特開 2024-152434 チャックテーブルの製造方法、チャックテーブル、リフトオフ方法及び保持治具

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024152434

(43)【公開日】2024-10-25

(54)【発明の名称】チャックテーブルの製造方法、チャックテーブル、リフトオフ方法及び保持治具

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241018BHJP

   B23K 26/382 20140101ALI20241018BHJP

   B23K 26/36 20140101ALI20241018BHJP

   B23K 26/57 20140101ALI20241018BHJP

   B23K 26/03 20060101ALI20241018BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

B23K26/382

B23K26/36

B23K26/57

B23K26/03

【審査請求】未請求

【請求項の数】8

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023066622

(22)【出願日】2023-04-14

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】小柳 将

【テーマコード（参考）】

4E168

5F131

【Ｆターム（参考）】

4E168AD12

4E168AD18

4E168AE05

4E168CA05

4E168CA07

4E168CB04

4E168CB11

4E168DA04

4E168DA24

4E168DA32

4E168DA46

4E168EA15

4E168JA13

5F131AA02

5F131AA03

5F131AA21

5F131AA22

5F131AA23

5F131BA53

5F131CA07

5F131CA09

5F131CA31

5F131DA33

5F131DA42

5F131EA05

5F131EA07

5F131EB01

5F131EB53

5F131EB58

5F131EC42

5F131EC72

(57)【要約】

【課題】反りを有する被加工物を破損させることなく適切に保持することが可能なこと。
【解決手段】チャックテーブルの製造方法は、反りを有する被加工物を保持するチャックテーブルを製造する方法であって、反りを有する該被加工物の被保持面の形状を測定する形状測定ステップ３０１と、チャックテーブルの保持面を構成する弾性部材に対してレーザービームを照射して、形状測定ステップ３０１で測定した形状に対応する形状を有する保持面を形成するレーザービーム照射ステップ３０２と、レーザービーム照射ステップ３０２を実施した後に、チャックテーブル１を構成する弾性部材及び振動吸収部材に対してレーザービームを照射して被加工物に負圧を伝達する吸引孔を形成する吸引孔形成ステップ３０３と、を含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

反りを有する被加工物を保持するチャックテーブルを製造するチャックテーブルの製造方法であって、
反りを有する該被加工物の被保持面の形状を測定する形状測定ステップと、
チャックテーブルの保持面を構成する材料に対してレーザービームを照射して、該形状測定ステップで測定した形状に対応する形状を有する保持面を形成するレーザービーム照射ステップと、
該レーザービーム照射ステップを実施する前または後に、チャックテーブルを構成する該材料に対してレーザービームを照射して被加工物に負圧を伝達する吸引孔を形成する吸引孔形成ステップと、
を含むことを特徴とする、チャックテーブルの製造方法。

【請求項2】

チャックテーブルの保持面を構成する該材料は、弾性部材を含むことを特徴とする、請求項１に記載のチャックテーブルの製造方法。

【請求項3】

反りを有する被加工物を保持するチャックテーブルであって、
該被加工物を保持する保持面が該反りの形状に沿った形状に形成されていることを特徴とする、チャックテーブル。

【請求項4】

該保持面は、弾性部材を含んで構成されることを特徴とする、請求項３に記載のチャックテーブル。

【請求項5】

該弾性部材より下部に配設されて該弾性部材を支持する振動吸収部材を更に有することを特徴とする、請求項４に記載のチャックテーブル。

【請求項6】

該弾性部材には、被加工物に負圧を伝達する複数の吸引孔が形成されていることを特徴とする、請求項４又は請求項５に記載のチャックテーブル。

【請求項7】

エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、
光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合材を介して移設基板を接合することで形成された複合基板の該移設基板側を、請求項３乃至請求項６のいずれか一項に記載のチャックテーブルの保持面で吸引保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、該複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側から、該エピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊ステップと、
該バッファー層破壊ステップを実施した後、該エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップと、を含むことを特徴とする、リフトオフ方法。

【請求項8】

対象物を吸引保持する平坦な対象物保持面を有するチャックテーブルに取り付けられて、反りを有する被加工物を保持する保持治具であって、
該被加工物の該反りの形状に沿った形状に形成されて、該被加工物が載置される保持面と、
一端が保持面に開口しかつ他端が該対象物保持面に対向する複数の吸引孔と、
を備えることを特徴とする、保持治具。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、チャックテーブルの製造方法、チャックテーブル、リフトオフ方法及び保持治具に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体ウエーハなどの被加工物は、例えば、レーザー加工ユニットを備えるレーザー加工装置で加工される。このレーザー加工装置は、加工の際に被加工物を保持するチャックテーブルを備えている（例えば、特許文献１参照）。

【0003】

この特許文献１に示されたチャックテーブルは、ポーラスセラミック材による吸着部を有しており、被加工物は、吸着部で吸着されてチャックテーブル上に保持される。被加工物の保持されたチャックテーブルをレーザー加工ユニットに対して相対移動させることで、レーザービームの照射位置を変化させて被加工物を加工できる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００５－２６２２４９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

ところで、上述のようなレーザー加工装置で加工される被加工物は、ある程度の反りを有していることがある。例えば、貼り合わせられた複数の基板に対してレーザービームを照射することで基板を分離するリフトオフ加工において、被加工物は、基板の貼り合わせに起因する反りを有している。

【0006】

反りを有する被加工物を外周側が高くなるようにチャックテーブル上に載置すると、被加工物の外周部分は吸着部の表面から浮き上がり、被加工物と吸着部との密着性は低くなる。この場合、チャックテーブルは十分な吸引力を発揮できず、被加工物を適切に保持できない。また、ウエーハを保持する際の吸引力が強すぎると、吸引時にウエーハを破損してしまう恐れがある。

【0007】

本願発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その目的は、反りを有する被加工物を破損させることなく適切に保持することが可能なチャックテーブルの製造方法、チャックテーブル、リフトオフ方法及び保持治具を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0008】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のチャックテーブルの製造方法は、反りを有する被加工物を保持するチャックテーブルを製造するチャックテーブルの製造方法であって、反りを有する該被加工物の被保持面の形状を測定する形状測定ステップと、チャックテーブルの保持面を構成する材料に対してレーザービームを照射して、該形状測定ステップで測定した形状に対応する形状を有する保持面を形成するレーザービーム照射ステップと、該レーザービーム照射ステップを実施する前または後に、チャックテーブルを構成する該材料に対してレーザービームを照射して被加工物に負圧を伝達する吸引孔を形成する吸引孔形成ステップと、を含むことを特徴とする。

【0009】

前記チャックテーブルの製造方法では、チャックテーブルの保持面を構成する該材料は、弾性部材を含んでも良い。

【0010】

本発明のチャックテーブルは、反りを有する被加工物を保持するチャックテーブルであって、該被加工物を保持する保持面が該反りの形状に沿った形状に形成されていることを特徴とする。

【0011】

前記チャックテーブルにおいて、該保持面は、弾性部材を含んで構成されても良い。

【0012】

前記チャックテーブルにおいて、該弾性部材より下部に配設されて該弾性部材を支持する振動吸収部材を更に有しても良い。

【0013】

前記チャックテーブルにおいて、該弾性部材には、被加工物に負圧を伝達する複数の吸引孔が形成されても良い。

【0014】

本発明のリフトオフ方法は、エピタキシー基板の表面にバッファー層を介して光デバイス層が積層された光デバイスウエーハの光デバイス層を移設基板に移し替えるリフトオフ方法であって、光デバイスウエーハの光デバイス層の表面に接合材を介して移設基板を接合することで形成された複合基板の該移設基板側を、前記チャックテーブルの保持面で吸引保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該複合基板を構成する光デバイスウエーハのエピタキシー基板の裏面側から、該エピタキシー基板に対しては透過性を有しバッファー層に対しては吸収性を有する波長のパルスレーザービームを照射し、バッファー層を破壊するバッファー層破壊ステップと、該バッファー層破壊ステップを実施した後、該エピタキシー基板を光デバイス層から剥離して光デバイス層を移設基板に移設する光デバイス層移設ステップと、を含むことを特徴とする。

【0015】

本発明の保持治具は、対象物を吸引保持する平坦な対象物保持面を有するチャックテーブルに取り付けられて、反りを有する被加工物を保持する保持治具であって、該被加工物の該反りの形状に沿った形状に形成されて、該被加工物が載置される保持面と、一端が保持面に開口しかつ他端が該対象物保持面に対向する複数の吸引孔と、を備えることを特徴とする。

【発明の効果】

【0016】

本発明は、反りを有する被加工物を破損させることなく適切に保持することが可能となるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】図１は、実施形態１に係るチャックテーブルの構成例を模式的に示す断面図である。

【図2】図２は、図１に示されたチャックテーブルが保持する被加工物の構成例を模式的に示す側面図である。

【図3】図３は、実施形態１に係るチャックテーブルの製造方法の流れを示すフローチャートである。

【図4】図４は、図３に示されたチャックテーブルの製造方法の形状測定ステップを模式的に示す側面図である。

【図5】図５は、図３に示されたチャックテーブルの製造方法のレーザービーム照射ステップを模式的に示す断面図である。

【図6】図６は、図３に示されたチャックテーブルの製造方法の吸引孔形成ステップを模式的に示す断面図である。

【図7】図７は、実施形態１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。

【図8】図８は、図７に示されたリフトオフ方法の保持ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。

【図9】図９は、図７に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。

【図10】図１０は、図７に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップにおいてエピタキシー基板に超音波振動を付与する状態を一部断面で模式的に示す側面図である。

【図11】図１１は、図７に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップにおいてエピタキシー基板を分離する状態を一部断面で模式的に示す側面図である。

【図12】図１２は、実施形態１の変形例に係るチャックテーブルの構成例を模式的に示す断面図である。

【図13】図１３は、実施形態２に係るチャックテーブルに取り付けられた保持治具の構成例を模式的に示す断面図である。

【図14】図１４は、図１３に示されたチャックテーブルに保持される対象物の一例を模式的に示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

【0019】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係るチャックテーブルを図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係るチャックテーブルの構成例を模式的に示す断面図である。図２は、図１に示されたチャックテーブルが保持する被加工物の構成例を模式的に示す側面図である。

【0020】

（被加工物）
実施形態１に係る図１に示すチャックテーブル１は、図２に示す反りを有する被加工物４０を保持するものであって、被加工物４０を加工（例えば、リフトオフ加工）する加工装置８０（図８に示す）に設置される。図１に示すチャックテーブル１の保持対象の被加工物４０は、図２に示すように、光デバイスウエーハ４１と、移設基板５０とを備えている。

【0021】

光デバイスウエーハ４１は、円板状のサファイアからなるエピタキシー基板４２の表面４５に光デバイス層４３がエピタキシャル成長法によって形成されている。なお、エピタキシャル成長法によって光デバイス層４３が形成されるエピタキシー基板４２の表面４５と光デバイス層４３との間に、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなる厚みが例えば１μｍのバッファー層４４が形成される。このように、光デバイスウエーハ４１は、図２に示すように、エピタキシー基板４２の表面４５にバッファー層４４を介して光デバイス層４３が積層されている。

【0022】

なお、光デバイス層４３は、バッファー層４４上に順に積層されたｐ型窒化ガリウム半導体層とｎ型窒化ガリウム半導体層とからなり、実施形態１では、厚みが例えば１０μｍに形成されている。なお、実施形態１において、光デバイス層４３は、格子状に形成された複数の図示しないストリートによって区画された光デバイスに形成されている。

【0023】

前述した構成の光デバイスウエーハ４１は、エピタキシー基板４２の表面４５に光デバイス層４３をエピタキシャル成長法によって形成する際に、エピタキシー基板４２を構成するサファイア結晶と、光デバイス層４３を構成するＧａＮ結晶との格子定数の違いによりエピタキシー基板４２の表面４５の中央が凸となる反りが生じ、表面４５が、中央が凸の曲面に形成される。なお、反りは、エピタキシー基板４２の表面４５の中央と外縁との厚み方向の距離が３０μｍ～５０μｍ程度の反りである。

【0024】

移設基板５０は、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、又はシリコン（Ｓｉ）等から構成される。実施形態１において、移設基板５０は、シリコンからなりかつ光デバイスウエーハ４１と同径でかつ厚みが１ｍｍの円板状に形成されている。移設基板５０は、光デバイスウエーハ４１のエピタキシー基板４２の表面４５に形成された光デバイス層４３の表面４６に接合材４７を介して接合される。

【0025】

接合材４７は、ＡｇＳｎ（銀錫）、ＡｕＳｎ（金錫）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、インジウム（Ｉｎ）、パラジウム（Ｐｄ）等の金属、もしくは樹脂等の有機物により構成される。実施形態１では、エピタキシー基板４２の表面４５に形成された光デバイス層４３の表面４６または移設基板５０の表面５１に上記金属を蒸着、もしくは樹脂を形成し、接合材４７と移設基板５０の表面５１または光デバイス層４３の表面４６とを対面させて圧着することにより、光デバイスウエーハ４１を構成する光デバイス層４３の表面４６に移設基板５０の表面５１を接合材４７を介して接合する。こうして、実施形態１において、被加工物４０は、エピタキシー基板４２の表面４５にバッファー層４４を介して光デバイス層４３が積層された複合基板である。

【0026】

なお、実施形態１において、エピタキシー基板４２と移設基板５０との格子定数の違いにより、接合時にエピタキシー基板４２の表面４５の中央及び移設基板５０の表面５１の裏側の裏面５２の中央が凸に湾曲した反りが生じる。即ち、接合後、移設基板５０は、エピタキシー基板４２の反りに倣って反ることとなる。

【0027】

（チャックテーブル）
チャックテーブル１は、図１に示すように、ベース２と、弾性部材１０と、振動吸収部材２０とを備える。実施形態１において、ベース２は、ステンレス鋼等の金属により構成され、被加工物４０よりも大径な円盤状に形成されている。ベース２は、前述した加工装置８０に設置される。

【0028】

また、ベース２は、上面３の中央に円形凸部４が突出している。円形凸部４は、ベース２の上面と同軸に配置され、円形凸部４の外径は、被加工物４０の外径と等しく、上面６が平坦に形成されている。ベース２は、内部に加工装置８０の図示しない吸引源に接続された吸引路５が形成され、吸引路５が円形凸部４の上面６に開口している。なお、実施形態では、吸引路５は、円形凸部４の上面６に複数開口している。

【0029】

弾性部材１０は、ゴムなどの弾性を有する樹脂により構成され、実施形態１では、被加工物４０及び円形凸部４よりも大径でかつベース２よりも小径な円板状に形成されている。実施形態１において、弾性部材１０は、ＣＲ（クロロプレン）ゴム又はシリコーンゴムにより構成される。

【0030】

弾性部材１０は、上面が被加工物４０を保持する保持面１１である。即ち、チャックテーブル１の保持面１１を構成する材料は、弾性部材１０を含み、保持面１１は、弾性部材１０を含んで構成される。保持面１１は、中央に被加工物４０の移設基板５０の表面５１の裏側の裏面５２（被加工物４０の被保持面に相当）の反りの形状に沿った形状の凹み１２が形成されている。即ち、実施形態１は、凹み１２は、中央が最も深く形成され、内面が曲面に形成されている。

【0031】

振動吸収部材２０は、変形可能な樹脂により構成され、実施形態１では、弾性部材１０と同径の円板状に形成されている。実施形態１において、振動吸収部材２０は、ウレタン樹脂により構成される。振動吸収部材２０は、上面２１に弾性部材１０の平坦な下面１３が取り付けられて、弾性部材１０よりも下部に配設されて、弾性部材１０を支持する。また、振動吸収部材２０は、下面２２の中央に円形凸部４が嵌合する円形凹部２３が形成されている。

【0032】

また、実施形態１において、チャックテーブル１は、保持面１１上の被加工物４０に前述した加工装置８０の吸引源の負圧を伝達する複数の吸引孔３０が形成されている。実施形態１において、吸引孔３０は、弾性部材１０と振動吸収部材２０とを貫通した孔であって、一端が保持面１１に開口し、他端がベース２の円形凸部４の上面６に開口した吸引路５に接続している。こうして、吸引孔３０は、弾性部材１０に複数形成されているとともに、吸引路５を介して吸引源に接続して、保持面１１上の被加工物４０に吸引源からの負圧を伝達して、保持面１１に被加工物４０を吸引保持する。なお、実施形態１では、吸引孔３０は、吸引路５の円形凸部４の上面６の開口と１対１で対応している。

【0033】

（チャックテーブルの製造方法）
次に、実施形態１に係るチャックテーブルの製造方法を図面に基づいて説明する。図３は、実施形態１に係るチャックテーブルの製造方法の流れを示すフローチャートである。実施形態１に係るチャックテーブルの製造方法は、図１に示されたチャックテーブル１を製造する方法である。実施形態１に係るチャックテーブルの製造方法は、図３に示すように、形状測定ステップ３０１と、レーザービーム照射ステップ３０２と、吸引孔形成ステップ３０３とを含む。

【0034】

（形状測定ステップ）
図４は、図３に示されたチャックテーブルの製造方法の形状測定ステップを模式的に示す側面図である。形状測定ステップ３０１は、反りを有する被加工物４０の被保持面である移設基板５０の裏面５２の形状を測定するステップである。

【0035】

実施形態１において、形状測定ステップ３０１では、図４に示すように、被加工物４０の移設基板５０の裏面５２にレーザー変位計６０を相対して配置し、レーザー変位計６０を被加工物４０の移設基板５０の裏面５２に対して相対的に移動させながらレーザー変位計６０で裏面５２の形状を測定する。なお、測定時、レーザー変位計６０を被加工物４０に対して裏面５２の周方向に移動させながら径方向に移動させて、即ちレーザー変位計６０を被加工物４０に対してらせん状に移動させて（即ち、スパイラルスキャン方式で）も良く、レーザー変位計６０を被加工物４０の裏面５２の中心を通って径方向に複数移動させて（即ち、ラインスキャン方式で）も良い。

【0036】

なお、形状測定ステップ３０１は、被加工物４０の種類ごとに１回行うのが望ましい。即ち、形状測定ステップ３０１は、被加工物４０毎に行わなくても良い。即ち、被加工物４０の数と同じ回数、形状測定ステップ３０１を行わなくても良い。

【0037】

（レーザービーム照射ステップ）
図５は、図３に示されたチャックテーブルの製造方法のレーザービーム照射ステップを模式的に示す断面図である。レーザービーム照射ステップ３０２は、チャックテーブル１の保持面１１を構成する材料である弾性部材１０に対してレーザービーム７１を照射して、形状測定ステップ３０１で測定した形状に対応する形状を有する保持面１１を形成するステップである。

【0038】

実施形態１において、レーザービーム照射ステップ３０２では、下面１３に振動吸収部材２０が取り付けられた弾性部材１０の上面に弾性部材１０及び振動吸収部材２０に対して吸収性を有する波長のレーザービーム７１を照射するレーザービーム照射ユニット７０を相対させる。実施形態１において、レーザービーム照射ステップ３０２では、図５に示すように、集光点７２を形状測定ステップ３０１で測定した裏面５２の形状に対応する高さに位置付けながらレーザービーム７１を弾性部材１０に対して相対的に移動させながらレーザービーム照射ユニット７０からレーザービーム７１を弾性部材１０の上面に照射させる。なお、レーザービーム７１は、ガルバノスキャナなどで弾性部材１０の上面上を走査して、レーザービーム７１を弾性部材１０の上面に照射しても良く、レーザービーム照射ユニット７０自体を弾性部材１０の上面に対して相対的に移動させて照射しても良い。

【0039】

すると、レーザービーム７１が弾性部材１０に対して吸収性を有するので、弾性部材１０の上面がアブレーション加工されて、被加工物４０の裏面５２の形状に合致する凹み１２が上面に形成されて、弾性部材１０の上面が保持面１１に形成される。こうして、レーザービーム照射ステップ３０２では、被加工物４０の裏面５２の形状に合致する形状に保持面１１を形成する。なお、合致とは、保持面１１に被加工物４０の裏面５２が載置されると、保持面１１と裏面５２とが密着する、又は保持面１１と裏面５２とが吸引孔３０の吸引により密着する程度に隙間を生じることをいう。

【0040】

（吸引孔形成ステップ）
図６は、図３に示されたチャックテーブルの製造方法の吸引孔形成ステップを模式的に示す断面図である。吸引孔形成ステップ３０３は、レーザービーム照射ステップ３０２を実施する前または後に、チャックテーブル１を構成する材料である弾性部材１０及び振動吸収部材２０に対してレーザービーム７１を照射して被加工物４０に負圧を伝達する吸引孔３０を形成するステップである。

【0041】

実施形態１において、吸引孔形成ステップ３０３は、レーザービーム照射ステップ３０２を実施した後に実施される。しかしながら、本発明では、吸引孔形成ステップ３０３は、レーザービーム照射ステップ３０２を実施する前に実施しても良い。実施形態１において、吸引孔形成ステップ３０３では、図６に示すように、レーザービーム７１の集光点７２を弾性部材１０の上面から下面１３及び振動吸収部材２０の上面２１から下面２２に向かって変化させながらレーザービーム照射ユニット７０からレーザービーム７１を照射する。

【0042】

すると、レーザービーム７１が弾性部材１０及び振動吸収部材２０に対して吸収性を有するので、弾性部材１０及び振動吸収部材２０がアブレーション加工されて、保持面１１から振動吸収部材２０の下面２２とに亘って弾性部材１０及び振動吸収部材２０を貫通した吸引孔３０が形成される。こうして、吸引孔形成ステップ３０３では、弾性部材１０及び振動吸収部材２０に吸引孔３０を形成する。

【0043】

チャックテーブルの製造方法では、振動吸収部材２０の下面２２に円形凹部２３を形成し、円形凹部２３に円形凸部４を嵌合させて、ベース２に弾性部材１０及び振動吸収部材２０を取り付ける。

【0044】

（リフトオフ方法）
次に、実施形態１に係るリフトオフ方法を図面に基づいて説明する。図７は、実施形態１に係るリフトオフ方法の流れを示すフローチャートである。実施形態１に係るリフトオフ方法は、エピタキシー基板４２の表面４５にバッファー層４４を介して光デバイス層４３が積層された光デバイスウエーハ４１の光デバイス層４３を移設基板５０に移し替える方法である。実施形態１に係るリフトオフ方法は、図７に示すように、保持ステップ４０１と、バッファー層破壊ステップ４０２と、光デバイス層移設ステップ４０３とを含む。

【0045】

（保持ステップ）
図８は、図７に示されたリフトオフ方法の保持ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。保持ステップ４０１は、光デバイスウエーハ４１の光デバイス層４３の表面４６に接合材４７を介して移設基板５０を接合することで形成された被加工物４０の移設基板５０側を、チャックテーブル１の保持面１１で吸引保持するステップである。

【0046】

実施形態１において、保持ステップ４０１では、加工装置８０が、チャックテーブル１の保持面１１に被加工物４０の移設基板５０の裏面５２側が載置される。すると、保持面１１に凹み１２が形成されているので、保持面１１に被加工物４０の移設基板５０の裏面５２が合致する。実施形態１において、保持ステップ４０１では、加工装置８０が、図８に示すように、吸引源で吸引孔３０を吸引して、チャックテーブル１の保持面１１に被加工物４０の移設基板５０の裏面５２を吸引保持する。すると、保持面１１に被加工物４０の裏面５２が密着する。

【0047】

（バッファー層破壊ステップ）
図９は、図７に示されたリフトオフ方法のバッファー層破壊ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。バッファー層破壊ステップ４０２は、保持ステップ４０１を実施した後、被加工物４０を構成する光デバイスウエーハ４１のエピタキシー基板４２の表面４５の裏側の裏面４８側からエピタキシー基板４２に対しては透過性を有しバッファー層４４に対しては吸収性を有する波長のパルス状のレーザービーム８１（パルスレーザービームに相当）を照射し、バッファー層４４を破壊するステップである。

【0048】

実施形態１において、バッファー層破壊ステップ４０２では、加工装置８０が、図示しない加工送り手段を作動してチャックテーブル１をレーザービーム照射ユニット８２の集光レンズ８３の下方の加工領域に移動し、被加工物４０の一端をレーザービーム照射ユニット８２の集光レンズ８３の直下に位置付ける。

【0049】

実施形態１において、バッファー層破壊ステップ４０２では、加工装置８０が、集光レンズ８３から照射されるレーザービーム８１の集光点８４をバッファー層４４に設定する。この際、加工装置８０は、形状測定ステップ３０１で測定した裏面５２の形状及び加工条件（エピタキシー基板４２、バッファー層４４、光デバイス層４３、接合材４７及び移設基板５０の厚み）等に基づいて、集光点８４の高さを算出して、集光点８４をバッファー層４４に設定するのが望ましい。

【0050】

実施形態１において、バッファー層破壊ステップ４０２では、加工装置８０が、図９に示すように、レーザービーム照射ユニット８２のレーザー発振器８５からパルス状のレーザービーム８１を出射し、レーザービーム８１をミラー８６で集光レンズ８３に向けて反射し、集光レンズ８３からパルス状のレーザービーム８１を被加工物４０に照射しつつチャックテーブル１を所定の加工送り速度で加工送り方向に移動させる。

【0051】

実施形態１において、バッファー層破壊ステップ４０２では、加工装置８０が、レーザービーム照射ユニット８２の集光レンズ８３の下方にエピタキシー基板４２の他端が達したら、レーザービーム８１の照射を一旦停止するとともにチャックテーブル１の移動を停止する。その後、実施形態１において、バッファー層破壊ステップ４０２では、加工装置８０が、レーザービーム照射ユニット８２の集光レンズ８３とチャックテーブル１とを水平方向に沿いかつ加工送り方向に対して直交する割り出し送り方向に相対的に移動させた後、集光レンズ８３からパルス状のレーザービーム８１を被加工物４０に照射しつつチャックテーブル１を所定の加工送り速度で加工送り方向に移動させる。

【0052】

実施形態１において、バッファー層破壊ステップ４０２では、加工装置８０が、チャックテーブル１を加工送り方向に移動させながら被加工物４０にレーザービーム８１を照射する工程を繰り返して、バッファー層４４の全面にレーザービーム８１を照射する。すると、バッファー層４４が破壊されて、ＧａＮが分解して形成された窒素ガスがエピタキシー基板４２と光デバイス層４３との間に生じる。

【0053】

なお、本発明において、バッファー層破壊ステップ４０２では、加工装置８０が、集光レンズ８３をエピタキシー基板４２の最外縁の上方に位置付け、チャックテーブル１を軸心回りに回転しつつ集光レンズ８３をエピタキシー基板４２の中央に向けて移動することによりバッファー層４４の全面にレーザービーム８１を照射してもよい。また、本発明において、バッファー層破壊ステップ４０２では、チャックテーブル１を固定した状態で、レーザービーム８１をガルバノミラー等の走査手段によりらせん状にスキャンすることでバッファー層４４を破壊してもよい。

【0054】

なお、実施形態１では、バッファー層破壊ステップ４０２では、例えば、光源としてＹＡＧレーザーが用いられ、レーザービーム８１の波長を２６６ｎｍとし、レーザービーム８１の繰り返し周波数を５０ｋＨｚとし、レーザービーム８１の平均出力を０．１２Ｗとし、レーザービーム８１のパルス幅を１００ｐｓとし、集光点８４を直径７０μｍの円形とし、エピタキシー基板４２の裏面４８にレーザービーム８１の集光点８４を位置付けた状態で集光レンズ８３を１ｍｍエピタキシー基板４２に近付け、加工送り速度を６００ｍｍ／秒として、実施される。

【0055】

（光デバイス層移設ステップ）
図１０は、図７に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップにおいてエピタキシー基板に超音波振動を付与する状態を一部断面で模式的に示す側面図である。図１１は、図７に示されたリフトオフ方法の光デバイス層移設ステップにおいてエピタキシー基板を分離する状態を一部断面で模式的に示す側面図である。

【0056】

光デバイス層移設ステップ４０３は、バッファー層破壊ステップ４０２を実施した後に、エピタキシー基板４２を光デバイス層４３から剥離して光デバイス層４３を移設基板５０に移設するステップである。実施形態１において、光デバイス層移設ステップ４０３では、加工装置８０は、図１０に示すように、超音波振動付与ユニット８７の先端をチャックテーブル１に吸引保持された被加工物４０のエピタキシー基板４２に当接させて、超音波ホーン８８で超音波振動付与ユニット８７の先端を所定時間超音波振動させる。

【0057】

すると、被加工物４０のエピタキシー基板４２に超音波振動が付与されて、この超音波振動によりエピタキシー基板４２と移設基板５０とが相対的に超音波振動に応じて変位して、被加工物４０は、バッファー層４４の全面が破断して、光デバイス層４３を移設基板５０に移設することとなる。実施形態１において、光デバイス層移設ステップ４０３では、加工装置８０は、図１１に示すように、搬送ユニット８９の吸引パッド９０にエピタキシー基板４２を吸引保持して、搬送ユニット８９でエピタキシー基板４２をチャックテーブル１に吸引保持された移設基板５０に移設された光デバイス層４３から分離させる。

【0058】

以上、説明した実施形態１に係るチャックテーブル１及びチャックテーブルの製造方法は、被加工物４０の被保持面である移設基板５０の裏面５２の形状に対応する形状の凹み１２を形成して、保持面１１を移設基板５０の裏面５２の形状に対応する形状に形成する。このために、実施形態１に係るチャックテーブル１及びチャックテーブルの製造方法は、チャックテーブル１の保持面１１に被加工物４０の移設基板５０の裏面５２全体を吸引保持することができる。

【0059】

その結果、実施形態１に係るチャックテーブル１及びチャックテーブルの製造方法は、反りを有する被加工物４０を破損させることなく適切に保持することが可能となるという効果を奏する。

【0060】

また、実施形態１に係るリフトオフ方法は、前述したチャックテーブル１の保持面１１に被加工物４０の移設基板５０の裏面５２を吸引保持して、バッファー層破壊ステップ４０２を実施する。このために、実施形態１に係るリフトオフ方法は、被加工物４０の移設基板５０の裏面５２全体をチャックテーブル１の保持面１１に吸引保持することができるので、バッファー層破壊ステップ４０２で生じる窒素ガス等により被加工物４０が保持面１１上で位置ずれすることを抑制できる。

【0061】

〔変形例〕
実施形態１の変形例に係るチャックテーブルを図面に基づいて説明する。図１２は、実施形態１の変形例に係るチャックテーブルの構成例を模式的に示す断面図である。なお、図１２は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0062】

実施形態１の変形例に係るチャックテーブル１は、図１２に示すように、ベース２の円形凸部４の上面６の中心に吸引路５が一つ開口し、振動吸収部材２０内で吸引路５が一つにまとまって、まとまった一つの吸引孔３０が振動吸収部材２０の円形凹部２３の底の中心に開口している事以外、実施形態１と同じである。

【0063】

実施形態１の変形例に係るチャックテーブル１は、被加工物４０の被保持面である移設基板５０の裏面５２の形状に対応する形状の凹み１２を形成しているので、チャックテーブル１の保持面１１に被加工物４０の移設基板５０の裏面５２全体を吸引保持することができ、実施形態１と同様に、反りを有する被加工物４０を破損させることなく適切に保持することが可能となるという効果を奏する。

【0064】

〔実施形態２〕
実施形態２に係る保持治具を図面に基づいて説明する。図１３は、実施形態２に係るチャックテーブルに取り付けられた保持治具の構成例を模式的に示す断面図である。図１４は、図１３に示されたチャックテーブルに保持される対象物の一例を模式的に示す斜視図である。なお、図１３及び図１４は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0065】

実施形態２に係る保持治具１００は、図１３に示すように、チャックテーブル１１０に取り付けられて、反りを有する被加工物４０を保持するものである。実施形態２に係る保持治具１００が取り付けられるチャックテーブル１１０は、図１４に一例を示す対象物２００を吸引保持するものであり、の加工装置８０に設置されるものである。

【0066】

チャックテーブル１が保持する対象物２００は、例えば、図１４に示すように、シリコン、サファイア、ガリウムなどを基板とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等のウエーハである。

【0067】

対象物２００は、表面２０１に互いに交差する分割予定ライン２０２が複数設定され、分割予定ライン２０２によって区画された領域にデバイス２０３が形成されている。デバイス２０３は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ、又は各種のメモリ（半導体記憶装置）である。

【0068】

また、本発明では、対象物２００は、樹脂により封止されたデバイスを複数有した矩形状の樹脂パッケージ基板、セラミックス板、ガラス板等でも良い。

【0069】

チャックテーブル１１０は、図１３に示すように、円板形状であり、ポーラスセラミック等の多孔質材から形成されて、水平方向に沿って平坦な対象物２００を吸引保持する対象物保持面１１１を有したポーラス板１１２と、ステンレス鋼等の金属により構成され、円形凸部４と吸引路５とを有して円形凸部４の上面６にポーラス板１１２が内側にはめ込まれる円形凹部１１３が形成された環状基台１１４とを備える。

【0070】

チャックテーブル１１０は、対象物保持面１１１に対象物２００が載置され、吸引路５が吸引源により吸引されることで、対象物保持面１１１に対象物２００を吸引保持する。

【0071】

保持治具１００は、実施形態１に係るチャックテーブル１の弾性部材１０と、振動吸収部材２０とを備えて、被加工物４０の反りの形状に沿った形状に形成されて被加工物４０が保持される保持面１１を備える。保持治具１００は、円形凸部４が円形凹部２３に嵌合して、チャックテーブル１１０に取り付けられる。このために、保持治具１００は、チャックテーブル１１０に取り付けられると、一端が保持面１１に開口し他端が対象物保持面１１１に対向する吸引孔３０を備えている。

【0072】

保持治具１００は、チャックテーブル１１０に取り付けられて、保持面１１に被加工物４０の移設基板５０の裏面５２が載置されて、吸引路５が吸引源により吸引されることで、保持面１１に被加工物４０を吸引保持する。

【0073】

なお、保持治具１００は、実施形態１に係るチャックテーブルの製造方法と同様に、形状測定ステップ３０１と、レーザービーム照射ステップ３０２と、吸引孔形成ステップ３０３とが施されて、製造される。また，保持治具１００は、チャックテーブル１１０に取り付けられて、実施形態１に係るリフトオフ方法に用いられる。

【0074】

なお、本発明は、上記実施形態等に等限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。なお、本発明のチャックテーブル１及び保持治具１００は、保持面１１を有する弾性部材１０を備えていれば、振動吸収部材２０を備えていなくても良い。

【0075】

例えば、本発明では、円形凸部４の外径を弾性部材１０及び振動吸収部材２０の外径よりも大きく、即ち、円形凸部４の外径を保持治具１００の外径よりも大きくして、円形凸部４に弾性部材１０及び振動吸収部材２０即ち保持治具１００を嵌合しても良いし（この場合、保持治具１００には円形凹部２３が形成されておらず、円形凸部４に保持治具１００が嵌合する凹部が形成されている）、円形凸部４の外径と弾性部材１０及び振動吸収部材２０の外径とを等しく、即ち、円形凸部４の外径と保持治具１００の外径とを等しくしても良いし、嵌合させるのではなくネジ等でこれらを固定しても良い。

【0076】

また、本発明では、例えば、保持面１１を形成するレーザービームと、吸引孔３０を形成するレーザービームが異なるものでも良い。

【符号の説明】

【0077】

１ チャックテーブル
１０ 弾性部材
１１ 保持面
２０ 振動吸収部材
３０ 吸引孔
４０ 被加工物（複合基板）
４１ 光デバイスウエーハ
４２ エピタキシー基板
４３ 光デバイス層
４４ バッファー層
４５ 表面
４６ 表面
４７ 接合材
４８ 裏面
５０ 移設基板
５２ 裏面（被保持面）
７１ レーザービーム
８１ レーザービーム（パルスレーザービーム）
１００ 保持治具
１１０ チャックテーブル
１１１ 対象物保持面
２００ 対象物
３０１ 形状測定ステップ
３０２ レーザービーム照射ステップ
３０３ 吸引孔形成ステップ
４０１ 保持ステップ
４０２ バッファー層破壊ステップ
４０３ 光デバイス層移設ステップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】