特開 2024-154746 光導波路搭載基板及びその製造方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024154746

(43)【公開日】2024-10-31

(54)【発明の名称】光導波路搭載基板及びその製造方法

(51)【国際特許分類】

   H05K 1/18 20060101AFI20241024BHJP

   G02B 6/26 20060101ALI20241024BHJP

   G02B 6/12 20060101ALI20241024BHJP

   G02B 6/122 20060101ALI20241024BHJP

   H05K 3/34 20060101ALI20241024BHJP

【ＦＩ】

H05K1/18 J

G02B6/26

G02B6/12 371

G02B6/122

H05K3/34 507Z

【審査請求】未請求

【請求項の数】10

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023068758

(22)【出願日】2023-04-19

(71)【出願人】

【識別番号】000190688

【氏名又は名称】新光電気工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100107766

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠重

(74)【代理人】

【識別番号】100070150

【弁理士】

【氏名又は名称】伊東 忠彦

(72)【発明者】

【氏名】兼田 悠

【テーマコード（参考）】

2H137

2H147

5E319

5E336

【Ｆターム（参考）】

2H137AB01

2H137BA53

2H137BA55

2H137CA12B

2H137CA34

2H137CC01

2H137CC05

2H137DB01

2H147BD01

2H147CC02

2H147CC12

2H147CC14

2H147CD02

2H147CD12

2H147DA08

2H147DA19

2H147EA09C

2H147EA13A

2H147EA13C

2H147EA14C

2H147EA14D

2H147EA16A

2H147EA16B

2H147EA16C

2H147EA17A

2H147EA17B

2H147EA19A

2H147EA19B

2H147EA20A

2H147EA20B

5E319AA03

5E319AB05

5E319AC20

5E319CC22

5E319GG09

5E336AA04

5E336BC25

5E336CC34

5E336EE01

5E336GG09

(57)【要約】

【課題】シリコン導波路とコア層との位置精度を向上可能な光導波路搭載基板を提供する。
【解決手段】本光導波路搭載基板は、第１面に開口する凹部を備えた配線基板と、支持体、及び前記支持体に設けられたコア層を備えた光導波路基板と、シリコン基板、及び前記シリコン基板に設けられたシリコン導波路を備えたシリコンフォトニクスチップと、を含み、前記シリコン導波路が前記コア層と光結合している光導波路装置と、を有し、前記光導波路基板は、前記コア層が前記凹部と反対側を向き、かつ前記支持体の厚さ方向の少なくとも一部が凹部内に位置するように、前記配線基板に搭載されている。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１面に開口する凹部を備えた配線基板と、
支持体、及び前記支持体に設けられたコア層を備えた光導波路基板と、シリコン基板、及び前記シリコン基板に設けられたシリコン導波路を備えたシリコンフォトニクスチップと、を含み、前記シリコン導波路が前記コア層と光結合している光導波路装置と、を有し、
前記光導波路基板は、前記コア層が前記凹部と反対側を向き、かつ前記支持体の厚さ方向の少なくとも一部が凹部内に位置するように、前記配線基板に搭載されている、光導波路搭載基板。

【請求項2】

前記凹部と前記支持体とが対向する領域に、第１樹脂が配置されている、請求項１に記載の光導波路搭載基板。

【請求項3】

前記シリコンフォトニクスチップは、前記第１面にフリップチップ実装されている、請求項２に記載の光導波路搭載基板。

【請求項4】

前記シリコン基板と前記第１面とが対向する領域に、第２樹脂が配置されている、請求項３に記載の光導波路搭載基板。

【請求項5】

前記支持体は、前記支持体を貫通する貫通配線を備え、
前記シリコンフォトニクスチップは、前記支持体の前記コア層が設けられた第２面に、前記貫通配線の一端と電気的に接続するようにフリップチップ実装され、
前記貫通配線の他端は、前記凹部内で、前記配線基板と電気的に接続されている、請求項２に記載の光導波路搭載基板。

【請求項6】

前記シリコン基板と前記第２面とが対向する領域に、第２樹脂が配置されている、請求項５に記載の光導波路搭載基板。

【請求項7】

前記第１樹脂と前記第２樹脂は、同一材料により、一体に形成されている、請求項４又は６に記載の光導波路搭載基板。

【請求項8】

前記支持体は、ガラス基板である、請求項３又は５に記載の光導波路搭載基板。

【請求項9】

第１面に開口する凹部を備えた配線基板と、
支持体、及び前記支持体に設けられたコア層を備えた光導波路基板と、シリコン基板、及び前記シリコン基板に設けられたシリコン導波路を備えたシリコンフォトニクスチップと、を含み、前記シリコン導波路が前記コア層と光結合している光導波路装置と、を準備する工程と、
前記光導波路装置を前記配線基板に搭載する工程と、を有し、
前記搭載する工程では、前記光導波路基板の前記コア層が前記凹部と反対側を向き、かつ前記光導波路基板の前記支持体の厚さ方向の少なくとも一部が凹部内に位置するように、前記光導波路装置を前記配線基板に搭載する、光導波路搭載基板の製造方法。

【請求項10】

前記凹部と前記支持体とが対向する領域に、第１樹脂を配置する工程を有する、請求項９に記載の光導波路搭載基板の製造方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、光導波路搭載基板及びその製造方法に関する。

【背景技術】

【0002】

各種のコンピュータやデータ通信などの装置が設置されたデータセンター等において、シリコンフォトニクスチップと光導波路とを有する光導波路装置を用いて光信号の送受信が行われている。このような光導波路装置では、光導波路のコア層とシリコンフォトニクスチップのシリコン導波路とが光結合されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－７７７１５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、上記のような光導波路装置を配線基板に搭載した光導波路搭載基板がある。光導波路搭載基板では、シリコンフォトニクスチップのシリコン導波路と光導波路のコア層との光結合と、シリコンフォトニクスチップと配線基板との電気接続の両方が必要である。しかし、配線基板上にシリコンフォトニクスチップと光導波路を高い位置精度で搭載することは容易ではない。

【0005】

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、シリコン導波路とコア層との位置精度を向上可能な光導波路搭載基板を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本光導波路搭載基板は、第１面に開口する凹部を備えた配線基板と、支持体、及び前記支持体に設けられたコア層を備えた光導波路基板と、シリコン基板、及び前記シリコン基板に設けられたシリコン導波路を備えたシリコンフォトニクスチップと、を含み、前記シリコン導波路が前記コア層と光結合している光導波路装置と、を有し、前記光導波路基板は、前記コア層が前記凹部と反対側を向き、かつ前記支持体の厚さ方向の少なくとも一部が凹部内に位置するように、前記配線基板に搭載されている。

【発明の効果】

【0007】

開示の技術によれば、シリコン導波路とコア層との位置精度を向上可能な光導波路搭載基板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】第１実施形態に係る光導波路搭載基板を例示する図である。

【図2】図１の光導波路搭載基板における光導波路装置近傍の部分斜視図である。

【図3】第１実施形態に係る光導波路搭載基板の製造工程を例示する図である。

【図4】第２実施形態に係る光導波路搭載基板を例示する断面図である。

【図5】第２実施形態に係る光導波路搭載基板の製造工程を例示する図である。

【図6】第１実施形態の変形例に係る光導波路搭載基板を例示する断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。

【0010】

〈第１実施形態〉
［光導波路搭載基板］
図１は、第１実施形態に係る光導波路搭載基板を例示する図であり、図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のコア層の１つを通る縦断面図である。図２は、図１の光導波路搭載基板における光導波路装置近傍の部分斜視図である。

【0011】

図１及び図２を参照すると、光導波路搭載基板１は、配線基板２と、光導波路装置３とを有している。配線基板２は、例えば、配線層と樹脂絶縁層が交互に積層された所謂ビルドアップ多層配線基板である。配線基板２は、第１面２ａを有する。図示の例では、第１面２ａは上面である。

【0012】

配線基板２は、第１面２ａに開口する凹部２ｘを備えている。凹部２ｘは、第１面２ａから第１面２ａとは反対側の面に向かって窪む。凹部２ｘは、例えば、第１面２ａの端部に設けることができる。凹部２ｘは、例えば、配線基板２の絶縁層が１層又は複数層除去された深さとすることができる。第１面２ａを基準とする凹部２ｘの深さは、例えば、５００μｍ程度である。

【0013】

光導波路装置３は、光導波路基板１０と、シリコンフォトニクスチップ２０とを含む。光導波路基板１０は、支持体１１と、支持体１１に設けられたクラッド層１２及びコア層１３とを備えている。なお、クラッド層１２上に、コア層１３を部分的に被覆する第２クラッド層が設けられてもよい。

【0014】

支持体１１は、クラッド層１２及びコア層１３を形成するための基体となる部分である。支持体１１は、例えば、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁樹脂材料から形成される。支持体１１は、剛性の強いリジッド基板であってもよく、あるいは、剛性の弱いフレキシブル基板であってもよい。支持体１１は、ガラス基板であってもよい。有機基板は熱による収縮や吸湿等により変形しやすいが、ガラス基板を用いると変形を低減することができる。支持体１１は、シリコン基板やセラミック基板であってもよい。

【0015】

クラッド層１２は、支持体１１の上に形成されている。クラッド層１２の厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度とすることができる。クラッド層１２の屈折率は、例えば、１．５程度とすることができる。クラッド層１２は、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリノルボルネン樹脂等の感光性樹脂から形成することができる。

【0016】

コア層１３は、クラッド層１２の上に形成されている。コア層１３の幅は、例えば、５μｍ～１０μｍ程度とすることができる。コア層１３の厚さは、例えば、５μｍ～１０μｍ程度とすることができる。コア層１３の屈折率は、クラッド層１２の屈折率よりも高く、例えば、１．６程度とすることができる。コア層１３は、例えば、クラッド層１２の材料として例示した中から適宜選択した材料により形成することができる。

【0017】

なお、光導波路基板１０では１２個のコア層１３が間隔を開けて並置されているが、これには限定されず、コア層１３は１個以上の任意の個数として構わない。又、コア層１３は直線状に形成しなくてもよく、湾曲する部分を含んでいてもよい。隣接するコア層１３の間隔は、一定であってもよいし、一定でなくてもよい。

【0018】

シリコンフォトニクスチップ２０は、シリコン基板２１と、シリコン基板２１の一方の面側に設けられたシリコン導波路２２とを備えている。シリコン導波路２２は、シリコンチップに作り込まれた微細な光導波路であり、シリコンチップに光回路などを集積化するシリコンフォトニクス技術に使用される。

【0019】

シリコンフォトニクスチップ２０は、シリコン導波路２２をコア層１３の側に向けて配置され、シリコン導波路２２はコア層１３と光結合している。シリコン導波路２２の一部又は全部は、コア層１３に埋め込まれてもよい。なお、図示の例では、シリコン導波路２２とコア層１３はアディアバティック結合されているが、シリコン導波路２２はコア層１３と光結合していればよく、図示の例には限定されない。シリコン導波路２２とコア層１３は、例えば、直接結合されてもよい。

【0020】

シリコン基板２１の厚さは、例えば、１００μｍ～８００μｍ程度である。シリコン導波路２２は、例えば、シリコン基板２１上に設けられた保護膜上に設けることができる。保護膜は、例えば、ＳｉＯ_２やＳｉＯ_Ｘ等から形成することができる。保護膜の厚さは、例えば、２μｍ～６μｍ程度である。

【0021】

平面視で、シリコン導波路２２の一端側は、例えば、テーパー形状になっていてもよい。すなわち、平面視で、シリコン導波路２２のコア層１３と光結合する側は、徐々に幅が狭くなってもよい。このような形状により、シリコン導波路２２とコア層１３との光結合効率を向上できる。シリコン導波路２２の幅は、テーパー形状の部分以外では、例えば、２００ｎｍ～５００ｎｍ程度である。テーパー形状の部分の先端の幅は、例えば、一定幅の部分の１／２から１／４程度である。シリコン導波路２２の厚さは一定である。シリコン導波路２２の厚さは、例えば、２０ｎｍ～３００ｎｍ程度である。

【0022】

光導波路装置３において、光導波路基板１０は、コア層１３が配線基板２の凹部２ｘと反対側を向き、かつ支持体１１の厚さ方向の少なくとも一部が凹部２ｘ内に位置するように、配線基板２に搭載されている。凹部２ｘの底面と支持体１１の下面との間隔は、例えば、１０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。凹部２ｘと支持体１１とが対向する領域に、第１樹脂３０が配置されてもよい。第１樹脂３０の材料としては、例えば、エポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。第１樹脂３０の材料としては、流動性の高い樹脂材料を用いることが好ましい。高い流動性により、第１樹脂３０を凹部２ｘと支持体１１とが対向する領域に充填しやすくなる。第１樹脂３０を配置することにより、支持体１１の厚さやうねりのばらつきを許容することができる。

【0023】

また、光導波路装置３において、シリコンフォトニクスチップ２０は、例えば、第１面２ａにフリップチップ実装することができる。すなわち、シリコンフォトニクスチップ２０の電極と配線基板２の電極は、はんだ等の導電接合材４０を介して電気的に接続することができる。シリコン基板２１の下面と第１面２ａとの間隔は、例えば、１０μｍ～１００μｍ程度とすることができる。シリコン基板２１と第１面２ａとが対向する領域に、第２樹脂５０が配置されてもよい。第１樹脂３０と第２樹脂５０は、同一材料により、一体に形成されてもよい。また、光導波路基板１０において、シリコン導波路２２とコア層１３が光結合している側と反対側の端面（図１の右側の端面）には、コネクタ等（図示せず）が結合されていてもよい。

【0024】

［光導波路搭載基板の製造方法］
次に、光導波路搭載基板１の製造方法について説明する。図３は、第１実施形態に係る光導波路搭載基板の製造工程を例示する図である。

【0025】

図３（ａ）に示す工程では、まず、第１面２ａに開口する凹部２ｘを備えた配線基板２と、シリコンフォトニクスチップ２０のシリコン導波路２２が光導波路基板１０のコア層１３と光結合している光導波路装置３とを準備する。シリコンフォトニクスチップ２０の電極には、例えば、はんだ等の導電接合材４０が接合されている。光導波路装置３は、例えば、既に完成したものを購入等により準備してもよいし、光導波路基板１０及びシリコンフォトニクスチップ２０を準備し、両者を周知の方法により光結合させてもよい。

【0026】

次に、図３（ｂ）に示す工程では、光導波路装置３を配線基板２に搭載する。具体的には、光導波路基板１０のコア層１３が凹部２ｘと反対側を向き、かつ光導波路基板１０の支持体１１の厚さ方向の少なくとも一部が凹部２ｘ内に位置するように、光導波路装置３を配線基板２に搭載する。このとき、導電接合材４０が配線基板２の電極上に来るように位置調整を行う。そして、導電接合材４０を溶融後凝固させ、シリコンフォトニクスチップ２０の電極と配線基板２の電極とを、導電接合材４０を介して電気的に接続する。

【0027】

次に、必要に応じ、図３（ｃ）に示す工程のように、凹部２ｘと支持体１１とが対向する領域に、第１樹脂３０を配置する。例えば、凹部２ｘと支持体１１とが対向する領域に、流動性の高い樹脂を流し込み、硬化させて第１樹脂３０を形成する。この工程では、シリコン基板２１と第１面２ａとが対向する領域に、第２樹脂５０を配置してもよい。

【0028】

第１樹脂３０と第２樹脂５０は、同一材料により、一体に形成することができる。すなわち、凹部２ｘと支持体１１とが対向する領域、及びシリコン基板２１と第１面２ａとが対向する領域に、流動性の高い同一の樹脂を流し込み、硬化させることで、第１樹脂３０と第２樹脂５０を一体に形成することができる。

【0029】

なお、第１樹脂３０と第２樹脂５０は、別工程で形成してもよい。例えば、凹部２ｘと支持体１１とが対向する領域に、流動性の高い樹脂を流し込み、硬化させて第１樹脂３０を形成する。その後、シリコン基板２１と第１面２ａとが対向する領域に、流動性の高い樹脂を流し込み、硬化させて第２樹脂５０を形成してもよい。

【0030】

また、図３（ｂ）の工程よりも前に、凹部２ｘと支持体１１とが対向する予定の領域、及び／又はシリコン基板２１と第１面２ａとが対向する予定の領域に、流動性の高い樹脂を配置し、その後、図３（ｂ）の工程を実施してもよい。この場合、導電接合材４０の硬化と、第１樹脂３０及び／又は第２樹脂５０となる樹脂の硬化を同時に行うことができる。

【0031】

このように、光導波路搭載基板１では、シリコンフォトニクスチップ２０のシリコン導波路２２が光導波路基板１０のコア層１３と光結合している光導波路装置３を、配線基板２に実装する。すなわち、シリコン導波路２２とコア層１３との光結合と、光導波路装置３の配線基板２への電気的な接続とを独立させている。そのため、シリコン導波路２２とコア層１３との位置ずれが生じることなく、光導波路装置３を配線基板２に実装することができる。

【0032】

図３（ｂ）に示す工程では、導電接合材４０自体に高さのばらつきがあり、また導電接合材４０が一度溶融するため、実装前と実装後で導電接合材４０の高さが異なる。しかし、光導波路搭載基板１では、配線基板２に対する光導波路装置３の高さが変わるだけで、すでに光結合されたシリコン導波路２２とコア層１３との位置関係は変わらない。そのため、シリコン導波路２２とコア層１３との高い位置精度を維持できる。

【0033】

〈第２実施形態〉
第２実施形態では、支持体が貫通配線を有する例を示す。なお、第２実施形態において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0034】

［光導波路搭載基板］
図４は、第２実施形態に係る光導波路搭載基板を例示する断面図であり、図１（ｂ）に対応する断面を示している。

【0035】

図４に示す光導波路搭載基板１Ａは、光導波路装置３が光導波路装置３Ａに置換されている点が、光導波路搭載基板１と相違する。

【0036】

光導波路装置３Ａは、光導波路基板１０Ａを含む。光導波路基板１０Ａにおいて、支持体１１は、支持体１１を貫通する貫通配線１４を備えている。シリコンフォトニクスチップ２０は、支持体１１のコア層１３が設けられた第２面１１ａに、貫通配線１４の一端と電気的に接続するようにフリップチップ実装されている。すなわち、シリコンフォトニクスチップ２０の電極と貫通配線１４の一端とは、はんだ等の導電接合材４０を介して電気的に接続されている。貫通配線１４の他端は、凹部２ｘ内で、配線基板２の電極と、はんだ等の導電接合材６０を介して電気的に接続されている。

【0037】

凹部２ｘと支持体１１とが対向する領域に、第１樹脂３０が配置されてもよいまた、シリコン基板２１と第２面１１ａとが対向する領域に、第２樹脂５０が配置されてもよい。第１樹脂３０と第２樹脂５０は、同一材料により、一体に形成されてもよい。第１樹脂３０を配置することにより、支持体１１の厚さやうねりのばらつきを許容することができる。

【0038】

［光導波路搭載基板の製造方法］
次に、光導波路搭載基板１Ａの製造方法について説明する。図５は、第２実施形態に係る光導波路搭載基板の製造工程を例示する図である。

【0039】

図５（ａ）に示す工程では、まず、第１面２ａに開口する凹部２ｘを備えた配線基板２と、シリコンフォトニクスチップ２０のシリコン導波路２２が光導波路基板１０のコア層１３と光結合している光導波路装置３Ａとを準備する。支持体１１は、支持体１１を貫通する貫通配線１４を備えている。そして、シリコンフォトニクスチップ２０は、支持体１１のコア層１３が設けられた第２面１１ａに、貫通配線１４の一端と電気的に接続するようにフリップチップ実装されている。また、配線基板２の電極には、例えば、はんだ等の導電接合材６０が接合されている。光導波路装置３Ａは、例えば、既に完成したものを購入等により準備してもよいし、光導波路基板１０Ａ及びシリコンフォトニクスチップ２０を準備し、両者を周知の方法により光結合させてもよい。

【0040】

次に、図５（ｂ）に示す工程では、光導波路装置３Ａを配線基板２に搭載する。具体的には、光導波路基板１０Ａのコア層１３が凹部２ｘと反対側を向き、かつ光導波路基板１０Ａの支持体１１の厚さ方向の少なくとも一部が凹部２ｘ内に位置するように、光導波路装置３Ａを配線基板２に搭載する。このとき、貫通配線１４の他端が導電接合材６０上に来るように位置調整を行う。そして、導電接合材６０を溶融後凝固させ、貫通配線１４の他端と配線基板２の電極とを、導電接合材６０を介して電気的に接続する。

【0041】

次に、必要に応じ、図５（ｃ）に示す工程のように、凹部２ｘと支持体１１とが対向する領域に、第１樹脂３０を配置する。この工程では、シリコン基板２１と第２面１１ａとが対向する領域に、第２樹脂５０を配置してもよい。第１樹脂３０と第２樹脂５０は、同一材料により、一体に形成することができる。すなわち、凹部２ｘと支持体１１とが対向する領域、及びシリコン基板２１と第２面１１ａとが対向する領域に、流動性の高い同一の樹脂を流し込み、硬化させることで、第１樹脂３０と第２樹脂５０を一体に形成することができる。予め凹部２ｘを深くしておき、第２樹脂５０を凹部２ｘ内に形成可能な位置関係にしておいてもよい。

【0042】

なお、第１樹脂３０と第２樹脂５０は、別工程で形成してもよい。また、第２樹脂５０は、図５（ａ）の工程で形成してもよい。また、第１樹脂３０は、図５（ｂ）の工程の前に配置してもよい。

【0043】

このように、光導波路搭載基板１Ａでは、光導波路搭載基板１と同様に、シリコンフォトニクスチップ２０のシリコン導波路２２が光導波路基板１０Ａのコア層１３と光結合している光導波路装置３Ａを、配線基板２に実装する。すなわち、シリコン導波路２２とコア層１３との光結合と、光導波路装置３Ａの配線基板２への電気的な接続とを独立させている。そのため、シリコン導波路２２とコア層１３との位置ずれが生じることなく、光導波路装置３Ａを配線基板２に実装することができる。

【0044】

〈第１実施形態の変形例〉
第１実施形態の変形例では、配線基板に半導体チップを実装する例を示す。なお、第１実施形態の変形例において、既に説明した実施形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。

【0045】

図６は、第１実施形態の変形例に係る光導波路搭載基板を例示する断面図であり、図１（ｂ）に対応する断面を示している。

【0046】

図６に示す光導波路搭載基板１Ｂは、半導体チップ６１及び６２を有する点が、光導波路搭載基板１と相違する。

【0047】

半導体チップ６１及び６２は、例えば、配線基板２の第１面２ａにフリップチップ実装されている。半導体チップ６１は、例えば、ＡＳＩＣやロジックＩＣである。また、半導体チップ６２は、例えば、ＰＨＹチップである。ＰＨＹチップは、物理的なインターフェースを形成するチップであり、例えば、データの符号化や復号化を実施することができる。

【0048】

このように、配線基板２に半導体チップを実装してもよい。半導体チップは、上記の機能には限定されず、様々な機能を有してもよい。また、配線基板２に実装される半導体チップは１つでもよいし、３つ以上でも良い。

【0049】

以上、好ましい実施形態について詳説したが、上述した実施形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態に種々の変形及び置換を加えることができる。

【符号の説明】

【0050】

１，１Ａ、１Ｂ 光導波路搭載基板
２ 配線基板
２ａ 第１面
２ｘ 凹部
３，３Ａ 光導波路装置
１０，１０Ａ 光導波路基板
１１ 支持体
１２ クラッド層
１３ コア層
１４ 貫通配線
２０ シリコンフォトニクスチップ
２１ シリコン基板
２２ シリコン導波路
３０ 第１樹脂
４０，６０ 導電接合材
５０ 第２樹脂
６１，６２ 半導体チップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】