特開 2024-146827 基板支持体の製造方法及びプラズマ処理装置の構成部材の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024146827

(43)【公開日】2024-10-15

(54)【発明の名称】基板支持体の製造方法及びプラズマ処理装置の構成部材の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241004BHJP

   H01L 21/3065 20060101ALI20241004BHJP

   H02N 13/00 20060101ALI20241004BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 R

H01L21/302 101B

H01L21/302 101G

H02N13/00 D

【審査請求】未請求

【請求項の数】22

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024047777

(22)【出願日】2024-03-25

(31)【優先権主張番号】P 2023058333

(32)【優先日】2023-03-31

(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100126480

【弁理士】

【氏名又は名称】佐藤 睦

(74)【代理人】

【識別番号】100140431

【弁理士】

【氏名又は名称】大石 幸雄

(74)【代理人】

【識別番号】100135677

【弁理士】

【氏名又は名称】澤井 光一

(74)【代理人】

【識別番号】100131598

【弁理士】

【氏名又は名称】高村 和宗

(72)【発明者】

【氏名】日高 那南

【テーマコード（参考）】

5F004

5F131

【Ｆターム（参考）】

5F004AA16

5F004BA09

5F004BA14

5F004BA20

5F004BB12

5F004BB13

5F004BB14

5F004BB18

5F004BB22

5F004BB23

5F004BB25

5F004BB26

5F004BB29

5F004CA03

5F004CA04

5F004DA22

5F131AA02

5F131CA63

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA03

5F131EB11

5F131EB17

5F131EB78

5F131EB79

5F131EB82

5F131EB84

(57)【要約】

【課題】プラズマ処理装置の構成部品を再利用する技術を提供する。
【解決手段】基板支持体の製造方法が提供される。この方法は、（ａ）第１の基台、静電チャック、及び、第１の基台と静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、（ｂ）第１の基台から静電チャックを分離する工程と、（ｃ）静電チャックを、第２の接合層により第１の基台又は第１の基台とは異なる第２の基台に接合して第２の支持体を形成する工程と、を含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板支持体の製造方法であって、
（ａ）第１の基台、静電チャック、及び、前記第１の基台と前記静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、
（ｂ）前記第１の基台から前記静電チャックを分離する工程と、
（ｃ）前記静電チャックを、第２の接合層により前記第１の基台又は前記第１の基台とは異なる第２の基台に接合して第２の支持体を形成する工程と、を含む基板支持体の製造方法。

【請求項2】

前記（ｂ）において、前記第１の支持体を加熱することにより、前記静電チャックを前記第１の基台から分離する、請求項１に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項3】

前記接合層は樹脂製である、請求項２に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項4】

前記（ｂ）は、
（ｂ１）前記第１の支持体を加熱炉に提供する工程と、
（ｂ２）前記加熱炉を１００℃以上１０００℃以下の温度に維持する工程と、
（ｂ３）前記第１の基台から前記静電チャックを取り外す工程と、
を含む請求項３に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項5】

前記第１の接合層はシリコーン樹脂を含み、前記（ｂ２）において、前記加熱炉は２００℃以上の温度に維持される、請求項４に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項6】

前記第１の接合層はエポキシ樹脂を含み、前記（ｂ２）において、前記加熱炉は４００℃以上の温度に維持される、請求項４に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項7】

前記（ｂ２）は、１５００時間以下の時間実行される、請求項３に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項8】

前記（ｂ２）は、大気雰囲気下で実行される、請求項３に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項9】

前記（ｂ）において、第１の接合層に剥離剤を反応させることにより、前記静電チャックを前記第１の基台から分離する、請求項１に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項10】

前記（ｂ）の後かつ前記（ｃ）の前に、前記静電チャックを洗浄する工程をさらに含む、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項11】

前記静電チャックは、円板状のセラミック部材と、前記セラミック部材の内部に配置される静電電極とを含む、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項12】

前記（ａ）において、前記第１の支持体には、前記第１の基台及び前記静電チャックを連通する貫通孔が形成されるとともに、当該貫通孔の軸方向の少なくとも一部にわたって配置され、第３の接合層を介して前記第１の基台及び前記静電チャックの少なくともいずれかに接合されるスリーブを有し、
前記（ｂ）は、前記スリーブを前記第１の基台及び前記第１の静電チャックから分離することをさらに含む、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項13】

前記（ａ）において、前記第１の支持体は、前記第１の基台の裏面に第４の接合層を介して接合されたバックプレートをさらに有し、
前記（ｂ）は、前記バックプレートを前記第１の基台から分離することをさらに含む、請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項14】

基板支持体の製造方法であって、
（ａ）第１の支持体から分離された静電チャックを準備する工程であって、前記第１の支持体は、第１の基台、静電チャック、及び、前記第１の基台と前記静電チャックとを接合する第１の接合層を有する工程と、
（ｂ）前記静電チャックを、第２の接合層により前記第１の基台又は前記第１の基台とは異なる第２の基台に接合して第２の支持体を形成する工程と、を含む
基板支持体の製造方法。

【請求項15】

基板支持体の製造方法であって、
（ａ）第１の基台、静電チャック、及び、前記第１の基台と前記静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、
（ｂ）前記第１の支持体を１００℃以上１０００℃以下に加熱して、前記第１の基台から前記静電チャックを分離する工程と、を含む
基板支持体の製造方法。

【請求項16】

基板支持体の製造方法であって、
（ａ）第１の基台、第１の静電チャック及び前記第１の基台と前記第１の静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、
（ｂ）前記第１の基台と前記第１の静電チャックとを分離する工程と、
（ｃ）第２の支持体を形成する工程と、
を含み、前記工程（ｃ）は、
（ｃ１）前記第１の静電チャックを、第２の接合層により前記第１の基台又は前記第１の基台と異なる第２の基台に接合すること、又は
（ｃ２）前記第１の基台を、第２の接合層により前記第１の静電チャック又は前記第１の静電チャックとは異なる第２の静電チャックに接合すること、
を含む、基板支持体の製造方法。

【請求項17】

第１の基台、第１の静電チャック及び前記第１の基台と前記第１の静電チャックとを接合する第１の接合層を含む第１の支持体から分離した前記第１の基台又は前記第１の静電チャックを用いて、第２の支持体を形成する工程を含み、
前記工程は、第２の接合層により、
前記第１の基台を、前記第１の静電チャック又は前記第１の静電チャックと異なる第２の静電チャックに接合すること、又は、
前記第１の静電チャックを、前記第１の基台又は前記第１の基台とは異なる第２の基台に接合すること、
を含む、基板支持体の製造方法。

【請求項18】

前記第１の接合層は、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂を含み、
前記分離は、前記第１の支持体を１００℃以上１０００℃以下に加熱することを含む、請求項１６又は請求項１７に記載の基板支持体の製造方法。

【請求項19】

プラズマ処理装置の構成部材の製造方法であって、
（ａ）第１の部材、第２の部材及び前記第１の部材と前記第２の部材とを接合する第１の接合層を含む第１の構成部品から分離した前記第１の部材を準備する工程と、
（ｂ）第２の接合層により、前記第１の部材を前記第２の部材又は前記第２の部材と異なる第３の部材に接合し、第２の構成部品を形成する工程と、
を含む、プラズマ処理装置の構成部材の製造方法。

【請求項20】

前記（ａ）は、
（ａ１）第１の部材、第２の部材及び前記第１の部材と前記第２の部材とを接合する第１の接合層を含む第１の構成部品を加熱炉内に配置する工程と、
（ａ２）前記加熱炉の温度を１００℃以上１０００℃以下に維持する工程と、
（ａ３）前記第１の部材を前記第２の部材から取り外す工程と、
を含む、請求項１９に記載のプラズマ処理装置の構成部品の製造方法。

【請求項21】

前記第１の部材は、第１のシャワーヘッドであり、
前記第２の部材は、上部電極であり、
前記第３の部材は、第２のシャワーヘッドである、
請求項１９又は請求項２０に記載のプラズマ処理装置の構成部品の製造方法。

【請求項22】

前記第１の接合層は、第１の伝熱シートから形成され、
前記第２の接合層は、前記第１の伝熱シートと異なる第２の伝熱シートから形成される、
請求項２１に記載のプラズマ処理装置の構成部品の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示の例示的実施形態は、基板支持体の製造方法及びプラズマ処理装置の構成部材の製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、内層に電極が形成されたセラミック基板をベースプレートに接着剤を介して接着した後、当該セラミック基板の表面を平坦面に研削してセラミック基板の表層厚を均一な厚さに仕上げることが開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２００８－４１９２７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、プラズマ処理装置の構成部品を再利用する技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一つの例示的実施形態において、基板支持体の製造方法であって、（ａ）第１の基台、静電チャック、及び、第１の基台と静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、（ｂ）第１の基台から静電チャックを分離する工程と、（ｃ）静電チャックを、第２の接合層により第１の基台又は第１の基台とは異なる第２の基台に接合して第２の支持体を形成する工程と、を含む基板支持体の製造方法が提供される。

【発明の効果】

【0006】

本開示の一つの例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置の構成部品を再利用する技術を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】プラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【図2】容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【図3】本製造方法の一例を示すフローチャートである。

【図4】第１の支持体Ｓ１の断面構造の一例を示す図である。

【図5】貫通孔ＴＨ及びスリーブＳＬの断面構造の一例を示す図である。

【図6】第１の支持体Ｓ１の断面構造の一例を示す図である。

【図7】工程ＳＴ２の一例を示すフローチャートである。

【図8A】工程ＳＴ３の一例を説明するための図である。

【図8B】工程ＳＴ３の一例を説明するための図である。

【図8C】工程ＳＴ３の一例を説明するための図である。

【図8D】工程ＳＴ３の一例を説明するための図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、本開示の各実施形態について説明する。

【0009】

一つの例示的実施形態において、基板支持体の製造方法であって、（ａ）第１の基台、静電チャック、及び、第１の基台と静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、（ｂ）第１の基台から静電チャックを分離する工程と、（ｃ）静電チャックを、第２の接合層により第１の基台又は第１の基台とは異なる第２の基台に接合して第２の支持体を形成する工程と、を含む基板支持体の製造方法が提供される。

【0010】

一つの例示的実施形態において、（ｂ）において、第１の支持体を加熱することにより、静電チャックを第１の基台から分離する。

【0011】

一つの例示的実施形態において、接合層は樹脂製である。

【0012】

一つの例示的実施形態において、（ｂ）は、（ｂ１）第１の支持体を加熱炉に提供する工程と、（ｂ２）加熱炉を１００℃以上１０００℃以下の温度に維持する工程と、（ｂ３）第１の基台から静電チャックを取り外す工程と、を含む。

【0013】

一つの例示的実施形態において、第１の接合層はシリコーン樹脂を含み、（ｂ２）において、加熱炉は２００℃以上の温度に維持される。

【0014】

一つの例示的実施形態において、第１の接合層はエポキシ樹脂を含み、（ｂ２）において、加熱炉は４００℃以上の温度に維持される。

【0015】

一つの例示的実施形態において、（ｂ２）は、１５００時間以下の時間実行される。

【0016】

一つの例示的実施形態において、（ｂ２）は、大気雰囲気下で実行される。

【0017】

一つの例示的実施形態において、（ｂ）において、第１の接合層に剥離剤を反応させることにより、静電チャックを第１の基台から分離する。

【0018】

一つの例示的実施形態において、（ｂ）の後かつ（ｃ）の前に、静電チャックを洗浄する工程をさらに含む。

【0019】

一つの例示的実施形態において、静電チャックは、円板状のセラミック部材と、セラミック部材の内部に配置される静電電極とを含む。

【0020】

一つの例示的実施形態において、（ａ）において、第１の支持体には、第１の基台及び静電チャックを連通する貫通孔が形成されるとともに、貫通孔の軸方向の少なくとも一部にわたって配置され、第３の接合層を介して第１の基台及び静電チャックの少なくともいずれかに接合されるスリーブを有し、（ｂ）は、スリーブを第１の基台及び第１の静電チャックから分離することをさらに含む。

【0021】

一つの例示的実施形態において、（ａ）において、第１の支持体は、第１の基台の裏面に第４の接合層を介して接合されたバックプレートをさらに有し、（ｂ）は、バックプレートを第１の基台から分離することをさらに含む。

【0022】

一つの例示的実施形態において、基板支持体の製造方法であって、（ａ）第１の支持体から分離された静電チャックを準備する工程であって、第１の支持体は、第１の基台、静電チャック、及び、第１の基台と静電チャックとを接合する第１の接合層を有する工程と、（ｂ）静電チャックを、第２の接合層により第１の基台又は第１の基台とは異なる第２の基台に接合して第２の支持体を形成する工程と、を含む基板支持体の製造方法が提供される。

【0023】

一つの例示的実施形態において、基板支持体の製造方法であって、（ａ）第１の基台、静電チャック、及び、第１の基台と静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、（ｂ）第１の支持体を１００℃以上１０００℃以下に加熱して、第１の基台から静電チャックを分離する工程と、を含む基板支持体の製造方法が提供される。

【0024】

一つの例示的実施形態において、基板支持体の製造方法であって、（ａ）第１の基台、第１の静電チャック及び第１の基台と第１の静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、（ｂ）第１の基台と第１の静電チャックとを分離する工程と、（ｃ）第２の支持体を形成する工程と、を含み、工程（ｃ）は、（ｃ１）第１の静電チャックを、第２の接合層により第１の基台又は第１の基台と異なる第２の基台に接合すること、又は（ｃ２）第１の基台を、第２の接合層により第１の静電チャック又は第１の静電チャックとは異なる第２の静電チャックに接合すること、を含む基板支持体の製造方法が提供される。

【0025】

一つの例示的実施形態において、第１の基台、第１の静電チャック及び第１の基台と第１の静電チャックとを接合する第１の接合層を含む第１の支持体から分離した第１の基台又は第１の静電チャックを用いて、第２の支持体を形成する工程を含み、工程は、第２の接合層により、第１の基台を、第１の静電チャック又は第１の静電チャックと異なる第２の静電チャックに接合すること、又は、第１の静電チャックを、第１の基台又は第１の基台とは異なる第２の基台に接合すること、を含む基板支持体の製造方法が提供される。

【0026】

一つの例示的実施形態において、第１の接合層は、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂を含み、分離は、第１の支持体を１００℃以上１０００℃以下に加熱することを含む。

【0027】

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置の構成部材の製造方法であって、（ａ）第１の部材、第２の部材及び第１の部材と第２の部材とを接合する第１の接合層を含む第１の構成部品から分離した第１の部材を準備する工程と、（ｂ）第２の接合層により、第１の部材を第２の部材又は第２の部材と異なる第３の部材に接合し、第２の構成部品を形成する工程と、を含むプラズマ処理装置の構成部品の製造方法が提供される。

【0028】

一つの例示的実施形態において、工程（ａ）は、（ａ１）第１の部材、第２の部材及び第１の部材と第２の部材とを接合する第１の接合層を含む第１の構成部品を加熱炉内に配置する工程と、（ａ２）加熱炉の温度を１００℃以上１０００℃以下に維持する工程と、（ａ３）第１の部材を第２の部材から取り外す工程とを含む。

【0029】

一つの例示的実施形態において、第１の部材は、第１のシャワーヘッドであり、第２の部材は、上部電極であり、第３の部材は、第２のシャワーヘッドである。

【0030】

一つの例示的実施形態において、第１の接合層は、第１の伝熱シートから形成され、第２の接合層は、第１の伝熱シートと異なる第２の伝熱シートから形成される。

【0031】

以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。
＜プラズマ処理装置の構成例＞
図１は、プラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、制御部２、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。

【0032】

プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。

【0033】

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１の外部のシステムとして構成されてよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ ＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１の各要素との間で通信してもよい。

【0034】

以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。

【0035】

容量結合型のプラズマ処理装置１は、制御部２、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッドアセンブリ１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッドアセンブリ１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッドアセンブリ１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッドアセンブリ１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッドアセンブリ１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。

【0036】

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。

【0037】

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。

【0038】

リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。

【0039】

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

【0040】

シャワーヘッドアセンブリ１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッドアセンブリ１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッドアセンブリ１３は、少なくとも１つの上部電極１３ｄ及び少なくとも１つのシャワーヘッド１３ｅを含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッドアセンブリ１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

【0041】

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッドアセンブリ１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。

【0042】

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極１３ｄに供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。

【0043】

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極１３ｄに結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極１３ｄに供給される。

【0044】

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

【0045】

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極１３ｄに接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極１３ｄに印加される。

【0046】

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極１３ｄに印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極１３ｄに接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

【0047】

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

【0048】

＜基板支持体の製造方法の一例＞
図３は、本開示の例示的実施形態にかかる基板支持体の製造方法（以下「本製造方法」ともいう。）の一例を示すフローチャートである。図３に示すように、本製造方法は、第１の支持体を準備するＳＴ１と、静電チャックを分離する工程ＳＴ２と、第２の支持体を形成する工程ＳＴ３とを含む。

【0049】

（工程ＳＴ１）
図４は、第１の支持体Ｓ１の断面構造の一例を示す図である。工程ＳＴ１において第１の支持体Ｓ１が準備される。図４に示すように、第１の支持体Ｓ１は、第１の基台ＢＳ１と、静電チャックＥＳＣと、第１の基台ＢＳ１と静電チャックＥＳＣとを接合する第１の接合層ＡＤ１とを有する。

【0050】

一実施形態において、第１の基台ＢＳ１は略円板状の導電性部材で構成される。導電性部材は、例えば、アルミニウム、シリコンカーバイドであってよい。一実施形態において、第１の基台ＢＳ１は、内部に流路ＦＰが形成される。流路ＦＰは、伝熱媒体が供給される入口及び伝熱媒体が排出される出口を含んでよい。一実施形態において、第１の基台ＢＳ１の厚さは、１０ｍｍ以上５０ｍｍ以下でよい。

【0051】

一実施形態において、静電チャックＥＳＣは、略円板状の絶縁部材ＩＭと、絶縁部材ＩＭの内部に配置される静電電極ＥＳとを有する。絶縁部材ＩＭは、例えば、アルミナ等のセラミックであってよい。一実施形態において、静電チャックＥＳＣは、基板を支持するための中央領域Ｒ１と、中央領域を取り囲む環状領域Ｒ２とを有する。静電電極ＥＳは、第１の支持体Ｓ１の外部の電源（図示せず）と電気的に接続されるように構成される。電源から静電電極ＥＳへ電圧が印加されるとクーロン力が発生する。これにより静電チャックＥＳＣの中央領域Ｒ１において基板が吸着保持される。一実施形態において、静電チャックＥＳＣの厚さは、１０ｍｍ以下でよい。

【0052】

第１の接合層ＡＤ１は、第１の基台ＢＳ１と静電チャックＥＳＣとの間に配置され、両者を互いに接着、固定している。一実施形態において、第１の接合層は、金属ロウ、無機系の接着剤、有機系の接着剤が硬化したものであってよい。一実施形態において、第１の接合層ＡＤ１は、有機系の接着剤が硬化したものであってよい。一実施形態において、第１の接合層ＡＤ１は樹脂製であってよい。例えば、第１の接合層ＡＤ１はシリコーン樹脂で形成されてよい。また例えば、第１の接合層ＡＤ１はエポキシ樹脂で形成されてよい。

【0053】

一実施形態において、工程ＳＴ１で準備される第１の支持体Ｓ１は、図２に示すプラズマ処理装置１の基板支持部１１の本体部１１１であってよい。すなわち第１の基台ＢＳ１及び静電チャックＥＳＣは、それぞれ、図２の基台１１１０及び静電チャック１１１１であってよい。一実施形態において、第１の支持体Ｓ１は、プラズマ処理装置１において所与の時間使用された後、プラズマ処理装置１から取り出された本体部１１１であり得る。一実施形態において、第１の支持体Ｓ１は、プラズマ処理装置１に取り付けられる前の未使用の本体部１１１であり得る。

【0054】

一実施形態において、工程ＳＴ１で準備される第１の支持体Ｓ１には１又は複数の貫通孔が形成されてよい。貫通孔ＴＨの軸方向の一部には、スリーブＳＬが挿入されてよい。

【0055】

図５は、貫通孔ＴＨ及びスリーブＳＬの断面構造の一例を示す図である。第１の支持体Ｓ１には、第１の基台ＢＳ１及び静電チャックＥＳＣを貫通する貫通孔ＴＨが形成されている。貫通孔ＴＨは、一例では、静電チャックＥＳＣ上に載置される基板に伝熱ガス（例えばヘリウムガス）を供給するためのガス孔であり得る。貫通孔ＴＨは、一例では、静電チャックＥＳＣ上の基板を上下動させるリフターピン用の孔であり得る。

【0056】

図５に示す例では、貫通孔ＴＨのうち第１の基台ＢＳ１の側壁ＳＳで画定される空間に筒状のスリーブＳＬが挿入されている。スリーブＳＬは、例えばセラミック等の絶縁部材で構成されてよい。スリーブＳＬは、第１の基台ＢＳ１及び／又は静電チャックＥＳＣに第３の接合層ＡＤ３を介して接着される。第３の接合層ＡＤ３は、第１の接合層ＡＤ１と同一の材料で形成されてよく、また異なる材料で形成されてもよい。一実施形態において、第３の接合層ＡＤ３は、第１の接合層ＡＤ１よりも高いプラズマ耐性を有する材料で形成されてもよい。例えば、第１の接合層ＡＤ１がエポキシ樹脂で形成され、第３の接合層ＡＤ３がシリコーン樹脂で形成されてよい。一実施形態において、スリーブＳＬと静電チャックＥＳＣとの間に封止部材ＳＥを設けてよい。これにより第３の接合層ＡＤ３が貫通孔ＴＨに対して露出しないようにしてよい。封止部材は、例えば、プラズマ耐性を有する材料（例えばフッ素系材料）により形成されたＯリングであってよい。

【0057】

一実施形態において、工程ＳＴ１で準備される第１の支持体Ｓ１には、バックプレート等のその他の部材が接合層を介して結合されてよい。

【0058】

図６は、第１の支持体Ｓ１の断面構造の一例を示す図である。図６に示す例では、第１の支持体Ｓ１の第１の基台ＢＳ１の下面には、第４の接合層ＡＤ４を介してバックプレートＢＰが設けられている。バックプレートＢＰは、例えば、例えばセラミック等の絶縁部材で構成されてよい。第４の接合層ＡＤ４は、第１の接合層ＡＤ１と同一の材料で形成されてよく、また異なる材料で形成されてもよい。

【0059】

（工程ＳＴ２）
図７は、工程ＳＴ２の一例を示すフローチャートである。工程ＳＴ２において、静電チャックＥＳＣが分離される。図７に示すように、工程ＳＴ２は、第１の支持体を加熱炉に提供する工程ＳＴ２１と、第１の支持体を加熱する工程ＳＴ２２と、静電チャックを取り外す工程ＳＴ２３とを含んでよい。

【0060】

工程ＳＴ２１において、第１の支持体Ｓ１が加熱炉に提供される。加熱炉は、第１の支持体Ｓ１の加熱温度を制御することができれば特に限定はない。一例では、加熱炉は、容器内部の温度等を一定に保つように制御可能な恒温槽である。一例では、加熱炉は、温度調整可能な載置台を有するホットプレートである。一実施形態において、工程ＳＴ２１は大気雰囲気で実行されてよい。

【0061】

工程ＳＴ２２において、第１の支持体Ｓ１が加熱される。一実施形態において、第１の支持体Ｓ１は、第１の接合層ＡＤ１を熱劣化させる温度まで加熱される。一実施形態において、加熱炉の温度は、１００℃以上１０００℃以下の温度に制御される。第１の接合層ＡＤ１がシリコーン樹脂を含む場合、加熱炉の温度は、２００℃以上の温度に制御されてよい。第１の接合層ＡＤ１がエポキシ樹脂を含む場合、加熱炉の温度は、４００℃以上の温度に制御されてよい。一実施形態において、加熱炉の温度は、１００℃以上１０００℃以下の１又は複数の温度で一定時間維持されてよい。加熱炉の温度は、漸次又は段階的に昇温されてよい。これにより急激な温度上昇による第１の基台ＢＳ１や静電チャックＥＳＣの損傷を抑制し得る。なお、加熱炉が恒温槽である場合は、加熱炉の温度は恒温槽の容器内の温度でよい。加熱炉がホットプレートである場合は、加熱炉の温度は載置台の温度でよい。

【0062】

第１の支持体Ｓ１が、第３の接合層ＡＤ３（図５参照）や第４の接合層ＡＤ４（図６参照）等の他の接合層を含む場合、工程ＳＴ２２において、第１の支持体Ｓ１は、当該他の接合層を熱劣化させる温度以上に加熱されてよい。

【0063】

工程ＳＴ２２による処理により、第１の支持体Ｓ１に含まれる接合層（第１の接合層ＡＤ１、第３の接合層ＡＤ３、第４の接合層ＡＤ４等）が熱劣化する。これにより、接合層の接着剤としての機能が失われるか又は弱まる。一実施形態において、工程ＳＴ２２による処理により、接合層は当該接合層が接着する構成部品（例えば、第１の接合層ＡＤ１の場合、静電チャックＥＳＣと第１の基台ＢＳ１）の外に押し出される。線膨張係数の違いにより構成部品どうしが変形するためである。

【0064】

一実施形態において、工程ＳＴ２２は、第１の接合層ＡＤ１やその他の接合層を熱劣化させ、接着剤としての機能を失わせるのに十分な時間実行されてよい。一例では、工程ＳＴ２２は、１５００時間以下の時間実行される。

【0065】

工程ＳＴ２３において、静電チャックＥＳＣが第１の基台ＢＳ１から取り外される。工程ＳＴ２２において、第１の接合層ＡＤ１の接着剤としての機能が失われる又は弱まる。これにより静電チャックＥＳＣを第１の基台ＢＳ１から取り外す又は引き剥がすことが可能になる。

【0066】

工程ＳＴ２３において、第１の支持体Ｓ１が、スリーブＳＬ（図５参照）やバックプレート（図６参照）等のその他の構成部品を含む場合、当該構成部品も第１の基台ＢＳ１及び／又は静電チャックＥＳＣから取り外されてよい。当該構成部品の接合層（第３の接合層ＡＤ３、第４の接合層ＡＤ４）の熱劣化が不十分な場合がある。この場合、当該構成部品及び当該構成部品に接合する第１の基台ＢＳ１及び／又は静電チャックＥＳＣを加熱炉において再度加熱してよい。その上で、当該構成部品を第１の基台ＢＳ１及び／又は静電チャックＥＳＣから取り外してよい。

【0067】

工程ＳＴ２を実行する方法は、図７に示す例に限られない。一実施形態において、工程ＳＴ２は、第１の接合層ＡＤ１やその他の接合層に剥離剤を反応させることにより実行されてよい。例えば、第１の支持体Ｓ１を、剥離剤を含む溶液に侵浸させることで、第１の接合層ＡＤ１やその他の接合層に剥離剤を反応させてよい。

【0068】

一実施形態において、工程ＳＴ２における処理後、分離された構成部品（静電チャックＥＳＣや第１の基台ＢＳ１等）に接合層が残っている場合、残留した接合層を洗浄や研磨等により取り除く工程が実行されてよい。

【0069】

（工程ＳＴ３）
図８Ａ～図８Ｄは、工程ＳＴ３の一例を説明するための図である。工程ＳＴ３において、第２の支持体が形成される。

【0070】

まず図８Ａに示すように第２の基台ＢＳ２が準備される。一実施形態において、第２の基台ＢＳ２は、第１の基台ＢＳ１と同一の形状、材質及び／又は構造を有してよい。一実施形態において、第２の基台ＢＳ２は、第１の基台ＢＳ１と、形状、材質及び構造の少なくとも一つ以上が異なっていてもよい。一実施形態において、第２の基台ＢＳ２は、工程ＳＴ２において第１の支持体Ｓ１から取り外された第１の基台ＢＳ１であってもよい。

【0071】

次に図８Ｂに示すように、第２の基台ＢＳ２上に接着剤Ｘが塗布される。一実施形態において、接着剤Ｘは、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂を含む有機系の接着剤であってよい。一実施形態において、接着剤Ｘは、第１の接合層ＡＤ１を形成する接着剤と同一の材料で構成されてよい。

【0072】

次に図８Ｃに示すように、工程ＳＴ２において分離された静電チャックＥＳＣを、接着剤Ｘを介して第２の基台ＢＳ２に貼り付け、接着剤Ｘを硬化させる。接着剤Ｘは熱硬化されてよい。

【0073】

以上により、第２の支持体Ｓ２が形成される。図８Ｄに示すように、第２の支持体Ｓ２は、第２の基台ＢＳ２、静電チャックＥＳＣ、及び、第２の基台ＢＳ２と静電チャックＥＳＣとを接合する第２の接合層ＡＤ２を有する。第２の接合層ＡＤ２は接着剤Ｘが硬化したものである。

【0074】

一実施形態において、第２の支持体Ｓ２は、図２に示すプラズマ処理装置１の基板支持部１１の本体部１１１として用いられてよい。すなわち、第２の基台ＢＳ２及び静電チャックＥＳＣは、それぞれ、図２の基台１１１０及び静電チャック１１１１として用いられてよい。

【0075】

本製造方法によれば、第１の支持体Ｓ１の構成部品である静電チャックＥＳＣを、第２の支持体Ｓ２の構成部品として再利用することができる。

【0076】

一実施形態において、工程ＳＴ２で第１の支持体Ｓ１から取り外した他の構成部品、例えば、第１の基台ＢＳ１、スリーブＳＬ及び／又はバックプレートＢＰについても同様に再利用されてよい。例えば、第１の支持体Ｓ１から取り外したスリーブＳＬ及び／又はバックプレートＢＰを第２の支持体Ｓ２に取り付けて再利用してよい。また例えば、第１の基台ＢＳ１を、静電チャックＥＳＣに再度接合して、又は、静電チャックＥＳＣとは異なる他の静電チャックに接合して再利用してもよい。

【0077】

＜変形例＞
本開示の実施形態は、基板支持体以外のプラズマ処理装置の構成部品に対しても適用可能である。一実施形態において、本開示のプラズマ処理装置の構成部品の製造方法は、第１の部材、第２の部材及び前記第１の部材と前記第２の部材とを接合する第１の接合層を含む第１の構成部品から分離した前記第１の部材を準備する工程と、第２の接合層により、前記第１の部材を前記第２の部材又は前記第２の部材と異なる第３の部材に接合し、第２の構成部品を形成する工程と、を含む。

【0078】

一実施形態において、第１の部材を準備する工程は、上述した工程ＳＴ２と同様に行うことができる。一例では、第１の部材を準備する工程は、第１の構成部品を加熱炉内に配置する工程と、加熱炉の温度を所定温度に維持する工程と、第１の部材を第２の部材から取り外す工程とを含む。所定温度は、１００℃以上１０００℃以下であってよい。第２の構成部品を形成する工程は、工程ＳＴ３と同様に行うことができる。

【0079】

一実施形態において、プラズマ処理装置の構成部品（第１の構成部品、第２の構成部品）は、図９に示すようなシャワーヘッドアセンブリ１３であってよい。この場合、第１の部材は、上部電極１３ｄであってよい。第２の部材及び第３の部材は、シャワーヘッド１３ｅであってよい。より具体的には、第２の部材は第１のシャワーヘッドであってよく、第３の部材は、第１のシャワーヘッドと異なる第２のシャワーヘッドであってよい。

【0080】

一実施形態において、第１の接合層及び第２の接合層は、伝熱シート１３ｆにより形成されてよい。すなわち、第１の部材（上部電極）を準備する工程において、第１の部材（上部電極）は、第１の伝熱シートにより、第２の部材（第１のシャワーヘッド）と接合されていてよい。また、第２の構成部品を形成する工程において、第１の部材（上部電極）は、第１の伝熱シートと異なる第２の伝熱シートにより、第３の部材（第２のシャワーヘッド）と接合されてよい。伝熱シート１３ｆ（第１の伝熱シート、第２の伝熱シート）は、例えば、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素系樹脂等の材料により形成されてよい。フッ素系樹脂は、例えば、フロロカーボン樹脂であってよい。

【0081】

本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。

【0082】

（付記１）
基板支持体の製造方法であって、
（ａ）第１の基台、静電チャック、及び、前記第１の基台と前記静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、
（ｂ）前記第１の基台から前記静電チャックを分離する工程と、
（ｃ）前記静電チャックを、第２の接合層により前記第１の基台又は前記第１の基台とは異なる第２の基台に接合して第２の支持体を形成する工程と、を含む、基板支持体の製造方法。

【0083】

（付記２）
前記（ｂ）において、前記第１の支持体を加熱することにより、前記静電チャックを前記第１の基台から分離する、付記１に記載の基板支持体の製造方法。

【0084】

（付記３）
前記接合層は樹脂製である、付記１又は付記２に記載の基板支持体の製造方法。

【0085】

（付記４）
前記（ｂ）は、
（ｂ１）前記第１の支持体を加熱炉に提供する工程と、
（ｂ２）前記加熱炉を１００℃以上１０００℃以下の温度に維持する工程と、
（ｂ３）前記第１の基台から前記静電チャックを取り外す工程と、
を含む付記１から付記３のいずれか１つに記載の基板支持体の製造方法。

【0086】

（付記５）
前記第１の接合層はシリコーン樹脂を含み、前記（ｂ２）において、前記加熱炉は２００℃以上の温度に維持される、付記４に記載の基板支持体の製造方法。

【0087】

（付記６）
前記第１の接合層はエポキシ樹脂を含み、前記（ｂ２）において、前記加熱炉は４００℃以上の温度に維持される、付記４に記載の基板支持体の製造方法。

【0088】

（付記７）
前記（ｂ２）は、１５００時間以下の時間実行される、付記３から付記６のいずれか１つに記載の基板支持体の製造方法。

【0089】

（付記８）
前記（ｂ２）は、大気雰囲気下で実行される、付記３から付記７のいずれか１つに記載の基板支持体の製造方法。

【0090】

（付記９）
前記（ｂ）において、第１の接合層に剥離剤を反応させることにより、前記静電チャックを前記第１の基台から分離する、付記１から付記８のいずれか１つに記載の基板支持体の製造方法。

【0091】

（付記１０）
前記（ｂ）の後かつ前記（ｃ）の前に、前記静電チャックを洗浄する工程をさらに含む、付記１から付記９のいずれか１つに記載の基板支持体の製造方法。

【0092】

（付記１１）
前記静電チャックは、円板状のセラミック部材と、前記セラミック部材の内部に配置される静電電極とを含む、付記１から付記１０のいずれか１つに記載の基板支持体の製造方法。

【0093】

（付記１２）
前記（ａ）において、前記第１の支持体には、前記第１の基台及び前記静電チャックを連通する貫通孔が形成されるとともに、当該貫通孔の軸方向の少なくとも一部にわたって配置され、第３の接合層を介して前記第１の基台及び前記静電チャックの少なくともいずれかに接合されるスリーブを有し、
前記（ｂ）は、前記スリーブを前記第１の基台及び前記第１の静電チャックから分離することをさらに含む、付記１から付記１１のいずれか１つに記載の基板支持体の製造方法。

【0094】

（付記１３）
前記（ａ）において、前記第１の支持体は、前記第１の基台の裏面に第４の接合層を介して接合されたバックプレートをさらに有し、
前記（ｂ）は、前記バックプレートを前記第１の基台から分離することをさらに含む、付記１から付記１２のいずれか１つに記載の基板支持体の製造方法。

【0095】

（付記１４）
基板支持体の製造方法であって、
（ａ）第１の支持体から分離された静電チャックを準備する工程であって、前記第１の支持体は、第１の基台、静電チャック、及び、前記第１の基台と前記静電チャックとを接合する第１の接合層を有する工程と、
（ｂ）前記静電チャックを、第２の接合層により前記第１の基台又は前記第１の基台とは異なる第２の基台に接合して第２の支持体を形成する工程と、を含む
基板支持体の製造方法。

【0096】

（付記１５）
基板支持体の製造方法であって、
（ａ）第１の基台、静電チャック、及び、前記第１の基台と前記静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、
（ｂ）前記第１の支持体を１００℃以上１０００℃以下に加熱して、前記第１の基台から前記静電チャックを分離する工程と、を含む
基板支持体の製造方法。

【0097】

（付記１６）
基板支持体の製造方法であって、
（ａ）第１の基台、第１の静電チャック及び前記第１の基台と前記第１の静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、
（ｂ）前記第１の基台と前記第１の静電チャックとを分離する工程と、
（ｃ）第２の支持体を形成する工程と、
を含み、前記工程（ｃ）は、
（ｃ１）前記第１の静電チャックを、第２の接合層により前記第１の基台又は前記第１の基台と異なる第２の基台に接合すること、又は
（ｃ２）前記第１の基台を、第２の接合層により前記第１の静電チャック又は前記第１の静電チャックとは異なる第２の静電チャックに接合すること、
を含む、基板支持体の製造方法。

【0098】

（付記１７）
第１の基台、第１の静電チャック及び前記第１の基台と前記第１の静電チャックとを接合する第１の接合層を含む第１の支持体から分離した前記第１の基台又は前記第１の静電チャックを用いて、第２の支持体を形成する工程を含み、
前記工程は、第２の接合層により、
前記第１の基台を、前記第１の静電チャック又は前記第１の静電チャックと異なる第２の静電チャックに接合すること、又は、
前記第１の静電チャックを、前記第１の基台又は前記第１の基台とは異なる第２の基台に接合すること、
を含む、基板支持体の製造方法。

【0099】

（付記１８）
前記第１の接合層は、シリコーン樹脂又はエポキシ樹脂を含み、
前記分離は、前記第１の支持体を１００℃以上１０００℃以下に加熱することを含む、付記１６又は付記１７に記載の基板支持体の製造方法。

【0100】

（付記１９）
（ａ）第１の基台、静電チャック、及び、前記第１の基台と前記静電チャックとを接合する第１の接合層を有する第１の支持体を準備する工程と、
（ｂ）前記第１の基台から前記静電チャックを分離する工程と、
（ｃ）前記静電チャックを、第２の接合層により前記第１の基台又は前記第１の基台とは異なる第２の基台に接合する工程と、
を含む工程により製造される第２の支持体。

【0101】

（付記２０）
付記１９に記載の第２の支持体を含む基板処理装置。

【0102】

（付記２１）
プラズマ処理装置の構成部材の製造方法であって、
（ａ）第１の部材、第２の部材及び前記第１の部材と前記第２の部材とを接合する第１の接合層を含む第１の構成部品から分離した前記第１の部材を準備する工程と、
（ｂ）第２の接合層により、前記第１の部材を前記第２の部材又は前記第２の部材と異なる第３の部材に接合し、第２の構成部品を形成する工程と、
を含む、プラズマ処理装置の構成部品の製造方法。

【0103】

（付記２２）
前記（ａ）は、
（ａ１）第１の部材、第２の部材及び前記第１の部材と前記第２の部材とを接合する第１の接合層を含む第１の構成部品を加熱炉内に配置する工程と、
（ａ２）前記加熱炉の温度を１００℃以上１０００℃以下に維持する工程と、
（ａ３）前記第１の部材を前記第２の部材から取り外す工程と、
を含む、付記２１に記載のプラズマ処理装置の構成部品の製造方法。

【0104】

（付記２３）
前記第１の部材は、第１のシャワーヘッドであり、
前記第２の部材は、上部電極であり、
前記第３の部材は、第２のシャワーヘッドである、
付記２１又は付記２２に記載のプラズマ処理装置の構成部品の製造方法。

【0105】

（付記２４）
前記第１の接合層は、第１の伝熱シートから形成され、
前記第２の接合層は、前記第１の伝熱シートと異なる第２の伝熱シートから形成される、
付記２３に記載のプラズマ処理装置の構成部品の製造方法。

【0106】

以上の各実施形態は、説明の目的で記載されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。以上の各実施形態は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。

【符号の説明】

【0107】

１……プラズマ処理装置、２……制御部、１０……プラズマ処理チャンバ、１１……基板支持部、１１１……本体部、１１１０……基台、１１１１……静電チャック、ＡＤ１……第１の接合層、ＡＤ２……第２の接合層、ＡＤ３……第３の接合層、ＡＤ４……第４の接合層、ＢＳ１……第１の基台、ＢＳ２……第２の基台、ＥＳＣ……静電チャック、ＥＳ……静電電極、ＦＰ……流路、ＩＭ……絶縁部材、Ｓ１……第１の支持体、Ｓ２……第２の支持体、ＳＬ……スリーブ、ＴＨ……貫通孔

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図8C】

【図8D】