特開 2024-145467 成膜方法及び成膜装置

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024145467

(43)【公開日】2024-10-15

(54)【発明の名称】成膜方法及び成膜装置

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/205 20060101AFI20241004BHJP

   C23C 16/24 20060101ALI20241004BHJP

【ＦＩ】

H01L21/205

C23C16/24

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023057831

(22)【出願日】2023-03-31

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】バス トウヒン シュブラ

(72)【発明者】

【氏名】藤川 尋斗

(72)【発明者】

【氏名】熊谷 圭太

(72)【発明者】

【氏名】竹澤 由裕

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 大介

【テーマコード（参考）】

4K030

5F045

【Ｆターム（参考）】

4K030AA04

4K030AA06

4K030AA11

4K030BA29

4K030BB05

4K030CA04

4K030EA03

4K030KA04

5F045AA06

5F045AB04

5F045AC01

5F045AC07

5F045AF03

5F045BB17

5F045DP19

5F045DP28

5F045DQ05

5F045EC02

5F045EE11

5F045EE12

5F045EF03

5F045EK06

5F045EM10

(57)【要約】

【課題】シリコン膜に含まれる欠陥を低減できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による成膜方法は、基板にシリコン膜を成膜する成膜方法であって、前記基板にシラン系ガスと終端ガスとを同時に供給する工程を有し、前記終端ガスは、水素より電気陰性度が小さい元素を含み、前記同時に供給する工程は、前記シリコン膜における珪素の未結合手を前記元素で終端することを含む。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板にシリコン膜を成膜する成膜方法であって、
前記基板にシラン系ガスと終端ガスとを同時に供給する工程を有し、
前記終端ガスは、水素より電気陰性度が小さい元素を含み、
前記同時に供給する工程は、前記シリコン膜における珪素の未結合手を前記元素で終端することを含む、
成膜方法。

【請求項2】

前記終端ガスは、ハロゲン化水素ガスである、
請求項１に記載の成膜方法。

【請求項3】

前記終端ガスは、フッ化水素ガスである、
請求項２に記載の成膜方法。

【請求項4】

前記シラン系ガスは、ジシランガスである、
請求項３に記載の成膜方法。

【請求項5】

前記基板に前記終端ガスを供給することなく前記シラン系ガスを供給する工程を有する、
請求項１に記載の成膜方法。

【請求項6】

前記同時に供給する工程の前に、前記基板にアミノシラン系ガスを供給し、前記基板の上にシード層を形成する工程を有する、
請求項１に記載の成膜方法。

【請求項7】

基板にシリコン膜を成膜する成膜装置であって、
前記基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内にシラン系ガス及び終端ガスを供給するガス供給部と、
制御部と、
を備え、
前記終端ガスは、水素よりも電気陰性度が小さい元素を含み、
前記制御部は、前記基板に前記シラン系ガスと前記終端ガスとを同時に供給する工程を行うよう前記ガス供給部を制御するように構成され、
前記同時に供給する工程は、前記シリコン膜における珪素の未結合手を前記元素で終端することを含む、
成膜装置。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、成膜方法及び成膜装置に関する。

【背景技術】

【0002】

下地上にシード層及びアモルファスシリコン膜をこの順に形成する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１１－２４９７６４号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、シリコン膜に含まれる欠陥を低減できる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様による成膜方法は、基板にシリコン膜を成膜する成膜方法であって、前記基板にシラン系ガスと終端ガスとを同時に供給する工程を有し、前記終端ガスは、水素より電気陰性度が小さい元素を含み、前記同時に供給する工程は、前記シリコン膜における珪素の未結合手を前記元素で終端することを含む。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、シリコン膜に含まれる欠陥を低減できる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】実施形態に係る成膜方法を示すフローチャートである。

【図2】実施形態に係る成膜方法を示すシーケンス図である。

【図3】実施形態に係る成膜方法を示す断面図である。

【図4】シリコン膜形成工程におけるシリコン膜の表面状態を示す図である。

【図5】実施形態に係る成膜装置を示す断面図である。

【図6】アモルファスシリコン膜のＰＬスペクトルを示す図（１）である。

【図7】アモルファスシリコン膜のＰＬスペクトルを示す図（２）である。

【図8】アモルファスシリコン膜のＰＬスペクトルを示す図（３）である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。

【0009】

〔成膜方法〕
図１から図４を参照し、実施形態に係る成膜方法について説明する。図１に示されるように、実施形態に係る成膜方法は、準備工程Ｓ１０と、シード層形成工程Ｓ２０と、シリコン膜形成工程Ｓ３０と、を有する。

【0010】

準備工程Ｓ１０は、図３（ａ）に示されるように、基板１０１を準備することを含む。基板１０１は、例えばシリコンウエハ等の半導体ウエハであってよい。準備工程Ｓ１０は、図２に示されるように、基板１０１を第１温度Ｔ１に維持することを含む。第１温度Ｔ１は、例えば３８０℃である。

【0011】

シード層形成工程Ｓ２０は、準備工程Ｓ１０の後に行われる。シード層形成工程Ｓ２０は、図２に示されるように、基板１０１を第１温度Ｔ１に維持することを含む。シード層形成工程Ｓ２０では、時刻ｔ１において基板１０１へのＤＩＰＡＳ（ジイソプロピルアミノシラン）ガスの供給を開始し、時刻ｔ２までＤＩＰＡＳガスの供給を継続し、時刻ｔ２においてＤＩＰＡＳガスの供給を停止する。すなわち、シード層形成工程Ｓ２０は、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの間、基板１０１にＤＩＰＡＳガスを供給することを含む。これにより、図３（ｂ）に示されるように、基板１０１上にシード層１０２が形成される。ＤＩＰＡＳガスは、アミノシラン系ガスの一例である。なお、シード層形成工程Ｓ２０は省略してもよい。

【0012】

シリコン膜形成工程Ｓ３０は、シード層形成工程Ｓ２０の後に行われる。シリコン膜形成工程Ｓ３０は、図２に示されるように、基板１０１を第１温度Ｔ１に維持することを含む。シリコン膜形成工程Ｓ３０では、時刻ｔ２において基板１０１へのジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）ガスの供給を開始し、時刻ｔ５までジシランガスの供給を継続し、時刻ｔ５においてジシランガスの供給を停止する。シリコン膜形成工程Ｓ３０では、時刻ｔ３において基板１０１へのフッ化水素（ＨＦ）ガスの供給を開始し、時刻ｔ４までフッ化水素ガスの供給を継続し、時刻ｔ４においてジシランガスの供給を停止する。すなわち、シリコン膜形成工程Ｓ３０では、時刻ｔ２から時刻ｔ３までと時刻ｔ４から時刻ｔ５までの間、基板１０１にフッ化水素ガスを供給することなくジシランガスを供給し、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの間、ジシランガスとフッ化水素ガスとを同時に供給する。これにより、図３（ｃ）に示されるように、シード層１０２上にアモルファスシリコン（ａ－Ｓｉ）膜１０３が形成される。アモルファスシリコン膜１０３を形成する際には、図４（ａ）に示されるように、水素で終端されていない未結合手（ダングリングボンド）ＤＢを有する珪素（Ｓｉ）が存在しうる。そこで、シリコン膜形成工程Ｓ３０の少なくとも一部の期間においてジシランガスとフッ化水素ガスとを同時に供給することで、図４（ｂ）に示されるように、アモルファスシリコン膜１０３における珪素の未結合手ＤＢをフッ化水素ガスのフッ素（Ｆ）で終端する。これにより、アモルファスシリコン膜１０３に含まれる欠陥を低減できる
なお、シリコン膜形成工程Ｓ３０は、全期間においてジシランガスとフッ化水素ガスとを同時に供給してもよい。また、シリコン膜形成工程Ｓ３０では、全期間の前半においてフッ化水素ガスを供給することなくジシランガスを供給し、全期間の後半においてジシランガスとフッ化水素ガスとを同時に供給してもよい。また、シリコン膜形成工程Ｓ３０では、全期間の前半においてジシランガスとフッ化水素ガスとを同時に供給し、全期間の後半においてフッ化水素ガスを供給することなくジシランガスを供給してもよい。

【0013】

以上に説明したように、実施形態に係る成膜方法によれば、シリコン膜形成工程Ｓ３０において、基板１０１にジシランガスとフッ化水素ガスとを同時に供給し、アモルファスシリコン膜１０３における珪素の未結合手ＤＢをフッ化水素ガスのフッ素で終端する。これにより、アモルファスシリコン膜１０３に含まれる欠陥を低減できる。

【0014】

実施形態に係る成膜方法は、３次元ＮＡＮＤメモリのチャネル層を形成する際に好適に用いられる。３次元ＮＡＮＤメモリのチャネル層を形成する場合には、アモルファスシリコン膜１０３を熱処理することで結晶粒の大きな多結晶シリコン膜を形成することで、チャネル層の移動度が向上する。しかし、アモルファスシリコン膜１０３の膜厚が薄い場合等の特定のプロセスにおいては、結晶粒の大きさを無限に大きくできない。そこで、実施形態に係る成膜方法によって、アモルファスシリコン膜１０３に含まれる欠陥を低減することで、チャネル層の電子移動度が向上する。

【0015】

〔成膜装置〕
図５を参照し、実施形態に係る成膜装置１について説明する。図５に示されるように、成膜装置１は、複数の基板Ｗに対して一度に処理を行うバッチ式の装置である。

【0016】

成膜装置１は、処理容器１０と、ガス供給部３０と、排気部４０と、加熱部５０と、制御部８０とを備える。

【0017】

処理容器１０は、内部を減圧可能である。処理容器１０は、内部に基板Ｗを収容する。処理容器１０は、内管１１と、外管１２とを有する。内管１１及び外管１２は、下端が開放された有天井の円筒形状を有する。外管１２は、内管１１の外側を覆う。内管１１及び外管１２は、同軸状に配置された２重管構造を有する。内管１１及び外管１２は、石英等の耐熱材料により形成される。

【0018】

内管１１の天井は、例えば平坦であってよい。内管１１の一側には、その長手方向（上下方向）に沿ってガスノズルを収容する収容部１３が形成される。例えば、内管１１の側壁の一部を外側へ向けて突出させて凸部１４を形成し、凸部１４内を収容部１３として形成している。

【0019】

収容部１３に対向させて内管１１の反対側の側壁には、その長手方向（上下方向）に沿って矩形状の開口１５が形成される。

【0020】

開口１５は、内管１１内のガスを排気できるように形成されたガス排気口である。開口１５の長さは、ボート１６の長さと同じであるか、又は、ボート１６の長さよりも長く上下方向へそれぞれ延びるようにして形成される。

【0021】

処理容器１０の下端は、円筒形状のマニホールド１７によって支持される。マニホールド１７は、例えばステンレス鋼により形成される。マニホールド１７の上端には、フランジ１８が形成される。フランジ１８は、外管１２の下端を支持する。フランジ１８と外管１２との下端との間には、Ｏリング等のシール部材１９が設けられる。これにより、外管１２内が気密に維持される。

【0022】

マニホールド１７の上部の内壁には、円環状の支持部２０が設けられる。支持部２０は、内管１１の下端を支持する。マニホールド１７の下端の開口には、蓋体２１がＯリング等のシール部材２２を介して気密に取り付けられる。これにより、処理容器１０の下端の開口、すなわち、マニホールド１７の開口が気密に塞がれる。蓋体２１は、例えばステンレス鋼により形成される。

【0023】

蓋体２１の中央部には、磁性流体シール２３を介して回転軸２４が貫通させて設けられる。回転軸２４の下部は、ボートエレベータよりなる昇降機構２５のアーム２５Ａに回転自在に支持される。

【0024】

回転軸２４の上端には、回転プレート２６が設けられる。回転プレート２６上には、石英製の保温台２７を介して基板Ｗを保持するボート１６が載置される。ボート１６は、回転軸２４を回転させることにより回転する。ボート１６は、昇降機構２５を昇降させることによって蓋体２１と一体として上下動する。これにより、ボート１６は処理容器１０内に対して挿脱される。ボート１６は、処理容器１０内に収容可能である。ボート１６は、複数（例えば５０～１５０枚）の基板Ｗを上下方向に間隔を有して略水平に保持する。

【0025】

ガス供給部３０は、前述した成膜方法で用いられる各種の処理ガスを内管１１内に導入可能に構成される。ガス供給部３０は、ＤＩＰＡＳ供給部３１と、ジシラン供給部３２と、フッ化水素供給部３３とを含む。

【0026】

ＤＩＰＡＳ供給部３１は、処理容器１０内にＤＩＰＡＳ供給管３１ａを備えると共に、処理容器１０の外部にＤＩＰＡＳ供給経路３１ｂを備える。ＤＩＰＡＳ供給経路３１ｂには、ガスの流通方向の上流側から下流側に向かって順に、ＤＩＰＡＳ供給源３１ｃ、マスフローコントローラ３１ｄ、バルブ３１ｅが設けられる。これにより、ＤＩＰＡＳ供給源３１ｃのＤＩＰＡＳガスは、バルブ３１ｅにより供給タイミングが制御されると共に、マスフローコントローラ３１ｄにより所定の流量に調整される。ＤＩＰＡＳガスは、ＤＩＰＡＳ供給経路３１ｂからＤＩＰＡＳ供給管３１ａに流入して、ＤＩＰＡＳ供給管３１ａから処理容器１０内に吐出される。

【0027】

ジシラン供給部３２は、処理容器１０内にジシラン供給管３２ａを備えると共に、処理容器１０の外部にジシラン供給経路３２ｂを備える。ジシラン供給経路３２ｂには、ガスの流通方向の上流側から下流側に向かって順に、ジシラン源３２ｃ、マスフローコントローラ３２ｄ、バルブ３２ｅが設けられる。これにより、ジシラン源３２ｃのジシランガスは、バルブ３２ｅにより供給タイミングが制御されると共に、マスフローコントローラ３２ｄにより所定の流量に調整される。ジシランガスは、ジシラン供給経路３２ｂからジシラン供給管３２ａに流入して、ジシラン供給管３２ａから処理容器１０内に吐出される。

【0028】

フッ化水素供給部３３は、処理容器１０内にフッ化水素供給管３３ａを備えると共に、処理容器１０の外部にフッ化水素供給経路３３ｂを備える。フッ化水素供給経路３３ｂには、ガスの流通方向の上流側から下流側に向かって順に、フッ化水素源３３ｃ、マスフローコントローラ３３ｄ、バルブ３３ｅが設けられる。これにより、フッ化水素源３３ｃのフッ化水素ガスは、バルブ３３ｅにより供給タイミングが制御されると共に、マスフローコントローラ３３ｄにより所定の流量に調整される。フッ化水素ガスは、フッ化水素供給経路３３ｂからフッ化水素供給管３３ａに流入して、フッ化水素供給管３３ａから処理容器１０内に吐出される。

【0029】

各ガス供給管（ＤＩＰＡＳ供給管３１ａ、ジシラン供給管３２ａ、フッ化水素供給管３３ａ）は、マニホールド１７に固定される。各ガス供給管は、例えば石英により形成される。各ガス供給管は、内管１１の近傍位置を鉛直方向に沿って直線状に延在すると共に、マニホールド１７内においてＬ字状に屈曲して水平方向に延在することで、マニホールド１７を貫通する。各ガス供給管同士は、内管１１の周方向に沿って並んで設けられ、互いに同じ高さに形成される。

【0030】

ＤＩＰＡＳ供給管３１ａにおいて内管１１内に位置する部位には、複数のＤＩＰＡＳ吐出口３１ｆが設けられる。ジシラン供給管３２ａにおいて内管１１内に位置する部位には、複数のジシラン吐出口３２ｆが設けられる。フッ化水素供給管３３ａにおいて内管１１内に位置する部位には、複数のフッ化水素吐出口３３ｆが設けられる。

【0031】

各吐出口（ＤＩＰＡＳ吐出口３１ｆ、ジシラン吐出口３２ｆ、フッ化水素吐出口３３ｆ）は、それぞれのガス供給管の延在方向に沿って所定の間隔ごとに形成される。各吐出口は、水平方向に向けてガスを放出する。各吐出口同士の間隔は、例えばボート１６に保持される基板Ｗの間隔と同じに設定される。各吐出口の高さ方向の位置は、上下方向に隣り合う基板Ｗ間の中間位置に設定されている。これにより、各吐出口は隣り合う基板Ｗ間の対向面にガスを効率的に供給できる。

【0032】

ガス供給部３０は、複数種類のガスを混合して１つのガス供給管から混合したガスを吐出してもよい。各ガス供給管（ＤＩＰＡＳ供給管３１ａ、ジシラン供給管３２ａ、フッ化水素供給管３３ａ）は、互いに異なる形状や配置であってもよい。成膜装置１は、ＤＩＰＡＳガス、ジシランガス、フッ化水素の他に、別のガスを供給するガス供給管を更に備えてもよい。

【0033】

排気部４０は、内管１１内から開口１５を介して排出され、内管１１と外管１２との間の空間Ｐ１を介してガス出口４１から排出されるガスを排気する。ガス出口４１は、マニホールド１７の上部の側壁であって、支持部２０の上方に形成される。ガス出口４１には、排気通路４２が接続される。排気通路４２には、圧力調整弁４３及び真空ポンプ４４が順次介設されて、処理容器１０内を排気できるようになっている。

【0034】

加熱部５０は、外管１２の周囲に設けられている。加熱部５０は、例えばベースプレート２８上に設けられている。加熱部５０は、外管１２を覆うように円筒形状を有する。加熱部５０は、例えば発熱体を含み、処理容器１０内の各基板Ｗを加熱する。

【0035】

制御部８０は、成膜装置１の各部の動作を制御する。制御部８０は、例えばコンピュータであってよい。成膜装置１の各部の動作を行うコンピュータのプログラムは、記憶媒体９０に記憶されている。記憶媒体９０は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ等であってよい。

【0036】

〔成膜装置の動作〕
成膜装置１において実施形態に係る成膜方法を実施する場合の動作について説明する。

【0037】

まず、制御部８０は、昇降機構２５を制御して、複数の基板Ｗを保持したボート１６を処理容器１０内に搬入し、蓋体２１により処理容器１０の下端の開口を気密に塞ぎ、密閉する。続いて、制御部８０は、排気部４０を制御して処理容器１０内を減圧し、加熱部５０を制御して基板Ｗの温度を第１温度Ｔ１に調整する。各基板Ｗは、前述の基板１０１であってよい。

【0038】

続いて、制御部８０は、シード層形成工程Ｓ２０を実行するように、ガス供給部３０、排気部４０及び加熱部５０を制御する。具体的には、まず、制御部８０は、加熱部５０を制御して基板Ｗの温度を第１温度Ｔ１に維持した状態で、ガス供給部３０を制御して処理容器１０内にＤＩＰＡＳガスを供給すると共に、排気部４０を制御して処理容器１０内を処理圧力に維持する。これにより、基板１０１上にシード層１０２が形成される。

【0039】

続いて、制御部８０は、シリコン膜形成工程Ｓ３０を実行するように、ガス供給部３０、排気部４０及び加熱部５０を制御する。具体的には、まず、制御部８０は、加熱部５０を制御して基板Ｗの温度を第１温度Ｔ１に維持した状態で、ガス供給部３０を制御して処理容器１０内にジシランガスを供給すると共に、排気部４０を制御して処理容器１０内を処理圧力に維持する。このとき、制御部８０は、ガス供給部３０を制御して処理容器１０内にジシランガスを供給している少なくとも一部の期間において処理容器１０内にフッ化水素ガスを供給する。これにより、シード層１０２上にアモルファスシリコン膜１０３が形成される。このとき、アモルファスシリコン膜１０３における珪素の未結合手ＤＢがフッ化水素ガスのフッ素（Ｆ）で終端される。これにより、アモルファスシリコン膜１０３に含まれる欠陥を低減できる。

【0040】

続いて、制御部８０は、処理容器１０内を大気圧に昇圧すると共に、処理容器１０内を搬出温度に降温させた後、昇降機構２５を制御してボート１６を処理容器１０内から搬出する。

【0041】

〔実施例〕
実施形態に係る成膜方法によりアモルファスシリコン膜に含まれる欠陥を低減できることを確認した実施例について説明する。

【0042】

実施例では、シリコン酸化膜（熱酸化膜）を表面に有するシリコンウエハを準備し、準備したシリコンウエハを前述の成膜装置１の処理容器１０内に収容し、以下に示される条件Ａ、条件Ｂ及び条件Ｃによりシリコン酸化膜の上にアモルファスシリコン膜を形成した。続いて、フォトルミネッセンス（ＰＬ：Photoluminescence）法により、各条件で形成したアモルファスシリコン膜のＰＬ強度を測定した。

【0043】

（条件Ａ）
条件Ａでは、準備した基板に対して、ジシランガスの供給とフッ化水素ガスの供給とを同時に行うことにより、シリコン酸化膜の上に３０ｎｍのアモルファスシリコン膜を形成した。

【0044】

（条件Ｂ）
条件Ｂでは、準備した基板に対して、ジシランガスの供給とフッ化水素ガスの供給とを交互に行うことにより、シリコン酸化膜の上に３０ｎｍのアモルファスシリコン膜を形成した。

【0045】

（条件Ｃ）
条件Ｃでは、準備した基板に対して、フッ化水素ガスを供給することなくジシランガスを供給することにより、シリコン酸化膜の上に３０ｎｍのアモルファスシリコン膜を形成した。

【0046】

図６から図８は、アモルファスシリコン膜のＰＬスペクトルを示す図である。図６から図８において、横軸は波長［ｎｍ］及びエネルギー［ｅＶ］を示し、縦軸はＰＬ強度［ａ．ｕ．］を示す。図６から図８では、上側のグラフから順に条件Ａ、条件Ｂ及び条件Ｃの結果を示す。

【0047】

図６に示されるように、条件Ｂ及び条件Ｃでは１．１４ｅＶにおいてＰＬ強度のピークが検出されているのに対し、条件Ａでは１．１４ｅＶにおけるＰＬ強度のピークが消失していることが分かる。図７に示されるように、条件Ｂ及び条件Ｃでは１．０３４ｅＶにおいてＰＬ強度のピークが検出されているのに対し、条件Ａでは１．０３４ｅＶにおけるＰＬ強度のピークが消失していることが分かる。これらの結果から、ジシランガスの供給とフッ化水素ガスの供給とを同時に行うことにより、アモルファスシリコン膜に含まれる一部の欠陥が消失したと考えられる。

【0048】

図８に示されるように、条件Ｂ及び条件Ｃでは１．０９ｅＶにおいてＰＬ強度のピークが検出されていないのに対し、条件Ａでは１．０９ｅＶにおいてＰＬ強度のピークが検出されていることが分かる。１．０９ｅＶにおけるＰＬ強度のピークは、珪素と結合したフッ素に起因する発光であると考えられる。

【0049】

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【0050】

上記の実施形態では、アミノシラン系ガスがＤＩＰＡＳガスである場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。アミノシラン系ガスは、例えば３ＤＭＡＳ（トリスジメチルアミノシラン）ガス、ＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチルアミノシラン）、２－ジメチルアミノ－２，４，６，８－テトラメチルシクロテトラシロキサンガスであってもよい。

【0051】

上記の実施形態では、シラン系ガスがジシランガスである場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。シラン系ガスは、例えばＳｉＨ_４ガス、Ｓｉ_３Ｈ_８ガス、Ｓｉ_４Ｈ_１０ガスであってもよい。

【0052】

上記の実施形態では、終端ガスがフッ化水素ガスである場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。終端ガスは、水素（Ｈ）より電気陰性度が小さい元素を含んでいればよい。水素より電気陰性度が小さい元素は、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）等のハロゲンであってよい。水素より電気陰性度が小さい元素は、酸素（Ｏ）であってもよい。終端ガスは、例えばＨＣｌガス、ＨＢｒガス、ＨＩガス等のＨＦガス以外のハロゲン化水素ガスであってもよい。この場合、シリコン膜における珪素（Ｓｉ）の未結合手がハロゲンで終端される。終端ガスは、Ｎ_２Ｏガスであってもよい。この場合、シリコン膜における珪素（Ｓｉ）の未結合手が酸素（Ｏ）で終端される。

【0053】

上記の実施形態では、成膜装置が複数の基板に対して一度に処理を行うバッチ式の装置である場合を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、成膜装置は基板を１枚ずつ処理する枚葉式の装置であってよい。

【符号の説明】

【0054】

１ 成膜装置
１０ 処理容器
３１ ＤＩＰＡＳ供給部
３２ ジシラン供給部
３３ フッ化水素供給部
８０ 制御部
Ｓ３０ シリコン膜形成工程

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】