特開 2024-1551 転写基板、微小構造体の転写方法、及び半導体素子の実装方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024001551

(43)【公開日】2024-01-10

(54)【発明の名称】転写基板、微小構造体の転写方法、及び半導体素子の実装方法

(51)【国際特許分類】

   C09J 7/38 20180101AFI20231227BHJP

   C08J 5/18 20060101ALI20231227BHJP

   C09J 153/02 20060101ALI20231227BHJP

   C09J 125/08 20060101ALI20231227BHJP

   H01L 21/50 20060101ALI20231227BHJP

   C08L 53/02 20060101ALI20231227BHJP

【ＦＩ】

C09J7/38

C08J5/18 CEQ

C08J5/18 CET

C09J153/02

C09J125/08

H01L21/50 C

C08L53/02

【審査請求】未請求

【請求項の数】7

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2022100276

(22)【出願日】2022-06-22

(71)【出願人】

【識別番号】000220239

【氏名又は名称】東京応化工業株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100165179

【弁理士】

【氏名又は名称】田▲崎▼ 聡

(74)【代理人】

【識別番号】100189337

【弁理士】

【氏名又は名称】宮本 龍

(74)【代理人】

【識別番号】100178847

【弁理士】

【氏名又は名称】服部 映美

(74)【代理人】

【識別番号】100211122

【弁理士】

【氏名又は名称】白石 卓也

(72)【発明者】

【氏名】冨岡 有希

(72)【発明者】

【氏名】鵜野 和英

(72)【発明者】

【氏名】丸山 貴史

【テーマコード（参考）】

4F071

4J002

4J004

4J040

【Ｆターム（参考）】

4F071AA12

4F071AA12X

4F071AA22

4F071AA22X

4F071AA75

4F071AA78

4F071AC02

4F071AC10

4F071AC11

4F071AE05

4F071AE19

4F071AG28

4F071AG34

4F071AH12

4F071AH19

4F071BA02

4F071BB02

4F071BC02

4J002BP011

4J002GQ05

4J004AA05

4J004AB01

4J004BA02

4J004CA08

4J004FA05

4J040DB051

4J040DM011

4J040HB03

4J040HB31

4J040JB09

4J040KA23

4J040KA27

4J040LA01

4J040NA19

4J040NA20

4J040PA20

4J040PA42

(57)【要約】

【課題】微小構造体の移送に適した粘着層を有する転写基板、前記転写基板を用いた微小構造体の転写方法、及び前記転写方法を適用した半導体素子の実装方法を提供する。
【解決手段】第１の基板に仮固定された微小構造体をピックアップして、第２の基板に転写するための転写基板であって、ベース基板と、前記ベース基板上に形成された粘着層とを含み、前記粘着層が、主鎖の構成単位としてスチレン構成単位を含むエラストマーであって、前記スチレン構成単位の含有量が１４質量％以上５０質量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーを含有する粘着層形成用組成物からなる、転写基板。
【選択図】なし

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第１の基板に仮固定された微小構造体をピックアップして、第２の基板に転写するための転写基板であって、
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された粘着層とを含み、
前記粘着層が、
主鎖の構成単位としてスチレン構成単位を含むエラストマーであって、前記スチレン構成単位の含有量が１４質量％以上５０質量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーを含有する粘着層形成用組成物からなる、
転写基板。

【請求項2】

前記エラストマーが水添物である、請求項１に記載の転写基板。

【請求項3】

前記エラストマーの両端がスチレンのブロック重合体である、請求項１に記載の転写基板。

【請求項4】

前記エラストマーがスチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物である、請求項１に記載の転写基板。

【請求項5】

（ａ）第１の基板に仮固定された微小構造体を、請求項１～４のいずれか一項に記載の転写基板の前記粘着層に転写して、前記転写基板にピックアップする工程と、
（ｂ）前記転写基板にピックアップされた前記微小構造体を、第２の基板の粘着層に転写する工程と、
を含む、微小構造体の転写方法。

【請求項6】

（ｉ）半導体素子を保持する供給基板から、前記半導体素子を、第１の転写基板の粘着層に転写して前記第１の転写基板にピックアップする工程と、
（ｉｉ）前記第１の転写基板にピックアップされた半導体素子を、第２の転写基板の粘着層に転写して前記第２の転写基板にピックアップする工程と、
（ｉｉｉ）前記第２の転写基板にピックアップされた半導体素子を、実装基板の粘着層に転写する工程と、を含み、
前記第２の転写基板が、請求項１～４のいずれか一項に記載の転写基板である、
半導体素子の実装方法。

【請求項7】

前記実装基板の粘着層は、前記第２の転写基板の粘着層よりも、強い粘着力を有し、前記工程（ｉｉｉ）における転写が、前記第２の転写基板の粘着層と前記実装基板の粘着層との粘着力の差に基づいて行われる、請求項６に記載の半導体素子の実装方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、転写基板、微小構造体の転写方法、及び半導体素子の実装方法に関する。

【背景技術】

【0002】

近年のエレクトロニクス機器には、高性能化のみではなく、省スペース化及び省エネルギー化が求められる。そのため、搭載される電気電子部品も小型化及び微細化しており、その組立工程も複雑化している。

【0003】

例えば、マイクロＬＥＤディスプレイは、マイクロＬＥＤをサブピクセルとして配置されたディスプレイである。マイクロＬＥＤは、数μｍ～数十μｍ程度の微小構造体であり、一般的なＬＥＤ用のボンダー等では移送することが困難である。そこで、マイクロＬＥＤを選択的にピックアップして回路基板に配置するための仮固定材として、ベース基板上に粘着層を有する転写基板が利用されている。
粘着層の形成に用いられる粘着層形成用組成物としては、シリコーン系粘着剤等が提案されている（特許文献１）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２１－１２３６２０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

マイクロＬＥＤ等の微小構造体のピックアップ及び転写を効率的に行うためには、転写基板上の粘着層の性質が重要である。そのため、粘着層として適した粘着層形成用組成物の開発が求められている。

【0006】

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、微小構造体の移送に適した粘着層を有する転写基板、前記転写基板を用いた微小構造体の転写方法、及び前記転写方法を適用した半導体素子の実装方法を提供することを課題とする。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記の課題を解決するために、本発明は以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の第１の態様は、第１の基板に仮固定された微小構造体をピックアップして、第２の基板に転写するための転写基板であって、ベース基板と、前記ベース基板上に形成された粘着層とを含み、前記粘着層が、主鎖の構成単位としてスチレン構成単位を含むエラストマーであって、前記スチレン構成単位の含有量が１４質量％以上５０質量％以下であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下であるエラストマーを含有する粘着層形成用組成物からなる、転写基板である。

【0008】

本発明の第２の態様は、（ａ）第１の基板に仮固定された微小構造体を、第１の態様にかかる転写基板の前記第１の粘着層に転写して、前記転写基板にピックアップする工程と、（ｂ）前記転写基板にピックアップされた前記微小構造体を、第２の基板の粘着層に転写する工程と、を含む、微小構造体の転写方法である。

【0009】

本発明の第３の態様は、（ｉ）半導体素子を保持する供給基板から、前記半導体素子を、第１の転写基板の粘着層に転写して前記第１の転写基板にピックアップする工程と、（ｉｉ）前記第１の転写基板にピックアップされた半導体素子を、第２の転写基板の粘着層に転写して前記第２の転写基板にピックアップする工程と、（ｉｉｉ）前記第２の転写基板にピックアップされた半導体素子を、実装基板の粘着層に転写する工程と、を含み、前記第２の転写基板が、第１の態様にかかる転写基板である、半導体素子の実装方法である。

【発明の効果】

【0010】

本発明によれば、微小構造体の移送に適した粘着層を有する転写基板、前記転写基板を用いた微小構造体の転写方法、及び前記転写方法を適用した半導体素子の実装方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】一実施形態の転写基板を示す模式図である。

【図2】一実施形態の転写基板を示す模式図である。

【図3】図２に示す転写基板２００の製造方法の一例を示す模式図である。

【図4】一実施形態の転写基板を示す模式図である。

【図5】一実施形態の半導体素子の製造方法の一工程を示す模式図である。

【図6】一実施形態の半導体素子の製造方法の一工程を示す模式図である。

【図7】一実施形態の半導体素子の製造方法の一工程を示す模式図である。

【図8】図２に示す転写基板２００により、微小構造体をピックアップした状態を示す模式図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本明細書及び本特許請求の範囲において、「脂肪族」とは、芳香族に対する相対的な概念であって、芳香族性を持たない基、化合物等を意味するものと定義する。
「アルキル基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の１価の飽和炭化水素基を包含するものとする。アルコキシ基中のアルキル基も同様である。
「アルキレン基」は、特に断りがない限り、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
「ハロゲン化アルキル基」は、アルキル基の水素原子の一部又は全部がハロゲン原子で置換された基であり、該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
「フッ素化アルキル基」又は「フッ素化アルキレン基」は、アルキル基又はアルキレン基の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された基をいう。
「構成単位」とは、高分子化合物（樹脂、重合体、共重合体）を構成するモノマー単位（単量体単位）を意味する。
「置換基を有していてもよい」又は「置換基を有してもよい」と記載する場合、水素原子（－Ｈ）を１価の基で置換する場合と、メチレン基（－ＣＨ_２－）を２価の基で置換する場合との両方を含む。
「露光」は、放射線の照射全般を含む概念とする。

【0013】

「スチレン構成単位」とは、スチレン若しくはスチレン誘導体のエチレン性二重結合が開裂して構成される構成単位を意味する。スチレン構成単位は、スチレンから誘導される構成単位とスチレン誘導体から誘導される構成単位とを包含する。
「スチレン誘導体」とは、スチレンのα位の水素原子がアルキル基、ハロゲン化アルキル基等の他の置換基に置換されたもの、並びにそれらの誘導体を含む概念とする。それらの誘導体としては、α位の水素原子が置換基に置換されていてもよいスチレンのベンゼン環に、置換基が結合したもの等が挙げられる。尚、α位（α位の炭素原子）とは、特に断りがない限り、ベンゼン環が結合している炭素原子のことをいう。
スチレンのα位の水素原子を置換する置換基としては、前記α置換アクリル酸エステルにおいて、α位の置換基として挙げたものと同様のものが挙げられる。

【0014】

上記α位の置換基としてのアルキル基は、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、炭素原子数１～５のアルキル基（メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基）等が挙げられる。
また、α位の置換基としてのハロゲン化アルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、ハロゲン原子で置換した基が挙げられる。該ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、特にフッ素原子が好ましい。
また、α位の置換基としてのヒドロキシアルキル基は、具体的には、上記「α位の置換基としてのアルキル基」の水素原子の一部または全部を、水酸基で置換した基が挙げられる。該ヒドロキシアルキル基における水酸基の数は、１～５が好ましく、１が最も好ましい。
ベンゼン環に結合する置換基としては、炭素原子数１～５のアルキル基、炭素原子数１～５のアルコキシ基、炭素原子数１～５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。

【0015】

本明細書及び本特許請求の範囲において、化学式で表される構造によっては不斉炭素が存在し、エナンチオ異性体（ｅｎａｎｔｉｏｍｅｒ）やジアステレオ異性体（ｄｉａｓｔｅｒｅｏｍｅｒ）が存在し得るものがあるが、その場合は一つの式でそれら異性体を代表して表す。それらの異性体は単独で用いてもよいし、混合物として用いてもよい。

【0016】

（転写基板）
本発明の第１の態様にかかる転写基板は、第１の基板に仮固定された微小構造体をピックアップして、第２の基板に転写するために用いられる。本態様にかかる転写基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に形成された粘着層とを含む。前記粘着層は、エラストマーを含有する粘着層形成用組成物からなる。前記エラストマーは、主鎖の構成単位としてスチレン構成単位を含む。前記エラストマーにおいて、前記スチレン構成単位の含有量は、１４質量％以上５０質量％以下である。エラストマーの重量平均分子量は１０，０００以上、２００，０００以下である。

【0017】

＜粘着層形成用組成物＞
≪エラストマー≫
粘着層形成用組成物に含有されるエラストマーは、スチレン構成単位を含む。スチレン構成単位は、スチレンから誘導される構成単位でもよく、スチレン誘導体から誘導される構成単位でもよい。エラストマーが有するスチレン構成単位は、１種でもよく、２種以上でもよい。

【0018】

エラストマー中のスチレン構成単位の含有量は、１４質量％以上、５０質量％以下の範囲である。エラストマーの重量平均分子量は、１０，０００以上、２００，０００以下の範囲であれる。スチレン構成単位の含有量及び重量平均分子量が前記の範囲であると、エラストマーを炭化水素系溶剤に溶解させやすい。スチレン構成単位の含有量の下限値としては、１７重量％以上が好ましい。スチレン構成単位の含有量の上限値としては、４０重量％以下が好ましい。重量平均分子量の下限値としては、２０，０００以上が好ましい。重量平均分子量の上限値としては、１５０，０００以下が好ましい。

【0019】

エラストマーの種類は、特に限定されない。エラストマーとしては、例えば、ポリスチレン－ポリ（エチレン／プロピレン）ブロックコポリマー（ＳＥＰ）、スチレン－イソプレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＩＳ）、スチレン－ブタジエン－スチレンブロックコポリマー（ＳＢＳ）、スチレン－ブタジエン－ブチレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＢＢＳ）、エチレン－プロピレンターポリマー（ＥＰＴ）、スチレン－エチレン－ブチレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＥＢＳ）、スチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロックコポリマー（スチレン－イソプレン－スチレンブロックコポリマー）（ＳＥＰＳ）、スチレン－エチレン－エチレン－プロピレン－スチレンブロックコポリマー（ＳＥＥＰＳ）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン－エチレンエチレンプロピレン－スチレンブロックコポリマー（セプトンＶ９４６１（クラレ社製）、セプトンＶ９４７５（クラレ社製））、並びにスチレンブロックが反応架橋型のスチレン－エチレンブチレン－スチレンブロックコポリマー（反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する、セプトンＶ９８２７（クラレ社製））等が挙げられる。これらの中で、スチレン構成単位の含有量及びエラストマーの重量平均分子量が上述の範囲であるものを用いることができる。

【0020】

エラストマーは、水添物であってもよい。例えば、上記例示したエラストマーの水添物を用いることができる。水添物を用いることにより、熱に対する安定性が向上し、分解及び／又は重合等の変質が起こりにくくなる。また、炭化水素系溶剤への溶解性及び耐薬品性も良好となる。

【0021】

エラストマーは、その両端がスチレンのブロック重合体であるものが好ましい。すなわち、エラストマーは、主鎖の両端に、スチレン構成単位の繰り返し構造からなるブロック（以下、「スチレンブロック」ともいう）を有するものが好ましい。熱安定性の高いスチレンブロックを両末端に有することで、エラストマーの耐熱性が向上する。スチレンブロックが反応性のポリスチレン系ハードブロックであると、耐熱性、耐薬品性がより向上する。

【0022】

エラストマーは、スチレン及び共役ジエンのブロックコポリマーの水添物が好ましい。この場合、エラストマーの熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。また、熱安定性の高いスチレンブロックを両末端に有することで、耐熱性が向上する。このようなエラストマーは、炭化水素系溶剤への溶解性、及び耐薬品性の観点からもより好ましい。

【0023】

エラストマーとして用いられ得る市販品としては、例えば、クラレ社製「セプトン（商品名）」、クラレ社製「ハイブラー（商品名）」、旭化成社製「タフテック（商品名）」、ＪＳＲ社製「ダイナロン（商品名）」等が挙げられる。

【0024】

粘着層形成用組成物中のエラストマーの含有量としては、例えば、粘着層形成用組成物１００質量部に対して、１０質量部以上、８０質量部以下が好ましく、２０質量部以上、６０質量部以下がより好ましい。

【0025】

粘着層形成用組成物が含有するエラストマーは、１種でもよく、２種以上でもよい。粘着層形成用組成物が２種以上のエラストマーを含む場合、複数の種類のエラストマーのうち少なくとも一つが、主鎖の構成単位としてスチレン構成単位を含み当該スチレン構成単位の含有量が１４重量％以上、５０重量％以下の範囲であり、重量平均分子量が１０，０００以上、２００，０００以下の範囲であればよい。
粘着層形成用組成物が２種以上のエラストマーを含む場合、粘着層形成用組成物が含有する全エラストマーにおいて、スチレン構成単位の含有量が上記の範囲となるように調整してもよい。例えば、スチレン構成単位の含有量が３０質量％であるクラレ社製のＳｅｐｔｏｎ４０３３（商品名）と、スチレン構成単位の含有量が１３質量％であるＳｅｐｔｏｎ２０６３（商品名）とを重量比１対１で混合する。この場合、粘着層形成用組成物に含まれるエラストマー全体のスチレン構成単位の含有量は２１～２２質量％となる。また、例えば、スチレン構成単位の含有量が１０質量％のエラストマーとスチレン構成単位の含有量が６０質量％のエラストマーとを１対１で混合すると、エラストマー全体のスチレン構成単位の含有量は３５重量％となる。
粘着層形成用組成物に含有されるエラストマーは、全て上記の範囲の含有量でスチレン構成単位を含み、且つ、上記の範囲の重量平均分子量であることが好ましい。

【0026】

≪任意成分≫
粘着層形成用組成物は、上記エラストマーに加えて、任意の成分を含有してもよい。

【0027】

溶剤：
粘着層形成用組成物は、エラストマーを溶解するための溶剤を含有してもよい。溶剤は、エラストマーを溶解する機能を有するものであればよく、例えば、非極性の炭化水素系溶剤、極性及び無極性の石油系溶剤等を用いることができる。

【0028】

炭化水素系溶剤としては、直鎖状、分岐鎖状又は環状の炭化水素が挙げられる。炭化水素系溶剤としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の炭素原子数１～１５の直鎖状炭化水素；炭素原子数３～１５の分岐鎖状の炭化水素；ｐ－メンタン、ｏ－メンタン、ｍ－メンタン、ジフェニルメンタン、α－テルピネン、β－テルピネン、γ－テルピネン、１，４－テルピン、１，８－テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、α－ピネン、β－ピネン、ツジャン、α－ツジョン、β－ツジョン、カラン、ロンギホレン等が挙げられる。

【0029】

石油系溶剤としては、例えば、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ナフタレン、デカヒドロナフタレン、テトラヒドロナフタレンなどが挙げられる。

【0030】

溶剤は、縮合多環式炭化水素を含み得る。溶剤が、縮合多環式炭化水素を含むことによって、粘着層形成用組成物を液状形態で（特に低温にて）保存した際に生じ得る白濁化を避けることができ、製品安定性を向上させることができる。縮合多環式炭化水素とは、２つ以上の単環がそれぞれの環の辺を互いに１つだけ供給してできる縮合環の炭化水素である。縮合多環式炭化水素としては、２つの単環が縮合されてなる炭化水素を用いることが好ましい。

【0031】

縮合多環式炭化水素としては、５員環及び６員環の組み合わせ、又は２つの６員環の組み合わせが挙げられる。５員環及び６員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、インデン、ペンタレン、インダン、テトラヒドロインデン等が挙げられる。２つの６員環を組み合わせた炭化水素としては、例えば、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン（テトラリン）及びデカヒドロナフタレン（デカリン）等が挙げられる。

【0032】

溶剤が縮合多環式炭化水素を含む場合、溶剤に含まれる成分は縮合多環式炭化水素のみであってもよいし、例えば、飽和脂肪族炭化水素等の他の溶剤を含有してもよい。この場合、縮合多環式炭化水素の含有量が炭化水素系溶剤全体の４０質量部以上であることが好ましく、６０質量部以上であることがより好ましい。縮合多環式炭化水素の含有量が炭化水素系溶剤全体の４０質量部以上である場合には、エラストマーに対する高い溶解性が発揮できる。縮合多環式炭化水素と飽和脂肪族炭化水素との混合比が上記範囲内であれば、縮合多環式炭化水素の臭気を緩和させることができる。

【0033】

前記飽和脂肪族炭化水素としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、メチルオクタン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン等の直鎖状の炭化水素；炭素原子数３～１５の分岐鎖状の炭化水素；ｐ－メンタン、ｏ－メンタン、ｍ－メンタン、ジフェニルメンタン、１，４－テルピン、１，８－テルピン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、ツジャン、カラン、ロンギホレン等が挙げられる。

【0034】

粘着層形成用組成物における溶剤の含有量としては、粘着層形成用組成物を用いて成膜する粘着層の厚さに応じて適宜調整すればよい。例えば、粘着層形成用組成物の全質量を１００質量部としたとき、溶剤の含有量は、２０質量部以上、９０質量部以下の範囲であることが好ましい。溶剤の含有量が上記範囲内であれば、粘度調整が容易となる。

【0035】

熱重合禁止剤：
粘着層形成用組成物は熱重合禁止剤を含有していてもよい。熱重合禁止剤は、熱によるラジカル重合反応を防止する機能を有する。具体的には、熱重合禁止剤はラジカルに対して高い反応性を示すため、モノマーよりも優先的に反応してモノマーの重合を禁止する。熱重合禁止剤を含むことにより、高温環境下（特に、２５０℃～３５０℃）において重合反応が抑制される。

【0036】

熱重合禁止剤としては、熱によるラジカル重合反応を防止するのに有効であれば特に限定されるものではないが、フェノールを有する熱重合禁止剤が好ましい。これにより、大気下での高温処理後にも良好な溶解性が確保できる。そのような熱重合禁止剤としては、ヒンダードフェノール系の酸化防止剤を用いることが可能である。そのような熱重合禁止剤としては、例えば、ピロガロール、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブルー、ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、ｎ－ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、４，４’－（１－メチルエチリデン）ビス（２－メチルフェノール）、４，４’－（１－メチルエチリデン）ビス（２，６－ジメチルフェノール）、４，４’－［１－〔４－（１－（４－ヒドロキシフェニル）－１－メチルエチル）フェニル〕エチリデン］ビスフェノール、４，４’，４”－エチリデントリス（２－メチルフェノール）、４，４’，４”－エチリデントリスフェノール、１，１，３－トリス（２，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）－３－フェニルプロパン、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェノール、２，２’－メチレンビス（４－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、４，４’－ブチリデンビス（３－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、４，４’－チオビス（３－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、３，９－ビス［２－（３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）－プロピオニルオキシ）－１，１－ジメチルエチル］－２，４，８，１０－テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン、トリエチレングリコール－ビス－３－（３－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシ－５－メチルフェニル）プロピオネート、ｎ－オクチル－３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］（商品名ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０、チバ・ジャパン社製）、トリス（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、チオジエチレンビス［３－（３，５－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）プロピオネート］が挙げられる。熱重合禁止剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

【0037】

熱重合禁止剤の含有量は、エラストマーの種類、並びに粘着層形成用組成物の用途及び使用環境に応じて適宜決定すればよいが、例えば、エラストマー１００質量部に対して、０．１質量部以上、１０質量部以下が好ましい。熱重合禁止剤の含有量が上記範囲内であれば、熱による重合を抑える効果が良好に発揮される。

【0038】

粘着層形成用組成物は、熱重合禁止剤を溶解し、エラストマーを溶解するための溶剤とは異なる組成からなる添加溶剤を含有してもよい。添加溶剤としては、特に限定されないが、接着剤組成物に含まれる成分を溶解する有機溶剤を用いることができる。

【0039】

有機溶剤としては、例えば、粘着層形成用組成物の各成分を溶解し、均一な溶液にすることができればよく、任意の１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。

【0040】

有機溶剤の具体例としては、例えば、極性基として酸素原子、カルボニル基又はアセトキシ基等を有するテルペン溶剤が挙げられ、例えば、ゲラニオール、ネロール、リナロール、シトラール、シトロネロール、メントール、イソメントール、ネオメントール、α－テルピネオール、β－テルピネオール、γ－テルピネオール、テルピネン－１－オール、テルピネン－４－オール、ジヒドロターピニルアセテート、１，４－シネオール、１，８－シネオール、ボルネオール、カルボン、ヨノン、ツヨン、カンファーが挙げられる。また、γ－ブチロラクトン等のラクトン類；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン（ＣＨ）、メチル－ｎ－ペンチルケトン、メチルイソペンチルケトン、２－ヘプタノン等のケトン類；エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール類；エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコールモノアセテート、又はジプロピレングリコールモノアセテート等のエステル結合を有する化合物、上記多価アルコール類又は上記エステル結合を有する化合物のモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル等のモノアルキルエーテル又はモノフェニルエーテル等のエーテル結合を有する化合物等の多価アルコール類の誘導体（これらの中では、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）が好ましい）；ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル（ＥＬ）、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類；アニソール、エチルベンジルエーテル、クレジルメチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、フェネトール、ブチルフェニルエーテル等の芳香族系有機溶剤等を挙げることができる。

【0041】

添加溶剤の含有量は、熱重合禁止剤の種類等に応じて適宜決定すればよいが、例えば、熱重合禁止剤１質量部に対して、１質量部以上、５０質量部以下が好ましく、１～３０質量部がさらに好ましく、１～１５質量部が最も好ましい。熱重合禁止剤の含有量が上記範囲内であれば、熱重合禁止剤を十分に溶解することができる。

【0042】

粘着層形成用組成物には、本発明における本質的な特性を損なわない範囲において、混和性のある他の物質をさらに含んでいてもよい。例えば、粘着性を改良するための付加的樹脂、可塑剤、接着補助剤、安定剤、着色剤及び界面活性剤等、慣用されている各種添加剤をさらに用いることができる。

【0043】

＜粘着層形成用組成物の調製方法＞
粘着層形成用組成物の調製方法は特に限定されず、公知の方法を用いればよい。例えば、エラストマー、及び適宜任意成分を溶剤に溶解させ、既存の攪拌装置を用いて、攪拌することにより、粘着層形成用組成物を得ることができる。熱重合禁止剤を添加する場合には、熱重合禁止剤を、予め熱重合禁止剤を溶解させるための添加溶剤に溶解させたものを添加することが好ましい。

【0044】

＜ベース基板＞
転写基板に用いられるベース基板の材質は、特に限定されない。ベース基板の材質としては、例えば、プラスチックフィルム、ガラス、合成石英ガラス、金属等が挙げられるが、これらに限定されない。ベース基板は、化学強化処理等を施したものでもよい。ベース基板は、粘着層の密着性を向上させるために、プライマー処理、プラズマ処理等を施したものでもよい。微小構造体移送時の位置ずれを抑制し、移送精度を高める観点から、ベース基板は、平坦度の高い合成石英ガラス基板を用いることが好ましい。

【0045】

＜転写基板の構成＞
本実施形態の転写基板は、ベース基板と、前記ベース基板上に形成された粘着層と、を含む。図１は、一実施形態の転写基板１００を示す。転写基板１００は、ベース基板１１０の一方の面上に、粘着層１２０を有している。粘着層１２０は、上記粘着層形成用組成物により形成されている。粘着層１２０の厚さは、特に限定されないが、成型性及び平坦性の観点から、１μｍ～１ｃｍが好ましく、１０μｍ～５ｍｍがより好ましい。

【0046】

粘着層１２０を形成する方法は、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、ベース基板１１０上に、上記粘着層形成用組成物を塗布し、乾燥させることにより、粘着層１２０を形成することができる。ベース基板１１０上に、粘着層形成用組成物を塗布する方法は、特に限定されず、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法が挙げられる。粘着層形成用組成物の乾燥は、加熱乾燥で行ってもよく、減圧乾燥で行ってもよい。

【0047】

粘着層の形成は、フィルム上に粘着層が形成された粘着フィルムを用いて行ってもよい。例えば、粘着フィルムの粘着層がベース基板１１０に接するように、ベース基板１１０上に粘着フィルムを積層し、加熱ローラ等を用いて熱圧着する。その後、フィルムを剥離することにより、ベース基板１１０上に粘着層１２０を形成することができる。

【0048】

図２は、別の実施形態の転写基板２００を示す。転写基板２００は、ベース基板２１０の一方の面上に、粘着層２２０を有している。粘着層２２０は、上記粘着層形成用組成物により形成されている。粘着層２２０の表面は、複数の凸部２２１及び凹部２２２が形成された凹凸構造を有している。微小構造体のピックアップの際には、凸部２２１に微小構造体が粘着して仮固定される。

【0049】

ベース基板２１０上に粘着層２２０を形成する方法は、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、モールド成型により、粘着層２２０を形成することができる。図３は、モールド成型により、粘着層２２０を形成する方法の一例を示す模式図である。ベース基板２１０とモールドＭとの間に、上記粘着層形成用組成物を充填し、乾燥させた後、モールドＭを脱型することで、転写基板２００を得ることができる。モールドＭとしては、例えば、シリコンウエハーや石英基板上にフォトレジストにより所望の凹凸をつけたレジスト型、付加硬化型樹脂にパターン露光して凹凸をつけた樹脂型等を用いることができる。樹脂型の場合、基材として各種プラスチックフィルムを用いることができる。ベース基板２１０とモールドＭとの間に、粘着層形成用組成物を充填する方法としては、ベース基板２１０とモールドＭのいずれか又は両方に、粘着層形成用組成物を塗布した後、ベース基板２１０及びモールドＭを貼り合せる方法が挙げられる。

【0050】

粘着層２２０は、凹凸構造を有するシート状に粘着層形成用組成物を成型し、ベース基板２１０に貼り合わせることにより形成してもよい。粘着層形成用組成物をシート状に成型する方法としては、モールドＭと同様の凹凸構造を有する型を用いる方法が挙げられる。成型方法は、ロール成形、プレス成型、トランスファー成型、コンプレッション成型等の公知の成型方法から適宜選択することができる。シート状成型物は、ホコリ等の付着防止や硬化時の酸素阻害抑制のために、プラスチックフィルム等に挟み込んで成型することが好ましい。シート状成型物がベース基板２１０よりも大きい場合、所望の大きさにカットしてもよい。シート状成型物とベース基板２１０との密着性を上げるため、これらの貼り合せ面にプラズマ処理、エキシマ処理、化学処理等を施してもよい。貼り合せ強度を向上させるために、上述した各種粘着剤・接着剤等を使用してもよい。貼り合せ方法としては、ロール貼り合せや真空プレス等を用いることができる。

【0051】

凸部２２１の大きさ及び配列は、移送対象の微小構造体、及び微小構造体の配置に応じて、適宜設計することができる。凸部２２１の上面部は平坦であり、上面部の面形状は、特に限定されない。凸部２２１の上面の形状としては、円形、楕円形、四角形等が挙げられる。四角形等の場合、エッジに丸みがつけられていてもよい。凸部２２１の上面部の径は、例えば、０．１μｍ～１ｃｍが好ましく、１μｍ～１ｍｍがより好ましい。凸部２２１の側面部の形状も特に限定されない。凸部２２１の側面部は、ベース基板２１０に対して垂直であってもよく、傾斜していてもよい。
凸部２２１の高さは、特に限定されないが、例えば、０．１μｍ～１ｃｍが好ましく、１μｍ～１ｍｍがより好ましい。空間を隔てて隣り合う凸部２２１のピッチ距離は、０．１μｍ～１０ｃｍが好ましく、１μｍ～１ｍｍがより好ましい。凹部２２２における粘着層２２０の厚さは、特に限定されないが、０．１μｍ～１ｃｍが好ましく、１μｍ～５ｍｍがより好ましい。

【0052】

図３は、別の実施形態の転写基板３００を示す。転写基板３００は、ベース基板３１０の一方の面上に、粘着層３２０を有している。粘着層３２０は、複数の島状粘着部３２１により構成される。島状粘着部３２１は、上記粘着層形成用組成物により形成されている。

【0053】

島状粘着部３２１の形状、大きさ、及び配置は、特に限定されない。島状粘着部３２１の形状、大きさ、及び配置としては、転写基板２００における凸部２２１と同様のものが挙げられる。

【0054】

＜用途＞
本態様にかかる転写基板は、第１の基板に仮固定された微小構造体をピックアップして、第２の基板に転写するために用いれらる。微小構造体としては、例えば、半導体素子が挙げられる。半導体素子としては、例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、トランジスタ、集積回路（ＩＣ）が挙げられる。中でも、半導体素子は、ＬＥＤが好ましく、マイクロＬＥＤがより好ましい。マイクロＬＥＤは、例えば、０．５～２００μｍの幅、０．５～２００μｍの長さ、及び０．５～２００μｍの高さを有してもよい。半導体素子は、実装基板（例えば、回路基板）の配線と接続するために、バンプなどの接続電極を有してもよい。

【0055】

半導体素子は、通常、結晶成長基板上に２次元状（例えば格子状）に複数個配列して形成されている。結晶成長基板は、通常は円形又は四角形を有し、例えばシリコン、ガリウムヒ素、サファイヤ等からなる。
半導体素子は、以下の様にして形成することもできる。例えば、被加工物である円板形状のウエハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域を区画する。この区画された領域それぞれに半導体素子を形成し、当該ウエハの裏面を研削して所定の厚さに成形する。次いで、ダイシング装置により分割予定ラインに沿って当該ウエハを切断する。このようにして、半導体素子を形成することができる。

【0056】

第１基板としては、例えば、結晶成長基板から微小構造体が転写された転写基板が挙げられる。第２基板としては、例えば、微小構造体の実装基板（回路基板等）が挙げられる。本態様にかかる転写基板は、後述の微小構造体の転写方法、及び半導体素子の実装方法に、用いることができる。本態様にかかる転写基板は、多数の微小な半導体素子を、実装基板に高精度に実装するために、好適に用いることができる。

【0057】

（微小構造体の転写方法）
本発明の第２の態様にかかる微小構造体の転写方法は、（ａ）第１の基板に仮固定された微小構造体を、第１の態様にかかる転写基板の前記第１の粘着層に転写して、前記転写基板にピックアップする工程（以下、「工程（ａ）」という）と、（ｂ）前記転写基板にピックアップされた前記微小構造体を、第２の基板の粘着層に転写する工程（以下、「工程（ｂ）」という）と、を含む。

【0058】

本実施形態にかかる微小構造体の転写方法の概要を図６及び図７に基づいて、説明する。
まず、第１の基板（第１の転写基板１０）に仮固定された微小構造体（半導体素子２）を、転写基板１００の粘着層１２０に接触させて、微小構造体（半導体素子２）を粘着層１２０に転写する。これにより、転写基板１００に、微小構造体（半導体素子２）をピックアップする（工程（ａ）；図６）。
次いで、転写基板１００にピックアップされた微小構造体（半導体素子２）を、第２の基板（実装基板２０）の粘着層２２に接触させて、微小構造体（半導体素子２）を第２の基板（実装基板２０）に転写する（工程（ｂ）；図７）。

【0059】

＜工程（ａ）＞
工程（ａ）は、第１の基板に仮固定された微小構造体を、第１の態様にかかる転写基板の前記第１の粘着層に転写して、前記転写基板にピックアップする工程である。

【0060】

第１の基板は、微小構造体が仮固定された基板である。微小構造体としては、上記と同様のものが挙げられ、マイクロＬＥＤが好ましい。微小構造体が第１の基板に仮固定される方法は、特に限定されない。例えば、第１の基板は、図６に示す第１の転写基板１０のように、ベース基板１１上に粘着層１２を有するものであってもよい。第１の基板の粘着層１２は、例えば、熱又は光により硬化して、粘着性が低下する材質により構成されていてもよい。粘着層１２は、例えば、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂により形成することができる。粘着層１２の材質の具体例としては、例えば、熱硬化性シリコーン樹脂光硬化性シリコーン樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂等が挙げられる。
第１の基板（第１の転写基板１０）のベース基板１１の材質としては、第１の態様にかかる転写基板のベース基板と同様のものが挙げられる。粘着層１２に光硬化性樹脂を使用する場合、ベース基板１１は光を透過する材質であることが好ましい。この場合、ベース基板１１の微小構造体（半導体素子２）を仮固定していない側の面から光を照射することにより、ベース基板１１を介して粘着層１２に光を照射することができる。

【0061】

例えば、図６に示すように、転写基板１００を、第１の基板（第１の転写基板１０）に仮固定された微小構造体（半導体素子２）に接触された状態で、第１の転写基板１０の粘着層１２を熱硬化又は光硬化させる。これにより、粘着層１２の粘着性が低下する。その結果、転写基板１００の粘着層１２０の粘着性に基づいて、微小構造体（半導体素子２）が、粘着層１２０に転写される。

【0062】

第１の基板（第１の転写基板１０）の粘着層１２が光硬化性樹脂により形成されている場合には、位置選択的な光照射を行ってもよい。この場合、光照射された位置に仮固定される微小構造体（半導体素子２）のみを選択的にピックアップすることができる。

【0063】

＜工程（ｂ）＞
工程（ｂ）は、第１の態様にかかる転写基板にピックアップされた微小構造体を、第２の基板の粘着層に転写する工程である。

【0064】

第２の基板は、第１の態様にかかる転写基板にピックアップされた微小構造体が転写される基板である。第２の基板は、図７に示す実装基板２０のように、ベース基板２１上に粘着層２２を有するものであってもよい。第２の基板の粘着層２２は、転写基板１００の粘着層１２０よりも、粘着力が強いことが好ましい。第２の基板の粘着層の粘着力が、転写基板１００の粘着層１２０の粘着力よりも強い場合、この粘着力の差に基づいて、転写基板１００の粘着層１２０に仮固定された微小構造体を、第２基板の粘着層に転写することができる。例えば、図７に示すように、転写基板１００に仮固定された微小構造体（半導体素子２）を、第２の基板（実装基板２０）の粘着層２２に接触させる。このとき、第２の基板（実装基板２０）の粘着層２２の粘着力が、転写基板１００の粘着層１２０の粘着力より強いと、転写基板１００に仮固定されていた微小構造体（半導体素子２）が、第２の基板（実装基板２０）の粘着層２２に転移する。これにより、転写基板１００に仮固定された複数の微小構造体（半導体素子２）を、第２の基板に一括して転移させることができる。第２の基板の粘着層の粘着力は、例えば、転写基板１００の粘着層１２０の粘着力よりも、例えば、０．１ＭＰａ以上強いことが好ましく、０．２ＭＰａ以上強いことがより好ましい。

【0065】

このようにして、第１の基板から第２の基板への微小構造体の転写を行うことができる。本態様にかかる微小構造体の転写方法は、例えば、後述の半導体素子の実装方法に適用することができる。

【0066】

図６及び図７の例では、第１の態様にかかる転写基板として、粘着層の表面が平板である転写基板１００を用いる例を示したが、第１の態様にかかる転写基板は、粘着層の表面に凹凸構造を有するもの（例えば、図２の転写基板２００）であってもよく、島状粘着部を有するもの（例えば、図３の転写基板３００）であってもよい。微小構造体（半導体素子２）が、転写基板２００にピックアップされた状態を図８に示す。

【0067】

（半導体素子の実装方法）
本発明の第３の態様にかかる半導体素子の実装方法は、（ｉ）半導体素子を保持する供給基板から、前記半導体素子を、第１の転写基板の粘着層に転写して前記第１の転写基板にピックアップする工程（以下、「工程（ｉ）」ともいう）と、（ｉｉ）前記第１の転写基板にピックアップされた半導体素子を、第２の転写基板の粘着層に転写して前記第２の転写基板にピックアップする工程（以下、「工程（ｉｉ）」ともいう）と、（ｉｉｉ）前記第２の転写基板にピックアップされた半導体素子を、実装基板の粘着層に転写する工程（以下、「工程（ｉｉｉ）」ともいう）と、を含む。前記第２の転写基板は、上記第１の態様にかかる転写基板である。

【0068】

本実施形態にかかる半導体素子の実装方法の概要を、図５～８に基づいて、説明する。
まず、半導体素子２を保持する供給基板１から、半導体素子２を、第１の転写基板１０の粘着層１２に転写する。これにより、第１の転写基板１０に、半導体素子２をピックアップする（図５；工程（ｉ））。
次いで、第１の転写基板１０にピックアップされた半導体素子２を、転写基板１００の粘着層１２０に転写する。これにより、転写基板１００に、半導体素子２をピックアップする（工程（ｉｉ）；図６）。
次いで、転写基板１００にピックアップされた半導体素子２を、実装基板２０の粘着層２２に転写する（工程（ｂ）；図７）。
これにより、実装基板２０に、半導体素子２を実装することができる。

【0069】

＜工程（ｉ）＞
工程（ｉ）は、半導体素子を保持する供給基板から、前記半導体素子を、第１の転写基板の粘着層に転写して前記第１の転写基板にピックアップする工程である。

【0070】

半導体素子として、上記と同様のものが挙げられ、マイクロＬＥＤが好ましい。供給基板としては、半導体素子が形成された結晶成長基板が挙げられる。
第１の転写基板は、ベース基板１１上に粘着層１２を有する基板であり、上述の第１の基板の例として記載したものと同様のものが挙げられる。

【0071】

供給基板から第１の転写基板に半導体素子を転写する方法は、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。そのような方法としては、例えば、レーザーリフトオフ（ＬＬＯ）法による方法が挙げられる。例えば、図５に示すように、供給基板１に保持された半導体素子２を、第１の転写基板１０の粘着層１２に接触させて、供給基板１の半導体素子２が形成されていない側からレーザ光を照射する。これにより、半導体素子２が供給基板１から剥離して、第１の転写基板１０の粘着層１２に仮固定される。例えば、サファイヤ基板等の供給基板に保持されている窒化ガリウム半導体素子の場合、エキシマレーザ及びＹＡＧレーザ等のレーザ光の照射により照射部分の窒化ガリウムが溶解し、窒化ガリウム半導体素子が供給基板から剥離する。半導体素子がマイクロＬＥＤである場合、半導体素子の信頼性の観点から、ＫｒＦエキシマレーザを用いることが好ましい。具体的には、レーザ光を選択的に照射して、選択対象となる半導体素子と供給基板の界面にレーザーアブレーションを生じさせる。窒化ガリウム半導体素子では、半導体素子と供給基板との間で、窒化ガリウムが金属ガリウムと窒素に分解してガスが発生し、半導体素子を供給基板から剥離することができる。

【0072】

＜工程（ｉｉ）＞
工程（ｉｉ）では、第１の転写基板にピックアップされた半導体素子を、第２の転写基板の粘着層に転写して前記第２の転写基板にピックアップする工程である。

【0073】

本工程では、第２の転写基板として、第１の態様にかかる転写基板を用いる。図６は、第２の転写基板として、図１に示す転写基板１００を用いている。第２の転写基板は、図２に示す転写基板２００を用いてもよく、図４に示す転写基板３００を用いてもよい。
工程（ｉｉ）は、上述の工程（ａ）と同様に行うことができる。

【0074】

＜工程（ｉｉｉ）＞
工程（ｉｉｉ）は、第２の転写基板にピックアップされた半導体素子を、実装基板の粘着層に転写する工程である。

【0075】

実装基板としては、例えば、配線等を有する回路基板が挙げられる。回路基板の具体例としては、例えば、ディスプレイ基板、照明基板、トランジスタ、集積回路（ＩＣ）等の機能デバイスを有する基板が挙げられる。実装基板は、リジッド基板であってもよく、フレキシブル基板であってもよい。実装基板は、例えば、リジッドな樹脂製基板、セラミック基板、ガラス基板、フレキシブルな樹脂製基板等であってもよい。

【0076】

実装基板２０は、図７に示す実装基板２０のように、ベース基板２１上に粘着層２２が形成されたものでもよい。本工程における転写は、転写基板１００の粘着層１２０と実装基板２０の粘着層２２との粘着力の差に基づいて行われてもよい。例えば、実装基板２０の粘着層２２の粘着力が、転写基板１００の粘着層１２０の粘着力よりも強い場合、当該粘着力の差に基づいて、転写基板１００の粘着層１２０に仮固定された半導体素子２を、実装基板２０の粘着層２２に転写することができる。転写基板１００から実装基板２０への半導体素子２の転写は、上述の工程（ｂ）と同様に行うことができる。

【0077】

半導体素子２を実装基板２０に実装する際に、実装基板２０を全体的に加熱してもよい。加熱方法としては、例えば、ホットプレート、赤外線加熱ランプ、レーザ、抵抗発熱体等を用いる方法が挙げられる。例えば、半導体素子２に設けられたはんだバンプ等の電極を、実装基板２０に形成された電極パッド等の電極と接合可能な温度に実装基板２０を加熱する。これにより、半導体素子２の電極と実装基板２０の電極とを電気的に接続することができる。

【0078】

＜任意工程＞
本態様にかかる方法は、上記工程（ｉ）～（ｉｉｉ）に加えて、任意工程を含んでもよい。任意工程としては、例えば、各工程の転写後に半導体素子を洗浄する工程、洗浄後の半導体素子を乾燥する工程等が挙げられる。

【0079】

本態様にかかる半導体素子の実装方法では、第２の転写基板として上記第１の態様にかかる転写基板を用いる。そのため、実装基板との粘着力の差に基づいて、多数の半導体素子を高精度に実装基板に実装することができる。

【実施例0080】

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

【0081】

（粘着層形成用組成物の調製）
表１、２に記載のとおり、各例の粘着層形成用組成物を調製した。

【0082】

【表1】

【0083】

【表2】

【0084】

表１、２に記載の各成分は以下のとおりである。
エラストマーとしては、クラレ社製のセプトン（商品名）のＳｅｐｔｏｎ２００４（ＳＥＰ：ポリスチレン－ポリ（エチレン／プロピレン）ブロック）、ＨＧ２５２（ＳＥＥＰＳ－ＯＨ：ポリスチレン－ポリ（エチレン－エチレン／プロピレン）ブロック－ポリスチレン末端水酸基変性）、Ｓｅｐｔｏｎ４０３３（ＳＥＰＳ：ポリスチレン－ポリ（エチレン／プロピレン）ブロック－ポリスチレン）、Ｓｅｐｔｏｎ８００７（ＳＥＢＳ：ポリスチレン－ポリ（エチレン／ブチレン）ブロック－ポリスチレン）、Ｓｅｐｔｏｎ２１０４（ＳＥＰＳ：ポリスチレン－ポリ（エチレン／プロピレン）ブロック－ポリスチレン）、Ｓｅｐｔｏｎ４０５５（ＳＥＥＰＳ：ポリスチレン－ポリ（エチレン－エチレン／プロピレン）ブロック－ポリスチレン）、Ｓｅｐｔｏｎ４０７７（ＳＥＥＰＳ：ポリスチレン－ポリ（エチレン－エチレン／プロピレン）ブロック－ポリスチレン）、スチレンブロックが反応架橋型のスチレン－エチレンブチレン－スチレンブロックコポリマー（セプトンＶ９８２７、反応性のポリスチレン系ハードブロックを有する（クラレ社製））、旭化成社製のタフテック（商品名）のＭＰ－１０（ＳＥＢＳ、水添スチレン系熱可塑性エラストマー（末端アミン変性）、Ｈ１０５３（ＳＥＢＳ、水添スチレン系熱可塑性エラストマー）、Ｈ１０４３（ＳＥＢＳ、水添スチレン系熱可塑性エラストマー）を用いた。「水添」とは、スチレンとブタジエンのブロックコポリマーの二重結合を水素添加したポリマーである。
表１、２中のエラストマーの重量平均分子量はＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフ）にて測定した。スチレン含有量は各商品に添付の説明に記載されていた数値である。

【0085】

熱重合禁止剤としては、ＢＡＳＦ社製の「ＩＲＧＡＮＯＸ（商品名）１０１０」を用いた。主溶剤としては、デカヒドロナフタレンを用いた。添加溶剤として、酢酸ブチルを用いた。

【0086】

（転写基板の製造）
ベース基板に、各例の粘着層形成用組成物をスピン塗布して、１００℃、１６０℃、及び２００℃で各５分間焼成した。これにより、膜厚５０μｍの粘着層を有する転写基板を得た。

【符号の説明】

【0087】

１ 供給基板
２ 半導体素子
１０ 第１の転写基板
１１ 第１の転写基板のベース基板
１２ 第１の転写基板の粘着層
２０ 実装基板
２２ 実装基板の粘着層
１００，２００，３００ 転写基板（第２の転写基板）
１１０，２１０，３１０ 転写基板（第２の転写基板）のベース基板
１２０，２２０，３２０ 転写基板（第２の転写基板）の粘着層
２２１ 凸部
２２２ 凹部
３２１ 島状粘着部

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】