特開 2024-151076 ウエーハの加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024151076

(43)【公開日】2024-10-24

(54)【発明の名称】ウエーハの加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20241017BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 Q

H01L21/78 P

【審査請求】未請求

【請求項の数】1

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023064205

(22)【出願日】2023-04-11

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110003524

【氏名又は名称】弁理士法人愛宕綜合特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】中村 勝

【テーマコード（参考）】

5F063

【Ｆターム（参考）】

5F063AA36

5F063CB03

5F063CB05

5F063CB07

5F063CB29

5F063CC26

5F063DD76

5F063DG11

5F063DG17

5F063DG32

5F063EE42

(57)【要約】      （修正有）

【課題】ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）を支持した拡張テープを放射状に拡張することで、デバイスの間隔を広げて個々のデバイスチップに対応してＤＡＦを適正に分割するウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】方法は、分割予定ラインに分割の起点が形成されたウエーハ１０又は分割予定ラインに沿って個々のデバイスチップ１２’に分割されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、フレームユニット形成工程と、ＤＡＦ分割工程を含み、ＤＡＦ分割工程において、少なくともフレームユニットＷＡは、冷却チャンバー４０内に位置付けられ、冷風Ｃが冷却チャンバー内に流入すると共に流出することで、ＤＡＦの粘性を低減し、フレーム支持部３３に対してウエーハ支持部３１を突出させてＤＡＦを個々のデバイスチップに対応して分割する際は、冷却チャンバー内に対する冷風の流入を停止して冷風に起因する気流を抑制する。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの加工方法であって、
分割予定ラインに分割の起点が形成されたウエーハ、または分割予定ラインに沿って個々のデバイスチップに分割されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、
ウエーハの裏面にＤＡＦを配設すると共に該ＤＡＦを支持した拡張テープを、ウエーハを収容する開口部を備えたフレームに配設してフレームユニットを構成するフレームユニット形成工程と、
該フレームを支持するフレーム支持部と該ＤＡＦ及び該拡張テープを介してウエーハを支持するウエーハ支持部とにより、相対的に該フレーム支持部に対して該ウエーハ支持部を突出させて該ＤＡＦを個々のデバイスチップに対応して分割するＤＡＦ分割工程と、
を含み、
該ＤＡＦ分割工程において、
少なくとも該フレームユニットは冷却チャンバー内に位置付けられ、冷風が該冷却チャンバー内に流入すると共に該冷却チャンバー外に流出することで、ＤＡＦの粘性を低減し、
相対的に該フレーム支持部に対して該ウエーハ支持部を突出させてＤＡＦを個々のデバイスチップに対応して分割する際は、該冷却チャンバー内に対する冷風の流入を停止して該冷風に起因する気流を抑制するウエーハの加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置、レーザー加工装置によって個々のデバイスチップに分割され、ＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）と称される特殊接着フィルムを介して配線フレームに配設されて、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。

【0003】

個々のデバイスチップに対応してＤＡＦを配設する技術として、分割予定ラインに沿って溝を形成して、ウエーハの表面に保護テープを配設し、その後、研削装置によってウエーハの裏面を研削し薄化して、ウエーハの裏面に溝を表出することでウエーハを個々のデバイスチップに分割した後、ウエーハの裏面にＤＡＦを配設すると共に、ＤＡＦを支持した拡張テープを拡張して個々のデバイスチップに対応してＤＡＦを分割する技術が提案されている（例えば特許文献１を参照）。

【0004】

また、ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する内部に、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を位置付けて照射して分割の起点となる改質層を形成した後、ウエーハの裏面にＤＡＦを配設し、ＤＡＦを支持した拡張テープを拡張して、ウエーハを個々のデバイスチップに分割すると共に個々のデバイスチップに対応してＤＡＦも分割する技術が提案されている。（例えば特許文献２を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特公平０５－５４２６２号公報

【特許文献2】特開２００５－２２３２８２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

ＤＡＦは、ＤＡＦを支持した拡張テープを放射状に拡張してデバイスの間隔を広げることにより、個々のデバイスチップに対応して分割される。しかし、ＤＡＦの粘性、柔軟性に起因して、デバイスチップに対応して円滑に分割されないという問題がある。

【0007】

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ＤＡＦを支持した拡張テープを放射状に拡張することで、デバイスの間隔を広げて個々のデバイスチップに対応してＤＡＦを円滑に分割することができるウエーハの加工方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの加工方法であって、分割予定ラインに分割の起点が形成されたウエーハ、または分割予定ラインに沿って個々のデバイスチップに分割されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、ウエーハの裏面にＤＡＦを配設すると共に該ＤＡＦを支持した拡張テープを、ウエーハを収容する開口部を備えたフレームに配設してフレームユニットを構成するフレームユニット形成工程と、該フレームを支持するフレーム支持部と該ＤＡＦ及び該拡張テープを介してウエーハを支持するウエーハ支持部とにより、相対的に該フレーム支持部に対して該ウエーハ支持部を突出させて該ＤＡＦを個々のデバイスチップに対応して分割するＤＡＦ分割工程と、を含み、該ＤＡＦ分割工程において、少なくとも該フレームユニットは冷却チャンバー内に位置付けられ、冷風が該冷却チャンバー内に流入すると共に該冷却チャンバー外に流出することで、ＤＡＦの粘性を低減し、相対的に該フレーム支持部に対して該ウエーハ支持部を突出させてＤＡＦを個々のデバイスチップに対応して分割する際は、該冷却チャンバー内に対する冷風の流入を停止して該冷風に起因する気流を抑制するウエーハの加工方法が提供される。

【発明の効果】

【0009】

本発明のウエーハの加工方法は、分割予定ラインに分割の起点が形成されたウエーハ、または分割予定ラインに沿って個々のデバイスチップに分割されたウエーハを準備するウエーハ準備工程と、ウエーハの裏面にＤＡＦを配設すると共に該ＤＡＦを支持した拡張テープを、ウエーハを収容する開口部を備えたフレームに配設してフレームユニットを構成するフレームユニット形成工程と、該フレームを支持するフレーム支持部と該ＤＡＦ及び該拡張テープを介してウエーハを支持するウエーハ支持部とにより、相対的に該フレーム支持部に対して該ウエーハ支持部を突出させて該ＤＡＦを個々のデバイスチップに対応して分割するＤＡＦ分割工程と、を含み、該ＤＡＦ分割工程において、少なくとも該フレームユニットは冷却チャンバー内に位置付けられ、冷風が該冷却チャンバー内に流入すると共に該冷却チャンバー外に流出することで、ＤＡＦの粘性を低減し、相対的に該フレーム支持部に対して該ウエーハ支持部を突出させてＤＡＦを個々のデバイスチップに対応して分割する際は、該冷却チャンバー内に対する冷風の流入を停止して該冷風に起因する気流を抑制することから、分割工程において冷却され硬くなったＤＡＦが個々のデバイスチップに対応して円滑に分割される。また、分割工程が実施される際に、冷風の流入が停止されることから、冷却チャンバーにおける気流が抑制されて、ＤＡＦが分割される際に飛散する微細なＤＡＦがコンタミとなって冷却チャンバー内を浮遊することが抑制され、デバイスチップの表面に付着して品質を低下させるという問題が解消される。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】被加工物であるウエーハ及び保護テープの斜視図である。

【図2】（ａ）ウエーハ準備工程により準備されるウエーハの態様を示す斜視図、（ｂ）ウエーハ準備工程により準備される別のウエーハの態様を示す斜視図である。

【図3】フレームユニット形成工程を実施する際にウエーハとＤＡＦを一体とする態様を示す斜視図である。

【図4】（ａ）分割の起点となる改質層が形成されたウエーハから保護テープが剥離される態様を示す斜視図、（ｂ）個々のデバイスチップに分割されたウエーハから保護テープが剥離される態様を示す斜視図である。

【図5】ＤＡＦ分割工程を実施するＤＡＦ分割装置を示す斜視図である。

【図6】図５に示すＤＡＦ分割装置によってＤＡＦが分割される態様を示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明に基づいて構成されるウエーハの加工方法に係る実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。

【0012】

本実施形態のウエーハの加工方法を実施するに際し、まず、以下に説明するウエーハ準備工程を実施する。本実施形態のウエーハの加工方法によって加工されるウエーハは、例えば、図１に示すシリコンのウエーハ１０である。このウエーハ１０は、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され表面１０ａに形成されたウエーハである。このウエーハ１０を用意したならば、図示のように、表面１０ａに、保護テープＴ１を貼着する。次いで、表面１０ａに保護テープＴ１を貼着したウエーハ１０を、周知のレーザー加工装置（図示は省略する）に搬送し、上記したウエーハ１０の裏面１０ｂから、ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ライン１４の内部に位置付けて照射して、図２（ａ）に示すように、該分割予定ライン１４に沿って分割の起点となる改質層１００を形成する。このようなレーザー加工を、全ての分割予定ライン１４に沿って実施することで、全ての分割予定ライン１４に沿って分割の起点となる改質層１００を備えたウエーハ１０Ａが形成され、ウエーハ準備工程が完了する。なお、分割予定ライン１４に沿って分割の起点を形成する場合、上記した改質層１００を形成することに限定されない。例えば、保護テープＴ１を貼着する前のウエーハ１０を用意し、ウエーハ１０に対し吸収性を有する波長のレーザー光線をウエーハ１０の表面１０ａ側から分割予定ライン１４に沿って照射し、アブレーション加工により分割予定ライン１４に沿って分割の起点となるレーザー加工溝を形成し、その後保護テープＴ１を貼着してもよい。

【0013】

ウエーハ準備工程は、上記した形態に限定されない。例えば、上記した分割の起点となる改質層１００を形成すること替えて、保護テープＴ１を貼着する前のウエーハ１０を周知の切削装置（図示は省略する）に搬送し、環状の切削ブレードを有する切削手段を、ウエーハ１０の表面１０ａに形成された分割予定ライン１４に位置付けて、この分割予定ライン１４に沿って表面１０ａ側から、所望の仕上がり厚みに応じて設定される裏面１０ｂに貫通しないハーフカット溝を形成する。次いで、表面１０ａに保護テープＴ１を配設し、その後、図示を省略する研削装置によってウエーハ１０の裏面１０ｂを研削し薄化して、図２（ｂ）に示すように、ウエーハ１０の裏面１０ｂに該ハーフカット溝が表出した分割溝１１０を形成することで、ウエーハ１０が個々のデバイスチップ１２’に分割されたウエーハ１０Ｂを準備するようにしてもよい。

【0014】

さらに、ウエーハ１０が個々のデバイスチップ１２’に分割されたウエーハ１０Ｂを準備するウエーハ準備工程の具体的な実施態様は、上記した態様に限定されず、次のような方法により実施するものであっても良い。具体的には、図１に示す保護テープＴ１が表面１０ａに貼着されたウエーハ１０を用意し、裏面１０ｂを研削して所望の厚みに薄化した後、周知の切削装置（図示は省略する）に搬送し、切削ブレードを有する切削手段を、ウエーハ１０の裏面１０ｂの分割予定ライン１４に対応する位置に位置づけて、分割予定ライン１４に沿って、ウエーハ１０の表面１０ａに達する分割溝１１０を形成する。このような分割溝１１０を、全ての分割予定ライン１４に沿って形成することによっても、図２（ｂ）に示すような個々のデバイスチップ１２’に分割されたウエーハ１０Ｂを得ることができる。

【0015】

上記したように、ウエーハ準備工程は、分割予定ライン１４に分割の起点が形成されたウエーハ１０Ａ、または分割予定ライン１４に沿って個々のデバイスチップ１２’に分割されたウエーハ１０Ｂを準備する工程であり、この後、以下に説明するフレームユニット形成工程を実施する。

【0016】

フレームユニット形成工程を実施するに際し、図３に示すような、ウエーハ１０Ａを収容可能な開口部Ｆａを中央に備えた環状のフレームＦを用意する。図示のように、該開口部Ｆａの中央にウエーハ１０Ａよりも僅かに大きい寸法で形成されたシート状のＤＡＦ１６が位置付けられるように、ＤＡＦ１６が配設された柔軟性を有する拡張テープＴ２をフレームＦに支持する。ＤＡＦ１６の表面１６ａは粘着性を有しており、ＤＡＦ１６の表面１６ａに上記したウエーハ１０Ａの裏面１０ｂを向けて載置し、ウエーハ１０Ａ、ＤＡＦ１６、フレームＦ、及び拡張テープＴ２を一体とする。ウエーハ１０ＡとＤＡＦ１６とを一体としたならば、図４（ａ）に示すように、ウエーハ１０Ａの表面１０ａから保護テープＴ１を剥離してフレームユニットＷＡを形成する。なお、本実施形態のフレームユニット形成工程は、上記したウエーハ１０Ｂを使用して実施することもでき、上記した手順を実行することで、図４（ｂ）に示すように、ウエーハ１０Ｂ、ＤＡＦ１６、フレームＦ、及び拡張テープＴ２を一体とした後、保護テープＴ１を剥離したフレームユニットＷＢを形成するものであってもよい。

【0017】

なお、フレームユニット形成工程は、上記した手順により実施することに限定されない。例えば、ＤＡＦ１６を、ウエーハ１０Ａ、１０Ｂの裏面１０ｂに予め貼着しておき、その後、フレームＦの開口部Ｆａの中央に位置づけて、フレームＦに支持された拡張テープＴ２に貼着してフレームユニットＷＡ、ＷＢを構成するものであってもよい。

【0018】

上記したフレームユニット形成工程によりフレームユニットＷＡ、ＷＢが形成されたならば、以下に説明するＤＡＦ分割工程を実施する。

【0019】

ＤＡＦ分割工程は、図５、６に示すＤＡＦ分割装置２０を使用して実施することができる。なお、図５、６では、フレームユニットＷＡをＤＡＦ分割装置２０に搬送したものとして、以下に説明する。

【0020】

図５に示すとおり、本実施形態のＤＡＦ分割装置２０は、ＤＡＦ拡張装置３０と、冷却チャンバー４０とを含み構成されている。ＤＡＦ拡張装置３０は、円盤状の支持基台３０ａと、支持基台３０ａの下面中央に配設された円筒状のウエーハ支持部３１と、支持基台３０ａの下面外周に配設され、ウエーハ支持部３１に隣接して周方向に均等な間隔をおいて配設された複数のエアシリンダ３２と、エアシリンダ３２から下方に伸びる昇降ロッド３２ａの下端に連結された環状のフレーム支持部３３と、フレーム支持部３３の外周縁部に周方向に間隔をおいて配置された複数のクランプ３４とを含む。ウエーハ支持部３１の下面に形成されたウエーハ支持面３１ａは、通気性を有するポーラス部材によって形成されている。ウエーハ支持面３１ａは、ウエーハ支持部３１を介して図示を省略する吸引手段に接続されており、該吸引手段を作動することにより、該ウエーハ支持面３１ａに負圧を生成することができる。ウエーハ支持部３１のウエーハ支持面３１ａは、上記したウエーハ１０Ａ、１０Ｂの直径よりも大きく、フレームＦの内径Ｆａよりも小さい。また、フレーム支持部３３は、フレームＦの寸法に対応して形成されており、フレーム支持部３３の平坦な保持面３３ａにフレームＦを密着させることができる。

【0021】

各エアシリンダ３２には正圧を供給するエアポンプが接続されており、エアシリンダ３２の昇降ロッド３２ａを上下方向で進退させることが可能である。複数のエアシリンダ３２を同時に作動することで、フレーム支持部３３がウエーハ支持部３１のウエーハ支持面３１ａとほぼ同じ高さとなる基準位置（図６（ａ）を参照）と、ウエーハ支持部３１のウエーハ支持面３１ａがフレーム支持部３３に対して突出する状態となる拡張位置（図６（ｂ）を参照）とに位置付けることができるようになっている。

【0022】

図５、図６に示すように、冷却チャンバー４０は、上方が開放されたチャンバーハウジング４１と、チャンバーハウジング４１の下面側に配設された冷風流入口４２及び冷風流出口４３と、を備えている。冷風流入口４２には、開閉弁４５が配設された冷風導入路４４が接続され、該冷風導入路４４は、図示を省略する冷風発生器に接続されている。また、冷風流出口４３には、冷風流出路４６が接続されている。図６（ａ）に示すように、冷風流入口４２から冷却チャンバー４０の内部空間４０ａに導入された冷風Ｃは、内部空間４０ａ内を冷却し、冷風流出口４３から冷却チャンバー４０の外に排出される。なお、該冷風発生器によって導入される冷風Ｃの温度は、例えば５～１０℃である。図６（ａ）を参照することで理解されるように、開放端部４１ａは、フレームＦの開口部Ｆａよりも若干大きい寸法であると共にフレームＦの外形よりも小さい寸法で形成されている。チャンバーハウジング４１の上端を形成する環状の開放端部４１ａにはパッキンとして機能する樹脂製の環状のＯリング４１ｂが形成されており、図示を省略する昇降手段によってチャンバーハウジング４１の開放端部４１ａをフレームＦに当接することで、内部空間４０ａを閉塞状態にすることができる。

【0023】

上記したＤＡＦ分割装置２０を使用して、本実施形態のＤＡＦ分割工程を実施する手順について、図５、図６を参照しながら以下に説明する。

【0024】

ＤＡＦ分割工程を実施するに際し、まず、上記したフレームユニット形成工程により形成されたフレームユニットＷＡをＤＡＦ分割装置２０に搬送し、拡張テープＴ２側を上方に、ウエーハ１０Ａ側を下方に向けて、フレームＦをフレーム支持部３３の保持面３３ａに位置付けてクランプ３４を作動し、フレームユニットＷＡをＤＡＦ拡張装置３０に保持する。次いで、図示を省略する吸引手段を作動して、ウエーハ支持部３１のウエーハ支持面３１ａに負圧を生成して、拡張テープＴ２及びＤＡＦ１６を介してウエーハ１０Ａを吸引し支持する。

【0025】

上記したようにウエーハ１０Ａをウエーハ支持部３１に支持させると共に、冷却チャンバー４０をＤＡＦ拡張装置３０の下方に位置付けて、図６（ａ）に示すよう、チャンバーハウジング４１の開放端部４１ａをフレームユニットＷＡのフレームＦに当接させ、冷却チャンバー４０内にフレームユニットＷＡを位置付ける。次いで、上記した冷風導入路４４の開閉弁４５を開放すると共に冷風発生器を作動して、冷却チャンバー４０の内部空間４０ａに冷風Ｃを流入させて、冷風流出口４３から外部に流出させる。このようにして、所定時間冷風Ｃを、冷却チャンバー４０内に流通させることにより、ＤＡＦ１６を冷却して粘性を低減させる。

【0026】

上記したようにＤＡＦ１６の温度を十分に低下して粘性が低減したならば、冷風発生器を停止すると共に、冷風導入路４４の開閉弁４５を閉じて、冷却チャンバー４０の内部空間４０ａへの冷風Ｃの流入を停止する。これにより、冷却チャンバー４０の内部空間４０ａにおける冷風Ｃに起因する気流が抑制された状態となる。なお、図示はしていないが、冷風流出路にも開閉弁を配設し、冷風Ｃを該内部空間４０ａに流入させる際に開とし、冷風Ｃの流入を停止する際に閉とするようにしてもよい。

【0027】

上記したように、内部空間４０ａへの冷風Ｃの流入を停止し、内部空間４０ａ内の気流が落ち着いたならば、ウエーハ支持部３１のウエーハ支持面３１ａに負圧を生成する吸引手段の作動を停止し、ＤＡＦ拡張装置３０のエアシリンダ３２を作動して、図６（ｂ）に矢印Ｒ１で示すように、フレーム支持部３３を上昇させて、ウエーハ支持部３１がフレーム支持部３３に対して突出する拡張位置に位置付ける。これにより、拡張テープＴ２が放射状に拡張されて、ウエーハ１０が個々のデバイスチップ１２’に分割されると共に、ＤＡＦ１６が個々のデバイスチップ１２’に対応して分割される。以上により分割工程が完了し、本実施形態のウエーハの加工方法が完了する。

【0028】

上記したように、分割工程が実施される際には、冷風ＣによってＤＡＦ１６が冷却されて、粘性が低減されていることから、ＤＡＦ１６は硬化されている。これにより、分割工程において、硬くなったＤＡＦ１６が円滑に分割される。また、分割工程が実施される際に、冷風Ｃの流入が停止されていることから、冷却チャンバー４０の内部空間４０ａにおいて冷風Ｃに起因する気流が抑制されて、分割の際に飛散する微細なＤＡＦ１６の破片がコンタミとなって冷却チャンバー内を浮遊することが抑制され、デバイスチップ１２’の表面に付着して品質を低下させることがない。なお、本実施形態のＤＡＦ分割工程は、上記したフレームユニットＷＡに替えてフレームユニットＷＢを使用して実施することも可能である。その場合は、予めウエーハ１０が個々のデバイスチップ１２’に分割されていることから、上記したＤＡＦ分割工程によって、ＤＡＦ１６のみが、個々のデバイスチップ１２’に対応して円滑に分割される。

【0029】

本発明は上記した実施形態に限定されない。上記した実施形態では、エアシリンダ３２を作動して、フレーム支持部３３を上昇させることにより、結果として、ウエーハ支持部３１がフレーム支持部３３に対して下方に突出するようにしたが、これに替えて、フレーム支持部３３の位置を固定した構成とし、ウエーハ支持部３１を昇降させる昇降手段を配設し、該昇降手段によりウエーハ支持部３１をフレーム支持部３３に対して下方に突出するようにしてもよい。すなわち、ウエーハ支持部３１とフレーム支持部３３とにより、相対的にフレーム支持部３３に対してウエーハ支持部３１を突出できればよい。

【0030】

また、上記した実施形態では、ＤＡＦ分割装置２０を、ＤＡＦ拡張装置３０と冷却チャンバー４０とにより構成する際に、ＤＡＦ拡張装置３０を上方に冷却チャンバー４０を下方に配設して、ウエーハ支持部３１のウエーハ支持面３１ａを下方に向け、冷却チャンバー４０の開放端部４１ａを下方から当接させるようにしたが、本発明はこれに限定されない。例えば、図５に示す構成の上下を反転して、ＤＡＦ拡張装置３０を下方に冷却チャンバー４０を上方に配設して、ウエーハ支持部３１のウエーハ支持面３１ａを上方に向け、冷却チャンバー４０の開放端部４１ａを上方から下降して当接させるようにしてもよい。そして、その場合は、フレーム支持部３３に対してウエーハ支持部３１を相対的に上方に突出させてＤＡＦ１６を個々のデバイスチップ１２’に対応して分割することができる。なお、図５、６に示す構成であれば、ＤＡＦ分割工程によってＤＡＦ１６を分割する際に飛散する微細な破片がコンタミとなってデバイスチップ１２’の表面に付着して品質を低下させる問題がより低減されるため、図５、６に示す構成にすることが望ましい。

【符号の説明】

【0031】

１０：ウエーハ
１０Ａ：ウエーハ
１０Ｂ：ウエーハ
１０ａ：表面
１０ｂ：裏面
１２：デバイス
１２’：デバイスチップ
１４：分割予定ライン
１６：ＤＡＦ
２０：ＤＡＦ分割装置
３０：ＤＡＦ拡張装置
３０ａ：支持基台
３１：ウエーハ支持部
３１ａ：ウエーハ支持面
３２：エアシリンダ
３２ａ：昇降ロッド
３３：フレーム支持部
３３ａ：保持面
３４：クランプ
４０：冷却チャンバー
４０ａ：内部空間
４１：チャンバーハウジング
４１ａ：開放端部
４１ｂ：Ｏリング
４２：冷風流入口
４３：冷風流出口
４４：冷風導入路
４５：開閉弁
４６：冷風流出路
１００：改質層
１１０：分割溝
Ｔ１:保護テープ
Ｔ２：拡張テープ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】