ｂとを有する。この場合、供給口１４ａから第２空間Ａ２に継続して冷媒を供給しながら、第２空間Ａ２において高温となった冷媒を排気口１４ｂから排気できる。このため、断熱ユニット６０の降温時間を短縮できる。その結果、処理済みの基板Ｗを搬出可能な温度に降温させるまでの待機時間が短くなる。また、供給口１４ａから第２空間Ａ２に継続して熱媒を供給しながら、第２空間Ａ２において低温となった熱媒を排気口１４ｂから排気できる。このため、断熱ユニット６０の昇温時間を短縮できる。その結果、処理対象の基板Ｗが処理可能な温度に昇温するまでの待機時間が短くなる。このように、基板処理装置１によれば、断熱ユニット６０の昇降温時間を短縮できるので、生産性が向上する。

【0045】

また、基板処理装置１によれば、第２空間Ａ２が断熱ユニット６０によって第１空間Ａ１に対して区画される。この場合、第１空間Ａ１を処理圧力から大気圧に復帰させるステップや基板保持具１８を処理容器１０内から搬出するステップの実行中に、第２空間Ａ２に冷媒を供給して第２空間Ａ２を降温できる。このため、ダウンタイムを削減できる。

【0046】

また、基板処理装置１によれば、排気配管８１の一端が排気口１４ｂに接続され、排気配管８１の他端がローディング室における排気ダクト８３の近傍に位置する。この場合、第２空間Ａ２の温調流体が排気ダクト８３の近傍に排出される。このため、第２空間Ａ２においてチャンバヒータ５１、天板ヒータ６３ａ、外側円筒ヒータ６３ｂ、インジェクタヒータ６３ｃ等により加熱されて高温になった冷媒を、排気ダクト８３によって迅速に回収できる。これにより、ローディング室内が高温になることを抑制できる。その結果、ローディング室内の温度が、ローディング室内に設けられる樹脂部品や電気部品の耐熱温度を超えることを防止できる。

【0047】

〔第２実施形態〕
図５を参照し、第２実施形態に係る基板処理装置２について説明する。図５は、第２実施形態に係る基板処理装置２を示す断面図である。

【0048】

基板処理装置２は、主に排気配管８１の他端がスカベンジャーＳＢ内に位置する構成において、基板処理装置１と異なる。他の構成については、基板処理装置１と同様である。以下、基板処理装置１と異なる構成を中心に説明する。

【0049】

排気配管８１は、一端が排気口１４ｂに接続され、他端がスカベンジャーＳＢ内に位置する。スカベンジャーＳＢは、ベースプレート５２に取り付けられる。ベースプレート５２は、ローディング室の天井を構成する。スカベンジャーＳＢは、処理容器１０の下端の開口の周囲に設けられる。ベースプレート５２には、スカベンジャーＳＢの内部雰囲気を排気する排気通路（図示せず）が接続され、処理容器１０内の排気熱がローディング室内へ流れ込むことを防止する。排気通路は、例えば工場排気に接続される。排気通路は、スカベンジャーＳＢに接続されてもよい。

【0050】

以上に説明したように、基板処理装置２によれば、基板処理装置１と同様に、蓋体１４が、第２空間Ａ２に温調流体を供給するための供給口１４ａと、第２空間Ａ２から温調流体を排気するための排気口１４ｂとを有する。これにより、第１実施形態と同様に、断熱ユニット６０の昇降温時間を短縮できるので、生産性が向上する。

【0051】

また、基板処理装置２によれば、基板処理装置１と同様に、第２空間Ａ２が断熱ユニット６０によって第１空間Ａ１に対して区画される。これにより、第１実施形態と同様に、ダウンタイムを削減できる。

【0052】

また、基板処理装置２によれば、排気配管８１の一端が排気口１４ｂに接続され、排気配管８１の他端がスカベンジャーＳＢ内に位置する。この場合、第２空間Ａ２の温調流体がスカベンジャーＳＢに接続される排気通路を介して工場排気に排出される。このため、第２空間Ａ２においてチャンバヒータ５１、天板ヒータ６３ａ、外側円筒ヒータ６３ｂ、インジェクタヒータ６３ｃ等により加熱されて高温になった冷媒がローディング室内に流れ込むことを抑制できる。これにより、ローディング室内が高温になることを抑制できる。その結果、ローディング室内の温度が、ローディング室内に設けられる樹脂部品や電気部品の耐熱温度を超えることを防止できる。

【0053】

〔第３実施形態〕
図６を参照し、第３実施形態に係る基板処理装置３について説明する。図６は、第３実施形態に係る基板処理装置３を示す断面図である。

【0054】

基板処理装置３は、主に排気配管８１の他端がヒータ室ＨＲに位置する構成において、基板処理装置１と異なる。他の構成については、基板処理装置１と同様である。以下、基板処理装置１と異なる構成を中心に説明する。

【0055】

排気配管８１は、一端が排気口１４ｂに接続され、他端がヒータ室ＨＲ内に位置する。ヒータ室ＨＲは、外管１２、チャンバヒータ５１及びベースプレート５２によって規定される空間である。ヒータ室ＨＲは、ローディング室の上方であって、外管１２とチャンバヒータ５１との間に位置する。ヒータ室ＨＲには、内部雰囲気を排気する排気通路（図示せず）が接続される。排気通路は、例えば工場排気に接続される。

【0056】

以上に説明したように、基板処理装置３によれば、基板処理装置１と同様に、蓋体１４が、第２空間Ａ２に温調流体を供給するための供給口１４ａと、第２空間Ａ２から温調流体を排気するための排気口１４ｂとを有する。これにより、第１実施形態と同様に、断熱ユニット６０の昇降温時間を短縮できるので、生産性が向上する。

【0057】

また、基板処理装置３によれば、基板処理装置１と同様に、第２空間Ａ２が断熱ユニット６０によって第１空間Ａ１に対して区画される。これにより、第１実施形態と同様に、ダウンタイムを削減できる。

【0058】

また、基板処理装置３によれば、排気配管８１の一端が排気口１４ｂに接続され、排気配管８１の他端がヒータ室ＨＲ内に位置する。この場合、第２空間Ａ２の温調流体がヒータ室ＨＲに接続される排気通路を介して工場排気に排出される。このため、第２空間Ａ２においてチャンバヒータ５１、天板ヒータ６３ａ、外側円筒ヒータ６３ｂ、インジェクタヒータ６３ｃ等により加熱されて高温になった冷媒がローディング室内に流れ込むことを抑制できる。その結果、ローディング室内の温度が、ローディング室内に設けられる樹脂部品や電気部品の耐熱温度を超えることを防止できる。

【0059】

〔第４実施形態〕
図７を参照し、第４実施形態に係る基板処理装置４について説明する。図７は、第４実施形態に係る基板処理装置４を示す断面図である。

【0060】

基板処理装置４は、主に排気配管８１の他端が排気配管ＥＰに接続される構成において、基板処理装置１と異なる。他の構成については、基板処理装置１と同様である。以下、基板処理装置１と異なる構成を中心に説明する。

【0061】

排気配管８１は、一端が排気口１４ｂに接続され、他端が排気配管ＥＰに接続される。この場合、第２空間Ａ２は、排気配管ＥＰに接続される真空ポンプＶＰによって真空状態に減圧可能である。

【0062】

以上に説明したように、基板処理装置４によれば、基板処理装置１と同様に、蓋体１４が、第２空間Ａ２に温調流体を供給するための供給口１４ａと、第２空間Ａ２から温調流体を排気するための排気口１４ｂとを有する。これにより、第１実施形態と同様に、断熱ユニット６０の昇降温時間を短縮できるので、生産性が向上する。

【0063】

また、基板処理装置４によれば、基板処理装置１と同様に、第２空間Ａ２が断熱ユニット６０によって第１空間Ａ１に対して区画される。これにより、第１実施形態と同様に、ダウンタイムを削減できる。

【0064】

また、基板処理装置４によれば、排気配管８１の一端が排気口１４ｂに接続され、排気配管８１の他端が排気配管ＥＰに接続される。この場合、排気配管ＥＰに接続される真空ポンプＶＰによって第２空間Ａ２内を減圧できるので、第２空間Ａ２内における対流が抑制されて断熱性能が向上する。また、第１空間Ａ１と第２空間Ａ２との間の圧力差が小さくなるので、区画部材６１に求められる強度が低くなる。このため、区画部材６１の厚みを薄くできる。その結果、区画部材６１の熱容量が小さくなり、断熱ユニット６０の昇降温時間を短縮できる。

【0065】

なお、排気配管８１は、他端が排気配管ＥＰとは別の排気配管に接続され、該排気配管に接続される真空ポンプによって減圧可能であってもよい。

【0066】

〔第５実施形態〕
図８を参照し、第５実施形態に係る基板処理装置５について説明する。図８は、第５実施形態に係る基板処理装置５を示す断面図である。

【0067】

基板処理装置５は、主に断熱ユニット６０が、供給口１４ａから第２空間Ａ２に供給される温調流体を第２空間Ａ２の上方に導くガイド部材６９を有する構成において、基板処理装置１と異なる。他の構成については、基板処理装置１と同様である。以下、基板処理装置１と異なる構成を中心に説明する。

【0068】

ガイド部材６９は、第２空間Ａ２に設けられる。ガイド部材６９は、供給口１４ａから第２空間Ａ２に供給される温調流体を第２空間Ａ２の上方に導く。ガイド部材６９は、例えば断熱材６２と外側円筒ヒータ６３ｂとの間で鉛直に延びる管状を有する。ガイド部材６９の下端は、供給口１４ａの近傍に位置する。ガイド部材６９の下端は、供給口１４ａに接続されてもよい。ガイド部材６９の上端は、第２空間Ａ２の上部に位置する。ガイド部材６９の上端は、例えば断熱材６２の上面と反射板６５の下面との間の高さに位置する。

【0069】

以上に説明したように、基板処理装置５によれば、基板処理装置１と同様に、蓋体１４が、第２空間Ａ２に温調流体を供給するための供給口１４ａと、第２空間Ａ２から温調流体を排気するための排気口１４ｂとを有する。これにより、第１実施形態と同様に、断熱ユニット６０の昇降温時間を短縮できるので、生産性が向上する。

【0070】

また、基板処理装置５によれば、基板処理装置１と同様に、第２空間Ａ２が断熱ユニット６０によって第１空間Ａ１に対して区画される。これにより、第１実施形態と同様に、ダウンタイムを削減できる。

【0071】

また、基板処理装置５によれば、基板処理装置１と同様に、排気配管８１の一端が排気口１４ｂに接続され、排気配管８１の他端がローディング室における排気ダクト８３の近傍に位置する。これにより、ローディング室内の温度が、ローディング室内に設けられる樹脂部品や電気部品の耐熱温度を超えることを防止できる。

【0072】

また、基板処理装置５によれば、断熱ユニット６０が、供給口１４ａから第２空間Ａ２に供給される温調流体を第２空間Ａ２の上方に導くガイド部材６９を有する。この場合、供給口１４ａから第２空間Ａ２に冷媒を供給することで、第２空間Ａ２に供給された冷媒がガイド部材６９を通って第２空間Ａ２の上方に導かれる。これにより、断熱ユニット６０の上方に設けられる基板保持具１８に保持された基板Ｗを迅速に冷却できる。このため、処理済みの基板Ｗを搬出可能な温度に降温させるまでの待機時間が短くなる。

【0073】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0074】

１、２、３、４、５ 基板処理装置
１０ 処理容器
１４ 蓋体
１４ａ 供給口
１４ｂ 排気口
１８ 基板保持具
６０ 断熱ユニット
６１ 区画部材
Ａ１ 第１空間
Ａ２ 第２空間
Ｗ 基板

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】