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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024146399
(43)【公開日】2024-10-15
(54)【発明の名称】構造体
(51)【国際特許分類】
H01L 23/12 20060101AFI20241004BHJP
H05K 3/28 20060101ALI20241004BHJP
H01L 23/28 20060101ALI20241004BHJP
【ＦＩ】
H01L23/12 F
H05K3/28 B
H01L23/28 Z
【審査請求】未請求
【請求項の数】17
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023059265
(22)【出願日】2023-03-31
(71)【出願人】
【識別番号】591021305
【氏名又は名称】太陽ホールディングス株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100120031
【弁理士】
【氏名又は名称】宮嶋 学
(74)【代理人】
【識別番号】100120617
【弁理士】
【氏名又は名称】浅野 真理
(74)【代理人】
【識別番号】100152423
【弁理士】
【氏名又は名称】小島 一真
(74)【代理人】
【識別番号】100137523
【弁理士】
【氏名又は名称】出口 智也
(72)【発明者】
【氏名】伊藤 信人
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 和也
(72)【発明者】
【氏名】荒井 康昭
【テーマコード（参考）】
4M109
5E314
【Ｆターム（参考）】
4M109AA01
4M109BA04
4M109DB15
5E314AA27
5E314BB06
5E314BB07
5E314BB11
5E314CC06
5E314DD07
5E314EE02
5E314FF05
5E314FF19
5E314FF27
5E314GG24
5E314GG26
(57)【要約】 （修正有）
【課題】半導体チップの高さを調整するための高さ調整部（スペーサ）を基板に固定するための接着層を不要とすることで製造コストを低減しつつ、基板から半導体チップまでの高さを所定の値に微調整する構造体を提供する。
【解決手段】構造体１００は、基板Ｂと、基板Ｂ上に設けられた配線Ｅ１、Ｅ２と、基板Ｂ上に、配線Ｅ１、Ｅ２の全部または一部を被覆するように設けられた絶縁層ＳＲと、基板Ｂ上の第１領域Ａ１において、絶縁層ＳＲを介して設けられ、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄと、高さ調整部Ｄにより支持されるように高さ調整部Ｄ上に配置された第１半導体チップＩＣ１と、を備える。
【選択図】図１
【解決手段】構造体１００は、基板Ｂと、基板Ｂ上に設けられた配線Ｅ１、Ｅ２と、基板Ｂ上に、配線Ｅ１、Ｅ２の全部または一部を被覆するように設けられた絶縁層ＳＲと、基板Ｂ上の第１領域Ａ１において、絶縁層ＳＲを介して設けられ、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄと、高さ調整部Ｄにより支持されるように高さ調整部Ｄ上に配置された第１半導体チップＩＣ１と、を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に設けられた配線と、
前記基板上に、前記配線の全部または一部を被覆するように設けられた絶縁層と、
前記基板上の第１領域において、前記絶縁層を介して設けられ、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部と、
前記高さ調整部により支持されるように前記高さ調整部上に配置された第１半導体チップと、
を備える、構造体。
前記基板上に設けられた配線と、
前記基板上に、前記配線の全部または一部を被覆するように設けられた絶縁層と、
前記基板上の第１領域において、前記絶縁層を介して設けられ、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部と、
前記高さ調整部により支持されるように前記高さ調整部上に配置された第１半導体チップと、
を備える、構造体。
【請求項2】
前記基板上で、前記第１半導体チップを封止する樹脂層を、さらに備える、請求項１に記載の構造体。
【請求項3】
前記基板上の前記第１領域とは異なる第２領域において、前記絶縁層を介して配置された第２半導体チップと、
前記基板上で、前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを封止する樹脂層と、をさらに備える、請求項１に記載の構造体。
前記基板上で、前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを封止する樹脂層と、をさらに備える、請求項１に記載の構造体。
【請求項4】
前記第１領域において、前記高さ調整部の上面と前記第１半導体チップの下面との間を接着する第１絶縁接着層を備える、請求項１に記載の構造体。
【請求項5】
前記絶縁層、及び前記高さ調整部は、同じ有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成されている、請求項１に記載の構造体。
【請求項6】
前記有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種は、感光性である、請求項１に記載の構造体。
【請求項7】
前記第２領域において、前記絶縁層の上面と前記第２半導体チップの下面との間を接着する第２絶縁接着層と、
前記配線のうちの第２配線と前記第２半導体チップの上面に設けられた端子との間を接続する第２ボンディングワイヤと、を備える、請求項３に記載の構造体。
前記配線のうちの第２配線と前記第２半導体チップの上面に設けられた端子との間を接続する第２ボンディングワイヤと、を備える、請求項３に記載の構造体。
【請求項8】
前記配線のうちの第２配線と前記第２半導体チップの下面に設けられた端子との間を接続するバンプ電極と、
前記絶縁層と前記第２半導体チップとの間に設けられ、前記絶縁層と前記第２半導体チップの下面との接着し且つ前記端子及び前記バンプ電極を封止するアンダーフィル樹脂と、を備える、請求項３に記載の構造体。
前記絶縁層と前記第２半導体チップとの間に設けられ、前記絶縁層と前記第２半導体チップの下面との接着し且つ前記端子及び前記バンプ電極を封止するアンダーフィル樹脂と、を備える、請求項３に記載の構造体。
【請求項9】
前記第１半導体チップの下面と前記第２ボンディングワイヤと間の距離は、予め設定された距離に設定されている、請求項７に記載の構造体。
【請求項10】
前記配線のうちの第１配線と前記第１半導体チップの上面に設けられた端子との間を接続する第１ボンディングワイヤを備える、請求項７又は８に記載の構造体。
【請求項11】
前記樹脂層は、前記高さ調整部とは異なる材料で構成されている、請求項２に記載の構造体。
【請求項12】
前記第１半導体チップ上に、１個又は複数個の第３半導体チップが積層されている、請求項１に記載の構造体。
【請求項13】
前記第１半導体チップは、半導体メモリを含む、請求項１に記載の構造体。
【請求項14】
前記第２半導体チップは、前記第１半導体チップの動作を制御するコントローラを含む、請求項３に記載の構造体。
【請求項15】
前記絶縁層は、ソルダーレジストから構成される、請求項１に記載の構造体。
【請求項16】
前記高さ調整部は、絶縁性を有する、請求項１に記載の構造体。
【請求項17】
前記第１半導体チップの下面と前記第２半導体チップの上面との距離は、予め設定された距離に設定されている、請求項３に記載の構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体チップを備えた構造体に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、基板と、この基板上に第１接着層を介して搭載された高さ調整用部材（スペーサ）と、この高さ調整用部材上に第２接着層を介して搭載された第１半導体チップと、基板上に第２接着層を介して搭載された第２半導体チップと、基板に設けられた各配線と各半導体チップの端子とを接続する複数のボンディングワイヤと、基板上でこれらの構成を封止する封止部材と、を備えた構造体（半導体装置）が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【0003】
このような従来の構造体において、当該高さ調整用部材は、無機系の部材が用いられている。したがって、この構造体では、当該高さ調整用部材を基板に固定するために、上記のように第１接着層が別途必要となり、この第１接着層の形成や位置合わせ等のための工程を実施するため、当該構造体の製造コストが増加することとなる。
【0004】
さらに、無機系の部材である当該高さ調整用部材は、その膜厚の微調整が難しいため、基板から第１半導体チップまでの高さの微調整が困難であり、例えば、高さ調整用部材を基板に固定する第１接着層の膜厚を調整することにより高さを調整する等のさらに個別の設定が必要となる。
【0005】
以上のように、上記従来技術の構造体では、半導体チップの高さを調整するための高さ調整部（スペーサ）を基板に固定するための接着層を不要とすることで製造コストを低減しつつ、基板から半導体チップまでの高さを所定の値に微調整することができない問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１４－１３８０３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
そこで、本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み、半導体チップの高さを調整するための高さ調整部（スペーサ）を基板に固定するための接着層を不要とすることで製造コストを低減しつつ、基板から半導体チップまでの高さを所定の値に微調整することが可能な構造体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体は、
基板と、
前記基板上に設けられた配線と、
前記基板上に、前記配線の全部または一部を被覆するように設けられた絶縁層と、
前記基板上の第１領域において、前記絶縁層を介して設けられ、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部と、
前記高さ調整部により支持されるように前記高さ調整部上に配置された第１半導体チップと、
を備える。
基板と、
前記基板上に設けられた配線と、
前記基板上に、前記配線の全部または一部を被覆するように設けられた絶縁層と、
前記基板上の第１領域において、前記絶縁層を介して設けられ、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部と、
前記高さ調整部により支持されるように前記高さ調整部上に配置された第１半導体チップと、
を備える。
【0009】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記基板上で、前記第１半導体チップを封止する樹脂層
を、さらに備えるようにしてもよい。
前記基板上で、前記第１半導体チップを封止する樹脂層
を、さらに備えるようにしてもよい。
【0010】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記基板上の前記第１領域とは異なる第２領域において、前記絶縁層を介して配置された第２半導体チップと、
前記基板上で、前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを封止する樹脂層と、をさらに備えていてもよい。
前記基板上の前記第１領域とは異なる第２領域において、前記絶縁層を介して配置された第２半導体チップと、
前記基板上で、前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップを封止する樹脂層と、をさらに備えていてもよい。
【0011】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記基板の上面から前記高さ調整部の上面までの高さは、前記基板の前記上面から前記第２半導体チップの上面までの高さより、高くなるようにしてもよい。
前記基板の上面から前記高さ調整部の上面までの高さは、前記基板の前記上面から前記第２半導体チップの上面までの高さより、高くなるようにしてもよい。
【0012】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記第１半導体チップの端部は、前記第２半導体チップの上方または横であって同じ高さに位置している、ようにしてもよい。
前記第１半導体チップの端部は、前記第２半導体チップの上方または横であって同じ高さに位置している、ようにしてもよい。
【0013】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記第１領域において、前記高さ調整部の上面と前記第１半導体チップの下面との間を接着する第１絶縁接着層を備えるようにしてもよい。
前記第１領域において、前記高さ調整部の上面と前記第１半導体チップの下面との間を接着する第１絶縁接着層を備えるようにしてもよい。
【0014】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記高さ調整部は、
前記第１領域において第１方向に延在する第１高さ調整部分と、
前記第１領域において前記第１方向に延在し且つ前記第１高さ調整部分と離間して設けられた第２高さ調整部分と、を含み、
前記第１高さ調整部分と前記第２高さ調整部分との間には、前記樹脂層を備えるようにしてもよい。
前記高さ調整部は、
前記第１領域において第１方向に延在する第１高さ調整部分と、
前記第１領域において前記第１方向に延在し且つ前記第１高さ調整部分と離間して設けられた第２高さ調整部分と、を含み、
前記第１高さ調整部分と前記第２高さ調整部分との間には、前記樹脂層を備えるようにしてもよい。
【0015】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記高さ調整部は、
前記第１領域において前記第１方向とは異なる第２方向に延在する第３高さ調整部分と、
前記第１領域において前記第２方向に延在し且つ前記第１ないし第３高さ調整部分と離間して設けられた第４高さ調整部分と、をさらに含み、
前記第１ないし第４高さ調整部分の間には、前記樹脂層を備えるようにしてもよい。
前記高さ調整部は、
前記第１領域において前記第１方向とは異なる第２方向に延在する第３高さ調整部分と、
前記第１領域において前記第２方向に延在し且つ前記第１ないし第３高さ調整部分と離間して設けられた第４高さ調整部分と、をさらに含み、
前記第１ないし第４高さ調整部分の間には、前記樹脂層を備えるようにしてもよい。
【0016】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記絶縁層、及び前記高さ調整部は、同じ有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成されているようにしてもよい。
前記絶縁層、及び前記高さ調整部は、同じ有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成されているようにしてもよい。
【0017】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記高さ調整部は、前記絶縁層と前記第１および第２高さ調整部分との間に設けられた台座部分を備えるようにしてもよい。
前記高さ調整部は、前記絶縁層と前記第１および第２高さ調整部分との間に設けられた台座部分を備えるようにしてもよい。
【0018】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記絶縁層、前記第１および第２高さ調整部分、及び前記台座部分は、同じ有機樹脂で構成されているようにしてもよい。
前記絶縁層、前記第１および第２高さ調整部分、及び前記台座部分は、同じ有機樹脂で構成されているようにしてもよい。
【0019】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種は、感光性であるようにしてもよい。
前記有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種は、感光性であるようにしてもよい。
【0020】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記第２領域において、前記絶縁層の上面と前記第２半導体チップの下面との間を接着する第２絶縁接着層と、
前記配線のうちの第２配線と前記第２半導体チップの上面に設けられた端子との間を接続する第２ボンディングワイヤと、を備えるようにしてもよい。
前記第２領域において、前記絶縁層の上面と前記第２半導体チップの下面との間を接着する第２絶縁接着層と、
前記配線のうちの第２配線と前記第２半導体チップの上面に設けられた端子との間を接続する第２ボンディングワイヤと、を備えるようにしてもよい。
【0021】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記配線のうちの第２配線と前記第２半導体チップの下面に設けられた端子との間を接続するバンプ電極と、
前記絶縁層と前記第２半導体チップとの間に設けられ、前記絶縁層と前記第２半導体チップの下面との接着し且つ前記端子及び前記バンプ電極を封止するアンダーフィル樹脂と、を備えるようにしてもよい。
前記配線のうちの第２配線と前記第２半導体チップの下面に設けられた端子との間を接続するバンプ電極と、
前記絶縁層と前記第２半導体チップとの間に設けられ、前記絶縁層と前記第２半導体チップの下面との接着し且つ前記端子及び前記バンプ電極を封止するアンダーフィル樹脂と、を備えるようにしてもよい。
【0022】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記第１半導体チップの下面と前記第２ボンディングワイヤと間の距離は、予め設定された距離に設定されているようにしてもよい。
前記第１半導体チップの下面と前記第２ボンディングワイヤと間の距離は、予め設定された距離に設定されているようにしてもよい。
【0023】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記配線のうちの第１配線と前記第１半導体チップの上面に設けられた端子との間を接続する第１ボンディングワイヤを備えるようにしてもよい。
前記配線のうちの第１配線と前記第１半導体チップの上面に設けられた端子との間を接続する第１ボンディングワイヤを備えるようにしてもよい。
【0024】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記樹脂層は、前記高さ調整部とは異なる材料で構成されているようにしてもよい。
前記樹脂層は、前記高さ調整部とは異なる材料で構成されているようにしてもよい。
【0025】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記第１半導体チップ上に、１個又は複数個の第３半導体チップが積層されているようにしてもよい。
前記第１半導体チップ上に、１個又は複数個の第３半導体チップが積層されているようにしてもよい。
【0026】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記第１半導体チップは、半導体メモリを含むようにしてもよい。
前記第１半導体チップは、半導体メモリを含むようにしてもよい。
【0027】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記第２半導体チップは、前記第１半導体チップの動作を制御するコントローラを含むようにしてもよい。
前記第２半導体チップは、前記第１半導体チップの動作を制御するコントローラを含むようにしてもよい。
【0028】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記絶縁層は、ソルダーレジストから構成されるようにしてもよい。
前記絶縁層は、ソルダーレジストから構成されるようにしてもよい。
【0029】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記高さ調整部は、絶縁性を有するようにしてもよい。
前記高さ調整部は、絶縁性を有するようにしてもよい。
【0030】
前記本発明の一態様に係る実施形態に従った構造体において、
前記第１半導体チップの下面と前記第２半導体チップの上面との距離は、予め設定された距離に設定されていてもよい。
前記第１半導体チップの下面と前記第２半導体チップの上面との距離は、予め設定された距離に設定されていてもよい。
【発明の効果】
【0031】
本発明の一態様に係る構造体によれば、半導体チップの高さを調整するための高さ調整部（スペーサ）を基板に固定するための接着層を不要とすることで製造コストを低減しつつ、基板から半導体チップまでの高さを所定の値に微調整することが可能な構造体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0032】
【発明を実施するための形態】
【0033】
以下、発明を実施するための実施形態やその変形例について、図面を参照しながら詳細に説明する。
なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態やその変形例に限定して解釈されるものではない。
また、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態やその変形例に限定して解釈されるものではない。
また、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」や「直交」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。
【0034】
【0035】
ここで、図１は、本発明の実施形態に係る構造体１００の断面の一例を模式的に示す断面図である。そして、図２は、図１に示す構造体１００の高さ調整部Ｄ近傍の領域に注目した構成の一例を示す上面図である。なお、図２に示すＡ―Ａ線に沿った断面は、図１に示す構造体１００の高さ調整部Ｄ近傍の領域に注目した構成の断面に対応している。また、
図３は、図１に示す構造体１００の高さ調整部Ｄ近傍の領域に注目した構成の他の例を示す上面図である。なお、図３に示すＡ―Ａ線に沿った断面は、図１に示す構造体１００の高さ調整部Ｄ近傍の領域に注目した構成の断面に対応している。
図３は、図１に示す構造体１００の高さ調整部Ｄ近傍の領域に注目した構成の他の例を示す上面図である。なお、図３に示すＡ―Ａ線に沿った断面は、図１に示す構造体１００の高さ調整部Ｄ近傍の領域に注目した構成の断面に対応している。
【0036】
[構造体]
本実施形態に係る構造体１００は、例えば、図１に示すように、基板Ｂと、配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸ（第１配線Ｅ１、第２配線Ｅ２、第３配線ＥＸ）と、絶縁層ＳＲと、高さ調整部Ｄと、第１絶縁接着層Ｍ１と、第１半導体チップＩＣ１と、第１ボンディングワイヤＷ１と、第２絶縁接着層Ｍ２と、第２半導体チップＩＣ２と、第２ボンディングワイヤＷ２と、第３絶縁接着層Ｍ３ａと、第３半導体チップＩＣ３ａと、第３ボンディングワイヤＷ３ａと、樹脂層Ｆと、を備える。
本実施形態に係る構造体１００は、例えば、図１に示すように、基板Ｂと、配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸ（第１配線Ｅ１、第２配線Ｅ２、第３配線ＥＸ）と、絶縁層ＳＲと、高さ調整部Ｄと、第１絶縁接着層Ｍ１と、第１半導体チップＩＣ１と、第１ボンディングワイヤＷ１と、第２絶縁接着層Ｍ２と、第２半導体チップＩＣ２と、第２ボンディングワイヤＷ２と、第３絶縁接着層Ｍ３ａと、第３半導体チップＩＣ３ａと、第３ボンディングワイヤＷ３ａと、樹脂層Ｆと、を備える。
【0037】
この構造体１００は、図１に示す例では、例えば、半導体記憶装置である。しかしながら、この構造体１００の構成は、半導体記憶装置以外の半導体装置やその他のデバイスにも適用が可能である。
【0038】
[基板]
図１に示す構造体１００の基板Ｂは、例えば、プリント配線板である。この基板Ｂは、例えば、ガラスエポキシ樹脂製の基材を含んでいる。
図１に示す構造体１００の基板Ｂは、例えば、プリント配線板である。この基板Ｂは、例えば、ガラスエポキシ樹脂製の基材を含んでいる。
【0039】
そして、この基板Ｂ上には、複数の配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸが設けられている。この複数の配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸは、基板Ｂに固定されている。なお、この複数の配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸは、例えば、銅を含む配線であるが、アルミ等の他の導電性を有する金属等で構成されていてもよい。
【0040】
[絶縁層]
図１に示す構造体１００の絶縁層ＳＲは、基板Ｂ上において、配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸの全部または一部を被覆するように設けられている。
図１に示す構造体１００の絶縁層ＳＲは、基板Ｂ上において、配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸの全部または一部を被覆するように設けられている。
【0041】
特に、この絶縁層ＳＲは、例えば、感光性樹脂および感光性樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成されているが、他の有機樹脂等で構成されていてもよい。
【0042】
この絶縁層ＳＲは、例えば、配線が設けられた基板Ｂの表面を覆い、パターン回路を保護する絶縁膜となるインキの硬化物であるソルダーレジストから構成される。このソルダーレジスト形成用のインキは、例えば、塗膜形成の方法によって、「アルカリ現像型ソルダーレジストインキ」、「ＵＶ硬化型ソルダーレジストインキ」、「熱硬化型ソルダーレジストインキ」等に分類される。そして、例えば、「アルカリ現像型ソルダーレジストインキ」は、スクリーン印刷やスプレー、カーテン法によりソルダーレジストインキを全面塗布したプリント配線板に、パターンが作られたネガフィルムをとおして露光し、未硬化部分を希アルカリ現像液で現像することにより微細なパターンを形成することが可能なソルダーレジストインキである。また、「UV硬化型ソルダーレジストインキ」は、スクリーン印刷法によりパターン印刷し、UV光（紫外線）を照射することにより硬化するタイプのソルダーレジストインキである。また、「熱硬化型ソルダーレジストインキ」は、スクリーン印刷法によりパターン印刷し、加熱により硬化するタイプのソルダーレジストインキである。
【0043】
ここで、一例として、以下、感光性樹脂組成物を使用してパターニングする方法を説明する。なお、感光性樹脂組成物に代えてドライフィルムを使用できることは言うまでもない。
【0044】
先ず、感光性樹脂組成物を基板表面に塗布する。塗布方法は特に限定されるものではなく、スクリーン印刷法、バーコーター、ブレードコーターなどの公知の塗布方法を採用することできる。感光性樹脂の厚さは、塗布量によって適宜調整することができる。
【0045】
次いで、所定のパターンを有するネガマスクを介して、樹脂組成物の塗膜に露光を行う。露光は、接触露光または非接触露光のいずれであってもよい。また、マスクを使用することなく、レーザー・ダイレクト・イメージング装置により、塗膜にパターンを形成してもよい。
【0046】
続いて、塗膜の現像を行い露光後の塗膜をパターン状にする。現像液として希アルカリ水溶液を用いることにより露光後の塗膜へのダメージが少なく、解像性にも優れた露光後の塗膜を得ることができる。
【0047】
現像後に熱や紫外線照射により感光性樹脂組成物を本硬化させ、所望のパターンの硬化した樹脂層を形成することができる。
【0048】
[高さ調整部]
図１に示す構造体１００の高さ調整部Ｄは、基板Ｂ上の第１領域Ａ１において、絶縁層ＳＲ上に設けられている。
図１に示す構造体１００の高さ調整部Ｄは、基板Ｂ上の第１領域Ａ１において、絶縁層ＳＲ上に設けられている。
【0049】
この高さ調整部Ｄは、例えば、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種（以下、有機樹脂材料ともいう）で構成されている。特に、この高さ調整部Ｄは、例えば、感光性樹脂および感光性樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成されている。そして、この高さ調整部Ｄは、絶縁性を有することが好ましい。
【0050】
なお、既述の絶縁層ＳＲとこの高さ調整部Ｄとは、同一組成であってもよく、一方、異なる組成であってもよい。
【0051】
【0052】
【0053】
また、第２高さ調整部分Ｄ２は、第１領域Ａ１において第１方向Ｘに延在し且つ第１高さ調整部分Ｄ１と離間して設けられている。なお、この図１および図２の例では、第１高さ調整部分Ｄ１と第２高さ調整部分Ｄ２とは、第１領域Ａ１において、平行に配置されているが、第１半導体チップＩＣ１を支持できれば必ずしも平行に配置されていなくてもよい。
【0054】
特に、第１高さ調整部分Ｄ１と第２高さ調整部分Ｄ２との間には、例えば、図１および図２に示すように、樹脂層Ｆを備える。すなわち、第１高さ調整部分Ｄ１と第２高さ調整部分Ｄ２との間には、樹脂層Ｆが充てんされている。
【0055】
また、図２の例では、第１、第２高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２が２列に配置されているが、各高さ調整部分が４列配置されているようにしてもよい。
【0056】
すなわち、高さ調整部Ｄは、例えば、図３に示すように、台座部分ＤＸと、第１高さ調整部分Ｄ１と、第２高さ調整部分Ｄ２と、第３高さ調整部分Ｄ３と、第４高さ調整部分Ｄ４と、を含むようにしてもよい。
【0057】
【0058】
また、第２高さ調整部分Ｄ２は、第１領域Ａ１において第１方向Ｘに延在し且つ第１高さ調整部分Ｄ１と離間して設けられている。なお、この図１および図３の例では、第１高さ調整部分Ｄ１と第２高さ調整部分Ｄ２とは、第１領域Ａ１において、平行に配置されているが、第１半導体チップＩＣ１を支持できれば必ずしも平行に配置されていなくてもよい。
【0059】
また、第３高さ調整部分Ｄ３は、例えば、図３に示すように、第１領域Ａ１において第１方向Ｘとは異なる（例えば、直行する）第２方向Yに延在し且つ第１ないし第２高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２と離間して設けられている。
【0060】
また、第４高さ調整部分Ｄ４は、例えば、図３に示すように、第１領域Ａ１において第２方向Yに延在し且つ第１ないし第３高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３と離間して設けられている。
【0061】
ここで、第１ないし第４高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４の間には、樹脂層Ｆを備える。すなわち、基板Ｂの上方において、第１高さ調整部分Ｄ１、第２高さ調整部分Ｄ２、第３高さ調整部分Ｄ３、及び第４高さ調整部分Ｄ４の間には、樹脂層Ｆが充てんされている。
【0062】
なお、図１ないし図３に示す高さ調整部Ｄの各高さ調整部部分の構成及び配置は、一例であり、同様の機能を有するような他の構成及び配置であってもよく、後述のように、必要に応じて省略されていてもよい。すなわち、高さ調整部Ｄが台座部分ＤＸのみで構成されるようにしてもよい。
【0063】
なお、この高さ調整部Ｄは、例えば、有機樹脂材料のインクジェット塗布によるパターニング、有機樹脂材料のパターン印刷によるパターニング、又は、フォトリソグラフィ技術（露光、現像）を用いた感光性有機樹脂材料のパターニングにより、パターニングされ、所定の硬化処理等が実施されることで、形成される。特に、感光性有機樹脂材料のパターニングは、例えば、Ｄ１、Ｄ２のような高さ調整部分を微細形成する際、ファインパターンを形成できる点で好ましい。そして、パターン印刷によるパターニングは、例えば、台座部分ＤＸのような形状を形成する際、簡便にできる点で好ましい。また、下地（絶縁層ＳＲ）との密着性も得られる。
【0064】
なお、絶縁層ＳＲ、及び高さ調整部Ｄは、例えば、同じ有機樹脂材料で構成されていてもよい。すなわち、絶縁層ＳＲ、第１および第２高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２、及び台座部分ＤＸは、同じ有機樹脂材料で構成されているようにしてもよい。
【0065】
この場合、この有機樹脂材料は、例えば、感光性樹脂および感光性樹脂組成物の少なくともいずれか１種である。
【0066】
この場合、例えば、絶縁層ＳＲ、第１および第２高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２、及び台座部分ＤＸを、多段のソルダーレジスト構造の形成方法によって、形成することが可能である。すなわち、例えば、絶縁層ＳＲ上に感光性有機樹脂材料を成膜後、第１および第２高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２に対応する部分を残すように段階的に露光、現像することで、絶縁層ＳＲ、第１および第２高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２、及び台座部分ＤＸを、同時に形成することが可能である。
【0067】
しかしながら、絶縁層ＳＲ、及び高さ調整部Ｄは、必要に応じて、例えば、異なる有機樹脂材料で構成されていてもよい。すなわち、絶縁層ＳＲ、第１および第２高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２、及び台座部分ＤＸは、異なる有機樹脂材料で構成されているようにしてもよい。
【0068】
[第１半導体チップ]
図１に示す構造体１００の第１半導体チップＩＣ１は、高さ調整部Ｄにより支持されるように高さ調整部Ｄ上に配置されている。
図１に示す構造体１００の第１半導体チップＩＣ１は、高さ調整部Ｄにより支持されるように高さ調整部Ｄ上に配置されている。
【0069】
また、この第１半導体チップＩＣ１は、例えば、任意の半導体メモリを含むが、この半導体メモリとして、具体的には、例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリを含むものである。
【0070】
[第１絶縁接着層]
第１絶縁接着層Ｍ１は、第１半導体チップＩＣ１の下面に設けられ、第１領域Ａ１において、高さ調整部Ｄの上面と第１半導体チップＩＣ１の下面との間を接着するようになっている。すなわち、この第１絶縁接着層Ｍ１により、高さ調整部Ｄの上面に第１半導体チップＩＣ１の下面が固定される。第１絶縁接着層は第１半導体チップＩＣ１の下面との接触面のみに位置しても第１半導体チップＩＣ１の下面全面に位置してもよい。
第１絶縁接着層Ｍ１は、第１半導体チップＩＣ１の下面に設けられ、第１領域Ａ１において、高さ調整部Ｄの上面と第１半導体チップＩＣ１の下面との間を接着するようになっている。すなわち、この第１絶縁接着層Ｍ１により、高さ調整部Ｄの上面に第１半導体チップＩＣ１の下面が固定される。第１絶縁接着層は第１半導体チップＩＣ１の下面との接触面のみに位置しても第１半導体チップＩＣ１の下面全面に位置してもよい。
【0071】
なお、この第１絶縁接着層Ｍ１の組成としては、ダイアタッチ材、ダイアタッチフィルムその他これらに類する材料を適宜用いることができる。
【0072】
[第１ボンディングワイヤ]
第１ボンディングワイヤＷ１は、配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸのうちの第１配線Ｅ１と第１半導体チップＩＣ１の上面に設けられた端子Ｇ１との間を電気的に接続するようになっている。
第１ボンディングワイヤＷ１は、配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸのうちの第１配線Ｅ１と第１半導体チップＩＣ１の上面に設けられた端子Ｇ１との間を電気的に接続するようになっている。
【0073】
なお、この第１ボンディングワイヤＷ１の材質は、例えば、金であるが、これに限定されるものではない。
【0074】
[第２半導体チップ]
第２半導体チップＩＣ２は、基板Ｂ上の第１領域Ａ１とは異なる第２領域Ａ２において、絶縁層ＳＲを介して配置されている。
第２半導体チップＩＣ２は、基板Ｂ上の第１領域Ａ１とは異なる第２領域Ａ２において、絶縁層ＳＲを介して配置されている。
【0075】
なお、例えば、図１に示すように、第１半導体チップＩＣ１の端部ＩＣ１ａは、この第２半導体チップＩＣ２の上方に位置しているが、この第２半導体チップＩＣ２の横であって同じ高さに位置していてもよい。
【0076】
ここで、この第２半導体チップＩＣ２は、例えば、第１半導体チップＩＣ１の動作を制御するコントローラを含む。
【0077】
より具体的には、この第２半導体チップＩＣ２に含まれるコントローラは、例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリを制御するコントローラ集積回路である。
【0078】
そして、この第２半導体チップＩＣ２に含まれるコントローラは、例えば、外部からのコマンドに従って、第１半導体チップＩＣ１の半導体メモリへのデータの書き込みや、第１半導体チップＩＣ１の半導体メモリからのデータの読み出しや、第１半導体チップＩＣ１の半導体メモリのデータの消去などを行い、第１半導体チップＩＣ１の半導体メモリのデータの記憶状態を管理する。
【0079】
[第２絶縁接着層]
第２絶縁接着層Ｍ２は、第２半導体チップＩＣ２の下面に設けられ、第２領域Ａ２において、絶縁層ＳＲの上面と第２半導体チップＩＣ２の下面との間を接着するようになっている。すなわち、この第２絶縁接着層Ｍ２により、絶縁層ＳＲの上面に第２半導体チップＩＣ２の下面が固定される。第２絶縁接着層は第２半導体チップＩＣ２の下面との接触面のみに位置しても第２半導体チップＩＣ２の下面全面に位置してもよい。
第２絶縁接着層Ｍ２は、第２半導体チップＩＣ２の下面に設けられ、第２領域Ａ２において、絶縁層ＳＲの上面と第２半導体チップＩＣ２の下面との間を接着するようになっている。すなわち、この第２絶縁接着層Ｍ２により、絶縁層ＳＲの上面に第２半導体チップＩＣ２の下面が固定される。第２絶縁接着層は第２半導体チップＩＣ２の下面との接触面のみに位置しても第２半導体チップＩＣ２の下面全面に位置してもよい。
【0080】
なお、この第２絶縁接着層Ｍ２の組成としては、ダイアタッチ材、ダイアタッチフィルムその他これらに類する材料を適宜用いることができる。
【0081】
[第２ボンディングワイヤ]
第２ボンディングワイヤＷ２は、複数の配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸのうちの第２配線Ｅ２と第２半導体チップＩＣ２の上面に設けられた端子Ｇ２との間を電気的に接続するようになっている。
第２ボンディングワイヤＷ２は、複数の配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸのうちの第２配線Ｅ２と第２半導体チップＩＣ２の上面に設けられた端子Ｇ２との間を電気的に接続するようになっている。
【0082】
なお、この第２ボンディングワイヤＷ２の材質は、例えば、金であるが、これに限定されるものではない。
【0083】
[第３半導体チップ]
図１に示す構造体１００の第３半導体チップＩＣ３ａは、特に、図１に示すようにワイヤボンディングにより配線される場合には、第１半導体チップＩＣ１が入内されている位置から第１方向Ｘにずれるようにして、この第１半導体チップＩＣ１上に配置されている。このように、第１半導体チップＩＣ１上に、１個の第３半導体チップＩＣ３aが搭載されるようにしてもよい。
図１に示す構造体１００の第３半導体チップＩＣ３ａは、特に、図１に示すようにワイヤボンディングにより配線される場合には、第１半導体チップＩＣ１が入内されている位置から第１方向Ｘにずれるようにして、この第１半導体チップＩＣ１上に配置されている。このように、第１半導体チップＩＣ１上に、１個の第３半導体チップＩＣ３aが搭載されるようにしてもよい。
【0084】
また、この第３半導体チップＩＣ３aは、例えば、第１半導体チップＩＣ１と同様に、任意の半導体メモリを含むが、この半導体メモリとして、具体的には、例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリを含むものである。
【0085】
この場合、この第２半導体チップＩＣ２に含まれるコントローラは、例えば、外部からのコマンドに従って、第１半導体チップＩＣ１および第３半導体チップＩＣ３ａの半導体メモリへのデータの書き込みや、第１半導体チップＩＣ１および第３半導体チップＩＣ３ａの半導体メモリからのデータの読み出しや、第１半導体チップＩＣ１および第３半導体チップＩＣ３ａの半導体メモリのデータの消去などを行い、第１半導体チップＩＣ１および第３半導体チップＩＣ３ａの半導体メモリのデータの記憶状態を管理する。
【0086】
なお、既述のように、図１の例では、第１半導体チップＩＣ１上に搭載される第３半導体チップＩＣ３ａが１個である場合を示しているが、後述の変形例に記載のように、第１半導体チップＩＣ１上に積層される第３半導体チップの数は、例えば、２個以上であってもよい。
【0087】
[第３絶縁接着層]
第３絶縁接着層Ｍ３aは、第３半導体チップＩＣ３aの下面に設けられ、第３半導体チップＩＣ３aの下面と第１半導体チップＩＣ１の上面との間を接着するようになっている。すなわち、この第３絶縁接着層Ｍ３ａにより、第１半導体チップＩＣ１の上面に第３半導体チップＩＣ３ａの下面が固定される。第３絶縁接着層は第３半導体チップＩＣ３ａの下面との接触面のみに位置しても第２半導体チップＩＣ３ａの下面全面に位置してもよい。
第３絶縁接着層Ｍ３aは、第３半導体チップＩＣ３aの下面に設けられ、第３半導体チップＩＣ３aの下面と第１半導体チップＩＣ１の上面との間を接着するようになっている。すなわち、この第３絶縁接着層Ｍ３ａにより、第１半導体チップＩＣ１の上面に第３半導体チップＩＣ３ａの下面が固定される。第３絶縁接着層は第３半導体チップＩＣ３ａの下面との接触面のみに位置しても第２半導体チップＩＣ３ａの下面全面に位置してもよい。
【0088】
なお、この第３絶縁接着層Ｍ３の組成としては、ダイアタッチ材、ダイアタッチフィルムその他これらに類する材料を適宜用いることができる。
【0089】
[第３ボンディングワイヤ]
第３ボンディングワイヤＷ３ａは、基板上に設けられた配線（図示せず）と第３半導体チップＩＣ３ａの上面に設けられた端子Ｇ３ａとの間を電気的に接続する。
第３ボンディングワイヤＷ３ａは、基板上に設けられた配線（図示せず）と第３半導体チップＩＣ３ａの上面に設けられた端子Ｇ３ａとの間を電気的に接続する。
【0090】
なお、この第３ボンディングワイヤＷ３ａの材質は、例えば金であるが、これに限定されるものではない。
【0091】
[樹脂層]
樹脂層Ｆは、基板Ｂ上で、各配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸ、第１ボンディングワイヤＷ１、第２ボンディングワイヤＷ２、第３ボンディングワイヤＷ３ａ、第１半導体チップＩＣ１、第２半導体チップＩＣ２、及び第３半導体チップＩＣ３ａを、封止している。
樹脂層Ｆは、基板Ｂ上で、各配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸ、第１ボンディングワイヤＷ１、第２ボンディングワイヤＷ２、第３ボンディングワイヤＷ３ａ、第１半導体チップＩＣ１、第２半導体チップＩＣ２、及び第３半導体チップＩＣ３ａを、封止している。
【0092】
そして、この樹脂層Ｆは、例えば、高さ調整部Ｄとは異なる材料で構成されている。しかしながら、樹脂層Ｆは、高さ調整部Ｄと同じ材料で構成されていてもよい。この樹脂層Ｆは、例えば、熱硬化性樹脂および熱硬化性樹脂組成物の少なくともいずれか１種である。
【0093】
ここで、例えば、図１に示すように、基板Ｂの上面から高さ調整部Ｄの上面（図１の例では第１高さ調整部分Ｄ１と第２高さ調整部分Ｄ２の上面）までの高さ（特に、第１半導体チップＩＣ１の下面、第１絶縁接着層Ｍ１の下面までの高さ）は、基板Ｂの上面から第２半導体チップＩＣ２の上面までの高さと比較して、同等または高くなっている。
【0094】
特に、第１半導体チップＩＣ１の下面（図１の例では、第１絶縁接着層Ｍ１の下面）と第２半導体チップＩＣ２の上面との距離（最短距離）Ｈａは、予め設定された距離に設定されている（この距離Ｈａは、高さ調整部Ｄの高さを調整することで調整される）。
【0095】
このように、構造体１００における高さ調整部Ｄの高さを微調整することで、例えば、配置の領域が重なる第１半導体チップＩＣ１および第２半導体チップＩＣ２の第３方向Zにおける距離を適切に制御することが可能となる。すなわち、構造体１００の膜厚を最適な膜厚に制御することが可能となる。
【0096】
また、第１半導体チップＩＣ１の下面（図１の例では、第１絶縁接着層Ｍ１の下面）と第２ボンディングワイヤＷ２と間の距離（第３方向Zにおける最短距離）Ｈｂは、予め設定された距離に設定されている（この距離Ｈｂは、高さ調整部Ｄの高さを調整することで調整される）。
【0097】
このように、構造体１００における高さ調整部Ｄの高さを微調整することで、例えば、第１半導体チップＩＣ１および第２半導体チップＩＣ２の配置が重なる領域において、第２ボンディングワイヤＷ2と第１半導体チップＩＣ１との距離を最適な膜厚に制御して、構造体１００の製品としての歩留まりを向上することができる。
【0098】
以上のように、本実施形態に係る構造体１００は、基板Ｂと、前記基板Ｂ上に設けられた配線Ｅ1、Ｅ２、ＥＸと、前記基板Ｂ上に、前記配線Ｅ1、Ｅ２、ＥＸの全部または一部を被覆するように設けられた絶縁層SRと、前記基板Ｂ上の第１領域A１において、前記絶縁層SRを介して設けられ、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄと、前記高さ調整部Ｄにより支持されるように前記高さ調整部Ｄ上に配置された第１半導体チップＩＣ１と、を備える。
【0099】
このように、基板Ｂから第１半導体チップＩＣ１までの高さを調整するためのスペーサとして、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄを適用することで、当該高さ調整部Ｄを基板Ｂに固定するための接着層が不要になり、構造体１００の製造コストが低減される。
【0100】
さらに、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄは、その膜厚の微調整が容易であるため、基板Ｂから第１半導体チップＩＣ１までの高さの微調整が容易になる。
【0101】
すなわち、本実施形態に係る構造体１００によれば、半導体チップの高さを調整するための高さ調整部（スペーサ）を基板に固定するための接着層を不要とすることで製造コストを低減しつつ、基板から半導体チップまでの高さを所定の値に微調整することが可能な構造体を提供することができる。
【0102】
なお、上述した実施形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、各変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
【0103】
（第１の変形例）
既述の実施形態では、構造体１００の構成の一例について説明した。特に、図１の例では、第１半導体チップ上に搭載される第３半導体チップが１個である構成について説明した。しかしながら、第１半導体チップ上に、第３半導体チップは、例えば、２個以上（複数個）積層されていてもよい。
既述の実施形態では、構造体１００の構成の一例について説明した。特に、図１の例では、第１半導体チップ上に搭載される第３半導体チップが１個である構成について説明した。しかしながら、第１半導体チップ上に、第３半導体チップは、例えば、２個以上（複数個）積層されていてもよい。
【0104】
そこで、この第１の変形例では、第１半導体チップＩＣ１上に第３半導体チップはが２個積層される構成の一例について説明する。なお、本変形例に係る構造体のその他の構成は、既述の実施形態の構造体１００の構成と同様である。
【0105】
ここで、図４は、第１の変形例に係る構造体１００Ａの断面の一例を模式的に示す断面図である。
【0106】
例えば、この図４に示すように、第１の変形例に係る構造体１００Ａにおいて、第１半導体チップＩＣ１上に、２個の第３半導体チップＩＣ３a、ＩＣ３ｂが積層されている。
【0107】
そして、第３半導体チップＩＣ３a、ＩＣ３ｂは、例えば、第１半導体チップＩＣ１と同様に、任意の半導体メモリを含むが、この半導体メモリとして、具体的には、例えば、ＮＡＮＤフラッシュメモリを含むものである。しかしながら、これらの第３半導体チップＩＣ３a、ＩＣ３ｂは、それぞれ、半導体メモリとは異なる半導体装置であってもよい。
【0108】
なお、図４に示すように、第３絶縁接着層Ｍ３aは、第３半導体チップＩＣ３aの下面に設けられ、第３半導体チップＩＣ３aの下面と第１半導体チップＩＣ１の上面との間を接着するようになっている。すなわち、この第３絶縁接着層Ｍ３ａにより、第１半導体チップＩＣ１の上面に第３半導体チップＩＣ３ａの下面が固定される。
【0109】
さらに、図４に示すように、第３絶縁接着層Ｍ３ｂは、第３半導体チップＩＣ３ｂの下面に設けられ、第３半導体チップＩＣ３ｂの下面と第３半導体チップＩＣ３ａの上面との間を接着するようになっている。すなわち、この第３絶縁接着層Ｍ３ｂにより、第３半導体チップＩＣ３ａの上面に第３半導体チップＩＣ３ｂの下面が固定される。
【0110】
なお、図４に示すように、第３ボンディングワイヤＷ３ａ、Ｗ３ｂは、それぞれ、基板上に設けられた配線（図示せず）と第３半導体チップＩＣ３ａ、ＩＣ３ｂの上面に設けられた端子Ｇ３ａ、Ｇ３ｂとの間を電気的に接続する。
【0111】
なお、第１半導体チップＩＣ１上に積層される第３半導体チップＩＣ３a、ＩＣ３ｂは、例えば、３個以上であってもよい。
【0112】
ここで、既述のように、この第１の変形例に係る構造体１００Ａのその他の構成は、既述の実施形態と同様である。
【0113】
したがって、この第１の変形例に係る構造体１００Ａにおいても、基板Ｂから第１半導体チップＩＣ１までの高さを調整するためのスペーサとして、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄを適用することで、当該高さ調整部Ｄを基板Ｂに固定するための接着層が不要になり、当該構造体１００の製造コストが低減される。
【0114】
さらに、この第１の変形例に係る構造体１００Ａにおいても、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄは、その膜厚の微調整が容易であるため、基板Ｂから第１半導体チップＩＣ１までの高さの微調整が容易になる。
【0115】
すなわち、この第１の変形例の構造体１００Ａによれば、半導体チップの高さを調整するための高さ調整部（スペーサ）を基板に固定するための接着層を不要とすることで製造コストを低減しつつ、基板から第１半導体チップＩＣ１までの高さを所定の値に微調整することができる。
【0116】
（第２の変形例）
既述の実施形態および第１の変形例では、構造体１００、１００Ａの構成の例について説明した。特に、図１、図４の例では、高さ調整部Ｄが、台座部分ＤＸに加えて、第１および第２の高さ調整部分Ｄ1、Ｄ２を含む構成について説明した。例えば、この高さ調整部ＤＸ上に有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された第１および第２の高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２（第３および第４の高さ調整部分Ｄ３、Ｄ４）があることで、高さを微調整しつつ、高さ調整部Ｄを構成する有機樹脂材料の使用量を削減することができる。しかしながら、高さ調整部Ｄにおいて、構造体のさらなる薄膜化を想定した場合には、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄの膜厚を薄くするために、第１および第２の高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２が省略して、台座部分ＤＸのみで構成する（すなわち、台座部分ＤＸのみで高さを調整する）ようにしてもよい。
既述の実施形態および第１の変形例では、構造体１００、１００Ａの構成の例について説明した。特に、図１、図４の例では、高さ調整部Ｄが、台座部分ＤＸに加えて、第１および第２の高さ調整部分Ｄ1、Ｄ２を含む構成について説明した。例えば、この高さ調整部ＤＸ上に有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された第１および第２の高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２（第３および第４の高さ調整部分Ｄ３、Ｄ４）があることで、高さを微調整しつつ、高さ調整部Ｄを構成する有機樹脂材料の使用量を削減することができる。しかしながら、高さ調整部Ｄにおいて、構造体のさらなる薄膜化を想定した場合には、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄの膜厚を薄くするために、第１および第２の高さ調整部分Ｄ１、Ｄ２が省略して、台座部分ＤＸのみで構成する（すなわち、台座部分ＤＸのみで高さを調整する）ようにしてもよい。
【0117】
そこで、この第２の変形例では、第１半導体チップＩＣ１上に第３半導体チップはが２個積層される構成の一例について説明する。なお、本変形例に係る構造体のその他の構成は、既述の実施形態の構造体１００の構成と同様である。
【0118】
ここで、図５は、第２の変形例に係る構造体１００Ｂの断面の一例を模式的に示す断面図である。また、図６は、図５に示す構造体１００Ｂの高さ調整部Ｄ近傍の領域に注目した構成の一例を示す上面図である。また、図７は、第２の変形例に係る構造体１００Ｂの断面の他の例を模式的に示す断面図である。
【0119】
【0120】
そして、図５に示すように、高さ調整部Ｄの台座部分ＤＸの上面に第１半導体チップＩＣ１の下面が第１絶縁接着層Ｍ１により接着されて固定されている。すなわち、高さ調整部Ｄの台座部分ＤＸにより、第１半導体チップＩＣ１が直接支持されている。
【0121】
なお、第２の変形例においても、この図５に示すように、第１半導体チップＩＣ１上に搭載される第３半導体チップＩＣ３ａが１個であってもよく、さらに図７に示すように、第１半導体チップＩＣ１上に、第３半導体チップＩＣ３ａ、ＩＣ３ｂが、２個以上（複数個）積層されていてもよい。
【0122】
ここで、既述のように、この第２の変形例に係る構造体１００Ｂのその他の構成は、既述の実施形態と同様である。
【0123】
したがって、この第２の変形例に係る構造体１００Ｂにおいても、基板Ｂから第１半導体チップＩＣ１までの高さを調整するためのスペーサとして、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄを適用することで、当該高さ調整部Ｄを基板Ｂに固定するための接着層が不要になり、当該構造体１００の製造コストが低減される。
【0124】
さらに、この第２の変形例に係る構造体１００Ｂにおいても、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄは、その膜厚の微調整が容易であるため、基板Ｂから第１半導体チップＩＣ１までの高さの微調整が容易になる。
【0125】
すなわち、この第２の変形例の構造体１００Ｂによれば、半導体チップの高さを調整するための高さ調整部（スペーサ）を基板に固定するための接着層を不要とすることで製造コストを低減しつつ、基板から第１半導体チップＩＣ１までの高さを所定の値に微調整することができる。
【0126】
（第３の変形例）
既述の実施形態において、特に、図１ないし図３の例では、高さ調整部Ｄが、複数の高さ調整部分を含む構成について説明した。しかしながら、高さ調整部Ｄにおいて、高さ調整部分が１個であってもよい。
既述の実施形態において、特に、図１ないし図３の例では、高さ調整部Ｄが、複数の高さ調整部分を含む構成について説明した。しかしながら、高さ調整部Ｄにおいて、高さ調整部分が１個であってもよい。
【0127】
そこで、この第３の変形例では、高さ調整部Ｄが１個の高さ調整部分Ｄ１を含む構成の一例について説明する。なお、本変形例に係る構造体のその他の構成は、既述の実施形態の構造体１００の構成と同様である。
【0128】
ここで、図８は、第３の変形例に係る構造体１００Ｃの断面の一例を模式的に示す断面図である。また、図９は、図８に示す構造体１００Ｃの高さ調整部Ｄ近傍の領域に注目した構成の一例を示す上面図である。また、図１０は、第３の変形例に係る構造体１００Ｃの断面の他の例を模式的に示す断面図である。
【0129】
【0130】
そして、図９に示すように、高さ調整部Ｄの台座部分ＤＸ上に設けられた第１高さ調整部分Ｄ１の上面に第１半導体チップＩＣ１の下面が第１絶縁接着層Ｍ１により接着されて固定されている。すなわち、高さ調整部Ｄの台座部分ＤＸと第１高さ調整部分Ｄ１により、第１半導体チップＩＣ１が支持されている。
【0131】
なお、第３の変形例においても、この図８に示すように、第１半導体チップＩＣ１上に搭載される第３半導体チップＩＣ３ａが１個であってもよく、さらに図１０に示すように、第１半導体チップＩＣ１上に、第３半導体チップＩＣ３ａ、ＩＣ３ｂが、２個以上（複数個）積層されていてもよい。
【0132】
ここで、既述のように、この第３の変形例に係る構造体１００Ｃのその他の構成は、既述の実施形態と同様である。
【0133】
したがって、この第３の変形例に係る構造体１００Ｃにおいても、基板Ｂから第１半導体チップＩＣ１までの高さを調整するためのスペーサとして、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄを適用することで、当該高さ調整部Ｄを基板Ｂに固定するための接着層が不要になり、当該構造体１００の製造コストが低減される。
【0134】
さらに、この第３の変形例に係る構造体１００Ｃにおいても、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄは、その膜厚の微調整が容易であるため、基板Ｂから第１半導体チップＩＣ１までの高さの微調整が容易になる。
【0135】
すなわち、この第３の変形例の構造体１００Ｃによれば、半導体チップの高さを調整するための高さ調整部（スペーサ）を基板に固定するための接着層を不要とすることで製造コストを低減しつつ、基板から第１半導体チップＩＣ１までの高さを所定の値に微調整することができる。
【0136】
（第４の変形例）
既述の実施形態および各変形例において、特に、図１、図４、図５、図７、図８の例では、第２半導体チップＩＣ２に関してワイヤボンディングにより各端子が接続された構成について説明した。しかしながら、構造体において、第２半導体チップＩＣ２に関してフリップチップボンディングにより各端子が接続されるようにしてもよい。
既述の実施形態および各変形例において、特に、図１、図４、図５、図７、図８の例では、第２半導体チップＩＣ２に関してワイヤボンディングにより各端子が接続された構成について説明した。しかしながら、構造体において、第２半導体チップＩＣ２に関してフリップチップボンディングにより各端子が接続されるようにしてもよい。
【0137】
そこで、この第４の変形例では、第２半導体チップＩＣ２に関してフリップチップボンディングにより各端子が接続された構成（フリップチップ型）の一例について説明する。なお、本変形例に係る構造体のその他の構成は、既述の実施形態の構造体１００の構成と同様であり、各変形例の構造体の構成にも同様に適用が可能である。
【0138】
【0139】
例えば、図１１に示すように、構造体１００Ｄは、ワイヤボンディングに代えたフリップチップボンディングの構成として、バンプ電極BNと、アンダーフィル樹脂ＵＦと、を備える。
【0140】
[バンプ電極]
バンプ電極BNは、配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸのうちの第２配線Ｅ２と第２半導体チップＩＣ２の下面に設けられた端子Ｋ２との間を電気的に接続するようになっている。
バンプ電極BNは、配線Ｅ１、Ｅ２、ＥＸのうちの第２配線Ｅ２と第２半導体チップＩＣ２の下面に設けられた端子Ｋ２との間を電気的に接続するようになっている。
【0141】
[アンダーフィル樹脂]
アンダーフィル樹脂ＵＦは、絶縁層ＳＲと第２半導体チップＩＣ２の下面との間に設けられ、絶縁層ＳＲと第２半導体チップＩＣ２の下面との接着し且つ端子Ｋ２及びバンプ電極BNを封止するアンダーフィル樹脂ＵＦと、を備える。
アンダーフィル樹脂ＵＦは、絶縁層ＳＲと第２半導体チップＩＣ２の下面との間に設けられ、絶縁層ＳＲと第２半導体チップＩＣ２の下面との接着し且つ端子Ｋ２及びバンプ電極BNを封止するアンダーフィル樹脂ＵＦと、を備える。
【0142】
なお、第４の変形例においても、この図１１に示すように、第１半導体チップＩＣ１上に搭載される第３半導体チップＩＣ３ａが１個であってもよく、図１２に示すように、第１半導体チップＩＣ１上に、第３半導体チップＩＣ３ａ、ＩＣ３ｂが、２個以上（複数個）積層されていてもよい。
【0143】
ここで、既述のように、この第４の変形例に係る構造体１００Ｄのその他の構成は、既述の実施形態と同様である。
【0144】
したがって、この第４の変形例においても、基板Ｂから第１半導体チップＩＣ１までの高さを調整するためのスペーサとして、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄを適用することで、当該高さ調整部Ｄを基板Ｂに固定するための接着層が不要になり、当該構造体１００の製造コストが低減される。
【0145】
さらに、この第４の変形例においても、有機樹脂および有機樹脂組成物の少なくともいずれか１種で構成された高さ調整部Ｄは、その膜厚の微調整が容易であるため、基板Ｂから第１半導体チップＩＣ１までの高さの微調整が容易になる。
【0146】
すなわち、この第４の変形例の構造体１００Ｄによれば、半導体チップの高さを調整するための高さ調整部（スペーサ）を基板に固定するための接着層を不要とすることで製造コストを低減しつつ、基板から第１半導体チップＩＣ１までの高さを所定の値に微調整することができる。
【0147】
本発明の実施形態および変形例を説明したが、これらの実施形態および変形例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態および変形例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を実行することができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【0148】
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、１００Ｄ 構造体
Ｂ 基板
ＢＮ バンプ電極
Ｅ１ 第１配線
Ｅ２ 第２配線
ＥＸ 第３配線
ＳＲ 絶縁層
Ｄ 高さ調整部
Ｄ１ 第１高さ調整部分
Ｄ２ 第２高さ調整部分
Ｄ３ 第３高さ調整部分
Ｄ４ 第４高さ調整部分
ＤＸ 台座部分
Ｍ１ 第１絶縁接着層
ＩＣ１ 第１半導体チップ
ＩＣ１ａ 端部
Ｗ１ 第１ボンディングワイヤ
Ｍ２ 第２絶縁接着層
ＩＣ２ 第２半導体チップ
Ｗ２ 第２ボンディングワイヤ
Ｍ３ａ、Ｍ３ｂ 第３絶縁接着層
ＩＣ３ａ、ＩＣ３ｂ 第３半導体チップ
Ｗ３ａ、Ｗ３ｂ 第３ボンディングワイヤ
Ｆ 樹脂層
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向
Ｚ 第３方向
Ｇ1、Ｇ２、Ｇ３ａ、Ｇ３ｂ、Ｋ２ 端子
Ａ１ 第１領域
Ａ２ 第２領域
Ｈａ 第１半導体チップＩＣ１の下面と第２半導体チップＩＣ２の上面との距離（最短距離）
Ｈｂ 第１半導体チップＩＣ１の下面と第２ボンディングワイヤＷ２と間の距離（最短距離）
ＵＦ アンダーフィル樹脂
Ｂ 基板
ＢＮ バンプ電極
Ｅ１ 第１配線
Ｅ２ 第２配線
ＥＸ 第３配線
ＳＲ 絶縁層
Ｄ 高さ調整部
Ｄ１ 第１高さ調整部分
Ｄ２ 第２高さ調整部分
Ｄ３ 第３高さ調整部分
Ｄ４ 第４高さ調整部分
ＤＸ 台座部分
Ｍ１ 第１絶縁接着層
ＩＣ１ 第１半導体チップ
ＩＣ１ａ 端部
Ｗ１ 第１ボンディングワイヤ
Ｍ２ 第２絶縁接着層
ＩＣ２ 第２半導体チップ
Ｗ２ 第２ボンディングワイヤ
Ｍ３ａ、Ｍ３ｂ 第３絶縁接着層
ＩＣ３ａ、ＩＣ３ｂ 第３半導体チップ
Ｗ３ａ、Ｗ３ｂ 第３ボンディングワイヤ
Ｆ 樹脂層
Ｘ 第１方向
Ｙ 第２方向
Ｚ 第３方向
Ｇ1、Ｇ２、Ｇ３ａ、Ｇ３ｂ、Ｋ２ 端子
Ａ１ 第１領域
Ａ２ 第２領域
Ｈａ 第１半導体チップＩＣ１の下面と第２半導体チップＩＣ２の上面との距離（最短距離）
Ｈｂ 第１半導体チップＩＣ１の下面と第２ボンディングワイヤＷ２と間の距離（最短距離）
ＵＦ アンダーフィル樹脂
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
