特開 2024-147811 ＥＵＶ光を提供するフォトマスクを備えるシステム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024147811

(43)【公開日】2024-10-16

(54)【発明の名称】ＥＵＶ光を提供するフォトマスクを備えるシステム

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/84 20120101AFI20241008BHJP

【ＦＩ】

G03F1/84

【審査請求】有

【請求項の数】11

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024122255

(22)【出願日】2024-07-29

(62)【分割の表示】P 2021575284の分割

【原出願日】2020-06-17

(31)【優先権主張番号】62/864,313

(32)【優先日】2019-06-20

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(31)【優先権主張番号】16/900,539

(32)【優先日】2020-06-12

(33)【優先権主張国・地域又は機関】US

(71)【出願人】

【識別番号】500049141

【氏名又は名称】ケーエルエー コーポレイション

(74)【代理人】

【識別番号】110001210

【氏名又は名称】弁理士法人ＹＫＩ国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】ファン ハイフェン

(72)【発明者】

【氏名】クヴァム デーモン

(72)【発明者】

【氏名】シ ルイ－ファン

(57)【要約】

【課題】インサイチューＥＵＶＴＤＩセンサ直線性校正を実行する効果的且つ利便的なシステムを提供する。
【解決手段】システムは、極端紫外（ＥＵＶ）ビームによる照射に応答して異なる強度の極端紫外（ＥＵＶ）光を提供する複数個の別個パターン化領域を含むフォトマスクを備える。複数個の別個パターン化領域が、ＥＵＶアブソーバライン及びＥＵＶ反射性多層被覆が交番する個別ラインスペース格子パターンを有する複数個の領域を備え、個別ラインスペース格子パターン同士が個々別々のアブソーバデューティ比、但しアブソーバデューティ比は格子ピッチに対するＥＵＶアブソーバライン幅の比、を有する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

システムであって、
極端紫外（ＥＵＶ）ビームによる照射に応答して異なる強度の極端紫外（ＥＵＶ）光を提供する複数個の別個パターン化領域を含むフォトマスク
を備えるシステム。

【請求項2】

前記複数個の別個パターン化領域が、ＥＵＶアブソーバライン及びＥＵＶ反射性多層被覆が交番する個別ラインスペース格子パターンを有する複数個の領域を備え、
前記個別ラインスペース格子パターン同士が個々別々のアブソーバデューティ比、但し前記アブソーバデューティ比は格子ピッチに対する前記ＥＵＶアブソーバライン幅の比、を有する、
請求項１に記載のシステム。

【請求項3】

前記個別ラインスペース格子パターンが、個々別々なＥＵＶアブソーバライン幅を有しつつも同一の格子ピッチを有する、
請求項２に記載のシステム。

【請求項4】

前記ＥＵＶアブソーバラインが窒化タンタル硼素（ＴａＢＮ）を含有し、
前記ＥＵＶ反射性多層被覆が、交番するモリブデン（Ｍｏ）層及びシリコン（Ｓｉ）層を備える、
請求項２に記載のシステム。

【請求項5】

前記複数個の別個パターン化領域が、個別ＥＵＶ反射性多層被覆を有する複数個の領域を備え、
前記個別ＥＵＶ反射性多層被覆が個々別々な個数の層を有する、
請求項１に記載のシステム。

【請求項6】

前記個別ＥＵＶ反射性多層被覆が、個々別々な個数の交番するＭｏ層及びＳｉ層を備える、
請求項５に記載のシステム。

【請求項7】

前記複数個の別個パターン化領域により傾斜ＥＵＶ反射性多層被覆が構成されている、
請求項１に記載のシステム。

【請求項8】

前記傾斜ＥＵＶ反射性多層被覆が、複数個の交番するＭｏ層及びＳｉ層を備え、
前記交番するＭｏ層及びＳｉ層が、第１方向沿いでは傾斜厚、その第１方向に対し垂直な第２方向沿いでは均一厚を有し、
前記交番するＭｏ層及びＳｉ層が一定の厚み比率を有する、
請求項７に記載のシステム。

【請求項9】

前記複数個の別個パターン化領域が、個別ＥＵＶアブソーバエリア及び個別ＥＵＶ反射性多層被覆が備わり当該個別ＥＵＶアブソーバエリアが当該個別ＥＵＶ反射性多層被覆より上方にある複数個の領域を備え、
前記個別ＥＵＶアブソーバエリアが個々別々な厚みを有する、
請求項１に記載のシステム。

【請求項10】

前記個別ＥＵＶアブソーバエリアが、ＴａＢＮと、そのＴａＢＮより上方にあるＴａＢＯキャッピング層と、を備え、
前記個別ＥＵＶ反射性多層被覆が、同一個数の交番するＭｏ層及びＳｉ層を備える、
請求項９に記載のシステム。

【請求項11】

極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するＥＵＶ光源と、
時間遅延積分（ＴＤＩ）センサと、
を有するＴＤＩ検査ツールを有し、前記フォトマスクは前記ＴＤＩ検査ツールに実装され、
前記フォトマスクから集光されるＥＵＶ光の強度を計測すべく前記ＴＤＩ検査ツール内に実装される参照強度検出器と、
をさらに備える請求項１に記載のシステム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本件開示はイメージセンサに関し、より具体的には、極端紫外（ＥＵＶ）における時間遅延積分（ＴＤＩ）イメージセンサの校正に関する。

【背景技術】

【0002】

［関連出願］
本願では、２０１９年６月２０日付米国仮特許出願第６０／８６４３１３号に基づき優先権を主張し、参照によりその全容をあらゆる目的で本願に繰り入れる。

【0003】

フォトマスク（即ちレティクル）を検査するための光学検査ツールではＴＤＩイメージセンサ（ＴＤＩセンサと略称）が用いられている。フォトマスク検査画像を強度歪ほぼ無しで記録するには、ＴＤＩセンサの直線性（非直線性でも同様）を画素レベルに至るまで正確に校正しなければならない。１９３ｎｍ光を用いる光学検査ツールのＴＤＩセンサの直線性を校正するのであれば、様々な強度レベルの１９３ｎｍ光を発生させて、それら様々な強度レベルでの画像を記録する。この校正プロセス向けに様々な強度レベルを発生させうる光強度制御がポラライザを用い実現されており、これは１９３ｎｍ光の偏向状態をビームプロファイル変更無しで制御するものである。小さな無パターンマスクエリアを、フルＴＤＩを用い撮像する。校正済の参照強度検出器を強度制御の下流に配置する。そのＴＤＩセンサからの画素毎ＴＤＩ信号と参照強度検出器からの参照信号とを比較することで、そのＴＤＩセンサの直線性を校正する。この校正プロセスは透過型光学系に依拠している。

【0004】

ＴＤＩセンサ直線性校正は、極端紫外（ＥＵＶ）フォトマスク検査ツール（例．１３．５ｎｍ波長その他のＥＵＶ波長の光を用いるツール）でも求められる。しかしながら、何れの既知素材も（程度の差こそあれ）ＥＵＶ光を強く吸収するので、１９３ｎｍ検査ツールでのそれに類する透過型の方法では、ＥＵＶＴＤＩセンサの直線性校正はうまく実行できない。採りうる方法の一つに、減衰レベルが異なる複数個の中性濃度（ＮＤ）フィルタを用い入射ＥＵＶ光の強度を制御するものがある。そうしたＮＤフィルタ向けの素材は見出しうるけれども（例．ポリシリコン）、それらＮＤフィルタの厚みが数十ナノメートルオーダなる極端な薄さになるであろう。この薄さのため、ＴＤＩセンサ直線性校正にＮＤフィルタを用いることは、非現実的となっている。

【0005】

ＴＤＩセンサ直線性校正は、旧来、可視波長光源を用いベンチセットアップ上で実行されてきた。ホモジナイジング球により略均一な照明をＴＤＩセンサ上に発生させるものである。その光の強度を変化させること及びよく校正されている参照検出器を用いることで、ＴＤＩセンサ直線性（即ちＴＤＩ応答非直線性）を校正することができる。しかしながら、この旧来的手法には幾つかの難点がある。第１に、この手法では、センサの非直線性の波長依存性が勘案されない。第２に、ＴＤＩセンサ上での照明プロファイルを攪乱させることなく全体的な光強度を変化させることが難しい。第３に、ＥＵＶＴＤＩセンサ直線性校正は、インサイチューで（即ち検査ツール内に実装されているＴＤＩセンサで以てその検査ツールの内部で）実行されるべきである。インサイチュー（その場）校正が望まれるのは利便性のためであり、ＥＵＶ検査システムの複雑さ故にベンチ校正のためＴＤＩセンサを取り外すのは非現実的である。インサイチュー校正は校正コストを低減する上でも望ましく、ベンチ校正では高価なリソース、例えば特別なＥＵＶ光源、真空条件及び室内スペースが必要になってしまう。そして、ＴＤＩセンサでは、その寿命を通じ数個のデッド画素（即ち欠陥性になり稼働を停止する画素）が累積することがある。これらデッド画素が原因となり、ＴＤＩセンサのスキャン平均化非直線性を周期的にインサイチュー校正する必要性が生まれる。ベンチ校正ではこのスキャン平均化非直線性を判別することができない。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0006】

【特許文献1】米国特許出願公開第２０１３／０２４４１４２号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0007】

従って、インサイチューＥＵＶＴＤＩセンサ直線性校正を実行する効果的且つ利便的な方法及びシステムが求められている。この需要は、様々な強度のＥＵＶ光のインサイチュー生成を可能にするテスト用フォトマスクで以て、充足させることができる。

【課題を解決するための手段】

【0008】

ある種の実施形態に係るイメージセンサ校正用テスト構造は、極端紫外（ＥＵＶ）ビームでの照明に応じ個々別々な強度のＥＵＶ光をもたらす複数個の別個パターン化領域を伴うフォトマスクを有する。

【0009】

ある種の実施形態に係る校正方法では、複数個の別個パターン化領域付のフォトマスクを時間遅延積分（ＴＤＩ）検査ツール内にロードする。それら複数個の別個パターン化領域をＥＵＶ光ビームで以て順次照明する。それら複数個の別個パターン化領域のうちの個別の別個パターン化領域を照明しつつ、そのＴＤＩ検査ツール内のＴＤＩセンサを用い当該個別の別個パターン化領域の個別撮像インスタンスを実行する。それら個別撮像インスタンスを実行しつつ、そのフォトマスクから集光されるＥＵＶ光の参照強度を、参照強度検出器を用い計測する。個別撮像インスタンスの結果と参照強度検出器により計測されたＥＵＶ光の参照強度とに基づきそのＴＤＩセンサの直線性を判別する。

【0010】

ある種の実施形態に係るシステムは、ＥＵＶ光源及びＴＤＩセンサを有するＴＤＩ検査ツールを有する。本システムは、そのＴＤＩ検査ツール内にロードされるフォトマスクをも有する。そのフォトマスクは、当該ＥＵＶ光源により生成されたＥＵＶビームによる照明に応じ個々別々な強度のＥＵＶ光をもたらす、複数個の別個パターン化領域を有する。本システムは、更に、そのフォトマスクから集光されるＥＵＶ光の強度を計測すべくそのＴＤＩ検査ツール内に実装された、参照強度検出器を有する。

【0011】

記載されている様々な実現形態をより良好に理解するには、以下の図面と併せ、後掲の詳細な説明を参照すべきである。図面は一定縮尺でないことがある。

【図面の簡単な説明】

【0012】

【図1】ある種の実施形態に従いＥＵＶフォトマスク検査ツールにて検査されているフォトマスクのオフ軸撮像を示す図である。サイズ及び角度は一定縮尺ではない。

【図2】ある種の実施形態に係りテスト用フォトマスクの表面上のある領域内に所在するラインスペース格子パターンの平面図である。

【図3】ある種の実施形態に係りテスト用フォトマスクの表面上のある領域内に所在するラインスペース格子パターンの断面図である。

【図4】ある種の実施形態に従いテスト用フォトマスクのオフ軸撮像を示す図である。サイズ及び角度は一定縮尺ではない。

【図5A】ある種の実施形態に係り、テスト用フォトマスクの表面上にてある度合いの反射率を有するＥＵＶ反射性エリアとして働く個別多層被覆の断面図である。

【図5B】ある種の実施形態に係り、テスト用フォトマスクの表面上にて別の度合いの反射率を有するＥＵＶ反射性エリアとして働く別の個別多層被覆の断面図である。

【図6】ある種の実施形態に従い多層被覆の反射率の計算値とそれら被覆内の二重層の個数との関係を示す描線図である。

【図7】ある種の実施形態に係りテスト用フォトマスクの表面上にある傾斜多層被覆の断面図である。

【図8A】ある種の実施形態に係りテスト用フォトマスクの表面上にある個別領域の断面図であり、個別ＥＵＶ反射性多層被覆上に配置されていてある厚みを有する、個別ＥＵＶアブソーバエリアを有している。

【図8B】ある種の実施形態に係りテスト用フォトマスクの表面上にある別の個別領域の断面図であり、個別ＥＵＶ反射性多層被覆上に配置されていて別の厚みを有する、個別ＥＵＶアブソーバエリアを有している。

【図9】ある種の実施形態に従い図８Ａ及び図８Ｂの構造の反射率の計算値とそのＥＵＶアブソーバの厚みとの関係を示す描線図である。

【図10】ある種の実施形態に係るＥＵＶフォトマスク検査ツールの校正及び使用方法を示すフローチャートである。

【図11】ある種の実施形態に係るフォトマスク検査システムのブロック図である。

【発明を実施するための形態】

【0013】

図面及び明細書を通じ、類似した参照符号は対応する諸部分を指している。

【0014】

以下、添付図面にその例が描かれている様々な実施形態を詳細に参照する。以下の詳細記述では、それら様々な記載諸実施形態の一貫理解をもたらすべく多様な具体的細部を説明している。しかしながら、本件技術分野に習熟した者（いわゆる当業者）には察せられる通り、それら様々な記載諸実施形態をそれら具体的細部抜きで実施することもできる。他方で、周知の方法、手順、部材、回路及びネットワークについては、諸実施形態の諸側面を不必要に曖昧化させないため記述を省いている。

【0015】

極端紫外（ＥＵＶ）フォトマスク（即ちレティクル）検査ツールは、通常、完全に反射型である。ＥＵＶは一般的でよく知られており且つよく理解されている技術用語であり、１２４ｎｍ～１０ｎｍの範囲内の波長を有する光のことを指している。例えば、ＥＵＶフォトマスク検査ツールにて用いるＥＵＶ光を１３．５ｎｍ光とすることができる。ＥＵＶフォトマスク検査ツール内の撮像システムは数個のＥＵＶ反射鏡を有するものであり、透過光学系を有していない。その照明路（即ち検査対象フォトマスクにＥＵＶ光を供給する光路）と、撮像路（即ち検査対象フォトマスクからの集光用の光路）とが、空間的に分離されている。こうした検査ツールは、従ってオフ軸撮像デザインを有するものとなる。

【0016】

図１に、ある種の実施形態に従いＥＵＶフォトマスク検査ツール（例．図１１の検査ツール１１３０）にて検査されているフォトマスク１００のオフ軸撮像を示す。フォトマスク１００は、欠陥に関し検査されるパターン化マスク面１０２を有している。ＥＵＶ光源（図示せず）（例．図４の光源４０２）により生成された照明ＥＵＶ光円錐１０４がそのパターン化マスク面１０２上に集束され、ある小サイズエリア（例．２００μｍ×２００μｍ）が照明されている。照明されているパターン化マスク面１０２に発する撮像ＥＵＶ光円錐１０８が集光され、ＴＤＩセンサ１１６により撮像されている。照明ＥＵＶ光円錐１０４が撮像ＥＵＶ光円錐１０８から空間分離されている。照明ＥＵＶ光円錐１０４は、パターン化マスク面１０２の表面法線１１２（即ち法線方向）に対しある主光線角（ＣＲＡ）１０６をなしている。撮像ＥＵＶ光円錐１０８は表面法線１１２に対しあるＣＲＡ１１０をなしている。撮像路の数値開口（ＮＡ）が撮像ＥＵＶ光円錐１０８のサイズを決めている。撮像路（即ち撮像ＥＵＶ光円錐１０８の経路）上にはＥＵＶ撮像光学系１１４があり、それによりその撮像ＥＵＶ光円錐１０８がＴＤＩセンサ１１６上へと集束され、それにより全ＴＤＩ画素が照明されている。ＥＵＶ撮像光学系１１４はＥＵＶ鏡を有している。照明路（即ち照明ＥＵＶ光円錐１０４の経路）にも、照明ＥＵＶ光円錐１０４をパターン化マスク面１０２に差し向けるのに用いられるＥＵＶ鏡付のＥＵＶ光学系を、設けることができる。簡略化のため図１にはこれらの鏡を示していない。

【0017】

ＥＵＶフォトマスク検査ツールは、通常は時間遅延積分（ＴＤＩ）を実行するので、ＴＤＩイメージセンサ（ＴＤＩセンサと略称）を有している。ＴＤＩセンサは、検査結果（例．検査されたフォトマスクの画像）が確と正確になるよう校正されるべきである。ＴＤＩセンサを校正する際にはその直線性を判別する。直線性とは、様々な強度レベルに関し入射光強度がそのＴＤＩセンサにてどれだけ正確に計測されるか、のことである。不正確性の定量結果は、そのＴＤＩセンサでの対応する非直線性の度合いを指し示すものとなる。従って、ＴＤＩセンサの直線性の判別は、そのＴＤＩセンサに係るあらゆる非直線性の定量を孕んでいる。校正を通じ判別されたＴＤＩセンサ直線性（非直線性でも同様）を格納しておき、後続の検査結果（例．その検査ツールにより後続して検査されたフォトマスクの画像）を補正するのに用いることができる。

【0018】

従って、ＴＤＩセンサの校正は、そのＴＤＩセンサ上に入射される様々な強度レベルのＥＵＶ光の生成を孕んでいる。そうした校正を、その表面上に複数個の別個パターン化領域があるＥＵＶテスト用フォトマスク（即ち校正用フォトマスク）を用い、ＥＵＶビーム（例．照明ＥＵＶ光円錐１０４）による個別領域の照明に応じてそのＴＤＩセンサに個々別々な強度のＥＵＶ光を供給することにより、ＥＵＶフォトマスク検査ツールにてインサイチュー実行することができる。別々の別個パターン化領域が、同じＥＵＶビームで以て照明されたときに（即ち同じＥＵＶビームプロファイルを各パターン化領域上に入射させたときに）、別々の強度のＥＵＶ光を発生させる（例．反射する）。

【0019】

ある種の実施形態では、それら別個パターン化領域が、ＥＵＶアブソーバライン及びＥＵＶ反射性エリアが交番する個別ラインスペース格子パターン（即ち格子）付の領域を有するものとされる。別々の領域のラインスペース格子パターンが、別々のアブソーバデューティ比を有するものとされる。ある種の実施形態では、それら別個パターン化領域が、様々な度合いの反射率を呈するＥＵＶ反射性エリアを有するものとされる。ある種の実施形態では、それら別個パターン化領域が、厚みに傾斜があり従って反射率が変動するＥＵＶ反射性エリアを構成する。ある種の実施形態では、それら別個パターン化領域が、様々な厚みのＥＵＶアブソーバエリアを有し、各ＥＵＶアブソーバエリアがＥＵＶ反射性エリアより上方にあるものとされる。

【0020】

［ＥＵＶアブソーバライン及びＥＵＶ反射性エリアが交番するラインスペース格子パターン］
図２は、ある種の実施形態に係りテスト用フォトマスクの表面上のある領域内に所在するラインスペース格子パターン２００の平面図である。このラインスペース格子パターン２００は、交番するＥＵＶ反射性多層被覆２０２（即ち鏡状被覆）及びＥＵＶアブソーバライン２０４を有している。ＥＵＶアブソーバライン２０４の周期（即ちＥＵＶアブソーバライン２０４の始縁からその次のＥＵＶアブソーバライン２０４の始縁までの間隔）が格子ピッチ２０６である。そのピッチに対するＥＵＶアブソーバライン２０４の幅（即ちＥＵＶアブソーバライン幅）の比のことを、アブソーバデューティ比と呼ぶ（この幅は図２ではｘ方向沿い）。ある種の実施形態では、校正中に照明路及び撮像路のＣＲＡ１０６及び１１０（図１）により形成される平面に対し垂直になるよう、ＥＵＶアブソーバライン２０４の向きが設定される。

【0021】

図３は、ある種の実施形態に係りテスト用フォトマスクの表面上のある領域内に所在するラインスペース格子パターン３００の断面図である。このラインスペース格子パターン３００はラインスペース格子パターン２００（図２）の一例であり、格子ピッチ２０６で以て交番するＥＵＶ反射性多層被覆３１６及びＥＵＶアブソーバライン３１８を有している。ＥＵＶ反射性多層被覆３１６，ＥＵＶアブソーバライン３１８は、それぞれＥＵＶ反射性多層被覆２０２，ＥＵＶアブソーバライン２０４（図２）の例である。

【0022】

ＥＵＶ反射性多層被覆３１６（実質的には単一多層被覆をＥＵＶアブソーバライン３１８により様々なＥＵＶ反射性エリアに分けたもの）は、基板（例．ブランクフォトマスク）３０２より上方にあり交番しているモリブデン（Ｍｏ）層３０４及びシリコン（Ｓｉ）層３０６を有しており、キャッピング層３０８によりそれら交番するＭｏ層３０４及びＳｉ層３０６が覆われている。キャッピング層３０８はルテニウム（Ｒｕ）か硼素（Ｂ）にすればよい。隣り合うＭｏ層３０４及びＳｉ層３０６の対それぞれのことをＭｏＳｉ二重層３１４と呼ぶ。ある種の実施形態ではＭｏ層３０４の厚みが２．８ｎｍ、Ｓｉ層３０６の厚みが４．２ｎｍ、キャッピング層３０８の厚みが２．５ｎｍとされる（厚みは図３ではｚ方向沿い）。ＥＵＶ反射性多層被覆３１６は、ＥＵＶ光に関し完全に反射性ではなくて部分的に反射性である（多層被覆３１６の反射率については図６との関連で後に論ずる）。ＭｏＳｉ二重層３１４の個数は、比較的高い度合いの反射率（例．少なくとも６０％或いは少なくとも６５％の反射率）がもたらされるよう選択される。ある種の実施形態では、ラインスペース格子パターン３００におけるＭｏＳｉ二重層３１４の個数が４０、或いは４０～４５、或いは３５～４０、或いは５０とされる。

【0023】

ＥＵＶアブソーバライン３１８は多層被覆３１６より上方に配置されている。ＥＵＶアブソーバライン３１８は、キャッピング層３０８より上方にある窒化タンタル硼素（ＴａＢＮ）層３１０と、そのＴａＢＮ層３１０より上方にある酸化タンタル硼素（ＴａＢＯ）キャッピング層３１２とを有している。ある種の実施形態ではＴａＢＯキャッピング層３１２の厚みが２ｎｍとされる。ＴａＢＮはＥＵＶ高吸収性素材である。ＴａＢＮ層３１０の厚みは可変であり、実質的に全ての入射ＥＵＶ光を吸収するよう（例．後に論ずる図９に従い）選択される。ある種の実施形態ではＴａＢＮ層３１０の厚みが７０～８０ｎｍとされる。

【0024】

テスト用フォトマスクの表面上の様々な領域に個別ラインスペース格子パターン２００（図２）（例．図３のラインスペース格子パターン３００）があり、またそれらが個別のアブソーバデューティ比（即ち個々別々なアブソーバデューティ比）を有している。例えば、テスト用フォトマスクの表面上の個別ラインスペース格子パターン２００（図２）（例．図３のラインスペース格子パターン３００）は個々別々な幅のＥＵＶアブソーバライン３１８を有しつつも、同一の格子ピッチ２０６を呈している（幅は図２及び図３ではｘ方向沿い）。即ち、ＥＵＶアブソーバライン３１８の幅が領域間で可変、各領域内で一定である一方、ピッチ２０６は諸領域を通じ一定にすることができる。

【0025】

図４に、ある種の実施形態に係りその表面４０２上にラインスペース格子パターン２００（図２）（例．図３のラインスペース格子パターン３００）が備わるテスト用フォトマスク４００のオフ軸撮像を示す。格子パターン２００は図４の紙面に対し垂直なｘｙ平面内にあり、図４では見えていない。その格子パターン２００のうちの小エリア（例．２００μｍ×２００μｍ）が、ＥＵＶ光源４０２により生成された照明ＥＵＶ光円錐１０４（簡略化のため図４では１本の矢印線で示す）で以て照明されている。格子パターン２００は、０次ビーム４０６（ｍ＝０）（即ち格子表面からの照明ＥＵＶ光円錐１０４の単純反射）、正の１次回折ビーム４０８（ｍ＝＋１）及び負の１次回折ビーム４１０（ｍ＝－１）を含め、複数次の回折ビームを発生させる。撮像路上には不透明アパーチャ４１２が実装されており、それにより１次回折ビーム４０８及び４１０を遮蔽すると共に０次ビーム４０６を選択している。０次ビーム４０６はＥＵＶ撮像光学系１１４によりＴＤＩセンサ１１６上に集束され、そのＴＤＩセンサ１１６により撮像される。ある種の実施形態では、０次ビーム４０６がＴＤＩセンサ１１６内のＴＤＩ画素全てを照明し、それら画素を用い撮像される。その撮像路上（例．０次ビーム４０６の縁又はその付近）には校正済の参照強度検出器４１６が実装されており、それにより０次ビーム４０６の強度（即ち０次ビーム４０６のプロファイルのうち参照強度検出器４１６上に入射する部分の強度）が検出されている。ある種の実施形態ではその参照強度検出器４１６がアパーチャ４１２の縁に配置される。例えば、参照強度検出器４１６をアパーチャ４１２に装着することができる（例．アパーチャ４１２の縁から０次ビーム４０６内へと延ばす）。

【0026】

実施形態のうちアパーチャ４１２を検査ツールから着脱可能なものでは、アパーチャ４１２を検査ツール内に実装して校正を実行することができ、校正完了後には、その検査ツールから取り外した上で、その検査ツールを順次用い生産用フォトマスクを検査することができる。実施形態のうちアパーチャ４１２が検査ツール内に恒久実装されているものでは、アパーチャ４１２をその検査ツール内で移動可能とすれば、それを校正中は撮像路上へと移動させること並びに生産用フォトマスクの検査に際してはその撮像路外へと移動させることが可能となる。実施形態のうち参照強度検出器４１６を検査ツールから着脱可能なものでは、それを検査ツール内に実装して校正を実行することができ、校正完了後には、その検査ツールから取り外した上で、その検査ツールを順次用い生産用フォトマスクを検査することができる。単一の着脱可能な参照強度検出器４１６を用い複数個の検査ツールを校正することもできる。ある種の実施形態では、参照強度検出器４１６が、認証又は公的標準化団体（例．米国国立標準技術研究所（ＮＩＳＴ）又はそれに類する政府内標準化機関）により校正されたものとされる。

【0027】

様々なアブソーバデューティ比を有する様々なラインスペース格子パターン２００（図２）（例．図３のラインスペース格子パターン３００）を、テスト用フォトマスク４００の様々な領域内に配置することができる。ＴＤＩセンサ１１６を校正する際には、それら様々な領域を、図４に示したオフ軸撮像を用い照明、ひいては撮像すればよい。ＴＤＩセンサ１１６を用い得られた撮像結果を、参照強度検出器４１６により検出された強度と比較する。この比較を通じＴＤＩセンサ１１６の直線性が判別される。

【0028】

ＴＤＩセンサ１１６は二通りのモード、即ちフレーム撮像モード及びスキャン（走査）モードで稼働させることができる。フレーム撮像モードでは、そのＴＤＩセンサ１１６の全画素によりそれらにおける光強度、いわゆるフレームが短時間（例．０．００１ミリ秒～数ミリ秒）にて同時捕捉され、画素毎積分は行われない。スキャンモードではスキャン方向（例．ｘ方向）に沿い画素毎光強度が積分される。スキャンモードは生産用フォトマスク検査にて常用されている。ＴＤＩ直線性校正の際には、諸画素の（例．各画素の）応答直線性を校正すべくフレーム撮像モードが用いられることもある。スキャンモードでのＴＤＩ応答直線性は、フレーム撮像モードにて計測された画素レベル直線性をもとに計算することができる。

【0029】

様々なアブソーバデューティ比のラインスペース格子パターン２００が照明された場合、ピッチ２０６が同一な類の実施形態では、１次回折ビーム４０８及び４１０それぞれの回折角がどのパターンでも同じになる（但し、一般に、＋１次回折ビーム４０８の角度と－１次回折ビーム４１０の角度は異なるものとなる）。しかしながら、ＥＵＶアブソーバライン２０４の幅に違いがある（例．多層被覆３１６のうちＥＵＶアブソーバライン３１８により覆われている面積に違いがある）ため、０次回折ビーム４０６の強度が違ってくる。０次回折ビーム４０６のビームプロファイルは、そのビームが実質的には入射ビーム（即ち照明ＥＵＶ光円錐１０４）の単純反射であるため、照明ビームと同一なままである。従って、何れか特定のラインスペース格子パターン２００を選択することで、ＴＤＩセンサ１１６に供給されるＥＵＶ光の強度を、ＴＤＩ直線性校正に係る入射ビームプロファイルの変化無しで制御することができる。

【0030】

不透明アパーチャ４１２によりクリーンな０次回折ビーム４０６を選択するためには、０次回折ビーム４０６と二種類の１次回折ビーム４０８及び４１０との間の重なり合いも小さくなるよう、照明パラメタσを十分に小さくすべきである。表１に、様々な格子ピッチ２０６に関しσの最大値の計算結果を示す。これらの計算においては、撮像ＮＡが０．２であると仮定し、また照明路，撮像路双方のＣＲＡを８．１５°とした。

【0031】

【表1】

【0032】

表１の中央にある三列は、三通りの回折次数のＣＲＡを、照明ＣＲＡが８．１５°であるとし格子式を用いて計算したものである。σの最大値は、ｍ＝０のＣＲＡとｍ＝±１のＣＲＡとがなす二通りの半角のうち小さい方を採用し、ＮＡに係る立体角の半角によりそれを除することで、計算されたものである。例えばピッチが８０ｎｍである場合、ｍ＝０の回折波とｍ＝＋１の回折波との間のＣＲＡ差は９．７°となり、ｍ＝０の回折波とｍ＝－１の回折波との間のＣＲＡ差は９．９４°となっている。小さい方のＣＲＡ差は９．７°であり、これが選択される。照明ＥＵＶ光円錐１０４の半角が９．７°／２＝４．８５°であれば、それら三通りの回折次数間には重なり合いがないこととなる。この条件は、照明σ＝４．８５°／１１．５°＝０．４２、但し１１．５°はＮＡ＝０．２に係る立体角の半角、なる条件に相当している。σが０．４２よりも大きい場合、純粋な０次回折ビーム４０６を選択するには、より小さなアパーチャが必要となる。

【0033】

表２においては、ラインスペース格子パターン３００（図３）での０次実効反射率が様々なアブソーバデューティ比及びラインスペース格子ピッチ２０６に関し計算されている。この実効反射率は、１３．５ｎｍ波長及び８．１５°入射角における純粋な多層被覆３１６（即ち図３のＥＵＶアブソーバライン３１８が全くないためアブソーバデューティ比が０のもの）の反射率を基準にして正規化されている。計算に際しては、ＥＵＶ光が無偏向であると仮定し、７０ｎｍなるアブソーバ厚（即ちＴａＢＮ層３１０の厚み）を用いている。第１列に示されているピッチ２０６の値毎に、０次正規化実効反射率を、０．８、０．６５、０．５、０．３５、０．２及び０なるアブソーバデューティ比に関し計算してある。アブソーバデューティ比には二通りの両極端なケース、即ち純粋なアブソーバ（例．図３の多層被覆３１６がＥＵＶアブソーバにより完全に覆われているもの）と、純粋なＥＵＶ反射性多層被覆（例．図３の多層被覆３１６全体が露出していてＥＵＶアブソーバが存在していないもの）とがあり、それらによりそれぞれ光強度の最低値，最高値が与えられる。強度は所与強度の入射光（即ち所与照明ＥＵＶ光円錐１０４）に係る反射率に相当するので、表２に示されている様々な反射率は、様々な強度のＥＵＶを発生させる能力を明らかに示している。本件校正に際しては、アブソーバラインデューティ比の違いにより引き起こされる焦点の違いを、ＴＤＩセンサ１１６による撮像中に補正すべきである。

【0034】

【表2】

【0035】

ＥＵＶアブソーバライン２０４（図２）（例．図３のＥＵＶアブソーバライン３１８）のライン幅が狭くなればなるほど、そのラインスペース格子パターン２００（図２）（例．図３のラインスペース格子パターン３００）の作成が難しくなる。大きめな格子ピッチ２０６を用いることで作成が容易になるが、表１に示す通り実現可能な最大の照明σが小さめになる。経験的には、ＥＵＶフォトマスク上に作成しうる最も細いアブソーバラインは、アブソーバ厚の１／３のものである。アブソーバ厚（即ちアブソーバライン高）（例．ＴａＢＮ層３１０の厚み）が７０ｎｍである場合、実現しうる最も細いアブソーバラインはその幅が２３．３ｎｍのものであり、これは、ピッチ２０６が８０ｎｍである場合、０．２９なるデューティ比に相当する。ラインスペース格子パターンが小ピッチである場合、アブソーバ厚（アブソーバライン高）を、０次実効反射率の最適化及び格子パターン作成の容易化のため減らすことができる。

【0036】

［反射率の度合いが異なるＥＵＶ反射性エリア］
図５Ａ及び図５Ｂは、ある種の実施形態に係り、テスト用フォトマスクの表面上の個別領域にて相異なる度合いの反射率を有する（即ち反射率が相異なる）ＥＵＶ反射性エリアとして働く個別多層被覆５００－１及び５００－２の断面図である。多層被覆５００－１及び５００－２は、多層被覆３１６（図３）と同じ構造及び／又は層厚のものとすることができる。多層被覆５００－１（図５Ａ）よりも多層被覆５００－２（図５Ｂ）の方が、多くのＭｏ層３０４及びＳｉ層３０６、ひいては多くのＭｏＳｉ二重層３１４を有している。テスト用フォトマスクの表面上の他の諸領域には、個々別々な（即ち異なる）個数のＭｏ層３０４及びＳｉ層３０６、ひいては個々別々な個数のＭｏＳｉ二重層３１４を有する多層被覆５００を、設けることができる。一般に、テスト用フォトマスクの表面上の個々別々な領域内のＥＵＶ反射性多層被覆は、個々別々な個数の層を有している。

【0037】

多層被覆５００－１及び５００－２のＥＵＶ反射率は、ＭｏＳｉ二重層３１４の個数の関数である。図６は、多層被覆５００の反射率計算値６０４と二重層３１４の個数６０２との関係を示す描線図６００である。この描線図６００の背景にある計算では、入射角８．１５°の無偏向１３．５ｎｍ光と、図３に関し述べた層厚とを仮定した。図６に示すところによれば、７０％超の理論的反射率を達成することができる。実際には、二重層３１４を十分な個数６０２にすること（例．二重層３１４を４０超とすること）で、少なくとも６５％の反射率を達成できる。表３は、幾通りかの二重層に関し、４０個の二重層を有する多層被覆５００の反射率を基準として正規化された反射率計算値をまとめたものである。

【0038】

【表3】

【0039】

その表面上の個別領域内に様々な個数の層（即ち様々な個数の二重層３１４）がある多層被覆５００を有するテスト用フォトマスクを、図４のオフ軸撮像配列にて用い、ＴＤＩセンサ１１６を校正することができる。格子がなく従って照明ＥＵＶ光円錐１０４の回折が生じないため、そのオフ軸撮像配列からアパーチャ４１２を省略することができる。そのテスト用フォトマスクの表面上の様々な領域を照明及び撮像用に選択することで、ＴＤＩセンサ１１６に供給されるＥＵＶ光の強度を、校正中に所与照明ＥＵＶ光円錐１０４に関し被制御的要領で変化させることができる。二重層の個数の違いにより引き起こされる焦点オフセットは、ＴＤＩセンサ１１６による撮像中に補正されるべきである。

【0040】

［傾斜厚を有するＥＵＶ反射性エリア］
様々な個数の二重層を有する多層被覆（例．図５Ａ及び図５Ｂの多層被覆５００－１及び５００－２）の使用の変形例の一つが、テスト用フォトマスクの表面上に傾斜多層被覆を作成することである。各二重層における層間厚み比率を同一（即ち一定）に保ちつつ、この傾斜付けを行うことで、そのテスト用フォトマスクの表面の様々な領域に係る（平均）二重層厚に違いが現れる。傾斜多層被覆における二重層厚の違いはピーク反射率波長の違いに相当する。従って、波長及び入射角が同じであれば、二重層厚の違いにより反射率の違いがもたらされる。傾斜多層被覆の様々なエリアをＴＤＩセンサ１１６により（例．図４のオフ軸配置をアパーチャ４１２抜きで用い）撮像した場合、その被覆により反射されるＥＵＶ光の強度に（例．所与照明ＥＵＶ光円錐１０４の許で）違いが現れる。

【0041】

図７は、ある種の実施形態に係りテスト用フォトマスクの表面上にある傾斜多層被覆７００の断面図である。多層被覆７００は多層被覆３１６（図３）と同じ構造にすることができ、ある特定個数の二重層３１４（例．４０個の二重層３１４）を有している。ある種の実施形態では、ＭｏＳｉ二重層３１４（例．交番するＭｏ層３０４及びＳｉ層３０６双方）の厚みを、第１方向（例．ｘ方向）に沿い変化させる一方、その第１方向に対し垂直な第２方向（例．図７の紙面に対し垂直なｙ方向）に沿い均一にする。Ｓｉ層３０６・Ｍｏ層３０４間厚み比率は、多層被覆７００全体を通じ（例．図５Ａ及び図５Ｂの多層被覆５００－１及び５００－２に係るそれと同じ厚み比率で以て）一定に保たれる。

【0042】

傾斜多層被覆７００における二重層厚の変化は十分に小さいので、その厚みを、ＴＤＩセンサ１１６に係る視野（ＦＯＶ）（例．２００μｍ×２００μｍ）内では一定として扱うことができる。即ち、テスト用フォトマスクの表面上の所与領域に関しては、ＴＤＩセンサ１１６の画素毎に反射率（即ち強度スケーリングファクタ）が実質同値となる。傾斜多層被覆７００にて厚み変化により引き起こされる焦点オフセットは、ＴＤＩセンサ１１６による撮像中に補正されるべきである。

【0043】

［ＥＵＶ反射性エリアより上方にあり別々な厚みを有するＥＵＶアブソーバエリア］
もう一つのインサイチューＥＵＶ光強度制御技術は、テスト用フォトマスクの表面上の個別領域内で様々なアブソーバ厚の純粋アブソーバエリアを用いることである。それらアブソーバエリアをＥＵＶ反射性多層被覆より上方に配置する。図８Ａ及び図８Ｂは、ある種の実施形態に係りテスト用フォトマスクの表面上にある個別領域８００－１及び８００－２の断面図である。領域８００－１及び８００－２は個別ＥＵＶアブソーバエリア及び個別ＥＵＶ反射性多層被覆を有しており、各領域８００のＥＵＶアブソーバエリアがその領域８００のＥＵＶ反射性多層被覆エリアよりも上方に配置されている。ある種の実施形態では、領域８００－１及び８００－２のＥＵＶ反射性多層被覆が多層被覆３１６（図３）と同じ構造及び／又は層厚を有するもの、即ち一群のＭｏＳｉ二重層３１４が基板３０２上に配置されキャッピング層３０８により覆われたものとされる。Ｍｏ層３０４の厚みは２．８ｎｍ、Ｓｉ層３０６の厚みは４．２ｎｍ、キャッピング層３０８の厚みは２．５ｎｍとすることができる（厚みは図８Ａ及び図８Ｂではｚ方向沿いである）。各領域８００（例．領域８００－１及び８００－２の双方）を、同じ個数のＭｏＳｉ二重層３１４（例．４０個の二重層３１４、或いは４０～４５個の二重層３１４、或いは３５～４０個の二重層３１４）を有するものとすることができる。ＥＵＶアブソーバエリアはＥＵＶアブソーバライン３１８（図３）と同じ構造を有するもの、即ちＴａＢＮ層３１０がキャッピング層３０８よりも上方に配置され（例．２ｎｍの厚みを有する）ＴａＢＯキャッピング層３１２により覆われたものとすることができる。別々の領域８００ではＴａＢＮ層３１０の厚みが異なる。例えば、領域８００－２（図８Ｂ）におけるＴａＢＮ層３１０は領域８００－１（図８Ａ）におけるＴａＢＮ層３１０よりも厚い。ＴａＢＮ層３１０の厚みの違いにより構造全体の反射率が違ってくる。

【0044】

図９は、ある種の実施形態に従い図８Ａ及び図８Ｂの構造の反射率計算値９０４とＴａＢＮ層３１０の厚み９０２との関係を示す描線図９００である。図９の背景にある計算では、８．１５°の入射角を有する無偏向１３．５ｎｍ光、４０個のＭｏＳｉ二重層３１４、並びに固定厚のＴａＢＯキャッピング層３１２が仮定されている。図９に描かれている通り、この反射率曲線にはその変化周期が約７．２ｎｍ（≒λ／２）のエタロン効果が現れており、その反射率が、厚み９０２の増大につれ低下した後に幾ばくか上昇した上で再び低下している。表４は、正規化反射率（ＴａＢＮ層３１０抜きのＥＵＶ反射性多層被覆の反射率を基準として正規化されたもの）とＴａＢＮ層３１０の厚み９０２との関係をまとめたものである。

【0045】

【表4】

【0046】

（例．領域８００－１及び８００－２を初めとする）領域８００を有し、それが相異なる厚みの個別ＥＵＶアブソーバエリアを有するテスト用フォトマスクは、図４のオフ軸撮像配列にて、ＴＤＩセンサ１１６を校正するのに用いることができる。格子がなく従って照明ＥＵＶ光円錐１０４の回折がないので、そのオフ軸撮像配列からアパーチャ４１２を省略することができる。照明及び撮像向けに様々な領域を選択することで、ＴＤＩセンサ１１６に供給されるＥＵＶ光の強度を、校正向けに被制御的要領にて変化させることができる。アブソーバ厚の違いにより引き起こされる焦点オフセットは、ＴＤＩセンサ１１６を用い領域８００を撮像する際に補正されるべきである。

【0047】

［方法フローチャート］
図１０は、ある種の実施形態に係るＥＵＶフォトマスク検査ツール（例．図１１の検査ツール１１３０）の校正及び使用方法１０００を示すフローチャートである。本方法１０００では、複数個の別個パターン化領域を有するフォトマスク（例．図４のテスト用フォトマスク４００）をＴＤＩ検査ツール内にロードする（１００２）。ある種の実施形態では、そのフォトマスクが、ＥＵＶアブソーバライン及びＥＵＶ反射性多層被覆が交番する個別ラインスペース格子パターン（例．図２のラインスペース格子パターン２００や図３のラインスペース格子パターン３００）を呈する複数個の領域を有するものとされる（１００４）。それら個別ラインスペース格子パターンは、個々別々なアブソーバデューティ比（即ち格子ピッチに対するＥＵＶアブソーバライン幅の比）を有するものとされる。例えば、それら個別ラインスペース格子パターンを、個々別々なＥＵＶアブソーバライン幅を有する一方で同一の格子ピッチを有するものと、することができる。ある種の実施形態では、そのフォトマスクが、個別ＥＵＶ反射性多層被覆（例．図５Ａ及び図５Ｂの多層被覆５００－１及び５００－２）を有する複数個の領域を有するものとされる（１００６）。それら個別ＥＵＶ反射性多層被覆が、個々別々な個数の層（例．図５Ａ及び図５Ｂの個々別々な個数のＭｏＳｉ二重層３１４）を有するものとされる。ある種の実施形態では、前記複数個の別個パターン化領域により傾斜ＥＵＶ反射性多層被覆（例．図７の傾斜多層被覆７００）が構成される（１００８）。ある種の実施形態では、そのフォトマスクが、個別ＥＵＶアブソーバエリア及び個別ＥＵＶ反射性多層被覆を有する複数個の領域（例．図８Ａ及び図８Ｂの領域８００－１及び８００－２）を有するものとされる（１０１０）。それら個別ＥＵＶアブソーバエリアが、それら個別ＥＵＶ反射性多層被覆よりも上方に配置され、個々別々な厚みを有するものとされる。

【0048】

前記複数個の別個パターン化領域を、ＥＵＶ光ビーム（例．図４の照明ＥＵＶ光円錐１０４）（例．１３．５ｎｍ光であり例えば無偏向のもの）で以て順次照明し（１０１２）、ひいてはそのＥＵＶビームで以て各別個パターン化領域を照明する。それら複数個の別個パターン化領域のうちの個別の別個パターン化領域を照明しつつ、そのＴＤＩ検査ツール内のＴＤＩセンサ（例．図４のＴＤＩセンサ１１６）を用い当該個別の別個パターン化領域の個別撮像インスタンスを実行する（１０１２）。それら個別撮像インスタンスをフレーム撮像モードで実行してもよい。個別撮像インスタンスを実行しつつ、そのフォトマスクから集光されるＥＵＶ光の参照強度を、参照強度検出器（例．図４の参照強度検出器４１６）を用い計測する（１０１２）。

【0049】

ある種の実施形態（例．そのフォトマスクが、ＥＵＶアブソーバライン及びＥＵＶ反射性多層被覆が交番する個別ラインスペース格子パターンを伴う複数個の領域を有する（１００４）もの）では、そのフォトマスクから集光される光として０次回折ビーム（例．図４の０次ビーム４０６）を選択すべくアパーチャ（例．図４のアパーチャ４１２）を配置する。

【0050】

個別撮像インスタンスの結果とＥＵＶ光の参照強度計測値とに基づき、そのＴＤＩセンサの直線性を判別する（１０１４）。ある種の実施形態では、個別撮像インスタンスの結果と参照強度計測値とに基づき、ＴＤＩセンサの画素毎直線性が判別される（１０１６）。ＴＤＩセンサからの信号と参照強度検出器からの信号との画素毎比較を実行することで、その画素毎直線性を判別することができる。ある種の実施形態では、画素毎校正結果を積分する（例．そのＴＤＩセンサの全二次元画素アレイに係る校正結果をＴＤＩスキャン方向に沿い積分する）ことによって、その画素毎直線性に基づき、そのＴＤＩセンサに係るＴＤＩ積分強度直線性（例．スキャン平均化強度直線性）が判別される（１０１８）。

【0051】

ある種の実施形態では、前記複数個の別個パターン化領域を照明する際にＥＵＶビームがパルス化される（１０１２）。検査の途上でフォトマスクの動きに従い像が動くので、このパルス化に、そのＴＤＩセンサ内の画素サブセットを選択する効果を持たせることができる。この画素サブセットの直線性をステップ１０１４にて判別すればよい。

【0052】

本方法１０００では、この時点でＴＤＩセンサの校正が済み、ＴＤＩ検査ツールの使用準備が整う。生産用フォトマスク（例．作成済だがまだ半導体デバイスの製造に用いられていないレティクル）を、そのＴＤＩ検査ツールを用い検査する（１０２０）。この検査を実行することで、欠陥に関しその生産用フォトマスクを点検することができる。ＴＤＩセンサの直線性の判別結果に基づき、その生産用フォトマスクの検査結果を補正する（１０２２）。例えば、検査ステップ１０２０にて生成された画像を、ＴＤＩセンサの直線性の判別結果に基づき補正する。ＴＤＩセンサの校正が済んだ後に、ステップ１０２０及び１０２２を反復実行することで、複数枚の生産用フォトマスクを検査することができる。ステップ１００２～１０１４からなる校正プロセスを定期的に反復することで、そのＴＤＩ検査ツールの正確な動作を確保することができる。

【0053】

［システムブロック図］
図１１はある種の実施形態に係るフォトマスク検査システム１１００（即ちレティクル検査システム）のブロック図である。本フォトマスク検査システム１１００はＥＵＶフォトマスク検査ツール１１３０及びコンピュータシステムを有しており、後者は１個又は複数個のプロセッサ１１０２（例．ＣＰＵ）、ユーザインタフェース１１０６、メモリ１１１０、並びにそれら部材間を相互接続する通信バス（群）１１０４を有している。これに代え、そのコンピュータシステムを、１個又は複数個のネットワークを介しＥＵＶフォトマスク検査ツール１１３０と可通信結合させてもよい。そのコンピュータシステムが、更に、ＥＵＶフォトマスク検査ツール１１３０及び／又はリモートコンピュータシステムとの通信用に、１個又は複数個のネットワークインタフェース（有線及び／又は無線、図示せず）を有していてもよい。

【0054】

ある種の実施形態によれば、フォトマスク検査システム１１００を、図４のオフ軸撮像を実行するよう構成することができる。アパーチャ４１２を検査ツール１１３０内に（例．恒久的に又は校正のため一時的に）実装することができる。参照強度検出器４１６を検査ツール１１３０内に（例．校正のため一時的に）実装することができる。テスト用フォトマスクを検査ツール１１３０内にロードして校正を実行することができる。生産用フォトマスクを校正済検査ツール１１３０内にロードし検査に供することができる。

【0055】

ユーザインタフェース１１０６のなかに、ディスプレイ１１０７と、１個又は複数個の入力デバイス１１０８（例．キーボード、マウス、ディスプレイ１１０７の接触感知面等々）とを含めることができる。ディスプレイ１１０７により方法１０００（図１０）の結果を表示することができる。

【0056】

メモリ１１１０には揮発性及び／又は不揮発性メモリが含まれる。メモリ１１１０（例．メモリ１１１０内不揮発性メモリ）には非一時的コンピュータ可読格納媒体が含まれる。メモリ１１１０には、オプション的に、プロセッサ１１０２から見てリモート配置されている１個又は複数個の格納デバイス、及び／又は、システム１１００内に挿抜される非一時的コンピュータ可読格納媒体が含まれる。ある種の実施形態では、メモリ１１１０（例．メモリ１１１０のうち非一時的コンピュータ可読格納媒体）に、以下のモジュール及びデータ或いはそのサブセット又はスーパセットが格納される：様々な基本システムサービスをハンドリングしハードウェア依存タスクを実行する手順が組み込まれたオペレーティングシステム１１１２、パターン化テスト用フォトマスク（例．図２、図３、図５Ａ、図５Ｂ、図７、図８Ａ及び／又は図８Ｂに従いパターン化されたもの）（例．図４のテスト用フォトマスク４００）を用い検査ツール１１３０を校正するための校正モジュール１１１４、フォトマスクを検査するためのＴＤＩ検査モジュール１１１６、校正を通じ判別されたＴＤＩセンサ直線性に基づき検査結果（例．画像）を補正するための結果補正モジュール１１１８、並びに校正及び／又は検査結果を通知するための通知モジュール１１２０である。メモリ１１１０（例．メモリ１１１０のうちの非一時的コンピュータ可読格納媒体）には、従って、方法１０００（図１０）の全体又は一部分を実行するための命令群が組み込まれる。

【0057】

メモリ１１１０に格納されている各モジュールは、本願記載の機能１個又は複数個を実行するための命令の集合に相当する。別々のモジュールが別々のソフトウェアプログラムとして実施される必要はない。諸モジュール及びそれらモジュールの様々なサブセットを組み合わせる等、再構成してもよい。ある種の実施形態では、メモリ１１１０に、上述したモジュール及び／又はデータ構造のサブセット又はスーパセットが格納される。

【0058】

図１１は、構造的概要よりは、フォトマスク検査システム内に現れうる様々な特徴の機能的記述の方を意図している。例えば、フォトマスク検査システム１１００内コンピュータシステムの機能を、複数個のデバイス間で分担してもよい。メモリ１１１０内に格納されているモジュールのうち一部分を、そうするのに代えて、１個又は複数個のネットワークを介しフォトマスク検査システム１１００のコンピュータシステムと可通信結合されている他の１個又は複数個のコンピュータシステム内に、格納してもよい。

【0059】

以上の記述は説明目的のものであり、具体的諸実施形態を参照して記述されている。とはいえ、上掲の例証的議論は、開示されている諸形態そのものに諸請求項の技術的範囲を限定することや排他することを意図するものではない。上掲の教示に鑑み多様な修正及び改変をなすことができる。それら実施形態が選択されたのは諸請求項の下地をなす諸原理及びそれらの実際的用途を最もよく説明することで、いわゆる当業者が諸実施形態を、想定されている具体的用途に見合う様々な改変付で、最もよく用いうるようにするためである。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5A】

【図5B】

【図6】

【図7】

【図8A】

【図8B】

【図9】

【図10】

【図11】