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特開2024-153564ブランクマスク及びその製造方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024153564

(43)【公開日】2024-10-29

(54)【発明の名称】ブランクマスク及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

G03F 1/50 20120101AFI20241022BHJP

G03F 1/82 20120101ALI20241022BHJP

【ＦＩ】

G03F1/50

G03F1/82

【審査請求】有

【請求項の数】12

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024056869

(22)【出願日】2024-03-29

(31)【優先権主張番号】10-2023-0050360

(32)【優先日】2023-04-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】505232852

【氏名又は名称】エスケーエンパルスカンパニーリミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＳＫｅｎｐｕｌｓｅＣｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１０４３，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄａｅｒｏ，Ｐｙｅｏｎｇｔａｅｋ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ１７７８４，ＲｅｐｕｂｌｉｃｏｆＫｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110001139

【氏名又は名称】ＳＫ弁理士法人

(74)【代理人】

【識別番号】100130328

【弁理士】

【氏名又は名称】奥野彰彦

(74)【代理人】

【識別番号】100130672

【弁理士】

【氏名又は名称】伊藤寛之

(72)【発明者】

【氏名】キム、テワン

(72)【発明者】

【氏名】シン、インキュン

(72)【発明者】

【氏名】イ、ヒョンジュ

【テーマコード（参考）】

2H195

【Ｆターム（参考）】

2H195BB05

2H195BB27

2H195BB30

(57)【要約】（修正有）

【課題】欠陥の発生が少なく、向上した使用回数を有し、高い精密度を有するフォトマスクを提供することができる、ブランクマスクを製造するための装置及びブランクマスクの製造方法を提供する。
【解決手段】光透過性基板上に遮光膜を形成して、光学基板を形成する段階と、前記遮光膜上にフォトレジスト層を形成する段階と、前記光透過性基板の側面において、前記フォトレジスト層を形成する段階で発生する飛沫を除去する段階と、を含み、前記光透過性基板の側面における前記飛沫から由来する飛沫状の吸着が３個／ｃｍ^２未満である、ブランクマスクの製造方法。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ブランクマスクの製造方法であって、
光透過性基板上に遮光膜を形成して、光学基板を形成する段階と、
前記遮光膜上にフォトレジスト層を形成する段階と、
前記光透過性基板の側面において、前記フォトレジスト層を形成する段階で発生する飛沫を除去する段階と、を含み、
前記光透過性基板の側面における前記飛沫から由来する飛沫状の吸着が３個／ｃｍ^２未満である、
ブランクマスクの製造方法。

【請求項2】

前記光学基板をチャックに安着させる段階を更に含み、
前記フォトレジスト層を形成する段階は、
前記遮光膜上にフォトレジスト組成物をドロップする段階と、
前記光学基板を回転させる段階と、
前記光学基板と前記チャックとの間に圧縮空気を噴射する段階と、
を含み、
前記光学基板を回転させる段階及び前記圧縮空気を噴射する段階は、同時に行われる、
請求項１に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項3】

前記チャックは、
前記光学基板を支持する支持部と、
前記光学基板の側面に配置されるガイド部と、
を含み、
前記光学基板を回転させる段階において、前記光学基板及び前記ガイド部が同時に回転されて、
前記ガイド部と前記光学基板の側面との間に前記圧縮空気が噴射される、
請求項２に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項4】

前記光学基板をチャックに安着させる段階を更に含み、
前記フォトレジスト層を形成する段階は、
前記遮光膜上にフォトレジスト組成物をドロップする段階と、
前記光学基板を回転させる段階と、
前記光学基板の側面と前記チャックとの間に真空圧を印加する段階と、
を含み、
前記光学基板を回転させる段階及び前記真空圧を印加する段階は、同時に行われる、
請求項１に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項5】

前記チャックは、
前記光学基板を支持する支持部と、
前記光学基板の側面に配置されるガイド部と、
を含み、
前記光学基板を回転させる段階において、前記光学基板及び前記ガイド部が同時に回転されて、
前記ガイド部と前記光学基板の側面との間に前記真空圧が印加される、
請求項４に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項6】

前記光透過性基板の下面における前記飛沫状の吸着は、４個／ｃｍ^２未満である、
請求項１に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項7】

ブランクマスクであって、
光透過性基板と、
前記光透過性基板上に配置される遮光膜と、
前記遮光膜上に配置されて、感光性樹脂を含むフォトレジスト層と、
を含み、
前記光透過性基板の側面における前記感光性樹脂を含む飛沫状の吸着は、３個／ｃｍ^２未満である、
ブランクマスク。

【請求項8】

前記光透過性基板の下面における前記飛沫状の吸着は、４個／ｃｍ^２未満である、
請求項７に記載のブランクマスク。

【請求項9】

前記光透過性基板の側面における前記飛沫状の吸着は、２．５個／ｃｍ^２未満である、
請求項７に記載のブランクマスク。

【請求項10】

前記光透過性基板の側面における前記飛沫状の吸着は、０．５個／ｃｍ^２未満である、
請求項９に記載のブランクマスク。

【請求項11】

前記光透過性基板の下面における前記飛沫状の吸着は、２個／ｃｍ^２未満である、
請求項８に記載のブランクマスク。

【請求項12】

前記飛沫状の吸着の直径は、０．０１μｍ～１０μｍである、
請求項７に記載のンブランクマスク。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施例は、ブランクマスク及びブランクマスクの製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスなどの高集積化により、半導体デバイスの回路パターンの微細化が求められている。これにより、ウエハの表面上にフォトマスクを用いて回路パターンを現像する技術である、リソグラフィ技術の重要性がさらに強調されている。

【0003】

微細化した回路パターンを現像するためには、露光工程で使用される露光光源の短波長化が要求される。近年、使用される露光光源では、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）などがある。

【0004】

一方、フォトマスクには、バイナリマスク（Ｂｉｎａｒｙｍａｓｋ）と位相シフトマスク（Ｐｈａｓｅｓｈｉｆｔｍａｓｋ）などがある。

【0005】

バイナリマスクは、光透過性基板上に遮光層パターンが形成された構成を有する。バイナリマスクは、パターンが形成された面において、遮光層を含まない透過部は、露光光を透過させ、遮光層を含む遮光部は、露光光を遮断することによって、ウエハの表面のレジスト膜上にパターンを露光させる。但し、バイナリマスクは、パターンが微細化するほど、露光工程で透過部の縁で発生する光の回折によって、微細パターンの現像に問題が発生し得る。

【0006】

位相シフトマスクでは、レベンソン型（Ｌｅｖｅｎｓｏｎｔｙｐｅ）、アウトリガー型（Ｏｕｔｒｉｇｇｅｒｔｙｐｅ）、ハーフトーン型（Ｈａｌｆ－ｔｏｎｅｔｙｐｅ）がある。そのうち、ハーフトーン型の位相シフトマスクは、光透過性基板２０上に半透過膜で形成されたパターンが形成された構成を有する。ハーフトーン型の位相シフトマスクは、パターンが形成された面において、半透過層を含まない透過部は、露光光を透過させ、半透過層を含む半透過部は、減衰した露光光を透過させる。前記減衰した露光光は、透過部を通過した露光光に比べて位相差を有するようになる。これにより、透過部の縁で発生する回折光は、半透過部を透過した露光光によって相殺し、位相シフトマスクは、ウエハの表面にさらに精巧な微細なパターンを形成することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

これに関連する先行文献は、次のとおりである。

【特許文献1】韓国公開特許第１０－２０１２－００５７４８８号

【特許文献2】韓国公開特許第１０－２０１４－０１３０４２０号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

実施例は、欠陥の発生が少なく、向上した使用回数を有し、高い精密度を有するフォトマスクを提供することができる、ブランクマスクを製造するための装置及びブランクマスクの製造方法を提供しようとする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

実施例によるブランクマスクの製造方法は、光透過性基板上に遮光膜を形成して、光学基板を形成する段階と、前記遮光膜上にフォトレジスト層を形成する段階と、前記光透過性基板の側面において、前記フォトレジスト層を形成する段階で発生する飛沫を除去する段階と、を含み、前記光透過性基板の側面における前記飛沫から由来する飛沫状の吸着が３個／ｃｍ^２未満である。

【0010】

一実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光学基板をチャックに安着させる段階を更に含み、前記フォトレジスト層を形成する段階は、前記遮光膜上にフォトレジスト組成物をドロップする段階と、前記光学基板を回転させる段階と、前記光学基板と前記チャックとの間に圧縮空気を噴射する段階と、を含み、前記光学基板を回転させる段階及び前記圧縮空気を噴射する段階は、同時に行うことができる。

【0011】

一実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光学基板をチャックに安着させる段階を更に含み、前記フォトレジスト層を形成する段階は、前記遮光膜上にフォトレジスト組成物をドロップする段階と、前記光学基板を回転させる段階と、前記光学基板の側面と前記チャックとの間に真空圧を印加する段階と、を含み、前記光学基板を回転させる段階及び前記真空圧を印加する段階は、同時に行うことができる。

【0012】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記光透過性基板の下面における前記飛沫状の吸着は、４個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0013】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記チャックは、前記光学基板を支持する支持部と、前記光学基板の側面に配置されるガイド部と、を含み、前記光学基板を回転させる段階において、前記光学基板及び前記ガイド部が同時に回転されて、前記ガイド部と前記光学基板の側面との間に前記圧縮空気が噴射されていてもよい。

【0014】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記チャックは、前記光学基板を支持する支持部と、前記光学基板の側面に配置されるガイド部と、を含み、前記光学基板を回転させる段階において、前記光学基板及び前記ガイド部が同時に回転されて、前記ガイド部と前記光学基板の側面との間に前記真空圧が印加されていてもよい。

【0015】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記光学基板は、前記飛沫状の吸着を含み、前記飛沫状の吸着は、島状を有し、前記飛沫状の吸着の直径は、約０．０１μｍ～約１０μｍであってもよい。

【0016】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記光透過性基板の側面における前記飛沫状の吸着は、約０．０５個／ｃｍ^２～約１個／ｃｍ^２であってもよい。

【0017】

実施例によるブランクマスクは、光透過性基板と、前記光透過性基板上に配置される遮光膜と、前記遮光膜上に配置されて、感光性樹脂を含むフォトレジスト層と、を含み、前記光透過性基板の側面における前記感光性樹脂を含む飛沫状の吸着は、３個／ｃｍ^２未満である。

【0018】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記光透過性基板の下面における前記飛沫状の吸着は、４個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0019】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記光透過性基板の側面における前記飛沫状の吸着は、２．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0020】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記光透過性基板の側面における前記飛沫状の吸着は、０．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0021】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記光透過性基板の下面における前記飛沫状の吸着は、２個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0022】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記飛沫状の吸着の直径は、０．０１μｍ～１０μｍであってもよい。

【0023】

実施例によるブランクマスクは、光透過性基板と、前記光透過性基板上に配置される遮光膜と、前記遮光膜上に配置されて、感光性樹脂を含むフォトレジスト層と、前記光透過性基板の側面において、前記感光性樹脂を含み、島状を有する飛沫状の吸着と、を含み、前記光透過性基板の側面における前記飛沫状の吸着の密度は、約０．０５個／ｃｍ^２～約３個／ｃｍ^２である。

【0024】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記光透過性基板の下面における前記飛沫状の吸着が配置され、前記光透過性基板の下面における前記飛沫状の吸着の密度は、約０．０５個／ｃｍ^２～約３個／ｃｍ^２であってもよい。

【0025】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記飛沫状の吸着は、約０．０１μｍ以上かつ約０．０４μｍ未満の直径を有する第１飛沫状の吸着を含み、前記第１飛沫状の吸着の個数は、約０．０５個／ｃｍ^２～約０．５個／ｃｍ^２であってもよい。

【0026】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記飛沫状の吸着は、約０．０４μｍ以上かつ約０．３μｍ未満の直径を有する第２飛沫状の吸着を含み、前記第２飛沫状の吸着の個数は、約０．０５個／ｃｍ^２～約０．５個／ｃｍ^２であってもよい。

【0027】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記飛沫状の吸着は、約０．３μｍ以上かつ約３μｍ未満の直径を有する第３飛沫状の吸着を含み、前記第３飛沫状の吸着の個数は、約０．０５個／ｃｍ^２～約０．５個／ｃｍ^２であってもよい。

【0028】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記飛沫状の吸着は、約３μｍ以上かつ約１０μｍ未満の直径を有する第４飛沫状の吸着を含み、前記第４飛沫状の吸着の個数は、約０．０５個／ｃｍ^２～約０．５個／ｃｍ^２であってもよい。

【0029】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記光透過性基板の側面における前記飛沫状の吸着の密度は、約０．０５個／ｃｍ^２～約１個／ｃｍ^２であってもよい。

【発明の効果】

【0030】

実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記フォトレジスト層を形成する段階で発生する飛沫を除去する段階を含む。これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光透過性基板の側面及び／または下面が、前記飛沫などのような工程副産物によって汚染することを防止することができる。

【0031】

特に、実施例によるブランクマスクの製造方法は、圧縮空気または真空圧を用いて、前記フォトレジスト層を形成するためフォトレジスト組成物から飛散する飛沫を前記光透過性基板の側面から除去することができる。

【0032】

これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記飛沫が、前記光透過性基板の側面及び下面に吸着することを効果的に防止することができる。

【0033】

これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、光透過性基板の側面における飛沫状の吸着が３個／ｃｍ^２未満であるブランクマスクを提供することができる。また、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光透過性基板の下面における前記飛沫状の吸着が４個／ｃｍ^２未満であるブランクマスクを提供することができる。

【0034】

これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記飛沫状の吸着による光学的歪みを最小化することができる。これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、向上した光学的性能を有していてもよい。

【0035】

また、実施例によるブランクマスクの製造方法は、上記のように、前記飛沫状の吸着を抑制することから、前記光透過性基板の側面及び下面に吸着した飛沫を除去するための追加工程を用いない。

【0036】

これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記飛沫状の吸着を除去するための追加工程によって、前記フォトレジスト層が損傷することを防止することができる。

【0037】

実施例によるブランクマスクは、前記光透過性基板の側面及び下面における前記飛沫状の吸着が４個／ｃｍ^２未満であるため、光学的歪みを最小化することができ、向上した光学的性能を有することができる。

【図面の簡単な説明】

【0038】

【図1】実施例によるブランクマスクの製造装置を示した概略図である。

【図2】一実施例によるチャックを示した斜視図である。

【図3】一実施例によるチャックの上面を示した図である。

【図4】チャックの一断面を示した断面図である。

【図5】図４におけるＡ部分を拡大して示した断面図である。

【図6】一実施例において、工程副産物が除去される過程を示した図である。

【図7】他の実施例において、工程副産物が除去される過程を示した図である。

【図8】さらに他の実施例によるブランクマスクの製造装置を示した概略図である。

【図9】さらに他の実施例において、工程副産物が除去される過程を示した図である。

【図10】一実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。

【図11】他の実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。

【図12】さらに他の実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。

【図13】一実施例によるブランクマスクの一断面を示した断面図である。

【図14】一実施例によるフォトマスクの一断面を示した断面図である。

【図15】一実施例による光透過性基板の側面の一部を示した図である。

【図16】図１５におけるＢ－Ｂ'に沿って切断した断面を示した断面図である。

【図17】一実施例による光透過性基板の下面の一部を示した断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0039】

以下では、具現例の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように、実施例について詳説する。しかしながら、具現例は、互いに異なる様々な形態に具現され得、ここで説明する実施例に限定されない。

【0040】

本明細書で使われる程度の用語「約」、「実質的に」などは、言及された意味に固有な製造及び物質の許容誤差が提示されるとき、その数値における、またはその数値に近い意味に使われ、具現例を理解するために正確あるいは絶対的な数値が言及された開示の内容が、非良心的な侵害者にとって不当に利用されることを防止するために使われる。

【0041】

本明細書の全体において、マーカッシュ形式の表現に含まれた「これらの組み合わせ」の用語は、マーカッシュ形式の表現に記載の構成要素からなる群から選択される１つ以上の混合または組み合わせを意味するものであって、前記構成要素からなる群から選択される１つ以上を含むことを意味する。

【0042】

本明細書の全体において、「Ａ及び／またはＢ」の記載は、「Ａ、Ｂ、または、Ａ及びＢ」を意味する。

【0043】

本明細書の全体において、「第１」、「第２」または「Ａ」、「Ｂ」のような用語は、特に説明がない限り、同じ用語を互いに区別するために使われる。

【0044】

本明細書において、Ａ上にＢが位置するという意味は、Ａ上にＢが位置するか、その間に他の層が位置しつつＡ上にＢが位置するか、位置してもよいことを意味し、Ａの表面に接してＢが位置することに限定して解釈されない。

【0045】

本明細書における単数の表現は、特に説明がなければ、文脈上に解釈される単数または複数を含む意味に解釈される。

【0046】

図１は、実施例によるブランクマスクの製造装置を示した概略図である。図２は、一実施例によるチャックを示した斜視図である。図３は、一実施例によるチャックの上面を示した図である。図４は、チャックの一断面を示した断面図である。図５は、図４におけるＡ部分を拡大して示した断面図である。図６は、一実施例において、工程副産物が除去される過程を示した図である。図７は、他の実施例において、工程副産物が除去される過程を示した図である。図８は、さらに他の実施例によるブランクマスクの製造装置を示した概略図である。図９は、さらに他の実施例において、工程副産物が除去される過程を示した図である。図１０は、一実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。図１１は、他の実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。図１２は、さらに他の実施例による光学基板の一断面を示した断面図である。図１３は、一実施例によるブランクマスクの一断面を示した断面図である。図１４は、一実施例によるフォトマスクの一断面を示した断面図である。図１５は、一実施例による光透過性基板の側面の一部を示した図である。図１６は、図１５におけるＢ－Ｂ'に沿って切断した断面を示した断面図である。図１７は、一実施例による光透過性基板の下面の一部を示した断面図である。

【0047】

図１を参照すると、実施例によるブランクマスクの製造装置は、チャンバ１００、チャック２００、第１エアポンプ３００、排気部４００、フォトレジスト樹脂組成物の供給部５００、エアスイープ部６１０、第２エアポンプ６００、及びスピンドルモータ７００を含む。

【0048】

前記チャンバ１００は、前記チャック２００を収容する。前記チャンバ１００は、ブランクマスクを製造するため光学基板１０を収容することができる。前記チャンバ１００は、内部を外部から隔離させることができる。前記チャンバ１００の内部は、密封し得る。前記チャンバ１００の内部圧力は、大気圧よりも低く真空がかかり得る。

【0049】

また、前記チャンバ１００は、開閉できるドアまたは蓋を含んでいてもよい。前記チャンバ１００の内部温度を調節できるヒータなどを前記チャンバ１００に備えることができる。

【0050】

図２～図７を参照すると、前記チャック２００は、支持部２１０、ガイド部２２０、及び副産物の除去部２３０を含む。

【0051】

前記支持部２１０は、前記ガイド部２２０及び前記副産物の除去部２３０を支持することができる。前記支持部２１０は、前記光学基板１０を支持する。前記支持部２１０は、前記光学基板１０の下に配置されていてもよい。

【0052】

前記支持部２１０は、前記光学基板１０を臨時固定させることができる。前記支持部２１０は、真空圧または静電気力によって、前記光学基板１０を臨時固定させることができる。

【0053】

前記ガイド部２２０は、前記支持部２１０に連結されていてもよい。前記ガイド部２２０は、前記支持部２１０と一体に形成されていてもよい。前記ガイド部２２０は、前記光学基板１０の側面１２に配置されていてもよい。前記ガイド部２２０は、前記光学基板１０の側面１２を囲んでいてもよい。

【0054】

前記支持部２１０及び前記ガイド部２２０によって、前記光学基板１０を収容する収容部２４０を形成することができる。すなわち、前記支持部２１０は、前記光学基板１０の下面１３に配置されて、前記ガイド部２２０は、前記光学基板１０の側面１２に配置され、前記収容部２４０が構成されていてもよい。

【0055】

前記収容部２４０は、前記光学基板１０の平面状に対応するものであってもよい。前記収容部２４０の平面状は、前記光学基板１０の平面状とほぼ類似であってもよい。前記光学基板１０の平面状は、正方形であり、前記収容部２４０の平面状も正方形であってもよい。

【0056】

前記ガイド部２２０の外郭は、円状を有していてもよい。前記ガイド部２２０及び前記支持部２１０は、円状を有していてもよい。

【0057】

前記副産物の除去部２３０は、前記支持部２１０に形成されていてもよい。前記副産物の除去部２３０は、前記ガイド部２２０に形成されていてもよい。前記副産物の除去部２３０は、前記支持部２１０と前記ガイド部２２０が交わる部分に形成されていてもよい。前記副産物の除去部２３０は、前記支持部２１０及び前記ガイド部２２０にわたって形成されていてもよい。

【0058】

前記副産物の除去部２３０は、前記光学基板１０のエッジ部分に対応する領域に形成されていてもよい。前記副産物の除去部２３０は、前記支持部２１０のエッジ部分に沿って形成されていてもよい。

【0059】

前記副産物の除去部２３０は、気体を噴射する多数個の孔を含んでいてもよい。前記孔は、上方に延在していてもよい。前記孔の直径は、約０．５ｍｍ～約２ｍｍであってもよい。前記孔の間の間隔は、約１０ｍｍ～１００ｍｍであってもよい。

【0060】

前記副産物の除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間の空間２５０の下に配置されていてもよい。前記副産物の除去部２３０は、前記ガイド部２２０の内側面と前記光学基板１０の側面１２との間の領域２５０に対応して配置されていてもよい。

【0061】

前記ガイド部２２０及び前記光学基板１０の側面１２は、一定間隔で離隔していてもよい。前記ガイド部２２０の内側面と前記光学基板１０の側面１２との間の距離（Ｄ）は、約０．０１ｍｍ～約１ｍｍであってもよい。前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間の間隔（Ｄ）は、約１ｍｍ未満であってもよい。

【0062】

前記ガイド部２２０及び前記光学基板１０の側面１２が、上記のような間隔（Ｄ）を有することから、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０との間の空間２５０への前記工程副産物５１１の流入が抑制し得る。

【0063】

また、前記孔は、上記のような範囲で直径及び間隔を有するため、前記副産物の除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０との間の空間に容易に圧縮空気を噴射するか、真空圧を印加することができる。これによって、前記孔が上記のような直径及び間隔を有するため、前記副産物の除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０との間の空間２５０に流入する前記工程副産物５１１を容易に除去することができる。

【0064】

前記ガイド部２２０の上面２２１と前記光学基板１０の上面１１との間の高さ差（Ｈ）は、約１ｍｍ未満であってもよい。前記ガイド部２２０の上面２２１と前記光学基板１０の上面１１との間の高さ差（Ｈ）は、約０．１ｍｍ～約１ｍｍであってもよい。前記ガイド部２２０の上面２２１は、前記光学基板１０の上面１１よりもさらに低くてもよい。

【0065】

前記ガイド部２２０の上面２２１と前記光学基板１０の上面１１との間の高さ差（Ｈ）が上記のとおりである場合、前記光学基板１０にフォトレジスト樹脂組成物がスピンコートされるとき、前記工程副産物５１１を容易に排出することができる。

【0066】

前記副産物の除去部２３０は、前記第１エアポンプ３００に連結されていてもよい。前記副産物の除去部２３０は、流路２６０を介して前記第１エアポンプ３００に連結されていてもよい。前記副産物の除去部２３０は、前記第１エアポンプ３００によって発生する圧縮空気を前記流路２６０を介して印加されて、前記工程副産物５１１を押し出すことができる。すなわち、前記工程副産物５１１は、前記第１エアポンプ３００によって、前記副産物の除去部２３０から上方に噴出し得る。

【0067】

すなわち、前記圧縮空気は、前記第１エアポンプ３００から発生して、前記流路２６０を介して前記副産物の除去部２３０から上方に噴射される。これによって、前記光学基板１０と前記ガイド部２２０との間に流入する工程副産物は、上方に排出し得る。

【0068】

また、前記圧縮空気は、前記副産物の除去部２３０から上方に継続して噴射し得る。これによって、前記工程副産物が前記光学基板１０の側面と前記ガイド部２２０との間の空間２５０に流入することを基本的に抑制することができる。

【0069】

前記工程副産物５１１は、微細粒子を含んでいてもよい。前記微細粒子は、前記フォトレジスト樹脂組成物の飛散によって形成され得る。前記工程副産物５１１は、前記フォトレジスト樹脂組成物が飛散して形成される飛沫であってもよい。すなわち、前記微細粒子は、前記飛沫であってもよい。

【0070】

また、前記飛沫は、前記フォトレジスト樹脂組成物を含んでいてもよい。前記飛沫は、前記フォトレジスト層を形成するための物質と実質的に同じ物質を含んでいてもよい。前記飛沫及び前記フォトレジスト層は、実質的に同じ組成を有していてもよい。

【0071】

前記微細粒子の粒径は、約１０μｍ未満であってもよい。前記微細粒子の粒径は、約１μｍ～約１０μｍであってもよい。

【0072】

前記副産物の除去部２３０の噴射速度は、約０．３ｍｌ／ｓ～約１００ｍｌ／ｓであってもよい。前記副産物の除去部２３０の噴射速度は、約０．４ｍｌ／ｓ～約２０ｍｌ／ｓであってもよい。前記副産物の除去部２３０の噴射速度は、約０．５ｍｌ／ｓ～約１０ｍｌ／ｓであってもよい。これによって、前記副産物の除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０との間の空間２５０に含まれた工程副産物５１１を容易に除去することができる。

【0073】

前記第１エアポンプ３００は、前記副産物の除去部２３０と連結されていてもよい。前記第１エアポンプ３００は、前記流路を介して前記副産物の除去部２３０と連結されていてもよい。前記第１エアポンプ３００は、前記副産物の除去部２３０に前記圧縮空気を供給することができる。

【0074】

前記排気部４００は、前記チャンバ１００の内部気体を排気させることができる。また、前記排気部４００は、前記光学基板１０上にコートして残ったフォトレジスト組成物を排出させることができる。前記排気部４００は、前記チャック２００の側方に飛散するフォトレジスト樹脂組成物を排出させることができる。

【0075】

前記フォトレジスト樹脂組成物の供給部５００は、前記光学基板１０の上面に前記フォトレジスト樹脂組成物５１０を供給することができる。前記フォトレジスト樹脂組成物５１０は、前記チャンバ１００内に配置される噴射ノズルを含んでいてもよい。前記噴射ノズルを介して前記光学基板１０に、前記フォトレジスト樹脂組成物５１０がドロップされていてもよい。すなわち、前記フォトレジスト樹脂組成物の供給部５００は、前記光学基板１０の上面に前記フォトレジスト樹脂組成物５１０を噴射することができる。

【0076】

前記チャック２００及び前記光学基板１０は、同時に回転されてもよい。すなわち、前記ガイド部２２０及び前記光学基板１０は、同時に回転されてもよい。また、前記ガイド部２２０及び前記光学基板１０が同時に回転されるとともに、前記フォトレジスト樹脂組成物の供給部５００は、前記光学基板１０の上面に前記フォトレジスト樹脂組成物５１０を供給することができる。

【0077】

また、前記ガイド部２２０及び前記光学基板１０が同時に回転されるとともに、前記副産物の除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０との間の空間２５０に含まれた工程副産物５１１を除去することができる。

【0078】

図１及び図６に示されたように、前記エアスイープ部６１０は、前記光学基板１０上に配置されていてもよい。前記エアスイープ部６１０は、前記チャック２００上に配置されていてもよい。

【0079】

前記エアスイープ部６１０は、前記光学基板１０の外郭部分に向かって誘導空気を噴射することができる。前記エアスイープ部６１０は、前記光学基板１０の中心から外側に向かって誘導空気を噴射することができる。前記エアスイープ部６１０は、前記光学基板１０の上面に対して、外側の下方に前記誘導空気を噴射することができる。すなわち、前記エアスイープ部６１０は、前記誘導空気を前記光学基板１０の外側に噴射することができる。

【0080】

これによって、前記光学基板１０の側面と前記ガイド部２２０との間の空間から噴出する工程副産物は、外側に流れ得る。すなわち、前記エアスイープ部６１０は、前記光学基板１０の側面と前記ガイド部２２０との間の空間２５０から上方に噴出する空気の流れを前記光学基板１０の外側に導くことができる。

【0081】

これによって、前記エアスイープ部６１０は、前記噴出した工程副産物によって、前記光学基板１０の上面が汚染することを防止することができる。

【0082】

前記第２エアポンプ６００は、前記エアスイープ部６１０に連結されていてもよい。前記第２エアポンプ６００は、前記エアスイープ部６１０に前記誘導空気を供給することができる。

【0083】

前記第２エアポンプ６００は、省略されて、前記エアスイープ部６１０は、前記第１エアポンプ３００と連結されていてもよい。前記エアスイープ部６１０は、前記第１エアポンプ３００から前記誘導空気を供給されていてもよい。

【0084】

図７に示されたように、前記エアスイープ部６１０は、吸入ノズル６２０を含んでいてもよい。前記吸入ノズル６２０は、前記排気部４００から延在して、前記チャック２００の一側に配置されていてもよい。前記吸入ノズルは、前記チャック２００から側方に飛散するフォトレジスト組成物を吸入することができる。

【0085】

また、前記エアスイープ部６１０は、前記光学基板１０の側面と前記ガイド部２２０との間の空間２５０から噴出する圧縮空気の流れを、前記光学基板１０の外側に導くことができる。これによって、前記エアスイープ部６１０は、前記噴出した工程副産物によって、前記光学基板１０の上面が汚染することを防止することができる。

【0086】

前記スピンドルモータ７００は、前記チャック２００に連結されていてもよい。前記スピンドルモータ７００は、前記チャック２００を高速回転させることができる。前記チャック２００は、前記スピンドルモータ７００によって、約５００ｒｐｍ～約７０００ｒｐｍの速度で回転することができる。

【0087】

前記チャック２００の回転によって、前記ドロップしたフォトレジスト樹脂組成物に遠心力が印加されて、前記光学基板１０上に均一な厚さでフォトレジスト樹脂組成物層が形成されていてもよい。

【0088】

前記副産物の除去部２３０は、前記圧縮空気を介して前記工程副産物５１１を押し出すことができる。これによって、前記副産物の除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間に流入する微細粒子状の工程副産物５１１を容易に除去することができる。すなわち、前記ガイド部２２０及び前記光学基板１０が同時に回転するうちに、前記副産物の除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間に流入する微細粒子状の工程副産物５１１を除去することができる。

【0089】

特に、前記副産物の除去部２３０は、前記光学基板１０の側面１２と前記ガイド部２２０との間の領域に対応して配置されるため、前記工程副産物５１１を効率良く除去することができる。

【0090】

これによって、実施例によるブランクマスクの製造装置は、前記工程副産物５１１への汚染を最小化することができる。特に、実施例によるブランクマスクは、前記工程副産物５１１が前記光学基板１０の側面１２及び下面１３を汚染させることを防止することができる。

【0091】

図８を参照すると、さらに他の実施例によるブランクマスクの製造装置は、真空部３１０を更に含んでいてもよい。また、他の実施例によるブランクマスクの製造装置は、前記エアスイープ部を省略することができる。

【0092】

前記真空部３００は、前記副産物の除去部２３０と連結されていてもよい。前記真空部３００は、前記流路２６０を介して前記副産物の除去部２３０と連結されていてもよい。前記真空部３００は、前記副産物の除去部２３０に真空圧を印加することができる。前記真空部３００は、前記工程副産物５１１を吸入して、フィルタリングすることができる。前記真空部３００は、前記工程副産物５１１を排出させることができる。

【0093】

図９に示されたように、前記副産物の除去部２３０は、真空圧を介して前記工程副産物５１１を吸入することができる。これによって、前記副産物の除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０の側面１２との間に流入する微細粒子状の工程副産物５１１を容易に除去することができる。

【0094】

特に、前記副産物の除去部２３０は、前記光学基板１０の側面１２と下面１３が交わる角部分に対応して配置されるとき、前記工程副産物５１１を効率良く除去することができる。

【0095】

【0096】

前記副産物の除去部２３０は、前記真空部３００によって発生する真空圧を前記流路２６０を介して印加されて、前記工程副産物５１１を吸入することができる。すなわち、前記工程副産物５１１は、前記真空部３００によって、前記副産物の除去部２３０及び前記流路２６０を介して除去することができる。

【0097】

特に、前記ガイド部２２０及び前記光学基板１０が同時に回転するうちに、前記副産物の除去部２３０は、前記真空部３００によって発生する真空圧を前記流路２６０を介して印加されて、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０との間で前記工程副産物５１１を吸入することができる。

【0098】

前記副産物の除去部２３０の排気速度は、約１ｍｌ／ｓ～約１００ｍｌ／ｓであってもよい。これによって、前記副産物の除去部２３０は、前記ガイド部２２０と前記光学基板１０との間の空間に含まれた工程副産物５１１を容易に除去することができる。

【0099】

実施例によるブランクマスクは、下記の製造工程によって製造することができる。

【0100】

先ず、光学基板１０を提供することができる。前記光学基板１０は、光透過性基板２０と、前記光透過性基板２０上に位置する遮光膜３０とを含む。

【0101】

前記光透過性基板２０は、露光光に対する光透過性を有していてもよい。前記光透過性基板２０は、約１９３ｎｍの波長の露光光に対して、約８５％超の透過率を有していてもよい。前記光透過性基板２０の透過率は、約８７％超であってもよい。前記光透過性基板２０１０の透過率は、９９．９９％未満であってもよい。前記光透過性基板２０は、合成石英基板を含んでいてもよい。斯かる場合、前記光透過性基板２０は、透過する光の減衰（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）を抑制することができる。

【0102】

前記光透過性基板２０は、適宜な平坦度及び適宜な照度などの表面特性を有するため、透過する光の歪みを抑制することができる。

【0103】

前記遮光膜３０は、光透過性基板２０の上面（ｔｏｐｓｉｄｅ）上に配置されていてもよい。

【0104】

前記遮光膜３０は、光透過性基板２０の下面（ｂｏｔｔｏｍｓｉｄｅ）側に入射する露光光を少なくとも選択的に遮断することができる。

【0105】

また、図１０に示されたように、前記光透過性基板２０と前記遮光膜３０との間に位相反転膜４０などが配置される場合、前記遮光膜３０は、前記位相反転膜４０などをパターンの形状どおりにエッチングする工程でエッチングマスクとして使用することができる。

【0106】

前記遮光膜３０は、遷移金属、酸素及び窒素のうち少なくともいずれかを含んでいてもよい。

【0107】

前記遮光膜３０は、クロム、酸素、窒素、及び炭素を含んでいてもよい。全体遮光膜３０に対する元素別含量は、厚さ方向に互いに異なっていてもよい。全体遮光膜３０に対する元素別含量は、複数層の遮光膜３０である場合、層別に互いに異なっていてもよい。

【0108】

前記遮光膜３０は、クロムを約４４ａｔｏｍ％～約６０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜３０は、クロムを約４７ａｔｏｍ％～約５７ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。

【0109】

前記遮光膜３０は、炭素を約５ａｔｏｍ％～３０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜３０は、炭素を約７ａｔｏｍ％～約２５％ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。

【0110】

前記遮光膜３０は、窒素を約３ａｔｏｍ％～約２０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜３０は、窒素を約５ａｔｏｍ％～約１５ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。

【0111】

前記遮光膜３０は、酸素を約２０ａｔｏｍ％～約４５ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜３０は、酸素を約２５ａｔｏｍ％～約４０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。

【0112】

斯かる場合、前記遮光膜３０は、十分な消光特性を有することができる。

【0113】

図１１に示されたように、前記遮光膜３０は、それぞれ遷移金属と、酸素及び窒素のうち少なくともいずれかを含む第１遮光層３０１及び第２遮光層３０２を含んでいてもよい。

【0114】

前記第２遮光層３０２は、遷移金属を約５０ａｔ％～約８０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層３０２は、遷移金属を約５５ａｔ％～約７５ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層３０２は、遷移金属を約６０ａｔ％～約７０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層３０２において、酸素の含量と窒素の含量を足した値は、約１０ａｔ％～約３０ａｔ％であってもよい。前記第２遮光層３０２において、酸素の含量と窒素の含量を足した値は、約１５ａｔ％～約２５ａｔ％であってもよい。前記第２遮光層３０２は、窒素を約５ａｔ％～約１５ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層２２は、窒素を約７ａｔ％～約１３ａｔ％の含量で含んでいてもよい。

【0115】

前記第１遮光層３０１は、遷移金属を約３０ａｔ％～約６０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、遷移金属を約３５ａｔ％～約５５ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、遷移金属を約４０ａｔ％～約５０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１において、酸素の含量と窒素の含量を足した値は、約４０ａｔ％～約７０ａｔ％であってもよい。前記第１遮光層３０１において、酸素の含量と窒素の含量を足した値は、約４５ａｔ％～約６５ａｔ％であってもよい。前記第１遮光層３０１において、酸素の含量と窒素の含量を足した値は、約５０ａｔ％～約６０ａｔ％であってもよい。前記第１遮光層３０１は、酸素を約２０ａｔ％～約３７ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、酸素を約２３ａｔ％～約３３ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、酸素を約２５ａｔ％～約３０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、窒素を約２０ａｔ％～約３５ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、窒素を約２６ａｔ％～約３３ａｔ％の含量で含んでいてもよい。前記第１遮光層３０１は、窒素を約２６ａｔ％～約３０ａｔ％の含量で含んでいてもよい。

【0116】

前記遷移金属は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、及びＨｆのうち少なくともいずれかを含んでいてもよい。前記遷移金属は、Ｃｒであってもよい。

【0117】

斯かる場合、前記第１遮光層３１は、前記遮光膜３０が優れた消光特性を有するように助けることができる。

【0118】

第１遮光層３１の厚さは、約２５０Å～約６５０Åであってもよい。前記第１遮光層３１の厚さは、約３５０Å～約６００Åであってもよい。前記第１遮光層３１の厚さは、約４００Å～約５５０Åであってもよい。斯かる場合、前記第１遮光層３１は、前記遮光膜３０が露光光を効果的に遮断することを助けることができる。

【0119】

前記第２遮光層３２の厚さは、約３０Å～約２００Åであってもよい。前記第２遮光層３２の厚さは、約３０Å～約１００Åであってもよい。前記第２遮光層３２の厚さは、約４０Å～約８０Åであってもよい。斯かる場合、前記第２遮光層３２は、前記遮光膜３０の消光特性を向上させて、前記遮光膜３０パターニングの際に形成される遮光パターン膜３５の側面の表面プロファイルをさらに精巧に制御することを助けることができる。

【0120】

前記第１遮光層３１の厚さに対する前記第２遮光層３２の厚さの割合は、約０．０５～約０．３であってもよい。前記第１遮光層３１に対する前記第２遮光層３２の厚さの割合は、約０．０７～約０．２５であってもよい。前記第１遮光層３１に対する前記第２遮光層３２の厚さの割合は、約０．１～約０．２であってもよい。

【0121】

斯かる場合、前記遮光膜３０は、十分な消光特性を有し、かつ、遮光膜３０のパターニングの際に形成される遮光パターン膜３５の側面の表面プロファイルをさらに精巧に制御することができる。

【0122】

前記第２遮光層３２の遷移金属の含量は、前記第１遮光層３１の遷移金属の含量よりもさらに大きい値を有していてもよい。

【0123】

前記遮光膜３０をパターニングして形成される遮光パターン膜３５の側面の表面プロファイルをさらに精巧に制御し、欠陥検査における検査光に対する遮光膜３０の表面反射率が検査に適した値を有するようにするために、前記第２遮光層３２は、前記第１遮光層３１に対する遷移金属の含量がさらに大きい値を有することが求められる。

【0124】

但し、斯かる場合、成膜した遮光膜３０を熱処理する過程で、前記第２遮光層３２に含まれた遷移金属は、回復、再結晶、及び結晶粒の成長が発生し得る。遷移金属が高い含量で含まれた第２遮光層３２における結晶粒の成長が発生する場合、成長しすぎた遷移金属の粒子により、遮光膜３０の表面照度の特性が過度に変動し得る。これは、遮光膜３０の表面を高い感度で欠陥検査する場合、擬似欠陥の検出数を高める原因になり得る。

【0125】

前記遮光膜３０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１％～約２％の透過率を有していてもよい。前記遮光膜３０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１．３％～約２％の透過率を有していてもよい。前記遮光膜３０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１．４％～約２％の透過率を有していてもよい。

【0126】

前記遮光膜３０は、約１．８～約３の光学密度を有していてもよい。前記遮光膜３０は、約１．９～約３の光学密度を有していてもよい。

【0127】

斯かる場合、前記遮光膜３０を含む薄膜は、露光光の透過を効果的に抑制することができる。

【0128】

図１２に示されたように、前記光学基板１０は、位相反転膜４０を更に含んでいてもよい。

【0129】

前記位相反転膜４０は、前記光透過性基板２０と前記遮光膜３０との間に配置されていてもよい。前記位相反転膜４０は、透過する露光光の光の強さを減殺して、位相差を調節し、パターンの縁に発生する回折光を実質的に抑制する薄膜であってもよい。

【0130】

前記位相反転膜４０は、波長１９３ｎｍの光に対して約１７０゜～約１９０゜の位相差を有していてもよい。前記位相反転膜４０は、波長１９３ｎｍの光に対して約１７５゜～約１８５゜の位相差を有していてもよい。

【0131】

前記位相反転膜４０は、波長１９３ｎｍの光に対して約３％～約１０％の透過率を有していてもよい。前記位相反転膜４０は、波長１９３ｎｍの光に対して約４％～約８％の透過率を有していてもよい。斯かる場合、前記位相反転膜４０が含まれたフォトマスク２００の解像度が向上し得る。

【0132】

前記位相反転膜４０は、遷移金属及びケイ素を含んでいてもよい。前記位相反転膜４０は、遷移金属、ケイ素、酸素、及び窒素を含んでいてもよい。前記遷移金属は、モリブデンであってもよい。

【0133】

前記遮光膜３０上にハードマスク（不図示）が位置していてもよい。前記ハードマスクは、遮光膜３０のパターンのエッチングに際して、エッチングマスク膜としての働きをすることができる。ハードマスクは、ケイ素、窒素及び酸素を含んでいてもよい。

【0134】

前記光学基板１０の製造方法は、前記光透過成膜上に前記遮光膜３０が形成される段階を含む。前記遮光膜３０は、スパッタリング工程によって形成されていてもよい。

【0135】

前記スパッタリング工程が行われた後、熱処理工程を行うことができる。

【0136】

前記熱処理段階は、約２００℃～約４００℃の温度で行うことができる。

【0137】

前記熱処理段階は、約５分～約３０分間行うことができる。

【0138】

また、前記光学基板１０の製造方法は、前記熱処理工程を経た遮光膜３０を冷却させる段階を更に含んでいてもよい。

【0139】

前記スパッタリングターゲットは、形成しようとする遮光膜３０の組成を考慮して選択することができる。前記スパッタリングターゲットは、遷移金属を含有する１つのターゲットを適用することができる。スパッタリングターゲットは、遷移金属を含有する１つのターゲットを含み、２つ以上のターゲットを適用することができる。遷移金属を含有するターゲットは、遷移金属を９０ａｔｏｍ％以上で含んでいてもよい。遷移金属を含有するターゲットは、遷移金属を９５ａｔｏｍ％以上で含んでいてもよい。遷移金属を含有するターゲットは、遷移金属を９９ａｔｏｍ％で含んでいてもよい。

【0140】

前記遷移金属は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、及びＨｆのうち少なくともいずれかを含んでいてもよい。遷移金属は、Ｃｒを含んでいてもよい。

【0141】

前記雰囲気ガスは、不活性ガス、反応性ガス、及びスパッタリングガスを含んでいてもよい。前記不活性ガスは、成膜した薄膜を構成する元素を含まないガスである。反応性ガスは、成膜した薄膜を構成する元素を含むガスである。

【0142】

前記スパッタリングガスは、プラズマ雰囲気でイオン化して、ターゲットと衝突するガスである。前記不活性ガスは、ヘリウムを含んでいてもよい。

【0143】

前記反応性ガスは、窒素元素を含むガスを含んでいてもよい。前記窒素元素を含むガスは、例示としてＮ_２、ＮＯ、ＮＯ_２、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ_３、Ｎ_２Ｏ_４またはＮ_２Ｏ_５などであってもよい。反応性ガスは、酸素元素を含むガスを含んでいてもよい。

【0144】

前記酸素元素を含むガスは、例示としてＯ_２であってもよい。反応性ガスは、窒素元素を含むガスと、酸素元素を含むガスとを含んでいてもよい。前記反応性ガスは、窒素元素と酸素元素をいずれも含むガスを含んでいてもよい。前記窒素元素と酸素元素をいずれも含むガスは、例示としてＮＯ、ＮＯ_２、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ_３、Ｎ_２Ｏ_４またはＮ_２Ｏ_５などであってもよい。

【0145】

また、前記炭素及び酸素を含む反応性ガスは、ＣＯ_２であってもよい。

【0146】

前記スパッタリングガスは、Ａｒガスであってもよい。

【0147】

前記スパッタリングのターゲットに電力を加える電源は、ＤＣ電源を用いることができ、ＲＦ電源を用いることもできる。

【0148】

その後、前記冷却した遮光膜３０は、洗浄することができる。前記洗浄工程は、紫外線の照射工程及び／またはリンス工程を含んでいてもよい。

【0149】

前記紫外線の照射工程は、前記遮光膜３０に紫外線を照射する段階を含んでいてもよい。

【0150】

前記リンス工程は、前記遮光膜３０に洗浄液を処理する段階を含む。前記洗浄液は、脱イオン水、水素水、オゾン水または炭酸水のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。前記洗浄液は、前記炭酸水を含んでいてもよい。

【0151】

前記光学基板１０は、前記チャンバ１００内に配置されていてもよい。前記光学基板１０は、前記チャック２００に臨時固定されていてもよい。前記光学基板１０は、前記収容部内に配置されていてもよい。前記光学基板１０は、前記チャック２００に安着していてもよい。

【0152】

図１３に示されたように、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光学基板１０上にフォトレジスト層５０を形成する段階を含む。

【0153】

前記フォトレジスト層５０が形成されるために、前記チャンバ１００の蓋によって、前記チャンバ１００の内部は、外部と隔離される。その後、前記チャック２００が高速回転される状態で、前記フォトレジスト樹脂組成物の供給部５００によって、前記光学基板１０の上面に前記フォトレジスト樹脂組成物がドロップして、コートされる。これによって、前記光学基板１０上にフォトレジスト樹脂組成物層が形成されていてもよい。

【0154】

実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光学基板１０の側面１２と前記チャック２００との間の空間から、前記フォトレジスト層５０を形成する過程で発生する工程副産物５１１を前記圧縮空気によって排出する段階を含む。

【0155】

前記光学基板１０上に前記フォトレジスト樹脂組成物がコートされるとき、前記第１エアポンプ３００は、前記副産物の除去部２３０に前記圧縮空気を供給することができる。これによって、前記光学基板１０の側面１２と前記チャック２００との間の空間２５０から前記工程副産物５１１を除去することができる。すなわち、前記光学基板１０の側面１２と前記ガイド部２２０との間の空間２５０から、前記工程副産物５１１が前記副産物の除去部２３０によって排出されていてもよい。

【0156】

前記光学基板１０上に前記フォトレジスト樹脂組成物がコートされるとき、前記真空部３００は、前記副産物の除去部２３０に前記真空圧を印加することができる。これによって、前記光学基板１０の側面１２と前記チャック２００との間の空間２５０から前記工程副産物５１１を除去することができる。すなわち、前記光学基板１０の側面１２と前記ガイド部２２０との間の空間２５０から、前記工程副産物５１１が前記副産物の除去部２３０によって排出されていてもよい。

【0157】

前記工程副産物５１１を除去する段階と、前記チャック２００によって前記光学基板１０を高速回転させる段階は、同時に行うことができる。すなわち、前記フォトレジスト層５０を形成するための工程と、前記工程副産物５１１を排出するための工程は、同時に行うことができる。

【0158】

前記フォトレジスト樹脂組成物は、バインダー樹脂、感光性樹脂、及び有機溶剤を含んでいてもよい。

【0159】

前記バインダー樹脂の例では、ノボラック樹脂、フェノール系樹脂、エポキシ樹脂またはポリイミド系樹脂などが挙げられる。前記バインダー樹脂の例では、ポリビニルピロリドン（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｐｙｒｏｌｉｄｏｎｅ）またはポリ（アクリルアミド－コ－ジアセトンアクリルアミド）［ｐｏｌｙ（ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ－ｃｏ－ｄｉａｃｅｔｏｎｅａｃｒｙｌａｍｉｄｅ）］などが挙げられる。

【0160】

前記感光性樹脂は、感光剤を含んでいてもよい。

【0161】

前記感光剤の例では、４，４'－ジアジド－２，２'－スチルベンジスルホン酸ナトリウム塩、４，４'－ジアゾ－２，２'－ジベンジリデンアセトンジスルホン酸二ナトリウム塩、２，５－ビス（４－アジド－２－スルホベンジリデン）シクロペンタノン二ナトリウム塩、または４，４'－ジアジド－２，２'－スチルベンジスルホン酸ナトリウム塩（４，４'－ｄｉａｚｉｄｏ－２，２'－ｄｉｃｉｎｎａｍｙｌｉｄｅｎｅａｃｅｔｏｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅｓａｌｔ，ＤＡＣＡ）からなるグループから少なくとも１つ以上を選択することができる。

【0162】

前記溶媒は、エチルアセテート、ブチルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、エチルラクテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、ジエチレングリコールメチルアセテート、ジエチレングリコールエチルアセテート、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、γ－ブチロラクトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジグリム（Ｄｉｇｌｙｍｅ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、メタノール、エタノ－ル、プロパノール、イソプロパノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、及びオクタンからなるグループから少なくとも１つ以上を選択することができる。

【0163】

前記フォトレジスト樹脂組成物は、前記バインダー樹脂を約３ｗｔ％～約５０ｗｔ％の含量で含み、前記感光剤を約２ｗｔ％～約４０ｗｔ％の含量で含み、前記溶媒を約１０ｗｔ％～約９４ｗｔ％の含量で含んでいてもよい。

【0164】

前記フォトレジスト樹脂組成物は、レベリング剤または接着補助剤などのような添加剤を更に含んでいてもよい。

【0165】

これによって、前記光学基板１０上に形成されたフォトレジスト樹脂組成物層が乾燥して、前記溶媒が除去される。これによって、図１３に示したように、前記光学基板１０上に前記フォトレジスト層５０が形成されていてもよい。これによって、前記光学基板１０及び前記フォトレジスト層５０を含むブランクマスクを製造することができる。

【0166】

前記フォトレジスト層５０に光が選択的に照射して、前記遮光膜は、選択的にエッチングされ、遮光パターン膜３５が形成されていてもよい。

【0167】

図１４に示されたように、前記光透過性基板２０及び前記光透過性基板２０上に配置される前記遮光パターン膜３５を含むフォトマスク２が形成されていてもよい。

【0168】

前記遮光パターン膜３５は、遷移金属、酸素及び窒素の少なくともいずれかを含む。

【0169】

前記遮光パターン膜３５は、前述したブランクマスク１００の遮光膜３０をパターニングして形成されていてもよい。

【0170】

前記遮光パターン膜３５の物性、組成及び構造などに関する説明は、ブランクマスク１の遮光膜３０に関する説明と重複するため、省略する。

【0171】

実施例による半導体素子の製造方法は、光源、フォトマスク２及びレジスト膜が塗布された半導体ウエハを配置する準備段階と、前記フォトマスク２を介して前記光源から入射した光を、前記半導体ウエハ上に選択的に透過させて出射する露光段階と、前記半導体ウエハ上にパターンを現像する現像段階と、を含む。

【0172】

前記フォトマスク２は、光透過性基板２０と、前記光透過性基板２０上に配置される遮光パターン膜３５とを含む。

【0173】

前記遮光パターン膜３５は、遷移金属、酸素、窒素、及び炭素のうち少なくともいずれかを含む。

【0174】

前記準備段階において、光源は、短波長の露光光を発生させる装置である。露光光は、波長２００ｎｍ以下の光であってもよい。露光光は、波長１９３ｎｍであるＡｒＦ光であってもよい。

【0175】

前記フォトマスク２と半導体ウエハとの間にレンズがさらに配置されていてもよい。レンズは、フォトマスク２上の回路パターンの形状を縮小して、半導体ウエハ上に転写する働きをする。レンズは、ＡｒＦ半導体ウエハの露光工程に一般に適用できるものであれば、限定されない。例示として、前記レンズは、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）からなるレンズを適用することができる。

【0176】

前記露光段階において、フォトマスク２を介して半導体ウエハ上に露光光を選択的に透過させることができる。斯かる場合、レジスト膜のうち露光光が入射した部分における化学的変性が発生し得る。

【0177】

前記現像段階において、露光段階を終えた半導体ウエハを現像溶液で処理して、半導体ウエハ上にパターンを現像することができる。塗布されたレジスト膜がポジ型レジスト（ｐｏｓｉｔｉｖｅｒｅｓｉｓｔ）である場合、レジスト膜のうち露光光が入射した部分は、現像溶液によって溶解し得る。塗布されたレジスト膜がネガ型レジスト（ｎｅｇａｔｉｖｅｒｅｓｉｓｔ）である場合、レジスト膜のうち露光光が入射していない部分は、現像溶液によって溶解し得る。現像溶液による処理によってレジスト膜は、レジストパターンに形成される。前記レジストパターンをマスクとして、半導体ウエハ上にパターンを形成することができる。

【0178】

前記フォトマスク２に関する説明は、上記内容と重複するため、省略する。

【0179】

実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光透過性基板２０の側面１２に前記飛沫の吸着５１を最小化することができる。また、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光透過性基板２０の下面１３に前記飛沫の吸着５２を最小化することができる。すなわち、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光透過性基板２０の側面１２及び／または下面１３に、前記飛沫によって形成される飛沫状の吸着５１，５２を最小化することができる。

【0180】

これによって、前記飛沫状の吸着５１は、前記光透過性基板２０の側面１２で存在しないことがある。また、前記飛沫状の吸着５２は、前記光透過性基板２０の下面１３で存在していなくてもよい。すなわち、前記飛沫状の吸着５１，５２は、前記光透過性基板２０の側面１２及び下面１３で０個であってもよい。

【0181】

これとは異なり、図１５～図１６に示されたように、前記飛沫状の吸着５１は、前記光透過性基板２０の側面１２上に形成されていてもよい。

【0182】

前記飛沫状の吸着５１は、前記光透過性基板２０の側面１２に液状の飛沫が吸着して形成されていてもよい。前記液状の飛沫は、前述した微細粒子であってもよい。すなわち、前記フォトレジスト組成物が微細粒子に飛散して、前記光透過性基板２０の側面１２に蒸着し、前記飛沫状の吸着５１が形成されていてもよい。

【0183】

また、図１７に示されたように、前記飛沫状の吸着５２は、前記光透過性基板２０の下面１３に形成されていてもよい。

【0184】

前記飛沫状の吸着５２は、前記光透過性基板２０の下面１３に前記液状の飛沫が吸着して形成されていてもよい。すなわち、前記フォトレジスト組成物が微細粒子に飛散して、前記光透過性基板２０の下面に蒸着し、前記飛沫状の吸着５２が形成されていてもよい。

【0185】

前記飛沫状の吸着５１，５２は、前記フォトレジスト組成物を含む。前記フォトレジスト層と実質的に同じ物質を含んでいてもよい。

【0186】

前記飛沫状の吸着５１，５２は、曲面を有していてもよい。前記飛沫状の吸着５１，５２は、前記吸着した面に対して、反対面に曲面が形成されていてもよい。

【0187】

前記飛沫状の吸着５１，５２は、島状を有していてもよい。前記飛沫状の吸着５１，５２の直径（ＤＡ）は、約０．０１μｍ～約１０μｍであってもよい。

【0188】

前記光透過性基板２０の側面１２において、前記飛沫状の吸着５１の個数は、約４個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の側面１２において、前記飛沫状の吸着５１の個数は、約３個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の側面１２における前記飛沫状の吸着５１の個数は、約２．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の側面１２における前記飛沫状の吸着５１の個数は、約２個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の側面１２における前記飛沫状の吸着５１の個数は、約１．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の側面１２における前記飛沫状の吸着５１の個数は、約１個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0189】

前記光透過性基板２０の側面１２における前記飛沫状の吸着５１の個数の最小値は、約０．００５個／ｃｍ^２であってもよい。

【0190】

前記光透過性基板２０の下面１３における前記飛沫状の吸着５２の個数は、約５個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の下面１３における前記飛沫状の吸着５２の個数は、約４個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の下面１３における前記飛沫状の吸着５２の個数は、約３．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の下面１３における前記飛沫状の吸着５２の個数は、約３個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の下面１３における前記飛沫状の吸着５２の個数は、約２．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の下面１３における前記飛沫状の吸着５２の個数は、約２個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の下面１３における前記飛沫状の吸着５２の個数は、約１．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の下面１３における前記飛沫状の吸着５２の個数は、約１個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0191】

前記光透過性基板２０の下面１３における前記飛沫状の吸着５２の個数の最小値は、約０．００５個／ｃｍ^２であってもよい。

【0192】

前記飛沫状の吸着５１，５２は、約０．０１μｍ以上かつ約０．０４μｍ未満の直径を有する第１飛沫状の吸着を含んでいてもよい。

【0193】

前記光透過性基板２０の側面１２における前記第１飛沫状の吸着の個数は、約２個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の側面１２における前記第１飛沫状の吸着の個数は、約１．８個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0194】

前記光透過性基板２０の側面１２における前記第１飛沫状の吸着の個数の最小値は、約０．００５個／ｃｍ^２であってもよい。

【0195】

前記光透過性基板２０の下面１３における前記第１飛沫状の吸着の個数は、約２．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の下面１３における前記第１飛沫状の吸着の個数は、約２個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0196】

前記光透過性基板２０の下面１３における前記第１飛沫状の吸着の個数の最小値は、約０．００５個／ｃｍ^２であってもよい。

【0197】

前記飛沫状の吸着５１，５２は、約０．０４μｍ以上かつ約０．３μｍ未満の直径を有する第２飛沫状の吸着を含んでいてもよい。

【0198】

前記光透過性基板２０の側面１２における前記第２飛沫状の吸着の個数は、約１個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の側面１２における前記第２飛沫状の吸着の個数は、約０．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0199】

前記光透過性基板２０の側面１２における前記第２飛沫状の吸着の個数の最小値は、約０．００５個／ｃｍ^２であってもよい。

【0200】

前記光透過性基板２０の下面１３における前記第２飛沫状の吸着の個数は、約１個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の下面１３における前記第２飛沫状の吸着の個数は、約０．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0201】

前記光透過性基板２０の下面１３における前記第２飛沫状の吸着の個数の最小値は、約０．００５個／ｃｍ^２であってもよい。

【0202】

前記飛沫状の吸着５１，５２は、約０．３μｍ以上かつ約３μｍ未満の直径を有する第３飛沫状の吸着を含んでいてもよい。

【0203】

前記光透過性基板２０の側面１２における前記第３飛沫状の吸着の個数は、約１個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の側面１２における前記第３飛沫状の吸着の個数は、約０．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0204】

前記光透過性基板２０の側面１２における前記第３飛沫状の吸着の個数の最小値は、約０個／ｃｍ^２であってもよい。

【0205】

前記光透過性基板２０の下面１３における前記第３飛沫状の吸着の個数は、約１個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の下面１３における前記第３飛沫状の吸着の個数は、約０．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0206】

前記光透過性基板２０の下面１３における前記第３飛沫状の吸着の個数の最小値は、約０個／ｃｍ^２であってもよい。

【0207】

前記飛沫状の吸着５１，５２は、約３μｍ以上かつ約１０μｍ未満の直径を有する第４飛沫状の吸着を含んでいてもよい。

【0208】

前記光透過性基板２０の側面１２における前記第４飛沫状の吸着の個数は、約１個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の側面１２における前記第４飛沫状の吸着の個数は、約０．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0209】

前記光透過性基板２０の側面１２における前記第４飛沫状の吸着の個数の最小値は、約０個／ｃｍ^２であってもよい。

【0210】

前記光透過性基板２０の下面１３における前記第４飛沫状の吸着の個数は、約１個／ｃｍ^２未満であってもよい。前記光透過性基板２０の下面１３における前記第４飛沫状の吸着の個数は、約０．５個／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0211】

前記光透過性基板２０の下面１３における前記第４飛沫状の吸着の個数の最小値は、約０個／ｃｍ^２であってもよい。

【0212】

実施例によるブランクマスクは、上記のように、前記飛沫状の吸着５１，５２を最小化するため、光学的歪みを最小化することができる。特に、実施例によるブランクマスクは、上記のように、相対的に大きな飛沫状の吸着を最小化するため、光学的歪みをさらに最小化することができる。

【0213】

実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記フォトレジスト層を形成する段階で発生する飛沫を除去する段階を含む。これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光透過性基板２０の側面１２及び／または下面１３が、前記飛沫などのような工程副産物によって汚染することを防止することができる。

【0214】

特に、実施例によるブランクマスクの製造方法は、圧縮空気または真空圧を用いて、前記フォトレジスト層を形成するためフォトレジスト組成物から飛散する飛沫を前記光透過性基板２０の側面１２から除去することができる。

【0215】

これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記飛沫が前記光透過性基板２０の側面１２及び下面１３に吸着することを効果的に防止することができる。

【0216】

これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、光透過性基板２０の側面１２における飛沫状の吸着５１が３個／ｃｍ^２未満であるブランクマスクを提供することができる。また、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記光透過性基板２０の下面１３における前記飛沫状の吸着５２が４個／ｃｍ^２未満であるブランクマスクを提供することができる。

【0217】

これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記飛沫状の吸着５１，５２による光学的歪みを最小化することができる。これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、向上した光学的性能を有することができる。

【0218】

また、実施例によるブランクマスクの製造方法は、上記のように、前記飛沫状の吸着５１，５２を抑制するため、前記光透過性基板２０の側面１２及び下面１３に吸着した飛沫を除去するための追加工程を用いない。

【0219】

【0220】

実施例によるブランクマスクは、前記光透過性基板２０の側面１２及び下面１３における前記飛沫状の吸着５１，５２の個数が少ないため、光学的歪みを最小化することができ、向上した光学的性能を有することができる。

【0221】

以上では、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明の権利範囲は、これに限定されるものではなく、下記の請求範囲に定義する本発明の基本概念を利用した、当業者による様々な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属するものである。

【0222】

実施例１
レジストコートは、ＦＥＰ１７１（ＦＵＪＩＦＩＬＭＡｒｃｈＣｏ，Ｌｔｄ製）８．５％溶液を用いて行われた。ＦＥＰ１７１は、陽電子ビームレジストであり、溶液の溶媒は、８対２の割合のＰＧＭＥＡ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｌｙｅｔｈｅｒａｃｅｔａｔｅ）と、ＰＧＭＥ（ｐｒｏｐｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）との混合溶液である。

【0223】

約６インチ×約６インチのサイズを有する石英基板が使用され、前記石英基板は、０．２５インチの厚さを有する。前記石英基板は、支持部上に、ガイド部の内側に安着した。前記ガイド部と前記石英基板との間の間隔は、０．５ｍｍであり、前記ガイド部と前記石英基板との高さ差は、０．５ｍｍであった。

【0224】

また、前記支持部の外郭に沿って約１ｍｍの直径を有する貫通孔が約２５ｍｍのピッチに配置される。前記貫通孔を介して、約３ｍｌ／秒の速度で圧縮空気が継続して噴射されている。

【0225】

前記石英基板上に前記ＦＥＰ１７１溶液がドロップされた後、主な回転速度は、約７５０ｒｐｍ～約１７５０ｒｐｍの範囲内における２５０ｒｐｍ間隔（５個条件）で段階的に変化し、主な回転時間は、１～５秒の範囲内における１秒間隔（５個条件）で段階的に変化した。乾燥回転速度は、３００ｒｐｍと固定された。

【0226】

これによって、フォトレジスト層が形成された光学基板が製造された。

【0227】

実施例２～５及び比較例
下記の表１のように、圧縮空気の速度が調節されている。他の工程は、実施例１を参照している。

【0228】

【表1】