特開 2024-153599 ブランクマスク及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024153599

(43)【公開日】2024-10-29

(54)【発明の名称】ブランクマスク及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   G03F 1/54 20120101AFI20241022BHJP

   G03F 1/32 20120101ALI20241022BHJP

   G03F 1/82 20120101ALI20241022BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20241022BHJP

   G03F 1/58 20120101ALI20241022BHJP

【ＦＩ】

G03F1/54

G03F1/32

G03F1/82

H01L21/304 647Z

G03F1/58

【審査請求】有

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2024066246

(22)【出願日】2024-04-16

(31)【優先権主張番号】10-2023-0050359

(32)【優先日】2023-04-17

(33)【優先権主張国・地域又は機関】KR

(71)【出願人】

【識別番号】505232852

【氏名又は名称】エスケー エンパルス カンパニー リミテッド

【氏名又は名称原語表記】ＳＫ ｅｎｐｕｌｓｅ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．

【住所又は居所原語表記】１０４３，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄａｅｒｏ，Ｐｙｅｏｎｇｔａｅｋ－ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ－ｄｏ １７７８４， Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ

(74)【代理人】

【識別番号】110001139

【氏名又は名称】ＳＫ弁理士法人

(74)【代理人】

【識別番号】100130328

【弁理士】

【氏名又は名称】奥野 彰彦

(74)【代理人】

【識別番号】100130672

【弁理士】

【氏名又は名称】伊藤 寛之

(72)【発明者】

【氏名】キム、テワン

(72)【発明者】

【氏名】イ、ゴンゴン

(72)【発明者】

【氏名】ジョン、ミンギョ

(72)【発明者】

【氏名】イ、ヒョンジュ

(72)【発明者】

【氏名】キム、テヨン

【テーマコード（参考）】

2H195

5F157

【Ｆターム（参考）】

2H195BA02

2H195BA07

2H195BB03

2H195BB19

2H195BB35

2H195BC05

2H195BC11

5F157AA44

5F157AA45

5F157BB01

5F157BE42

5F157DA43

(57)【要約】      （修正有）

【課題】欠陥の発生が少なく、向上した使用回数を有し、高い精密度を有するフォトマスクを製造するブランクマスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ブランクマスク１００は、光透過性基板１０と、光透過性基板上に位置する遮光膜２０とを含む。ブランクマスクの製造方法は、光透過性基板上に遮光膜を形成する段階と、遮光膜を洗浄液に洗浄する段階とを含み、洗浄段階における遮光膜の厚さ変化は、１５ｎｍ未満である。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

光透過性基板上に遮光膜を形成する段階と、
前記遮光膜を洗浄液で洗浄する段階と、
を含み、
上記洗浄段階における前記遮光膜の厚さ変化は、１５ｎｍ未満である、
ブランクマスクの製造方法。

【請求項2】

前記光透過性基板上に位相反転膜を形成する段階を更に含み、
前記遮光膜は、前記位相反転膜上に形成される、
請求項１に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項3】

全体表面におけるハロゲンイオンの含量は、０．１ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、窒素系イオンの含量は、３ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、硫黄系イオンの含量は、０．１ｎｇ／ｃｍ^２未満である、
請求項１に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項4】

前記ハロゲンイオンは、塩素系イオンを含み、前記窒素系イオンは、亜硝酸イオン、窒酸イオン及びアンモニアを含み、前記硫黄系イオンは、硫酸イオンを含む、
請求項３に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項5】

前記洗浄液は、炭酸水を含む、
請求項１に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項6】

上記洗浄段階における前記遮光膜の透過率変化は、０．０５％未満である、
請求項５に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項7】

上記洗浄段階における前記遮光膜の光学密度変化は、０．０７未満である、
請求項６に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項8】

上記洗浄段階における前記遮光膜の反射率変化は、０．５％未満である、
請求項７に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項9】

上記洗浄段階における前記遮光膜の厚さ変化は、０．３ｎｍ～３ｎｍである、
請求項１に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項10】

前記遮光膜は、
前記光透過性基板上に配置される第１遮光層と、
前記第１遮光層上に配置される第２遮光層と、
を含み、
前記第２遮光層は、２０ａｔｏｍ％～４０ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、３０ａｔｏｍ％～５０ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、及び２０ａｔｏｍ％～４０ａｔｏｍ％の含量で酸素元素を含む、
請求項９に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項11】

前記第１遮光層は、１０ａｔｏｍ％～３０ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、６０ａｔｏｍ％～９０ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、及び０．５ａｔｏｍ％～１０ａｔｏｍ％の含量で酸素元素を含む、
請求項１０に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項12】

前記第２遮光層は、５ａｔｏｍ％未満の含量で炭素元素を含む、
請求項１０に記載のブランクマスクの製造方法。

【請求項13】

光透過性基板と、
前記光透過性基板上に配置される遮光膜と、
を含み、
全体表面におけるハロゲンイオンの含量は、０．０５ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、窒素系イオンの含量は、２ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、硫黄系イオンの含量は、０．１ｎｇ／ｃｍ^２未満である、
ブランクマスク。

【請求項14】

下記の測定方法で測定される遮光膜の厚さ変化は、１５ｎｍ未満である、
請求項１３に記載のブランクマスク。
［測定方法］
２０００ｍｇ／ｌの炭酸濃度を有する炭酸水に１０分間、前記遮光膜が浸漬し、前記遮光膜の厚さ変化は、前記遮光膜における浸漬前の厚さと浸漬後の厚さとの差である。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

実施例は、ブランクマスク及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスなどの高集積化により、半導体デバイスの回路パターンの微細化が求められている。これにより、ウエハの表面上にフォトマスクを用いて回路パターンを現像する技術である、リソグラフィ技術の重要性がさらに強調されている。

【0003】

微細化した回路パターンを現像するためには、露光工程で使用される露光光源の短波長化が要求される。近年、使用される露光光源では、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）などがある。

【0004】

一方、フォトマスクには、バイナリマスク（Ｂｉｎａｒｙ ｍａｓｋ）と位相シフトマスク（Ｐｈａｓｅ ｓｈｉｆｔ ｍａｓｋ）などがある。

【0005】

バイナリマスクは、光透過性基板上に遮光層パターンが形成された構成を有する。バイナリマスクは、パターンが形成された面において、遮光層を含まない透過部は、露光光を透過させ、遮光層を含む遮光部は、露光光を遮断することによって、ウエハの表面のレジスト膜上にパターンを露光させる。但し、バイナリマスクは、パターンが微細化するほど、露光工程で透過部の縁で発生する光の回折によって、微細パターンの現像に問題が発生し得る。

【0006】

位相シフトマスクでは、レベンソン型（Ｌｅｖｅｎｓｏｎ ｔｙｐｅ）、アウトリガー型（Ｏｕｔｒｉｇｇｅｒ ｔｙｐｅ）、ハーフトーン型（Ｈａｌｆ－ｔｏｎｅ ｔｙｐｅ）がある。そのうち、ハーフトーン型の位相シフトマスクは、光透過性基板１０上に、半透過膜で形成されたパターンが形成された構成を有する。ハーフトーン型の位相シフトマスクは、パターンが形成された面において、半透過層を含まない透過部は、露光光を透過させ、半透過層を含む半透過部は、減衰した露光光を透過させる。前記減衰した露光光は、透過部を通過した露光光に比べて位相差を有するようになる。これにより、透過部の縁で発生する回折光は、半透過部を透過した露光光によって相殺して、位相シフトマスクは、ウエハの表面にさらに精巧かつ微細なパターンを形成することができる。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0007】

これに関連する先行文献は、次のとおりである。

【特許文献1】韓国公開特許第１０－２０１２－００５７４８８号

【特許文献2】韓国公開特許第１０－２０１４－０１３０４２０号

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0008】

実施例は、欠陥の発生が少なく、向上した使用回数を有し、高い精密度を有するフォトマスクを提供することができる、ブランクマスク及びその製造方法を提供しようとする。

【課題を解決するための手段】

【0009】

実施例によるブランクマスクの製造方法は、光透過性基板上に遮光膜を形成する段階と、前記遮光膜を洗浄液で洗浄する段階とを含み、上記洗浄段階における前記遮光膜の厚さ変化は、１５ｎｍ未満であってもよい。

【0010】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記光透過性基板上に位相反転膜を形成する段階を更に含み、前記遮光膜は、前記位相反転膜上に形成されていてもよい。

【0011】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記ブランクマスクの全体表面におけるハロゲンイオンの含量は、０．１ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、窒素系イオンの含量は、３ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、硫黄系イオンの含量は、０．１ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0012】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記ハロゲンイオンは、塩素系イオンを含み、前記窒素系イオンは、亜硝酸イオン、窒酸イオン及びアンモニアを含み、前記硫黄系イオンは、硫酸イオンを含んでいてもよい。

【0013】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記洗浄液は、炭酸水を含んでいてもよい。

【0014】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、上記洗浄段階における前記遮光膜の透過率変化は、０．０５％未満であってもよい。

【0015】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、上記洗浄段階における前記遮光膜の光学密度変化は、０．０７未満であってもよい。

【0016】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、上記洗浄段階における前記遮光膜の反射率変化は、０．５％未満であってもよい。

【0017】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、上記洗浄段階における前記遮光膜の厚さ変化は、０．３ｎｍ～３ｎｍであってもよい。

【0018】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記遮光膜は、前記光透過性基板上に配置される第１遮光層と、前記第１遮光層上に配置される第２遮光層とを含み、前記第２遮光層は、２０ａｔｏｍ％～４０ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、３０ａｔｏｍ％～５０ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、及び２０ａｔｏｍ％～４０ａｔｏｍ％の含量で酸素元素を含んでいてもよい。

【0019】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記第１遮光層は、１０ａｔｏｍ％～３０ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、６０ａｔｏｍ％～９０ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、及び０．５ａｔｏｍ％～１０ａｔｏｍ％の含量で酸素元素を含んでいてもよい。

【0020】

一実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記第２遮光層は、５ａｔｏｍ％未満の含量で炭素元素を含んでいてもよい。

【0021】

実施例によるブランクマスクは、光透過性基板と、前記光透過性基板上に配置される遮光膜とを含み、全体表面におけるハロゲンイオンの含量は、０．０５ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、窒素系イオンの含量は、２ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、硫黄系イオンの含量は、０．１ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0022】

一実施例によるブランクマスクにおいて、下記の測定方法で測定される遮光膜の厚さ変化は、１５ｎｍ未満であってもよい。

【0023】

［測定方法］
２０００ｍｇ／ｌの炭酸濃度を有する炭酸水に１０分間、前記遮光膜が浸漬し、前記遮光膜の厚さ変化は、前記遮光膜における浸漬前の厚さと浸漬後の厚さとの差である。

【0024】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記遮光膜の透過率変化は、０．０５％未満であり、前記遮光膜の光学密度変化は、０．０７未満であり、前記遮光膜の反射率変化は、０．５％未満であり、前記透過率変化は、前記遮光膜における浸漬前の透過率と浸漬後の透過率との差であり、前記光学密度変化は、前記遮光膜における浸漬前の光学密度と浸漬後の光学密度との差であり、前記反射率変化は、前記遮光膜における浸漬前の反射率と浸漬後の反射率との差であってもよい。

【0025】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記遮光膜は、前記光透過性基板上に配置される第１遮光層と、前記第１遮光層上に配置される第２遮光層とを含み、前記第２遮光層は、２０ａｔｏｍ％～４０ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、３０ａｔｏｍ％～５０ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、及び２０ａｔｏｍ％～４０ａｔｏｍ％の含量で酸素元素を含んでいてもよい。

【0026】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記第１遮光層は、１０ａｔｏｍ％～３０ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、６０ａｔｏｍ％～９０ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、及び０．５ａｔｏｍ％～１０ａｔｏｍ％の含量で酸素元素を含んでいてもよい。

【0027】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記遮光膜の厚さ変化は、０．３ｎｍ～３ｎｍであってもよい。

【0028】

一実施例によるブランクマスクにおいて、前記遮光膜の厚さ変化は、０．１ｎｍ～１ｎｍであってもよい。

【0029】

実施例によるフォトマスクは、光透過性基板と、前記光透過性基板上に配置される遮光膜とを含み、全体表面におけるハロゲンイオンの含量は、０．０５ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、窒素系イオンの含量は、２ｎｇ／ｃｍ^２未満であり、硫黄系イオンの含量は、０．１ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。

【発明の効果】

【0030】

実施例によるブランクマスクの製造方法は、洗浄段階における厚さ変化を最小化する。また、実施例によるブランクマスクの製造方法は、洗浄段階における透過率変化を最小化することができる。実施例によるブランクマスクの製造方法は、上記洗浄段階における光学密度変化を最小化することができる。実施例によるブランクマスクの製造方法は、上記洗浄段階における反射率変化を最小化することができる。

【0031】

これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、表面におけるイオン濃度が低くてもよい。実施例によるブランクマスクの表面におけるハロゲンイオン、窒素系イオン及び硫黄系イオン濃度は、低くてもよい。

【0032】

実施例によるブランクマスクの製造方法において、前記洗浄液は、炭酸水を含んでいてもよい。これによって、実施例によるブランクマスクの製造方法は、前記洗浄段階における前記厚さ変化、前記透過率変化、前記光学密度変化、前記反射率変化を最小化しつつ、前記ハロゲンイオン、前記窒素イオン及び前記硫黄系イオン濃度を減少させることができる。

【図面の簡単な説明】

【0033】

【図1】一実施例によるブランクマスクの一断面を示した断面図である。

【図2】他の実施例によるブランクマスクの一断面を示した断面図である。

【図3】さらに他の実施例によるブランクマスクの一断面を示した断面図である。

【図4】一実施例によるフォトマスクの一断面を示した断面図である。

【図5】実施例によるブランクマスクが洗浄される過程を示した図である。

【発明を実施するための形態】

【0034】

以下では、具現例の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように、実施例について詳説する。しかしながら、具現例は、互いに異なる様々な形態に具現され得、ここで説明する実施例に限定されない。

【0035】

本明細書で使われる程度の用語「約」、「実質的に」などは、言及された意味に固有な製造及び物質の許容誤差が提示されるとき、その数値における、またはその数値に近い意味に使われ、具現例を理解するために正確あるいは絶対的な数値が言及された開示の内容が、非良心的な侵害者によって不当に利用されることを防止するために使われる。

【0036】

本明細書の全体において、マーカッシュ形式の表現に含まれた「これらの組み合わせ」の用語は、マーカッシュ形式の表現に記載の構成要素からなる群から選択される１つ以上の混合または組み合わせを意味するものであって、上記構成要素からなる群から選択される１つ以上を含むことを意味する。

【0037】

本明細書の全体において、「Ａ及び／またはＢ」の記載は、「Ａ、Ｂ、または、Ａ及びＢ」を意味する。

【0038】

本明細書の全体において、「第１」、「第２」または「Ａ」、「Ｂ」のような用語は、特に説明がない限り、同じ用語を互いに区別するために使われる。

【0039】

本明細書において、Ａ上にＢが位置するという意味は、Ａ上にＢが位置するか、その間に他の層が位置しつつＡ上にＢが位置するか、位置してもよいことを意味し、Ａの表面に当接してＢが位置することに限定して解釈されない。

【0040】

本明細書における単数の表現は、特に説明がなければ、文脈上に解釈される単数または複数を含む意味に解釈される。

【0041】

図１は、一実施例によるブランクマスクの一断面を示した断面図である。図２は、他の実施例によるブランクマスクの一断面を示した断面図である。図３は、さらに他の実施例によるブランクマスクの一断面を示した断面図である。図４は、一実施例によるフォトマスクの一断面を示した断面図である。図５は、実施例によるブランクマスクが洗浄される過程を示した図である。

【0042】

実施例によるブランクマスク１００は、光透過性基板１０と、前記光透過性基板１０上に位置する遮光膜２０とを含む。

【0043】

前記光透過性基板１０は、露光光に対する光透過性を有していてもよい。前記光透過性基板１０は、約１９３ｎｍの波長の露光光に対して、約８５％超の透過率を有していてもよい。前記光透過性基板２０の透過率は、約８７％超であってもよい。前記光透過性基板１０の透過率は、９９．９９％未満であってもよい。前記光透過性基板１０は、合成石英基板を含んでいてもよい。斯かる場合、前記光透過性基板１０は、透過する光の減衰（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ）を抑制することができる。

【0044】

前記光透過性基板１０は、適宜な平坦度及び適宜な照度などの表面特性を有するため、透過する光の歪みを抑制することができる。

【0045】

前記遮光膜２０は、光透過性基板１０の上面（ｔｏｐ ｓｉｄｅ）上に配置されていてもよい。

【0046】

前記遮光膜２０は、光透過性基板１０の下面（ｂｏｔｔｏｍ ｓｉｄｅ）側に入射する露光光を少なくとも選択的に遮断することができる。

【0047】

また、図２に示したように、前記光透過性基板１０と前記遮光膜２０との間に位相反転膜３０などが配置される場合、前記遮光膜２０は、前記位相反転膜３０などをパターンの形状どおりにエッチングする工程でエッチングマスクとして使用することができる。

【0048】

前記遮光膜２０は、遷移金属、酸素及び窒素のうち少なくともいずれかを含んでいてもよい。

【0049】

前記遮光膜２０は、クロム、酸素、窒素、及び炭素を含んでいてもよい。全体遮光膜２０に対する元素別含量は、厚さ方向に互いに異なっていてもよい。全体遮光膜２０に対する元素別含量は、複数層の遮光膜２０である場合、層別に互いに異なっていてもよい。

【0050】

前記遮光膜２０は、クロムを約４４ａｔｏｍ％～約６０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜２０は、クロムを約４７ａｔｏｍ％～約５７ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。

【0051】

前記遮光膜２０は、炭素を約５ａｔｏｍ％～３０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜２０は、炭素を約７ａｔｏｍ％～約２５％ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。

【0052】

前記遮光膜２０は、窒素を約３ａｔｏｍ％～約２０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜２０は、窒素を約５ａｔｏｍ％～約１５ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜２０は、酸素を約２０ａｔｏｍ％～約４５ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記遮光膜２０は、酸素を約２５ａｔｏｍ％～約４０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。

【0053】

前記遮光膜２０の上部は、約６ａｔｏｍ％～約１６ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、約２６ａｔｏｍ％～約４６ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、約３７ａｔｏｍ％～約４７ａｔｏｍ％の含量で酸素元素、及び約４ａｔｏｍ％～約１４ａｔｏｍ％の含量で炭素元素を含んでいてもよい。

【0054】

前記遮光膜２０の上部は、約１６ａｔｏｍ％～約２６ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、約２８ａｔｏｍ％～約４０ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、約２７ａｔｏｍ％～約３７ａｔｏｍ％の含量で酸素元素、及び約３ａｔｏｍ％～約１３ａｔｏｍ％の含量で炭素元素を含んでいてもよい。

【0055】

前記遮光膜２０の上部は、約１８ａｔｏｍ％～約２７ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、約３５ａｔｏｍ％～約４１ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、約３１ａｔｏｍ％～約４１ａｔｏｍ％の含量で酸素元素、及び約１ａｔｏｍ％～約４ａｔｏｍ％の含量で炭素元素を含んでいてもよい。

【0056】

前記遮光膜２０の上部は、前記遮光膜２０の上面から前記遮光膜２０の全体厚を基準に１／８の深さまでと定義することができる。すなわち、前記遮光膜２０の全体厚を８としたとき、前記遮光膜２０の上部は、前記遮光膜２０の上面から１の深さまでを意味する。

【0057】

また、前記遮光膜２０の上部における前記窒素元素の含量は、徐々に増加し得る。前記遮光膜２０の上部における前記窒素元素の含量は、約１５ａｔｏｍ％～約２５ａｔｏｍ％のいずれかから徐々に増加し得る。このとき、前記遮光膜２０の上部における前記窒素元素の含量の最小値と最大値との差は、約３ａｔｏｍ％～約８ａｔｏｍ％であってもよい。

【0058】

また、前記遮光膜２０の上部における前記クロム元素の含量は、徐々に増加すし得る。前記遮光膜２０の上部における前記クロム元素の含量は、約３０ａｔｏｍ％～約４０ａｔｏｍ％のいずれかから徐々に増加し得る。このとき、前記遮光膜２０の上部における前記クロム元素の含量の最小値と最大値との差は、約３ａｔｏｍ％～約８ａｔｏｍ％であってもよい。

【0059】

また、前記遮光膜２０の上部における前記炭素元素の含量は、徐々に減少し得る。前記遮光膜２０の上部における前記炭素元素の含量は、約１ａｔｏｍ％～約７ａｔｏｍ％のいずれかから徐々に減少し得る。このとき、前記遮光膜２０の上部における前記炭素元素の含量の最小値と最大値との差は、約０．５ａｔｏｍ％～約５ａｔｏｍ％であってもよい。

【0060】

また、前記遮光膜２０の上部における前記酸素元素の含量は、徐々に減少し得る。前記遮光膜２０の上部における前記酸素元素の含量は、約３５ａｔｏｍ％～約４５ａｔｏｍ％のいずれかから徐々に減少し得る。このとき、前記遮光膜２０の上部における前記酸素元素の含量の最小値と最大値との差は、約４ａｔｏｍ％～約１４ａｔｏｍ％であってもよい。

【0061】

斯かる場合、前記遮光膜２０は、十分な消光特性を有することができる。

【0062】

図３に示したように、前記遮光膜２０は、第１遮光層２１と、前記第１遮光層２１上に配置される第２遮光層２２とを含んでいてもよい。

【0063】

前記第２遮光層２２は、遷移金属を含む。また、前記第２遮光層２２は、酸素、窒素及び炭素のうち少なくともいずれかを含んでいてもよい。前記第２遮光層２２は、遷移金属を約５０ａｔｏｍ％～約８０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層２２は、遷移金属を約５５ａｔｏｍ％～約７５ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層２２は、遷移金属を約６０ａｔｏｍ％～約７０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。

【0064】

前記第２遮光層２２の酸素、窒素または炭素のうち少なくとも１つに相当する元素の含量は、約１０ａｔｏｍ％～約３５ａｔｏｍ％であってもよい。前記第２遮光層２２の酸素、窒素または炭素のうち少なくとも１つに相当する元素の含量は、約１５ａｔｏｍ％～約２５ａｔｏｍ％であってもよい。

【0065】

前記第２遮光層２２は、窒素を約５ａｔｏｍ％～約２０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層２２は、窒素を約７ａｔｏｍ％～約１３ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。

【0066】

前記第２遮光層２２は、酸素を約５ａｔｏｍ％～約２０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層２２は、酸素を約７ａｔｏｍ％～約１３ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。

【0067】

前記第２遮光層２２は、炭素を約２ａｔｏｍ％～約１０ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。前記第２遮光層２２は、窒素を約３７ａｔｏｍ％～約８ａｔｏｍ％の含量で含んでいてもよい。

【0068】

前記第２遮光層２２は、窒素、酸素及び炭素をいずれも含んでいてもよい。

【0069】

斯かる場合、前記遮光膜２０が前記位相反転膜３０と共に積層体を形成して、露光光を実質的に遮断することを助けることができる。

【0070】

前記第１遮光層２１は、遷移金属を含んでいてもよい。前記第１遮光層２１は、酸素及び窒素を含んでいてもよい。前記第１遮光層２１は、遷移金属を３０ａｔｏｍ％以上且つ６０ａｔｏｍ％以下で含んでいてもよい。前記遮光層２１は、遷移金属を３５ａｔｏｍ％以上且つ５５ａｔｏｍ％以下で含んでいてもよい。前記第１遮光層２１は、遷移金属を４０ａｔｏｍ％以上且つ５０ａｔｏｍ％以下で含んでいてもよい。

【0071】

前記第１遮光層２１の酸素含量と窒素含量とを足した値は、４０ａｔｏｍ％以上且つ７０ａｔｏｍ％以下であってもよい。前記第１遮光層２１の酸素含量と窒素含量とを足した値は、４５ａｔｏｍ％以上且つ６５ａｔｏｍ％以下であってもよい。第１遮光層２１の酸素含量と窒素含量とを足した値は、５０ａｔｏｍ％以上且つ６０ａｔｏｍ％以下であってもよい。

【0072】

前記第１遮光層２１は、酸素を２０ａｔｏｍ％以上且つ４０ａｔｏｍ％以下で含んでいてもよい。前記第１遮光層２１は、酸素を２３ａｔｏｍ％以上且つ３３ａｔｏｍ％以下で含んでいてもよい。前記第１遮光層２１は、酸素を２５ａｔｏｍ％以上且つ３０ａｔｏｍ％以下で含んでいてもよい。

【0073】

前記第１遮光層２１は、窒素を５ａｔｏｍ％以上且つ２０ａｔｏｍ％以下で含んでいてもよい。第１遮光層２１は、窒素を７ａｔｏｍ％以上且つ１７ａｔｏｍ％以下で含んでいてもよい。前記第１遮光層２１は、窒素を１０ａｔｏｍ％以上且つ１５ａｔｏｍ％以下で含んでいてもよい。

【0074】

斯かる場合、前記第１遮光層２１は、前記遮光膜２０が優れた消光特性を有するように助けることができる。

【0075】

前記遷移金属は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、及びＨｆのうち少なくともいずれかを含んでいてもよい。前記遷移金属は、Ｃｒであってもよい。

【0076】

前記第２遮光層は、約２０ａｔｏｍ％～約４０ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、約３０ａｔｏｍ％～約５０ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、及び約２０ａｔｏｍ％～約４０ａｔｏｍ％の含量で酸素元素を含んでいてもよい。また、前記第２遮光層は、５ａｔｏｍ％未満の含量で炭素元素を更に含んでいてもよい。

【0077】

前記第２遮光層は、約２４ａｔｏｍ％～約３４ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、約３５ａｔｏｍ％～約４５ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、及び約２６ａｔｏｍ％～約３６ａｔｏｍ％の含量で酸素元素を含んでいてもよい。また、前記第２遮光層は、３ａｔｏｍ％未満の含量で炭素元素を更に含んでいてもよい。

【0078】

前記第２遮光層は、約６ａｔｏｍ％～約１６ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、約２６ａｔｏｍ％～約４６ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、約３７ａｔｏｍ％～約４７ａｔｏｍ％の含量で酸素元素、及び約４ａｔｏｍ％～約１４ａｔｏｍ％の含量で炭素元素を含んでいてもよい。

【0079】

前記第２遮光層は、約１６ａｔｏｍ％～約２６ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、約２８ａｔｏｍ％～約４０ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、約２７ａｔｏｍ％～約３７ａｔｏｍ％の含量で酸素元素、及び約３ａｔｏｍ％～約１３ａｔｏｍ％の含量で炭素元素を含んでいてもよい。

【0080】

また、前記第１遮光層は、約１０ａｔｏｍ％～約３０ａｔｏｍ％の含量で窒素元素、約６０ａｔｏｍ％～約９０ａｔｏｍ％の含量でクロム元素、及び約０．５ａｔｏｍ％～約ａｔｏｍ％の含量で酸素元素を含んでいてもよい。また、前記第１遮光層は、５ａｔｏｍ％未満の含量で炭素元素を含んでいてもよい。

【0081】

前記遮光膜の組成は、Ｘ線光電子分析法（Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，ＸＰＳ）により測定することができる。

【0082】

例えば、実施例によるブランクマスクは、横１５ｍｍ、縦１５ｍｍのサイズに加工されて、試片を用意する。その後、前記試片は、Ｔｈｅｒｍｏ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社のＫ－Ａｌｐｈａモデル内に配置されて、前記試片の中央部に位置する横４ｍｍ、縦２ｍｍの領域は、アルゴンガスでエッチングすることができる。各層別エッチング時間の間、前記測定装備内の真空度は、１．０×１０^－８ｍｂａｒであり、Ｘ－ｒａｙソース（Ｓｏｕｒｃｅ）は、Ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｏｒ Ａｌ Ｋα（１４８６．６ｅＶ）であり、アノード電力は、７２Ｗであり、アノード電圧は、１２ｋＶであり、アルゴンイオンビームの電圧は、１ｋＶと適用することができる。

【0083】

また、前記遮光膜のエッチング時間において、約０秒から約３０秒までの組成データは、正確でないデータであるため、前記遮光膜の組成の組成から除くことができる。

【0084】

第１遮光層２１の厚さは、約２５０Å～約６５０Åであってもよい。前記第１遮光層２１の厚さは、約３５０Å～約６００Åであってもよい。前記第１遮光層２１の厚さは、約４００Å～約５５０Åであってもよい。斯かる場合、前記第１遮光層２１は、前記遮光膜２０が露光光を効果的に遮断することを助けることができる。

【0085】

前記第２遮光層２２の厚さは、約３０Å～約２００Åであってもよい。前記第２遮光層２２の厚さは、約３０Å～約１００Åであってもよい。前記第２遮光層２２の厚さは、約４０Å～約８０Åであってもよい。斯かる場合、前記第２遮光層２２は、前記遮光膜２０の消光特性を向上させて、前記遮光膜２０のパターニングの際に形成される遮光パターン膜２５の側面の表面プロファイルをさらに精巧に制御することを助けることができる。

【0086】

前記第１遮光層２１の厚さに対する前記第２遮光層２２の厚さの割合は、約０．０５～約０．３であってもよい。前記第１遮光層２１に対する前記第２遮光層２２の厚さの割合は、約０．０７～約０．２５であってもよい。前記第１遮光層２１に対する前記第２遮光層２２の厚さの割合は、約０．１～約０．２であってもよい。

【0087】

斯かる場合、前記遮光膜２０は、十分な消光特性を有し、かつ、遮光膜２０のパターニングの際に形成される遮光パターン膜２５の側面の表面プロファイルをさらに精巧に制御することができる。

【0088】

前記第２遮光層２２の遷移金属の含量は、前記第１遮光層２１の遷移金属の含量よりもさらに大きい値を有していてもよい。

【0089】

前記遮光膜２０をパターニングして形成される遮光パターン膜２５の側面の表面プロファイルをさらに精巧に制御し、欠陥検査における検査光に対する遮光膜２０の表面反射率が検査に適した値を有するようにするために、前記第２遮光層２２は、前記第１遮光層３１に対する遷移金属の含量がさらに大きい値を有することが求められる。

【0090】

但し、斯かる場合、成膜した遮光膜２０を熱処理する過程で、前記第２遮光層２２に含まれた遷移金属は、回復、再結晶及び結晶粒の成長が発生し得る。遷移金属が高い含量で含まれた第２遮光層２２における結晶粒の成長が発生する場合、成長しすぎた遷移金属の粒子により、遮光膜２０の表面照度の特性が過度に変動し得る。これは、遮光膜２０の表面を高い感度で欠陥検査する場合、擬似欠陥の検出数を高める原因になり得る。

【0091】

前記遮光膜２０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１％～約２％の透過率を有していてもよい。前記遮光膜２０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１．３％～約２％の透過率を有していてもよい。前記遮光膜２０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１．４％～約２％の透過率を有していてもよい。

【0092】

前記遮光膜２０は、約１．８～約３の光学密度を有していてもよい。前記遮光膜２０は、約１．９～約３の光学密度を有していてもよい。

【0093】

斯かる場合、前記遮光膜２０を含む薄膜は、露光光の透過を効果的に抑制することができる。

【0094】

図３に示したように、実施例によるブランクマスク１００は、位相反転膜３０を更に含んでいてもよい。

【0095】

前記位相反転膜３０は、前記光透過性基板１０と前記遮光膜２０との間に配置されていてもよい。前記位相反転膜３０は、透過する露光光の光の強さを減殺して、位相差を調節し、パターンの縁に発生する回折光を実質的に抑制する薄膜であってもよい。

【0096】

前記位相反転膜３０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１７０゜～約１９０゜の位相差を有していてもよい。前記位相反転膜４０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約１７５゜～約１８５゜の位相差を有していてもよい。

【0097】

前記位相反転膜３０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約３％～約１０％の透過率を有していてもよい。前記位相反転膜３０は、波長１９３ｎｍの光に対して、約４％～約８％の透過率を有していてもよい。斯かる場合、前記位相反転膜３０が含まれたフォトマスク２００の解像度が向上し得る。

【0098】

前記位相反転膜３０は、遷移金属及びケイ素を含んでいてもよい。前記位相反転膜３０は、遷移金属、ケイ素、酸素、及び窒素を含んでいてもよい。前記遷移金属は、モリブデンであってもよい。

【0099】

前記遮光膜２０上にハードマスク（不図示）が位置していてもよい。前記ハードマスクは、遮光膜２０のパターンをエッチングするとき、エッチングマスク膜としての働きをすることができる。ハードマスクは、ケイ素、窒素及び酸素を含んでいてもよい。

【0100】

図４に示したように、実施例によるフォトマスク２００は、前記光透過性基板１０と、前記光透過性基板１０上に配置される遮光パターン膜２５とを含む。

【0101】

前記遮光パターン膜２５は、遷移金属、酸素及び窒素のうち少なくともいずれかを含む。

【0102】

前記遮光パターン膜２５は、前述したブランクマスク１００の遮光膜２０をパターニングして形成されていてもよい。

【0103】

前記遮光パターン膜２５の物性、組成及び構造などに関する説明は、ブランクマスク１００の遮光膜２０に関する説明と重複するため、省略する。

【0104】

実施例によるブランクマスク１００の製造方法は、前記光透過成膜上に前記遮光膜２０が形成される段階を含む。前記遮光膜２０は、スパッタリング工程によって形成されていてもよい。

【0105】

スパッタリングチャンバ内に前記光透過性基板とスパッタリングターゲットとの間の距離が２６０ｍｍ以上且つ３００ｍｍ以下になるように、光透過性基板及びスパッタリングターゲットを設ける準備段階を含んでいてもよい。

【0106】

実施例によるブランクマスク１００の製造方法は、スパッタリングチャンバ内に雰囲気ガスを注入して、スパッタリングターゲットに電力を加え、光透過性基板を２５ｒｐｍ以上に回転させて、遮光膜２０を成膜する成膜段階を含んでいてもよい。

【0107】

前記成膜段階は、光透過性基板上に第１遮光層を成膜する第１遮光層の成膜過程と、前記第１遮光層上に第２遮光層を成膜する第２遮光層の成膜過程と、を含んでいてもよい。

【0108】

前記スパッタリング工程が行われた後、熱処理工程を行うことができる。

【0109】

前記熱処理段階は、約２００℃～約４００℃の温度で行うことができる。

【0110】

前記熱処理段階は、約５分～約３０分間行うことができる。

【0111】

また、実施例によるブランクマスク１００の製造方法は、前記熱処理工程を経た遮光膜２０を冷凍させる段階を更に含んでいてもよい。

【0112】

前記スパッタリングターゲットは、形成しようとする遮光膜２０の組成を考慮して選択することができる。前記スパッタリングターゲットは、遷移金属を含有する１つのターゲットを適用することができる。スパッタリングターゲットは、遷移金属を含有する１つのターゲットを含み、２つ以上のターゲットを適用することができる。遷移金属を含有するターゲットは、遷移金属を９０ａｔｏｍ％以上含んでいてもよい。遷移金属を含有するターゲットは、遷移金属を９５ａｔｏｍ％以上含んでいてもよい。遷移金属を含有するターゲットは、遷移金属を９９ａｔｏｍ％含んでいてもよい。

【0113】

前記遷移金属は、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、及びＨｆのうち少なくともいずれかを含んでいてもよい。遷移金属は、Ｃｒを含んでいてもよい。

【0114】

前記成膜段階において、前記光透過性基板の回転速度を２５ｒｐｍ以上に適用することができる。前記回転速度を３０ｒｐｍ以上に適用することができる。前記回転速度を１００ｒｐｍ以下に適用することができる。斯かる場合、成膜する遮光膜２０の面内方向への厚さの変動幅を効果的に減少させることができる。また、遮光膜２０の表面内の各セクターの表面照度の特性を具現例で既に設定した範囲内に調節することができる。

【0115】

前記雰囲気ガスは、不活性ガス、反応性ガス及びスパッタリングガスを含んでいてもよい。前記不活性ガスは、成膜した薄膜を構成する元素を含まないガスである。反応性ガスは、成膜した薄膜を構成する元素を含むガスである。

【0116】

前記スパッタリングガスは、プラズマ雰囲気でイオン化して、ターゲットと衝突するガスである。前記不活性ガスは、ヘリウムを含んでいてもよい。

【0117】

前記反応性ガスは、窒素元素を含むガスを含んでいてもよい。前記窒素元素を含むガスは、例示として、Ｎ_２、ＮＯ、ＮＯ_２、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ_３、Ｎ_２Ｏ_４またはＮ_２Ｏ_５などであってもよい。反応性ガスは、酸素元素を含むガスを含んでいてもよい。

【0118】

前記酸素元素を含むガスは、例示としてＯ_２であってもよい。反応性ガスは、窒素元素を含むガスと、酸素元素を含むガスとを含んでいてもよい。前記反応性ガスは、窒素元素と酸素元素をいずれも含むガスを含んでいてもよい。前記窒素元素と酸素元素をいずれも含むガスは、例示として、ＮＯ、ＮＯ_２、Ｎ_２Ｏ、Ｎ_２Ｏ_３、Ｎ_２Ｏ_４またはＮ_２Ｏ_５などであってもよい。

【0119】

また、前記炭素及び酸素を含む反応性ガスは、ＣＯ_２であってもよい。

【0120】

前記スパッタリングガスは、Ａｒガスであってもよい。

【0121】

前記スパッタリングのターゲットに電力を加える電源は、ＤＣ電源を用いることができ、ＲＦ電源を用いることもできる。

【0122】

前記第１遮光層２１の成膜過程において、スパッタリングターゲットに加える電力を約１．５ｋＷ～約２．５ｋに適用することができる。前記第１遮光層２１の成膜過程において、スパッタリングターゲットに加える電力を約１．６ｋＷ～約２ｋＷに適用することができる。

【0123】

前記第１遮光層２１の成膜過程において、雰囲気ガスの不活性気体の流量に対する反応性気体の流量の割合は、約１．５～約３であってもよい。前記流量の割合は、約１．８～約２．７であってもよい。前記流量の割合は、約２～約２．５であってもよい。

【0124】

前記反応性気体に含まれた窒素含量に対する酸素含量の割合は、約１．５～約４であってもよい。前記反応性気体に含まれた窒素含量に対する酸素含量の割合は、約２～約３であってもよい。前記反応性気体に含まれた窒素含量に対する酸素含量の割合は、約２．２～約２．７であってもよい。

【0125】

斯かる場合、前記第１遮光層２１は、前記遮光膜２０が十分な消光特性を有することを助けることができる。また、前記第１遮光層２１のエッチング速度を向上させて、前記遮光膜２０のパターニングによって形成された遮光パターン膜２５の側面の表面プロファイルが光透過性基板１０から垂直に近い形状を有するように助けることができる。

【0126】

前記第１遮光層２１の成膜時間は、約２００秒～約３００秒であってもよい。前記第１遮光層２１の成膜時間は、約２１０秒～約２４０秒であってもよい。斯かる場合、前記第１遮光層２１は、前記遮光膜２０が十分な消光特性を有するように助けることができる。

【0127】

前記第２遮光層２２の成膜過程において、前記スパッタリングターゲットに加わる電力は、約１ｋＷ～約２ｋＷに適用することができる。前記第２遮光層２２の成膜過程において、前記スパッタリングターゲットに加わる電力は、約１．２ｋＷ～約１．７ｋＷに適用することができる。

【0128】

前記第２遮光層２２の成膜過程において、前記雰囲気ガスにおける前記不活性気体の流量に対する前記反応性気体の流量の割合は、約０．３～約０．８であってもよい。前記流量の割合は、約０．４～約０．６であってもよい。

【0129】

前記第２遮光層２２の成膜過程において、前記反応性気体に含まれた窒素含量に対する酸素含量の割合は、約０．３未満であってもよい。前記反応性気体に含まれた窒素含量に対する酸素含量の割合は、約０．１未満であってもよい。前記反応性気体に含まれた窒素含量に対する酸素含量の割合は、０．００１超であってもよい。上記のように、前記第２遮光層２２が形成されるため、前記遮光膜２０は、安定的な消光特性を有していてもよい。

【0130】

前記第２遮光層２２の成膜時間は、約１０秒～約３０秒であってもよい。前記第２遮光層２２の成膜時間は、約１５秒～約２５秒であってもよい。斯かる場合、前記第２遮光層２２は、露光光の透過を抑制することができる。

【0131】

前記熱処理段階において、遮光膜２０の表面の複数の区域をそれぞれ独立に制御した温度で熱処理することができる。具体的には、前記遮光膜２０の表面の各区域別にヒーターが設置されていてもよい。区域別ヒーターは、光透過性基板側に設置されていてもよい。

【0132】

前記区域別ヒーターの温度は、約２００℃～４００℃の範囲内でそれぞれ独立に制御することができる。

【0133】

前記ブランクマスク１００は、熱処理段階を終了した後、２分内に冷却段階を適用することができる。斯かる場合、遮光膜２０内の残熱による遷移金属粒子の結晶粒の成長を効果的に防ぐことができる。

【0134】

上記冷却段階において、冷却プレートに既に設定した長さを有するピンを各隅に設けて、前記ピン上に基板が冷却プレートに向かうようにブランクマスク１００を配置し、実施例によるブランクマスク１００の冷却速度を制御することができる。

【0135】

上記冷却段階において、前記冷却プレートに適用された冷却温度は、約１０℃～約３０℃であってもよい。上記冷却温度は、約１５℃～約２５℃であってもよい。

【0136】

上記冷却段階において、実施例によるブランクマスク１００と前記冷却プレートとの間の離隔距離は、約０．０１ｍｍ～約３０ｍｍであってもよい。前記離隔距離は、０．０５ｍｍ以上且つ５ｍｍ以下であってもよい。前記離隔距離は、０．１ｍｍ以上且つ２ｍｍ以下であってもよい。

【0137】

上記冷却段階は、約１分～約１０分間実施することができる。上記冷却段階は、約３分～約７分間行うことができる。

【0138】

その後、前記冷却した遮光膜２０は、洗浄することができる。上記洗浄工程は、紫外線照射工程及び／またはリンス工程を含んでいてもよい。

【0139】

上記紫外線照射工程は、前記遮光膜２０に紫外線を照射する段階を含んでいてもよい。

【0140】

上記紫外線照射工程で使用される紫外線は、真空紫外線であってもよい。上記紫外線照射工程で使用される紫外線は、約１００ｎｍ～約１９０ｎｍのピーク波長帯を有する紫外線であってもよい。

【0141】

上記紫外線照射工程は、常温で、約３０％～約６０％の相対湿度の条件で行うことができる。上記紫外線照射工程は、常温で、約４０％～約５０％の相対湿度の条件で行うことができる。

【0142】

上記紫外線照射工程において、前記遮光膜２０に照射する紫外線の出力は、約５ｍＷ／ｃｍ^２～約１００ｍＷ／ｃｍ^２であってもよい。上記紫外線照射工程において、前記遮光膜２０に照射する紫外線の出力は、約１０ｍＷ／ｃｍ^２～約７０ｍＷ／ｃｍ^２であってもよい。

【0143】

上記紫外線照射工程において、前記遮光膜２０に前記紫外線を照射する時間は、約１０秒～約１０分であってもよい。上記紫外線照射工程において、前記遮光膜２０に前記紫外線を照射する時間は、約１０秒～約５分であってもよい。上記紫外線照射工程において、前記遮光膜２０に前記紫外線を照射する時間は、約１分～約１０分であってもよい。上記紫外線照射工程において、前記遮光膜２０に前記紫外線を照射する時間は、約１０秒～約１分であってもよい。

【0144】

また、上記紫外線照射工程において、雰囲気気体として窒素気体（Ｎ_２）または酸素気体（Ｏ_２）を使用することができる。

【0145】

上記リンス工程は、前記遮光膜２０に洗浄液を処理する段階を含む。前記洗浄液は、脱イオン水、水素水、オゾン水または炭酸水のうち少なくとも１つを含んでいてもよい。前記洗浄液は、前記炭酸水を含んでいてもよい。

【0146】

前記炭酸水における炭酸濃度は、約５００ｍｇ／ｌ～約５０００ｍｇ／ｌであってもよい。前記炭酸水における炭酸濃度は、約１０００ｍｇ／ｌ～約３０００ｍｇ／ｌであってもよい。

【0147】

前記オゾン水におけるオゾン濃度は、約５０ｍｇ／ｌ～約２０００ｍｇ／ｌであってもよい。前記オゾン水におけるオゾン濃度は、約１００ｍｇ／ｌ～約１０００ｍｇ／ｌであってもよい。

【0148】

前記水素水における水素濃度は、約０．１ｍｇ／ｌ～約１０ｍｇ／ｌであってもよい。前記水素水における水素濃度は、約０．５ｍｇ／ｌ～約５ｍｇ／ｌであってもよい。

【0149】

上記洗浄液処理段階は、実施例によるブランクマスク１００を前記洗浄液に浸漬する段階を含んでいてもよい。上記洗浄液処理段階は、前記遮光膜２０に前記洗浄液を噴射して流す段階を含んでいてもよい。

【0150】

上記洗浄液処理段階において、工程時間は、約１分～約１０分であってもよい。上記洗浄液処理段階において、前記工程時間は、約２分～約７分であってもよい。

【0151】

その後、上記洗浄液処理段階において、前記遮光膜２０に紫外線が照射し得る。すなわち、上記リンス工程及び上記紫外線照射工程を同時に行うことができる。上記紫外線照射工程の後、上記リンス工程を行うことができる。このとき、上記リンス工程が行われるうち、上記紫外線照射工程に類似する方式で前記遮光膜２０に紫外線が照射し得る。

【0152】

上記リンス工程が行われた後、実施例によるブランクマスク１００は、乾燥することができる。

【0153】

図６に示したように、上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さが変化し得る。すなわち、上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の一部が除去されて、前記遮光膜２０の厚さが減少し得る。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化（△Ｔ）は、上記洗浄工程前の厚さと上記洗浄工程後の厚さとの差であってもよい。

【0154】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約１５ｎｍ未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約５ｎｍ未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約４ｎｍ未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約３ｎｍ未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約２．５ｎｍ未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約２ｎｍ未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約１．５ｎｍ未満であってもよい。

【0155】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約０．３ｎｍ～約３ｎｍ、または約０．１ｎｍ～約１ｎｍであってもよい。

【0156】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約０．１ｎｍ～約５ｎｍであってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約０．２ｎｍ～約５ｎｍであってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約０．３ｎｍ～約５ｎｍであってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約０．１ｎｍ～約３ｎｍであってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約０．２ｎｍ～約３ｎｍであってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約０．３ｎｍ～約３ｎｍであってもよい。

【0157】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約３ｎｍ～約１５ｎｍであってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約３ｎｍ～約８ｎｍであってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、約５ｎｍ～約１５ｎｍであってもよい。

【0158】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化を考慮して、上記成膜工程における前記遮光膜２０の厚さを決定することができる。

【0159】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、前記第２遮光層２２の厚さ変化であってもよい。

【0160】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化が上記のように、適宜な範囲を有することから、前記遮光膜２０の光学的物性変化は、適宜な範囲を有することができる。

【0161】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の厚さ変化は、上記と同様であるため、前記遮光膜２０の光学的物性の変化が最小化し得る。

【0162】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の透過率変化が発生し得る。前記遮光膜２０の透過率変化は、上記洗浄工程前の透過率と上記洗浄工程後の透過率との差であってもよい。前記遮光膜２０の透過率は、約１９３ｎｍ波長帯の光によって測定することができる。

【0163】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の透過率変化は、約０．０３％未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の透過率変化は、約０．０２％未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の透過率変化は、約０．０１％未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の透過率変化は、約０．００７％未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の透過率変化は、約０．００５％未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の透過率変化は、約０．００３％未満であってもよい。

【0164】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の透過率変化は、約０．００５％～約０．０２％であってもよい。

【0165】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の透過率変化の最小値は、約０．００００１％であってもよい。

【0166】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の透過率変化は、上記と同様であるため、前記遮光膜２０は、位置別透過率の偏差を減少させることができる。これによって、実施例によるブランクマスク１００は、精密なフォトマスクを提供することができる。

【0167】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の光学密度変化が発生し得る。前記遮光膜２０の光学密度変化は、上記洗浄工程前の光学密度と上記洗浄工程後の光学密度との差であってもよい。前記光学密度は、ｌｉｎｓｈａｎｇ ＬＳ１１７等のような光学密度測定機（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｍｅｔｅｒ）によって測定することができる。

【0168】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の光学密度変化は、約０．１未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の光学密度変化は、約０．０７未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の光学密度変化は、約０．０５未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の光学密度変化は、約０．０３未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の光学密度変化は、約０．０２未満であってもよい。

【0169】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の光学密度変化は、約０．０１～約０．０８であってもよい。

【0170】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の光学密度変化は、上記と同様であるため、前記遮光膜２０は、位置別光学密度の偏差を減少させることができる。これによって、実施例によるブランクマスク１００は、精密なフォトマスクを提供することができる。

【0171】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の反射率変化が発生し得る。前記遮光膜２０の反射率変化は、上記洗浄工程前の反射率と上記洗浄工程後の反射率との差であってもよい。前記反射率は、約１９３ｎｍの波長帯の光によって測定することができる。

【0172】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の反射率変化は、約０．５％未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の反射率変化は、約０．４％未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の反射率変化は、約０．３％未満であってもよい。上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の反射率変化は、約０．２％未満であってもよい。

【0173】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の反射率変化の最小値は、約０．０１％であってもよい。

【0174】

上記洗浄工程において、前記遮光膜２０の反射率変化は、上記と同様であるため、前記遮光膜２０は、位置別反射率の偏差を減少させることができる。これによって、実施例によるブランクマスク１００は、精密なフォトマスクを提供することができる。

【0175】

実施例によるブランクマスク１００は、表面における低いイオン濃度を有していてもよい。

【0176】

実施例によるブランクマスク１００の全体表面におけるハロゲンイオンの含量は、０．１５ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面におけるハロゲンイオンの含量は、０．１０ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面におけるハロゲンイオンの含量は、０．０７ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面におけるハロゲンイオンの含量は、０．０５ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0177】

前記ハロゲンイオンは、塩素イオンを含んでいてもよい。

【0178】

実施例によるブランクマスク１００の全体表面における窒素系イオンの含量は、３ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面における窒素系イオンの含量は、２．５ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面における窒素系イオンの含量は、２ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面における窒素系イオンの含量は、１．８ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面における窒素系イオンの含量は、１．５ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0179】

前記窒素系イオンは、亜硝酸イオン、窒酸イオン及びアンモニアを含んでいてもよい。

【0180】

実施例によるブランクマスク１００の全体表面における硫黄系イオンの含量は、約０．２ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面における硫黄系イオンの含量は、約０．１７ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面における硫黄系イオンの含量は、約０．１ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面における硫黄系イオンの含量は、約０．０７ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0181】

前記硫黄系イオンは、硫酸イオンを含んでいてもよい。

【0182】

また、実施例によるブランクマスク１００の全体表面におけるアセテートの含量は、０．０２ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面におけるシュウ酸の含量は、０．０２ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面におけるナトリウムの含量は、０．０２ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面におけるカリウムの含量は、０．０２ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面におけるマグネシウムの含量は、０．０２ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。実施例によるブランクマスク１００の全体表面におけるカルシウムの含量は、０．０２ｎｇ／ｃｍ^２未満であってもよい。

【0183】

実施例によるブランクマスク１００は、上記のように、表面イオン濃度が低いため、欠陥を抑制して、向上した品質のフォトマスクを提供することができる。

【0184】

実施例によるブランクマスク１００において、表面イオン濃度は、イオンクロマトグラフィーによって測定することができる。実施例によるブランクマスク１００が脱イオン水に浸漬して、十分な時間の間にイオンが溶出し、溶出したイオンの含量を測定することができる。

【0185】

実施例によるブランクマスク１００において、下記の測定方法で測定される遮光膜２０の厚さ変化は、約２ｎｍ未満であってもよい。

【0186】

［測定方法］
約２０００ｍｇ／ｌの炭酸濃度を有する炭酸水に約１０分間、前記遮光膜２０が浸漬し、前記遮光膜２０の厚さ変化は、前記遮光膜２０における浸漬前の厚さと浸漬後の厚さとの差である。

【0187】

前記厚さ変化は、約２０ｎｍ未満であってもよい。前記厚さ変化は、約１５ｎｍ未満であってもよい。前記厚さ変化は、約１０ｎｍ未満であってもよい。前記厚さ変化は、約７ｎｍ未満であってもよい。前記厚さ変化は、約５ｎｍ未満であってもよい。前記厚さ変化は、約４ｎｍ未満であってもよい。前記厚さ変化は、約３ｎｍ未満であってもよい。前記厚さ変化は、約２．５ｎｍ未満であってもよい。前記厚さ変化は、約２ｎｍ未満であってもよい。前記厚さ変化は、約１．５５ｎｍ未満であってもよい。

【0188】

前記厚さ変化は、約０．１ｎｍ～約１０ｎｍであってもよい。前記厚さ変化は、約０．１ｎｍ～約７ｎｍであってもよい。前記厚さ変化は、約０．１ｎｍ～約５ｎｍであってもよい。前記厚さ変化は、約０．１ｎｍ～約４ｎｍであってもよい。前記厚さ変化は、約０．１ｎｍ～約３ｎｍであってもよい。前記厚さ変化は、約０．１ｎｍ～約２．５ｎｍであってもよい。前記厚さ変化は、約０．１ｎｍ～約２ｎｍであってもよい。前記厚さ変化は、約０．１ｎｍ～約１．５５ｎｍであってもよい。

【0189】

前記厚さ変化は、０．３ｎｍ～３ｎｍ、または０．１ｎｍ～１ｎｍであってもよい。

【0190】

前記厚さ変化は、約３ｎｍ～約１５ｎｍであってもよい。前記厚さ変化は、約３ｎｍ～約８ｎｍであってもよい。前記厚さ変化は、約７ｎｍ～約１５ｎｍであってもよい。

【0191】

前記厚さ変化は、前記第２遮光層２２の厚さ変化であってもよい。

【0192】

また、実施例によるブランクマスク１００は、透過率変化を有していてもよい。前記測定方法により前記透過率変化を導出することができる。前記透過率変化は、前記遮光膜２０における前記浸漬前の透過率と浸漬後の透過率との差である。

【0193】

前記透過率変化は、約０．３％未満であってもよい。前記透過率変化は、約０．２％未満であってもよい。前記透過率変化は、約０．１％未満であってもよい。前記透過率変化は、約０．０５％未満であってもよい。前記透過率変化の最小値は、約０．００００１％であってもよい。

【0194】

前記透過率変化は、約０．００３％～約０．０２％であってもよい。

【0195】

また、実施例によるブランクマスク１００は、光学密度変化を有していてもよい。前記測定方法により前記光学密度変化を導出することができる。

【0196】

前記光学密度変化は、０．１未満であってもよい。前記光学密度変化は、０．０８未満であってもよい。前記光学密度変化は、０．０７未満であってもよい。前記光学密度変化は、０．０５未満であってもよい。前記光学密度変化は、０．０３未満であってもよい。前記光学密度変化は、０．０２未満であってもよい。前記光学密度変化の最小値は、約０．０００１であってもよい。

【0197】

前記光学密度変化は、０．０１～０．０７であってもよい。前記光学密度変化は、０．０１～０．０４であってもよい。前記光学密度変化は、０．０３～０．０７であってもよい。

【0198】

また、実施例によるブランクマスク１００は、反射率変化を有していてもよい。前記測定方法により前記反射率変化を導出することができる。

【0199】

前記反射率変化は、約０．３％未満であってもよい。前記反射率変化は、約０．２％未満であってもよい。前記反射率変化は、約０．１％未満であってもよい。前記反射率変化は、約０．０８％未満であってもよい。前記反射率変化は、約０．０５％未満であってもよい。前記反射率変化の最小値は、約０．０００１％であってもよい。

【0200】

実施例によるブランクマスク１００は、上記のように、前記炭酸水に浸漬した後、前記厚さ変化、前記透過率変化、前記光学密度変化、及び前記反射率変化が低い。これによって、実施例によるブランクマスク１００は、フォトマスクの製造工程の洗浄工程などにおいて、光学的物性の変化を最小化することができる。

【0201】

実施例による半導体素子の製造方法は、光源、フォトマスク２００及びレジスト膜が塗布された半導体ウエハを配置する準備段階と、前記フォトマスク２００を介して前記光源から入射した光を、前記半導体ウエハ上に選択的に透過させて出射する露光段階と、前記半導体ウエハ上にパターンを現像する現像段階と、を含む。

【0202】

前記フォトマスク２００は、光透過性基板１０と、前記光透過性基板１０上に配置される遮光パターン膜３５とを含む。

【0203】

前記遮光パターン膜２５は、遷移金属、酸素、窒素、及び炭素のうち少なくともいずれかを含む。

【0204】

上記準備段階において、光源は、短波長の露光光を発生させることができる装置である。露光光は、波長が２００ｎｍ以下の光であってもよい。露光光は、波長が１９３ｎｍのＡｒＦ光であってもよい。

【0205】

前記フォトマスク２００と半導体ウエハとの間にレンズがさらに配置されていてもよい。レンズは、フォトマスク２００上の回路パターンの形状を縮小して、半導体ウエハ上に転写する働きをする。レンズは、ＡｒＦ半導体ウエハの露光工程に一般に適用できるものであれば、限定されない。例示として、前記レンズは、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）からなるレンズを適用することができる。

【0206】

上記露光段階において、フォトマスク２００を介して半導体ウエハ上に露光光を選択的に透過させることができる。斯かる場合、レジスト膜のうち露光光が入射した部分で化学的変性が発生し得る。

【0207】

上記現像段階において、露光段階を終了した半導体ウエハを現像溶液で処理して、半導体ウエハ上にパターンを現像することができる。塗布されたレジスト膜がポジ型レジスト（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｒｅｓｉｓｔ）である場合、レジスト膜のうち露光光が入射した部分は、現像溶液によって溶解し得る。塗布されたレジスト膜がネガ型レジスト（ｎｅｇａｔｉｖｅ ｒｅｓｉｓｔ）である場合、レジスト膜のうち露光光が入射していない部分は、現像溶液によって溶解し得る。現像溶液での処理によってレジスト膜は、レジストパターンに形成される。前記レジストパターンをマスクとして、半導体ウエハ上にパターンを形成することができる。

【0208】

前記フォトマスク２００に関する説明は、上記内容と重複するため、省略する。

【0209】

以下では、具体的な実施例についてより詳説する。

【0210】

実施例１
ＤＣスパッタリング装備のチャンバ内の横６インチ、縦６インチ、厚さ０．２５インチの石英素材の光透過性基板を配置した。Ｔ／Ｓ距離が２００ｍｍ、基板とターゲットとの角度が４５度を形成するように、クロムターゲットをチャンバ内に配置した。前記チャンバの温度は、約４００℃まで上昇した。

【0211】

その後、２１体積比％のＡｒ、１１体積比％のＮ_２、３２体積比％のＣＯ_２、及び３６体積比％のＨｅが混合した雰囲気ガスをチャンバ内に導入して、スパッタリングターゲットに加える電力を１．８５ｋＷに適用し、基板回転速度を３０ｒｐｍに適用し、２５０秒間スパッタリング工程を実施して、第１遮光層を成膜した。

【0212】

第１遮光層の成膜を終了した後、第１遮光層上に５７体積比％のＡｒ、３３体積比％のＮ_２、及び１０体積比％のＣＯ_２が混合した雰囲気ガスをチャンバ内に導入して、スパッタリングターゲットに加える電力を１．５ｋＷに適用し、基板回転速度を３０ｒｐｍに適用し、４５秒間のスパッタリング工程を実施して、第２遮光層を成膜したブランクマスク試片を製造した。

【0213】

第２遮光層の成膜を終了した試片を熱処理チャンバ内に配置して、ヒーターの温度は、約３００℃に適用し、約１５分間、熱処理を実施した。

【0214】

熱処理を経た試片の基板側に冷却温度が２３℃に適用された冷却プレートを設けた。その後、ノズルを介して冷却気体を５０ｓｃｃｍの流量で注入して、５分間の冷却処理を実施した。冷却気体は、ヘリウムを適用した。

【0215】

その後、前記遮光膜の上面に、約１８５ｎｍの波長帯を有する真空紫外線が、約４０ｍＷ／ｃｍ^２の強さで、約１分間、真空圧が印加されたチャンバ内で照射した。

【0216】

その後、上記紫外線工程を経た遮光膜に炭酸水（炭酸濃度、２０００ｍｇ／ｌ）が流された。同時に、前記真空紫外線も上記と同様の条件で、前記遮光膜に照射された。前記炭酸水によるリンス工程は、約１分間行われた。

【0217】

その後、前記炭酸水及び水素水（水素濃度、１．６ｍｇ／ｌ）が約１:１で混合した洗浄液は、前記遮光膜に約３０秒間流されて、表面洗浄工程が行われた。

【0218】

その後、実施例によるブランクマスクが乾燥した。

【0219】

実施例２～４及び比較例１
第２遮光層の成膜条件及び洗浄条件が、下記の表１及び表２のように行われており、その他工程は、実施例１を参照した。オゾン水におけるオゾン濃度は、約２００ｍｇ／ｌであった。

【0220】

実施例５～実施例８
ＤＣスパッタリング装備のチャンバ内の横６インチ、縦６インチ、厚さ０．２５インチの石英素材の光透過性基板を配置した。Ｔ／Ｓ距離が２００ｍｍ、基板とターゲットとの角度が４５度を形成するように、クロムターゲットをチャンバ内に配置した。前記チャンバの温度は、約４００℃まで上昇した。

【0221】

その後、５７体積比％のＡｒと４３体積比％のＮ_２とが混合した雰囲気ガスをチャンバ内に導入して、スパッタリングターゲットに加える電力を１．３５ｋＷに適用し、基板回転速度を３０ｒｐｍに適用し、４３０秒間、スパッタリング工程を実施して、第１遮光層を成膜した。

【0222】

第１遮光層の成膜を終了した後、第１遮光層上に１５体積比％のＡｒ、７２体積比％のＮ_２及び１３体積比％のＯ_２が混合した雰囲気ガスをチャンバ内に導入して、スパッタリングターゲットに加える電力を１．８５ｋＷに適用し、基板回転速度を３０ｒｐｍに適用し、２１０秒間のスパッタリング工程を実施して、第２遮光層を成膜したブランクマスク試片を製造した。

【0223】

前記遮光層が成膜した後、熱処理工程、冷却工程及び洗浄工程は、実施例１と同様に行われた。

【0224】

また、実施例６～実施例８において、前記第２遮光層の成膜条件及び洗浄条件は、下記の表１及び２のように行われ、その他工程は、実施例５のように行われた。また、実施例７及び実施例８では、ヘリウム気体がそれぞれ約３４体積％及び約３２体積％に適用された。

【0225】

実施例９
ＤＣスパッタリング装備のチャンバ内の横６インチ、縦６インチ、厚さ０．２５インチの石英素材の光透過性基板を配置した。Ｔ／Ｓ距離が２００ｍｍ、基板とターゲットとの角度が４５度を形成するように、クロムターゲットをチャンバ内に配置した。前記チャンバの温度は、約４００℃まで上昇した。

【0226】

前記チャンバ内にアルゴン気体及び窒素気体が約１５：３５の体積比で満たされた。その後、前記チャンバの内部は、前記アルゴン気体及び前記窒素気体の割合が維持されたまま、約１．４ｋＷのパワーで約３０秒間、１段階のスパッタリング工程が行われた。

【0227】

その後、前記スパッタリングパワーは、約１．４ｋＷから約１．８ｋＷに高くなり、前記チャンバの内部にアルゴン気体、窒素気体及び二酸化炭素の体積比が２：２：１の割合で流入しつつ、２段階のスパッタリング工程が約８０秒間行われた。

【0228】

その後、３段階のスパッタリング工程が約１００秒間行われた。上記３段階のスパッタリング工程において、前記チャンバ内に前記アルゴン気体、ヘリウム気体、窒素気体、酸素気体、及び前記二酸化炭素の体積比が約２：２：０：０：１から約２：２：４：４：１に徐々に変化するように、前記チャンバの内部に導入する気体の体積比がそれぞれ調節された。上記３段階のスパッタリング工程の間、前記スパッタリングパワーは、約１．８ｋＷから約１．４ｋＷに継続して低くなった。

【0229】

その後、４段階のスパッタリング工程が約６０秒間行われた。上記４段階のスパッタリング工程の間、前記スパッタリングパワーは、約１．４ｋＷに維持した。また、上記４段階のスパッタリング工程において、前記チャンバ内に前記アルゴン気体、ヘリウム気体、窒素気体、酸素気体、及び前記二酸化炭素の体積比が約２：２：４：４：１から２：２：２：５：１に徐々に変化するように、前記チャンバの内部に導入する気体の体積比がそれぞれ調節された。

【0230】

前記遮光層が成膜した後、熱処理工程、冷却工程及び洗浄工程は、実施例１と同様に行われた。

【0231】

【表1】

【0232】

【表2】

【0233】

評価例
１．表面イオン濃度
実施例及び比較例で製造されたブランクマスクは、クリーンバッグに入れて、脱イオン水の約１００ｍｌが前記クリーンバッグに投入された。その後、約９０℃の温度で、約１２０分間、実施例及び比較例で製造されたブランクマスクが入れたクリーンバッグは、放置された。その後、実施例及び比較例で製造されたブランクマスクから溶出したイオン濃度は、イオンクロマトグラフィー装備（Ｔｈｅｒｍｏ ＳＣＩＥＮＴＩＦＩＣ社のＤｉｏｎｅｘ ＩＣＳ－２１００）で分析されており、前記ブランクマスクの表面積に対する前記溶出したイオン濃度は、下記の表３で表された。フッ素、アセテート、ギ酸塩（ｆｏｒｍａｔｅ）、シュウ酸（ｏｘａｌａｔｅ）、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、及びカルシウムは、検出されていない。

【0234】

２．厚さ変化、透過率変化、光学密度変化、及び反射率変化の測定
前記洗浄前の遮光膜かつ洗浄後の遮光膜における厚さ変化、透過率変化、光学密度変化、及び反射率変化が測定されており、下記の表４で表された。

【0235】

実施例及び比較例で製造されたブランクマスクは、約２０００ｍｇ／ｌの炭酸濃度を有する炭酸水に約１０分間、浸漬した。

【0236】

前記浸漬前の遮光膜かつ浸漬後の遮光膜における厚さ変化、透過率変化、光学密度変化、及び反射率変化が測定されており、下記の表５で表された。

【0237】

前記遮光膜の厚さ、透過率、光学密度、及び反射率は、２３カ所の地点で測定されて、平均値として導出されている。

【0238】

前記遮光膜の厚さ、透過率、光学密度、及び反射率は、ナノビュ社のＭＧ－ＰＲＯによって測定されている。

【0239】

前記透過率及び反射率は、約１９３ｎｍの波長帯の光に対して測定されている。

【0240】

３．遮光層の組成
遮光層の組成は、Ｘ線光電子分析法（Ｘ－ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，ＸＰＳ）により測定されている。

【0241】

実施例及び比較例で製造されたブランクマスクは、横１５ｍｍ、縦１５ｍｍのサイズに加工されて、試片を用意した。その後、前記試片は、Ｔｈｅｒｍｏ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社のＫ－Ａｌｐｈａモデル内に配置されて、前記試片の中央部に位置する横４ｍｍ、縦２ｍｍの領域は、アルゴンガスでエッチングされた。各層別エッチング時間の間、前記測定装備内の真空度は、１．０×１０^－８ｍｂａｒであり、Ｘ－ｒａｙソース（Ｓｏｕｒｃｅ）は、Ｍｏｎｏｃｈｒｏｍａｔｏｒ Ａｌ Ｋα（１４８６．６ｅＶ）であり、アノード電力は、７２Ｗであり、アノード電圧は、１２ｋＶであり、アルゴンイオンビームの電圧は、１ｋＶと適用された。

【0242】

エッチング時間の約３０秒から約８０秒までの前記第２遮光層の組成は、上記測定装備によって下記の表６のように測定されている。

【0243】

また、実施例９における遮光膜は、エッチング時間が約３０秒から約８４秒まで、前記遮光層の上部の組成が上記測定装備によって、下記の表７のように測定されている。

【0244】

【表3】

【0245】

【表4】

【0246】

【表5】

【0247】

【表6】

【0248】

【表7】

【0249】

表３～表７に記載したように、実施例によるブランクマスクは、低い表面イオン濃度を有し、低い厚さ変化、透過率変化、光学密度変化、及び反射率変化を有する。

【符号の説明】

【0250】

１００ ブランクマスク
１０ 光透過性基板
２０ 遮光膜
２１ 第１遮光層
２２ 第２遮光層
２５ 遮光パターン膜
３０ 位相反転膜
２００ フォトマスク

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】