特開 2024-151433 処理システム及び処理方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024151433

(43)【公開日】2024-10-25

(54)【発明の名称】処理システム及び処理方法

(51)【国際特許分類】

   C02F 1/02 20230101AFI20241018BHJP

   C02F 1/04 20230101ALI20241018BHJP

   F23G 7/06 20060101ALI20241018BHJP

【ＦＩ】

C02F1/02 B ZAB

C02F1/04 D

F23G7/06 D

F23G7/06 N

【審査請求】未請求

【請求項の数】13

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023064748

(22)【出願日】2023-04-12

【公序良俗違反の表示】

（特許庁注：以下のものは登録商標）

１．テフロン

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100088155

【弁理士】

【氏名又は名称】長谷川 芳樹

(74)【代理人】

【識別番号】100113435

【弁理士】

【氏名又は名称】黒木 義樹

(74)【代理人】

【識別番号】100122507

【弁理士】

【氏名又は名称】柏岡 潤二

(74)【代理人】

【識別番号】100171099

【弁理士】

【氏名又は名称】松尾 茂樹

(74)【代理人】

【識別番号】100183438

【弁理士】

【氏名又は名称】内藤 泰史

(72)【発明者】

【氏名】小林 真二

【テーマコード（参考）】

3K078

4D034

【Ｆターム（参考）】

3K078AA06

3K078BA20

3K078BA26

4D034AA20

4D034BA01

4D034CA04

4D034CA12

(57)【要約】

【課題】有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施することができる。
【解決手段】ＰＦＡＳ無毒化システム１は、半導体製造装置１００のリソラグラフィー装置１１１から排出されたＰＦＡＳを含むレジスト廃液を濃縮する濃縮器１１を備える。また、ＰＦＡＳ無毒化システム１は、濃縮器１１によって濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる硫酸処理槽１２を備える。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮部と、
前記濃縮部によって濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理部と、を備える処理システム。

【請求項2】

前記薬液処理部は、熱濃硫酸を含む液体によって前記濃縮液を分解及び揮発させる、請求項１記載の処理システム。

【請求項3】

前記濃縮部に接続された循環流路であってその途中に第１フィルタが設けられた第１流路と、
前記第１フィルタを通過した前記濃縮液のろ液が流れる第２流路と、
前記第２流路に接続され、前記ろ液を貯留するろ液貯留部と、を更に備える請求項２記載の処理システム。

【請求項4】

前記ろ液貯留部よりも下流側の第３流路と、
前記第３流路及び前記第２流路を接続するバイパス流路と、
前記バイパス流路内の液を加圧することにより、前記第２流路において該液を逆流させ、該液を前記第１フィルタの出口側から前記第１流路に流入させる送液部と、を更に備える、請求項３記載の処理システム。

【請求項5】

第２フィルタが設けられた第４流路を更に備え、
前記ろ液貯留部は、前記第２流路に接続された第１貯留部と、前記第３流路に接続された第２貯留部とを有し、
前記第４流路は、前記第１貯留部及び前記第２貯留部を接続する、請求項４記載の処理システム。

【請求項6】

前記薬液処理部によって揮発させられたガスについて、有機フッ素化合物リッチなガスと、有機フッ素化合物除去済みガスとに分離する第１ガスフィルタを更に備える、請求項１～５のいずれか一項記載の処理システム。

【請求項7】

前記第１ガスフィルタは、前記薬液処理部において発生した熱を受け、前記濃縮液よりも高温にされている、請求項６記載の処理システム。

【請求項8】

外気を取り込み、該外気を、空気に比べて窒素濃度が高い第１分流ガスと、空気に比べて酸素濃度が高い第２分流ガスとに分離する第２ガスフィルタを更に備え、
前記第２ガスフィルタは、前記第１分流ガスを前記薬液処理部に供給する、請求項１～５のいずれか一項記載の処理システム。

【請求項9】

前記薬液処理部によって揮発させられたガスに含まれる有機フッ素化合物を燃焼除害する燃焼除害装置を更に備え、
前記第２ガスフィルタは、前記第２分流ガスを前記燃焼除害装置に供給する、請求項８記載の処理システム。

【請求項10】

半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮ステップと、
前記濃縮ステップにおいてて濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理ステップと、を含む処理方法。

【請求項11】

前記濃縮ステップにおいて用いられる第１フィルタの出口側から、前記第１フィルタを通過した前記濃縮液のろ液を流入させることにより、前記第１フィルタを洗浄するフィルタ洗浄ステップを更に含む、請求項１０記載の処理方法。

【請求項12】

前記薬液処理ステップにおいて揮発させられたガスについて、第１ガスフィルタにより、有機フッ素化合物リッチなガスと、有機フッ素化合物除去済みガスとに分離するガス分離ステップを更に含む、請求項１０又は１１記載の処理方法。

【請求項13】

第２ガスフィルタにより、外気を、空気に比べて窒素濃度が高い第１分流ガスと、空気に比べて酸素濃度が高い第２分流ガスとに分離し、前記第１分流ガスを前記薬液処理ステップを行う処理部に供給するガス供給ステップを更に含む、請求項１０又は１１記載の処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、処理システム及び処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

特許文献１には、有機フッ素化合物等の含有比率を低減する処理装置と、アニオン交換体を含むイオン交換体を充填したアニオン交換棟と、アニオン交換棟に流通した再生液を分解処理する分解装置と、を含む排水処理システムが記載されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１０－１２５３５２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施することができる処理システム及び処理方法を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一態様に係る処理システムは、半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮部と、濃縮部によって濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理部と、を備える。

【発明の効果】

【0006】

本開示によれば、有機フッ素化合物の無毒化処理を円滑に実施することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システムの概略図である。

【図2】図１に示されるＰＦＡＳ無毒化システムの構成図である。

【図3】ＰＦＡＳを含む液体のろ過について説明する図である。

【図4】ろ液を逆流させることによるフィルタの洗浄を説明する図である。

【図5】ガスの分離について説明する図である。

【図6】ガスフィルタの機能を説明する図である。

【図7】取り込んだ外気の分離について説明する図である。

【図8】ポジ型現像液の濃縮及び分解について説明する図である。

【図9】ろ液を逆流させることによるフィルタの洗浄を説明する図である。

【図10】ＳＰＭ廃液の排出を説明する図である。

【図11】ＳＰＭ廃液によるフィルタの洗浄を説明する図である。

【図12】変形例に係る分解処理室を説明する図である。

【図13】変形例に係るリターンラインを説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

【0009】

本実施形態に係る処理システムは、図１に示されるように、半導体製造装置１００から排出された、ＰＦＡＳを無毒化するＰＦＡＳ無毒化システム１である。なお、図１においては、ＰＦＡＳ無毒化システム１の構成の概略が示されており、一部の構成（例えば、後述するＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）廃液に係る構成）の図示が省略されている。ＰＦＡＳとは、有機フッ素化合物であるペルフルオロアルキル物質及びポリフルオロアルキル化合物（ＰＦＡＳ：Per- and PolyFluoroAlkyl Substances）である。

【0010】

ＰＦＡＳとは、少なくとも１つ以上の-ＣＦ２-又は-ＣＦ３の脂肪族分子を含む化合物であり、テフロンのような有機高分子化合物（ポリマー）も含む。ＰＦＡＳは、例えば、泡消火剤、めっき液、航空機作動油、撥水剤、フロアワックス等に含まれている。また、ＰＦＡＳは、例えば、繊維、医療、電子基板、自動車、食品包装紙、石材、フローリング、皮革等に含まれている。半導体の製造工程においては、例えばノンポリマーのＰＦＡＳがフォトレジストで用いられている。また、ポリマーのＰＦＡＳが、半導体製造装置の配管、バルブ、ポンプ等の接液部材、反射防止膜等に用いられている。

【0011】

ＰＦＡＳは自然界において安定しており、分解されにくい。そのため、ＰＦＡＳは、残留性が高く、生体内に蓄積されやすい性質があり、害性が高いと言われている。本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システム１は、半導体製造装置１００から排出されるＰＦＡＳを無毒化することにより、ＰＦＡＳが外部に排出されることを抑制するシステムである。

【0012】

図１に示されるように、ＰＦＡＳ無毒化システム１は、濃縮器１１（濃縮部，廃液貯留部）と、硫酸処理槽１２（薬液処理部，分解処理部）と、冷却器１３（捕集部）と、無毒化装置１４（燃焼除害装置）と、を含んで構成されている。なお、本実施形態では、ＰＦＡＳ無毒化システム１が複数の装置を含む装置群であるとして説明するが、ＰＦＡＳ無毒化システム１は１つの装置で構成されていてもよい。また、半導体製造装置１００は、リソラグラフィー装置１１１と、洗浄装置１１２と、エッチング装置１１３と、成膜装置１１４と、を含んで構成されている。半導体製造装置１００の各構成は、実施する処理に伴って、ＰＦＡＳを含んだ物質を排出する。なお、ＰＦＡＳ無毒化システム１を構成する各処理部は、同じ空間（場所）に設置されていてもよいし、同じ空間に設置されていなくてもよい。例えば、各処理部は、リソラグラフィー装置１１１、洗浄装置１１２、或いはエッチング装置１１３が設置されている建物内に設置されていてもよいし、該建物の外や隣接した空間に設置されていてもよい。各処理部は、上記建物内と建物外とで互いに分かれて設置されていてもよい。また、濃縮器１１、硫酸処理槽１２、冷却器１３、及び無毒化装置１４のうち不使用のものは、常時設置されていなくてもよい。

【0013】

リソラグラフィー装置１１１は、塗布・現像装置と、露光装置とを含んで構成されている。露光装置は、レジスト膜の露光処理を行う。具体的には、液浸露光等の方法によりレジスト膜（感光性被膜）の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置は、露光装置による露光処理の前に、基板の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。このようなリソラグラフィー装置１１１から排出される液体又は気体には、ＰＦＡＳが含まれている。例えば、レジスト廃液、現像処理に係るアルカリ廃液（ポジ型現像液）、レジスト剥離に係る酸廃液、有機排気、熱排気、昇華物の固化物等には、ＰＦＡＳが含まれている。また、ネガ型現像処理に係る有機溶媒廃液は、極めて薄いレジスト廃液とも言え、ＰＦＡＳが含まれており、本実施形態において上記のレジスト廃液と同じく扱われてもよい。本実施形態では、レジスト廃液に含まれるＰＦＡＳ及びポジ型現像液に含まれるＰＦＡＳについて主に説明する。レジスト廃液に含まれるＰＦＡＳの例として、例えば光酸発生材（ＰＡＧ：Photo Acid Generator）、界面活性剤、又はＦが修飾されたポリマー等がある。リソラグラフィー装置１１１から排出されるレジスト廃液は、ＰＦＡＳ無毒化システム１の濃縮器１１に導入される。

【0014】

洗浄装置１１２は、基板に対する洗浄処理を行う。洗浄装置１１２は、例えば、レジスト等の有機物の除去にはＨ_２Ｏ_２と硫酸とを混合したＳＰＭ：Sulfuric. Acid Hydrogen Peroxide Mixtureを用いる。洗浄装置１１２は、金属の除去にはＨ_２Ｏ_２と塩酸とを混合した混合水溶液（ＳＣ２：Standard Clean 2）を用い、パーティクルの除去にはＨ_２Ｏ_２とアンモニアとを混合した混合水溶液（ＳＣ１）を用いる。また、熱濃硫酸のみも廃液処理中に出る。洗浄装置１１２は、ＰＦＡＳを含んだＳＰＭ廃液を排出する。洗浄装置１１２から排出されるＳＰＭ廃液や熱濃硫酸は、硫酸処理槽１２に導入される。また、洗浄装置１１２は、ＰＦＡＳを含んだ酸廃気を排出する。洗浄装置１１２から排出される酸廃気は、無毒化装置１４に導入される。

【0015】

エッチング装置１１３は、形成されたレジスト膜のパターンに沿って、酸化膜・薄膜を削り取るエッチング処理を行う。エッチング装置１１３は、ＰＦＡＳを含んだ排ガスを排出する。エッチング装置１１３から排出される排ガスは、無毒化装置１４に導入される。

【0016】

成膜装置１１４は、基板に配線膜及び絶縁膜を形成する。成膜装置１１４は、各種プロセスガス（ＰＦＡＳ含有又は非含有ガス）を用いており、その排ガスを排出する。成膜装置１１４から排出される排ガスは、無毒化装置１４に導入される。

【0017】

濃縮器１１は、半導体製造装置１００のリソラグラフィー装置１１１から排出されたＰＦＡＳを含むレジスト廃液を濃縮する。すなわち、濃縮器１１は、ＰＦＡＳを含む廃液として、リソラグラフィー装置１１１における基板処理廃液を濃縮する。濃縮器１１は、例えば限界ろ過膜や逆浸透膜等を用いて、レジスト廃液を濃縮すると共に、レジスト廃液に含まれる溶媒を分離させる（詳細は後述）。レジスト廃液の濃縮液は、ポリマーを含む濃縮液なので、粘度が高くなっている。レジスト廃液の濃縮液は、硫酸処理槽１２に導入される。なお、リソラグラフィー装置１１１から排出されたアルカリ廃液が濃縮器１１によって濃縮される場合には、アルカリ廃液が中和後に逆浸透膜に導入されてもよい。

【0018】

レジスト廃液から分離された溶媒は、リサイクルソルベントとして半導体製造装置１００におけるカップ洗浄等に利用されてもよいし、ソルベント回収業者に回収されてもよい。従来の場合、ソルベント回収業者がレジスト廃液から再生溶媒を精製しようとするときに成分分析をするとレジストメーカーの機密物質を含んだ廃液も回収してしまう可能性がある。この点、本実施形態のように濃縮器１１を通したレジスト廃液は、固形分成分が濃縮液に含まれるため、ソルベント回収業者への機密漏洩を防ぐことができる。

【0019】

硫酸処理槽１２は、濃縮器１１によって濃縮された濃縮液を、ＳＰＭ廃液にて分解及び揮発させる。すなわち、硫酸処理槽１２は、洗浄装置１１２のＳＰＭ廃液を利用する。ＳＰＭ廃液中においては、溶媒及びポリマーは、酸化反応や脱水反応の分解反応が生じ、低分子化する（低粘度化する）。このとき、ＳＰＭ廃液は発熱反応によって温度が高くなる（ＳＰＭ廃液中の熱濃硫酸の温度が高くなる）。ＰＦＡＳは基本的に分解されないが、ＰＡＧ等の成分は沸点が低いため高温のＳＰＭ廃液により揮発する（特にＳＰＭ廃液中に含まれる熱濃硫酸の効果で揮発する）。従来、ＳＰＭ廃液は、発泡の抑制をするためにカタラーゼを添加して廃液処理を行っているが、硫酸処理槽１２で有機物と反応させてＨ_２Ｏ_２の成分を使い切って脱気すれば、下流の硫酸廃液で発泡せず処理が容易になる。また、カタラーゼを減らすことができる。この反応によって例えば３００℃程度の熱が発生するため、排熱を利用した温度差発電や硫酸処理槽１２を冷却するための循環水から発生する蒸気で蒸気発電が行われてもよい。なお、硫酸処理槽１２から排出される硫酸廃液は、例えばリサイクル業者にて回収される。該硫酸廃液は、従来の廃液よりも硫酸の純度を高くすることができている。なお、硫酸処理槽１２は、不慮の発火を抑制するために不活性ガスである窒素雰囲気中で実施することが望ましい。また、上記ＳＰＭ廃液は熱濃硫酸廃液でも良く、熱濃硫酸の場合は、溶媒及びポリマーで、脱水反応の分解反応が生じ、低分化する（低粘度化する）。このとき熱濃硫酸は発熱反応によって熱濃硫酸の温度が高くなりＰＦＡＳ、ＰＡＧなどを揮発させる。

【0020】

硫酸処理槽１２に溜めたＳＰＭ廃液に、レジスト廃液の濃縮液を加え処理していくと次第にＨ_２Ｏ_２が消費され、処理能力が低下する。レジスト廃液の濃縮液を適切量供給したのち、反応が落ち着きガスの発生が終了するまで硫酸処理槽１２は待機させる。洗浄装置１１２からのＳＰＭ廃液が多いため、洗浄装置１１２からのＳＰＭ廃液も滞ることなく処理する必要がある。そのため、硫酸処理槽１２は、複数の処理槽で構成されていてもよい。この場合、１つの処理槽が処理している間に、他の処理槽にて液の注入等の準備を行ってもよい。また、１つ目の処理槽、次に２つ目の処理槽、次に３つ目の処理槽、のように、反応の進行の程度を見て、液を下流に流していってもよい。なお、レジスト廃液がメタル含有レジストである場合には、上述した各工程と同様の工程で、メタル成分のみ揮発せずに沈殿し、硫酸廃液と共に処理される。

【0021】

ＳＰＭ廃液は、過酸化水素水が含まれているため、そのまま廃液にすると発泡して装置に負担をかけること、或いは、発泡ガスで環境を悪化させることがある。この点、本実施形態に係る構成では、残留の過酸化水素水が有効的に活用されて、発泡したガスも燃料として無毒化装置１４で燃やされることから、装置や環境への負担を小さくすることができる。

【0022】

冷却器１３は、硫酸処理槽１２によって揮発させられたＰＦＡＳを含むガスを液化して捕集する。冷却器１３は、ガスを気体成分である低分子ガスと、液体成分である炭化水素（ＨＣ）抽出液とに分離して捕集する。図２に示されるように、硫酸処理槽１２からのガスが、冷却器１３において冷却されることにより、液化したものはＨＣ（Hydro Carbon）抽出液として捕集されるともに、結露しなかった低分子ガスについても捕集される。硫酸処理槽１２から発生したガスは、窒素雰囲気にて処理しているため、窒素との混合ガスになっている。窒素を多量に含んだ混合ガスについては、後段の無毒化装置１４における処理量が多くなるため、例えば、冷却器１３で結露しなかった低分子ガスを、ナノサブセラミッグフィルタを用いて、窒素とそれ以外に分離し濃縮してもよい。

【0023】

上述した硫酸処理槽１２からは、多種の有機ガス及びその他のガスが排出される。ＰＡＧ等のＰＦＡＳもガスとして排出されている。無毒化装置１４にこれらのガスを直接導入することも考えられるが、室温で液体となるガスについては冷却器１３において一旦液化することによって運搬性を向上させることができる。なお、液化せずに運搬した場合には、配管の途中で液溜りができ制御が難しくなることがある。液化したＨＣ抽出液及び結露しなかった低分子ガスの双方に、ＰＦＡＳが含まれている。ＨＣ抽出液及び低分子ガスは、無毒化装置１４に導入される。なお、ガスの運搬性をより向上させるために、低分子ガスも含めてすべて液化してから無毒化装置に導入してもよい。

【0024】

無毒化装置１４は、冷却器１３による処理後の物質を無毒化する。無毒化装置１４は、冷却器１３による処理後の物質を燃焼除害する燃焼除害装置であってもよい。無毒化装置１４は、冷却器１３から導入されたＨＣ抽出液及び低分子ガスを焼却する。ＨＣ抽出液の多くは炭化水素であるので、燃料として燃やすことができる。また、低分子ガスの多くは、炭素数が１０以下の炭化水素であるので、同様に燃料として燃やすことができる。従来、燃焼除害装置では燃料としてプロパンガスや都市ガスが用いられているが、上記のようにＨＣ抽出液等が燃料として用いられるので、プロパンガス等を減量することができる。

【0025】

更に、無毒化装置１４は、エッチング装置１１３から導入された排ガス、成膜装置１１４から導入された排ガス、及び、洗浄装置１１２から導入された酸廃気についても同時に燃焼除害してもよい。これらのガスは、各装置において使用されたＰＦＡＳを含む排ガスである。これらのガスが同時に燃焼除害されることによって、プロパンガス等をより減量することができる。なお、燃焼除害の際には、ガスタービン等の内燃機関を用いて燃焼させることにより、電力発電をしてもよい。二酸化炭素等の無毒化されたガスは、回収しギ酸やメタノール等の有機物合成に利用してもよい。また、無毒化装置１４は、冷却器１３による処理後の物質を亜臨界処理する亜臨界処理装置、超臨界処理する超臨界処理装置であってもよい。また、無毒化した廃ガスをスクラバ装置（排ガスを水洗、薬液中和処理、又は吸着し、大気中に放出する装置）を通して、Ｆイオン含有のスクラバ水と廃ガスに処理してもよい。当該スクラバ水は、カルシウムと反応させることにより、フッ化カルシウム又は蛍石にすることができる。蛍石は、フッ素化合物のスタートの物質であり、資源の循環が可能である。

【0026】

次に、図１に示されるＰＦＡＳ無毒化システム１の詳細について、図２～図１１を参照して説明する。図２は、図１に示されるＰＦＡＳ無毒化システム１の構成図である。図２においては、図１において図示が省略された構成（ＴＭＡＨ廃液に係る構成等）についても図示されている。ＰＦＡＳ無毒化システム１は、廃液供給路１５（第２供給路）と、循環流路１６（第１流路）と、第１ろ液流路１７（第２流路）と、第２ろ液流路１８（第４流路）と、第３ろ液流路１９（第３流路）と、第１貯留部２０ｘと、第２貯留部２０ｙと、を更に備える。ＰＦＡＳ無毒化システム１は、バイパス流路２１を更に備える。ＰＦＡＳ無毒化システム１は、第１ガスフィルタ２２と、真空ポンプ２３と、蒸留器２４と、を更に備える。ＰＦＡＳ無毒化システム１は、第２ガスフィルタ２５を更に備える。ＰＦＡＳ無毒化システム１は、廃液供給路２６（第１供給路）と、濃縮器２７（現像液濃縮部）と、循環流路２８と、現像液流路２９と、再生現像液貯留部３０と、現像液処理槽３１（薬液処理部）と、第３ガスフィルタ３２と、発電機３３と、を更に備える。ＰＦＡＳ無毒化システム１は、バイパス流路３４と、逆流液貯留部３５と、回収流路３６と、を更に備える。ＰＦＡＳ無毒化システム１は、排出流路３７を更に備える。ＰＦＡＳ無毒化システム１は、ＳＰＭ供給路３８を更に備える。

【0027】

図３は、ＰＦＡＳを含む液体であるレジスト廃液のろ過について説明する図である。上述したように、濃縮器１１は、リソラグラフィー装置１１１から排出されたＰＦＡＳを含むレジスト廃液を濃縮する。循環流路１６は、濃縮器１１に接続された循環流路であり、流路の途中にポリマーを除外するフィルタ３９（第１フィルタ）が設けられている。フィルタ３９は、例えば中空糸フィルタである。フィルタ３９が設けられていることによりレジスト廃液が濃縮される。フィルタ３９を通過したろ液（ソルベント）は、第１ろ液流路１７を流れて、第１貯留部２０ｘ（ろ液貯留部）に貯留される。このようなろ液は、低濃度のＰＦＡＳ溶液である。第１貯留部２０ｘは、第１ろ液流路１７に接続され、ろ液を貯留する貯留部である。第２ろ液流路１８（ろ液貯留部）は、第１貯留部２０ｘ及び第２貯留部２０ｙを接続する流路である。第２ろ液流路１８には、フィルタ４０（第２フィルタ）が設けられている。フィルタ４０は、例えばイオン交換樹脂フィルタである。フィルタ４０が設けられていることにより、フィルタ４０を通過したろ液についてＰＦＡＳを含まない溶液とすることができる。フィルタ４０を通過したろ液は、第２ろ液流路１８を流れて、第２貯留部２０ｙに貯留される。このようなろ液は、再生溶媒として運用することができ、第２貯留部２０ｙよりも下流側の第３ろ液流路１９から外部に流れる。

【0028】

図４は、ろ液を逆流させることによるフィルタ３９の洗浄を説明する図である。フィルタ３９については、使用を続けるとポリマー成分等で目詰まりすることが考えられる。このような目詰まりを解消するために、第３ろ液流路１９を流れるろ液をフィルタ３９の出口側から流入させてもよい。すなわち、第３ろ液流路１９及び第１ろ液流路１７を接続するようにバイパス流路２１を設け、該バイパス流路２１内のろ液を加圧することにより、第１ろ液流路１７においてろ液を逆流させ、該ろ液をフィルタ３９の出口側から循環流路１６に流入させてもよい。このような液に対する加圧は、例えばガス加圧又はポンプ等の送液部により行われてもよい。ろ液を利用してフィルタ３９に対して逆流させることにより、フィルタ３９の目詰まりをとりリフレッシュすることができる。なお、逆流させるろ液は、第２ろ液流路１８を流れるろ液であってもよい。

【0029】

図５は、ガスの分離について説明する図である。上述したように、濃縮器１１によって濃縮された濃縮液は、硫酸処理槽１２において、ＳＰＭ廃液にて分解及び揮発させられる。これにより、酸化反応や脱水反応の分解反応が生じ、一酸化炭素、二酸化炭素、窒素、水蒸気、炭化水素系ガス、ＰＦＡＳを含むガスに分解される。この場合に放出されるガスは、１００℃以上となる。そして、硫酸処理槽１２において揮発させられたガスは、第１ガスフィルタ２２により分離される。第１ガスフィルタ２２は、硫酸処理槽１２によって揮発させられたがスについて、ＰＦＡＳリッチなガスと、ＰＦＡＳ除去済みのガスとに分離するフィルタである。第１ガスフィルタ２２は、例えば、浸透気化フィルタであり、セラミックフィルタであってもよい。第１ガスフィルタ２２は、硫酸処理槽１２において発生した熱を受けて、分解される前の濃縮液よりも高温にされている。第１ガスフィルタ２２は、硫酸処理槽１２と同じ空間内に配置されるか、又は、金属等の導電性部材によって硫酸処理槽１２抜続されることにより、硫酸処理槽１２において発生した熱を受けるものであってもよい。なお、本実施形態でいうＰＦＡＳリッチなガスとは、所定の作用の影響を受ける前のガスよりもＰＦＡＳの濃度が高い状態のガスである。上記の図５をもとにした説明では、第１ガスフィルタ２２による分離が、所定の作用に該当する。なお、本実施形態において所定の作用は第１ガスフィルタ２２による分離に限定されるものではなく、ＰＦＡＳリッチなガスが生じる場合は、その生じる原因となる作用が所定の作用であると言える。

【0030】

図６は、第１ガスフィルタ２２として浸透気化フィルタが用いられる場合の、第１ガスフィルタ２２の機能を説明する図である。図６に示されるように、浸透気化フィルタである第１ガスフィルタ２２は、分子量の差による運動量の違いを利用して、ガスを分離するフィルタである。すなわち、第１ガスフィルタ２２は、例えば下流側を減圧にすることにより、比較的分子量が小さいガス（窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、水蒸気等）を通過させる（下流側に流す）と共に、比較的分子量が大きいガス（ＰＦＡＳ、炭化水素）を通過させない。これにより、ＰＦＡＳリッチなガスとＰＦＡＳ除去済みのガスとを概ね分離することができる。

【0031】

図５に戻り、真空ポンプ２３は、第１ガスフィルタ２２の下流側を減圧させ、上述した第１ガスフィルタ２２によるガスの分離を実現するポンプである。冷却器１３は、ＰＦＡＳを含むガスを液化して捕集する。捕集された液体及び気体は、蒸留器２４に貯留される。液体のＰＦＡＳ及び炭化水素、並びに、気体のＰＦＡＳ及び炭化水素（更には後述するオゾン）は、蒸留器２４から無毒化装置１４に導入される。

【0032】

図７は、取り込んだ外気の分離について説明する図である。図７に示されるように、ＰＦＡＳ無毒化システム１では、外気（空気）を取り込み、該外気を第２ガスフィルタ２５により、窒素と酸素とに分離する。すなわち、第２ガスフィルタ２５は、外気を、空気に比べて窒素濃度が高い第１分流ガス（ここでは単に窒素とする）と、空気に比べて酸素濃度が高い第２分流ガス（ここでは単に酸素とする）とに分離する。そして、第２ガスフィルタ２５は、窒素を硫酸処理槽１２に供給する。これにより硫酸処理槽１２において発火することが抑制される。また、第２ガスフィルタ２５は、酸素を無毒化装置１４に供給する。これにより、無毒化装置１４における燃焼を促進することができる。なお、無毒化装置１４には、上述した酸素から生成されたオゾンが供給されてもよい。このようなオゾンは、蒸留器２４に供給されて無毒化装置１４に導入されてもよいし、直接無毒化装置１４に導入されてもよい。酸素からオゾンを生成する方法は、例えばＵＶ照射であってもよいし放電であってもよい。

【0033】

図８は、ポジ型現像液の濃縮及び分解について説明する図である。図８に示されるように、ＰＦＡＳ無毒化システム１では、例えばリソラグラフィー装置１１１から、ポジ型現像液であるＴＭＡＨ廃液が導入される。そして、ＰＦＡＳ無毒化システム１では、半導体製造装置１００のリソラグラフィー装置１１１から排出されたＴＭＡＨ廃液が、濃縮器２７において濃縮される。また、濃縮器２７によって濃縮されたポジ型現像液の濃縮液である第１濃縮液が、現像液処理槽３１において分解及び揮発させられる。

【0034】

廃液供給路２６は、リソラグラフィー装置１１１から導入されたＴＭＡＨ廃液を、濃縮器２７に供給する供給路である。廃液供給路２６と、濃縮器１１にレジスト廃液を供給する廃液供給路１５とは、互いに区別して設けられている。廃液供給路２６には、ポリマーを除外するフィルタ４１が設けられている。循環流路２８は、濃縮器２７に接続された循環流路であり、流路の途中にＰＦＡＳを高濃度化するためのフィルタ４２が設けられている。フィルタ４２を通過した現像液（脱ＰＦＡＳ現像液）は、現像液流路２９を通過して、再生現像液貯留部３０に貯留される。このような現像液は、再生現像液として利用することができる。

【0035】

濃縮器２７において濃縮された濃縮液（ＰＦＡＳを高濃度化した現像液）は、濃縮液流路４５を介して現像液処理槽３１に供給される。現像液処理槽３１は、上述した硫酸処理槽１２（ポジ型現像液の濃縮液である第１濃縮液よりもレジスト濃度が高い第２濃縮液の分解処理部）に接して設けられている。具体的には、現像液処理槽３１は、硫酸処理槽１２を下部側から囲うように設けられている。これにより、現像液処理槽３１は、硫酸処理槽１２から熱を受け、該熱により第１濃縮液を分解及び揮発させることができる。なお、第１濃縮液を分解する方法は熱に限定されず、例えば微生物に晒されることにより第１濃縮液が分解されてもよい。また、第１濃縮液は、硫酸処理槽１２内のＳＰＭの冷却用溶媒として利用してもよい。

【0036】

現像液処理槽３１において熱（例えば１４０℃程度の熱）により分解されたＴＭＡＨは、トリメチルアミンとジメチルエーテルに分解される。これらのガスは、無毒化装置１４における燃料として利用できる。ＰＦＡＳは、熱によっても分解されずに、ガスとして放出され、無毒化装置１４で燃やされる。現像液処理槽３１から放出されるガスには、窒素、水蒸気、炭化水素、トリメチルアミン、ジメチルエーテル、ＰＦＡＳ等が含まれている。第３ガスフィルタ３２は、例えば下流側を減圧にすることにより、比較的分子量が小さいガス（窒素、水蒸気等）を通過させる（下流側に流す）と共に、比較的分子量が大きいガス（トリメチルアミン、ジメチルエーテル、ＰＦＡＳ、炭化水素）を通過させない。これにより、ＰＦＡＳリッチなガスとＰＦＡＳ除去済みのガスとを概ね分離することができる。窒素及び水蒸気等は、系外に放出される。なお、放出される水蒸気が発電機３３において水に戻されることにより、圧力差を利用して発電することができる。無毒化装置１４に送られるＰＦＡＳ等を含むガスは、圧縮した後に無毒化装置１４に送られてもよい。

【0037】

無毒化装置１４は、現像液処理槽３１によって揮発させられた第１濃縮液に係るガスと、硫酸処理槽１２によって揮発させられた第２濃縮液に係るガスとを混合して燃焼する燃焼室を有していてもよい。

【0038】

図９は、ろ液を逆流させることによるフィルタ４１の洗浄を説明する図である。フィルタ４１については、使用を続けるとポリマー成分等で目詰まりすることが考えられる。このような目詰まりを解消するために、第３ろ液流路１９を流れるろ液をフィルタ４１の出口側から流入させてもよい。具体的には、第３ろ液流路１９に接続されたバイパス流路２１に接続されると共に、廃液供給路２６におけるフィルタ４１の下流側に接続されたバイパス流路３４が設けられている。そして、バイパス流路３４内のろ液を加圧することにより、廃液供給路２６においてろ液を逆流させ、該ろ液をフィルタ４１の出口側から流入させてもよい。このような液に対する加圧は、例えばガス加圧又はポンプ等の送液部により行われてもよい。ろ液を利用してフィルタ４１に対して逆流させることにより、フィルタ４１の目詰まりをとりリフレッシュすることができる。なお、逆流させるろ液は、第２ろ液流路１８を流れるろ液であってもよい。このようなフィルタ洗浄を行っている間は、フィルタ４１によるポリマー除去ができないため、フィルタ４１は並列構成（複数構成）とされていてもよい。

【0039】

そして、ろ液がフィルタ４１の出口側から流入した状態において、フィルタ４１の入口側から流れ出た逆流液を逆流液貯留部３５が貯留する。逆流液貯留部３５は、回収流路３６によって濃縮器１１に接続されている。回収流路３６は、逆流液貯留部３５から濃縮器１１へ逆流液を送り込む流路である。このような回収流路３６が設けられていることにより、フィルタ４１の目詰まり解消のために逆流させた液を逆流液貯留部３５から濃縮器１１に回収することができる。

【0040】

図１０は、ＳＰＭ廃液の排出を説明する図である。硫酸処理槽１２においてレジスト濃縮液とＳＰＭ廃液との反応が進むと、ＳＰＭ中の過酸化水素が失活し、反応能力が著しく低下する。このとき、ＳＰＭは濃硫酸の状態になり、脱水反応を生じさせることができるものの、有機物の炭化が進んで液が黄色や茶色に変色する。そのため、例えば液が黄色になった時点で、排出流路３７からＳＰＭ廃液の排出が行われる。この際、排出流路３７に設けられたフィルタ４３によって、炭化物のフィルタリングが行われる。排出されるＳＰＭ廃液は、過酸化水素が無くなっており、またフィルタ４３によるフィルタリングによって硫酸の純度が上がっているため、再生硫酸として利用することができる。

【0041】

図１１は、ＳＰＭ廃液によるフィルタ４３の洗浄を説明する図である。硫酸処理槽１２に新たなＳＰＭ廃液を供給する際、ＳＰＭ廃液の一部について、フィルタ４３の出口側から流入させることにより、炭化物をトラップしているフィルタ４３を洗浄することができる。すなわち、硫酸処理槽１２に新たなＳＰＭ廃液を供給するためのＳＰＭ供給路３８の内、フィルタ４３の出口に接続されている流路に対して、ＳＰＭ廃液を流すことにより、ＳＰＭ廃液とフィルタ４３にトラップされている炭化物とを反応させてもよい。これにより、フィルタ４３にトラップされている炭化物は二酸化炭素となり排気され、フィルタ４３が洗浄される。

【0042】

次に、本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システム１について作用効果を説明する。

【0043】

本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システム１は、半導体製造装置１００のリソラグラフィー装置１１１から排出されたＰＦＡＳを含むレジスト廃液を濃縮する濃縮器１１を備える。また、ＰＦＡＳ無毒化システム１は、濃縮器１１によって濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる硫酸処理槽１２を備える。本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システム１では、ＰＦＡＳを含む廃液が濃縮された後に、濃縮液が分解及び揮発させられる。これにより、ポリマーや溶媒等については脱水反応の分解反応により低分子化されると共に、ＰＦＡＳについては揮発する。このようなＰＦＡＳ無毒化システム１によれば、ＰＦＡＳの無毒化処理を円滑に実施することができる。

【0044】

硫酸処理槽１２は、熱濃硫酸を含む液体によって濃縮液を分解及び揮発させてもよい。このように、濃縮液が熱濃硫酸を含む液体に混ぜ合わされることにより、ポリマーや溶媒等については脱水反応の分解反応により低分子化されると共に、ＰＦＡＳについては揮発する。上記混ぜ合わされた液体において有機物反応により脱気することにより、後段の処理において液体が発泡しにくくなり、後段で実施される処理が容易になる。

【0045】

ＰＦＡＳ無毒化システム１は、濃縮器１１に接続された循環流路であってその途中にフィルタ３９が設けられた循環流路１６と、フィルタを通過した濃縮液のろ液が流れる第１ろ液流路１７と、を更に備える。また、ＰＦＡＳ無毒化システム１は、第１ろ液流路１７に接続され、ろ液を貯留する第１貯留部２０ｘを更に備える。このような構成によれば、フィルタ３９を用いて廃液の濃縮を適切に行うと共に、フィルタ３９を通過したろ液を貯留し、例えば、該ろ液を再生溶媒として利用することができる。

【0046】

ＰＦＡＳ無毒化システム１は、第２貯留部２０ｙよりも下流側の第３ろ液流路１９と、第３ろ液流路１９及び第１ろ液流路１７を接続するバイパス流路２１と、を更に備える。そして、ＰＦＡＳ無毒化システム１では、バイパス流路２１内の液が加圧されることにより、第１ろ液流路１７において該液が逆流し、該液をフィルタ３９の出口側から循環流路１６に流入させる。このように、バイパス流路２１を介して、フィルタ３９の出口側からろ液を流入させることにより、フィルタ３９の目詰まりを解消し、フィルタ３９を適切に洗浄することができる。

【0047】

ＰＦＡＳ無毒化システム１は、フィルタ４０が設けられた第２ろ液流路１８を更に備え、第２ろ液流路１８は、第１貯留部２０ｘ及び第２貯留部１０ｙを接続する。このように、ろ液貯留部として、２つの貯留部が設けられ、その間にフィルタ４０が設けられることにより、ＰＦＡＳ濃度が低くされたろ液を適切に抽出・貯留することができる。

【0048】

ＰＦＡＳ無毒化システム１は、硫酸処理槽１２によって揮発させられたガスについて、ＰＦＡＳリッチなガスと、ＰＦＡＳ除去済みガスとに分離する第１ガスフィルタ２２を更に備えていてもよい。このような第１ガスフィルタ２２が設けられることにより、ＰＦＡＳリッチなガスとＰＦＡＳが除去されたガスとを適切に分離することができる。

【0049】

第１ガスフィルタ２２は、硫酸処理槽１２において発生した熱を受け、濃縮液よりも高温にされていてもよい。このように、第１ガスフィルタ２２が高温にされることにより、選別対象であるＰＦＡＳの第１ガスフィルタ２２の通過し易さが他のガスに比べて相対的に低くなるため、加温による流速変化の違いを利用してガスの分離を適切に行うことができる。

【0050】

ＰＦＡＳ無毒化システム１は、外気を取り込み、該外気を、空気に比べて窒素濃度が高い第１分流ガスと、空気に比べて酸素濃度が高い第２分流ガスとに分離する第２ガスフィルタ２５を更に備える。第２ガスフィルタ２５は、第１分流ガスを硫酸処理槽１２に供給してもよい。このように、硫酸処理槽１２に窒素濃度が高いガスが供給されることにより、硫酸処理槽１２において発火することを抑制することができる。

【0051】

ＰＦＡＳ無毒化システム１は、硫酸処理槽１２によって揮発させられたガスに含まれるＰＦＡＳを燃焼除害する無毒化装置１４を更に備え、第２ガスフィルタ２５は、第２分流ガスを無毒化装置１４に供給してもよい。このように、無毒化装置１４に酸素濃度が高いガスが供給されることにより、無毒化装置１４における燃焼を促進することができる。

【0052】

ＰＦＡＳ無毒化システム１は、半導体製造装置１００のリソラグラフィー装置１１１から排出された、ポジ型現像液を含む廃液を濃縮する濃縮器２７と、濃縮器２７によって濃縮された第１濃縮液を分解及び揮発させる現像液処理槽３１と、を更に備える。本実施形態に係るＰＦＡＳ無毒化システム１では、ＰＦＡＳを含む廃液であるポジ型現像液を含む廃液が濃縮された後に、濃縮液が分解及び揮発させられる。これにより、ポリマーや溶媒等については脱水反応の分解反応により低分子化されると共に、ＰＦＡＳについては揮発する。このようなＰＦＡＳ無毒化システム１によれば、ＰＦＡＳの無毒化処理を円滑に実施することができる。

【0053】

ＰＦＡＳ無毒化システム１は、ポジ型現像液を含む廃液を濃縮器２７に供給する廃液供給路２６と、ポジ型現像液を含む廃液よりもレジスト濃度が高い廃液を、該廃液に対応する分解処理部である硫酸処理槽１２に供給する廃液供給路１５と、を更に備える。そして、廃液供給路２６と廃液供給路１５とは、互いに区別して設けられている。このように、ポジ型現像液を含む廃液の供給路（廃液供給路２６）と、レジスト濃度が高い廃液の供給路（廃液供給路１５）とが互いに区別して設けられることにより、例えば酸・アルカリ反応によって余分な塩が発生すること等を抑制することができる。

【0054】

現像液処理槽３１は、熱により第１濃縮液を分解及び揮発させてもよい。このように、熱により第１濃縮液が分解等されることにより、適切に第１濃縮液を分解させることができる。

【0055】

現像液処理槽３１は、第１濃縮液よりもレジスト濃度が高い第２濃縮液の分解処理部である硫酸処理槽１２に接して設けられていてもよい。このような構成によれば、第２濃縮液の分解処理部である硫酸処理槽１２における反応の熱を利用して、第１濃縮液を適切に分離させることができる。また、現像液処理槽３１が硫酸処理槽１２に接していることにより、硫酸処理槽１２の容器（ひいてはＳＰＭ廃液）を冷却することができる。

【0056】

ＰＦＡＳ無毒化システム１は、ＰＦＡＳを燃焼除害する無毒化装置１４を更に備える。無毒化装置１４は、現像液処理槽３１によって揮発させられた第１濃縮液に係るガスと、硫酸処理槽１２によって揮発させられた第２濃縮液に係るガスとを混合して燃焼する燃焼室を有する。このように、現像液処理槽３１によって分解・揮発させられた第１濃縮液に係るガスと、硫酸処理槽１２によって分解・揮発させられた第２濃縮液に係るガスとが燃焼室における燃焼に用いられる。このことによって、無毒化装置１４に導入される燃料を減量することができ、トータル的にＣＯ２排出量を抑制し、焼却施設が大型化することを回避することができる。

【0057】

ＰＦＡＳ無毒化システム１は、バイパス流路３４内のろ液を加圧することにより、廃液供給路２６において該液を逆流させ、該ろ液を、フィルタ４１の出口側から流入させてもよい。このように、バイパス流路３４を介して、フィルタ４１の出口側からろ液を流入させることにより、フィルタ４１の目詰まりを解消し、フィルタ４１を適切に洗浄することができる。

【0058】

ＰＦＡＳ無毒化システム１は、ろ液が、フィルタ４１の出口側から流入した状態において、該フィルタ４１の入口側から流れ出た逆流液を貯留する逆流液貯留部３５を備える。また、逆流液貯留部３５と濃縮器１１とを接続し、逆流液貯留部３５から濃縮器１１へ逆流液を送り込む回収流路３６、を更に備えていてもよい。これにより、フィルタ４１の洗浄のために逆流させた液を適切に回収することができる。

【0059】

以上、本実施形態について説明したが、本開示は上記に限定されない。例えば、ポジ型現像液を含む廃液の薬液処理部が、レジスト廃液の薬液処理部である硫酸処理槽１２に接して設けられているとして説明したがこれに限定されない。例えば、図１２に示されるように、ポジ型現像液を含む廃液の薬液処理部である分解処理室１３５が、硫酸処理槽１２とは離れて設けられていてもよい。この場合、硫酸処理槽１２は、冷媒を含む冷媒槽１３１によって冷却されてもよい。

【0060】

また、図１３に示されるように、濃縮器２７と現像液処理槽３１とを接続する流路１５０が設けられ、該流路１５０に熱交換機１５１が設けられていてもよい。この場合、流路１５０を介して、現像液処理槽３１内の第１濃縮液を濃縮器２７側に戻すことができる。

【0061】

最後に、本開示に含まれる種々の例示的実施形態を、以下の［Ｅ１］～［Ｅ２３］に記載する。

【0062】

［Ｅ１］
処理システムは、半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮部と、濃縮部によって濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理部と、を備える。

【0063】

［Ｅ２］
前記薬液処理部は、熱濃硫酸を含む液体によって前記濃縮液を分解及び揮発させる、［Ｅ１］記載の処理システム。

【0064】

［Ｅ３］
前記濃縮部に接続された循環流路であってその途中に第１フィルタが設けられた第１流路と、前記第１フィルタを通過した前記濃縮液のろ液が流れる第２流路と、を更に備える。また、前記第２流路に接続され、前記ろ液を貯留するろ液貯留部を更に備える［Ｅ１］又は［Ｅ２］記載の処理システム。

【0065】

［Ｅ４］
前記ろ液貯留部よりも下流側の第３流路と、前記第３流路及び前記第２流路を接続するバイパス流路と、を更に備える。また、前記バイパス流路内の液を加圧することにより、前記第２流路において該液を逆流させ、該液を前記第１フィルタの出口側から前記第１流路に流入させる送液部を更に備える、［Ｅ３］記載の処理システム。

【0066】

［Ｅ５］
第２フィルタが設けられた第４流路を更に備え、前記ろ液貯留部は、前記第２流路に接続された第１貯留部と、前記第３流路に接続された第２貯留部とを有し、前記第４流路は、前記第１貯留部及び前記第２貯留部を接続する、［Ｅ４］記載の処理システム。

【0067】

［Ｅ６］
前記薬液処理部によって揮発させられたガスについて、有機フッ素化合物リッチなガスと、有機フッ素化合物除去済みガスとに分離する第１ガスフィルタを更に備える、［Ｅ１］～［Ｅ５］のいずれか一項記載の処理システム。

【0068】

［Ｅ７］
前記第１ガスフィルタは、前記薬液処理部において発生した熱を受け、前記濃縮液よりも高温にされている、［Ｅ６］記載の処理システム。

【0069】

［Ｅ８］
外気を取り込み、該外気を、空気に比べて窒素濃度が高い第１分流ガスと、空気に比べて酸素濃度が高い第２分流ガスとに分離する第２ガスフィルタを更に備える。また、前記第２ガスフィルタは、前記第１分流ガスを前記薬液処理部に供給する、［Ｅ１］～［Ｅ７］のいずれか一項記載の処理システム。

【0070】

［Ｅ９］
前記薬液処理部によって揮発させられたガスに含まれる有機フッ素化合物を燃焼除害する燃焼除害装置を更に備え、前記第２ガスフィルタは、前記第２分流ガスを前記燃焼除害装置に供給する、［Ｅ８］記載の処理システム。

【0071】

［Ｅ１０］
半導体製造装置から排出された、有機フッ素化合物を含む廃液を濃縮する濃縮ステップと、前記濃縮ステップにおいて濃縮された濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理ステップと、を含む処理方法。

【0072】

［Ｅ１１］
前記濃縮ステップにおいて用いられる第１フィルタの出口側から、前記第１フィルタを通過した前記濃縮液のろ液を流入させることにより、前記第１フィルタを洗浄するフィルタ洗浄ステップを更に含む［Ｅ１０］記載の処理方法。

【0073】

［Ｅ１２］
前記薬液処理ステップにおいて揮発させられたガスについて、第１ガスフィルタにより、有機フッ素化合物リッチなガスと、有機フッ素化合物除去済みガスとに分離するガス分離ステップを更に含む、［Ｅ１０］又は［Ｅ１１］記載の処理方法。

【0074】

［Ｅ１３］
第２ガスフィルタにより、外気を、空気に比べて窒素濃度が高い第１分流ガスと、空気に比べて酸素濃度が高い第２分流ガスとに分離する。更に、前記第１分流ガスを前記薬液処理ステップを行う処理部に供給するガス供給ステップを含む、［Ｅ１０］～［Ｅ１３］のいずれか一項記載の処理方法。

【0075】

［Ｅ１４］
半導体製造装置から排出された、ポジ型現像液を含む廃液を濃縮する現像液濃縮部と、
前記現像液濃縮部によって濃縮された第１濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理部と、を備える処理システム。

【0076】

［Ｅ１５］
前記ポジ型現像液を含む廃液を、前記現像液濃縮部に供給する第１供給路を備え、前記第１供給路は、前記ポジ型現像液を含む廃液よりもレジスト濃度が高い廃液を、該廃液に対応する分解処理部に供給する第２供給路とは区別して設けられている、［Ｅ１４］記載の処理システム。

【0077】

［Ｅ１６］
前記薬液処理部は、熱により前記第１濃縮液を分解及び揮発させる、［Ｅ１４］又は［Ｅ１５］記載の処理システム。

【0078】

［Ｅ１７］
前記薬液処理部は、前記第１濃縮液よりもレジスト濃度が高い第２濃縮液の分解処理部に接して設けられている、［Ｅ１４］～［Ｅ１６］のいずれか一項記載の処理システム。

【0079】

［Ｅ１８］
有機フッ素化合物を燃焼除害する燃焼除害装置を更に備える。前記燃焼除害装置は、前記薬液処理部によって揮発させられた前記第１濃縮液に係るガスと、前記分解処理部によって揮発させられた前記第２濃縮液に係るガスとを混合して燃焼する燃焼室を有する、［Ｅ１７］記載の処理システム。

【0080】

［Ｅ１９］
前記ポジ型現像液を含む廃液を前記現像液濃縮部に供給する供給路であってその途中に前記ポジ型現像液を含む廃液用のフィルタが設けられた第１供給路を備える。前記ポジ型現像液を含む廃液よりもレジスト濃度が高い廃液の濃縮に係るフィルタを通過したろ液が流れるろ液流路と、 前記ろ液流路及び前記第１供給路を接続するバイパス流路と、を備える。更に、前記バイパス流路内のろ液を加圧することにより、前記第１供給路において該液を逆流させ、該ろ液を、前記ポジ型現像液を含む廃液用のフィルタの出口側から流入させる送液部を備える、［Ｅ１４］～［Ｅ１８］のいずれか一項記載の処理システム。

【0081】

［Ｅ２０］
前記ポジ型現像液を含む廃液よりもレジスト濃度が高い廃液を貯留する廃液貯留部と、前記ろ液が、前記ポジ型現像液を含む廃液用のフィルタの出口側から流入した状態において、該フィルタの入口側から流れ出た逆流液を貯留する逆流液貯留部と、を備える。前記逆流液貯留部と前記廃液貯留部とを接続し、前記逆流液貯留部から前記廃液貯留部へ前記逆流液を送り込む回収流路を更に備える、［Ｅ１９］記載の処理システム。

【0082】

［Ｅ２１］
半導体製造装置から排出された、ポジ型現像液を含む廃液を濃縮する現像液濃縮ステップと、前記現像液濃縮ステップにおいて濃縮された第１濃縮液を分解及び揮発させる薬液処理ステップと、を含む処理方法。

【0083】

［Ｅ２２］
前記薬液処理ステップでは、前記第１濃縮液よりもレジスト濃度が高い第２濃縮液の分解に係る反応で生じた熱を用いて、前記第１濃縮液を分解及び揮発させる、［Ｅ２１］記載の処理方法。

【0084】

［Ｅ２３］
前記現像液濃縮ステップにおいて用いられるフィルタの出口側から、該フィルタとは別のフィルタであって前記ポジ型現像液を含む廃液よりもレジスト濃度が高い廃液の濃縮に係るフィルタを通過したろ液を流入させる。これにより、前記現像液濃縮ステップにおいて用いられるフィルタを洗浄するフィルタ洗浄ステップを更に含む、［Ｅ２１］又は［Ｅ２２］記載の処理方法。

【符号の説明】

【0085】

１…ＰＦＡＳ無毒化システム、１１…濃縮器、１２…硫酸処理槽、１３…冷却器、１４…無毒化装置、１００…半導体製造装置、１１１…リソラグラフィー装置、１１２…洗浄装置、１１３…エッチング装置、１１４…成膜装置。

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】