(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024145452
(43)【公開日】2024-10-15
(54)【発明の名称】基板アセンブリ
(51)【国際特許分類】
H05K 7/20 20060101AFI20241004BHJP
G02B 6/42 20060101ALI20241004BHJP
【FI】
H05K7/20 N
G02B6/42
H05K7/20 E
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】OL
(21)【出願番号】P 2023057805
(22)【出願日】2023-03-31
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)令和2年度 国立研究開発法人情報通信研究機構「Beyond 5G 超大容量無線通信を支える次世代エッジクラウドコンピューティング基盤の研究開発/(研究開発項目1高速大容量データ転送を実現する革新的ハードウェア技術の研究開発、研究開発項目2多種多様なサービスに対応可能な高機能エッジクラウド情報処理基盤の研究開発)/(Beyond 5G に向けた革新的高速大容量データ転送ハードウェア開発と高機能エッジクラウド情報処理基盤の研究開発)、産業技術力強化法第17条の適用を受ける特許出願
(71)【出願人】
【識別番号】000005290
【氏名又は名称】古河電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】石毛 悠太
(72)【発明者】
【氏名】長島 和哉
(72)【発明者】
【氏名】吉田 航
(72)【発明者】
【氏名】那須 秀行
(72)【発明者】
【氏名】平澤 壮史
【テーマコード(参考)】
2H137
5E322
【Fターム(参考)】
2H137AA01
2H137AB05
2H137AB06
2H137BB03
2H137BB12
2H137BB26
2H137BB33
2H137CC01
2H137CC24
2H137DA24
2H137DA39
2H137DB12
2H137DB14
5E322AA05
5E322AB08
5E322DA04
5E322EA11
5E322FA04
(57)【要約】
【課題】例えば、光トランシーバが実装される基板と放熱機構とを備えた基板アセンブリとして、当該光トランシーバをより容易に着脱することができるような、改善された新規な基板アセンブリを提供する。
【解決手段】基板アセンブリは、例えば、第一方向を向く第一面と、当該第一面とは反対側で第一方向の反対方向を向く第二面と、を有し、第一方向の反対方向を向く第一電気インタフェースおよび放熱部を有した光トランシーバが固定される基板と、光トランシーバが基板と固定された状態で第一方向において放熱部と隣り合うとともに当該放熱部と熱的に接続された接続部を有し、基板と固定された第一放熱機構と、を備え、第一放熱機構が基板に固定された状態で、光トランシーバを着脱可能に構成される。
【選択図】
図4
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第一方向を向く第一面と、当該第一面とは反対側で前記第一方向の反対方向を向く第二面と、を有し、前記第一方向の反対方向を向く第一電気インタフェースおよび放熱部を有した光トランシーバが固定される基板と、
前記光トランシーバが前記基板と固定された状態で前記第一方向において前記放熱部と隣り合うとともに当該放熱部と熱的に接続された接続部を有し、前記基板と固定された第一放熱機構と、
を備え、
前記第一放熱機構が前記基板に固定された状態で、前記光トランシーバを着脱可能に構成された、基板アセンブリ。
【請求項2】
前記光トランシーバは、前記基板に対して前記第一方向に取り外し可能に設けられ、
前記第一放熱機構は、前記光トランシーバに対して、前記第一方向の反対方向にずれて設けられた、請求項1に記載の基板アセンブリ。
【請求項3】
前記光トランシーバは、前記基板に対して前記第一方向に取り外し可能に設けられ、
前記第一放熱機構は、前記光トランシーバに対して、前記第一方向と交差した方向にずれて設けられた、請求項1に記載の基板アセンブリ。
【請求項4】
前記光トランシーバは、前記基板に対して前記第一方向に取り外し可能に設けられ、
前記第一放熱機構は、前記光トランシーバに対して、前記第一方向の反対方向にずれた部位と、前記第一方向と交差した方向にずれた部位と、を有した、請求項1に記載の基板アセンブリ。
【請求項5】
前記第一放熱機構は、液体冷媒による熱輸送を行う、請求項1に記載の基板アセンブリ。
【請求項6】
前記第一面に実装された半導体集積回路と熱的に接続された第二放熱機構を備え、
前記第二放熱機構が前記半導体集積回路と固定された状態で、前記光トランシーバを着脱可能に構成された、請求項1に記載の基板アセンブリ。
【請求項7】
前記第二放熱機構は、液体冷媒による熱輸送を行う、請求項6に記載の基板アセンブリ。
【請求項8】
前記第一放熱機構は、液体冷媒による熱輸送を行い、
前記第一放熱機構の前記液体冷媒の通流経路と、前記第二放熱機構の前記液体冷媒の通流経路とが、並列に設けられた、請求項7に記載の基板アセンブリ。
【請求項9】
前記基板は、前記光トランシーバとして複数の光トランシーバを固定可能に構成された、請求項1に記載の基板アセンブリ。
【請求項10】
前記複数の光トランシーバは、前記基板の辺に沿って配置された、請求項9に記載の基板アセンブリ。
【請求項11】
前記第一放熱機構は、前記基板の辺に沿って配置された、請求項10に記載の基板アセンブリ。
【請求項12】
前記基板に固定され、前記第一電気インタフェースと電気的に接続される第二電気インタフェースは、導体と、前記放熱部より熱伝導率の低い絶縁体と、を有した、請求項1に記載の基板アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、基板アセンブリに関する。
【背景技術】
【0002】
従来、ネットワークスイッチ装置に用いられる光トランシーバとして、特許文献1に記載された小型光トランシーバが、知られている(例えば、特許文献1)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
CPO(co-packaged optics)を実現するネットワークスイッチ装置では、スイッチASIC(application specific integrated circuit)と、複数の光トランシーバとが、基板上に実装される。
【0005】
当該装置では、光トランシーバは、メンテナンスや交換のため、基板に対して着脱可能に設けられる場合がある。
【0006】
他方、通信トラフィックの増大に伴い、この種のネットワークスイッチ装置では、スイッチASICの発熱量のみならず、光トランシーバの発熱量も増大する傾向にある。
【0007】
その対策として、光トランシーバで生じた熱を放熱する放熱機構が設けられる場合、放熱機構が、光トランシーバの交換の妨げにならないことが肝要である。
【0008】
そこで、本発明の課題の一つは、例えば、光トランシーバが実装される基板と放熱機構とを備えた基板アセンブリとして、当該光トランシーバをより容易に着脱することができるような、改善された新規な基板アセンブリを得ること、である。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本発明の基板アセンブリは、例えば、第一方向を向く第一面と、当該第一面とは反対側で前記第一方向の反対方向を向く第二面と、を有し、前記第一方向の反対方向を向く第一電気インタフェースおよび放熱部を有した光トランシーバが固定される基板と、前記光トランシーバが前記基板と固定された状態で前記第一方向において前記放熱部と隣り合うとともに当該放熱部と熱的に接続された接続部を有し、前記基板と固定された第一放熱機構と、を備え、前記第一放熱機構が前記基板に固定された状態で、前記光トランシーバを着脱可能に構成される。
【0010】
前記基板アセンブリでは、前記光トランシーバは、前記基板に対して前記第一方向に取り外し可能に設けられ、前記第一放熱機構は、前記光トランシーバに対して、前記第一方向の反対方向にずれて設けられてもよい。
【0011】
前記基板アセンブリでは、前記光トランシーバは、前記基板に対して前記第一方向に取り外し可能に設けられ、前記第一放熱機構は、前記光トランシーバに対して、前記第一方向と交差した方向にずれて設けられてもよい。
【0012】
前記基板アセンブリでは、前記光トランシーバは、前記基板に対して前記第一方向に取り外し可能に設けられ、前記第一放熱機構は、前記光トランシーバに対して、前記第一方向の反対方向にずれた部位と、前記第一方向と交差した方向にずれた部位と、を有してもよい。
【0013】
前記基板アセンブリでは、前記第一放熱機構は、液体冷媒による熱輸送を行ってもよい。
【0014】
前記基板アセンブリは、前記第一面に実装された半導体集積回路と熱的に接続された第二放熱機構を備え、前記第二放熱機構が前記半導体集積回路と固定された状態で、前記光トランシーバを着脱可能に構成されてもよい。
【0015】
前記基板アセンブリでは、前記第二放熱機構は、液体冷媒による熱輸送を行ってもよい。
【0016】
前記基板アセンブリでは、前記第一放熱機構は、液体冷媒による熱輸送を行い、前記第一放熱機構の前記液体冷媒の通流経路と、前記第二放熱機構の前記液体冷媒の通流経路とが、並列に設けられてもよい。
【0017】
前記基板アセンブリでは、前記基板は、前記光トランシーバとして複数の光トランシーバを固定可能に構成されてもよい。
【0018】
前記基板アセンブリでは、前記複数の光トランシーバは、前記基板の辺に沿って配置されてもよい。
【0019】
前記基板アセンブリでは、前記第一放熱機構は、前記基板の辺に沿って配置されてもよい。
【0020】
前記基板アセンブリでは、前記基板に固定され、前記第一電気インタフェースと電気的に接続される第二電気インタフェースは、導体と、前記放熱部より熱伝導率の低い絶縁体と、を有してもよい。
【発明の効果】
【0021】
本発明によれば、例えば、光トランシーバが実装される基板と放熱機構とを備えた基板アセンブリとして、当該光トランシーバをより容易に着脱することができるような、改善された新規な基板アセンブリを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0022】
【
図1】
図1は、第1実施形態のスイッチ装置の例示的かつ模式的な斜視図である。
【
図2】
図2は、第1実施形態のスイッチ装置の例示的かつ模式的な平面図である。
【
図3】
図3は、第1実施形態のスイッチ装置の一部の例示的かつ模式的な側面図である。
【
図5】
図5は、第2実施形態のスイッチ装置の例示的かつ模式的な斜視図である。
【
図6】
図6は、第2実施形態のスイッチ装置の例示的かつ模式的な平面図である。
【
図7】
図7は、第2実施形態のスイッチ装置の一部の例示的かつ模式的な断面図である。
【
図8】
図8は、第3実施形態のスイッチ装置の一部の例示的かつ模式的な断面図である。
【
図9】
図9は、第4実施形態のスイッチ装置の一部の例示的かつ模式的な分解断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
以下、本発明の例示的な実施形態および変形例が開示される。以下に示される実施形態および変形例の構成、ならびに当該構成によってもたらされる作用および結果(効果)は、一例である。本発明は、以下の実施形態および変形例に開示される構成以外によっても実現可能である。また、本発明によれば、構成によって得られる種々の効果(派生的な効果も含む)のうち少なくとも一つを得ることが可能である。
【0024】
以下の実施形態および変形例は、同様の構成要素を有している。以下では、それら同様の構成要素については、共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する場合がある。
【0025】
また、本明細書において、序数は、方向や、部位、部材、機構等を区別するために便宜上付与されうるものである。また、序数は、優先順位や順番を示すものではないし、数を特定するものでもない。
【0026】
また、各図において、X方向を矢印Xで表し、Y方向を矢印Yで表し、Z方向を矢印Zで表す。X方向、Y方向、およびZ方向は、互いに交差するとともに互いに直交している。
【0027】
[第1実施形態]
図1は、第1実施形態のスイッチ装置100A(100)の斜視図である。
図2は、スイッチ装置100A(100)の平面図である。
図3は、
図1の矢印IIIにおいてY方向に見た場合の、スイッチ装置100A(100)の一部の側面図である。また、
図4は、
図2のIV-IV断面図である。
【0028】
図1に示されるように、スイッチ装置100は、マザーボード200上に実装されている。なお、本実施形態では、マザーボード200上には、一つのスイッチ装置100のみが実装されているが、マザーボード200上には、複数のスイッチ装置100が実装されてもよい。マザーボード200は、統合基板とも称されうる。
【0029】
図1,2に示されるように、スイッチ装置100は、基板10と、スイッチASIC20と、複数の光トランシーバ30と、スイッチASIC20用の放熱機構60と、光トランシーバ30を基板10に固定する固定機構40と、光トランシーバ30用の放熱機構50A(50)と、を備えている。スイッチ装置100のうち、基板10、固定機構40、および放熱機構50,60を、基板アセンブリと称する。基板アセンブリは、マザーボード200に実装可能である。
【0030】
図2に示されるように、基板10は、正方形状(四角形状)の形状を有している。また、
図4に示されるように、基板10は、Z方向と交差するとともに直交して広がるとともに、板状の形状を有し、Z方向を向く面10aと、当該面10aとは反対側でZ方向の反対方向を向く面10bと、を有している。面10a,10bは、Z方向と交差するとともに直交して広がっている。基板10は、例えば、プリント配線基板である。Z方向は、基板10の第一方向の一例であり、基板10の厚さ方向とも称されうる。また、面10aは、第一面の一例であり、面10bは、第二面の一例である。
【0031】
図1~4に示される光トランシーバ30は、それぞれ、光ファイバ32において伝送された光信号を受光し、当該光信号に応じた電気信号を出力する。光トランシーバ30から出力された電気信号は、ソケット43(
図4参照)および基板10に設けられた導体を介して、スイッチASIC20へ入力される。光トランシーバ30は、光信号を受光する複数の受光部として、フォトダイオードアレイ(不図示)を有している。また、光トランシーバ30は、それぞれ、スイッチASIC20から基板10およびソケット43に設けられた導体を介して電気信号を受信し、当該電気信号に応じた光信号を出力する。光トランシーバ30から出力された光信号は、光ファイバ32に結合され、当該光ファイバ32において伝送される。光トランシーバ30は、光信号を出力する複数の発光部として、例えば、VCSELアレイ(不図示、VCSEL:vertical cavity surface emitting laser)を有している。
【0032】
図2に示されるように、複数の光トランシーバ30は、基板10の各辺10cに沿って配置されている。また、本実施形態では、
図4に示されるように、光トランシーバ30は、それぞれ、当該辺10cを覆うように実装されている。言い換えると、光トランシーバ30は、それぞれ、Z方向の反対側に見た場合に、辺10cを跨ぐように設けられており、辺10cの内側に位置する部位と、辺10cの外側に位置する部位と、を有している。これにより、光トランシーバ30から延びた光ファイバ32と、基板10上に実装されたスイッチASIC20や放熱機構60のような他の部品等との干渉を、回避しやすくなったり、基板10をより小さく構成できたり、という利点が得られる。
【0033】
また、
図1,2に示されるように、複数の光トランシーバ30は、基板10の辺10c毎に設けられた固定機構40によって、基板10と固定されている。固定機構40は、四つの辺10c毎に、すなわち合計4個、設けられており、各辺10cに沿って配置される複数(本実施形態では一例として8個)の光トランシーバ30について、共用されている。このように、複数の光トランシーバ30について固定機構40が共用されることにより、例えば、光トランシーバ30がそれぞれの固定機構によって基板10に固定された場合に比べて、固定機構40の基板10への取付構造をより簡素化したり、部品点数をより少なくしたりすることができ、ひいてはスイッチ装置100の製造の手間やコストを抑制できるという利点が得られる。
【0034】
図1,2に示されるように、スイッチASIC20は、基板10の辺10cのそれぞれから離れた位置(本実施形態では一例として基板10の略中央部)で、基板10に実装されている。
図4に示されるように、スイッチASIC20は、面10a上に、例えばフリップチップ実装されている。スイッチASIC20は、各光トランシーバ30の作動を制御する。スイッチASIC20は、半導体集積回路の一例である。
【0035】
図4に示されるように、放熱機構60は、スイッチASIC20に対して基板10とは反対側に接するように設けられている。放熱機構60は、第二放熱機構の一例である。放熱機構60については、後述する。
【0036】
図3,4に示されるように、本実施形態では、一例として、固定機構40は、上側部材41、中間部材42、およびソケット43を有している。これら固定機構40の構成要素は、ねじのような固定具46によって一体化されている。また、固定機構40の構成要素のうち、中間部材42、およびソケット43は、基板10の辺10cに沿った複数の光トランシーバ30の群のうち全ての光トランシーバ30について共用されている。
図4に示されるように、固定機構40は、基板10の辺10cの近傍に位置した光トランシーバ30を、基板10の厚さ方向に挟むような状態で、当該基板10に固定している。
【0037】
また、光トランシーバ30の装着後の交換を可能とするため、固定機構40は、基板10と固定される構成要素と、基板10に対して着脱可能な構成要素とを含んでいる。本実施形態では、中間部材42およびソケット43は、基板10に対して固定され、上側部材41は、中間部材42すなわち基板10に対して着脱可能に構成されている。具体的には、
図4に示されるように、上側部材41は、中間部材42に、取り外し可能なねじとして構成された固定具46によって、取り付けられている。光トランシーバ30は、Z方向に動かして取り外すことができるとともに、Z方向の反対方向に動かして取り付けることができる。光トランシーバ30は、このような構成の固定機構40を介して、基板10に対して着脱可能に固定されている。
【0038】
また、本実施形態では、上側部材41は、辺10cに沿った複数の光トランシーバ30のうち全てに共用されるのではなく、辺10cに沿って隣り合った二つの光トランシーバ30についてのみ共用されている。これにより、例えば、光トランシーバ30の個々の取り外しの容易化と部品の共用化とを両立することができたり、固定機構40の撓みや、固定機構40の構成要素、光トランシーバ30等の製造ばらつきの影響を減らして位置決め精度をより向上できたり、といった利点が得られる。ただし、このような構成は一例であって、上側部材41は、辺10cに沿った複数の光トランシーバ30のうち全てに共用されてもよい。
【0039】
図4に示されるように、光トランシーバ30は、ボディ31と、複数の光ファイバ32(
図1参照)と、を有している。なお、以下の説明では、特に言及しない限り、光トランシーバ30が基板10と固定された状態について述べるものとする。
【0040】
ボディ31は、Z方向の反対方向を向く面31aを有している。面31aには、複数の電極のアレイ(不図示)が設けられた電気インタフェース31a1と、放熱面31a2と、が設けられている。固定状態で、電気インタフェース31a1および放熱面31a2は、いずれもZ方向の反対方向を向くとともに、基板10の面10aと略沿いかつ基板10の辺10cと交差する方向(
図4に示される光トランシーバ30ではX方向)に並んでいる。光トランシーバ30の内部の発熱体は、放熱面31a2とZ方向に並んでいる。放熱面31a2は、放熱部の一例である。電気インタフェース31a1は、第一電気インタフェースの一例である。
【0041】
複数の光ファイバ32は、ボディ31の面31aとは離れた部位、具体的には、放熱面31a2とは反対側で、当該放熱面31a2とZ方向に並ぶ部位から、延びている。また、複数の光ファイバ32は、ボディ31の近傍では、ボディ31からZ方向に延びている。
【0042】
基板10上には、ソケット43、中間部材42、および上側部材41がこの順に載せられている。
【0043】
上側部材41は、光トランシーバ30のボディ31を、基板10や、ソケット43に向けて、Z方向の反対方向に押圧している。また、
図4に示されるように、上側部材41には、当該上側部材41をZ方向に貫通する切欠としての開口41aが設けられている。ボディ31の一部が、当該開口41aに収容されるとともに、光ファイバ32が、当該開口41aを通って延びている。
【0044】
中間部材42には、Z方向に延びた貫通孔としての開口42aが設けられている。開口42aの側面は、光トランシーバ30のボディ31を装着する際にX方向およびY方向に大まかにガイドする機能を有している。
【0045】
ソケット43は、基板10の面10a上に載せられるとともに、光トランシーバ30のボディ31を支持している。ソケット43には、電気インタフェース43aと、開口43bと、が設けられている。電気インタフェース43aは、第二電気インタフェースの一例である。
【0046】
電気インタフェース43aは、光トランシーバ30のボディ31に設けられた電気インタフェース31a1と面するとともに接し、電気インタフェース31a1に設けられた複数の電極のそれぞれと電気的に接続される導体43a1を有している。導体43a1は、例えば、Z方向に延びた弾性的に伸縮可能なピンを有した接触端子として構成することができる。導体43a1は、基板10の導体(不図示)と電気的に接続されている。光トランシーバ30の電気インタフェース31a1の各電極は、ソケット43の電気インタフェース43aの導体43a1、および基板10の導体を介して、スイッチASIC20の導体と電気的に接続されている。電気インタフェース43aを有したソケット43を備えることにより、例えば、基板10に直接電気インタフェース43aを設けた場合に比べて、複数の電極の所要の位置決め精度を確保できる構成を、より容易に構築できるという利点が得られる。なお、電気インタフェース43aのうち、導体43a1の周囲に位置し当該導体43a1を支持する絶縁体43a2の熱伝導率は、放熱面31a2の熱伝導率より低い。
【0047】
開口43bは、光トランシーバ30のボディ31に設けられた放熱面31a2を、Z方向の反対方向に露出する。開口43bは、例えば、ソケット43をZ方向に貫通した貫通孔あるいは切欠として設けられる。
【0048】
放熱機構50は、光トランシーバ30で生じた熱を放出する。放熱機構50は、第一放熱機構の一例である。放熱機構50については、後述する。
【0049】
また、
図2,4から明らかとなるように、放熱面31a2は、電気インタフェース31a1に対して、スイッチASIC20とは反対側に位置している。このような配置により、例えば、電気インタフェース31a1とスイッチASIC20との間の導体の長さをより短くできる分、電気信号の所要の伝送特性を確保しやすくなったり、第一放熱機構と当該導体との干渉を避けることができる分、光トランシーバ30からの所要の放熱性能が得られやすくなったり、といった利点が得られる。
【0050】
[光トランシーバの放熱機構]
光トランシーバ30用の放熱機構50は、接続部材51と、ベース部材52と、蓋部材53と、シール部材54と、を有している。放熱機構50は、ねじのような固定具や、接着等により、基板10または固定機構40と固定される。なお、放熱機構50のうち、少なくとも接続部材51は、固定機構40の一部として機能するよう構成されてもよい。
【0051】
接続部材51は、ソケット43に対して中間部材42とは反対側に位置している。接続部材51は、ソケット43の開口43b内に収容された部位51aを有している。部位51aは、Z方向において光トランシーバ30の放熱面31a2と隣り合うとともに、当該放熱面31a2と熱的に接続されている。部位51aは、接続部の一例である。
【0052】
部位51aは、可撓性を有した熱伝導シート47を介して放熱面31a2と隣り合っている。熱伝導シート47を設けることにより、製造ばらつきや部品間の熱膨張係数の差等によって放熱面31a2と部位51aとの間に隙間が生じて放熱面31a2から部位51aへの熱伝導効率が低下するのを抑制できたり、放熱面31a2と部位51aとの間に過度な押圧力が生じるのを抑制できたり、といった利点が得られる。
【0053】
また、接続部材51は、部位51aとは別の位置でベース部材52と熱的に接続されている。よって、接続部材51は、光トランシーバ30で生じた熱をベース部材52へ伝達することができる。接続部材51は、伝熱部材とも称されうる。
【0054】
ベース部材52は、接続部材51に対して光トランシーバ30およびソケット43とは反対側に設けられ、基板10の辺10cに略沿って、面10bに沿う方向における略一定の幅、およびZ方向における略一定の厚さで、略矩形状かつ周状(無端状)に延びている。
【0055】
蓋部材53は、ベース部材52に対して接続部材51とは反対側に設けられ、基板10の辺10cに略沿って、面10bに沿う方向におけるベース部材52と略同じ幅、およびZ方向における略一定の厚さで、略矩形状かつ周状(無端状)に延びている。
【0056】
接続部材51、ベース部材52、および、蓋部材53は、いずれも比較的熱伝導率が高い材料で作られる。これら部材を構成する比較的熱伝導率が高い材料としては、例えば、純銅または銅合金のような銅系材料や、純アルニウムやアルミニウム合金のようなアルミニウム系材料等が挙げられる。
【0057】
図4に示されるように、ベース部材52および蓋部材53は、内部に、液体冷媒を収容する収容室R1を形成している。収容室R1は、ベース部材52に設けられたZ方向に凹む周状の溝部52aと、蓋部材53に設けられたZ方向の反対方向に凹む周状の溝部53aと、が突き合わせられることにより、形成されている。なお、凹部は、ベース部材52および蓋部材53のうち一方のみに設けられてもよい。また、収容室R1を形成するベース部材52および蓋部材53の配置や形状は、
図4の例には限定されず、種々に変更して実施することができる。ベース部材52および蓋部材53は、冷媒収容部とも称されうる。
【0058】
本実施形態では、ベース部材52、蓋部材53、溝部52a、溝部53a、および収容室R1は、基板10の辺10cに略沿って略矩形状かつ周状(無端状)に延びている。また、接続部材51は、複数の光トランシーバ30とZ方向に重なる位置において、基板10の辺10cに略沿って線分状に延びている。
【0059】
ベース部材52と蓋部材53との境界面では、周状の収容室R1に対して、内周側(
図4では右側)および外周側(
図4では左側)のそれぞれにおいて、別個の環状のシール部材54によって液密が確保されている。シール部材54は、例えば、エラストマによって作られる。シール部材54は、それぞれベース部材52に設けられた周状の溝52cに収容されており、ベース部材52と蓋部材53とが一体化された状態において、当該ベース部材52と蓋部材53とによってZ方向において弾性的に圧縮され、シール面圧が確保されている。
【0060】
収容室R1は、光トランシーバ30の放熱面31a2および接続部材51の部位51aと、Z方向において少なくとも部分的に重なるように設けられている。
【0061】
また、ベース部材52には、収容室R1の光トランシーバ30に近い側の内面から当該収容室R1内に突出するフィン状またはピン状の複数の突起52bが設けられている。突起52bにより、ベース部材52の液体冷媒との接触面積が増大する。これにより、当該突起52bが設けられない場合に比べて、ベース部材52から液体冷媒への伝熱量を増大することができ、放熱機構50による放熱効率をより高めることができる。
【0062】
図1に示されるように、放熱機構50は、パイプやチューブのような液体冷媒の通流経路を構成する流路構成部材を接続する二つの接続ポート50aを備えている。二つの接続ポート50aのうち一方が液体冷媒の入口を形成し、他方が液体冷媒の出口を形成している。二つの接続ポート50aは、流路構成部材を介して、熱交換部(放熱部)と接続されている。すなわち、放熱機構50は、液体冷媒により熱輸送を行う熱輸送機構の一例である。
【0063】
[スイッチASICの放熱機構]
スイッチASIC20用の放熱機構60は、接続部材61と、ベース部材62と、蓋部材63と、シール部材64と、を有している。放熱機構60は、ねじのような固定具や、接着等により、基板10または固定機構40と固定される。
【0064】
接続部材61は、スイッチASIC20に対して基板10とは反対側に位置している。接続部材61は、スイッチASIC20と熱的に接続されるとともに、スイッチASIC20とは反対側でベース部材62と熱的に接続されている。よって、接続部材61は、スイッチASIC20で生じた熱をベース部材62へ伝達することができる。接続部材61は、伝熱部材とも称されうる。
【0065】
ベース部材62は、Z方向に対して交差するとともに直交した四角形状かつ板状の形状を有している。
【0066】
また、蓋部材63は、ベース部材62に対して接続部材61とは反対側に設けられ、Z方向に対して交差するとともに直交した四角形状かつ板状の形状を有している。
【0067】
接続部材61、ベース部材62、および、蓋部材63は、いずれも比較的熱伝導率が高い材料で作られる。これら部材を構成する比較的熱伝導率が高い材料としては、例えば、純銅または銅合金のような銅系材料や、純アルニウムやアルミニウム合金のようなアルミニウム系材料等が挙げられる。
【0068】
図4に示されるように、ベース部材62および蓋部材63は、内部に、液体冷媒を収容する収容室R2を形成している。収容室R2は、ベース部材62に設けられたZ方向の反対方向に凹む凹部62aと、当該凹部62aを覆う蓋部材63と、が突き合わせられることにより、形成されている。なお、凹部は、蓋部材63に設けられてもよいし、ベース部材62および蓋部材63の双方に設けられてもよい。また、収容室R2を形成するベース部材62および蓋部材63の配置や形状は、
図4の例には限定されず、種々に変更して実施することができる。ベース部材62および蓋部材63は、冷媒収容部とも称されうる。
【0069】
ベース部材62と蓋部材63との境界面では、収容室R2の外周側(
図4では左側)で、周状のシール部材64によって液密が確保されている。シール部材64は、例えば、エラストマによって作られる。シール部材64は、ベース部材62に設けられた周状の溝62cに収容されており、ベース部材62と蓋部材63とが一体化された状態において、当該ベース部材62と蓋部材63とによってZ方向において弾性的に圧縮され、シール面圧が確保されている。
【0070】
収容室R2は、スイッチASIC20および接続部材61と、Z方向において少なくとも部分的に重なるように設けられている。
【0071】
また、ベース部材62には、収容室R2のスイッチASIC20に近い側の内面から当該収容室R2内に突出するフィン状またはピン状の複数の突起62bが設けられている。突起62bにより、ベース部材62の液体冷媒との接触面積が増大する。これにより、当該突起62bが設けられない場合に比べて、ベース部材62から液体冷媒への伝熱量を増大することができ、放熱機構60による放熱効率をより高めることができる。
【0072】
図1に示されるように、放熱機構60は、パイプやチューブのような液体冷媒の通流経路を構成する流路構成部材を接続する二つの接続ポート60aを備えている。二つの接続ポート60aのうち一方が液体冷媒の入口を形成し、他方が液体冷媒の出口を形成している。二つの接続ポート60aは、流路構成部材を介して、熱交換部(放熱部)と接続されている。すなわち、放熱機構60は、液体冷媒により熱輸送を行う熱輸送機構の一例である。
【0073】
放熱機構50の液体冷媒の通流経路と、放熱機構60の液体冷媒の通流経路とは、並列に設けられるのが好ましい。このような構成によれば、放熱機構50,60の通流経路同士が直列に接続された場合に比べて、放熱効率をより高めることができる。
【0074】
ここで、光トランシーバ30は、上述したように、基板10に対して、Z方向に取り外し可能に設けられている。これに対し、放熱機構50は、光トランシーバ30に対してZ方向の反対方向にずれて設けられている。したがって、放熱機構50は、基板10に対して固定されている状態で、光トランシーバ30の着脱を阻害しない。
【0075】
他方、放熱機構60は、光トランシーバ30に対して、Z方向と交差した方向にずれて設けられている。したがって、放熱機構60も、基板10に対して固定されている状態で、光トランシーバ30の着脱を阻害しない。
【0076】
以上、説明したように、本実施形態のスイッチ装置100A(100)によれば、例えば、放熱機構50,60が基板10に対して固定された状態で、放熱機構50,60に阻害されることなく、光トランシーバ30の着脱をより容易にあるいはより迅速に行うことができる、という効果が得られる。
【0077】
[第2実施形態]
図5は、第2実施形態のスイッチ装置100B(100)の斜視図である。
図6は、スイッチ装置100B(100)の平面図である。
図7は、
図4と同等位置におけるスイッチ装置100B(100)の断面図である。
【0078】
図5,6を
図1,2と比較すれば明らかとなるように、スイッチ装置100Bは、上記第1実施形態と同じ複数の光トランシーバ30、固定機構40、および放熱機構60を備えている。また、基板10も、上記第1実施形態と同じである。したがって、本実施形態でも、放熱機構60は、光トランシーバ30の着脱を阻害しない。
【0079】
ただし、本実施形態では、放熱機構50B(50)は、上記第1実施形態の放熱機構50A(50)とは相違している。具体的には、
図7に示されるように、液体冷媒の収容室R1を構成するベース部材52および蓋部材53の形状が相違している。なお、接続部材51は、上記第1実施形態と同じである。
【0080】
本実施形態でも、ベース部材52および蓋部材53は、液体冷媒を収容する収容室R1を形成している。ただし、本実施形態では、収容室R1は、基板10、光トランシーバ30、中間部材42、ソケット43、および接続部材51に対して、基板10の中心とは反対側に、位置している。
【0081】
ベース部材52は、接続部材51、ソケット43、および中間部材42に対して基板10の中心とは反対側に設けられている。ベース部材52は、基板10の辺10cから離れた位置で、当該辺10cに略沿って、面10bに沿う方向における略一定の幅、およびZ方向における略一定の厚さで、略矩形状かつ周状(無端状)に延びている。また、ベース部材52は、接続部材51と接し、当該接続部材51と熱的に接続されるとともに、固定機構40の中間部材42とも接し、当該中間部材42と熱的に接続されている。
【0082】
ベース部材52には、収容室R1の光トランシーバ30に近い側の内面から当該収容室R1内に突出するフィン状またはピン状の複数の突起52bが設けられている。
【0083】
また、蓋部材53は、ベース部材52に対して接続部材51とは反対側、すなわち外周側に設けられ、基板10の辺10cに略沿って、面10bに沿う方向における略一定の厚さ、およびZ方向におけるベース部材52と略同じ厚さで、略矩形状かつ周状(無端状)に延びている。
【0084】
なお、収容室R1を形成するベース部材52および蓋部材53の配置や形状は、
図7の例には限定されず、種々に変更して実施することができる。
【0085】
上述したように、光トランシーバ30は、基板10に対して、Z方向に取り外し可能に設けられている。これに対し、本実施形態では、接続部材51は、光トランシーバ30に対してZ方向の反対方向にずれて位置し、冷媒を収容する冷媒収容部を構成するベース部材52および蓋部材53は、光トランシーバ30に対してZ方向と交差した方向にずれて位置している。すなわち、放熱機構50B(50)は、光トランシーバ30に対してZ方向の反対方向にずれた部位と、光トランシーバ30に対してZ方向と交差した部位と、を有している。このような構成の放熱機構50B(50)も、基板10に対して固定されている状態で、光トランシーバ30の着脱を阻害しない。
【0086】
したがって、本実施形態のスイッチ装置100B(100)によれば、例えば、放熱機構50,60が基板10に対して固定された状態で、放熱機構50,60に阻害されることなく、光トランシーバ30の着脱をより容易にあるいはより迅速に行うことができる、という効果が得られる。
【0087】
[第3実施形態]
図8は、第3実施形態のスイッチ装置100C(100)の一部の、
図4と同等位置での断面図である。
【0088】
本実施形態では、光トランシーバ30を基板10に対して固定する機構が、上記第1,第2実施形態とは相違している。具体的に、本実施形態では、ソケット43に設けられたマグネット70aと、光トランシーバ30に設けられたマグネット70bとが、互いに面し、磁力による吸着機構を構成している。磁力は、作業者あるいはロボットにより印加した力により、光トランシーバ30をソケット43から取り外すことができる程度の大きさに設定される。なお、マグネット70aは、ソケット43とは異なる部位に設けられてもよい。
【0089】
このような構成によれば、例えば、光トランシーバ30の着脱をより容易にあるいはより迅速に行うことができるとともに、上側部材41や固定具46が不要となる分、スイッチ装置100Cを、より小型に、より軽量に、あるいはより簡素に構成することができ、ひいては、スイッチ装置100の製造に要する手間やコストをより低減することができるという効果が得られる。
【0090】
[第4実施形態]
図9は、第4実施形態のスイッチ装置100D(100)の一部の、
図4と同等位置での分解断面図である。
【0091】
本実施形態では、上側部材41を中間部材42に対して固定する機構が、上記第1~第3実施形態とは相違している。具体的に、本実施形態では、中間部材42に設けられたマグネット70cと、上側部材41に設けられたマグネット70dとが、互いに面し、磁力による吸着機構を構成している。磁力は、作業者あるいはロボットにより印加した力により、上側部材41を中間部材42から取り外すことができる程度の大きさに設定される。
【0092】
このような構成によれば、例えば、上側部材41ひいては光トランシーバ30の着脱をより容易にあるいはより迅速に行うことができるとともに、固定具46が不要となる分、スイッチ装置100Dを、より小型に、より軽量に、あるいはより簡素に構成することができ、ひいては、スイッチ装置100の製造に要する手間やコストをより低減することができるという効果が得られる。
【0093】
以上、本発明の実施形態が例示されたが、上記実施形態は一例であって、発明の範囲を限定することは意図していない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、組み合わせ、変更を行うことができる。また、各構成や、形状、等のスペック(構造や、種類、方向、型式、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等)は、適宜に変更して実施することができる。
【0094】
例えば、第一放熱機構は、光トランシーバに対して第一方向と交差した方向にずれて設けられた構成を有した場合にあっても、光トランシーバの着脱を阻害しないことは明らかである。
【符号の説明】
【0095】
10…基板(基板アセンブリ)
10a…面(第一面)
10b…面(第二面)
10c…辺
20…スイッチASIC(半導体集積回路)
30…光トランシーバ
31…ボディ
31a…面
31a1…電気インタフェース(第一電気インタフェース)
31a2…放熱面(放熱部)
32…光ファイバ
40…固定機構
41…上側部材
41a…開口
42…中間部材
42a…開口
43…ソケット
43a…電気インタフェース(第二電気インタフェース)
43a1…導体
43a2…絶縁体
43b…開口
46…固定具
47…熱伝導シート
50,50A,50B…放熱機構(第一放熱機構、基板アセンブリ)
50a…接続ポート
51…接続部材
51a…部位(接続部)
52…ベース部材
52a…溝部
52b…突起
52c…溝
53…蓋部材
53a…溝部
54…シール部材
60…放熱機構(第二放熱機構、基板アセンブリ)
60a…接続ポート
61…接続部材
62…ベース部材
62a…凹部
62b…突起
62c…溝
63…蓋部材
64…シール部材
70a~70d…マグネット
100,100A~100D…スイッチ装置
200…マザーボード
R1…収容室
R2…収容室
X…方向
Y…方向
Z…方向(第一方向)