特開 2024-150253 ウェーハの研削方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024150253

(43)【公開日】2024-10-23

(54)【発明の名称】ウェーハの研削方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20241016BHJP

   B24B 7/04 20060101ALI20241016BHJP

   B24B 41/06 20120101ALI20241016BHJP

   B24B 57/02 20060101ALI20241016BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 631

B24B7/04 A

B24B41/06 L

B24B57/02

【審査請求】未請求

【請求項の数】1

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023063577

(22)【出願日】2023-04-10

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110001014

【氏名又は名称】弁理士法人東京アルパ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】竹之内 研二

(72)【発明者】

【氏名】國分 光胤

(72)【発明者】

【氏名】寺本 政由志

(72)【発明者】

【氏名】國本 公一

【テーマコード（参考）】

3C034

3C043

3C047

5F057

【Ｆターム（参考）】

3C034AA08

3C034BB73

3C034DD10

3C043BA03

3C043CC04

3C043DD02

3C043DD04

3C043DD05

3C047FF04

3C047GG00

5F057AA05

5F057BA15

5F057CA14

5F057DA11

5F057EC15

5F057FA42

(57)【要約】

【課題】ウェーハの被研削面へのスクラッチの形成を抑制し、該ウェーハの分割によって得られるチップの抗折強度の低下を防ぐことができるウェーハの研削方法を提供すること。
【解決手段】表面にデバイスＤが形成されたウェーハＷの裏面を研削砥石２５ｂ，３５ｂで研削するウェーハＷの研削方法は、ウェーハＷの表面全面を保護テープ（保護部材）Ｔで覆う保護部材形成工程と、該保護テープＴを介してチャックテーブル１０にウェーハＷを保持させる保持工程と、界面活性剤を含む研削水を研削砥石２５ｂ，３５，とウェーハＷとに供給し，該研削砥石２５ｂ，３５ｂでウェーハＷの裏面を研削する研削工程（粗研削工程と仕上げ研削工程）とを経てウェーハＷの裏面を研削する。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面を研削砥石で研削するウェーハの研削方法であって、
ウェーハの表面全面を保護部材で覆う保護部材形成工程と、
該保護部材を介してチャックテーブルに該ウェーハを保持させる保持工程と、
界面活性剤を含む研削水を該研削砥石と該ウェーハとに供給し該研削砥石で該ウェーハの裏面を研削する研削工程と、
からなる、ウェーハの研削方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チャックテーブルに保持されたウェーハの研削方法に関する。

【背景技術】

【0002】

例えば、パーソナルコンピュータ（パソコン）やスマートフォン（スマホ）などの各種電子機器に対して小型・薄型化が要求されていることから、これらの電子機器に用いられている半導体デバイスも小型・薄型化される傾向にある。すなわち、半導体デバイスの製造工程においては、円板状の半導体ウェーハ（以下、単に「ウェーハ」と称する）の表面が格子状に配列されたストリートと称される分割予定ラインによって多数の矩形領域に区画されており、各矩形領域にＩＣやＬＳＩなどのデバイスがそれぞれ形成される。このように多数のデバイスが形成されたウェーハを分割予定ラインに沿って切断することによって、複数の半導体チップが形成されている。

【0003】

そして、個々の半導体チップの小型化と薄型化を図るため、通常、ウェーハを分割予定ラインに沿って切断する前に該ウェーハの裏面（デバイスが形成された面とは反対側の面）が研削されている。このウェーハの研削は、高速回転する研削砥石をウェーハの裏面に押し当てることによってなされるが、この研削時には、ウェーハと研削砥石との接触領域（研削領域）に研削水が供給され、この研削水によって接触領域（研削領域）を冷却するとともに、研削屑を除去している（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００９－１４１１７６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、ウェーハの研削によって発生する研削屑には、研削砥石から脱落した砥粒が含まれており、この脱落した砥粒が研削中のウェーハの被研削面（裏面）と研削砥石の下面（研削面）との間に侵入した場合、ウェーハの被研削面に、研削砥石によって形成される研削痕よりも深い傷であるスクラッチが形成されることがある。そして、このスクラッチは、研削後にウェーハを分割して得られるチップの抗折強度を低下させる原因となる。

【0006】

本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的は、ウェーハの被研削面へのスクラッチの形成を抑制し、該ウェーハの分割によって得られるチップの抗折強度の低下を防ぐことができるウェーハの研削方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記課題を解決するための本発明は、表面にデバイスが形成されたウェーハの裏面を研削砥石で研削するウェーハの研削方法であって、ウェーハの表面全面を保護部材で覆う保護部材形成工程と、該保護部材を介してチャックテーブルに該ウェーハを保持させる保持工程と、界面活性剤を含む研削水を該研削砥石と該ウェーハとに供給し該研削砥石で該ウェーハの裏面を研削する研削工程と、を含むことを特徴とする。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、保持工程において保護部材を介してチャックテーブルに保持されたウェーハの裏面を研削工程において研削する際、界面活性剤を含む研削水を研削砥石とウェーハとに供給するようにしたため、研削加工中に研削砥石から脱落した砥粒が界面活性剤の作用によって研削水から分離除去される。このため、研削砥石の下面（研削面）とウェーハの裏面（被研削面）との間への砥粒の侵入が防がれ、砥粒によるウェーハの裏面へのスクラッチの形成が抑制される。この結果、研削されたウェーハを分割して得られるチップの抗折強度の低下が防がれる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】本発明に係るウェーハの研削方法を実施するための研削装置の一部を破断して示す斜視図である。

【図2】ウェーハの斜視図である。

【図3】本発明に係るウェーハの研削方法における保護部材形成工程を示す図であって、（ａ）はウェーハと保護テープの分解斜視図、（ｂ）は保護テープが貼着されたウェーハの斜視図である。

【図4】本発明に係るウェーハの研削方法の保持工程と研削工程（粗研削工程）を示す部分側断面図である。

【図5】本発明に係るウェーハの研削方法の研削工程（粗研削工程）におけるウェーハと研削砥石との関係を示す平面図である。

【図6】本発明に係るウェーハの研削方法の研削工程（粗研削工程）を示す部分斜視図である。

【図7】本発明に係るウェーハの研削方法の保持工程と研削工程（仕上げ研削工程）を示す部分側断面図である。

【図8】本発明に係るウェーハの研削方法の研削工程（仕上げ研削工程）におけるウェーハと研削砥石との関係を示す平面図である。

【図9】本発明に係るウェーハの研削方法の研削工程（仕上げ研削工程）を示す部分斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。

【0011】

［研削装置の構成］
まず、本発明に係る研削方法を実施するための研削装置の構成を図１に基づいて説明する。なお、以下の説明においては、図１に示す矢印方向をそれぞれＸ軸方向（左右方向）、Ｙ軸方向（前後方向）、Ｚ軸方向（上下方向）とする。

【0012】

図１に示す研削装置１は、被加工物である円板状のウェーハＷ（図２及び図３参照）を研削する装置であって、回転可能な円盤状のターンテーブル２上に配置された３つのチャックテーブル１０と、チャックテーブル１０上に保持されたウェーハＷを研削する研削ユニットである粗研削ユニット２０及び仕上げ研削ユニット３０と、チャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの研削領域に研削水を供給する研削水供給ユニット４０を主要な構成要素として備えている。ここで、ウェーハＷは、図２に示すように、その表面（図２においては、上面）が格子状に配列された互いに直交するストリートと称される分割予定ラインＬ１，Ｌ２によって多数の矩形領域に区画されており、各矩形領域にはＩＣやＬＳＩなどのデバイスＤがそれぞれ形成されている。そして、このように多数のデバイスＤが形成されたウェーハＷの表面には、デバイスＤを保護するための保護テープＴが貼着されており、ウェーハＷを分割予定ラインＬ１，Ｌ２に沿って切削することによって複数の半導体チップが得られる。

【0013】

なお、研削装置１には、その他の構成要素として、研削加工中のウェーハＷの厚みを測定する厚み測定器５１，５２と、研削加工されたウェーハＷを洗浄する洗浄ユニット５０と、研削加工前の複数のウェーハＷを収納するカセット８１と、研削加工後のウェーハＷを収納するカセット８２と、カセット８１から取り出したウェーハＷを位置合わせする位置合わせテーブル８３と、カセット８１，８２に対してウェーハＷを出し入れするとともに、カセット８１から取り出したウェーハＷを位置合わせテーブル８３へと搬送する搬出入ロボット８４と、位置合わせテーブル８３において位置合わせされたウェーハＷをウェーハ搬出入領域Ｒ１に位置するチャックテーブル１０へと搬送する第１搬送手段８５と、仕上げ研削領域Ｒ３において仕上げ研削されたウェーハＷをチャックテーブル１０から取り外して洗浄ユニット５０へと搬送する第２搬送手段９０などが備えられているが、これらについての詳細な説明は省略する。

【0014】

ここで、研削装置１の主要な構成要素であるチャックテーブル１０、粗研削ユニット２０と仕上げ研削ユニット３０及び研削水供給ユニット４０の構成についてそれぞれ説明する。

【0015】

（チャックテーブル）
３つのチャックテーブル１０は、円板状の部材であって、Ｚ軸方向に垂直な中心軸回りに間欠的に回転するターンテーブル２上に周方向に等角度ピッチ（１２０°ピッチ）で配置されている。そして、これらのチャックテーブル１０は、ターンテーブル２の間欠的な回転によって該ターンテーブル２のＺ軸方向に垂直な軸中心回りに角度１２０°ずつ公転してウェーハ搬出入領域Ｒ１と粗研削領域Ｒ２及び仕上げ研削領域Ｒ３の間を順次移動するとともに、不図示の回転機構によって軸中心回りに所定の速度で回転（自転）することができる。

【0016】

ここで、各チャックテーブル１０は、図４に示すように、多孔質のセラミックなどで構成された円板状のポーラス部材１０Ａが中央部にそれぞれ組み込まれており、各ポーラス部材１０Ａの上面は、円板状のウェーハＷを吸引保持する保持面１０ａを構成している。そして、各チャックテーブル１０のポーラス部材１０Ａは、後述するように、真空ポンプなどの吸引源１１（図４参照）に選択的に接続される。

【0017】

（粗研削ユニットと仕上げ研削ユニット）
本実施形態に係る研削装置１は、粗研削ユニット２０と仕上げ研削ユニット３０を備えており、これらの粗研削ユニット２０と仕上げ研削ユニット３０は、図１に示すように、Ｙ軸方向（前後方向）に長い矩形ボックス状のベース２００の＋Ｙ軸方向端部（後端部）にＸ軸方向（左右方向）に並設される状態で垂直に配置されている。ここで、粗研削ユニット２０は、粗研削領域Ｒ２に位置するチャックテーブル１０の保持面１０ａに保持されたウェーハＷの裏面（図４においては、上面）を粗研削するユニットであり、仕上げ研削ユニット３０は、仕上げ研削領域Ｒ３に位置するチャックテーブル１０の保持面１０ａに保持されたウェーハＷの裏面（図７においては、上面）を仕上げ研削するユニットであって、両者の基本構成は同じである。

【0018】

すなわち、粗研削ユニット２０は、ホルダ２１に固定されたスピンドルモータ２２と、該スピンドルモータ２２によって回転駆動されるスピンドル２３と、該スピンドル２３の下端に取り付けられた円板状のマウント２４と、該マウント２４の下面に着脱可能に装着された研削ホイール２５とを備えている。ここで、研削ホイール２５は、円板状の基台２５ａと、該基台２５ａの下面に円環状に取り付けられた複数の研削砥石２５ｂによって構成されている。

【0019】

また、仕上げ研削ユニット３０も粗研削ユニット２０と同様に、ホルダ３１に固定されたスピンドルモータ３２と、該スピンドルモータ３２によって回転駆動されるスピンドル３３と、該スピンドル３３の下端に取り付けられた円板状のマウント３４と、該マウント３４の下面に着脱可能に装着された研削ホイール３５とを備えている。ここで、研削ホイール３５は、円板状の基台３５ａと、該基台３５ａの下面に円環状に取り付けられた複数の研削砥石３５ｂによって構成されているが、これらの研削砥石３５ｂは、粗研削ユニット２０の研削砥石２５ｂよりも細かい砥粒によって構成されている。

【0020】

ところで、粗研削ユニット２０と仕上げ研削ユニット３０は、ベース２００の＋Ｙ軸方向端部（後端部）にＸ軸方向（左右方向）に沿って垂直に立設された一対のブロック状のコラム１０１の各－Ｙ軸方向端面（前面）にそれぞれ設けられた昇降機構３によって昇降可能に支持されている。ここで、両昇降機構３の構成は同じであるため、以下、対応する構成要素には同一符号を付して説明する。

【0021】

各昇降機構３は、粗研削ユニット２０と仕上げ研削ユニット３０をそれぞれ独立にＺ軸方向（上下方向）に沿って昇降動させるものであって、矩形プレート状の昇降板４と、該昇降板４の昇降動をガイドするためのガイドレール５をそれぞれ備えている。ここで、各昇降板４には、粗研削ユニット２０と仕上げ研削ユニット３０がそれぞれ取り付けられている。また、ガイドレール５は、コラム１０１の前面に垂直に配設されている。

【0022】

そして、各ガイドレール５の横には、回転可能なボールネジ６がＺ軸方向（上下方向）に沿って垂直に立設されており、該ボールネジ６の上端は、駆動源である正逆転可能なサーボモータ７に連結されている。また、ボールネジ６の下端は、不図示の軸受によってコラム１０１に回転可能に支持されており、このボールネジ６には、昇降板４の背面に後方（＋Ｙ軸方向）に向かって水平に突設された不図示のナット部材が螺合している。

【0023】

したがって、以上のように構成された各昇降機構３のサーボモータ７を起動して各ボールネジ６を正逆転させると、各ボールネジ６に螺合する不図示のナット部材が突設された各昇降板４がガイドレール５に沿って昇降するため、該昇降板４に取り付けられた粗研削ユニット２０と仕上げ研削ユニット３０もそれぞれＺ軸方向（上下方向）に沿って互いに独立して昇降動する。

【0024】

（研削水供給ユニット）
研削水供給ユニット４０は、図１に示すように、研削加工中に粗研削ユニット２０の研削砥石２５ｂとウェーハＷとの接触領域（研削領域）に界面活性剤を含んだ研削水を供給するものであって、研削水供給源４１を備えている。ここで、研削水供給源４１には、純水供給源４３と界面活性剤供給源４４が接続されており、純水供給源４３から研削水供給源４１へと供給される純水に界面活性剤供給源４４から供給される界面活性剤が研削水供給源４１に混合されることによって、研削水供給源４１において界面活性剤を含む研削水が生成される。なお、本実施形態においては、研削水に含まれる界面活性剤の濃度は、０．１％程度の設定されている。

【0025】

上記研削水供給源４１からは配管４２が延びており、この配管４２からは２つの分岐管４２ａ，４２ｂが分岐している。そして、各分岐管４２ａ，４２ｂは、粗研削ユニット２０と仕上げ研削ユニット３０の各スピンドルモータ２２，３２の軸中心部に形成された不図示の供給路にそれぞれ接続されており、これらの分岐管４２ａ，４２ｂの途中には、開閉弁Ｖ１，Ｖ２がそれぞれ設けられている。なお、図示しないが、粗研削ユニット２０と仕上げ研削ユニット３０の各スピンドルモータ２２，３２の軸中心部に形成された不図示の供給路は、粗研削ユニット２０と仕上げ研削ユニット３０の各スピンドル２３，３３とマウント２４，３４及び研削ホイール２５，３５に形成された不図示の供給路に連通しており、開閉弁Ｖ１，Ｖ２の開閉を切り替えることによって、界面活性剤を含む研削水が研削加工中の粗研削ユニット２０または仕上げ研削ユニット３０の研削砥石２５ｂ，３５ｂとウェーハＷとの接触領域（研削領域）に選択的に供給される。

【0026】

［ウェーハの研削方法］
次に、以上のように構成された研削装置１において実施される本発明に係るウェーハＷの研削方法について説明する。

【0027】

本発明に係るウェーハＷの研削方法は、
１） 保護部材形成工程
２） 保持工程
３） 研削工程
を経てウェーハＷの裏面を研削する方法である。以下、各工程についてそれぞれ説明する。

【0028】

１） 保護部材形成工程：
保護部材形成工程は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、ウェーハＷの表面（図３においては、下面）に保護部材である保護テープＴを貼着する工程である。すなわち、図３（ａ）に示すように、複数のデバイスＤが形成されたウェーハＷの表面（図３（ａ）においては、上面）に薄い円形の保護テープＴを貼着すれば、図３（ｂ）に示すように、ウェーハＷの表面（図３（ｂ）においては、下面）に形成された複数のデバイスＤ（図３（ａ）参照）が保護テープＴによって保護される。

【0029】

２） 保持工程：
保持工程は、前記保護部材形成工程によって表面に保護テープＴが貼着されたウェーハＷを、図４に示すように、保護テープＴを下にしてチャックテーブル１０の保持面１０ａに保持させる工程であり、この保持工程においては、チャックテーブル１０のポーラス部材１０Ａが図４に示す吸引源１１に接続される。すると、吸引源１１によってポーラス部材１０Ａが真空引きされて該ポーラス部材１０Ａに負圧が発生し、この負圧に引かれてウェーハＷが図４に示すようにチャックテーブル１０の保持面１０ａに保護テープＴと共に吸引保持される。

【0030】

３） 研削工程：
研削工程は、図４～図６に示すように、チャックテーブル１０の保持面１０ａに保持されたウェーハＷの裏面（図４においては、上面）を粗研削する粗研削工程と、図７～図９に示すように、チャックテーブル１０の保持面１０ａに保持されたウェーハＷの裏面（図７においては、上面）を仕上げ研削する仕上げ研削工程が含まれ、以下、これらの粗研削工程と仕上げ研削工程について説明する。

【0031】

３－１）粗研削工程：
粗研削工程は、前述のように、チャックテーブル１０の保持面１０ａに保持されたウェーハＷの裏面を粗研削する工程であるが、図４に示すように、チャックテーブル１０の保持面１０ａは、中心を頂点として径方向外方に向かって下方に傾斜する円錐面として構成されており、チャックテーブル１０は、中心を通る垂直な軸心を中心として図示矢印方向に回転駆動される。これに対して、粗研削ユニット２０のスピンドル２３と研削ホイール２５は、チャックテーブル１０の保持面１０ａ（半径エリア）と平行になるように不図示の傾き調整機構によって傾きが調整され、図１に示すスピンドルモータ２２によって図示矢印方向に回転駆動される。

【0032】

而して、粗研削ユニット２０によってウェーハＷの裏面（図４においては、上面）を粗研削するには、チャックテーブル１０の保持面１０ａに保持されたウェーハＷの中心に研削砥石２５ｂの外接円が通るように位置決めされる。

【0033】

上記状態から、図１に示す昇降機構３によって研削砥石２５ｂが－Ｚ軸方向に下降すると、該研削砥石２５ｂの下面（研削面）がウェーハＷの裏面（上面）に接触しながら回転するため、該ウェーハＷの裏面（上面）が粗研削される。ここで、研削砥石２５ｂの回転軌跡を図５においてＣ１にて示すが、この研削砥石２５ｂは、ウェーハＷの裏面に図５に示す円弧状の領域Ｓ１において接触して該ウェーハＷの裏面（上面）を全面に亘って粗研削する。そして、研削砥石２５ｂによるウェーハＷの裏面（上面）が粗研削されると、図６に示すように、ウェーハＷの裏面（上面）には、該ウェーハＷの中心から周縁部に向かう円弧状の複数の研削痕ｒ１が放射状に形成される。

【0034】

而して、ウェーハＷの粗研削時には、図１に示す研削水供給ユニット４０の研削水供給源４１から界面活性剤を含んだ研削水が粗研削ユニット２０の研削砥石２５ｂとウェーハＷとの接触領域（研削領域）Ｓ１（図５参照）に供給される。すなわち、一方の開閉弁Ｖ２が閉じられた状態で、他方の開閉弁Ｖ１か開かれると、界面活性剤を含んだ研削水が研削水供給源４１から配管４２と分岐管４２ａ及び粗研削ユニット２０のスピンドルモータ２２やスピンドル２３などの軸中心に形成された不図示の供給路を通って研削砥石２５ｂとウェーハＷとの接触領域（研削領域）Ｓ１に供給され、該接触領域（研削領域）Ｓ１の冷却と洗浄に供される。なお、研削水に含まれる界面活性剤の濃度は、０．１％に限らず、０．０１％～０．２％の範囲において任意である。なお、粗研削の場合には、研削砥石２５ｂの砥粒の大きさに比例して排出される研削屑が大きくウェーハＷに付着しにくいため、界面活性剤の濃度は、０．０１％にしてもよい。

【0035】

また、粗研削ユニット２０の研削砥石２５ｂによるウェーハＷの粗研削加工中においては、ウェーハＷの厚みが図１に示す厚み測定器５１によって測定され、この厚み測定器５１によって測定されるウェーハＷの厚みが目標とする厚みに達するまでウェーハＷの粗研削が継続される。そして、ウェーハＷの研削量が所定値に達したために粗研削が終了すると、図１に示すターンテーブル２が矢印方向に角度１２０°だけ回転するため、チャックテーブル１０も同角度だけ公転して粗研削領域Ｒ２から仕上げ研削領域Ｒ３へと移動する。そして、この仕上げ研削領域Ｒ３へと移動したチャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの裏面（上面）が仕上げ研削ユニット３０によって粗研削と同様になされる。

【0036】

３－２）仕上げ研削工程：
仕上げ研削工程は、前述のように、チャックテーブル１０の保持面１０ａに保持されたウェーハＷの裏面を仕上げ研削する工程であるが、図７に示すように、チャックテーブル１０の保持面１０ａは、中心を通る垂直な軸心を中心として図示矢印方向に回転駆動される。これに対して、粗研削ユニット２０のスピンドル２３と研削ホイール３５は、チャックテーブル１０の保持面１０ａ（半径エリア）と平行になるように不図示の傾き調整機構によって傾きが調整され、図１に示すスピンドルモータ３２によって図示矢印方向に回転駆動される。

【0037】

而して、仕上げ研削ユニット３０によってウェーハＷの裏面（図７においては、上面）を仕上げ研削するには、チャックテーブル１０の保持面１０ａに保持されたウェーハＷの中心に研削砥石３５ｂの外接円が通るように位置決めされる。

【0038】

上記状態から、図１に示す昇降機構３によって研削砥石３５ｂが－Ｚ軸方向に下降すると、該研削砥石３５ｂの下面（研削面）がウェーハＷの裏面（上面）に接触しながら回転するため、該ウェーハＷの裏面（上面）が仕上げ研削される。ここで、研削砥石３５ｂの回転軌跡を図８においてＣ２にて示すが、この研削砥石３５ｂは、ウェーハＷの裏面に図８に示す円弧状の領域Ｓ２において接触して該ウェーハＷの裏面（上面）を全面に亘って仕上げ研削する。そして、研削砥石３５ｂによるウェーハＷの裏面（上面）が仕上げ研削されると、図９に示すように、ウェーハＷの裏面（上面）には、粗研削工程においてウェーハＷの裏面（上面）に形成された研削痕ｒ１（６参照）とは向きが反対の円弧状の複数の研削痕ｒ２が形成される。つまり、粗研削によって形成された研削痕ｒ１に交差すると仕上げ研削が開始されることによって研削痕ｒ１に交差する研削痕ｒ２が形成され、ウェーハＷの裏面（上面）が研削痕ｒ２のみ形成された状態になって仕上げ研削を完了させる。

【0039】

而して、ウェーハＷの仕上げ研削時には、図１に示す研削水供給ユニット４０の研削水供給源４１から界面活性剤を含んだ研削水が仕上げ研削ユニット３０の研削砥石３５ｂとウェーハＷとの接触領域（研削領域）Ｓ２（図８参照）に供給される。すなわち、一方の開閉弁Ｖ１が閉じられた状態で、他方の開閉弁Ｖ２か開かれると、界面活性剤を含んだ研削水が研削水供給源４１から配管４２と分岐管４２ｂ及び仕上げ研削ユニット３０のスピンドルモータ３２やスピンドル３３などの軸中心に形成された不図示の供給路を通って研削砥石３５ｂとウェーハＷとの接触領域（研削領域）Ｓ２に供給され、該接触領域（研削領域）Ｓ２の冷却と洗浄に供される。なお、仕上げ研削においても、研削水に含まれる界面活性剤の濃度は、０．１％に設定されているが、研削水に含まれる界面活性剤の濃度は、０．１％に限らず０．０１％～０．２％の範囲において任意である。なお、仕上げ研削の場合には、研削砥石３５ｂの砥粒の大きさが粗研削に使用される研削砥石２５ｂの砥粒よりも小さいので、その研削砥石３５ｂの砥粒の大きさに比例して排出される研削屑は小さくウェーハＷに付着しやすいため、界面活性剤の濃度は、０．２％にしてもよい。

【0040】

また、仕上げ研削ユニット３０の研削砥石３５ｂによるウェーハＷの仕上げ研削加工中においては、ウェーハＷの厚みが図１に示す厚み測定器５２によって測定され、この厚み測定器５２によって測定されるウェーハＷの厚みが目標とする厚みに達するまでウェーハＷの仕上げ研削が継続される。そして、ウェーハＷの研削量が所定値に達したために仕上げ研削が終了すると、図１に示すターンテーブル２が矢印方向に角度１２０°だけ回転するため、チャックテーブル１０も同角度だけ公転して仕上げ研削領域Ｒ３からウェーハ搬出入領域Ｒ１へと移動する。そして、このウェーハ搬出入領域Ｒ１へと移動したチャックテーブル１０に保持されたウェーハＷが第２搬送手段９０によって保持されて図１に示す洗浄ユニット５０へと搬送される。

【0041】

洗浄ユニット５０へと搬送されたウェーハＷは、洗浄ユニット５０のスピンナテーブル５３上に保持されて該スピンナテーブル５３と共に回転するとともに、洗浄水噴射ノズル５４からの洗浄水の噴射によって被研削面（上面）が洗浄される。そして、被研削面が洗浄されたウェーハＷは、搬出入ロボット８４によって保持されてカセット８２へと搬送され、該カセット８２内に収納されることによって、ウェーハＷに対する一連の研削加工が終了する。

【0042】

以上のように、本発明に係るウェーハＷの研削方法においては、保持工程において保護テープＴを介してチャックテーブル１０に保持されたウェーハＷの裏面を研削工程（粗研削工程と仕上げ研削工程）において研削する際、界面活性剤を含んだ研削水を研削砥石２５ｂ，３５ｂとウェーハＷとの接触領域（研削領域）Ｓ１，Ｓ２（図５及び図８参照）に供給するようにしたため、研削加工中に研削砥石２５ｂ，３５ｂから脱落した砥粒が界面活性剤の作用によって研削水から分離除去される。このため、研削砥石２５ｂ，３５ｂの下面（研削面）とウェーハＷの裏面（被研削面）との間への砥粒の侵入が防がれ、砥粒によるウェーハＷの裏面へのスクラッチの形成が抑制される。この結果、研削されたウェーハＷを分割して得られるチップの抗折強度の低下が防がれるという効果が得られる。また、研削後のウェーハＷの裏面（被研削面）に研削屑（パーティクル）の付着を低減させることができる。これにより、チャックテーブル１０に保持された状態でのウェーハＷの洗浄を短時間に完了することができる。

【0043】

なお、以上の実施の形態に係る研削装置１においては、研削水を粗研削ユニット２０と仕上げ研削ユニット３０の各軸中心からウェーハＷに向けてそれぞれ供給する方式を採用したが、チャックテーブル１０の側部に配置された洗浄水噴射ノズルからウェーハＷに向けて研削水を側方から供給する方式を採用することもできる。ここで、洗浄水噴射ノズルは、研削ホイールの内側に配置され研削砥石の内側面に研削水を噴射する内部ノズル、または研削ホイールの外側に配置され研削砥石の外側面に研削水を噴射する外部ノズルであって、どちらか一方、または、両方を備えていてもよい。

【0044】

また、研削装置１は、粗研削ユニット２０、仕上げ研削ユニット３０のどちらか一方のみを備える構成でもよい。さらに、研削装置１は、研削ユニットとチャックテーブルとを各々一つ備える構成でもよい。

【0045】

その他、本発明は、以上説明した実施の形態に適用が限定されるものではなく、特許請求の範囲及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内で種々の変形が可能であることは勿論である。

【符号の説明】

【0046】

１：研削装置、２：ターンテーブル、３：昇降機構、４：昇降板、５：ガイドレール、６：ボールネジ、７：サーボモータ、１０：チャックテーブル、１０Ａ：ポーラス部材、１０ａ：保持面、１１：吸引源、２０：粗研削ユニット、２１：ホルダ、
２２：スピンドルモータ、２３：スピンドル、２４：マウント、２５：研削ホイール、
２５ａ：基台、２５ｂ：研削砥石、３０：仕上げ研削ユニット、３１：ホルダ、
３２：スピンドルモータ、３３：スピンドル、３４：マウント、３５：研削ホイール、
３５ａ：基台、３５ｂ：研削砥石、４０：研削水供給ユニット、４１：研削水供給源、
４２：配管、４２ａ，４２ｂ：分岐管、４３：純水供給源、４４：界面活性剤供給源、
５０：洗浄ユニット、５１，５２：厚み測定器、５３：スピンナテーブル、
５４：洗浄水噴射ノズル、６０：テープマウンタ、６１：
８１，８２：カセット、８３：位置合わせテーブル、８４：搬出入ロボット、
８５：第１搬送手段、９０：第２搬送手段、１００：ベース、１０１：コラム、
Ｃ１：粗研削時の研削砥石の回転軌跡、Ｃ２：仕上げ研削時の研削砥石の回転軌跡、
Ｄ：デバイス、Ｌ１，Ｌ２：分割予定ライン、Ｒ１：ウェーハ搬出入領域、
Ｒ２：粗研削領域、Ｒ３：仕上げ研削領域、ｒ１：粗研削の研削痕、
ｒ２：仕上げ研削時の研削痕、Ｓ１：粗研削時の研削砥石の接触領域、
Ｓ２：仕上げ研削時の研削砥石の接触領域、Ｔ：保護テープ（保護部材）、
Ｖ１，Ｖ２：開閉弁、Ｗ：ウェーハ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】