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特開2024-155770基板処理システム、基板処理装置、及び基板処理方法
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024155770
(43)【公開日】2024-10-31
(54)【発明の名称】基板処理システム、基板処理装置、及び基板処理方法
(51)【国際特許分類】
   H01L 21/027 20060101AFI20241024BHJP
【ＦＩ】
H01L21/30 568
H01L21/30 564
【審査請求】未請求
【請求項の数】14
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024062782
(22)【出願日】2024-04-09
(31)【優先権主張番号】P 2023069315
(32)【優先日】2023-04-20
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(31)【優先権主張番号】P 2024008249
(32)【優先日】2024-01-23
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002756
【氏名又は名称】弁理士法人弥生特許事務所
(72)【発明者】
【氏名】▲高▼木 慎介
(72)【発明者】
【氏名】只友 浩貴
(72)【発明者】
【氏名】酒田 洋司
(72)【発明者】
【氏名】鬼塚 智也
(72)【発明者】
【氏名】柴田 直樹
【テーマコード（参考）】
5F146
【Ｆターム（参考）】
5F146JA27
5F146LA17
5F146LA18
(57)【要約】
【課題】金属含有レジスト膜の形成、露光、及び現像等の処理によって基板に形成されるパターンについて、複数の基板の間でのばらつきを抑えること。
【解決手段】基板を収容する搬送容器が順番に搬送される複数の装置により構成され、前記基板にパターニングを行う基板処理システムにおいて、前記複数の装置のうちの一つをなし、前記基板に金属含有レジスト膜を形成する第１装置と、前記複数の装置のうちの他の一つをなし、露光された前記金属含有レジスト膜を現像する第２装置と、現像されるまでの前記金属含有レジスト膜が形成された前記基板を収容空間に複数収容し、当該各基板の金属含有レジスト膜の反応の進行度を調整するために、前記収容空間の雰囲気を調整する雰囲気調整部と、を備える。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板を収容する搬送容器が順番に搬送される複数の装置により構成され、前記基板にパターニングを行う基板処理システムにおいて、
前記複数の装置のうちの一つをなし、前記基板に金属含有レジスト膜を形成する第１装置と、
前記複数の装置のうちの他の一つをなし、露光された前記金属含有レジスト膜を現像する第２装置と、
現像されるまでの前記金属含有レジスト膜が形成された前記基板を収容空間に複数収容し、当該各基板の金属含有レジスト膜の反応の進行度を調整するために、前記収容空間の雰囲気を調整する雰囲気調整部と、
を備える基板処理システム。
【請求項2】
前記雰囲気調整部は前記複数の装置のうちの少なくとも一つの装置に設けられ、前記搬送容器から搬出された前記基板を格納する格納部を含み、
前記格納部は、
前記収容空間を形成する格納容器本体と、
前記収容空間について、前記基板の搬送領域に対して開放される状態と、前記雰囲気の調整を行うために当該搬送領域に対して閉鎖される状態と、を切り替える開閉部と、
を備える請求項１記載の基板処理システム。
【請求項3】
前記装置は、
前記基板を当該装置に搬入出するためのロードポートを備える搬入出ブロックと、
前記パターニングを行うために前記基板を処理する処理ブロックと、を備え、
前記搬入出ブロックは前記ロードポートと前記処理ブロックとの間に形成される前記基板の搬送領域と、前記格納部と、を備え、
前記処理ブロックに対して搬入前の前記基板が、前記格納部に搬送される請求項２記載の基板処理システム。
【請求項4】
前記装置のうちの露光後、現像前の前記基板が搬送される装置における前記基板の搬送領域及び当該基板を処理する処理領域に、下方に向けてガスを供給して気流を形成する気流形成部と、
前記気流形成部に前記ガスを導入するガス流路に設けられて、前記ガス中の酸性ガス及び有機ガスのうちの少なくともいずれかを除去する成分除去部と、
を備える請求項１記載の基板処理システム。
【請求項5】
前記雰囲気調整部は、前記反応を促進させる雰囲気を前記収容空間に形成する請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理システム。
【請求項6】
前記パターニングの各工程の処理を各々行う処理モジュールでの前記基板の必要滞在時間よりも長い時間、前記収容空間にて当該基板が待機され、
前記収容空間は前記反応を促進させる雰囲気または大気雰囲気である請求項５記載の基板処理システム。
【請求項7】
前記雰囲気調整部は、前記反応を抑制する雰囲気を前記収容空間に形成する請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板処理システム。
【請求項8】
前記収容空間は、前記基板を搬入出するためのロードポートをなす載置部に載置された前記搬送容器の内部空間であり、
前記ロードポートを構成する前記搬送容器の蓋の着脱機構によって当該蓋が取り外された状態の当該搬送容器の開口部を開閉する開閉機構が設けられる請求項１記載の基板処理システム。
【請求項9】
前記複数の装置には、露光機に接続されると共に、露光後で現像前の前記基板の加熱を行う第３装置が含まれる請求項１記載の基板処理システム。
【請求項10】
前記第２装置は、前記基板に現像液を供給して現像を行う第１現像ブロックと、
前記基板に現像用のガスを供給して現像を行う第２現像ブロックと、を備え、
当該第１現像ブロック及び当該第２現像ブロックに共用の露光機と、当該第１現像ブロック及び当該第２現像ブロックの各々との間で前記基板を搬送する搬送ブロックと、
を備える請求項１記載の基板処理システム。
【請求項11】
複数の前記搬送容器を保管可能な保管部と、
前記複数の装置のうちの少なくとも一つの装置のロードポートと、前記保管部との間で前記搬送容器を移載する移載機構と、を備え、
前記雰囲気調整部は前記保管部に設けられ、前記収容空間は前記保管部における前記搬送容器の内部空間である請求項１記載の基板処理システム。
【請求項12】
前記第１装置は、露光機に接続され、
前記露光機による露光前に、前記金属含有レジスト膜が形成された前記基板を加熱する第１加熱モジュールと、
前記露光機による露光後に、前記基板を加熱する第２加熱モジュールと、
前記第２加熱モジュールで加熱された前記基板に現像液を供給して前記金属含有レジスト膜にパターンを形成する液処理用の現像モジュールと、
を備え、
前記第２装置は、前記基板に現像用のガスを供給するガス処理用の現像モジュールを備える請求項１記載の基板処理システム。
【請求項13】
基板を収容する搬送容器が順番に搬送される複数の装置により構成される基板処理システムの前記複数の装置のうちの一つをなす基板処理装置において、
前記複数の装置には、前記基板に金属含有レジスト膜を形成する第１装置及び露光された前記金属含有レジスト膜を現像する第２装置が含まれ、
現像されるまでの前記金属含有レジスト膜が形成された前記基板を収容空間に複数収容し、当該各基板の金属含有レジスト膜の反応の進行度を調整するために、前記収容空間の雰囲気を調整する雰囲気調整部を備える基板処理装置。
【請求項14】
基板を収容する搬送容器について複数の装置を順番に搬送して、前記基板にパターニングを行う基板処理方法であって、
前記複数の装置のうちの一つをなし、前記基板に金属含有レジスト膜を形成する第１装置と、
前記複数の装置のうちの他の一つをなし、露光された前記金属含有レジスト膜を現像する第２装置と、
現像されるまでの前記金属含有レジスト膜が形成された前記基板を収容空間に複数収容し、当該各基板の金属含有レジスト膜の反応の進行度を調整するために、前記収容空間の雰囲気を調整する雰囲気調整部と、
を用いて、
前記基板に前記金属含有レジスト膜を形成する塗布工程と、
前記露光後に前記金属含有レジスト膜を現像してパターニングを行う現像工程と、
前記塗布工程後、前記現像工程前において、前記金属含有レジスト膜の反応の進行度を調整する工程と、
を備える基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、基板処理システム、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体デバイスを製造するにあたり、半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に対してフォトリソグラフィが行われる。このフォトリソグラフィに用いられるレジストとしては金属を含有するレジストが用いられる場合が有り、特許文献１には当該レジストによるレジスト膜の形成、及び当該レジスト膜の露光後の現像を行う装置について示されている。この装置は、露光後の加熱処理時の各ウエハ間でレジスト膜に含まれる水分量の差を縮小させるために、レジスト膜形成後で露光前のウエハを内部に複数待機させることが可能であると共に、内部の湿度（水分量）が調整される基板収容ユニットを備えるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０２０-１１９９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、金属含有レジスト膜の形成、露光、及び現像等の処理によって基板に形成されるパターンの形状について、複数の基板の間でのばらつきを抑えることができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の基板処理システムは、基板を収容する搬送容器が順番に搬送される複数の装置により構成され、前記基板にパターニングを行うものであって、前記複数の装置のうちの一つをなし、前記基板に金属含有レジスト膜を形成する第１装置と、前記複数の装置のうちの他の一つをなし、露光された前記金属含有レジスト膜を現像する第２装置と、現像されるまでの前記金属含有レジスト膜が形成された前記基板を収容空間に複数収容し、当該各基板の金属含有レジスト膜の反応の進行度を調整するために、前記収容空間の雰囲気を調整する雰囲気調整部と、を備える。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、金属含有レジスト膜の形成、露光、及び現像等の処理によって基板に形成されるパターンについて、複数の基板の間でのばらつきを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】第１実施形態に係る基板処理システムを示す概略平面図である。
【図2】前記基板処理システムにおいて現像を行う装置を示す縦断側面図である。
【図3】前記現像を行う装置を示す横断平面図である。
【図4】ロード位置における収納容器及びロードポートを示す部分縦断側面図である。
【図5】パターニングにおける前記収納容器での雰囲気調整を示す概要図である。
【図6】パターニングにおける雰囲気調整を示すフローチャートである。
【図7】パターニングにおける他の雰囲気調整を示す概要図である。
【図8】第２実施形態に係る基板処理システムを示す概略平面図である。
【図9】前記基板処理システムに設けられるバッファモジュールを示す斜視図である。
【図10】前記基板処理システムに設けられるバッファモジュールを示す斜視図である。
【図11】前記基板処理システムに設けられるバッファモジュールを示す斜視図である。
【図12】シャッタの昇降パターンを例示する縦断側面図である。
【図13】第３実施形態に係る基板処理システムを示す概略平面図である。
【図14】第４実施形態に係る基板処理システムを示す概略平面図である。
【図15】第５実施形態に係る基板処理システムを示す概略平面図である。
【図16】第６実施形態に係る基板処理システムを示す概略平面図である。
【図17】経過時間に対するレジストパターンのＣＤの変化を例示するグラフである。
【図18A】前記基板処理システムに増設する装置を例示する概略平面図である。
【図18B】前記基板処理システムに増設する装置を例示する概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
（第１実施形態）
本開示の基板処理システムの一実施形態である基板処理システム１について、図１から図３を参照しながら説明する。図１は基板処理システム１の概略平面図である。基板処理システム１は、半導体ウエハである基板Ｗに対してフォトリソグラフィによるレジスト膜のパターニングを行うシステムであり、大気雰囲気下に設けられる装置Ｄ１～Ｄ３により構成されている。基板処理装置である装置Ｄ１～Ｄ３は、互いに独立している。ここでいう「独立している」とは、剥き出しの状態の基板Ｗが行き来せず、搬送容器Ｃに格納された状態で基板Ｗが搬送される構成となっていることである。搬送容器Ｃは、ＦＯＵＰ（Front Opening Unify Pod）と呼ばれる概ね直方体状の搬送容器であり、複数の基板Ｗを上下に並べて収容する。そして搬送容器Ｃが装置Ｄ１～Ｄ３を順番に搬送され、各装置において搬送容器Ｃから基板Ｗが取り出されて処理を受けることで、当該基板Ｗにレジストパターンが形成される。装置Ｄ１～Ｄ３間における搬送容器Ｃの搬送は、基板処理システム１が設けられる半導体装置製造工場の搬送機構であるＯＨＴ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｈｏｉｓｔ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ）７１によって行われる。
【0009】
装置Ｄ１～Ｄ３には、レジストの塗布によるレジスト膜の形成、レジスト膜の露光後の基板Ｗの加熱（Post Exposure Bake、ＰＥＢ）、レジスト膜の現像によるパターンの形成等を行う各種の処理モジュールが割り振られて設けられており、装置Ｄ２は露光機ＥＸＰに接続されている。そのように一連の処理を行う処理モジュールを複数の装置に割り振ることで、一部の処理モジュールがメンテナンス等により使用不可となって、当該処理モジュールを含む装置での処理が行えなくなった場合においても、他の装置では処理を継続することができる。そのため、半導体装置の生産性の低減が抑制される。なお、装置Ｄ１～Ｄ３は処理モジュールの他に、搬送容器Ｃと装置内の各処理モジュールや露光装置との間で搬送する搬送機構、及び基板Ｗの搬入出を行うためのロードポートＬＰを備える。
【0010】
基板処理システム１において基板Ｗに塗布されるレジストは金属含有レジストであり、より具体的には金属酸化物レジスト（Metal Oxide Resist、ＭＯＲ）である。なお、上記の金属含有レジストは金属をレジストの構成成分として含むものであり、不純物としてのみ含むレジストを意味するものではない。このレジストの構成成分である金属としては、例えば錫（Ｓｎ）である。以降は特に記載しない限り、レジストはＭＯＲのことであるものとする。なおこのＭＯＲは、例えばネガ型レジストである。
【0011】
ＭＯＲは、基板Ｗに塗布された後に大気に含まれる成分と反応することで変性し、レジスト膜に形成されるレジストパターンの線幅（Critical Dimension、ＣＤ）が変化する。なお、露光機による露光でレジスト膜の露光領域で金属原子からリガンドが外れることで、大気成分との反応は起こりやすくなる、即ち露光後はよりレジスト膜の変性が起こりやすいと考えられている。なお、後述する酸性ガスや有機ガスに曝された場合も、大気に曝された場合と同様に、これらのガスの成分とＭＯＲとの反応が進行してＭＯＲの変性が起こる。
【0012】
上記したように基板処理システム１では、ＯＨＴ７１によって独立した装置Ｄ１～Ｄ３間を跨いで基板Ｗの搬送が行われる。パターニングが完了するまでに、搬送容器Ｃ内の基板Ｗが大気に曝される時間がＯＨＴ７１による装置間での搬送容器Ｃの搬送状況次第で、予定された時間からずれることが考えられる。基板処理システム１では、複数の基板Ｗを収容する空間において、不活性ガスであるＮ２（窒素）ガス雰囲気が形成される構成とされ、この空間に収容されてＮ２ガス雰囲気に曝される間、基板Ｗのレジスト膜の変性を抑えることができる。Ｎ２ガス雰囲気に曝される時間については適宜設定し、レジスト膜の変性の進行度を調整することで、各基板ＷのレジストパターンのＣＤの寸法を所望のものとする。このＮ２ガス雰囲気が形成される空間とは、具体的には搬送容器Ｃ内の容器内空間Ｃ１であり、装置における複数箇所でＮ２ガス雰囲気を形成することが可能である。なお、後述する他の基板処理システムでは、搬送容器Ｃ内の容器内空間Ｃ１の他に、複数の基板を収容するために装置に設けられるモジュールである、バッファモジュール内の格納空間４２も該当する。
【0013】
同じロットに属する各基板Ｗは、共通の搬送容器Ｃ内に格納されている。その同じロットに属する基板Ｗについて、上記のＮ２ガス雰囲気が形成される空間に搬送することで、同じロット内でのパターンのＣＤの寸法の均一性の向上を図ることができる。異なるロット間において、Ｎ２ガス雰囲気に曝される時間を適宜調整することで、パターンのＣＤの寸法の均一性を高めることもできる。
【0014】
なお、この基板処理システム１ではＰＥＢ及び現像を１回のみ行うことでパターニングを行うが、後に他の基板処理システムとして例示するように、ＰＥＢ、現像を複数回繰り返してパターニングを行うシステム構成とすることができる。初回のＰＥＢ、現像はパターンを形成するための処理で、二回目以降のＰＥＢ、現像はパターンを整形するための処理である。上記したパターニングとは、レジスト膜を形成してから現像を終了するまでの一連の処理であるが、ＰＥＢ、現像を繰り返す場合には、最後に現像を行うまでである。なお、ＰＥＢ、現像を繰り返すにあたり、整形が完了するまで、レジスト膜の下層における膜（下層膜）のエッチング処理は行われないものとする。つまり、レジスト膜の形成を行ってから最初に下層膜のエッチングを行う前の最後の現像を行うまでが、本明細書でいうパターニングに該当する。
【0015】
基板処理システム１を詳しく説明する前に、搬送容器Ｃについて図２に基づいて説明しておくと、搬送容器Ｃは容器本体Ｃ２及び蓋体Ｃ３によって構成されている。容器本体Ｃ２の側方に形成される開口が蓋体Ｃ３によって閉じられた状態で、容器内空間Ｃ１は気密に保たれる。基板Ｗは、容器内空間Ｃ１に上下方向に沿って並べられる。容器本体Ｃ２の底壁部には、後述する中継コネクタ１９ｂ（図３）に対応して取付孔１９ａが２つ設けられており、当該取付孔１９ａを介して容器内空間Ｃ１に対するガス供給及び排気が行われる。取付孔１９ａは、中継コネクタ１９ｂの非接続時に不図示の弁により塞がれ、容器内空間Ｃ１の気密性が保たれる。
【0016】
基板処理システム１を構成する装置Ｄ１～Ｄ３は互いに類似した構成であり、代表して装置Ｄ３について説明する。装置Ｄ３は、基板Ｗを搬入出するための搬入出ブロックＢ１と、パターニングを行うための処理モジュールが配置される処理ブロックＢ２と、左右方向に接続して備えている。搬入出ブロックＢ１側を左方側とした手前側を前方とする。装置Ｄ３は、ブロック毎に筐体を有しており、外部の大気雰囲気から内部を気密に保つように構成されている。筐体内に基板Ｗの搬送領域や処理モジュールの配置領域が形成されている。
【0017】
搬入出ブロックＢ１について説明すると、当該搬入出ブロックＢ１の筐体ＤＢの側壁に、前後に並んで複数のロードポートＬＰを備えている。ロードポートＬＰは、筐体ＤＢの側壁に形成される貫通孔である基板搬入口Ｌ１、筐体ＤＢの外側にて搬送容器Ｃを載置する載置部Ｌ２、及び開口部を筐体ＤＢ内から開閉するドアＬ３により構成されている。載置部Ｌ２は左右に移動可能であり、基板搬入口Ｌ１から比較的離れたアンロード位置と、基板搬入口Ｌ１に近接したロード位置との間で移動する。図３においては、後側の２つの載置部Ｌ２はアンロード位置、前側の２つの載置部Ｌ２はロード位置に夫々位置する状態を示している。
【0018】
アンロード位置における載置部Ｌ２に対して搬送容器Ｃの受け渡しが行われる。図４に示すように、ロード位置における搬送容器Ｃの容器本体Ｃ２の開口部は基板搬入口Ｌ１の開口縁に密着し、当該ロード位置での容器本体Ｃ２に対してドアＬ３は蓋体Ｃ３の着脱を行う。容器本体Ｃ２から外された蓋体Ｃ３はドアＬ３に保持され、ドアＬ３と共に基板搬入口Ｌ１の下方へと移動して基板搬入口Ｌ１を開放し、容器本体Ｃ２と搬入出ブロックＢ１との間で基板Ｗの受け渡しが可能となる。
【0019】
載置部Ｌ２には２つの中継コネクタ１９ｂが設けられ、当該載置部Ｌ２に載置された搬送容器Ｃの各取付孔１９ａに接続される。一方の中継コネクタ１９ｂはガス流路１５を介してＮ２ガスの供給源１３に接続され、他方の中継コネクタ１９ｂは排気流路１８を介して工場の排気路１６に接続されている。ガス流路１５に介設されたバルブ１４の開閉により搬送容器Ｃ内へのＮ２ガスの給断がなされる。排気流路１８に介設されたバルブ１７の開閉により搬送容器Ｃ内に対して排気が行われる状態と、排気が停止した状態とを切り替えることができる。例えば搬送容器Ｃ内へのＮ２ガスの供給時には、排気も行われる。
【0020】
筐体ＤＢ内は基板搬送領域Ｒ１として構成されており、搬送容器Ｃから基板Ｗを基板搬送領域Ｒ１に搬入出するための基板搬送機構８１が配置されている。基板搬送機構８１は、基板搬送領域Ｒ１において前後及び上下に移動する基体８１ａと、基体８１ａ上を進退して基板Ｗを支持する支持部８１ｂとを備え、搬送容器Ｃと処理ブロックＢ２に設けられたタワーＴ１との間で基板Ｗを受け渡すことができる。筐体ＤＢ内の天井はガス供給部３４として構成され、基板搬送領域Ｒ１の下方に向けてガスを供給する。このガス供給部３４については、処理ブロックＢ２におけるガス供給部３５、３６と共に詳しく説明する。
【0021】
また基板搬送領域Ｒ１においては、ドアＬ３とは別に基板搬入口Ｌ１を開閉するシャッタ（開閉機構）Ｌ４が設けられている。筐体ＤＢの内側に配置される駆動機構Ｌ４１によって、シャッタＬ４は筐体ＤＢの内側面に沿うように上下に移動する。より詳しくは、シャッタＬ４は、基板搬入口Ｌ１を覆うように配置される閉鎖位置と、基板搬入口Ｌ１の上方であって基板搬入口Ｌ１から外れた開放位置との間を移動する。ドアＬ３による基板搬入口Ｌ１の閉鎖は、基板搬入口Ｌ１の口縁にドアＬ３が密着するように行われるが、このシャッタＬ４による基板搬入口Ｌ１の閉鎖は基板搬入口Ｌ１の口縁にドアＬ３との間に若干の隙間が形成されるように行われ、シャッタＬ４の閉鎖位置と開放位置との間の移動は速やかに行われる。
【0022】
ドアＬ３が開かれる（基板搬入口Ｌ１から離れる）状態で、シャッタＬ４による基板搬入口Ｌ１の開閉が行われる。基板搬送機構８１の支持部８１ｂが搬送容器Ｃの容器本体Ｃ２に進入する場合を除いて、シャッタＬ４は基板搬入口Ｌ１を閉鎖する。それにより、搬送容器Ｃの容器内空間Ｃ１におけるＮ２ガスの濃度の低下が抑えられ、上記したＭＯＲの反応の進行が、より確実に抑制される。筐体ＤＢ内の天井はガス供給部３４として構成され、基板搬送領域Ｒ３の下方に向けてガスを供給する。このガスに関しては後に補足して説明する。
【0023】
搬入出ブロックＢ１における筐体ＤＢの外側で、ロードポートＬＰの上方には搬入出用の棚５１が設けられており、棚５１にＯＨＴ７１が搬送容器Ｃを受け渡す。そして、搬入出ブロックＢ１の左方には、上下に複数段の待機用の棚５２が設けられ、各棚５１、５２に搬送容器Ｃを載置することができる。移載機構７２は昇降可能、前後左右に移動可能な搬送容器Ｃの保持部を備えており、搬入出用の棚５１と、待機用の棚５２と、ロードポートＬＰの載置部Ｌ２と、の間で搬送容器Ｃを移載する。移載機構７２、搬入出用の棚５１及び待機用の棚５２については、搬入出ブロックＢ１に付帯して設けられる移載ユニット５０とする。
【0024】
棚５２は、前後方向に沿って複数の載置台５４を備えており、各載置台５４上に搬送容器Ｃが載置される。載置台５４にはロードポートＬＰの載置部Ｌ２と同様に、中継コネクタ１９ｂが２つずつ設けられており、その２つの中継コネクタ１９ｂは、ガス流路１５、排気流路１８を介してＮ２ガスの供給源１３、工場排気路１６に接続されている。そしてガス流路１５、排気流路１８に介設されるバルブ１４、１７の開閉によって載置部Ｌ２上の搬送容器Ｃ内と同様、載置台５４上の搬送容器Ｃ内に対しても、Ｎ２ガスの供給と排気とを行うことができ、収容される基板Ｗの周囲をＮ２ガス雰囲気とすることができる。なお、各載置台５４上の搬送容器Ｃ、各載置部Ｌ２上の搬送容器Ｃに対して、Ｎ２ガスの供給と排気とを独立して行えるようにガス流路１５、排気流路１８は構成されている。ガス流路１５、排気流路１８、バルブ１４、１７、Ｎ２ガスの供給源１３については、基板Ｗが収容される空間の雰囲気を調整する雰囲気調整部として構成される。
【0025】
搬送容器Ｃは、ＯＨＴ７１→移載機構７２→搬入出用の棚５１→移載機構７２→待機用の棚５２の載置台５４→移載機構７２→ロードポートＬＰの載置部Ｌ２の順で搬送され、基板Ｗが装置に払い出される。続いて、搬送容器Ｃは、移載機構７２→載置台５４→移載機構７２→載置部Ｌ２の順で搬送されて装置から搬送された基板Ｗが格納された後、移載機構７２→載置台５４→移載機構７２→搬入出用の棚５１→ＯＨＴ７１の順で搬送される。載置台５４は、ロードポートＬＰが基板Ｗの搬入出が行われていない搬送容器Ｃによって占有されてしまうことを防ぐために、当該搬送容器Ｃを退避させて保管するための保管部をなす。
【0026】
続いて、処理ブロックＢ２について説明する。処理ブロックＢ２は、互いに区画された階層Ｅ１～Ｅ６を備え、左方側に階層Ｅ１～Ｅ６に跨がるタワーＴ１が設けられる。タワーＴ１の後方には、階層Ｅ１～Ｅ６間を移動可能であって、タワーＴ１の各モジュール間で基板Ｗを受け渡す基板搬送機構８２が設けられている。基板搬送機構８２によって基板が搬送される領域（即ち、タワーＴ１の周辺及びタワーＴ１の後方に至る領域）を基板搬送領域Ｒ２とする。当該基板搬送領域Ｒ２の天井は、ガス供給部３５として構成され、基板搬送領域Ｒ２の下方に向けてガスを供給する。
【0027】
階層Ｅ１～Ｅ６は互いに同様に構成されており、いずれかの階層に搬送されて基板Ｗは処理を受ける。代表して階層Ｅ３について説明すると、前後の中央部には、左右に延びる基板搬送領域Ｒ３が設けられており、タワーＴ１の右側は、当該基板搬送領域Ｒ３に臨む。基板搬送領域Ｒ３には、基板搬送機構８３が設けられており、基板搬送領域Ｒ３の周囲のモジュールに対して基板Ｗを受け渡すことができる。
【0028】
基板搬送領域Ｒ３の前方には、基板Ｗに現像液を供給することによってレジスト膜の現像を行う現像モジュールＤＥＶが設けられている。処理ブロックＢ２内で例えば「現像モジュールＤＥＶ」が設けられた領域を、特許請求の範囲において「現像ブロック」といい、当該領域をＤＥＶなどと図示している。現像モジュールＤＥＶは筐体と、筐体内に設けられる基板Ｗの処理部と、を備えており、筐体内を基板搬送領域Ｒ４として示している。当該筐体内の天井はガス供給部３６として構成され、基板搬送領域Ｒ４の下方に向けてガスを供給する。
【0029】
基板搬送領域Ｒ３の後方には、加熱モジュールＨＭＬが複数左右に並んで設けられた加熱ブロックが配置されている。この加熱モジュールＨＭＬは現像後の基板Ｗを加熱するモジュールである。加熱モジュールＨＭＬは、基板Ｗを収容する筐体を備えており、筐体内は排気されることで基板搬送領域Ｒ３の雰囲気が引き込まれる。つまり、基板搬送領域Ｒ３と同じ雰囲気とされる。
【0030】
基板搬送領域Ｒ３を形成する天井は、ガス供給部３７として構成されており、基板搬送領域Ｒ３の下方に向けてガスを供給する。これまでに述べたガス供給部３４～３７については、ガス流路と、当該ガス流路から供給されたガスを下方の基板搬送領域Ｒ１～Ｒ４の各々に供給する供給口と、を備えた構成とされている。そして、ガス供給部３４～３７にはダクト３２の下流端が接続されており、ダクト３２の上流端にはファン３１が設けられており、基板処理システム１が設けられる部屋の大気雰囲気をダクト３２内に引き込み、各ガス供給部３４～３７に向けて供給する。ダクト３２には、除去フィルタ（成分除去部）３３が介在している。
【0031】
除去フィルタ３３は、微細粒子（パーティクル）の他に、大気中に含まれる所定のガス成分を除去することが可能なケミカルフィルタであり、アンモニア（ＮＨ３）、アミン、酸性ガス及び有機ガスを除去して、清浄化された大気がガス供給部３４～３７に供給されて、下方へ向けて供給されて気流を形成する。なお、ガス供給部３４～３７に設けられる供給口としては、濾紙の目であったり、多孔質体の表面の孔であったり、ごく微細なものであってもよい。また、酸性ガスとしては二酸化炭素、硫化水素、塩化水素、塩素、硝酸、二酸化窒素、二酸化硫黄が含まれる。有機ガスとしては、アルコールやアセトンなどの揮発性有機化合物により構成されるガスである。ガス供給部３４～３７、ダクト３２、ファン３１及び除去フィルタ３３は、気流発生部３をなす。
【0032】
上記したタワーＴ１には、基板Ｗが仮置きされる受け渡しモジュールＴＲＳが多数、積層されて設けられている。階層Ｅ１～Ｅ６に対応する各高さに設けられる受け渡しモジュールＴＲＳを階層Ｅ１～Ｅ６と同じ数字を付して示している。また、ＴＲＳ０は一方がタワーＴ１への搬入用、他方がタワーＴ１からの搬出用である。またタワーＴ１から搬入出ブロックＢ１への搬出に用いるものについては、数字の後に「′」を付けて示し、搬入に用いるものと区別している。つまり、階層Ｅ１で処理を受ける基板Ｗは、搬送容器Ｃ→ＴＲＳ０→ＴＲＳ１→階層Ｅ１→ＴＲＳ１′→ＴＲＳ０′→搬送容器Ｃの順で搬送される。
【0033】
装置Ｄ３は制御部１００を備えている。制御部１００は、ＣＰＵと記憶部とを備えたコンピュータにより構成され、装置Ｄ３の各部を制御するものである。記憶部には各種の処理モジュール、搬送機構の動作や搬送容器Ｃに対するＮ２ガスの供給及び排気を制御するためのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリカード、不揮発メモリなどの記憶媒体に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
【0034】
装置Ｄ１、Ｄ２について、装置Ｄ３との差異点を中心に説明する。装置Ｄ１について説明すると、処理ブロックＢ２には、現像モジュールＤＥＶの代わりに、レジストを塗布してレジスト膜を形成する塗布モジュールＣＯＴが設けられている。そして加熱モジュールＨＭＬの代わりに、露光前の基板の加熱処理（Post Apply Bake、ＰＡＢ）を行う第１加熱モジュールＰＡＢが設けられている。さらに気流発生部３において、除去フィルタ３３とは異なるフィルタが設けられている。このフィルタはパーティクルの除去用のフィルタであって、ＮＨ３、アミン、酸性ガス及び有機ガスの除去性能は、除去フィルタ３３より低く、これらの除去性能が無くてもよい。これは、上記したようにレジストの変性には露光後の大気の作用の影響が比較的大きいためである。ただし、除去フィルタ３３を設けるようにしてもよい。
【0035】
装置Ｄ２について説明すると、処理ブロックＢ２には、加熱モジュールＨＭＬの代わりに、露光後で現像前の基板の加熱処理（Post Exposure Bake、ＰＥＢ）を行う第２加熱モジュールＰＥＢが設けられている。そして処理ブロックＢ２の右側には、露光機ＥＸＰが接続され、装置Ｄ２は、処理ブロックＢ２と、露光機ＥＸＰとの間に介在するインターフェイスブロックＩＦＢを備えている。インターフェイスブロックＩＦＢに設けられる基板搬送機構により、装置Ｄ２と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗの搬送が行われる。インターフェイスブロックＩＦＢの構成例は第２の実施形態で示す。また装置Ｄ２には、移載ユニット５０が設けられておらず、ＯＨＴ７１はロードポートＬＰに対して直接、搬送容器Ｃを受け渡す。
【0036】
装置Ｄ１、Ｄ２にも制御部１００が設けられており、制御部１００によって各部の動作が制御される。各制御部１００は、工場のホストコンピュータ（不図示）に接続されており、ホストコンピュータによりＯＨＴ７１の動作が制御される。ＯＨＴ７１による搬送容器Ｃの搬送状況に合わせて、各装置Ｄ１～Ｄ３で基板Ｗの処理が行われる。
【0037】
上記の基板処理システム１にて行われる、１つの搬送容器Ｃに収容される各基板Ｗへのパターニングの例について、図５の概要図、図６のフローチャートを参照して説明する。概要図に示すとおり、基板処理システム１ではレジストの塗布から現像に至るまで、大気に含まれる各成分との反応が抑制されることによって、レジストの変性の進行が抑制されるようにパターニングが行われる。
【0038】
先ず、レジスト膜が形成されていない複数の基板Ｗを収容する搬送容器Ｃが、ＯＨＴ７１によって装置Ｄ１に搬送されて、搬送容器Ｃ内の基板Ｗが順次、装置Ｄ１内へ搬送されると、搬送容器Ｃは待機用棚５２に退避される。そして各基板Ｗは、塗布モジュールＣＯＴ→第１加熱モジュールＰＡＢの順で搬送されて、レジスト膜の形成と熱処理とが順次行われる（ステップＳ１）。搬送容器ＣがロードポートＬＰに搬送され、Ｎ２ガスの供給及び排気が行われることで、内部にＮ２ガスが充填される。そして、ＰＡＢが行われた各基板Ｗが順次、この搬送容器Ｃに戻される。この際に、既述したようにシャッタＬ４の開閉が行われ、搬送容器Ｃ内のＮ２ガス濃度の低下が抑制される（ステップＳ２）。各基板Ｗの収容後、搬送容器Ｃは待機用棚５２に搬送され、待機中にＮ２ガスの供給及び排気が行われることで、内部のＮ２ガス濃度が上昇する（ステップＳ３）。
【0039】
その後、ＯＨＴ７１により搬送容器Ｃは装置Ｄ２のロードポートＬＰに搬送され、Ｎ２ガスの供給及び排気が行われることで、内部のＮ２ガス濃度が上昇する。そして各基板Ｗが、この搬送容器Ｃから順次搬出される。この搬出中、既述したようにシャッタＬ４の開閉が行われ、搬送容器Ｃ内のＮ２ガス濃度の低下が防止される（ステップＳ４）。基板Ｗは処理ブロックＢ２を介して露光機ＥＸＰに搬送され、パターンに沿って露光される。その後、基板Ｗは処理ブロックＢ２に戻されてＰＥＢが行われる（ステップＳ５）。ロードポートＬＰにおける搬送容器ＣにＮ２ガスの供給及び排気が行われることで、内部にＮ２ガスが充填される。そして、各基板Ｗが順次搬送容器Ｃに戻される。この際に、装置Ｄ１における基板Ｗの回収時と同様にシャッタＬ４の開閉が行われ、搬送容器Ｃ内のＮ２ガス濃度の低下が抑制される（ステップＳ６）。
【0040】
その後、ＯＨＴ７１により搬送容器Ｃは装置Ｄ３に搬送され、待機用棚５２に移載される。この待機用棚５２での待機中にＮ２ガスの供給及び排気が行われることで、内部のＮ２ガス濃度が上昇する（ステップＳ７）。続いて、搬送容器Ｃは装置Ｄ３のロードポートＬＰに搬送され、Ｎ２ガスの供給及び排気が行われることで、内部のＮ２ガス濃度が上昇する。そして各基板Ｗが、この搬送容器Ｃから順次搬出される。この搬出中、既述したようにシャッタＬ４の開閉が行われ、搬送容器Ｃ内のＮ２ガス濃度の低下が防止される（ステップＳ８）。現像液によりレジスト膜は、回路パターンに沿って除去されて基板Ｗにレジストパターンが形成される。その後、各基板Ｗは加熱モジュールＨＭＬにて加熱処理を受ける（ステップＳ９）。そして基板Ｗが回収された搬送容器Ｃは、ＯＨＴ７１によって次工程を行う装置に搬送される（ステップＳ１０）。
【0041】
以上のように基板処理システム１によれば、レジスト膜形成から現像までの各処理の間においてロードポートＬＰや待機用棚５２で、Ｎ２ガス雰囲気となるように雰囲気が調整された容器内空間Ｃ１に基板Ｗを収容してレジスト膜の大気との反応の進行を抑制する。このため基板Ｗのレジストパターンの線幅の不要な拡張を抑え、所望の線幅となるように調整することができる。
【0042】
また、基板処理システム１によれば、露光後の基板Ｗを処理する装置Ｄ２、Ｄ３について、除去フィルタ３３を備えた気流発生部３が設けられており、基板Ｗの搬送または処理が行われる基板搬送領域Ｒ１～Ｒ４に清浄化された大気の下方気流を放出して、搬送過程や処理過程において基板Ｗのレジスト膜の反応を抑制する。このため搬送過程や処理過程における基板Ｗのレジストパターンの線幅の拡張が、より確実に抑制される。
【0043】
上記したＮ２ガスの代わりに、アルゴンガスなどのＮ２ガス以外の不活性ガスを搬送容器Ｃ内に供給することで、レジスト膜の反応が抑制されるようにしてもよい。また、大気中の各種の成分がＭＯＲと反応すると考えられており、大気中の水分と反応することでＭＯＲが変性すると考えられている。従って、不活性ガスの代わりに低湿度の空気（大気）を搬送容器Ｃ内に供給するようにしてもよい。この低湿度の空気は、具体的には例えば基板処理システム１が設置される部屋の湿度よりも低い湿度の空気であり、例えば基板処理システム１の稼働中において無作為に互いに異なるタイミングで１０回以上湿度を測定し、その湿度の平均よりも搬送容器Ｃ内に供給する空気の湿度が低いのであれば、当該空気は低湿度の空気に該当する。なお本明細書での湿度は、特に説明が無い限り相対湿度である。
【0044】
上記のようにロードポートＬＰにて搬送容器Ｃの容器内空間Ｃ１にＮ２ガスを供給するにあたって、Ｎ２ガス濃度が、容器内空間Ｃ１の基板Ｗのレジストの大気に対する反応が抑制されるように比較的高くなればよく、Ｎ２ガスを供給する期間としては任意である。従って、搬送容器Ｃの容器本体Ｃ２から蓋体Ｃ３を取り外すまでの間のみ、Ｎ２ガスを供給してもよいし、容器本体Ｃ２からの蓋体Ｃ３の取り外し後、各基板Ｗの容器本体Ｃ２に対する搬入または搬出が完了するまでの間、Ｎ２ガスの供給を行ってもよい。また、容器本体Ｃ２への基板Ｗの格納が終了し、蓋体Ｃ３が容器本体Ｃ２へ取り付けられた後もＮ２ガスの供給を行うようにしてもよい。
【0045】
上記の例では搬送容器Ｃの搬送経路中、Ｎ２ガスの供給が可能なすべての場所でＮ２ガスの供給を行っているが、一部の場所のみでＮ２ガスの供給を行ってもよい。また、特定の場所において、条件次第でＮ２ガスの供給を行うようにしてもよい。例えば装置Ｄ２でも装置Ｄ１、Ｄ３と同様に移載ユニット５０が設けられ、ロードポートＬＰに搬送される前に搬送容器Ｃが待機用棚５２に搬送されるものとする。この搬送容器Ｃが待機用棚５２に載置された時点における当該搬送容器Ｃの基板Ｗについての見込みの露光機ＥＸＰへ搬送されるまでの時間（露光機搬送時間）が、予め設定された許容時間より長ければ当該時点でＮ２ガスの供給を行い、許容時間以下の時間であればＮ２ガスの供給を行わないようにしてもよい。
【0046】
具体的には例えば基板Ｗが一定の時間間隔Ｔで装置Ｄ２へ搬入されるものとみなす。そして、露光機搬送時間＝待機用棚５２に載置時点の搬送容器Ｃの最初の基板Ｗを搬送するまでに搬入される基板Ｗの枚数×時間間隔Ｔ＋ロードポートＬＰから露光機ＥＸＰまでに要する基板Ｗの搬送時間として、制御部１００が算出すればよい。この基板Ｗの枚数とは、即ち他の搬送容器Ｃから装置Ｄ２に未搬入となっている基板の枚数である。また、時間間隔Ｔ及び露光機ＥＸＰまでの搬送時間は、例えば定数として制御部１００のメモリに記憶されていればよい。露光機ＥＸＰへ搬送されるまでの時間に基づいて、Ｎ２ガスの供給の有無を決定することに限られず、例えば加熱モジュールＰＥＢのように特定のモジュールへ搬送されるまでの時間に基づいて、Ｎ２ガスの供給の有無を決定してもよい。
【0047】
基板処理システム１では、容器内空間Ｃ１内の雰囲気をレジスト膜の反応が抑制されるように調整していたがこれに限らず、レジスト膜の反応が促進されるように調整してもよい。反応を促進させ、各基板Ｗについて現像が行われるまでにレジスト膜で起こり得る各種の反応を飽和させることによって、パターンの線幅は基板Ｗ間で揃う。
【0048】
具体的には図７に示すように、露光機ＥＸＰによる露光から加熱モジュールＰＥＢ（熱処理）を行うまでの間、及び加熱モジュールＰＥＢから現像モジュールＤＥＶで現像を行うまでの間で、Ｎ２ガスを供給するとして述べた場所において、Ｎ２ガスの代わりにレジスト膜の変性が起きるように反応を促進するガスを供給する。そのようなガス（反応促進ガス）としては、例えば飽和水蒸気圧に近づけるように加湿された高湿度の空気や、二酸化炭素や酸素の濃度を高くした空気や、二酸化炭素ガス、酸素ガスなどを用いることができる。この高湿度の空気については、例えば基板処理システム１が設置される部屋の湿度よりも高い湿度の空気であり、例えば基板処理システム１の稼働中において無作為に互いに異なるタイミングで１０回以上湿度を測定し、その湿度の平均よりも搬送容器Ｃ内に供給する空気の湿度が高いのであれば、当該エアは高湿度の空気に該当する。なお、二酸化炭素、酸素の濃度を高くした空気とは、基板処理システム１が設置される部屋の空気（大気）よりも二酸化炭素、酸素の濃度が高い空気である。例えば基板処理システム１の稼働中において無作為に互いに異なるタイミングで１０回以上部屋の二酸化炭素、酸素の濃度を測定し、その濃度の平均よりも高い濃度の空気が該当する。
【0049】
酸性ガス、有機物、アミンガス、ラジカルガスといったガスも、レジスト膜の反応を引き起こす可能性がある。それを考慮して、基板Ｗの周囲の雰囲気を、上記の大気よりも、これらの物質の濃度を低くすることで、レジスト膜の反応の抑制を図ることができる。あるいは、基板Ｗの周囲の雰囲気を、これらの物質の添加により、上記の大気よりもこれらの物質の濃度を高くすることで、レジスト膜の反応を促進あるいは充足させ、複数の基板Ｗそれぞれについて安定した処理結果を得てもよい。基板Ｗの周囲の雰囲気について、これらの物質の濃度を低くする場合、Ｎ２ガスを供給するとして上述した場所において、Ｎ２ガスの代わりにガスフィルタ等でこれらの物質の濃度を大気よりも低くしたガスを供給してもよい。基板Ｗの周囲の雰囲気について、これらの物質の濃度を高くする場合は、例えばこれらの物質の濃度が大気よりも高いガスを予め準備しておき、そのガスをＮ２ガスの代わりに供給してもよい。なお、以降にＮ２ガスを供給するとして述べる場所についても、同じ事は適用可能である。酸化ガス、有機ガス、アミンガス、ラジカルガスなどを構成する分子に含まれる元素としては、様々のものが考えられるが、元素記号での例を挙げると、Ｈ、Ｆ、Ｏ、Ｎ、Ｃ、Ｂ、Ｃｌ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｂｒなどのうちいずれか、あるいは複数であってよい。
【0050】
なお、露光からＰＥＢを行うまでの間は、Ｎ２ガスを供給して反応を抑制し、ＰＥＢを行ってから現像を行うまでの間のみ反応促進ガスを供給するようにしてもよい。なお、レジストの塗布を行ってから露光を行うまでの間についても、Ｎ２ガスの代わりに反応促進ガスを供給してもよい。ただし、塗布モジュールＣＯＴについて、複数種のＭＯＲの中から一つを選択して塗布する構成とし、基板Ｗのロットに対応して塗布するＭＯＲの種類が選択されるものとする。ＭＯＲの種類によっては、露光前においては反応促進ガスに対する反応性が低い懸念が有るため、ロット間で現像を行うまでの反応の進行度の差が大きくなることで、ロット間でのパターンのＣＤの差が大きくなることが考えられる。従って、ロット間でパターンのＣＤを揃える観点から、レジストの塗布を行ってから露光を行うまでの間は、Ｎ２ガスを供給して反応を抑制することが好ましい。
【0051】
また、ＭＯＲについては反応促進ガスに曝される他に、減圧雰囲気において脱水反応が進行し、それによって現像時のパターンの寸法が変化すると考えられている。そのため反応促進ガスを供給する代わりに、ガス供給機構１１によってガスを供給せず、排気機構１２による排気のみを行い、容器内空間Ｃ１を減圧して反応を促進してもよい。
【0052】
（第２実施形態）
図８に基づいて、本開示の第２実施形態における基板処理システム１Ａについて説明する。尚、以降の各実施形態の説明では、第１実施形態との差異点を中心に説明し、第１実施形態と同様の構成については説明を省略する。図８は、現像装置Ｄ２Ａを示す平面図であり、処理ブロックＢ２については階層Ｅ３を示している。
【0053】
本実施形態の基板処理システム１Ａは、互いに独立した装置Ｄ１と現像装置Ｄ２Ａとによって構成されている。現像装置Ｄ２Ａは、第１実施形態で説明した装置Ｄ３と同様に現像液による現像を行う現像モジュールＤＥＶの他に、ガスによる現像を行う現像モジュールを備えている。これらの現像モジュール同士を互いに区別するために、現像液を用いる現像モジュール、ガスを用いる現像モジュールを、現像液モジュールＷＤＥＶ、現像ガスモジュールＧＤＥＶと夫々表記する場合が有る。本例では基板Ｗは、現像液モジュールＷＤＥＶによる現像後に、現像ガスモジュールＧＤＥＶによる現像がなされるように搬送される。
【0054】
現像装置Ｄ２Ａは、現像液モジュールＷＤＥＶを含む構造体Ｆ１と、現像ガスモジュールＧＤＥＶを含む構造体Ｆ２と、を夫々備えている。構造体Ｆ１は第１の実施形態で説明した装置Ｄ３と概ね同様の構成を備えているが差異点として、処理ブロックＢ２の右側端にインターフェイスブロックＩＦＢを介して露光機ＥＸＰが接続されている。構造体Ｆ２についても装置Ｄ３と概ね同様の構成を備えているが、設置される処理モジュールの種類及び配置、ロードポートＬＰの数、処理ブロックをなす層の数が１つであることなどが異なっている。
【0055】
構造体Ｆ２の搬入出ブロック、処理ブロックを夫々Ｂ１Ａ、Ｂ２Ａとして、構造体Ｆ１の搬入出ブロックＢ１、処理ブロックＢ２と区別する。また、処理ブロックＢ２Ａにおいて、処理ブロックＢ２の基板搬送機構８３に相当する基板搬送機構を８３Ａとする。搬入出ブロックＢ１、Ｂ１Ａは互いに離れて前後に並び、処理ブロックＢ２、Ｂ２Ａは互いに離れて前後に並ぶ。処理ブロックＢ２、Ｂ２Ａ間を接続する基板搬送ブロックＢ３が設けられ、当該基板搬送ブロックＢ３に設けられる搬送機構によって、構造体Ｆ１、Ｆ２間で基板Ｗの搬送を行うことができる。搬入出ブロックＢ１のロードポートＬＰで搬送容器Ｃからの現像装置Ｄ２Ａへの基板Ｗの搬出が行われ、基板Ｗの搬出後の搬送容器ＣはＯＨＴ７１を介して搬入出ブロックＢ１ＡのロードポートＬＰに移載され、処理済みの基板Ｗが回収される。
【0056】
構造体Ｆ１についてさらに説明すると、加熱モジュールＨＭＬの代わりに加熱モジュールＰＥＢが設けられている。階層Ｅ３において、装置Ｄ３では一つの加熱モジュールＨＭＬの配置領域であった位置に基板搬送ブロックＢ３の前端部が設けられている。基板搬送ブロックＢ３には、載置された基板Ｗを後方に移動させるステージ８６が設けられ、このステージ８６の後方に基板搬送機構８７が設けられている。基板搬送機構８７の側方に受け渡しモジュールＴＲＳ１０が設けられている。なお、ステージ８６、基板搬送機構８７及び受け渡しモジュールＴＲＳ１０は、基板搬送ブロックＢ３を構成する筐体内に配置され、現像装置Ｄ２Ａの周囲の大気雰囲気とは区画された領域に設けられているものとする。また、後述するように階層Ｅ１は露光機ＥＸＰへの搬入のために基板Ｗを素通りさせるため、処理モジュールが設けられていない。
【0057】
露光機ＥＸＰによる露光後で、処理ブロックＢ２内のＰＥＢ及び現像液モジュールＷＤＥＶで処理後の基板Ｗは、階層Ｅ３の基板搬送機構８３→基板搬送ブロックＢ３→ステージ８６→ＴＲＳ１０→構造体Ｆ２の処理ブロックＢ２Ａの基板搬送機構８３Ａの順で搬送される。そして、現像ガスモジュールＧＤＥＶに搬送された後、タワーＴ１を介してロードポートＬＰの搬送容器Ｃに回収される。以上のように処理ブロックＢ２Ａは、基板搬送ブロックＢ３及びインターフェイスブロックＩＦＢを介して露光機ＥＸＰと接続されており、露光機ＥＸＰが処理ブロックＢ２、Ｂ２Ａで共用される構成となっている。
【0058】
構造体Ｆ１のインターフェイスブロックＩＦＢについて述べると、当該インターフェイスブロックＩＦＢは、タワーＴ１と同様に多数の積層されたＴＲＳを含むタワーＴ２を備え、このＴＲＳを介してインターフェイスブロックＩＦＢと処理ブロックＢ２の各階層との基板の受け渡しが可能である。また、インターフェイスブロックＩＦＢは、搬送機構８８、８９を備えている。搬送機構８８は、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳと、露光機ＥＸＰとの基板Ｗの受け渡しに用いられ、搬送機構８９はタワーＴ２の各受け渡しモジュールＴＲＳ間での基板Ｗの受け渡しに用いられる。
【0059】
構造体Ｆ２について補足して述べると、処理ブロックＢ２Ａが１つの層であるため、構造体Ｆ１で設けられる層間での受け渡し用の搬送機構８２は設けられていない。また、現像ガスモジュールＧＤＥＶは構造体Ｆ１の基板搬送領域Ｒ３に相当する基板搬送領域Ｒ３Ａに対する後方側に設けられている。この構造体Ｆ２について、基板搬送領域Ｒ３Ａには除去フィルタ３３により清浄化された気流が供給される。現像ガスモジュールＧＤＥＶには、搬送領域Ｒ３Ａで形成される気流が流れ込む。なお、インターフェイスブロックＩＦＢ、基板搬送ブロックＢ３についても搬入出ブロックＢ１と同様、天井部から除去フィルタ３３によって清浄化された大気が供給されて、下降気流が形成される。当該下降気流が形成される領域を領域Ｒ５、領域Ｒ６として夫々示している。なお本例では、パターンの形成が完了する基板Ｗが通過する搬入出ブロックＢ１Ａについては、除去フィルタ３３とは異なるフィルタにより清浄化された大気による下降気流が形成されるものとしている。
【0060】
また本開示の基板処理システム１Ａは、例えば現像装置Ｄ２Ａの搬入出ブロックＢ１に配置されたバッファモジュール（格納部）４を備えている。当該バッファモジュール４の構成について図９～図１１の斜視図を参照して説明する。バッファモジュール４は、基板搬送領域Ｒ１の後方側に隣接して設けられ、搬送容器Ｃと同様に上下に基板Ｗを並べて格納するモジュールであり、当該基板Ｗを格納する方形の筐体４１を備えている。この筐体４１は、四方に向かう側壁のうちの一方に向かう側壁が除去された構成になっている。そのように側壁が除去されて開放される側を、筐体４１の手前側として説明する。
【0061】
筐体４１内は、基板Ｗの格納空間４２として構成されている。図１０、図１１に示すように、筐体４１の側壁には、基板Ｗを支持する支持部４３が多段に設けられており、この支持部４３は平面視で矩形をなす格納空間４２の４つの各角部から、格納空間４２の中央部に向けて突出する。同じ高さに位置する４つの支持部４３が１つの組となって１枚の基板Ｗの裏面の周縁部を支持し、基板Ｗを水平な姿勢で待機させることができる。そのように同じ組の支持部４３によって形成される基板Ｗの待機領域をスロットと呼称すると、このスロットは多数、例えば１８個設けられ、下から上に向けてスロット１、スロット２、スロット３・・・として、各スロットに番号を付して呼称する場合が有る。筐体４１内の奥側には載置部Ｌ２と同様に雰囲気調整部に接続されたガス供給部４４が設けられ（図１２）、筐体４１内の手前に向けてＮ２ガスが供給され、スロット１～１８の各基板Ｗが、このＮ２ガスの気流に曝される。
【0062】
筐体４１の手前側に４枚のシャッタ（開閉部）４５が設けられている。この４枚のシャッタ４５の手前側から奥側に向けた各位置は、互いに異なっている。シャッタ４５は各々昇降可能であって、一部のスロットが筐体４１の外部の基板搬送領域Ｒ１に開放される状態（図９、図１０の状態）と、全てのスロットが当該筐体４１の外部から区画される状態（図１１の状態）とを切り替えることができる。なお、外部に開放されるスロットについては変更可能である。シャッタ４５の構成について詳しく述べると、４つのシャッタ４５は互いに同様に構成されており、上下に並ぶ横長の４つの貫通口４６を各々備えている。そのように４つの貫通口４６を備えることで、手前から奥に向けて見ると、シャッタ４５については左端部、右端部を左右に接続する橋部４７が、上下に５つ設けられると見ることもできる。図１２は、各シャッタ４５の昇降による橋部４７の高さを模式的に示しており、図１２（ａ）、図１２（ｂ）、図１２（ｃ）は、夫々図９、図１０、図１１の状態における橋部４７の位置を夫々示している。なお、図１２（ａ）～図１２（ｃ）の矢印は、上記したＮ２ガスの気流を示している。
【0063】
説明の便宜上、４つのシャッタ４５をシャッタ４５Ａ～４５Ｄとする。筐体４１の手前側に昇降機構６１～６４が設けられている。手前から奥に見て昇降機構６１、６２が筐体４１の左方に、昇降機構６３、６４が筐体４１の右方に設けられている。昇降機構６１はシャッタ４５Ａ及び昇降機構６２に接続され、これらを昇降させることができ、昇降機構６２はシャッタ４５Ｂに接続され、当該シャッタ４５Ｂを昇降させることができる。なお、昇降機構６２を介して昇降機構６１に接続されることで、シャッタ４５Ｂは昇降機構６１によっても昇降される。昇降機構６３はシャッタ４５Ｃ及び昇降機構６４に接続され、これらを昇降させることができ、昇降機構６４はシャッタ４５Ｄに接続されている。従って、昇降機構６３によってシャッタ４５Ｃ、４５Ｄが昇降する。なお、昇降機構６４を介して昇降機構６３に接続されることで、シャッタ４５Ｄは昇降機構６３によっても昇降される。以上の構成であるため、シャッタ４５Ａ～４５Ｄについては、互いの相対的な昇降が可能である。
【0064】
昇降機構６１～６４は例えばシリンダにより構成され、接続されるシャッタ４５を上昇位置と下降位置との間で移動させることができる。上記したように昇降機構６１、６３については、シャッタ４５と共に昇降機構６２、６４も移動させるが、シャッタ４５の移動距離と、昇降機構６２、６４の移動距離と、は同じである。また、昇降機構６１～６４間で、接続されるシャッタ４５の上昇位置と下降位置との間の距離は同じである。昇降機構６１～６４について、接続されるシャッタ４５を上昇位置に位置させる状態をＵＰ状態、下降位置に位置させる状態をＤＯＷＮ状態とすると、図９、図１２（ａ）に示すバッファモジュール４については、昇降機構６１～６４のすべてがＤＯＷＮ状態となっている。この状態では、シャッタ４５Ａ～４５Ｄの４つの貫通口４６が互いに重なっており、スロット１、２、５、６、９、１０、１３、１４、１７、１８が筐体４１外部の基板搬送領域Ｒ１に開放され、これらのスロットに対して基板Ｗの搬送が可能になる。
【0065】
また、図１０、図１２（ｂ）に示すバッファモジュール４については、昇降機構６１、６３がＵＰ状態、昇降機構６２、６４がＤＯＷＮ状態となっている。この状態では、スロット３、４、７、８、１１、１２、１５、１６が筐体４１外部の基板搬送領域Ｒ１に開放され、これらのスロットに対して基板Ｗの搬送が可能になる。従ってスロット１～１８の各々に対して、図９、図１０のうちのいずれかの状態とされることで、基板Ｗの搬送が可能である。なお、この図１０、図１２（ｂ）の状態は、図９、図１２（ａ）の状態と同じくシャッタ４５Ａ～４５Ｄの４つの貫通口４６が互いに重なるが、筐体４１に対するシャッタ４５Ａ～４５Ｄの高さが異なっている。そして、図１１、図１２（ｃ）に示すバッファモジュール４については、昇降機構６１がＤＯＷＮ状態、昇降機構６２～６４がＵＰ状態となっている。この状態では、各シャッタ４５の橋部４７の高さが互いにずれることで、格納空間４２が筐体４１の外部に対して区画される。つまり、スロット１～１８が、筐体４１の外部に対して閉じられる。
【0066】
このようにバッファモジュール４については、基板Ｗの搬送を行うにあたり限られたスロットのみが筐体４１外部の基板搬送領域Ｒ１に開放されるように各シャッタ４５が昇降する。そのため筐体４１内におけるＮ２ガスの濃度が比較的高いものとなり、レジスト膜の変性の進行がより確実に抑えられる。なお、所望の枚数の基板Ｗを格納するために、その枚数に応じた数のバッファモジュール４を設けるようにする。
【0067】
ロードポートＬＰの搬送容器Ｃから現像装置Ｄ２Ａに基板Ｗを払い出すにあたり、処理ブロックＢ２に搬送される前に、搬送容器Ｃ内のすべての基板Ｗが一旦、バッファモジュール４に搬送され、Ｎ２雰囲気下に置かれる。その後、バッファモジュール４から基板Ｗが順次、後段のモジュールへと搬送され、露光、ＰＥＢ、現像が行われる。バッファモジュール４の下流側のモジュールの基板Ｗの搬送状況に応じて、基板Ｗがバッファモジュール４から取り出されるタイミングが制御される。つまり、下流側のモジュールで処理が滞り、基板Ｗの搬送の滞留が懸念される場合には、そのような状況が解消された後、基板Ｗがバッファモジュール４から取り出される。
【0068】
上記の基板処理システム１Ａにおける基板Ｗの搬送及び基板処理の動作について、基板処理システム１との差異点を中心に説明する。先ず、搬送容器ＣがＯＨＴ７１によって装置Ｄ１のロードポートＬＰに搬送され、搬送容器Ｃ内の各基板Ｗにレジスト膜の形成、ＰＡＢが行われる。ＯＨＴにより搬送容器Ｃが、現像装置Ｄ２Ａの構造体Ｆ１に搬送され、待機用の棚５２を介してロードポートＬＰに載置される。搬送容器Ｃから払い出された各基板Ｗは、バッファモジュール４に格納され、すべての基板Ｗが払い出された搬送容器Ｃは構造体Ｆ２のロードポートＬＰに搬送される。
【0069】
そして、バッファモジュール４から順次搬送された基板Ｗは、処理ブロックＢ２の階層Ｅ１及びインターフェイスブロックＩＦＢを介して露光機ＥＸＰに搬送されて露光される。露光後の基板Ｗは、処理ブロックＢ２の階層Ｅ２～Ｅ６で１回目のＰＥＢ、現像液モジュールＷＤＥＶによる現像、２回目のＰＥＢが順次なされる。その後、基板Ｗは既述したように、階層Ｅ３及び基板搬送ブロックＢ３を介して、構造体Ｆ２の処理ブロックＢ２Ａに搬送され、現像ガスモジュールＧＤＥＶにより２回目の現像がなされた後、搬入出ブロックＢ１Ａの搬送容器Ｃに搬入され、ＯＨＴ７１により基板処理システム１Ａから搬出される。
【0070】
現像装置Ｄ２Ａにおいても第１実施形態の装置Ｄ３と同様に、待機用の棚５２及び各ロードポートＬＰにおいて、搬送容器ＣにＮ２ガスの供給が行われる。また、現像装置Ｄ２Ａでは装置Ｄ３で設けられていたシャッタＬ４を設けていないが、設けてもよい。なお、上記の装置構成においては、現像液による現像、ガスによる現像のいずれかのみが選択して行われるようにしてもよい。現像液による現像のみを行うとしたら、基板Ｗは構造体Ｆ２には搬送せず、構造体Ｆ１のロードポートＬＰの搬送容器Ｃに戻せばよい。また、第１実施形態の現像後の加熱モジュールＨＭＬによる加熱を設けない構成としているが、構造体Ｆ１、Ｆ２の搬送領域Ｒ３、Ｒ３Ａに隣接するように設けて当該加熱を行うようにしてもよい。
【0071】
バッファモジュール４について搬入出ブロックＢ１に設けることに限られず、処理ブロックＢ２に設けてもよいし、インターフェイスブロックＩＦＢ（即ち処理ブロックＢ２と露光機ＥＸＰとの間に介在するブロック）に設けてもよい。具体的には例えば処理ブロックＢ２の階層Ｅ１において、階層Ｅ２～Ｅ６で現像液モジュールＷＤＥＶが設けられる位置や、インターフェイスブロックＩＦＢのタワーＴ２にバッファモジュール４を設けてもよい。また、露光後でＰＥＢを行う前の一つのロットの基板Ｗをまとめて格納してもよいし、ＰＥＢ後、現像を行う前の一つのロットの基板Ｗをまとめて格納してもよい。このＰＥＢ、現像は１回目及び２回目のＰＥＢ、現像、いずれも該当する。
【0072】
このバッファモジュール４についてもＮ２ガスのようなレジストの反応を抑制するガスの雰囲気を形成する代わりに、既述した反応促進ガスによる雰囲気を形成したり、減圧雰囲気を形成したりすることで、収納された基板Ｗにおけるレジストの反応を促進してもよい。また装置Ｄ１の搬入出ブロックＢ１に、現像装置Ｄ２Ａと同様にバッファモジュール４を設けて、装置Ｄ１で処理を終えて搬送容器Ｃに向う基板Ｗを一旦格納し、反応の抑制あるいは反応の促進を行ってもよい。
【0073】
（第３実施形態）
図１３に基づいて、本開示の第３実施形態における基板処理システム１Ｂについて説明する。図１３は、基板処理システム１Ｂの概略を示す平面図であり、処理ブロックＢ２の基板搬送領域Ｒ２は省略し、階層Ｅ１～Ｅ６については代表して階層Ｅ３を示している。図１４以降の図も同様に図示する。
【0074】
第３実施形態における基板処理システム１Ｂは、装置Ｄ１Ｂ、装置Ｄ３Ｂ、装置Ｄ２Ｂと前後方向に沿って順に並んでいる。装置Ｄ２Ｂの左方には、待機用の棚５２と移載機構７２とが配置されている。装置Ｄ１Ｂ～Ｄ３Ｂの搬入出ブロックＢ１に、バッファモジュール４が設けられている。第２実施形態と異なり、基板搬送領域Ｒ１に対する後方側の他に、基板搬送領域Ｒ１に対する前方側にも設けられている。なお、図示の便宜上、そのように基板搬送領域Ｒ１に隣接する位置ではなく、基板搬送領域Ｒ１内に示している。以降の図についても同様に示す。
【0075】
基板処理システム１の装置Ｄ１と異なり、装置Ｄ１ＢについてはインターフェイスブロックＩＦＢを介して露光機ＥＸＰが接続されている。装置Ｄ２Ｂは、装置Ｄ２と異なり露光機ＥＸＰが接続されておらず、現像液モジュールＷＤＥＶを備えている。また、装置Ｄ３Ｂは、現像液による現像モジュールＤＥＶの代わりに現像ガスモジュールＧＤＥＶを備え、且つ加熱モジュールＰＥＢを備えている点で、基板処理システム１の装置Ｄ３と異なる。なお、装置Ｄ１Ｂ～Ｄ３Ｂのうち、装置Ｄ２Ｂのみに移載ユニット５０が設けられている。
【0076】
ＯＨＴ７１は、装置Ｄ１Ｂから、装置Ｄ２Ｂ、Ｄ３Ｂの一方へ搬送容器Ｃを搬送して、基板Ｗに処理が行われる。従って、現像液あるいは現像ガスの一方が基板Ｗに供給されて処理が行われる。その処理を受ける過程で、装置Ｄ１Ｂ～Ｄ３Ｂのバッファモジュール４に基板Ｗは格納されて、ＭＯＲの反応の抑制または促進がなされる。
【0077】
（第４実施形態）
図１４に基づいて、本開示の第４実施形態における基板処理システム１Ｃについて説明する。第４実施形態における基板処理システム１Ｃは、４つの装置Ｄ１Ｃ～Ｄ４Ｃで構成されている。尚、図１４は、ＯＨＴ７１を省略している。図１５においても同様である。
【0078】
装置Ｄ１Ｃは、インターフェイスブロックＩＦＢを介して露光機ＥＸＰが接続されていないことを除いて第３実施形態の装置Ｄ１Ｂと同様の構成である。そして、ロードポートＬＰ及びバッファモジュール４ではＮ２ガスが供給され、反応の抑制が行われる。
【0079】
装置Ｄ２Ｃについては、装置Ｄ２Ｂとの差異点として、現像後に基板Ｗを加熱する加熱モジュールＰＥＢの他に加熱モジュールＰＡＢが設けられること、及び現像モジュールＤＥＶ（ＷＤＥＶ）が設けられないこと、が挙げられる。また、複数のロードポートＬＰのうちの一部はＮ２ガスが供給され、他の一部は反応促進ガスが供給される。そして、複数のバッファモジュール４のうちの一部はＮ２ガスが供給され、他の一部は反応促進ガスが供給される。
【0080】
装置Ｄ３Ｃについては、搬入出ブロックＢ１にインターフェイスブロックＩＦＢを介して露光機ＥＸＰが接続された構成とされており、ロードポートＬＰではＮ２ガスが供給される。装置Ｄ４Ｃについては、移載ユニット５０及び第２加熱モジュールＰＥＢが設けられないことを除いて、装置Ｄ３Ｂと同様の構成であり、バッファモジュール４では反応促進ガスが供給される。
【0081】
ＯＨＴ７１によって、装置Ｄ１Ｃ→装置Ｄ２Ｃ→装置Ｄ３Ｃ→装置Ｄ２Ｃ→装置Ｄ４Ｃの順で搬送容器Ｃが搬送される。１回目に装置Ｄ２Ｃに搬送された際、ロードポートＬＰでは搬送容器ＣにＮ２ガスが供給され、基板ＷはＮ２ガス雰囲気のバッファモジュール４に格納される。つまり、露光前の基板Ｗに対しては、ＭＯＲの反応が抑制される。そして、２回目に装置Ｄ２Ｃに搬送された際、ロードポートＬＰでは搬送容器Ｃに反応促進ガスが供給され、基板Ｗは反応促進ガス雰囲気のバッファモジュール４に格納される。つまり、露光後の基板Ｗに対してはＭＯＲの反応が促進される。このように一つの装置で、基板Ｗの処理段階に応じて、反応の抑制及び促進の両方を行うようにしてもよい。なお、反応の促進、抑制を互いに異なるロードポートＬＰ、互いに異なるバッファモジュール４で行うように示したが、同じロードポートＬＰ及び／またはバッファモジュール４で反応の抑制、促進が切り替えられるようにしてもよい。つまり、供給するガスを切り替えたり、反応抑制ガスの供給と排気とを行う場合と、排気のみを行う場合とを切り替えたりしてもよい。
【0082】
（第５実施形態）
図１５に基づいて、本開示の第５実施形態における基板処理システム１Ｅについて説明する。第５実施形態における基板処理システム１Ｅは、２つの装置Ｄ１Ｅ、Ｄ２Ｅで構成されており、第２実施形態で示した基板処理システム１Ｂと同様、ＰＥＢ、現像が２回行われる。
【0083】
装置Ｄ１Ｅについて第１実施形態の装置Ｄ１との差異点を挙げると、処理ブロックＢ２には、第２加熱モジュールＰＥＢ、現像液モジュールＷＤＥＶが設けられること、処理ブロックＢ２がインターフェイスブロックＩＦＢを介して露光機ＥＸＰに接続されることが挙げられる。装置Ｄ１Ｅの処理ブロックＢ２は、階層Ｅ１～Ｅ３と、階層Ｅ４～Ｅ６とで配置される処理モジュールが異なるため、図１５は、階層Ｅ４～Ｅ６についての階層Ｅ１～Ｅ３と異なる図示を括弧で示している。
【0084】
階層Ｅ１～Ｅ３においては、塗布モジュールＣＯＴ及び第１加熱モジュールＰＡＢが設けられ、階層Ｅ４～Ｅ６においては、現像液モジュールＷＤＥＶ及び第２加熱モジュールＰＥＢが設けられている。これらのモジュールについてはこれまでの例と同様、基板搬送領域Ｒ３の基板搬送機構８３がアクセス可能な位置に配置される。
【0085】
そして装置Ｄ２Ｅについて第１実施形態の装置Ｄ３との差異点を挙げると、現像液モジュールＷＤＥＶ及び／または現像ガスモジュールＧＤＥＶと、第２加熱モジュールＰＥＢと、が設けられている。これらのモジュールについてはこれまでの例と同様、基板搬送領域Ｒ３の基板搬送機構８３がアクセス可能な位置に配置される。
【0086】
装置Ｄ１Ｅで、レジストの塗布～１回目のＰＥＢ、現像に至るまでの処理がなされた基板Ｗが搬送容器Ｃに格納されて装置Ｄ２Ｅに搬送されて、２回目のＰＥＢ、現像が行われる。このシステムにおいては、例えば装置Ｄ１ＥのロードポートＬＰ、不図示のバッファモジュールでＭＯＲの反応の抑制を行い、装置Ｄ２ＥのロードポートＬＰ、不図示のバッファモジュールでＭＯＲの反応の促進を行うようにしてもよい。
【0087】
［さらなる変形例］
以上のように独立した複数の装置により基板処理システムを構成するにあたり、処理モジュールの各装置への割り振りは任意である。上記した以外のシステム構成の例を示しておく。例えば、図１４に示す装置Ｄ１Ｃ、装置Ｄ３Ｃ、装置Ｄ４Ｃに第２加熱モジュールＰＥＢを加えた装置によって、基板処理システム（１Ｆとする）を構成してもよい。その他に、例えば図１５に示す基板処理システム１Ｅの変形例の基板処理システム（１Ｇとする）として、図１４に示す装置Ｄ１Ｃ、図１５に示す装置Ｄ２ＥにインターフェイスブロックＩＦＢを介して露光機ＥＸＰを接続した装置（Ｄ３Ｅとする）、装置Ｄ２Ｅにより構成してもよい。装置Ｄ３Ｅは１回目のＰＥＢ、現像用の装置であり、装置Ｄ２Ｅは２回目のＰＥＢ、現像用の装置である。また、第１実施形態の変形例の基板処理システム（１Ｈ）として、装置Ｄ２に設けられていた第２加熱モジュールＰＥＢを、装置Ｄ３に設ける。つまり装置Ｄ３に加熱モジュールとしてＰＥＢ、現像後の加熱を行うモジュールが設けられ、装置Ｄ２は処理ブロックＢ２が設けられない構成（図１４の装置Ｄ３Ｃの構成）としてもよい。
【0088】
そして、基板Ｗの周囲の雰囲気を調整可能な各所（ロードポートＬＰ及びバッファモジュール４）において、反応抑制を行うか反応促進を行うかを適宜設定することができる。上記した基板処理システム１Ｆ、１Ｇについても、反応抑制、促進の例を示しておく。基板処理システム１Ｆでは、装置Ｄ１Ｃ→装置Ｄ３Ｃ→装置Ｄ４Ｃの順で搬送容器Ｃが搬送される。露光前の基板Ｗが通過する装置Ｄ１Ｃの各所（ロードポートＬＰ及びバッファモジュール４）では反応抑制のためにＮ２ガスを供給し、露光後の基板Ｗが通過する装置Ｄ３Ｃ、Ｄ４Ｃの各所では反応促進のために反応促進ガスを供給してもよいし、装置Ｄ３Ｃの各所ではＮ２ガスの代わりに反応促進ガスを供給してもよい。基板処理システム１Ｇでは、装置Ｄ１Ｃ→装置Ｄ３Ｅ→装置Ｄ２Ｅの順で搬送容器Ｃが搬送される。露光前の基板Ｗが通過する装置Ｄ１Ｃ、装置Ｄ３Ｅの各所では反応抑制のためにＮ２ガスを供給し、露光後の基板Ｗが通過する装置Ｄ２では反応促進ガスを供給する。
【0089】
また、露光後の大気の各成分に接触することで起きる反応の影響は、ＰＥＢを行うまでが特に大きいと考えられている。そのため、上記した除去フィルタ３３を通過させた大気による気流の形成は、この露光後、ＰＥＢまでを行う基板Ｗが通過する装置で行われ、他の装置では除去フィルタ３３以外のＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air Filter）フィルタなどのフィルタを通過した大気による気流を形成してもよい。従って第１実施形態で現像を行う装置Ｄ３について除去フィルタ３３を設けた例を示したが、装置Ｄ３には除去フィルタ３３が設けられず、露光してからＰＥＢを行う装置Ｄ２についてのみ除去フィルタ３３が設けられる構成としてもよい。つまり、露光後、現像するまでに基板が通過するすべての装置に除去フィルタ３３が設けられることには限られない。
【0090】
また、既述した各システムの装置で、移載ユニット５０を設けた例と設けていない例とを示しているが、搬送容器Ｃの装置への搬入出状況に応じて、設けるか否かを適宜選択すればよい。そして移載ユニット５０を設けて、待機用の棚５２にてＮ２ガスの供給を行うにあたって、このＮ２ガス供給を行うか否かを、搬送容器Ｃ内のＮ２ガス濃度に応じて行うようにしてもよい。具体的に排気流路１８に濃度検出器を設けて、待機用棚５２への搬送容器Ｃへの載置中、任意のタイミングでバルブ１７を開き、排気流路１８からの排気を行う。濃度検出器は、検出信号を制御部１００に送信し、制御部１００が検出した濃度が基準値以下であれば、制御部１００はバルブ１４、１７を開き、Ｎ２ガスを搬送容器Ｃ内に供給し、Ｎ２濃度を上昇させる。
【0091】
ところで同じロット内の基板Ｗがすべてバッファモジュール４に搬送されるように述べたが、そのように搬送がなされることに限られない。既述したようにバッファモジュール４は、装置中の任意の場所に設置することができる。装置内での搬送状況などを考慮し、バッファモジュール４へ基板Ｗを搬送するか否かを適宜選択することができる。
【0092】
なお、バッファモジュール４について、処理ブロックＢ２に設ける場合は液処理を行うモジュールが設けられるとして示した場所の他に、加熱モジュールが置かれるとして説明した場所に設けてもよい。インターフェイスブロックＩＦＢに設ける場合はタワーＴ２の他に、タワーＴ２以外の各搬送機構がアクセス可能な位置に設ければよい。搬送機構の数や配置レイアウトとしては、第２実施形態で示した例に限られず、適宜設定すればよい。なお、基板Ｗとしてはウエハに限られず、フラットパネルディスプレイ製造用の基板等の他の基板であってもよい。
【0093】
（第６実施形態）
図１６に基づいて、本開示の第６実施形態における基板処理システム１Ｊについて説明する。図１６は、本実施形態における基板処理システム１Ｊを示す概略平面図である。本実施形態の説明では、第１実施形態との差異点を中心に説明する。第１、第２実施形態と同様の構成については、同じ符号を付して説明を省略する。第６実施形態の基板処理システム１Ｊは、２つの装置Ｄ１Ｊ、Ｄ２Ｊで構成されている。
【0094】
装置Ｄ２Ｊの処理ブロックＢ２には、インターフェイスブロックＩＦＢを介して露光機ＥＸＰが接続されている。そして、この処理ブロックＢ２には、第２加熱モジュールＰＥＢ、現像モジュールＤＥＶが設けられている。装置Ｄ２ＪのロードポートＬＰでは、第１実施形態で既述したような反応を抑制するガスが供給される。
【0095】
装置Ｄ１Ｊの搬入出ブロックＢ１には、第２実施形態で詳述したバッファモジュール４が基板搬送領域Ｒ１の前方及び後方に設けられている。装置Ｄ１Ｊの処理ブロックＢ２には、塗布モジュールＣＯＴ、第１加熱モジュールＰＡＢが設けられ、インターフェイスブロックＩＦＢを介して露光機ＥＸＰが接続されていない。装置Ｄ１Ｊ、Ｄ２Ｊにおいては、除去フィルタ３３を備えた気流発生部３が設けられている。装置Ｄ１ＪのロードポートＬＰ及びバッファモジュール４では、反応を抑制するガスが供給される。
【0096】
基板処理システム１Ｊにおいて基板Ｗは、ＯＨＴ７１で搬送された搬送容器Ｃによって、先ず装置Ｄ１Ｊに搬送され、装置Ｄ２ＪのロードポートＬＰにおいて搬送容器Ｃから順次搬出されて塗布モジュールＣＯＴ→第１加熱モジュールＰＡＢに搬送される。この過程で基板ＷにＭＯＲであるレジストの塗布、ＰＡＢが行われる。第１加熱モジュールＰＡＢに搬送する前後で、基板Ｗをバッファモジュール４に収容してもよい。そして基板Ｗは、搬送容器Ｃに格納されてＯＨＴ７１によって装置Ｄ２Ｊに搬送され、基板Ｗは順次、露光機ＥＸＰ→第２加熱モジュールＰＥＢ→現像モジュールＤＥＶに搬送されて、露光、ＰＥＢ、現像が行われる。
【0097】
なお、第１加熱モジュールＰＡＢについては装置Ｄ２Ｊに設けてもよく、装置Ｄ１Ｊでレジストの塗布が行われた後、装置Ｄ２ＪでＰＡＢから現像までの各処理を行ってもよい。このように基板処理システムとしては、レジスト膜の形成を行う装置と、現像を行い且つ露光機ＥＸＰが接続される装置と、によって構成されるようにすることもできる。
【0098】
このような基板処理システム１Ｊにおける基板Ｗの搬送過程において、これまでに述べたシステムと同様に、ロードポートＬＰに載置された搬送容器Ｃ、バッファモジュール４の格納空間４２や基板搬送領域Ｒ１～Ｒ３で適宜、基板Ｗのレジスト膜を反応抑制ガスによる雰囲気に晒すようにしてもよい。これにより、基板Ｗのレジスト膜の反応を抑制して調整し、ＣＤを所望の寸法に調整できる。そして、基板Ｗ間のＣＤを揃えることも可能である。
【0099】
そして基板処理システム１Ｊについては、このようにＭＯＲの反応の抑制を行うことに限らず、これまでに記載した様々なタイミングや手法でＭＯＲの反応を促進させて、レジストパターンの線幅を調整してもよい。この反応の促進としては、第１実施形態で述べた反応を促進するガスを供給して行ってもよいし、基板Ｗの収容空間を減圧し、減圧雰囲気においてレジスト膜を脱水して縮合反応を促進することによって行ってもよい。なお、反応を促進するガスとしては、酢酸ガスを用いてもよい。パターニング中の各工程における処理でＭＯＲの化学的性質が変化することにより、ＭＯＲに対する酢酸の作用効果は変化するが、ＰＥＢを行う前に供給する酢酸ガスは反応促進ガスとして作用する。
【0100】
ところでＭＯＲの変性を促進させるために反応促進ガスを用いるとして説明したが、上記したようにこの変性は水や二酸化炭素によって引き起こされるので、大気をＭＯＲに供給してもＭＯＲの変性は進行し、この変性の進行度の違いが現像後に形成されるレジスト膜のパターンのＣＤを変化させる。
【0101】
図１７のグラフは実験により取得された、レジスト膜の形成後現像までに基板Ｗをガス雰囲気に曝した時間（レジスト膜形成から現像までの経過時間）と、現像によって形成されたレジストパターンのＣＤとの関係を示したグラフである。ガスとして大気に曝した場合を実線で、ガスとして反応促進ガスに曝した場合を破線で夫々示している。いずれの場合も経過時間が長くなるにつれてＣＤが大きくなるが、次第に経過時間の変化に対してＣＤの変化は見られなくなる。つまりレジスト膜の反応は飽和し、飽和した状態ではＣＤのばらつきが抑えられる。なお、反応が飽和するまでの経過時間については、大気を用いた場合の経過時間をｔ１、反応促進ガスを用いた場合の経過時間をｔ２として図中に夫々示しており、時間ｔ２よりも時間ｔ１の方が長い。
【0102】
以上のことから基板処理システム１Ｊにおいて、装置Ｄ１Ｊでレジスト膜が形成された基板Ｗを搬送容器Ｃ内に格納した後、長時間待機させる。この待機中、搬送容器Ｃ内については大気雰囲気あるいは既述した反応が促進される雰囲気（反応促進ガス雰囲気あるいは減圧雰囲気）とされる。このように待機させた後、装置Ｄ２Ｊに搬送容器Ｃが搬送されて基板Ｗが処理されるようにする。同じロットの基板Ｗについて、レジスト膜の形成後、ＭＯＲの変性が進行し得る現像が行われるまでの間、このように長時間の待機がなされることによって、当該同じロットの基板Ｗ間で現像後に形成されるレジストパターンのＣＤの均一性が高まるようにする。
【0103】
この各基板Ｗの待機時間は、上記グラフに示した搬送容器Ｃ内の各雰囲気についての経過時間ｔ１、ｔ２よりも長くなるように、パターニングにおける各工程の処理を行う処理モジュールでの必要滞在時間（後に詳述する）よりも長く設定される。この処理モジュールは、上記したように現像ガスモジュールＧＤＥＶ、現像液モジュールＷＤＥＶ、各加熱モジュール、塗布モジュールＣＯＴなどが挙げられる。これらの処理モジュールの各必要滞在時間よりも長い待機時間、内部が大気雰囲気あるいは反応が促進される雰囲気とされた搬送容器Ｃにて、同じロットの各基板Ｗが待機されるようにする。
【0104】
より具体的には、当該待機時間については１０分以上とすることが好ましく、半日以上であってもよい。このように基板Ｗを待機させるにあたっては、図１６では示していないが例えば図１等で説明した移載ユニット５０や待機用の棚５２を設けて、載置台５４に退避させた搬送容器Ｃ内で待機させればよい。
【0105】
処理モジュールの必要滞在時間は、基板搬送機構によって処理モジュールに基板Ｗが搬入されてから、基板搬送機構によって当該処理モジュールから当該基板Ｗが搬出可能になるまでの時間であって、処理に要する時間と、処理に必要な予備動作の時間と、を含む。この予備動作とは、具体的には、基板搬送機構からモジュールに受け渡された基板Ｗについての受け渡された位置と処理を受ける位置との間での移動であったり、処理液を供給するノズルなどの処理を行うために必要な部材についての処理開始前及び処理開始後における移動であったりする。
【0106】
ところで、搬送容器Ｃを大気雰囲気とする場合にはロードポートＬＰや棚５２などの搬送容器Ｃ内へ反応抑制ガスあるいは反応促進ガスを供給すると述べた箇所において、これらのガスの代わりにガス供給源及びバルブからなるガス供給機構から大気が供給されるようにすればよい。また、基板処理システム１Ｊはクリーンルームに設置されることから、搬送容器Ｃの周囲は大気雰囲気であるため、大気が搬送容器Ｃ内に進入し得る。従って搬送容器Ｃを大気雰囲気とする場合には、ガス供給機構によるガス供給が行われなくてもよい。
【0107】
上記した基板Ｗの待機時間とは、レジスト膜の変性が進行する雰囲気（大気雰囲気、反応が促進される雰囲気）が搬送容器Ｃの内部に形成され、搬送容器Ｃの蓋が閉じられ、且つ搬送容器Ｃが静止した状態でカウントされる時間とする。従って、処理済みの基板Ｗが、蓋が開かれた搬送容器Ｃ内へ搬入されるにあたって、その搬入中の時間は待機時間としてカウントされない。また、これまでに述べたように装置Ｄ１Ｊにおいて基板Ｗが戻される搬送容器Ｃ内は大気雰囲気としてもよい。この搬送容器Ｃ内が大気雰囲気とされたまま当該搬送容器Ｃは装置Ｄ２Ｊへと搬送されることになり、装置Ｄ１Ｊでの基板Ｗの待機時間が短い場合には、この搬送容器Ｃの搬送中にもレジスト膜の変性が進行するが、上記のように搬送容器Ｃは静止していないので、搬送容器Ｃが搬送中の時間は待機時間に含まれないものとする。
【0108】
搬送容器Ｃ内で大気雰囲気あるいは反応が促進される雰囲気にて基板Ｗを待機させるとして説明してきたが、バッファモジュール４内にこれらのいずれかの雰囲気を形成して基板Ｗを待機させてもよい。この場合、上記の基板Ｗの待機時間については、大気雰囲気あるいは反応が促進される雰囲気がバッファモジュール４内に形成された状態で、且つ基板Ｗがスロットに載置された状態での時間であるものとする。つまり、これらの雰囲気が既にバッファモジュール４に形成された状態で基板搬送機構によって基板Ｗが当該バッファモジュール４に受け渡される場合、基板Ｗが支持部４３に載置されてから支持部４３から離れるまでの時間が、待機時間としてカウントされるものとする。
【0109】
なお、バッファモジュール４、搬送容器Ｃの両方で基板Ｗを待機させて、搬送容器Ｃでの基板Ｗの待機時間とバッファモジュール４での基板Ｗの待機時間との合計時間が、上記した各処理モジュールの必要滞在時間より長くなるようにすればよい。その他に複数のバッファモジュール４で各々待機させたり、装置Ｄ１Ｊ、装置Ｄ２Ｊの各々で搬送容器Ｃを待機させたりしてもよい。つまり、待機時間が必要滞在時間よりも長くなるように、複数の場所で基板Ｗが待機されるようにしてもよい。これまでに述べた基板処理システム１Ｊ以外のシステムでも同様に、このような基板Ｗの待機を行い、基板Ｗ間のＣＤを揃えることができる。
【0110】
なお、これまで述べたように基板Ｗが格納された搬送容器Ｃを大気雰囲気に長時間置くことによって、レジスト膜の反応を飽和させることができる。この場合は、パターニングにおいて上記した反応抑制ガス及び反応促進ガスの供給はなされなくてよく、雰囲気調整部としては待機時間が経過するように大気雰囲気で搬送容器Ｃを載置する載置部Ｌ２や棚５１が該当する。既述したように搬送容器Ｃを棚５２にて載置する場合には、当該棚５２が雰囲気調整部に該当する。
【0111】
（変形例）
本実施形態における基板処理システム１Ｊは、例えば他の装置を含んでいてもよい。図１８Ａ、図１８Ｂは、本実施形態の基板処理システム１Ｊに増設する装置Ｄ３Ｊ、Ｄ３Ｋを示す概略平面図である。図１８Ａ、図１８Ｂにおいては、ＯＨＴ７１、基板搬送領域Ｒ２の図示を省略している。
【0112】
図１８Ａに示す装置Ｄ３Ｊを基板処理システム１Ｊに増設する場合、装置Ｄ３Ｊは、例えば装置Ｄ２ＪのロードポートＬＰの左側の対向位置に配置される。装置Ｄ３Ｊの処理ブロックＢ２には、熱処理装置のみが搭載され、第２加熱モジュールＰＥＢが設けられ、併せて第１加熱モジュールＰＡＢが設けられてもよい。
【0113】
基板Ｗの処理経路については、装置Ｄ１Ｊ、Ｄ２Ｊにおいてレジストの塗布～１回目のＰＥＢ、現像までの処理がされた後、装置Ｄ３Ｊにおいて２回目のＰＥＢ、装置Ｄ２Ｊにおいて２回目の現像が行われる。基板処理システム１Ｊにおいては、このようにＰＥＢ及び現像が２回行われることに限定されず１回または３回以上でもよく、装置Ｄ３Ｊにおいては、２回目のＰＥＢに限らず、１回目や３回目以降のＰＥＢを行ってもよく、装置Ｄ２Ｊにおいては、２回目以降のＰＥＢを行ってもよい。そして装置Ｄ１ＪでＰＡＢを行わず、装置Ｄ３ＪでＰＡＢを行ってもよい。
【0114】
図１８Ｂに示す装置Ｄ３Ｋを基板処理システム１Ｊに増設する場合、装置Ｄ３Ｋは、例えば装置Ｄ２Ｊの前側の対向位置に配置される。装置Ｄ３Ｋの処理ブロックＢ２には、例えば現像モジュールＤＥＶが設けられ、併せて第２加熱モジュールＰＥＢが設けられてもよい。装置Ｄ３Ｊ及び上述の装置Ｄ２Ｊに配置された現像モジュールＤＥＶは、現像液モジュール及び現像ガスモジュールのいずれでもよく、両方とも混在していてもよい。
【0115】
基板Ｗの処理経路については、装置Ｄ１Ｊ、Ｄ２Ｊにおいてレジストの塗布～１回目のＰＥＢ、現像までの処理がされた後、装置Ｄ３Ｋにおいて２回目のＰＥＢ、２回目の現像が行われる。基板処理システム１Ｊにおいては、このようにＰＥＢ、現像が２回行われず、１回または３回以上でもよく、装置Ｄ３Ｋにおいては２回目のＰＥＢに限らず、１回目や３回目以降のＰＥＢを行ってもよい。そして装置Ｄ２Ｊにおいては、２回目以降のＰＥＢ、現像を行ってもよい。
【0116】
更に基板処理システム１Ｊにおいては、装置Ｄ３Ｊ、Ｄ３Ｋを共に増設してもよい。そして装置Ｄ２Ｊ、Ｄ３Ｊ、Ｄ３Ｋにおいても、装置Ｄ１Ｊと同様にバッファモジュール４が設けられてもよい。増設した装置Ｄ３Ｊ、Ｄ３Ｋにおいては、上記に既述した装置Ｄ１Ｊ、Ｄ２Ｊと同様な手法で、適宜レジスト膜の反応を抑制、促進、又は飽和させて基板Ｗ間のＣＤを揃えることができる。
【0117】
なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。
【符号の説明】
【0118】
１ 基板処理システム
１３ 供給源
１４、１７ バルブ
１５ ガス流路
１８ 排気流路
Ｃ 搬送容器
Ｃ１ 容器内空間
Ｄ１ 装置
Ｄ３ 装置
Ｗ 基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18A】
【図18B】
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