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公報番号 | 発明の名称(クリックすると公報を新しいウィンドウで開きます) | 公報発行日 | 備考 |
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特許 7579408 | 高アスペクト比構造の測定のための中赤外分光法及びシステム | 2024年11月 7日 | |
特許 7577162 | 電子ビームエミッタの動作方法 | 2024年11月 1日 | |
特許 7576635 | 光学対物レンズを回転させるための装置および方法 | 2024年10月31日 | |
特許 7573618 | 厚膜フォトレジスト層計測ターゲット | 2024年10月25日 | |
特許 7573656 | 対角回折ベースのオーバーレイターゲットを測定するための計測システムおよび方法 | 2024年10月25日 | |
特許 7571274 | モアレ効果を呈するデバイス様オーバレイ計量ターゲット | 2024年10月22日 | |
特許 7570434 | 埋込計量ターゲット用撮像システム | 2024年10月21日 | |
特許 7570470 | ランプハウス補正を備えるプラズマ源のシステム | 2024年10月21日 | |
特許 7570527 | デュアルアパーチャ方式の高解像度電子ビーム装置 | 2024年10月21日 | |
特許 7569938 | オンザフライ散乱計測オーバーレイ計測ターゲット | 2024年10月18日 | |
特許 7569379 | ウェーハモデルを使用するウェーハ露光方法及びウェーハ製造アセンブリ | 2024年10月17日 | |
特許 7568639 | 設定可能焦点オフセットによって試料表面を追跡するための自動焦点調節システム | 2024年10月16日 | |
特許 7561793 | 半導体試料内の瑕疵を検出又は精査するシステム | 2024年10月 4日 | |
特許 7561882 | 半導体製造プロセスで使用される敏感な層の試料損傷を防いで走査型電子顕微鏡撮像を可能にする方法 | 2024年10月 4日 | |
特許 7557546 | 試験サンプルの温度変調特性の測定 | 2024年 9月27日 |
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7579408 7577162 7576635 7573618 7573656 7571274 7570434 7570470 7570527 7569938 7569379 7568639 7561793 7561882 7557546
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