知財求人 - 知財ポータルサイト「IP Force」
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024154576
(43)【公開日】2024-10-31
(54)【発明の名称】ダイアタッチフィルム及び半導体装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/52 20060101AFI20241024BHJP
C09J 7/30 20180101ALI20241024BHJP
【ＦＩ】
H01L21/52 E
H01L21/52 B
C09J7/30
【審査請求】未請求
【請求項の数】6
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023068470
(22)【出願日】2023-04-19
(71)【出願人】
【識別番号】000004455
【氏名又は名称】株式会社レゾナック
(72)【発明者】
【氏名】瀬川 幸太
(72)【発明者】
【氏名】中村 奏美
【テーマコード（参考）】
4J004
5F047
【Ｆターム（参考）】
4J004AB01
4J004AB05
4J004BA03
4J004DA02
4J004DA03
4J004DB02
4J004EA05
4J004FA05
5F047BA21
5F047BB03
5F047CA00
(57)【要約】
【課題】半導体チップを被接着物に加熱により接着する際に、半導体チップにかかる応力を低減しつつ半導体チップの変形を抑制することが可能なダイアタッチフィルムを提供する。
【解決手段】所定の接着温度まで加熱されることによって半導体チップを被接着物に接着するダイアタッチフィルムであって、半導体チップに接着される第１接着剤層１と、被接着物に接着される第２接着剤層２と、を備え、第２接着剤層２の接着温度における貯蔵弾性率を、第１接着剤層１の接着温度における貯蔵弾性率よりも低くする。
【選択図】図１
【解決手段】所定の接着温度まで加熱されることによって半導体チップを被接着物に接着するダイアタッチフィルムであって、半導体チップに接着される第１接着剤層１と、被接着物に接着される第２接着剤層２と、を備え、第２接着剤層２の接着温度における貯蔵弾性率を、第１接着剤層１の接着温度における貯蔵弾性率よりも低くする。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
所定の接着温度まで加熱されることによって半導体チップを被接着物に接着するダイアタッチフィルムであって、
前記半導体チップに接着される第１接着剤層と、
前記被接着物に接着される第２接着剤層と、を備え、
前記第２接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率が、前記第１接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率よりも低いことを特徴とするダイアタッチフィルム。
前記半導体チップに接着される第１接着剤層と、
前記被接着物に接着される第２接着剤層と、を備え、
前記第２接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率が、前記第１接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率よりも低いことを特徴とするダイアタッチフィルム。
【請求項2】
前記第１接着剤層の表面は粘着性を有する請求項１に記載のダイアタッチフィルム。
【請求項3】
請求項１または２に記載のダイアタッチフィルム、及び保護シートを備え、前記保護シートは、前記第２接着剤層の表面に、粘着力によって貼り付けられており、前記保護シートと前記第２接着剤層との間の剥離強度は、前記第１接着剤層と前記第２接着剤層との間の剥離強度よりも低いことを特徴とするダイアタッチシート。
【請求項4】
支持体上に、ダイアタッチフィルムを挟んで、半導体チップがセットされたワークにおいて、前記ダイアタッチフィルムを所定の接着温度まで加熱し、前記半導体チップと前記支持体とを接着する半導体装置の製造方法であって、
前記ダイアタッチフィルムは、前記半導体チップに接着される第１接着剤層と、前記支持体に接着される第２接着剤層と、を備え、前記第２接着剤層の前記接着温度における 貯蔵弾性率が、前記第１接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記ダイアタッチフィルムは、前記半導体チップに接着される第１接着剤層と、前記支持体に接着される第２接着剤層と、を備え、前記第２接着剤層の前記接着温度における 貯蔵弾性率が、前記第１接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項5】
支持体上に複数の半導体チップが積層され、前記支持体と前記半導体チップとの間、及び隣接する前記半導体チップの間にダイアタッチフィルムが挟まれたワークにおいて、前記ダイアタッチフィルムを所定の接着温度まで加熱し、前記半導体チップと前記支持体とを、及び隣接する前記半導体チップを接着する半導体装置の製造方法であって、
前記ダイアタッチフィルムは、前記支持体から遠い方の半導体チップに接着される第１接着剤層と、前記支持体または前記支持体に近い方の半導体チップに接着される第２接着剤層と、を備え、前記第２接着剤層の前記接着温度における 貯蔵弾性率が、前記第１接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記ダイアタッチフィルムは、前記支持体から遠い方の半導体チップに接着される第１接着剤層と、前記支持体または前記支持体に近い方の半導体チップに接着される第２接着剤層と、を備え、前記第２接着剤層の前記接着温度における 貯蔵弾性率が、前記第１接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記ワークにおいて、隣接する２つの前記半導体チップの間に挟まれた前記ダイアタッチフィルムの前記第２接着剤層の表面の一部が前記半導体チップと接している請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ダイアタッチフィルム及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
ダイアタッチフィルムは、半導体パッケージにおいて、基板等の支持体の上に半導体チップを実装する場合、及び半導体チップを積層して実装する場合に、半導体チップを固定する用途で用いられるフィルム状接着剤である。
【0003】
ダイアタッチフィルムを用いて、半導体チップの位置を固定することによって、支持体と半導体チップとをワイヤボンディングなどで接続する際の位置ずれによる接続不良を抑制することが可能である。
【0004】
ダイアタッチフィルムには、一般的に熱可塑性樹脂が含まれており、ダイアタッチフィルムを加熱することで、半導体チップと支持体とが接着される。ダイアタッチフィルムを加熱する際に、半導体チップ及び支持体も加熱され、これらの熱変形等により、半導体チップが支持体から剥離する向きの応力がかかる。この応力によって半導体チップが支持体から剥離することを抑制するためにダイアタッチフィルムの弾性率を低くすることが提案されている。
【0005】
例えば、特許文献１には、硬化性化合物、硬化剤及びポリイミド粒子を含有する硬化性樹脂組成物からなるダイアタッチフィルムが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２０１１－８２４８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
実装する半導体チップの薄型化が進んでおり、半導体チップを支持体に実装する際、ダイアタッチフィルムの弾性率が小さいと、半導体チップが支持体から剥離する方向の応力は低減されるが、半導体チップの変形を抑制することができない。
【0008】
本発明は、半導体チップを被接着物に加熱により接着する際に、半導体チップにかかる応力を低減しつつ半導体チップの変形を抑制することが可能なダイアタッチフィルム、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を有する。
【0010】
［１］所定の接着温度まで加熱されることによって半導体チップを被接着物に接着するダイアタッチフィルムであって、前記半導体チップに接着される第１接着剤層と、前記被接着物に接着される第２接着剤層と、を備え、前記第２接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率が、前記第１接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率よりも低いことを特徴とするダイアタッチフィルム。
［２］前記第１接着剤層の表面に粘着性を有する［１］に記載のダイアタッチフィルム。
［３］［１］または［２］に記載のダイアタッチフィルム及び保護シートを備え、前記保護シートは、前記第２接着剤層の表面に、粘着力によって貼り付けられており、前記保護シートと前記第２接着剤層との間の剥離強度は、前記第１接着剤層と前記第２接着剤層との間の剥離強度よりも低いことを特徴とするダイアタッチシート。
［４］支持体上に、ダイアタッチフィルムを挟んで、半導体チップがセットされたワークにおいて、前記ダイアタッチフィルムを所定の接着温度まで加熱し、前記半導体チップと前記支持体とを接着する半導体装置の製造方法であって、前記ダイアタッチフィルムは、前記半導体チップに接着される第１接着剤層と、前記支持体に接着される第２接着剤層と、を備え、前記第２接着剤層の前記接着温度における 貯蔵弾性率が、前記第１接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
［５］支持体上に複数の半導体チップが積層され、前記支持体と前記半導体チップとの間、及び隣接する前記半導体チップの間にダイアタッチフィルムが挟まれたワークにおいて、前記ダイアタッチフィルムを所定の接着温度まで加熱し、前記半導体チップと前記支持体とを、及び隣接する前記半導体チップを接着する半導体装置の製造方法であって、前記ダイアタッチフィルムは、前記支持体から遠い方の半導体チップに接着される第１接着剤層と、前記支持体または前記支持体に近い方の半導体チップに接着される第２接着剤層と、を備え、前記第２接着剤層の前記接着温度における 貯蔵弾性率が、前記第１接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
［６］前記ワークにおいて、隣接する２つの前記半導体チップの間に挟まれた前記ダイアタッチフィルムの前記第２接着剤層の表面の一部が前記半導体チップと接している［５］に記載の半導体装置の製造方法。
［２］前記第１接着剤層の表面に粘着性を有する［１］に記載のダイアタッチフィルム。
［３］［１］または［２］に記載のダイアタッチフィルム及び保護シートを備え、前記保護シートは、前記第２接着剤層の表面に、粘着力によって貼り付けられており、前記保護シートと前記第２接着剤層との間の剥離強度は、前記第１接着剤層と前記第２接着剤層との間の剥離強度よりも低いことを特徴とするダイアタッチシート。
［４］支持体上に、ダイアタッチフィルムを挟んで、半導体チップがセットされたワークにおいて、前記ダイアタッチフィルムを所定の接着温度まで加熱し、前記半導体チップと前記支持体とを接着する半導体装置の製造方法であって、前記ダイアタッチフィルムは、前記半導体チップに接着される第１接着剤層と、前記支持体に接着される第２接着剤層と、を備え、前記第２接着剤層の前記接着温度における 貯蔵弾性率が、前記第１接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
［５］支持体上に複数の半導体チップが積層され、前記支持体と前記半導体チップとの間、及び隣接する前記半導体チップの間にダイアタッチフィルムが挟まれたワークにおいて、前記ダイアタッチフィルムを所定の接着温度まで加熱し、前記半導体チップと前記支持体とを、及び隣接する前記半導体チップを接着する半導体装置の製造方法であって、前記ダイアタッチフィルムは、前記支持体から遠い方の半導体チップに接着される第１接着剤層と、前記支持体または前記支持体に近い方の半導体チップに接着される第２接着剤層と、を備え、前記第２接着剤層の前記接着温度における 貯蔵弾性率が、前記第１接着剤層の前記接着温度における貯蔵弾性率よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
［６］前記ワークにおいて、隣接する２つの前記半導体チップの間に挟まれた前記ダイアタッチフィルムの前記第２接着剤層の表面の一部が前記半導体チップと接している［５］に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【0011】
本発明によれば、半導体チップを被接着物に加熱により接着する際に、半導体チップにかかる応力を低減しつつ半導体チップの変形を抑制することが可能なダイアタッチフィルム、及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0012】
【図1】本発明の一実施形態にかかるダイアタッチフィルムの断面の構成の一例を示す模式図である。
【図2】本発明の一実施形態の一例にかかるダイアタッチシートの構成を示す模式図である。
【図3】本発明の一実施形態の他の一例にかかるダイアタッチシートの構成を示す模式図である。
【図4】本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例におけるラミネート工程を説明する模式図である。
【図5】本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例におけるダイシング工程を説明する模式図である。
【図6】本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例におけるピックアップ工程を説明する模式図である。
【図7】本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例における接着工程を説明する模式図である。
【図8】本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例における配線工程を説明する模式図である。
【図9】本発明の一実施形態の他の例にかかる半導体装置の製造方法における接着工程を説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0013】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、図面の寸法比率は図示の比率に限られない。
【0014】
以下の説明において、貯蔵弾性率は、次のような方法によって測定される値である。まず、厚さ２５μｍの試験片（例えばダイアタッチフィルム）が１２枚積層された幅４ｍｍ、長さ２０ｍｍのサンプルを得る。得られたサンプルについて、動的弾性率測定装置（ＵＢＭ株式会社製、商品名：Ｅ４０００ＨＰ）を用いて、昇温速度３℃／分、及び周波数１０Ｈｚの条件で、２０～２００℃の範囲で、温度と、サンプルの長さ方向の貯蔵弾性率との関係を求める。ここで得られた関係に基づいて、所定の温度におけるサンプルの貯蔵弾性率が求められる。
【0015】
＜１．ダイアタッチフィルム＞
［１－１．ダイアタッチフィルムの構成］
図１は、本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０の断面の構成の一例を示す模式図である。本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０は、所定の接着温度まで加熱されることによって、半導体チップと被接着物とを接着する。被接着物は、基板等の支持体でもよい。また、被接着物は、半導体チップでもよく、この場合、ダイアタッチフィルム１０は、隣接する２つの半導体チップを接着する。
［１－１．ダイアタッチフィルムの構成］
図１は、本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０の断面の構成の一例を示す模式図である。本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０は、所定の接着温度まで加熱されることによって、半導体チップと被接着物とを接着する。被接着物は、基板等の支持体でもよい。また、被接着物は、半導体チップでもよく、この場合、ダイアタッチフィルム１０は、隣接する２つの半導体チップを接着する。
【0016】
本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０は、半導体チップに接着される第１接着剤層１と、被接着物に接着される第２接着剤層２とを備える。第２接着剤層２の接着温度における貯蔵弾性率は、第１接着剤層１の接着温度における貯蔵弾性率よりも低い。
【0017】
接着温度とは、ダイアタッチフィルム１０による接着を行う温度である。例えば、後述する第１接着剤層１及び第２接着剤層２の一方または両方に熱硬化性樹脂が含まれ、その熱硬化性樹脂を硬化させることにより接着を行う構成である場合、接着温度はその熱硬化性樹脂を硬化させる温度である。接着温度は、１２０℃としてもよい。また、接着温度は範囲を有していてもよい。例えば、接着温度は、６０℃以上であってもよく、８０℃以上であってもよく、１００℃以上であってもよい。また、例えば接着温度は、２００℃以下であってもよく、１６０℃以下であってもよく、１４０℃以下であってもよい。
【0018】
（１－１－１．第１接着剤層）
第１接着剤層１の接着温度における貯蔵弾性率Ｇ１は、０．５０ＭＰａ以上であることが好ましく、０．７０ＭＰａ以上であることがより好ましく、０．９０ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。第１接着剤層１の剛性が向上し、ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、半導体チップが変形することを抑制するためである。
第１接着剤層１の接着温度における貯蔵弾性率Ｇ１は、０．５０ＭＰａ以上であることが好ましく、０．７０ＭＰａ以上であることがより好ましく、０．９０ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。第１接着剤層１の剛性が向上し、ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、半導体チップが変形することを抑制するためである。
【0019】
第１接着剤層１の接着温度における貯蔵弾性率Ｇ１は、１０ＭＰａ以下であることが好ましく、５．０ＭＰａ以下であることがより好ましく、２．０ＭＰａ以下であることがさらに好ましく、１．３ＭＰａ以下であることが特に好ましい。ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、第１接着剤層１を半導体チップの変形にある程度追従できるようにすることで、半導体チップにかかる応力の上昇を抑制するためである。
【0020】
第１接着剤層１の厚さｔ１は、特に限定されないが、１．０μｍ以上であることが好ましく、２．０μｍ以上であることがより好ましく、４．０μｍ以上であることがさらに好ましい。第１接着剤層１の剛性が向上し、ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、半導体チップが変形することを抑制するためである。
【0021】
第１接着剤層１の厚さｔ１は、特に限定されないが、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以下であることがさらに好ましい。ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、第１接着剤層１を半導体チップの変形にある程度追従できるようにすることで、半導体チップにかかる応力の上昇を抑制するためである。また、ダイアタッチフィルム１０の薄型化のためである。なお、第１接着剤層１の厚さｔ１は、２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよい。
【0022】
第１接着剤層１の表面（第２接着剤層２と接しない方の面）は、粘着性を有することが好ましい。半導体チップを、ダイアタッチフィルム１０に仮固定することで、半導体チップを被接着物上に置く際の作業性が向上するためである。
【0023】
（１－１－２．第２接着剤層）
第２接着剤層２の接着温度における貯蔵弾性率Ｇ２は、０．１０ＭＰａ以上であってもよく、０．２０ＭＰａ以上であってもよく、０．３０ＭＰａ以上であってもよく、０．４０ＭＰａ以上であってもよい。
第２接着剤層２の接着温度における貯蔵弾性率Ｇ２は、０．１０ＭＰａ以上であってもよく、０．２０ＭＰａ以上であってもよく、０．３０ＭＰａ以上であってもよく、０．４０ＭＰａ以上であってもよい。
【0024】
第２接着剤層２の接着温度における貯蔵弾性率Ｇ２は、１．０ＭＰａ以下であることが好ましく、０．８０ＭＰａ以下であることがより好ましく、０．６０ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、第２接着剤層２の変形により半導体チップにかかる応力の上昇を抑制するためである。
【0025】
第２接着剤層２の厚さｔ２は、特に限定されないが、１．０μｍ以上であることが好ましく、２．０μｍ以上であることがより好ましく、４．０μｍ以上であることがさらに好ましい。ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、第２接着剤層２の変形により半導体チップにかかる応力の上昇を抑制するためである。
【0026】
第２接着剤層２の厚さｔ２は、特に限定されないが、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、３０μｍ以下であることがさらに好ましい。ダイアタッチフィルム１０の薄型化のためである。なお、第２接着剤層２の厚さｔ２は、２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以下であってもよい。
【0027】
第２接着剤層２の表面（第１接着剤層１と接しない方の面）は、粘着性を有することが好ましい。半導体チップを被接着物に置いた後に、各接着剤層を硬化するまでの間、半導体チップが被接着物上で動くことを抑制できるためである。。
【0028】
（１－１－３．第１接着剤層及び第２接着剤層の貯蔵弾性率の関係）
第２接着剤層２の接着温度における貯蔵弾性率Ｇ２と、第１接着剤層１の接着温度における貯蔵弾性率Ｇ１との比の値Ｇ２／Ｇ１は、０．９０以下であることが好ましく、０．８０以下であることがより好ましく、０．７０以下であることがさらに好ましく、０．６０以下であることが特に好ましい。ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、半導体チップにかかる応力の上昇を抑制しつつ、半導体チップが変形することを抑制するためである。
第２接着剤層２の接着温度における貯蔵弾性率Ｇ２と、第１接着剤層１の接着温度における貯蔵弾性率Ｇ１との比の値Ｇ２／Ｇ１は、０．９０以下であることが好ましく、０．８０以下であることがより好ましく、０．７０以下であることがさらに好ましく、０．６０以下であることが特に好ましい。ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、半導体チップにかかる応力の上昇を抑制しつつ、半導体チップが変形することを抑制するためである。
【0029】
上記の比の値Ｇ２／Ｇ１は、０．１０以上であってもよく、０．２０以上であってもよく、０．３０以上であってもよく、０．４０以上であってもよい。
【0030】
（１－１－４．第１接着剤層及び第２接着剤層の厚さの関係）
第１接着剤層１の厚さｔ１と第２接着剤層２の厚さｔ２との比の値ｔ１／ｔ２は、０．４０以上であることが好ましく、０．６０以上であることがより好ましく、０．８０以上であることがさらに好ましい。ダイアタッチフィルム１０の厚さの上昇を抑制しつつ、第１接着剤層１の剛性を向上させ、ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、半導体チップが変形することを抑制するためである。
第１接着剤層１の厚さｔ１と第２接着剤層２の厚さｔ２との比の値ｔ１／ｔ２は、０．４０以上であることが好ましく、０．６０以上であることがより好ましく、０．８０以上であることがさらに好ましい。ダイアタッチフィルム１０の厚さの上昇を抑制しつつ、第１接着剤層１の剛性を向上させ、ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、半導体チップが変形することを抑制するためである。
【0031】
第１接着剤層１の厚さｔ１と第２接着剤層２の厚さｔ２との比の値ｔ１／ｔ２は、１．６以下であることが好ましく、１．４以下であることがより好ましく、１．２以下であることがさらに好ましい。ダイアタッチフィルム１０の厚さの上昇を抑制しつつ、ダイアタッチフィルム１０を用いた半導体チップの実装工程において、第２接着剤層２の変形により半導体チップにかかる応力の上昇を抑制するためである。
【0032】
第１接着剤層１の厚さｔ１及び第２接着剤層２の厚さｔ２は同じ、すなわち、ｔ１／ｔ２は、１．０であってもよい。
【0033】
第１接着剤層１の厚さｔ１及び第２接着剤層２の厚さｔ２の合計値ｔ１＋ｔ２は、３００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、５０μｍ以下であることがさらに好ましい。ダイアタッチフィルム１０の薄型化のためである。
【0034】
（１－１－５．第１接着剤層及び第２接着剤層の材質）
第１接着剤層１及び第２接着剤層２の材質は特に限定されないが、熱硬化性樹脂が含まれることが好ましく、熱硬化性樹脂が３０質量％以上含まれることがより好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂が挙げられるが、これに限定されない。第１接着剤層１の貯蔵弾性率Ｇ１及び第２接着剤層２の貯蔵弾性率Ｇ２は、例えば、熱硬化性樹脂の官能基の種類及び官能基以外の化学構造により制御できる。
第１接着剤層１及び第２接着剤層２の材質は特に限定されないが、熱硬化性樹脂が含まれることが好ましく、熱硬化性樹脂が３０質量％以上含まれることがより好ましい。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂が挙げられるが、これに限定されない。第１接着剤層１の貯蔵弾性率Ｇ１及び第２接着剤層２の貯蔵弾性率Ｇ２は、例えば、熱硬化性樹脂の官能基の種類及び官能基以外の化学構造により制御できる。
【0035】
また、第１接着剤層１及び第２接着剤層２は、熱硬化性樹脂を硬化させるための硬化剤を含んでもよい。第１接着剤層１及び第２接着剤層２において、熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂が含まれる場合、硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂が挙げられるがこれに限定されない。第１接着剤層１の貯蔵弾性率Ｇ１及び第２接着剤層２の貯蔵弾性率Ｇ２は、例えば、硬化剤の官能基の種類及び官能基以外の化学構造により制御できる。
【0036】
第１接着剤層１及び第２接着剤層２は、熱硬化性樹脂以外の樹脂成分、無機フィラー、カップリング剤、硬化促進剤等を含んでもよい。第１接着剤層１の貯蔵弾性率Ｇ１及び第２接着剤層２の貯蔵弾性率Ｇ２は、熱硬化性樹脂及び硬化剤以外の成分の種類及び含有量により制御できる。
【0037】
＜２．ダイアタッチシート＞
［２－１．ダイアタッチシートの構成例１］
図２は、本実施形態の一例にかかるダイアタッチシート１００の構成を示す模式図である。この例にかかるダイアタッチシート１００では、ダイアタッチフィルム１０及び保護シート３を備え、保護シート３は、第２接着剤層２の表面（第１接着剤層１と接しない方の面）に、粘着力によって貼り付けられている。第２接着剤層２と、保護シート３との間は界面剥離可能であることが好ましい。
［２－１．ダイアタッチシートの構成例１］
図２は、本実施形態の一例にかかるダイアタッチシート１００の構成を示す模式図である。この例にかかるダイアタッチシート１００では、ダイアタッチフィルム１０及び保護シート３を備え、保護シート３は、第２接着剤層２の表面（第１接着剤層１と接しない方の面）に、粘着力によって貼り付けられている。第２接着剤層２と、保護シート３との間は界面剥離可能であることが好ましい。
【0038】
この構成によれば、後述する半導体装置の製造工程において、第１接着剤層１に半導体ウェハーが貼り付けられた後、第２接着剤層２へ支持体を貼り付けるまでの間、例えば、後述するダイシング工程等において、異物の付着等に対して第２接着剤層２が保護シート３によって保護される。
【0039】
保護シート３と第２接着剤層２との間の剥離強度は、第１接着剤層１と第２接着剤層２との間の剥離強度よりも低い。この構成により、第２接着剤層２を支持体へ貼り付けるために、保護シート３を第２接着剤層２から剥離する際に、第１接着剤層１と第２接着剤層２とが剥離することを防止できる。
【0040】
保護シート３と第２接着剤層２との間の剥離強度は、第１接着剤層１と半導体チップ（後述する）との間の接着前における剥離強度よりも低いことが好ましい。この構成により、例えば、後述する半導体装置の製造方法におけるピックアップ工程等において、半導体チップからダイアタッチフィルム１０が剥離することを抑制できる。
【0041】
保護シート３は、ダイシングテープとしてもよい。保護シート３の材質は、例えば樹脂フィルムである。樹脂フィルムとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。また、保護シート３は、プライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理をされた樹脂フィルムであってもよい。保護シート３は、粘着性を有することが好ましい。保護シート３は、例えば、樹脂フィルムに粘着性が付与された構成であり、樹脂フィルムの片面に粘着剤層が付与された構成であってもよい。
【0042】
［２－２．ダイアタッチシートの構成例２］
図３は、本実施形態の他の一例にかかるダイアタッチシート１１０の構成を示す模式図である。この例にかかるダイアタッチシート１１０は、ダイアタッチフィルム１０と、第１保護シート３１と、第２保護シート３２とを備える。第１保護シート３１は、ダイアタッチフィルム１０の第１接着剤層１の表面（第２接着剤層２と接しない方の面）に、粘着力によって貼り付けられている。第２保護シート３２は、ダイアタッチフィルム１０の第２接着剤層２の表面（第１接着剤層１と接しない方の面）に、粘着力によって貼り付けられている。第１接着剤層１と第１保護シート３１との間、及び第２接着剤層２と第２保護シート３２との間は界面剥離可能であることが好ましい。
図３は、本実施形態の他の一例にかかるダイアタッチシート１１０の構成を示す模式図である。この例にかかるダイアタッチシート１１０は、ダイアタッチフィルム１０と、第１保護シート３１と、第２保護シート３２とを備える。第１保護シート３１は、ダイアタッチフィルム１０の第１接着剤層１の表面（第２接着剤層２と接しない方の面）に、粘着力によって貼り付けられている。第２保護シート３２は、ダイアタッチフィルム１０の第２接着剤層２の表面（第１接着剤層１と接しない方の面）に、粘着力によって貼り付けられている。第１接着剤層１と第１保護シート３１との間、及び第２接着剤層２と第２保護シート３２との間は界面剥離可能であることが好ましい。
【0043】
第１保護シート３１及び第２保護シート３２の材質及び構成は、例えば、保護シート３の説明にて例示された材質及び構成であってもよいが、それらに限定されない。また、第１保護シート３１及び第２保護シート３２の材質及び構成は同じであってもよく、異なっていてもよい。
【0044】
この構成によれば、第１接着剤層１に半導体ウェハーが貼り付けられる直前まで第１接着剤層１が第１保護層３１によって保護される。また、この構成によれば、後述する半導体装置の製造工程において、第１接着剤層１に半導体ウェハーが貼り付けられた後、第２接着剤層２を支持体へ貼り付けるまでの間、例えば、後述するダイシング工程等において、異物の付着等に対して第２接着剤層２が第２保護シート３２によって保護される。
【0045】
第２保護シート３２と第２接着剤層２との間の剥離強度は、第１接着剤層１と第２接着剤層２との間の剥離強度よりも低い。この構成により、第２接着剤層２を支持体へ貼り付けるために、第２保護シート３２を第２接着剤層２から剥離する際に、第１接着剤層１と第２接着剤層２とが剥離することを防止できる。
【0046】
また、半導体装置の製造工程において、第２接着剤層２を支持体へ貼り付ける前に、第１接着剤層１に半導体ウェハーを貼り付ける工程を行う場合、第１保護シート３１と第１接着剤層１との間の剥離強度は、第２保護シート３２と第２接着剤層２との間の剥離強度よりも低いことが好ましい。この構成により、第１接着剤層１を半導体ウェハーへ貼り付けるために、第１保護シート３１を第１接着剤層１から剥離する際に、第２保護シート３２と第２接着剤層２とが剥離することを抑制できる。
【0047】
また、上記の順番で半導体装置の製造工程を行う場合、第１保護シート３１と第１接着剤層１とを剥離する時点でのこれらの剥離強度は、第２接着剤層２と半導体ウェハーとの間の剥離強度よりも低いことが好ましい。この構成により、第１保護シート３１を第１接着剤層１から剥離する際に、第２接着剤層２と半導体ウェハーとが剥離することを抑制できる。
【0048】
＜３．ダイアタッチフィルムの製造方法＞
以下、本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０の製造方法の例について説明するが、本実施形態にかかるダイアタッチフィルムの製造方法はこれらの例に限定されない。
以下、本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０の製造方法の例について説明するが、本実施形態にかかるダイアタッチフィルムの製造方法はこれらの例に限定されない。
【0049】
［３－１．ダイアタッチフィルムの製造方法の例１］
本実施形態の一例にかかるダイアタッチフィルム１０の製造方法は、第１基材上に第１接着剤層１を形成させる第１接着剤層形成工程と、第２基材上に第２接着剤層２を形成させる第２接着剤層形成工程と、第１基材上に形成された第１接着剤層１及び第２基材上に形成された第２接着剤層２を接合させる接合工程と、を有する。なお、第１接着剤層形成工程及び第２接着剤層形成工程の順序は、特に限定されておらず、第１接着剤層形成工程を先に行ってもよく、第２接着剤層形成工程を先に行ってもよく、第１接着剤層形成工程及び第２接着剤層形成工程を並行して行ってもよい。
本実施形態の一例にかかるダイアタッチフィルム１０の製造方法は、第１基材上に第１接着剤層１を形成させる第１接着剤層形成工程と、第２基材上に第２接着剤層２を形成させる第２接着剤層形成工程と、第１基材上に形成された第１接着剤層１及び第２基材上に形成された第２接着剤層２を接合させる接合工程と、を有する。なお、第１接着剤層形成工程及び第２接着剤層形成工程の順序は、特に限定されておらず、第１接着剤層形成工程を先に行ってもよく、第２接着剤層形成工程を先に行ってもよく、第１接着剤層形成工程及び第２接着剤層形成工程を並行して行ってもよい。
【0050】
第１接着剤層形成工程は、例えば、第１基材に第１接着剤組成物を塗布し、第１基材上に塗布された第１接着剤組成物を乾燥させることにより、第１基材上に第１接着剤層１を形成させる。
【0051】
第１基材は、例えば、図３に示されるダイアタッチシート１１０における、第１保護シート３１としてもよい。第１基材の材質及び構成は、例えば、保護シート３の説明にて例示された材質及び構成であってもよいが、それらに限定されない。
【0052】
第１接着剤組成物は、ワニスであることが好ましい。成分が均一な接着剤層を形成でき、接着剤その厚さの制御がしやすいためである。ワニスは、例えば、第１接着剤層１及び第２接着剤層２として含まれる成分が溶剤に溶解している構成が挙げられる。溶剤としては、有機溶剤が挙げられ、有機溶剤としては、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等が挙げられるがこれらに限定されない。なお、第１接着剤組成物は、ワニスに限られず、分散液等であってもよい
【0053】
第１接着剤組成物を第１基材に塗布する方法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【0054】
第１基材上に塗布された第１接着剤組成物を乾燥させる方法としては、例えば、加熱乾燥が挙げられる。加熱温度及び加熱時間は、第１基材及び第１接着剤組成物の成分に応じて適宜調整することが好ましい。加熱温度及び加熱時間は、第１接着剤組成物に含まれる成分の化学反応を抑制できる範囲の温度であることが好ましい。
【0055】
第２接着剤層形成工程は、例えば、第２基材に第２接着剤組成物を塗布し、第２基材上に塗布された第２接着剤組成物を乾燥させることにより、第２基材上に第２接着剤層２を形成させる。
【0056】
第２接着剤層形成工程にて行われうる各操作の説明については、第１接着剤層形成工程と同様である。第２接着剤層形成工程は、第１接着剤層形成工程と同様の操作で行われてもよく、異なっていてもよい。
【0057】
第２基材は、例えば、図２に示されるダイアタッチシート１００における、保護シート３としてもよく、図３に示されるダイアタッチシート１１０における、第２保護シート３２としてもよい。第２基材の材質及び構成は、例えば、保護シート３の説明にて例示された材質及び構成であってもよいが、それらに限定されない。
【0058】
第２接着剤組成物の構成の説明については、第１接着剤組成物と同様である。ただし、第２接着剤層２の接着温度における貯蔵弾性率が第１接着剤層１の接着温度における貯蔵弾性率よりも低くなるように、第２接着剤組成物の構成を決定することが好ましい。
【0059】
接合工程では、例えば、第１基材上に形成された第１接着剤層１と第２基材上に形成された第２接着剤層２とが接するように貼り合わせる。貼り合わせは、例えば、ロールラミネーター、真空ラミネーター等を用いて行われる。貼り合わせは、第１接着剤層１及び第２接着剤層２が加熱された状態で行われてもよく、加熱せずに行われてもよい。
【0060】
接合工程の後、第１基材または第２基材を剥離してもよく、第１基材及び第２基材の両方を剥離してもよい。接合工程の後、第１基材のみを剥離して、第２基材を保護シート３として残す場合、図２にかかるダイアタッチシート１００の構成となる。接合工程の後、第１基材及び第２基材のいずれも残す場合、図３にかかるダイアタッチシート１１０の構成となる。
【0061】
［３－２．ダイアタッチフィルムの製造方法の例２］
本実施形態の他の一例にかかるダイアタッチフィルム１０の製造方法は、基材上に第２接着剤組成物を塗布し、塗布された第２接着剤組成物を乾燥させて第２接着剤層２を形成させる第２接着剤層形成工程と、基材上に形成された第２接着剤層２上に第１接着剤組成物を塗布し、塗布された第１接着剤組成物を乾燥させて第１接着剤層１を形成させる第１接着剤層形成工程と、を有する。
本実施形態の他の一例にかかるダイアタッチフィルム１０の製造方法は、基材上に第２接着剤組成物を塗布し、塗布された第２接着剤組成物を乾燥させて第２接着剤層２を形成させる第２接着剤層形成工程と、基材上に形成された第２接着剤層２上に第１接着剤組成物を塗布し、塗布された第１接着剤組成物を乾燥させて第１接着剤層１を形成させる第１接着剤層形成工程と、を有する。
【0062】
基材は、例えば、図２に示されるダイアタッチシート１００における、保護シート３としてもよく、図３に示されるダイアタッチシート１１０における、第２保護シート３２としてもよい。基材の材質及び構成は、例えば、保護シート３の説明にて例示された材質及び構成であってもよいが、それらに限定されない。
【0063】
＜４．半導体装置の製造方法＞
［４－１．半導体装置の製造方法の例１］
本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例について、図４～図８を参照しながら説明する。この一例にかかる半導体装置の製造方法では、ダイアタッチフィルム１０は、図２に示される形態を有するダイアタッチシート１００が用いられるが、これに限定されない。なお、後述する各工程のうち、接着工程以外の工程は、不要であれば行わなくてもよい。不要な工程の例については後述する。
［４－１．半導体装置の製造方法の例１］
本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例について、図４～図８を参照しながら説明する。この一例にかかる半導体装置の製造方法では、ダイアタッチフィルム１０は、図２に示される形態を有するダイアタッチシート１００が用いられるが、これに限定されない。なお、後述する各工程のうち、接着工程以外の工程は、不要であれば行わなくてもよい。不要な工程の例については後述する。
【0064】
（４－１－１．ラミネート工程）
図４は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例におけるラミネート工程を説明する模式図である。ラミネート工程では、半導体ウェハー２００をダイアタッチフィルム１０（ダイアタッチシート１００）の第１接着剤層１に貼り付ける（ラミネートする）。半導体ウェハー２００は予め厚み方向に溝を形成するように、ハーフカットされていてもよい。ラミネートする際には、ロール等により加圧してもよく、ダイアタッチフィルム１０及び半導体ウェハー２００のいずれかまたは両方を加熱してもよい。
図４は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例におけるラミネート工程を説明する模式図である。ラミネート工程では、半導体ウェハー２００をダイアタッチフィルム１０（ダイアタッチシート１００）の第１接着剤層１に貼り付ける（ラミネートする）。半導体ウェハー２００は予め厚み方向に溝を形成するように、ハーフカットされていてもよい。ラミネートする際には、ロール等により加圧してもよく、ダイアタッチフィルム１０及び半導体ウェハー２００のいずれかまたは両方を加熱してもよい。
【0065】
ラミネートにおいて、加熱を行う場合、ダイアタッチフィルム１０の温度は５０℃以上とすることが好ましく、６０℃以上とすることがより好ましく、７０℃以上とすることがさらに好ましい。ダイアタッチフィルム１０の第１接着剤層１と、半導体ウェハー２００との間でより良好な密着性が得られるためである。ラミネートにおいて、加熱を行う場合、ダイアタッチフィルム１０の温度は、１２０℃以下とすることが好ましく、１００℃以下とすることがより好ましく、９０℃以下とすることがさらに好ましい。ラミネート中、第１接着剤層１及び第２接着剤層２の流動を抑制し、ダイアタッチフィルム１０の厚さの変化を引き起こすことを抑制できるためである。
【0066】
（４－１－２．ダイシング工程）
図５は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例におけるダイシング工程を説明する模式図である。ダイシング工程では、ダイアタッチフィルム１０が貼り付けられた半導体ウェハー２００を所定の形状に切断（ダイシング）し、半導体チップ２０１を得る。ダイシング方法としては、例えば、回転刃を用いるブレードダイシング、レーザーによって切断する方法等が挙げられるが、これらに限定されない。この例において、ダイシング工程では、保護シート３は切断されない。そのため、以下のピックアップ工程において、半導体チップ２０１を取り出す際に、効率的にダイアタッチフィルム１０から保護シート３から剥離させることができる。
図５は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例におけるダイシング工程を説明する模式図である。ダイシング工程では、ダイアタッチフィルム１０が貼り付けられた半導体ウェハー２００を所定の形状に切断（ダイシング）し、半導体チップ２０１を得る。ダイシング方法としては、例えば、回転刃を用いるブレードダイシング、レーザーによって切断する方法等が挙げられるが、これらに限定されない。この例において、ダイシング工程では、保護シート３は切断されない。そのため、以下のピックアップ工程において、半導体チップ２０１を取り出す際に、効率的にダイアタッチフィルム１０から保護シート３から剥離させることができる。
【0067】
（４－１－３．ピックアップ工程）
図６は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例におけるピックアップ工程を説明する模式図である。ピックアップ工程では、半導体チップ２０１を、半導体チップ２０１にダイアタッチフィルム１０が貼り付けられた状態で取り出す。この製造方法の例においては、ピックアップ工程において、半導体チップ２０１がラミネートされたダイアタッチフィルム１０を保護シート３から剥離させる。この工程において、半導体チップ２０１を１つずつピックアップしてもよく、複数の半導体チップ２０１を同時にピックアップしてもよい。
図６は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例におけるピックアップ工程を説明する模式図である。ピックアップ工程では、半導体チップ２０１を、半導体チップ２０１にダイアタッチフィルム１０が貼り付けられた状態で取り出す。この製造方法の例においては、ピックアップ工程において、半導体チップ２０１がラミネートされたダイアタッチフィルム１０を保護シート３から剥離させる。この工程において、半導体チップ２０１を１つずつピックアップしてもよく、複数の半導体チップ２０１を同時にピックアップしてもよい。
【0068】
（４－１－４．接着工程）
図７は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例における接着工程を説明する模式図である。接着工程では、支持体３００上に、ダイアタッチフィルム１０を挟んで、半導体チップ２０１がセットされたワーク７００において、ダイアタッチフィルム１０を所定の接着温度まで加熱し、半導体チップ２０１と支持体３００とを接着する。
図７は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例における接着工程を説明する模式図である。接着工程では、支持体３００上に、ダイアタッチフィルム１０を挟んで、半導体チップ２０１がセットされたワーク７００において、ダイアタッチフィルム１０を所定の接着温度まで加熱し、半導体チップ２０１と支持体３００とを接着する。
【0069】
この例にかかる製造方法においては、半導体チップ２０１に貼り付けられたダイアタッチフィルム１０が支持体３００に接するように、ピックアップ工程において取り出された半導体チップ２０１を、支持体３００上の所定の位置にセットし、これをワーク７００とする。ワーク７００における、ダイアタッチフィルム１０を、所定の接着温度で加熱し、半導体チップ２０１と支持体３００とを接着する。
【0070】
支持体３００は、例えば、半導体チップ２０１が接着される面に電気回路３０１が形成された基板である。支持体３００の平面視における形状は、特に限定されず、矩形等の多角形、円形、楕円形等が挙げられる。
【0071】
接着温度は、ダイアタッチフィルム１０に接着機能を十分に発現させる温度である。第１接着剤層１及び第２接着剤層２のうち少なくとも一方に熱硬化性樹脂が含まれている場合、接着温度は、接着時間が長いほど低くすることができ、接着時間が短いほど高くする必要がある。また、接着の際に、半導体チップ２０１及び支持体３００の間に圧力をかけてもよい。
【0072】
接着後、第１接着剤層１は第１接着層となり、第２接着剤層２は第２接着層となる。
【0073】
接着工程において、半導体チップ２０１を支持体３００上にセットした後、半導体チップ２０１と支持体３００とを接着させるまでの間、半導体チップ２０１が容易に動かないように、例えば第２接着剤層２に粘着性を付与して、ダイアタッチフィルム１０と支持体３００とを粘着力により固定してもよい。
【0074】
（４－１－５．配線工程）
図８は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例における配線工程を説明する模式図である。配線工程は、例えば、支持体３００上に形成された電気回路３０１と半導体チップ２０１との間で電気的接続をさせるための配線３０２を形成させる。配線３０２の形成は、例えば、ワイヤボンディング等により行われる。
図８は、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法の一例における配線工程を説明する模式図である。配線工程は、例えば、支持体３００上に形成された電気回路３０１と半導体チップ２０１との間で電気的接続をさせるための配線３０２を形成させる。配線３０２の形成は、例えば、ワイヤボンディング等により行われる。
【0075】
すなわち、配線工程により、電気回路３０１が形成された支持体３００と、支持体３００の電気回路３０１が形成されている面上に形成された接着層と、接着層上に形成された半導体チップ２０１と、半導体チップ２０１と電気回路３０１との間で電気的接続をする配線３０２と、を備え、接着層は、半導体チップ２０１に接する第１接着層と、支持体３００に接する第２接着層とを有する構成が得られる。図８に示されるこの構成を半導体装置８００としてもよい。
【0076】
（４－１－６．その他の工程等）
半導体装置の製造方法の例は、以上で説明した工程に限定されない。例えば、ダイアタッチシート１００の代わりに、図３に示されるダイアタッチシート１１０を用いる場合、ラミネート工程の前に、ダイアタッチシート１１０から保護シート３１を剥離する工程を行なってもよい。
半導体装置の製造方法の例は、以上で説明した工程に限定されない。例えば、ダイアタッチシート１００の代わりに、図３に示されるダイアタッチシート１１０を用いる場合、ラミネート工程の前に、ダイアタッチシート１１０から保護シート３１を剥離する工程を行なってもよい。
【0077】
また、例えば、ダイアタッチシート１００の代わりに、保護シートを有さないダイアタッチフィルム１０が用いられる場合、ラミネート工程と、ダイシング工程との間にダイシングテープを第１接着剤層１に貼り付ける工程を行ってもよい。
【0078】
また、例えば、所望の形状の半導体チップを入手できる場合、ダイシング工程を行わなくてもよい。また、所望の形状の半導体チップに保護シートを有さないダイアタッチフィルム１０が予め貼り付けられている場合、ラミネート工程、ダイシング工程、及びピックアップ工程を行わなくてもよい。
【0079】
また、例えば、後述する支持体３００と半導体チップ２０１との間の配線を有さない半導体装置として出荷する場合等においては、配線工程を行わなくてもよい。この場合、支持体３００と、支持体３００上に形成された接着層と、接着層上に形成された半導体チップ２０１と、を備え、接着層は、半導体チップ２０１に接する第１接着層と、支持体３００に接する第２接着層と、を有する構成、すなわち図７に示される構成が半導体装置として得られる。
【0080】
［４－２．半導体装置の製造方法の例２］
図９は、本実施形態の他の例にかかる半導体装置の製造方法における接着工程を説明する模式図である。この構成において、以下、支持体３００に近い方を下側、支持体３００から遠い方を上側と称することもある。
図９は、本実施形態の他の例にかかる半導体装置の製造方法における接着工程を説明する模式図である。この構成において、以下、支持体３００に近い方を下側、支持体３００から遠い方を上側と称することもある。
【0081】
この例にかかる半導体装置の製造方法におけるワーク９００において、支持体３００上に複数の半導体チップ２０１（１）～２０１（ｎ）（ｎは２以上の整数で、ｎが小さいほど支持体３００に近い半導体チップで、以下同様である）が積層されている。支持体３００と半導体チップ２０１（１）との間、及び隣接する半導体チップ２０１（ｋ－１）、２０１（ｋ）（ｋは整数かつ１≦ｋ≦ｎで、ｋが小さいほど支持体３００に近い半導体チップで、以下同様である。）の間にはダイアタッチフィルム１０が挟まれている。この例にかかる半導体装置の製造方法では、ダイアタッチフィルム１０を所定の接着温度まで加熱し、半導体チップ２０１と支持体３００とを、及び隣接する半導体チップ２０１（ｋ－１）、２０１（ｋ）を接着する。
【0082】
図９における二点鎖線と実線とに囲まれた部分には、支持体３００側にダイアタッチフィルム１０、その上に半導体チップ２０１（ｋ）を有する構成が１つまたは複数含まれている。図９に示される例では、支持体３００上の電気回路は図示されていないが、図７及び図８の例と同様に支持体３００上に電気回路が形成されていてもよい。また、図９に示される例では、ｎは４以上であるが、ｎは２でもよく、ｎは３でもよい。以下の説明において、半導体チップ２０１（１）～２０１（ｎ）のうち、不特定の半導体チップを称する場合は、半導体チップ２０１とする。
【0083】
この例にかかる半導体装置の製造方法におけるダイアタッチフィルム１０では、第１接着剤層１は支持体３００から遠い方の半導体チップ２０１（ｋ）に接着され、第２接着剤層２は支持体３００（ｋ＝１の場合）または支持体３００に近い方の半導体チップ２０１（ｋ－１）（ｋ≧２の場合）に接着される。
【0084】
この例にかかるワーク９００においては、隣接する２つの半導体チップ２０１（ｋ）、２０１（ｋ－１）の間に挟まれたダイアタッチフィルム１０の第２接着剤層２の表面の一部が半導体チップ２０１（ｋ－１）と接している。
【0085】
例えば、図９の例では、積層されるｎ個の半導体チップ２０１（１）～２０１（ｎ）が同形状で、支持体３００の主表面に平行な所定の向きに一定量オフセットさせて、これらの半導体チップ２０１（１）～２０１（ｎ）が積層される。積層の構成は、この例に限られず、隣接する半導体チップ間の少なくともいずれかのオフセットの向き及び距離のいずれかまたは両方が、他の隣接する半導体チップ間に対して異なる構成としてもよい。
【0086】
なお、この構成に限られず、ワーク９００は、半導体チップ２０１（１）と支持体３００との間に挟まれたダイアタッチフィルム１０の第２接着剤層２の表面の一部が支持体３００と接している構成であってもよい。また、例えば、ワークは、隣接する２つの半導体チップ２０１（ｋ）、２０１（ｋ－１）の間に挟まれたダイアタッチフィルム１０の第１接着剤層１の表面の一部が半導体チップ２０１（ｋ）と接している構成であってもよい。
【0087】
さらに、例えば、同形状の複数の半導体チップを揃えて、すなわち、上下の半導体チップの全面が互いに重なるように（すなわち、オフセットさせずに）積層してもよい。また、一部またはすべての半導体チップの形状が他の半導体チップの形状と異なっていてもよい。
【0088】
以下、この例にかかる製造方法の接着工程の一例について説明する。なお、接着工程以外の工程は、上記の例と同様であるため説明を省略する。また、ここでは、半導体チップ２０１（ｋ）を第ｋ半導体チップ２０１（ｋ）と称することもある。
【0089】
まず、第１半導体チップ２０１（１）に貼り付けられたダイアタッチフィルム１０が支持体３００に接するように、ピックアップ工程で取り出された第１半導体チップ２０１（１）を、支持体３００上の所定の位置にセットする。
【0090】
その後、ｋ≧２においては、ピックアップ工程で取り出された第ｋ半導体チップ２０１（ｋ）を、ダイアタッチフィルム１０が第１半導体チップ２０１（ｋ－１）に接するように、第（ｋ－１）半導体チップ２０１（ｋ－１）上の所定の位置にセットしていき、ワーク９００を作製する。
【0091】
その後、ワーク９００において、ダイアタッチフィルム１０を、所定の接着温度で加熱し、半導体チップ２０１と支持体３００とを接着する。接着温度と接着時間との関係については上の例で説明したとおりである。接着後、第１接着剤層１は第１接着層となり、第２接着剤層２は第２接着層となる。
【0092】
なお、ワーク９００の作製中に、すなわち、第ｎ半導体チップ２０１（ｎ）がセットされる前に、すでにセットされているダイアタッチフィルム１０を１回または２回以上中間加熱してもよい。中間加熱の条件は、ワーク９００の加熱と同様であってもよく、異なっていてもよい。
【0093】
また、半導体チップ２０１間の電気的接続、及び半導体チップ２０１と支持体３００上の電気回路との間で電気的接続をさせるための配線を形成させてもよい。配線の形成は、例えば、ワイヤボンディング等により行われる。配線の形成は、接着工程中に行われてもよく、接着工程後に行われてもよい。
【0094】
この例にかかる製造方法により製造される半導体装置は、支持体３００上に複数の半導体チップ２０１（１）～２０１（ｎ）が積層され、支持体３００と半導体チップ２０１（１）との間、及び隣接する半導体チップ２０１（ｋ）、２０１（ｋ－１）の間に接着層を有し、接着層は、支持体３００から遠い方の半導体チップ２０１（ｋ）に接する第１接着層と、支持体３００（ｋ＝１の場合）または支持体３００に近い方の半導体チップ２０１（ｋ－１）（ｋ≧２の場合）に接する第２接着層と、を備える。
【0095】
この半導体装置において、各半導体チップ２０１の形状、隣接する半導体チップ２０１（ｋ）及び２０１（ｋ－１）の位置関係（例えば、オフセットの向き及び距離）について、特に限定されず、例としては、上で説明したとおりである。
【0096】
＜５．本実施形態の効果＞
本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０は、所定の接着温度まで加熱されることによって半導体チップ２０１を被接着物に接着する。本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０は、半導体チップ２０１に接着される第１接着剤層１と、被接着物に接着される第２接着剤層２と、を備え、第２接着剤層２の接着温度における貯蔵弾性率が、第１接着剤層の接着温度における貯蔵弾性率よりも低い。
本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０は、所定の接着温度まで加熱されることによって半導体チップ２０１を被接着物に接着する。本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０は、半導体チップ２０１に接着される第１接着剤層１と、被接着物に接着される第２接着剤層２と、を備え、第２接着剤層２の接着温度における貯蔵弾性率が、第１接着剤層の接着温度における貯蔵弾性率よりも低い。
【0097】
ダイアタッチフィルム１０を接着温度まで加熱する際に、ダイアタッチフィルム１０に接する半導体チップ２０１及び被接着物も加熱され、熱変形する。しかし、本実施形態の構成によれば貯蔵弾性率の高い第１接着剤層１が半導体チップ２０１に接しているため、第１接着剤層１が半導体チップ２０１の変形を抑制する。また、この構成によれば、貯蔵弾性率の低い第２接着剤層２が被接着物に接しているため、半導体チップ２０１の熱変形及び被接着物の熱変形に合わせて柔らかい第２接着剤層２が変形し、半導体チップ２０１に応力がかかることを抑制する。
【0098】
以上のことから、本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０によれば、半導体チップ２０１を被接着物に加熱によって接着する際に、半導体チップ２０１にかかる応力を低減しつつ半導体チップ２０１の変形を抑制することが可能である。
【0099】
また、本実施形態にかかる半導体装置の製造方法によれば、ダイアタッチフィルム１０を用いることで、半導体チップ２０１を被接着物に加熱によって接着する際に、半導体チップ２０１にかかる応力を低減しつつ半導体チップ２０１の変形を抑制することが可能となる。
【0100】
さらに、支持体３００上に複数の半導体チップ２０１が積層された半導体装置の製造においては、半導体チップ２０１にかかる応力及び熱変形がより蓄積されやすい。そのため、このような構成においては、本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０及び半導体装置の製造方法の適用による効果がより大きくなる。
【0101】
例えば、隣接する２つの半導体チップの間に挟まれたダイアタッチフィルムの一部が半導体チップと接している、すなわち、一方の半導体チップの一部が他方の半導体チップと重なるワーク（例えば、図９に示されるワーク９００）を用いる場合、次のような課題がある。ダイアタッチフィルムの、半導体チップに接する部分と接しない部分との境は、半導体チップを剥離させる向きの応力が集中しやすい。また、一方の半導体チップの、他方の半導体チップに重ならない部分は、他方の半導体チップの変形を抑制しにくい。
【0102】
この課題に対して、本実施形態にかかるダイアタッチフィルム１０及び半導体装置の製造方法の適用（例えば、図９に示される構成）による効果はさらに大きくなる。貯蔵弾性率の低い第２接着剤層２が変形し、上記の境における応力の集中を抑制できるだけでなく、貯蔵弾性率の高い第１接着剤層１が、第１接着剤層１に接する半導体チップ２０１（ｋ）の変形を抑制できるためである。
【符号の説明】
【0103】
１０：ダイアタッチフィルム
１：第１接着剤層
２：第２接着剤層
３：保護シート
３１：第１保護シート
３２：第２保護シート
１００、１１０：ダイアタッチシート
２００：半導体ウェハー
２０１、２０１（１）、２０１（２）・・・２０１（ｎ）：半導体チップ
３００：支持体
３０１：電気回路
３０２：配線
１：第１接着剤層
２：第２接着剤層
３：保護シート
３１：第１保護シート
３２：第２保護シート
１００、１１０：ダイアタッチシート
２００：半導体ウェハー
２０１、２０１（１）、２０１（２）・・・２０１（ｎ）：半導体チップ
３００：支持体
３０１：電気回路
３０２：配線
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
