特開 2024-15462 光デバイス

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024015462

(43)【公開日】2024-02-02

(54)【発明の名称】光デバイス

(51)【国際特許分類】

   G02B 6/42 20060101AFI20240125BHJP

   H05K 7/20 20060101ALI20240125BHJP

   H01L 23/12 20060101ALI20240125BHJP

【ＦＩ】

G02B6/42

H05K7/20 D

H01L23/12 J

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022115347

(22)【出願日】2022-07-20

【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）令和２年度 国立研究開発法人情報通信研究機構「革新的情報通信技術研究開発委託研究／研究開発課題名：Ｂｅｙｏｎｄ ５Ｇ超大容量無線通信を支える次世代エッジクラウドコンピューティング基盤の研究開発／研究開発項目１）高速大容量データ転送を実現する革新的ハードウェア技術の研究開発／研究開発項目２）多種多様なサービスに対応可能な高機能エッジクラウド情報処理基盤の研究開発／副題：Ｂｅｙｏｎｄ ５Ｇに向けた革新的高速大容量データ転送ハードウェア開発と高機能エッジクラウド情報処理基盤の研究開発」、産業技術力強化法第１７条の適用を受ける特許出願

(71)【出願人】

【識別番号】505173245

【氏名又は名称】古河ネットワークソリューション株式会社

(71)【出願人】

【識別番号】000005290

【氏名又は名称】古河電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】三浦 健輔

(72)【発明者】

【氏名】高橋 慶

【テーマコード（参考）】

2H137

5E322

【Ｆターム（参考）】

2H137AA01

2H137AB05

2H137AB06

2H137BA01

2H137BB02

2H137BB12

2H137BB17

2H137CC05

2H137DA39

2H137DB12

2H137DB14

5E322AA01

5E322AA03

5E322BB03

5E322FA04

(57)【要約】

【課題】例えば、基板の表面に沿ってより小さく構成することが可能となるような、改善された新規な光デバイスを得る。
【解決手段】光デバイスは、例えば、複数の光トランシーバが実装され第一方向と交差した第一基板と、半導体集積回路が実装され第一方向と交差し第一基板と第一方向に間隔をあけて並んだ第二基板と、第一基板と第二基板との間に介在し、光トランシーバの導体と半導体集積回路の導体とを電気的に接続する配線を有した中間部材と、を備える。中間部材は、配線として、第一方向に伸縮可能なピンを有してもよい。中間部材は、配線を支持するベースを有し、ベースの少なくとも一部は、導体で作られてもよい。また、ベースには、第一方向に貫通し配線が通る開口が設けられ、開口の少なくとも内周面は、導体で作られてもよい。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の光トランシーバが実装され第一方向と交差した第一基板と、
半導体集積回路が実装され前記第一方向と交差し前記第一基板と前記第一方向に間隔をあけて並んだ第二基板と、
前記第一基板と前記第二基板との間に介在し、前記光トランシーバの導体と前記半導体集積回路の導体とを電気的に接続する配線を有した中間部材と、
を備えた、光デバイス。

【請求項2】

前記中間部材は、前記配線として、前記第一方向に伸縮可能なピンを有した、請求項１に記載の光デバイス。

【請求項3】

前記中間部材は、前記配線を支持するベースを有し、前記ベースの少なくとも一部は、導体で作られた、請求項１に記載の光デバイス。

【請求項4】

前記ベースには、前記第一方向に貫通し前記配線が通る開口が設けられ、
前記開口の少なくとも内周面は、前記導体で作られた、請求項３に記載の光デバイス。

【請求項5】

前記配線と前記内周面との間に空間が設けられた、請求項４に記載の光デバイス。

【請求項6】

前記配線は、絶縁体を介して前記ベースに支持された、請求項４または５に記載の光デバイス。

【請求項7】

前記中間部材は、前記配線として、前記ベースの前記導体と電気的に接続された配線を有した、請求項４に記載の光デバイス。

【請求項8】

前記ベースの前記導体は、前記半導体集積回路を覆う、請求項３に記載の光デバイス。

【請求項9】

前記ベースは、前記半導体集積回路と熱的に接続された、請求項３に記載の光デバイス。

【請求項10】

前記ベースは、前記複数の光トランシーバと熱的に接続された、請求項３または９に記載の光デバイス。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光デバイスに関する。

【背景技術】

【0002】

従来、ネットワークスイッチ装置に用いられる光デバイスとして、小型光トランシーバを備えた光デバイスが、知られている（例えば、特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－０２７１４７号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

特許文献１に開示される光デバイスでは、基板の表面上に、信号処理ＩＣ（integrated circuit）としてのスイッチＡＳＩＣ（application specific integrated circuit）と、複数の光トランシーバとが、実装されている。当該光デバイスでは、信号処理ＩＣの周囲に複数の光トランシーバが一つの基板の表面上に配置されているため、光デバイスは、当該基板の表面に沿って大型化しやすくなる。

【0005】

そこで、本発明の課題の一つは、基板と、複数の光トランシーバと、信号処理ＩＣとを備えた光デバイスとして、例えば、基板の表面に沿ってより小さく構成することが可能となるような、改善された新規な光デバイスを得ること、である。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本発明の光デバイスは、例えば、複数の光トランシーバが実装され第一方向と交差した第一基板と、半導体集積回路が実装され前記第一方向と交差し前記第一基板と前記第一方向に間隔をあけて並んだ第二基板と、前記第一基板と前記第二基板との間に介在し、前記光トランシーバの導体と前記半導体集積回路の導体とを電気的に接続する配線を有した中間部材と、を備える。

【0007】

前記光デバイスでは、前記中間部材は、前記配線として、前記第一方向に伸縮可能なピンを有してもよい。

【0008】

前記光デバイスでは、前記中間部材は、前記配線を支持するベースを有し、前記ベースの少なくとも一部は、導体で作られてもよい。

【0009】

前記光デバイスでは、前記ベースには、前記第一方向に貫通し前記配線が通る開口が設けられ、前記開口の少なくとも内周面は、前記導体で作られてもよい。

【0010】

前記光デバイスでは、前記配線と前記内周面との間に空間が設けられてもよい。

【0011】

前記光デバイスでは、前記配線は、絶縁体を介して前記ベースに支持されてもよい。

【0012】

前記光デバイスでは、前記中間部材は、前記配線として、前記ベースの前記導体と電気的に接続された配線を有してもよい。

【0013】

前記光デバイスでは、前記ベースの前記導体は、前記半導体集積回路を覆ってもよい。

【0014】

前記光デバイスでは、前記ベースは、前記半導体集積回路と熱的に接続されてもよい。

【0015】

前記光デバイスでは、前記ベースは、前記複数の光トランシーバと熱的に接続されてもよい。

【発明の効果】

【0016】

本発明によれば、新規な改善された光デバイスを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【0017】

【図1】図１は、第１実施形態の光デバイスを備えた通信装置の例示的かつ模式的な斜視図である。

【図2】図２は、第１実施形態の光デバイスの例示的かつ模式的な斜視図である。

【図3】図３は、第１実施形態の光デバイスの例示的かつ模式的な分解斜視図である。

【図4】図４は、第１実施形態の光デバイスに含まれる中間部材の一部の例示的かつ模式的な断面図である。

【図5】図５は、第１実施形態の光デバイスの一部の例示的かつ模式的な断面図である。

【図6】図６は、第２実施形態の光デバイスに含まれる中間部材の一部の例示的かつ模式的な断面図である。

【図7】図７は、第３実施形態の光デバイスに含まれる中間部材の一部の例示的かつ模式的な断面図である。

【図8】図８は、第４実施形態の光デバイスの一部の例示的かつ模式的な断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0018】

以下、本発明の例示的な実施形態が開示される。以下に示される実施形態の構成、ならびに当該構成によってもたらされる作用および結果（効果）は、一例である。本発明は、以下の実施形態に開示される構成以外によっても実現可能である。また、本発明によれば、構成によって得られる種々の効果（派生的な効果も含む）のうち少なくとも一つを得ることが可能である。

【0019】

以下に示される複数の実施形態は、同様の構成を備えている。よって、各実施形態の構成によれば、当該同様の構成に基づく同様の作用および効果が得られる。また、以下では、それら同様の構成には同様の符号が付与されるとともに、重複する説明が省略される場合がある。

【0020】

本明細書において、序数は、方向や、部材等を区別するために便宜上付与されており、優先順位や順番を示すものではない。

【0021】

各図において、Ｘ方向を矢印Ｘで表し、Ｙ方向を矢印Ｙで表し、Ｚ方向を矢印Ｚで表す。Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向は、互いに交差するとともに互いに直交している。また、以下では、Ｘ方向を長手方向若しくは延び方向、Ｙ方向を短手方向若しくは幅方向、Ｚ方向を積層方向若しくは高さ方向と称する。

【0022】

また、各図は説明を目的とした模式図であって、各図と実物とでスケールや比率は、必ずしも一致しない。

【0023】

［第１実施形態］
図１は、第１実施形態の通信装置２００の斜視図である。図１に示されるように、通信装置２００は、マザーボード２０１と、ＩＣ２０２と、複数のスイッチ装置１００と、ファン２０３と、電源モジュール２０４と、を備えている。

【0024】

マザーボード２０１は、Ｚ方向に略一定の厚さを有し、Ｚ方向と交差して広がっている。マザーボード２０１は、面２０１ａと、を有している。面２０１ａは、Ｚ方向を向くとともに、Ｚ方向と交差している。

【0025】

ＩＣ２０２、複数のスイッチ装置１００、ファン２０３、および電源モジュール２０４は、面２０１ａ上に実装されている。

【0026】

ＩＣ２０２は、複数のスイッチ装置１００の作動を制御する。ファン２０３は、通信装置２００の各部を冷却する空気流を送る電動ファンである。電源モジュール２０４は、通信装置２００の各部に電源電力を供給する。

【0027】

マザーボード２０１の導体（不図示）とスイッチ装置１００の導体（不図示）とは、コネクタ９０内の導体（不図示）を介して電気的に接続されている。

【0028】

図２は、スイッチ装置１００の斜視図であり、図３は、スイッチ装置１００の分解斜視図である。スイッチ装置１００は、光デバイスの一例である。

【0029】

図２，３に示されるように、スイッチ装置１００は、第一基板１０と、第二基板２０と、中間部材３０と、光トランシーバ４０と、スイッチＡＳＩＣ５０と、を備えている。

【0030】

第一基板１０は、正方形状（四角形状）の形状を有している。第一基板１０は、Ｚ方向と交差するとともに直交して広がるとともに、板状の形状を有している。第一基板１０は、Ｚ方向を向く面１０ａと、当該面１０ａとは反対側でＺ方向の反対方向を向く面１０ｂと、を有している。面１０ａ，１０ｂは、Ｚ方向と交差するとともに直交して広がっている。第一基板１０は、例えば、プリント配線基板である。Ｚ方向は、第一方向の一例である。

【0031】

図２に示されるように、複数の光トランシーバ４０は、第一基板１０の四つの辺１０ｃのそれぞれに沿って配置されている。各光トランシーバ４０からは、光ファイバ４１が延びている。なお、光ファイバ４１は、光トランシーバ４０からＺ方向と交差した方向に延びているが、これには限定されず、光トランシーバ４０からＺ方向に略沿って延びてもよい。

【0032】

また、本実施形態では、光トランシーバ４０は、第一基板１０の面１０ａ上に実装されたソケット１０ｄに着脱可能に装着されている。すなわち、光トランシーバ４０は、所謂プラガブル光トランシーバである。なお、光トランシーバ４０は、ソケット１０ｄに、Ｚ方向と交差した方向に着脱されるが、これには限定されず、光トランシーバ４０は、ソケット１０ｄに、Ｚ方向に略沿って着脱されてもよい。

【0033】

第二基板２０は、正方形状（四角形状）の形状を有している。第二基板２０は、Ｚ方向と交差するとともに直交して広がるとともに、板状の形状を有している。第二基板２０は、Ｚ方向を向く面２０ａと、当該面２０ａとは反対側でＺ方向の反対方向を向く面２０ｂと、を有している。面２０ａ，２０ｂは、Ｚ方向と交差するとともに直交して広がっている。第二基板２０は、例えば、プリント配線基板である。

【0034】

第二基板２０は、第一基板１０に対して、Ｚ方向の反対方向に離れている。すなわち、第二基板２０と第一基板１０とは、Ｚ方向に間隔をあけて並んでいる。

【0035】

また、第二基板２０の面２０ｂには、スイッチＡＳＩＣ５０が実装されている。スイッチＡＳＩＣ５０は、第一基板１０の辺１０ｃのそれぞれから離れた位置（本実施形態では一例として第一基板１０の略中央部）で、第一基板１０にフリップチップ実装されている。スイッチＡＳＩＣ５０は、各光トランシーバ４０の作動を制御する。スイッチＡＳＩＣ５０は、半導体集積回路の一例であり、信号処理ＩＣとも称される。

【0036】

スイッチＡＳＩＣ５０に対して第二基板２０とは反対側には、ヒートシンク５１が設けられている。ヒートシンク５１は、スイッチＡＳＩＣ５０で生じた熱を放出する。ヒートシンク５１は、放熱機構や、冷却機構とも称されうる。なお、冷却機構は、ヒートシンク５１には限定されず、例えば、冷媒による熱輸送機構を有するなど、他の構成を有してもよい。

【0037】

第一基板１０と第二基板２０との間には、中間部材３０が設けられている。中間部材３０（のベース３１）は、Ｚ方向と交差するとともに直交して広がるとともに、板状の形状を有している。厚さは、第一基板１０および第二基板２０の厚さよりも大きいが、これには限定されない。

【0038】

図４は、中間部材３０の一部の断面図である。図４に示されるように、中間部材３０は、ベース３１と、配線部材３２と、絶縁体３３と、を有している。配線部材３２は、第一基板１０と第二基板２０との間に介在し、光トランシーバ４０中の導体（不図示）とスイッチＡＳＩＣ５０中の導体（不図示）とを電気的に接続する配線の一部として機能する。

【0039】

ベース３１は、例えば、導体で作られる。導体は、例えば、アルミニウム合金や純アルミニウムのようなアルミニウム系材料や、銅合金や無酸素銅のような銅系材料である。さらに、導体は、比較的熱伝導性の高い材料で作られるのが好ましい。

【0040】

配線部材３２は、ベース３１をＺ方向に貫通する開口３１ａ内に収容され、当該ベース３１をＺ方向に貫通している。開口３１ａは、貫通孔や、切欠として、設けられうる。配線部材３２は、ベース３１に対してＺ方向およびＺ方向の反対方向の双方に露出している。配線部材３２は、配線の一例である。

【0041】

配線部材３２は、例えば、内部にばね（不図示）のような弾性部材を有し、Ｚ方向において弾性的に伸縮可能なピンである。第一基板１０および第二基板２０とアセンブリされていない自由状態において、配線部材３２のＺ方向の端部３２ａは、ベース３１のＺ方向の端部に位置する面３１ｂからＺ方向に突出し、配線部材３２のＺ方向の反対方向の端部３２ｂは、ベース３１のＺ方向の反対方向の端部に位置する面３１ｃからＺ方向の反対方向に突出している。

【0042】

配線部材３２は、ベース３１に、絶縁体３３を介して支持されている。絶縁体３３は、開口３１ａのＺ方向およびＺ方向の反対方向の端部を塞ぐキャップとして設けられている。このような構成により、本実施形態では、開口３１ａの内周面３１ａ１と配線部材３２との間に、空間Ｓが設けられている。

【0043】

また、このような構成において、ベース３１は、グラウンドと電気的に接続され、開口３１ａの直径、すなわち内周面３１ａ１の直径は、ベース３１に対する配線部材３２の差動インピーダンスが所期の値（例えば、１００［Ω］や、９０［Ω］）となるよう、設定される。

【0044】

なお、ベース３１は、その全体が導体で作られなくてもよく、言い換えると、少なくとも一部が導体であればよく、例えば、配線部材３２を間隔をあけて取り囲む別の導体で作られた筒状部材（不図示）と、当該筒状部材を支持する支持部材（不図示）と、を有してもよい。この場合、支持部材は、導体であってもよいし、導体でなくてもよい。

【0045】

図５は、スイッチ装置１００Ａ（１００）の一部の断面図である。図５に示されるように、第一基板１０、第二基板２０、および中間部材３０は、ボルトやナットのような結合機構７０を介して一体化され、これにより、スイッチ装置１００Ａが構成されている。中間部材３０の配線部材３２は、第一基板１０に設けられた導体１０ｅと、第二基板２０に設けられた導体２０ｃとを電気的に接続している。アセンブリされた状態で、配線部材３２は、第一基板１０および第二基板２０によってＺ方向に弾性的に圧縮される。これにより、配線部材３２は、弾性的に伸張し、導体１０ｅ，２０ｃを、それぞれ所要の押圧力で押圧する。また、第一基板１０の導体１０ｅは、光トランシーバ４０の導体（不図示）と電気的に接続されている。他方、第二基板２０の導体２０ｃは、はんだボールのようなバンプ２０ｄを介して、スイッチＡＳＩＣ５０の導体（不図示）と電気的に接続されている。バンプ２０ｄは、導体の一例であり、配線の一部を構成している。

【0046】

上述した構成において、光トランシーバ４０は、それぞれ、光ファイバ４１において伝送された光信号を受光し、当該光信号に応じた電気信号を出力する。光トランシーバ４０から出力された電気信号は、第一基板１０の導体１０ｅ、中間部材３０の配線部材３２、第二基板２０の導体２０ｃ、およびバンプ２０ｄを介して、スイッチＡＳＩＣ５０へ入力される。光トランシーバ４０は、光信号を受光する複数の受光部として、フォトダイオードアレイ（不図示）を有している。また、光トランシーバ４０は、それぞれ、スイッチＡＳＩＣ５０から、バンプ２０ｄ、第二基板２０の導体２０ｃ、中間部材３０の配線部材３２、および第一基板１０の導体１０ｅを介して、電気信号を受信し、当該電気信号に応じた光信号を出力する。光トランシーバ４０から出力された光信号は、光ファイバ４１に結合され、当該光ファイバ４１において伝送される。光トランシーバ４０は、光信号を出力する複数の発光部として、例えば、ＬＤアレイ（不図示、ＬＤ：laser diode）を有している。

【0047】

なお、スイッチＡＳＩＣ５０とヒートシンク５１との間には、熱伝導シート５２が介在している。すなわち、ヒートシンク５１は、熱伝導シート５２を介して、スイッチＡＳＩＣ５０と熱的に接続されている。なお、スイッチＡＳＩＣ５０とヒートシンク５１との間には、熱伝導シート５２に替えて、熱伝導ゲルのような別の部材が介在してもよい。熱伝導シート５２や、熱伝導ゲルは、伝熱部材とも称されうる。また、スイッチＡＳＩＣ５０とヒートシンク５１とは、他の部材を介することなく、直接的に接続されてもよい。

【0048】

以上説明したように、本実施形態では、複数の光トランシーバ４０が第一基板１０に実装されるとともに、スイッチＡＳＩＣ５０（半導体集積回路）が第二基板２０に実装され、第一基板１０と第二基板２０とが、それらが交差するＺ方向に間隔をあけて並べられている。これにより、複数の光トランシーバ４０とスイッチＡＳＩＣ５０とが一つの基板に実装された構成に比べて、スイッチ装置１００のＺ方向と交差する方向におけるサイズをより小さくすることができる。これにより、図１に示されるようにマザーボード２０１上に複数のスイッチ装置１００が実装される構成において、マザーボード２０１のサイズをより小さく（狭く）することができ、ひいては通信装置２００をより小さく構成できるという利点が得られる。また、複数の光トランシーバ４０とスイッチＡＳＩＣ５０とが一つの基板に実装された構成において、例えば、光トランシーバ４０の数が多いような場合には、面１０ａにおいて配策される各光トランシーバ４０とスイッチＡＳＩＣ５０との間の配線が、それぞれ長くなってしまう虞がある。この点、本実施形態によれば、各光トランシーバ４０とスイッチＡＳＩＣ５０との間の配線部材３２を含む配線を、面１０ａと交差したＺ方向に配策することができる分、配線をより短くできる場合がある。

【0049】

［第２実施形態］
図６は、第２実施形態の中間部材３０の一部の断面図である。図６に示されるように、本実施形態では、開口３１ａ内には空間Ｓ（図４参照）が設けられず、開口３１ａ内は全て絶縁体３３で埋められている。本実施形態でも、配線部材３２は、絶縁体３３を介してベース３１に支持されている。また、本実施形態でも、開口３１ａの直径、すなわち内周面３１ａ１の直径は、ベース３１に対する配線部材３２の差動インピーダンスが所期の値（例えば、１００［Ω］や、９０［Ω］）となるよう、設定される。なお、当該直径は、第１実施形態のように空間Ｓである場合とは異なる値となる。

【0050】

［第３実施形態］
図７は、第３実施形態の中間部材３０の一部の断面図である。図７に示されるように、本実施形態では、一部の配線部材３２は、ベース３１によって、直接支持されており、導体としてのベース３１と電気的に接続されている。この場合、配線部材３２は、例えば、光トランシーバ４０のグラウンド導体およびスイッチＡＳＩＣ５０のグラウンド導体のうち少なくとも一方の導体と電気的に接続されたグラウンド配線である。なお、図４（第１実施形態）の構造、図６の構造（第２実施形態）、および図７（第３実施形態）の構造のうち、少なくとも二つの構造は、同じスイッチ装置１００内に設けられてもよい。

【0051】

［第４実施形態］
図８は、第４実施形態のスイッチ装置１００Ｄ（１００）の一部の断面図である。第１実施形態では、スイッチＡＳＩＣ５０は、第二基板２０の面２０ｂ上に実装されていたが、本実施形態では、図８に示されるように、スイッチＡＳＩＣ５０は、第二基板２０の面２０ａ上に実装されている。ベース３１には、スイッチＡＳＩＣ５０を収容する凹部３１ｄが設けられている。そして、スイッチＡＳＩＣ５０と、凹部３１ｄの底面３１ｄ１との間には、可撓性を有した熱伝導シート５２が、圧縮された状態で介在している。このような構成により、スイッチＡＳＩＣ５０は、ベース３１（中間部材３０）と熱的に接続されている。すなわち、スイッチＡＳＩＣ５０で生じた熱は、熱伝導シート５２を介して、ベース３１へ伝達される。なお、スイッチＡＳＩＣ５０と凹部３１ｄの底面３１ｄ１との間には、熱伝導シート５２に替えて、熱伝導ゲルのような別の部材が介在してもよい。熱伝導シート５２や、熱伝導ゲルは、伝熱部材とも称されうる。

【0052】

また、図８に示されるように、スイッチＡＳＩＣ５０は、導体によって作られたベース３１によって覆われている。この場合、ベース３１が電磁シールドとなり、不要電磁波がスイッチＡＳＩＣ５０の作動に悪影響を及ぼしたり、あるいはスイッチＡＳＩＣ５０から周囲に不要電磁波が放射され光トランシーバ４０や他の部品の作動に悪影響を及ぼしたりするのを抑制することができる。

【0053】

さらに、図８に示されるように、本実施形態では、第一基板１０には、当該第一基板１０をＺ方向に貫通する熱伝達部材１０ｆと、当該熱伝達部材１０ｆと接して熱的に接続された熱伝達部材１０ｇと、が設けられている。そして、光トランシーバ４０と、ベース３１（中間部材３０）とが、当該熱伝達部材１０ｆ，１０ｇを介して熱的に接続されている。熱伝達部材１０ｆは、例えば、インレイや、貫通ビアであり、熱伝達部材１０ｇは、例えば、はんだボールのようなバンプや、パッドである。すなわち、本実施形態では、ベース３１（中間部材３０）は、スイッチＡＳＩＣ５０および光トランシーバ４０のそれぞれに対して、放熱機構として機能しうる。なお、本実施形態では、ベース３１（中間部材３０）は、スイッチＡＳＩＣ５０および光トランシーバ４０の双方に熱的に接続されたが、いずれか一方に熱的に接続されてもよい。

【0054】

以上、本発明の実施形態が例示されたが、上記実施形態は一例であって、発明の範囲を限定することは意図していない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、組み合わせ、変更を行うことができる。また、各構成や、形状、等のスペック（構造や、種類、方向、型式、大きさ、長さ、幅、厚さ、高さ、数、配置、位置、材質等）は、適宜に変更して実施することができる。

【符号の説明】

【0055】

１０…第一基板
１０ａ…面
１０ｂ…面
１０ｃ…辺
１０ｄ…ソケット
１０ｅ…導体
１０ｆ…熱伝達部材
１０ｇ…熱伝達部材
２０…第二基板
２０ａ…面
２０ｂ…面
２０ｃ…導体
２０ｄ…バンプ
３０…中間部材
３１…ベース
３１ａ…開口
３１ａ１…内周面
３１ｂ…面
３１ｃ…面
３１ｄ…凹部
３１ｄ１…底面
３２…配線部材（配線）
３２ａ…端部
３２ｂ…端部
３３…絶縁体
４０…光トランシーバ
４１…光ファイバ
５０…スイッチＡＳＩＣ（半導体集積回路）
５１…ヒートシンク
５２…熱伝導シート
７０…結合機構
９０…コネクタ
１００，１００Ａ，１００Ｄ…スイッチ装置（光デバイス）
２００…通信装置
２０１…マザーボード
２０１ａ…面
２０２…ＩＣ
２０３…ファン
２０４…電源モジュール
Ｓ…空間
Ｘ…方向
Ｙ…方向
Ｚ…方向（第一方向）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】