特開 2024-153372 成膜装置及び成膜方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024153372

(43)【公開日】2024-10-29

(54)【発明の名称】成膜装置及び成膜方法

(51)【国際特許分類】

   C23C 14/24 20060101AFI20241022BHJP

   H01L 21/683 20060101ALI20241022BHJP

   H10K 50/10 20230101ALI20241022BHJP

   H10K 59/10 20230101ALI20241022BHJP

   H10K 71/16 20230101ALI20241022BHJP

【ＦＩ】

C23C14/24 U

C23C14/24 C

H01L21/68 R

H10K50/10

H10K59/10

H10K71/16

【審査請求】未請求

【請求項の数】15

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023067232

(22)【出願日】2023-04-17

(71)【出願人】

【識別番号】591065413

【氏名又は名称】キヤノントッキ株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002860

【氏名又は名称】弁理士法人秀和特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】足立 将樹

【テーマコード（参考）】

3K107

4K029

5F131

【Ｆターム（参考）】

3K107AA01

3K107BB01

3K107BB08

3K107CC33

3K107CC45

3K107GG04

3K107GG28

3K107GG32

3K107GG33

3K107GG34

3K107GG54

4K029AA09

4K029AA24

4K029BA62

4K029BB03

4K029BD01

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4K029DA03

4K029DB06

4K029DB23

4K029HA02

4K029HA03

4K029HA04

4K029JA01

4K029JA06

5F131AA03

5F131AA10

5F131AA33

5F131BA03

5F131CA01

5F131CA18

5F131DA02

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5F131DA33

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5F131EA03

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5F131EA23

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5F131EA25

5F131EB03

5F131EB11

5F131EB31

5F131EB63

5F131FA10

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5F131FA32

5F131FA33

5F131FA37

5F131FA39

5F131JA33

5F131KA14

5F131KA40

5F131KA72

5F131KB12

5F131KB32

5F131KB53

5F131KB54

5F131KB55

5F131KB56

(57)【要約】

【課題】成膜品質の低下を抑制する成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、基板８を保持する基板保持部２３１と、成膜材料を内部に収容し、基板保持部２３１に保持された基板８に向けて成膜物質を放出する成膜源１０１と、成膜源１０１を移動する移動機構と、基板保持部２３１に保持された基板８に対する成膜源１０１の相対的な位置関係を調整可能な相対位置調整部２２０と、相対的な位置関係に関する情報を検出する相対位置検出部１０３と、を備え、相対位置検出部の検出結果に基づいて相対的な位置関係を調整するように相対位置調整部１０３を制御する制御部４００を更に備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を保持する基板保持部と、
成膜材料を内部に収容し、前記基板保持部に保持された基板に向けて成膜物質を放出する成膜源と、
前記成膜源を移動する移動機構と、
前記基板保持部に保持された基板に対する前記成膜源の相対的な位置関係を調整可能な相対位置調整部と、
前記相対的な位置関係に関する情報を検出する相対位置検出部と、
を備え、
前記相対位置検出部の検出結果に基づいて前記相対的な位置関係を調整するように前記相対位置調整部を制御する制御部を更に備えることを特徴とする成膜装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記成膜源から成膜物質を放出する成膜動作において、前記成膜源を移動させながら、前記相対的な位置関係を逐次調整することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。

【請求項3】

前記制御部は、前記相対的な位置関係が前記成膜源の移動前の基準位置関係となるように前記相対位置調整部を制御することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。

【請求項4】

前記基板保持部と前記成膜源が内部に配置されるチャンバーであって、前記成膜源を支持する床部を有するチャンバーを更に備え、
前記移動機構は、前記成膜源を前記床部に沿って移動させることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。

【請求項5】

前記相対的な位置関係に関する情報は、前記基板保持部に保持された基板に対する前記成膜源の相対角度を含むことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。

【請求項6】

前記相対位置検出部は、前記成膜源の角度変化を検出する第１角度検出センサーと、前記基板保持部に保持された基板の角度変化を検出する第２角度検出センサーと、を含むことを特徴とする請求項５に記載の成膜装置。

【請求項7】

前記相対的な位置関係に関する情報は、前記基板保持部に保持された基板と前記成膜源との相対距離を含むことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。

【請求項8】

前記相対的な位置関係に関する情報は、前記基板保持部に保持された基板に対する前記成膜源の相対角度を含むことを特徴とする請求項７に記載の成膜装置。

【請求項9】

前記基板保持部と前記成膜源との間に設けられる基準部材を更に備え、
前記相対位置検出部は、前記基板保持部に保持された基板と前記基準部材との相対距離を検出する複数の第１距離検出センサーと、前記成膜源と前記基準部材との相対距離を検出する複数の第２距離検出センサーと、を含むことを特徴とする請求項７に記載の成膜装置。

【請求項10】

前記基準部材は、前記成膜源から放出される成膜物質に指向性を持たせるための開口が設けられた制限板であることを特徴とする請求項９に記載の成膜装置。

【請求項11】

前記基板保持部と前記成膜源が内部に配置されるチャンバーであって、前記成膜源を支持する床部を有するチャンバーを更に備え、
前記相対位置検出部は、前記床部の変形を検出する変形検出センサーを含むことを特徴
とする請求項１に記載の成膜装置。

【請求項12】

前記相対位置調整部は、前記基板保持部に接続されて互いに独立して昇降可能に構成される複数の昇降部材を含み、
前記制御部は、前記複数の昇降部材を昇降させることで、前記基板保持部に支持される基板の姿勢と位置を変更して前記相対的な位置関係を調整することを特徴とする請求項１～１１のいずれか１項に記載の成膜装置。

【請求項13】

基板を保持する基板保持部と、成膜材料を内部に収容する成膜源と、前記成膜源を移動する移動機構と、前記基板保持部に保持された基板に対する前記成膜源の相対的な位置関係を調整可能な相対位置調整部と、前記相対的な位置関係を検出する相対位置検出部と、を備える成膜装置による成膜方法であって、
前記相対的な位置関係が変化した場合に前記相対位置調整部により前記相対的な位置関係を調整しながら、前記基板保持部に保持された基板に向けて前記成膜源から成膜物質を放出することを特徴とする成膜方法。

【請求項14】

前記移動機構により前記成膜源を移動させながら、且つ、前記基板に対する前記成膜源の相対角度が前記成膜源の移動開始前の角度となるように前記相対位置調整部により前記相対的な位置関係が逐次調整されることを特徴とする請求項１３に記載の成膜方法。

【請求項15】

前記基板と前記成膜源との間の相対距離が前記成膜源の移動開始前の距離となるように前記相対位置調整部により前記相対的な位置関係が逐次調整されることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の成膜方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、基板に成膜物質を成膜する成膜装置とその成膜方法に関する。

【背景技術】

【0002】

有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬディスプレイ）は、スマートフォン、テレビ、自動車用ディスプレイ、ＶＲ ＨＭＤ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ Ｈｅａｄ Ｍｏｕｎｔ Ｄｉｓｐｌａｙ）等、様々な分野で用いられている。有機ＥＬ素子の機能層及び電極層は、成膜装置内でそれぞれの層を構成する成膜物質が基板に向けて放出されて基板が成膜されることで形成される。

【0003】

高精度な成膜を行うためには、成膜動作時に基板と成膜源の相対距離や相対角度等が適切な値に制御されることが肝要である。特許文献１には、成膜材料を収容する成膜源（蒸着源）の角度変更手段と昇降手段を備え、基板の成膜面に対する成膜源の相対的な位置関係を制御する成膜装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００８-１４０６６９号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

上述の構成においては、予め基板と成膜源の相対的な位置関係を調整した上で成膜動作が実行される。このような構成では、成膜動作中に成膜装置や床が変形した場合に基板と成膜源の相対的な位置関係がずれて成膜品質が低下してしまうおそれがある。

【0006】

本発明は上述の課題に鑑みてなされたものであり、成膜品質の低下を抑制する成膜装置を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の成膜装置は、
基板を保持する基板保持部と、
成膜材料を内部に収容し、前記基板保持部に保持された基板に向けて成膜物質を放出する成膜源と、
前記成膜源を移動する移動機構と、
前記基板保持部に保持された基板に対する前記成膜源の相対的な位置関係を調整可能な相対位置調整部と、
前記相対的な位置関係に関する情報を検出する相対位置検出部と、
を備え、
前記相対位置検出部の検出結果に基づいて前記相対的な位置関係を調整するように前記相対位置調整部を制御する制御部を更に備えることを特徴とする。
また、本発明の成膜方法は、
基板を保持する基板保持部と、成膜材料を内部に収容する成膜源と、前記成膜源を移動する移動機構と、前記基板保持部に保持された基板に対する前記成膜源の相対的な位置関係を調整可能な相対位置調整部と、前記相対的な位置関係を検出する相対位置検出部と、を備える成膜装置による成膜方法であって、
前記相対的な位置関係が変化した場合に前記相対位置調整部により前記相対的な位置関係を調整しながら、前記基板保持部に保持された基板に向けて前記成膜源から成膜物質を
放出することを特徴とする。

【発明の効果】

【0008】

本発明によれば、成膜品質の低下を抑制する成膜装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【0009】

【図1】第１実施形態に係る成膜装置の模式的断面図である。

【図2】第１実施形態に係る相対位置調整動作の説明図である。

【図3】第１実施形態に係る成膜装置の制御フローである。

【図4】第２実施形態に係る成膜装置の模式的断面図である。

【図5】第２実施形態に係る成膜源とセンサーユニットの配置関係を示す図である。

【図6】第２実施形態に係るマスクとセンサーユニットの配置関係を示す図である。

【図7】第３実施形態に係る成膜装置の模式的断面図である。

【図8】第３実施形態に係る直動ガイドとセンサーの配置関係を示す図である。

【図9】電子デバイスの構成を説明する図である。

【発明を実施するための形態】

【0010】

以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状それらの相対配置などは、発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものである。すなわち、この発明の範囲を以下の実施の形態に限定する趣旨のものではない。

【0011】

＜第１実施形態＞
まず、図１を参照して本発明の第１実施形態に係る成膜装置１について説明する。図１は、成膜装置１の模式的な正面断面図である。成膜装置１は、主にチャンバー２、成膜源部１００、基板位置調整部２００、磁石部３００、制御部４００により構成される。成膜装置１は、真空環境に保たれたチャンバー２内で基板８に向けて成膜源部１００から蒸着物質を放出して真空蒸着による成膜（蒸着）を行う真空蒸着装置である。

【0012】

［チャンバー２］
チャンバー２は、チャンバー側壁３、チャンバー天板４、チャンバー底板５により構成され、成膜源部１００が内部に配置される。これらの外壁部は溶接又はシール部材等によって互いに接続されており、チャンバー２は内部を真空環境に保つことができる。なお、ここでいう真空とは、通常の大気圧（典型的には１，０２３ｈＰａ）より低い圧力の気体で満たされた状態をいう。チャンバー２は、複数の支持台６によって下方から支持されている。支持台６は、設置する床に対して一部が据え付けされており、チャンバー２を床に対して固定している。

【0013】

［成膜源部１００］
チャンバー２の床部（下部）を構成するチャンバー底板５には、成膜源部１００が配置されている。成膜源部１００は、成膜物質を放出する成膜源１０１と、成膜源１０１を移動可能に支持する直動ガイド１０２と、直動ガイド１０２を駆動して成膜源１０１を移動させる不図示の移動機構（成膜源駆動部）により構成される。成膜源１０１は成膜材料を内部に収容する。成膜材料が加熱されて蒸発することで、成膜物質が成膜源１０１から基板８に向けて放出される。直動ガイド１０２は、チャンバー底板５に沿って水平方向に直線的に移動可能に構成され、成膜源１０１をレールに沿って移動させる。移動機構は、モーター等の駆動源を含み、直動ガイド１０２を駆動して成膜源１０１を基板８や基板位置調整部２００に対して水平方向に相対移動させる。以下、成膜源１０１の移動方向をＸ方向、Ｘ方向に直交する水平な方向をＹ方向、鉛直方向をＺ方向とする。

【0014】

成膜源１０１より放出された成膜物質は、マスク７を介して基板８に成膜される。基板８及びマスク７は、成膜源部１００に対して上方に位置するように基板位置調整部２００に保持される。マスク７には金属性の薄い箔状のマスク箔が取付けされており、マスク箔によって覆われた基板８の領域は成膜物質が付着しないため、所望の成膜パターンを形成することができる。成膜源１０１による基板８を成膜可能な範囲は限られているため、成膜動作時には成膜源１０１は基板８に対して繰り返し直線移動しながら成膜物質を放出する。このように、基板８と成膜源１０１とを相対的に移動させながら成膜物質を基板８に向けて放出することで、基板８の全面が成膜される。

【0015】

成膜源１０１には、成膜源１０１の基準角度に対する角度検知が可能なセンサーユニット１０３が搭載されている。基準角度は、例えば成膜動作前の成膜源１０１の上面が水平面となす角である。センサーユニット１０３は、不図示のケーブルで制御部４００と接続されている。センサーユニット１０３は、成膜源１０１の稼働状況に関わらず、制御部４００に成膜源１０１の姿勢情報を逐次送信（フィードバック）可能に構成されている。センサーユニット１０３としては、公知の角度検知センサーを用いることができる。

【0016】

また、制御部４００は不図示のケーブルによって基板位置調整部２００の駆動部と接続されている。基板位置調整部２００の駆動部は、制御部４００からの信号を受取り、成膜源１０１の角度情報（姿勢情報）に基づいてマスク７及び基板８を所望の姿勢に変化させることが可能に構成されている。

【0017】

［基板位置調整部２００］
基板位置調整部２００は、チャンバー天板４上に設置され、基板８の位置や姿勢を調整する。基板位置調整部２００は、基板８の水平方向位置（ＸＹ平面上の位置）を調整する第１調整部２１０と、基板８の鉛直方向位置（Ｚ方向）を調整する第２調整部２２０と、マスク７を保持するマスク台２３１とにより構成される。基板８は、マスク台２３１によってマスク７を介して保持される。

【0018】

第１調整部２１０は、直動ガイド２１１ａ、２１１ｂ、回転軸受２１２、駆動モーター２１３を含む。また、第１調整部２１０の上方には、第１調整部２１０と第２調整部２２０を連結する連結プレート２１４が配置されている。

【0019】

直動ガイド２１１ａは、回転軸受２１２を介して連結プレート２１４を支持し、Ｘ方向に移動可能に構成されている。直動ガイド２１１ｂは、直動ガイド２１１ａを下方から支持し、Ｙ方向に移動可能に構成されている。直動ガイド２１１ａ、２１１ｂは、Ｚ方向から見たときに連結プレート２１４の四辺近傍と重なるように配置されている。すなわち、直動ガイド２１１ａと直動ガイド２１１ｂはねじれの位置にある。

【0020】

回転軸受２１２は、連結プレート２１４を支持し、Ｚ方向を回転軸線としたθｚ方向に回転可能に構成されている。駆動モーター２１３は、連結プレート２１４をＸ方向及びＹ方向に移動し、θｚ方向に回転するための駆動源である。連結プレート２１４の位置や姿勢が調整されることで、第２調整部２２０を介してマスク７及び基板８の水平２軸と回転１軸の位置と姿勢が調整される。駆動モーター２１３は、直動ガイド２１１ｂの側面に取り付けられている。

【0021】

第２調整部２２０は、連結プレート２１４上に設置される昇降駆動部２２１、昇降駆動部２２１に支持される昇降プレート２２２、昇降プレート２２２に接続されて下方に延びる支持柱２２３を含む。支持柱２２３の先端部（下部）には、マスク台２３１が接続されている。

【0022】

昇降駆動部２２１は、Ｚ方向に移動（昇降）可能に構成される複数の昇降部材であって、昇降プレート２２２と共に移動する複数の昇降部材を含む。複数の昇降部材は、互いに独立して昇降可能に構成されている。昇降部材の配置構成については特に限定されないが、昇降プレート２２２の四隅近傍に配置されると好適である。

【0023】

支持柱２２３は、昇降プレート２２２から下方に延伸するように配置される。支持柱２２３はチャンバー天板４に設けられた開口を通ってチャンバー２内部に進入している。チャンバー２内の真空環境を保つため、支持柱２２３とチャンバー天板４には伸縮可能なベローズ９が取付けられており、支持柱２２３とチャンバー天板４の間の隙間が封止されている。

【0024】

マスク台２３１は、支持柱２２３の先端部に取り付けられ、チャンバー２内で成膜源部１００の上方に位置する。マスク台２３１は、マスク７を介して基板８を保持する基板保持部である。マスク台２３１はマスク７の外縁部を支持し、基板８の成膜動作を阻害しないように配置されている。

【0025】

マスク台２３１には、マスク台２３１の基準角度に対する角度検知が可能なセンサーユニット２３２が搭載されている。基準角度は、例えば成膜動作前のマスク台２３１のマスク７が載置される載置面が水平面となす角である。センサーユニット２３２は、マスク台２３１の姿勢変化（角度変化）を検知して基板８の姿勢変化を検知するためのセンサーである。このように、第１実施形態ではマスク７を介して基板８が載置されるマスク台２３１の姿勢変化を検知することで、間接的に基板８の姿勢変化が検知される。

【0026】

センサーユニット２３２は、不図示のケーブルで制御部４００と接続されており、制御部４００にマスク台２３１の姿勢情報を逐次送信可能に構成されている。第１実施形態では、第１角度検出センサーとしてのセンサーユニット２３２と、第２角度検出センサーとしてのセンサーユニット１０３が基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係に関する情報として相対角度を検出する相対位置検出部を構成する。

【0027】

昇降駆動部２２１は、複数の昇降部材を同期駆動することで昇降プレート２２２をＺ方向に昇降させることが可能である。また、各昇降部材が異なる移動量で駆動されることで、昇降プレート２２２はＸ方向を回転軸線としたθｘ方向やＹ方向を回転軸線としたθｙ方向に回転される。すなわち、昇降駆動部２２１により昇降プレート２２２はＺ方向に移動し、Ｘ方向及びＹ方向を中心に回転可能である。そして、昇降プレート２２２の位置や姿勢が調整されることで、マスク７及び基板８の水平１軸と回転２軸の位置と姿勢が調整される。

【0028】

上述の通り、第１調整部２１０はマスク７及び基板８をＸ方向及びＹ方向に移動させ、θｚ方向に回転させる。また、第２調整部２２０はマスク７及び基板８をＺ方向に移動させ、θｘ及びθｙ方向に回転させる。このような構成により、成膜装置１はマスク７及び基板８の水平３軸及び回転３軸の計６軸駆動が可能である。言い換えると、第１調整部２１０と第２調整部２２０が、基板８と成膜源１０１の相対距離や相対角度を含む相対的な位置関係を調整する相対位置調整部を構成する。

【0029】

［磁石部３００］
磁石部３００は、昇降プレート２２２上に設置されている。磁石部３００は、磁石駆動部３０１と、磁石３０２と、磁性体で構成されるヨーク３０３と、磁石昇降軸３０４と、直動ガイド３０５により構成される。

【0030】

磁石昇降軸３０４は、チャンバー２の内部から外部までＺ方向に延伸している。磁石昇降軸３０４は、チャンバー２の内部に配置される磁石３０２とヨーク３０３を介して接続している。磁石昇降軸３０４は、チャンバー２の外部に位置する直動ガイド３０５によってＺ方向に移動可能に支持される。磁石駆動部３０１は、磁石３０２、ヨーク３０３及び磁石昇降軸３０４を直動ガイド３０５と共に昇降させる。成膜動作時には、磁石３０２は下降して基板８に上方から接近する。磁石３０２が基板８の上部近傍に配置されることで、成膜動作時に金属箔が磁石３０２に吸着されて基板８と金属箔とが密着状態となり、成膜物質が金属箔の裏側に回りこむことを防止できる。

【0031】

［制御部４００］
制御部４００は、成膜源部１００と基板位置調整部２００を動作して、成膜動作を実行する。成膜動作中、制御部４００は、センサーユニット１０３とセンサーユニット２３２から成膜源１０１とマスク台２３１の角度情報をリアルタイムで収集する。

【0032】

［相対角度調整］
上述の通り、成膜装置１において成膜動作は成膜源１０１が移動しながら行われる。成膜源１０１が移動することで、チャンバー２に掛かる荷重点が変化するためチャンバー２は少なからず変形する。また、成膜装置１を支持する複数の支持台６のそれぞれに掛かる荷重も変化するため床の形状も変化しうる。チャンバー２のチャンバー底板５が変形や傾斜した場合、直動ガイド１０２のレールもチャンバー底板５に倣って変形、傾斜する。すると、直動ガイド１０２に支持される成膜源１０１の姿勢が成膜動作中に変化する。また、チャンバー底板５の変形や傾斜に伴ってチャンバー側壁３やチャンバー天板４が変形、傾斜すると、基板位置調整部２００を介してチャンバー２内の基板８の姿勢も変化しうる。基板８や成膜源１０１の姿勢が変化し、基板８と成膜源１０１の相対角度が変化すると、所望の位置に向けて成膜物質が放出されなくなり成膜品質の低下を招くおそれがある。そこで第１実施形態では、成膜装置１は成膜動作中に基板８と成膜源１０１の相対角度が変化した場合に相対角度を調整するように構成されている。

【0033】

図２（ａ）～（ｃ）を参照して、第１実施形態に係る基板８と成膜源１０１との相対角度の調整方法について説明する。図２（ａ）～（ｃ）は、成膜動作中の基板８と成膜源１０１の相対角度の調整動作を示す。基板８と成膜源１０１の相対角度とは、例えば基板８の成膜面と成膜源１０１の上面がなす角度をいう。成膜源１０１の上面とは、例えば、成膜材料を内部に収容する坩堝の上端部の平面であり、成膜物質の放出方向と略直交する面である。

【0034】

図２（ａ）は、基板８と成膜源１０１の相対角度が所望の角度Ａ１にある状態を示す。角度Ａ１は、成膜動作時の理想の基板８と成膜源１０１の相対角度である。成膜動作中、センサーユニット１０３とセンサーユニット２３２によって基板８と成膜源１０１の角度情報はリアルタイムで検出され、制御部４００はそれぞれの角度情報に基づいて基板８と成膜源１０１との相対角度を逐次算出する。

【0035】

図２（ｂ）は、図２（ａ）の状態から成膜源１０１が移動し、チャンバー底板５が変形し、直動ガイド１０２のレールがチャンバー底板５に倣って変形した状態を示す。成膜動作中に成膜源１０１が移動することでチャンバー底板５が変形すると、成膜源１０１の姿勢が変化し、基板８と成膜源１０１の相対角度が角度Ａ１から角度Ａ２に変化する。そして、相対角度が変化したことは制御部４００によりリアルタイムで検知される。

【0036】

図２（ｃ）は、図２（ｂ）の状態から相対角度が調整された状態を示す。基板８と成膜源１０１の相対角度が理想の角度Ａ１から変化したことが検知されると、制御部４００は相対角度を角度Ａ１に戻すように基板位置調整部２００を駆動して基板８の姿勢を変化さ
せる。基板８の姿勢は第２調整部２２０の昇降駆動部２２１の複数の昇降部材を同期駆動させることで調整可能である。このように、成膜動作中に成膜源１０１が移動しながら、基板８と成膜源１０１の相対角度が所望の角度となるように逐次調整されることで、成膜品質の低下が抑制される。

【0037】

［制御フロー］
次に、図３を参照して、本発明に係る相対角度調整動作について制御フローに沿って説明する。図３は、成膜動作中の相対角度調整動作のフローチャートである。

【0038】

成膜動作が開始されると、まず成膜源１０１の移動開始前の基板８と成膜源１０１の角度情報がセンサーユニット１０３とセンサーユニット２３２から制御部４００へ発信される（Ｓ０１）。制御部４００は、これらの角度情報を基準角度として記憶する。以下、基板８と成膜源１０１のそれぞれの角度が基準角度であるときの基板８と成膜源１０１の相対角度を基準相対角度、基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係を基準位置関係とする。

【0039】

次に、成膜源１０１が移動を開始する（Ｓ０２）。そして、センサーユニット１０３は成膜源１０１の角度情報をリアルタイムで取得して制御部４００に送信し、センサーユニット２３２は基板８の角度情報をリアルタイムで取得して制御部４００に送信する（Ｓ０３）。

【0040】

角度情報を取得した制御部４００は、基板８と成膜源１０１の相対角度を算出し、基準相対角度との差分を算出して相対角度の変化量（以下、姿勢変化量）を取得する（Ｓ０４）。第１実施形態においては、制御部４００は回転３軸分の姿勢変化量を取得するよう構成されている。

【0041】

制御部４００は相対角度が変化したことを検知すると、相対角度を所望の角度に調整するための補正量を算出する（Ｓ０５）。補正値は、例えば、第２調整部２２０における昇降駆動部２２１の各昇降部材の昇降量として算出される。補正値を算出して相対角度の調整を実行するか否かについて、姿勢変化量に閾値を設けて判断するように構成してもよい。

【0042】

制御部４００は、補正値を算出するとその補正値に基づいて基板位置調整部２００を駆動する（Ｓ０６）。そして、マスク台２３１と共にマスク７と基板８の姿勢が変化され、相対角度が基準相対角度に調整される。成膜動作が継続して実行されている間（Ｓ０７でＮＯ）は、上述のＳ０３～Ｓ０６の動作が繰り返し実行されて、基板８と成膜源１０１が基準位置関係となるように制御される。そして、成膜動作が終了すると（Ｓ０７でＹＥＳ）、角度情報の取得も終了される。

【0043】

以上より、第１実施形態の構成によれば、成膜動作中に基板８と成膜源１０１との相対角度を逐次調整するようフィードバック制御できるため、成膜物質を基板８の所望の位置に向けて放出でき、成膜品質の低下を抑制できる。また、成膜源１０１の移動時に基板８と成膜源１０１の相対角度をリアルタイムに補正できるため、想定外の外乱が発生した場合や経年による床の変形に対応できる点で、事前に情報を与えるフィードフォワード方式による姿勢補正制御に対して利点がある。

【0044】

なお、上述の実施形態は本発明の適用例の一つであり、本発明の適用にあたっては種々の変更が可能である。例えば、第１実施形態においては、基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係として相対角度を逐次調整する構成とされていたが、基板８と成膜源１０１の相対距離が逐次調整される構成とされてもよい。成膜動作中に基板８と成膜源１０１の相
対距離が適切な距離に保たれる構成とすることによっても、成膜品質の低下を抑制できる。

【0045】

また、基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係として、相対距離と相対角度の両方を検知、調整可能な構成としてもよい。例えば、第１実施形態の成膜源１０１に搭載するセンサーユニット１０３を角度検知機能に加えてマスク台２３１までの距離を測定可能な機能を有する構成とすることで、基板８と成膜源１０１の相対距離と相対角度が検知可能となる。このような場合、センサーユニット１０３がレーザー変位計などの非接触式の測長機器により構成されると好適である。成膜源１０１が移動することでチャンバー２が変形すると、成膜源部１００が沈んでマスク台２３１と成膜源１０１の距離が変化しうる。センサーユニット１０３が距離測定機能を有していれば、成膜源１０１の移動時における成膜源１０１とマスク台２３１との相対距離をリアルタイムに測定し、基板８と成膜源１０１の相対距離を調整することが可能である。成膜動作中に制御部４００が基板８と成膜源１０１の相対角度と相対距離を算出し、その相対角度と相対距離に基づいて補正量を算出して第２調整部２２０を駆動することで、基板８と成膜源１０１の相対角度と相対距離が逐次調整される。成膜動作中に基板８の成膜源１０１の相対角度と相対距離を逐次調整するフィードバック制御を実行可能な構成については、後述の第２実施形態や第３実施形態でより詳細に例示的に説明する。

【0046】

＜第２実施形態＞
次に、本発明に係る第２実施形態について説明する。第２実施形態は、成膜動作中に基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係として相対距離及び相対角度を検知、調整する点で第１実施形態と異なる。以下、第２実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略し、第２実施形態の特徴的な構成についてのみ説明する。

【0047】

まず、図４を参照して第２実施形態に係る成膜装置１について説明する。図４は、成膜装置１の模式的な正面断面図である。以下、成膜装置１の第１実施形態と異なる構成についてのみ説明する。

【0048】

第２実施形態では、成膜装置１のチャンバー２内に基準板５０１が設けられている。基準板５０１は、基板８や成膜源１０１の位置や姿勢の変化を検知するための基準となる基準部材である。基準板５０１は成膜源１０１とマスク台２３１との間に配置され、成膜物質の放出方向に指向性を持たせるための開口が形成された制限板としても機能する。

【0049】

基準板５０１は、開口が形成される面が鉛直方向を向くように下方から支持部材５０２に支持される。支持部材５０２は、チャンバー底板５に形成された貫通穴５０３を通って、チャンバー２の内部から外部まで延伸して床に固定されている。基準板５０１がチャンバー２の変形等の影響を受けないようにするため、支持部材５０２はチャンバー２から独立した構造物として構成されている。チャンバー２内の真空環境を保つため、支持部材５０２とチャンバー底板５には伸縮可能なベローズ５０４が取付けられており、支持部材５０２とチャンバー底板５の間の隙間が封止されている。

【0050】

支持部材５０２の床への固定位置は、チャンバー２を支持する支持台６の床への固定位置から離れた位置とされることが望ましい。チャンバー２の重量により床が変形した場合に、支持部材５０２が受ける影響を抑えるためである。また、床の変形による影響を抑えるため、例えば、成膜装置１に面する壁に固定されて水平方向に延伸する支持部材５０２が、チャンバー側壁３に形成された貫通孔を通って基準板５０１を支持する構成としてもよい。

【0051】

第２実施形態に係る成膜装置１には、基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係を検出する相対位置検出部として、成膜源１０１に複数のセンサーユニット６０１が搭載され、マスク７に複数のセンサーユニット６０２が取り付けられている。センサーユニット６０１とセンサーユニット６０２はそれぞれ基準板５０１との相対距離（第２実施形態ではＺ方向距離）を検知可能に構成されている。センサーユニット６０１とセンサーユニット２３２は、不図示のケーブルで制御部４００と接続されており、制御部４００に検出結果を逐次送信する。

【0052】

次に、図５を参照してセンサーユニット６０１について詳細に説明する。図５は、図４のＡ－Ａ断面図であり、基準板５０１を上方から見たときの成膜源１０１、センサーユニット６０１、基準板５０１の位置関係を示す図である。センサーユニット６０１は、対象物（本例では基準板５０１）との相対距離を検出可能な第１距離検出センサーである。センサーユニット６０１としては、例えばレーザー変位計や静電容量センサーを用いることができる。

【0053】

第２実施形態では、３つのセンサーユニット６０１が成膜源１０１の上面に取り付けられ、成膜源１０１から基準板５０１までのＺ方向距離を検出する。成膜源１０１の姿勢変化を平面でとらえるために、３つのセンサーユニット６０１は成膜源１０１の中心に対して概等配に配置される。言い換えると、Ｚ方向に見たときに３つのセンサーユニット６０１同士を結ぶ線分は、成膜源１０１の中心を重心とする正三角形を描く。

【0054】

図５には、成膜動作開始時の成膜源１０１の位置ＰＯＳ１と、成膜動作終了時の成膜源１０１の位置ＰＯＳ２が点線で示されている。成膜動作においては、成膜源１０１が位置ＰＯＳ１にあるときの各センサーユニット６０１の測定値が基準値として制御部４００に送信されて記憶される。そして、成膜源１０１が移動を開始すると各センサーユニット６０１がリアルタイムに基準板５０１までの距離を測定し、制御部４００へ測定結果を送信する。

【0055】

成膜源１０１がＰＯＳ１からＰＯＳ２まで移動する間、センサーユニット６０１は基準板５０１までの距離を測定し続け、制御部４００へその値を送信し続ける。制御部４００は測定値の基準値からの変化量を計算し、成膜源１０１の姿勢変化や移動を検知する。このように、制御部４００は成膜動作中にセンサーユニット６０１の検出結果に基づいて、成膜源１０１の位置や姿勢の変化を検知する。

【0056】

次に、図６を参照してセンサーユニット６０２について詳細に説明する。図５は、図４のＢ－Ｂ断面図であり、基準板５０１を下方から見たときの基板８、マスク７、センサーユニット６０２、基準板５０１の位置関係を示す図である。センサーユニット６０２は、対象物（本例では基準板５０１）との相対距離を検出可能な第２距離検出センサーである。センサーユニット６０２としては、例えばレーザー変位計や静電容量センサーを用いることができる。

【0057】

第２実施形態では、３つのセンサーユニット６０２が成膜源１０１の上面に取り付けられ、マスク７から基準板５０１までのＺ方向距離を検出する。すなわち、センサーユニット６０２は、基板８から基準板５０１までのＺ方向距離を間接的に検出している。基板８の姿勢変化を平面でとらえるために、３つのセンサーユニット６０２は基板８の中心に対して概等配に配置される。言い換えると、Ｚ方向に見たときに３つのセンサーユニット６０２同士を結ぶ線分は、基板８の中心を重心とする正三角形を描く。なお、センサーユニット６０２は、マスク７ではなくマスク台２３１に取り付けられてもよい。

【0058】

成膜動作においては、成膜源１０１が位置ＰＯＳ１にあるときの各センサーユニット６
０２の測定値が基準値として、制御部４００に送信されて記憶される。そして、成膜源１０１が移動を開始すると各センサーユニット６０２がリアルタイムに基準板５０１までの距離を測定し、制御部４００へ測定結果を送信する。

【0059】

成膜源１０１がＰＯＳ１から成膜終了のＰＯＳ２まで移動する間に、センサーユニット６０２は基準板５０１までの距離を測定し続け、制御部４００へその値を送信し続ける。制御部４００は測定値の基準値からの変化量を計算し、基板８の姿勢変化や移動を検知する。このように、制御部４００は成膜動作中にセンサーユニット６０２の検出結果に基づいて、基板８の位置や姿勢の変化を検知する。

【0060】

上述の通り、第２実施形態では、センサーユニット６０１が成膜源１０１の基準板５０１に対する相対的な位置関係を検出し、センサーユニット６０２が基板８の基準板５０１に対する相対的な位置関係を検出する。このような構成とすることで、これらの検出結果に基づいて制御部４００が基板８と成膜源１０１の相対距離や相対角度などの相対的な位置関係に関する情報を検出可能となる。基板８と成膜源１０１の相対距離とは、例えば、基板８の下面（成膜面）から成膜源１０１の上面までの距離である。

【0061】

第２実施形態では、制御部４００はセンサーユニット６０１とセンサーユニット６０２の検出結果に基づいて、基板８と成膜源１０１の相対角度と相対距離を成膜動作中にリアルタイムで算出する。そして、制御部４００は基板８と成膜源１０１の相対角度や相対距離の変化量を逐次取得し、その変化量に基づいて相対角度や相対距離を所望の値に調整するための補正値を算出する。補正値は、例えば昇降駆動部２２１の各昇降部材の昇降量であり、制御部４００は補正値に基づいて基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係を調整する。このように、成膜動作中に相対角度や相対距離を逐次算出し、基板位置調整部２００が基板８の位置や姿勢を逐次調整することで、基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係が逐次調整される。

【0062】

以上より、第２実施形態の構成によれば、成膜動作中に基板８と成膜源１０１との相対距離や相対角度を逐次調整するようフィードバック制御できるため、成膜物質を基板８の所望の位置に向けて放出でき、成膜品質の低下を抑制できる。また、成膜源１０１の移動時に基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係をリアルタイムに補正できるため、想定外の外乱が発生した場合や経年による床の変形に対応できる点で、事前に情報を与えるフィードフォワード方式による姿勢補正制御に対して利点がある。

【0063】

＜第３実施形態＞
次に、本発明に係る第３実施形態について説明する。第３実施形態は、成膜動作中に基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係として相対距離及び相対角度を検知、調整する点で第１実施形態と異なる。以下、第３実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略し、第３実施形態の特徴的な構成についてのみ説明する。

【0064】

まず、図７を参照して第３実施形態に係る成膜装置１について説明する。図７は、成膜装置１の模式的な正面断面図である。以下、成膜装置１の第３実施形態と異なる構成についてのみ説明する。

【0065】

第３実施形態に係る成膜装置１には、基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係を検出する相対位置検出部として、マスク７の上方にセンサーユニット７０１が配置され、チャンバー底板５の下方にセンサーユニット７０５が配置されている。センサーユニット７０１は、マスク７のＺ方向位置や角度情報を検出して基板８の位置や姿勢の変化を検知するためのセンサーである。センサーユニット７０５は、チャンバー底板５のＺ方向位置や角
度情報を検出して成膜源１０１の位置や姿勢の変化を検知するためのセンサーである。センサーユニット７０１とセンサーユニット７０５は、不図示のケーブルで制御部４００と接続されており、制御部４００に検出結果を逐次送信する。

【0066】

まず、センサーユニット７０１について詳細に説明する。センサーユニット７０１は、マスク７の上方に位置するようにチャンバー２の外部で支持部７０２に支持され、マスク７までのＺ方向距離を測定する。センサーユニット７０１は、対象物（本例ではマスク７）との相対距離を検出可能な第１距離検出センサーである。第３実施形態では、３つのセンサーユニット７０１がマスク７の上方に配置され、マスク７までのＺ方向距離を検出する。基板８の姿勢変化を平面でとらえるために、３つのセンサーユニット７０１は基板８の中心に対して概等配に配置されている。センサーユニット７０１としては、例えばレーザー変位計や静電容量センサーを用いることができる。

【0067】

支持部７０２は、チャンバー２と接触しない独立した構造物である。このような構成とすることで、チャンバー２が変形してもセンサーユニット７０１の位置や姿勢は変形せず、マスク７の位置や姿勢の変化を安定して検出できる。

【0068】

チャンバー天板４には覗き穴７０３が形成され、覗き穴７０３を上方から覆うようにビューポート７０４が設けられている。センサーユニット７０１は、ビューポート７０４を通じてマスク７までの距離を測定する。

【0069】

成膜動作においては、成膜源１０１の移動前の各センサーユニット７０１の測定値が基準値として、制御部４００に送信されて記憶される。そして、成膜源１０１が移動を開始すると各センサーユニット７０１がリアルタイムにマスク７までの距離を測定し、制御部４００へ測定結果を送信する。

【0070】

成膜源１０１が移動している間に、センサーユニット７０１はマスク７までの距離を測定し続け、制御部４００へその値を送信し続ける。制御部４００は測定値の基準値からの変化量を計算し、基板８を支持するマスク７の位置や姿勢の変化を検知する。このように、制御部４００は成膜動作中にセンサーユニット７０１の検出結果に基づいて、間接的に基板８の位置や姿勢の変化を検知する。

【0071】

次に、図８を参照してセンサーユニット７０５について詳細に説明する。図８は、図７のＣ－Ｃ断面図であり、チャンバー２を下方から見たときの直動ガイド１０２、センサーユニット７０５の位置関係を示す図である。センサーユニット７０５は、対象物（本例ではチャンバー底板５）との相対距離を検出可能な第２距離検出センサーであり、チャンバー底板５の変形を検出する変形検出センサーである。センサーユニット７０５としては、例えばレーザー変位計や静電容量センサーを用いることができる。また、センサーユニット７０５としては非接触式の測定器に限られず、ダイヤルゲージなどの接触式の測定器を用いてもよい。

【0072】

センサーユニット７０５は、チャンバー底板５の下方の位置であって、Ｚ方向に見たときに直動ガイド１０２と重なる位置に複数配置され、チャンバー底板５までのＺ方向距離を測定する。センサーユニット７０５の配置数は多いほど成膜源１０１の姿勢情報を高精度に取得できる。高精度な成膜源１０１の姿勢変化検知のため、センサーユニット７０５は成膜源１０１の移動方向の幅の半分以下の間隔で配置され、且つ成膜源１０１の可動領域全域に配置されていることが望ましい。このように、成膜源１０１が移動することで起きるチャンバー底板５の変形をセンサーユニット７０５により検知することで、制御部４００はその検知結果に基づいて間接的に成膜源１０１の位置や姿勢の変化を検知する。

【0073】

成膜動作においては、成膜源１０１の移動前の各センサーユニット７０５の測定値が基準値として、制御部４００に送信されて記憶される。そして、成膜源１０１が移動を開始すると各センサーユニット７０５がリアルタイムにチャンバー底板５までの距離を測定し、制御部４００へ測定結果を送信する。

【0074】

成膜源１０１が移動している間に、センサーユニット７０５はチャンバー底板５までの距離を測定し続け、制御部４００へその値を送信し続ける。制御部４００は測定値の基準値からの変化量を計算し、成膜源１０１を支持するチャンバー底板５の位置や姿勢の変化を検知する。このように、制御部４００は成膜動作中にセンサーユニット７０５の検出結果に基づいて、間接的に成膜源１０１の位置や姿勢の変化を検知する。

【0075】

成膜源１０１の姿勢変化量としては、例えば、最も大きく傾斜度が変化したセンサーユニット７０５間の傾斜度の変化量を用いてもよい。又は、制御部４００が成膜源１０１の稼働位置情報を取得して、成膜源１０１の位置に対応するセンサーユニット７０５の測定値に基づいて成膜源１０１の姿勢変化量を取得してもよい。

【0076】

センサーユニット７０５を支持する支持部材の床への固定位置は、チャンバー２を支持する支持台６の床への固定位置から離れた位置とされることが望ましい。チャンバー２の重量により床が変形した場合に、センサーユニット７０５が受ける影響を抑えるためである。

【0077】

上述の通り、第３実施形態では、センサーユニット７０１が基板８の位置や姿勢の変化を検知し、センサーユニット７０５が成膜源１０１の位置や姿勢の変化を検知する。このような構成とすることで、これらの検出結果に基づいて制御部４００が基板８と成膜源１０１の相対距離や相対角度などの相対的な位置関係に関する情報を検出可能となる。

【0078】

第３実施形態では、制御部４００はセンサーユニット７０１とセンサーユニット７０５の検出結果に基づいて、基板８と成膜源１０１の相対角度と相対距離を成膜動作中にリアルタイムで算出する。そして、制御部４００は基板８と成膜源１０１の相対角度や相対距離の変化量を逐次取得し、その変化量に基づいて相対角度や相対距離を所望の値に調整するための補正値を算出する。補正値は、例えば昇降駆動部２２１の各昇降部材の昇降量であり、制御部４００は補正値に基づいて基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係を調整する。このように、成膜動作中に相対角度や相対距離を逐次算出し、基板位置調整部２００が基板８の位置や姿勢を逐次調整することで、基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係が逐次調整される。

【0079】

以上より、第３実施形態の構成によれば、成膜動作中に基板８と成膜源１０１との相対距離や相対角度を逐次調整するようフィードバック制御できるため、成膜物質を基板８の所望の位置に向けて放出でき、成膜品質の低下を抑制できる。また、成膜源１０１の移動時に基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係をリアルタイムに補正できるため、想定外の外乱が発生した場合や経年による床の変形に対応できる点で、事前に情報を与えるフィードフォワード方式による姿勢補正制御に対して利点がある。

【0080】

更に、第３実施形態においては、センサーユニット７０１とセンサーユニット７０５のいずれもがチャンバー２の外部に設定されている。このような構成とすることで、チャンバー２の内部の真空環境の汚染を抑制するという利点がある。

【0081】

なお、本発明の構成は上述の構成に限られたものではなく、上述の実施形態に具現された発明と同一性を失わない範囲で種々の変更が可能である。また、上述の各実施形態の構成は、適宜組み合わせて使用しうる。例えば、第１実施形態のようにマスク台２３１に角
度検知センサーであるセンサーユニット２３２を設け、第３実施形態のようにチャンバー底板５の変形を検知する距離検知センサーであるセンサーユニット７０５を設けてもよい。このような構成としても、基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係を検知し、逐次調整することができるため、チャンバー２や床の変形による成膜品質の低下を抑制できる。また上述の実施形態においては、基板８の位置や姿勢を変化させて基板８と成膜源１０１の相対的な位置関係を調整していたが、成膜源１０１の角度を変更可能な角度調整手段やＺ方向の位置を調整可能な位置調整手段を設けて相対的な位置関係を調整してもよい。

【0082】

＜電子デバイスの製造方法＞
次に、上述の実施形態に係る成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成を示し、有機ＥＬ表示装置の製造方法を例示する。

【0083】

まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図９（ａ）は有機ＥＬ表示装置８００の全体図、図９（ｂ）は１画素の断面構造を表している。

【0084】

図９（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置８００の表示領域８０１には、発光素子を複数備える画素８０２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域８０１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子８０２Ｒ、第２発光素子８０２Ｇ、第３発光素子８０２Ｂの組み合わせにより画素８０２が構成されている。画素８０２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組み合わせで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。

【0085】

図９（ｂ）は、図９（ａ）のＤ－Ｄ線における部分断面模式図である。画素８０２は、複数の発光素子からなり、各発光素子は、基板８０３上に、第１電極（陽極）８０４と、正孔輸送層８０５と、発光層８０６Ｒ、８０６Ｇ、８０６Ｂのいずれかと、電子輸送層８０７と、第２電極（陰極）８０８と、を有している。これらのうち、正孔輸送層８０５、発光層８０６Ｒ、８０６Ｇ、８０６Ｂ、電子輸送層８０７が有機層に当たる。また、本実施例では、発光層８０６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層８０６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層８０６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層８０６Ｒ、８０６Ｇ、８０６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。

【0086】

また、第１電極８０４は、発光素子毎に分離して形成されている。正孔輸送層８０５と電子輸送層８０７と第２電極８０８は、複数の発光素子８０２Ｒ、８０２Ｇ、８０２Ｂで共通に形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極８０４と第２電極８０８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極８０４間に絶縁層８０９が設けられている。更に、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層８１０が設けられている。

【0087】

図９（ｂ）では正孔輸送層８０５や電子輸送層８０７は一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によっては、正孔ブロック層や電子ブロック層を備える複数の層で形成されてもよい。また、第１電極８０４と正孔輸送層８０５との間には第１電極８０４から正孔輸送層８０５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成することもできる。同様に、第２電極８０８と電子輸送層８０７の間にも電子注入層が形成することもできる。

【0088】

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。

【0089】

まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１電極８０４が形成された基板（マザーガラス）８０３を準備する。

【0090】

第１電極８０４が形成された基板８０３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極８０４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層８０９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。

【0091】

絶縁層８０９がパターニングされた基板８０３を粘着部材が配置された基板キャリアに載置する。粘着部材によって、基板８０３は保持される。第１の有機材料成膜装置に搬入し、反転後、正孔輸送層８０５を、表示領域の第１電極８０４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層８０５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層８０５は表示領域８０１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。

【0092】

次に、正孔輸送層８０５までが形成された基板８０３を第２の有機材料成膜装置に搬入する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板８０３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層８０６Ｒを成膜する。

【0093】

発光層８０６Ｒの成膜と同様に、第３の有機材料成膜装置により緑色を発する発光層８０６Ｇを成膜し、更に第４の有機材料成膜装置により青色を発する発光層８０６Ｂを成膜する。発光層８０６Ｒ、８０６Ｇ、８０６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域８０１の全体に電子輸送層８０７を成膜する。電子輸送層８０７は、３色の発光層８０６Ｒ、８０６Ｇ、８０６Ｂに共通の層として形成される。

【0094】

電子輸送層８０７まで形成された基板を金属性蒸着材料成膜装置で移動させて第２電極８０８を成膜する。

【0095】

その後プラズマＣＶＤ装置に移動して保護層８１０を成膜して、基板８０３への成膜工程を完了する。反転後、粘着部材を基板８０３から剥離することで、基板キャリアから基板８０３を分離する。その後、裁断を経て有機ＥＬ表示装置８００が完成する。

【0096】

絶縁層８０９がパターニングされた基板８０３を成膜装置に搬入してから保護層８１０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機ＥＬ材料からなる発光層が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本実施例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気又は不活性ガス雰囲気の下で行われる。

【符号の説明】

【0097】

１…成膜装置、２…チャンバー、８…基板、１０１…成膜源、１０３…センサーユニット（相対位置検出部）、２２０…マスク保持部（相対位置調整部）、４００…制御部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】