特開 2024-141947 被加工物の加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024141947

(43)【公開日】2024-10-10

(54)【発明の名称】被加工物の加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20241003BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20241003BHJP

   B23K 26/53 20140101ALI20241003BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 B

H01L21/78 M

H01L21/78 X

H01L21/68 N

B23K26/53

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023053836

(22)【出願日】2023-03-29

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】本木 智子

(72)【発明者】

【氏名】斉藤 誠

【テーマコード（参考）】

4E168

5F063

5F131

【Ｆターム（参考）】

4E168AE01

4E168CA06

4E168CB22

4E168HA01

4E168JA12

4E168JA13

5F063AA15

5F063AA18

5F063BA07

5F063BA22

5F063BA32

5F063BA33

5F063BA34

5F063CB03

5F063CB05

5F063CB06

5F063CB12

5F063CB16

5F063CB17

5F063CB22

5F063CB26

5F063CB28

5F063DD27

5F063DD68

5F063DD75

5F063DD85

5F063DE02

5F063DE03

5F063DE33

5F063DG31

5F063EE07

5F063EE14

5F063FF01

5F131AA02

5F131BA52

5F131BA53

5F131CA12

5F131EC32

5F131EC33

5F131EC54

5F131EC64

5F131EC65

5F131EC75

(57)【要約】

【課題】分割性を低下させることなくデバイスチップの汚染を抑制することができる被加工物の加工方法を提供すること。
【解決手段】被加工物の加工方法は、交差する複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、被加工物の裏面側から分割予定ラインに沿って加工溝を形成する加工溝形成ステップ１０１と、加工溝形成ステップ１０１の後に、被加工物の裏面に保護部材を貼着して加工溝に保護部材を密着させる密着ステップ１０２と、密着ステップ１０２の後に、被加工物の表面側より分割予定ラインに沿って被加工物にレーザー光線を照射して、被加工物を分割予定ラインに沿って分割する分割ステップ１０３とを備える。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

交差する複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、
該被加工物の裏面側から該分割予定ラインに沿って加工溝を形成する加工溝形成ステップと、
該加工溝形成ステップの後に、該被加工物の裏面に保護部材を貼着して該加工溝に該保護部材を密着させる密着ステップと、
該密着ステップの後に、該被加工物の表面側より該分割予定ラインに沿って該被加工物にレーザー光線を照射して、該被加工物を該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、
を備える被加工物の加工方法。

【請求項2】

該分割ステップは、
該被加工物の表面側より該分割予定ラインに沿って該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該被加工物の内部に分割起点を形成する分割起点形成ステップと、
該分割起点形成ステップの後に、該保護部材を拡張して該被加工物を分割する拡張ステップと、
を備える請求項１に記載の被加工物の加工方法。

【請求項3】

該分割起点形成ステップにおける該分割起点は該加工溝の底部にまで到達するように形成されることを特徴とする請求項２に記載の被加工物の加工方法。

【請求項4】

該密着ステップは、真空チャンバー内で該被加工物の裏面に該保護部材をマウントすることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の被加工物の加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、被加工物の加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

交差する複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物を裏面側から切削ブレードで分割予定ラインに沿って切削し、複数のデバイスチップに分割する加工方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【0003】

しかしながら、特許文献１に示された加工方法は、分割予定ライン上に段差が形成された被加工物を裏面側から切削した場合、段差が起因してデバイスに達するラテラルクラックを引き起こすことがある。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２０－１７８０６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

その為、被加工物の裏面側から分割予定ラインに沿って切削して表面側に至らない切削溝を形成した後、今度は表面側から分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、被加工物の内部に形成された改質層を起点として分割する方法が提案された。

【0006】

しかしながら分割性を向上させる為に切削溝の底部まで至る改質層をレーザー光線で形成しようとした場合、切削溝の底部からデブリが飛散し、デバイスチップを汚染させるという新たな課題が発生した。

【0007】

本発明の目的は、分割性を低下させることなくデバイスチップの汚染を抑制することができる被加工物の加工方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の被加工物の加工方法は、交差する複数の分割予定ラインに区画された領域にデバイスが形成された表面を有する被加工物の加工方法であって、該被加工物の裏面側から該分割予定ラインに沿って加工溝を形成する加工溝形成ステップと、該加工溝形成ステップの後に、該被加工物の裏面に保護部材を貼着して該加工溝に該保護部材を密着させる密着ステップと、該密着ステップの後に、該被加工物の表面側より該分割予定ラインに沿って該被加工物にレーザー光線を照射して、該被加工物を該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備えることを特徴とする。

【0009】

前記被加工物の加工方法において、該分割ステップは、該被加工物の表面側より該分割予定ラインに沿って該被加工物に対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射し、該被加工物の内部に分割起点を形成する分割起点形成ステップと、該分割起点形成ステップの後に、該保護部材を拡張して該被加工物を分割する拡張ステップと、を備えても良い。

【0010】

前記被加工物の加工方法において、該分割起点形成ステップにおける該分割起点は該加工溝の底部にまで到達するように形成されても良い。

【0011】

前記被加工物の加工方法において、該密着ステップは、真空チャンバー内で該被加工物の裏面に該保護部材をマウントしても良い。

【発明の効果】

【0012】

本発明は、分割性を低下させることなくデバイスチップの汚染を抑制することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物を模式的に示す斜視図である。

【図2】図２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。

【図3】図３は、図２に示された被加工物の加工方法の加工溝形成ステップを模式的に示す断面図である。

【図4】図４は、図２に示された被加工物の加工方法の密着ステップにおいて真空チャンバーの支持テーブルに被加工物及び環状フレームを支持した状態を模式的に示す断面図である。

【図5】図５は、図４に示された被加工物及び環状フレームに保護部材を密着させた状態を模式的に示す断面図である。

【図6】図６は、図２に示された被加工物の加工方法の密着ステップ後の被加工物を模式的に示す断面図である。

【図7】図７は、図２に示された被加工物の加工方法の分割起点形成ステップを模式的に示す断面図である。

【図8】図８は、図２に示された被加工物の加工方法の分割起点形成ステップ後の被加工物の要部を模式的に示す断面図である。

【図9】図９は、図２に示された被加工物の加工方法の拡張ステップを模式的に示す断面図である。

【図10】図１０は、実施形態１の変形例１に係る被加工物の加工方法の加工溝形成ステップを模式的に示す断面図である。

【図11】図１１は、実施形態１の変形例２に係る被加工物の加工方法の分割ステップを模式的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

【0015】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の被加工物を模式的に示す斜視図である。図２は、実施形態１に係る被加工物の加工方法の流れを示すフローチャートである。

【0016】

（被加工物）
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、図１に示す被加工物１を加工する方法である。実施形態１に係る被加工物の加工方法の加工対象の図１に示す被加工物１は、シリコン、サファイア、ガリウムなどを基板２とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ等のウェーハである。被加工物１は、図１に示すように、基板２の表面３に交差する複数の分割予定ライン４が設定されている。被加工物１は、分割予定ライン４によって区画された各領域にデバイス５が形成された表面３を有している。

【0017】

デバイス５は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ、ＬＥＤ（Light-Emitting Diode）等の光学素子、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）又は半導体メモリ（半導体記憶装置）である。

【0018】

被加工物１は、デバイス５が基板２の表面３から突出して、基板２の表面３とデバイス５との間に段差が形成されている。また、実施形態１において、被加工物１は、基板２の表面３の裏側の裏面６に金属膜７が形成されている。実施形態１において、被加工物１は、分割予定ライン４に沿って個々のデバイスチップ１０に分割される。デバイスチップ１０は、基板２の一部と、基板２の表面３に形成されたデバイス５とを含む。

【0019】

（被加工物の加工方法）
実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１を分割予定ライン４に沿って個々のデバイスチップ１０に分割する方法でもある。被加工物の加工方法は、図２に示すように、加工溝形成ステップ１０１と、密着ステップ１０２と、分割ステップ１０３とを備える。

【0020】

（加工溝形成ステップ）
図３は、図２に示された被加工物の加工方法の加工溝形成ステップを模式的に示す断面図である。加工溝形成ステップ１０１は、被加工物１の裏面６側から分割予定ライン４に沿って加工溝１１（図３に示す）を形成するステップである。

【0021】

実施形態１において、加工溝形成ステップ１０１では、被加工物１の表面３側に保護テープ２０を貼着し、切削装置３０が、図示しないチャックテーブルの保持面に被加工物１の表面３側を保護テープ２０を介して吸引保持する。なお、実施形態１では、保護テープ２０は、非粘着性と可撓性を有する樹脂により構成された基材層と、基材層に積層されかつ粘着性と可撓性を有する樹脂により構成された糊層とを備え、糊層が被加工物１の表面３側に貼着される粘着テープであるが、本発明では、糊層を備えずに熱可塑性樹脂により構成されかつ被加工物１の表面３側に熱圧着される基材層のみから構成されるシートでも良い。

【0022】

実施形態１において、加工溝形成ステップ１０１では、切削装置３０が、保持面に被加工物１の表面３側を吸引保持した後、撮像ユニットで被加工物１を撮像して分割予定ライン４を検出し、被加工物１の分割予定ライン４と切削ブレード３１との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。実施形態１において、加工溝形成ステップ１０１では、切削装置３０は、図３に示すように、被加工物１と切削ブレード３１とを分割予定ライン４に沿って水平方向に沿って相対的に移動させながら、切削ブレード３１を裏面６側から分割予定ライン４に切り込ませる。実施形態１において、加工溝形成ステップ１０１では、切削装置３０が、切削ブレード３１を被加工物１の基板２の厚みの中央までに切り込ませて、裏面６側に開口しかつ被加工物１を分割しない加工溝１１をすべての分割予定ライン４に沿って被加工物１に形成する。

【0023】

（密着ステップ）
図４は、図２に示された被加工物の加工方法の密着ステップにおいて真空チャンバーの支持テーブルに被加工物及び環状フレームを支持した状態を模式的に示す断面図である。図５は、図４に示された被加工物及び環状フレームに保護部材を密着させた状態を模式的に示す断面図である。図６は、図２に示された被加工物の加工方法の密着ステップ後の被加工物を模式的に示す断面図である。

【0024】

密着ステップ１０２は、加工溝形成ステップ１０１の後に、被加工物１の裏面６に保護部材２１を貼着して、加工溝１１に保護部材２１を密着させるステップである。なお、実施形態１において、保護部材２１は、糊層を備えずに熱可塑性樹脂により構成されかつ被加工物１の裏面６側に熱圧着される基材層のみから構成されるシートであるが、本発明では、非粘着性と可撓性を有する樹脂により構成された基材層と、基材層に積層されかつ粘着性と可撓性を有する樹脂により構成された糊層とを備え、糊層が被加工物１の裏面６側に貼着される粘着テープでもよい。

【0025】

実施形態１において、密着ステップ１０２では、保護テープ２０を被加工物１から剥離し、真空マウンタ４０の真空チャンバー４１の上側筐体４２から離れた真空チャンバー４１の下側筐体４３内の支持テーブル４４の保持面に被加工物１の表面３側を載置する。また、実施形態１において、密着ステップ１０２では、支持テーブル４４の保持面に内径が被加工物１の外径よりも大径な環状の環状フレーム８を載置する。実施形態１において、密着ステップ１０２では、図４に示すように、支持テーブル４４の保持面上の被加工物１の裏面６及び環状フレーム８上に保護部材２１を載置する。

【0026】

実施形態１において、密着ステップ１０２では、真空マウンタ４０が、上側筐体４２を下側筐体４３に密着させて、これら筐体４２，４３内を外部から遮断する。すると、これら筐体４２，４３間が保護部材２１により区切られる。開閉弁４２１，４３１を閉じて、筐体４２，４３内を密閉し、開閉弁４２２，４３２を開いて、吸引源４２３，４３３により筐体４２，４３内を減圧しながら支持テーブル４４内のヒータ４５により被加工物１及び環状フレーム８を介して保護部材２１を加熱して軟化させる。

【0027】

実施形態１において、密着ステップ１０２では、真空マウンタ４０が、図５に示すように、開閉弁４２２，４３２を閉じた後、開閉弁４２１を開いて、上側筐体４２内を大気開放する。すると、保護部材２１が、ヒータ４５により加熱されて軟化し、筐体４２，４３間の圧力差により被加工物１及び環状フレーム８に熱圧着されて、図６に示すように、加工溝１１の内面に密に接触し、被加工物１及び環状フレーム８に接着される。

【0028】

実施形態１において、密着ステップ１０２では、被加工物１及び環状フレーム８に接着された保護部材２１を環状フレーム８の内縁と外縁との間で切断して、図６に示すように、被加工物１を保護部材２１により環状フレーム８の内側の開口内に支持する。こうして、実施形態１において、密着ステップ１０２は、真空チャンバー４１内で被加工物１の裏面６に保護部材２１をマウント（貼着）する。

【0029】

（分割ステップ）
分割ステップ１０３は、密着ステップ１０２の後に、被加工物１の表面３側より分割予定ライン４に沿って被加工物１にレーザー光線５２（図７に示す）を照射して、被加工物１を分割予定ライン４に沿って分割するステップである。実施形態１において、分割ステップ１０３は、図２に示すように、分割起点形成ステップ１０３１と、拡張ステップ１０３２とを備える。

【0030】

（分割起点形成ステップ）
図７は、図２に示された被加工物の加工方法の分割起点形成ステップを模式的に示す断面図である。図８は、図２に示された被加工物の加工方法の分割起点形成ステップ後の被加工物の要部を模式的に示す断面図である。分割起点形成ステップ１０３１は、被加工物１の表面３側より分割予定ライン４に沿って被加工物１に対して透過性を有する波長のレーザー光線５２を照射し、被加工物１の内部に分割起点である改質層１２を形成するステップである。

【0031】

改質層１２とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態になった領域のことを意味し、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、及びこれらの領域が混在した領域等を例示できる。なお、改質層１２の機械的な強度は、被加工物１の改質層１２以外の箇所の機械的な強度よりも低い。

【0032】

実施形態１において、分割起点形成ステップ１０３１では、レーザー加工装置５０が、図示しないチャックテーブルの保持面に保護部材２１を介して被加工物１の裏面６側を吸引保持する。実施形態１において、分割起点形成ステップ１０３１では、レーザー加工装置５０が、保持面に被加工物１の裏面６側を吸引保持した後、撮像ユニットで被加工物１を撮像して分割予定ライン４を検出し、被加工物１の分割予定ライン４とレーザー光線照射ユニット５１との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。

【0033】

実施形態１において、分割起点形成ステップ１０３１では、レーザー加工装置５０が、図７に示すように、被加工物１の基板２に対して透過性を有する波長のレーザー光線５２の集光点５３を被加工物１の分割予定ライン４の基板２の内部に位置付け、被加工物１とレーザー光線照射ユニット５１とを分割予定ライン４に沿って水平方向に沿って相対的に移動させながら、レーザー光線照射ユニット５１からレーザー光線５２を表面３側から分割予定ライン４に照射する。

【0034】

すると、レーザー光線５２の波長が被加工物１の基板２に対して透過性を有する波長であるために、被加工物１の基板２の内部に分割予定ライン４に沿って改質層１２が形成される。また、実施形態１において、分割起点形成ステップ１０３１では、レーザー加工装置５０が、改質層１２が加工溝１１の底部である底面１３にまで到達し、図８に示すように、基板２の厚み方向の改質層１２の長さ１２１が加工溝１１の底の厚み１１１の１／２を超えかつ加工溝１１の底の厚み１１１以下となるように、集光点５３を厚み方向に延在させて、レーザー光線５２を照射する。こうして、実施形態１において、分割起点形成ステップ１０３１における分割起点である改質層１２は、加工溝１１の底面１３にまで到達しかつ底面１３から基板２の表面３よりも裏面６側の位置まで延在するように形成される。また、実施形態１において、分割起点形成ステップ１０３１では、図８に示すように、加工溝１１の底面１３に改質層１２に連なる穴１２２を形成する。

【0035】

（拡張ステップ）
図９は、図２に示された被加工物の加工方法の拡張ステップを模式的に示す断面図である。拡張ステップ１０３２は、分割起点形成ステップ１０３１の後に、保護部材２１を拡張して被加工物１を分割するステップである。

【0036】

実施形態１において、拡張ステップ１０３２では、拡張装置６０が、図９に示すように、クランプ機構６１のフレーム載置プレート６２とフレーム押さえプレート６３との間に環状フレーム８を保持し、保護部材２１の環状フレーム８と被加工物１との間に円筒状の拡張ドラム６４の上端の拡張ローラー６５を当接させる。実施形態１において、拡張ステップ１０３２では、拡張装置６０が、クランプ機構６１に対して拡張ドラム６４を相対的に上方に移動させる。すると、保護部材２１の環状フレーム８と被加工物１との間が押圧されて、保護部材２１面方向に拡張される。

【0037】

拡張ステップ１０３２では、保護部材２１の拡張の結果、保護部材２１に放射状に引張力が作用する。このように被加工物１の裏面６側に貼付された保護部材２１に放射状に引張力が作用すると、被加工物１は、分割予定ライン４に沿って改質層１２が形成されているので、改質層１２を基点として、分割予定ライン４に沿って個々のデバイスチップ１０に分割される。こうして、個々に分割されたデバイスチップ１０は、保護部材２１からピックアップされる。

【0038】

以上説明した実施形態１に係る被加工物の加工方法は、加工溝形成ステップ１０１において被加工物１の裏面６側から被加工物１を分割しない加工溝１１を形成した後、分割ステップ１０３においてレーザー光線５２を表面３側より照射して被加工物１を個々のデバイスチップ１０に分割する。このために、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、被加工物１の基板２の表面３とデバイス５との間の段差が起因してデバイス５に達するラテラルクラックを引き起こすことを抑制できる。

【0039】

また、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、密着ステップ１０２において保護部材２１を加工溝１１の内面に密着させて保護部材２１を被加工物１の裏面６に接着する。このために、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、分割ステップ１０３においてレーザー光線５２を照射して生じるデブリが保護部材２１に貼着され、デブリが個々に分割されたデバイスチップ１０を汚染することを抑制できる。

【0040】

その結果、実施形態１に係る被加工物の加工方法は、基板２の表面３とデバイス５との間に段差が形成された被加工物１であっても、分割性を低下させることなくデバイスチップ１０の汚染を抑制することができるという効果を奏する。

【0041】

〔変形例１〕
実施形態１の変形例１に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図１０は、実施形態１の変形例１に係る被加工物の加工方法の加工溝形成ステップを模式的に示す断面図である。なお、図１０は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。なお、変形例１に係る被加工物の加工方法は、加工溝形成ステップ１０１が実施形態１と異なること以外、実施形態１と同じである。

【0042】

変形例１において、加工溝形成ステップ１０１では、被加工物１の表面３側に保護テープ２０を貼着し、レーザー加工装置７０が、図示しないチャックテーブルの保持面に被加工物１の表面３側を保護テープ２０を介して吸引保持する。変形例１において、加工溝形成ステップ１０１では、レーザー加工装置７０が、保持面に被加工物１の表面３側を吸引保持した後、撮像ユニットで被加工物１を撮像して分割予定ライン４を検出し、被加工物１の分割予定ライン４とレーザー光線照射ユニット７１との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。

【0043】

変形例１において、加工溝形成ステップ１０１では、レーザー加工装置７０が、図１０に示すように、被加工物１の金属膜７及び基板２に対して吸収性を有する波長のレーザー光線７２の集光点７３を被加工物１の金属膜７の表面に位置付け、被加工物１とレーザー光線照射ユニット７１とを分割予定ライン４に沿って水平方向に沿って相対的に移動させながら、レーザー光線照射ユニット７１からレーザー光線７２を裏面６側から分割予定ライン４に照射する。変形例１において、加工溝形成ステップ１０１では、レーザー加工装置７０が、金属膜７及び基板２にアブレーション加工を施して、裏面６側に開口しかつ被加工物１を分割しない加工溝１１をすべての分割予定ライン４に沿って被加工物１に形成する。

【0044】

変形例１に係る被加工物の加工方法は、加工溝形成ステップ１０１において被加工物１の裏面６側から被加工物１を分割しない加工溝１１を形成した後、分割ステップ１０３において被加工物１を個々のデバイスチップ１０に分割するとともに、密着ステップ１０２において保護部材２１を加工溝１１の内面に密着させて保護部材２１を被加工物１の裏面６に接着する。その結果、変形例１に係る被加工物の加工方法は、実施形態１と同様に、基板２の表面３とデバイス５との間に段差が形成された被加工物１であっても、分割性を低下させることなくデバイスチップ１０の汚染を抑制することができるという効果を奏する。

【0045】

〔変形例２〕
実施形態１の変形例２に係る被加工物の加工方法を図面に基づいて説明する。図１１は、実施形態１の変形例２に係る被加工物の加工方法の分割ステップを模式的に示す断面図である。なお、図１１は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。なお、変形例２に係る被加工物の加工方法は、分割ステップ１０３が実施形態１と異なること以外、実施形態１と同じである。

【0046】

変形例２において、分割ステップ１０３では、レーザー加工装置８０が、図示しないチャックテーブルの保持面に被加工物１の裏面６側を保護部材２１を介して吸引保持する。変形例２において、分割ステップ１０３では、レーザー加工装置８０が、保持面に被加工物１の裏面６側を吸引保持した後、撮像ユニットで被加工物１を撮像して分割予定ライン４を検出し、被加工物１の分割予定ライン４とレーザー光線照射ユニット８１との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。

【0047】

変形例２において、分割ステップ１０３では、レーザー加工装置８０が、図１１に示すように、被加工物１の基板２に対して吸収性を有する波長のレーザー光線８２の集光点８３を被加工物１の分割予定ライン４の表面３に位置付け、被加工物１とレーザー光線照射ユニット８１とを分割予定ライン４に沿って水平方向に沿って相対的に移動させながら、レーザー光線照射ユニット８１からレーザー光線８２を表面３側から分割予定ライン４に照射する。変形例２において、加工溝形成ステップ１０１では、レーザー加工装置８０が、基板２の分割予定ライン４に形成された加工溝１１の底にアブレーション加工を施して、すべての加工溝１１の底を切断して、被加工物１を分割予定ライン４に沿って個々のデバイスチップ１０に分割する。

【0048】

変形例２に係る被加工物の加工方法は、加工溝形成ステップ１０１において被加工物１の裏面６側から被加工物１を分割しない加工溝１１を形成した後、分割ステップ１０３において被加工物１を個々のデバイスチップ１０に分割するとともに、密着ステップ１０２において保護部材２１を加工溝１１の内面に密着させて保護部材２１を被加工物１の裏面６に接着する。その結果、変形例２に係る被加工物の加工方法は、実施形態１と同様に、基板２の表面３とデバイス５との間に段差が形成された被加工物１であっても、分割性を低下させることなくデバイスチップ１０の汚染を抑制することができるという効果を奏する。

【0049】

なお、変形例２では、加工溝形成ステップ１０１では、変形例１と同様に、レーザー光線７２を照射して加工溝１１を形成しても良い。

【0050】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

【符号の説明】

【0051】

１ 被加工物
３ 表面
４ 分割予定ライン
５ デバイス
６ 裏面
１１ 加工溝
１２ 改質層（分割起点）
１３ 底面（底部）
２１ 保護部材
４１ 真空チャンバー
５２ レーザー光線
８２ レーザー光線
１０１ 加工溝形成ステップ
１０２ 密着ステップ
１０３ 分割ステップ
１０３１ 分割起点形成ステップ
１０３２ 拡張ステップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】