(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024152620
(43)【公開日】2024-10-25
(54)【発明の名称】ガラス基板及びガラス基板の製造装置
(51)【国際特許分類】
C03C 23/00 20060101AFI20241018BHJP
B23K 26/00 20140101ALI20241018BHJP
【ＦＩ】
C03C23/00 D
B23K26/00 B
【審査請求】未請求
【請求項の数】8
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024033138
(22)【出願日】2024-03-05
(31)【優先権主張番号】P 2023065214
(32)【優先日】2023-04-12
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2023145586
(32)【優先日】2023-09-07
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000000044
【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002147
【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】勝野 楓
(72)【発明者】
【氏名】小林 悠波
(72)【発明者】
【氏名】堀内 浩平
【テーマコード（参考）】
4E168
4G059
【Ｆターム（参考）】
4E168AA02
4E168AD18
4E168CB03
4E168CB04
4E168CB07
4E168DA04
4E168DA25
4E168DA32
4E168DA43
4E168EA15
4E168EA19
4E168JA14
4G059AA08
4G059AB05
4G059AC01
(57)【要約】 （修正有）
【課題】マークが読み取りやすいガラス基板を提供する。
【解決手段】複数のドット１１０で構成されるマークが表面に設けられるガラス基板１０である。ドットは、表面から窪んだ部分である窪み部１１１と、窪み部よりもガラス基板の厚み方向に突出する突出部１１２とを有する。突出部は、ドットの輪郭と重なる位置又は輪郭より内側で延在する。
【選択図】図３
【解決手段】複数のドット１１０で構成されるマークが表面に設けられるガラス基板１０である。ドットは、表面から窪んだ部分である窪み部１１１と、窪み部よりもガラス基板の厚み方向に突出する突出部１１２とを有する。突出部は、ドットの輪郭と重なる位置又は輪郭より内側で延在する。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数のドットで構成されるマークが表面に設けられるガラス基板であって、
前記ドットは、前記表面から窪んだ部分である窪み部と、前記窪み部よりも前記ガラス基板の厚み方向に突出する突出部とを有し、
前記突出部は、前記ドットの輪郭と重なる位置又は前記輪郭より内側で延在する、ガラス基板。
前記ドットは、前記表面から窪んだ部分である窪み部と、前記窪み部よりも前記ガラス基板の厚み方向に突出する突出部とを有し、
前記突出部は、前記ドットの輪郭と重なる位置又は前記輪郭より内側で延在する、ガラス基板。
【請求項2】
前記突出部は、前記ドットの輪郭と重なる位置から、前記輪郭より内側に延在する、請求項１に記載のガラス基板。
【請求項3】
前記窪み部の周縁のうち外側にある周縁を外周縁、前記窪み部の周縁のうち前記外周縁以外の周縁を内周縁とした場合、前記外周縁の長さに対する前記内周縁の長さの比Ａは、０．２＜Ａ＜５０を満たす、
請求項１又は請求項２に記載のガラス基板。
請求項１又は請求項２に記載のガラス基板。
【請求項4】
前記突出部は、前記輪郭の少なくとも２箇所を通る、請求項１又は請求項２に記載のガラス基板。
【請求項5】
前記突出部は、前記輪郭の少なくとも４箇所を通る、請求項４に記載のガラス基板。
【請求項6】
前記窪み部の深さは、３０μｍ以下である、請求項１又は請求項２に記載のガラス基板。
【請求項7】
ガラス基板の表面に複数のドットで構成されるマークを設ける製造装置であって、
ガラス基板にドットを形成するレーザ光を発振する、レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から前記ガラス基板までを結ぶ前記レーザ光の光路上に設けられるマスクと、
を備え、
前記マスクは、前記レーザ光が透過する透過部と、前記レーザ光を遮蔽する遮蔽部とを有する透過パターンを有し、
前記遮蔽部は、前記レーザ光の光路に沿った方向から平面視して、前記透過パターンの輪郭と重なる位置又は前記輪郭より内側で延在する、
ガラス基板の製造装置。
ガラス基板にドットを形成するレーザ光を発振する、レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から前記ガラス基板までを結ぶ前記レーザ光の光路上に設けられるマスクと、
を備え、
前記マスクは、前記レーザ光が透過する透過部と、前記レーザ光を遮蔽する遮蔽部とを有する透過パターンを有し、
前記遮蔽部は、前記レーザ光の光路に沿った方向から平面視して、前記透過パターンの輪郭と重なる位置又は前記輪郭より内側で延在する、
ガラス基板の製造装置。
【請求項8】
前記レーザ発振器は、エキシマレーザである、請求項７に記載のガラス基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ガラス基板及びガラス基板の製造装置に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスの製造プロセス中に、半導体デバイスを支持する部材として、ガラス基板が用いられることがある。例えば特許文献１に示すように、このようなガラス基板の表面にレーザ光を照射して刻印することで、ガラス基板の表面にマークを形成する場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１６－２１０６４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ガラス基板の表面のマークは、コードリーダ等によって読み取りがされる。この場合、マークは、確実に読み取れることが求められる。そのため、読み取りやすいマークを形成することが求められる。
【0005】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、マークが読み取りやすいガラス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るガラス基板は、複数のドットで構成されるマークが表面に設けられるガラス基板であって、前記ドットは、前記表面から窪んだ部分である窪み部と、前記窪み部よりも前記ガラス基板の厚み方向に突出する突出部とを有し、前記突出部は、前記ドットの輪郭と重なる位置又は前記輪郭より内側で延在する。
【0007】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るガラス基板の製造装置は、ガラス基板の表面に複数のドットで構成されるマークを設ける製造装置であって、ガラス基板にドットを形成するレーザ光を発振する、レーザ発振器と、前記レーザ発振器から前記ガラス基板までを結ぶ前記レーザ光の光路上に設けられるマスクと、を備え、前記マスクは、前記レーザ光が透過する透過部と、前記レーザ光を遮蔽する遮蔽部とを有する透過パターンを有し、前記遮蔽部は、前記レーザ光の光路に沿った方向から平面視して、前記透過パターンの輪郭と重なる位置又は前記輪郭より内側で延在する。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、マークが読み取りやすいガラス基板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【発明を実施するための形態】
【0010】
以下に添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではなく、また、実施形態が複数ある場合には、各実施形態を組み合わせて構成するものも含むものである。また、数値については四捨五入の範囲が含まれる。
【0011】
（ガラス基板）
図１は、本実施形態に係るガラス基板の模式図である。本実施形態に係るガラス基板１０は、半導体パッケージの製造用のガラス基板として用いられるものであり、半導体デバイスを支持するガラス基板といえる。ガラス基板１０は、より具体的には、ファンアウトウェハレベルパッケージ（Ｆａｎ Ｏｕｔ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ：ＦＯＷＬＰ）技術を用いた製造用の支持ガラス基板であり、例えばガラス基板１０が矩形の場合には、ファンアウトパネルレベルパッケージ（Ｆａｎ Ｏｕｔ Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ：ＦＯＰＬＰ）の製造用の支持ガラス基板である。ただし、ガラス基板１０の用途は、半導体デバイスの支持や、ＦＯＷＬＰやＦＯＰＬＰの製造用に限られず任意であり、任意の部材を支持するために用いられるガラス基板であってよい。また、イメージセンサー用カバーガラスや、半導体デバイス用の基板等、任意の製品に加工されるガラス又は結晶化ガラスであってよい。
図１は、本実施形態に係るガラス基板の模式図である。本実施形態に係るガラス基板１０は、半導体パッケージの製造用のガラス基板として用いられるものであり、半導体デバイスを支持するガラス基板といえる。ガラス基板１０は、より具体的には、ファンアウトウェハレベルパッケージ（Ｆａｎ Ｏｕｔ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ：ＦＯＷＬＰ）技術を用いた製造用の支持ガラス基板であり、例えばガラス基板１０が矩形の場合には、ファンアウトパネルレベルパッケージ（Ｆａｎ Ｏｕｔ Ｐａｎｅｌ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ：ＦＯＰＬＰ）の製造用の支持ガラス基板である。ただし、ガラス基板１０の用途は、半導体デバイスの支持や、ＦＯＷＬＰやＦＯＰＬＰの製造用に限られず任意であり、任意の部材を支持するために用いられるガラス基板であってよい。また、イメージセンサー用カバーガラスや、半導体デバイス用の基板等、任意の製品に加工されるガラス又は結晶化ガラスであってよい。
【0012】
図１に示すように、ガラス基板１０は、一方の主面である表面１０Ａ（一方の表面）と、表面１０Ａと反対側の主面である表面１０Ｂ（他方の表面）とを有する板状の部材である。ガラス基板１０は、平面視で、すなわち、表面１０Ａに直交する方向から見た場合に、円形となる円板形状となっている。言い換えれば、ガラス基板１０は、ウェハ形状となっている。また、ガラス基板１０は、外周面に切り欠き部Ｎが形成されて、円形の外周が一部切り欠かれた形状になっていてもよい。ただし、ガラス基板１０の形状は、円板形状に限られず任意の形状であってよく、例えば矩形板状などの多角形状の板であってもよい。また、切り欠き部Ｎも必須の構成ではなく、ガラス基板１０に切り欠き部Ｎが形成されていなくてもよい。例えば、ガラス基板１０が後述のように円形板状である場合には、切り欠き部Ｎが形成されることが好ましい。
以下、表面１０Ａに直交する方向を、Ｚ方向と記載する。Ｚ方向は、ガラス基板１０の厚み方向ともいえる。
以下、表面１０Ａに直交する方向を、Ｚ方向と記載する。Ｚ方向は、ガラス基板１０の厚み方向ともいえる。
【0013】
（ガラス基板の直径）
ガラス基板１０の直径Ｄ０は、２０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であることが好ましく、１５０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であることが好ましく、１５０ｍｍ以上６００ｍｍ以下であることが更に好ましく、１５０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下であることが更に好ましい。直径Ｄ０がこの範囲となることで、半導体デバイスなどの部材を適切に支持できる。なお、直径Ｄ０は、ガラス基板１０が円形である場合には直径を指すが、ガラス基板１０が円形でない場合においては、ガラス基板１０の外周上の任意の２点間の距離のうちの、最大値を指してよい。
なお、ガラス基板１０が円板形状である場合には、直径Ｄ０は４５０ｍｍ以下であることが好ましく、３００ｍｍ以下であることがより好ましい。
また、ガラス基板１０が矩形板状である場合には、直径Ｄ０、すなわちガラス基板１０の外周上の任意の２点間の距離のうちの最大値である対角線の長さは、３０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であることが好ましい。
ガラス基板１０の直径Ｄ０は、２０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であることが好ましく、１５０ｍｍ以上７００ｍｍ以下であることが好ましく、１５０ｍｍ以上６００ｍｍ以下であることが更に好ましく、１５０ｍｍ以上４５０ｍｍ以下であることが更に好ましい。直径Ｄ０がこの範囲となることで、半導体デバイスなどの部材を適切に支持できる。なお、直径Ｄ０は、ガラス基板１０が円形である場合には直径を指すが、ガラス基板１０が円形でない場合においては、ガラス基板１０の外周上の任意の２点間の距離のうちの、最大値を指してよい。
なお、ガラス基板１０が円板形状である場合には、直径Ｄ０は４５０ｍｍ以下であることが好ましく、３００ｍｍ以下であることがより好ましい。
また、ガラス基板１０が矩形板状である場合には、直径Ｄ０、すなわちガラス基板１０の外周上の任意の２点間の距離のうちの最大値である対角線の長さは、３０ｍｍ以上１０００ｍｍ以下であることが好ましい。
【0014】
（ガラス基板の厚み）
ガラス基板１０の厚み、すなわち表面１０Ａと表面１０Ｂとの間のＺ方向における長さは、２ｍｍ以下であることが好ましく、０．０５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることがより好ましく、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることが更に好ましく、０．５ｍｍ以上１．８ｍｍ以下であることが更に好ましく、０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であることが更に好ましい。ガラス基板１０は、厚みが２ｍｍ以下であることで、重量増加による取り扱いの困難性を抑制できる。また、厚みが０．３ｍｍより大きいことで、支持部材として使用される際の剛性を高くして、ガラスや半導体デバイスの反りを抑制できる。
なお、ガラス基板１０が円板形状である場合には、厚みが０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることが好ましく、ガラス基板１０が矩形板状である場合には、厚みが０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることが好ましい。
ガラス基板１０の厚み、すなわち表面１０Ａと表面１０Ｂとの間のＺ方向における長さは、２ｍｍ以下であることが好ましく、０．０５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることがより好ましく、０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることが更に好ましく、０．５ｍｍ以上１．８ｍｍ以下であることが更に好ましく、０．６ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であることが更に好ましい。ガラス基板１０は、厚みが２ｍｍ以下であることで、重量増加による取り扱いの困難性を抑制できる。また、厚みが０．３ｍｍより大きいことで、支持部材として使用される際の剛性を高くして、ガラスや半導体デバイスの反りを抑制できる。
なお、ガラス基板１０が円板形状である場合には、厚みが０．３ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることが好ましく、ガラス基板１０が矩形板状である場合には、厚みが０．５ｍｍ以上２．０ｍｍ以下であることが好ましい。
【0015】
ガラス基板１０の厚みの偏差は、５０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましく、３μｍ以下であることがさらに好ましく、１μｍ以下であることがさらに好ましい。厚みの偏差がこの範囲となることで、ガラス基板１０の厚みが均一に近づき、半導体デバイスを適切に製造することを可能とし、マークの形成においても安定した加工を行うことができる。なお、厚みの偏差とは、ガラス基板１０の表面に沿った平面上の位置（座標）毎の厚みの最大値と最小値の差分を指す。例えば、ガラス基板１０の表面に沿った平面上の位置（座標）毎に、その位置における厚みを算出し、それらの位置毎の厚みの内の最大値と最小値との差分を、厚みの偏差としてよい。
【0016】
また、ガラス基板１０の５０ｍｍ四方におけるＬＴＶ（Local Thickness Variation）は、２５μｍ以下であることが好ましく、１０μｍ以下が更に好ましい。５０ｍｍ四方におけるＬＴＶとは、ガラス基板１０の任意の位置における５０ｍｍ四方の単位領域における厚みの最大値と最小値との差分を指す。言い換えれば、厚みの偏差は、ガラス基板１０の全域における厚みの最大値と最小値との差分であるのに対し、ＬＴＶは、ガラス基板１０の単位領域における厚みの最大値と最小値との差分を指す。
【0017】
（マーク）
ガラス基板１０の表面１０Ａには、マーク１００が形成されている。マーク１００は、例えば、数字、文字、２次元コード及び図形のうちの少なくとも１つで構成された識別子であってよい。数字、文字、２次元コード及び図形の各々は、１つであってもよいし複数であってもよい。識別子としてのマーク１００は、ガラス基板１０を識別するためのマークであるといえる。識別子としてのマーク１００は、例えば、ガラス基板１０の識別や管理に利用できる。
ガラス基板１０の表面１０Ａには、マーク１００が形成されている。マーク１００は、例えば、数字、文字、２次元コード及び図形のうちの少なくとも１つで構成された識別子であってよい。数字、文字、２次元コード及び図形の各々は、１つであってもよいし複数であってもよい。識別子としてのマーク１００は、ガラス基板１０を識別するためのマークであるといえる。識別子としてのマーク１００は、例えば、ガラス基板１０の識別や管理に利用できる。
【0018】
マーク１００は、ガラス基板１０を識別するための識別子であることに限られず、例えば、アライメントマークであってもよい。アラインメントマークとは、例えばガラス基板１０の位置決め用のマークであり、ガラス基板１０のハンドリング、切断、面取り及び貼り合わせ等の加工の際の位置や方向合わせ等に利用できる。また、マーク１００はガラスの向きを判断するためのマークであってよい。すなわち、ガラス基板１０上にデバイス等を積層する際に、デバイス等の製造時の反りの変動に合わせ、デバイス等を積層する面の反対面に形成しても良い。
【0019】
図２は、マークの一例の模式図である。図２の例では、マーク１００は、ＳＥＭＩ－Ｔ７－０７０９で規定されるデータマトリクスである。より詳しくは、マーク１００は、矩形に並ぶ８行３２列のセルに配置されるドット１１０の有無によってデータを表現するマークである。すなわち、コードリーダ等でマーク１００を読み取ることで、マーク１００が表現するデータを取得できる。マーク１００の読み取りは、マーク１００に光を照射し、マーク１００を撮像し、得られた撮像データを二値化して、デコードすることによって行われる。なお、マーク１００は、ＳＥＭＩ－Ｔ７－０７０９で規定されるデータマトリクスであることに限られず、ガラス基板１０を識別する任意の情報を表現するものであってよい。
【0020】
マーク１００の全体寸法は、特に限られず、フォントや二次元コードの種類によって規定される。例えば、図２に示すようなマーク１００の場合、横方向の長さＬ１及び縦方向の長さＬ２は、ＳＥＭＩ－Ｔ７－０７０９によって規定される。ここで、横方向とは、行が延びる方向を指し、縦方向とは、列が延びる方向を指す。具体的には、横方向の長さＬ１は、３．８８±０．０５ｍｍの範囲であり、縦方向の長さＬ２は、０．８８±０．０５ｍｍである。なお、横方向の長さＬ１とは、マーク１００の横方向の最も一方側のドット１１０の中心と、横方向の最も他方側のドット１１０の中心との間の、横方向における距離を指し、縦方向の長さＬ２とは、マーク１００の縦方向の最も一方側のドット１１０の中心と、縦方向の最も他方側のドット１１０の中心との間の、縦方向における距離を指す。
【0021】
マーク１００は、複数のドット１１０で構成される。換言すれば、複数のドット１１０により、マーク１００が形成される。なお、本実施形態においては、ドット１１０同士は重なり合っておらず、離れて形成されている。例えば、隣り合うドット１１０同士のピッチＰは、ＳＥＭＩ－Ｔ７－０７０９によって規定され、フォントや二次元コードの種類によって規定される。なお、ピッチＰは、１つのドット１１０の中心と、そのドット１１０に隣り合うドット１１０の中心との間の、表面１０Ａに沿った方向における距離を指す。
【0022】
以下の説明において、マッチングレベルとは、マーク１００の読み取りのしやすさを０以上１００以下の数値で示す指標である。ここで、読み取り率とは、マーク１００を複数回読み取った場合の、マーク１００の読み取り回数に対する、マーク１００が表現するデータを正常に取得できた回数の割合を指す。マッチングレベルは、例えば、キーエンス ＳＰＸ３００等の読み取り機で測定できる。マッチングレベルは、例えば、マーク１００と読み取り機との間の距離を８ｃｍとし、ガラス基板１０の表面１０Ａに対する読み取り角度を３０°にして測定できる。
【0023】
（ドット）
図３は、ガラス基板のドットが形成された部分の模式的な拡大図であり、図４は、図３のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。図４は、ドット１１０を通りＺ方向に沿う平面を断面とした際の、ガラス基板１０の断面図といえる。図３及び図４に示すように、ドット１１０は、ガラス基板１０の表面１０Ａに形成される窪みを含む。本実施形態では、ドット１１０は、表面１０Ａにレーザ光を照射することによって形成される。すなわち、本実施形態のドット１１０は、レーザ照射痕（レーザ光の照射痕）であるといえる。
図３は、ガラス基板のドットが形成された部分の模式的な拡大図であり、図４は、図３のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図である。図４は、ドット１１０を通りＺ方向に沿う平面を断面とした際の、ガラス基板１０の断面図といえる。図３及び図４に示すように、ドット１１０は、ガラス基板１０の表面１０Ａに形成される窪みを含む。本実施形態では、ドット１１０は、表面１０Ａにレーザ光を照射することによって形成される。すなわち、本実施形態のドット１１０は、レーザ照射痕（レーザ光の照射痕）であるといえる。
【0024】
図３に示すように、ドット１１０は、窪み部１１１と、突出部１１２とを有する。
【0025】
（窪み部）
窪み部１１１は、ドット１１０のうち、表面１０Ａから窪んだ部分である。窪み部１１１は、表面１０Ａから、Ｚ方向において表面１０Ａから表面１０Ｂに向かう方向に、窪んでいる。すなわち、窪み部１１１は、レーザ照射痕の凹部であるといえる。
窪み部１１１は、ドット１１０のうち、表面１０Ａから窪んだ部分である。窪み部１１１は、表面１０Ａから、Ｚ方向において表面１０Ａから表面１０Ｂに向かう方向に、窪んでいる。すなわち、窪み部１１１は、レーザ照射痕の凹部であるといえる。
【0026】
図４に示すように、ドット１１０は、底面１１０ａと側面１１０ｂとを有し、底面１１０ａと側面１１０ｂとで囲われた空間が、窪み部１１１を形成しているといえる。底面１１０ａは、表面１０Ａから、Ｚ方向において表面１０Ａから表面１０Ｂに向かう方向に窪んだ面を指す。側面１１０ｂは、ドット１１０の底面１１０ａとガラス基板１０の表面１０Ａとを接続する側面部分を指す。側面１１０ｂは、側面部１１０ｂ１と、接続部１１０ｂ２と、接続部１１０ｂ３とを含む。側面部１１０ｂ１は、ドット１１０の側面を形成する部分である。接続部１１０ｂ２は、側面部１１０ｂ１のＺ方向の一方の端部に形成された部分であり、底面１１０ａと側面部１１０ｂ１とを接続するＲ形状となっている。接続部１１０ｂ３は、側面部１１０ｂ１のＺ方向の他方の端部に形成された部分であり、側面部１１０ｂ１とガラス基板１０の表面１０Ａとを接続するＲ形状となっている。ただし、側面１１０ｂは、Ｒ形状である接続部１１０ｂ２、１１０ｂ３を含むことに限られず、底面１１０ａと側面部１１０ｂ１との接続部分や、側面部１１０ｂ１とガラス基板１０の表面１０Ａとの接続部分が、エッジを有する形状となっていてもよい。
【0027】
窪み部１１１の深さＨは、０．１μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以上６μｍ以下であることがさらに好ましい。深さＨがこの範囲となることで、窪み部１１１を起点としたガラス基板１０の割れを抑制でき、読み取りの容易さを確保できる。ここで、深さＨは、Ｚ方向における表面１０Ａと底面１１０ａとの間の距離を指す。
窪み部１１１の深さＨは、以下の方法によって測定する。マーク１００のドット１１０について、レーザ顕微鏡により任意のドット１１０の断面形状測定を行う。その後、断面の最低点をＳとし、ガラス主表面である表面１０Ａと最低点ＳとのＺ方向の差を、深さＨとする。ただし、後述する外周縁１１１ａ１付近に凹形状を有する形態の場合は、外周縁１１１ａ１付近の凹みは最低点としては加味しなくてよい。深さＨは、例えば、キーエンス製 ＶＫ―Ｘ１０００等のレーザ顕微鏡により測定できる。
また、底面１１０ａの径方向内側に生じる凹みを除いた底面１１０ａの深さの偏差をΔＨとした際、ΔＨは深さＨの５０％以下であることが望ましく、２５％以下であることがさらに望ましい。
窪み部１１１の深さＨは、以下の方法によって測定する。マーク１００のドット１１０について、レーザ顕微鏡により任意のドット１１０の断面形状測定を行う。その後、断面の最低点をＳとし、ガラス主表面である表面１０Ａと最低点ＳとのＺ方向の差を、深さＨとする。ただし、後述する外周縁１１１ａ１付近に凹形状を有する形態の場合は、外周縁１１１ａ１付近の凹みは最低点としては加味しなくてよい。深さＨは、例えば、キーエンス製 ＶＫ―Ｘ１０００等のレーザ顕微鏡により測定できる。
また、底面１１０ａの径方向内側に生じる凹みを除いた底面１１０ａの深さの偏差をΔＨとした際、ΔＨは深さＨの５０％以下であることが望ましく、２５％以下であることがさらに望ましい。
【0028】
（周縁）
ここで、窪み部１１１の側面１１０ｂと表面１０Ａとの境界線を、窪み部１１１の周縁１１１ａとする。例えば、周縁１１１ａは、側面部１１０ｂ１に沿った面と表面１０Ａに沿った平面とが交差して形成される仮想線であってよく、言い換えれば、Ｚ方向に直交する各方向から見た断面における、側面部１１０ｂ１を通る直線（例えば側面部１１０ｂ１と表面１０Ａを通る直線の交点のそれぞれを結んだ線）に相当するものであってもよい。
ここで、窪み部１１１の側面１１０ｂと表面１０Ａとの境界線を、窪み部１１１の周縁１１１ａとする。例えば、周縁１１１ａは、側面部１１０ｂ１に沿った面と表面１０Ａに沿った平面とが交差して形成される仮想線であってよく、言い換えれば、Ｚ方向に直交する各方向から見た断面における、側面部１１０ｂ１を通る直線（例えば側面部１１０ｂ１と表面１０Ａを通る直線の交点のそれぞれを結んだ線）に相当するものであってもよい。
【0029】
ここで、Ｚ方向から見たドット１１０の中心を中心ＡＸとし、Ｚ方向に沿って中心ＡＸを通る軸を中心軸とした場合の放射方向を、単に「放射方向」と記載する。中心ＡＸは、窪み部１１１を総和した図形の幾何的重心であってよい。この場合、窪み部１１１の周縁１１１ａのうち、放射方向の外側にあるものを、外周縁１１１ａ１とする。より詳しくは、周縁１１１ａの全区間のうちで、その区間よりも放射方向外側に、他の周縁１１１ａの区間が存在しない区間を、外周縁１１１ａ１とする。換言すれば、外周縁１１１ａ１上の点から放射方向外側には、同じドット１１０の窪み部１１１及び周縁１１１ａがない。なお、外周縁１１１ａ１よりも放射方向外側に、他のドット１１０の窪み部１１１及び周縁１１１ａがあってもよい。
以下の説明では、窪み部１１１の周縁１１１ａのうち、外周縁１１１ａ１でないものを、内周縁１１１ａ２として説明する。換言すれば、内周縁１１１ａ２上の点から放射方向外側には、同じドット１１０の窪み部１１１又は窪み部１１１の周縁１１１ａがある。
図３の例では、窪み部１１１の形状は、Ｚ方向に平面視して、４つの四分円である。該４つの四分円は、直角を内側にして、窪み部１１１の形状が回転対称となるように並んでいる。したがって、この場合、周縁１１１ａのうち円弧部分が外周縁１１１ａ１であり、周縁１１１ａのうち直線部分が内周縁１１１ａ２である。
以下の説明では、窪み部１１１の周縁１１１ａのうち、外周縁１１１ａ１でないものを、内周縁１１１ａ２として説明する。換言すれば、内周縁１１１ａ２上の点から放射方向外側には、同じドット１１０の窪み部１１１又は窪み部１１１の周縁１１１ａがある。
図３の例では、窪み部１１１の形状は、Ｚ方向に平面視して、４つの四分円である。該４つの四分円は、直角を内側にして、窪み部１１１の形状が回転対称となるように並んでいる。したがって、この場合、周縁１１１ａのうち円弧部分が外周縁１１１ａ１であり、周縁１１１ａのうち直線部分が内周縁１１１ａ２である。
【0030】
ここで、外周縁１１１ａ１の長さに対する内周縁１１１ａ２の長さの比（内周縁１１１ａ２の長さ／外周縁１１１ａ１の長さ）をＡとした場合、Ａは０．２より大きく、５０より小さいことが好ましく、０．３４以上１６．８以下であることがより好ましく、０．６９以上１６．８以下であることがさらに好ましい。なお、内周縁１１１ａ２の長さとは、１つのドット１１０に含まれる全ての窪み部１１１の内周縁１１１ａ２の合計長さを指し、外周縁１１１ａ１の長さとは、１つのドット１１０に含まれる全ての窪み部１１１の外周縁１１１ａ１の合計長さを指す。すなわち図３の例では、内周縁１１１ａ２の長さとは、４つの四分円の直線部分の合計長さであり、外周縁１１１ａ１の長さとは、４つの四分円の円弧部分の合計長さである。
ここで、Ａは、内周縁１１１ａ２が外周縁１１１ａ１に対して長いほど、大きい値となるので、Ａは、ドット１１０の凹凸の程度を示す指標であるといえる。したがって、Ａがこの範囲となることで、読み取りやすさを向上できる。
外周縁１１１ａ１の長さ及び内周縁１１１ａ２の長さは、例えば、キーエンス製 ＶＫ―Ｘ１０００等のレーザ顕微鏡で測定される。
ここで、Ａは、内周縁１１１ａ２が外周縁１１１ａ１に対して長いほど、大きい値となるので、Ａは、ドット１１０の凹凸の程度を示す指標であるといえる。したがって、Ａがこの範囲となることで、読み取りやすさを向上できる。
外周縁１１１ａ１の長さ及び内周縁１１１ａ２の長さは、例えば、キーエンス製 ＶＫ―Ｘ１０００等のレーザ顕微鏡で測定される。
【0031】
（輪郭）
ここで、ドット１１０の輪郭１１３について説明する。ドット１１０の輪郭とは、ドット１１０の外周縁を指し、外周縁１１１ａ１を含む閉じた線である。例えば、Ｚ方向から見て、全ての窪み部１１１の外周縁１１１ａ１の全区間と重なる閉じた線を、輪郭１１３としてよい。また、例えば、以下の（１）から（４）の全てを満たす線を、ドット１１０の輪郭１１３とすることが好ましい。（１）線は、Ｚ方向に平面視して、外周縁１１１ａ１の少なくとも一部と重なる。（２）線上の２点間の最長距離は、ドット１１０の外周縁１１１ａ１上の２点間の最長距離と等しい。（３）線は、単純閉凸曲線である。（４）線で囲まれる領域は、窪み部１１１の全部と重なる。ここで、単純閉凸曲線であるとは、自己交叉しない閉じた線であって、該線の内側又は該線上にある任意の２点を結ぶ線分が、該線の外側と重ならないことを指す。
図３の例では、中心ＡＸを中心とする径Ｄの円周は、（１）窪み部１１１の全ての外周縁１１１ａ１（周縁１１１ａの円弧部分）と重なっており、（２）該円周上の２点間の最長距離はＤで、外周縁１１１ａ１上の２点間の最長距離と等しい。（３）該円周は、円の輪郭であるので、単純閉凸曲線である。（４）該円周で囲まれる円は、窪み部１１１の全部と重なる。よって、中心ＡＸを中心とする半径Ｒの円周は、ドット１１０の輪郭１１３であるといえる。
以下の説明では、ドット１１０の輪郭１１３に囲まれた範囲の形状を、ドット１１０の形状として説明する。図３の例では、ドット１１０の形状は円形である。
ここで、ドット１１０の輪郭１１３について説明する。ドット１１０の輪郭とは、ドット１１０の外周縁を指し、外周縁１１１ａ１を含む閉じた線である。例えば、Ｚ方向から見て、全ての窪み部１１１の外周縁１１１ａ１の全区間と重なる閉じた線を、輪郭１１３としてよい。また、例えば、以下の（１）から（４）の全てを満たす線を、ドット１１０の輪郭１１３とすることが好ましい。（１）線は、Ｚ方向に平面視して、外周縁１１１ａ１の少なくとも一部と重なる。（２）線上の２点間の最長距離は、ドット１１０の外周縁１１１ａ１上の２点間の最長距離と等しい。（３）線は、単純閉凸曲線である。（４）線で囲まれる領域は、窪み部１１１の全部と重なる。ここで、単純閉凸曲線であるとは、自己交叉しない閉じた線であって、該線の内側又は該線上にある任意の２点を結ぶ線分が、該線の外側と重ならないことを指す。
図３の例では、中心ＡＸを中心とする径Ｄの円周は、（１）窪み部１１１の全ての外周縁１１１ａ１（周縁１１１ａの円弧部分）と重なっており、（２）該円周上の２点間の最長距離はＤで、外周縁１１１ａ１上の２点間の最長距離と等しい。（３）該円周は、円の輪郭であるので、単純閉凸曲線である。（４）該円周で囲まれる円は、窪み部１１１の全部と重なる。よって、中心ＡＸを中心とする半径Ｒの円周は、ドット１１０の輪郭１１３であるといえる。
以下の説明では、ドット１１０の輪郭１１３に囲まれた範囲の形状を、ドット１１０の形状として説明する。図３の例では、ドット１１０の形状は円形である。
【0032】
ここで、ドット１１０の径Ｄは、１０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、８０μｍ以上１５０μｍ以下であることがより好ましく、９０μｍ以上１２０μｍ以下であることがさらに好ましい。ここで、ドット１１０の径Ｄとは、ドット１１０の輪郭１１３上の２点間の最長距離、すなわち外周縁１１１ａ１上の２点間の最長距離を指す。ドット１１０の径Ｄがこの範囲となることで、１つのドット１１０を比較的大きくして、マーク１００を適切に視認させることができる。
【0033】
（突出部）
突出部１１２は、窪み部１１１より突出する部分である。換言すれば、突出部１１２は、ドット１１０のうち、Ｚ方向で窪み部１１１より表面１０Ａ側にある部分を指し、言い換えれば、輪郭１１３よりも放射方向内側の領域のうちで、窪み部１１１よりもＺ方向において表面１０Ａ側にある部分を指す。より詳しくは、突出部１１２は、ドット１１０のうち、Ｚ方向に平面視して、窪み部１１１でない領域を指す。本実施形態では、突出部１１２は、ドット１１０のうち、レーザ照射痕の凸部であるといえる。突出部１１２は、ドットの輪郭１１３と重なる位置又はドットの輪郭１１３の放射方向内側で延在する。より詳しくは、突出部１１２には、突出部１１２上の異なる２つの位置である第１位置及び第２位置が存在する。第１位置及び第２位置は、いずれもドットの輪郭１１３と重なる位置又はドットの輪郭１１３の放射方向内側にある。また、第１位置と第２位置とを結ぶ経路であって、該経路の全区間が突出部１１２と重なる経路が存在する。突出部１１２は、ドットの輪郭１１３と重なる位置から、輪郭１１３の放射方向内側に延在している。すなわち、窪み部１１１の外周縁１１１ａ１をなす線は、閉じた線ではなく、少なくとも１箇所が突出部１１２を介して開いた線になっているといえる。
突出部１１２は、窪み部１１１より突出する部分である。換言すれば、突出部１１２は、ドット１１０のうち、Ｚ方向で窪み部１１１より表面１０Ａ側にある部分を指し、言い換えれば、輪郭１１３よりも放射方向内側の領域のうちで、窪み部１１１よりもＺ方向において表面１０Ａ側にある部分を指す。より詳しくは、突出部１１２は、ドット１１０のうち、Ｚ方向に平面視して、窪み部１１１でない領域を指す。本実施形態では、突出部１１２は、ドット１１０のうち、レーザ照射痕の凸部であるといえる。突出部１１２は、ドットの輪郭１１３と重なる位置又はドットの輪郭１１３の放射方向内側で延在する。より詳しくは、突出部１１２には、突出部１１２上の異なる２つの位置である第１位置及び第２位置が存在する。第１位置及び第２位置は、いずれもドットの輪郭１１３と重なる位置又はドットの輪郭１１３の放射方向内側にある。また、第１位置と第２位置とを結ぶ経路であって、該経路の全区間が突出部１１２と重なる経路が存在する。突出部１１２は、ドットの輪郭１１３と重なる位置から、輪郭１１３の放射方向内側に延在している。すなわち、窪み部１１１の外周縁１１１ａ１をなす線は、閉じた線ではなく、少なくとも１箇所が突出部１１２を介して開いた線になっているといえる。
【0034】
突出部１１２は、輪郭１１３上の第１位置１１３ａから、輪郭１１３の放射方向内側の領域を通って、輪郭１１３上であって第１位置１１３ａとは異なる第２位置１１１ｂまでにわたって、延在していることが好ましく、言い換えれば、突出部１１２は、輪郭１１３上の２箇所を通ることが好ましい。図３の例では、突出部１１２は、ドット１１０の輪郭１１３と重なる４つの位置から、輪郭１１３より内側に延在した十字状の形状となっている。言い換えれば、図３の例では、輪郭１１３と重なる第１位置１１３ａから第２位置１１３ｂまで延在する第１の突出部１１２ａと、輪郭１１３と重なる第３位置１１３ｃから第４位置１１３ｄまで延在する第２の突出部１１２ｂが形成されており、第１の突出部１１２ａと第２の突出部１１２ｂとが、輪郭１１３の放射方向内側の領域で交差している。
【0035】
以上、本実施形態に係るドット１１０について説明したが、本発明に係るドットは、図３に係るドット１１０に限られず、以下に説明する変形例に係るドットであってもよい。
【0036】
図５は、本実施形態の第１変形例に係るガラス基板のドットが形成された部分の模式的な拡大図である。図５に示すように、第１変形例に係るドット１１０Ａの突出部１１２Ａの形状は格子状である。より詳しくは、第１変形例に係るドット１１０Ａは、円弧状の輪郭１１３Ａを有するドットであって、突出部１１２Ａは、縦方向及び横方向に２本ずつ形成され、残りの部分が窪み部１１１Ａとなっており、９個に分割されている。
【0037】
図６は、本実施形態の第２変形例に係るガラス基板のドットが形成された部分の模式的な拡大図である。図６に示すように、第２変形例に係るドット１１０Ｂの突出部１１２Ｂの形状は格子状である。より詳しくは、第２変形例に係るドット１１０Ｂは、円弧状の輪郭１１３Ｂを有するドットであって、突出部１１２Ｂは、縦方向及び横方向に３本ずつ形成され、残りの部分が窪み部１１１Ｂとなっており、１６個に分割されている。
【0038】
図７は、本実施形態の第３変形例に係るガラス基板のドットが形成された部分の模式的な拡大図である。図７に示すように、第３変形例に係るドット１１０Ｃは、円弧状の輪郭１１３Ｃを有するドットであって、突出部１１２Ｃの形状は帯状である。すなわち、突出部１１２Ｃは、ドット１１０Ｃの輪郭１１３Ｃ上の２箇所を通る。
【0039】
図８は、本実施形態の第４変形例に係るガラス基板のドットが形成された部分の模式的な拡大図である。図８に示すように、第４変形例に係るドット１１０Ｄは、円弧状の輪郭１１３Ｄを有するドットであって、突出部１１２Ｄの形状は回転対称ではなく、線対称ではない。すなわち、突出部１１２Ｄとドット１１０Ｄの輪郭１１３Ｄと重なる位置は一定間隔でない。
【0040】
図９は、本実施形態の第５変形例に係るガラス基板のドットが形成された部分の模式的な拡大図である。図９に示すように、第５変形例に係るドット１１０Ｅは、円弧状の輪郭１１３Ｅを有するドットであって、突出部１１２Ｅは、縦方向及び横方向に１本ずつ形成された十字状の部分と、十字状の部分の交差点に形成された円状の部分とを有し、残りの部分が窪み部１１１Ｅとなっている。
【0041】
図１０は、本実施形態の第６変形例に係るガラス基板のドットが形成された部分の模式的な拡大図である。図１０に示すように、第６変形例に係るドット１１０Ｆは、円弧状の輪郭１１３Ｆを有するドットであって、突出部１１２Ｆの形状は直線の帯状ではない。
【0042】
図１１は、本実施形態の第７変形例に係るガラス基板のドットが形成された部分の模式的な拡大図である。図１１に示すように、第７変形例に係るドット１１０Ｇは、矩形状の輪郭１１３Ｇを有する。なお、窪み部１１１Ｇの形状は矩形であり、突出部１１２Ｇの形状は十字形であるが、単なる一例である。
【0043】
図１２は、本実施形態の第８変形例に係るガラス基板のドットが形成された部分の模式的な拡大図である。図１２に示すように、第８変形例に係るドット１１０Ｈは、三角形状の輪郭１１３Ｈを有する。なお、窪み部１１１Ｈの形状は三角形又は台形であり、突出部１１２Ｈの形状は帯状であるが、単なる一例である。
【0044】
図１３は、本実施形態の第９変形例に係るガラス基板のドットが形成された部分の模式的な拡大図である。図１３に示すように、第９変形例に係るドット１１０Ｉは、円弧状の輪郭１１３Ｉを有し、突出部１１２Ｉはドット１１０Ｉの輪郭１１３Ｉと重なる１つの位置から、輪郭１１３Ｉより内側に延在した形状となっている。すなわち、窪み部１１１Ｉは突出部１１２Ｉによって複数に分かれていない。
【0045】
以上、第１から第９変形例に係るドット１１０Ａ～１１０Ｉの形状について説明したが、本実施形態に係るドットの形状は、上記で説明した例に限られない。例えば、突出部の数は、上記に示した変形例と異なっていてもよく、ドットは、５つ以上の頂点を有する多角形状の輪郭を有していてもよい。
【0046】
（ガラス基板の製造方法）
本実施形態におけるガラス基板１０の製造方法は、マーク１００が形成される前のガラス基板であるガラス板を準備する準備ステップと、ガラス板の表面にレーザ光を照射してマーク１００を形成してガラス基板１０を製造する照射ステップと、を含む。
本実施形態におけるガラス基板１０の製造方法は、マーク１００が形成される前のガラス基板であるガラス板を準備する準備ステップと、ガラス板の表面にレーザ光を照射してマーク１００を形成してガラス基板１０を製造する照射ステップと、を含む。
【0047】
準備ステップにおいては、ガラス原料を溶解した後、フロート、フュージョン、インゴット成形等、任意のガラス成形手法によって、ガラス原料をガラス状態にして、ガラス板を製造し、その後ガラス基板の形状となるように加工する。本実施形態の例では、ガラス基板は円板状であるため、例えばスライス、円形切りなどの任意の手段により、ガラスを円形に切り出して、円形のガラス板を形成する。円形に切り出したガラス板に対し、端面の面取り加工や、表面の研削研磨加工を行う。ここでドットを形成する領域近傍の表面粗さ（Ｒａ）が好ましい範囲から外れているときは、対象領域に追加の加工を行うことが可能である。すなわち、表面の研削研磨加工後、レーザでの加工よりも前の任意のタイミングで、対象領域に追加の局所研磨や、薬液加工といった表面処理を行うことが可能である。例えば局所研磨としては、ヘッドの小さい研磨パッドを用いて刻印近傍領域の追加研磨を行うことや、フッ酸等の薬液やレーザ光、プラズマによる表面の微細加工が挙げられる。このような局所的な処理を行うことにより、レーザ加工しにくいガラス基板でも、レーザ加工によるドット１１０を形成できる。設計された工程を経たガラス板は、さらに洗浄・検査工程を経て、所望のＲａとなり、準備ステップを完了する。
【0048】
照射ステップにおいては、ガラス板の表面にレーザ光を照射してドット１１０を形成する処理を繰り返して、ガラス板の表面に、複数のドット１１０で構成されたマーク１００を形成する。レーザ光を照射する際には、レーザでの加工を容易にする、又は飛散物の付着を防止するため、吸収係数の高い金属膜や樹脂膜を塗布しても良い。レーザ光は、光源から後述する各種光学機器を通じてガラス表面へ照射される。ガラス表面のＺ方向に垂直な方向の移動はスキャナーを用いて移動するが、ステージ等を用いて移動しても良い。
本実施形態では、１つのレーザ照射痕で１つのドット１１０が形成される。ここで、１つのレーザ照射痕とは、レーザ光を１回照射することで形成される照射痕を指す。また、レーザ光は同一個所に複数回照射しても良く、一定のピッチで位置をずらしながら照射しても良い。
また、本実施形態では、ドット１１０は、エキシマレーザでガラス表面をアブレーション加工することで形成される。この場合、ガラス表面にクラックを発生させることなく、ドット１１０が形成される。
本実施形態では、１つのレーザ照射痕で１つのドット１１０が形成される。ここで、１つのレーザ照射痕とは、レーザ光を１回照射することで形成される照射痕を指す。また、レーザ光は同一個所に複数回照射しても良く、一定のピッチで位置をずらしながら照射しても良い。
また、本実施形態では、ドット１１０は、エキシマレーザでガラス表面をアブレーション加工することで形成される。この場合、ガラス表面にクラックを発生させることなく、ドット１１０が形成される。
【0049】
（ガラス基板の製造装置）
図１４は、本実施形態に係るガラス基板の製造装置の模式図である。図１４は、上記の照射ステップで用いられる装置を示すものである。図１４に示すように、本実施形態に係るガラス製造装置１は、レーザ発振器２と、マスク３と、ミラー４と、集光レンズ５とを備える。
レーザ発振器２は、レーザ光Ｂ１を発振するレーザである。すなわち、レーザ発振器２は、レーザ光Ｂ１の光源である。レーザ発振器２は、例えば、波長が１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３０８ｎｍおよび３５１ｎｍからなる群から選ばれるいずれか１つの波長である光源で発振されるエキシマレーザである。すなわち、レーザ発振器２は、パルス放電によってパルスレーザ光を発振する。レーザ光Ｂ１の、光路に垂直な方向から平面視した形状（ビーム形状）は、例えば、長辺が４ｍｍで、短辺が２ｍｍである矩形である。
マスク３は、レーザ光Ｂ１の一部を遮ってビーム形状を変える。なお、マスク３の位置はあくまで一例であって、レーザ発振器２から集光レンズ５までの光路に設けられていればよい。マスク３の透過パターンについては後述する。
ミラー４は、例えばガルバノミラーであって、レーザ光Ｂ２の光路の方向を変える。なお、ミラー４は、設けられていなくてもよく、また、複数設けられてもよい。
集光レンズ５は、レーザ光Ｂ２を集光して、レーザ光Ｂ３のスポット径を調整する。レーザ光Ｂ３のスポット径は、ドット径Ｄが約１００μｍとなるように調整してよい。
これにより、レーザ光Ｂ３がガラス表面１０Ａに照射され、本実施形態に係るドット１１０が形成される。
図１４は、本実施形態に係るガラス基板の製造装置の模式図である。図１４は、上記の照射ステップで用いられる装置を示すものである。図１４に示すように、本実施形態に係るガラス製造装置１は、レーザ発振器２と、マスク３と、ミラー４と、集光レンズ５とを備える。
レーザ発振器２は、レーザ光Ｂ１を発振するレーザである。すなわち、レーザ発振器２は、レーザ光Ｂ１の光源である。レーザ発振器２は、例えば、波長が１９３ｎｍ、２４８ｎｍ、３０８ｎｍおよび３５１ｎｍからなる群から選ばれるいずれか１つの波長である光源で発振されるエキシマレーザである。すなわち、レーザ発振器２は、パルス放電によってパルスレーザ光を発振する。レーザ光Ｂ１の、光路に垂直な方向から平面視した形状（ビーム形状）は、例えば、長辺が４ｍｍで、短辺が２ｍｍである矩形である。
マスク３は、レーザ光Ｂ１の一部を遮ってビーム形状を変える。なお、マスク３の位置はあくまで一例であって、レーザ発振器２から集光レンズ５までの光路に設けられていればよい。マスク３の透過パターンについては後述する。
ミラー４は、例えばガルバノミラーであって、レーザ光Ｂ２の光路の方向を変える。なお、ミラー４は、設けられていなくてもよく、また、複数設けられてもよい。
集光レンズ５は、レーザ光Ｂ２を集光して、レーザ光Ｂ３のスポット径を調整する。レーザ光Ｂ３のスポット径は、ドット径Ｄが約１００μｍとなるように調整してよい。
これにより、レーザ光Ｂ３がガラス表面１０Ａに照射され、本実施形態に係るドット１１０が形成される。
【0050】
図１５は、図１４に係るマスクの模式的な平面図である。より詳しくは、図１５は、マスク３をレーザ光Ｂ１の光路方向から平面視した図である。図１５に示すように、本実施形態に係るガラス製造装置１のマスク３は、透過パターン３０を有する。透過パターン３０は、レーザ光Ｂ１の光路方向に平面視して、レーザ光Ｂ１と重なる位置に設けられる。透過パターン３０は、透過部３１と遮蔽部３２とを有する。透過部３１は、レーザ光Ｂ１が透過する部分であり、遮蔽部３２は、レーザ光Ｂ１を遮蔽する部分である。透過部３１と遮蔽部３２との形状は、それぞれドット１１０の窪み部１１１と突出部１１２と同じ形状である。すなわち、透過パターン３０は、ドット１１０と同じ形状である。また、遮蔽部３２は、レーザ光の光路に沿った方向から平面視して、透過パターン３０の輪郭３３と重なる位置又は輪郭３３より内側で延在している。本実施形態では、遮蔽部３２は、レーザ光の光路に沿った方向から平面視して、透過パターン３０の輪郭３３の内側と重なる位置から、輪郭３３より内側に延在している。図１５の例では、透過パターン３０の形状は、光路方向に平面視して、４つの四分円である。該４つの四分円は、直角を内側にして、透過パターン３０の形状が回転対称となるように並んでいる。図１５の例では、遮蔽部３２の形状は、輪郭３３と重なる４つの位置から、輪郭３３より内側に延在した十字状の形状となっている。これにより、レーザ光Ｂ１は、透過部３１以外の部分がマスク３で遮蔽されるため、マスク３を通過したレーザ光Ｂ２、Ｂ３のビーム形状が窪み部１１１の形状と同じとなる。これにより、本実施形態に係るドット１１０をガラス基板１０に形成できる。
【0051】
（効果）
以上説明したように、本発明の第１態様に係るガラス基板１０は、複数のドット１１０で構成されるマーク１００が表面１０Ａに設けられるガラス基板１０であって、ドット１１０は、表面１０Ａから窪んだ部分である窪み部１１１と、窪み部１１１よりもガラス基板１０の厚み方向（Ｚ方向）に突出する突出部１１２とを有し、突出部１１２は、ドット１１０の輪郭１１３と重なる位置又は輪郭１１３より内側で延在する。これにより、ドット１１０が凹凸を有する外観となるので、ドット１１０の読み取りの際に影が生じやすくなり、又は、光が反射しやすくなると考えられるため、ドット１１０のコントラスト差が大きくなるので、マーク１００が読み取りやすくなる。
以上説明したように、本発明の第１態様に係るガラス基板１０は、複数のドット１１０で構成されるマーク１００が表面１０Ａに設けられるガラス基板１０であって、ドット１１０は、表面１０Ａから窪んだ部分である窪み部１１１と、窪み部１１１よりもガラス基板１０の厚み方向（Ｚ方向）に突出する突出部１１２とを有し、突出部１１２は、ドット１１０の輪郭１１３と重なる位置又は輪郭１１３より内側で延在する。これにより、ドット１１０が凹凸を有する外観となるので、ドット１１０の読み取りの際に影が生じやすくなり、又は、光が反射しやすくなると考えられるため、ドット１１０のコントラスト差が大きくなるので、マーク１００が読み取りやすくなる。
【0052】
本発明の第２態様に係るガラス基板１０は、本発明の第１態様に係るガラス基板１０であって、突出部１１２は、ドット１１０の輪郭１１３と重なる位置から、輪郭１１３の内側に延在する。これにより、ドット１１０が凹凸を有する外観となるので、ドット１１０の読み取りの際に影が生じやすくなり、又は、光が反射しやすくなるため、ドット１１０のコントラスト差が大きくなるので、マーク１００が読み取りやすくなる。
【0053】
本発明の第３態様に係るガラス基板１０は、本発明の第１態様又は第２態様に係るガラス基板１０であって、窪み部１１１の周縁１１１ａのうち外側にある周縁を外周縁１１１ａ１、窪み部１１１の周縁１１１ａのうち外周縁１１１ａ１以外の周縁を内周縁１１１ａ２とした場合、外周縁１１１ａ１の長さに対する内周縁１１１ａ２の長さの比Ａ（内周縁１１１ａ２の長さ／外周縁１１１ａ１の長さ）は、０．２＜Ａ＜５０を満たす。これにより、ドット１１０の凹凸の程度が十分なものとなるので、マーク１００がより読み取りやすくなる。
【0054】
本発明の第４態様に係るガラス基板１０は、本発明の第１態様から第３態様のいずれかに係るガラス基板１０であって、突出部１１２は、輪郭１１３の少なくとも２箇所を通る。この場合でも、マーク１００が読み取りやすくなる。
【0055】
本発明の第５態様に係るガラス基板１０は、本発明の第４態様に係るガラス基板１０であって、突出部１１２は、輪郭１１３の少なくとも４箇所を通る。この場合でも、マーク１００が読み取りやすくなる。
【0056】
本発明の第６態様に係るガラス基板１０は、本発明の第１態様から第５態様のいずれかに係るガラス基板１０であって、窪み部１１１の深さＨは、３０μｍ以下である。これにより、マーク１００の凹凸差が大きくなるので、マーク１００がより読み取りやすくなる。
【0057】
以上説明したように、本発明の第７態様に係るガラス基板１０の製造装置１は、ガラス基板１０の表面１０Ａに複数のドット１１０で構成されるマーク１００を設ける製造装置１であって、ガラス基板１０にドット１１０を形成するレーザ光を発振する、レーザ発振器２と、レーザ発振器２からガラス基板１０までを結ぶレーザ光の光路上に設けられるマスク３と、を備える。マスク３は、レーザ光が透過する透過部３１と、レーザ光を遮蔽する遮蔽部３２とを有する透過パターン３０を有し、遮蔽部３２は、レーザ光の光路に沿った方向から平面視して、透過パターン３０の輪郭３３と重なる位置又は輪郭３３より内側で延在する。これにより、マーク１００が読み取りやすいガラス基板１０を提供できる。
【0058】
本発明の第８態様に係るガラス基板１０の製造装置１は、本発明の第７態様に係るガラス基板１０の製造装置１であって、レーザ発振器２は、エキシマレーザである。これにより、マーク１００が読み取りやすいガラス基板１０を提供できる。
【0059】
（実施例）
次に、実施例について説明する。
次に、実施例について説明する。
【0060】
（第１の実験）
表１は、第１の実験に係る例１～例１０を示す表である。第１の実験では、レーザ光の照射回数（ショット数）を１０ショットとしてレーザ光を照射してドットを形成した。
表１は、第１の実験に係る例１～例１０を示す表である。第１の実験では、レーザ光の照射回数（ショット数）を１０ショットとしてレーザ光を照射してドットを形成した。
【0061】
【表1】
【0062】
（例１）
例１においては、径が３００ｍｍ、厚みが１．０ｍｍのガラス基板に、レーザ光を照射して、外観が円状となるようにドットを形成した。すなわち、例１に係るドットの外観は円であって、突出部を有さない。言い換えれば、例１では、円状の窪み部がドットの全域にわたって形成されている。レーザ光の照射条件は、波長:１９３ｎｍ、出力：４ｍJ、周波数：２００Ｈｚであり、レーザ光の照射回数（ショット数）は１０ショットとした。ドットの輪郭の径は、１００μｍであった。例１においては、突出部を有さないようにドットを形成したため、表１に示すように、突出部が存在しない。
例１においては、径が３００ｍｍ、厚みが１．０ｍｍのガラス基板に、レーザ光を照射して、外観が円状となるようにドットを形成した。すなわち、例１に係るドットの外観は円であって、突出部を有さない。言い換えれば、例１では、円状の窪み部がドットの全域にわたって形成されている。レーザ光の照射条件は、波長:１９３ｎｍ、出力：４ｍJ、周波数：２００Ｈｚであり、レーザ光の照射回数（ショット数）は１０ショットとした。ドットの輪郭の径は、１００μｍであった。例１においては、突出部を有さないようにドットを形成したため、表１に示すように、突出部が存在しない。
【0063】
（例２）
例２においては、ドットの外観以外は、例１と同様の条件でドットを形成した。例２に係るドットの外観は、表１に示すように、円弧状の輪郭のドットであって、４つの四分円形状の窪み部と、それらの窪み部の間を通る十字状の突出部を有する外観となっている。例２においては、窪み部の外周縁の長さに対する内周縁の長さの比Ａ（内周縁の長さ／外周縁の長さ）を表１のようにしてドットを形成した。
例２においては、ドットの外観以外は、例１と同様の条件でドットを形成した。例２に係るドットの外観は、表１に示すように、円弧状の輪郭のドットであって、４つの四分円形状の窪み部と、それらの窪み部の間を通る十字状の突出部を有する外観となっている。例２においては、窪み部の外周縁の長さに対する内周縁の長さの比Ａ（内周縁の長さ／外周縁の長さ）を表１のようにしてドットを形成した。
【0064】
（例３～例５）
例３～例５においても、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例３～例５においても、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0065】
（例６）
例６においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が横方向にドットの輪郭と重なる１つの位置から、輪郭より内側に延在した形状で１本形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例６においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が横方向にドットの輪郭と重なる１つの位置から、輪郭より内側に延在した形状で１本形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0066】
（例７）
例７においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、２つの半円形状の窪み部と、それらの窪み部の間を通る帯状の突出部を有する外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例７においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、２つの半円形状の窪み部と、それらの窪み部の間を通る帯状の突出部を有する外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0067】
（例８）
例８においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に５本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例８においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に５本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0068】
（例９）
例９においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に７本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例９においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に７本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0069】
（例１０）
例１０においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に１１本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例１０においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に１１本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0070】
（評価）
第１の実験では、各例のドットについて、キーエンス ＳＲＸ３００により読み取りを行い、マッチングレベルを測定した。マッチングレベルの測定は、例えば、マークと読み取り機との間の距離を８ｃｍとし、ガラス基板の表面に対する読み取り角度を３０°にして測定した。第１の実験では、マッチングレベルが１０以上を合格、１０未満を不合格とした。
第１の実験では、各例のドットについて、キーエンス ＳＲＸ３００により読み取りを行い、マッチングレベルを測定した。マッチングレベルの測定は、例えば、マークと読み取り機との間の距離を８ｃｍとし、ガラス基板の表面に対する読み取り角度を３０°にして測定した。第１の実験では、マッチングレベルが１０以上を合格、１０未満を不合格とした。
【0071】
表１に示すように、ドットの輪郭から放射方向内側に延在する突出部を設けた実施例である例２～例１０においては、マッチングレベルが合格となり、突出部が設けられない比較例である例１においては、マッチングレベルが不合格となった。このように、ドットを窪み部と突出部とを有するものとすることで、マークが読み取りやすくなることが分かる。
【0072】
（第２の実験）
表２は、第２の実験に係る例１１～例２３を示す表である。第２の実験では、レーザ光の照射回数（ショット数）を３０ショットとしてレーザ光を照射してドットを形成した。
表２は、第２の実験に係る例１１～例２３を示す表である。第２の実験では、レーザ光の照射回数（ショット数）を３０ショットとしてレーザ光を照射してドットを形成した。
【0073】
【表2】
【0074】
（例１１）
例１１においては、ショット数を表２のようにしたこと以外は、例１と同様の方法でドットを形成した。
例１１においては、ショット数を表２のようにしたこと以外は、例１と同様の方法でドットを形成した。
【0075】
（例１２～例１５）
例１２～例１５においては、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例１２～例１５においては、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0076】
（例１６）
例１６においては、表２に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に２本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例１６においては、表２に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に２本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0077】
（例１７）
例１７においては、表２に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に３本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例１７においては、表２に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に３本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0078】
（例１８）
例１８においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が横方向にドットの輪郭と重なる１つの位置から、輪郭より内側に延在した形状で１本形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例１８においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が横方向にドットの輪郭と重なる１つの位置から、輪郭より内側に延在した形状で１本形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0079】
（例１９）
例１９においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、２つの半円形状の窪み部と、それらの窪み部の間を通る帯状の突出部を有する外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例１９においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、２つの半円形状の窪み部と、それらの窪み部の間を通る帯状の突出部を有する外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0080】
（例２０）
例２０においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に５本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例２０においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に５本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0081】
（例２１）
例２１においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に７本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例２１においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に７本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0082】
（例２２）
例２２においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に１１本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例２２においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が縦方向及び横方向に１１本ずつ形成され、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0083】
（例２３）
例２３においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が、縦方向及び横方向に１本ずつ形成された十字状の部分と、十字状の部分の交差点に形成された円状の部分とを有し、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
例２３においては、表１に示すように、ドットの外観を円弧状の輪郭のドットであって、突出部が、縦方向及び横方向に１本ずつ形成された十字状の部分と、十字状の部分の交差点に形成された円状の部分とを有し、残りの部分が窪み部となっている外観とし、ショット数、比Ａを表１のようにしたこと以外は、例２と同様の方法でドットを形成した。
【0084】
（評価）
第２の実験では、第１の実験と同様の条件で、各例のドットについて、キーエンス ＳＲＸ３００により読み取りを行い、マッチングレベルを測定した。第２の実験では、マッチングレベルが６０以上を合格、６０未満を不合格とした。
第２の実験では、第１の実験と同様の条件で、各例のドットについて、キーエンス ＳＲＸ３００により読み取りを行い、マッチングレベルを測定した。第２の実験では、マッチングレベルが６０以上を合格、６０未満を不合格とした。
【0085】
表２に示すように、ドットの輪郭から放射方向内側に延在する突出部を設けた実施例である例１１～例２３においては、マッチングレベルが合格となり、突出部が設けられない比較例である例１０においては、マッチングレベルが不合格となった。このように、ドットを窪み部と突出部とを有するものとすることで、マークが読み取りやすくなることが分かる。
【0086】
表１及び表２に示すように、ショット数を３０にした例１１～例２３は、ショット数を１０にして外観とＡが同じドットを形成した例２～例１０のそれぞれに比べ、マッチングレベルが向上した。このように、ショット数を多くすることで、マークがより読み取りやすくなることが分かる。
【0087】
以上、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態の内容により実施形態が限定されるものではない。また、前述した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、前述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。さらに、前述した実施形態の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【符号の説明】
【0088】
１ 製造装置
２ レーザ発振器
３ マスク
４ ミラー
５ 集光レンズ
１０ ガラス基板
１０Ａ、１０Ｂ 表面
３０ 透過パターン
３１ 透過部
３２ 遮蔽部
３３ 輪郭
１００ マーク
１１０、１１０Ａ～１１０Ｉ ドット
１１０ｂ 側面
１１０ｂ１ 側面部
１１０ｂ２、１１０ｂ３ 接続部
１１０ａ 底面
１１１ａ 周縁
１１１ａ１ 外周縁
１１１ａ２ 内周縁
１１１、１１１Ａ～１１１Ｉ 窪み部
１１２、１１２Ａ～１１２Ｉ 突出部
１１２ａ 第１の突出部
１１２ｂ 第２の突出部
１１３、１１３Ａ～１１３Ｉ 輪郭
１１３ａ 第１位置
１１３ｂ 第２位置
１１３ｃ 第３位置
１１３ｄ 第４位置
ＡＸ 中心
Ｂ１～Ｂ３ レーザ光
Ｄ 径
Ｄ０ 直径
Ｎ 切り欠き部
Ｐ ピッチ
Ｒ 半径
Ｓ 最低点
２ レーザ発振器
３ マスク
４ ミラー
５ 集光レンズ
１０ ガラス基板
１０Ａ、１０Ｂ 表面
３０ 透過パターン
３１ 透過部
３２ 遮蔽部
３３ 輪郭
１００ マーク
１１０、１１０Ａ～１１０Ｉ ドット
１１０ｂ 側面
１１０ｂ１ 側面部
１１０ｂ２、１１０ｂ３ 接続部
１１０ａ 底面
１１１ａ 周縁
１１１ａ１ 外周縁
１１１ａ２ 内周縁
１１１、１１１Ａ～１１１Ｉ 窪み部
１１２、１１２Ａ～１１２Ｉ 突出部
１１２ａ 第１の突出部
１１２ｂ 第２の突出部
１１３、１１３Ａ～１１３Ｉ 輪郭
１１３ａ 第１位置
１１３ｂ 第２位置
１１３ｃ 第３位置
１１３ｄ 第４位置
ＡＸ 中心
Ｂ１～Ｂ３ レーザ光
Ｄ 径
Ｄ０ 直径
Ｎ 切り欠き部
Ｐ ピッチ
Ｒ 半径
Ｓ 最低点
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】