特開 2024-143836 リードフレーム、導電部品及び複合体

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024143836

(43)【公開日】2024-10-11

(54)【発明の名称】リードフレーム、導電部品及び複合体

(51)【国際特許分類】

   C25D 7/00 20060101AFI20241003BHJP

   C25D 5/12 20060101ALI20241003BHJP

   C25D 5/14 20060101ALI20241003BHJP

   H01L 23/50 20060101ALI20241003BHJP

   C23C 18/36 20060101ALN20241003BHJP

【ＦＩ】

C25D7/00 H

C25D5/12

C25D5/14

H01L23/50 D

C23C18/36

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023056742

(22)【出願日】2023-03-30

(71)【出願人】

【識別番号】502362758

【氏名又は名称】ＪＸ金属株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110000523

【氏名又は名称】アクシス国際弁理士法人

(72)【発明者】

【氏名】佐々木 康則

(72)【発明者】

【氏名】小林 良聡

【テーマコード（参考）】

4K022

4K024

5F067

【Ｆターム（参考）】

4K022AA02

4K022BA14

4K022BA32

4K022BA36

4K022DA01

4K022DB02

4K024AA03

4K024AA07

4K024AA09

4K024AA10

4K024AA11

4K024AA12

4K024AA16

4K024AB01

4K024AB02

4K024AB03

4K024AB11

4K024BA09

4K024BB13

5F067DC18

5F067EA01

5F067EA04

5F067EA06

(57)【要約】

【課題】表面上でのペーストや樹脂の濡れ広がりを有効に抑制することができるリードフレーム、導電部品、当該濡れ広がりが有効に抑制された複合体を提供する。
【解決手段】基材１と、基材１上に形成されためっき層２とを有するリードフレームであって、前記めっき層２が、Ｎｉ及びＰを含有するＮｉ－Ｐ層３を含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基材と、基材上に形成されためっき層とを有するリードフレームであって、
前記めっき層が、Ｎｉ及びＰを含有するＮｉ－Ｐ層を含むリードフレーム。

【請求項2】

前記Ｎｉ－Ｐ層のＰ含有量が、８質量％～１５質量％である請求項１に記載のリードフレーム。

【請求項3】

前記Ｎｉ－Ｐ層の厚みが１μｍ～６μｍである請求項１又は２に記載のリードフレーム。

【請求項4】

前記めっき層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｄ及びＣｕからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含有する最表層を含む請求項１又は２に記載のリードフレーム。

【請求項5】

前記めっき層が、前記基材と前記Ｎｉ－Ｐ層との間に位置してＮｉを含有するＮｉ層を含む請求項１又は２に記載のリードフレーム。

【請求項6】

基材と、基材上に形成されためっき層とを有する導電部品であって、
ペーストが塗布されるペースト塗布領域、及び／又は、樹脂が接合される樹脂接合領域の少なくとも一部における前記めっき層が、Ｎｉ及びＰを含有するＮｉ－Ｐ層を含む導電部品。

【請求項7】

前記Ｎｉ－Ｐ層のＰ含有量が、８質量％～１５質量％である請求項６に記載の導電部品。

【請求項8】

前記Ｎｉ－Ｐ層の厚みが１μｍ～６μｍである請求項６又は７に記載の導電部品。

【請求項9】

前記めっき層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｄ及びＣｕからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含有する最表層を含む請求項６又は７に記載の導電部品。

【請求項10】

前記めっき層が、前記基材と前記Ｎｉ－Ｐ層との間に位置してＮｉを含有するＮｉ層を含む請求項６又は７に記載の導電部品。

【請求項11】

複数個の部材が互いに接合されてなる複合体であって、
前記複数個の部材に含まれる第一部材及び第二部材と、第一部材及び第二部材の相互間に介在して第一部材と第二部材とを接合する焼結部とを有し、
前記第一部材及び第二部材のうちの少なくとも一方の部材の基材上に、めっき層が形成されており、
前記少なくとも一方の部材の、前記焼結部と接する部分における少なくとも一部の前記めっき層が、Ｎｉ及びＰを含有するＮｉ－Ｐ層を含む複合体。

【請求項12】

前記Ｎｉ－Ｐ層のＰ含有量が、８質量％～１５質量％である請求項１１に記載の複合体。

【請求項13】

前記Ｎｉ－Ｐ層の厚みが１μｍ～６μｍである請求項１１又は１２に記載の複合体。

【請求項14】

前記めっき層が、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｄ及びＣｕからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含有する最表層を含む請求項１１又は１２に記載の複合体。

【請求項15】

前記めっき層が、前記基材と前記Ｎｉ－Ｐ層との間に位置してＮｉを含有するＮｉ層を含む請求項１１又は１２に記載の複合体。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

この明細書は、リードフレーム、導電部品及び複合体に関する技術を開示するものである。

【背景技術】

【0002】

電気・電子機器等の装置に組み込まれ、その使用時に電流が流れるリードフレームその他の導電部品では、当該装置の製造に際し、表面にペーストを塗布することや、樹脂により封止されること等が行われる。

【0003】

たとえば半導体デバイスの製造では、いわゆるダイボンディングの際に、リードフレームのチップ搭載部分に、エポキシ樹脂等の樹脂及び金属粉（例えば銀粉）を含むペーストを塗布する。そして、そこに半導体チップを配置した状態で、ペーストを加熱して金属粉を焼結させる。これにより、リードフレームに半導体チップが固定される。

【0004】

また、リードフレームに半導体チップを固定した後は、シリコーン樹脂などにより半導体チップを封止する。これにより、リードフレームの一部に樹脂が接合されることになる。

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上述したように、導電部品の表面にペーストを塗布し、又は樹脂を接合するに際しては、当該表面上で毛細管現象によりペーストもしくは樹脂が、狙いの範囲を超えて濡れ広がることがある。この場合、導電部品の信頼性その他の品質の低下や、不良品の発生による歩留まりの低下等を招くおそれがある。

【0006】

この明細書では、表面上でのペーストや樹脂の濡れ広がりを有効に抑制することができるリードフレーム、導電部品及び、当該濡れ広がりが有効に抑制された複合体を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0007】

この明細書で開示するリードフレームは、基材と、基材上に形成されためっき層とを有するものであって、前記めっき層が、Ｎｉ及びＰを含有するＮｉ－Ｐ層を含むものである。

【0008】

この明細書で開示する導電部品は、基材と、基材上に形成されためっき層とを有するものであって、ペーストが塗布されるペースト塗布領域、及び／又は、樹脂が接合される樹脂接合領域の少なくとも一部における前記めっき層が、Ｎｉ及びＰを含有するＮｉ－Ｐ層を含むものである。

【0009】

この明細書で開示する複合体は、複数個の部材が互いに接合されてなるものであって、前記複数個の部材に含まれる第一部材及び第二部材と、第一部材及び第二部材の相互間に介在して第一部材と第二部材とを接合する焼結部とを有し、前記第一部材及び第二部材のうちの少なくとも一方の部材の基材上に、めっき層が形成されており、前記少なくとも一方の部材の、前記焼結部と接する部分における少なくとも一部の前記めっき層が、Ｎｉ及びＰを含有するＮｉ－Ｐ層を含むものである。

【発明の効果】

【0010】

上述したリードフレーム、導電部品によれば、表面上でのペーストや樹脂の濡れ広がりを有効に抑制することができる。上述した複合体は、当該濡れ広がりが有効に抑制されたものである。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】一の実施形態における基材及びめっき層を模式的に示す、表面に直交する方向に沿う部分断面図である。

【図2】他の実施形態における基材及びめっき層を模式的に示す、表面に直交する方向に沿う部分断面図である。

【図3】さらに他の実施形態における基材及びめっき層を模式的に示す、表面に直交する方向に沿う部分断面図である。

【図4】さらに他の実施形態における基材及びめっき層を模式的に示す、表面に直交する方向に沿う部分断面図である。

【図5】試験例１のサンプルＡ～Ｅにおける銀粉ペーストの硬化後の状態を示す写真である。

【図6】試験例２のサンプルＦ～Ｋにおける塩水噴霧後の外観を示す写真である。

【図7】試験例２のサンプルＦのＳＥＭ画像である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

以下に、上述したリードフレーム、導電部品及び複合体の実施の形態について詳細に説明する。
一の実施形態のリードフレーム、導電部品及び複合体（以下、「リードフレーム等」と称することがある。）はいずれも、図１に例示するように、基材１と、基材１上に形成されためっき層２とを有するものである。そして、めっき層２には、Ｎｉ及びＰを含有するＮｉ－Ｐ層３が含まれる。

【0013】

基材１上にＮｉ及びＰを含有するＮｉ－Ｐ層３を含むめっき層２が形成されていると、その表面に塗布ないし接触したペーストや樹脂の濡れ広がりが有効に抑制される。これは、Ｎｉ－Ｐ層３が緻密な結晶構造であり、表面が平滑であることに起因するものと考えられる。但し、その理由の正否によらず、後述する実施例の項目で示すように、基材１上にＮｉ－Ｐ層３を含むめっき層２を形成した場合、Ｎｉ層の場合に比して、ペーストや樹脂の濡れ広がりが抑制されたという試験結果が得られている。

【0014】

なお、詳細については後述するが、図２に示すように、Ｎｉ－Ｐ層１３以外に、Ａｕ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｐｄ及びＣｕからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含有する最表層１４を含むめっき層１２としてもよい。また、図３に示すめっき層２２のように、基材２１とＮｉ－Ｐ層２３との間に位置してＮｉを含有するＮｉ層２５を形成してもよい。さらに図４に示すように、Ｎｉ－Ｐ層３３の他、最表層３４及びＮｉ層３５の両方を含むめっき層３２とすることもできる。ここでは、主に、図１に示す実施形態を例としてその詳細を説明する。図２～４の各実施形態については、図１の実施形態と異なる構成についてのみ説明するが、その他の構成は図１の実施形態と同様とすることができる。

【0015】

（基材）
基材１の材質は特に問わず、任意の金属もしくは合金とすることができる。基材１の材質は、たとえば、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）もしくはＦｅ（鉄）、又は、それらのうちの少なくとも一種を含む合金等とすることがある。高い導電率及び強度を有するとの観点から、基材１の材質として好ましくは、ＣｕやＣｕ合金、より具体的には、リン青銅や黄銅、コルソン銅、無酸素銅、タフピッチ銅等が挙げられる。特に、銅開発協会（Ｃｏｐｐｅｒ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ、ＣＤＡ）で定められた規格のＣ１１０００、Ｃ１０２００、Ｃ１９４００、Ｃ７０２５０、Ｃ２６０００又はＣ５２１００等を、基材１の材料とすることがある。基材１の寸法及び形状は、リードフレーム等が用いられる部品に応じて適宜変更され得る。

【0016】

（Ｎｉ－Ｐ層）
基材１上に形成されためっき層２の少なくとも一部を構成するＮｉ－Ｐ層３は、Ｎｉ（ニッケル）及びＰ（リン）を含有するものである。

【0017】

Ｎｉ－Ｐ層３のＰ含有量は、８質量％～１５質量％であることが好ましい。Ｐ含有量を８質量％以上とすることにより、Ｎｉ－Ｐ層がアモルファス構造となり、非磁性になることに起因してＮｉ－Ｐ層を含む導電部材の伝送損失が小さくなる。Ｐ含有量が１５質量％以下であることにより、Ｐを含有することによるＮｉ－Ｐ層の導電率の低下を抑えることができる。より好ましくは、Ｐ含有量は、１０質量％～１３質量％である。Ｐ以外の残部は実質的にＮｉからなることが多いが、不純物として、Ｃｕ、Ｐｂ及びＺｎからなる群から選択される少なくとも一種が合計１５質量ｐｐｍ以下で含まれることもある。

【0018】

上記のＰ含有量を測定するには、電子プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ、日本電子株式会社製のＪＸＡ－８５００Ｆ）を用いることができる。より詳細には、電子プローブマイクロアナライザーを用いて、標準試料及びサンプルのそれぞれについて、Ｐのピーク位置（１９７．２３５ｍｍ）のＸ線強度を測定し、式：Ｐ含有量（ａｔ％）＝（サンプルのＸ線強度の平均値）÷（標準試料のＸ線強度の平均値）×５０により算出する。標準試料の測定条件としては、標準試料：ＩｎＰウェハー（Ｐ含有量５０ａｔ％）、使用結晶：ＰＥＴＨ、使用Ｘ線：Ｋα、加速電圧１５ｋＶ、照射電流１×１０－７Ａ、ビーム径１０μｍとし、この測定条件で、標準試料のＰのピーク位置（１９７．２３５ｍｍ）のＸ線強度を５回測定し、その平均値を算出する。サンプルの測定では、基材１上にＮｉ－Ｐ層３が形成されたリードフレーム等のサンプルについて、標準試料の測定と同様の測定条件でサンプルの中央部を５回測定し、Ｐのピーク位置（１９７．２３５ｍｍ）のＸ線強度の平均値を算出する。

【0019】

Ｎｉ－Ｐ層３の厚みは、１μｍ～６μｍであることが好ましい。Ｎｉ－Ｐ層３の厚みが１μｍ未満になると、ピットやピンホールが発生しやすく耐食性が低下するおそれがある。一方、Ｎｉ－Ｐ層３の厚みが６μｍを超えると、Ｎｉ－Ｐが固いことに起因して、リードフレーム等を曲げた際に割れが発生することが懸念される。Ｎｉ－Ｐ層３の厚みの測定は、蛍光Ｘ線膜厚計により行うことができる。めっき層２のＮｉ－Ｐ層３以外の層の厚みも、これと同様にして測定可能である。

【0020】

基材１上にＮｉ－Ｐ層３を形成するには、基材１に対して、たとえば、めっき浴を硫酸Ｎｉ浴とし、硫酸Ｎｉ（ＩＩ）六水和物等を添加して硫酸Ｎｉ濃度を２０５ｇ／Ｌ～２９５ｇ／Ｌ、亜リン酸濃度を６８ｇ／Ｌ～９５ｇ／Ｌ、電流密度を７Ａ／ｄｍ²～１３Ａ／ｄｍ²、液温を５５℃～６５℃とすることで形成できる。Ｎｉ－Ｐ層３におけるＰ濃度は電流密度により制御することができる。具体的には、電流密度を低くすることでＮｉ－Ｐ層３におけるＰ濃度を高くすることができる。他の実施形態において、Ｎｉ－Ｐ層３は、電解めっきではなく、無電解めっきによって形成されてもよい。

【0021】

（最表層）
図２、図４に示す実施形態のようにリードフレーム等のめっき層１２、３２は、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｓｎ（スズ）、Ｐｄ（パラジウム）及びＣｕ（銅）からなる群から選択される少なくとも一種の金属を含有する最表層１４、３４を含むことが好ましい。図示の例では、最表層１４、３４は、Ｎｉ－Ｐ層１３、３３上で最も表面側（図２、４では上方側）に形成されている。

【0022】

めっき層１２、３２が最表層１４、３４を含むことにより、最表層１４、３４に対するペーストの適切な濡れ性を担保できる。一方、最表層がＮｉ－ＰなどＮｉを多く含む場合は表面が酸化し、ペーストが濡れにくい現象がみられる。

【0023】

最表層１４、３４の厚みは、０．００５μｍ～５μｍとする場合がある。最表層１４、３４の厚みが薄すぎる場合は、ペーストの濡れ性が低下する可能性があり、厚すぎる場合は、ペースト及び樹脂が狙いの範囲を超えて濡れ広がりやすくなるとともに製造コストが高くなることの懸念がある。

【0024】

たとえば、最表層１４、３４をＡｕ－Ｃｏめっき（硬質めっき）で形成した場合、最表層１４、３４のＡｕ含有量は、９９．７質量％程度になることがある。あるいは、最表層１４、３４を純Ａｕめっき（軟質めっき）で形成した場合、最表層１４、３４のＡｕ含有量は、ほぼ１００質量％になることがある。あるいは、最表層１４、３４が、他の金属（Ａｇ（銀）、Ｓｎ（スズ）、Ｐｄ（パラジウム）又はＣｕ（銅））を含有する場合、当該金属の含有量は、ほぼ１００質量％になることがある。最表層１４、３４の当該金属含有量は、電子プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ、日本電子株式会社製のＪＸＡ－８５００Ｆ）を用いることにより測定することができる。たとえばＡｕ－Ｃｏのように、さらにＣｏを含む最表層１４、３４を形成してもよい。また、異なる材質の最表層１４、３４を二層以上形成することも可能である。

【0025】

最表層１４、３４を形成するには、Ｎｉ－Ｐ層１３、３３を形成した基材１１、３１に対し、最表層１４、３４の材質に応じて適切なめっき液を用いて、めっきを施すことができる。めっき液としては、たとえば、Ａｇを含有する最表層１４、３４の場合はＥＥＪＡ製シルブレックスブライトＨＳ等が、またＡｕを含有する最表層１４、３４の場合は硬質Ａｕめっき液等がそれぞれ好適に用いられ得る。たとえばＡｇめっきでは、電流密度を５Ａ／ｄｍ²～２５Ａ／ｄｍ²、液温を３０℃～６０℃とすることがある。また、たとえばＡｕめっきでは、電流密度を５Ａ／ｄｍ²～６０Ａ／ｄｍ²、液温を５０℃～６０℃とすることがある。

【0026】

（Ｎｉ層）
図３、４に示す実施形態のように、めっき層２２、３２は、基材２１、３１と上述したＮｉ－Ｐ層２３、３３との間に位置するＮｉ層２５、３５を含むことが、耐食性向上の観点から好ましい。

【0027】

基材２１、３１とＮｉ－Ｐ層２３、３３との間にＮｉ層２５、３５を介在させることにより、仮にＮｉ－Ｐ層２３、３３でピンホールが発生したとしても、その下側のＮｉ層２５、３５で腐食性物質が遮断されて、基材２１、３１への腐食性物質の到達が抑制される。その結果、耐食性が向上する。なお、Ｎｉ－Ｐ層２３、３３は、Ｎｉ層２５、３５に比して水素ガスが発生しやすいことから、表面にピンホールが形成される傾向があると考えられる。

【0028】

Ｎｉ層２５、３５を形成する場合、Ｎｉ層２５、３５の厚みは１μｍ～６μｍとすることが好ましい。Ｎｉ層２５、３５の厚みが薄すぎる場合は、腐食性物質の遮断効果が不十分になることが懸念され、厚すぎる場合は最表層の表面平滑性が低下し、ペーストや樹脂が狙いの範囲を超えて濡れ広がりやすくなる可能性がある。

【0029】

Ｎｉ層２５、３５のＮｉ含有量は、ほぼ１００質量％となることがある。電子プローブマイクロアナライザー（ＥＰＭＡ、日本電子株式会社製のＪＸＡ－８５００Ｆ）を用いることにより、Ｎｉ層２５、３５のＮｉ含有量を測定することができる。

【0030】

Ｎｉ層２５、３５を形成するには、これに限らないが、基材２１、３１に対して、無光沢、半光沢又は粗化等のＮｉめっきを施すことにより行うことができる。めっき液には、たとえばスルファミン酸ニッケルめっき液を使用することがあり、電流密度を３Ａ／ｄｍ²～２０Ａ／ｄｍ²、液温を４０℃～６０℃とする場合がある。

【0031】

なお、図３の実施形態は、基材２１上に、Ｎｉ層２５及びＮｉ－Ｐ層２３をこの順序で形成したものである。図４の実施形態では、さらにその上に最表層３４が形成されており、基材３１側から表面側に向かってＮｉ層３５、Ｎｉ－Ｐ層３３、最表層３４の順に各層が形成されている。

【0032】

（表面粗さ）
リードフレーム等の表面（外部に露出する表面）における三次元表面性状（面粗さ）の算術平均高さＳａは、０．２μｍ以下であることが好適である。これにより、毛細管現象による濡れ広がりを有効に抑制することができる。上記の表面は、図１及び３ではＮｉ－Ｐ層３、２３の表面を意味し、図２及び４では最表層１４、３４の表面を意味する。

【0033】

表面の算術平均高さＳａはＩＳＯ２５１７８に準拠し、表面の平均面からの高さの絶対値の平均値を意味し、レーザー顕微鏡を用いて測定することができる。より詳細には、株式会社キーエンス製のＶＫ－Ｘ１５０を使用し、観察倍率２０００倍、測定面積１００μｍ×１４０μｍ、スポット径φ０．８ｍｍで表面を測定し、測定データとしては、基準面が平面になるように基準面設定を行った値を使用する。リードフレーム等のサンプル内の測定箇所は、その中央の１点とすることができる。サンプルはレーザー顕微鏡にセットする際に、傾きおよび反りが１度以下になるようにして測定する。

【0034】

（リードフレーム、導電部品、複合体）
上述したようなめっき層２は、リードフレームその他の導電部品又は複合体等の基材１上に設けられ得る。

【0035】

リードフレームは、半導体デバイスに搭載される半導体チップを支持するとともに外部配線に接続する導電部品であり、半導体チップが配置されるダイパッドと、ダイパッドの周囲のインナーリードやアウターリード等のリードとを含んで構成されることがある。ペーストが塗布される、あるいは樹脂と接合される他の導電部品としては、たとえば、コネクタ等が挙げられる。このような導電部品は、例えば、モーター、二次電池、パワーコントロールユニット（ＰＣＵ）、エレクトロニックコントロールユニット（ＥＣＵ）等に用いられる。

【0036】

リードフレーム等の導電部品には、その表面に、ペーストが塗布されるペースト塗布領域、及び／又は、樹脂が接合される樹脂接合領域が設定されることがある。なお、このペーストは、銀粉等の金属粉を含むペーストとする場合がある。そのようなペースト塗布領域又は樹脂接合領域に、ペーストが塗布されたとき、又は、たとえばインサート成形時に溶融状態の樹脂が流れ込んで接触したとき、当該ペースト又は樹脂が毛細管現象により、所期した範囲を超えて濡れ広がると、導電部品の信頼性の低下や不良の発生を招くおそれがある。

【0037】

これに対し、この実施形態では、導電部品の表面側のめっき層がＮｉ－Ｐ層を含むことにより、先に述べたように、ペーストや樹脂の濡れ広がりを有効に抑制することができる。その結果として、導電部品の信頼性を確保できるとともに、不良品の発生を抑制することができる。

【0038】

また、ここで対象とする複合体は、複数個の部品が互いに接合されてなるものであって、複数個の部品の少なくとも一部としての第一部材及び第二部材と、第一部材及び第二部材の相互間に介在して第一部材と第二部材とを接合する焼結部とを有するものである。第一部材及び第二部材のうちの少なくとも一方の部材は、基材、及び、基材上に形成されためっき層を含んで構成され得る。

【0039】

上記のような複合体を製造するには、第一部材及び第二部材のうちの少なくとも一方の部材の表面の所定の領域（ペースト塗布領域）に、金属粉を含むペーストを塗布し、第一部材と第二部材との間にペーストを挟んだ状態で加熱することがある。これにより、ペースト中の金属粉が焼結して焼結部となり、その焼結部が接着剤として機能して、第一部材と第二部材とが互いに接合される。

【0040】

かかる複合体において、この実施形態では、基材上にめっき層が形成された上記の少なくとも一方の部材の、焼結部と接する部分における少なくとも一部の当該めっき層が、Ｎｉ－Ｐ層を含む。それにより、この複合体は、当該焼結部と接する部分の表面のペースト塗布領域に金属粉を含むペーストが塗布された際に、ペーストの濡れ広がりが有効に抑制されたものであるといえる。その結果、複合体は、所期した範囲に焼結部が設けられており、優れた品質を有するものになる。

【実施例0041】

次に、上述したリードフレームや導電部品、複合体の効果を確認する試験を行ったので、以下に説明する。但し、ここでの説明は単なる例示を目的としたものであり、これに限定されることを意図するものではない。

【0042】

（試験例１）
表１に示すように、純銅製の基材上に、該基材側から表面側に向かって、Ｎｉ－Ｐ層又はＮｉ層、任意のＰｄ層及び、Ａｕ層をこの順序で含むめっき層を形成した板状のサンプルＡ～Ｅを各２枚準備した。このＮｉ－Ｐ層のＰ濃度は全て１１ｗｔ％である。

【0043】

【表1】

【0044】

上記の各サンプルＡ～Ｅについて、表面上に銀粉ペースト（ヘンケルエイブルスティック製のＱＭＩ５１９）を塗布し、これを常温で１時間静置した後、オーブン（ＡＳ ＯＮＥ製のＤＯ－４５０Ａ）内にて１７５℃で１時間にわたって加熱して銀粉ペーストを硬化させた。その後、実体顕微鏡（ＬＥＩＣＡ ＭＩＣＲＯＳＹＳＴＥＭＳ製のＭ１２５Ｃ）を用いて、銀粉ペーストの周囲に濡れ広がった部分の範囲（（濡れ広がり直径－銀粉ペースト直径）÷２）を確認した。その結果を表２に示す。また、サンプルＡ～Ｅの銀粉ペースト硬化後の状態を、図５に写真で示す。なお、図５に示されるように濡れ広がった後のペースト形状が真円でないところ、目視で最も濡れ広がっている直径を濡れ広がり直径として測定した。また、濡れ広がっていない銀粉ペースト形状も真円でないところ、濡れ広がっていない銀粉ペースト輪郭に対して上記最も濡れ広がっている直径に対応する直線と交差する２点間の距離を、銀粉ペースト直径として測定した。

【0045】

【表2】

【0046】

表２に示すように、Ｎｉ－Ｐ層を形成したサンプルＡ及びＢはいずれも、Ｎｉ層を形成したサンプルＣ～Ｅに比して、銀粉ペーストの濡れ広がり部分の範囲が小さいことがわかる。銀粉ペーストの濡れ広がりと樹脂（例えば封止樹脂として用いられるエポキシ樹脂）の濡れ広がりとの間には相関があることから、樹脂の濡れ広がりも同様の傾向になると推測できる。

【0047】

よって、上記の試験より、Ｎｉ－Ｐ層を形成することで、ペーストや樹脂の濡れ広がりを有効に抑制できることがわかった。

【0048】

なお、サンプルＡ～Ｅの三次元表面性状（面粗さ）の算術平均高さＳａを先述した方法により測定したところ、表３に示す結果が得られた。ここでは、各サンプルＡ～Ｅの２枚のそれぞれにつき、その中央の１点に対して測定を行い、その平均値を算術平均高さＳａとした。

【0049】

【表3】

【0050】

表３より、サンプルＡ～Ｅの算術平均高さＳａはそれほど差がないことがわかる。また、サンプルＡ～Ｅの最表層は全てＡｕ層である。それにも関わらず、上述したように、濡れ広がりについては、サンプルＣ～ＥよりもサンプルＡ及びＢで抑制されるという結果が得られた。このことから、理由は不明であるものの、表面粗さによらず、Ｎｉ－Ｐ層を形成することにより、濡れ広がりを抑えることができると考えられる。

【0051】

（試験例２）
純銅製の平板（基材）上に、下記に示すように左側から右側に向けて順次に各めっきを施して、各めっき層を形成し、サンプルＦ～Ｋの金属材料を作製した。
サンプルＦ：Ｎｉ－Ｐ（Ｐ１１ｗｔ％）１μｍ／Ａｕ－Ｃｏ０．０１μｍ
サンプルＧ：Ｎｉ－Ｐ（Ｐ１１ｗｔ％）１μｍ／Ｐｄ０．０１５μｍ／Ａｕ－Ｃｏ０．０１μｍ
サンプルＨ：無光沢Ｎｉ１μｍ／Ａｕ－Ｃｏ０．０１μｍ
サンプルＩ：無光沢Ｎｉ１μｍ／Ｐｄ０．０１５μｍ／Ａｕ－Ｃｏ０．０１μｍ
サンプルＪ：無光沢Ｎｉ０．５μｍ／Ｎｉ－Ｐ（Ｐ１１ｗｔ％）０．５μｍ／Ａｕ－Ｃｏ０．０１μｍ
サンプルＫ：無光沢Ｎｉ０．２５μｍ／Ｎｉ－Ｐ（Ｐ１１ｗｔ％）０．７５μｍ／Ａｕ－Ｃｏ０．０１μｍ

【0052】

各サンプルＦ～Ｋについて、下記の条件で塩水噴霧を２４時間行い、その後に外観を観察した。各サンプルＦ～Ｋの当該外見を、図６に示す。
装置：スガ試験機ＳＴ－ＩＳＯ－３
濃度：塩化ナトリウム５０±５ｇ/Ｌ
ｐＨ：６．５～７．２
温度：３５±２℃
圧縮空気圧力：９８±１０ｋＰａ
噴霧液採取量：１．５±０．５ｍＬ／ｈ
水平採取面積：８０ｃｍ²

【0053】

図６に示すように、下地がＮｉ－Ｐ層であるサンプルＦ及びＧは、下地がＮｉ層であるサンプルＨ及びＩにと比べて基材の腐食が激しく、基材のＣｕが露出している箇所や、塩化銅と思われる緑色の箇所が散見された。

【0054】

図７は、塩水噴霧後のサンプルＦのＳＥＭ画像である。圧延目にそって表面に無数のピンホールが存在することが分かる。このピンホールによって耐食性が悪くなっていると考えられる。

【0055】

これに対し、Ｎｉ－Ｐ層の下地としてＮｉ層を形成したサンプルＪ及びＫでは、図６に示すように、基材の腐食が抑制されていることがわかる。これは、仮にＮｉ－Ｐ層よりも表面側でピンホールが発生していたとしても、Ｎｉ層により、基材への腐食性物質の到達が抑制されたことによるものと考えられる。このため、基材とＮｉ－Ｐ層との間にＮｉ層を形成することにより、リードフレーム等の耐食性を向上させることが可能であるといえる。

【符号の説明】

【0056】

１、１１、２１、３１ 基材
２、１２、２２、３２ めっき層
３、１３、２３、３３ Ｎｉ－Ｐ層
１４、３４ 最表層
２５、３５ Ｎｉ層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】