特開 2024-141852 半導体装置及び半導体装置の酸化膜厚測定方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024141852

(43)【公開日】2024-10-10

(54)【発明の名称】半導体装置及び半導体装置の酸化膜厚測定方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/3205 20060101AFI20241003BHJP

   H01L 21/66 20060101ALI20241003BHJP

   H01L 21/822 20060101ALI20241003BHJP

【ＦＩ】

H01L21/88 Z

H01L21/66 P

H01L27/04 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】6

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023053700

(22)【出願日】2023-03-29

(71)【出願人】

【識別番号】308033711

【氏名又は名称】ラピスセミコンダクタ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】草野 健一郎

【テーマコード（参考）】

4M106

5F033

5F038

【Ｆターム（参考）】

4M106AA01

4M106AA13

4M106CA11

4M106CA48

4M106DH04

5F033GG01

5F033GG02

5F033HH04

5F033JJ01

5F033MM20

5F033PP06

5F033QQ08

5F033RR04

5F033SS11

5F033VV12

5F033XX33

5F033XX37

5F038AC10

5F038CA02

5F038CA13

5F038CD13

5F038DT12

(57)【要約】

【課題】酸化膜の厚さを容易に測定することが可能な半導体装置及び半導体装置の酸化膜厚測定方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子及び１以上のトレンチが形成される基板のスクライブラインに形成される半導体装置であって、トレンチ内に配置される酸化膜と、基板のトレンチが形成されているトレンチ領域を覆う本体部と本体部から酸化膜に向かって延伸する延伸部とを有する第１電極と、を備える。
【選択図】図２Ｂ

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体素子及び１以上のトレンチが形成される基板のスクライブラインに形成される半導体装置であって、
前記トレンチ内に配置される酸化膜と、
前記基板のトレンチが形成されているトレンチ領域を覆う本体部と前記本体部から前記酸化膜に向かって延伸する延伸部とを有する第１電極と、
を備える半導体装置。

【請求項2】

前記本体部の表面積は、前記トレンチが形成されずに前記半導体素子が形成される非トレンチ領域に設けられている第２電極の表面積と等しい、請求項１に記載の半導体装置。

【請求項3】

前記トレンチは複数設けられ、
前記延伸部は、複数の前記トレンチのそれぞれに配置される、請求項１又は２に記載の半導体装置。

【請求項4】

半導体素子及び１以上のトレンチが形成される基板と、前記トレンチ内に配置される酸化膜と、前記基板のトレンチが形成されているトレンチ領域を覆う本体部と前記本体部から前記酸化膜に向かって延伸する延伸部とを有する第１電極と、を備え、前記基板のスクライブラインに形成される半導体装置の酸化膜厚測定方法であって、
前記酸化膜が第１厚さのときの前記第１電極の第１容量を測定するステップと、
前記酸化膜が前記第１厚さよりも薄い第２厚さのときの前記第１電極の第２容量を測定するステップと、
前記第１容量及び前記第２容量に基づき、前記第２厚さを測定する測定ステップと、
を含む半導体装置の酸化膜厚測定方法。

【請求項5】

前記本体部の表面積は、前記トレンチが形成されずに前記半導体素子が形成される非トレンチ領域に設けられている第２電極の表面積と等しい、請求項４に記載の半導体装置の酸化膜厚測定方法。

【請求項6】

前記酸化膜が前記第１厚さのときの前記半導体装置の第１耐圧を測定するステップと、
前記酸化膜が前記第２厚さのときの前記半導体装置の第２耐圧を測定するステップと、
前記第１耐圧及び前記第２耐圧に基づき、前記第２厚さを測定する測定ステップと、
を含む請求項４又は５に記載の半導体装置の酸化膜厚測定方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、半導体装置及び半導体装置の酸化膜厚測定方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来の半導体装置として、ＳＴＩ構造を有する半導体装置が開示されている（例えば特許文献１）。ＳＴＩ構造を有する半導体装置では、基板の表面に形成された１以上のトレンチを埋めるように酸化膜が形成され、当該酸化膜の表面が平坦化される。これにより、基板の表面に形成された複数の半導体素子がトレンチにより絶縁される。

【0003】

ここで、酸化膜の厚さが小さい場合、トレンチの肩部が露出し、又は、当該肩部に形成される酸化膜が薄くなり得る。これにより半導体素子間に寄生トランジスタが発生し、トランジスタの特性が所望の特性に対して変化し得る。また、酸化膜の耐圧が低下して経時絶縁破壊（Ｔｉｍｅ Ｄｅｐｅｎｄａｎｔ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｂｒｅａｋｄｏｗｎ：ＴＤＤＢ：）が生じ易くなる。従って、半導体素子を適切に絶縁するためには、トレンチが埋め込まれている酸化膜の厚さを確保することが重要である。なお、トレンチの肩部は、トレンチが形成されるトレンチ領域とトレンチが形成されずに半導体素子が形成される非トレンチ領域との境界付近の領域である。

【0004】

ＴＤＤＢなどを防止するため、従来の半導体装置の製造工程では、酸化膜が適切な厚さを有しているかを確認する方法として、半導体装置を裁断して酸化膜の断面を確認する方法、トランジスタのＩ－Ｖ特性（Ｃｕｒｒｅｎｔ－Ｖｏｌｔａｇｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）を確認する方法などを採用している。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２０２３－０１７２４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

しかしながら、従来技術では、量産される半導体装置の全てについて酸化膜の厚さを測定することが困難であり、半導体装置の製造時間を短縮する上で改善の余地がある。

【0007】

本発明は、上記の事情を踏まえ、酸化膜の厚さを容易に測定することが可能な半導体装置及び半導体装置の酸化膜厚測定方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体素子及び１以上のトレンチが形成される基板のスクライブラインに形成される半導体装置であって、前記トレンチ内に配置される酸化膜と、前記基板のトレンチが形成されているトレンチ領域を覆う本体部と前記本体部から前記酸化膜に向かって延伸する延伸部とを有する第１電極と、を備える。

【0009】

上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の酸化膜厚測定方法は、半導体素子及び１以上のトレンチが形成される基板と、前記トレンチ内に配置される酸化膜と、前記基板のトレンチが形成されているトレンチ領域を覆う本体部と前記本体部から前記酸化膜に向かって延伸する延伸部とを有する第１電極と、を備え、前記基板のスクライブラインに形成される半導体装置の酸化膜厚測定方法であって、前記酸化膜が第１厚さのときの前記第１電極の第１容量を測定するステップと、前記酸化膜が前記第１厚さよりも薄い第２厚さのときの前記第１電極の第２容量を測定するステップと、前記第１容量及び前記第２容量に基づき、前記第２厚さを測定する測定ステップと、を含む。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、酸化膜の厚さを容易に測定することが可能な半導体装置及び半導体装置の酸化膜厚測定方法を提供することが可能となる、という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、本開示の実施形態にかかる半導体装置を含むウエハを平面視した図である。

【図2A】図２Ａは、本開示の実施形態にかかる半導体装置の構成を示す図である。

【図2B】図２Ｂは、本開示の実施形態にかかる半導体装置の構成を示す図である。

【図2C】図２Ｃは、本体部の表面積について説明するための図である。

【図3A】図３Ａは、酸化膜２の厚さと第１電極３０の容量との間の相関性について説明するための図である。

【図3B】図３Ｂは、酸化膜２の厚さと第１電極３０の容量との間の相関性について説明するための図である。

【図3C】図３Ｃは、酸化膜２の厚さと第１電極３０の容量との間の相関性について説明するための図である。

【図4】図４は、本開示の実施形態にかかる半導体装置の酸化膜厚測定方法を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下、実施形態を図面に基づいて説明する。なお、同一の機能や構成には、同一または類似の符号を付して、その説明を適宜省略する。

【0013】

［実施形態］
（半導体装置の構成）
図１は、本開示の実施形態にかかる半導体装置を含むウエハを平面視した図である。

【0014】

ウエハＷは、半導体素子１０が形成される半導体基板である。具体的には、ウエハはＳｉ（シリコン）を含むＳｉ基板である。なお、ウエハＷは、Ｓｉ基板に限定されず、ＳｉＣ（シリコンカーバイド）を含む基板、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）を含む基板などでもよい。

【0015】

ウエハＷには、所定幅のスクライブライン領域ＳＬおよびアクティブ領域ＡＣが設けられている。スクライブライン領域ＳＬには、テスト用素子群（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔ Ｇｒｏｕｐ：ＴＥＧ）としての半導体装置１００が形成されている。アクティブ領域ＡＣは、ウエハＷのうち後述するトレンチが形成されない非トレンチ領域と解釈してよい。図１に示す領域Ｘは、複数のスクライブライン領域ＳＬの内、半導体装置１００が形成される領域である。図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃを参照して、半導体装置１００の構成を説明する。

【0016】

図２Ａ及び図２Ｂは、本開示の実施形態にかかる半導体装置の構成を示す図である。図２Ａには、図１の領域Ｘを拡大した図が示されている。図２Ｂには、図２Ａに示す半導体装置１００のＡ－Ａ線断面が示されている。

【0017】

図２Ａ及び図２Ｂの左には、基板２０のトレンチ領域ＴＣに設けられた半導体装置１００が示されている。図２Ａ及び図２Ｂの右には、基板２０のアクティブ領域ＡＣに設けられた第２電極３０Ａが示されている。

【0018】

半導体装置１００は、ウエハＷ（図１）の一部である基板２０と、トレンチ１内に配置される酸化膜２と、第１電極３０とを備える。

【0019】

基板２０のトレンチ領域ＴＣには１以上のトレンチ１が形成される。複数のトレンチ１は、方向Ｄ１に間隔を空けて配列されている。酸化膜２の材料は、用途、目的などに応じて適宜選択可能であり、一例としてシリコン酸化膜が挙げられる。

【0020】

第１電極３０は、トレンチ領域ＴＣに形成されるゲート電極、ドレイン電極、ソース電極などに相当する電極である。第１電極３０の材料は、用途、目的などに応じて適宜選択可能であり、一例としてＰｏｌｙ Ｓｉ（多孔質シリコン）が挙げられる。

【0021】

第１電極３０は、トレンチ領域ＴＣを覆う本体部３１と、本体部３１からトレンチ１内の酸化膜２に向かって延伸する複数の延伸部３２とを有する。第１電極３０は、板状の電極の表面に複数の突起が形成された電極と解釈してよい。

【0022】

本体部３１は、複数のトレンチ１のそれぞれの開口部を覆いながら基板２０のトレンチ領域ＴＣに設けられている。本体部３１は、基板２０を平面視して長方形の電極である。

【0023】

延伸部３２は、本体部３１から酸化膜２の上面に向かって突き出る凸形状の導電性部材である。延伸部３２が伸びる方向Ｄ２は、方向Ｄ１と交差する方向である。延伸部３２は本体部３１の一部と解釈してよい。本体部３１に延伸部３２が形成されることで、本体部３１の一部が、トレンチ１内の酸化膜２上面に向かって突き出た形状となる。

【0024】

ここで、本体部３１の表面積は、アクティブ領域ＡＣに設けられた板状の第２電極３０Ａの表面積と略等しいことが望ましい。略等しいとは、本体部３１の表面積と第２電極３０Ａの表面積との差が、製造公差に相当する特定寸法以下であることを含むと解釈してよい。第２電極３０Ａは、アクティブ領域ＡＣ（非トレンチ領域）に設けられている板状の電極である。

【0025】

図２Ｃは、本体部の表面積について説明するための図である。本体部３１は、基板２０と対向する対向面３１ａが平らに形成されている。また本体部３１は、本体部３１全体の表面の内、複数のトレンチ１の開口部を対向する部分（第１領域Ａ１）を除いた部分（第２領域Ａ２）の面積が、第２電極３０Ａ（図２Ａ参照）全体の表面積と等しくなるように構成される。

【0026】

トレンチ１への酸化膜２の埋め込みが浅い場合、つまり酸化膜２の厚さが小さい場合、延伸部３２が形成されることにより、本体部３１の表面積（第２領域Ａ２）に、延伸部３２の表面積が付加される。

【0027】

本体部３１の表面積が、アクティブ領域ＡＣに設けられた板状の第２電極３０Ａの表面積と略等しい場合、本体部３１及び延伸部３２の表面積の総和、つまり第１電極３０全体の表面積は、第２電極３０Ａ全体の表面積よりも大きくなる。そして、トレンチ１内の酸化膜２の厚さが小さくなる程、延伸部３２の数及び延伸量が増加するため、第１電極３０の表面積がより一層大きくなる。

【0028】

このように第１電極３０の表面積が大きくなると、第１電極３０の容量が増加するため、第２電極３０Ａの容量を基準にして第１電極３０の容量の変化量を測定することで、トレンチ１内の酸化膜２の厚さを測定することができる。容量は、導体が電荷を蓄える能力を表す量と解釈してよく、静電容量（キャパシタンス）と解釈してもよい。また容量は、寄生容量と解釈してもよい。なお、酸化膜２の厚さの測定方法の具体例については後述する。

【0029】

（半導体装置の製造方法）
次に、半導体装置１００の製造方法について簡単に説明する。

【0030】

まず基板２０のアクティブ領域ＡＣを覆うようにシリコン酸化膜を形成する。次に公知のＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてシリコン酸化膜を覆うようにシリコン窒化膜を形成する。次に、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜にパターニングを施す。

【0031】

次に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜をマスクとして基板２０をエッチングすることにより、基板２０にトレンチ１を形成する。次に、公知のＣＶＤ法を用いて、基板２０を覆うように、ＳｉＯ２等の絶縁体で構成される酸化膜２を形成する。酸化膜２は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜の上面を覆う厚さで形成される。先の工程で形成されたトレンチ１には、酸化膜２が埋め込まれる。

【0032】

次に、公知のＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を用いて酸化膜２を平坦化する。具体的には、ＣＭＰ法による平坦化においては、研磨液（スラリー）を流しながら酸化膜２を研磨する。次に、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜をエッチングにより除去する。

【0033】

次に、公知の熱酸化法を用いて基板２０に絶縁膜を形成する。続いて、公知のＣＶＤ法を用いて、絶縁膜上にポリシリコン膜を形成する。次に、公知のフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術により、絶縁膜及びポリシリコン膜をパターニングして、第１電極３０を形成する。

【0034】

次に、酸化膜２の厚さと第１電極３０の容量との間の相関性について説明する。図３Ａ、図３Ｂ及び図３Ｃは、酸化膜２の厚さと第１電極３０の容量との間の相関性について説明するための図である。

【0035】

図３Ａには、正常に成膜された酸化膜２及び本体部３１の断面が示されている。酸化膜２が正常に成膜された場合、酸化膜２の上面とトレンチ領域ＴＣの上面（基板２０の上面）とが略同じ高さに位置するため、酸化膜２とトレンチ領域ＴＣの上面との間に段差が発生しない。従って、本体部３１には、図２Ｂに示す延伸部３２が形成されないため、本体部３１の断面は平らな板状となる。

【0036】

図３Ｂには、図３Ａの酸化膜２に比べて、厚さが小さくなった酸化膜２が示されている。トレンチ１の深さに対して酸化膜２の厚さが小さい場合、酸化膜２の上面の位置は、トレンチ領域ＴＣの上面の位置と異なるため、酸化膜２とトレンチ領域ＴＣの上面との間に段差が発生する。このため、第１電極３０を形成する工程において、延伸部３２がトレンチ１の内部に形成される。

【0037】

このように延伸部３２が形成された第１電極３０の表面積は、図３Ａに示す本体部３１の表面積よりも大きくなる。このように表面積が大きくなると、第１電極３０の容量は、図２Ｂに示す第２電極３０Ａの容量よりも大きくなる。

【0038】

図３Ｃには、さらに厚さが小さくなった酸化膜２が示されている。図３Ｃに示すように酸化膜２が薄くなると、第１電極３０の表面積がより大きくなり、第１電極３０の容量がさらに大きくなる。

【0039】

このように、酸化膜２の厚さと第１電極３０の容量との間に相関性があるため、第１電極３０の容量を測定することによって、酸化膜２の厚さを測定することが可能である。図４を参照して、半導体装置１００の酸化膜厚測定方法について説明する。

【0040】

（酸化膜厚測定方法）
図４は、本開示の実施形態にかかる半導体装置の酸化膜厚測定方法を説明するための図である。図４には、横軸を酸化膜２の厚さとし、縦軸を第１電極３０の容量とするグラフが示されている。グラフには、酸化膜２の厚さと第１電極３０の容量とを示す複数のデータ点（ａ点、ｂ点、ｃ点）がプロットされている。

【0041】

ａ点に対応するＴｈａは、図３Ｃに示す酸化膜２の厚さを表し、ａ点に対応するＣａは、図３Ｃに示す第１電極３０の容量を表す。

【0042】

ｂ点に対応するＴｈｂは、図３Ｂに示す酸化膜２の厚さを表し、ｂ点に対応するＣｂは、図３Ｂに示す第１電極３０の容量を表す。

【0043】

ｃ点に対応するＴｈｃは、図３Ａに示す酸化膜２の厚さを表し、ｃ点に対応するＣｃは、図３Ａに示す本体部３１の容量を表す。

【0044】

図４に示すように、Ｔｈｃを基準にして酸化膜２の厚さが小さくなるにつれて、第１電極３０の容量は、Ｃｃを基準にして大きくなる傾向がある。このように、酸化膜２の厚さと第１電極３０の容量との間には相関性があるため、第１電極３０の容量を測定することにより、トレンチ１に埋め込まれている酸化膜２の厚さを測定することが可能である。

【0045】

実施形態にかかる酸化膜厚測定方法は、酸化膜２が第１厚さのときの第１電極３０の第１容量を測定するステップと、酸化膜２が第１厚さよりも小さい第２厚さのときの第１電極３０の第２容量を測定するステップとを含む。さらに、実施形態にかかる酸化膜厚測定方法は、測定した第１容量及び第２容量に基づき、第２厚さを測定する測定ステップを含む。

【0046】

具体的には、ＣｃとＣｂとの差分、ＣｃとＣａとの差分などを予め収集し、これらが検出されたときの酸化膜２の厚さの測定値と当該差分とを対応付けたデータを、メモリに保存する。その後、図１に示すウエハＷ上に設けられている半導体装置１００の第１電極３０の容量を測定し、測定した容量を上記のデータに照合することで、酸化膜２の厚さを測定することができる。

【0047】

これにより、例えば点ｃの容量（Ｃｃ）を基準にして、測定した容量（例えばＣｂ）が特定範囲内にある場合には、図１に示す半導体素子１０が形成されるアクティブ領域ＡＣのトレンチに埋め込まれている酸化膜が正常に形成されていると判定可能である。一方、測定した容量が特定範囲内にない場合には、当該酸化膜が薄い、つまり酸化膜が正常に形成されていないと判定可能である。

【0048】

また、前述したように、アクティブ領域ＡＣに設けられている第２電極３０Ａ（図２Ａ）の容量を測定し、当該容量を基準にして酸化膜の厚さを判定してもよい。具体的には、第２電極３０Ａの容量を基準にして、第１電極３０の容量（例えばＣｂ）が特定範囲内にある場合には、図１に示す半導体素子１０が形成されるアクティブ領域ＡＣのトレンチに埋め込まれている酸化膜が正常に形成されていると判定可能である。一方、測定した容量が特定範囲内にない場合には、当該酸化膜が薄い、つまり酸化膜が正常に形成されていないと判定可能である。

【0049】

（他の実施形態）
なお、前述の通り、酸化膜２の厚さが小さい場合、トレンチ１の肩部が露出し、又は、当該肩部に形成される酸化膜２が薄くなり得るため、酸化膜２が薄くなるほど、半導体装置１００の耐圧が低くなることが知られている。特にトレンチ１の肩部の酸化膜２が薄い場合、寄生容量が発生して、半導体装置１００の所望の特性が得られない可能性がある。従って、酸化膜２の厚みを精度良く測定することが重要である。

【0050】

本開示の実施形態にかかる酸化膜厚測定方法には、酸化膜２の厚みを精度良く測定するため、前述した容量の測定の工程に加え、半導体装置１００の耐圧を測定する工程を含めてもよい。具体的には、実施形態にかかる酸化膜厚測定方法は、酸化膜２が第１厚さのときの半導体装置１００の第１耐圧を測定するステップと、酸化膜２が第２厚さのときの半導体装置１００の第２耐圧を測定するステップとを含んでよい。さらに実施形態にかかる酸化膜厚測定方法は、第１耐圧及び第２耐圧に基づき、第２厚さを測定する測定ステップを含んでよい。

【0051】

より具体的には、半導体装置１００の耐圧と酸化膜２の厚みとを対応付けたデータを、メモリに保存する。その後、図１に示すウエハＷ上に設けられている半導体装置１００の第１電極３０の耐圧（前述した第１耐圧及び第２耐圧）を測定し、測定した耐圧を上記のデータに照合することで、酸化膜２の厚さ（前述した第２厚さ）を測定する。このように、前述した容量の測定に加え、半導体装置１００の耐圧を測定することで、酸化膜２の厚さの測定の精度を向上させることができる。

【0052】

（作用・効果）
以上に説明したように、本開示の実施形態にかかる半導体装置１００は、基板２０のトレンチ１が形成されているトレンチ領域ＴＣを覆う本体部３１と本体部３１から酸化膜２に向かって延伸する延伸部３２とを有する第１電極３０を備える。

【0053】

この構成により、酸化膜２の厚さが小さくなるほど第１電極３０の容量が大きくなるため、第１電極３０の容量を測定することにより、トレンチ１に埋め込まれている酸化膜２の厚さを測定することが可能である。このため、アクティブ領域ＡＣに形成される半導体装置を裁断して酸化膜の断面を確認し、或いはアクティブ領域ＡＣに形成されるトランジスタのＩ－Ｖ特性を確認することなく、ＳＴＩ構造における酸化膜の厚さを容易に測定することが可能となる。従って、量産される半導体装置の製造時間を短縮することが可能である。

【0054】

また、実施形態にかかる半導体装置１００は、基板２０のスクライブライン（スクライブライン領域ＳＬ）に形成されることで、アクティブ領域ＡＣを狭めることなく酸化膜２の厚さを測定することができる。従って、量産される半導体装置の製造数量を減らすことなく、ＳＴＩ構造における酸化膜の厚さを容易に測定することが可能となる。

【0055】

なお、以上の説明に関して更に以下の付記を開示する。

【0056】

（付記１）
半導体素子及び１以上のトレンチが形成される基板のスクライブラインに形成される半導体装置であって、前記トレンチ内に配置される酸化膜と、前記基板のトレンチが形成されているトレンチ領域を覆う本体部と前記本体部から前記酸化膜に向かって延伸する延伸部とを有する第１電極と、を備える半導体装置。

【0057】

（付記２）
前記本体部の表面積は、前記トレンチが形成されずに前記半導体素子が形成される非トレンチ領域に設けられている第２電極の表面積と等しい、付記１に記載の半導体装置。

【0058】

（付記３）
前記トレンチは複数設けられ、前記延伸部は、複数の前記トレンチのそれぞれに配置される、付記１又は２に記載の半導体装置。

【0059】

（付記４）
半導体素子及び１以上のトレンチが形成される基板と、前記トレンチ内に配置される酸化膜と、前記基板のトレンチが形成されているトレンチ領域を覆う本体部と前記本体部から前記酸化膜に向かって延伸する延伸部とを有する電極と、を備え、前記基板のスクライブラインに形成される半導体装置の酸化膜厚測定方法であって、前記酸化膜が第１厚さのときの前記電極の第１容量を測定するステップと、前記酸化膜が前記第１厚さよりも薄い第２厚さのときの前記電極の第２容量を測定するステップと、前記第１容量及び前記第２容量に基づき、前記第２厚さを測定する測定ステップと、を含む半導体装置の酸化膜厚測定方法。

【0060】

（付記５）
前記本体部の表面積は、前記トレンチが形成されずに前記半導体素子が形成される非トレンチ領域に設けられている第２電極の表面積と等しい、付記４に記載の半導体装置の酸化膜厚測定方法。

【0061】

（付記６）
前記酸化膜が前記第１厚さのときの前記半導体装置の第１耐圧を測定するステップと、前記酸化膜が前記第２厚さのときの前記半導体装置の第２耐圧を測定するステップと、前記第１耐圧及び前記第２耐圧に基づき、前記第２厚さを測定する測定ステップと、を含む付記４又は５に記載の半導体装置の酸化膜厚測定方法。

【符号の説明】

【0062】

１ トレンチ
２ 酸化膜
１０ 半導体素子
２０ 基板
３０ 第１電極
３０Ａ 第２電極
３１ 本体部
３１ａ 対向面
３２ 延伸部
１００ 半導体装置

【図1】

【図2A】

【図2B】

【図2C】

【図3A】

【図3B】

【図3C】

【図4】