特開 2024-141093 半導体装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024141093

(43)【公開日】2024-10-10

(54)【発明の名称】半導体装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 23/28 20060101AFI20241003BHJP

   H01L 23/34 20060101ALI20241003BHJP

   H01L 23/02 20060101ALI20241003BHJP

【ＦＩ】

H01L23/28 C

H01L23/34 B

H01L23/02 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023052552

(22)【出願日】2023-03-29

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】関島 信一朗

【テーマコード（参考）】

4M109

5F136

【Ｆターム（参考）】

4M109AA01

4M109CA04

4M109DB06

4M109EA02

5F136DA14

5F136DA17

(57)【要約】

【課題】半導体チップの上面における所定領域への封止樹脂の流入を回避し且つ封止樹脂の高さの増大を抑えること。
【解決手段】半導体装置は、配線基板と、半導体チップと、封止樹脂とを備える。半導体チップは、配線基板に搭載される。封止樹脂は、配線基板と半導体チップとの隙間に充填されて半導体チップの上面まで延在する。半導体チップは、半導体チップの上面における所定領域の周囲に位置し且つ半導体チップの上面の周縁を含む外周領域に形成され、封止樹脂の延在する部分を補足する溝を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

配線基板と、
前記配線基板に搭載される半導体チップと、
前記配線基板と前記半導体チップとの隙間に充填されて前記半導体チップの上面まで延在する封止樹脂と
を備え、
前記半導体チップは、
前記半導体チップの上面における所定領域の周囲に位置し且つ前記半導体チップの上面の周縁を含む外周領域に形成され、前記封止樹脂の延在する部分を補足する溝を有する
ことを特徴とする半導体装置。

【請求項2】

前記溝は、
前記半導体チップの上面における前記外周領域のうち、少なくとも前記半導体チップの上面の周縁を構成する一辺に沿う位置に形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記封止樹脂は、
前記半導体チップの上面まで延在する部分において、前記半導体チップの上面よりも高い位置まで隆起して前記半導体チップの上面における前記外周領域を被覆している
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。

【請求項4】

前記半導体チップは、
前記外周領域に、複数の前記溝を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。

【請求項5】

複数の前記溝のうち前記所定領域に最も近い位置に配置された溝は、当該溝を除く他の溝よりも、幅および深さの少なくとも一方が大きい
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。

【請求項6】

複数の前記溝は、前記所定領域に近いものほど、幅および深さの少なくとも一方が大きい
ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。

【請求項7】

前記封止樹脂を塗布する領域が、
前記半導体チップの外周領域上に位置している
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置は、例えば、配線基板に半導体チップを搭載することにより製造される。また、配線基板と半導体チップとの隙間には、アンダーフィル樹脂と呼ばれる封止樹脂が充填され、配線基板と半導体チップとの電気的な接続部分が保護される。

【0003】

このような封止樹脂は、例えば封止樹脂を吐出するノズル（以下、「樹脂吐出ノズル」と呼ぶ。）を用いて配線基板と半導体チップとの隙間に充填される。このとき、封止樹脂が配線基板と半導体チップとの隙間から側方へ流出し、たとえば半導体チップの周囲に配置された他の部品やパッド等を汚損する可能性がある。

【0004】

これに対し、側方への封止樹脂の流出を回避するために、樹脂吐出ノズルから半導体チップの上面の周縁に封止樹脂を供給して配線基板と半導体チップとの隙間に封止樹脂を充填するとともに、封止樹脂を半導体チップの上面まで延在させる技術が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開平１１－３４５８３４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、上述した技術では、半導体チップの上面における所定領域へ封止樹脂が流入するとともに、封止樹脂の高さが増大するという問題がある。すなわち、例えば半導体チップの上面の中央部には印字のための印字領域が設けられる場合がある。かかる場合に、封止樹脂が半導体チップの上面まで延在すると、延在する部分が印字領域に流入し、印字領域の使用が阻害されるおそれがある。さらに、封止樹脂の半導体チップの上面まで延在する部分の厚み分だけ封止樹脂全体の高さが増大してしまうことも考えられる。封止樹脂の高さが増大すると、例えば、半導体チップの上方に外部部品が配置される場合に、封止樹脂と外部部品とが干渉して封止樹脂にクラックが発生する等の不具合が発生する。

【0007】

開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体チップの上面における所定領域への封止樹脂の流入を回避し且つ封止樹脂の高さの増大を抑えることができる半導体装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本願の開示する半導体装置は、一つの態様において、配線基板と、半導体チップと、封止樹脂とを備える。半導体チップは、配線基板に搭載される。封止樹脂は、配線基板と半導体チップとの隙間に充填されて半導体チップの上面まで延在する。半導体チップは、半導体チップの上面における所定領域の周囲に位置し且つ半導体チップの上面の周縁を含む外周領域に形成され、封止樹脂の延在する部分を補足する溝を有する。

【発明の効果】

【0009】

本願の開示する半導体装置の一つの態様によれば、半導体チップの上面における所定領域への封止樹脂の流入を回避し且つ封止樹脂の高さの増大を抑えることができる、という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】図１は、実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。

【図2】図２は、実施形態に係る半導体装置を上方向から見た平面図である。

【図3】図３は、樹脂充填工程の具体例を示す図である。

【図4】図４は、実施形態の変形例１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。

【図5】図５は、実施形態の変形例１に係る半導体装置を上方向から見た平面図である。

【図6】図６は、実施形態の変形例２に係る半導体装置の構成を示す断面図である。

【図7】図７は、実施形態の変形例２に係る半導体装置を上方向から見た平面図である。

【図8】図８は、実施形態の変形例３に係る半導体装置の構成を示す断面図である。

【図9】図９は、実施形態の変形例４に係る半導体装置の構成を示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下に、本願の開示する半導体装置の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態により開示技術が限定されるものではない。

【0012】

（実施形態）
図１は、実施形態に係る半導体装置１００の構成を示す断面図である。半導体装置１００は、配線基板１１０に半導体チップ１２０が搭載されて構成される。そして、配線基板１１０と半導体チップ１２０との隙間には、アンダーフィル樹脂と呼ばれる封止樹脂１３０が充填されるとともに、この封止樹脂１３０が半導体チップ１２０の側面を回り込んで半導体チップ１２０の上面１２０ａまで延在している。以下においては、便宜上、配線基板１１０から半導体チップ１２０へ向かう方向を上方向とし、半導体チップ１２０から配線基板１１０へ向かう方向を下方向として説明するが、半導体装置１００は、例えば上下反転するなど任意の姿勢で製造・使用されてよい。

【0013】

配線基板１１０は、基板１１１、ソルダーレジスト層１１２及び上面パッド１１３を有する。なお、図１においては図示を省略するが、上面パッド１１３は、基板１１１を貫通するビア配線により、基板１１１の下方の図示しない下面パッドと電気的に接続されていてもよい。

【0014】

基板１１１は、絶縁性の板状部材であり、配線基板１１０の基材である。基板１１１の材料としては、例えば、補強材であるガラスクロス（ガラス織布）にエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させて硬化させたガラスエポキシ樹脂などを用いることができる。補強材としては、ガラスクロスに限らず、例えば、ガラス不織布、アラミド織布、アラミド不織布、液晶ポリマ（ＬＣＰ：Liquid Crystal Polymer）織布及びＬＣＰ不織布などを用いることができる。また、熱硬化性の絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂の他にも、例えば、ポリイミド樹脂及びシアネート樹脂などを用いることができる。

【0015】

なお、基板１１１は、単層の絶縁性部材に限定されず、絶縁層及び配線層を積層した多層構造の積層基板であっても良い。基板１１１が積層基板である場合には、絶縁層を貫通するビアによって、この絶縁層を挟む配線層が電気的に接続される。絶縁層の材料としては、例えば、エポキシ樹脂及びポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂、又はこれらの樹脂にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。また、配線層の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）又は銅合金を用いることができる。

【0016】

ソルダーレジスト層１１２は、基板１１１の上面を被覆する絶縁層である。ソルダーレジスト層１１２の一部には開口部が設けられ、開口部から上面パッド１１３が露出する。ソルダーレジスト層１１２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。

【0017】

上面パッド１１３は、基板１１１の上面の配線層に形成され、半導体チップ１２０の実装及び外部部品（不図示）の実装のために、ソルダーレジスト層１１２の開口部から露出する。すなわち、一部の上面パッド１１３には、半導体チップ１２０がフリップチップ接続される。また、半導体チップ１２０が接続されない他の一部の上面パッド１１３は、半導体チップ１２０と接続される上面パッド１１３の周囲に配置されてソルダーレジスト層１１２の開口部から部分的に露出し、外部部品に対する外部接続端子として用いられる。配線基板１１０の上面に半導体チップ１２０が搭載される際には、半導体チップ１２０の下面に形成された端子１２１がはんだ１２１ａによって上面パッド１１３に接続される。そして、配線基板１１０と半導体チップ１２０の隙間には、封止樹脂１３０が充填され、端子１２１と上面パッド１１３との接続部分が保護される。上面パッド１１３の材料としては、配線層と同様に、例えば銅又は銅合金を用いることができる。

【0018】

半導体チップ１２０は、種々の機能を有する電子回路を半導体上に集積した電子部品である。半導体チップ１２０の配線基板１１０に対向する下面には複数の端子１２１が設けられており、これらの端子１２１が上述のように配線基板１１０の上面パッド１１３に接続される。

【0019】

封止樹脂１３０は、配線基板１１０と半導体チップ１２０との隙間に充填されて半導体チップ１２０の側面から半導体チップ１２０の上面１２０ａまで延在する。封止樹脂１３０の材料としては、例えばエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を用いることができる。

【0020】

図２は、実施形態に係る半導体装置１００を上方向から見た平面図である。図２では、半導体チップ１２０の、矩形状を有する上面１２０ａが示されている。図２のＩ－Ｉ線における断面が図１の断面に相当する。図１及び図２に示すように、封止樹脂１３０が延在する半導体チップ１２０の上面１２０ａは、印字領域（所定領域の一例）１２２及び外周領域１２３を有する。

【0021】

印字領域１２２は、例えば半導体チップ１２０の製品番号等の各種情報を印字するための領域である。印字領域１２２は、半導体チップ１２０の上面１２０ａの中央部に設けられる。印字領域１２２は、印字の視認性を保つために、封止樹脂１３０によって被覆されないことが望ましい。

【0022】

外周領域１２３は、印字領域１２２の周囲に位置し且つ半導体チップ１２０の上面１２０ａの周縁を含む領域である。外周領域１２３には、溝１２４が形成される。溝１２４は、封止樹脂１３０の半導体チップ１２０の上面１２０ａまで延在する部分を補足する。具体的には、溝１２４は、封止樹脂１３０に対して毛細管現象を発生させる程度に微細な幅および深さを有しており、封止樹脂１３０の半導体チップ１２０の上面１２０ａまで延在する部分を毛細管現象により補足する。溝１２４の幅は、例えば５０～１０００μｍ程度とすることができ、溝１２４の深さは、例えば１～１００μｍ程度とすることができる。溝１２４は、例えばレーザ加工によって形成することが可能である。

【0023】

このように、実施形態では、半導体チップ１２０の上面１２０ａにおける印字領域１２２の周囲に位置する外周領域１２３に溝１２４を形成して封止樹脂１３０の延在する部分を補足する。このため、封止樹脂１３０の延在する部分が溝１２４に格納されるとともに、封止樹脂１３０の延在する部分の上面が半導体チップ１２０の上面１２０ａの高さよりも低い位置に位置することとなる。これにより、外周領域１２３において溝１２４の毛細管現象の作用により封止樹脂１３０の流動が制限されるとともに、封止樹脂１３０が溝１２４の長手方向に薄く広がる。結果として、実施形態によれば、半導体チップ１２０の上面１２０ａにおける印字領域１２２への封止樹脂１３０の流入を回避し且つ封止樹脂１３０の高さの増大を抑制することができる。

【0024】

溝１２４は、図２に示すように、半導体チップ１２０の上面１２０ａにおける外周領域１２３のうち、半導体チップ１２０の上面１２０ａの周縁を構成する四辺に沿う位置に形成される。これにより、樹脂吐出ノズルを用いて半導体チップ１２０の上面１２０ａの周縁に封止樹脂１３０を供給する場合でも、上面１２０ａの周縁を構成する四辺付近において封止樹脂１３０の流動を制限することができる。その結果、印字領域１２２への封止樹脂１３０の流入をより安定的に回避することができる。

【0025】

なお、図２では、溝１２４が半導体チップ１２０の上面１２０ａの周縁を構成する四辺に沿って形成される場合の例を示したが、開示技術はこれに限られない。例えば、溝１２４は、半導体チップ１２０の上面１２０ａにおける外周領域１２３のうち、少なくとも上面１２０ａの周縁を構成する一辺に形成されてもよい。この場合、溝１２４は、上面１２０ａの周縁を構成する四辺のうち樹脂吐出ノズルに近接する側の一以上の辺に形成されるとよい。

【0026】

溝１２４は、外周領域１２３に複数形成される。さらに、複数の溝１２４は、格子状に配置される。言い換えると、平面視で互いに異なる方向に延びる直線状の複数の溝１２４が、互いに交差して配置される。外周領域１２３に複数の溝１２４が形成されることにより、外周領域１２３において複数の溝１２４の毛細管現象の作用により封止樹脂１３０の流動をより効率的に制限するとともに、封止樹脂１３０をより薄く広げることができる。結果として、実施形態によれば、半導体チップ１２０の上面１２０ａにおける印字領域１２２への封止樹脂１３０の流入をより安定的に回避し且つ封止樹脂１３０の高さの増大を抑制することができる。

【0027】

なお、外周領域１２３における複数の溝１２４の配置は、図２に示す格子状に限られない。例えば、平面視で矩形状に連続して陥没する同心の複数の溝１２４が、印字領域１２２を囲むように配置されてもよい。

【0028】

次いで、上記のように構成された半導体装置１００を製造する際に実行される封止樹脂充填工程について、図３を参照して説明する。図３は、封止樹脂充填工程の具体例を示す図である。図３においては、配線基板１１０の上面に半導体チップ１２０が搭載された状態が示されている。

【0029】

配線基板１１０の上面に半導体チップ１２０が搭載されると、まず、樹脂吐出ノズル２００が半導体チップ１２０の上面１２０ａの周縁上方に配置される。

【0030】

そして、樹脂吐出ノズル２００から半導体チップ１２０の上面１２０ａの周縁に未硬化の封止樹脂１３０が供給される。樹脂吐出ノズル２００から供給される封止樹脂１３０は、半導体チップ１２０の側面を経由して配線基板１１０と半導体チップ１２０との隙間に充填されるとともに、半導体チップ１２０の側面を回り込んで半導体チップ１２０の上面１２０ａまで延在する。

【0031】

ここで、半導体チップ１２０の上面１２０ａにおける印字領域１２２の周囲に位置する外周領域１２３には、封止樹脂１３０の延在する部分を補足する溝１２４が形成されている。このため、封止樹脂１３０の延在する部分が溝１２４に格納されるとともに、封止樹脂１３０の延在する部分の上面が半導体チップ１２０の上面１２０ａの高さよりも低い位置に位置することとなる。これにより、外周領域１２３において溝１２４の毛細管現象の作用により封止樹脂１３０の流動が制限されるとともに、封止樹脂１３０が溝１２４の長手方向に薄く広がる。この結果、半導体チップ１２０の上面１２０ａにおける印字領域１２２への封止樹脂１３０の流入が回避され且つ封止樹脂１３０の高さの増大が抑制される。このため、封止樹脂１３０によって印字領域１２２が被覆されることがなく、印字領域１２２の使用が阻害されることがない。また、配線基板１１０の上面パッド１１３を利用して半導体チップ１２０の上方に外部部品が配置される場合であっても、封止樹脂１３０と外部部品との干渉を回避することができ、封止樹脂１３０におけるクラックの発生を防止することができる。

【0032】

配線基板１１０と半導体チップ１２０との隙間に未硬化の封止樹脂１３０が充填されて半導体チップ１２０の上面１２０ａまで延在すると、封止樹脂１３０が所定の温度に加熱され硬化する。

【0033】

（変形例）
つづいて、実施形態に係る半導体装置１００の各種変形例について、図４～図９を参照しながら説明する。図４は、実施形態の変形例１に係る半導体装置１００の構成を示す断面図である。図５は、実施形態の変形例１に係る半導体装置１００を上方向から見た平面図である。

【0034】

なお、以下の各種変形例では、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。

【0035】

図４及び図５に示すように、変形例１に係る半導体装置１００では、封止樹脂１３０の構成が実施形態と異なる。具体的には、封止樹脂１３０が、半導体チップ１２０の上面１２０ａまで延在する部分において、半導体チップ１２０の上面１２０ａよりも高い位置まで隆起して半導体チップ１２０の上面１２０ａにおける外周領域１２３を被覆している。換言すれば、変形例１では、封止樹脂１３０の延在する部分が溝１２４に格納されるとともに、封止樹脂１３０の延在する部分の上面が半導体チップ１２０の上面１２０ａの高さよりも高い位置まで隆起して外周領域１２３全体を被覆している。

【0036】

これにより、半導体チップ１２０が封止樹脂１３０によって上面１２０ａ及び下面の両側から挟まれることから、半導体チップ１２０を安定的に固定することができる。したがって、変形例１によれば、半導体チップ１２０と封止樹脂１３０との熱膨張率の相違により半導体チップ１２０が封止樹脂１３０から剥離することや、半導体チップ１２０に反りが発生することを抑制することができる。

【0037】

また、変形例１における封止樹脂１３０は、半導体チップ１２０の上面１２０ａよりも高い位置に隆起している。これにより、封止樹脂１３０は、溝１２４による毛細管現象によって均一にならされており、封止樹脂１３０の一部分が突出して隆起するような場合に比べて、半導体チップ１２０の上方に外部部品が配置される際の干渉を最小限に抑えることができる。

【0038】

図６は、実施形態の変形例２に係る半導体装置１００の構成を示す断面図である。図７は、実施形態の変形例２に係る半導体装置１００を上方向から見た平面図である。

【0039】

図６及び図７に示すように、変形例２に係る半導体装置１００では、複数の溝１２４の構成が実施形態と異なる。具体的には、複数の溝１２４のうち印字領域１２２に最も近い位置に配置された溝１２４Ａが、当該溝１２４Ａを除く他の溝１２４よりも、幅が大きい。

【0040】

これにより、印字領域１２２に最も近い溝１２４Ａの容積が増大することから、樹脂吐出ノズル２００からの封止樹脂１３０の供給量が比較的に多い場合でも、印字領域１２２へ向かう封止樹脂１３０の流れを溝１２４Ａにおいて滞留させることができる。したがって、変形例２によれば、半導体チップ１２０の上面１２０ａにおける印字領域１２２への封止樹脂１３０の流入をより安定的に回避することができる。

【0041】

図８は、実施形態の変形例３に係る半導体装置１００の構成を示す断面図である。

【0042】

図８に示すように、変形例３に係る半導体装置１００では、複数の溝１２４の構成が実施形態と異なる。具体的には、複数の溝１２４のうち印字領域１２２に最も近い位置に配置された溝１２４Ａが、当該溝１２４Ａを除く他の溝１２４よりも、深さが大きい。

【0043】

これにより、印字領域１２２に最も近い溝１２４Ａの容積が増大することから、樹脂吐出ノズル２００からの封止樹脂１３０の供給量が比較的に多い場合でも、印字領域１２２へ向かう封止樹脂１３０の流れを溝１２４Ａにおいて滞留させることができる。したがって、変形例３によれば、半導体チップ１２０の上面１２０ａにおける印字領域１２２への封止樹脂１３０の流入をより安定的に回避することができる。

【0044】

さらに、変形例３では、印字領域１２２に最も近い溝１２４Ａが、当該溝１２４Ａを除く他の溝１２４よりも、幅が大きくてもよい。要するに、印字領域１２２に最も近い溝１２４Ａは、当該溝１２４Ａを除く他の溝１２４よりも、幅および深さの少なくとも一方が大きいとよい。

【0045】

図９は、実施形態の変形例４に係る半導体装置１００の構成を示す断面図である。

【0046】

図９に示すように、変形例３に係る半導体装置１００では、複数の溝１２４の構成が実施形態と異なる。具体的には、複数の溝１２４が、印字領域１２２に近いものほど、幅が大きい。

【0047】

これにより、印字領域１２２に近いものほど各溝１２４の容積が増大することから、樹脂吐出ノズル２００からの封止樹脂１３０の供給量が比較的に多い場合でも、印字領域１２２へ向かう封止樹脂１３０の流れを各溝１２４において滞留させることができる。したがって、変形例４によれば、半導体チップ１２０の上面１２０ａにおける印字領域１２２への封止樹脂１３０の流入をより安定的に回避することができる。

【0048】

さらに、変形例４では、複数の溝１２４が、印字領域１２２に近いものほど、深さが大きくてもよい。要するに、複数の溝１２４は、印字領域１２２に近いものほど、幅および深さの少なくとも一方が大きいとよい。

【0049】

以上のように、実施形態に係る半導体装置（一例として、半導体装置１００）は、配線基板（一例として、配線基板１１０）と、半導体チップ（一例として、半導体チップ１２０）と、封止樹脂（一例として、封止樹脂１３０）とを備える。半導体チップは、配線基板に搭載される。封止樹脂は、配線基板と半導体チップとの隙間に充填されて半導体チップの上面まで延在する。半導体チップは、半導体チップの上面（一例として、上面１２０ａ）における所定領域（一例として、印字領域１２２）の周囲に位置し且つ半導体チップの上面の周縁を含む外周領域（一例として、外周領域１２３）に形成され、封止樹脂の延在する部分を補足する溝（一例として、溝１２４）を有する。これにより、半導体チップの上面における所定領域への封止樹脂の流入を回避し且つ封止樹脂の高さの増大を抑えることができる。

【0050】

また、溝は、半導体チップの上面における外周領域のうち、少なくとも半導体チップの上面の周縁を構成する一辺に沿う位置に形成されてもよい。これにより、半導体チップの上面における所定領域への封止樹脂の流入をより安定的に回避することができる。

【0051】

また、封止樹脂は、半導体チップの上面まで延在する部分において、半導体チップの上面よりも高い位置まで隆起して半導体チップの上面における外周領域を被覆していてもよい。これにより、半導体チップと封止樹脂との熱膨張率の相違により半導体チップが封止樹脂から剥離することや、半導体チップに反りが発生することを抑制することができる。

【0052】

また、半導体チップは、外周領域に、複数の溝を有していてもよい。これにより、半導体チップの上面における所定領域への封止樹脂の流入をより安定的に回避し且つ封止樹脂の高さの増大を抑えることができる。

【0053】

また、複数の溝のうち所定領域に最も近い位置に配置された溝（一例として、溝１２４Ａ）は、当該溝を除く他の溝よりも、幅および深さの少なくとも一方が大きくてもよい。これにより、半導体チップの上面における所定領域への封止樹脂の流入をより安定的に回避することができる。

【0054】

また、複数の溝は、所定領域に近いものほど、幅および深さの少なくとも一方が大きくてもよい。これにより、半導体チップの上面における所定領域への封止樹脂の流入をより安定的に回避することができる。

【符号の説明】

【0055】

１００ 半導体装置
１１０ 配線基板
１１１ 基板
１１２ ソルダーレジスト層
１１３ 上面パッド
１２０ 半導体チップ
１２０ａ 上面
１２１ 端子
１２２ 印字領域
１２３ 外周領域
１２４、１２４Ａ 溝
１３０ 封止樹脂
２００ 樹脂吐出ノズル

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】