特開 2024-151610 配線基板及び配線基板の製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024151610

(43)【公開日】2024-10-25

(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 3/46 20060101AFI20241018BHJP

   H05K 3/00 20060101ALI20241018BHJP

【ＦＩ】

H05K3/46 N

H05K3/00 N

H05K3/46 X

H05K3/46 B

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023065088

(22)【出願日】2023-04-12

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100105957

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 誠

(74)【代理人】

【識別番号】100068755

【弁理士】

【氏名又は名称】恩田 博宣

(72)【発明者】

【氏名】竹内 明宏

【テーマコード（参考）】

5E316

【Ｆターム（参考）】

5E316AA32

5E316AA35

5E316AA38

5E316AA43

5E316CC05

5E316CC08

5E316CC09

5E316CC10

5E316CC13

5E316CC31

5E316CC32

5E316CC37

5E316CC38

5E316DD23

5E316DD24

5E316EE01

5E316FF13

5E316FF14

5E316GG15

5E316GG17

5E316GG28

5E316HH26

5E316JJ02

(57)【要約】

【課題】配線層のファインピッチ化が可能である配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板１０は、絶縁層２１と、線状に延びる第１パターン３１Ａを含む接続部３１を有するとともに、絶縁層２１の上面に形成された配線層３０と、配線層３０を被覆するように絶縁層２１の上面に形成された絶縁層４０とを有する。配線基板１０は、絶縁層４０を厚さ方向に貫通するとともに、第１パターン３１Ａの上面と第１パターン３１Ａの幅方向の両側面とを露出するビアホールＶＨ１と、ビアホールＶＨ１を充填するとともに、配線層３０と電気的に接続されたビア配線５０とを有する。配線基板１０は、ビア配線５０を介して配線層３０と電気的に接続されるとともに、絶縁層４０の上面に形成された配線層６０を有する。
【選択図】図４

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１絶縁層と、
線状に延びる第１パターンを含む接続部を有するとともに、前記第１絶縁層の上面に形成された第１配線層と、
前記第１配線層を被覆するように前記第１絶縁層の上面に形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通するとともに、前記第１パターンの上面と前記第１パターンの幅方向の両側面とを露出するビアホールと、
前記ビアホールを充填するとともに、前記第１配線層と電気的に接続されたビア配線と、
前記ビア配線を介して前記第１配線層と電気的に接続されるとともに、前記第２絶縁層の上面に形成された第２配線層と、を有する配線基板。

【請求項2】

前記ビアホールは、前記第１配線層の厚さ方向において、前記第１パターンの側面全面を露出するように形成されている請求項１に記載の配線基板。

【請求項3】

前記ビアホールは、前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通する貫通孔と、前記第１絶縁層の上面に形成された凹部とが互いに連通されて形成されている請求項１に記載の配線基板。

【請求項4】

前記凹部は、前記第１パターンの下面を露出するように形成されている請求項３に記載の配線基板。

【請求項5】

前記接続部は、線状に延びるとともに、前記第１パターンと交差するように形成された第２パターンを有し、
前記ビアホールは、前記第２パターンの上面と前記第２パターンの幅方向の両側面とを露出するように形成されている請求項１に記載の配線基板。

【請求項6】

前記ビアホールの平面形状は、前記第１パターンと前記第２パターンとの交差部分を中心とした円形状に形成されている請求項５に記載の配線基板。

【請求項7】

前記接続部は、前記第１パターンと前記第２パターンとの交差部分に形成された円形状の第３パターンを有し、
前記第３パターンの平面形状は、前記ビアホールの底部の平面形状よりも小さく形成されており、
前記ビアホールは、前記第３パターンの上面と前記第３パターンの側面とを露出するように形成されている請求項５に記載の配線基板。

【請求項8】

前記接続部は、前記第３パターンの平面中心に設けられた貫通パターンを有し、
前記貫通パターンは、前記接続部を厚さ方向に貫通するとともに、前記第１絶縁層の上面を露出するように形成されており、
前記ビアホールは、前記貫通パターンの内壁面を露出するように形成されている請求項７に記載の配線基板。

【請求項9】

第１絶縁層の上面に、線状に延びる第１パターンを含む接続部を有する第１配線層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、前記第１配線層を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通するとともに、前記第１パターンの上面と前記第１パターンの幅方向の両側面とを露出するビアホールを形成する工程と、
前記ビアホールを充填するビア配線を形成するとともに、前記ビア配線を介して前記第１配線層と電気的に接続される第２配線層を前記第２絶縁層の上面に形成する工程と、を有する配線基板の製造方法。

【請求項10】

前記ビアホールは、レーザ加工法により形成され、
前記ビアホールは、前記第１配線層の厚さ方向において、前記第１パターンの側面全面を露出するように形成される請求項９に記載の配線基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法に関するものである。

【背景技術】

【0002】

従来、半導体素子等の電子部品を実装するための配線基板は、様々な形状・構造のものが提案されている。この種の配線基板としては、ビルドアップ法により複数の配線層と複数の絶縁層とを交互に積層した配線基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。複数の配線層は、絶縁層を厚さ方向に貫通するビアホール内に形成されたビア配線を介して互いに電気的に接続されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２１－１６８３４８号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、上述した配線基板では、配線層のファインピッチ化が望まれている。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本発明の一観点によれば、第１絶縁層と、線状に延びる第１パターンを含む接続部を有するとともに、前記第１絶縁層の上面に形成された第１配線層と、前記第１配線層を被覆するように前記第１絶縁層の上面に形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通するとともに、前記第１パターンの上面と前記第１パターンの幅方向の両側面とを露出するビアホールと、前記ビアホールを充填するとともに、前記第１配線層と電気的に接続されたビア配線と、前記ビア配線を介して前記第１配線層と電気的に接続されるとともに、前記第２絶縁層の上面に形成された第２配線層と、を有する。

【発明の効果】

【0006】

本発明の一観点によれば、配線層のファインピッチ化が可能であるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】図１は、一実施形態の配線基板を示す概略断面図である。

【図2】図２は、一実施形態の配線基板の一部を示す概略平面図である。

【図3】図３は、一実施形態の配線基板の一部を示す概略断面図（図２における３－３線断面図）である。

【図4】図４は、一実施形態の配線基板の一部を示す概略断面図（図２における４－４線断面図）である。

【図5】図５は、一実施形態の配線基板の一部を示す概略断面図（図２における５－５線断面図）である。

【図6】図６（ａ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図（図６（ｃ）における６ａ－６ａ線断面図）である。図６（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図（図６（ｃ）における６ｂ－６ｂ線断面図）である。図６（ｃ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略平面図である。

【図7】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図8】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図9】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図10】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図11】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図12】図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図13】図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図14】図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、一実施形態の配線基板の製造方法を示す概略断面図である。

【図15】図１５は、変更例の配線基板を示す概略断面図である。

【図16】図１６は、変更例の配線基板を示す概略平面図である。

【図17】図１７は、変更例の配線基板を示す概略平面図である。

【図18】図１８は、変更例の配線基板を示す概略平面図である。

【図19】図１９は、変更例の配線基板を示す概略平面図である。

【図20】図２０は、従来の配線基板を示す概略平面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下、一実施形態について添付図面を参照して説明する。
なお、添付図面は、便宜上、特徴を分かりやすくするために特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが各図面で同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを梨地模様に代えて示し、一部の部材のハッチングを省略している。なお、本明細書において、「平面視」とは、対象物を図１等の鉛直方向（図中上下方向）から見ることを言い、「平面形状」とは、対象物を図１等の鉛直方向から見た形状のことを言う。本明細書における「上下方向」及び「左右方向」は、各図面において各部材を示す符号が正しく読める向きを正位置とした場合の方向である。

【0009】

（配線基板１０の全体構成）
図１に示すように、配線基板１０は、基板本体１１を有している。基板本体１１の下面には、配線層１２と、絶縁層１３と、配線層１４と、ソルダーレジスト層１５とが順に積層されている。基板本体１１の上面には、配線層２０と、絶縁層２１と、配線層３０と、絶縁層４０と、配線層６０と、ソルダーレジスト層７０とが順に積層されている。

【0010】

基板本体１１としては、絶縁樹脂層と配線層とが交互に積層された配線構造体を用いることができる。配線構造体は、例えば、コア基板を有してもよいし、コア基板を有していなくてもよい。絶縁樹脂層の材料としては、例えば、熱硬化性の絶縁性樹脂を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。また、絶縁樹脂層の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などの感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることもできる。絶縁樹脂層は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。

【0011】

基板本体１１内の配線層や配線層１２，１４，２０，３０，６０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。絶縁層１３，２１，４０の材料としては、例えば、熱硬化性の絶縁性樹脂を用いることができる。熱硬化性の絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やシアネート樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。絶縁層１３，２１，４０は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。ソルダーレジスト層１５，７０の材料としては、例えば、フェノール系樹脂やポリイミド系樹脂などの感光性樹脂を主成分とする絶縁性樹脂を用いることができる。ソルダーレジスト層１５，７０は、例えば、シリカやアルミナ等のフィラーを含有していてもよい。

【0012】

配線層１２は、基板本体１１の下面に形成されている。基板本体１１の下面には、配線層１２を被覆する絶縁層１３が積層されている。絶縁層１３の下面には、配線層１４が積層されている。配線層１４は、例えば、絶縁層１３を厚さ方向に貫通するビア配線と一体に形成されており、そのビア配線を介して配線層１２と電気的に接続されている。

【0013】

絶縁層１３の下面には、配線層１４を被覆するソルダーレジスト層１５が積層されている。ソルダーレジスト層１５は、配線基板１０の最外層（ここでは、最下層）の絶縁層である。

【0014】

ソルダーレジスト層１５には、配線層１４の下面の一部を外部接続用パッドＰ１として露出させるための複数の開口部１５Ｘが形成されている。外部接続用パッドＰ１には、配線基板１０をマザーボード等の実装基板に実装する際に使用される外部接続端子（図示略）が接続される。

【0015】

開口部１５Ｘの底部に露出する配線層１４の下面には、必要に応じて、表面処理層が形成されている。表面処理層の例としては、金（Ａｕ）層、ニッケル（Ｎｉ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層（Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。表面処理層の他の例としては、Ｎｉ層／Ｐｄ層（Ｎｉ層とＰｄ層をこの順番で積層した金属層）、Ｐｄ層／Ａｕ層（Ｐｄ層とＡｕ層をこの順番で積層した金属層）などを挙げることができる。ここで、Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層である。これらＡｕ層、Ｎｉ層、Ｐｄ層としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき層）や、電解めっき法により形成された金属層（電解めっき層）を用いることができる。また、表面処理層としては、開口部１５Ｘに露出する配線層１４の下面に、ＯＳＰ（Organic Solderability Preservative）処理などの酸化防止処理を施して形成されるＯＳＰ膜を用いることができる。ＯＳＰ膜としては、アゾール化合物やイミダゾール化合物等の有機被膜を用いることができる。なお、配線層１４の下面に表面処理層が形成されている場合には、その表面処理層が外部接続用パッドＰ１として機能する。

【0016】

本例では、配線層１４の下面に外部接続端子を設けるようにしたが、開口部１５Ｘの底部に露出する配線層１４自体、又は配線層１４の下面に表面処理層が形成されている場合にはその表面処理層自体を、外部接続端子としてもよい。

【0017】

配線層２０は、基板本体１１の上面に形成されている。配線層２０は、基板本体１１内の配線層や貫通電極を介して、配線層１２と電気的に接続されている。配線層２０の厚さは、例えば、５μｍ～２０μｍ程度とすることができる。基板本体１１の上面には、配線層２０を被覆する絶縁層２１が積層されている。なお、配線層２０の上面から絶縁層２１の上面までの厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。

【0018】

絶縁層２１の上面には、配線層３０が積層されている。配線層３０は、例えば、絶縁層２１を厚さ方向に貫通するビア配線と一体に形成されており、そのビア配線を介して配線層２０と電気的に接続されている。配線層３０の厚さは、例えば、５μｍ～２０μｍ程度とすることができる。

【0019】

図２に示すように、配線層３０は、接続部３１と、接続部３１から平面方向（ここでは、図中左右方向）に延びる延出部３２とを有している。ここで、平面方向は、配線層３０の厚さ方向と断面視で直交する方向である。

【0020】

接続部３１は、例えば、平面形状が＋字状に形成されている。接続部３１は、例えば、線状に延びる第１パターン３１Ａと、線状に延びるとともに第１パターン３１Ａと交差するように形成された第２パターン３１Ｂとを有している。第１パターン３１Ａは、第２パターン３１Ｂと連続して一体に形成されている。第１パターン３１Ａは、延出部３２と連続して一体に形成されている。第１パターン３１Ａは、例えば、図中左右方向に沿って線状に延びている。第１パターン３１Ａは、第１パターン３１Ａが延びる方向である長さ方向（ここでは、図中左右方向）と、その長さ方向と平面視で直交する幅方向（ここでは、図中上下方向）とを有している。第２パターン３１Ｂは、例えば、第１パターン３１Ａの長さ方向と交差する方向、ここでは第１パターン３１Ａの長さ方向と直交する図中上下方向に沿って線状に延びている。第２パターン３１Ｂは、例えば、第１パターン３１Ａの長さ方向の中間部と交差するように形成されている。第２パターン３１Ｂは、第２パターン３１Ｂが延びる方向である長さ方向（ここでは、図中上下方向）と、その長さ方向と平面視で直交する幅方向（ここでは、図中左右方向）とを有している。延出部３２は、例えば、第１パターン３１Ａの端部から図中右方向に向かって延びている。延出部３２は、図中左右方向に沿って線状に延びている。なお、図２は、図１に示した絶縁層２１及び配線層３０の一部を上方から見た平面図である。

【0021】

（絶縁層４０の構成）
図１に示すように、絶縁層４０は、配線層３０を被覆するように絶縁層２１の上面に積層されている。なお、配線層３０の上面から絶縁層４０の上面までの厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。

【0022】

絶縁層４０には、当該絶縁層４０を厚さ方向に貫通して配線層３０の上面及び側面を露出するビアホールＶＨ１が形成されている。ビアホールＶＨ１の平面形状は、任意の形状及び任意の大きさに設定することができる。本例のビアホールＶＨ１の平面形状は、円形状に形成されている。ビアホールＶＨ１の深さは、例えば、１０μｍ～３５μｍ程度とすることができる。

【0023】

本例のビアホールＶＨ１は、図１において上側（絶縁層４０の上面側）から下側に向かうに連れて開口幅（開口径）が小さくなるテーパ状に形成されている。ビアホールＶＨ１の内壁面は、例えば、全体として、絶縁層４０の上面から配線層３０に向かうに連れてビアホールＶＨ１の平面中心に近づくように傾斜して形成されている。なお、ビアホールＶＨ１の内壁面は、平面である必要はなく、ビアホールＶＨ１の内壁面の一部又は全部が凸状の曲面や凹状の曲面であってもよい。

【0024】

（配線層６０の構造）
絶縁層４０の上面には、配線層６０が積層されている。配線層６０は、配線基板１０の最外層（ここでは、最上層）の配線層である。なお、配線層６０の厚さは、例えば、５μｍ～２０μｍ程度とすることができる。

【0025】

配線層６０は、例えば、絶縁層４０のビアホールＶＨ１内に形成されたビア配線５０を介して配線層３０と電気的に接続されている。配線層６０は、例えば、ビア配線５０と連続して一体に形成されている。ビア配線５０は、例えば、ビアホールＶＨ１を充填するように形成されている。ビア配線５０の厚さは、例えば、１０μｍ～３５μｍ程度とすることができる。

【0026】

（ソルダーレジスト層７０の構造）
ソルダーレジスト層７０は、配線層６０を被覆するように、絶縁層４０の上面に積層されている。ソルダーレジスト層７０は、配線基板１０の最外層（ここでは、最上層）の絶縁層である。

【0027】

ソルダーレジスト層７０には、配線層６０の上面の一部を接続用パッドＰ２として露出させるための複数の開口部７０Ｘが形成されている。接続用パッドＰ２は、例えば、半導体素子等の電子部品と接続するためのパッドである。

【0028】

開口部７０Ｘの底部に露出する配線層６０の上面には、必要に応じて、表面処理層が形成されている。表面処理層の例としては、Ａｕ層、Ｎｉ層／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層、Ｎｉ層／Ｐｄ層、Ｐｄ層／Ａｕ層などの金属層やＯＳＰ膜を挙げることができる。

【0029】

次に、図２から図５にしたがって、絶縁層２１、配線層３０、絶縁層４０、ビアホールＶＨ１、ビア配線５０及び配線層６０の構造について詳述する。なお、図２から図５では、ソルダーレジスト層７０の図示を省略している。また、図２では、ビアホールＶＨ１の底部における平面形状を二点鎖線で図示している。

【0030】

（配線層３０の構造）
図３から図５に示すように、配線層３０は、金属膜３５と、金属膜３５上に形成された金属層３６とを有している。金属膜３５の材料としては、例えば、銅又は銅合金を用いることができる。金属膜３５の厚さは、例えば、１μｍ～５μｍ程度とすることができる。金属層３６は、金属膜３５の上面を被覆するように形成されている。金属層３６は、例えば、金属膜３５の上面全面を被覆するように形成されている。金属層３６の材料としては、例えば、銅又は銅合金を用いることができる。金属層３６の厚さは、例えば、５μｍ～２０μｍ程度とすることができる。なお、図３は図２の３－３線に沿った断面図であり、図４は図２の４－４線に沿った断面図であり、図５は図２の５－５線に沿った断面図である。

【0031】

（ビアホールＶＨ１の構造）
図２から図５に示すように、ビアホールＶＨ１は、配線層３０の接続部３１と平面視で重なるように形成されている。図２に示すように、ビアホールＶＨ１は、例えば、第１パターン３１Ａの一部と平面視で重なるように、且つ第２パターン３１Ｂの一部と平面視で重なるように形成されている。ビアホールＶＨ１は、接続部３１の周囲に位置する絶縁層２１と平面視で重なるように形成されている。本例のビアホールＶＨ１の平面形状は、第１パターン３１Ａと第２パターン３１Ｂとの交差部分を中心とした円形状に形成されている。ビアホールＶＨ１の平面形状は、例えば、第１パターン３１Ａの平面形状よりも部分的に大きく形成されるとともに、第２パターン３１Ｂの平面形状よりも部分的に大きく形成されている。ビアホールＶＨ１の底部の直径は、例えば、第１パターン３１Ａの幅方向（ここでは、図中上下方向）に沿う幅寸法よりも大きく形成されるとともに、第２パターン３１Ｂの幅方向（ここでは、図中左右方向）に沿う幅寸法よりも大きく形成されている。ビアホールＶＨ１の底部の直径は、例えば、第１パターン３１Ａの長さ方向（ここでは、図中左右方向）に沿う長さ寸法よりも小さく形成されるとともに、第２パターン３１Ｂの長さ方向（ここでは、図中上下方向）に沿う長さ寸法よりも小さく形成されている。

【0032】

図４及び図５に示すように、ビアホールＶＨ１は、絶縁層４０の上面から、その絶縁層４０の下層の絶縁層である絶縁層２１の厚さ方向の中途位置まで延びるように形成されている。すなわち、ビアホールＶＨ１は、絶縁層４０を厚さ方向に貫通するとともに、その絶縁層４０の直下に形成された絶縁層２１の一部を薄化するように形成されている。

【0033】

ビアホールＶＨ１は、絶縁層４０を厚さ方向に貫通する貫通孔４１と、接続部３１の周囲に位置する絶縁層２１の上面に形成された凹部２２とが互いに連通されて形成されている。

【0034】

図４に示すように、貫通孔４１は、第１パターン３１Ａの上面の一部を露出するように形成されている。貫通孔４１は、第１パターン３１Ａの幅方向（ここでは、図中左右方向）の両側面を露出するように形成されている。貫通孔４１は、第１パターン３１Ａの幅方向における２つの側面を露出するように形成されている。換言すると、貫通孔４１は、第１パターン３１Ａの２つの側面をそれぞれ露出する２つの第１部分４２を有している。２つの第１部分４２は、第１パターン３１Ａの幅方向の両側から第１パターン３１Ａを挟み込むように形成されている。各第１部分４２は、配線層３０の厚さ方向において、第１パターン３１Ａの側面全面を露出するように形成されている。各第１部分４２は、配線層３０の厚さ方向において、第１パターン３１Ａを構成する金属膜３５の側面全面を露出するとともに、第１パターン３１Ａを構成する金属層３６の側面全面を露出するように形成されている。各第１部分４２は、例えば、第１パターン３１Ａの周囲に位置する絶縁層２１の上面に形成された凹部２２と連通するように形成されている。

【0035】

図５に示すように、貫通孔４１は、第２パターン３１Ｂの上面の一部を露出するように形成されている。貫通孔４１は、第２パターン３１Ｂの幅方向（ここでは、図中左右方向）の両側面を露出するように形成されている。貫通孔４１は、第２パターン３１Ｂの幅方向における２つの側面を露出するように形成されている。換言すると、貫通孔４１は、第２パターン３１Ｂの２つの側面をそれぞれ露出する２つの第２部分４３を有している。２つの第２部分４３は、第２パターン３１Ｂの幅方向の両側から第２パターン３１Ｂを挟み込むように形成されている。各第２部分４３は、配線層３０の厚さ方向において、第２パターン３１Ｂの側面全面を露出するように形成されている。各第２部分４３は、配線層３０の厚さ方向において、第２パターン３１Ｂを構成する金属膜３５の側面全面を露出するとともに、第２パターン３１Ｂを構成する金属層３６の側面全面を露出するように形成されている。各第２部分４３は、例えば、第２パターン３１Ｂの周囲に位置する絶縁層２１の上面に形成された凹部２２と連通するように形成されている。

【0036】

図４及び図５に示すように、凹部２２は、絶縁層２１の上面から下方に向かって凹むように形成されている。凹部２２の底面は、絶縁層２１の厚さ方向の中途位置に設けられている。換言すると、凹部２２（ビアホールＶＨ１）は、絶縁層２１の厚さ方向の中途位置まで延びるように形成されている。凹部２２の内壁面は、例えば、貫通孔４１の内壁面と連続するように形成されている。ビアホールＶＨ１では、例えば、貫通孔４１の内壁面と凹部２２の内壁面とが連続した平面に形成されている。例えば、貫通孔４１の内壁面と凹部２２の内壁面とは、断面視において、貫通孔４１の上端から凹部２２の下端まで段差の無い直線形状に形成されている。凹部２２の底面は、例えば、円弧状又は楕円弧状に湾曲する曲面に形成されている。

【0037】

図４に示すように、本例の第１部分４２と直接連通する部分の凹部２２は、第１パターン３１Ａの下面を露出しないように形成されている。なお、凹部２２は、第１パターン３１Ａの下面の一部を露出するように形成されていてもよい。図５に示すように、本例の第２部分４３と直接連通する部分の凹部２２は、第２パターン３１Ｂの下面を露出しないように形成されている。なお、凹部２２は、第２パターン３１Ｂの下面の一部を露出するように形成されていてもよい。

【0038】

（ビア配線５０の構造）
図４及び図５に示すように、ビア配線５０は、ビアホールＶＨ１を充填するように形成されている。このため、ビア配線５０は、ビアホールＶＨ１と同様の形状を有している。ビア配線５０は、貫通孔４１を充填するとともに、凹部２２を充填するように形成されている。

【0039】

ビア配線５０は、貫通孔４１から露出する接続部３１の上面全面を被覆するように形成されている。ビア配線５０は、貫通孔４１から露出する接続部３１の側面全面を被覆するように形成されている。図４に示すように、第１部分４２を充填する部分のビア配線５０は、第１パターン３１Ａの幅方向の両側から第１パターン３１Ａを挟み込むように形成されている。図５に示すように、第２部分４３を充填する部分のビア配線５０は、第２パターン３１Ｂの幅方向の両側から第２パターン３１Ｂを挟み込むように形成されている。

【0040】

図４及び図５に示すように、ビア配線５０は、例えば、ビアホールＶＨ１の内面全面を被覆する金属膜５１と、金属膜５１よりも内側のビアホールＶＨ１を充填する金属層５２とを有している。

【0041】

金属膜５１は、例えば、貫通孔４１の内壁面全面と、凹部２２の内壁面全面と、凹部２２の底面全面と、貫通孔４１から露出する接続部３１の側面全面と、貫通孔４１から露出する接続部３１の上面全面とを被覆するように形成されている。金属膜５１は、貫通孔４１から露出する金属膜３５の側面全面を密着状態で被覆するとともに、貫通孔４１から露出する金属層３６の側面全面を密着状態で被覆している。金属膜５１は、貫通孔４１から露出する金属層３６の上面全面を密着状態で被覆している。金属膜５１は、例えば、シード層である。金属膜５１の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。金属膜５１としては、例えば、無電解めっき法により形成された金属膜、つまり無電解めっき膜を用いることができる。また、金属膜５１としては、例えば、スパッタ法により形成された金属膜、つまりスパッタ膜を用いることができる。金属膜５１の厚さは、例えば、０．３μｍ～２μｍ程度とすることができる。

【0042】

金属層５２は、例えば、金属膜５１よりも内側のビアホールＶＨ１を充填するように形成されている。金属層５２の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。金属層５２としては、例えば、電解めっき法により形成された金属層、つまり電解めっき層を用いることができる。

【0043】

以上説明したビアホールＶＨ１内に形成された金属膜５１と金属層５２とによって、ビア配線５０が構成されている。
（配線層６０の構造）
配線層６０は、絶縁層４０上及びビア配線５０上に形成されている。配線層６０は、例えば、金属膜６１と、金属膜６１の表面を覆う金属膜５１と、金属膜５１上に形成された金属層６２とを有している。

【0044】

金属膜６１は、ビアホールＶＨ１の周囲に位置する絶縁層４０の上面を被覆するように形成されている。金属膜６１は、例えば、絶縁層４０の上面のみに形成されている。換言すると、金属膜６１は、ビアホールＶＨ１の内面に形成されていない。金属膜６１の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。

【0045】

金属膜６１は、金属膜６１を厚さ方向に貫通するとともに、ビアホールＶＨ１と連通する貫通孔６１Ｘを有している。貫通孔６１Ｘの内壁面は、例えば、貫通孔４１の内壁面と連続するように形成されている。例えば、貫通孔６１Ｘの内壁面と貫通孔４１の内壁面とは、断面視において、貫通孔６１Ｘの上端から貫通孔４１の下端まで段差の無い直線形状に形成されている。

【0046】

金属膜５１は、金属膜６１の上面と、貫通孔６１Ｘの内壁面を構成する金属膜６１の内側面とを被覆するように形成されている。金属膜５１は、例えば、金属膜６１の上面全面と、金属膜６１の内側面全面と、ビアホールＶＨ１の内面とを連続して被覆するように形成されている。金属膜５１は、例えば、金属膜６１の外側面を露出するように形成されている。

【0047】

金属層６２は、絶縁層４０の上面に形成された金属膜５１上及びビア配線５０（金属層５２）上に形成されている。金属層６２は、金属層５２と連続して一体に形成されている。金属層６２の材料としては、例えば、銅や銅合金を用いることができる。金属層６２としては、例えば、電解めっき層を用いることができる。

【0048】

以上説明した金属膜６１とその金属膜６１上に形成された金属膜５１と金属層６２とによって、配線層６０が構成されている。
なお、配線基板１０は、天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。

【0049】

（配線基板１０の製造方法）
次に、図６～図１４に従って、配線基板１０の製造方法について説明する。ここでは、配線層３０、絶縁層４０、ビアホールＶＨ１、ビア配線５０及び配線層６０の製造方法について詳述する。なお、説明の便宜上、最終的に配線基板１０の各構成要素となる部分には、最終的な構成要素の符号を付して説明する。

【0050】

まず、図６（ａ）、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示す工程では、絶縁層２１の上面に配線層３０を形成する。図６（ｃ）に示すように、配線層３０は、第１パターン３１Ａ及び第２パターン３１Ｂを含む接続部３１と、延出部３２とを有する。配線層３０は、例えば、サブトラクティブ法やセミアディティブ法などの各種の配線形成方法を用いて形成することができる。ここで、図６（ａ）は、図６（ｃ）に示した構造体を６ａ－６ａ線に沿って切断した断面図である。図６（ｂ）は、図６（ｃ）に示した構造体を６ｂ－６ｂ線に沿って切断した断面図である。なお、図６以降の図７～図１４ではそれぞれ、（ａ）が６ａ－６ａ線と同様の位置で切断した断面を図示しており、（ｂ）が６ｂ－６ｂ線と同様の位置で切断した断面を図示している。

【0051】

次に、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す工程では、絶縁層２１の上面に、配線層３０を全体的に覆うように絶縁層４０を形成するとともに、絶縁層４０の上面全面を覆うように金属膜６１を形成する。例えば、絶縁樹脂フィルムの一方の面に銅箔が貼付された銅箔付き絶縁樹脂フィルムを絶縁層２１上に積層することにより、絶縁層２１上に絶縁層４０及び金属膜６１を形成する。銅箔付き絶縁樹脂フィルムを用いる場合には、例えば、絶縁層２１の上面に銅箔付き絶縁樹脂フィルムをラミネートする。そして、銅箔付き絶縁樹脂フィルムを押圧しながら絶縁樹脂フィルムの硬化温度以上の温度（例えば、１３０℃～２００℃程度）で熱処理して硬化させることにより、絶縁層４０及び金属膜６１を形成することができる。なお、絶縁樹脂フィルムとしては、例えば、エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂のフィルムを用いることができる。

【0052】

続いて、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す工程では、絶縁層４０に、配線層３０の接続部３１の上面の一部を露出する貫通孔４１を形成する。また、本工程では、金属膜６１に、貫通孔４１と連通する貫通孔６１Ｘを形成する。貫通孔４１，６１Ｘは、例えば、金属膜６１及び絶縁層４０にレーザ光を照射することにより形成できる。すなわち、貫通孔４１，６１Ｘは、レーザ加工法により形成することができる。レーザ光の照射に用いられるレーザ光源としては、例えば、ＣＯ_２レーザやＵＶ－ＹＡＧレーザを用いることができる。

【0053】

ここで、絶縁層４０に照射するレーザ光の強度（エネルギー）は、例えば、１ショット、つまり１回の照射にて、所望の開口径の貫通孔４１を形成するのに十分な値に設定される。例えば、無機フィラーを含む絶縁層４０に貫通孔４１を形成する場合には、無機フィラーを含まない絶縁層４０に貫通孔４１を形成するために必要なエネルギーのレーザ光を複数回（例えば、３回以上）照射する。このような複数回分のレーザ光のエネルギーの合計値を、１回分のエネルギーとしたレーザ光を用いる。

【0054】

このようなレーザ光を金属膜６１及び絶縁層４０に照射することにより、金属膜６１を厚さ方向に貫通する貫通孔６１Ｘを形成するとともに、絶縁層４０を厚さ方向に貫通して接続部３１の上面を露出する貫通孔４１を形成する。本工程では、例えば、接続部３１の表面のうち接続部３１の上面のみを露出するように貫通孔４１が形成される。換言すると、本工程で形成される貫通孔４１は、接続部３１の側面を露出していない。本工程により、接続部３１の上面が貫通孔４１から露出されるため、接続部３１の平面形状、ここでは図６（ｃ）に示した＋形状が絶縁層４０から露出される。

【0055】

続いて、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す工程では、接続部３１の側面を露出するように貫通孔４１を形成する。図９（ｂ）に示すように、本工程では、絶縁層２１の上面に、貫通孔４１と連通する凹部２２を形成する。本工程により、貫通孔４１と凹部２２とが互いに連通して構成されたビアホールＶＨ１が形成される。ビアホールＶＨ１は、レーザ加工法により形成することができる。レーザ光の照射に用いられるレーザ光源としては、例えば、前工程と同様に、ＣＯ_２レーザやＵＶ－ＹＡＧレーザを用いることができる。本工程のレーザ加工法は、例えば、前工程で絶縁層４０から露出された接続部３１の平面形状を画像認識し、接続部３１の平面形状の中心座標を目標座標としてレーザ光の照射を行う。これにより、配線層３０の接続部３１に対するビアホールＶＨ１の位置精度を向上させることができる。なお、本例では、接続部３１の平面形状の中心が、第１パターン３１Ａと第２パターン３１Ｂとの交差部分に位置している。

【0056】

次いで、ビアホールＶＨ１をレーザ加工法によって形成した場合には、デスミア処理を行うことにより、ビアホールＶＨ１から露出する接続部３１の露出面に付着した樹脂スミアを除去する。

【0057】

次に、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す工程では、金属膜６１の上面と、貫通孔６１Ｘの内壁面と、ビアホールＶＨ１の内面とを連続して被覆する金属膜５１を形成する。金属膜５１は、金属膜６１の上面全面と、貫通孔６１Ｘの内壁面全面と、貫通孔４１の内壁面全面と、凹部２２の内面全面と、貫通孔４１から露出する接続部３１の側面全面及び上面全面とを連続して被覆するように形成される。金属膜５１は、例えば、無電解めっき法により形成することができる。例えば、金属膜５１は、硫酸銅、水酸化ナトリウム、カルボン酸塩、硫酸ニッケル及びホルムアルデヒドを混合しためっき液を用いた無電解銅めっき法により形成することができる。なお、金属膜５１は、例えば、スパッタ法や蒸着法により形成することもできる。

【0058】

続いて、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示す工程では、金属膜６１の上面に形成された金属膜５１上に、開口パターン８１を有するレジスト層８０を形成する。開口パターン８１は、配線層６０（図５参照）の形成領域に対応する部分の金属膜５１を露出するように形成される。レジスト層８０の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えば、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば、感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、金属膜５１の上面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして開口パターン８１を有するレジスト層８０を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層８０を形成することができる。

【0059】

次いで、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示す工程では、レジスト層８０をめっきマスクとして、金属膜５１上に、その金属膜５１をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。すなわち、レジスト層８０の開口パターン８１から露出された金属膜５１の上面に電解めっき法（例えば、電解銅めっき法）を施す。本工程により、金属膜５１よりも内側のビアホールＶＨ１を充填する金属層５２が形成されるとともに、開口パターン８１内に金属層６２が形成される。このとき、図１２（ｂ）に示すように、金属層５２は、第１部分４２（図４参照）及び第２部分４３を含む貫通孔４１を充填するとともに、凹部２２を充填するように形成される。また、金属層６２は、金属層５２と連続して一体に形成される。

【0060】

次に、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示す工程では、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示したレジスト層８０をアルカリ性の剥離液、例えば有機アミン系剥離液、苛性ソーダ、アセトンやエタノール等により除去する。

【0061】

続いて、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示す工程では、金属層６２をエッチングマスクとして、不要な金属膜５１，６１をエッチングにより除去する。
以上の製造工程により、ビアホールＶＨ１内に形成された金属膜５１と金属層５２とからなるビア配線５０が形成される。また、金属膜６１とその金属膜６１上に形成された金属膜５１と金属層６２とからなる配線層６０が形成される。

【0062】

次に、本実施形態の作用効果を説明する。
（１）配線基板１０は、絶縁層２１と、線状に延びる第１パターン３１Ａを含む接続部３１を有するとともに、絶縁層２１の上面に形成された配線層３０と、配線層３０を被覆するように絶縁層２１の上面に形成された絶縁層４０とを有する。配線基板１０は、絶縁層４０を厚さ方向に貫通するとともに、第１パターン３１Ａの上面と第１パターン３１Ａの幅方向の両側面とを露出するビアホールＶＨ１と、ビアホールＶＨ１を充填するとともに、配線層３０と電気的に接続されたビア配線５０とを有する。配線基板１０は、ビア配線５０を介して配線層３０と電気的に接続されるとともに、絶縁層４０の上面に形成された配線層６０を有する。

【0063】

この構成によれば、線状の第１パターン３１Ａを含む接続部３１とビア配線５０の底部とが接続される。ここで、ビア配線５０が充填されるビアホールＶＨ１は、線状の第１パターン３１Ａの上面と、第１パターン３１Ａの幅方向の両側面とを露出するように形成される。換言すると、第１パターン３１Ａの幅方向において、第１パターン３１Ａの平面形状は、ビアホールＶＨ１の底部の平面形状よりも小さく形成されている。このため、接続部３１全体の平面形状の大きさを、図２０に示した従来の受けランド１０１よりも小さく形成できる。

【0064】

具体的には、図２０に示すように、従来の配線基板１００では、配線層３０の接続部として受けランド１０１が設けられている。受けランド１０１の平面形状は、ビアホールＶＨ１の底部の平面形状よりも一回り大きく形成されている。このため、受けランド１０１の平面形状は、全ての部分において、ビアホールＶＨ１の底部の平面形状よりも大きく形成されている。

【0065】

これに対し、本実施形態の配線層３０の接続部３１では、ビアホールＶＨ１の底部の平面形状よりも小さい部分を有する線状の第１パターン３１Ａが設けられている。このため、接続部３１全体の平面形状の大きさを、図２０に示した従来の受けランド１０１よりも小さくすることができる。これにより、接続部３１の平面形状を小さくできる分だけ、配線層３０をファインピッチ化することができる。

【0066】

（２）ところで、接続部３１の平面形状が小さくなると、ビア配線５０と接続部３１との接触面積が小さくなるため、ビア配線５０と接続部３１との接続信頼性が低下する。
これに対し、本実施形態の配線基板１０では、線状の第１パターン３１Ａの幅方向の両側面を露出するようにビアホールＶＨ１を形成し、そのビアホールＶＨ１を充填するようにビア配線５０を形成した。このため、ビア配線５０が、第１パターン３１Ａの上面と第１パターン３１Ａの側面とに接続される。これにより、ビア配線５０が第１パターン３１Ａの側面と接続される分だけ、ビア配線５０と接続部３１との接触面積を増大させることができる。この結果、接続部３１の平面形状が小さくなった場合であっても、ビア配線５０と接続部３１との接続信頼性が低下することを好適に抑制できる。

【0067】

（３）ビアホールＶＨ１は、配線層３０の厚さ方向において、第１パターン３１Ａの側面全面を露出するように形成されている。このため、ビア配線５０を、配線層３０の厚さ方向において、第１パターン３１Ａの側面全面に接続させることができる。これにより、ビア配線５０と接続部３１との接触面積を好適に増大できるため、ビア配線５０と接続部３１との接続信頼性が低下することを好適に抑制できる。

【0068】

（４）ビアホールＶＨ１は、絶縁層４０を厚さ方向に貫通する貫通孔４１と、絶縁層２１の上面に形成された凹部２２とが互いに連通されて形成されている。この構成によれば、ビアホールＶＨ１が、絶縁層２１の厚さ方向の中途位置まで延びるように形成される。このため、配線層３０の厚さ方向において、第１パターン３１Ａの側面全面を露出するようにビアホールＶＨ１を好適に形成することができる。

【0069】

（５）接続部３１は、線状に延びるとともに、第１パターン３１Ａと交差するように形成された第２パターン３１Ｂを有する。ビアホールＶＨ１は、第２パターン３１Ｂの上面と第２パターン３１Ｂの幅方向の両側面とを露出するように形成されている。この構成によれば、接続部３１が、第１パターン３１Ａと第２パターン３１Ｂとによって構成される＋字状の平面形状を有するように形成される。このような＋字状の平面形状は、その中心位置を把握しやすい。このため、ビアホールＶＨ１を形成する際に、＋字状の平面形状の中心位置を容易に利用することができる。そして、＋字状の平面形状の中心位置を利用してビアホールＶＨ１を形成することにより、接続部３１に対するビアホールＶＨ１の位置精度を向上させることができる。すなわち、接続部３１に対するビアホールＶＨ１の位置ずれを好適に抑制できる。

【0070】

（６）ビアホールＶＨ１の平面形状は、第１パターン３１Ａと第２パターン３１Ｂとの交差部分を中心とした円形状に形成されている。ここで、接続部３１の平面形状を画像認識した場合には、第１パターン３１Ａと第２パターン３１Ｂとの交差部分の位置を容易に把握することができる。このような交差部分の位置を利用してビアホールＶＨ１を形成することにより、接続部３１に対するビアホールＶＨ１の位置精度を向上させることができる。

【0071】

（他の実施形態）
上記実施形態は、以下のように変更して実施することができる。上記実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

【0072】

・上記実施形態のビアホールＶＨ１の構造は適宜変更することができる。
・例えば図１５に示すように、図４に示した凹部２２を、接続部３１の下面を露出するように形成された凹部２３に変更してもよい。凹部２３は、ビアホールＶＨ１と平面視で重なる部分の接続部３１の下面全面を露出するように形成されている。凹部２３は、ビアホールＶＨ１と平面視で重なる部分の第１パターン３１Ａの下面全面と、ビアホールＶＨ１と平面視で重なる部分の第２パターン３１Ｂの下面全面とを露出するように形成されている。ビアホールＶＨ１と平面視で重なる部分の接続部３１の直下には、その接続部３１の下面を被覆する絶縁層２１が設けられていない。凹部２３は、例えば、第１パターン３１Ａの幅方向の一方側（図中左側）に設けられた凹部２３Ａと、第１パターン３１Ａの幅方向の他方側（図中右側）に設けられた凹部２３Ｂとが互いに連通するように形成されている。凹部２３Ａ，２３Ｂの各々の断面形状は、例えば、半円状又は半楕円状に形成されている。凹部２３Ａ，２３Ｂの内面は、例えば、断面視において、円弧状又は楕円弧状に湾曲した曲面に形成されている。凹部２３の内面は、断面視において、凹部２３Ａの半楕円弧と凹部２３Ｂの半楕円弧とが平面方向に沿って連続する形状に形成されている。図示は省略するが、凹部２３は、例えば、第２パターン３１Ｂの幅方向の一方側に設けられた凹部２３Ａと、第２パターン３１Ｂの幅方向の他方側に設けられた凹部２３Ｂとが互いに連通するように形成されている。このような凹部２３は、例えば、図９に示した工程の後に更に、絶縁層２１，４０に対するレーザ光の照射を続けることによって形成することができる。

【0073】

本変更例のビアホールＶＨ１は、絶縁層４０の貫通孔４１と凹部２３とが互いに連通して形成されている。本変更例のビア配線５０は、貫通孔４１を充填するとともに、凹部２３を充填するように形成されている。本変更例の金属膜５１は、貫通孔４１の内壁面全面と、凹部２３の内面全面とを連続して被覆するように形成されている。本変更例の金属膜５１は、例えば、貫通孔４１から露出する接続部３１の上面全面と、貫通孔４１から露出する接続部３１の側面全面と、凹部２３から露出する接続部３１の下面全面とを連続して被覆するように形成されている。本変更例の金属層５２は、例えば、金属膜５１よりも内側の貫通孔４１を充填するとともに、金属膜５１よりも内側の凹部２３を充填するように形成されている。

【0074】

本変更例の構成によれば、凹部２３を充填する部分のビア配線５０が、配線層３０の接続部３１の下面を被覆するように形成される。これにより、ビア配線５０と接続部３１との接触面積を好適に増大できる。このため、ビア配線５０と接続部３１との接続信頼性が低下することを好適に抑制できる。また、ビア配線５０を、配線層３０の下方に食い込ませるように形成することができる。このため、ビア配線５０が配線層３０及び絶縁層４０から脱離することを好適に抑制できる。

【0075】

・凹部２２，２３の底面は、曲面に限定されない。例えば、凹部２２，２３の底面を平面に形成してもよい。
・上記実施形態のビアホールＶＨ１における凹部２２を省略してもよい。この場合には、絶縁層４０の貫通孔４１のみによりビアホールＶＨ１が構成される。

【0076】

・上記実施形態の貫通孔４１の内壁面を、断面視において、絶縁層４０の上面に対して垂直に延びるように形成してもよい。
・上記実施形態のビアホールＶＨ１を、配線層３０の厚さ方向において、接続部３１の側面の一部のみを露出するように形成してもよい。

【0077】

・上記実施形態の配線層３０の構造は適宜変更することができる。例えば、接続部３１の平面形状は適宜変更することができる。
・例えば図１６に示すように、接続部３１の平面形状を、線状の第１パターン３１Ａと、線状の第２パターン３１Ｂと、円形状の第３パターン３１Ｃとを有する構造に変更してもよい。第３パターン３１Ｃは、第１パターン３１Ａと第２パターン３１Ｂとの交差部分に形成されている。第３パターン３１Ｃの平面形状は、例えば、第１パターン３１Ａと第２パターン３１Ｂとの交差部分を中心とした円形状に形成されている。第３パターン３１Ｃの平面形状は、ビアホールＶＨ１の底部の平面形状よりも小さく形成されている。本変更例のビアホールＶＨ１は、第３パターン３１Ｃの上面と第３パターン３１Ｃの側面とを露出するように形成されている。本変更例のビアホールＶＨ１は、第３パターン３１Ｃの上面全面を露出するように形成されている。本変更例のビアホールＶＨ１は、第３パターン３１Ｃの側面を第３パターン３１Ｃの周方向全周にわたって露出するように形成されている。

【0078】

・図１６に示した変更例において、第３パターン３１Ｃの平面形状は適宜変更することができる。例えば、第３パターン３１Ｃの平面形状を、多角形状や半円状に形成してもよい。

【0079】

・例えば図１７に示すように、接続部３１の平面形状を、線状の第１パターン３１Ａと、線状の第２パターン３１Ｂと、円形状の第３パターン３１Ｃと、第３パターン３１Ｃの平面中心に設けられた貫通パターン３１Ｄとを有する構造に変更してもよい。貫通パターン３１Ｄは、接続部３１を厚さ方向に貫通するとともに、絶縁層２１の上面を露出するように形成されている。貫通パターン３１Ｄの平面形状は、例えば、円形状に形成されている。本変更例の接続部３１は、第３パターン３１Ｃと貫通パターン３１Ｄとにより構成されるリング状の平面形状を有している。本変更例のビアホールＶＨ１は、貫通パターン３１Ｄの内壁面を露出するように形成されている。本変更例のビアホールＶＨ１は、貫通パターン３１Ｄの内壁面を貫通パターン３１Ｄの周方向全周にわたって露出するように形成されている。

【0080】

・例えば図１８に示すように、接続部３１の平面形状をＴ字状に形成してもよい。本変更例の接続部３１は、図中左右方向に沿って線状に延びる第１パターン３１Ａと、第１パターン３１Ａから図中下方向に向かって線状に延びる第４パターン３１Ｅとを有している。第４パターン３１Ｅは、第１パターン３１Ａよりも図中上方向には延びていない。第４パターン３１Ｅは、第１パターン３１Ａの長さ方向（ここでは、図中左右方向）の中間部に接続されるように形成されている。本変更例のビアホールＶＨ１は、第１パターン３１Ａの長さ方向のうち第４パターン３１Ｅと接続される中間部を中心とした円形状に形成されている。

【0081】

・例えば、接続部３１の平面形状をＬ字状に形成してもよい。
・例えば図１９に示すように、接続部３１を、第１パターン３１Ａのみで構成するようにしてもよい。本変更例のビアホールＶＨ１は、第１パターン３１Ａの長さ方向の端面（ここでは、図中左端の端面）を露出するように形成されている。

【0082】

・上記実施形態及び図１６～図１８に示した各変更例において、接続部３１から第２パターン３１Ｂ又は第４パターン３１Ｅを省略してもよい。
・上記実施形態では、接続部３１を、配線層３０の長さ方向の端部に設けるようにしたが、これに限定されない。

【0083】

例えば図１８に示すように、接続部３１を、配線層３０の長さ方向（ここでは、図中左右方向）の中間部に設けるようにしてもよい。この場合の配線層３０は、例えば、接続部３１と、第１パターン３１Ａの一端部から延出された延出部３２と、第１パターン３１Ａの他端部から延出された延出部３３とを有している。本変更例の配線層３０は、第４パターン３１Ｅの一端部から延出された延出部３４を更に有している。延出部３３は、接続部３１から図中左方向に向かって線状に延びている。延出部３４は、接続部３１から図中下方向に向かって線状に延びている。

【0084】

・上記実施形態の配線層６０の構造は適宜変更することができる。例えば、金属膜６１を省略してもよい。
・上記実施形態の配線基板１０の製造方法では、ビアホールＶＨ１を、レーザ加工法により形成するようにしたが、これに限定されない。例えば、レーザ加工法以外の方法により、ビアホールＶＨ１を形成するようにしてもよい。

【0085】

・上記実施形態では、金属膜５１を単層構造のシード層に具体化したが、金属膜５１を複数層構造（例えば、２層構造）のシード層に具体化してもよい。２層構造のシード層としては、例えば、チタン（Ｔｉ）層とＣｕ層とを順に積層した構造を有するシード層を挙げることができる。

【0086】

・上記実施形態の配線基板１０の構造は適宜変更することができる。配線基板１０は、例えば、絶縁層２１と配線層３０と絶縁層４０とビアホールＶＨ１とビア配線５０と配線層６０とを有する構造であれば、その他の構造は特に限定されない。配線基板１０は、例えば、コア基板を有する構造であってもよいし、コア基板を有さないコアレス基板であってもよい。

【0087】

・上記実施形態の配線基板１０を、ＣＳＰ（Chip Size Package）やＳＯＮ（Small Out line Non-Lead Package）等のパッケージに用いられる配線基板に具体化してもよい。

【符号の説明】

【0088】

ＶＨ１ ビアホール
１０ 配線基板
２１ 絶縁層（第１絶縁層）
２２，２３ 凹部
２３Ａ，２３Ｂ 凹部
３０ 配線層（第１配線層）
３１ 接続部
３１Ａ 第１パターン
３１Ｂ 第２パターン
３１Ｃ 第３パターン
３１Ｄ 貫通パターン
３１Ｅ 第４パターン
４０ 絶縁層（第２絶縁層）
４１ 貫通孔
５０ ビア配線
５１ 金属膜
５２ 金属層
６０ 配線層（第２配線層）
６１ 金属膜
６２ 金属層

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】