特開2024-144139表面処理組成物、表面処理方法、および半導体基板の製造方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024144139
(43)【公開日】2024-10-11
(54)【発明の名称】表面処理組成物、表面処理方法、および半導体基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20241003BHJP
B24B 37/00 20120101ALI20241003BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 647A
H01L21/304 647B
H01L21/304 622Q
H01L21/304 622D
B24B37/00 H
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024020006
(22)【出願日】2024-02-14
(31)【優先権主張番号】P 2023052687
(32)【優先日】2023-03-29
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2023117307
(32)【優先日】2023-07-19
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000236702
【氏名又は名称】株式会社フジミインコーポレーテッド
(74)【代理人】
【識別番号】110000671
【氏名又は名称】ＩＢＣ一番町弁理士法人
(72)【発明者】
【氏名】長野 貴仁
(72)【発明者】
【氏名】吉野 努
(72)【発明者】
【氏名】西海 眞史
【テーマコード（参考）】
3C158
5F057
5F157
【Ｆターム（参考）】
3C158AA07
3C158AA19
3C158AC04
3C158BA02
3C158BA04
3C158BA05
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3C158DA12
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3C158EA11
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3C158ED05
3C158ED10
3C158ED24
5F057AA08
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5F057DA03
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5F157BD04
5F157BE33
5F157BF22
5F157BF23
5F157BF38
5F157BF45
5F157BF58
5F157BF63
5F157BF72
(57)【要約】
【課題】研磨済研磨対象物の表面に残留する残渣をさらに低減しうる手段を提供する。
【解決手段】下記（Ａ）～（Ｃ）成分を含み、ｐＨが７．０を超える、表面処理組成物：（Ａ）成分：下記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物、（Ｂ）成分：アニオン性高分子、（Ｃ）成分：式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋（Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である）で示される緩衝剤：
【選択図】なし
【解決手段】下記（Ａ）～（Ｃ）成分を含み、ｐＨが７．０を超える、表面処理組成物：（Ａ）成分：下記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物、（Ｂ）成分：アニオン性高分子、（Ｃ）成分：式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋（Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である）で示される緩衝剤：
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記（Ａ）～（Ｃ）成分を含み、ｐＨが７．０を超える、表面処理組成物：
（Ａ）成分：下記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物
上記式（ａ）中、Ｒ１は、水素原子または第１級～第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基であり；Ｒ２は、第１級～第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基である、
（Ｂ）成分：アニオン性高分子
（Ｃ）成分：式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋（Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である）で示される緩衝剤。
（Ａ）成分：下記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物
【化1】
上記式（ａ）中、Ｒ１は、水素原子または第１級～第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基であり；Ｒ２は、第１級～第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基である、
（Ｂ）成分：アニオン性高分子
（Ｃ）成分：式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋（Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である）で示される緩衝剤。
【請求項2】
前記（Ａ）成分は、Ｒ１は、水素原子または第１級もしくは第３級アミノ基で置換されていてもよい炭素数１以上５以下のアルキル基であり；Ｒ２は、第１級もしくは第３級アミノ基で置換されていてもよい炭素数１以上５以下のアルキル基である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物を含む、請求項１に記載の表面処理組成物。
【請求項3】
前記（Ａ）成分は、Ｒ１は、水素原子または第１級もしくは第３級アミノ基で置換されていてもよい炭素数１以上３以下のアルキル基であり；Ｒ２は、第１級アミノ基で置換された炭素数１以上３以下のアルキル基である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物を含む、請求項１に記載の表面処理組成物。
【請求項4】
前記（Ａ）成分の含有量は、前記表面処理組成物に対して、０．１０質量％以上である、請求項１に記載の表面処理組成物。
【請求項5】
前記（Ａ）成分は、前記ピペラジン系化合物に存在するアミノ基のｐＫａのうち最大のｐＫａ（最大ｐＫａ）と前記表面処理組成物のｐＨとの差（＝最大ｐＫａ－ｐＨ）が０．５以上であるアミノ基を有する、請求項１に記載の表面処理組成物。
【請求項6】
前記（Ａ）成分は、前記ピペラジン系化合物に存在するアミノ基のｐＫａのうち最大のｐＫａ（最大ｐＫａ）と前記表面処理組成物のｐＨとの差（＝最大ｐＫａ－ｐＨ）が１．３０を超えるアミノ基を有する、請求項１に記載の表面処理組成物。
【請求項7】
前記（Ｂ）成分は、ポリ（メタ）アクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、およびポリ（カルボン酸－スルホン酸）、ならびにそれらの塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子を含む、請求項１に記載の表面処理組成物。
【請求項8】
前記（Ｃ）成分は、酢酸アンモニウムを含む、請求項１に記載の表面処理組成物。
【請求項9】
下記（Ｄ）成分をさらに含む、請求項１に記載の表面処理組成物：
（Ｄ）成分：ノニオン性高分子。
（Ｄ）成分：ノニオン性高分子。
【請求項10】
前記（Ｄ）成分は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリＮ－ビニルアセトアミド、ポリエチレングリコール、ヒドロキシエチルセルロースおよびブテンジオール－ビニルアルコール共重合体からなる群から選択される少なくとも１種のノニオン性高分子を含む、請求項９に記載の表面処理組成物。
【請求項11】
下記（Ｅ）成分をさらに含む、請求項１に記載の表面処理組成物：
（Ｅ）成分：ｐＨ調整剤。
（Ｅ）成分：ｐＨ調整剤。
【請求項12】
前記ｐＨ調整剤が、アンモニアまたは酢酸である、請求項１１に記載の表面処理組成物。
【請求項13】
前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分、水、ならびにｐＨ調整剤およびノニオン性高分子からなる群より選択される少なくとも一種から実質的に構成される、請求項１に記載の表面処理組成物。
【請求項14】
請求項１～１３のいずれか１項に記載の表面処理組成物を用いて窒素－ケイ素結合を有する材料または酸化ケイ素を含む研磨済研磨対象物を表面処理して、前記研磨済研磨対象物の表面の残渣を低減する、表面処理方法。
【請求項15】
前記表面処理は、リンス研磨処理または洗浄処理により行われる、請求項１４に記載の表面処理方法。
【請求項16】
前記残渣は、砥粒残渣および有機物残渣の少なくとも一方を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項17】
研磨済研磨対象物が研磨済半導体基板であり、
砥粒を含む研磨用組成物を用いて、窒素－ケイ素結合を有する材料または酸化ケイ素を含む研磨前半導体基板を研磨することによって、研磨済半導体基板を得、
請求項１～１３のいずれか１項に記載の表面処理組成物を用いて、前記研磨済半導体基板を表面処理すること、
を含む半導体基板の製造方法。
砥粒を含む研磨用組成物を用いて、窒素－ケイ素結合を有する材料または酸化ケイ素を含む研磨前半導体基板を研磨することによって、研磨済半導体基板を得、
請求項１～１３のいずれか１項に記載の表面処理組成物を用いて、前記研磨済半導体基板を表面処理すること、
を含む半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表面処理組成物、表面処理方法、および半導体基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、半導体基板表面の多層配線化に伴い、デバイスを製造する際に、物理的に半導体基板を研磨して平坦化する、いわゆる、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）技術が利用されている。ＣＭＰは、シリカ、アルミナ、セリア等の砥粒、防食剤、界面活性剤などを含む研磨用組成物（スラリー）を用いて、半導体基板等の研磨対象物（被研磨物）の表面を平坦化する方法であり、研磨対象物（被研磨物）は、シリコン、ポリシリコン、酸化珪素、窒化珪素や、金属等からなる配線、プラグなどである。
【0003】
ＣＭＰ工程後の半導体基板表面には、不純物（異物または残渣とも称する）が多量に残留している。不純物には、ＣＭＰで使用された研磨用組成物由来の砥粒、金属、防食剤、界面活性剤等の有機物、研磨対象物であるシリコン含有材料、金属配線やプラグ等を研磨することによって生じたシリコン含有材料や金属、さらには各種パッド等から生じるパッド屑等の有機物などが含まれる。
【0004】
半導体基板表面がこれらの不純物により汚染されると、半導体の電気特性に悪影響を与え、デバイスの信頼性が低下する可能性がある。したがって、ＣＭＰ工程後に洗浄工程を導入し、半導体基板表面からこれらの不純物を除去することが望ましい。
【0005】
かような洗浄用組成物として、例えば、特許文献１には、特定の原子を含み、分子量が１００以上である有機化合物と、ｐＨ調整剤と、０～１質量％の砥粒と、を含む研磨用組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１５－１８９８９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
特許文献１に開示された研磨用組成物によれば、ＣＭＰ後の研磨対象物の表面に残留する不純物を十分に除去することができる。しかしながら、半導体基板について要求される品質が高くなってきていることに伴い、半導体基板の表面において異物（砥粒残渣、有機物残渣等）をより低減することができる技術が求められている。
【0008】
したがって、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、研磨済研磨対象物の表面に残留する残渣をさらに低減しうる手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明者らは、上記課題を解決すべく、鋭意研究を行った。その結果、特定の構造を有するピペラジン系化合物、アニオン性高分子、および緩衝剤として作用するモノカルボン酸アンモニウムを含むアルカリ性の表面処理組成物により上記課題が解決することを見出し、本発明を完成させた。
【0010】
すなわち、上記目的は、下記（Ａ）～（Ｃ）成分を含み、ｐＨが７．０を超える、表面
処理組成物によって達成される：
（Ａ）成分：下記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物
処理組成物によって達成される：
（Ａ）成分：下記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物
【0011】
【化1】
【0012】
上記式（ａ）中、Ｒ１は、水素原子または第１級、第２級もしくは第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基であり；Ｒ２は、第１級、第２級もしくは第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基である、
（Ｂ）成分：アニオン性高分子
（Ｃ）成分：式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋（Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である）で示される緩衝剤。
（Ｂ）成分：アニオン性高分子
（Ｃ）成分：式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋（Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である）で示される緩衝剤。
【発明の効果】
【0013】
本発明によれば、研磨済研磨対象物の表面に残留する残渣をさらに低減しうる。
【発明を実施するための形態】
【0014】
本発明は、下記（Ａ）～（Ｃ）成分を含み、ｐＨが７．０を超える、表面処理組成物を提供する：
（Ａ）成分：下記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物
（Ａ）成分：下記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物
【0015】
【化2】
【0016】
上記式（ａ）中、Ｒ１は、水素原子または第１級、第２級もしくは第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基であり；Ｒ２は、第１級、第２級もしくは第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基である、
（Ｂ）成分：アニオン性高分子
（Ｃ）成分：式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋（Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である）で示される緩衝剤。
（Ｂ）成分：アニオン性高分子
（Ｃ）成分：式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋（Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である）で示される緩衝剤。
【0017】
上記構成を有する表面処理組成物を、以下、「本発明に係る表面処理組成物」または「
本発明の一形態に係る表面処理組成物」とも称することがある。また、本明細書において、「ｐＫａが表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基」を「大ｐＫａアミノ基」または「本発明に係る大ｐＫａアミノ基」とも称する。
本発明の一形態に係る表面処理組成物」とも称することがある。また、本明細書において、「ｐＫａが表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基」を「大ｐＫａアミノ基」または「本発明に係る大ｐＫａアミノ基」とも称する。
【0018】
かような本発明に係る表面処理組成物によれば、研磨済研磨対象物（特に、窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）の表面に残留する残渣（例えば、砥粒残渣、有機物残渣）をさらに効率よく低減しうる。
【0019】
本発明者らは、かような構成によって、研磨済研磨対象物の表面における残渣を効率よく除去しうるメカニズムを以下のように推測している。
【0020】
本発明に係る表面処理組成物は、特定の（Ａ）～（Ｃ）成分を含む。このうち、（Ａ）成分は、上記式（ａ）で表され、ｐＫａが表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基（大ｐＫａアミノ基）を複数（２以上）有する。（Ａ）成分の大ｐＫａアミノ基は、表面処理組成物のｐＨより大きいｐＫａを有するため、アミノ基は表面処理組成物中で容易に解離して（水素イオンを受け取って）、より正に帯電する。研磨済研磨対象物（特に窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）の表面は、アルカリ条件下では、負に帯電する。このため、（Ａ）成分は、研磨済研磨対象物（特に窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）の表面に対して相互作用（吸着）し、所謂保護膜のように働く。ここで、（Ｃ）成分として含まれるモノカルボン酸アンモニウム（特に、（Ｃ）成分に含まれるモノカルボン酸アニオン）は、（Ａ）成分と相互作用することにより、研磨済研磨対象物（特に窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）の表面に対して（Ａ）成分の吸着（保護膜の形成）を促進すると推測される。
【0021】
また、（Ｂ）成分は、アニオン性である（すなわち、表面処理組成物中で負に帯電する）。このため、（Ａ）成分のアミノ基のうち研磨済研磨対象物と相互作用（吸着）しなかったアミノ基は、（Ｂ）成分に対しても相互作用（吸着）する。すなわち、正に帯電した（Ａ）成分の大ｐＫａアミノ基は、負に帯電した研磨済研磨対象物表面および（Ｂ）成分双方と相互作用し、（Ｂ）成分は（Ａ）成分を介して研磨済研磨対象物上に強固に吸着し、研磨済研磨対象物上で保護膜（立体反発層）として作用する。加えて、（Ｂ）成分は、負に帯電しているので、研磨済研磨対象物（特に窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）のゼータ電位をさらに負側にシフトさせる。このため、研磨済研磨対象物（特に窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）と（Ｂ）成分との間の静電反発がより強くなる。このため、本発明に係る表面処理組成物によれば、残渣を効率よく除去することができる。
【0022】
なお、上記メカニズムは推測に基づくものであり、本発明は上記メカニズムに何ら限定されるものではない。
【0023】
以下、本発明の好ましい実施の形態を説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態のみに限定されず、特許請求の範囲内で種々改変することができる。また、本明細書に記載される実施の形態は、任意に組み合わせることにより、他の実施の形態とすることができる。
【0024】
本明細書において、「（メタ）アクリル」との語は、アクリルおよびメタクリルの双方を包含する。よって、例えば、「（メタ）アクリル酸」との語は、アクリル酸およびメタクリル酸の双方を包含する。
【0025】
本明細書において、範囲を示す「Ｘ～Ｙ」は、ＸおよびＹを含み、「Ｘ以上Ｙ以下」を意味する。本明細書において、「Ａおよび／またはＢ」は、ＡおよびＢの少なくとも一方を意味し、ＡおよびＢの両方、または、ＡもしくはＢのいずれか一方を包含する。また、特記しない限り、操作および物性等の測定は室温（２０～２５℃）／相対湿度４０～５０％ＲＨの条件で行う。
【0026】
［残渣］
本明細書において、残渣とは、研磨済研磨対象物の表面に付着した異物を表す。残渣の例は、特に制限されないが、例えば、研磨対象物由来の残渣、後述する有機物残渣、研磨用組成物に含まれる砥粒由来のパーティクル残渣（砥粒残渣）、パーティクル残渣および有機物残渣以外の成分からなる残渣、パーティクル残渣および有機物残渣の混合物等のその他の残渣等が挙げられる。これらのうち、本発明に係る表面処理組成物によれば、砥粒残渣（パーティクル残渣）や有機物残渣を特に効率よく除去できる。すなわち、本発明の一実施形態では、残渣は、砥粒残渣（パーティクル残渣）および有機物残渣の少なくとも一方を含む。
本明細書において、残渣とは、研磨済研磨対象物の表面に付着した異物を表す。残渣の例は、特に制限されないが、例えば、研磨対象物由来の残渣、後述する有機物残渣、研磨用組成物に含まれる砥粒由来のパーティクル残渣（砥粒残渣）、パーティクル残渣および有機物残渣以外の成分からなる残渣、パーティクル残渣および有機物残渣の混合物等のその他の残渣等が挙げられる。これらのうち、本発明に係る表面処理組成物によれば、砥粒残渣（パーティクル残渣）や有機物残渣を特に効率よく除去できる。すなわち、本発明の一実施形態では、残渣は、砥粒残渣（パーティクル残渣）および有機物残渣の少なくとも一方を含む。
【0027】
総残渣数とは、種類によらず、全ての残渣の総数を表す。総残渣数は、ウェーハ欠陥検査装置を用いて測定することができる。また、残渣数とは、特定の残渣の総数を表す。残渣数の測定方法の詳細は、後述の実施例に記載する。
【0028】
本明細書において、有機物残渣とは、研磨済研磨対象物（表面処理対象物）表面に付着した異物のうち、有機低分子化合物や有機高分子化合物等の有機物や有機塩等からなる成分を表す。
【0029】
研磨済研磨対象物に付着する有機物残渣は、例えば、後述の研磨工程もしくはリンス研磨工程において使用したパッドから発生するパッド屑、または研磨工程において用いられる研磨用組成物もしくはリンス研磨工程において用いられる表面処理組成物に含まれる添加剤に由来する成分等が挙げられる。
【0030】
なお、有機物残渣とその他の異物とは色および形状が大きく異なることから、異物が有機物残渣であるか否かの判断は、ＳＥＭ観察によって目視にて行うことができる。また、異物が有機物残渣であるか否かの判断は、必要に応じて、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＸ）による元素分析にて判断してもよい。有機物残渣数は、ウェーハ欠陥検査装置、およびＳＥＭまたはＥＤＸ元素分析を用いて測定することができる。
【0031】
［研磨済研磨対象物］
本明細書において、研磨済研磨対象物とは、研磨工程において研磨された後の研磨対象物を意味する。研磨工程としては、特に制限されないが、ＣＭＰ工程であることが好ましい。
本明細書において、研磨済研磨対象物とは、研磨工程において研磨された後の研磨対象物を意味する。研磨工程としては、特に制限されないが、ＣＭＰ工程であることが好ましい。
【0032】
本発明に係る研磨済研磨対象物に含まれる材料としては特に制限されないが、Ｓｉ系材料がある。（Ａ）成分および（Ｂ）成分、特に（Ｂ）成分の吸着による保護膜（立体反発層）の形成がより促進され、本発明の効果をより顕著に得ることができるとの観点から、研磨済研磨対象物は、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の窒素－ケイ素結合を有する材料を含む基板（研磨済研磨対象物）であることが好ましく、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の窒素－ケイ素結合を有する材料を含む表面（層、膜）に対して、本発明に係る表面処理組成物を用いた表面処理を施すことがより好ましく、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）等の窒素－ケイ素結合を有する材料から構成される表面（層、膜）に対して、本発明に係る表面処理組成物を用いた表面処理を施すことが特に好ましい。なお、研磨済研磨対象物は、複数の材料により構成されていてもよい。
【0033】
また、（Ａ）成分および（Ｂ）成分、特に（Ｂ）成分の吸着による保護膜（立体反発層）の形成がより促進され、本発明の効果をより顕著に得ることができるとの観点から、研磨済研磨対象物は、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含む基板（研磨済研磨対象物）であることが好ましく、オルトケイ酸テトラエチルを前駆体として使用して生成されるＴＥＯＳタイプ酸化ケイ素膜（以下、単に「ＴＥＯＳ」、「ＴＥＯＳ膜」とも称する）、ＨＤＰ（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｐｌａｓｍａ）膜、ＵＳＧ（Ｕｎｄｏｐｅｄ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜、ＢＰＳＧ（Ｂｏｒｏｎ－Ｐｈｏｓｐｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）膜、ＲＴＯ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）膜（層）に対して、本発明に係る表面処理組成物を用いた表面処理を施すことがより好ましく、ＴＥＯＳタイプ酸化ケイ素膜（層）に対して、本発明に係る表面処理組成物を用いた表面処理を施すことが特に好ましい。なお、研磨済研磨対象物は、複数の材料により構成されていてもよい。
【0034】
［表面処理組成物］
本発明に係る表面処理組成物は、研磨済研磨対象物の表面における残渣（特に砥粒残渣および有機物残渣）を低減するために使用される。
本発明に係る表面処理組成物は、研磨済研磨対象物の表面における残渣（特に砥粒残渣および有機物残渣）を低減するために使用される。
【0035】
本明細書において、（Ａ）成分としてのピペラジン系化合物を、単に「本発明に係るピペラジン系化合物」または「ピペラジン系化合物」とも称する。また、「ｐＫａが表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基」を「大ｐＫａアミノ基」または「本発明に係る大ｐＫａアミノ基」とも称する。（Ｂ）成分としてのアニオン性高分子を、単に「本発明に係るアニオン性高分子」または「アニオン性高分子」とも称する。（Ｃ）成分としての式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４
＋（Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である）で示される緩衝剤を、単に「本発明に係る緩衝剤」または「本発明に係るモノカルボン酸アンモニウム」もしくは「モノカルボン酸アンモニウム」とも称する。
【0036】
＜（Ａ）成分＞
本発明に係る表面処理組成物は、（Ａ）成分として、下記式（ａ）で表され、ｐＫａ（酸解離定数）が表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物を含む。
本発明に係る表面処理組成物は、（Ａ）成分として、下記式（ａ）で表され、ｐＫａ（酸解離定数）が表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物を含む。
【0037】
【化3】
【0038】
上記式（ａ）において、Ｒ１は、水素原子または第１級、第２級もしくは第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。また、Ｒ２は、第１級、第２級もしくは第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基を表す。
【0039】
上記式（ａ）において、Ｒ１およびＲ２は、互いに同じであっても、または異なっていてもよい。また、Ｒ１およびＲ２としての炭素数１以上１０以下のアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であっても、環状であってもよい。
【0040】
直鎖状アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基が挙げられる。
【0041】
分岐鎖状アルキル基の具体例としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、１，２－ジメチルプロピル基、イソヘキシル基、１，３－ジメチルブチル基、１－イソプロピルプロピル基、１，２－ジメチルブチル基、１，４－ジメチルペンチル基、３－エチルペンチル基、２－メチル－１－イソプロピルプロピル基、１－エチル－３－メチルブチル基、２－エチルヘキシル基、３－メチル－１－イソプロピルブチル基、２－メチル－１－イソプロピル基、１－ｔｅｒｔ－ブチル－２－メチルプロピル基、イソデシル基等が挙げられる。
【0042】
環状（脂環式）アルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基が挙
げられる。
げられる。
【0043】
なかでも、Ｒ１およびＲ２としてのアルキル基は、いずれも直鎖状または分岐鎖状であると好ましく、直鎖状であるとより好ましい。
【0044】
上記アルキル基について、炭素数の上限は、残渣低減効果をより向上するという観点から、８以下であると好ましく、６以下であるとより好ましく、５以下であるとさらに好ましく、３以下であると特に好ましい。一方、炭素数の下限は、２以上であると好ましい。ゆえに、一例として、Ｒ１およびＲ２としてのアルキル基の炭素数は、１以上８以下であると好ましく、１以上６以下であるとより好ましく、１以上５以下であるとさらに好ましく、１以上３以下であるとさらにより好ましく、２または３であると特に好ましく、３であると最も好ましい。
【0045】
上記アルキル基は、第１級アミノ基、第２級アミノ基および第３級アミノ基の少なくとも一のアミノ基で置換されていてもよいし、非置換であってもよい。なお、本明細書において、「第１級アミノ基」とは、－ＮＨ２を意図する。同様に、「第２級アミノ基」とは、窒素原子上に水素原子および有機基をそれぞれ１つずつ有し、当該有機基を構成する炭素原子の１つと上記窒素原子との結合が単結合である構造の官能基（－ＮＨＲＡ；ただし、ＲＡは有機基を表す）を意図する。また、同様に、「第３級アミノ基」とは、窒素原子上に同一または異なる有機基を２つ有し、各有機基を構成する炭素原子の１つと上記窒素原子との結合がいずれも単結合である構造の官能基（－Ｎ（ＲＢ）（ＲＣ）；ただし、ＲＢおよびＲＣは、それぞれ独立して有機基を表す）を意図する。なお、上記第２級アミノ基（－ＮＨＲＡ）を構成するＲＡ、ならびに上記第３級アミノ基（－Ｎ（ＲＢ）（ＲＣ））を構成するＲＢおよびＲＣとしての有機基とは、炭素原子を含む基を意味する。
【0046】
上記ＲＡ、ＲＢまたはＲＣは、それぞれ独立して、炭化水素基であると好ましく、アルキル基またはアリール基であるとより好ましく、アルキル基であるとより好ましい。
【0047】
上記ＲＡ、ＲＢおよびＲＣとしてのアルキル基の炭素数は、特に制限されないが、（Ａ）成分自体の除去性に優れるという観点から、１以上１０以下であると好ましい。ここで、炭素数１以上１０以下のアルキル基は、直鎖状であっても、分岐鎖状であっても、環状であってもよい。このようなアルキル基の各具体例は、上記Ｒ１およびＲ２としてのアルキル基について挙げた具体例と同様のものが挙げられる。
【0048】
上記アルキル基を有する第２級アミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ－プロピルアミノ基、ｎ－ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｎ－ヘキシルアミノ基、ｎ－ヘプチルアミノ基、ｎ－オクチルアミノ基、ｎ－ノニルアミノ基、ｎ－デシルアミノ基などの炭素数１以上１０以下のアルキルアミノ基が挙げられる。また、上記のようなアルキル基を有する第３級アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ－ｎ－プロピルアミノ基、ジ－ｎ－ブチルアミノ基、メチルエチルアミノ基などの炭素数２以上２０以下のジアルキルアミノ基が挙げられる。
【0049】
上記式（ａ）において、Ｒ１およびＲ２としてのアルキル基が第１級～第３級アミノ基のいずれかで置換される場合、当該アルキル基は、第１級または第３級アミノ基で置換されていると好ましく、第１級アミノ基で置換されているとより好ましい。上記形態により、残渣をより効果的に低減できる。
【0050】
より具体的には、Ｒ１およびＲ２としてのアルキル基が第１級～第３級アミノ基のいずれかで置換される場合の、当該アルキル基は、第１級アミノ基（－ＮＨ２）で置換されたメチル基、第１級アミノ基（－ＮＨ２）で置換されたエチル基、第１級アミノ基（－ＮＨ２）で置換されたｎ－プロピル基、ジメチルアミノ基で置換されたメチル基、ジメチルアミノ基で置換されたエチル基、またはジメチルアミノ基で置換されたｎ－プロピル基であることが好ましく、第１級アミノ基（－ＮＨ２）で置換されたエチル基、第１級アミノ基（－ＮＨ２）で置換されたｎ－プロピル基、またはジメチルアミノ基置換されたエチル基であることがより好ましく、第１級アミノ基（－ＮＨ２）で置換されたエチル基、または第１級アミノ基（－ＮＨ２）で置換されたｎ－プロピル基であることがさらに好ましく、第１級アミノ基（－ＮＨ２）で置換されたｎ－プロピル基であることが特に好ましい。
【0051】
なお、上記式（ａ）において、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方が第１級～第３級アミノ基のいずれかで置換されたアルキル基であるが、好ましくはＲ１が水素原子でありかつＲ２が第１級～第３級アミノ基のいずれかで置換されたアルキル基である、またはＲ１およびＲ２の双方が第１級～第３級アミノ基のいずれかで置換されたアルキル基であり、より好ましくはＲ１が水素原子でありかつＲ２が第１級アミノ基で置換されたアルキル基である、またはＲ１およびＲ２の双方が第１級または第３級アミノ基で置換されたアルキル基であり、特に好ましくはＲ１が水素原子でありかつＲ２が第１級アミノ基で置換されたアルキル基である、またはＲ１およびＲ２の双方が第１級アミノ基で置換されたアルキル基である。上記形態により、残渣をより効果的に低減できる。
【0052】
具体的には、式（ａ）で表されるピペラジン系化合物としては、１－メチルピペラジン、１－エチルピペラジン、１－プロピルピペラジン、アミノメチルピペラジン、アミノエチルピペラジン、アミノプロピルピペラジン、１－（２－ジメチルアミノエチル）－４－メチルピペラジン、１－（２－ジメチルアミノエチル）－４－エチルピペラジン、１－（２－ジメチルアミノエチル）－４－プロピルピペラジン、１－（２－ジエチルアミノエチル）－４－メチルピペラジン、１－（２－ジエチルアミノエチル）－４－エチルピペラジン、１－（２－ジエチルアミノエチル）－４－プロピルピペラジン、１，４－ビス（３－アミノメチル）ピペラジン、１，４－ビス（３－アミノエチル）ピペラジン、１，４－ビス（３－アミノプロピル）ピペラジンなどが挙げられる。
【0053】
（Ａ）成分としてのピペラジン系化合物は、ｐＫａが表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基（大ｐＫａアミノ基）を２以上有する。ここで、本発明に係るピペラジン系化合物中に存在する大ｐＫａアミノ基の数が１であるまたは存在しないと、ピペラジン系化合物が研磨済研磨対象物の表面および（Ｂ）成分の一方のみしか相互作用できないまたは双方とも相互作用できない。このため、（Ｂ）成分の吸着による保護膜（立体反発層）が研磨済研磨対象物の表面上に十分形成できず、その結果、残渣を十分除去できない。残渣低減効果をより向上するという観点から、本発明に係るピペラジン系化合物中に存在する大ｐＫａアミノ基の数は、２以上５以下であることが好ましく、２以上４以下であることがより好ましく、２または３であることがさらに好ましく、２であることが特に好ましい。
【0054】
また、（Ａ）成分としてのピペラジン系化合物における、ｐＫａと表面処理組成物のｐＨとの差はなるべく大きいことが残渣低減効果をより向上するという点で好ましい。具体的には、ピペラジン系化合物に存在するアミノ基のｐＫａのうち最大のｐＫａ（最大ｐＫａ）と表面処理組成物のｐＨとの差（＝最大ｐＫａ－ｐＨ）が、例えば、０．５以上であり、０．６以上であることが好ましく、１．０以上であることがより好ましく、１．３０を超えることがさらに好ましく、１．５０以上であることがさらにより好ましく、１．６０以上であることが特に好ましく、２．００以上であることが最も好ましい。ピペラジン系化合物に存在するアミノ基のｐＫａのうち最大のｐＫａ（最大ｐＫａ）と表面処理組成物のｐＨとの差（＝最大ｐＫａ－ｐＨ）は大きいほど好ましいため、上記差の上限は、特に制限されないが、例えば、４．０以下であり、好ましくは３．５以下であり、より好ましくは３．０以下である。
【0055】
ｐＫａ（酸解離定数）は、水中におけるピペラジン系化合物の２５℃での酸解離平衡の各成分の濃度から算出される数値であり、具体的には下記式で算出される数値Ｋａを常用対数化した数値である。
【0056】
【数1】
【0057】
本明細書において、ピペラジン系化合物に存在するアミノ基のｐＫａ（酸解離定数）は、構造式描写ソフトであるＣｈｅｍＳｋｅｔｃｈを用いて算出した。詳細には、各化合物の構造式を書き出し、その構造からｐＫａを自動算出した。
【0058】
本明細書において、ピペラジン系化合物に存在するアミノ基のｐＫａのうち最大のｐＫａ（最大ｐＫａ）は、上記にて測定された各アミノ基のｐＫａのうち、最大値となる値を採用する。
【0059】
残渣低減効果をより向上するという観点から、（Ａ）成分は、上記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物（本発明に係るピペラジン系化合物）のみであることが好ましい。
【0060】
すなわち、（Ａ）成分は、Ｒ１は、水素原子または第１級もしくは第３級アミノ基で置換されていてもよい炭素数１以上５以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）であり；Ｒ２は、第１級もしくは第３級アミノ基で置換されていてもよい炭素数１以上５以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物を含むことが好ましい。当該形態において、（Ａ）成分は、Ｒ１は、水素原子または第１級もしくは第３級アミノ基で置換されていてもよい炭素数１以上５以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）であり；Ｒ２は、第１級もしくは第３級アミノ基で置換されていてもよい炭素数１以上５以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物のみであることがより好ましい。
【0061】
（Ａ）成分は、Ｒ１は、水素原子または第１級もしくは第３級アミノ基で置換されていてもよい炭素数１以上５以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）であり；Ｒ２は、第１級もしくは第３級アミノ基で置換された炭素数１以上５以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物を含むことが好ましい。当該形態において、（Ａ）成分は、Ｒ１は、水素原子または第１級もしくは第３級アミノ基で置換されていてもよい炭素数１以上５以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）であり；Ｒ２は、第１級もしくは第３級アミノ基で置換された炭素数１以上５以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物のみであることがより好ましい。
【0062】
（Ａ）成分は、Ｒ１は、水素原子または第１級もしくは第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上３以下のアルキル基で（特に直鎖状のアルキル基）あり；Ｒ２は、第１級アミノ基で置換された炭素数１以上３以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物を含むことが特に好ましい。当該形態において、（Ａ）成分は、Ｒ１は、水素原子または第１級もしくは第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上３以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）であり；Ｒ２は、第１級アミノ基で置換された炭素数１以上３以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物のみであることがより好ましい。
【0063】
（Ａ）成分は、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、第１級アミノ基で置換された炭素数１以上３以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物を含むことが最も好ましい。当該形態において、（Ａ）成分は、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立して、第１級アミノ基で置換された炭素数１以上３以下のアルキル基（特に直鎖状のアルキル基）である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物のみであることがより好ましい。
【0064】
（Ａ）成分として用いられうるピペラジン系化合物は、合成によって製造されても、または市販品であってもよい。（Ａ）成分としてのピペラジン系化合物は、１種単独でも、または２種以上組み合わせても用いることができる。
【0065】
表面処理組成物中の（Ａ）成分の含有量は、使用する（Ａ）成分の種類や所望の効果に応じて適宜設定される。（Ａ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．００５質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることがさらに好ましく、０．０３質量％以上であることがさらにより好ましく、０．１０質量％以上であることがさらに好ましく、０．２５質量％超であることがさらにより好ましく、０．３０質量％以上であることが特に好ましく、０．５０質量％以上であることが最も好ましい。このような下限値とすることにより、（Ａ）成分が研磨済研磨対象物（特に窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）に対してより効果的に（Ｂ）成分の相互作用（吸着）を向上し、保護膜（立体反発層）を形成できる。このため、残渣をより効率よく除去することができる。また、表面処理組成物中の（Ａ）成分の含有量の上限は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、２．０質量％以下が好ましく、１．５質量％以下がより好ましく、１．２質量％以下がさらに好ましく、１．１０質量％以下が特に好ましい。このような上限値とすることにより、（Ａ）成分自体が残渣となることが抑制され、残渣を効率よく除去することができる。本発明の一実施形態では、（Ａ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．００１質量％以上２．０質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ａ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．００５質量％以上１．５質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ａ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０１質量％以上１．２質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ａ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０３質量％以上１．２質量％未満である。本発明の一実施形態では、（Ａ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．１０質量％以上１．２質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ａ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．２５質量％を超え１．２質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ａ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．３０質量％以上１．２質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ａ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．５０質量％以上１．１０質量％以下である。なお、表面処理組成物が２種以上の（Ａ）成分を含む場合、（Ａ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。
【0066】
＜（Ｂ）成分＞
本発明に係る表面処理組成物は、（Ｂ）成分として、アニオン性高分子を含む。ここでいう「アニオン性高分子」とは、分子内に、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基等のアニオン性基またはその塩を有する高分子をいう。
本発明に係る表面処理組成物は、（Ｂ）成分として、アニオン性高分子を含む。ここでいう「アニオン性高分子」とは、分子内に、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基等のアニオン性基またはその塩を有する高分子をいう。
【0067】
アニオン性高分子は、上記（Ａ）成分と相互作用して（Ａ）成分に吸着し、研磨済研磨対象物上に保護膜（立体反発層）を形成する。また、（Ｂ）成分は、負に帯電しているので、研磨済研磨対象物（特に窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）のゼータ電位をさらに負側にシフトさせる。このため、研磨済研磨対象物（特に窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）と（Ｂ）成分との間の静電反発がより強くなる。このため、本発明に係る表面処理組成物によれば、研磨済研磨対象物の表面における残渣の除去を促進する（砥粒残渣や有機物残渣等の付着や再付着を抑制する）ことができる。
【0068】
アニオン性高分子は、同一（単独重合体；ホモポリマー）または相異なる（共重合体；コポリマー）繰り返し構成単位を有する高分子であって、典型的には重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００以上の化合物であり得る。アニオン性高分子が共重合体である場合の共重合体の形態は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体、交互共重合体のいずれであってもよい。
【0069】
アニオン性高分子の例としては、例えば、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸共重合体、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸共重合体、ポリ（アクリル酸－ポリメタクリル酸）共重合体、無水マレイン酸共重合体、カルボキシメチルセルロース、アルギン酸等のポリカルボン酸；ポリスチレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸共重合体、ポリナフタレンスルホン酸、アクリルアミド－ｔ－ブチルスルホン酸等のポリスルホン酸；ポリ（カルボン酸－スルホン酸）（カルボン酸とスルホン酸とのコポリマー）、ならびにこれらの塩などが挙げられる。また、このような主鎖構造を有するもののみならず、アニオン性ポリマー構造を側鎖に有するグラフト共重合体も好適に用いることができる。
【0070】
アニオン性高分子が塩の形態である場合には、ポリカルボン酸、ポリスルホン酸およびポリ（カルボン酸－スルホン酸）等の、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、ルビジウム塩、セシウム塩等のアルカリ金属塩、マグネシウム塩、カルシウム塩、ストロンチウム塩、バリウム塩等の第２族元素の塩などが挙げられる。
【0071】
これらアニオン性高分子は、１種単独でもまたは２種以上を組み合わせても用いることができる。
【0072】
これらの中でも、残渣を除去する効果をさらに向上するという観点から、アニオン性高分子は、カルボン酸基、スルホン酸基またはその塩を有することが好ましく、カルボン酸基もしくはスルホン酸基またはそのアルカリ金属塩を有することがより好ましく、カルボン酸基またはスルホン酸基を有することがさらに好ましく、カルボン酸基を有することが特に好ましい。
【0073】
（Ｂ）成分として、上記アニオン性高分子（本発明に係るアニオン性高分子）以外の化合物を含んでもよい。残渣低減効果をより向上するという観点から、（Ｂ）成分は、上記アニオン性高分子（本発明に係るアニオン性高分子）のみであることが好ましい。
【0074】
すなわち、（Ｂ）成分は、ポリ（メタ）アクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、およびポリ（カルボン酸－スルホン酸）（カルボン酸とスルホン酸とのコポリマー）、ならびにそれらの塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子を含むことが好ましい。当該形態において、（Ｂ）成分は、ポリ（メタ）アクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、およびポリ（カルボン酸－スルホン酸）（カルボン酸とスルホン酸とのコポリマー）、ならびにそれらの塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子のみであることがより好ましい。
【0075】
（Ｂ）成分は、ポリ（メタ）アクリル酸およびポリスチレンスルホン酸、ならびにそれらの塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子を含むことが好ましい。当該形態において、（Ｂ）成分は、ポリ（メタ）アクリル酸およびポリスチレンスルホン酸、ならびにそれらの塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子のみであることがより好ましい。当該形態は、研磨済研磨対象物が窒素－ケイ素結合を有する材料を含む場合に特に適用される。
【0076】
（Ｂ）成分は、ポリ（メタ）アクリル酸およびポリスチレンスルホン酸、ならびにそれらのアルカリ金属塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子を含むことが好ましい。当該形態において、（Ｂ）成分は、ポリ（メタ）アクリル酸およびポリスチレンスルホン酸、ならびにそれらのアルカリ金属塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子のみであることがより好ましい。当該形態は、研磨済研磨対象物が窒素－ケイ素結合を有する材料を含む場合に特に適用される。
【0077】
（Ｂ）成分は、ポリ（メタ）アクリル酸およびそのアルカリ金属塩の少なくとも一方を含むことが好ましい。当該形態において、（Ｂ）成分は、ポリ（メタ）アクリル酸およびそのアルカリ金属塩の少なくとも一方のみであることがより好ましい。当該形態は、研磨済研磨対象物が窒素－ケイ素結合を有する材料を含む場合に特に適用される。
【0078】
また、（Ｂ）成分は、ポリスチレンスルホン酸およびポリ（カルボン酸－スルホン酸）（カルボン酸とスルホン酸とのコポリマー）、ならびにそれらの塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子を含むことが好ましい。当該形態において、（Ｂ）成分は、ポリスチレンスルホン酸およびポリ（カルボン酸－スルホン酸）（カルボン酸とスルホン酸とのコポリマー）、ならびにそれらの塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子のみであることがより好ましい。当該形態は、研磨済研磨対象物が酸化ケイ素を含む場合に特に適用される。
【0079】
（Ｂ）成分は、ポリスチレンスルホン酸およびポリ（カルボン酸－スルホン酸）（カルボン酸とスルホン酸とのコポリマー）、ならびにそれらのアルカリ金属塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子を含むことが好ましい。当該形態において、（Ｂ）成分は、ポリスチレンスルホン酸およびポリ（カルボン酸－スルホン酸）（カルボン酸とスルホン酸とのコポリマー）、ならびにそれらのアルカリ金属塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子のみであることがより好ましい。当該形態は、研磨済研磨対象物が酸化ケイ素を含む場合に特に適用される。
【0080】
（Ｂ）成分は、ポリスチレンスルホン酸およびそのアルカリ金属塩の少なくとも一方を含むことが好ましい。当該形態において、（Ｂ）成分は、ポリスチレンスルホン酸およびそのアルカリ金属塩の少なくとも一方のみであることがより好ましい。当該形態は、研磨済研磨対象物が酸化ケイ素を含む場合に特に適用される。
【0081】
アニオン性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、１，０００以上であることが好ましく、２，０００以上であることがより好ましく、５，０００以上であることがさらに好ましく、１０，０００以上であることがさらにより好ましく、２０，０００以上であることがさらに好ましく、２００，０００以上であることが特に好ましく、２００，０００を超えることが最も好ましい。また、アニオン性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）の上限は、５，０００，０００以下であることが好ましく、３，０００，０００以下であることがより好ましく、２，０００，０００以下であることが特に好ましく、１，５００，０００以下であることが最も好ましい。一例として、アニオン性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００以上５，０００，０００以下であることが好ましく、２，０００以上４，０００，０００以下であることがより好ましく、５，０００以上２，０００，０００以下であることがさらに好ましく、１０，０００以上２，０００，０００以下であることがさらにより好ましく、２０，０００以上２，０００，０００以下であることがさらに好ましく、２００，０００以上２，０００，０００以下であることが特に好ましく、２００，０００を超え１，５００，０００以下であることが最も好ましい。
【0082】
なお、アニオン性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミーエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いたポリエチレングリコール換算の値として測定することができ、測定方法の詳細は、後述の実施例に記載する。
【0083】
（Ｂ）成分として用いられうるアニオン性高分子は、合成によって製造されても、または市販品であってもよい。市販品の例としては、ポリアクリル酸（東亞合成株式会社製）、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム（東ソー・ファインケム株式会社製）、カルボン酸とスルホン酸とのコポリマー（ナトリウム塩）（東亞合成株式会社製）などが挙げられる。
【0084】
（Ｂ）成分としてのアニオン性高分子は、１種単独でも、または２種以上組み合わせても用いることができる。
【0085】
表面処理組成物中の（Ｂ）成分の含有量は、使用する（Ｂ）成分の種類や所望の効果に応じて適宜設定される。（Ｂ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０００１質量％以上が好ましく、０．００１質量％以上がより好ましく、０．００５質量％以上がさらに好ましく、０．０１質量％以上が特に好ましく、０．０２質量％以上が最も好ましい。また、表面処理組成物中の（Ｂ）成分の含有量の上限は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、１．０質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましく、０．３質量％以下がさらに好ましく、０．１質量％以下が特に好ましい。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０００１質量％以上１．０質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．００１質量％以上０．５質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．００５質量％以上０．３質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０１質量％以上０．１質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０２質量％以上０．１質量％以下である。なお、表面処理組成物が２種以上の（Ｂ）成分を含む場合、（Ｂ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。
【0086】
上記に代えてまたは上記に加えて、表面処理組成物中の（Ａ）成分と（Ｂ）成分との混合比は、使用する（Ａ）成分や（Ｂ）成分の種類ならびに所望の効果に応じて適宜設定される。（Ｂ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分含有比）（質量比）は、０．５以上であることが好ましく、１を超えることがより好ましく、２以上であることがさらに好ましく、２を超えることがさらにより好ましく、１０以上であることがさらに好ましく、２０を超えることが特に好ましく、２５以上であることが最も好ましい。（Ｂ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分含有比）（質量比）は、１１０以下であることが好ましく、５５以下であることがより好ましく、５０未満であることがさらに好ましく、３０以下であることが特に好ましい。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分含有比）（質量比）は、０．５以上１５以下である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分含有比）（質量比）は、１を超え１０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分含有比）（質量比）は、２以上１１０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分含有比）（質量比）は、２超１１０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分含有比）（質量比）は、１０以上１１０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分含有比）（質量比）は、２０超１１０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分含有比）（質量比）は、２５以上５５以下である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分含有比）（質量比）は、２５以上５０未満である。本発明の一実施形態では、（Ｂ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｂ）成分含有比）（質量比）は、２５以上３０以下である。なお、表面処理組成物が２種以上の（Ａ）成分を含む場合、（Ａ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。同様にして、表面処理組成物が２種以上の（Ｂ）成分を含む場合、（Ｂ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。
【0087】
＜（Ｃ）成分＞
本発明に係る表面処理組成物は、上記（Ａ）および（Ｂ）成分に加えて、（Ｃ）成分を含む。（Ｃ）成分は、式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋で示される緩衝剤（モノカルボン酸アンモニウム）を含む。本明細書において、「緩衝剤」とは、ｐＨを一定に保つために表面処理組成物（溶液）に緩衝作用を付与する物質を意味する。
本発明に係る表面処理組成物は、上記（Ａ）および（Ｂ）成分に加えて、（Ｃ）成分を含む。（Ｃ）成分は、式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋で示される緩衝剤（モノカルボン酸アンモニウム）を含む。本明細書において、「緩衝剤」とは、ｐＨを一定に保つために表面処理組成物（溶液）に緩衝作用を付与する物質を意味する。
【0088】
（Ｃ）成分は、上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４
＋で示される緩衝剤以外の成分（例えば、公知の緩衝剤）を含んでもよいが、本発明による効果のさらなる向上などの観点から、（
Ｃ）成分は、上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋で示される緩衝剤から構成される（（Ｃ）成分は上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋で示される緩衝剤である）ことが好ましい。（Ｃ）成分の存在により、研磨済研磨対象物の表面に残留する残渣を効率よく除去しうる。すなわち、本発明の好ましい形態では、（Ｃ）成分が、上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋で示される緩衝剤から構成される（（Ｃ）成分は上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋で示される緩衝剤である）。
Ｃ）成分は、上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋で示される緩衝剤から構成される（（Ｃ）成分は上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋で示される緩衝剤である）ことが好ましい。（Ｃ）成分の存在により、研磨済研磨対象物の表面に残留する残渣を効率よく除去しうる。すなわち、本発明の好ましい形態では、（Ｃ）成分が、上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋で示される緩衝剤から構成される（（Ｃ）成分は上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋で示される緩衝剤である）。
【0089】
上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４
＋において、Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である。ここで、アルキル基としては、上記式（ａ）のＲ１およびＲ２としてのアルキル基について挙げた具体例と同様のアルキル基が例示される。これらのうち、本発明による効果のさらなる向上などの観点から、Ａは、炭素数１以上８以下の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であることが好ましく、炭素数１以上３以下の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましく、メチル基（酢酸アンモニウム）またはエチル基（プロピオン酸アンモニウム）であることがさらに好ましく、メチル基（酢酸アンモニウム）であることが特に好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、緩衝剤は、Ａが炭素数１以上８以下の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基である上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４
＋で示される。本発明のより好ましい形態では、緩衝剤は、Ａが炭素数１以上３以下の直鎖状もしくは分岐鎖状のアルキル基である上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４
＋で示される。本発明のさらなる好ましい形態では、緩衝剤は、Ａがメチル基またはエチル基である上記式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４
＋で示される（緩衝剤が酢酸アンモニウムまたはプロピオン酸アンモニウムである）。本発明の特に好ましい形態では、（Ｃ）成分（緩衝剤）は酢酸アンモニウムを含む。本発明の最も好ましい形態では、（Ｃ）成分（緩衝剤）は酢酸アンモニウムである。
【0090】
表面処理組成物中の（Ｃ）成分の含有量は、使用する（Ｃ）成分の種類や所望の効果に応じて適宜設定される。（Ｃ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．００１質量％以上であることが好ましく、０．００５質量％以上であることがより好ましく、０．０１質量％以上であることが特に好ましい。また、表面処理組成物中の（Ｃ）成分の含有量の上限は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．５質量％以下が好ましく、０．３質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下特に好ましい。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．００１質量％以上０．５質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．００５質量％以上０．３質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０１質量％以上０．１質量％以下である。なお、表面処理組成物が２種以上の（Ｃ）成分を含む場合、（Ｃ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。
【0091】
上記に代えてまたは上記に加えて、表面処理組成物中の（Ａ）成分と（Ｃ）成分との混合比は、使用する（Ａ）成分や（Ｃ）成分の種類ならびに所望の効果に応じて適宜設定される。（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は、０．０１以上であることが好ましく、０．１以上であることがより好ましく、０．５以上であることがさらに好ましく、０．５を超えることがさらにより好ましく、５以上であることが特に好ましく、１０以上であることが最も好ましい。（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は、５０以下であることが好ましく、４０以下であることがより好ましく、２０以下であることが特に好ましい。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は、０．０１以上５０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は
、０．１以上４０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は、０．５以上４０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は、０．５超４０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は、５以上４０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は、１０以上２０以下である。なお、表面処理組成物が２種以上の（Ａ）成分を含む場合、（Ａ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。同様にして、表面処理組成物が２種以上の（Ｃ）成分を含む場合、（Ｃ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。
、０．１以上４０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は、０．５以上４０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は、０．５超４０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は、５以上４０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｃ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｃ）成分含有比）（質量比）は、１０以上２０以下である。なお、表面処理組成物が２種以上の（Ａ）成分を含む場合、（Ａ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。同様にして、表面処理組成物が２種以上の（Ｃ）成分を含む場合、（Ｃ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。
【0092】
＜（Ｄ）成分＞
本発明に係る表面処理組成物は、上記（Ａ）～（Ｃ）成分を必須に含むが、これらに加えて、さらにノニオン性高分子を含むことが好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、表面処理組成物は、（Ｄ）成分をさらに含む：
（Ｄ）成分：ノニオン性高分子。
本発明に係る表面処理組成物は、上記（Ａ）～（Ｃ）成分を必須に含むが、これらに加えて、さらにノニオン性高分子を含むことが好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、表面処理組成物は、（Ｄ）成分をさらに含む：
（Ｄ）成分：ノニオン性高分子。
【0093】
ここでいう「ノニオン性高分子」とは、分子内に、カルボン酸基、スルホン酸基、リン酸基等のアニオン性基や、アミノ基、第四級アンモニウム基等のカチオン性基を有しない高分子をいう。
【0094】
ノニオン性高分子は、研磨済研磨対象物の表面の濡れ性を向上させることにより、研磨済研磨対象物の表面における残渣、特に有機物残渣の除去を促進する（有機物残渣等の付着や再付着を抑制する）ことができる。
【0095】
ノニオン性高分子は、同一（単独重合体；ホモポリマー）または相異なる（共重合体；コポリマー）繰り返し構成単位を有する高分子であって、典型的には重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００以上の化合物であり得る。ノニオン性高分子が共重合体である場合の共重合体の形態は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体、交互共重合体のいずれであってもよい。
【0096】
ノニオン性高分子の例としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリＮ－ビニルアセトアミド、ポリビニルエーテル類（ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルイソブチルエーテルなど）、ポリグリセリン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ヒドロキシエチルセルロースなどの水溶性の多糖類、アルギン酸多価アルコールエステル、水溶性尿素樹脂、デキストリン誘導体、カゼイン等が挙げられる。また、このような主鎖構造を有するもののみならず、ノニオン性ポリマー構造を側鎖に有するグラフト共重合体も好適に用いることができる。さらに、エチレン－ビニルアルコール共重合体、ブテンジオール－ビニルアルコール共重合体のような共重合体も用いることができる。これらノニオン性高分子は、１種単独でもまたは２種以上を組み合わせても用いることができる。
【0097】
残渣（特に有機物残渣）を除去する効果をさらに向上するという観点から、ノニオン性高分子の好適な例としては、以下のものが挙げられる：ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリＮ－ビニルアセトアミド、ポリエチレングリコール、ヒドロキシエチルセルロース、ブテンジオール－ビニルアルコール共重合体等。ゆえに、一実施形態において、（Ｄ）成分としてのノニオン性高分子は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリＮ－ビニルアセトアミド、ポリエチレングリコール、ヒドロキシエチルセルロースおよびブテンジオール－ビニルアルコール共重合体からなる群より選択される少なくとも１種を含むと好ましい。さらに他の実施形態において、ノニオン性高分子は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドンおよびポリＮ－ビニルアセトアミドからなる群より選択される少なくとも１種を含むと好ましい。さらに他の実施形態において、ノニオン性高分子は、ポリビニルアルコールまたはポリビニルピロリドンを含むと好ましい。さらに他の一実施形態において、ノニオン性高分子は、ポリビニルアルコールを含むと好ましい。これらのノニオン性高分子は、特に有機物残渣の付着・再付着が効果的に抑制され、残渣を除去する効果がさらに向上する。
【0098】
（Ｄ）成分として、上記ノニオン性高分子以外の化合物を含んでもよい。残渣低減効果をより向上するという観点から、（Ｄ）成分は、上記ノニオン性高分子のみであることが好ましい。
【0099】
ノニオン性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）の下限は、１，０００以上であることが好ましく、３，０００以上であることがより好ましく、５，０００を超えることがさらに好ましく、８，０００以上であることが特に好ましく、１０，０００以上であることが最も好ましい。また、ノニオン性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）の上限は、１，０００，０００以下であることが好ましく、１００，０００以下であることがより好ましく、８０，０００以下であることがさらに好ましく、５０，０００以下であることが特に好ましく、５０，０００未満であることが最も好ましい。一例として、ノニオン性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００以上１，０００，０００以下であることが好ましく、３，０００以上１００，０００以下であることがより好ましく、５，０００超８０，０００以下であることがさらに好ましく、８，０００以上５０，０００以下であることが特に好ましく、１０，０００以上５０，０００未満であることが最も好ましい。
【0100】
なお、ノニオン性高分子の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミーエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）を用いたポリエチレングリコール換算の値として測定することができ、測定方法の詳細は、後述の実施例に記載する。
【0101】
（Ｄ）成分として用いられうるノニオン性高分子は、合成によって製造されても、または市販品であってもよい。市販品の例としては、ＪＭＲ（登録商標）－１０ＨＨ、ＪＭＲ（登録商標）－３ＨＨ（いずれも日本酢ビ・ポバール株式会社）、ピッツコール（登録商標）Ｋ３０Ａ、Ｋ３０Ｌ（いずれも第一工業製薬株式会社）、ＣＭＣダイセル（登録商標）１１５０、１１７０（いずれもダイセルミライズ株式会社）、ＧＥ１９１－１０４、１０７（いずれも昭和電工株式会社）などが挙げられる。
【0102】
（Ｄ）成分としてのノニオン性高分子は、１種単独でも、または２種以上組み合わせても用いることができる。
【0103】
表面処理組成物が（Ｄ）成分を含む際の、表面処理組成物中の（Ｄ）成分の含有量は、使用する（Ｄ）成分の種類や所望の効果に応じて適宜設定される。（Ｄ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０００１質量％以上が好ましく、０．００１質量％以上がより好ましく、０．０１質量％以上がさらに好ましく、０．０３質量％以上が特に好ましい。また、表面処理組成物中の（Ｄ）成分の含有量の上限は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、１．５質量％以下が好ましく、１．０質量％以下がより好ましく、０．５質量％以下がさらに好ましく、０．３質量％以下が特に好ましい。本発明の一実施形態では、（Ｄ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０００１質量％以上１．５質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ｄ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．００１質量％以上１．０質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ｄ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０１質量％以上０．５質量％以下である。本発明の一実施形態では、（Ｄ）成分の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０３質量％以上０．３質量％以下である。なお、表面処理組成物が２種以上の（Ｄ）成分を含む場合、（Ｄ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。
【0104】
上記に代えてまたは上記に加えて、表面処理組成物中の（Ａ）成分と（Ｄ）成分との混合比は、使用する（Ａ）成分や（Ｄ）成分の種類ならびに所望の効果に応じて適宜設定される。（Ｄ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｄ）成分含有比）（質量比）は、０．０１以上であることが好ましく、０．０５以上であることがより好ましく、０．１以上であることがさらに好ましく、０．１を超えることがさらにより好ましく、１以上であることが特に好ましく、５以上であることが最も好ましい。（Ｄ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｄ）成分含有比）（質量比）は、１５以下であることが好ましく、１０以下であることがより好ましく、５以下であることがさらに好ましく、３以下であることがさらにより好ましく、３未満であることが特に好ましい。本発明の一実施形態では、（Ｄ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｄ）成分含有比）（質量比）は、０．０１以上１０以下である。本発明の一実施形態では、（Ｄ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｄ）成分含有比）（質量比）は、０．０５以上５以下である。本発明の一実施形態では、（Ｄ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｄ）成分含有比）（質量比）は、０．１以上３以下である。本発明の一実施形態では、（Ｄ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｄ）成分含有比）（質量比）は、０．１超３未満である。本発明の一実施形態では、（Ｄ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｄ）成分含有比）（質量比）は、１以上１５以下である。本発明の一実施形態では、（Ｄ）成分に対する（Ａ）成分の混合比（（Ａ）成分／（Ｄ）成分含有比）（質量比）は、５以上１０以下である。なお、表面処理組成物が２種以上の（Ａ）成分を含む場合、（Ａ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。同様にして、表面処理組成物が２種以上の（Ｄ）成分を含む場合、（Ｄ）成分の含有量は、これらの合計量を意図する。
【0105】
＜ｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）＞
本発明に係る表面処理組成物は、上記（Ａ）～（Ｃ）成分を必須に含み、上記（Ｄ）成分を含んでもよい。上記（Ｄ）成分に代えてまたは上記（Ｄ）成分に加えて、さらにｐＨ調整剤を含むことが好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、表面処理組成物は、（Ｅ）成分をさらに含む：
（Ｅ）成分：ｐＨ調整剤。
本発明に係る表面処理組成物は、上記（Ａ）～（Ｃ）成分を必須に含み、上記（Ｄ）成分を含んでもよい。上記（Ｄ）成分に代えてまたは上記（Ｄ）成分に加えて、さらにｐＨ調整剤を含むことが好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、表面処理組成物は、（Ｅ）成分をさらに含む：
（Ｅ）成分：ｐＨ調整剤。
【0106】
ｐＨ調整剤は、特に制限されず、表面処理組成物の分野で用いられる公知のｐＨ調整剤を用いることができ、公知の酸、塩基、またはこれらの塩等を用いることができる。ｐＨ調整剤の例としては、例えば、ギ酸、酢酸、グリコール酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸、ドコサヘキサエン酸、エイコサペンタエン酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、サリチル酸、没食子酸、メリト酸、ケイ皮酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、フマル酸、マレイン酸、アコニット酸、アミノ酸、アントラニル酸等のカルボン酸や、スルホン酸（イセチオン酸、カンファースルホン酸など）、有機ホスホン酸（ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸など）等の有機酸；硝酸、炭酸、塩酸、硫酸、リン酸、次亜リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、ホウ酸、フッ化水素酸、オルトリン酸、ピロリン酸、メタリン酸、ヘキサメタリン酸などの無機酸；水酸化カリウム（ＫＯＨ）、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）等のアルカリ金属の水酸化物；炭酸カリウム（Ｋ２ＣＯ３）、炭酸ナトリウム（Ｎａ２ＣＯ３）等のアルカリ金属の炭酸塩；第２族元素の水酸化物；アンモニア（水酸化アンモニウム）；水酸化第四級アンモニウム化合物等の有機塩基等が挙げられる。ｐＨ調整剤は、合成品を用いてもよいし、市販品を用いてもよい。また、これらｐＨ調整剤は、単独でもまたは２種以上組み合わせても用いることができる。
【0107】
これらのうち、(Ａ）成分の含有量が比較的少なく、表面処理組成物のｐＨが低い場合には、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニアが好ましく、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、アンモニアがより好ましく、アンモニアが特に好ましい。すなわち、本発明の好ましい形態では、ｐＨ調整剤は、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウムおよびアンモニアからなる群より選択される少なくとも１種である。本発明のより好ましい形態では、ｐＨ調整剤は、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムおよびアンモニアからなる群より選択される少なくとも１種である。本発明の特に好ましい形態では、ｐＨ調整剤は、アンモニアである。
【0108】
一方、(Ａ）成分の含有量が比較的多く、表面処理組成物のｐＨが高い場合には、酢酸、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸、ギ酸、プロピオン酸、酪酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、リンゴ酸、クエン酸、グリコール酸、酒石酸、乳酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸が好ましく、酢酸が特に好ましい。
【0109】
本発明の一実施形態では、ｐＨ調整剤は、アンモニアまたは酢酸である。
【0110】
表面処理組成物中のｐＨ調整剤の含有量は、下記に詳述される所望の表面処理組成物のｐＨ値となるような量を適宜選択すればよい。
【0111】
＜表面処理組成物のｐＨ＞
本発明に係る表面処理組成物のｐＨは、７．０を超える（本発明に係る表面処理組成物はアルカリ性である）。表面処理組成物のｐＨが７．０以下であると、研磨済研磨対象物の表面に残留する残渣を十分除去できない。本発明による効果のさらなる向上（特に、残渣のより効率的な除去）などの観点から、表面処理組成物のｐＨは、７．５以上であることが好ましく、７．５を超えることがより好ましく、８．０以上であることが特に好ましい。表面処理組成物のｐＨは、１２．５未満であることが好ましく、１０．０以下であることがより好ましく、１０．０未満であることがさらに好ましく、９．０以下であることがさらにより好ましく、９．０未満であることが特に好ましく、８．５未満であることが最も好ましい。すなわち、本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、７．５以上１２．５未満である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、７．５超１０．０以下である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、８．０以上１０．０以下である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、８．０以上１０．０未満である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、８．０以上９．０以下である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、８．０以上９．０未満である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、８．０以上８．５未満である。なお、表面処理組成物のｐＨは、実施例に記載の方法により測定した値を採用する。
本発明に係る表面処理組成物のｐＨは、７．０を超える（本発明に係る表面処理組成物はアルカリ性である）。表面処理組成物のｐＨが７．０以下であると、研磨済研磨対象物の表面に残留する残渣を十分除去できない。本発明による効果のさらなる向上（特に、残渣のより効率的な除去）などの観点から、表面処理組成物のｐＨは、７．５以上であることが好ましく、７．５を超えることがより好ましく、８．０以上であることが特に好ましい。表面処理組成物のｐＨは、１２．５未満であることが好ましく、１０．０以下であることがより好ましく、１０．０未満であることがさらに好ましく、９．０以下であることがさらにより好ましく、９．０未満であることが特に好ましく、８．５未満であることが最も好ましい。すなわち、本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、７．５以上１２．５未満である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、７．５超１０．０以下である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、８．０以上１０．０以下である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、８．０以上１０．０未満である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、８．０以上９．０以下である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、８．０以上９．０未満である。本発明の一実施形態では、表面処理組成物のｐＨは、８．０以上８．５未満である。なお、表面処理組成物のｐＨは、実施例に記載の方法により測定した値を採用する。
【0112】
＜溶媒＞
本発明に係る表面処理組成物は、溶媒を含むことが好ましい。溶媒は、各成分を分散または溶解させる機能を有する。溶媒は、水を含むことが好ましく、水のみであることがより好ましい。また、溶媒は、各成分の分散または溶解のために、水と有機溶媒との混合溶媒であってもよい。この場合、用いられる有機溶媒としては、例えば、水と混和する有機溶媒であるアセトン、アセトニトリル、エタノール、メタノール、イソプロパノール、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリエタノールアミン等が挙げられる。また、これらの有機溶媒を水と混合せずに用いて、各成分を分散または溶解した
後に、水と混合してもよい。これら有機溶媒は、単独でもまたは２種以上組み合わせても用いることができる。
本発明に係る表面処理組成物は、溶媒を含むことが好ましい。溶媒は、各成分を分散または溶解させる機能を有する。溶媒は、水を含むことが好ましく、水のみであることがより好ましい。また、溶媒は、各成分の分散または溶解のために、水と有機溶媒との混合溶媒であってもよい。この場合、用いられる有機溶媒としては、例えば、水と混和する有機溶媒であるアセトン、アセトニトリル、エタノール、メタノール、イソプロパノール、グリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリエタノールアミン等が挙げられる。また、これらの有機溶媒を水と混合せずに用いて、各成分を分散または溶解した
後に、水と混合してもよい。これら有機溶媒は、単独でもまたは２種以上組み合わせても用いることができる。
【0113】
水は、研磨済研磨対象物の汚染や他の成分の作用を阻害することを防ぐという観点から、残渣をできる限り含有しない水が好ましい。例えば、遷移金属イオンの合計含有量が１００ｐｐｂ以下である水が好ましい。ここで、水の純度は、例えば、イオン交換樹脂を用いる残渣イオンの除去、フィルタによる異物の除去、蒸留等の操作によって高めることができる。具体的には、例えば、脱イオン水（イオン交換水）、純水、超純水、蒸留水などを用いることが好ましい。
【0114】
＜シクロデキストリン、シクロデキストリン誘導体＞
本発明に係る表面処理組成物は、シクロデキストリン、シクロデキストリン誘導体をさらに含んでもよい。ここで、シクロデキストリンは、デンプンから酵素反応によって合成されるブドウ糖を構成単位とする環状オリゴ糖であり、ブドウ糖が６つ結合して環状構造となるα－シクロデキストリン、７つ結合して環状構造となるβ－シクロデキストリン、８つ結合して環状構造となるγ－シクロデキストリンがある。また、シクロデキストリン誘導体は、２－ヒドロキシプロピル－β－シクロデキストリン、２－ヒドロキシエチル－β－シクロデキストリンなどの、上記シクロデキストリンが有する水酸基を修飾したもの、メチル体、プロピル体、モノアセチル体、トリアセチル体及びモノクロロトリアジニル体等の、化学修飾体などが挙げられる。
本発明に係る表面処理組成物は、シクロデキストリン、シクロデキストリン誘導体をさらに含んでもよい。ここで、シクロデキストリンは、デンプンから酵素反応によって合成されるブドウ糖を構成単位とする環状オリゴ糖であり、ブドウ糖が６つ結合して環状構造となるα－シクロデキストリン、７つ結合して環状構造となるβ－シクロデキストリン、８つ結合して環状構造となるγ－シクロデキストリンがある。また、シクロデキストリン誘導体は、２－ヒドロキシプロピル－β－シクロデキストリン、２－ヒドロキシエチル－β－シクロデキストリンなどの、上記シクロデキストリンが有する水酸基を修飾したもの、メチル体、プロピル体、モノアセチル体、トリアセチル体及びモノクロロトリアジニル体等の、化学修飾体などが挙げられる。
【0115】
表面処理組成物がシクロデキストリンまたはシクロデキストリン誘導体を含む際の、表面処理組成物中のシクロデキストリンおよびシクロデキストリン誘導体の含有量は、使用するシクロデキストリンまたはシクロデキストリン誘導体の種類や所望の効果に応じて適宜設定される。シクロデキストリンまたはシクロデキストリン誘導体の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましく、０．０２質量％以上が特に好ましい。また、表面処理組成物中のシクロデキストリンまたはシクロデキストリン誘導体の含有量の上限は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、１質量％以下が好ましく、０．５質量％以下がより好ましく、０．１質量％以下が特に好ましい。このような量であれば、表面処理組成物の貯蔵安定性を高めることができる。なお、表面処理組成物が２種以上のシクロデキストリンまたはシクロデキストリン誘導体を含む場合、上記含有量は、これらの合計量を意図する。同様にして、表面処理組成物がシクロデキストリンおよびシクロデキストリン誘導体を組み合わせて含む場合、上記含有量は、これらの合計量を意図する。
【0116】
＜カルボン酸化合物＞
本発明に係る表面処理組成物は、カルボン酸化合物をさらに含んでもよい。
本発明に係る表面処理組成物は、カルボン酸化合物をさらに含んでもよい。
【0117】
ここで、カルボン酸化合物としては、カルボキシ基を有するものであれば特に制限されない。具体的には、ＷＯ ２０２１／２３０１２７に記載されるような、下記式（Ｉ）で示されるカルボン酸化合物が好適に使用できる。
【0118】
【化4】
【0119】
上記式（Ｉ）において、Ｒ３は、水素原子またはヒドロキシ基もしくはカルボキシ基で置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基である。ここで、Ｒ３は、水素原子であっても、無置換の炭素数１以上１０以下のアルキル基であっても、ヒドロキシ基で置換された炭素数１以上１０以下のアルキル基であっても、カルボキシ基で置換された炭素数１以上１０以下のアルキル基であっても、またはヒドロキシ基およびカルボキシ基双方で置換された炭素数１以上１０以下のアルキル基であってもよい。好ましくは、Ｒ３は、水素原子またはヒドロキシ基で置換されたアルキル基である。
【0120】
ここで、アルキル基としては、上記式（ａ）で例示されたものと同様のアルキル基が例示される。Ｒ３は、好ましくは炭素数１以上６以下のアルキル基であり、より好ましくは炭素数１以上３以下のアルキル基である。アルキル基は、ヒドロキシ基及びカルボキシ基に加えて、他の置換基を更に有していてもよい。他の置換基としては、例えば、ハロゲン原子及びアミノ基などが挙げられる。
【0121】
Ｒ３がヒドロキシ基で置換された炭素数１以上１０以下のアルキル基である場合の、アルキル基に存在するヒドロキシ基の数は、好ましくは１以上１０以下であり、より好ましくは１以上５以下であり、さらに好ましくは２以上４以下である。また、Ｒ３がカルボキシ基で置換された炭素数１以上１０以下のアルキル基である場合の、アルキル基に存在するカルボキシ基の数は、好ましくは１以上５以下であり、より好ましくは１以上３以下であり、さらに好ましくは１または２である。
【0122】
なお、式（Ｉ）のカルボン酸化合物は、塩（無機塩、有機塩）の形態であってもよいが、塩の形態でないことが好ましい。
【0123】
式（Ｉ）のカルボン酸化合物がヒドロキシ基を有する（式（Ｉ）中のＲ３がヒドロキシ基で置換された炭素数１以上１０以下のアルキル基である）場合、ヒドロキシ基数は、例えば、２以上であり、好ましくは３以上である。ヒドロキシ基数の上限は、例えば、１０以下であり、好ましくは８以下であり、より好ましくは５以下である。
【0124】
式（Ｉ）のカルボン酸化合物がカルボキシ基を有する（式（Ｉ）中のＲ３がカルボキシ基で置換された炭素数１以上１０以下のアルキル基である）場合、カルボキシ基数は、好ましくは２以上である。カルボキシ基数の上限は、例えば、１０以下であり、好ましくは５以下である。カルボキシ基数は、特に好ましくは１である。
【0125】
式（Ｉ）のカルボン酸化合物がヒドロキシ基及びカルボキシ基双方を有する（式（Ｉ）中のＲ３がヒドロキシ基およびカルボキシ基双方で置換された炭素数１以上１０以下のアルキル基である）場合、カルボキシ基の個数に対するヒドロキシ基の個数の比〔ヒドロキシ基の個数／カルボキシ基の個数〕は、２以上１０以下であることが好ましく、３以上８以下であることがより好ましく、５以上６以下であることが特に好ましい。
【0126】
式（Ｉ）のカルボン酸化合物としては、例えば、グルコン酸、ムチン酸、グリセリン酸、ヘプトン酸などが挙げられる。これらのうち、グルコン酸、ムチン酸、グリセリン酸が好ましく、グルコン酸、ムチン酸がより好ましく、グルコン酸が特に好ましい。なお、式（Ｉ）のカルボン酸化合物は、１種単独でも、または２種以上組み合わせても用いることができる。
【0127】
表面処理組成物が式（Ｉ）のカルボン酸化合物を含む際の、表面処理組成物中の式（Ｉ）のカルボン酸化合物の含有量は、使用する式（Ｉ）のカルボン酸化合物の種類や所望の効果に応じて適宜設定される。式（Ｉ）のカルボン酸化合物の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０１質量％以上が好ま
しく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が特に好ましい。また、表面処理組成物中の式（Ｉ）のカルボン酸化合物の含有量の上限は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下が特に好ましい。なお、表面処理組成物が２種以上の式（Ｉ）のカルボン酸化合物を含む場合、上記含有量は、これらの合計量を意図する。
しく、１質量％以上がより好ましく、３質量％以上が特に好ましい。また、表面処理組成物中の式（Ｉ）のカルボン酸化合物の含有量の上限は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、１０質量％以下が好ましく、８質量％以下がより好ましく、５質量％以下が特に好ましい。なお、表面処理組成物が２種以上の式（Ｉ）のカルボン酸化合物を含む場合、上記含有量は、これらの合計量を意図する。
【0128】
＜アルカノールアミン化合物＞
本発明に係る表面処理組成物は、アルカノールアミン化合物をさらに含んでもよい。ここで、アルカノールアミンは、分子内に１つ以上のアミノ基（第１級、第２級または第３級アミノ基、好ましくは第１級アミノ基）と、１つ以上のヒドロキシ基と、を有する脂肪族化合物である。
本発明に係る表面処理組成物は、アルカノールアミン化合物をさらに含んでもよい。ここで、アルカノールアミンは、分子内に１つ以上のアミノ基（第１級、第２級または第３級アミノ基、好ましくは第１級アミノ基）と、１つ以上のヒドロキシ基と、を有する脂肪族化合物である。
【0129】
アルカノールアミンとしては、例えば、ＷＯ ２０２１／２３０１２７に記載されるような、下記式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で示されるアルカノールアミン化合物が好適に使用できる。
【0130】
【化5】
【0131】
上記式（ＩＩ）において、Ｌ１は、ヘテロ原子を有していてもよい炭素数１以上１４以下のアルキレン基を表す。アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基等の直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基などが挙げられる。また、アルキレン基がヘテロ原子を有する場合の、置換基としては、ヒドロキシ基、アミノ基、及びこれらの組合せが挙げられる。これらのうち、Ｌ１は、無置換もしくは酸素原子を有する炭素数１以上１０以下のアルキレン基であることが好ましく、無置換もしくはヒドロキシ基を有する炭素数１以上６以下のアルキレン基であることがより好ましく、無置換の炭素数１以上６以下のアルキレン基であることが特に好ましい。Ｌ１がヒドロキシ基を有するアルキレン基である場合のヒドロキシ基数は、１以上１０以下であることが好ましく、１以上５以下であることがより好ましく、１以上３以下であることが特に好ましい。
【0132】
上記式（ＩＩＩ）において、Ｌ２は、単結合またはヘテロ原子を有していてもよい炭素数１以上６以下のアルキレン基を表し、好ましくは単結合である。アルキレン基としては、上記Ｌ１におけるのと同様のアルキレン基が挙げられる。また、アルキレン基がヘテロ原子を有する場合の、置換基としては、ヒドロキシ基、アミノ基、及びこれらの組合せが挙げられる。これらのうち、Ｌ２は、無置換もしくは酸素原子を有する炭素数１以上６以下のアルキレン基が好ましく、無置換もしくはヒドロキシ基を有する炭素数１以上６以下のアルキレン基がより好ましく、無置換の炭素数１以上６以下のアルキレン基が特に好ましい。
【0133】
Ｒ４～Ｒ７は、それぞれ独立して、水素原子、または置換基を有していてもよいメチル基もしくはエチル基を表す。この際、Ｒ４～Ｒ７は、同じであってもまたは異なるものであってもよい。これらのうち、Ｒ４～Ｒ５は水素原子であり、かつＲ６～Ｒ７はメチル基であることが好ましい。Ｒ４～Ｒ７は、置換基を有していてもよい。置換基としては、例
えば、ヒドロキシ基、アミノ基、およびハロゲン原子などが挙げられ、ヒドロキシ基が好ましい。
えば、ヒドロキシ基、アミノ基、およびハロゲン原子などが挙げられ、ヒドロキシ基が好ましい。
【0134】
Ｒ４～Ｒ７は、それぞれ独立して、ヒドロキシ基を有していてもよいメチル基またはエチル基であることが好ましく、無置換のメチル基またはエチル基であることがより好ましい。
【0135】
なお、上記式（ＩＩ）または（ＩＩＩ）で表されるアルカノールアミン化合物は、無機酸塩または有機酸塩であってもよい。
【0136】
具体的には、２－アミノ－２－メチル－１－プロパノール（ＡＭＰ）、トリスヒドロキシメチルアミノメタン（Ｔｒｉｓ）、２－アミノ－２－メチルプロパンジオ－ル（ＡＭＰＤ）、モノエタノールアミン（ＭＥＡ）、ジエタノールアミン（ＤＥＡ）、トリエタノールアミン（ＴＥＡ）、ジエチレングリコールアミン（ＤＥＧＡ）、２－（メチルアミノ）－２－メチル－１－プロパノール（Ｎ－ＭＡＭＰ）、２－（アミノエトキシ）エタノール（ＡＥＥ）、２－（２－アミノエチルアミノ）エタノール（ＡＡＥ）、及び２－（２－アミノエトキシ）エタノールが挙げられる。
【0137】
上記アルカノールアミン化合物は、１種単独でも、または２種以上組み合わせても用いることができる。
【0138】
表面処理組成物がアルカノールアミン化合物を含む際の、表面処理組成物中のアルカノールアミン化合物の含有量は、使用するアルカノールアミン化合物の種類や所望の効果に応じて適宜設定される。アルカノールアミン化合物の含有量は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．１質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、３質量％以上が特に好ましい。また、表面処理組成物中のアルカノールアミン化合物の含有量の上限は、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましい。なお、表面処理組成物が２種以上のアルカノールアミン化合物を含む場合、上記含有量は、これらの合計量を意図する。
【0139】
＜界面活性剤＞
本発明に係る表面処理組成物は、界面活性剤（（Ａ）～（Ｅ）成分は除く）をさらに含んでもよい。界面活性剤の種類は、特に制限はなく、アニオン性、ノニオン性、カチオン性、および両性の界面活性剤のいずれであってもよい。
本発明に係る表面処理組成物は、界面活性剤（（Ａ）～（Ｅ）成分は除く）をさらに含んでもよい。界面活性剤の種類は、特に制限はなく、アニオン性、ノニオン性、カチオン性、および両性の界面活性剤のいずれであってもよい。
【0140】
＜キレート剤＞
本発明に係る表面処理組成物は、キレート剤をさらに含んでもよい。キレート剤としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。
本発明に係る表面処理組成物は、キレート剤をさらに含んでもよい。キレート剤としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。
【0141】
＜他の添加剤＞
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、本発明の効果を阻害しない範囲内において、必要に応じて、他の添加剤を任意の割合で含有していてもよい。ただし、本発明の一形態に係る表面処理組成物の必須成分以外の成分は、異物（残渣）の原因となりうることから、できる限り添加しないことが望ましい。ゆえに、他の添加剤の添加量はできる限り少ないことが好ましい。他の添加剤としては、例えば、防カビ剤（防腐剤）、溶存ガス、還元剤、酸化剤等が挙げられる。本発明に係る表面処理組成物は、ノニオン性高分子を含み、かつアルカリ性である。このため、これらのうち、本発明に係る表面処理組成物は、防カビ剤（防腐剤）を含むことが好ましい。本発明に係る表面処理組成物が防カビ剤（防腐剤）を含む場合に使用できる、防カビ剤（防腐剤）は、特に制限されず、ノニオン性高分子
（（Ｂ）成分）の種類に応じて適切に選択できる。具体的には、２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン、５－クロロ－２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン、１，２－ベンゾイソチアゾール－３（２Ｈ）－オン（ＢＩＴ）等のイソチアゾリン系防腐剤、およびフェノキシエタノール等が挙げられる。
本発明の一形態に係る表面処理組成物は、本発明の効果を阻害しない範囲内において、必要に応じて、他の添加剤を任意の割合で含有していてもよい。ただし、本発明の一形態に係る表面処理組成物の必須成分以外の成分は、異物（残渣）の原因となりうることから、できる限り添加しないことが望ましい。ゆえに、他の添加剤の添加量はできる限り少ないことが好ましい。他の添加剤としては、例えば、防カビ剤（防腐剤）、溶存ガス、還元剤、酸化剤等が挙げられる。本発明に係る表面処理組成物は、ノニオン性高分子を含み、かつアルカリ性である。このため、これらのうち、本発明に係る表面処理組成物は、防カビ剤（防腐剤）を含むことが好ましい。本発明に係る表面処理組成物が防カビ剤（防腐剤）を含む場合に使用できる、防カビ剤（防腐剤）は、特に制限されず、ノニオン性高分子
（（Ｂ）成分）の種類に応じて適切に選択できる。具体的には、２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン、５－クロロ－２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン、１，２－ベンゾイソチアゾール－３（２Ｈ）－オン（ＢＩＴ）等のイソチアゾリン系防腐剤、およびフェノキシエタノール等が挙げられる。
【0142】
本発明の一実施形態では、表面処理組成物は、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、ならびにノニオン性高分子（（Ｄ）成分）、ｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）、水、有機溶媒、シクロデキストリン、シクロデキストリン誘導体、下記式（Ｉ）で示されるカルボン酸化合物、アルカノールアミン化合物、キレート剤、界面活性剤および防カビ剤（防腐剤）からなる群より選択される少なくとも一種から実質的に構成される。
【0143】
【化6】
【0144】
本発明の一実施形態では、表面処理組成物は、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、ｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）、水、ならびにノニオン性高分子（（Ｄ）成分）、シクロデキストリン、シクロデキストリン誘導体、上記式（Ｉ）で示されるカルボン酸化合物、アルカノールアミン化合物、キレート剤、界面活性剤および防カビ剤（防腐剤）からなる群より選択される少なくとも一種から実質的に構成される。
【0145】
本発明の一実施形態では、表面処理組成物は、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、ノニオン性高分子（（Ｄ）成分）、ｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）、水、ならびにシクロデキストリン、シクロデキストリン誘導体、上記式（Ｉ）で示されるカルボン酸化合物、アルカノールアミン化合物、キレート剤、界面活性剤および防カビ剤（防腐剤）からなる群より選択される少なくとも一種から実質的に構成される。
【0146】
本発明の一実施形態では、表面処理組成物は、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、水、ならびにノニオン性高分子（（Ｄ）成分）およびｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）からなる群より選択される少なくとも一種から実質的に構成される。
【0147】
本発明の一実施形態では、表面処理組成物は、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、水、ならびにノニオン性高分子（（Ｄ）成分）、ｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）および防カビ剤（防腐剤）からなる群より選択される少なくとも一種から実質的に構成される。
【0148】
本発明の一実施形態では、表面処理組成物は、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、ノニオン性高分子（（Ｄ）成分）、ｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）および水から実質的に構成される。
【0149】
本発明の一実施形態では、表面処理組成物は、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、ノニオン性高分子（（Ｄ）成分）、ｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）、防カビ剤（防腐剤）および水から実質的に構成される。
【0150】
本発明の一実施形態では、表面処理組成物は、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、ｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）および水から実質的に構成される。
【0151】
本発明の一実施形態では、表面処理組成物は、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、ｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）、防カビ剤（防腐剤）および水から実質的に構成される。
【0152】
上記形態において、「表面処理組成物が、Ｘから実質的に構成される」とは、Ｘの合計含有量が、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、９９質量％を超える（上限：１００質量％）ことを意味する。好ましくは、表面処理組成物は、Ｘから構成される（上記合計含有量＝１００質量％）。例えば、「表面処理組成物が、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、水、ならびにノニオン性高分子（（Ｄ）成分）およびｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）からなる群より選択される少なくとも一種から実質的に構成される」とは、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、水、ノニオン性高分子（（Ｄ）成分）およびｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）の合計含有量が、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、９９質量％を超える（上限：１００質量％）ことを意味する。表面処理組成物が、ピペラジン系化合物（（Ａ）成分）、アニオン性高分子（（Ｂ）成分）、緩衝剤（（Ｃ）成分）、水、ならびにノニオン性高分子（（Ｄ）成分）およびｐＨ調整剤（（Ｅ）成分）の少なくとも一方から構成される（上記合計含有量＝１００質量％）ことが好ましい。
【0153】
残渣（異物）除去効果のさらなる向上のため、本発明に係る表面処理組成物は、砥粒を実質的に含有しないことが好ましい。ここで、「砥粒を実質的に含有しない」とは、表面処理組成物全体に対する砥粒の含有量が０．０１質量％未満である場合をいう。すなわち、本発明の一実施形態では、砥粒の含有量が、表面処理組成物の総質量を１００質量％として（表面処理組成物に対して）、０．０１質量％未満（下限：０質量％）である。
【0154】
＜表面処理組成物の製造方法＞
本発明に係る表面処理組成物の製造方法は、特に制限されず、例えば、（Ａ）成分（上記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物）と、（Ｂ）成分（アニオン性高分子）と、（Ｃ）成分（緩衝剤）と、ならびに必要に応じて添加される他の添加剤を攪拌混合することにより得ることができる。各成分の詳細は上記の通りである。
本発明に係る表面処理組成物の製造方法は、特に制限されず、例えば、（Ａ）成分（上記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物）と、（Ｂ）成分（アニオン性高分子）と、（Ｃ）成分（緩衝剤）と、ならびに必要に応じて添加される他の添加剤を攪拌混合することにより得ることができる。各成分の詳細は上記の通りである。
【0155】
上記実施形態において、各成分を混合する際の温度は特に制限されないが、１０℃以上４０℃以下が好ましく、溶解速度を上げるために加熱してもよい。また、混合時間も特に制限されない。
【0156】
［表面処理方法］
本発明に係る表面処理組成物によると、研磨済研磨対象物の表面（特に、窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）に残留する残渣（特に砥粒残渣、有機物残渣）を十分に除去できる。したがって、本発明は、本発明に係る表面処理組成物を用いて研磨済研磨対象物を表面処理することを含む、表面処理方法を提供する。本発明に係る表面処理方法は、窒素－ケイ素結合を含む材料（シリコン材料）または酸化ケイ素を含む研磨済研磨対象物の表面処理に対して特に有効である。すなわち、本発明は、本発明に係る表面処理組成物を用いて、窒素－ケイ素結合を有する材料または酸化ケイ素を含む研磨済研磨対象物を表面処理して、前記研磨済研磨対象物の表面の残渣を低減する、表面処理方法を提供する。なお、本明細書において、「表面処理方法」とは、研磨済研磨対象物の表面における残渣を低減する方法をいい、広義の洗浄を行う方法である。
本発明に係る表面処理組成物によると、研磨済研磨対象物の表面（特に、窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）に残留する残渣（特に砥粒残渣、有機物残渣）を十分に除去できる。したがって、本発明は、本発明に係る表面処理組成物を用いて研磨済研磨対象物を表面処理することを含む、表面処理方法を提供する。本発明に係る表面処理方法は、窒素－ケイ素結合を含む材料（シリコン材料）または酸化ケイ素を含む研磨済研磨対象物の表面処理に対して特に有効である。すなわち、本発明は、本発明に係る表面処理組成物を用いて、窒素－ケイ素結合を有する材料または酸化ケイ素を含む研磨済研磨対象物を表面処理して、前記研磨済研磨対象物の表面の残渣を低減する、表面処理方法を提供する。なお、本明細書において、「表面処理方法」とは、研磨済研磨対象物の表面における残渣を低減する方法をいい、広義の洗浄を行う方法である。
【0157】
本発明に係る表面処理方法によれば、研磨済研磨対象物の表面（特に、窒素－ケイ素結合を有するまたは酸化ケイ素を含む研磨済基板）に残留する残渣（特に砥粒残渣、有機物残渣）を十分に除去することができる。すなわち、本発明は、本発明に係る表面処理組成物を用いて、窒素－ケイ素結合を含む材料（シリコン材料）または酸化ケイ素を含む研磨済研磨対象物を表面処理することを有する、前記研磨済研磨対象物の表面における残渣を低減する方法を提供する。また、本発明は、本発明に係る表面処理組成物を用いて、窒素－ケイ素結合を含む材料（シリコン材料）または酸化ケイ素を含む研磨済研磨対象物を表面処理することを有する、前記研磨済研磨対象物の表面における砥粒残渣および有機物残渣の少なくとも一方（好ましくは砥粒残渣および有機物残渣）を低減する方法を提供する。
【0158】
本発明に係る表面処理方法は、本発明に係る表面処理組成物を研磨済研磨対象物に直接接触させる方法により行われる。
【0159】
表面処理方法としては、主として、（Ｉ）リンス研磨処理による方法、（ＩＩ）洗浄処理による方法が挙げられる。すなわち、本発明の一実施形態では、表面処理方法は、リンス研磨処理方法または洗浄処理方法である（上記表面処理は、リンス研磨処理または洗浄処理によって行われる）。リンス研磨処理および洗浄処理は、研磨済研磨対象物の表面上の異物（砥粒（パーティクル）残渣、高分子やパッド屑等の有機物残渣、金属汚染物など）を除去し、清浄な表面を得るために実施される。以下、上記（Ｉ）および（ＩＩ）について説明する。
【0160】
（Ｉ）リンス研磨処理
本発明に係る表面処理組成物は、リンス研磨処理において好適に用いられる。すなわち、本発明に係る表面処理組成物は、リンス研磨用組成物として好ましく用いることができる。リンス研磨処理は、研磨対象物について最終研磨（仕上げ研磨）を行い、研磨済研磨対象物を得た後、この研磨済研磨対象物の表面上の異物の除去を目的として、研磨パッドが取り付けられた研磨定盤（プラテン）上で行われる。このとき、本発明に係る表面処理組成物を研磨済研磨対象物に直接接触させることにより、リンス研磨処理が行われる。その結果、研磨済研磨対象物表面の異物は、研磨パッドによる摩擦力（物理的作用）および表面処理組成物による化学的作用によって除去される。異物のなかでも、特に砥粒（パーティクル）残渣や有機物残渣は、物理的な作用により除去されやすい。したがって、リンス研磨処理では、研磨定盤（プラテン）上で研磨パッドとの摩擦を利用することで、砥粒（パーティクル）残渣や有機物残渣を効果的に除去することができる。ここで、本発明に係る表面処理組成物を用いた表面処理では、研磨パッドによる摩擦力（物理的作用）および表面処理組成物による化学的作用によって研磨済研磨対象物表面がエッチングされうる。そして、このエッチングと共に砥粒残渣や有機物残渣が除去されるため、これらの残渣の低減効率がさらに向上する。また、この際、研磨済研磨対象物の表面に対して均一にエッチングされることから、表面粗さもまた低減できる。
本発明に係る表面処理組成物は、リンス研磨処理において好適に用いられる。すなわち、本発明に係る表面処理組成物は、リンス研磨用組成物として好ましく用いることができる。リンス研磨処理は、研磨対象物について最終研磨（仕上げ研磨）を行い、研磨済研磨対象物を得た後、この研磨済研磨対象物の表面上の異物の除去を目的として、研磨パッドが取り付けられた研磨定盤（プラテン）上で行われる。このとき、本発明に係る表面処理組成物を研磨済研磨対象物に直接接触させることにより、リンス研磨処理が行われる。その結果、研磨済研磨対象物表面の異物は、研磨パッドによる摩擦力（物理的作用）および表面処理組成物による化学的作用によって除去される。異物のなかでも、特に砥粒（パーティクル）残渣や有機物残渣は、物理的な作用により除去されやすい。したがって、リンス研磨処理では、研磨定盤（プラテン）上で研磨パッドとの摩擦を利用することで、砥粒（パーティクル）残渣や有機物残渣を効果的に除去することができる。ここで、本発明に係る表面処理組成物を用いた表面処理では、研磨パッドによる摩擦力（物理的作用）および表面処理組成物による化学的作用によって研磨済研磨対象物表面がエッチングされうる。そして、このエッチングと共に砥粒残渣や有機物残渣が除去されるため、これらの残渣の低減効率がさらに向上する。また、この際、研磨済研磨対象物の表面に対して均一にエッチングされることから、表面粗さもまた低減できる。
【0161】
すなわち、本明細書において、リンス研磨処理、リンス研磨方法およびリンス研磨工程とは、それぞれ、研磨パッドを用いて表面処理対象物の表面粗さおよび当該表面における残渣を低減する処理、方法および工程をいう。
【0162】
具体的には、リンス研磨処理は、研磨工程後の研磨済研磨対象物表面を研磨装置の研磨定盤（プラテン）に設置し、研磨パッドと研磨済研磨対象物とを接触させてその接触部分に表面処理組成物を供給しながら、研磨済研磨対象物と研磨パッドとを相対摺動させることにより行うことができる。
【0163】
研磨装置としては、研磨対象物を保持するホルダーと回転数を変更可能なモーター等とが取り付けてあり、研磨パッド（研磨布）を貼り付け可能な研磨定盤を有する一般的な研磨装置を使用することができる。
【0164】
リンス研磨処理は、片面研磨装置、両面研磨装置のいずれを用いても行うことができる。また、上記研磨装置は、研磨用組成物の吐出ノズルに加え、表面処理組成物の吐出ノズルを備えていることが好ましい。研磨装置のリンス研磨処理時の稼働条件は特に制限されず、当業者であれば適宜設定可能である。
【0165】
研磨パッドとしては、一般的な不織布、ポリウレタン、および多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用することができる。研磨パッドには、表面処理組成物が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。
【0166】
リンス研磨条件にも特に制限はなく、例えば、研磨定盤の回転数、ヘッド（キャリア）回転数は、１０ｒｐｍ（０．１７ｓ－１）以上１００ｒｐｍ（１．６７ｓ－１）以下であることが好ましく、研磨済研磨対象物にかける圧力（研磨圧力）は、０．５ｐｓｉ（３．４ｋＰａ）以上１０ｐｓｉ（６８．９ｋＰａ）以下であることが好ましい。研磨パッドに表面処理組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法（掛け流し）が採用される。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に表面処理組成物で覆われていることが好ましく、１０ｍＬ／分以上５０００ｍＬ／分以下であることが好ましい。リンス研磨時間も特に制限されないが、５秒以上１８０秒以下であることが好ましい。
【0167】
本発明に係る表面処理組成物によるリンス研磨処理の後、研磨済研磨対象物（表面処理対象物）は、本発明に係る表面処理組成物をかけながら引き上げられ、取り出されることが好ましい。
【0168】
（ＩＩ）洗浄処理
本発明に係る表面処理組成物は、洗浄処理において用いられてもよい。すなわち、本発明に係る表面処理組成物は、洗浄用組成物として好ましく用いることができる。洗浄処理は、研磨対象物について最終研磨（仕上げ研磨）を行った後、上記リンス研磨処理を行った後、または本発明に係る表面処理組成物以外のリンス研磨用組成物を用いた他のリンス研磨処理を行い、研磨済研磨対象物（洗浄対象物）を得た後、研磨済研磨対象物（洗浄対象物）の表面上の異物の除去を目的として行われることが好ましい。なお、洗浄処理と、上記リンス研磨処理とは、これらの処理を行う場所によって分類され、洗浄処理は、研磨定盤（プラテン）上ではない場所で行われる表面処理であり、研磨済研磨対象物を研磨定盤（プラテン）上から取り外した後に行われる表面処理であることが好ましい。洗浄処理においても、本発明に係る表面処理組成物を研磨済研磨対象物に直接接触させて、当該対象物の表面上の異物を除去することができる。
本発明に係る表面処理組成物は、洗浄処理において用いられてもよい。すなわち、本発明に係る表面処理組成物は、洗浄用組成物として好ましく用いることができる。洗浄処理は、研磨対象物について最終研磨（仕上げ研磨）を行った後、上記リンス研磨処理を行った後、または本発明に係る表面処理組成物以外のリンス研磨用組成物を用いた他のリンス研磨処理を行い、研磨済研磨対象物（洗浄対象物）を得た後、研磨済研磨対象物（洗浄対象物）の表面上の異物の除去を目的として行われることが好ましい。なお、洗浄処理と、上記リンス研磨処理とは、これらの処理を行う場所によって分類され、洗浄処理は、研磨定盤（プラテン）上ではない場所で行われる表面処理であり、研磨済研磨対象物を研磨定盤（プラテン）上から取り外した後に行われる表面処理であることが好ましい。洗浄処理においても、本発明に係る表面処理組成物を研磨済研磨対象物に直接接触させて、当該対象物の表面上の異物を除去することができる。
【0169】
洗浄処理を行う方法の例として、（ｉ）研磨済研磨対象物を保持した状態で、洗浄ブラシを研磨済研磨対象物の片面または両面と接触させて、その接触部分に表面処理組成物を供給しながら洗浄対象物の表面を洗浄ブラシで擦る方法、（ｉｉ）研磨済研磨対象物を表面処理組成物中に浸漬させ、超音波処理や攪拌を行う方法（ディップ式）等が挙げられる。かかる方法において、研磨済研磨対象物表面の異物は、洗浄ブラシによる摩擦力または超音波処理や攪拌によって発生する機械的力、および表面処理組成物による化学的作用によって除去される。
【0170】
上記（ｉ）の方法において、表面処理組成物の研磨済研磨対象物への接触方法としては
、特に限定されないが、ノズルから研磨済研磨対象物上に表面処理組成物を流しながら研磨済研磨対象物を高速回転させるスピン式、研磨済研磨対象物に表面処理組成物を噴霧して洗浄するスプレー式などが挙げられる。
、特に限定されないが、ノズルから研磨済研磨対象物上に表面処理組成物を流しながら研磨済研磨対象物を高速回転させるスピン式、研磨済研磨対象物に表面処理組成物を噴霧して洗浄するスプレー式などが挙げられる。
【0171】
短時間でより効率的な汚染除去ができる点からは、洗浄処理は、スピン式やスプレー式を採用することが好ましく、スピン式であることがさらに好ましい。
【0172】
このような洗浄処理を行うための装置としては、カセットに収容された複数枚の研磨済研磨対象物を同時に表面処理するバッチ式洗浄装置、１枚の研磨済研磨対象物をホルダーに装着して表面処理する枚葉式洗浄装置などがある。洗浄時間の短縮等の観点からは、枚葉式洗浄装置を用いる方法が好ましい。
【0173】
さらに、洗浄処理を行うための装置として、研磨定盤（プラテン）から研磨済研磨対象物を取り外した後、当該対象物を洗浄ブラシで擦る洗浄用設備を備えている研磨装置が挙げられる。このような研磨装置を用いることにより、研磨済研磨対象物の洗浄処理を、より効率よく行うことができる。
【0174】
かような研磨装置としては、研磨済研磨対象物を保持するホルダー、回転数を変更可能なモーター、洗浄ブラシ等を有する一般的な研磨装置を使用することができる。研磨装置としては、片面研磨装置または両面研磨装置のいずれを用いてもよい。なお、ＣＭＰ工程の後、リンス研磨工程を行う場合、当該洗浄処理は、リンス研磨工程にて用いた研磨装置と同様の装置を用いて行うことが、より効率的であり好ましい。
【0175】
洗浄ブラシは、特に制限されないが、好ましくは、樹脂製ブラシである。樹脂製ブラシの材質は、特に制限されないが、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）が好ましい。洗浄ブラシは、ＰＶＡ製スポンジであることがより好ましい。
【0176】
洗浄条件にも特に制限はなく、表面処理対象物（研磨済研磨対象物）の種類、ならびに除去対象とする残渣の種類および量に応じて、適宜設定することができる。例えば、洗浄ブラシの回転数は１０ｒｐｍ（０．１７ｓ－１）以上２００ｒｐｍ（３．３３ｓ－１）以下であることが、洗浄対象物の回転数は１０ｒｐｍ（０．１７ｓ－１）以上１００ｒｐｍ（１．６７ｓ－１）以下であることが、それぞれ好ましい。洗浄ブラシに表面処理組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法（掛け流し）が採用される。この供給量に制限はないが、洗浄ブラシおよび洗浄対象物の表面が常に表面処理組成物で覆われていることが好ましく、１０ｍＬ／分以上５０００ｍＬ／分以下であることが好ましい。洗浄時間も特に制限されないが、本発明の一形態に係る表面処理組成物を用いる工程については５秒以上１８０秒以下であることが好ましい。このような範囲であれば、異物をより効果的に除去することが可能である。
【0177】
洗浄の際の表面処理組成物の温度は、特に制限されず、通常は室温でよいが、性能を損なわない範囲で、４０℃以上７０℃以下程度に加温してもよい。
【0178】
上記（ｉｉ）の方法において、浸漬による洗浄方法の条件については、特に制限されず、公知の手法を用いることができる。
【0179】
上記（Ｉ）または（ＩＩ）の方法による表面処理を行う前に水による洗浄を行ってもよい。
【0180】
（後洗浄処理）
また、表面処理方法としては、本発明に係る表面処理組成物を用いた前記（Ｉ）または
（ＩＩ）の表面処理の後、研磨済研磨対象物をさらに洗浄処理することが好ましい。本明細書では、この洗浄処理を「後洗浄処理」と称する。後洗浄処理としては、特に制限されないが、例えば、単に表面処理対象物に水を掛け流す方法、単に表面処理対象物を水に浸漬する方法等が挙げられる。また、上記説明した（ＩＩ）の方法による表面処理と同様に、表面処理対象物を保持した状態で、洗浄ブラシと表面処理対象物の片面または両面とを接触させて、その接触部分に水もしくは水溶液（例えば、ＮＨ３水溶液）を供給しながらまたは水および水溶液（例えば、ＮＨ３水溶液）をいずれかの順番で供給（水を供給した後水溶液を供給または水溶液を供給した後水を供給）しながら、表面処理対象物の表面を洗浄ブラシで擦る方法（ブラシ洗浄）、表面処理対象物を水中に浸漬させ、超音波処理や攪拌を行う方法（ディップ式）等が挙げられる。これらの中でも、表面処理対象物を保持した状態で、洗浄ブラシと、表面処理対象物の片面または両面と、を接触させてその接触部分に水もしくは水溶液（例えば、ＮＨ３水溶液）を供給しながらまたは水および水溶液（例えば、ＮＨ３水溶液）をいずれかの順番で供給（水を供給した後水溶液を供給またはＮＨ３水溶液を供給した後水を供給）しながら、表面処理対象物の表面を洗浄ブラシで擦る方法であることが好ましい。なお、後洗浄処理の装置および条件としては、前述の（ＩＩ）の表面処理の説明を参照することができる。ここで、後洗浄処理に用いる水としては、特に脱イオン水を用いることが好ましい。
また、表面処理方法としては、本発明に係る表面処理組成物を用いた前記（Ｉ）または
（ＩＩ）の表面処理の後、研磨済研磨対象物をさらに洗浄処理することが好ましい。本明細書では、この洗浄処理を「後洗浄処理」と称する。後洗浄処理としては、特に制限されないが、例えば、単に表面処理対象物に水を掛け流す方法、単に表面処理対象物を水に浸漬する方法等が挙げられる。また、上記説明した（ＩＩ）の方法による表面処理と同様に、表面処理対象物を保持した状態で、洗浄ブラシと表面処理対象物の片面または両面とを接触させて、その接触部分に水もしくは水溶液（例えば、ＮＨ３水溶液）を供給しながらまたは水および水溶液（例えば、ＮＨ３水溶液）をいずれかの順番で供給（水を供給した後水溶液を供給または水溶液を供給した後水を供給）しながら、表面処理対象物の表面を洗浄ブラシで擦る方法（ブラシ洗浄）、表面処理対象物を水中に浸漬させ、超音波処理や攪拌を行う方法（ディップ式）等が挙げられる。これらの中でも、表面処理対象物を保持した状態で、洗浄ブラシと、表面処理対象物の片面または両面と、を接触させてその接触部分に水もしくは水溶液（例えば、ＮＨ３水溶液）を供給しながらまたは水および水溶液（例えば、ＮＨ３水溶液）をいずれかの順番で供給（水を供給した後水溶液を供給またはＮＨ３水溶液を供給した後水を供給）しながら、表面処理対象物の表面を洗浄ブラシで擦る方法であることが好ましい。なお、後洗浄処理の装置および条件としては、前述の（ＩＩ）の表面処理の説明を参照することができる。ここで、後洗浄処理に用いる水としては、特に脱イオン水を用いることが好ましい。
【0181】
本発明の一形態に係る表面処理組成物で表面処理を行うことによって、残渣が極めて除去されやすい状態となる。このため、本発明の一形態の表面処理に係る表面処理組成物で表面処理を行った後、水を用いてさらなる洗浄処理を行うことで、残渣が極めて良好に除去されることとなる。
【0182】
［半導体基板の製造方法］
本発明に係る表面処理方法は、研磨済研磨対象物が研磨済半導体基板である場合に、好適に適用される。すなわち、本発明は、研磨済研磨対象物が研磨済半導体基板であり、当該研磨済半導体基板を、上記表面処理方法によって当該研磨済半導体基板の表面における残渣を低減することを含む、半導体基板の製造方法をも提供する。
本発明に係る表面処理方法は、研磨済研磨対象物が研磨済半導体基板である場合に、好適に適用される。すなわち、本発明は、研磨済研磨対象物が研磨済半導体基板であり、当該研磨済半導体基板を、上記表面処理方法によって当該研磨済半導体基板の表面における残渣を低減することを含む、半導体基板の製造方法をも提供する。
【0183】
この際、研磨済研磨対象物は、窒素－ケイ素結合を含む材料（シリコン材料）および酸化ケイ素の少なくとも一方を含むと好ましい。すなわち、本発明は、研磨済研磨対象物が研磨済半導体基板であり、砥粒を含む研磨用組成物を用いて、窒素－ケイ素結合を有する材料または酸化ケイ素を含む研磨前半導体基板を研磨することによって、研磨済半導体基板を得る研磨工程と、本発明に係る表面処理組成物を用いて、前記研磨済半導体基板を表面処理する表面処理工程と、を含む半導体基板の製造方法をも提供する。
【0184】
かかる製造方法が適用される半導体基板の詳細については、上記表面処理組成物によって表面処理される研磨済研磨対象物の説明の通りである。
【0185】
また、半導体基板の製造方法は、研磨済半導体基板の表面を、本発明に係る表面処理組成物を用いて表面処理する工程（表面処理工程）を含むものであれば、特に制限されない。かかる製造方法として、例えば、研磨済半導体基板を形成するための研磨工程および洗浄工程を有する方法が挙げられる。また、他の一例としては、研磨工程および洗浄工程に加え、研磨工程および洗浄工程の間に、リンス研磨工程を有する方法が挙げられる。以下、これらの各工程について説明する。
【0186】
＜研磨工程＞
半導体基板の製造方法に含まれうる研磨工程は、半導体基板を研磨して、研磨済半導体基板を形成する工程である。
半導体基板の製造方法に含まれうる研磨工程は、半導体基板を研磨して、研磨済半導体基板を形成する工程である。
【0187】
研磨工程は、半導体基板を研磨する工程であれば特に制限されないが、化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；ＣＭＰ）工程であることが好ましい。また、研磨工程は、単一の工程からなる研磨工程であっても複数の工程からなる研磨工程であってもよい。複数の工程からなる研磨工程としては、例えば、予備研磨工程（粗研磨工程）の後に仕上げ研磨工程を行う工程や、１次研磨工程の後に１回または２回以上の２次研磨工程を行い、その後に仕上げ研磨工程を行う工程等が挙げられる。本発明に係る表面処理組成物を用いた表面処理工程は、上記仕上げ研磨工程後に行われると好ましい。
【0188】
研磨用組成物としては、半導体基板の特性に応じて、公知の研磨用組成物を適宜使用することができる。研磨用組成物としては、特に制限されないが、例えば、砥粒、水溶性高分子、ｐＨ調整剤、および溶媒を含む研磨用組成物等が挙げられる。
【0189】
研磨装置としては、研磨対象物を保持するホルダーと回転数を変更可能なモーター等とが取り付けてあり、研磨パッド（研磨布）を貼り付け可能な研磨定盤を有する一般的な研磨装置を使用することができる。研磨装置としては、片面研磨装置または両面研磨装置のいずれを用いてもよい。
【0190】
＜表面処理工程＞
表面処理工程とは、本発明に係る表面処理組成物を用いて研磨済研磨対象物の表面における残渣を低減する工程をいう。半導体基板の製造方法において、リンス研磨工程の後、表面処理工程としての洗浄工程が行われてもよいし、リンス研磨工程のみ、または洗浄工程のみが行われてもよい。
表面処理工程とは、本発明に係る表面処理組成物を用いて研磨済研磨対象物の表面における残渣を低減する工程をいう。半導体基板の製造方法において、リンス研磨工程の後、表面処理工程としての洗浄工程が行われてもよいし、リンス研磨工程のみ、または洗浄工程のみが行われてもよい。
【0191】
（リンス研磨工程）
リンス研磨工程は、半導体基板の製造方法において、研磨工程および洗浄工程の間に設けられてもよい。リンス研磨工程は、本発明の一形態に係る表面処理方法（リンス研磨処理方法）によって、研磨済研磨対象物（研磨済半導体基板）の表面における異物を低減する工程である。
リンス研磨工程は、半導体基板の製造方法において、研磨工程および洗浄工程の間に設けられてもよい。リンス研磨工程は、本発明の一形態に係る表面処理方法（リンス研磨処理方法）によって、研磨済研磨対象物（研磨済半導体基板）の表面における異物を低減する工程である。
【0192】
リンス研磨工程で用いられるリンス研磨方法の詳細は、上記（Ｉ）リンス研磨処理に係る説明に記載の通りである。
【0193】
（洗浄工程）
洗浄工程は、半導体基板の製造方法において、研磨工程の後に設けられてもよいし、リンス研磨工程の後に設けられてもよい。洗浄工程は、本発明の一形態に係る表面処理方法（洗浄方法）によって、研磨済研磨対象物（研磨済半導体基板）の表面における異物を低減する工程である。
洗浄工程は、半導体基板の製造方法において、研磨工程の後に設けられてもよいし、リンス研磨工程の後に設けられてもよい。洗浄工程は、本発明の一形態に係る表面処理方法（洗浄方法）によって、研磨済研磨対象物（研磨済半導体基板）の表面における異物を低減する工程である。
【0194】
洗浄工程で用いられる洗浄方法の詳細は、上記（後洗浄処理）におけるのと同様である。
【0195】
本発明の実施形態を詳細に説明したが、これは説明的かつ例示的なものであって限定的ではなく、本発明の範囲は添付の特許請求の範囲によって解釈されるべきであることは明らかである。
【0196】
本発明は、下記態様および形態を包含する。
【0197】
１．下記（Ａ）～（Ｃ）成分を含み、ｐＨが７．０を超える、表面処理組成物：
（Ａ）成分：下記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミ
ノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物
（Ａ）成分：下記式（ａ）で表され、ｐＫａが前記表面処理組成物のｐＨより大きいアミ
ノ基を２以上有する、ピペラジン系化合物
【0198】
【化7】
【0199】
上記式（ａ）中、Ｒ１は、水素原子または第１級～第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基であり；Ｒ２は、第１級～第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上１０以下のアルキル基である、
（Ｂ）成分：アニオン性高分子
（Ｃ）成分：式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋（Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である）で示される緩衝剤。
（Ｂ）成分：アニオン性高分子
（Ｃ）成分：式：Ａ－ＣＯＯ－ＮＨ４ ＋（Ａは、炭素数１以上１０以下のアルキル基またはフェニル基である）で示される緩衝剤。
【0200】
２．前記（Ａ）成分は、Ｒ１は、水素原子または第１級もしくは第３級アミノ基で置換されていてもよい炭素数１以上５以下のアルキル基であり；Ｒ２は、第１級もしくは第３級アミノ基で置換されていてもよい炭素数１以上５以下のアルキル基である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物を含む、上記１．に記載の表面処理組成物。
【0201】
３．前記（Ａ）成分は、Ｒ１は、水素原子または第１級もしくは第３級アミノ基のいずれかで置換されていてもよい炭素数１以上３以下のアルキル基であり；Ｒ２は、第１級アミノ基で置換された炭素数１以上３以下のアルキル基である上記式（ａ）で表されるピペラジン系化合物を含む、上記１．または２．に記載の表面処理組成物。
【0202】
４．前記（Ａ）成分の含有量は、前記表面処理組成物に対して、０．１０質量％以上である、上記１．～３．のいずれかに記載の表面処理組成物。
【0203】
５．前記（Ａ）成分は、前記ピペラジン系化合物に存在するアミノ基のｐＫａのうち最大のｐＫａ（最大ｐＫａ）と前記表面処理組成物のｐＨとの差（＝最大ｐＫａ－ｐＨ）が０．５以上であるアミノ基を有する、上記１．～４．のいずれかに記載の表面処理組成物。
【0204】
６．前記（Ａ）成分は、前記ピペラジン系化合物に存在するアミノ基のｐＫａのうち最大のｐＫａ（最大ｐＫａ）と前記表面処理組成物のｐＨとの差（＝最大ｐＫａ－ｐＨ）が１．３０を超えるアミノ基を有する、上記１．～５．のいずれかに記載の表面処理組成物。
【0205】
７．前記（Ｂ）成分は、ポリ（メタ）アクリル酸、ポリスチレンスルホン酸、およびポリ（カルボン酸－スルホン酸）、ならびにそれらの塩からなる群より選択される少なくとも一種のアニオン性高分子を含む、上記１．～６．のいずれかに記載の表面処理組成物。
【0206】
８．前記（Ｃ）成分は、酢酸アンモニウムを含む、上記１．～７．のいずれかに記載の表面処理組成物。
【0207】
９．下記（Ｄ）成分をさらに含む、上記１．～８．のいずれかに記載の表面処理組成物
：
（Ｄ）成分：ノニオン性高分子。
：
（Ｄ）成分：ノニオン性高分子。
【0208】
１０．前記（Ｄ）成分は、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリルアミド、ポリＮ－ビニルアセトアミド、ポリエチレングリコール、ヒドロキシエチルセルロースおよびブテンジオール－ビニルアルコール共重合体からなる群から選択される少なくとも１種のノニオン性高分子を含む、上記９．に記載の表面処理組成物。
【0209】
１１．下記（Ｅ）成分をさらに含む、上記１．～１０．のいずれかに記載の表面処理組成物：
（Ｅ）成分：ｐＨ調整剤。
（Ｅ）成分：ｐＨ調整剤。
【0210】
１２．前記ｐＨ調整剤が、アンモニアまたは酢酸である、上記１１．に記載の表面処理組成物。
【0211】
１３．前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分、水、ならびにｐＨ調整剤およびノニオン性高分子からなる群より選択される少なくとも一種から実質的に構成される、上記１．～８．のいずれかに記載の表面処理組成物。
【0212】
１４．前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分、水、ならびにｐＨ調整剤、ノニオン性高分子および防カビ剤（防腐剤）からなる群より選択される少なくとも一種から実質的に構成される、上記１．～８．のいずれかに記載の表面処理組成物。
【0213】
１５．前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分、ノニオン性高分子、ｐＨ調整剤および水から実質的に構成される、上記１．～８．のいずれかに記載の表面処理組成物。
【0214】
１６．前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分、ノニオン性高分子、ｐＨ調整剤、防カビ剤（防腐剤）および水から実質的に構成される、上記１．～８．のいずれかに記載の表面処理組成物。
【0215】
１７．前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分、ｐＨ調整剤および水から実質的に構成される、上記１．～８．のいずれかに記載の表面処理組成物。
【0216】
１８．前記（Ａ）成分、前記（Ｂ）成分、前記（Ｃ）成分、ｐＨ調整剤、防カビ剤（防腐剤）および水から実質的に構成される、上記１．～８．のいずれかに記載の表面処理組成物。
【0217】
１９．上記１．～１８．のいずれかに記載の表面処理組成物を用いて窒素－ケイ素結合を有する材料または酸化ケイ素を含む研磨済研磨対象物を表面処理して、前記研磨済研磨対象物の表面の残渣を低減する、表面処理方法。
【0218】
２０．前記表面処理は、リンス研磨処理または洗浄処理により行われる、上記１９．に記載の表面処理方法。
【0219】
２１．前記残渣は、砥粒および有機物残渣の少なくとも一方を含む、上記１９．または２０．に記載の表面処理方法。
【0220】
２２．研磨済研磨対象物が研磨済半導体基板であり、
砥粒を含む研磨用組成物を用いて、窒素－ケイ素結合を有する材料または酸化ケイ素を含む研磨前半導体基板を研磨することによって、研磨済半導体基板を得、
上記１．～１８．のいずれかに記載の表面処理組成物を用いて、前記研磨済半導体基板を表面処理すること、
を含む半導体基板の製造方法。
砥粒を含む研磨用組成物を用いて、窒素－ケイ素結合を有する材料または酸化ケイ素を含む研磨前半導体基板を研磨することによって、研磨済半導体基板を得、
上記１．～１８．のいずれかに記載の表面処理組成物を用いて、前記研磨済半導体基板を表面処理すること、
を含む半導体基板の製造方法。
【実施例0221】
本発明を、以下の実施例および比較例を用いてさらに詳細に説明する。ただし、本発明の技術的範囲が以下の実施例のみに制限されるわけではない。なお、特記しない限り、「％」および「部」は、それぞれ、「質量％」および「質量部」を意味する。また、下記実施例において、特記しない限り、操作は室温（２５℃）／相対湿度４０％ＲＨ以上５０％ＲＨ以下の条件下で行った。
【0222】
［（Ａ）～（Ｅ）成分の準備］
下記の（Ａ）～（Ｅ）成分を準備した。
下記の（Ａ）～（Ｅ）成分を準備した。
【0223】
＜（Ａ）成分：ピペラジン系化合物＞
・アミノエチルピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１＝Ｈ、Ｒ２＝アミノエチル基（－ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２））（東京化成工業株式会社製 製品名N-(2-Aminoethyl)piperazine；分子量＝１２９；ｐＫａ＝１０．１１、８．７８、１．７４）
・１，４－ビス（３－アミノプロピル）ピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１、Ｒ２＝アミノプロピル基（－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２））（東京化成工業株式会社製 製品名1,4-Bis(3-aminopropyl)piperazine；分子量＝２００；ｐＫａ＝１０．６９、１０．０９、６．５０、２．３７）
・１－エチルピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１＝Ｈ、Ｒ２＝エチル基（－ＣＨ２ＣＨ３））（東京化成工業株式会社製 製品名1-Ethylpiperazine；分子量＝１１４；ｐＫａ＝９．２７、８．１３）
・１－（２－ジメチルアミノエチル）－４－メチルピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１＝メチル基（－ＣＨ３）、Ｒ２＝ジメチルアミノエチル基（－ＣＨ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）２））（東京化成工業株式会社製 製品名1-(2-Dimethylaminoethyl)-4-methylpiperazine；
分子量＝１７１；ｐＫａ＝９．５０、９．２０、８．１７）
＜（Ａ’）成分：その他のアミン化合物＞
・無水ピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１、Ｒ２＝Ｈ）（東京化成工業株式会社製 製品名Piperazine anhydrous；分子量＝８６；ｐＫａ＝９．５５、５．３０）
・１－アミノ－４－メチルピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１＝メチル基（－ＣＨ３）、Ｒ２＝第１級アミノ基（－ＮＨ２））（東京化成工業株式会社製 製品名1-Amino-4-methylpiperazine；分子量＝１１５；ｐＫａ＝７．６４、７．１９、６．８０）
＜（Ｂ）成分：アニオン性高分子＞
・ポリアクリル酸（東亞合成株式会社製 製品名：ジュリマーＡＣ－１０ＳＨ；重量平均分子量（Ｍｗ）＝１，０００，０００）（ポリアクリル酸１）
・ポリアクリル酸（東亞合成株式会社製 製品名：ジュリマーＡＣ－１０Ｌ；重量平均分子量（Ｍｗ）＝２０，０００～３０，０００）（ポリアクリル酸２）
・ポリアクリル酸（東亞合成株式会社製 製品名：アロンＡ－１０Ｈ；重量平均分子量（Ｍｗ）＝２００，０００）（ポリアクリル酸３）
・ポリスチレンスルホン酸ナトリウム（東ソー・ファインケム株式会社製 製品名：ポリナスＰＳ－１；重量平均分子量（Ｍｗ）＝２０，０００）
・カルボン酸とスルホン酸とのコポリマー（ナトリウム塩）（東亞合成株式会社製 製品名：アロンＡ－６０１２；重量平均分子量（Ｍｗ）＝１０，０００）
＜（Ｃ）成分：ｐＨ緩衝剤＞
・酢酸アンモニウム（関東化学株式会社製；分子量：７７）
＜（Ｄ）成分：ノニオン性高分子＞
・ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）（日本酢ビ・ポバール株式会社製 製品名ＪＭＲ（登録商標）－１０ＨＨ；重量平均分子量（Ｍｗ）＝１０，０００）
＜（Ｅ）成分：ｐＨ調整剤＞
・アンモニア（関東化学株式会社製 製品名：ＥＬアンモニア水；分子量：１７）
・酢酸（関東化学株式会社製 製品名：酢酸；分子量：６０）
上記の（Ｂ）成分および（Ｄ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記の方法により測定した。
・アミノエチルピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１＝Ｈ、Ｒ２＝アミノエチル基（－ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２））（東京化成工業株式会社製 製品名N-(2-Aminoethyl)piperazine；分子量＝１２９；ｐＫａ＝１０．１１、８．７８、１．７４）
・１，４－ビス（３－アミノプロピル）ピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１、Ｒ２＝アミノプロピル基（－ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＮＨ２））（東京化成工業株式会社製 製品名1,4-Bis(3-aminopropyl)piperazine；分子量＝２００；ｐＫａ＝１０．６９、１０．０９、６．５０、２．３７）
・１－エチルピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１＝Ｈ、Ｒ２＝エチル基（－ＣＨ２ＣＨ３））（東京化成工業株式会社製 製品名1-Ethylpiperazine；分子量＝１１４；ｐＫａ＝９．２７、８．１３）
・１－（２－ジメチルアミノエチル）－４－メチルピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１＝メチル基（－ＣＨ３）、Ｒ２＝ジメチルアミノエチル基（－ＣＨ２ＣＨ２Ｎ（ＣＨ３）２））（東京化成工業株式会社製 製品名1-(2-Dimethylaminoethyl)-4-methylpiperazine；
分子量＝１７１；ｐＫａ＝９．５０、９．２０、８．１７）
＜（Ａ’）成分：その他のアミン化合物＞
・無水ピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１、Ｒ２＝Ｈ）（東京化成工業株式会社製 製品名Piperazine anhydrous；分子量＝８６；ｐＫａ＝９．５５、５．３０）
・１－アミノ－４－メチルピペラジン（式（ａ）中、Ｒ１＝メチル基（－ＣＨ３）、Ｒ２＝第１級アミノ基（－ＮＨ２））（東京化成工業株式会社製 製品名1-Amino-4-methylpiperazine；分子量＝１１５；ｐＫａ＝７．６４、７．１９、６．８０）
＜（Ｂ）成分：アニオン性高分子＞
・ポリアクリル酸（東亞合成株式会社製 製品名：ジュリマーＡＣ－１０ＳＨ；重量平均分子量（Ｍｗ）＝１，０００，０００）（ポリアクリル酸１）
・ポリアクリル酸（東亞合成株式会社製 製品名：ジュリマーＡＣ－１０Ｌ；重量平均分子量（Ｍｗ）＝２０，０００～３０，０００）（ポリアクリル酸２）
・ポリアクリル酸（東亞合成株式会社製 製品名：アロンＡ－１０Ｈ；重量平均分子量（Ｍｗ）＝２００，０００）（ポリアクリル酸３）
・ポリスチレンスルホン酸ナトリウム（東ソー・ファインケム株式会社製 製品名：ポリナスＰＳ－１；重量平均分子量（Ｍｗ）＝２０，０００）
・カルボン酸とスルホン酸とのコポリマー（ナトリウム塩）（東亞合成株式会社製 製品名：アロンＡ－６０１２；重量平均分子量（Ｍｗ）＝１０，０００）
＜（Ｃ）成分：ｐＨ緩衝剤＞
・酢酸アンモニウム（関東化学株式会社製；分子量：７７）
＜（Ｄ）成分：ノニオン性高分子＞
・ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）（日本酢ビ・ポバール株式会社製 製品名ＪＭＲ（登録商標）－１０ＨＨ；重量平均分子量（Ｍｗ）＝１０，０００）
＜（Ｅ）成分：ｐＨ調整剤＞
・アンモニア（関東化学株式会社製 製品名：ＥＬアンモニア水；分子量：１７）
・酢酸（関東化学株式会社製 製品名：酢酸；分子量：６０）
上記の（Ｂ）成分および（Ｄ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、下記の方法により測定した。
【0224】
［重量平均分子量（Ｍｗ）の測定］
（Ｂ）成分および（Ｄ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミーエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した重量平均分子量（ポリエチレングリコール換算）の値を用いた。重量平均分子量は、下記の装置および条件によって測定した：
ＧＰＣ装置：株式会社島津製作所製
型式：Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ ＋ ＥＬＳＤ検出器（ＥＬＳＤ－ＬＴＩＩ）
カラム：ＶＰ－ＯＤＳ（株式会社島津製作所製）
移動相 Ａ：ＭｅＯＨ
Ｂ：酢酸１％水溶液
流量：１ｍＬ／分
検出器：ＥＬＳＤ ｔｅｍｐ．４０℃、Ｇａｉｎ ８、Ｎ２ＧＡＳ ３５０ｋＰａ
オーブン温度：４０℃
注入量：４０μＬ。
（Ｂ）成分および（Ｄ）成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミーエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定した重量平均分子量（ポリエチレングリコール換算）の値を用いた。重量平均分子量は、下記の装置および条件によって測定した：
ＧＰＣ装置：株式会社島津製作所製
型式：Ｐｒｏｍｉｎｅｎｃｅ ＋ ＥＬＳＤ検出器（ＥＬＳＤ－ＬＴＩＩ）
カラム：ＶＰ－ＯＤＳ（株式会社島津製作所製）
移動相 Ａ：ＭｅＯＨ
Ｂ：酢酸１％水溶液
流量：１ｍＬ／分
検出器：ＥＬＳＤ ｔｅｍｐ．４０℃、Ｇａｉｎ ８、Ｎ２ＧＡＳ ３５０ｋＰａ
オーブン温度：４０℃
注入量：４０μＬ。
【0225】
［表面処理組成物のｐＨの測定］
表面処理組成物（液温：２５℃）のｐＨは、ｐＨメーター（株式会社堀場製作所製 製品名：ＬＡＱＵＡ（登録商標））によって確認した。なお、以下で説明する研磨用組成物のｐＨも、同様の方法により測定した。
表面処理組成物（液温：２５℃）のｐＨは、ｐＨメーター（株式会社堀場製作所製 製品名：ＬＡＱＵＡ（登録商標））によって確認した。なお、以下で説明する研磨用組成物のｐＨも、同様の方法により測定した。
【0226】
［表面処理組成物の調製］
実施例１
（Ａ）成分としてのアミノエチルピペラジンと、（Ｂ）成分としてのポリアクリル酸（Ｍｗ＝１，０００，０００）と、（Ｃ）成分としての酢酸アンモニウムと、（Ｄ）成分としてのポリビニルアルコール（Ｍｗ＝１０，０００）と、（Ｅ）成分としてのアンモニアと、溶媒としての蒸留水とを、２５℃で５分間攪拌混合することにより、表面処理組成物１を調製した。
実施例１
（Ａ）成分としてのアミノエチルピペラジンと、（Ｂ）成分としてのポリアクリル酸（Ｍｗ＝１，０００，０００）と、（Ｃ）成分としての酢酸アンモニウムと、（Ｄ）成分としてのポリビニルアルコール（Ｍｗ＝１０，０００）と、（Ｅ）成分としてのアンモニアと、溶媒としての蒸留水とを、２５℃で５分間攪拌混合することにより、表面処理組成物１を調製した。
【0227】
ここで、各成分の含有量は、以下の通りとした：表面処理組成物１の総量に対して、（Ａ）成分の含有量は０．０３質量％（０．３ｇ／Ｌ）とし、（Ｂ）成分の含有量は０．０１質量％（０．１ｇ／Ｌ）とし、（Ｃ）成分の含有量は０．０３質量％（０．３ｇ／Ｌ）とし、（Ｄ）成分の含有量は０．０６質量％（０．６ｇ／Ｌ）とし、（Ｅ）成分（ｐＨ調整剤）の含有量は表面処理組成物１のｐＨが８．０となる量とした。
【0228】
実施例２～２４、比較例１～２０
（Ａ）／（Ａ’）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分、（Ｅ）成分およびｐＨを表１に記載のように変更した以外は、実施例１と同様にして、表面処理用組成物２～２４、比較表面処理組成物１～２０を調製した。なお、比較例２０は調液時にｐＨ８に調整したものの、調整後のｐＨ値が経時的に低下、表面処理用組成物の安定した性能が発揮できないと判断し、検討を中止した（洗浄データなし）。なお、表１において、「－」は、該当する成分を添加しなかったことを示す。
（Ａ）／（Ａ’）成分、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分、（Ｄ）成分、（Ｅ）成分およびｐＨを表１に記載のように変更した以外は、実施例１と同様にして、表面処理用組成物２～２４、比較表面処理組成物１～２０を調製した。なお、比較例２０は調液時にｐＨ８に調整したものの、調整後のｐＨ値が経時的に低下、表面処理用組成物の安定した性能が発揮できないと判断し、検討を中止した（洗浄データなし）。なお、表１において、「－」は、該当する成分を添加しなかったことを示す。
【0229】
なお、上記にて調製した表面処理組成物１～２４および比較表面処理組成物１～１９は、砥粒を含まない（砥粒の含有量＝０質量％）。
【0230】
各表面処理組成物の組成を下記表１に要約する。以下の表１において、「ｐＫａ」の項目では、（Ａ）成分または（Ａ’）成分に存在するアミノ基のｐＫａ値を示し、各表面処理組成物のｐＨより大きいｐＫａを太字にて示す。また、以下の表１において、（Ａ）成分または（Ａ’）成分に存在するアミノ基のｐＫａ値と各表面処理組成物のｐＨとの差（＝ｐＫａ－ｐＨ）が正である場合には、その差を「ｐＫａ－ｐＨ」にて数字で示し、上記差（＝ｐＫａ－ｐＨ）が０以下である場合には「－」にて示す。
【0231】
【表1-1】
【0232】
【表1-2】
【0233】
【表1-3】
【0234】
【表1-4】
【0235】
【表1-5】
【0236】
［評価１］
下記方法によって、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）基板での欠陥数（砥粒残渣数および有機
物残渣数）を測定し、結果を下記表２に示す。なお、下記表２において、砥粒残渣数および有機物残渣数の総数を、「総数」と記載する。
下記方法によって、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）基板での欠陥数（砥粒残渣数および有機
物残渣数）を測定し、結果を下記表２に示す。なお、下記表２において、砥粒残渣数および有機物残渣数の総数を、「総数」と記載する。
【0237】
［研磨済研磨対象物の準備］
下記の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程によって研磨された後の研磨済研磨対象物（研磨済窒化ケイ素基板）を準備した。
下記の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）工程によって研磨された後の研磨済研磨対象物（研磨済窒化ケイ素基板）を準備した。
【0238】
（ＣＭＰ工程）
研磨対象物として、表面に厚さ２５００Åの窒化ケイ素膜をＣＶＤで形成したシリコンウェーハ（窒化ケイ素基板）（３００ｍｍ、ブランケットウェーハ、株式会社アドバンテック製）、および表面に厚さ１００００ÅのＴＥＯＳ膜を形成したシリコンウェーハ（ＴＥＯＳ基板）（３００ｍｍ、ブランケットウェーハ、株式会社アドバンテック製）を準備した。
研磨対象物として、表面に厚さ２５００Åの窒化ケイ素膜をＣＶＤで形成したシリコンウェーハ（窒化ケイ素基板）（３００ｍｍ、ブランケットウェーハ、株式会社アドバンテック製）、および表面に厚さ１００００ÅのＴＥＯＳ膜を形成したシリコンウェーハ（ＴＥＯＳ基板）（３００ｍｍ、ブランケットウェーハ、株式会社アドバンテック製）を準備した。
【0239】
シリカスラリー（組成：コロイダルシリカ（平均一次粒子径：３５ｎｍ、平均二次粒子径：７０ｎｍ） １０質量％、ポリビニルピロリドン（ピッツコール（登録商標） Ｋ３０Ａ、第一工業製薬株式会社、Ｍｗ＝４５，０００） ０．２５質量％、ＥＬアンモニア水（濃度：２８．０％～３０．０％（ＮＨ３として）（関東化学株式会社） ０．３３質量％（ＮＨ３として）、溶媒：蒸留水）を準備した。上記シリカスラリーを蒸留水で５倍希釈することによって、研磨用組成物を調製した。得られた研磨用組成物のｐＨは、１０．０であった。
【0240】
上記で準備した窒化ケイ素基板およびＴＥＯＳ基板について、上記にて得られた研磨用組成物を用いて下記の条件にて研磨を行い、研磨済研磨対象物（研磨済窒化ケイ素基板および研磨済ＴＥＯＳ基板）を得た。
【0241】
＜研磨装置および研磨条件＞
研磨装置：株式会社荏原製作所製 ＦＲＥＸ３００Ｅ
研磨パッド：富士紡ホールディングス株式会社製 発泡ポリウレタンパッド
Ｈ８００－Ｔｙｐｅ１
コンディショナー（ドレッサー）：ナイロンブラシ（３Ｍ社製）
研磨圧力：２．０ｐｓｉ（１ｐｓｉ＝６８９４．７６Ｐａ、以下同じ）
研磨定盤回転数：８０ｒｐｍ
ヘッド回転数：８０ｒｐｍ
研磨用組成物の供給：掛け流し
研磨用組成物供給量：２００ｍＬ／分
研磨時間：３０秒間。
研磨装置：株式会社荏原製作所製 ＦＲＥＸ３００Ｅ
研磨パッド：富士紡ホールディングス株式会社製 発泡ポリウレタンパッド
Ｈ８００－Ｔｙｐｅ１
コンディショナー（ドレッサー）：ナイロンブラシ（３Ｍ社製）
研磨圧力：２．０ｐｓｉ（１ｐｓｉ＝６８９４．７６Ｐａ、以下同じ）
研磨定盤回転数：８０ｒｐｍ
ヘッド回転数：８０ｒｐｍ
研磨用組成物の供給：掛け流し
研磨用組成物供給量：２００ｍＬ／分
研磨時間：３０秒間。
【0242】
（リンス研磨）
上記ＣＭＰ工程にて研磨対象物表面を研磨した後、研磨済研磨対象物を研磨定盤（プラテン）上から取り外した。続いて、同じ研磨装置内で、研磨済研磨対象物を別の研磨定盤（プラテン）上に取り付け、下記の条件にて、各表面処理組成物（表面処理組成物１～２４および比較表面処理組成物１～１９）を用いて、研磨済研磨対象物表面に対してリンス研磨処理を行った。
上記ＣＭＰ工程にて研磨対象物表面を研磨した後、研磨済研磨対象物を研磨定盤（プラテン）上から取り外した。続いて、同じ研磨装置内で、研磨済研磨対象物を別の研磨定盤（プラテン）上に取り付け、下記の条件にて、各表面処理組成物（表面処理組成物１～２４および比較表面処理組成物１～１９）を用いて、研磨済研磨対象物表面に対してリンス研磨処理を行った。
【0243】
＜リンス研磨装置およびリンス研磨条件＞
研磨装置：株式会社荏原製作所製 ＦＲＥＸ３００Ｅ
研磨パッド：富士紡ホールディングス株式会社製 発泡ポリウレタンパッド
Ｈ８００－Ｔｙｐｅ１
コンディショナー（ドレッサー）：ナイロンブラシ（３Ｍ社製）
研磨圧力：１．０ｐｓｉ
定盤回転数：８０ｒｐｍ
ヘッド回転数：８０ｒｐｍ
表面処理組成物の供給：掛け流し
表面処理組成物供給量：３００ｍＬ／分
研磨時間：６０秒間。
研磨装置：株式会社荏原製作所製 ＦＲＥＸ３００Ｅ
研磨パッド：富士紡ホールディングス株式会社製 発泡ポリウレタンパッド
Ｈ８００－Ｔｙｐｅ１
コンディショナー（ドレッサー）：ナイロンブラシ（３Ｍ社製）
研磨圧力：１．０ｐｓｉ
定盤回転数：８０ｒｐｍ
ヘッド回転数：８０ｒｐｍ
表面処理組成物の供給：掛け流し
表面処理組成物供給量：３００ｍＬ／分
研磨時間：６０秒間。
【0244】
（後洗浄処理）
リンス研磨処理後、０．３％ＮＨ３水溶液を用いて２０秒間、研磨済研磨対象物表面のブラシ洗浄を行い、その後、脱イオン水による洗浄を４０秒間行うことで、リンス研磨済研磨対象物（リンス研磨済研磨対象物１～２４および比較リンス研磨済研磨対象物１～１９）を得た。
リンス研磨処理後、０．３％ＮＨ３水溶液を用いて２０秒間、研磨済研磨対象物表面のブラシ洗浄を行い、その後、脱イオン水による洗浄を４０秒間行うことで、リンス研磨済研磨対象物（リンス研磨済研磨対象物１～２４および比較リンス研磨済研磨対象物１～１９）を得た。
【0245】
（残渣評価）
ケーエルエー・テンコール株式会社製、光学検査機Ｓｕｒｆｓｃａｎ（登録商標）ＳＰ５を用いて、リンス研磨済研磨対象物（リンス研磨済研磨対象物１～２４および比較リンス研磨済研磨対象物１～１９）について、表面上の残渣数を評価した。
ケーエルエー・テンコール株式会社製、光学検査機Ｓｕｒｆｓｃａｎ（登録商標）ＳＰ５を用いて、リンス研磨済研磨対象物（リンス研磨済研磨対象物１～２４および比較リンス研磨済研磨対象物１～１９）について、表面上の残渣数を評価した。
【0246】
具体的には、各リンス研磨済研磨対象物の片面の外周端部から幅５ｍｍの部分（外周端部を０ｍｍとしたときに、０ｍｍから５ｍｍまでの領域）を除外した残りの部分について、直径７０ｎｍを超える残渣の数（研磨対象物が窒化ケイ素基板である場合）および直径５０ｎｍを超える残渣の数（研磨対象物がＴＥＯＳ基板である場合）をカウントした。その後、上記リンス研磨済研磨対象物に関して、砥粒残渣数および有機物残渣数を、株式会社日立ハイテク製Ｒｅｖｉｅｗ ＳＥＭ ＲＳ６０００を使用し、ＳＥＭ観察によって測定した。まず、ＳＥＭ観察にて、各リンス研磨済研磨対象物の片面の外周端部から幅５ｍｍの部分を除外した残りの部分に存在する残渣を１００個サンプリングした。次いで、サンプリングした１００個の残渣の中から、目視によるＳＥＭ観察にて残渣の種類（砥粒または有機物残渣）を判別し、砥粒残渣（ＳｉＯ２残渣）および有機物残渣（パッド屑や高分子など）のそれぞれについて、その個数を測定した。
【0247】
砥粒残渣（ＳｉＯ２残渣）数は、なるべく少ない方が好ましい。一例として、研磨対象物が窒化ケイ素基板である場合には、砥粒残渣（ＳｉＯ２残渣）数は、５０未満であれば許容でき、４５以下であることが好ましく、３５未満であることがより好ましく、３０以下であることがさらに好ましく、２５以下であることが特に好ましい。また、研磨対象物がＴＥＯＳ基板である場合には、砥粒残渣（ＳｉＯ２残渣）数は、２４８０未満であれば許容でき、２４００以下であることが好ましく、２２００以下であることがより好ましく、２０００以下であることがさらに好ましく、１５００以下であることが特に好ましい。
【0248】
また、有機物残渣（パッド屑や高分子など）数も、なるべく少ない方が好ましい。一例として、研磨対象物が窒化ケイ素基板である場合には、有機物残渣（パッド屑や高分子など）数は、２０未満であれば許容でき、１０以下であることが好ましく、５以下であることがより好ましく、３以下であることが特に好ましい。また、研磨対象物がＴＥＯＳ基板である場合には、有機物残渣（パッド屑や高分子など）数は、３０以下であれば許容でき、２５以下であることが好ましく、２０以下であることがより好ましく、１５以下であることが特に好ましい。
【0249】
さらに、砥粒残渣（ＳｉＯ２残渣）数および有機物残渣（パッド屑や高分子など）数の合計数（表２中の「総数」）もまた、なるべく少ない方が好ましい。一例として、研磨対象物が窒化ケイ素基板である場合には、砥粒残渣（ＳｉＯ２残渣）数および有機物残渣（パッド屑や高分子など）数の合計数は、７５以下であれば許容でき、６０以下であることが好ましく、３５以下であることがより好ましく、２７以下であることが特に好ましい。また、研磨対象物がＴＥＯＳ基板である場合には、砥粒残渣（ＳｉＯ２残渣）数および有機物残渣（パッド屑や高分子など）数の合計数は、２９９０未満であれば許容でき、２８００以下であることが好ましく、２６００以下であることがより好ましく、２０００以下であることが特に好ましい。
【0250】
［評価２］
下記方法によって、表面処理組成物に含まれる成分の吸着量を測定し、結果を下記表２（表中の「Ｓｉ３Ｎ４ 吸着量［ｎｇ／ｃｍ２］」）に示す。
下記方法によって、表面処理組成物に含まれる成分の吸着量を測定し、結果を下記表２（表中の「Ｓｉ３Ｎ４ 吸着量［ｎｇ／ｃｍ２］」）に示す。
【0251】
（ＱＣＭ法による吸着量測定）
水晶振動子マイクロバランス法（Quartz crystal microbalance法:QCM法）を用いて、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）表面またはＴＥＯＳ表面に対する、表面処理組成物中に含まれる成分の吸着量を測定した。なお、測定には、ＱＣＭ－Ｄ測定装置Ｑ－Ｓｅｎｓｅ－Ｐｒｏ（アルテック株式
会社製）を用いた。
水晶振動子マイクロバランス法（Quartz crystal microbalance法:QCM法）を用いて、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）表面またはＴＥＯＳ表面に対する、表面処理組成物中に含まれる成分の吸着量を測定した。なお、測定には、ＱＣＭ－Ｄ測定装置Ｑ－Ｓｅｎｓｅ－Ｐｒｏ（アルテック株式
会社製）を用いた。
【0252】
測定手順は以下の通りである：まず、１８０μＬの純水を測定装置にセットし、２５℃で安定させた。その後、各表面処理組成物を２０μＬ／ｍｉｎの流量で５分間流し、Ｓｉ３Ｎ４電極表面またはＴＥＯＳ電極表面に対する（単位面積当たりの）、表面処理組成物に含まれる成分の吸着量（ｎｇ／ｃｍ２）を測定した。
【0253】
上述のように、本発明に係る表面処理組成物を用いると、（Ａ）成分および（Ｂ）成分が基板表面に吸着することにより、残渣の低減効果が得られると推測される。表面処理組成物の含有成分の吸着量が大きいことは、その基板表面に対して（Ａ）成分や（Ｂ）成分が吸着しやすいことを示す。したがって、上記吸着量測定において大きな数値を示すことは、上記メカニズムのように（Ａ）成分および（Ｂ）成分が働いていることを支持していると考えられる。
【0254】
［評価３］
下記方法によって、各表面処理組成物中の窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のゼータ電位（ζ電位）を測定し、結果を下記表２（表中の「Ｓｉ３Ｎ４ ゼータ電位［ｍＶ］」）に示す。
下記方法によって、各表面処理組成物中の窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のゼータ電位（ζ電位）を測定し、結果を下記表２（表中の「Ｓｉ３Ｎ４ ゼータ電位［ｍＶ］」）に示す。
【0255】
各表面処理組成物を用いてリンス研磨中の窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のゼータ電位を、以下のようなモデル実験で測定された値とした。
【0256】
ゼータ電位の測定には、表面に厚さ２５００Åの窒化ケイ素膜をＣＶＤで形成したシリコンウェーハ（窒化ケイ素基板）（３００ｍｍ ブランケットウェーハ、株式会社アドバンテック製）を６０ｍｍ角に切断したものを、測定対象物として用いた。上記測定対象物をアントンパールジャパン株式会社製の固体ゼータ電位測定器ＳｕｒＰＡＳＳ３（ゼータ電位計）に設置した。次いで、上記で調製した各表面処理組成物をそれぞれ測定対象物に通液させて、これらの測定対象物のゼータ電位（ｍＶ）をそれぞれ測定した。
【0257】
【表2-1】
【0258】
【表2-2】
【0259】
【表2-3】
【0260】
上記表２から明らかなように、実施例の表面処理組成物によれば、比較例の表面処理組成物と比べて、窒化ケイ素基板およびＴＥＯＳ基板上の残渣を十分に除去できることがわかる。
【0261】
また、実施例１と実施例８、比較例１と比較例１８、比較例２と比較例１９、実施例２～４と実施例９～１１、実施例１２と実施例１３の各比較から、（Ｄ）成分としてポリビニルアルコールを存在させることにより、有機物残渣数を有意に低減できることがわかる。
【0262】
上記は、表面処理組成物製造直後に評価した結果であるが、長期間保存または貯蔵する場合には、防カビ剤（防腐剤）を含むことが好ましい。なお、防カビ剤（防腐剤）は上記結果に影響をほとんど及ぼさないまたは及ぼさないので、防カビ剤（防腐剤）を含む表面処理組成物も上記と同様の結果となると考察される。