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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024140740
(43)【公開日】2024-10-10
(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/38 20060101AFI20241003BHJP
H05K 3/46 20060101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
H05K3/38
H05K3/46 B
H05K3/46 T
H05K3/46 N
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023052050
(22)【出願日】2023-03-28
(71)【出願人】
【識別番号】000190688
【氏名又は名称】新光電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100105957
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 誠
(74)【代理人】
【識別番号】100068755
【弁理士】
【氏名又は名称】恩田 博宣
(72)【発明者】
【氏名】小林 祐輝
(72)【発明者】
【氏名】山崎 智生
【テーマコード（参考）】
5E316
5E343
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA32
5E316AA43
5E316CC06
5E316CC08
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC13
5E316CC31
5E316CC32
5E316CC37
5E316CC38
5E316DD17
5E316DD23
5E316DD24
5E316EE01
5E316FF15
5E316GG15
5E316GG17
5E316GG28
5E316HH11
5E343AA02
5E343AA16
5E343AA17
5E343AA18
5E343BB17
5E343BB23
5E343BB24
5E343BB35
5E343BB44
5E343BB48
5E343BB52
5E343BB71
5E343DD33
5E343DD43
5E343FF16
5E343GG02
(57)【要約】
【課題】絶縁層と配線層との密着性を向上できる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１０は、配線層２２と、配線層２２の側面を被覆し、配線層２２の上面の一部を露出するように形成された絶縁層３０と、絶縁層３０から露出する配線層２２上に形成された配線層４０とを有する。絶縁層３０は、樹脂３２とフィラー３３とを含有する。絶縁層３０の上面３０Ａは、樹脂３２からフィラー３３が露出された構造を有する。配線層４０は、絶縁層３０の上面３０Ａと絶縁層３０から露出する配線層２２の上面とを被覆する第１金属膜５１と、第１金属膜５１の上層に形成された金属層５３，５４とを有する。第１金属膜５１はＣｕＮｉＴｉ合金により形成されている。第１金属膜５１に含まれるＮｉの含有率は、５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下である。第１金属膜５１に含まれるＴｉの含有率は、５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である。
【選択図】図２
【解決手段】配線基板１０は、配線層２２と、配線層２２の側面を被覆し、配線層２２の上面の一部を露出するように形成された絶縁層３０と、絶縁層３０から露出する配線層２２上に形成された配線層４０とを有する。絶縁層３０は、樹脂３２とフィラー３３とを含有する。絶縁層３０の上面３０Ａは、樹脂３２からフィラー３３が露出された構造を有する。配線層４０は、絶縁層３０の上面３０Ａと絶縁層３０から露出する配線層２２の上面とを被覆する第１金属膜５１と、第１金属膜５１の上層に形成された金属層５３，５４とを有する。第１金属膜５１はＣｕＮｉＴｉ合金により形成されている。第１金属膜５１に含まれるＮｉの含有率は、５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下である。第１金属膜５１に含まれるＴｉの含有率は、５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第１配線層と、
前記第１配線層の側面を被覆するとともに、前記第１配線層の上面の少なくとも一部を露出するように形成された絶縁層と、
前記絶縁層から露出する前記第１配線層上に形成された第２配線層と、を有し、
前記絶縁層は、樹脂とフィラーとを含有し、
前記絶縁層の上面は、前記樹脂から前記フィラーが露出された構造を有し、
前記第２配線層は、前記絶縁層の上面と前記絶縁層から露出する前記第１配線層の上面とを被覆する第１金属膜と、前記第１金属膜の上層に形成された金属層とを有し、
前記第１金属膜は、ＣｕＮｉＴｉ合金により形成されており、
前記第１金属膜に含まれるＮｉの含有率は、５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であり、
前記第１金属膜に含まれるＴｉの含有率は、５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である配線基板。
前記第１配線層の側面を被覆するとともに、前記第１配線層の上面の少なくとも一部を露出するように形成された絶縁層と、
前記絶縁層から露出する前記第１配線層上に形成された第２配線層と、を有し、
前記絶縁層は、樹脂とフィラーとを含有し、
前記絶縁層の上面は、前記樹脂から前記フィラーが露出された構造を有し、
前記第２配線層は、前記絶縁層の上面と前記絶縁層から露出する前記第１配線層の上面とを被覆する第１金属膜と、前記第１金属膜の上層に形成された金属層とを有し、
前記第１金属膜は、ＣｕＮｉＴｉ合金により形成されており、
前記第１金属膜に含まれるＮｉの含有率は、５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であり、
前記第１金属膜に含まれるＴｉの含有率は、５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である配線基板。
【請求項2】
前記第２配線層は、前記第１金属膜と、前記第１金属膜の表面を被覆する第２金属膜と、前記第２金属膜上に形成された前記金属層とを有し、
前記第２金属膜は、Ｃｕにより形成されている請求項１に記載の配線基板。
前記第２金属膜は、Ｃｕにより形成されている請求項１に記載の配線基板。
【請求項3】
前記絶縁層の上面は、前記樹脂の上面から前記フィラーの一部が上方に突出した構造を有する請求項１に記載の配線基板。
【請求項4】
前記フィラーは、球状に形成されており、
前記絶縁層の上面は、前記樹脂の上面から前記フィラーの球面の一部が上方に突出した構造を有する請求項３に記載の配線基板。
前記絶縁層の上面は、前記樹脂の上面から前記フィラーの球面の一部が上方に突出した構造を有する請求項３に記載の配線基板。
【請求項5】
前記絶縁層の上面は、前記樹脂の上面と前記フィラーの上面とが面一に形成された構造を有する請求項１に記載の配線基板。
【請求項6】
前記絶縁層は、前記絶縁層を厚さ方向に貫通するとともに、前記第１配線層の上面の一部を露出する貫通孔を有し、
前記第１金属膜は、前記絶縁層の上面と、前記貫通孔の内壁面と、前記貫通孔から露出する前記第１配線層の上面とを連続して被覆している請求項１に記載の配線基板。
前記第１金属膜は、前記絶縁層の上面と、前記貫通孔の内壁面と、前記貫通孔から露出する前記第１配線層の上面とを連続して被覆している請求項１に記載の配線基板。
【請求項7】
前記樹脂は、エポキシ樹脂であり、
前記フィラーは、シリカフィラーである請求項１に記載の配線基板。
前記フィラーは、シリカフィラーである請求項１に記載の配線基板。
【請求項8】
樹脂とフィラーを含有するとともに、第１配線層の側面を被覆し、前記第１配線層の上面の少なくとも一部を露出する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上面に、前記樹脂から前記フィラーが露出された構造を形成する工程と、
前記絶縁層の上面と前記絶縁層から露出する前記第１配線層の上面とを被覆するとともに、ＣｕＮｉＴｉ合金からなる第１金属膜を形成する工程と、
前記第１金属膜の表面を被覆するとともに、Ｃｕからなる第２金属膜を形成する工程と、
前記第２金属膜上に金属層を形成する工程と、
前記金属層をマスクにして、前記金属層と平面視で重ならない部分の前記第１金属膜と前記第２金属膜とを同時にエッチングで除去する工程と、を有し、
前記第１金属膜に含まれるＮｉの含有率は、５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であり、
前記第１金属膜に含まれるＴｉの含有率は、５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である配線基板の製造方法。
前記絶縁層の上面に、前記樹脂から前記フィラーが露出された構造を形成する工程と、
前記絶縁層の上面と前記絶縁層から露出する前記第１配線層の上面とを被覆するとともに、ＣｕＮｉＴｉ合金からなる第１金属膜を形成する工程と、
前記第１金属膜の表面を被覆するとともに、Ｃｕからなる第２金属膜を形成する工程と、
前記第２金属膜上に金属層を形成する工程と、
前記金属層をマスクにして、前記金属層と平面視で重ならない部分の前記第１金属膜と前記第２金属膜とを同時にエッチングで除去する工程と、を有し、
前記第１金属膜に含まれるＮｉの含有率は、５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であり、
前記第１金属膜に含まれるＴｉの含有率は、５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である配線基板の製造方法。
【請求項9】
前記絶縁層を形成する工程は、レーザ加工法により、前記絶縁層を厚さ方向に貫通するとともに、前記第１配線層の上面の一部を露出する貫通孔を形成する工程を有し、
前記樹脂から前記フィラーが露出された構造を形成する工程では、前記貫通孔が形成された後の前記絶縁層に対してドライデスミア処理が施される請求項８に記載の配線基板の製造方法。
前記樹脂から前記フィラーが露出された構造を形成する工程では、前記貫通孔が形成された後の前記絶縁層に対してドライデスミア処理が施される請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項10】
前記絶縁層の上面を研磨することにより、前記樹脂から前記フィラーが露出された構造を形成する請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体素子等の電子部品を実装するための配線基板は、様々な形状・構造のものが提案されている。この種の配線基板としては、ビルドアップ法により複数の配線層と複数の絶縁層とを交互に積層した配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。複数の配線層は、絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔内に形成されたビア配線を介して互いに電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０－１８８１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ところで、上述した配線基板における絶縁層は、樹脂とフィラーとを含有する場合がある。この場合において、絶縁層の表面にフィラーが露出すると、絶縁層と配線層との密着性が低下するという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本発明の一観点によれば、第１配線層と、前記第１配線層の側面を被覆するとともに、前記第１配線層の上面の少なくとも一部を露出するように形成された絶縁層と、前記絶縁層から露出する前記第１配線層上に形成された第２配線層と、を有し、前記絶縁層は、樹脂とフィラーとを含有し、前記絶縁層の上面は、前記樹脂から前記フィラーが露出された構造を有し、前記第２配線層は、前記絶縁層の上面と前記絶縁層から露出する前記第１配線層の上面とを被覆する第１金属膜と、前記第１金属膜の上層に形成された金属層とを有し、前記第１金属膜は、ＣｕＮｉＴｉ合金により形成されており、前記第１金属膜に含まれるＮｉの含有率は、５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であり、前記第１金属膜に含まれるＴｉの含有率は、５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下である。
【発明の効果】
【0006】
本発明の一観点によれば、絶縁層と配線層との密着性を向上できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、一実施形態について添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが各図面で同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から見ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から見た形状のことを言う。本明細書における「上下方向」及び「左右方向」は、各図面において各部材を示す符号が正しく読める向きを正位置とした場合の方向である。
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが各図面で同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から見ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から見た形状のことを言う。本明細書における「上下方向」及び「左右方向」は、各図面において各部材を示す符号が正しく読める向きを正位置とした場合の方向である。
【0009】
（配線基板１０の全体構成）
図１に示すように、配線基板１０は、基板本体１１を有している。基板本体１１の下面には、配線層２０と、ソルダーレジスト層２１とが順に積層されている。基板本体１１の上面には、配線層２２と、絶縁層３０と、配線層４０とが順に積層されている。
図１に示すように、配線基板１０は、基板本体１１を有している。基板本体１１の下面には、配線層２０と、ソルダーレジスト層２１とが順に積層されている。基板本体１１の上面には、配線層２２と、絶縁層３０と、配線層４０とが順に積層されている。
【0010】
基板本体１１としては、絶縁樹脂層と配線層とが交互に積層された配線構造体を用いることができる。配線構造体は、例えば、コア基板を有してもよいし、コア基板を有していなくてもよい。絶縁樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性の絶縁性樹脂を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。また、絶縁樹脂層の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などの感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることもできる。絶縁樹脂層は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【0011】
基板本体１１の配線層や配線層２０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。ソルダーレジスト層２１の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などの感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層２１は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。
【0012】
（配線層２０の構造）
配線層２０は、基板本体１１の下面に形成されている。配線層２０は、配線基板１０の最下層の配線層である。
配線層２０は、基板本体１１の下面に形成されている。配線層２０は、配線基板１０の最下層の配線層である。
【0013】
（ソルダーレジスト層２１の構造）
ソルダーレジスト層２１は、配線層２０を被覆するように、基板本体１１の下面に積層されている。ソルダーレジスト層２１は、配線基板１０の最外層（ここでは、最下層）の絶縁層である。
ソルダーレジスト層２１は、配線層２０を被覆するように、基板本体１１の下面に積層されている。ソルダーレジスト層２１は、配線基板１０の最外層（ここでは、最下層）の絶縁層である。
【0014】
ソルダーレジスト層２１には、配線層２０の下面の一部を外部接続用パッドＰ１として露出させるための複数の開口部２１Ｘが形成されている。外部接続用パッドＰ１には、配線基板１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用される外部接続端子（図示略）が接続されている。
【0015】
開口部２１Ｘの底部に露出する配線層２０の下面には、必要に応じて、表面処理層が形成されている。表面処理層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。表面処理層の他の例としては、Ｎｉ層／Ｐｄ層（Ｎｉ層とＰｄ層をこの順番で積層した金属層）、Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｐｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。ここで、Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。これらＡｕ層、Ｎｉ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき層）や、電解めっき法により形成された金属層（電解めっき層）を用いることができる。また、表面処理層としては、開口部２１Ｘに露出する配線層２０の下面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して形成されるＯＳＰ膜を用いることができる。ＯＳＰ膜としては、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜を用いることができる。なお、配線層２０の下面に表面処理層が形成されている場合には、その表面処理層が外部接続用パッドＰ１として機能する。
【0016】
本例では、配線層２０の下面に外部接続端子を設けるようにしたが、開口部２１Ｘの底部に露出する配線層２０自体、又は配線層２０の下面に表面処理層が形成されている場合にはその表面処理層自体を、外部接続端子としてもよい。
【0017】
（配線層２２の構造）
配線層２２は、基板本体１１の上面に形成されている。配線層２２は、基板本体１１内の配線層や貫通電極を介して、配線層２０と電気的に接続されている。
配線層２２は、基板本体１１の上面に形成されている。配線層２２は、基板本体１１内の配線層や貫通電極を介して、配線層２０と電気的に接続されている。
【0018】
（絶縁層３０の構成）
絶縁層３０は、配線層２２の側面を被覆するとともに、配線層２２の上面の一部を露出するように、基板本体１１の上面に積層されている。絶縁層３０は、配線基板１０の最外層（ここでは、最上層）に設けられた最外絶縁層である。絶縁層３０は、例えば、基板本体１１で用いた絶縁樹脂層と同じ絶縁樹脂層を用いることができる。絶縁層３０としては、例えば、ソルダーレジスト層を用いることもできる。ソルダーレジスト層の材料としては、例えば、ソルダーレジスト層２１と同様の材料を用いることができる。なお、配線層２２の上面から絶縁層３０の上面３０Ａまでの厚さは、例えば、３μｍ～３０μｍ程度とすることができる。
絶縁層３０は、配線層２２の側面を被覆するとともに、配線層２２の上面の一部を露出するように、基板本体１１の上面に積層されている。絶縁層３０は、配線基板１０の最外層（ここでは、最上層）に設けられた最外絶縁層である。絶縁層３０は、例えば、基板本体１１で用いた絶縁樹脂層と同じ絶縁樹脂層を用いることができる。絶縁層３０としては、例えば、ソルダーレジスト層を用いることもできる。ソルダーレジスト層の材料としては、例えば、ソルダーレジスト層２１と同様の材料を用いることができる。なお、配線層２２の上面から絶縁層３０の上面３０Ａまでの厚さは、例えば、３μｍ～３０μｍ程度とすることができる。
【0019】
絶縁層３０には、当該絶縁層３０を厚さ方向に貫通して配線層２２の上面の一部を露出する貫通孔３１が形成されている。貫通孔３１の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさに設定することができる。本例の貫通孔３１の平面形状は、円形状に形成されている。貫通孔３１の深さは、例えば、３μｍ～３０μｍ程度とすることができる。
【0020】
図２（ａ）に示すように、本例の貫通孔３１は、図２（ａ）において上側（絶縁層３０の上面３０Ａ側）から下側に向かうに連れて開口幅（開口径）が小さくなるテーパ状に形成されている。貫通孔３１の内壁面は、例えば、絶縁層３０の上面３０Ａから配線層２２に向かうに連れて貫通孔３１の平面中心に近づくように傾斜して形成されている。なお、貫通孔３１の内壁面は、平面である必要はなく、貫通孔３１の内壁面の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。貫通孔３１は、例えば、レーザ加工法により形成されたビアホールである。
【0021】
図２（ｂ）に示すように、絶縁層３０は、樹脂３２と、多数のフィラー３３とを含有している。樹脂３２は、例えば、フィラー３３の表面を被覆するように形成されている。フィラー３３は、例えば、樹脂３２に埋設されている。樹脂３２としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。本実施形態の樹脂３２は、エポキシ樹脂である。フィラー３３としては、例えば、シリカフィラーやアルミナフィラーを用いることができる。本実施形態のフィラー３３は、シリカフィラーである。フィラー３３は、例えば、球状に形成されている。
【0022】
絶縁層３０の表面、ここでは絶縁層３０の上面３０Ａは、樹脂３２とフィラー３３とが混在した構造を有している。絶縁層３０の上面３０Ａは、樹脂３２の上面３２Ａからフィラー３３が露出された構造を有している。本例の絶縁層３０の上面３０Ａは、樹脂３２の上面３２Ａからフィラー３３の一部（ここでは、上部）が上方に突出した構造を有している。本例のフィラー３３は、球状のまま樹脂３２から露出されている。このため、本例の絶縁層３０の上面３０Ａは、樹脂３２の上面３２Ａからフィラー３３の球面の一部が上方に突出した構造を有している。絶縁層３０の上面３０Ａに設けられたフィラー３３は、その一部（ここでは、下部）が樹脂３２に埋め込まれるとともに、残りの一部（ここでは、上部）が樹脂３２から露出している。なお、図２（ｂ）では、絶縁層３０の表面のうち絶縁層３０の上面３０Ａの構造を図示したが、絶縁層３０の表面のうち貫通孔３１（図２（ａ）参照）の内壁面も上面３０Ａと同様の構造を有している。すなわち、図２（ａ）に示した貫通孔３１の内壁面は、樹脂３２の表面からフィラー３３が露出された構造を有している。
【0023】
（配線層４０の構造）
図１に示すように、配線層４０は、貫通孔３１から露出する配線層２２上に形成されている。配線層４０は、例えば、配線基板１０の最上層の配線層である。配線層４０は、例えば、電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。配線層４０は、例えば、貫通孔３１内に形成されたビア配線４１と、ビア配線４１を介して配線層２２と電気的に接続されるとともに絶縁層３０の上面３０Ａに形成された配線パターン４２とを有している。配線層４０の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさに設定することができる。本例の配線層４０の平面形状は、円形状に形成されている。
図１に示すように、配線層４０は、貫通孔３１から露出する配線層２２上に形成されている。配線層４０は、例えば、配線基板１０の最上層の配線層である。配線層４０は、例えば、電子部品と電気的に接続するための電子部品搭載用のパッドとして機能する。配線層４０は、例えば、貫通孔３１内に形成されたビア配線４１と、ビア配線４１を介して配線層２２と電気的に接続されるとともに絶縁層３０の上面３０Ａに形成された配線パターン４２とを有している。配線層４０の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさに設定することができる。本例の配線層４０の平面形状は、円形状に形成されている。
【0024】
ビア配線４１は、例えば、貫通孔３１を充填するように形成されている。ビア配線４１は、貫通孔３１と同様の形状に形成されている。配線パターン４２は、例えば、絶縁層３０の上面３０Ａから上方に突出するように柱状に形成されている。
【0025】
図２（ａ）に示すように、配線層４０は、貫通孔３１の内面と絶縁層３０の上面３０Ａとを被覆する第１金属膜５１と、第１金属膜５１の表面を覆う第２金属膜５２とを有している。配線層４０は、第２金属膜５２よりも内側の貫通孔３１を充填する金属層５３と、絶縁層３０の上面３０Ａに形成された第２金属膜５２上及び金属層５３上に形成された金属層５４とを有している。第１金属膜５１及び第２金属膜５２は、シード層である。第２金属膜５２は、例えば、Ｃｕにより形成されている。
【0026】
第１金属膜５１は、絶縁層３０の上面３０Ａと、貫通孔３１の内壁面全面と、貫通孔３１の底部に露出する配線層２２の上面全面とを連続して被覆するように形成されている。図２（ｂ）に示すように、第１金属膜５１は、樹脂３２からフィラー３３が露出する絶縁層３０の表面を被覆するように形成されている。第１金属膜５１は、例えば、樹脂３２から露出するフィラー３３の表面全面を被覆するように形成されている。第１金属膜５１は、例えば、樹脂３２から露出するフィラー３３の表面全面を密着状態で被覆するように形成されている。第１金属膜５１は、樹脂３２の表面（図２（ｂ）では、上面３２Ａ）を密着状態で被覆するように形成されている。
【0027】
第１金属膜５１は、Ｃｕとニッケル（Ｎｉ）とチタン（Ｔｉ）の合金、つまりＣｕＮｉＴｉ合金により形成されている。ここで、第１金属膜５１に含まれるＮｉは、Ｃｕに比べて、樹脂３２に対する密着性が高い金属である。第１金属膜５１に含まれるＴｉは、Ｃｕに比べて、フィラー３３に対する密着性が高い金属である。
【0028】
第１金属膜５１に含まれるＮｉの含有率は、５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の範囲に設定されている。第１金属膜５１に含まれるＴｉの含有率は、５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下の範囲に設定されている。第１金属膜５１に含まれるＣｕの含有量は、第１金属膜５１に含まれるＴｉとＮｉ以外の残部とする。なお、このＣｕの含有量には、材料生成上の不純物も含まれる。
【0029】
第１金属膜５１に含まれるＮｉ及びＴｉの含有率を上述した範囲に設定することにより、樹脂３２からフィラー３３が露出した絶縁層３０の表面に対する密着性を高めることができる。さらに、第１金属膜５１に含まれるＮｉ及びＴｉの含有率を上述した範囲に設定することにより、Ｃｕ膜である第２金属膜５２の不要な部分をエッチング除去する際に、その第２金属膜５２と一緒に第１金属膜５１の不要な部分を好適にエッチング除去できる。すなわち、第１金属膜５１に含まれるＮｉ及びＴｉの含有率を上述した範囲に設定することにより、Ｃｕ用のエッチング液によって第１金属膜５１の不要な部分を好適にエッチング除去できる。なお、後述する実験結果にも示すように、第１金属膜５１に含まれるＴｉの含有率が５ｗｔ％よりも低くなると、樹脂３２からフィラー３３が露出した絶縁層３０の表面に対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。また、第１金属膜５１に含まれるＴｉの含有率が１５ｗｔ％よりも高くなると、Ｃｕ膜と一緒に第１金属膜５１をエッチング除去した場合に残渣が発生する。また、第１金属膜５１に含まれるＮｉの含有率が５ｗｔ％よりも低くなると、樹脂３２からフィラー３３が露出した絶縁層３０の表面に対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。
【0030】
第１金属膜５１は、例えば、スパッタリング法により形成されたスパッタ膜である。第１金属膜５１の厚さは、例えば、３０ｎｍ～１００ｎｍ程度とすることができる。
図２（ａ）に示すように、第２金属膜５２は、絶縁層３０の上面３０Ａを被覆する部分の第１金属膜５１の上面と、貫通孔３１の内壁面を被覆する部分の第１金属膜５１の側面と、配線層２２の上面を被覆する部分の第１金属膜５１の上面とを連続して被覆している。第２金属膜５２は、絶縁層３０の上面３０Ａを被覆する部分の第１金属膜５１の外側面を露出するように形成されている。
図２（ａ）に示すように、第２金属膜５２は、絶縁層３０の上面３０Ａを被覆する部分の第１金属膜５１の上面と、貫通孔３１の内壁面を被覆する部分の第１金属膜５１の側面と、配線層２２の上面を被覆する部分の第１金属膜５１の上面とを連続して被覆している。第２金属膜５２は、絶縁層３０の上面３０Ａを被覆する部分の第１金属膜５１の外側面を露出するように形成されている。
【0031】
第２金属膜５２は、Ｃｕにより形成されるＣｕ膜である。第２金属膜５２は、例えば、スパッタリング法により形成されたスパッタ膜である。第２金属膜５２の厚さは、例えば、３００ｎｍ～５００ｎｍ程度とすることができる。
【0032】
金属層５３は、例えば、第２金属膜５２よりも内側の貫通孔３１を充填するように形成されている。金属層５３の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。金属層５３としては、例えば、電解めっき法により形成された電解めっき層を用いることができる。本実施形態の金属層５３は、電解Ｃｕめっき法により形成された電解Ｃｕめっき層である。
【0033】
以上説明した貫通孔３１内に形成された第１金属膜５１と第２金属膜５２と金属層５３とによって、配線層４０のビア配線４１が構成されている。
金属層５４は、絶縁層３０の上面３０Ａに形成された第２金属膜５２上及びビア配線４１（金属層５３）上に形成されている。金属層５４は、金属層５３と連続して一体に形成されている。金属層５４の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。金属層５４としては、例えば、電解めっき法により形成された電解めっき層を用いることができる。本実施形態の金属層５４は、電解Ｃｕめっき法により形成された電解Ｃｕめっき層である。
金属層５４は、絶縁層３０の上面３０Ａに形成された第２金属膜５２上及びビア配線４１（金属層５３）上に形成されている。金属層５４は、金属層５３と連続して一体に形成されている。金属層５４の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金を用いることができる。金属層５４としては、例えば、電解めっき法により形成された電解めっき層を用いることができる。本実施形態の金属層５４は、電解Ｃｕめっき法により形成された電解Ｃｕめっき層である。
【0034】
金属層５４は、例えば、絶縁層３０の上面３０Ａから上方に突出するように柱状に形成されている。金属層５４の上面は、例えば、平面に形成されている。金属層５４の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさに設定することができる。金属層５４の平面形状は、例えば、直径が１５μｍ～４０μｍ程度の円形状とすることができる。金属層５４の厚さは、例えば、２μｍ～５０μｍ程度とすることができる。
【0035】
以上説明した金属層５４と絶縁層３０の上面３０Ａに形成された第１金属膜５１及び第２金属膜５２とによって、配線層４０の配線パターン４２が構成されている。
なお、配線基板１０は、天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。
なお、配線基板１０は、天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。
【0036】
（配線基板１０の製造方法）
次に、図３～図１１に従って、配線基板１０の製造方法について説明する。ここでは、絶縁層３０及び配線層４０の製造方法について詳述する。なお、説明の便宜上、最終的に配線基板１０の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
次に、図３～図１１に従って、配線基板１０の製造方法について説明する。ここでは、絶縁層３０及び配線層４０の製造方法について詳述する。なお、説明の便宜上、最終的に配線基板１０の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。
【0037】
まず、図３に示すように、基板本体１１の上面に配線層２２が形成された構造体を準備する。配線層２２は、例えば、サブトラクティブ法やセミアディティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。
【0038】
次に、図４に示す工程では、基板本体１１の上面に、配線層２２を全体的に覆う絶縁層３０を形成する。例えば、絶縁層３０として樹脂フィルムを用いる場合には、基板本体１１の上面に樹脂フィルムをラミネートする。そして、樹脂フィルムを押圧しながら硬化温度以上の温度（例えば、１３０℃～２００℃程度）で熱処理して硬化させることにより、絶縁層３０を形成することができる。なお、樹脂フィルムとしては、例えば、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂のフィルムを用いることができる。また、絶縁層３０として液状又はペースト状の絶縁性樹脂を用いる場合には、基板本体１１の上面に液状又はペースト状の絶縁性樹脂をスピンコート法などにより塗布する。そして、塗布した絶縁性樹脂を硬化温度以上の温度で熱処理して硬化させることにより、絶縁層３０を形成することができる。なお、液状又はペースト状の絶縁性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂を用いることができる。
【0039】
次に、図５（ａ）に示す工程では、絶縁層３０に、当該絶縁層３０を厚さ方向に貫通して配線層２２の上面の一部を露出する貫通孔３１を形成する。貫通孔３１は、例えば、ＣＯ２レーザやＵＶ－ＹＡＧレーザ等によるレーザ加工法によって形成することができる。
【0040】
続いて、ドライデスミア処理により、貫通孔３１の底部に露出する配線層２２の上面に付着した樹脂スミア（樹脂残渣）を除去する。ドライデスミア処理は、プラズマ処理の一種である。ドライデスミア処理は、例えば、四フッ化炭素（ＣＦ４）と酸素（Ｏ２）の混合ガスを使用するプラズマエッチングにより行うことができる。ドライデスミア処理は、絶縁層３０の表面の樹脂３２（図５（ｂ）参照）を微小エッチングするものである。図５（ｂ）に示すように、絶縁層３０に対してドライデスミア処理が施されると、樹脂３２とフィラー３３のうち樹脂３２が支配的にエッチングされる。これにより、絶縁層３０の表面では、フィラー３３が樹脂３２から露出され、樹脂３２とフィラー３３とが混在した状態になる。本例の絶縁層３０の表面では、樹脂３２の表面からフィラー３３が突出した状態になる。このときの樹脂３２の表面は、例えば、絶縁層３０に対してウェットデスミア処理を施した場合に比べて、表面粗度が小さくなる。
【0041】
次いで、図６（ａ）に示す工程では、絶縁層３０の上面３０Ａ全面と、貫通孔３１の内壁面全面と、貫通孔３１の底部に露出する配線層２２の上面全面とを連続して被覆するように、ＣｕＮｉＴｉ合金により第１金属膜５１を形成する。ここで、ＣｕＮｉＴｉ合金におけるＮｉの含有率を５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の範囲に設定し、Ｔｉの含有率を５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下の範囲に設定することにより、第１金属膜５１と絶縁層３０との密着性を向上できる。詳述すると、図６（ｂ）に示すように、第１金属膜５１と樹脂３２との密着性を向上できるとともに、第１金属膜５１とフィラー３３との密着性を向上できる。すなわち、樹脂３２とフィラー３３の両方に対する第１金属膜５１の密着性を向上できる。具体的には、絶縁層３０に対する第１金属膜５１のピール強度は、０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上となる。このため、絶縁層３０から第１金属膜５１が剥離することを抑制できる。
【0042】
第１金属膜５１は、例えば、スパッタリング法により形成することができる。スパッタリング法を用いて第１金属膜５１を形成することにより、ＣｕＮｉＴｉ合金からなる第１金属膜５１に含まれるＮｉ及びＴｉの含有率を、上述した所望の範囲の含有率に精度良く設定することができる。
【0043】
次に、図７に示す工程では、第１金属膜５１の表面全面を覆うように、Ｃｕにより第２金属膜５２を形成する。第２金属膜５２は、例えば、スパッタリング法により形成することができる。スパッタリング法を用いて第２金属膜５２を形成することにより、第１金属膜５１を形成する際に使用するスパッタ装置を用いて第２金属膜５２を形成することができる。
【0044】
続いて、図８に示す工程では、絶縁層３０の上面３０Ａに形成された第２金属膜５２上に、開口部６１を有するレジスト層６０を形成する。開口部６１は、図２（ａ）に示した金属層５４の形成領域に対応する部分の第２金属膜５２を露出するように形成される。レジスト層６０の材料としては、例えば、次工程の電解めっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層６０の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、第２金属膜５２の上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口部６１を有するレジスト層６０を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層６０を形成することができる。
【0045】
次に、図９に示す工程では、レジスト層６０をめっきマスクとして、第２金属膜５２上に、その第２金属膜５２をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。すなわち、レジスト層６０の開口部６１から露出された第２金属膜５２の上面に電解めっき法、ここでは電解Ｃｕめっき法を施す。本工程により、第２金属膜５２よりも内側の貫通孔３１を充填する金属層５３が形成されるとともに、開口部６１内に金属層５４が形成される。このとき、金属層５４は、金属層５３と連続して一体に形成される。
【0046】
【0047】
次いで、図１１に示す工程では、金属層５４をエッチングマスクとして、不要な第２金属膜５２と不要な第１金属膜５１とをエッチングにより除去する。第１金属膜５１がＣｕ膜である場合には、例えば、Ｃｕ用エッチング液（例えば、硫酸過水系水溶液）を用いたウェットエッチングにより不要な第２金属膜５２を除去することができる。このとき、第１金属膜５１に含まれるＮｉとＴｉの含有率が上述した所望の範囲に設定されている場合には、Ｃｕ用エッチング液（例えば、硫酸過水系水溶液）を用いることにより、第１金属膜５１の不要な部分と第２金属膜５２の不要な部分とを同時に除去できる。すなわち、第２金属膜５２の不要な部分を除去するためのＣｕ用エッチング液によって、第１金属膜５１の不要な部分も除去することができる。これにより、第１金属膜５１の不要な部分と、第２金属膜５２の不要な部分とをそれぞれ別々のエッチング液を用いて除去する必要がないため、配線基板１０の製造コストが増加することを抑制できる。
【0048】
以上の製造工程により、貫通孔３１内に形成された第１金属膜５１及び第２金属膜５２と金属層５３とからなるビア配線４１が形成される。また、絶縁層３０の上面３０Ａに形成された第１金属膜５１と第２金属膜５２と金属層５４とからなる配線パターン４２が形成される。そして、貫通孔３１の底部に露出する配線層２２上に、ビア配線４１と配線パターン４２とを有する配線層４０が形成される。
【0049】
（第１の実験）
次に、第１金属膜５１に含まれるＮｉとＴｉの含有率を上述した範囲に設定することにより、樹脂３２からフィラー３３が露出する絶縁層３０の表面に対する第１金属膜５１の密着性が向上することを裏付ける第１の実験結果について説明する。
次に、第１金属膜５１に含まれるＮｉとＴｉの含有率を上述した範囲に設定することにより、樹脂３２からフィラー３３が露出する絶縁層３０の表面に対する第１金属膜５１の密着性が向上することを裏付ける第１の実験結果について説明する。
【0050】
（実験条件）
まず、評価用のサンプルを３０種類作成した。詳述すると、各サンプルでは、エポキシ樹脂である樹脂３２からシリカフィラーであるフィラー３３が露出した絶縁層３０の上面３０Ａに、スパッタリング法により、厚さ３０ｎｍの第１金属膜５１と厚さ３００ｎｍのＣｕ膜とを順に積層した。さらに、Ｃｕ膜上に、厚さ３５μｍの電解Ｃｕめっき層を積層した。このとき、各サンプルにおいて、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率とＴｉの含有率との組み合わせが互いに異なるように設定した。具体的には、６種類のＮｉの含有率と５種類のＴｉの含有率とを組み合わせて３０（＝６×５）種類のサンプルを作成した。６種類のＮｉの含有率はそれぞれ、０ｗｔ％、５ｗｔ％、１０ｗｔ％、２０ｗｔ％、３０ｗｔ％、４０ｗｔ％である。５種類のＴｉの含有率はそれぞれ、０ｗｔ％、５ｗｔ％、１０ｗｔ％、１５ｗｔ％、２０ｗｔ％である。なお、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率とＴｉの含有率以外の条件は、全てのサンプルで同一に設定されている。
まず、評価用のサンプルを３０種類作成した。詳述すると、各サンプルでは、エポキシ樹脂である樹脂３２からシリカフィラーであるフィラー３３が露出した絶縁層３０の上面３０Ａに、スパッタリング法により、厚さ３０ｎｍの第１金属膜５１と厚さ３００ｎｍのＣｕ膜とを順に積層した。さらに、Ｃｕ膜上に、厚さ３５μｍの電解Ｃｕめっき層を積層した。このとき、各サンプルにおいて、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率とＴｉの含有率との組み合わせが互いに異なるように設定した。具体的には、６種類のＮｉの含有率と５種類のＴｉの含有率とを組み合わせて３０（＝６×５）種類のサンプルを作成した。６種類のＮｉの含有率はそれぞれ、０ｗｔ％、５ｗｔ％、１０ｗｔ％、２０ｗｔ％、３０ｗｔ％、４０ｗｔ％である。５種類のＴｉの含有率はそれぞれ、０ｗｔ％、５ｗｔ％、１０ｗｔ％、１５ｗｔ％、２０ｗｔ％である。なお、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率とＴｉの含有率以外の条件は、全てのサンプルで同一に設定されている。
【0051】
（クロスカット試験）
上述した３０種類の全てのサンプルについて、信頼性試験を行った後に、クロスカット試験を行うことにより、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性を評価した。その結果を図１２に示した。ここで、信頼性試験では、温度が１２５℃の雰囲気に各サンプルを２４時間保持した後、湿度が６０％ＲＨ、温度が６０℃の雰囲気に各サンプルを４０時間保持し、その後、各サンプルに対して２６５℃でのリフローを３回行った。また、クロスカット試験では、電解Ｃｕめっき層に１ｍｍ角の切り込みを碁盤状に１００マス作成し、その１００マス領域における電解Ｃｕめっき層の表面に粘着テープを貼り付けた後に、その粘着テープを剥離した。そして、粘着テープの剥離に伴って第１金属膜５１に剥離が生じたか否かを確認することで、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性を評価した。具体的には、粘着テープの剥離に伴って第１金属膜５１に剥離が起きなかったサンプルは、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が良好であると判断し、図１２の実験結果に「〇」と記載した。一方、粘着テープの剥離に伴って第１金属膜５１に剥離が起きたサンプルは、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が良好ではないと判断し、図１２の実験結果に「×」と記載した。
上述した３０種類の全てのサンプルについて、信頼性試験を行った後に、クロスカット試験を行うことにより、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性を評価した。その結果を図１２に示した。ここで、信頼性試験では、温度が１２５℃の雰囲気に各サンプルを２４時間保持した後、湿度が６０％ＲＨ、温度が６０℃の雰囲気に各サンプルを４０時間保持し、その後、各サンプルに対して２６５℃でのリフローを３回行った。また、クロスカット試験では、電解Ｃｕめっき層に１ｍｍ角の切り込みを碁盤状に１００マス作成し、その１００マス領域における電解Ｃｕめっき層の表面に粘着テープを貼り付けた後に、その粘着テープを剥離した。そして、粘着テープの剥離に伴って第１金属膜５１に剥離が生じたか否かを確認することで、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性を評価した。具体的には、粘着テープの剥離に伴って第１金属膜５１に剥離が起きなかったサンプルは、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が良好であると判断し、図１２の実験結果に「〇」と記載した。一方、粘着テープの剥離に伴って第１金属膜５１に剥離が起きたサンプルは、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が良好ではないと判断し、図１２の実験結果に「×」と記載した。
【0052】
（第１の実験結果）
図１２から明らかなように、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が低くなると、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。具体的には、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が０ｗｔ％の場合、つまりＴｉが含有されていない場合には、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。詳述すると、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が０ｗｔ％の場合には、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率に関わらず、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。また、図１２から明らかなように、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が低くなると、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。具体的には、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が０ｗｔ％の場合、つまりＮｉが含有されていない場合には、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる場合がある。詳述すると、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が０ｗｔ％の場合であって、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が２０ｗｔ％よりも低い場合には、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。
図１２から明らかなように、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が低くなると、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。具体的には、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が０ｗｔ％の場合、つまりＴｉが含有されていない場合には、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。詳述すると、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が０ｗｔ％の場合には、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率に関わらず、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。また、図１２から明らかなように、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が低くなると、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。具体的には、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が０ｗｔ％の場合、つまりＮｉが含有されていない場合には、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる場合がある。詳述すると、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が０ｗｔ％の場合であって、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が２０ｗｔ％よりも低い場合には、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が低くなる。
【0053】
一方、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であるとともにＴｉの含有率が５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下の範囲である場合（太線枠内）には、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が良好である。なお、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が２０ｗｔ％である場合には、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率に関わらず、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が良好である。また、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が４０ｗｔ％であるとともにＴｉの含有率が５ｗｔ％以上である場合には、絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性が良好である。
【0054】
（第２の実験）
次に、第１金属膜５１に含まれるＮｉとＴｉの含有率を上述した範囲に設定することにより、Ｃｕ用のエッチング液により第１金属膜５１を好適に除去できることを裏付ける第２の実験結果について説明する。
次に、第１金属膜５１に含まれるＮｉとＴｉの含有率を上述した範囲に設定することにより、Ｃｕ用のエッチング液により第１金属膜５１を好適に除去できることを裏付ける第２の実験結果について説明する。
【0055】
（エッチング試験）
第１の実験と同様に、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率とＴｉの含有率との組み合わせが互いに異なるように設定した３０種類のサンプルを作成した。これら３０種類の全てのサンプルについて、Ｃｕ用のエッチング液、ここでは硫酸過水系水溶液を用いてエッチング処理を施した。そして、エッチング処理によってＣｕ膜と一緒に第１金属膜５１がエッチング除去されたか否かを顕微鏡観察で確認することにより、Ｃｕ用エッチング液による第１金属膜５１のエッチング除去のし易さを評価した。その結果を図１３に示した。具体的には、顕微鏡観察において第１金属膜５１の残渣が検出されなかったサンプルは、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去できると判断し、図１３の実験結果に「〇」と記載した。一方、顕微鏡観察において第１金属膜５１の残渣が検出されたサンプルは、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去し難いと判断し、図１３の実験結果に「×」と記載した。
第１の実験と同様に、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率とＴｉの含有率との組み合わせが互いに異なるように設定した３０種類のサンプルを作成した。これら３０種類の全てのサンプルについて、Ｃｕ用のエッチング液、ここでは硫酸過水系水溶液を用いてエッチング処理を施した。そして、エッチング処理によってＣｕ膜と一緒に第１金属膜５１がエッチング除去されたか否かを顕微鏡観察で確認することにより、Ｃｕ用エッチング液による第１金属膜５１のエッチング除去のし易さを評価した。その結果を図１３に示した。具体的には、顕微鏡観察において第１金属膜５１の残渣が検出されなかったサンプルは、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去できると判断し、図１３の実験結果に「〇」と記載した。一方、顕微鏡観察において第１金属膜５１の残渣が検出されたサンプルは、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去し難いと判断し、図１３の実験結果に「×」と記載した。
【0056】
（第２の実験結果）
図１３から明らかなように、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が高くなると、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去することが難しくなる。具体的には、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が２０ｗｔ％以上になると、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率に関わらず、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去し難くなる。また、図１３から明らかなように、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が高くなると、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去することが難しくなる。具体的には、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が４０ｗｔ％以上になると、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去し難くなる場合がある。詳述すると、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が４０ｗｔ％の場合であって、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が５ｗｔ％以上の場合には、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去し難くなる。
図１３から明らかなように、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が高くなると、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去することが難しくなる。具体的には、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が２０ｗｔ％以上になると、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率に関わらず、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去し難くなる。また、図１３から明らかなように、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が高くなると、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去することが難しくなる。具体的には、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が４０ｗｔ％以上になると、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去し難くなる場合がある。詳述すると、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が４０ｗｔ％の場合であって、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が５ｗｔ％以上の場合には、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去し難くなる。
【0057】
一方、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であるとともにＴｉの含有率が５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下の範囲である場合（太線枠内）には、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１を好適にエッチング除去できる。なお、第１金属膜５１におけるＴｉの含有率が０ｗｔ％である場合には、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率に関わらず、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１を好適にエッチング除去できる。また、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率が０ｗｔ％であるとともにＴｉの含有率が１５ｗｔ％以下である場合には、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１を好適にエッチング除去できる。
【0058】
以上説明した第１の実験結果と第２の実験結果から明らかなように、第１金属膜５１におけるＮｉの含有率を５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下に設定するとともにＴｉの含有率を５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下の範囲に設定することが好適である。すなわち、第１金属膜５１におけるＮｉとＴｉの含有率を上記範囲（太線枠内）に設定することにより、２つの実験の両方で良好な結果を得ることができる。２つの実験結果から裏付けられるように、第１金属膜５１におけるＮｉとＴｉの含有率を上記範囲に設定することにより、絶縁層３０に対する第１金属膜５１の密着性を向上できるとともに、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１を好適にエッチング除去できる。
【0059】
次に、本実施形態の作用効果を説明する。
（１）配線基板１０は、配線層２２と、配線層２２の側面を被覆するとともに、配線層２２の上面の一部を露出するように形成された絶縁層３０と、絶縁層３０から露出する配線層２２上に形成された配線層４０とを有する。絶縁層３０は、樹脂３２とフィラー３３とを含有する。絶縁層３０の上面３０Ａは、樹脂３２からフィラー３３が露出された構造を有する。配線層４０は、絶縁層３０の上面３０Ａと絶縁層３０から露出する配線層２２の上面とを被覆する第１金属膜５１と、第１金属膜５１の上層に形成された金属層５３，５４とを有する。第２金属膜５２はＣｕにより形成され、第１金属膜５１はＣｕＮｉＴｉ合金により形成されている。
（１）配線基板１０は、配線層２２と、配線層２２の側面を被覆するとともに、配線層２２の上面の一部を露出するように形成された絶縁層３０と、絶縁層３０から露出する配線層２２上に形成された配線層４０とを有する。絶縁層３０は、樹脂３２とフィラー３３とを含有する。絶縁層３０の上面３０Ａは、樹脂３２からフィラー３３が露出された構造を有する。配線層４０は、絶縁層３０の上面３０Ａと絶縁層３０から露出する配線層２２の上面とを被覆する第１金属膜５１と、第１金属膜５１の上層に形成された金属層５３，５４とを有する。第２金属膜５２はＣｕにより形成され、第１金属膜５１はＣｕＮｉＴｉ合金により形成されている。
【0060】
この構成によれば、樹脂３２からフィラー３３が露出された絶縁層３０の上面３０Ａを被覆する第１金属膜５１が、フィラー３３に対する密着性の高いＴｉを含有するＣｕＮｉＴｉ合金により形成される。このため、樹脂３２からフィラー３３が露出する場合であっても、その露出したフィラー３３に対して第１金属膜５１を好適に密着させることができる。これにより、Ｔｉを含有しない合金により第１金属膜５１が形成される場合に比べて、樹脂３２とフィラー３３とが混在する絶縁層３０の上面３０Ａに対する第１金属膜５１の密着性を向上させることができる。ひいては、第１金属膜５１を含む配線層４０と絶縁層３０との密着性を向上させることができる。
【0061】
（２）また、第１金属膜５１に含まれるＮｉの含有率が５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下の範囲に設定され、第１金属膜５１に含まれるＴｉの含有率が５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下の範囲に設定される。第１及び第２の実験結果から裏付けられるように、第１金属膜５１におけるＮｉとＴｉの含有率を上記範囲に設定することにより、絶縁層３０に対する第１金属膜５１の密着性を向上でき、Ｃｕ用のエッチング液で第１金属膜５１を好適にエッチング除去できる。これにより、比較的安価に入手可能なＣｕ用のエッチング液で第１金属膜５１をエッチング除去できるため、配線基板１０の製造コストが増加することを抑制できる。
【0062】
（３）さらに、Ｃｕ膜である第２金属膜５２をＣｕ用のエッチング液でエッチング除去する際に、そのＣｕ用のエッチング液により第１金属膜５１も同時にエッチング除去することができる。したがって、第１金属膜５１の不要な部分と、第２金属膜５２の不要な部分とをそれぞれ別々のエッチング液を用いて除去する必要がなくなるため、配線基板１０の製造コストが増加することを抑制できる。
【0063】
（４）第１金属膜５１をスパッタリング法により形成した。これにより、ＣｕＮｉＴｉ合金からなる第１金属膜５１に含まれるＮｉ及びＴｉの含有率を、上述した所望の範囲の含有率に精度良く設定することができる。
【0064】
（他の実施形態）
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。
【0065】
・上記実施形態の配線層４０の構造は適宜変更することができる。例えば、第２金属膜５２を省略してもよい。この場合には、第１金属膜５１上に金属層５３，５４が形成される。
【0066】
・上記実施形態では、貫通孔３１を充填するようにビア配線４１を形成するようにした。これに限らず、例えば、ビア配線４１をコンフォーマルビアとして形成してもよい。
・上記実施形態の配線層２２の構造は適宜変更することができる。
・上記実施形態の配線層２２の構造は適宜変更することができる。
【0067】
・例えば図１４（ａ）に示すように、配線層２２を、絶縁層３０を厚さ方向に貫通するビア配線２３に具体化してもよい。本変更例の絶縁層３０は、ビア配線２３の側面を被覆するとともに、ビア配線２３の上面全面を露出するように形成されている。本変更例の絶縁層３０の上面３０Ａは、ビア配線２３の上面と面一に形成されている。本変更例の配線層４０は、絶縁層３０の上面３０Ａと絶縁層３０から露出するビア配線２３の上面とを連続して被覆する第１金属膜５１と、第１金属膜５１の上面を被覆する第２金属膜５２と、第２金属膜５２の上面を被覆する金属層５４とを有する。本変更例においても、図１４（ｂ）に示すように、第１金属膜５１は、樹脂３２からフィラー３３が露出する絶縁層３０の上面３０Ａを密着状態で被覆している。
【0068】
・図１４（ａ）に示した変更例において、絶縁層３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３０Ｘの内壁面にも、第１金属膜５１及び第２金属膜５２と同様の機能を持つ金属膜を形成してもよい。
【0069】
・上記実施形態の絶縁層３０の上面３０Ａでは、樹脂３２の上面３２Ａからフィラー３３の一部が上方に突出する構造を有するが、これに限定されない。
例えば図１４（ｂ）に示すように、絶縁層３０の上面３０Ａにおいて、樹脂３２の上面３２Ａとフィラー３３の上面３３Ａとを面一に形成してもよい。この場合には、樹脂３２から露出されるフィラー３３の上面３３Ａは、球面ではなく、絶縁層３０の厚さ方向と直交する平面方向に広がる平面に形成されている。本変更例の絶縁層３０の上面３０Ａは、例えば、絶縁層３０の上面３０Ａが研磨されることによって形成される。絶縁層３０の上面３０Ａの研磨は、例えば、化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）や機械研磨等により行うことができる。このような研磨により、樹脂３２とフィラー３３とが一緒に研磨され、樹脂３２の上面３２Ａが研磨面となるとともにフィラー３３の上面３３Ａが研磨面となる。なお、このような研磨は、第１金属膜５１が形成される前に実施される。例えば、図１４（ａ）に示した例では、絶縁層３０の上面３０Ａとビア配線２３の上面とが一緒に研磨される。
例えば図１４（ｂ）に示すように、絶縁層３０の上面３０Ａにおいて、樹脂３２の上面３２Ａとフィラー３３の上面３３Ａとを面一に形成してもよい。この場合には、樹脂３２から露出されるフィラー３３の上面３３Ａは、球面ではなく、絶縁層３０の厚さ方向と直交する平面方向に広がる平面に形成されている。本変更例の絶縁層３０の上面３０Ａは、例えば、絶縁層３０の上面３０Ａが研磨されることによって形成される。絶縁層３０の上面３０Ａの研磨は、例えば、化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）や機械研磨等により行うことができる。このような研磨により、樹脂３２とフィラー３３とが一緒に研磨され、樹脂３２の上面３２Ａが研磨面となるとともにフィラー３３の上面３３Ａが研磨面となる。なお、このような研磨は、第１金属膜５１が形成される前に実施される。例えば、図１４（ａ）に示した例では、絶縁層３０の上面３０Ａとビア配線２３の上面とが一緒に研磨される。
【0070】
本変更例における第１金属膜５１は、例えば、樹脂３２の上面３２Ａを被覆するとともに、樹脂３２の上面３２Ａから露出されたフィラー３３の上面３３Ａを被覆している。本変更例の第１金属膜５１は、例えば、樹脂３２の上面３２Ａを密着状態で被覆するとともに、フィラー３３の上面３３Ａを密着状態で被覆している。
【0071】
・上記実施形態では、絶縁層３０が含有する樹脂３２をエポキシ樹脂としたが、これに限定されない。例えば、樹脂３２を、エポキシ樹脂以外の樹脂に変更してもよい。例えば、樹脂３２を、ポリイミド樹脂に変更してもよい。
【0072】
・上記実施形態では、絶縁層３０が含有するフィラー３３をシリカフィラーとしたが、これに限定されない。例えば、フィラー３３を、シリカフィラー以外のフィラーに変更してもよい。例えば、フィラー３３を、アルミナフィラーに変更してもよい。
【0073】
・上記実施形態では、第１金属膜５１を、ＣｕとＮｉとＴｉの合金であるＣｕＮｉＴｉ合金より形成したが、これに限定されない。例えば、Ｔｉを、Ｃｕよりもフィラー３３に対する密着性が高い金属、例えばクロム（Ｃｒ）に代えて、ＣｕとＮｉとＣｒの合金により第１金属膜５１を形成してもよい。
【0074】
・上記実施形態では、第１金属膜５１をスパッタリング法により形成するようにしたが、これに限定されない。例えば、第１金属膜５１を、蒸着法や無電解めっき法により形成してもよい。
【0075】
・上記実施形態では、第２金属膜５２をスパッタリング法により形成するようにしたが、これに限定されない。例えば、第２金属膜５２を、蒸着法や無電解めっき法により形成してもよい。
【0076】
・上記実施形態では、配線層４０を、セミアディティブ法により形成したが、これに限定されない。例えば、配線層４０を、サブトラクティブ法などの各種の配線形成方法により形成してもよい。
【0077】
・上記実施形態では、配線層４０を、配線基板１０の最外層の配線層に具体化したが、これに限定されない。
例えば図１５に示すように、配線層４０を、最外層の配線層７０よりも内層に設けられた配線層に適用してもよい。本変更例では、最外層の配線層７０と配線層２２との間に設けられた配線層に配線層４０が適用されている。
例えば図１５に示すように、配線層４０を、最外層の配線層７０よりも内層に設けられた配線層に適用してもよい。本変更例では、最外層の配線層７０と配線層２２との間に設けられた配線層に配線層４０が適用されている。
【0078】
本変更例の配線基板１０では、配線層４０を被覆する絶縁層８０が絶縁層３０の上面３０Ａに積層されている。絶縁層８０は、絶縁層３０と同様に、樹脂３２とフィラー３３（図２（ｂ）参照）とを含有していてもよい。最外層の配線層７０は、絶縁層８０の上面に形成されている。配線層７０は、配線層４０と同様の構造を有してもよい。すなわち、配線層７０は、第１金属膜５１と第２金属膜５２と金属層５３，５４（図２（ａ）参照）とを有していてもよい。
【0079】
・上記実施形態における配線基板１０における配線層２０，２２，４０及び絶縁層３０の層数や配線の取り回しなどは適宜変更することができる。
【符号の説明】
【0080】
１０ 配線基板
２２ 配線層（第１配線層）
２３ ビア配線（第１配線層）
３０ 絶縁層
３０Ａ 上面
３１ 貫通孔
３２ 樹脂
３２Ａ 上面
３３ フィラー
３３Ａ 上面
４０ 配線層（第２配線層）
５１ 第１金属膜
５２ 第２金属膜
５３ 金属層
５４ 金属層
２２ 配線層（第１配線層）
２３ ビア配線（第１配線層）
３０ 絶縁層
３０Ａ 上面
３１ 貫通孔
３２ 樹脂
３２Ａ 上面
３３ フィラー
３３Ａ 上面
４０ 配線層（第２配線層）
５１ 第１金属膜
５２ 第２金属膜
５３ 金属層
５４ 金属層
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】