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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024151959
(43)【公開日】2024-10-25
(54)【発明の名称】チップの製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/301 20060101AFI20241018BHJP
H01L 21/304 20060101ALI20241018BHJP
B23K 26/53 20140101ALI20241018BHJP
【ＦＩ】
H01L21/78 Q
H01L21/78 B
H01L21/78 F
H01L21/304 631
B23K26/53
【審査請求】未請求
【請求項の数】3
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023065812
(22)【出願日】2023-04-13
(71)【出願人】
【識別番号】000134051
【氏名又は名称】株式会社ディスコ
(74)【代理人】
【識別番号】100075384
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 昂
(74)【代理人】
【識別番号】100172281
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100206553
【弁理士】
【氏名又は名称】笠原 崇廣
(74)【代理人】
【識別番号】100189773
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 英哲
(74)【代理人】
【識別番号】100184055
【弁理士】
【氏名又は名称】岡野 貴之
(74)【代理人】
【識別番号】100185959
【弁理士】
【氏名又は名称】今藤 敏和
(72)【発明者】
【氏名】伊賀 勇人
(72)【発明者】
【氏名】田中 敬人
【テーマコード（参考）】
4E168
5F057
5F063
【Ｆターム（参考）】
4E168AE01
4E168CB07
4E168DA02
4E168DA24
4E168DA43
4E168EA06
4E168HA01
4E168JA12
5F057CA14
5F057DA11
5F057EC15
5F063BB02
5F063BB12
5F063CB07
5F063CB15
5F063CB24
5F063CB27
5F063DD28
5F063DG03
(57)【要約】
【課題】チップの熱ダメージを低減するとともにチップの抗折強度の低下を抑制可能なチップの製造方法を提供する。
【解決手段】表面側に複数のデバイスが形成されている被加工物のうち複数のデバイスのそれぞれの周囲に位置する第１被除去部と複数のデバイスよりも裏面側に位置する複数の第２被除去部とを除去することによってチップを製造するチップの製造方法であって、それぞれが第１被除去部に位置する複数の改質領域と、複数のデバイスと複数の第２被除去部との間に位置する複数の中間部のいずれかを通って複数の第２被除去部のいずれかに到達するようにそれぞれが複数の改質領域から伸展する複数のクラックと、を形成する内部加工ステップと、第１被除去部を除去する第１除去ステップと、複数の第２被除去部を研削して除去するとともに複数のクラックを境界としてそれぞれの裏面側周縁部を複数のチップから分離する第２除去ステップと、を備える。
【選択図】図２
【解決手段】表面側に複数のデバイスが形成されている被加工物のうち複数のデバイスのそれぞれの周囲に位置する第１被除去部と複数のデバイスよりも裏面側に位置する複数の第２被除去部とを除去することによってチップを製造するチップの製造方法であって、それぞれが第１被除去部に位置する複数の改質領域と、複数のデバイスと複数の第２被除去部との間に位置する複数の中間部のいずれかを通って複数の第２被除去部のいずれかに到達するようにそれぞれが複数の改質領域から伸展する複数のクラックと、を形成する内部加工ステップと、第１被除去部を除去する第１除去ステップと、複数の第２被除去部を研削して除去するとともに複数のクラックを境界としてそれぞれの裏面側周縁部を複数のチップから分離する第２除去ステップと、を備える。
【選択図】図２
【特許請求の範囲】
【請求項1】
表面側に複数のデバイスが形成されている被加工物のうち該複数のデバイスのそれぞれの周囲に位置する第１被除去部と該複数のデバイスよりも裏面側に位置する複数の第２被除去部とを除去することによって、それぞれが該被加工物よりも薄い複数のチップを製造するチップの製造方法であって、
該被加工物を透過する波長のレーザービームを該第１被除去部に照射して、それぞれが該第１被除去部に位置する複数の改質領域と、該複数のデバイスと該複数の第２被除去部との間に位置する複数の中間部のいずれかを通って該複数の第２被除去部のいずれかに到達するようにそれぞれが該複数の改質領域から伸展する複数のクラックと、を形成する内部加工ステップと、
該内部加工ステップを実施した後に、該第１被除去部を除去する第１除去ステップと、
該第１除去ステップを実施した後に、該複数の第２被除去部を研削して除去するとともに該複数のクラックを境界としてそれぞれの裏面側周縁部を該複数のチップから分離する第２除去ステップと、
を備えるチップの製造方法。
該被加工物を透過する波長のレーザービームを該第１被除去部に照射して、それぞれが該第１被除去部に位置する複数の改質領域と、該複数のデバイスと該複数の第２被除去部との間に位置する複数の中間部のいずれかを通って該複数の第２被除去部のいずれかに到達するようにそれぞれが該複数の改質領域から伸展する複数のクラックと、を形成する内部加工ステップと、
該内部加工ステップを実施した後に、該第１被除去部を除去する第１除去ステップと、
該第１除去ステップを実施した後に、該複数の第２被除去部を研削して除去するとともに該複数のクラックを境界としてそれぞれの裏面側周縁部を該複数のチップから分離する第２除去ステップと、
を備えるチップの製造方法。
【請求項2】
該内部加工ステップにおいては、複数の集光点を形成するように分岐された該レーザービームが該被加工物に照射され、
該複数の集光点は、該被加工物の厚さ方向及び該厚さ方向に直交する方向のそれぞれにおいて互いに異なる位置に形成される請求項１に記載のチップの製造方法。
該複数の集光点は、該被加工物の厚さ方向及び該厚さ方向に直交する方向のそれぞれにおいて互いに異なる位置に形成される請求項１に記載のチップの製造方法。
【請求項3】
該内部加工ステップを実施する前、該内部加工ステップを実施した後かつ該第１除去ステップを実施する前、又は、該第１除去ステップを実施した後かつ該第２除去ステップを実施する前に、該複数の第２被除去部が露出されるように該複数のデバイスを支持基板に接合する接合ステップをさらに備える請求項１又は２に記載のチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、表面側に複数のデバイスが形成されている被加工物のうち複数のデバイスのそれぞれの周囲に位置する第１被除去部と複数のデバイスよりも裏面側に位置する複数の第２被除去部とを除去することによって、それぞれが被加工物よりも薄い複数のチップを製造するチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等のデバイスのチップは、携帯電話及びパーソナルコンピュータ等の各種電子機器において不可欠の構成要素である。このチップは、例えば、表面側に複数のデバイスが形成されているウエーハ等の被加工物を複数のデバイスの境界に沿って分割することで製造される。
【0003】
また、多数のチップを含んで構成される各種電子機器の小型化等を目的として、被加工物及び／又はそれから製造される複数のチップは研削されることがある。例えば、チップは、被加工物の表面側のうち複数のデバイスのそれぞれの周囲に位置する部分に溝を形成した後、溝を境界として被加工物が分割されるまで、その裏面側を研削することによって製造されることがある。
【0004】
この場合、被加工物を分割することによって製造される複数のチップのそれぞれの裏面側も僅かに研削される。また、この研削に伴って、複数のチップのそれぞれの裏面側周縁部が欠けることがある。そして、チップの裏面側周縁部が欠けていると、チップの抗折強度が低下するおそれがある。
【0005】
この点を踏まえて、チップの裏面側が面取りされるように、その周縁部にレーザービームを照射することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。これにより、欠けが存在する裏面側周縁部がチップから除去されて、チップの抗折強度の低下を抑制できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２００４－２２８２１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
しかしながら、チップの裏面側周縁部にレーザービームが照射される場合には、チップに熱ダメージが残存するおそれがある。この点に鑑み、本発明の目的は、チップの熱ダメージを低減するとともにチップの抗折強度の低下を抑制可能なチップの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明によれば、表面側に複数のデバイスが形成されている被加工物のうち該複数のデバイスのそれぞれの周囲に位置する第１被除去部と該複数のデバイスよりも裏面側に位置する複数の第２被除去部とを除去することによって、それぞれが該被加工物よりも薄い複数のチップを製造するチップの製造方法であって、該被加工物を透過する波長のレーザービームを該第１被除去部に照射して、それぞれが該第１被除去部に位置する複数の改質領域と、該複数のデバイスと該複数の第２被除去部との間に位置する複数の中間部のいずれかを通って該複数の第２被除去部のいずれかに到達するようにそれぞれが該複数の改質領域から伸展する複数のクラックと、を形成する内部加工ステップと、該内部加工ステップを実施した後に、該第１被除去部を除去する第１除去ステップと、該第１除去ステップを実施した後に、該複数の第２被除去部を研削して除去するとともに該複数のクラックを境界としてそれぞれの裏面側周縁部を該複数のチップから分離する第２除去ステップと、を備えるチップの製造方法が提供される。
【0009】
また、該内部加工ステップにおいては、複数の集光点を形成するように分岐された該レーザービームが該被加工物に照射され、該複数の集光点は、該被加工物の厚さ方向及び該厚さ方向に直交する方向のそれぞれにおいて互いに異なる位置に形成されることが好ましい。
【0010】
さらに、本発明のチップの製造方法は、該内部加工ステップを実施する前、該内部加工ステップを実施した後かつ該第１除去ステップを実施する前、又は、該第１除去ステップを実施した後かつ該第２除去ステップを実施する前に、該複数の第２被除去部が露出されるように該複数のデバイスを支持基板に接合する接合ステップをさらに備えることが好ましい。
【発明の効果】
【0011】
本発明のチップの製造方法においては、被加工物のうち複数のデバイスのそれぞれの周囲に位置する第１被除去部にレーザービームが照射されるものの、複数のチップとして残存する部分にレーザービームが照射されることがない。そのため、この方法においては、その裏面側周縁部にレーザービームが照射されたチップと比較して、熱ダメージが低減されたチップを提供可能である。
【0012】
また、この方法においては、被加工物のうち複数のデバイスよりも裏面側に位置する複数の第２被除去部を研削して除去する際に、複数のデバイスと複数の第２被除去部との間に位置する複数の中間部のいずれかを通って複数の第２被除去部のいずれかに到達するようにそれぞれが複数の改質領域から伸展する複数のクラックを境界として複数のチップのそれぞれの裏面側周縁部が分離される。
【0013】
すなわち、この方法においては、研削に伴って複数のチップのそれぞれの裏面側周縁部が欠ける場合であっても、この欠けが存在する部分が除去される。そのため、この方法においては、その裏面側周縁部に欠けが存在するチップと比較して、抗折強度の低下が抑制されたチップを提供可能である。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図10】図１０（Ａ）は、それぞれの裏面からダイシングテープが剥がされ、かつ、それぞれの表面に保護テープが貼着された複数のチップを模式的に示す斜視図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示される複数のチップを模式的に示す断面図である。
【図15】図１５は、被加工物のうち第１被除去部と複数の第２被除去部とを除去することによって、それぞれが被加工物よりも薄い複数のチップを製造するチップの製造方法の別の例を模式的に示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0015】
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、複数のチップの製造に利用される被加工物の一例を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示される被加工物を模式的に示す断面図である。
【0016】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示される被加工物１１は、例えば、互いに概ね平行な表面１１ａ及び裏面１１ｂを含み、単結晶シリコン等の半導体材料を素材とする円板状のウエーハである。この被加工物１１の側面には、その素材となる半導体材料の特定の結晶方位を示すためのノッチ１１ｃが形成されている。
【0017】
また、被加工物１１の表面１１ａ側には、複数のデバイス１３が形成されている。なお、複数のデバイス１３は、マトリックス状に配置されている。すなわち、複数のデバイス１３の境界は、格子状に延在する。そして、被加工物１１を部分的に除去することによって、それぞれが被加工物１１よりも薄い複数のチップが製造される。
【0018】
具体的には、被加工物１１のうち複数のデバイス１３のそれぞれの周囲に位置する第１被除去部１１ｄと複数のデバイス１３よりも裏面側に位置する複数の第２被除去部１１ｅとを除去することによって複数のチップが製造される。
【0019】
第１被除去部１１ｄは、複数のデバイス１３の境界を含む部分であり、格子状に延在する。なお、第１被除去部１１ｄに含まれる複数の直線状の部分のそれぞれは分割予定ラインとも呼ばれる。
【0020】
複数の第２被除去部１１ｅは、複数のデバイス１３と同様にマトリックス状に存在する。さらに、複数の第２被除去部１１ｅと複数のデバイス１３との間には、複数の中間部１１ｆがそれぞれ存在する。
【0021】
図２は、被加工物１１のうち第１被除去部１１ｄと複数の第２被除去部１１ｅとを除去することによって、それぞれが被加工物１１よりも薄い複数のチップを製造するチップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。
【0022】
この方法においては、まず、それぞれが第１被除去部１１ｄに位置する複数の改質領域と、複数のデバイス１３と複数の第２被除去部１１ｅとの間に位置する複数の中間部１１ｆのいずれかを通って複数の第２被除去部１１ｅのいずれかに到達するようにそれぞれが複数の改質領域から伸展する複数のクラックと、を形成する（内部加工ステップＳ１）。
【0023】
この内部加工ステップＳ１は、例えば、レーザー加工装置において、被加工物１１を含むフレームユニットに対してレーザービームを照射することによって実施される。図３（Ａ）は、被加工物１１を含むフレームユニットの一例を模式的に示す斜視図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示されるフレームユニットを模式的に示す断面図である。
【0024】
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示されるフレームユニット１は、円形の開口１５ａが形成されている環状のフレーム１５を有する。フレーム１５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等の金属からなり、その一面に開口１５ａよりも直径が長い円板状のダイシングテープ１７の外周領域が貼着されている。
【0025】
ダイシングテープ１７は、例えば、可撓性を有するフィルム状の基材層と基材層の一面（フレーム１５側の面）に設けられた粘着層（糊層）とを有する。具体的には、この基材層は、ポリオレフィン（ＰＯ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）又はポリスチレン（ＰＳ）等からなる。また、この粘着層は、紫外線硬化型のシリコーンゴム、アクリル系材料又はエポキシ系材料等からなる。
【0026】
そして、被加工物１１を開口１５ａに位置付けるように、ダイシングテープ１７の中央領域には、被加工物１１の裏面１１ｂ、すなわち、複数の第２被除去部１１ｅが貼着されている。
【0027】
さらに、被加工物１１の表面１１ａ、すなわち、複数のデバイス１３には、被加工物１１と概ね等しい径を有し、複数のデバイス１３を保護するための円板状の保護テープ１９が貼着されている。この保護テープ１９は、例えば、ダイシングテープ１７と同様の構造を有する。
【0028】
なお、フレームユニット１においては、ダイシングテープ１７が粘着層を含まないシートに置換されてもよい。このシートは、例えば、ダイシングテープ１７の基材層と同様の材料からなり、被加工物の裏面１１ｂ、すなわち、複数の第２被除去部１１ｅと、フレーム１５の一面と、に熱圧着される。
【0029】
図４は、内部加工ステップＳ１の一例の様子を模式的に示す斜視図である。なお、図４に示されるＸ軸方向及びＹ軸方向は、水平面上において互いに直交する方向であり、また、Ｚ軸方向は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に垂直な方向（鉛直方向）である。
【0030】
図４に示されるレーザー加工装置２は、チャックテーブル４を有する。このチャックテーブル４は、その直径が被加工物１１の直径よりも大きい円板状の枠体を有する。この枠体は、円板状の底壁と、この底壁の外周部から立設する円筒状の側壁とを有する。
【0031】
すなわち、この枠体の上面側には、底壁及び側壁によって画定される円板状の凹部が形成されている。そして、この凹部には、円板状のポーラス板が固定されている。また、枠体の底壁には、凹部の底面において開口し、かつ、底壁を貫通する流路が形成されている。さらに、ポーラス板は、この流路を介してエジェクタ等の吸引源と連通する。
【0032】
そして、この吸引源を動作させると、ポーラス板を介して、ポーラス板の上面近傍の空間に吸引力が作用する。そのため、例えば、保護テープ１９を介して被加工物１１がチャックテーブル４に置かれるようにフレームユニット１をチャックテーブル４に搬入してから吸引源を動作させると、チャックテーブル４の上面（保持面）においてフレームユニット１が保持される。
【0033】
さらに、チャックテーブル４は、例えば、プーリ及びモータ等を含む回転機構に接続されている。そして、この回転機構を動作させると、チャックテーブル４の保持面の中心を通り、かつ、Ｚ軸方向に沿った直線を回転軸としてチャックテーブル４が回転する。
【0034】
また、チャックテーブル４は、例えば、ボールねじ及びモータ等を含む水平方向移動機構に接続されている。そして、この水平方向移動機構を動作させると、Ｘ軸方向及び／又はＹ軸方向に沿ってチャックテーブル４が移動する。
【0035】
チャックテーブル４の上方には、レーザービーム照射ユニット６が設けられている。図５は、レーザービーム照射ユニット６及びそれから照射されるレーザービームの一例を模式的に示す図である。レーザービーム照射ユニット６は、レーザー発振器８を有する。
【0036】
このレーザー発振器８は、例えば、レーザー媒質としてＮｄ：ＹＡＧ等を有する。そして、レーザー発振器８は、被加工物１１の素材を透過する波長（例えば、１０６４ｎｍ又は１３４２ｎｍ）のパルス状（例えば、周波数が６０ｋＨｚ）のレーザービームＬＢを照射する。
【0037】
このレーザービームＬＢは、その出力（パワー）が減衰器１０において調整された後、分岐ユニット１２に供給される。この分岐ユニット１２は、例えば、ＬＣｏＳ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ ｏｎ Ｓｉｌｉｃｏｎ）と呼ばれる液晶位相制御素子を含む空間光変調器及び／又は回折光学素子（ＤＯＥ）等を有する。
【0038】
そして、分岐ユニット１２は、後述するヘッド１６からチャックテーブル４の保持面側に照射されるレーザービームＬＢが複数の集光点を形成するようにレーザービームＬＢを分岐する。例えば、この分岐ユニット１２は、内部加工ステップＳ１において以下の条件を充足するようにレーザービームＬＢを分岐する。
【0039】
４つ以上の偶数個（ここでは、８つ）の集光点が形成される。中央側に位置する一対の集光点のＹ軸方向における間隔を除いて、隣接する一対の集光点のＹ軸方向における間隔が概ね等しい。中央側に位置する一対の集光点の間隔が、それら以外の隣接する一対の集光点の間隔よりも大きい。中央側に位置する一対の集光点のＺ軸方向における位置（高さ）が概ね等しい。中央側に位置する一対の集光点の高さが、その他の集光点の高さよりも低い。
【0040】
８つの集光点のうち中央側に位置する一対の集光点の一方からＹ軸方向における一端に位置する集光点まで、すなわち、一方側の４つの集光点は、Ｚ軸方向において等間隔に並ぶ。同様に、８つの集光点のうち中央側に位置する一対の集光点の他方からＹ軸方向における他端に位置する集光点まで、すなわち、他方側の４つの集光点は、Ｚ軸方向において等間隔に並ぶ。
【0041】
一方側の４つの集光点のうち隣接する一対の集光点のＺ軸方向における間隔と、他方側の４つの集光点のうち隣接する一対の集光点のＺ軸方向における間隔と、は概ね等しい。Ｙ軸方向における一端に位置する集光点と他端に位置する集光点との間隔が、被加工物１１に含まれる第１被除去部１１ｄのうち隣接する一対のデバイス１３の間に位置する領域の幅よりも僅かに小さい。
【0042】
分岐ユニット１２において分岐されたレーザービームＬＢは、ミラー１４によって反射されてヘッド１６へと導かれる。このヘッド１６には、レーザービームＬＢを集光する集光レンズ（不図示）等が収容されている。そして、この集光レンズで集光されたレーザービームＬＢは、チャックテーブル４の保持面側に、端的には、直下に照射される。
【0043】
さらに、レーザービーム照射ユニット６のヘッド１６及びヘッド１６にレーザービームＬＢを導くための光学系（例えば、ミラー１４）は、ボールねじ及びモータ等を含む鉛直方向移動機構に接続されている。そして、この鉛直方向移動機構を動作させると、Ｚ軸方向に沿ってヘッド１６等が移動する。
【0044】
加えて、図４に示されるように、ヘッド１６の側方にはダイシングテープ１７を構成する材料及び被加工物１１の素材を透過する波長の光、例えば、赤外線を利用して撮像を行う撮像ユニット１８が設けられている。
【0045】
この撮像ユニット１８は、例えば、赤外線を照射するＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源と、対物レンズと、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ等の撮像素子とを含み、チャックテーブル４の保持面側を撮像する。
【0046】
レーザー加工装置２において内部加工ステップＳ１を実施する際には、まず、保護テープ１９を介して被加工物１１がチャックテーブル４に置かれるようにフレームユニット１をレーザー加工装置２に搬入する。次いで、チャックテーブル４のポーラス板と連通する吸引源を動作させる。これにより、ダイシングテープ１７が上を向いた状態でフレームユニット１がチャックテーブル４によって保持される。
【0047】
次いで、撮像ユニット１８によって被加工物１１の表面１１ａ側を撮像する。これにより、被加工物１１の表面１１ａ側における複数のデバイス１３の配列を認識可能な画像が形成される。次いで、この画像を参照して、被加工物１１の第１被除去部１１ｄに含まれる特定の分割予定ラインがＸ軸方向と平行になるようにチャックテーブル４を回転させる。
【0048】
次いで、平面視において、ヘッド１６からみて当該特定の分割予定ラインがＸ軸方向に位置付けられるようにチャックテーブル４をＸ軸方向及び／又はＹ軸方向に沿って移動させる。次いで、ヘッド１６から直下に向けてレーザービームＬＢを照射された時に形成される８つの集光点のうち中央側に位置する一対の集光点が、第１被除去部１１ｄの表面の位置よりも僅かに高く位置付けられるようにヘッド１６等を昇降させる。
【0049】
次いで、このレーザービームＬＢがヘッド１６から直下に向けて照射されるようにレーザービーム照射ユニット６を動作させる。次いで、このレーザービームＬＢが被加工物１１のＸ軸方向における一端から他端までを通り過ぎるようにチャックテーブル４をＸ軸方向に沿って移動させる。
【0050】
これにより、第１被除去部１１ｄの内部に、レーザービームＬＢが集光される集光点を中心として被加工物１１の素材の結晶構造が乱れた改質領域２１が形成される（図６参照）。なお、図６は、フレームユニット１のレーザービームＬＢが照射されている箇所を模式的に示す部分拡大断面図である。
【0051】
なお、レーザービームＬＢは、上述した条件を充足するように分岐ユニット１２によって分岐されている。そのため、第１被除去部１１ｄの内部には、８つの改質領域２１が形成される。
【0052】
そして、８つの改質領域２１は、それらのＹ軸方向における中央と一端との間に位置する４つの改質領域２１、すなわち、一方側の４つの改質領域２１と、それらのＹ軸方向における中央と他端との間に位置する４つの改質領域２１、すなわち、他方側の４つの改質領域２１と、に大別される。
【0053】
また、一方側の４つの改質領域２１と他方側の４つの改質領域２１とは、外側に位置する改質領域２１の位置が内側に位置する改質領域２１の位置よりも高くなるように被加工物１１の厚さ方向に対して所定の角度で傾斜するように直線的に並ぶ。さらに、一方側の４つの改質領域２１と他方側の４つの改質領域２１とは、両者のＹ軸方向における中央を通るＸ軸方向及びＺ軸方向に平行な平面を基準として、面対称になる。
【0054】
また、第１被除去部１１ｄの内部に８つの改質領域２１が形成されると、被加工物１１の体積が膨張して被加工物１１に内部応力が生じる。そして、この内部応力は、８つの改質領域２１のそれぞれからクラック２３が伸展することによって緩和される。
【0055】
ここで、クラック２３は、隣接する改質領域２１に向かって伸展しやすい。すなわち、クラック２３は、被加工物１１の厚さ方向に対して当該所定の角度で傾斜するように伸展しやすい。その結果、クラック２３は、第１被除去部１１ｄの表面に到達するとともに、中間部１１ｆを通って第２被除去部１１ｅに到達する。
【0056】
さらに、被加工物１１の第１被除去部１１ｄの全てにおいて改質領域２１及びクラック２３が形成されるように、チャックテーブル４の移動とレーザービーム照射ユニット６の動作とを繰り返す。以上によって、内部加工ステップＳ１が完了する。
【0057】
なお、内部加工ステップＳ１において形成されるクラック２３は、第１被除去部１１ｄの表面に到達しなくてもよい。例えば、上記の所定の角度が６０°以上になるように一方側の４つの改質領域２１と他方側の４つの改質領域２１とが形成される場合には、クラック２３が第１被除去部１１ｄの表面に到達しなくてもよい。
【0058】
この場合、被加工物１１から製造される複数のチップのそれぞれから分離される裏面側周縁部のサイズを大きくしやすい点で好ましい。ただし、この場合、クラック２３がデバイス１３に伸展しやすくなる。これに対して、クラック２３が第１被除去部１１ｄの表面に到達するように形成される場合には、デバイス１３へのクラック２３の伸展を抑制できる点で好ましい。
【0059】
内部加工ステップＳ１を実施した後には、第１被除去部１１ｄを除去する（第１除去ステップＳ２）。この第１除去ステップＳ２は、例えば、切削装置において、表面１１ａから保護テープ１９が剥がされた被加工物１１を含むフレームユニット１を切削することによって実施される。
【0060】
【0061】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示されるフレームユニット１においては、被加工物１１の第１被除去部１１ｄに沿うようなクラック２３が表面１１ａ側に形成されている。また、このクラック２３は、被加工物１１の内部において、その厚さ方向に対して傾斜するように伸展する。
【0062】
図８は、第１除去ステップＳ２の一例の様子を模式的に示す一部断面側面図である。なお、図８に示されるＵ軸方向及びＶ軸方向は、水平面上において互いに直交する方向であり、また、Ｗ軸方向は、Ｕ軸方向及びＶ軸方向に垂直な方向（鉛直方向）である。
【0063】
図８に示される切削装置２０は、チャックテーブル２２を有する。このチャックテーブル２２は、図４に示されるチャックテーブル４と同様の構造を有する。また、チャックテーブル２２の周りには、複数のクランプ（不図示）が設けられている。
【0064】
これらのクランプは、チャックテーブル２２の周方向に沿って概ね等しい角度の間隔で設けられている。そして、チャックテーブル２２においてフレームユニット１が保持される際に、チャックテーブル２２の保持面よりも低い位置において複数のクランプがフレーム１５を把持する。
【0065】
また、チャックテーブル２２及び複数のクランプは、例えば、プーリ及びモータ等を含む回転機構に接続されている。そして、この回転機構を動作させると、チャックテーブル２２の保持面の中心を通り、かつ、Ｗ軸方向に沿った直線を回転軸としてチャックテーブル２２が回転する。
【0066】
また、チャックテーブル２２は、例えば、ボールねじ及びモータ等を含むＵ軸方向移動機構に接続されている。そして、このＵ軸方向移動機構を動作させると、Ｕ軸方向に沿ってチャックテーブル２２が移動する。
【0067】
チャックテーブル２２の上方には、切削ユニット２４が設けられている。この切削ユニット２４は、Ｖ軸方向に沿って延在する円柱状のスピンドル２６を有する。このスピンドル２６の基端部はモータ等の回転駆動源（不図示）に接続され、また、その先端部には円環状の切削ブレード２８が装着されている。
【0068】
そして、この回転駆動源を動作させると、Ｖ軸方向に沿った直線を回転軸としてスピンドル２６とともに切削ブレード２８が回転する。なお、切削ブレード２８は、スピンドル２６の回転軸となる直線が切削ブレード２８の中心を通るようにスピンドル２６に装着されている。
【0069】
また、切削ユニット２４は、それぞれがボールねじ及びモータ等を含むＶ軸方向移動機構及びＷ軸方向移動機構に接続されている。そして、Ｖ軸方向移動機構を動作させると、Ｖ軸方向に沿って切削ユニット２４が移動し、また、Ｗ軸方向移動機構を動作させると、切削ユニット２４がＷ軸方向に沿って移動する。
【0070】
切削装置２０において第１除去ステップＳ２を実施する際には、まず、ダイシングテープ１７を介して被加工物１１がチャックテーブル２２に置かれるようにフレームユニット１を切削装置２０に搬入する。
【0071】
次いで、チャックテーブル２２のポーラス板と連通する吸引源を動作させるとともに、複数のクランプによってフレーム１５を把持する。これにより、被加工物１１の表面１１ａ、すなわち、複数のデバイス１３及び第１被除去部１１ｄが露出された状態でフレームユニット１がチャックテーブル２２によって保持される。
【0072】
次いで、第１被除去部１１ｄに含まれる特定の分割予定ラインがＵ軸方向と平行になるようにチャックテーブル２２を回転させる。次いで、平面視において、切削ブレード２８からみて当該特定の分割予定ラインがＵ軸方向に位置付けられるように、チャックテーブル２２をＵ軸方向に沿って移動させ、かつ／又は、切削ユニット２４をＶ軸方向に沿って移動させる。
【0073】
次いで、切削ブレード２８の下端が、ダイシングテープ１７の内部、すなわち、チャックテーブル２２の保持面よりも上かつ被加工物１１の裏面１１ｂよりも下に位置付けられるように切削ユニット２４を昇降させる。次いで、切削ブレード２８を回転させるように、スピンドル２６に接続されている回転駆動源を動作させる。
【0074】
次いで、この切削ブレード２８が被加工物１１のＵ軸方向における一端から他端までを通り過ぎるようにチャックテーブル２２をＵ軸方向に沿って移動させる。これにより、被加工物１１を貫通し、その底面がダイシングテープ１７に位置する直線状の溝２５がフレームユニット１に形成される（図９参照）。なお、図９は、フレームユニット１の溝２５が形成された箇所を模式的に示す部分拡大断面図である。
【0075】
また、これに付随して、第１被除去部１１ｄのうち当該特定の分割予定ラインに沿った直線状の領域が、この領域に含まれる複数の改質領域２１及び複数のクラック２３とともに除去される。ただし、複数のクラック２３のうち当該領域から伸展して中間部１１ｆ及び複数の第２被除去部１１ｅに形成されている部分は残存する。
【0076】
さらに、被加工物１１の第１被除去部１１ｄが、それに含まれる複数の改質領域２１及び複数のクラック２３とともに除去されるように、チャックテーブル２２及び切削ユニット２４の相対的な移動と切削ブレード２８の回転とを繰り返す。その結果、被加工物１１が分割されて、それぞれが被加工物１１と概ね等しい厚さを有する複数のチップが製造される。以上によって、第１除去ステップＳ２が完了する。
【0077】
第１除去ステップＳ２を実施した後には、複数の第２被除去部１１ｅを研削して除去するとともに複数のクラック２３を境界としてそれぞれの裏面側周縁部を複数のチップから分離する（第２除去ステップＳ３）。この第２除去ステップＳ３は、例えば、研削装置において、それぞれの裏面、すなわち、第２被除去部１１ｅからダイシングテープ１７が剥がされた複数のチップを研削することによって実施される。
【0078】
図１０（Ａ）は、このような複数のチップを模式的に示す斜視図であり、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）に示される複数のチップを模式的に示す断面図である。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示される複数のチップ２７のそれぞれの表面、すなわち、複数のデバイス１３には、円板状の保護テープ２９が貼着されている。この保護テープ２９は、例えば、ダイシングテープ１７と同様の構造を有する。
【0079】
なお、第２除去ステップＳ３においては、フレームユニットに含まれる複数のチップ２７が研削されてもよい。このフレームユニットは、例えば、それぞれの表面、すなわち、デバイス１３に中央領域が貼着された円板状の保護テープと、この保護テープの外周領域に貼着された環状のフレームと、を有する。
【0080】
このフレームユニットに含まれる保護テープ及びフレームは、例えば、ダイシングテープ１７及びフレーム１５とそれぞれ同様の構造を有する。そして、第２除去ステップＳ３においてフレームユニットに含まれる複数のチップ２７が研削される場合には、複数のチップ２７の取り扱い、例えば、複数のチップ２７の研削装置への搬入又はそれからの搬出が容易になる点で好ましい。
【0081】
ただし、この場合、複数のチップ２７とともにフレームが研削されないように、例えば、複数のクランプによってフレームを把持する必要がある。これに対して、第２除去ステップＳ３において図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示される複数のチップ２７が研削される場合には、複数のクランプを備えない研削装置においても第２除去ステップＳ３が実施可能になる点で好ましい。
【0082】
図１１は、第２除去ステップＳ３の一例の様子を模式的に示す一部断面側面図である。図１１に示される研削装置３０は、チャックテーブル３２を有する。このチャックテーブル３２は、図４に示されるチャックテーブル４と同様の構造を有する。ただし、チャックテーブル３２の保持面は、その中心が外周よりも僅かに突出した円錐の側面に対応する形状であってもよい。
【0083】
また、チャックテーブル３２は、例えば、プーリ及びモータ等を含む回転機構に接続されている。そして、この回転機構を動作させると、チャックテーブル３２の保持面の中心を通る直線を回転軸として、その周方向に沿ってチャックテーブル３２が回転する。
【0084】
また、チャックテーブル３２は、例えば、ターンテーブル及びモータ等を含む旋回機構に接続されている。そして、この旋回機構を動作させると、水平面上においてチャックテーブル３２が旋回する。
【0085】
チャックテーブル３２の上方には、研削ユニット３４が設けられている。この研削ユニット３４は、鉛直方向に概ね平行な方向に沿って延在するスピンドル３６を有する。このスピンドル３６の先端部（下端部）には、ステンレス鋼等からなる円板状のホイールマウント３８の上面が固定されている。
【0086】
また、ホイールマウント３８の下面には、その外径がホイールマウント３８の直径と概ね等しい円環状の研削ホイール４０が装着されている。研削ホイール４０は、円環状のホイール基台４０ａを有する。このホイール基台４０ａは、例えば、ステンレス鋼等からなり、その下面側には、ホイール基台４０ａの周方向に沿って複数の研削砥石４０ｂが概ね等しい角度の間隔で配置されている。
【0087】
また、スピンドル３６の基端部（上端部）は、モータ等の回転駆動源に接続されている。そして、この回転駆動源が動作すると、スピンドル３６とともにホイールマウント３８及び研削ホイール４０が回転する。
【0088】
また、研削ユニット３４は、例えば、ボールねじ及びモータ等を含む鉛直移動機構に連結されている。そして、この鉛直移動機構を動作させると、鉛直方向に沿って研削ユニット３４が移動する。
【0089】
研削装置３０において第２除去ステップＳ３を実施する際には、まず、保護テープ２９を介して複数のチップ２７がチャックテーブル３２に置かれるように複数のチップ２７を研削装置３０に搬入する。次いで、チャックテーブル３２のポーラス板と連通する吸引源を動作させる。これにより、複数の第２被除去部１１ｅが上を向いた状態で複数のチップ２７がチャックテーブル３２によって保持される。
【0090】
次いで、研削ホイール４０を回転させた時の複数の研削砥石４０ｂの軌跡が保護テープ２９の中心の直上に位置付けられるようにチャックテーブル３２に接続されている旋回機構を動作させる。次いで、研削ホイール４０を回転させるようにスピンドル３６に接続されている回転駆動源を動作させ、かつ、チャックテーブル３２を回転させるようにチャックテーブル３２に接続されている回転機構を動作させる。
【0091】
次いで、研削ホイール４０及びチャックテーブル３２の双方を回転させたまま、複数の研削砥石４０ｂの下面を複数のチップ２７の裏面、すなわち、複数の第２被除去部１１ｅに接触させるように研削ユニット３４を下降させる。これにより、複数のチップ２７の裏面側の研削が開始されて、複数の第２被除去部１１ｅが徐々に除去される。
【0092】
さらに、複数の第２被除去部１１ｅの全てが除去されるまで複数のチップ２７の裏面側を研削する。その結果、それぞれが薄化された複数のチップ２７が製造される（図１２参照）。なお、図１２は、それぞれの表面が保護テープ２９に貼着された状態で薄化された複数のチップ２７を模式的に示す断面図である。
【0093】
ここで、それぞれの裏面において複数のクラック２３が露出されるまで複数の第２被除去部１１ｅが研削されると、複数のクラック２３を境界として複数のチップ２７が劈開する。換言すると、複数のチップ２７のそれぞれの裏面側周縁部は、この研削の最中に各チップ２７から分離される。以上によって、第２除去ステップＳ３が完了する。
【0094】
図２に示されるチップの製造方法においては、被加工物１１のうち複数のデバイス１３のそれぞれの周囲に位置する第１被除去部１１ｄにレーザービームＬＢが照射されるものの、複数のチップ２７として残存する部分にレーザービームＬＢが照射されることがない。そのため、この方法においては、その裏面側周縁部にレーザービームＬＢが照射されたチップと比較して、熱ダメージが低減されたチップ２７を提供可能である。
【0095】
また、この方法においては、被加工物１１のうち複数のデバイス１３よりも裏面１１ｂ側に位置する複数の第２被除去部１１ｅを研削して除去する際に、複数のデバイス１３と複数の第２被除去部１１ｅとの間に位置する複数の中間部１１ｆのいずれかを通って複数の第２被除去部１１ｅのいずれかに到達するようにそれぞれが複数の改質領域２１から伸展する複数のクラック２３を境界として複数のチップ２７のそれぞれの裏面側周縁部が分離される。
【0096】
すなわち、この方法においては、研削に伴って複数のチップ２７のそれぞれの裏面側周縁部が欠ける場合であっても、この欠けが存在する部分が除去される。そのため、この方法においては、その裏面側周縁部に欠けが存在するチップと比較して、抗折強度の低下が抑制されたチップ２７を提供可能である。
【0097】
なお、上述した内容は本発明の一態様であって、本発明の内容は上述した内容に限定されない。例えば、本発明の内部加工ステップＳ１においては、被加工物１１の表面１１ａ側からレーザービームＬＢを照射することによって複数の改質領域２１及び複数のクラック２３が形成されてもよい。
【0098】
この場合、内部加工ステップＳ１において、複数のデバイス１３の配列、すなわち、第１被除去部１１ｄに含まれる特定の分割予定ラインの向きを確認するために赤外線を利用した撮像を行う必要がなくなる。そのため、この場合には、赤外線を利用して撮像を行う撮像ユニット１８を備えない安価なレーザー加工装置を利用して内部加工ステップＳ１を実施することができる点で好ましい。
【0099】
ただし、第１被除去部１１ｄの表面には、デバイス１３の性能を評価するためのＴＥＧ（Ｔｅｓｔ Ｅｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｇｒｏｕｐ）等が形成されていることがある。この場合、所望の箇所に複数の改質領域２１及び複数のクラック２３を形成することが困難になるおそれがある。
【0100】
これに対して、被加工物１１の裏面１１ｂ側からレーザービームＬＢを照射することによって複数の改質領域２１及び複数のクラック２３が形成される場合には、第１被除去部１１ｄの表面にＴＥＧ等が形成されている場合においても所望の箇所に複数の改質領域２１及び複数のクラック２３を形成することが容易な点で好ましい。
【0101】
また、本発明の内部加工ステップＳ１においては、第１被除去部１１ｄのうち特定の分割予定ラインに沿った直線状の領域に含まれる複数（例えば、図６においては８つ）の改質領域２１が同時に形成されなくてもよい。具体的には、複数の改質領域２１の一部、例えば、上記の一方側の４つの改質領域２１が形成されてから、その残部、例えば、上記の他方側の４つの改質領域２１が形成されてもよい。
【0102】
換言すると、本発明の内部加工ステップＳ１においては、複数の改質領域２１の一部を形成するように分岐されたレーザービームＬＢを当該直線状の領域に照射してから、その残部を形成するように分岐されたレーザービームＬＢを当該直線状の領域に照射してもよい。
【0103】
また、本発明の内部加工ステップＳ１においては、当該直線状の領域に複数の改質領域２１及び複数のクラック２３が形成されてから、当該直線状の領域に対して再びレーザービームが照射されてもよい。これにより、複数の改質領域２１のそれぞれを大きくし、かつ／又は、複数のクラック２３のそれぞれをさらに延伸させることができる。
【0104】
また、本発明の第１除去ステップＳ２においては、被加工物１１の裏面１１ｂ側から切削ブレード２８を切り込ませることによって第１被除去部１１ｄが除去されてもよい。なお、この場合、内部加工ステップＳ１に先立って、被加工物１１の表面１１ａ、すなわち、複数のデバイス１３がダイシングテープ１７に貼着される。
【0105】
そして、この場合には、内部加工ステップＳ１に先立って、被加工物１１の裏面１１ｂ、すなわち、複数の第２被除去部１１ｅに保護テープ１９を貼着する必要がなくなる。そのため、この場合には、複数の第２被除去部１１ｅへの保護テープ１９の貼着及びそれからの剥離の手間を省ける点で好ましい。
【0106】
ただし、この場合には、第１除去ステップＳ２において被加工物１１の第１被除去部１１ｄに含まれる分割予定ラインを把握するために、赤外線を利用した撮像を行うことが必要になる。そのため、この場合には、撮像ユニット１８と同様の撮像ユニットを備える高価な切削装置を利用して第１除去ステップＳ２を実施することが必要になる。
【0107】
これに対して、被加工物１１の表面１１ａ側から切削ブレード２８を切り込ませることによって第１被除去部１１ｄが除去される場合には、撮像ユニット１８と同様の撮像ユニットを備えない安価な切削装置、例えば、切削装置２０を利用して第１除去ステップＳ２を実施することができる点で好ましい。
【0108】
また、本発明の第１除去ステップＳ２においては、被加工物１１を貫通せずに、その底面が被加工物１１に位置する溝がフレームユニット１に形成されてもよい。図１３は、このように実施される第１除去ステップＳ２の一例の様子を模式的に示す一部断面側面図である。
【0109】
この第１除去ステップＳ２は、例えば、上述した切削装置２０において、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示されるフレームユニット１を切削することによって実施される。具体的には、このように第１除去ステップＳ２を実施する際には、まず、上述したようにチャックテーブル２２によってフレームユニット１を保持する。
【0110】
次いで、上述したように、平面視において、切削ブレード２８からみて第１被除去部１１ｄに含まれる分割予定ラインをＵ軸方向に位置付ける。次いで、切削ブレード２８の下端が、被加工物１１の内部、具体的には、ダイシングテープ１７よりも上かつ被加工物１１の複数の第１被除去部１１ｄよりも下に位置付けられるように切削ユニット２４を昇降させる。
【0111】
次いで、上述したようにチャックテーブル２２及び切削ユニット２４の相対的な移動と切削ブレード２８の回転とを繰り返す。これにより、被加工物１１を貫通せずに、その底面が被加工物１１に位置する格子状の溝３１がフレームユニット１に形成される（図１４参照）。なお、図１４は、フレームユニット１の溝３１が形成された箇所を模式的に示す部分拡大断面図である。
【0112】
なお、この第１除去ステップＳ２においては、被加工物１１が分割されない、すなわち、複数のチップ２７が製造されることはない。そして、この場合には、第２除去ステップＳ３において、溝３１を境界として被加工物１１が分割されるまで、その裏面１１ｂ側が研削されることによって複数のチップ２７が製造される。
【0113】
また、本発明の第１除去ステップＳ２は、ドライエッチング装置において、複数のデバイス１３を覆うようにマスクが設けられた被加工物１１をプラズマエッチングすることによって実施されてもよい。なお、このようなプラズマエッチングを行うためのドライエッチング装置の一例については後述する。
【0114】
また、本発明の第２除去ステップＳ３は、それぞれの表面、すなわち、デバイス１３が、保護テープ２９ではなく、支持基板に接合された複数のチップを研削することによって実施されてもよい。なお、この支持基板としては、例えば、被加工物１１と概ね同じ形状を有するウエーハ等が挙げられる。
【0115】
また、複数のデバイス１３の支持基板への接合は、内部加工ステップＳ１を実施する前、内部加工ステップＳ１を実施した後かつ第１除去ステップＳ２を実施する前、又は、第１除去ステップＳ２を実施した後かつ第２除去ステップＳ３を実施する前のいずれにおいて実施されてもよい。すなわち、本発明においては、複数のチップ２７が支持基板に接合されてもよいし、複数のチップ２７へと分割される前の被加工物１１が支持基板に接合されてもよい。
【0116】
なお、複数のチップ２７が支持基板に接合される場合には、加工品質等が良好なチップ２７のみを抽出して接合できる点で好ましい。他方、被加工物１１が支持基板に接合される場合には、その作業が簡便になるため、チップへの不純物の混入を抑制し、かつ／又は、スループットを向上させることができる点で好ましい。
【0117】
また、本発明においては、内部加工ステップＳ１に先立って、複数の第２被除去部１１ｅが薄化されるように被加工物１１の裏面１１ｂ側が研削されてもよい。なお、この研削は、例えば、研削装置３０において実施される。
【0118】
また、本発明のチップの製造方法は、上述した内容を適宜組み合わせることによって実施されてもよい。図１５は、このようなチップの製造方法の一例を模式的に示すフローチャートである。
【0119】
この方法においては、まず、被加工物１１を支持基板に接合する（接合ステップＳ４）。図１６（Ａ）は、この接合ステップＳ４において被加工物１１が支持基板に接合されることによって形成される積層体を模式的に示す断面図である。
【0120】
なお、被加工物１１と接合される支持基板３３は、例えば、被加工物１１と同様の形状を有する。また、被加工物１１と同様に、支持基板３３の表面３３ａ側には複数のデバイスが形成されてもよい。
【0121】
そして、接合ステップＳ４においては、被加工物１１の表面１１ａ、すなわち、複数のデバイス１３が支持基板３３の表面３３ａに接合される。具体的には、この接合ステップＳ４においては、まず、支持基板３３の表面３３ａにアクリル系接着剤又はエポキシ系接着剤を含む接着剤を設ける。
【0122】
次いで、支持基板３３の裏面３３ｂ側を支持した状態で、この接着剤を介して、被加工物１１の表面１１ａを支持基板３３の表面３３ａに押し当てる。これにより、その裏面１１ｂが露出されるように支持基板３３に接合された被加工物１１を含む積層体３５が形成される。以上によって、接合ステップＳ４が完了する。
【0123】
接合ステップＳ４を実施した後には、被加工物１１の裏面１１ｂ側を研削する（予備研削ステップＳ５）。図１６（Ｂ）は、この予備研削ステップＳ５において、その裏面１１ｂ側が研削された被加工物１１を含む積層体３５を模式的に示す断面図である。
【0124】
この予備研削ステップＳ５は、例えば、研削装置３０において、図１（Ｂ）等に示される複数の第２被除去部１１ｅの厚さが、１／３倍～２／３倍、代表的には１／２倍になるまで、被加工物１１の裏面１１ｂ側を研削することによって実施される。なお、この研削は上述した第２除去ステップＳ３と同様に実施されるため、その詳細の説明は省略する。
【0125】
予備研削ステップＳ５を実施した後には、内部加工ステップＳ１を実施する。図１６（Ｃ）は、この内部加工ステップＳ１において複数のクラック２３が形成された被加工物１１を含む積層体３５を模式的に示す断面図である。
【0126】
この内部加工ステップＳ１は、例えば、レーザー加工装置２において、その裏面１１ｂ側が研削された被加工物１１を含む積層体３５に対してレーザービームＬＢを照射することによって実施される。なお、このレーザービームＬＢの照射は上述した内部加工ステップＳ１と同様に実施されるため、その詳細の説明は省略する。
【0127】
内部加工ステップＳ１を実施した後には、第１除去ステップＳ２を実施する。この第１除去ステップＳ２は、例えば、ドライエッチング装置において、その内部に複数のクラック２３が形成された被加工物１１を含む積層体３５をプラズマエッチングすることによって実施される。
【0128】
図１７は、第１除去ステップＳ２の一例の様子を模式的に示す図である。図１７に示されるドライエッチング装置４２は、導電性材料からなり、かつ、接地されているチャンバ４４を有する。このチャンバ４４には、その内側に積層体３５を搬入し、また、その内側から積層体３５を搬出するための搬入出口４４ａが形成されている。
【0129】
この搬入出口４４ａには、チャンバ４４の内部空間と外部空間とを遮断し、又は、連通させることが可能なゲートバルブ４６が設けられている。また、チャンバ４４には、その内部空間を排気するための排気口４４ｂが形成されている。
【0130】
この排気口４４ｂは、配管４８等を介して真空ポンプ等の排気装置５０と連通している。また、チャンバ４４の内面には支持部材５２が設けられており、この支持部材５２はテーブル５４を支持する。
【0131】
そして、テーブル５４の上部には、静電チャック（不図示）が設けられている。また、テーブル５４の内部には、静電チャックの下方に位置する円板状の電極５４ａが設けられている。この電極５４ａは、整合器５６を介して高周波電源５８に接続されている。
【0132】
また、チャンバ４４のテーブル５４の上面と対向する位置には円板状の開口が形成されており、この開口には軸受け６０を介してチャンバ４４に支持されるガス噴出ヘッド６２が設けられている。このガス噴出ヘッド６２は、導電性材料からなり、また、整合器６４を介して高周波電源６６に接続されている。
【0133】
また、ガス噴出ヘッド６２の内部には、空洞（ガス拡散空間）６２ａが形成されている。また、ガス噴出ヘッド６２の内側の部分（例えば、下部）には、ガス拡散空間６２ａとチャンバ４４の内部空間とを連通する複数のガス吐出口６２ｂが形成されている。また、ガス噴出ヘッド６２の外側の部分（例えば、上部）には、ガス拡散空間６２ａに所定のガスを供給するための２つのガス供給口６２ｃ，６２ｄが形成されている。
【0134】
そして、ガス供給口６２ｃは、配管６８ａ等を介して、例えば、Ｃ４Ｆ８等のフッ化炭素系ガス及び／又はＳＦ６等のフッ化硫黄系ガス等を供給するガス供給源７０ａと連通している。また、ガス供給口６２ｄは、配管６８ｂ等を介して、例えば、Ａｒ等の不活性ガス及びＯ２ガス等を供給するガス供給源７０ｂと連通している。
【0135】
このドライエッチング装置４２において第１除去ステップＳ２を実施する際には、例えば、いわゆるボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）プロセスが実施される。具体的には、この第１除去ステップＳ２においては、まず、搬入出口４４ａを介して複数のデバイス１３を覆うようにマスク３７が設けられた積層体３５をチャンバ４４の内部空間に搬入し、支持基板３３が下になるようにテーブル５４に置く。
【0136】
次いで、ゲートバルブ４６によってチャンバ４４の内部空間と外部空間とを遮断するとともに、テーブル５４の静電チャックによって積層体３５を保持する。次いで、排気装置５０によってチャンバ４４の内部空間を排気して真空状態とする。
【0137】
次いで、所定の期間に渡って、チャンバ４４の内部空間にガス供給源７０ａからＳＦ６を含むガスを供給し、かつ、ガス供給源７０ｂからＡｒガスを供給した状態で、ガス噴出ヘッド６２に高周波電源６６から高周波電力を提供する。これにより、チャンバ４４の内部空間において生成されるＦ系ラジカル等によって被加工物１１のマスク３７に覆われることなく露出した部分が等方的にエッチングされる。
【0138】
次いで、所定の期間に渡って、チャンバ４４の内部空間にガス供給源７０ａからＣ４Ｆ８を含むガスを供給し、かつ、ガス供給源７０ｂからＡｒガスを供給した状態で、ガス噴出ヘッド６２に高周波電源６６から高周波電力を提供する。これにより、被加工物１１のエッチングされた部分にＣＦラジカルが堆積してフッ化炭素を含む保護膜が形成される。
【0139】
次いで、所定の期間に渡って、チャンバ４４の内部空間にガス供給源７０ａからＳＦ６を含むガスを供給し、かつ、ガス供給源７０ｂからＡｒガスを供給した状態で、テーブル５４の内部に設けられた電極５４ａに高周波電源５８から高周波電力を提供し、かつ、ガス噴出ヘッド６２に高周波電源６６から高周波電力を提供する。これにより、チャンバ４４の内部空間において生成されるＦ系イオン等がテーブル５４に向けて加速されることによって保護膜が異方的にエッチングされる。また、このエッチングに伴って、被加工物１１のうちマスク３７に覆われていない部分が再び露出するとともにさらにエッチングされる。
【0140】
さらに、第１除去ステップＳ２においては、被加工物１１を貫通し、その底面が支持基板３３に位置する格子状の溝が積層体３５に形成されるまで、上述した等方性エッチング、保護膜の形成及び異方性エッチングが繰り返される（図１８（Ａ）参照）。なお、図１８（Ａ）は、積層体３５の溝が形成された箇所を模式的に示す部分拡大断面図である。
【0141】
また、これに付随して、第１被除去部１１ｄが、それに含まれる複数の改質領域２１及び複数のクラック２３とともに除去される。ただし、複数のクラック２３のうち第１被除去部１１ｄから伸展して中間部１１ｆ及び複数の第２被除去部１１ｅに形成されている部分は残存する。以上によって、第１除去ステップＳ２が完了する。
【0142】
第１除去ステップＳ２を実施した後には、第２除去ステップＳ３を実施する。図１８（Ｂ）は、この第２除去ステップＳ３において製造される複数のチップ４１を含む積層体３５を模式的に示す断面図である。
【0143】
この第２除去ステップＳ３は、例えば、研削装置３０において、複数の第２被除去部１１ｅが除去されるまで複数のチップ４１の裏面側を研削することによって実施される。なお、この研削は上述した第２除去ステップＳ３と同様に実施されるため、その詳細の説明は省略する。
【0144】
ここで、それぞれの裏面において複数のクラック２３が露出されるまで複数のチップ４１の裏面側が研削されると、複数のクラック２３を境界として複数のチップ４１が劈開する。換言すると、複数のチップ４１のそれぞれの裏面側周縁部は、この研削の最中に各チップ４１から分離される。以上によって、第２除去ステップＳ３が完了する。
【0145】
その他、上述した実施形態にかかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【符号の説明】
【0146】
１ ：フレームユニット
２ ：レーザー加工装置
４ ：チャックテーブル
６ ：レーザービーム照射ユニット
８ ：レーザー発振器
１０：減衰器
１１：被加工物（１１ａ：表面、１１ｂ：裏面、１１ｃ：ノッチ）
（１１ｄ：第１被除去部、１１ｅ：第２被除去部、１１ｆ：中間部）
１２：分岐ユニット
１３：デバイス
１４：ミラー
１５：フレーム（１５ａ：開口）
１６：ヘッド
１７：ダイシングテープ
１８：撮像ユニット
１９：保護テーブ
２０：切削装置
２１：改質領域
２２：チャックテーブル
２３：クラック
２４：切削ユニット
２５：溝
２６：スピンドル
２７：チップ
２８：切削ブレード
２９：保護テープ
３０：研削装置
３１：溝
３２：チャックテーブル
３３：支持基板（３３ａ：表面、３３ｂ：裏面）
３４：研削ユニット
３５：積層体
３６：スピンドル
３７：マスク
３８：ホイールマウント
３９：溝
４０：研削ホイール（４０ａ：ホイール基台、４０ｂ：研削砥石）
４１：チップ
４２：ドライエッチング装置
４４：チャンバ（４４ａ：搬入出口、４４ｂ：排気口）
４６：ゲートバルブ
４８：配管
５０：排気装置
５２：支持部材
５４：テーブル（５４ａ：電極）
５６：整合器
５８：高周波電源
６０：軸受け
６２：ガス噴出ヘッド
（６２ａ：ガス拡散空間、６２ｂ：ガス吐出口、６２ｃ，６２ｄ：ガス供給口）
６４：整合器
６６：高周波電源
６８ａ，６８ｂ：配管
７０ａ，７０ｂ：ガス供給源
２ ：レーザー加工装置
４ ：チャックテーブル
６ ：レーザービーム照射ユニット
８ ：レーザー発振器
１０：減衰器
１１：被加工物（１１ａ：表面、１１ｂ：裏面、１１ｃ：ノッチ）
（１１ｄ：第１被除去部、１１ｅ：第２被除去部、１１ｆ：中間部）
１２：分岐ユニット
１３：デバイス
１４：ミラー
１５：フレーム（１５ａ：開口）
１６：ヘッド
１７：ダイシングテープ
１８：撮像ユニット
１９：保護テーブ
２０：切削装置
２１：改質領域
２２：チャックテーブル
２３：クラック
２４：切削ユニット
２５：溝
２６：スピンドル
２７：チップ
２８：切削ブレード
２９：保護テープ
３０：研削装置
３１：溝
３２：チャックテーブル
３３：支持基板（３３ａ：表面、３３ｂ：裏面）
３４：研削ユニット
３５：積層体
３６：スピンドル
３７：マスク
３８：ホイールマウント
３９：溝
４０：研削ホイール（４０ａ：ホイール基台、４０ｂ：研削砥石）
４１：チップ
４２：ドライエッチング装置
４４：チャンバ（４４ａ：搬入出口、４４ｂ：排気口）
４６：ゲートバルブ
４８：配管
５０：排気装置
５２：支持部材
５４：テーブル（５４ａ：電極）
５６：整合器
５８：高周波電源
６０：軸受け
６２：ガス噴出ヘッド
（６２ａ：ガス拡散空間、６２ｂ：ガス吐出口、６２ｃ，６２ｄ：ガス供給口）
６４：整合器
６６：高周波電源
６８ａ，６８ｂ：配管
７０ａ，７０ｂ：ガス供給源
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】