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特開2024-147572マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024147572
(43)【公開日】2024-10-16
(54)【発明の名称】マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための方法
(51)【国際特許分類】
G03F 1/74 20120101AFI20241008BHJP
G03F 1/86 20120101ALI20241008BHJP
【ＦＩ】
G03F1/74
G03F1/86
【審査請求】有
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
【外国語出願】
(21)【出願番号】P 2024100254
(22)【出願日】2024-06-21
(62)【分割の表示】P 2022142897の分割
【原出願日】2022-09-08
(31)【優先権主張番号】10 2021 123 440.9
(32)【優先日】2021-09-10
(33)【優先権主張国・地域又は機関】DE
(71)【出願人】
【識別番号】503263355
【氏名又は名称】カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
(74)【代理人】
【識別番号】100094569
【弁理士】
【氏名又は名称】田中 伸一郎
(74)【代理人】
【識別番号】100109070
【弁理士】
【氏名又は名称】須田 洋之
(74)【代理人】
【識別番号】100067013
【弁理士】
【氏名又は名称】大塚 文昭
(74)【代理人】
【識別番号】100120525
【弁理士】
【氏名又は名称】近藤 直樹
(74)【代理人】
【識別番号】100139712
【弁理士】
【氏名又は名称】那須 威夫
(74)【代理人】
【識別番号】100151987
【弁理士】
【氏名又は名称】谷口 信行
(72)【発明者】
【氏名】トルステン ホフマン
(72)【発明者】
【氏名】ミヒャエル ブダッハ
(57)【要約】 （修正有）
【課題】マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための改善された方法を提供する。
【解決手段】本方法は、ａ）フォトマスクの少なくとも一部分の像を提供するステップ（Ｓ１）と、ｂ）像内の欠陥の幾何学形状を、修復形状として決定するステップ（Ｓ２）と、ｃ）第１のラスタ化に従って、修復形状を複数のｎ個のピクセルに細分化するステップ（Ｓ３）と、ｄ）第２のラスタ化に従って、修復形状を複数のｍ個のピクセルに細分化するステップ（Ｓ５）であって、第２のラスタ化は、第１のラスタ化のサブピクセル変位から生じる、ステップと、ｅ）第１のラスタ化に従って、修復形状のｎ個のピクセルの各々において活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するステップ（Ｓ４）と、ｆ）第２のラスタ化に従って、修復形状のｍ個のピクセルの各々において活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するステップ（Ｓ６）と、を含む方法。
【選択図】図７
【解決手段】本方法は、ａ）フォトマスクの少なくとも一部分の像を提供するステップ（Ｓ１）と、ｂ）像内の欠陥の幾何学形状を、修復形状として決定するステップ（Ｓ２）と、ｃ）第１のラスタ化に従って、修復形状を複数のｎ個のピクセルに細分化するステップ（Ｓ３）と、ｄ）第２のラスタ化に従って、修復形状を複数のｍ個のピクセルに細分化するステップ（Ｓ５）であって、第２のラスタ化は、第１のラスタ化のサブピクセル変位から生じる、ステップと、ｅ）第１のラスタ化に従って、修復形状のｎ個のピクセルの各々において活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するステップ（Ｓ４）と、ｆ）第２のラスタ化に従って、修復形状のｍ個のピクセルの各々において活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するステップ（Ｓ６）と、を含む方法。
【選択図】図７
【特許請求の範囲】
【請求項1】
マイクロリソグラフィフォトマスク（１００）の欠陥（Ｄ、Ｄ’）の粒子ビーム誘起処理のための方法であって、
ａ１）前記フォトマスク（１００）の少なくとも一部分の像（３００）を提供するステップ（Ｓ１）と、
ｂ１）前記像（３００）内の欠陥（Ｄ、Ｄ’）の幾何学形状を、修復形状（３０２、３０２’）として決定するステップ（Ｓ２）と、
ｃ１）第１のラスタ化（３０６）に従って、前記修復形状（３０２、３０２’）を複数のｎ個のピクセル（３０４）に細分化するステップ（Ｓ３）と、
ｄ１）第２のラスタ化（３０６’）に従って、前記修復形状を複数のｍ個のピクセル（３０４’）に細分化するステップ（Ｓ５）であって、前記第２のラスタ化（３０６’）は、前記第１のラスタ化（３０６）のサブピクセル変位から生じる、ステップと、
ｅ１）前記第１のラスタ化（３０６）に従って、前記修復形状（３０２、３０２’）の前記ｎ個のピクセル（３０４）の各々において活性化粒子ビーム（２０２）およびプロセスガスを提供するステップ（Ｓ４）と、
ｆ１）前記第２のラスタ化（３０６’）に従って、前記修復形状（３０２、３０２’）の前記ｍ個のピクセル（３０４’）の各々において前記活性化粒子ビーム（２０２）および前記プロセスガスを提供するステップ（Ｓ６）と、
を含む、方法。
ａ１）前記フォトマスク（１００）の少なくとも一部分の像（３００）を提供するステップ（Ｓ１）と、
ｂ１）前記像（３００）内の欠陥（Ｄ、Ｄ’）の幾何学形状を、修復形状（３０２、３０２’）として決定するステップ（Ｓ２）と、
ｃ１）第１のラスタ化（３０６）に従って、前記修復形状（３０２、３０２’）を複数のｎ個のピクセル（３０４）に細分化するステップ（Ｓ３）と、
ｄ１）第２のラスタ化（３０６’）に従って、前記修復形状を複数のｍ個のピクセル（３０４’）に細分化するステップ（Ｓ５）であって、前記第２のラスタ化（３０６’）は、前記第１のラスタ化（３０６）のサブピクセル変位から生じる、ステップと、
ｅ１）前記第１のラスタ化（３０６）に従って、前記修復形状（３０２、３０２’）の前記ｎ個のピクセル（３０４）の各々において活性化粒子ビーム（２０２）およびプロセスガスを提供するステップ（Ｓ４）と、
ｆ１）前記第２のラスタ化（３０６’）に従って、前記修復形状（３０２、３０２’）の前記ｍ個のピクセル（３０４’）の各々において前記活性化粒子ビーム（２０２）および前記プロセスガスを提供するステップ（Ｓ６）と、
を含む、方法。
【請求項2】
前記サブピクセル変位は、サブピクセル寸法（ｂ）分の前記第１のラスタ化（３０６）の変位、より詳細には横方向の変位である、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
少なくとも１つの更なるラスタ化（３０６”）に従って、前記修復形状（３０２’）を複数のｌi個のピクセル（３０４”）に細分化するステップ（Ｓ７）であって、ｉ番目の更なるラスタ化（３０６”）はｌi個のピクセル（３０４”）に細分化され、前記少なくとも１つの更なるラスタ化（３０６”）は、前記第１のラスタ化（３０６）、前記第２のラスタ化（３０６’）、または前記少なくとも１つの更なるラスタ化（３０６”）のうちの任意の他のラスタ化のサブピクセル変位から生じる、ステップと、
前記少なくとも１つの更なるラスタ化（３０６”）に従って、前記修復形状（３０２’）の前記ｌi個のピクセル（３０４”）の各々において前記活性化粒子ビーム（２０２）および前記プロセスガスを提供するステップ（Ｓ８）と、
を含む、請求項１または２に記載の方法。
前記少なくとも１つの更なるラスタ化（３０６”）に従って、前記修復形状（３０２’）の前記ｌi個のピクセル（３０４”）の各々において前記活性化粒子ビーム（２０２）および前記プロセスガスを提供するステップ（Ｓ８）と、
を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項4】
ステップｅ１）は、繰返し周期数ｇでステップｆ１）の前に繰り返され、および／またはステップｆ１）は、繰返し周期数ｈで繰り返される、請求項１～３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項5】
ステップｅ１）およびｆ１）は、繰返し周期数ｊで繰り返される、請求項１～４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項6】
前記活性化粒子ビーム（２０２）は、各場合において、前記修復形状（３０２’）の前記ｎ個のピクセル（３０４）、前記ｍ個のピクセル（３０４’）および／または前記ｌi個のピクセル（３０４”）において順に連続して提供され、この順において、前記プロセスガスの減損は、活性化粒子ビーム（２０２）によって活性化される化学反応によって、前記修復形状（３０２’）上で均一に実施される、請求項１～５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項7】
マイクロリソグラフィフォトマスク（１００）の欠陥（Ｅ’、Ｅ”）の粒子ビーム誘起処理のための方法であって、
ａ２）前記フォトマスク（１００）の少なくとも一部分の像（３００）を提供するステップ（Ｓ１’）と、
ｂ２）前記像（３００）内の欠陥（Ｅ’、Ｅ”）の幾何学形状を、修復形状（４０２、４０２’）として決定するステップ（Ｓ２’）と、
ｃ２）少なくとも前記修復形状（４０２、４０２’）の伸張部（４０４、４２４）に沿ってプロセスガスを提供し、前記プロセスガスと前記伸張部（４０４、４２４）上の前記フォトマスク（１００）の材料との間の化学反応を同時に活性化しながら、前記伸張部（４０４、４２４）に沿って活性化粒子ビーム（２０２）を誘導するステップ（Ｓ３’）と、
を含む、方法。
ａ２）前記フォトマスク（１００）の少なくとも一部分の像（３００）を提供するステップ（Ｓ１’）と、
ｂ２）前記像（３００）内の欠陥（Ｅ’、Ｅ”）の幾何学形状を、修復形状（４０２、４０２’）として決定するステップ（Ｓ２’）と、
ｃ２）少なくとも前記修復形状（４０２、４０２’）の伸張部（４０４、４２４）に沿ってプロセスガスを提供し、前記プロセスガスと前記伸張部（４０４、４２４）上の前記フォトマスク（１００）の材料との間の化学反応を同時に活性化しながら、前記伸張部（４０４、４２４）に沿って活性化粒子ビーム（２０２）を誘導するステップ（Ｓ３’）と、
を含む、方法。
【請求項8】
前記活性化粒子ビーム（２０２）は、前記伸張部（４０４、４２４）全体に沿って、ゼロよりも高い速度で誘導され、および／または、前記活性化粒子ビーム（２０２）は、停止することなく前記伸張部（４０４、４２４）全体に沿って誘導される、請求項７に記載の方法。
【請求項9】
前記伸張部（４０４、４２４）の長さ（ｌ）は、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、および／または５００ｎｍ以上である、請求項７または８に記載の方法。
【請求項10】
前記伸張部（４０４、４１６、４２０、４２２）は、前記修復形状（４０２）の１つの縁部（４０６）から、前記修復形状（４０２）の反対側の縁部（４０８）まで線形に延びる、請求項７～９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項11】
前記伸張部（４２４、４３４、４３８）は、前記修復形状（４０２’）の外縁部（４２６）に沿って、および／または前記修復形状（４０２’）の前記外縁部（４２６）に対し平行な平行曲線（４３４、４３８）に沿って延びる、請求項７～９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項12】
前記修復形状（４０２’）は、少なくとも第１の部分修復形状および第２の部分修復形状（４４０、４４２）に細分化され、
前記伸張部（４４４）は、前記第１の部分修復形状（４４０）の１つの縁部（４４６）から、前記第１の部分修復形状（４４０）の反対側の縁部（４４８）に線形に延び、および／または、
前記伸張部（４５０、４５４、４５６）は、前記第２の部分修復形状（４４２）の外縁部（４５２）に沿って、および／または前記第２の部分修復形状（４４２）の前記外縁部（４５２）に対し平行な平行曲線（４５４、４５６）に沿って延びる、請求項７～１１のいずれか１項に記載の方法。
前記伸張部（４４４）は、前記第１の部分修復形状（４４０）の１つの縁部（４４６）から、前記第１の部分修復形状（４４０）の反対側の縁部（４４８）に線形に延び、および／または、
前記伸張部（４５０、４５４、４５６）は、前記第２の部分修復形状（４４２）の外縁部（４５２）に沿って、および／または前記第２の部分修復形状（４４２）の前記外縁部（４５２）に対し平行な平行曲線（４５４、４５６）に沿って延びる、請求項７～１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項13】
前記活性化粒子ビーム（２０２）は、０．０１ｍ／ｓ以上、０．０２ｍ／ｓ以上、０．０３ｍ／ｓ以上、０．０５ｍ／ｓ以上、０．１ｍ／ｓ以上、１ｍ／ｓ以上、５ｍ／ｓ以上、１０ｍ／ｓ以上、５０ｍ／ｓ以上、および／または１００ｍ／ｓ以上の速度で前記伸張部（４０４、４２４、４４４、４５０）に沿って誘導される、請求項７～１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項14】
前記活性化粒子ビーム（２０２）は、５００ｎｓ以下、４００ｎｓ以下、３００ｎｓ以下、２００ｎｓ以下、１００ｎｓ以下および／または５０ｎｓ以下で前記修復形状（４０２、４０２’）全体にわたって誘導される、請求項７～１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項15】
前記活性化粒子ビーム（２０２）のビーム電流は、０．０００１μＡ以上、０．００１μＡ以上、０．０１μＡ以上、０．１μＡ以上、および／または１μＡ以上である、請求項７～１４のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための方法に関する。
【0002】
優先出願ＤＥ １０ ２０２１ １２３ ４４０．９の内容は、参照によりその全体が本明細書に援用される。
【背景技術】
【0003】
マイクロリソグラフィは、例えば集積回路等の微細構造構成部品を製造するために用いられる。マイクロリソグラフィプロセスは、照明システムおよび投影システムを有するリソグラフィ装置を用いて実行される。マスク構造を基板の感光コーティングに転写するために、照明システムによって照明されるマスク（レチクル）の像は、この場合、感光層（フォトレジスト）でコーティングされ、投影システムの像面に配置された、基板、例えばシリコンウェハに対し、投影システムによって投影される。
【0004】
小さな構造寸法を得て、これにより微細構造の構成要素の集積密度を増大させるために、例えば深紫外（ＤＵＶ）または極紫外（ＥＵＶ）と呼ばれる非常に短い波長を有する光がますます使用されている。ＤＵＶは、例えば１９３ｎｍの波長を有し、ＥＵＶは、例えば１３．５ｎｍの波長を有する。
【0005】
この場合、マイクロリソグラフィフォトマスクは、数ナノメートル～数百ｎｍの範囲をとる構造寸法を有する。そのようなフォトマスクの製造は、非常に複雑であり、したがってコストが高い。特に、これは、フォトマスクが欠陥なしでなくてはならず、そうでなければ、フォトマスクによってシリコンウェハ上に製造された構造が所望の機能を呈することを確実にすることができないことに起因する。特に、フォトマスク上の構造の品質は、フォトマスクによってウェハ上に製造される集積回路の品質を決定するものである。
【0006】
この理由により、マイクロリソグラフィフォトマスクは欠陥の存在についてチェックされ、見つかった欠陥が標的を絞った方式で修復される。典型的な欠陥は、例えば、エッチングプロセスの実行に成功しなかったことに起因した、想定された構造の欠如、またはそうでない場合、例えばエッチングプロセスが過度に急速に進行したかもしくは誤った場所で効果を発現したことに起因した、想定外の構造の存在を含む。これらの欠陥は、適切な位置における余分な材料の標的を絞ったエッチング、または追加の材料の標的を絞った堆積によって修復することができ、例として、これは電子ビーム誘起プロセス（ＦＥＢＩＰ「集束電子ビーム誘起処理」）によって、非常に標的を絞った方式で可能となる。
【0007】
ＤＥ１０ ２０１７ ２０８ １１４は、フォトリソグラフィマスクの粒子ビーム誘起エッチングの方法を記載している。この場合、粒子ビーム、特に電子ビームおよびエッチングガスは、エッチングされるフォトリソグラフィマスク上の場所に提供される。粒子ビームは、フォトリソグラフィマスクの材料とエッチングガストとの間の局所的化学反応を活性化し、その結果として、材料がフォトリソグラフィマスクから局所的にアブレーションされる。エッチング方法の間、電子ビームは、グリッドに従ってマスク上の多くの別個の入射点に方向付けられ、この電子ビームは、この電子ビームがグリッド内の次の入射点に方向付けられる前に局所的エッチング反応を開始する目的で、約１００ｎｓの持続時間にわたってそれぞれのグリッド点に留まる。特に、欠陥の縁部領域は、比較的粗いグリッドの場合、このように不正確にしか処理することができない。しかしながら、グリッドの精緻化は、データの算術処理中の大量のデータにつながる。なぜなら、グリッド点の数（電子ビーム入射点）、すなわち２つの入射点間の距離の減少と共にデータ量が二次的に増大するためである。
【0008】
さらに、粒子ビーム（例えば、電子ビーム）によって欠陥を処理するときの縁部分解能は、フォトリソグラフィマスクの材料とプロセスガス（例えば、エッチングガス）との間の化学反応の反応プロファイルに依拠する。反応プロファイルは、化学反応が発生するマスク上の領域（例えば、マスク上の粒子ビームの入射点の周りの円の直径）を指定する。反応プロファイルは、中でも、粒子ビーム（一次ビーム）のビームプロファイル、および現れる二次粒子の半径に依拠する。しかしながら、フォトマスクの欠陥を処理するときに（例えば、一次エネルギーを増大させることによって）一次ビームの精緻化により分解能を増大させることは、二次ビームの半径、およびこのため反応プロファイルの半径が、一次ビームエネルギーの増大と共に増大する場合があることに起因して制限される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
【特許文献1】ＤＥ１０ ２０１７ ２０８ １１４
【発明の概要】
【0010】
この背景に対し、本発明の目的は、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための改善された方法を提供することである。
【0011】
第１の態様によれば、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための方法が提案される。本方法は、
ａ１）フォトマスクの少なくとも一部分の像を提供するステップと、
ｂ１）像内の欠陥の幾何学形状を、修復形状として決定するステップと、
ｃ１）第１のラスタ化に従って、修復形状を複数のｎ個のピクセルに細分化するステップと、
ｄ１）第２のラスタ化に従って、修復形状を複数のｍ個のピクセルに細分化するステップであって、第２のラスタ化は、第１のラスタ化のサブピクセル変位から生じる、ステップと、
ｅ１）第１のラスタ化に従って、修復形状のｎ個のピクセルの各々において活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するステップと、
ｆ１）第２のラスタ化に従って、修復形状のｍ個のピクセルの各々において活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するステップと、
を含む。
ａ１）フォトマスクの少なくとも一部分の像を提供するステップと、
ｂ１）像内の欠陥の幾何学形状を、修復形状として決定するステップと、
ｃ１）第１のラスタ化に従って、修復形状を複数のｎ個のピクセルに細分化するステップと、
ｄ１）第２のラスタ化に従って、修復形状を複数のｍ個のピクセルに細分化するステップであって、第２のラスタ化は、第１のラスタ化のサブピクセル変位から生じる、ステップと、
ｅ１）第１のラスタ化に従って、修復形状のｎ個のピクセルの各々において活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するステップと、
ｆ１）第２のラスタ化に従って、修復形状のｍ個のピクセルの各々において活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するステップと、
を含む。
【0012】
サブピクセル変位によって互いに対し変位された２つのラスタ化に従って粒子ビームを用いて欠陥の領域内でフォトマスクを露光することによって、特に欠陥の縁部領域をより精密に走査することが可能である。
【0013】
例として、欠陥の縁部領域は、ラスタ化自体を精密化することなくより精密に走査することができる。例として、第１のラスタ化による修復形状のｎ個のピクセルのピクセル寸法は、第２のラスタ化による修復形状のｍ個のピクセルのピクセル寸法と同じである。言い換えると、ラスタ化の精密性は、この例では、修復形状の第２のラスタ化の適用によって変更されない。結果として、ピクセル数、このためデータ量は、修復形状の第２のラスタ化の適用によって変化しないかまたは実質的に変化しない。
【0014】
しかしながら、第２のラスタ化は、別の例では第１のラスタ化よりも精密である場合もあり、これにより、特に外部輪郭において、粒子ビームを用いるよりもさらに良好に欠陥の実形状を処理することが可能である。
【0015】
特に、修復形状は、ｎ個のピクセルが列（Ｘ方向）および行（Ｘ軸に垂直なＹ方向）に配列されるように、ｎ個のピクセルに細分化される。
【0016】
例として、ピクセル寸法は、ピクセル側辺長および／または２つの隣接ピクセルの中心間の間隔である。例として、ピクセル寸法は、Ｘ方向および／もしくはＹ方向におけるピクセル側辺長であり、および／またはＸ方向および／もしくはＹ方向における２つの隣接ピクセルの中心間の間隔である。
【0017】
特に、第１のラスタ化および第２のラスタ化の双方がグリッドであり、各場合においてグリッド線はＸ方向およびＹ方向に配列される。修復形状の上にそれぞれのグリッド（第１および第２のラスタ化に対応する）を重ねることによって、修復形状が、それぞれｎ個のピクセルまたはｍ個のピクセルに細分化される。
【0018】
欠陥の処理は、特に、その範囲内で材料がフォトマスクから局所的にアブレーションされる欠陥のエッチング、または欠陥の領域内のフォトマスク上の材料の堆積を含む。例として、提案される方法は、欠陥の領域内の余分な構造がより良好にエッチング除去されることを可能にするか、または欠陥の領域内の欠落した構造をより良好に拡張させることができる。特に、提案される方法は、欠陥の縁部領域がより良好にかつより正確にエッチング除去されることを可能にするか、または欠陥の縁部領域内の欠落した構造をより良好にかつより正確に拡張させることができる。
【0019】
フォトマスクの少なくとも１つの部分の像が、例えば走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）によって記録される。例として、フォトマスクの少なくとも１つの部分の像が、数ナノメートル程度の空間分解能を有する。像は、例えば、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）または走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）等の走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いて記録することもできる。
【0020】
本方法は、特に、走査型電子顕微鏡および／または走査型プローブ顕微鏡を用いてフォトマスクの少なくとも１つの部分の像を捕捉するステップを含むことができる。
【0021】
例として、マイクロリソグラフィフォトマスクは、ＥＵＶリソグラフィ装置のためのフォトマスクである。この場合、ＥＵＶは「極紫外」を表し、０．１ｎｍ～３０ｎｍ、特に１３．５ｎｍの作業光の波長を示す。ＥＵＶリソグラフィ装置内で、ビーム成形および照明システムを用いて、特に反射光学素子（反射フォトマスク）の形態をとるフォトマスク（「レチクル」とも呼ばれる）上へのＥＵＶ放射を誘導する。フォトマスクは、ＥＵＶリソグラフィ装置の投影システムを用いて縮小状態でウェハ等の上に結像される（imaged）構造を有する。
【0022】
例として、マイクロリソグラフィフォトマスクは、ＤＵＶリソグラフィ装置のためのフォトマスクとすることもできる。この場合、ＤＵＶは「深紫外」を表し、３０ｎｍ～２５０ｎｍ、特に１９３ｎｍまたは２４８ｎｍの作業光の波長を示す。ＤＵＶリソグラフィ装置内で、ビーム成形および照明システムを用いて、特に透過光学素子（透過フォトマスク）の形態をとるフォトマスク上へのＤＵＶ放射を誘導する。フォトマスクは、ＤＵＶリソグラフィ装置の投影システムを用いて縮小状態でウェハ等の上に結像される構造を有する。
【0023】
例として、マイクロリソグラフィフォトマスクは、基板と、コーティングによって基板上に形成された構造とを備える。例として、フォトマスクは透過フォトマスクであり、この場合、結像されるパターンは、透明基板上の吸収（すなわち、不透明なまたは部分的に不透明な）コーティングの形態で実現される。代替的に、フォトマスクは、例えば、特にＥＵＶリソグラフィにおいて用いるための、反射フォトマスクとすることもできる。フォトマスクは、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）のためのマスクとすることもできる。
【0024】
例として、基板は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）、例えば石英ガラスを含む。例として、構造化されたコーティングは、クロム、クロム化合物、タンタル化合物、ならびに／またはシリコン、窒素、酸素および／もしくはモリブデンから作製された化合物を含む。基板および／またはコーティングは、他の材料も含むことができる。
【0025】
ＥＵＶリソグラフィ装置のためのフォトマスクの場合、基板は、モリブデンおよびシリコン層の交互のシーケンスを含むことができる。
【0026】
提案される方法を用いると、フォトマスクの欠陥、特に、フォトマスクの構造化されたコーティングの欠陥を識別、位置特定および修復することが可能である。特に、欠陥は、基板に誤って施されたフォトマスクの（吸収または反射）コーティングである。本方法を用いて、コーティングが欠落しているフォトマスク上の場所でコーティングを拡張させることができる。さらに、コーティングは、誤って施されたフォトマスク上の場所から、本方法を用いて除去することができる。
【0027】
このために、フォトマスクの少なくとも１つの部分の記録された像において欠陥の幾何学形状が決定される。例として、欠陥の２次元の幾何学形状が決定される。欠陥の決定された幾何学形状は、以下でいわゆる修復形状と呼ばれる。
【0028】
第１のラスタ化に対応するｎ個のピクセルが、修復形状の粒子ビーム誘起処理のために修復形状において定義される。方法のステップｅ１）において、粒子ビームは、修復形状のｎ個のピクセルの各々に方向付けられる。特に、電子ビームの強度最大がｎ個のピクセルの各々の各中心に方向付けられる。言い換えると、修復形状のｎ個のピクセルは、粒子ビーム誘起処理のための修復形状の第１のラスタ化、特に２次元ラスタ化を表す。例として、修復形状のｎ個のピクセルは、欠陥の粒子ビーム誘起処理中の粒子ビームの入射エリアに対応する。例として、ピクセル寸法は、ピクセルの中心に方向付けられた電子ビームの強度分布が、電子ビームのガウス強度分布によりピクセルの縁部において所定の強度に降下するように選択される。所定の強度は、強度最大値の半分までの降下、またはそうでない場合、電子ビームの強度最大値の任意の他の割合までの降下に対応することができる。例として、ピクセル寸法および／または電子ビーム半値幅は、ナノメートル以下の範囲にあるかまたは数ナノメートル程度である。
【0029】
第２のラスタ化に対応するｍ個のピクセルが、修復形状の更なる粒子ビーム誘起処理のために、ステップｄ１）において修復形状において定義される。特に、第２のラスタ化は、サブピクセル変位に従って第１のラスタ化から計算される。ステップｄ１）は、ステップｅ１）の前または後に実行することができる。次に、粒子ビームは、第１のラスタ化に従うｎ個のピクセルの場合に類似した方式で、方法のステップｆ１）における第２のラスタ化に従って修復形状のｍ個のピクセルの各々に方向付けられる。原理上、ステップａ１）、ｂ１）等のラベル付は、そのいかなる特定の順序もしているものではなく、ステップは、異なる順序で実行することもできる。これは同様に、第２の態様による方法に当てはまる。
【0030】
例として、第２のラスタ化は、第１のラスタ化と同じ精密度を有する。この場合、第１のラスタ化によるｎ個のピクセルの数は、第２のラスタ化によるｍ個のピクセルの数と異ならないかまたは実質的に異ならない。例として、この場合、数ｍは、数ｎと２０％、１０％、５％、３％および／または１％未満異なる。しかしながら、他の例では、第２のラスタ化は、第１のラスタ化よりも精密にすることもできる。
【0031】
例として、プロセスガスは、前駆体ガスおよび／またはエッチングガスである。例として、プロセスガスは、複数のガス成分の混合物、すなわちプロセスガス混合物とすることができる。例として、プロセスガスは、各々が或る特定の分子タイプのみを有する複数のガス成分の混合物とすることができる。
【0032】
特に、主族元素、金属または遷移元素のアルキル化合物は、堆積または高層構造物（ｅｌｅｖａｔｅｄ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の成長に適した前駆体ガスとみなすことができる。この例は、シクロペンタジニエル（トリメチル）白金（ＣｐＰｔＭｅ3Ｍｅ＝ＣＨ4）、メチルシクロペンタジニエル（トリメチル）白金（ＭｅＣｐＰｔＭｅ3）、テトラメチルスズ（ＳｎＭｅ4）、トリメチルガリウム（ＧａＭｅ3）、フェロセン（Ｃｐ2Ｆｅ）、ビスアリールクロム（Ａｒ2Ｃｒ）、および／または主族元素、金属または遷移元素のカリボニル化合物、例えば、クロムヘキサカルボニル（Ｃｒ（ＣＯ）6）、モリブデンヘキサカルボニル（Ｍｏ（ＣＯ）6）、タングステンヘキサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）、ジコバルトオクタカルボニル（Ｃｏ2（ＣＯ）8）、トリルテニウムドデカカルボニル（Ｒｕ3（ＣＯ）12）、鉄ペンタカルボニル（Ｆｅ（ＣＯ）5）、および／または主族元素、金属または遷移元素のアルコキシド化合物、例えば、テトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、テトライソプロポキシチタン（Ｔｉ（ＯＣ3Ｈ7）4）、および／または主族元素、金属または遷移元素のハロゲン化合物、例えば、六フッ化タングステン（ＷＦ6）、六塩化タングステン（ＷＣｌ6）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4）、三フッ化ホウ素（ＢＣｌ3）、四塩化けい素（ＳｉＣｌ4）、および／または主族元素、金属または遷移元素との錯体、例えば、ビス（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）銅（Ｃｕ（Ｃ5Ｆ6ＨＯ2）2）、ジメチル金トリフルオロアセチルアセトナート（Ｍｅ2Ａｕ（Ｃ5Ｆ3Ｈ4Ｏ2））、および／または有機化合物、例えば一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）、脂肪族および／または芳香族炭化水素等を含む。
【0033】
例として、エッチングガスは、二フッ化キセノン（ＸｅＦ2）、二塩化キセノン（ＸｅＣｌ2）、四塩化キセノン（ＸｅＣｌ4）、蒸気（Ｈ2Ｏ）、重水（Ｄ2Ｏ）、酸素（Ｏ2）、オゾン（Ｏ3）、アンモニア（ＮＨ3）、塩化ニトロシル（ＮＯＣｌ）および／または以下のハロゲン化合物：ＸＮＯ、ＸＯＮＯ2、Ｘ2Ｏ、ＸＯ2、Ｘ2Ｏ2、Ｘ2Ｏ4、Ｘ2Ｏ6のうちの１つを含むことができる。ここで、Ｘはハロゲン化合物である。堆積した試験構造のうちの１つまたは複数をエッチングするための更なるエッチングガスは、米国特許出願第１３／０ １０３ ２８１号に指定されている。
【0034】
プロセスガスは、更なる追加のガス、例えば酸化性ガス、例えば、過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ2）、硝酸（ＨＮＯ3）および他の酸素含有ガス、ならびに／またはハロゲン化合物、例えば、塩素（Ｃｌ2）、塩化水素（ＨＣｌ）、フッ化水素（ＨＦ）、ヨウ素（Ｉ2）、ヨウ化水素（ＨＩ）、臭素（Ｂｒ2）、臭化水素（ＨＢｒ）、三塩化リン（ＰＣｌ3）、五塩化リン（ＰＣｌ5）、三フッ化リン（ＰＦ3）および他のハロゲン含有ガス、ならびに／または還元ガス、例えば、水素（Ｈ2）、アンモニア（ＮＨ3）、メタン（ＣＨ4）および他の水素含有ガスを含むことができる。これらの追加のガスは、例えば、エッチングプロセスのために、バッファガスとして、不動態化媒体として等で用いることができる。
【0035】
例として、活性化粒子ビームは、粒子ビームを生成するための粒子ビーム源と、フォトマスクの修復形状のそれぞれのピクセルに粒子ビームを向けるように構成された粒子ビーム誘導デバイス（例えば、走査ユニット）と、特定の焦点において粒子ビームを成形するように構成された粒子ビーム成形デバイス（例えば、電子またはビーム光学素子）と、プロセスガスまたはプロセスガスの少なくとも１つのガス状成分を格納するように構成された少なくとも１つの格納容器と、プロセスガスまたはプロセスガスの少なくとも１つのガス状成分を所定のガス量流量で修復形状のそれぞれのピクセルに提供するように構成された少なくとも１つのガス提供デバイスとを備えることができる装置を利用して提供される。
【0036】
例えば、活性化粒子ビームは、電子ビーム、イオンビームおよび／またはレーザビームを含む。
【0037】
例として、電子ビームは、変更された走査型電子顕微鏡を利用して提供される。例として、フォトマスクの少なくとも１つの部分の像は、活性化電子ビームを提供する同じ変更された走査型電子顕微鏡を用いて記録される。
【0038】
活性化粒子ビームは、特に、フォトマスクの材料とプロセスガスとの間の局所的化学反応を活性化し、これにより、気相からのフォトマスク上への材料の堆積、または気相へのフォトマスクの材料の転移が局所的に導かれる。
【0039】
活性化粒子ビームは、例えば粒子ビーム誘導デバイスによって、ステップｅ１）における第１のラスタ化による修復形状のｎ個のピクセルの各々において連続して提供される。第１の態様による方法のステップｅ１）において、活性化粒子ビームは、それぞれのピクセルのロケーションにおけるプロセスガスとマスク材料との間の化学反応を開始するために、所定の滞留時間にわたって各ピクセルに留まる。例として、滞留時間は１００ｎｓである。さらに、活性化粒子ビームは、この化学反応を開始するために、例えば粒子ビーム誘導デバイスによって、ステップｆ１）における第２のラスタ化による修復形状のｍ個のピクセルの各々において連続して提供される。第１の態様による方法のステップｆ１）において、活性化粒子ビームは、例えば１００ｎｓの所定の滞留時間にわたって各ピクセルに留まる。
【0040】
しかしながら、滞留時間は他の値を採用することもできる。例として、ステップｅ１）またはｆ１）における第１または第２のラスタ化に従った各ピクセルにおける活性化粒子ビームの滞留時間は、５００ｎｓ以下、４００ｎｓ以下、３００ｎｓ以下、２００ｎｓ以下、１００ｎｓ以下および／または５０ｎｓ以下である。
【0041】
一実施形態によれば、サブピクセル変位は、サブピクセル寸法分の第１のラスタ化の変位、より詳細には横方向の変位である。
【0042】
結果として、修復形状の第２のラスタ化は、例えば第１のラスタ化から容易に決定することができる。
【0043】
特に、サブピクセル寸法はピクセル寸法の或る割合である。例として、サブピクセル寸法は、（例えば、Ｘ方向および／もしくはＹ方向における）ピクセル側辺長の或る割合であり、ならびに／または（例えば、Ｘ方向および／もしくはＹ方向における）２つの隣接ピクセルの中心間の間隔である。
【0044】
例として、横方向の変位は、第１の方向（Ｘ方向）または第１の方向に垂直な第２の方向（Ｙ方向）における変位（特に、横方向の変位）である。
【0045】
特に、第１のラスタ化のグリッド線は、第２のラスタ化のグリッド線を形成するために、サブピクセル寸法によって修復形状に対し変位、特に横方向に変位される。この場合、第１のラスタ化によるピクセルは、ここで、例えば修復形状の外側に位置することができ、結果として、第２のラスタ化に従って考慮されない。さらに、ここで、第１のラスタ化の「自由グリッド空間」は、第２のラスタ化に従ってピクセルで埋めることもできる。
【0046】
更なる実施形態によれば、方法は、
少なくとも１つの更なるラスタ化に従って、修復形状を複数のｌi個のピクセルに細分化するステップであって、ｉ番目の更なるラスタ化はｌi個のピクセルに細分化され、少なくとも１つの更なるラスタ化は、第１のラスタ化、第２のラスタ化、または少なくとも１つの更なるラスタ化のうちの任意の他のサブピクセル変位から生じる、ステップと、
少なくとも１つの更なるラスタ化に従って、修復形状のｌi個のピクセルの各々において活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するステップと、
を含む。
少なくとも１つの更なるラスタ化に従って、修復形状を複数のｌi個のピクセルに細分化するステップであって、ｉ番目の更なるラスタ化はｌi個のピクセルに細分化され、少なくとも１つの更なるラスタ化は、第１のラスタ化、第２のラスタ化、または少なくとも１つの更なるラスタ化のうちの任意の他のサブピクセル変位から生じる、ステップと、
少なくとも１つの更なるラスタ化に従って、修復形状のｌi個のピクセルの各々において活性化粒子ビームおよびプロセスガスを提供するステップと、
を含む。
【0047】
欠陥の縁部領域は、第１および第２のラスタ化と異なる１つまたは複数の更なるラスタ化によって、粒子ビームを用いてさらに良好に処理することができる。特に、縁部の位置の正確性は、欠陥の修復中に増大させることができる。
【0048】
更なる実施形態によれば、ステップｅ１）は、繰返し周期数ｇでステップｆ１）の前に繰り返され、および／またはステップｆ１）は、繰返し周期数ｈで繰り返される。
【0049】
特に、ｇおよびｈは２以上の整数である。この場合、繰返し周期の数ｇは、繰返し周期の数ｈに等しくすることができる（ｇ＝ｈ）か、またはこれらは互いに異なることができる（ｇ≠ｈ）。
【0050】
結果として、第１のラスタ化による修復形状の全てのピクセルｎは、ステップｅ１）において電子ビームを用いて繰り返し露光され（ｇ個の繰返し周期）、例えばその後、第２のラスタ化に従ったフォトマスクの欠陥の処理への遷移が存在する。例として、ステップｅ１）は、複数の１０個または１００個の繰返し周期数（すなわち、ｇ＝１０またはｇ＝１００）を用いて実行される。しかしながら、繰返し周期数ｇは、任意の他の値も採用することができる。
【0051】
さらに、第２のラスタ化による修復形状の全てのピクセルｍも、例えばステップｆ１において電子ビームを用いて繰り返し露光される（ｈ個の繰返し周期）。例として、繰返し周期数ｈも１０または１００である。しかしながら、繰返し周期数ｈは、任意の他の値も採用することができる。
【0052】
更なる実施形態によれば、ステップｅ１）およびｆ１）は、繰返し周期数ｊで繰り返される。
【0053】
特に、ｊは２以上の整数である。例として、繰返し周期数ｊは、１００、１０００、１０，０００、１００，０００または百万程度とすることができる。
【0054】
例として、欠陥は、粒子ビームを用いて、フォトマスクの欠陥の繰り返し処理によって完全に修復することができる。
【0055】
例として、結果的に、第１のラスタ化による修復形状のｎ個のピクセルの各々は、粒子ビームによって（ｇ×ｊ）回露光される。例として、第２のラスタ化による修復形状のｍ個のピクセルの各々は、粒子ビームによって（ｈ×ｊ）回露光される。
【0056】
更なる実施形態によれば、活性化粒子ビームは、各場合において、修復形状のｎ個のピクセル、ｍ個のピクセルおよび／またはｌi個のピクセルにおいて順に連続して提供され、この順序において、プロセスガスの減損は、活性化粒子ビームによって活性化される化学反応によって、修復形状上で均一に実施される。
【0057】
特に、各ピクセルのホームである範囲内で修復形状の行ごとの走査を回避することが可能である。例として、ｒ個ごとのピクセルのみが最初に行に沿って（例えば、Ｘ方向に沿って）ホームとなり、ここで、ｒは１以上の整数である。例として、行に沿って全てのピクセル（ｒ＝１）、２つごとのピクセル（ｒ＝２）、または３つごとのピクセル（ｒ＝３）がホームとなる。例として、ｓ個ごとのピクセルのみが最初に列に沿って（例えば、Ｙ方向に沿って）ホームとなり、ここで、ｓは１以上の整数である。例として、列に沿ったオフセットは、行に沿ったオフセットよりも大きい（すなわち、ｓはｒよりも大きい）。例として、列に沿って５つごとのピクセル（ｓ＝５）、１０個ごとのピクセル（ｓ＝１０）がホームとなる。更なる反復において、次に、第１のラスタ化に従って修復形状の全てのピクセルｎが、または第２のラスタ化に従って修復形状の全てのピクセルｍが、または更なるラスタ化に従って修復形状の全てのピクセルｌiが一度露光されるまで、修復形状の更なるピクセルが粒子ビームによって同様の方式で露光される。
【0058】
実施形態において、活性化粒子ビームがそれぞれ修復形状のｎ個のピクセル、ｍ個のピクセルおよび／またはｌi個のピクセルにおいて連続して提供される順序は、ランダム分布を有することもできる。
【0059】
第２の態様によれば、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための方法が提案される。本方法は、
ａ２）フォトマスクの少なくとも一部分の像を提供するステップと、
ｂ２）像内の欠陥の幾何学形状を、修復形状として決定するステップと、
ｃ２）少なくとも修復形状の伸張部に沿ってプロセスガスを提供し、プロセスガスと伸張部上のフォトマスクの材料との間の化学反応を同時に活性化しながら、伸張部に沿って活性化粒子ビームを誘導するステップと、
を含む。
ａ２）フォトマスクの少なくとも一部分の像を提供するステップと、
ｂ２）像内の欠陥の幾何学形状を、修復形状として決定するステップと、
ｃ２）少なくとも修復形状の伸張部に沿ってプロセスガスを提供し、プロセスガスと伸張部上のフォトマスクの材料との間の化学反応を同時に活性化しながら、伸張部に沿って活性化粒子ビームを誘導するステップと、
を含む。
【0060】
プロセスガスとマスク材料との間の化学反応が同時に活性化された状態で粒子ビームが修復形状の伸張部に沿って誘導される結果として、修復形状の個々のピクセルの別個の走査、すなわち、ラスタ化に従った走査が回避される。むしろ、粒子ビームは、修復形状の伸張部に沿ったベクトル表現において誘導される。このため、特に縁部領域における欠陥は、より良好にかつより正確に修復することができる。特に、欠陥を処理することができる分解能は、ラスタ化の分解能（精密性）に依拠するのではなく、粒子ビーム誘起処理のための装置が粒子ビームを制御することができる分解能（すなわち、制御の正確性）にのみ依拠する。
【0061】
第２の態様による方法のステップａ２）およびｂ２）は、特に、第１の態様による方法のステップａ１）およびｂ１）に対応する。さらに、第２の態様による方法のステップｃ２）におけるプロセスガスの提供は、例えば、第１の態様による方法のステップｅ１）およびｆ１）におけるプロセスガスの提供に類似した方式でも実施される。
【0062】
さらに、粒子ビーム誘起処理のための装置に関する第２の態様による方法のステップｃ２）における粒子ビームの提供は、例えば、粒子ビームの生成およびプロセスガスに対するその基本的な影響に関して、第１の態様による方法のステップｅ１）およびｆ１）における粒子ビームの提供に類似した方式でも実施される。
【0063】
更なる実施形態によれば、活性化粒子ビームは、伸張部全体に沿って、ゼロよりも高い速度で誘導され、および／または、活性化粒子ビームは、停止することなく伸張部全体に沿って誘導される。
【0064】
第２の態様による方法において、滞留時間にわたる個々のピクセルの停止（滞留）が省かれる結果として、所望の粒子ビーム線量（例えば、電子ビーム線量）を、活性化粒子ビームが欠陥の表面上を誘導される速度の選択によって設定することができる。さらに、提供されるプロセスガスの、例えばエッチングガスの組成における時間的変化も、掃引速度の選択による影響を受ける可能性がある。特に、これにより、不利なガス組成も防止することができ、このため、例えば、不利なガス組成により処理速度（例えば、エッチング速度）が大幅に低減することも防止することができる。結果として、欠陥は、例えばその外部輪郭全体に、より良好に除去することができる。
【0065】
例として、粒子ビームは、伸張部の開始点から伸張部の終了点まで、ゼロを超える速度で、および／または停止することなく誘導される。
【0066】
更なる実施形態によれば、伸張部の長さは、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、および／または５００ｎｍ以上である。
【0067】
更なる実施形態によれば、伸張部は、修復形状の一方の縁部から、修復形状の反対側の縁部まで線形に延びる。
【0068】
例として、粒子ビームは、「蛇行パターン」において修復形状の上を誘導される。この場合、粒子ビームは、例えば、修復形状の第１の縁部における第１の開始点から、第１の縁部の反対側の修復形状の第２の縁部における第１の終了点まで、第１の伸張部に沿って線形に誘導される。例として、第１の伸張部は、第１の開始点および第１の終了点を最短経路で接続する。その後、粒子ビームは、例えば、第２の縁部における第１の伸張部に対し垂直な方向において、第２の縁部における新たな第２の開始点にオフセットされる。次に、粒子ビームは、例えば、修復形状の第２の縁部における第２の開始点から、第１の縁部における第２の終了点まで、第２の伸張部に沿って誘導される。第２の伸張部は、第２の開始点および第２の終了点を、例えば最短経路で接続し、第１の伸張部に対し平行に配列される。対応する方式で、修復形状全体を、複数の個々の伸張部における粒子ビームによって掃引することができる。
【0069】
例として、個々の伸張部の各々に当てはまることは、活性化粒子ビームが、個々の伸張部全体に沿って、ゼロよりも高い速度で誘導され、および／または、活性化粒子ビームが、停止（滞留）することなく個々の伸張部全体に沿って誘導されることである。
【0070】
第１の終了点と第２の開始点との間の距離は、有利な粒子ビーム線量が存在しおよび／またはプロセスガスのガス組成に不利な変化がないように（例えば、増大させて）選択することができる。大きな間隔に起因して、第１および第２の伸張部に対し垂直な処理ギャップが生じる場合、粒子ビームは、更なる反復においてこれらの処理ギャップに戻ることができる。しかしながら、これは特に、欠陥の縁部領域において、より詳細には、第１および第２の縁部に対し垂直にまたは概ね垂直に配列された欠陥の縁部領域において、不利な粒子ビーム線量につながる場合がある。
【0071】
更なる実施形態によれば、伸張部は、修復形状の外縁部に沿って、および／または修復形状の外縁部に対し平行な平行曲線に沿って延びる。
【0072】
結果として、特に欠陥の縁部領域において不利な粒子ビーム線量を回避することが可能である。
【0073】
例として、粒子ビームは、（疑似）「螺旋パターン」において修復形状の上を誘導される。この場合、粒子ビームは、例えば、修復形状の外縁部における第１の開始点から、修復形状の外縁部に沿って延びる第１の伸張部に沿って、外縁部における第１の終了点まで誘導される。この場合、第１の終了点は、第１の開始点と一致するか、または第１の開始に隣接して配列される。その後、粒子ビームは、例えば、外縁部から径方向に内方に（例えば、修復形状の中心の方向において）第２の開始点までオフセットされる。次に、粒子ビームは、第２の開始点から、第１の伸張部に対し平行な平行曲線に沿った第２の伸張部に沿って延び、平行曲線上の第２の終了点まで誘導される。対応する方式で、修復形状全体を、外縁部に対し平行な曲線に沿って延びる複数の個々の伸張部における粒子ビームによって掃引することができる。
【0074】
例として、個々の伸張部の各々に当てはまることは、活性化粒子ビームが、個々の伸張部全体に沿って、ゼロよりも高い速度で誘導され、および／または、活性化粒子ビームが、停止（滞留）することなく個々の伸張部全体に沿って誘導されることである。
【0075】
更なる実施形態によれば、修復形状は、少なくとも第１および第２の部分修復形状に細分化される。
さらに、伸張部は、第１の部分修復形状の縁部から、第１の部分修復形状の反対側の縁部に線形に延び、および／または、
伸張部は、第２の部分修復形状の外縁部に沿って、および／または第２の部分修復形状の外縁部に対し平行な平行曲線に沿って延びる。
さらに、伸張部は、第１の部分修復形状の縁部から、第１の部分修復形状の反対側の縁部に線形に延び、および／または、
伸張部は、第２の部分修復形状の外縁部に沿って、および／または第２の部分修復形状の外縁部に対し平行な平行曲線に沿って延びる。
【0076】
例として、第１の部分修復形状は、修復形状の内側領域であり、第２の部分修復形状は内側の第１の部分修復形状を取り囲む。
【0077】
実施形態において、修復形状は、２つ以上の異なる区画において部分修復形状に細分化される。これにより、部分修復形状間の境界における欠陥の不均一な処理を回避することができる。
【0078】
更なる実施形態によれば、活性化粒子ビームは、０．０１ｍ／ｓ以上、０．０２ｍ／ｓ以上、０．０３ｍ／ｓ以上、０．０５ｍ／ｓ以上、０．１ｍ／ｓ以上、１ｍ／ｓ以上、５ｍ／ｓ以上、１０ｍ／ｓ以上、５０ｍ／ｓ以上、および／または１００ｍ／ｓ以上の速度で伸張部に沿って誘導される。
【0079】
このため、活性化粒子ビームは、可能な限り一様な粒子ビーム線量が修復形状全体にわたって存在し、特に、修復の縁部領域においても存在するように伸張部に沿って十分高速に誘導することができる。
【0080】
更なる実施形態によれば、活性化粒子ビームは、５００ｎｓ以下、４００ｎｓ以下、３００ｎｓ以下、２００ｎｓ以下、１００ｎｓ以下および／または５０ｎｓ以下で修復形状全体にわたって誘導される。
【0081】
他の実施形態では、活性化粒子ビームは、修復形状全体にわたってより低速に誘導することもできる。
【0082】
更なる実施形態によれば、活性化粒子ビームのビーム電流は、０．０００１μＡ以上、０．００１μＡ以上、０．０１μＡ以上、０．１μＡ以上、および／または１μＡ以上である。
【0083】
修復形状が（第１の態様による方法におけるように粒子ビームによって離散的にかつピクセルごとに走査されるのではなく）ベクトル的に掃引される第２の態様による方法における、より高いビーム電流の結果として、高い掃引速度の場合であっても、必要な粒子ビーム線量（例えば、電子ビーム線量）を適用することが可能である。
【0084】
しかしながら、他の実施形態では、活性化粒子ビームのビーム電流は、より小さな値を有することもできる。例として、活性化粒子ビームのビーム電流は、１ｐＡ以上および／または１０ｐＡ以上とすることもできる。
【0085】
更なる態様によれば、コンピュータプログラム製品が提案される。このコンピュータプログラム製品は、マイクロリソグラフィマスクの欠陥の粒子ビーム誘起処理のための装置を制御するためのコンピューティング装置によって実行されると、装置に、第１の態様による上記の方法および／または第２の態様による上記の方法を実行するように装置に促す命令を含む。
【0086】
「１つの」は、本場合において、必ずしも厳密に１つの要素に限定されるものとして理解されるべきでない。むしろ、例えば、２つ、３つまたはそれ以上等の複数の要素を提供することもできる。ここで用いられる任意の他の数も、要素の述べた数への厳密な制約という旨で理解されるべきでない。むしろ、特段の記載がない限り、上方および下方への数値のずれが可能である。
【0087】
本発明の更なる可能な実施態様は、例示的な実施形態に関して上記または下記で示された任意の特徴または実施形態の明示的に言及されていない組み合わせも含む。この場合、当業者は、本発明のそれぞれの基本形態に対する改善または捕捉として、個々の態様も加える。
【0088】
本発明の更なる有利な実施形態および態様は、従属請求項の主題であり、以下に説明する本発明の例示的な実施形態の主題でもある。本発明は、添付の図面を参照して、好ましい実施形態によって以下で詳細に説明される。
【図面の簡単な説明】
【0089】
【図1】１つの実施形態による構造化されたコーティングにおける欠陥を有するマイクロリソグラフィフォトマスクの詳細を概略的に示す図である。
【図9】欠陥の幾何学形状（修復形状）がピクセルに細分化されていないが、粒子ビームが複数の伸張部に沿って修復形状の一方の縁部から他方の縁部まで修復形状の上を連続してかつベクトル的に進行する、図１からのフォトマスクの欠陥の更なる例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0090】
別段の指示がない限り、同じであるかまたは機能的に同じである要素は、図面において同じ参照符号を与えられる。図面における図は必ずしも縮尺通りとは限らないことにも留意されたい。
【0091】
図１は、マイクロリソグラフィフォトマスク１００の詳細を概略的に示す。示す例において、フォトマスク１００は、透過フォトリソグラフィマスク１００である。フォトマスク１００は基板１０２を含む。基板１０２は、特に、フォトマスク１００が露光される波長において光学的に透過性である。例として、基板１０２の材料は石英ガラスを含む。
【0092】
構造化されたコーティング１０４（パターン要素１０４）が基板１０２に施されている。特に、コーティング１０４は、吸収材料から作製されたコーティングである。例として、コーティング１０４の材料はクロム層を含む。例として、コーティング１０４の厚みは、５０ｎｍ～１００ｎｍの範囲をとる。フォトマスク１００の基板１０２上のコーティング１０４によって形成される構造の構造寸法Ｂは、フォトマスク１００の様々な位置において異なることができる。例として、図１において、領域の幅Ｂが構造寸法としてプロットされている。例として、構造寸法Ｂは、２０～２００ｎｍの領域内にある。構造寸法Ｂは、２００ｎｍ超、例えば数マイクロメートル程度とすることもできる。
【0093】
他の例では、上述した以外の材料および層厚（例えば、より薄い層厚、例えば薄型ＥＵＶマスク吸収体）を基板およびコーティングに用いることもできる。さらに、フォトマスク１００は、透過フォトマスクではなく、反射フォトマスクとすることもできる。
【0094】
時折、例えばエッチングプロセスが意図された通りに厳密に実行されないことに起因して、欠陥Ｄがフォトマスクの製造中に生じる可能性がある。図１において、そのような欠陥Ｄは斜線で表されている。これは、２つの隣り合ったコーティング領域１０４が、フォトマスク１００のためのテンプレートにおいて別個であると考えられているにもかかわらず、この領域からコーティング１０４が除去されなかったことに起因する余分な材料である。欠陥Ｄがウェブを形成するとも言える。この場合、欠陥Ｄの寸法は構造寸法Ｂに対応する。構造寸法Ｂよりも小さい、例えば５～２０ｎｍ程度の他の欠陥も知られている。フォトマスクを用いてリソグラフィ装置において製造された構造が、ウェハ上で所望の形状を有し、このため、この方式で製造された半導体コンポーネントが所望の機能を満たすことを確実にするために、図１に示す欠陥Ｄまたはそうでない場合他の欠陥等の欠陥を修復する必要がある。この例において、例えば、粒子ビーム誘起エッチングによって、標的を絞った方式でウェブを除去することが必要である。
【0095】
図２は、マイクロリソグラフィフォトマスクの欠陥、例えば図１からのフォトマスク１００の欠陥Ｄの粒子ビーム誘起処理のための装置２００を示す。図２は、フォトマスク１００の欠陥Ｄの粒子ビーム誘起修復、この例ではエッチングのために用いることができる装置２００のいくつかのコンポーネントを通じた断面図を概略的に示す。さらに、装置２００は、修復プロセスの実施前、実施中および実施後の、フォトマスクの結像、特にマスク１００および欠陥Ｄの構造化されたコーティング１０４のために用いることもできる。
【0096】
図２に示す装置２００は、変更された走査型電子顕微鏡２００を表す。この場合、電子ビーム２０２の形態の粒子ビーム２０２を用いて欠陥Ｄを修復する。電子ビーム２０２を活性化粒子ビームとして用いることは、電子ビーム２０２が実質的にフォトマスク１００、特にその基板１０２に損傷を与えることができないか、またはわずかにしか損傷を与えることができないという利点を有する。
【0097】
実施形態において、フォトマスク１００のための局所的粒子ビーム誘起修復プロセスを活性化させるためのレーザビームを、電子ビーム２０２の代わりに、または電子ビーム２０２に加えて用いることができる（図２には示されていない）。さらに、電子ビームおよび／またはレーザビームの代わりに、局所的化学反応を活性化するために、イオンビーム、原子ビームおよび／または分子ビームを用いることが可能である（図２には示されていない）。
【0098】
装置２００は、真空ポンプ２０６によって或る特定のガス圧力に保たれた真空ハウジング２０４において大部分が配置されている。
【0099】
例として、装置２００は、マイクロリソグラフィフォトマスク、例えばＤＵＶまたはＥＵＶリソグラフィ装置のためのフォトマスクのための修復ツールである。
【0100】
処理されるフォトマスク１００は、試料ステージ２０８上に配置される。例として、試料ステージ２０８は、フォトマスク１００の位置を、３つの空間方向、および例えばこれに加えて、数ナノメートルの精度で３つの回転軸において設定するように構成される。
【0101】
装置２００は、電子カラム２１０を含む。電子カラム２１０は、活性化電子ビーム２０２を提供するための電子源２１２を含む。さらに、電子カラム２１０は、電子またはビーム光学素子２１４を含む。電子源２１２は、電子ビーム２０２を生成し、電子またはビーム光学素子２１４は、電子ビーム２０２の焦点を合わせ、電子ビーム２０２をカラム２１０の出力においてフォトマスク１００に向ける。電子カラム２１０は、フォトマスク１００の表面上で電子ビーム２０２を誘導（走査）するように構成された偏向ユニット２１６（走査ユニット２１６）をさらに含む。カラム２１０内に配置された偏向ユニット２１６（走査ユニット２１６）の代わりに、カラム２１０の外側に配置された偏向ユニット（走査ユニット）（図示せず）を利用することもできる。
【0102】
装置２００は、入射電子ビーム２０２によってフォトマスク１００において生成された二次電子および／または後方散乱電子を検出するための検出器２１８をさらに備える。例として、示すように、検出器２１８は、電子カラム２１０内でリング型の形式で電子ビーム２０２の周りに配置される。検出器２１８の代わりとして、または検出器２１８に加えて、装置２００は、二次電子および／または後方散乱電子（図２に示されていない）を検出するための他の／更なる検出器も含むことができる。
【0103】
さらに、装置２００は、フォトマスク１００の欠陥Ｄを分析するのに用いることができる１つまたは複数の走査型プローブ顕微鏡、例えば原子間力顕微鏡を含むことができる（図２に示されていない）。
【0104】
装置２００は、フォトマスク１００の表面にプロセスガスを供給するためのガス提供ユニット２２０をさらに備える。例として、ガス提供ユニット２２０は、弁２２２およびガスライン２２４を含む。電子カラム２１０によってフォトマスク１００の表面上のロケーションに向けられた電子ビーム２０２は、弁２２２およびガスライン２２４を介して外側からガス提供ユニット２２０によって供給されたプロセスガスと併せて電子ビーム誘起処理（ＥＢＩＰ）を実行することができる。特に、この処理は、材料の堆積および／またはエッチングを含む。
【0105】
装置２００は、コンピューティング装置２２６、例えば、制御デバイス２２８および決定デバイス２３０を有するコンピュータをさらに備える。図２の例において、コンピューティング装置２２６は真空ハウジング２０４の外側に配置される。
【0106】
コンピューティング装置２２６、特に制御デバイス２２８は、装置２００を制御する役割を果たす。特に、コンピューティング装置２２６、特に制御デバイス２２８は、電子カラム２１０を駆動することによって電子ビーム２０２の提供を制御する。特に、コンピューティング装置２２６、特に制御デバイス２２８は、走査ユニット２１６を駆動することによってフォトマスク１００の表面上の電子ビーム２０２の誘導を制御する。さらに、コンピューティング装置２２６は、ガス提供ユニット２２０を駆動することによって、プロセスガスの提供を制御する。
【0107】
さらに、コンピューティング装置２２６は、装置２００の検出器２１８および／または他の検出器からの測定データを受信し、測定データから像を生成する。この像はモニタ（図示せず）上に表示することができる。さらに、測定データから生成された像は、コンピューティング装置２２６のメモリユニット（図示せず）に記憶することができる。
【0108】
フォトマスク１００をチェックするために、特に、フォトマスク１００の構造化コーティング１０４をチェックするために、装置２００は、特に、装置２００の検出器２１８および／または他の検出器からの測定データから、フォトマスク１００（図１）の像３００またはフォトマスク１００の詳細の像３００を捕捉するように構成される。例として、像３００の空間分解能は、数ナノメートル程度である。
【0109】
コンピューティング装置２２６、特に決定デバイス２３０は、記録された像３００における欠陥Ｄ（図１）を認識し、この欠陥を位置特定して、欠陥Ｄの幾何学形状３０２（修復形状３０２）を決定するように構成される。欠陥Ｄの決定された幾何学形状３０２、すなわち修復形状３０２は、例えば２次元幾何学形状である。
【0110】
図３～図７は、図１からのフォトマスク１００の構造化コーティング１０４の欠陥Ｄ’の更なる例の粒子ビーム誘起処理のための第１の態様による方法を説明する。例として、方法は、図２に示す装置を用いて実行される。
【0111】
【0112】
【0113】
修復形状３０２’（図３）は、第１の態様による方法のステップＳ３における第１のラスタ化３０６に従って複数のｎ個のピクセル３０４に細分化される。特に、コンピューティング装置２２６（図２）、より詳細には決定デバイス２３０は、第１のラスタ化３０６に従って修復形状３０２’（図３）をｎ個のピクセル３０４に分割するように構成される。
【0114】
図３において、修復形状３０２’の３つのピクセル３０４には、例示的な方式で参照符号が提供された。特に、ピクセル３０４は、列（Ｘ方向）および行（Ｘ方向に対し垂直なＹ方向）に配置される。各ピクセル３０４は中心Ｍを有し、ピクセルのうちの３つが図３において例示的な方式で参照符号を提供されている。図３は、修復形状３０２’の非常に小さな詳細を示す。例として、修復形状３０２’全体が、百万ピクセル３０４（ｎ＝１，０００，０００）を含む。例として、ピクセル３０４の側辺長は、数ナノメートル、例えば１．５ｎｍである。例として、ピクセル３０４は１．５ｎｍ×１．５ｎｍの面積を有する。修復方法の過程中、電子ビーム２０２（図２）は、走査ユニット２１６によって各ピクセル３０４の中心Ｍに複数回方向付けられる。特に、電子ビーム２０２の例えばガウス強度プロファイルの強度最大値は、方法の過程中、各ピクセル３０４の中心Ｍに複数回方向付けられる。
【0115】
図４は、図３に示す修復形状３０２’のピクセル３０４のうちの５つの拡大図を示す。各ピクセル３０４は、側辺長ａを有する正方形形状を有する。結果として、２つの隣接するピクセル中心Ｍ間の距離もａに等しくなる。直径ｃを有し、参照符号３０８によって表される円は、フォトマスク１００の表面上の電子ビーム２０２（図２）の入射エリアを表す。この場合、直径ｃは側辺長ａに対応する。電子ビーム２０２は、例えば径方向に対称のガウス強度プロファイルを有する。特に、電子ビーム２０２は、その強度分布の最大値が技術的に可能である範囲内で中心Ｍに入射するように入射エリア３０８またはピクセル３０４の中心Ｍに方向付けられる。例として、入射エリア３０８は、電子ビーム２０２の強度プロファイルの半値幅に対応することができる。しかしながら、入射エリア３０８は、電子ビーム２０２の強度分布の最大値から降下した任意の他の強度にも対応することができる。
【0116】
第１の態様による方法のステップＳ４において、修復形状３０２’（図３）が電子ビーム２０２によって、プロセスガスの提供により走査され、それによって、その幾何学形状が修復形状３０２’である欠陥Ｄ’がコンピューティング装置２２６（図２）、より詳細には制御デバイス２２８の制御下で処理および修正される。この場合、活性化電子ビーム２０２は、修復形状３０２’のｎ個のピクセル３０４の各々に連続して方向付けられる。電子ビーム２０２は、所定の滞留時間にわたって修復形状３０２’のｎ個のピクセル３０４の各々において滞留する。この場合、プロセスガスの化学反応は、電子ビーム２０２によって修復形状３０２’のｎ個のピクセル３０４の各々において活性化される。例として、プロセスガスは、エッチングガスを含む。例として、化学反応により、エッチングされる欠陥Ｄ’の材料との揮発性反応生成物が生じることになり、これは、室温において少なくとも部分的にガス状であり、ポンプシステム（図示せず）を用いてポンピングにより除去することができる。
【0117】
電子ビーム２０２が修復形状３０２のｎ個のピクセル３０４の各々に一旦方向付けられると（ステップｅ１）、この手順は、繰返し周期数ｇにわたって繰り返される。
【0118】
修復形状３０２’は、第１の態様による方法のステップＳ５における第２のラスタ化３０６’（図５）に従って複数のｍ個のピクセル３０４’に細分化される。特に、コンピューティング装置２２６、特に決定デバイス２３０は、第１のラスタ化から第２のラスタ化を計算するように構成される。
【0119】
ステップＳ５は、ステップＳ４の前または後に実行することができる。
【0120】
図５は、図３と同じ修復形状３０２’の詳細を示す。しかしながら、図３と対照的に、修復形状３０２’は、図５における第２のラスタ化３０６’に従って、ｍ個のピクセル３０４’に細分化される。特に、第２のラスタ化３０６’は、サブピクセル変位に従って第１のラスタ化３０６（図３）から計算される。特に、第２のグリッド３０６’（図５）を形成するために、第１のグリッド３０６（図３）が、図３および図４において、示される例におけるピクセル長ａを有することに対応する長さｂだけ右に変位された。示す例において、第２のラスタ化３０６’は、第１のラスタ化３０６と同じ精密度を有する。特に、第２のラスタ化３０６’によるピクセル３０４’（図５）は、第１のラスタ化３０６（図３）によるピクセル３０４と同じ寸法（ピクセル側辺長ａ）を有する。
【0121】
次に、粒子ビーム２０２は、第１のラスタ化３０６に従うｎ個のピクセル３０４の場合に類似した方式で、第１の態様による方法のステップＳ６における第２のラスタ化３０６’に従って修復形状３０２’のｍ個のピクセル３０４’の各々に方向付けられる。
【0122】
第１の態様による方法のステップＳ７において、ステップＳ５は、第１のラスタ化３０６および第２のラスタ化３０６’と異なる１つまたは複数の更なるラスタ化３０６”について実行される。例として、図６は第３のラスタ化３０６”を示し、第３のラスタ化３０６”は、図５および図６におけるピクセル長の半分だけ上方に変位させることによって第２のラスタ３０６’から生じる。すなわち、修復形状３０２’は、第３のラスタ化３０６”に従って複数のｌ個のピクセル３０４”に細分化された。示す例において、ピクセル３０４”は、ピクセル３０４（図３）およびピクセル３０４’（図５）と同じ寸法、すなわち側辺長ａを有する。他の例では、第２のラスタ化３０６’および／または第３のラスタ化３０６”は、第１のラスタ化３０６よりも精密にすることもできる。この場合、ピクセル３０４’および／または３０４”は、ピクセル３０４よりも小さな側辺長を有する。
【0123】
第１の態様による方法のステップＳ８において、ステップＳ６は、１つまたは複数の更なるラスタ化３０６”について実行される。例として、活性化粒子ビーム２０２およびプロセスガスは、第３のラスタ化３０６”（図６）に従って、修復形状３０２’のｌ個のピクセル３０４”の各々において提供される。
【0124】
図７において、ピクセル３０４、３０４’および３０４”の中心Ｍ、Ｍ’およびＭ”は、重ね合わせた形式で示されている。ステップＳ４、Ｓ６およびＳ８の経過中、電子ビーム２０２は、各中心（入射点）Ｍ、Ｍ’、Ｍ”に繰り返し方向付けられる。図７において明らかであるように、欠陥Ｄ’の縁部領域３１０は、第１のラスタ化（中心Ｍ）のみが適用される場合に可能であるよりも良好に、第２および第３のラスタ化（中心Ｍ’およびＭ”）によって走査することができる。
【0125】
実施形態において、ステップＳ４、Ｓ６およびＳ８は、ｎ個のピクセル３０４、ｍ個のピクセル３０４’およびｌ個のピクセル３０４”の各々についての繰返し周期数全体が、例えば（ｊ×ｇ）またｈ（ｊ×ｈ）となるように、繰返し周期数ｊにわたって繰り返される。
【0126】
欠陥Ｄ’の領域においてコーティング１０４（図１）を（完全に）除去するために、例えば、１００、１０００、１０，０００、１００，０００または百万個の繰返し周期の総数ｊ（またはｊ×ｇもしくはｊ×ｈ）が各ピクセル３０４、３０４’、３０４”において必要とされる。
【0127】
図９～図１２は、図１からのフォトマスク１００の構造化コーティング１０４の欠陥Ｄ”の更なる例の粒子ビーム誘起処理のための第２の態様による方法を説明する。例として、方法は、図２に示す装置を用いて実行される。図９は、第２の態様による方法の第１の実施形態を示す。
【0128】
【0129】
図１および図２と併せて上記で説明したように、欠陥Ｅの幾何学形状は、第２の態様による方法のステップＳ２’において修復形状４０２として像３００において決定される。第２の態様による方法のステップＳ２’において、幾何学形状は、特に、ベクトル表現に基づくベクトル形式として決定される。図９は、欠陥Ｅ’の更なる例を示す。
【0130】
プロセスガスは、少なくとも、第２の態様による方法のステップＳ３’における修復形状４０２の伸張部４０４（図９）に沿って提供される。さらに、活性化粒子ビーム２０２（図２）は、プロセスガスと、伸張部４０４上のフォトマスク１００（図１）の材料との間の化学反応を同時に活性化しながら、伸張部４０４に沿って誘導される。
【0131】
第２の態様による方法の第１の実施形態（図９）による伸張部４０４は、修復形状４０２の縁部４０６から修復形状４０２の反対側の縁部４０８まで線形に延びる。特に、粒子ビーム２０２は、第１の縁部４０６における第１の開始点４１０から、第２の縁部４０８における第１の終了点４１２まで、停止することなく第１の伸張部４０４に沿って線形に誘導される。特に、第１の伸張部４０４は、第１の開始点４１０と第１の終了点４１２との間の最短経路である。第１の伸張部４０４の長さには、参照符号ｌが設けられる。プロセスガスとマスク材料との間の化学反応は、伸張部４０４に沿った粒子ビーム２０２の連続した非停止誘導中に欠陥Ｄ’を修復する目的で伸張部４０４全体において開始される。
【0132】
その後、粒子ビーム２０２は、第２の縁部４０８において、第１の伸張部４０４に対し垂直な方向Ｒにおいて第２の縁部４０８における新たな第２の開始点４１４にオフセットされる。次に、粒子ビーム２０２は、第１の縁部４０６における第２の開始点４１４から第１の縁部４０６の第２の終了点４１８まで、第２の伸張部４１６に沿って誘導される。例として、第２の伸張部４１６は、第１の伸張部４０４に対し平行に延びる。
【0133】
対応する方式で、修復形状全体を複数の個々の伸張部４０４、４１６、４２０、４２２（図９においてそのうちの４つのみが示され、参照符号を与えられている）にわたって粒子ビーム２０２によって掃引することができる。活性化粒子ビーム２０２は、特に、個々の伸張部４０４、４１６、４２０、４２２全体に沿って個々の伸張部４０４、４１６、４２０、４２２ごとに、ゼロを超える速度で停止（滞留）することなく誘導される。
【0134】
図１０は、第２の態様による方法の第２の実施形態を示す。
【0135】
第２の実施形態による第１の伸張部４２４は、修復形状４０２’の外縁部４２６に沿って、および／または外縁部４２６に隣接して延びる。特に、第１の伸張部４２４は、外縁部４２６に隣接した第１の開始点４２８から、外縁部４２６全体に沿って外縁部４２６に隣接した第１の終了点４３０まで延びる。特に、第１の終了点は、第１の開始点４２８に隣接して配置される。結果として、粒子ビーム２０２は、第１の開始点４２８から第１の終了点４３０まで停止することなく第１の伸張部４２４に沿って停止することなく誘導される。プロセスガスとマスク材料との間の化学反応は、第１の伸張部４２４に沿った粒子ビーム２０２の誘導中に第１の伸張部４２４全体において開始される。
【0136】
その後、粒子ビーム２０２は、修復形状４０２’における外縁部４２６から第２の開始点４３２に径方向に内方にオフセットされる。次に、粒子ビーム２０２は、第１の伸張部４２４に対し平行な平行曲線に沿って延びる第２の伸張部４３４に沿って、第２の開始点から４３２平行曲線上の第２の終了点４３６まで誘導される。
【0137】
対応する方式で、修復形状４０２’全体を、外縁部４２６に対し平行な平行曲線に沿って延びる複数の個々の伸張部４２４、４３４、４３８（図１０においてそのうちの３つのみが示され、参照符号を与えられている）にわたって粒子ビーム２０２によって掃引することができる。特に、個々の伸張部４２４、４３４、４３８の各々に適用されるのは、活性化粒子ビーム２０２が、ゼロを超える速度で停止（滞留）することなく個々の伸張部４２４、４３４、４３８全体に沿って誘導されることである。
【0138】
このビーム誘導パターンの結果として、特に、欠陥Ｅ”の縁部領域または外縁部４２６においても、電子ビーム２０２の適切な粒子ビーム線量を得ることが可能である。
【0139】
図１１は、第２の態様による方法の第３の実施形態を示す。
【0140】
第３の実施形態によれば、修復形状４０２’は、少なくとも第１の部分修復形状４４０および第２の部分修復形状４４２に細分化される。示す例において、第１の部分修復形状４４０は、修復形状４０２’の内側領域である。さらに、第２の部分修復形状４４２は、内側第１の部分修復形状４４０を完全に取り囲む。
【0141】
第１の部分修復形状４４０内で、それぞれの個々の伸張部４４４は、縁部４４６から、第１の部分修復形状４４０の反対側の縁部４４８まで線形に延びる（図９に示す場合に類似している）。さらに、第２の部分修復形状４４２内の第１の個々の伸張部４５０は、第２の部分修復形状４４２の外縁部４５２に隣接して延びる。さらに、更なる個々の伸張部４５４、４５６は、第２の部分修復形状４４２の外縁部４５２に対し平行な平行曲線に沿って第２の部分修復形状４４２内で延びる。
【0142】
実施形態において、第２の態様による方法における電子ビーム２０２（図２）が対応する伸張部（図９における４０４、４１６、４２０、４２２；図１０における４２４、４３４、４３８；図１１における４４４、４５０、４５４、４５６）に沿って誘導される速度は、修復形状４０２、４０２’全体の露光時間が、第１の態様による方法における単一のピクセル３０４（図３）における滞留時間程度となるような長さとすることができる。例として、電子ビーム２０２（図２）が対応する伸張部（図９～図１１）に沿って誘導される速度は、１～１００ｍ／ｓ以上である。例として、修復形状４０２、４０２’全体が、５０～２００ｎｓ以下に一度を超えて完全に掃引される。例として、この目的で用いられる粒子ビーム２０２は、０．０００１～０．０１μＡ以上のビーム電流で提供される。しかしながら、粒子ビーム２０２のビーム電流は、他の例において、他の値（例えば、数ｐＡのより小さな値）を採用することができる。修復形状４０２、４０２’全体のほぼ同時の露光の結果として、修復形状４０２、４０２’全体にわたる特に一様な粒子ビーム線量を得ることが可能となり、このため、フォトマスク１００（図１）の欠陥Ｅ’、Ｅ”（図９～図１１）の更により良好でより正確な修復を得ることが可能となる。
【0143】
本発明は、例示的な実施形態を参照して説明されたが、様々な方式で変更可能である。
【符号の説明】
【0144】
１００ フォトマスク
１０２ 基板
１０４ コーティング
２００ 装置
２０２ 粒子ビーム
２０４ 真空ハウジング
２０６ 真空ポンプ
２０８ 試料ステージ
２１０ 電子カラム
２１２ 電子源
２１４ 電子またはビーム光学素子
２１６ 走査ユニット
２１８ 検出器
２２０ ガス提供ユニット
２２２ 弁
２２４ ガスライン
２２６ コンピューティング装置
２２８ 制御デバイス
２３０ 決定デバイス
３００ 像
３０２、３０２’ 修復形状
３０４、３０４’、３０４” ピクセル
３０６、３０６’、３０６” ラスタ化
３０８ 入射エリア
３１０ 縁部領域
４０２ 修復形状
４０４ 伸張部
４０６ 縁部
４０８ 縁部
４１０ 開始点
４１２ 終了点
４１４ 開始点
４１６ 伸張部
４１８ 終了点
４２０ 伸張部
４２２ 伸張部
４２４ 伸張部
４２６ 縁部
４２８ 開始点
４３０ 終了点
４３２ 開始点
４３４ 伸張部
４３６ 終了点
４３８ 伸張部
４４０ 部分修復形状
４４２ 部分修復形状
４４４ 伸張部
４４６ 縁部
４４８ 縁部
４５０ 伸張部
４５２ 縁部
４５４ 伸張部
４５６ 伸張部
ａ 長さ
ｂ 長さ
Ｂ 構造寸法
ｃ 直径
Ｄ、Ｄ’ 欠陥
Ｅ、Ｅ’、Ｅ” 欠陥
ｌ 長さ
Ｍ、Ｍ’、Ｍ” 中心
Ｒ 方向
Ｓ１～Ｓ８ 方法ステップ
Ｓ１’～Ｓ８’ 方法ステップ
Ｘ 方向
Ｙ 方向
１０２ 基板
１０４ コーティング
２００ 装置
２０２ 粒子ビーム
２０４ 真空ハウジング
２０６ 真空ポンプ
２０８ 試料ステージ
２１０ 電子カラム
２１２ 電子源
２１４ 電子またはビーム光学素子
２１６ 走査ユニット
２１８ 検出器
２２０ ガス提供ユニット
２２２ 弁
２２４ ガスライン
２２６ コンピューティング装置
２２８ 制御デバイス
２３０ 決定デバイス
３００ 像
３０２、３０２’ 修復形状
３０４、３０４’、３０４” ピクセル
３０６、３０６’、３０６” ラスタ化
３０８ 入射エリア
３１０ 縁部領域
４０２ 修復形状
４０４ 伸張部
４０６ 縁部
４０８ 縁部
４１０ 開始点
４１２ 終了点
４１４ 開始点
４１６ 伸張部
４１８ 終了点
４２０ 伸張部
４２２ 伸張部
４２４ 伸張部
４２６ 縁部
４２８ 開始点
４３０ 終了点
４３２ 開始点
４３４ 伸張部
４３６ 終了点
４３８ 伸張部
４４０ 部分修復形状
４４２ 部分修復形状
４４４ 伸張部
４４６ 縁部
４４８ 縁部
４５０ 伸張部
４５２ 縁部
４５４ 伸張部
４５６ 伸張部
ａ 長さ
ｂ 長さ
Ｂ 構造寸法
ｃ 直径
Ｄ、Ｄ’ 欠陥
Ｅ、Ｅ’、Ｅ” 欠陥
ｌ 長さ
Ｍ、Ｍ’、Ｍ” 中心
Ｒ 方向
Ｓ１～Ｓ８ 方法ステップ
Ｓ１’～Ｓ８’ 方法ステップ
Ｘ 方向
Ｙ 方向
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【手続補正書】
【提出日】2024-07-16
【手続補正1】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項1】
マイクロリソグラフィフォトマスク（１００）の欠陥（Ｅ’、Ｅ”）の粒子ビーム誘起処理のための方法であって、
ａ２）前記フォトマスク（１００）の少なくとも一部分の像（３００）を提供するステップ（Ｓ１’）と、
ｂ２）前記像（３００）内の欠陥（Ｅ’、Ｅ”）の幾何学形状を、修復形状（４０２、４０２’）として決定するステップ（Ｓ２’）と、
ｃ２）少なくとも前記修復形状（４０２、４０２’）の伸張部（４０４、４２４）に沿ってプロセスガスを提供し、前記プロセスガスと前記伸張部（４０４、４２４）上の前記フォトマスク（１００）の材料との間の化学反応を同時に活性化しながら、前記伸張部（４０４、４２４）に沿って活性化粒子ビーム（２０２）を誘導するステップ（Ｓ３’）と、
を含む、方法。
ａ２）前記フォトマスク（１００）の少なくとも一部分の像（３００）を提供するステップ（Ｓ１’）と、
ｂ２）前記像（３００）内の欠陥（Ｅ’、Ｅ”）の幾何学形状を、修復形状（４０２、４０２’）として決定するステップ（Ｓ２’）と、
ｃ２）少なくとも前記修復形状（４０２、４０２’）の伸張部（４０４、４２４）に沿ってプロセスガスを提供し、前記プロセスガスと前記伸張部（４０４、４２４）上の前記フォトマスク（１００）の材料との間の化学反応を同時に活性化しながら、前記伸張部（４０４、４２４）に沿って活性化粒子ビーム（２０２）を誘導するステップ（Ｓ３’）と、
を含む、方法。
【請求項2】
前記活性化粒子ビーム（２０２）は、前記伸張部（４０４、４２４）全体に沿って、ゼロよりも高い速度で誘導され、および／または、前記活性化粒子ビーム（２０２）は、停止することなく前記伸張部（４０４、４２４）全体に沿って誘導される、請求項１に記載の方法。
【請求項3】
前記伸張部（４０４、４２４）の長さ（ｌ）は、５ｎｍ以上、１０ｎｍ以上、２０ｎｍ以上、５０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上、２００ｎｍ以上、および／または５００ｎｍ以上である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項4】
前記伸張部（４０４、４１６、４２０、４２２）は、前記修復形状（４０２）の１つの縁部（４０６）から、前記修復形状（４０２）の反対側の縁部（４０８）まで線形に延びる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項5】
前記伸張部（４２４、４３４、４３８）は、前記修復形状（４０２’）の外縁部（４２６）に沿って、および／または前記修復形状（４０２’）の前記外縁部（４２６）に対し平行な平行曲線（４３４、４３８）に沿って延びる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項6】
前記修復形状（４０２’）は、少なくとも第１の部分修復形状および第２の部分修復形状（４４０、４４２）に細分化され、
前記伸張部（４４４）は、前記第１の部分修復形状（４４０）の１つの縁部（４４６）から、前記第１の部分修復形状（４４０）の反対側の縁部（４４８）に線形に延び、および／または、
前記伸張部（４５０、４５４、４５６）は、前記第２の部分修復形状（４４２）の外縁部（４５２）に沿って、および／または前記第２の部分修復形状（４４２）の前記外縁部（４５２）に対し平行な平行曲線（４５４、４５６）に沿って延びる、請求項１または２に記載の方法。
前記伸張部（４４４）は、前記第１の部分修復形状（４４０）の１つの縁部（４４６）から、前記第１の部分修復形状（４４０）の反対側の縁部（４４８）に線形に延び、および／または、
前記伸張部（４５０、４５４、４５６）は、前記第２の部分修復形状（４４２）の外縁部（４５２）に沿って、および／または前記第２の部分修復形状（４４２）の前記外縁部（４５２）に対し平行な平行曲線（４５４、４５６）に沿って延びる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項7】
前記活性化粒子ビーム（２０２）は、０．０１ｍ／ｓ以上、０．０２ｍ／ｓ以上、０．０３ｍ／ｓ以上、０．０５ｍ／ｓ以上、０．１ｍ／ｓ以上、１ｍ／ｓ以上、５ｍ／ｓ以上、１０ｍ／ｓ以上、５０ｍ／ｓ以上、および／または１００ｍ／ｓ以上の速度で前記伸張部（４０４、４２４、４４４、４５０）に沿って誘導される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項8】
前記活性化粒子ビーム（２０２）は、５００ｎｓ以下、４００ｎｓ以下、３００ｎｓ以下、２００ｎｓ以下、１００ｎｓ以下および／または５０ｎｓ以下で前記修復形状（４０２、４０２’）全体にわたって誘導される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項9】
前記活性化粒子ビーム（２０２）のビーム電流は、０．０００１μＡ以上、０．００１μＡ以上、０．０１μＡ以上、０．１μＡ以上、および／または１μＡ以上である、請求項１または２に記載の方法。
【外国語明細書】