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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024144420
(43)【公開日】2024-10-11
(54)【発明の名称】半導体製造装置及び処理モジュール
(51)【国際特許分類】
H01L 21/02 20060101AFI20241003BHJP
H01L 21/3205 20060101ALI20241003BHJP
H01L 21/677 20060101ALI20241003BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20241003BHJP
H01L 21/312 20060101ALN20241003BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 Z
H01L21/88 B
H01L21/68 A
H01L21/304 643A
H01L21/312 A
【審査請求】有
【請求項の数】22
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024101407
(22)【出願日】2024-06-24
(62)【分割の表示】P 2022517656の分割
【原出願日】2021-04-20
(31)【優先権主張番号】P 2020079705
(32)【優先日】2020-04-28
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2020212880
(32)【優先日】2020-12-22
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】上田 博一
(72)【発明者】
【氏名】岩下 光秋
(72)【発明者】
【氏名】梅下 尚己
(72)【発明者】
【氏名】飯塚 洋二
(72)【発明者】
【氏名】早川 崇
(72)【発明者】
【氏名】関口 賢治
(72)【発明者】
【氏名】秋山 浩二
(57)【要約】
【課題】基板の表面に自然酸化膜が発生することを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による半導体装置の製造方法は、基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する工程と、前記保護膜が形成された前記基板を大気搬送する工程と、大気搬送された前記基板から前記保護膜を除去する工程と、を有する。
【選択図】図１
【解決手段】本開示の一態様による半導体装置の製造方法は、基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する工程と、前記保護膜が形成された前記基板を大気搬送する工程と、大気搬送された前記基板から前記保護膜を除去する工程と、を有する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する工程と、
前記保護膜が形成された前記基板を大気搬送する工程と、
大気搬送された前記基板から前記保護膜を除去する工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。
前記保護膜が形成された前記基板を大気搬送する工程と、
大気搬送された前記基板から前記保護膜を除去する工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項2】
前記保護膜を形成する工程は、大気中で行われる、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項3】
前記保護膜を形成する工程は、真空中で行われる、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項4】
前記保護膜を除去する工程は、真空中で行われる、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項5】
前記保護膜を除去する工程の後に行われる工程であり、前記基板を大気に晒すことなく真空中で前記基板の上に膜を形成する工程を更に有する、
請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記保護膜を除去する工程は、大気中で行われる、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項7】
前記保護膜を除去する工程の後に行われる工程であり、大気中で前記基板の上に膜を形成する工程を更に有する、
請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項8】
前記膜を形成する工程では、メッキ法により前記膜を形成する、
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項9】
前記保護膜を形成する工程の前に、前記基板に発生した酸化物を除去する工程を更に有する、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項10】
前記酸化物を除去する工程は、大気中で行われる、
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項11】
前記酸化物を除去する工程は、フッ化水素（ＨＦ）を含む薬液により前記酸化物を除去する工程を含む、
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項12】
前記酸化物を除去する工程は、真空中で行われる、
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項13】
前記酸化物を除去する工程は、
前記基板にハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスとを含有する混合ガスを供給して前記酸化物を変質させて反応生成物を生成する工程と、
前記反応生成物を除去する工程と、
を含む、
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
前記基板にハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスとを含有する混合ガスを供給して前記酸化物を変質させて反応生成物を生成する工程と、
前記反応生成物を除去する工程と、
を含む、
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項14】
前記イオン液体は、環境因子により物性が変化する、
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項15】
前記環境因子は、温度を含む、
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項16】
前記物性は、粘性及び密着性の少なくとも１つを含む、
請求項１４又は１５に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１４又は１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項17】
前記イオン液体は、真空中で蒸発しない性質を有する、
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項18】
前記基板は、表面に導電材料が露出した領域を有する、
請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項19】
基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する第１の処理モジュールと、
前記基板の上に形成された前記保護膜を除去する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールとの間で前記基板を大気搬送する搬送モジュールと、
を備える、半導体製造装置。
前記基板の上に形成された前記保護膜を除去する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールとの間で前記基板を大気搬送する搬送モジュールと、
を備える、半導体製造装置。
【請求項20】
基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する第１の処理装置と、
前記基板の上に形成された前記保護膜を除去する第２の処理装置と、
前記第１の処理装置と前記第２の処理装置との間で前記基板を大気搬送する搬送装置と、
を備える、システム。
前記基板の上に形成された前記保護膜を除去する第２の処理装置と、
前記第１の処理装置と前記第２の処理装置との間で前記基板を大気搬送する搬送装置と、
を備える、システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体装置の製造方法、半導体製造装置及びシステムに関する。
【背景技術】
【0002】
ＮＦ３ガスの活性ガス種を半導体ウエハの表面の自然酸化膜と反応させて保護膜を形成した後、半導体ウエハを加熱して該保護膜を昇華させることにより、微細な凹部内等の自然酸化膜を除去する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開平１０－３３５３１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、基板の表面に自然酸化膜が発生することを抑制できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様による半導体装置の製造方法は、基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する工程と、前記保護膜が形成された前記基板を大気搬送する工程と、大気搬送された前記基板から前記保護膜を除去する工程と、を有する。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、基板の表面に自然酸化膜が発生することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す図
【図2A】第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図2B】第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図2C】第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図2D】第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図2E】第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図3】真空成膜装置の一例を示す概略図
【図4】スピンコータの一例を示す概略図
【図5】スリットコータの一例を示す概略図
【図6】スリットコータの一例を示す概略図
【図7】スリットコータの別の一例を示す概略図
【図8】剥離装置の一例を示す概略図
【図11】第２の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す図
【図12】真空スリットコータの一例を示す概略図
【図13】第３の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す図
【図14】第４の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す図
【図15A】積層膜に形成されたビアにＣｕを埋め込む方法の一例を示す工程断面図
【図15B】積層膜に形成されたビアにＣｕを埋め込む方法の一例を示す工程断面図
【図15C】積層膜に形成されたビアにＣｕを埋め込む方法の一例を示す工程断面図
【図15D】積層膜に形成されたビアにＣｕを埋め込む方法の一例を示す工程断面図
【図15E】積層膜に形成されたビアにＣｕを埋め込む方法の一例を示す工程断面図
【図15F】積層膜に形成されたビアにＣｕを埋め込む方法の一例を示す工程断面図
【図16】第１変形例のスリットコータを示す概略図
【図17】第１変形例のスリットコータの動作の一例を示す図
【図18】第１変形例のスリットコータの動作の別の一例を示す図
【図19】イオン液体と洗浄液との接触を抑制する機構を説明するための図
【図20】イオン液体と洗浄液との接触を抑制する機構を説明するための図
【図21】第２変形例のスリットコータを示す概略図
【図22】ステージ接地回路を説明するための電気回路図
【図23】第３変形例のスリットコータを示す概略図
【図24】外皮接地回路を説明するための電気回路図
【図25】第４変形例のスリットコータを示す概略図
【図26】第４変形例のスリットコータの動作の一例を示す図
【図27】第４変形例のスリットコータの動作の別の一例を示す図
【図28A】第４変形例のスリットコータの適用例を説明するための図
【図28B】第４変形例のスリットコータの適用例を説明するための図
【図28C】第４変形例のスリットコータの適用例を説明するための図
【図29】第５変形例のスリットコータを示す概略図
【図30】第５変形例のスリットコータの動作の一例を示す図
【図31】第５変形例のスリットコータの動作の一例を示す図
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【0009】
〔第１の実施形態〕
（半導体装置の製造方法）
図１を参照し、第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例について説明する。図１は、第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す図である。図２Ａ～図２Ｅは、第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。
（半導体装置の製造方法）
図１を参照し、第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例について説明する。図１は、第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す図である。図２Ａ～図２Ｅは、第１の実施形態の半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。
【0010】
第１の実施形態の半導体装置の製造方法は、真空処理工程Ｓ１１、大気処理工程Ｓ１２、保護膜形成工程Ｓ１３、保護膜除去工程Ｓ１４及び真空処理工程Ｓ１５を含む。真空処理工程Ｓ１１、保護膜除去工程Ｓ１４及び真空処理工程Ｓ１５は真空中で行われ、大気処理工程Ｓ１２及び保護膜形成工程Ｓ１３は大気中で行われる。ここで云う大気中とは、ほぼ１気圧の状態で実施されるという事であり、処理工程中の雰囲気は、希ガスやＮ２ガス等の不活性ガスでも良い。
【0011】
真空処理工程Ｓ１１は、真空装置内で基板に対して各種の真空処理を施す工程である。各種の真空処理としては、例えば成膜処理、エッチング処理、化学的酸化物除去（ＣＯＲ：Chemical Oxide Removal）処理、熱処理が挙げられるが、これらに限定されるものではない。ＣＯＲ処理は、例えば基板にハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスとを含有する混合ガスを供給して酸化物を変質させて反応生成物を生成する工程と、反応生成物を除去する工程と、を含む。本実施形態において、各種の真空処理は、例えば図２Ａに示されるように、絶縁膜１１及び導電膜１２を成膜することにより、絶縁材料が露出した領域１１Ａと、導電材料が露出した領域１２Ａと、を含む基板１０を用意する処理であってよい。絶縁材料としては、例えば低誘電率膜（ｌｏｗ－ｋ膜）が挙げられるが、これに限定されるものではない。導電材料としては、例えば銅（Ｃｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、コバルト（Ｃｏ）、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ－Ｓｉ）、タングステン（Ｗ）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。真空装置内で各種の真空処理が施された基板は、該真空装置のローダを介して真空装置内から大気中に搬出され、搬送装置により大気搬送された後、大気装置のローダを介して大気装置内に搬入される。
【0012】
大気処理工程Ｓ１２は、真空処理工程Ｓ１１の後に行われる工程であり、大気装置内で基板に対して各種の大気処理を施す工程である。各種の大気処理としては、例えばウェット処理、常圧成膜処理、メッキ処理が挙げられるが、これらに限定されるものではない。本実施形態において、各種の大気処理は、例えば図２Ｂに示されるように、大気中で基板１０にフッ化水素（ＨＦ）を含む薬液１３を供給することにより、基板１０の表面の酸化物（例えば自然酸化膜）を除去するウェット処理であってよい。ＨＦを含む薬液１３としては、例えば希フッ酸（ＤＨＦ：Diluted Hydrofluoric Acid）が挙げられるが、これに限定されるものではない。基板１０にＨＦを含む薬液１３を供給する方法としては、例えばスピンコート法、スリットコート法が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0013】
保護膜形成工程Ｓ１３は、大気処理工程Ｓ１２の後に行われる工程であり、大気装置内で基板にイオン液体を含む液体材料を塗布して基板の表面に保護膜を形成する工程である。保護膜形成工程Ｓ１３は、清浄な表面を酸素（Ｏ）、水（Ｈ２Ｏ）、有機物等の不純物により汚染されないように、かつ自然酸化膜が形成されないように基板の表面を保護するために行われる。そのため、保護膜形成工程Ｓ１３は、大気処理工程Ｓ１２の後に連続して行われることが好ましい。本実施形態において、図１に示されるように、保護膜形成工程Ｓ１３は、大気処理工程Ｓ１２を実施する装置と同じ大気装置内で、大気処理工程Ｓ１２の後に連続して行われる。本実施形態において、保護膜形成工程Ｓ１３では、例えば図２Ｃに示されるように、大気処理工程Ｓ１２におけるウェット処理により酸化物が除去された基板１０にイオン液体を含む液体材料を塗布して基板１０の表面に保護膜１４を形成する。これにより、基板１０の表面が保護膜１４で覆われた状態となるため、基板１０の表面に不純物が吸着することを抑制できる。また、イオン液体を含む液体材料により形成された保護膜１４は、大気中から真空中に移動させても容易に蒸発しない性質を有する。そのため、次工程が真空中で行われる工程であっても処理直前まで基板１０の表面に酸化物が発生することを抑制できる。イオン液体を含む液体材料を塗布する方法としては、例えばスピンコート法、スリットコート法が挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、イオン液体の詳細については後述する。大気装置内で保護膜が形成された基板は、大気装置のローダを介して大気装置内から大気中に搬出され、搬送装置により大気搬送された後、真空装置のローダを介して真空装置内に搬入される。
【0014】
保護膜除去工程Ｓ１４は、保護膜形成工程Ｓ１３の後に行われる工程であり、真空装置内で基板の上に形成された保護膜を除去することにより、清浄な表面を露出させる工程である。本実施形態において、保護膜除去工程Ｓ１４では、図２Ｄに示されるように、真空中で基板１０を加熱することにより、イオン液体を相転移させて、保護膜１４の下地（絶縁膜１１及び導電膜１２）に対する密着性を低下させる。次いで、基板１０に対して物理的操作を行うことにより、基板１０の表面の保護膜１４を剥離させて除去する。物理的操作としては、例えば基板１０の水平移動、回転、傾斜が挙げられる。なお、イオン液体を相転移させて、保護膜１４の粘性を低下させてもよい。
【0015】
真空処理工程Ｓ１５は、保護膜除去工程Ｓ１４の後に行われる工程であり、真空装置内で基板に対して各種の真空処理を施す工程である。各種の真空処理としては、例えば成膜処理、エッチング処理、ＣＯＲ処理、熱処理が挙げられるが、これらに限定されるものではない。真空処理工程Ｓ１５は、清浄な表面に不純物が再付着しないように、保護膜除去工程Ｓ１４の後に基板を大気に晒すことなく連続して行われることが好ましい。本実施形態において、真空処理工程Ｓ１５は、保護膜除去工程Ｓ１４を実施する装置と同じ真空装置で、保護膜除去工程Ｓ１４の後に連続して行われる。本実施形態において、各種の真空処理は、例えば図２Ｅに示されるように、絶縁膜１５を成膜する成膜処理であってよい。なお、絶縁膜１５に代えて、金属膜を成膜する成膜処理であってもよい。
【0016】
以上に説明したように、第１の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、基板の表面にイオン液体を含む液体材料を予め保護膜として塗布しておき、成膜工程の開始直前に真空中で保護膜を除去する。これにより、基板の表面に酸化物が発生することを抑制でき、酸化物の発生が抑制された清浄な表面に所望の膜を形成できる。その結果、基板の表面と所望の膜との間の界面特性（例えば電気特性、機械特性）の劣化を抑制できる。
【0017】
【0018】
真空成膜装置１００は、チャンバ１１０、ガス供給部１２０、排気システム１３０及び制御部１９０を含む。
【0019】
チャンバ１１０は、内部にウエハＷを収納する密閉構造の処理空間１１１を形成する。チャンバ１１０の内部には、載置台１１２が設けられている。
【0020】
載置台１１２は、平面視において略円形をなしており、チャンバ１１０の底部に固定されている。載置台１１２には、ウエハＷが略水平の状態で載置される。載置台１１２の内部には、載置台１１２及びウエハＷを加熱するヒータ１１３が設けられている。
【0021】
チャンバ１１０の側壁には、ウエハＷを処理空間１１１に搬入出させるための搬入出口（図示せず）が設けられている。搬入出口は、ゲートバルブ（図示せず）により開閉される。チャンバ１１０の天井部には、処理ガスを吐出させる複数の吐出口を有するシャワーヘッド１１４が設けられている。
【0022】
ガス供給部１２０は、ガス供給源１２１及びガス供給路１２２を含む。ガス供給源１２１は、各種の処理ガスの供給源を含む。ガス供給路１２２は、ガス供給源１２１とシャワーヘッド１１４とを接続する。ガス供給路１２２には、例えばバルブ及び流量制御器（いずれも図示せず）が介設されている。ガス供給部１２０では、ガス供給源１２１からの各種の処理ガスが、ガス供給路１２２及びシャワーヘッド１１４を介して処理空間１１１に吐出される。
【0023】
排気システム１３０は、例えばチャンバ１１０の底部に設けられた排気口１１５に接続されている。排気システム１３０は、例えば圧力制御弁及び真空ポンプ（いずれも図示せず）を含み、チャンバ１１０内を排気する。
【0024】
制御部１９０は、真空処理工程Ｓ１１及び真空処理工程Ｓ１５を真空成膜装置１００に実行させるコンピュータ実行可能な指示を処理する。制御部１９０は、真空処理工程Ｓ１１及び真空処理工程Ｓ１５を実行するように真空成膜装置１００の各要素を制御するように構成され得る。制御部１９０は、例えばコンピュータを含む。コンピュータは、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、記憶部及び通信インタフェースを含む。
【0025】
（塗布装置）
図４を参照し、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布を実施するための塗布装置の一例であるスピンコータについて説明する。図４は、スピンコータの一例を示す概略図である。
図４を参照し、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布を実施するための塗布装置の一例であるスピンコータについて説明する。図４は、スピンコータの一例を示す概略図である。
【0026】
スピンコータ２００は、筐体２１０、液体供給部２２０及び制御部２９０を含む。
【0027】
筐体２１０は、内部にウエハＷを収納する密閉構造の処理空間２１１を形成する。筐体２１０には、ウエハＷを処理空間２１１に搬入出するための搬入出口（図示せず）が設けられている。搬入出口は、ゲートバルブ（図示せず）により開閉される。筐体２１０の内部には、載置台２１２が設けられている。載置台２１２は、筐体２１０の底部を貫通して設けられる回転軸２１３の上端に接続されており、回転可能に構成される。載置台２１２には、ウエハＷが略水平の状態で載置される。載置台２１２の内部には、ウエハＷを加熱するためのヒータ２１４が埋設されている。
【0028】
液体供給部２２０は、液体供給源２２１及びノズル２２２を含む。液体供給源２２１は、各種の液体材料、例えばフッ化水素（ＨＦ）を含む薬液、イオン液体を含む液体材料の供給源を含む。ノズル２２２は、筐体２１０の天井部を貫通して設けられ、液体供給源２２１からの各種の液体材料を載置台２１２に載置されたウエハＷの表面に供給する。
【0029】
制御部２９０は、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布をスピンコータ２００に実行させるコンピュータ実行可能な指示を処理する。制御部２９０は、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布を実行するようにスピンコータ２００の各要素を制御するように構成され得る。制御部２９０は、例えばコンピュータを含む。コンピュータは、例えばＣＰＵ、記憶部及び通信インタフェースを含む。
【0030】
図５及び図６を参照し、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布を実施するための塗布装置の一例であるスリットコータについて説明する。図５及び図６は、スリットコータの一例を示す概略図である。図５及び図６は、それぞれスリットコータの側面図及び斜視図である。
【0031】
スリットコータ３００は、ステージ３１０、液体供給部３２０及び制御部３９０を含む。
【0032】
ステージ３１０は、ウエハＷを略水平の状態で載置する。
【0033】
液体供給部３２０は、液体供給源３２１及びスリットノズル３２２を含む。液体供給源３２１は、各種の液体材料、例えばＨＦを含む薬液、イオン液体を含む液体材料の供給源を含む。スリットノズル３２２は、ウエハＷの上方を水平方向に移動することにより、液体供給源３２１からの液体材料をステージ３１０に載置されたウエハＷの表面に供給する。
【0034】
制御部３９０は、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布をスリットコータ３００に実行させるコンピュータ実行可能な指示を処理する。制御部３９０は、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布を実行するようにスリットコータ３００の各要素を制御するように構成され得る。制御部３９０は、例えばコンピュータを含む。コンピュータは、例えばＣＰＵ、記憶部及び通信インタフェースを含む。
【0035】
図７を参照し、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布を実施するための塗布装置の一例であるスリットコータの別の一例について説明する。図７は、スリットコータの別の一例を示す概略図である。
【0036】
スリットコータ４００は、ステージ４１０、液体供給部４２０及び制御部４９０を含む。
【0037】
ステージ４１０は、ウエハＷを略水平の状態で載置する。ステージ４１０は、駆動機構４１１により回転する回転軸４１２の上端に接続されており、回転可能に構成される。ステージ４１０の下方の周囲には、上方側が開口する液受け部４１３が設けられている。液受け部４１３は、ウエハＷからこぼれ落ちたり、振り切られたりする液体材料等を受け止める。
【0038】
液体供給部４２０は、液体供給源４２１及びスリットノズル４２２を含む。液体供給源４２１は、各種の液体材料、例えばＨＦを含む薬液、イオン液体を含む液体材料の供給源を含む。スリットノズル４２２は、ウエハＷの上方を水平方向に移動することにより、液体供給源４２１からの液体材料をステージ４１０に載置されたウエハＷの表面に供給する。
【0039】
制御部４９０は、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布をスリットコータ４００に実行させるコンピュータ実行可能な指示を処理する。制御部４９０は、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布を実行するようにスリットコータ４００の各要素を制御するように構成され得る。制御部４９０は、例えばコンピュータを含む。コンピュータは、例えばＣＰＵ、記憶部及び通信インタフェースを含む。
【0040】
（剥離装置）
図８～図１０を参照し、保護膜除去工程Ｓ１４において行われる保護膜の除去を実施するための剥離装置の一例について説明する。図８は、剥離装置の一例を示す概略図である。図９は、図８の剥離装置のステージを説明するための図であり、ステージの上にウエハが載置され、ステージとウエハとの間が温調流体で満たされている状態を示す。図１０は、図８の剥離装置のステージを説明するための図であり、ステージの上にウエハが載置されておらず、ステージの上に温調流体が満たされていない状態を示す。
図８～図１０を参照し、保護膜除去工程Ｓ１４において行われる保護膜の除去を実施するための剥離装置の一例について説明する。図８は、剥離装置の一例を示す概略図である。図９は、図８の剥離装置のステージを説明するための図であり、ステージの上にウエハが載置され、ステージとウエハとの間が温調流体で満たされている状態を示す。図１０は、図８の剥離装置のステージを説明するための図であり、ステージの上にウエハが載置されておらず、ステージの上に温調流体が満たされていない状態を示す。
【0041】
剥離装置５００は、チャンバ５１０、液体循環部５３０、排気システム５４０及び制御部５９０を含む。
【0042】
チャンバ５１０は、内部にウエハＷを収納する密閉構造の処理空間５１１を形成する。チャンバ５１０の内部には、ステージ５１２が設けられている。
【0043】
ステージ５１２は、ウエハＷを略水平の状態で保持する。ステージ５１２は、保持部５１２ａ及び回転軸５１２ｂを含む。回転軸５１２ｂは、例えばスプラインシール軸受５１３を介して反応槽５１４の底部の環状支持部５１４ａに回転可能かつ昇降可能に支持されている。ステージ５１２は、モータ５１５の回転駆動軸に連結されている。また、ステージ５１２は、昇降機構５１６によって昇降可能に支持されている。モータ５１５及び昇降機構５１６の制御信号は制御部５９０から出力される。ステージ５１２は、有底筒状の反応槽５１４で周囲を取り囲まれている。
【0044】
反応槽５１４は、例えば同心円状に深さが異なる中央底部５１４ｂ及び周辺底部５１４ｃを有し、中央底部５１４ｂは周辺底部５１４ｃよりも深くなっている。反応槽５１４内の液は、周辺底部５１４ｃから中央底部５１４ｂに向けて滑らかに流出するようになっている。なお、液が滑らかに流出する形態であれば、２段階の段差構造でなくても、例えば中心部が深くなった円錐形状や多段構造であってもよい。
【0045】
中央底部５１４ｂには、ドレイン５１７が開口している。ドレイン５１７には、液体循環部５３０の還り管５３５が接続されている。反応槽５１４の側部には、液供給流路５１８ａが開口している。また、反応槽５１４の側部であって液供給流路５１８ａよりも低い位置に、排液流路５１８ｂが開口している。また、反応槽５１４の側部であって液供給流路５１８ａよりも高い位置に、複数の排気路５１８ｃが連通している。反応槽５１４の底部には、ウエハＷ及び反応槽５１４内に供給される温調流体を加熱するヒータ５１９が埋設されている。
【0046】
また、反応槽５１４の底部の上方には、３本のリフトピン５２０が設けられている。リフトピン５２０は、ステージ５１２が下降した際に、ステージ５１２に設けられた貫通孔に挿通されてステージ５１２の上面に対して突出することで、ウエハＷを持ち上げて保持する。
【0047】
また、ステージ５１２の外縁には、ステージ５１２に保持されたウエハＷを固定するストッパ５２１が設けられている。ストッパ５２１は、例えば図９及び図１０に示されるように、ステージ５１２の外縁に周方向に等間隔で３つ設けられている。ストッパ５２１によりウエハＷが固定されることで、ウエハＷを回転させたときにウエハＷがステージ５１２から離脱することを防止できる。
【0048】
液体循環部５３０は、タンク５３１、温調機構５３２、往き菅５３３、シール機構５３４及び還り管５３５を含む。
【0049】
タンク５３１は、温調流体を貯留する。温調流体は、タンク５３１内から往き菅５３３を介してステージ５１２の上面とウエハＷの下面との間に供給される。これにより、ウエハＷの温度が、温調流体の温度と略同じ温度に調整される。温調流体としては、熱伝導性に優れているという観点から、イオン液体を用いることが好ましい。イオン液体としては、例えばウエハＷの表面に形成された保護膜を構成するイオン液体と同じイオン液体を利用できる。
【0050】
温調機構５３２は、ヒータ及び温度センサ（いずれも図示せず）を含む。温調機構５３２は、温度センサの検出値に基づいてヒータを制御することにより、タンク５３１内の温調流体の温度を制御する。
【0051】
往き菅５３３は、ステージ５１２の回転軸５１２ｂと同軸に設けられ、モータ５１５及び昇降機構５１６により回転軸５１２ｂと共に回転及び昇降する。往き菅５３３は、図１０に示されるように、上端がステージ５１２の中心に設けられた開口５１２ｃに挿通され、ステージ５１２上に温調流体を供給する。
【0052】
シール機構５３４は、往き菅５３３を気密にシールした状態で回転可能に支持する。
【0053】
還り管５３５は、ドレイン５１７に接続され、ステージ５１２上からこぼれた温調流体をタンク５３１内に回収する。
【0054】
排気システム５４０は、例えば複数の排気路５１８ｃに接続されている。排気システム５４０は、例えば圧力制御弁及び真空ポンプ（いずれも図示せず）を含み、チャンバ５１０内を排気する。
【0055】
制御部５９０は、保護膜除去工程Ｓ１４を剥離装置５００に実行させるコンピュータ実行可能な指示を処理する。制御部５９０は、保護膜除去工程Ｓ１４を実行するように剥離装置５００の各要素を制御するように構成され得る。制御部５９０は、例えばコンピュータを含む。コンピュータは、例えばＣＰＵ、記憶部及び通信インタフェースを含む。
【0056】
【0057】
第２の実施形態の半導体装置の製造方法は、真空処理工程Ｓ２１、保護膜形成工程Ｓ２２、保護膜除去工程Ｓ２３及び真空処理工程Ｓ２４を含む。真空処理工程Ｓ２１、保護膜形成工程Ｓ２２、保護膜除去工程Ｓ２３及び真空処理工程Ｓ２４は、真空中で行われる。
【0058】
真空処理工程Ｓ２１は、真空装置内で基板に対して各種の真空処理を施す工程である。真空処理工程Ｓ２１は、例えば第１の実施形態の真空処理工程Ｓ１１と同じであってよい。
【0059】
保護膜形成工程Ｓ２２は、真空処理工程Ｓ２１の後に行われる工程であり、真空装置内で基板にイオン液体を含む液体材料を塗布して基板の表面に保護膜を形成する工程である。保護膜形成工程Ｓ２２は、清浄な表面を酸素（Ｏ）、水（Ｈ２Ｏ）、有機物等の不純物により汚染されないように、かつ自然酸化膜が形成されないように基板の表面を保護するために行われる。そのため、保護膜形成工程Ｓ２２は、真空処理工程Ｓ２１の後に連続して行われることが好ましい。本実施形態において、保護膜形成工程Ｓ２２は、真空処理工程Ｓ２１を実施する装置と同じ真空装置内で、真空処理工程Ｓ２１の後に連続して行われる。イオン液体を含む液体材料により形成された保護膜は、真空中で容易に蒸発しない性質を有するため、真空中で塗布できる。また、次工程が真空中で行われる工程であっても処理直前まで基板の表面に酸化物が発生することを抑制できる。イオン液体を含む液体材料を塗布する方法としては、例えばスピンコート法、スリットコート法が挙げられるが、これらに限定されるものではない。真空装置内で保護膜が形成された基板は、真空装置のローダを介して真空装置内から大気中に搬出され、搬送装置により大気搬送された後、別の真空装置のローダを介して別の真空装置内に搬入される。
【0060】
保護膜除去工程Ｓ２３は、保護膜形成工程Ｓ２２の後に行われる工程であり、真空装置内で基板の上に形成された保護膜を除去することにより、清浄な表面を露出させる工程である。保護膜除去工程Ｓ２３は、例えば第１の実施形態の保護膜除去工程Ｓ１４と同じであってよい。
【0061】
真空処理工程Ｓ２４は、保護膜除去工程Ｓ２３の後に行われる工程であり、真空装置内で基板に対して各種の真空処理を施す工程である。真空処理工程Ｓ２４は、例えば第１の実施形態の真空処理工程Ｓ１５と同じであってよい。
【0062】
以上に説明したように、第２の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、基板の表面にイオン液体を含む液体材料を予め保護膜として塗布しておき、成膜工程の開始直前に真空中で保護膜を除去する。これにより、基板の表面に酸化物が発生することを抑制でき、酸化物の発生が抑制された清浄な表面に所望の膜を形成できる。その結果、基板の表面と所望の膜との間の界面特性（例えば電気特性、機械特性）の劣化を抑制できる。
【0063】
（真空塗布装置）
図１２を参照し、保護膜形成工程Ｓ２２において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布を実施するための真空塗布装置の一例である真空スリットコータについて説明する。図１２は、真空スリットコータの一例を示す概略図である。
図１２を参照し、保護膜形成工程Ｓ２２において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布を実施するための真空塗布装置の一例である真空スリットコータについて説明する。図１２は、真空スリットコータの一例を示す概略図である。
【0064】
真空スリットコータ６００は、チャンバ６１０、液体供給部６２０、液体循環部６３０及び制御部６９０を含む。
【0065】
チャンバ６１０は、内部にウエハＷを収納する密閉構造の処理空間６１１を形成する。チャンバ６１０内には、ステージ６１２が設けられている。ステージ６１２は、ウエハＷを略水平の状態で保持する。ステージ６１２は、駆動機構６１３により回転する回転軸６１４の上端に接続されており、回転可能に構成される。ステージ６１２の下方の周囲には、上方側が開口する液受け部６１５が設けられている。液受け部６１５は、ウエハＷからこぼれ落ちたり、振り切られたりする薬液、液体材料等を受け止め、貯留する。チャンバ６１０の内部は、圧力制御弁及び真空ポンプ等を含む排気システム（図示せず）により排気される。
【0066】
液体供給部６２０は、スリットノズル６２１を含む。スリットノズル６２１は、ウエハＷの上方を水平方向に移動することにより、液体循環部６３０からのイオン液体を含む液体材料をステージ６１２に載置されたウエハＷの表面に供給する。
【0067】
液体循環部６３０は、液受け部６１５に貯留されたイオン液体を含む液体材料を回収してスリットノズル６２１に供給する。液体循環部６３０は、圧縮器６３１、原液槽６３２、キャリアガス供給源６３３、洗浄部６３４及びｐＨセンサ６３５、６３６を含む。
【0068】
圧縮器６３１は、配管６３９ａを介して液受け部６１５と接続されており、液受け部６１５に貯留されたイオン液体を含む液体材料を回収し、例えば大気圧以上に圧縮する。圧縮器６３１は、配管６３９ｂを介して原液槽６３２と接続されており、配管６３９ｂを介して圧縮したイオン液体を含む液体材料を原液槽６３２に輸送する。配管６３９ａには、例えばバルブ、流量制御器（いずれも図示せず）が介設されている。例えば、バルブの開閉を制御することにより、圧縮器６３１から原液槽６３２へのイオン液体を含む液体材料の輸送を定期的に行う。
【0069】
原液槽６３２は、イオン液体を含む液体材料を貯留する。原液槽６３２には、配管６３９ｂ～６３９ｄの一端が挿入されている。配管６３９ｂの他端は圧縮器６３１に接続されており、原液槽６３２には配管６３９ｂを介して圧縮器６３１で圧縮されたイオン液体を含む液体材料が供給される。配管６３９ｃの他端はキャリアガス供給源６３３に接続されており、原液槽６３２には配管６３９ｃを介してキャリアガス供給源６３３から窒素（Ｎ２）ガス等のキャリアガスが供給される。配管６３９ｄの他端はスリットノズル６２１に接続されており、キャリアガスと共に原液槽６３２内のイオン液体を含む液体材料が配管６３９ｄを介してスリットノズル６２１に輸送される。配管６３９ｂ～６３９ｄには、例えばバルブ、流量制御器（いずれも図示せず）が介設されている。
【0070】
キャリアガス供給源６３３は、配管６３９ｃを介して原液槽６３２と接続されており、配管６３９ｃを介して原液槽６３２にＮ２ガス等のキャリアガスを供給する。
【0071】
洗浄部６３４は、配管６３９ｂに介設されている。洗浄部６３４は、圧縮器６３１から輸送されたイオン液体を含む液体材料を洗浄する。洗浄部６３４には排水管６３９ｅが接続されており、特性が劣化したイオン液体を含む液体材料は排水管６３９ｅを介して排出される。例えば、洗浄部６３４は、ｐＨセンサ６３６の検出値に基づいて、イオン液体を含む液体材料を再利用するか又は排出するかを制御する。また、例えば洗浄部６３４は、ｐＨセンサ６３５の検出値に基づいて、イオン液体を含む液体材料を再利用するか又は排出するかを制御してもよい。また、例えば洗浄部６３４は、ｐＨセンサ６３５及びｐＨセンサ６３６の検出値に基づいて、イオン液体を含む液体材料を再利用するか又は排出するかを制御してもよい。
【0072】
ｐＨセンサ６３５は、圧縮器６３１に設けられており、圧縮器６３１内のイオン液体を含む液体材料の水素イオン指数（ｐＨ）を検出する。
【0073】
ｐＨセンサ６３６は、洗浄部６３４に設けられており、洗浄部６３４内のイオン液体を含む液体材料の水素イオン指数（ｐＨ）を検出する。
【0074】
制御部６９０は、保護膜形成工程Ｓ２２において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布を真空スリットコータ６００に実行させるコンピュータ実行可能な指示を処理する。制御部６９０は、保護膜形成工程Ｓ２２において行われるイオン液体を含む液体材料の塗布を実行するように真空スリットコータ６００の各要素を制御するように構成され得る。制御部６９０は、例えばコンピュータを含む。コンピュータは、例えばＣＰＵ、記憶部及び通信インタフェースを含む。
【0075】
【0076】
第３の実施形態の半導体装置の製造方法は、真空処理工程Ｓ３１、保護膜形成工程Ｓ３２、保護膜除去工程Ｓ３３及び大気処理工程Ｓ３４を含む。真空処理工程Ｓ３１及び保護膜形成工程Ｓ３２は真空中で行われ、保護膜除去工程Ｓ３３及び大気処理工程Ｓ３４は大気中で行われる。
【0077】
真空処理工程Ｓ３１は、真空装置内で基板に対して各種の真空処理を施す工程である。真空処理工程Ｓ３１は、例えば第１の実施形態の真空処理工程Ｓ１１と同じであってよい。
【0078】
保護膜形成工程Ｓ３２は、真空処理工程Ｓ３１の後に行われる工程であり、真空装置内で基板にイオン液体を含む液体材料を塗布して基板の表面に保護膜を形成する工程である。本実施形態において、保護膜形成工程Ｓ３２は、真空処理工程Ｓ３１が行われるプロセスモジュールと真空搬送室を介して接続された異なるプロセスモジュールで行われる。真空装置内で保護膜が形成された基板は、真空装置のローダを介して真空装置内から大気中に搬出され、搬送装置により大気搬送された後、大気装置のローダを介して大気装置内に搬入される。
【0079】
保護膜除去工程Ｓ３３は、保護膜形成工程Ｓ３２の後に行われる工程であり、大気装置内で基板の上に形成された保護膜を除去することにより、清浄な表面を露出させる工程である。本実施形態において、保護膜除去工程Ｓ３３では、大気中で基板を加熱することにより、イオン液体を相転移させて、保護膜の下地（絶縁材料及び導電材料）に対する密着性を低下させる。次いで、基板に対して物理的操作を行うことにより、基板の表面の保護膜を剥離させて除去する。物理的操作としては、例えば基板の水平移動、回転、傾斜が挙げられる。なお、イオン液体を相転移させて、保護膜の粘性を低下させてもよい。
【0080】
大気処理工程Ｓ３４は、保護膜除去工程Ｓ３３の後に行われる工程であり、大気装置内で基板に対して各種の大気処理を施す工程である。各種の大気処理としては、例えばウェット処理、常圧成膜処理、メッキ処理が挙げられるが、これらに限定されるものではない。大気処理工程Ｓ３４は、清浄な表面に不純物が再付着しないように、保護膜除去工程Ｓ３３と同時に、又は保護膜除去工程Ｓ３３の後に連続して行われることが好ましい。
【0081】
以上に説明したように、第３の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、基板の表面にイオン液体を含む液体材料を予め保護膜として塗布しておき、成膜工程の開始直前に真空中で保護膜を除去する。これにより、基板の表面に酸化物が発生することを抑制でき、酸化物の発生が抑制された清浄な表面に所望の膜を形成できる。その結果、基板の表面と所望の膜との間の界面特性（例えば電気特性、機械特性）の劣化を抑制できる。
【0082】
【0083】
第４の実施形態の半導体装置の製造方法は、真空処理工程Ｓ４１、保護膜形成工程Ｓ４２、保護膜除去工程Ｓ４３及び大気処理工程Ｓ４４を含む。真空処理工程Ｓ４１及び保護膜形成工程Ｓ４２は真空中で行われ、保護膜除去工程Ｓ４３及び大気処理工程Ｓ４４は大気中で行われる。
【0084】
真空処理工程Ｓ４１は、真空装置内で基板に対して各種の真空処理を施す工程である。真空処理工程Ｓ４１は、例えば第１の実施形態の真空処理工程Ｓ１１と同じであってよい。
【0085】
保護膜形成工程Ｓ４２は、真空処理工程Ｓ４１の後に行われる工程であり、真空装置内で基板にイオン液体を含む液体材料を塗布して基板の表面に保護膜を形成する工程である。本実施形態において、保護膜形成工程Ｓ４２は、真空処理工程Ｓ４１が行われるプロセスモジュールとロードロック室（バッファ）を介して接続された異なるプロセスモジュールで行われる。ロードロック室は、内部を真空雰囲気と大気雰囲気との間で切り替え可能に構成される。真空装置内で保護膜が形成された基板は、真空装置のローダを介して真空装置内から大気中に搬出され、搬送装置により大気搬送された後、大気装置のローダを介して大気装置内に搬入される。
【0086】
保護膜除去工程Ｓ４３は、保護膜形成工程Ｓ４２の後に行われる工程であり、大気装置内で基板の上に形成された保護膜を除去することにより、清浄な表面を露出させる工程である。保護膜除去工程Ｓ４３は、第３の実施形態の保護膜除去工程Ｓ３３と同じであってよい。
【0087】
大気処理工程Ｓ４４は、保護膜除去工程Ｓ４３の後に行われる工程であり、大気装置内で基板に対して各種の大気処理を施す工程である。大気処理工程Ｓ４４は、第３の実施形態の大気処理工程Ｓ３４と同じであってよい。
【0088】
以上に説明したように、第４の実施形態の半導体装置の製造方法によれば、基板の表面にイオン液体を含む液体材料を予め保護膜として塗布しておき、成膜工程の開始直前に真空中で保護膜を除去する。これにより、基板の表面に酸化物が発生することを抑制でき、酸化物の発生が抑制された清浄な表面に所望の膜を形成できる。その結果、基板の表面と所望の膜との間の界面特性（例えば電気特性、機械特性）の劣化を抑制できる。
【0089】
〔イオン液体〕
イオン液体は、常温で液体のイオン化合物であり、陽イオン（カチオン）と陰イオン（アニオン）とから構成される。実施形態に用いるイオン液体は、環境因子により物性が変化するイオン液体である。環境因子は、例えば温度を含む。物性は、例えば粘性及び密着性の少なくとも１つを含む。
イオン液体は、常温で液体のイオン化合物であり、陽イオン（カチオン）と陰イオン（アニオン）とから構成される。実施形態に用いるイオン液体は、環境因子により物性が変化するイオン液体である。環境因子は、例えば温度を含む。物性は、例えば粘性及び密着性の少なくとも１つを含む。
【0090】
実施形態に用いるイオン液体の一例としては、温度により可逆的な相転移が生じるイオン液体を好適に利用できる。これにより、基板の温度を変更することで、イオン液体に相転移が生じ、イオン液体と基板との密着性を変えることができる。つまりイオン液体の温度を制御する事で、基板（ウエハ）上にイオン液体が粘性膜として密着した状態、あるいは基板（ウエハ）から容易に剥がれ易い非粘性状態に変化させる事が可能である。
【0091】
例えば、基板にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する際には、イオン液体と基板との密着性が高くなるように基板の温度を第１の温度に設定する。これにより、基板の上に塗布された液体材料が基板の上に残存して保護膜が形成される。一方、基板の上に形成された保護膜を除去する際には、イオン液体と基板との密着性が低くなるように基板の温度を第１の温度と異なる第２の温度に設定する。これにより、基板との密着性が低下した保護膜は、例えば基板の水平移動、回転、傾斜等の物理的操作が行われると、基板の上から容易に剥離する。
【0092】
イオン液体を構成する陽イオンとしては、例えば第四級窒素を含むピリジニウム型、イミダゾリウム型、アンモニウム型、ピロリジニウム型、ピペリジニウム型や、第四級リンを含むホスホニウム型等の陽イオンが挙げられる。これらの陽イオンは、側鎖としてアルキル基－（ＣＨ２）ｎＣＨ３を含む。
【0093】
ピリジニウム型の陽イオンとしては、例えば化学式（Ｃ１－１）で示されるＣ２ｐｙ＋、化学式（Ｃ１－２）で示されるＣ４ｐｙ＋が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0094】
【化1】
【0095】
イミダゾリウム型の陽イオンとしては、例えば化学式（Ｃ２－１）で示されるＣ２ｍｉｍ＋、化学式（Ｃ２－２）で示されるＣ４ｍｉｍ＋、化学式（Ｃ２－３）で示されるＣ６ｍｉｍ＋、化学式（Ｃ２－４）で示されるＣ８ｍｉｍ＋が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0096】
【化2】
【0097】
アンモニウム型の陽イオンとしては、例えば化学式（Ｃ３－１）で示されるＮ３，１，１，１
＋、化学式（Ｃ３－２）で示されるＮ４，１，１，１
＋、化学式（Ｃ３－３）で示されるＮ６，１，１，１
＋、化学式（Ｃ３－４）で示されるＮ２，２，１，（２Ｏ１）
＋、化学式（Ｃ３－５）で示されるＣｈ＋が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0098】
【化3】
【0099】
ピロリジニウム型の陽イオンとしては、例えば化学式（Ｃ４－１）で示されるＰｙｒ１，３
＋、化学式（Ｃ４－２）で示されるＰｙｒ１，４
＋が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0100】
【化4】
【0101】
ピペリジニウム型の陽イオンとしては、例えば化学式（Ｃ５－１）で示されるＰｉｐ１，３
＋、化学式（Ｃ５－２）で示されるＰｉｐ１，４
＋が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0102】
【化5】
【0103】
ホスホニウム型の陽イオンとしては、例えば化学式（Ｃ６－１）で示されるＰ５，２，２，２
＋、化学式（Ｃ６－２）で示されるＰ６，６，６，１４
＋が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0104】
【化6】
【0105】
イオン液体を構成する陰イオンとしては、化学式（Ａ１）で示されるＴｆＯ－、化学式（Ａ２）で示されるＴｆ２Ｎ－（ＴＦＳＡ－）、化学式（Ａ３）で示されるＴｆ３Ｃ－、化学式（Ａ４）で示されるＦＳＡ－、化学式（Ａ５）で示されるＣＨ３ＣＯＯ－、化学式（Ａ６）で示されるＣＦ３ＣＯＯ－、化学式（Ａ７）で示されるＢＦ４
－、化学式（Ａ８）で示されるＰＦ６
－、化学式（Ａ９）で示される（ＣＮ）２Ｎ－、化学式（Ａ１０）で示されるＡｌＣｌ４
－、化学式（Ａ１１）で示されるＡｌ２Ｃｌ７
－が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【0106】
【化7】
【0107】
なお、イオン液体の具体例としては、トリブチルヘキサデシルホスホニウム３－（トリメチルシリル）－１－プロパンスルホネート（ＢＨＤＰ・ＤＳＳ）、Ｎ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ（２－メトキシエチル）アンモニウムテトラフルオロボラート（ＤＥＭＥ・ＢＦ４）が挙げられる。
【0108】
〔実施例〕
図１５Ａ～図１５Ｆを参照し、実施形態の半導体装置の製造方法の適用例として、バックエンド（ＢＥＯＬ：Back End Of Line）プロセスにおいて、ビア（Ｖｉａ）にＣｕを埋め込む場合を例に挙げて説明する。図１５Ａ～図１５Ｆは、積層膜に形成されたビアにＣｕを埋め込む方法の一例を示す工程断面図である。
図１５Ａ～図１５Ｆを参照し、実施形態の半導体装置の製造方法の適用例として、バックエンド（ＢＥＯＬ：Back End Of Line）プロセスにおいて、ビア（Ｖｉａ）にＣｕを埋め込む場合を例に挙げて説明する。図１５Ａ～図１５Ｆは、積層膜に形成されたビアにＣｕを埋め込む方法の一例を示す工程断面図である。
【0109】
まず、図１５Ａに示されるように、下層配線２１の上に絶縁膜２６が形成された基板２０を準備する。下層配線２１と絶縁膜２６との間には、エッチングストップ層２３が形成されている。下層配線２１は、層間絶縁膜２４に形成されたトレンチ２２内にバリアメタル膜２５を挟んで埋め込まれている。下層配線２１としては、例えばＣｕ配線が挙げられるが、これに限定されるものではない。エッチングストップ層２３としては、例えばシリコン炭窒化膜（ＳｉＣＮ膜）が挙げられるが、これに限定されるものではない。層間絶縁膜２４としては、例えばｌｏｗ－ｋ膜が挙げられるが、これに限定されるものではない。バリアメタル膜２５としては、例えば窒化タンタル（ＴａＮ）膜が挙げられるが、これに限定されるものではない。また、絶縁膜２６には、ビア２７及びトレンチ２８が形成されている。
【0110】
続いて、図１５Ｂに示されるように、ビア２７及びトレンチ２８の内部にバリアメタル膜としてＴａＮ膜２９をコンフォーマルに成膜する。ＴａＮ膜２９の成膜方法としては、例えば真空装置で実施されるＡＬＤ法が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【0111】
続いて、図１５Ｃに示されるように、ＴａＮ膜２９の上にシード膜としてＣｕシード膜３０をコンフォーマルに成膜する。Ｃｕシード膜３０の成膜方法としては、例えばＰＶＤ法が挙げられるが、これに限定されるものではない。Ｃｕシード膜は、例えばＴａＮ膜２９を成膜する真空装置と同じ装置内の異なるモジュールで成膜される。
【0112】
続いて、図１５Ｄに示されるように、基板２０にイオン液体を含む液体材料を塗布し、Ｃｕシード膜３０の表面を覆うように保護膜３１を形成する。保護膜３１は、例えばＴａＮ膜２９及びＣｕシード膜３０を成膜する真空装置と同じ装置内の異なるモジュールで成膜される。イオン液体としては、例えば温度により可逆的な相転移が生じるイオン液体が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【0113】
続いて、図１５Ｅに示されるように、Ｃｕシード膜３０と保護膜３１との密着性を低下させた状態で、例えば基板２０に対して水平移動、回転、傾斜等の物理的操作を行うことにより、Ｃｕシード膜３０の表面から保護膜３１を剥離させて除去する。保護膜３１の除去方法としては、例えば大気装置で実施されるスピンコータを用いる方法が挙げられる。例えば、基板２０を加熱することでＣｕシード膜３０に対する保護膜３１の密着性を低下させた状態で、スピンコータにより基板２０を回転させることにより保護膜３１を除去できる。
【0114】
続いて、図１５Ｆに示されるように、ビア２７及びトレンチ２８の内部にＣｕ３２を埋め込む。Ｃｕ３２を埋め込む工程は、例えば保護膜３１を除去する大気装置と同じ装置で実施される。このとき、Ｃｕ３２を埋め込む直前にＣｕシード膜３０の表面を覆う保護膜３１を除去することにより、表面の酸化が抑制されたＣｕシード膜３０の上にＣｕ３２を埋め込むことができる。これにより、Ｃｕシード膜３０とＣｕ３２との間の密着性の低下が抑制されるため、ストレスマイグレーション（ＳＭ：Stress Migration）及びエレクトロマイグレーション（ＥＭ：Electro Migration）に対する耐性が向上する。これに対し、保護膜３１を用いない場合には、Ｃｕ３２を埋め込む前にＣｕシード膜３０の表面が酸化されやすいため、Ｃｕシード膜３０とＣｕ３２との間の密着性が低下し、ＳＭ不良、ＥＭ不良が発生しやすくなる。Ｃｕ３２を埋め込む方法としては、例えばメッキ法が挙げられるが、これらに限定されるものではない。メッキ法としては、例えば無電解メッキ（ＥＬＤ：Electroless deposition）法、電解メッキ（ＥＣＤ：Electrochemical deposition）法が挙げられる。ビア２７及びトレンチ２８の内部へのＣｕ３２の埋め込みは、例えば保護膜３１を除去する際に用いる大気装置と同じ装置内の同じモジュール（スピンコータ）で実施される。
【0115】
以上に説明したように、実施例によれば、Ｃｕシード膜３０の成膜の後にＣｕシード膜３０の表面にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜３１を形成し、Ｃｕ３２の埋め込みを行う直前に保護膜３１を除去する。これにより、Ｃｕシード膜３０の表面に自然酸化膜が発生することを抑制できる。
【0116】
なお、上記の実施例では、ビア２７及びトレンチ２８の内部にＴａＮ膜２９及びＣｕシード膜３０を成膜した後に、保護膜３１を形成し、保護膜３１を除去した後にＣｕ３２を埋め込む場合を説明したが、本開示はこれに限定されるものではない。例えば、Ｃｕシード膜３０を省略してもよい。
【0117】
【0118】
スリットコータ７００は、ステージ７１０、液体供給部７２０、サブステージ７３０、濃度測定用ノズル７４０及び制御部７９０を含む。
【0119】
ステージ７１０は、ウエハＷを略水平の状態で載置する。ステージ７１０は、駆動機構７１１により回転する回転軸７１２の上端に接続されており、回転可能に構成される。ステージ７１０の下方の周囲には、上方側が開口する液受け部７１３が設けられている。液受け部７１３は、ウエハＷからこぼれ落ちたり、振り切られたりする液体材料等を受け止める。
【0120】
液体供給部７２０は、イオン液体供給源７２１、イオン液体供給配管７２２、洗浄液供給源７２３、洗浄液供給配管７２４及びスリットノズル７２５を含む。
【0121】
イオン液体供給源７２１は、イオン液体供給配管７２２を介してスリットノズル７２５にイオン液体ＩＬを供給する。イオン液体ＩＬは、前述のイオン液体であってよい。
【0122】
イオン液体供給配管７２２は、イオン液体供給源７２１からのイオン液体ＩＬをスリットノズル７２５に供給する配管である。イオン液体供給配管７２２は、例えば導電性部材により形成されている。
【0123】
洗浄液供給源７２３は、洗浄液供給配管７２４を介してスリットノズル７２５に洗浄液ＣＬを供給する。洗浄液ＣＬは、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を含む半導体洗浄工程に多用される液体材料が好適であるが、それ以外の半導体工程に用いられる洗浄剤（例えばリン酸、フッ酸、塩酸、硝酸等の酸性系洗浄剤あるいは、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）の様なアルカリ系洗浄液）であってもよい。
【0124】
洗浄液供給配管７２４は、洗浄液供給源７２３からの洗浄液ＣＬをスリットノズル７２５に供給する配管である。洗浄液供給配管７２４は、例えば導電性部材により形成されている。
【0125】
スリットノズル７２５は、ウエハＷの上方を水平方向に移動することにより、ステージ７１０に載置されたウエハＷの表面にイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬを供給する。また、スリットノズル７２５は、サブステージ７３０の上方に移動することにより、サブステージ７３０上にイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬを供給する。スリットノズル７２５は、本体７２５ａ、外皮７２５ｂ、イオン液体供給口７２５ｃ及び洗浄液供給口７２５ｄを含む。
【0126】
本体７２５ａは、内部にイオン液体流路７２５ｅを有する。イオン液体流路７２５ｅは、本体７２５ａの上部に形成されたイオン液体供給口７２５ｃを介してイオン液体供給配管７２２と接続されている。これにより、イオン液体供給源７２１からのイオン液体ＩＬは、イオン液体供給配管７２２及びイオン液体供給口７２５ｃを介してイオン液体流路７２５ｅに供給され、該イオン液体流路７２５ｅの下端から吐出される。本体７２５ａは、例えば絶縁性部材により形成されている。イオン液体流路７２５ｅの流路断面積は、イオン液体ＩＬの粘度、接触角（濡れ性）に応じて最適化される。
【0127】
外皮７２５ｂは、本体７２５ａの外面との間に洗浄液流路７２５ｆを形成するように、本体７２５ａの外方に設けられている。洗浄液流路７２５ｆは、洗浄液供給口７２５ｄを介して洗浄液供給配管７２４と接続されている。これにより、洗浄液供給源７２３からの洗浄液ＣＬは、洗浄液供給配管７２４及び洗浄液供給口７２５ｄを介して洗浄液流路７２５ｆに供給され、該洗浄液流路７２５ｆの下端から吐出される。外皮７２５ｂは、例えば導電性部材により形成されている。洗浄液流路７２５ｆの流路断面積は、洗浄液ＣＬの粘度、接触角（濡れ性）に応じて最適化される。
【0128】
このように、スリットノズル７２５は、本体７２５ａ及び外皮７２５ｂにより形成されるイオン液体流路７２５ｅ及び洗浄液流路７２５ｆを含む２重配管構造を有する。これにより、イオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬを１つのスリットノズル７２５で塗布できる。
【0129】
サブステージ７３０は、ステージ７１０とは別に、液体供給部７２０によりイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬの塗布が可能な位置に設けられている。図１６の例では、サブステージ７３０は、ステージ７１０の側方に設けられている。サブステージ７３０の上面には、イオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬが塗布される領域に開口７３１ａを有する板状部材７３１が設けられている。サブステージ７３０は、加熱手段や冷却手段によって上面の温度を調整できるようになっている。加熱手段は、例えばサブステージ７３０の内部に埋め込まれたヒータであってよい。冷却手段は、例えばサブステージ７３０の内部に形成された冷媒流路であってよい。
【0130】
濃度測定用ノズル７４０は、例えば管状部材により形成されている。濃度測定用ノズル７４０は、一端がサブステージ７３０上に塗布されたイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬと接触する位置に設けられている。これにより、液体供給部７２０によりサブステージ７３０上にイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬが塗布されると、塗布されたイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬの一部が管状部材の一端から吸い上げられる。すなわち、濃度測定用ノズル７４０により、液体供給部７２０によりサブステージ７３０上に塗布されたイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬの一部を回収できる。濃度測定用ノズル７４０により回収されたイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬに対して各種の測定を行うことで、該イオン液体ＩＬ及び該洗浄液ＣＬの濃度を確認できる。各種の測定としては、例えば比抵抗の測定、クロマトグラフィーによる測定、光学的測定（例えばＦＴ－ＩＲ）が挙げられる。また、メッキ用途のイオン液体ＩＬの場合には、各種の測定として、例えば比色測定、非接触での導電率測定が挙げられる。
【0131】
制御部７９０は、スリットコータ７００の各要素を制御する。例えば、制御部７９０は、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体ＩＬを含む液体材料の塗布をスリットコータ７００に実行させるコンピュータ実行可能な指示を処理する。制御部７９０は、大気処理工程Ｓ１２において行われるウェット処理及び保護膜形成工程Ｓ１３において行われるイオン液体ＩＬを含む液体材料の塗布を実行するようにスリットコータ７００の各要素を制御するように構成され得る。制御部７９０は、例えばコンピュータを含む。コンピュータは、例えばＣＰＵ、記憶部及び通信インタフェースを含む。
【0132】
図１７を参照し、第１変形例のスリットコータ７００の動作の一例について説明する。図１７は、第１変形例のスリットコータ７００の動作の一例を示す図であり、ステージ７１０に載置されたウエハＷ上にイオン液体ＩＬを塗布した後にイオン液体ＩＬの濃度を測定する場合の動作の一例を示す。
【0133】
まず、制御部７９０は、スリットノズル７２５をステージ７１０に載置されたウエハＷの上方において水平方向に移動させながら、スリットノズル７２５からウエハＷに向けてイオン液体ＩＬを吐出する。これにより、図１７の左図に示されるように、ステージ７１０に載置されたウエハＷ上にイオン液体ＩＬが塗布される。
【0134】
続いて、制御部７９０は、スリットノズル７２５をサブステージ７３０の上方であり、板状部材７３１の開口７３１ａと対応する位置に移動させる。また、制御部７９０は、スリットノズル７２５からサブステージ７３０に向けてイオン液体ＩＬを吐出する。これにより、図１７の右図に示されるように、サブステージ７３０上にイオン液体ＩＬが塗布される。
【0135】
このとき、サブステージ７３０に吐出されたイオン液体ＩＬは、一部が濃度測定用ノズル７４０により吸い上げられる。そこで、濃度測定用ノズル７４０により吸い上げられたイオン液体ＩＬに対して各種の測定を行うことで、該イオン液体ＩＬの濃度を確認できる。
【0136】
また、イオン液体ＩＬの濃度を確認する場合、イオン液体の表面張力（粘性）を小さくして濃度測定を実施しやすくするために、サブステージ７３０の温度を調整することが好ましい。
【0137】
図１８を参照し、第１変形例のスリットコータ７００の動作の別の一例について説明する。図１８は、第１変形例のスリットコータ７００の動作の別の一例を示す図であり、ステージ７１０に載置されたウエハＷ上にイオン液体ＩＬを塗布した後にスリットノズル７２５を自動洗浄する場合の動作の一例を示す。
【0138】
まず、制御部７９０は、スリットノズル７２５をステージ７１０に載置されたウエハＷの上方において水平方向に移動させながら、スリットノズル７２５からウエハＷに向けてイオン液体ＩＬを吐出する。これにより、図１８の左図に示されるように、ステージ７１０に載置されたウエハＷ上にイオン液体ＩＬが塗布される。
【0139】
続いて、制御部７９０は、スリットノズル７２５をサブステージ７３０の上方であり、板状部材７３１の開口７３１ａと対応する位置に移動させる。また、制御部７９０は、スリットノズル７２５からサブステージ７３０上に洗浄液ＣＬを吐出する。これにより、図１８の右図に示されるように、サブステージ７３０上に洗浄液ＣＬが塗布され、スリットノズル７２５の先端が洗浄される。
【0140】
【0141】
図１９は、イオン液体ＩＬと洗浄液ＣＬとの接触を抑制する機構を説明するための図であり、スリットノズル７２５から吐出する液体材料をイオン液体ＩＬから洗浄液ＣＬに切り替える場合の動作の一例を示す。
【0142】
まず、図１９の（ａ）図に示されるように、制御部７９０は、スリットノズル７２５によるイオン液体ＩＬの吐出を停止させる。
【0143】
続いて、図１９の（ｂ）図に示されるように、制御部７９０は、例えばサックバック（Ｓａｃｋ－ｂａｃｋ）動作によりイオン液体ＩＬをイオン液体流路７２５ｅの上方へ吸い戻す。
【0144】
続いて、図１９の（ｃ）図に示されるように、制御部７９０は、スリットノズル７２５をサブステージ７３０の上方であり、板状部材７３１の開口７３１ａと対応する位置に移動させる。また、制御部７９０は、スリットノズル７２５からサブステージ７３０上に洗浄液ＣＬを吐出する。このとき、洗浄液ＣＬの一部は、イオン液体流路７２５ｅ内にも流れ込むが、イオン液体流路７２５ｅ内はサックバック動作によりイオン液体ＩＬが吸い戻されている。そのため、イオン液体流路７２５ｅ内にはイオン液体ＩＬと洗浄液ＣＬとの間にエア溜まりＡＰが形成される。その結果、イオン液体ＩＬの洗浄液ＣＬへの混入を抑制できる。
【0145】
また、洗浄液ＣＬの一部は、濃度測定用ノズル７４０に吸い上げられる。そこで、濃度測定用ノズル７４０により吸い上げられた洗浄液ＣＬに対して各種の測定を行うことで、該洗浄液ＣＬの濃度を確認できる。該洗浄液ＣＬの濃度は、イオン液体ＩＬが混入している場合と混入していない場合とで異なる値を示す。そこで、該洗浄液ＣＬの濃度を確認することで、洗浄液ＣＬに対するイオン液体ＩＬの混入の有無を確認できる。
【0146】
続いて、図１９の（ｄ）図に示されるように、制御部７９０は、スリットノズル７２５をステージ７１０に載置されたウエハＷの上方において水平方向に移動させながら、スリットノズル７２５からウエハＷに向けて洗浄液ＣＬを吐出する。これにより、ステージ７１０に載置されたウエハＷ上に洗浄液ＣＬが塗布される。
【0147】
以上に説明したように、第１変形例のスリットコータ７００によれば、スリットノズル７２５から吐出する液体材料をイオン液体ＩＬから洗浄液ＣＬに切り替える際に、イオン液体ＩＬと洗浄液ＣＬとが接触することを抑制できる。その結果、イオン液体ＩＬから洗浄液ＣＬに切り替えた後に洗浄液ＣＬの濃度が不安定になることを抑制できる。
【0148】
図２０は、イオン液体ＩＬと洗浄液ＣＬとの接触を抑制する機構を説明するための図であり、スリットノズル７２５から吐出する液体材料を洗浄液ＣＬからイオン液体ＩＬに切り替える場合の動作の一例を示す。
【0149】
まず、図２０の（ａ）図に示されるように、制御部７９０は、スリットノズル７２５による洗浄液ＣＬの吐出を停止させる。
【0150】
続いて、図２０の（ｂ）図に示されるように、制御部７９０は、例えばサックバック（Ｓａｃｋ－ｂａｃｋ）動作により洗浄液ＣＬを洗浄液流路７２５ｆの上方へ吸い戻す。
【0151】
続いて、図２０の（ｃ）図に示されるように、制御部７９０は、スリットノズル７２５をサブステージ７３０の上方であり、板状部材７３１の開口７３１ａと対応する位置に移動させる。また、制御部７９０は、スリットノズル７２５からサブステージ７３０上にイオン液体ＩＬを吐出する。このとき、イオン液体ＩＬの一部は、洗浄液流路７２５ｆ内にも流れ込むが、洗浄液流路７２５ｆ内はサックバック動作により洗浄液ＣＬが吸い戻されている。そのため、洗浄液流路７２５ｆ内には洗浄液ＣＬとイオン液体ＩＬとの間にエア溜まりＡＰが形成される。その結果、洗浄液ＣＬのイオン液体ＩＬへの混入を抑制できる。
【0152】
また、イオン液体ＩＬの一部は、濃度測定用ノズル７４０に吸い上げられる。そこで、濃度測定用ノズル７４０により吸い上げられたイオン液体ＩＬに対して各種の測定を行うことで、該イオン液体ＩＬの濃度を確認できる。該イオン液体ＩＬの濃度は、洗浄液ＣＬが混入している場合と混入していない場合とで異なる値を示す。そこで、該イオン液体ＩＬの濃度を確認することで、イオン液体ＩＬに対する洗浄液ＣＬの混入の有無を確認できる。
【0153】
続いて、図２０の（ｄ）図に示されるように、制御部７９０は、スリットノズル７２５をステージ７１０に載置されたウエハＷの上方において水平方向に移動させながら、スリットノズル７２５からウエハＷに向けてイオン液体ＩＬを吐出する。これにより、ステージ７１０に載置されたウエハＷ上にイオン液体ＩＬが塗布される。
【0154】
以上に説明したように、第１変形例のスリットコータ７００によれば、スリットノズル７２５から吐出する液体材料を洗浄液ＣＬからイオン液体ＩＬに切り替える際に、洗浄液ＣＬとイオン液体ＩＬとが接触することを抑制できる。その結果、洗浄液ＣＬからイオン液体ＩＬに切り替えた後にイオン液体ＩＬの濃度が不安定になることを抑制できる。
【0155】
【0156】
スリットコータ８００は、ステージ８１０、液体供給部８２０、サブステージ８３０、濃度測定用ノズル８４０、ステージ接地回路８５０、ノズル位置調整部８６０及び制御部８９０を含む。
【0157】
ステージ８１０、液体供給部８２０、サブステージ８３０、濃度測定用ノズル８４０及び制御部８９０は、スリットコータ７００におけるステージ７１０、液体供給部７２０、サブステージ７３０、濃度測定用ノズル７４０及び制御部７９０と同じ構成であってよい。
【0158】
ステージ８１０は、ウエハＷを略水平の状態で載置する。ステージ８１０は、駆動機構８１１により回転する回転軸８１２の上端に接続されており、回転可能に構成される。ステージ８１０の下方の周囲には、上方側が開口する液受け部８１３が設けられている。液受け部８１３は、ウエハＷからこぼれ落ちたり、振り切られたりする液体材料等を受け止める。
【0159】
液体供給部８２０は、イオン液体供給源８２１、イオン液体供給配管８２２、洗浄液供給源８２３、洗浄液供給配管８２４及びスリットノズル８２５を含む。スリットノズル８２５は、本体８２５ａ、外皮８２５ｂ、イオン液体供給口８２５ｃ、洗浄液供給口８２５ｄ、イオン液体流路８２５ｅ及び洗浄液流路８２５ｆを有する。
【0160】
サブステージ８３０の上面には、イオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬが塗布される領域に開口８３１ａを有する板状部材８３１が設けられている。
【0161】
ステージ接地回路８５０は、電源８５１、電流計８５２及び配線８５３を含む。
【0162】
電源８５１は、配線８５３を介して、イオン液体供給配管８２２とステージ８１０との間に直流（ＤＣ）電圧を印加する。これにより、イオン液体供給配管８２２からイオン液体ＩＬを介してステージ８１０に微小電流が流れる。また、電源８５１は、配線８５３を介して、イオン液体供給配管８２２とサブステージ８３０との間にＤＣ電圧を印加する。これにより、イオン液体供給配管８２２からイオン液体ＩＬを介してサブステージ８３０に微小電流が流れる。なお、電源８５１は、ＤＣ電圧に交流（ＡＣ）成分を重畳させてもよい。
【0163】
電流計８５２は、配線８５３に介設されている。電流計８５２は、イオン液体供給配管８２２からイオン液体ＩＬを介してステージ８１０に流れる微小電流を計測する。該微小電流の値は、ステージ８１０に載置されたウエハＷ上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ１の容積に応じて変化する。そのため、電流計８５２が計測する微小電流の値を監視することで、ウエハＷ上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ１の容積を把握できる。また、電流計８５２は、イオン液体供給配管８２２からイオン液体ＩＬを介してサブステージ８３０に流れる微小電流を計測する。該微小電流の値は、サブステージ８３０上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ２の容積に応じて変化する。そのため、電流計８５２が計測する微小電流の値を監視することで、サブステージ８３０上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ２の容積を把握できる。
【0164】
配線８５３は、電源８５１と、イオン液体供給配管８２２、ステージ８１０及びサブステージ８３０とを電気的に接続する。
【0165】
ノズル位置調整部８６０は、電流計８５２の計測値に基づいて、ステージ８１０に載置されたウエハＷ上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ１の容積が一定となるように、スリットノズル８２５の高さ位置を制御する。また、ノズル位置調整部８６０は、電流計８５２の計測値に基づいて、サブステージ８３０上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ２の容積が一定となるように、スリットノズル８２５の高さ位置を制御する。また、ノズル位置調整部８６０は、電源８５１が印加したＤＣ電圧と電流計８５２が計測した微小電流とに基づき算出されるイオン液体ＩＬの抵抗値に基づいて、スリットノズル８２５の高さ位置を制御してもよい。ノズル位置調整部８６０は、フィードバック制御回路８６１及びアクチュエータ８６２を含む。
【0166】
フィードバック制御回路８６１は、電流計８５２の計測値に基づいて、アクチュエータ８６２を制御する。例えば、フィードバック制御回路８６１は、電流計８５２の計測値が一定となるようにアクチュエータ８６２を制御する。これにより、ウエハＷの上面とスリットノズル８２５の先端との間の距離を略一定に維持できる。また、サブステージ８３０の上面とスリットノズル８２５の先端との間の距離を略一定に維持できる。なお、フィードバック制御回路８６１は、制御部８９０に含まれていてもよい。
【0167】
アクチュエータ８６２は、フィードバック制御回路８６１からの信号に基づいて、スリットノズル８２５を昇降させる。
【0168】
以上に説明したように、第２変形例のスリットコータ８００によれば、ノズル位置調整部８６０が、電流計８５２の計測値に基づいて、ステージ８１０に載置されたウエハＷ上の液盛部Ｔ１の容積が一定となるように、スリットノズル８２５の高さ位置を制御する。これにより、ウエハＷの上面とスリットノズル８２５の先端との間の距離を略一定に維持した状態で、スリットノズル８２５からウエハＷ上にイオン液体ＩＬを塗布できる。その結果、ウエハＷ上に塗布されるイオン液体ＩＬの厚さの面内均一性が向上する。
【0169】
また、第２変形例のスリットコータ８００によれば、ノズル位置調整部８６０が、電流計８５２の計測値に基づいて、サブステージ８３０上の液盛部Ｔ２の容積が一定となるように、スリットノズル８２５の高さ位置を制御する。これにより、サブステージ８３０の上面とスリットノズル８２５の先端との間の距離を略一定に維持した状態で、スリットノズル８２５からサブステージ８３０上にイオン液体ＩＬを塗布できる。
【0170】
また、第２変形例のスリットコータ８００によれば、イオン液体供給配管８２２とステージ８１０との間にＤＣ電圧を印加する電源８５１を有する。これにより、スリットノズル８２５からメッキ用途のイオン液体ＩＬを供給しながら、電源８５１によりイオン液体供給配管８２２とステージ８１９との間にＤＣ電圧を印加することにより、スリットコータ８００を用いて電解メッキを行うことができる。
【0171】
【0172】
スリットコータ９００は、ステージ９１０、液体供給部９２０、サブステージ９３０、濃度測定用ノズル９４０、外皮接地回路９５０、ノズル位置調整部９６０及び制御部９９０を含む。
【0173】
ステージ９１０、液体供給部９２０、サブステージ９３０、濃度測定用ノズル９４０及び制御部９９０は、スリットコータ７００におけるステージ７１０、液体供給部７２０、サブステージ７３０、濃度測定用ノズル７４０及び制御部７９０と同じ構成であってよい。
【0174】
ステージ９１０は、ウエハＷを略水平の状態で載置する。ステージ９１０は、駆動機構９１１により回転する回転軸９１２の上端に接続されており、回転可能に構成される。ステージ９１０の下方の周囲には、上方側が開口する液受け部９１３が設けられている。液受け部９１３は、ウエハＷからこぼれ落ちたり、振り切られたりする液体材料等を受け止める。
【0175】
液体供給部９２０は、イオン液体供給源９２１、イオン液体供給配管９２２、洗浄液供給源９２３、洗浄液供給配管９２４及びスリットノズル９２５を含む。スリットノズル９２５は、本体９２５ａ、外皮９２５ｂ、イオン液体供給口９２５ｃ、洗浄液供給口９２５ｄ、イオン液体流路９２５ｅ及び洗浄液流路９２５ｆを有する。
【0176】
サブステージ９３０の上面には、イオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬが塗布される領域に開口９３１ａを有する板状部材９３１が設けられている。
【0177】
外皮接地回路９５０は、電源９５１、電流計９５２及び配線９５３を含む。
【0178】
電源９５１は、配線９５３を介して、イオン液体供給配管９２２と外皮９２５ｂとの間にＤＣ電圧を印加する。これにより、イオン液体供給配管９２２からイオン液体ＩＬを介して外皮９２５ｂに微小電流が流れる。なお、電源９５１は、ＤＣ電圧にＡＣ成分を重畳させてもよい。
【0179】
電流計９５２は、配線９５３に介設されている。電流計９５２は、イオン液体供給配管９２２からイオン液体ＩＬを介して外皮９２５ｂに流れる微小電流を計測する。該微小電流の値は、ステージ９１０に載置されたウエハＷ上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ１の容積に応じて変化する。そのため、電流計９５２が計測する微小電流の値を監視することで、ウエハＷ上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ１の容積を把握できる。また、該微小電流の値は、サブステージ９３０上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ２の容積に応じて変化する。そのため、電流計９５２が計測する微小電流の値を監視することで、サブステージ９３０上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ２の容積を把握できる。
【0180】
配線９５３は、電源９５１と、イオン液体供給配管９２２及び外皮９２５ｂとを電気的に接続する。
【0181】
ノズル位置調整部９６０は、電流計９５２の計測値に基づいて、ステージ９１０に載置されたウエハＷ上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ１の容積が一定となるように、スリットノズル９２５の高さ位置を制御する。また、ノズル位置調整部９６０は、電流計９５２の計測値に基づいて、サブステージ９３０上でイオン液体ＩＬが形成する液盛部Ｔ２の容積が一定となるように、スリットノズル９２５の高さ位置を制御する。また、ノズル位置調整部９６０は、電源９５１が印加したＤＣ電圧と電流計９５２が計測した微小電流とに基づき算出されるイオン液体ＩＬの抵抗値に基づいて、スリットノズル９２５の高さ位置を制御してもよい。ノズル位置調整部９６０は、フィードバック制御回路９６１及びアクチュエータ９６２を含む。
【0182】
フィードバック制御回路９６１は、電流計９５２の計測値に基づいて、アクチュエータ９６２を制御する。例えば、フィードバック制御回路９６１は、電流計９５２の計測値が一定となるようにアクチュエータ９６２を制御する。これにより、ウエハＷの上面とスリットノズル９２５の先端との間の距離を略一定に維持できる。また、サブステージ９３０の上面とスリットノズル９２５の先端との間の距離を略一定に維持できる。なお、フィードバック制御回路９６１は、制御部９９０に含まれていてもよい。
【0183】
アクチュエータ９６２は、フィードバック制御回路９６１からの信号に基づいて、スリットノズル９２５を昇降させる。
【0184】
以上に説明したように、第３変形例のスリットコータ９００によれば、ノズル位置調整部９６０が、電流計９５２の計測値に基づいて、ステージ９１０に載置されたウエハＷ上の液盛部Ｔ１の容積が一定となるように、スリットノズル９２５の高さ位置を制御する。これにより、ウエハＷの上面とスリットノズル９２５の先端との間の距離を略一定に維持した状態で、スリットノズル９２５からウエハＷ上にイオン液体ＩＬを塗布できる。その結果、ウエハＷ上に塗布されるイオン液体ＩＬの厚さの面内均一性が向上する。
【0185】
また、第３変形例のスリットコータ９００によれば、ノズル位置調整部９６０が、電流計９５２の計測値に基づいて、サブステージ９３０上の液盛部Ｔ２の容積が一定となるように、スリットノズル９２５の高さ位置を制御する。これにより、サブステージ９３０の上面とスリットノズル９２５の先端との間の距離を略一定に維持した状態で、スリットノズル９２５からサブステージ９３０上にイオン液体ＩＬを塗布できる。
【0186】
【0187】
スリットコータ１０００は、ステージ１０１０、端部液体供給部１０２０及び制御部１０９０を含む。
【0188】
ステージ１０１０及び制御部１０９０は、スリットコータ７００におけるステージ７０１及び制御部７９０と同じ構成であってよい。
【0189】
ステージ１０１０は、ウエハＷを略水平の状態で載置する。ステージ１０１０は、駆動機構１０１１により回転する回転軸１０１２の上端に接続されており、回転可能に構成される。ステージ１０１０の下方の周囲には、上方側が開口する液受け部１０１３が設けられている。液受け部１０１３は、ウエハＷからこぼれ落ちたり、振り切られたりする液体材料等を受け止める。
【0190】
端部液体供給部１０２０は、ウエハＷの端部に液体材料を塗布する。端部液体供給部１０２０は、イオン液体供給源１０２１、イオン液体供給配管１０２２、洗浄液供給源１０２３、洗浄液供給配管１０２４及びスリットノズル１０２５を含む。
【0191】
イオン液体供給源１０２１、イオン液体供給配管１０２２、洗浄液供給源１０２３及び洗浄液供給配管１０２４は、イオン液体供給源７２１、イオン液体供給配管７２２、洗浄液供給源７２３及び洗浄液供給配管７２４と同じ構成であってよい。
【0192】
スリットノズル１０２５は、ウエハＷの側方において、ウエハＷに接近する位置とウエハＷから離間する位置との間で移動可能に構成されている。スリットノズル１０２５は、ウエハＷに接近する位置に移動することにより、ステージ１０１０に載置されたウエハＷの端部にイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬを供給する。スリットノズル１０２５は、本体１０２５ａ、外皮１０２５ｂ、イオン液体供給口１０２５ｃ、洗浄液供給口１０２５ｄ、イオン液体流路１０２５ｅ及び洗浄液流路１０２５ｆを含む。
【0193】
本体１０２５ａ、外皮１０２５ｂ、イオン液体供給口１０２５ｃ、洗浄液供給口１０２５ｄ、イオン液体流路１０２５ｅ及び洗浄液流路１０２５ｆは、スリットノズル７２５における本体７２５ａ、外皮７２５ｂ、イオン液体供給口７２５ｃ、洗浄液供給口７２５ｄ、イオン液体流路７２５ｅ及び洗浄液流路７２５ｆと同じ構成であってよい。
【0194】
なお、スリットノズル１０２５は、ウエハＷの上方を水平方向に移動することにより、ステージ１０１０に載置されたウエハＷの表面にイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬを供給でるように構成されていてもよい。
【0195】
図２６を参照し、第４変形例のスリットコータ１０００の動作の一例について説明する。図２６は、第４変形例のスリットコータ１０００の動作の一例を示す図であり、ステージ１０１０に載置されたウエハＷの端部にイオン液体ＩＬを塗布する場合の動作の一例を示す。
【0196】
ステージ１０１０に載置されたウエハＷの端部にイオン液体ＩＬを塗布する場合、図２６に示されるように、制御部１０９０は、スリットノズル１０２５をウエハＷに接近する位置に移動させる。続いて、制御部１０９０は、スリットノズル１０２５からウエハＷの端部に向けてイオン液体ＩＬを吐出しながら、駆動機構１０１１により回転軸１０１２を介してステージ１０１０及び該ステージ１０１０に載置されたウエハＷを回転させる。これにより、ステージ１０１０に載置されたウエハＷの端部の全周に亘ってイオン液体ＩＬが塗布される。
【0197】
図２７を参照し、第４変形例のスリットコータ１０００の動作の別の一例について説明する。図２７は、第４変形例のスリットコータ１０００の動作の別の一例を示す図であり、ステージ１０１０に載置されたウエハＷの端部に洗浄液ＣＬを塗布する場合の動作の一例を示す。
【0198】
ステージ１０１０に載置されたウエハＷの端部に洗浄液ＣＬを塗布する場合、図２７に示されるように、制御部１０９０は、スリットノズル１０２５をウエハＷに接近する位置に移動させる。続いて、制御部１０９０は、スリットノズル１０２５からウエハＷの端部に向けて洗浄液ＣＬを吐出しながら、駆動機構１０１１により回転軸１０１２を介してステージ１０１０及び該ステージ１０１０に載置されたウエハＷを回転させる。これにより、ステージ１０１０に載置されたウエハＷの端部の全周に亘って洗浄液ＣＬが塗布される。
【0199】
図２８Ａ～図２８Ｃを参照し、第４変形例のスリットコータ１０００の適用例について説明する。図２８Ａ～図２８Ｃは、第４変形例のスリットコータ１０００の適用例を説明するための図である。以下では、スリットコータ１０００の適用例として、ウエハＷ上に酸化膜を成膜する成膜方法を説明する。
【0200】
まず、図２８Ａに示されるように、スリットコータ１０００により、イオン液体ＩＬをウエハＷの端部に選択的に塗布する（イオン液体塗布工程）。イオン液体ＩＬとしては、後述する成膜工程において用いられるプリカーサの吸着を阻害する元素が表面に配位しているイオン液体を利用できる。該元素としては、例えばフッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、アスタチン（Ａｔ）、テネシン（Ｔｓ）等のハロゲンが挙げられる。
【0201】
続いて、図２８Ｂに示されるように、真空成膜装置（例えば、前述した真空成膜装置１００）により、イオン液体塗布工程において端部にイオン液体ＩＬが塗布されたウエハＷ上に酸化膜Ｏｘを成膜する（成膜工程）。酸化膜Ｏｘを成膜する方法としては、例えば原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法が挙げられる。成膜工程では、ウエハＷの表面にＯ－Ｈ基がある場合、これらに対してプリカーサが吸着することにより酸化膜が堆積するが、前述したハロゲンはウエハＷの表面のＯ－Ｈ基を置換することでプリカーサの吸着を阻害する。そのため、ウエハＷの端部には酸化膜Ｏｘが成膜されない、又は成膜されても僅かである。
【0202】
続いて、スリットコータ１０００により、洗浄液ＣＬをウエハＷの端部に選択的に塗布する（洗浄液塗布工程）。これにより、図２８Ｃに示されるように、ウエハＷの端部に塗布されたイオン液体ＩＬが洗浄液ＣＬによって洗い流される。その結果、ウエハＷ上における端部を除く領域に酸化膜Ｏｘが残存する。このとき、成膜工程において、ウエハＷの端部においてイオン液体ＩＬの上に酸化膜Ｏｘが僅かに成膜されている場合であっても、該酸化膜Ｏｘはイオン液体ＩＬと共に洗い流されて除去される。洗浄液ＣＬは、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を含む半導体洗浄工程に多用される液体材料が好適であるが、それ以外の半導体工程に用いられる洗浄剤（例えばリン酸、フッ酸、塩酸、硝酸等の酸性系洗浄剤あるいは、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）の様なアルカリ系洗浄液）であってもよい。
【0203】
以上に説明した成膜方法によれば、ウエハＷの端部（例えばベベル部）への成膜を防止できるので、ウエハＷの端部からの発塵を抑制できる。
【0204】
なお、図２８Ａ～図２８Ｃの例では、ウエハＷ上に酸化膜Ｏｘを成膜する場合を例に挙げて説明したが、これに限定されない。例えば、ウエハＷ上に窒化膜を成膜する場合にも同様に適用できる。この場合、ハロゲンはウエハＷの表面の、Ｎ－Ｈ基を置換することでプリカーサの吸着を阻害する。
【0205】
また、第４変形例のスリットコータ１０００において、第２変形例のスリットコータ８００におけるステージ接地回路８５０及びノズル位置調整部８６０と同様のステージ接地回路及びノズル位置調整部を設けてもよい。これにより、ウエハＷの端部とスリットノズル１０２５の先端との間の距離を略一定に維持した状態で、スリットノズル１０２５からウエハＷの端部にイオン液体ＩＬを塗布できる。その結果、ウエハＷの端部に塗布されるイオン液体ＩＬの厚さの周方向における均一性が向上する。
【0206】
また、第４変形例のスリットコータ１０００において、第３変形例のスリットコータ９００における外皮接地回路９５０及びノズル位置調整部９６０と同様の外皮接地回路及びノズル位置調整部を設けてもよい。これにより、ウエハＷの端部とスリットノズル１０２５の先端との間の距離を略一定に維持した状態で、スリットノズル１０２５からウエハＷの端部にイオン液体ＩＬを塗布できる。その結果、ウエハＷの端部に塗布されるイオン液体ＩＬの厚さの周方向における均一性が向上する。
【0207】
【0208】
スリットコータ１１００は、ステージ１１１０、端部液体供給部１１２０、サブステージ１１３０、濃度測定用ノズル１１４０及び制御部１１９０を含む。
【0209】
ステージ１１１０及び制御部１１９０は、スリットコータ７００におけるステージ７１０及び制御部７９０と同じ構成であってよい。
【0210】
ステージ１１１０は、ウエハＷを略水平の状態で載置する。ステージ１１１０は、駆動機構１１１１により回転する回転軸１１１２の上端に接続されており、回転可能に構成される。ステージ１１１０の下方の周囲には、上方側が開口する液受け部１１１３が設けられている。液受け部１１１３は、ウエハＷからこぼれ落ちたり、振り切られたりする液体材料等を受け止める。
【0211】
端部液体供給部１１２０は、ウエハＷの端部に液体材料を塗布する。端部液体供給部１１２０は、イオン液体供給源１１２１、イオン液体供給配管１１２２、洗浄液供給源１１２３、洗浄液供給配管１１２４及びスリットノズル１１２５を含む。イオン液体供給源１１２１、イオン液体供給配管１１２２、洗浄液供給源１１２３、洗浄液供給配管１１２４及びスリットノズル１１２５は、スリットコータ１０００におけるイオン液体供給源１０２１、イオン液体供給配管１０２２、洗浄液供給源１０２３、洗浄液供給配管１０２４及びスリットノズル１０２５と同じ構成であってよい。
【0212】
スリットノズル１１２５は、本体１１２５ａ、外皮１１２５ｂ、イオン液体供給口１１２５ｃ、洗浄液供給口１１２５ｄ、イオン液体流路１１２５ｅ及び洗浄液流路１１２５ｆを含む。本体１１２５ａ、外皮１１２５ｂ、イオン液体供給口１１２５ｃ、洗浄液供給口１１２５ｄ、イオン液体流路１１２５ｅ及び洗浄液流路１１２５ｆは、スリットノズル７２５における本体７２５ａ、外皮７２５ｂ、イオン液体供給口７２５ｃ、洗浄液供給口７２５ｄ、イオン液体流路７２５ｅ及び洗浄液流路７２５ｆと同じ構成であってよい。
【0213】
サブステージ１１３０は、ステージ１１１０とは別に、端部液体供給部１１２０によりイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬの塗布が可能な位置に設けられている。サブステージ１１３０は、塗布位置と退避位置との間で移動可能に構成される。塗布位置は、スリットノズル１１２５がウエハＷから離間する位置に移動したときに、スリットノズル１１２５がサブステージ１１３０の塗布面に液体材料を塗布可能な位置である。退避位置は、スリットノズル１１２５がウエハＷに接近する位置とウエハＷから離間する位置との間で移動する際に、スリットノズル１１２５と接触しない位置である。なお、図２９では、サブステージ１１３０が退避位置に移動している状態を示す。サブステージ１１３０の塗布面には、イオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬが塗布される領域に開口１１３１ａを有する板状部材１１３１が設けられている。サブステージ１１３０は、加熱手段や冷却手段によって塗布面の温度を調整できるようになっている。加熱手段は、例えばサブステージ１１３０の内部に埋め込まれたヒータであってよい。冷却手段は、例えばサブステージ１１３０の内部に形成された冷媒流路であってよい。
【0214】
濃度測定用ノズル１１４０は、例えば管状部材により形成されている。濃度測定用ノズル１１４０は、一端がサブステージ１１３０の塗布面に塗布されたイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬと接触する位置に設けられている。これにより、端部液体供給部１１２０によりサブステージ１１３０の塗布面にイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬが塗布されると、塗布されたイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬの一部が管状部材の一端から吸い上げられる。すなわち、濃度測定用ノズル１１４０により、端部液体供給部１１２０によりサブステージ１１３０の塗布面に塗布されたイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬの一部を回収できる。濃度測定用ノズル１１４０により回収されたイオン液体ＩＬ及び洗浄液ＣＬに対して各種の測定を行うことで、該イオン液体ＩＬ及び該洗浄液ＣＬの濃度を確認できる。各種の測定としては、例えば比抵抗の測定、クロマトグラフィーによる測定、光学的測定（例えばＦＴ－ＩＲ）が挙げられる。また、メッキ用途のイオン液体ＩＬの場合には、各種の測定として、例えば比色測定、非接触での導電率測定が挙げられる。
【0215】
図３０及び図３１を参照し、第５変形例のスリットコータ１１００の動作の一例について説明する。図３０及び図３１は、第５変形例のスリットコータ１１００の動作の一例を示す図であり、ステージ１１１０に載置されたウエハＷの端部にイオン液体ＩＬを塗布した後にイオン液体ＩＬの濃度を測定する場合の動作の一例を示す。
【0216】
まず、図３０に示されるように、制御部１１９０は、スリットノズル１１２５をウエハＷに接近する位置に移動させる。続いて、制御部１１９０は、スリットノズル１１２５からウエハＷの端部に向けてイオン液体ＩＬを吐出しながら、駆動機構１１１１により回転軸１１１２を介してステージ１１１０及び該ステージ１１１０に載置されたウエハＷを回転させる。これにより、ステージ１１１０に載置されたウエハＷの端部の全周に亘ってイオン液体ＩＬが塗布される。
【0217】
続いて、図３１に示されるように、制御部１１９０は、スリットノズル１１２５をウエハＷから離間する位置に移動させると共に、サブステージ１１３０を退避位置から塗布位置に移動させる。また、制御部１１９０は、スリットノズル１１２５からサブステージ１１３０に向けてイオン液体ＩＬを吐出する。これにより、サブステージ１１３０上にイオン液体ＩＬが塗布される。
【0218】
このとき、サブステージ１１３０に吐出されたイオン液体ＩＬは、一部が濃度測定用ノズル１１４０により吸い上げられる。そこで、濃度測定用ノズル１１４０により吸い上げられたイオン液体ＩＬに対して各種の測定を行うことで、該イオン液体ＩＬの濃度を確認できる。
【0219】
また、イオン液体ＩＬの濃度を確認する場合、イオン液体ＩＬの表面張力（粘性）を小さくして濃度測定を実施しやすくするために、サブステージ１１３０の温度を調整することが好ましい。
【0220】
また、第５変形例のスリットコータ１１００において、第２変形例のスリットコータ８００におけるステージ接地回路８５０及びノズル位置調整部８６０と同様のステージ接地回路及びノズル位置調整部を設けてもよい。これにより、ウエハＷの端部とスリットノズル１１２５の先端との間の距離を略一定に維持した状態で、スリットノズル１１２５からウエハＷの端部にイオン液体ＩＬを塗布できる。その結果、ウエハＷの端部に塗布されるイオン液体ＩＬの厚さの周方向における均一性が向上する。
【0221】
また、第５変形例のスリットコータ１１００において、第３変形例のスリットコータ９００における外皮接地回路９５０及びノズル位置調整部９６０と同様の外皮接地回路及びノズル位置調整部を設けてもよい。これにより、ウエハＷの端部とスリットノズル１１２５の先端との間の距離を略一定に維持した状態で、スリットノズル１１２５からウエハＷの端部にイオン液体ＩＬを塗布できる。その結果、ウエハＷの端部に塗布されるイオン液体ＩＬの厚さの周方向における均一性が向上する。
【0222】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
【0223】
上記の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する工程と、
前記保護膜が形成された前記基板を大気搬送する工程と、
大気搬送された前記基板から前記保護膜を除去する工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記保護膜を形成する工程は、大気中で行われる、
付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）
前記保護膜を形成する工程は、真空中で行われる、
付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）
前記保護膜を除去する工程は、真空中で行われる、
付記１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）
前記保護膜を除去する工程の後に行われる工程であり、前記基板を大気に晒すことなく真空中で前記基板の上に膜を形成する工程を更に有する、
付記４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）
前記保護膜を除去する工程は、大気中で行われる、
付記１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）
前記保護膜を除去する工程の後に行われる工程であり、大気中で前記基板の上に膜を形成する工程を更に有する、
付記６に記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記膜を形成する工程では、メッキ法により前記膜を形成する、
付記７に記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
前記保護膜を形成する工程の前に、前記基板に発生した酸化物を除去する工程を更に有する、
付記１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）
前記酸化物を除去する工程は、大気中で行われる、
付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１）
前記酸化物を除去する工程は、フッ化水素（ＨＦ）を含む薬液により前記酸化物を除去する工程を含む、
付記１０に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２）
前記酸化物を除去する工程は、真空中で行われる、
付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１３）
前記酸化物を除去する工程は、
前記基板にハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスとを含有する混合ガスを供給して前記酸化物を変質させて反応生成物を生成する工程と、
前記反応生成物を除去する工程と、
を含む、
付記１２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１４）
前記イオン液体は、環境因子により物性が変化する、
付記１乃至１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１５）
前記環境因子は、温度を含む、
付記１４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１６）
前記物性は、粘性及び密着性の少なくとも１つを含む、
付記１４又は１５に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１７）
前記イオン液体は、真空中で蒸発しない性質を有する、
付記１乃至１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１８）
前記基板は、表面に導電材料が露出した領域を有する、
付記１乃至１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１９）
基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する第１の処理モジュールと、
前記基板の上に形成された前記保護膜を除去する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールとの間で前記基板を大気搬送する搬送モジュールと、
を備える、半導体製造装置。
（付記２０）
基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する第１の処理装置と、
前記基板の上に形成された前記保護膜を除去する第２の処理装置と、
前記第１の処理装置と前記第２の処理装置との間で前記基板を大気搬送する搬送装置と、
を備える、システム。
（付記２１）
基板を載置するステージと、
前記ステージに載置された前記基板の表面に液体材料を塗布する液体供給部と、
を有し、
前記液体供給部は、イオン液体を吐出するイオン液体流路と、洗浄液を吐出する洗浄液流路とを含む、
塗布装置。
（付記２２）
前記洗浄液流路は、前記イオン液体流路の周囲に設けられている、
付記２１に記載の塗布装置。
（付記２３）
前記ステージとは別に、前記液体供給部により前記液体材料の塗布が可能な位置に設けられたサブステージを更に有する、
付記２１又は２２に記載の塗布装置。
（付記２４）
前記サブステージは、前記液体材料が塗布される面の温度が調整可能である、
付記２３に記載の塗布装置。
（付記２５）
前記サブステージに塗布された前記液体材料の一部を回収する濃度測定用ノズルを更に有する、
付記２３又は２４に記載の塗布装置。
（付記２６）
前記濃度測定用ノズルは、管状部材により形成されており、該管状部材は、一端が前記サブステージに塗布された前記液体材料と接触する位置に設けられている、
付記２５に記載の塗布装置。
（付記２７）
前記液体供給部により前記ステージに載置された前記基板の表面に塗布された前記液体材料の抵抗値を測定する測定部を更に有する、
付記２１乃至２６のいずれか一項に記載の塗布装置。
（付記２８）
前記測定部が測定した前記抵抗値に基づいて、前記液体供給部の高さ位置を制御する位置調整部を更に有する、
付記２７に記載の塗布装置。
（付記２９）
前記位置調整部は、前記測定部が測定した前記抵抗値が一定となるように前記液体供給部の高さ位置を制御する、
付記２８に記載の塗布装置。
（付記３０）
前記位置調整部は、
前記液体供給部を昇降させるアクチュエータと、
前記測定部が測定した前記抵抗値に基づいて前記アクチュエータを制御するフィードバック制御回路と、
を含む、
付記２８又は２９に記載の塗布装置。
（付記３１）
基板を載置する回転可能なステージと、
前記ステージに載置された前記基板の端部に液体材料を塗布する端部液体供給部と、
を有し、
前記端部液体供給部は、イオン液体を吐出するイオン液体流路と、洗浄液を吐出する洗浄液流路とを含む、
塗布装置。
（付記３２）
前記洗浄液流路は、前記イオン液体流路の周囲に設けられている、
付記３１に記載の塗布装置。
（付記３３）
前記ステージとは別に、前記端部液体供給部により前記液体材料の塗布が可能な位置に設けられたサブステージを更に有する、
付記３１又は３２に記載の塗布装置。
（付記３４）
前記サブステージは、前記液体材料が塗布される面の温度が調整可能である、
付記３３に記載の塗布装置。
（付記３５）
前記サブステージに塗布された前記液体材料の一部を回収する濃度測定用ノズルを更に有する、
付記３３又は３４に記載の塗布装置。
（付記３６）
前記濃度測定用ノズルは、管状部材により形成されており、該管状部材は、一端が前記サブステージに塗布された前記液体材料と接触する位置に設けられている、
付記３５に記載の塗布装置。
（付記３７）
前記端部液体供給部により前記ステージに載置された前記基板の表面に塗布された前記液体材料の抵抗値を測定する測定部を更に有する、
付記３１乃至３６のいずれか一項に記載の塗布装置。
（付記３８）
前記測定部が測定した前記抵抗値に基づいて、前記端部液体供給部の高さ位置を制御する位置調整部を更に有する、
付記３７に記載の塗布装置。
（付記３９）
前記位置調整部は、前記測定部が測定した前記抵抗値が一定となるように前記端部液体供給部の高さ位置を制御する、
付記３８に記載の塗布装置。
（付記４０）
前記位置調整部は、
前記端部液体供給部を昇降させるアクチュエータと、
前記測定部が測定した前記抵抗値に基づいて前記アクチュエータを制御するフィードバック制御回路と、
を含む、
付記３８又は３９に記載の塗布装置。
（付記４１）
イオン液体を基板の端部に選択的に塗布する工程と、
前記端部に前記イオン液体が塗布された前記基板にプリカーサを供給して酸化膜又は窒化膜を成膜する工程と、
前記酸化膜又は前記窒化膜が成膜された前記基板の端部に前記イオン液体を除去する洗浄液を選択的に塗布する工程と、
を有し、
前記イオン液体は、前記プリカーサの吸着を阻害する元素を含む、
半導体装置の製造方法。
（付記１）
基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する工程と、
前記保護膜が形成された前記基板を大気搬送する工程と、
大気搬送された前記基板から前記保護膜を除去する工程と、
を有する、半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記保護膜を形成する工程は、大気中で行われる、
付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）
前記保護膜を形成する工程は、真空中で行われる、
付記１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記４）
前記保護膜を除去する工程は、真空中で行われる、
付記１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記５）
前記保護膜を除去する工程の後に行われる工程であり、前記基板を大気に晒すことなく真空中で前記基板の上に膜を形成する工程を更に有する、
付記４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記６）
前記保護膜を除去する工程は、大気中で行われる、
付記１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記７）
前記保護膜を除去する工程の後に行われる工程であり、大気中で前記基板の上に膜を形成する工程を更に有する、
付記６に記載の半導体装置の製造方法。
（付記８）
前記膜を形成する工程では、メッキ法により前記膜を形成する、
付記７に記載の半導体装置の製造方法。
（付記９）
前記保護膜を形成する工程の前に、前記基板に発生した酸化物を除去する工程を更に有する、
付記１乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１０）
前記酸化物を除去する工程は、大気中で行われる、
付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１１）
前記酸化物を除去する工程は、フッ化水素（ＨＦ）を含む薬液により前記酸化物を除去する工程を含む、
付記１０に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２）
前記酸化物を除去する工程は、真空中で行われる、
付記９に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１３）
前記酸化物を除去する工程は、
前記基板にハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスとを含有する混合ガスを供給して前記酸化物を変質させて反応生成物を生成する工程と、
前記反応生成物を除去する工程と、
を含む、
付記１２に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１４）
前記イオン液体は、環境因子により物性が変化する、
付記１乃至１３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１５）
前記環境因子は、温度を含む、
付記１４に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１６）
前記物性は、粘性及び密着性の少なくとも１つを含む、
付記１４又は１５に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１７）
前記イオン液体は、真空中で蒸発しない性質を有する、
付記１乃至１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１８）
前記基板は、表面に導電材料が露出した領域を有する、
付記１乃至１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１９）
基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する第１の処理モジュールと、
前記基板の上に形成された前記保護膜を除去する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールとの間で前記基板を大気搬送する搬送モジュールと、
を備える、半導体製造装置。
（付記２０）
基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する第１の処理装置と、
前記基板の上に形成された前記保護膜を除去する第２の処理装置と、
前記第１の処理装置と前記第２の処理装置との間で前記基板を大気搬送する搬送装置と、
を備える、システム。
（付記２１）
基板を載置するステージと、
前記ステージに載置された前記基板の表面に液体材料を塗布する液体供給部と、
を有し、
前記液体供給部は、イオン液体を吐出するイオン液体流路と、洗浄液を吐出する洗浄液流路とを含む、
塗布装置。
（付記２２）
前記洗浄液流路は、前記イオン液体流路の周囲に設けられている、
付記２１に記載の塗布装置。
（付記２３）
前記ステージとは別に、前記液体供給部により前記液体材料の塗布が可能な位置に設けられたサブステージを更に有する、
付記２１又は２２に記載の塗布装置。
（付記２４）
前記サブステージは、前記液体材料が塗布される面の温度が調整可能である、
付記２３に記載の塗布装置。
（付記２５）
前記サブステージに塗布された前記液体材料の一部を回収する濃度測定用ノズルを更に有する、
付記２３又は２４に記載の塗布装置。
（付記２６）
前記濃度測定用ノズルは、管状部材により形成されており、該管状部材は、一端が前記サブステージに塗布された前記液体材料と接触する位置に設けられている、
付記２５に記載の塗布装置。
（付記２７）
前記液体供給部により前記ステージに載置された前記基板の表面に塗布された前記液体材料の抵抗値を測定する測定部を更に有する、
付記２１乃至２６のいずれか一項に記載の塗布装置。
（付記２８）
前記測定部が測定した前記抵抗値に基づいて、前記液体供給部の高さ位置を制御する位置調整部を更に有する、
付記２７に記載の塗布装置。
（付記２９）
前記位置調整部は、前記測定部が測定した前記抵抗値が一定となるように前記液体供給部の高さ位置を制御する、
付記２８に記載の塗布装置。
（付記３０）
前記位置調整部は、
前記液体供給部を昇降させるアクチュエータと、
前記測定部が測定した前記抵抗値に基づいて前記アクチュエータを制御するフィードバック制御回路と、
を含む、
付記２８又は２９に記載の塗布装置。
（付記３１）
基板を載置する回転可能なステージと、
前記ステージに載置された前記基板の端部に液体材料を塗布する端部液体供給部と、
を有し、
前記端部液体供給部は、イオン液体を吐出するイオン液体流路と、洗浄液を吐出する洗浄液流路とを含む、
塗布装置。
（付記３２）
前記洗浄液流路は、前記イオン液体流路の周囲に設けられている、
付記３１に記載の塗布装置。
（付記３３）
前記ステージとは別に、前記端部液体供給部により前記液体材料の塗布が可能な位置に設けられたサブステージを更に有する、
付記３１又は３２に記載の塗布装置。
（付記３４）
前記サブステージは、前記液体材料が塗布される面の温度が調整可能である、
付記３３に記載の塗布装置。
（付記３５）
前記サブステージに塗布された前記液体材料の一部を回収する濃度測定用ノズルを更に有する、
付記３３又は３４に記載の塗布装置。
（付記３６）
前記濃度測定用ノズルは、管状部材により形成されており、該管状部材は、一端が前記サブステージに塗布された前記液体材料と接触する位置に設けられている、
付記３５に記載の塗布装置。
（付記３７）
前記端部液体供給部により前記ステージに載置された前記基板の表面に塗布された前記液体材料の抵抗値を測定する測定部を更に有する、
付記３１乃至３６のいずれか一項に記載の塗布装置。
（付記３８）
前記測定部が測定した前記抵抗値に基づいて、前記端部液体供給部の高さ位置を制御する位置調整部を更に有する、
付記３７に記載の塗布装置。
（付記３９）
前記位置調整部は、前記測定部が測定した前記抵抗値が一定となるように前記端部液体供給部の高さ位置を制御する、
付記３８に記載の塗布装置。
（付記４０）
前記位置調整部は、
前記端部液体供給部を昇降させるアクチュエータと、
前記測定部が測定した前記抵抗値に基づいて前記アクチュエータを制御するフィードバック制御回路と、
を含む、
付記３８又は３９に記載の塗布装置。
（付記４１）
イオン液体を基板の端部に選択的に塗布する工程と、
前記端部に前記イオン液体が塗布された前記基板にプリカーサを供給して酸化膜又は窒化膜を成膜する工程と、
前記酸化膜又は前記窒化膜が成膜された前記基板の端部に前記イオン液体を除去する洗浄液を選択的に塗布する工程と、
を有し、
前記イオン液体は、前記プリカーサの吸着を阻害する元素を含む、
半導体装置の製造方法。
【0224】
本国際出願は、２０２０年４月２８日に出願した日本国特許出願第２０２０－０７９７０５号及び２０２０年１２月２２日に出願した日本国特許出願第２０２０－２１２８８０号に基づく優先権を主張するものであり、当該出願の全内容を本国際出願に援用する。
【符号の説明】
【0225】
１０ 基板
１４ 保護膜
１４ 保護膜
【図1】
【図2A】
【図2B】
【図2C】
【図2D】
【図2E】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15A】
【図15B】
【図15C】
【図15D】
【図15E】
【図15F】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28A】
【図28B】
【図28C】
【図29】
【図30】
【図31】
【手続補正書】
【提出日】2024-07-04
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する第１の処理モジュールと、
前記基板の上に形成された前記保護膜を除去する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールとの間で前記基板を大気搬送する搬送モジュールと、
を備え、
前記第２の処理モジュールは、前記基板を加熱することにより前記イオン液体を相転移させ、前記基板に物理的操作を行うことにより前記保護膜を除去するよう構成される、
半導体製造装置。
前記基板の上に形成された前記保護膜を除去する第２の処理モジュールと、
前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールとの間で前記基板を大気搬送する搬送モジュールと、
を備え、
前記第２の処理モジュールは、前記基板を加熱することにより前記イオン液体を相転移させ、前記基板に物理的操作を行うことにより前記保護膜を除去するよう構成される、
半導体製造装置。
【請求項2】
前記物理的操作は、前記基板の移動を含む、
請求項１に記載の半導体製造装置。
請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項3】
前記基板の移動は、前記基板の水平移動である、
請求項２に記載の半導体製造装置。
請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項4】
前記物理的操作は、前記基板の回転を含む、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項5】
前記物理的操作は、前記基板の傾斜を含む、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項6】
前記イオン液体は、環境因子により物性が変化する、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項7】
前記環境因子は、温度を含む、
請求項６に記載の半導体製造装置。
請求項６に記載の半導体製造装置。
【請求項8】
前記物性は、粘性及び密着性の少なくとも１つを含む、
請求項６又は７に記載の半導体製造装置。
請求項６又は７に記載の半導体製造装置。
【請求項9】
前記イオン液体は、トリブチルヘキサデシルホスホニウム３－（トリメチルシリル）－１－プロパンスルホネート（ＢＨＤＰ・ＤＳＳ）、又はＮ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ（２－メトキシエチル）アンモニウムテトラフルオロボラート（ＤＥＭＥ・ＢＦ
４
）である、
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項10】
基板を加熱することにより前記基板の上に形成させたイオン液体を含む保護膜を相転移させ、前記基板に物理的操作を行うことにより前記保護膜を除去するよう構成される、処理モジュール。
【請求項11】
前記物理的操作は、前記基板の移動を含む、
請求項１０に記載の処理モジュール。
請求項１０に記載の処理モジュール。
【請求項12】
前記基板の移動は、前記基板の水平移動である、
請求項１１に記載の処理モジュール。
請求項１１に記載の処理モジュール。
【請求項13】
前記物理的操作は、前記基板の回転を含む、
請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の処理モジュール。
請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の処理モジュール。
【請求項14】
前記物理的操作は、前記基板の傾斜を含む、
請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の処理モジュール。
請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の処理モジュール。
【請求項15】
前記イオン液体は、環境因子により物性が変化する、
請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の処理モジュール。
請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の処理モジュール。
【請求項16】
前記環境因子は、温度を含む、
請求項１５に記載の処理モジュール。
請求項１５に記載の処理モジュール。
【請求項17】
前記物性は、粘性及び密着性の少なくとも１つを含む、
請求項１５又は１６に記載の処理モジュール。
請求項１５又は１６に記載の処理モジュール。
【請求項18】
前記イオン液体は、トリブチルヘキサデシルホスホニウム３－（トリメチルシリル）－１－プロパンスルホネート（ＢＨＤＰ・ＤＳＳ）、又はＮ，Ｎ－ジエチル－Ｎ－メチル－Ｎ（２－メトキシエチル）アンモニウムテトラフルオロボラート（ＤＥＭＥ・ＢＦ
４
）である、
請求項１０乃至１７のいずれか一項に記載の処理モジュール。
請求項１０乃至１７のいずれか一項に記載の処理モジュール。
【請求項19】
処理空間を形成するチャンバと、
イオン液体を含む保護膜が形成された基板を保持するためのステージと、
前記基板を加熱してイオン液体を相転移させるための加熱機構と、
前記基板を保持した前記ステージを回転させ、前記保護膜を除去するためのステージ回転機構と、
前記イオン液体を前記チャンバ外に流出させるためのドレインと、
を備える、処理モジュール。
イオン液体を含む保護膜が形成された基板を保持するためのステージと、
前記基板を加熱してイオン液体を相転移させるための加熱機構と、
前記基板を保持した前記ステージを回転させ、前記保護膜を除去するためのステージ回転機構と、
前記イオン液体を前記チャンバ外に流出させるためのドレインと、
を備える、処理モジュール。
【請求項20】
前記加熱機構は、前記ステージと前記基板との間に供給される温調流体を含む、
請求項１９に記載の処理モジュール。
請求項１９に記載の処理モジュール。
【請求項21】
前記加熱機構は、
前記ドレインから流出した前記イオン液体を貯留するタンクと、
前記タンク内の前記イオン液体の温度を調整するための温調機構と、
前記タンク内の前記イオン液体を前記ステージと前記基板との間に供給する供給機構と、
を含む、
請求項１９に記載の処理モジュール。
前記ドレインから流出した前記イオン液体を貯留するタンクと、
前記タンク内の前記イオン液体の温度を調整するための温調機構と、
前記タンク内の前記イオン液体を前記ステージと前記基板との間に供給する供給機構と、
を含む、
請求項１９に記載の処理モジュール。
【請求項22】
前記ステージに保持された前記基板の前記ステージからの離脱を防止するストッパを備える、
請求項１９乃至２１のいずれか一項に記載の処理モジュール。
請求項１９乃至２１のいずれか一項に記載の処理モジュール。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0001】
本開示は、半導体製造装置及び処理モジュールに関する。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0005】
本開示の一態様による半導体装置の製造方法は、基板の上にイオン液体を含む液体材料を塗布して保護膜を形成する第１の処理モジュールと、前記基板の上に形成された前記保護膜を除去する第２の処理モジュールと、前記第１の処理モジュールと前記第２の処理モジュールとの間で前記基板を大気搬送する搬送モジュールと、を備え、前記第２の処理モジュールは、前記基板を加熱することにより前記イオン液体を相転移させ、前記基板に物理的操作を行うことにより前記保護膜を除去するよう構成される。