特開2024-156394半導体用フィルム状接着剤、半導体用フィルム状接着剤の製造方法、接着剤テープ、半導体装置の製造方法及び半導体装置
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024156394
(43)【公開日】2024-11-06
(54)【発明の名称】半導体用フィルム状接着剤、半導体用フィルム状接着剤の製造方法、接着剤テープ、半導体装置の製造方法及び半導体装置
(51)【国際特許分類】
H01L 23/29 20060101AFI20241029BHJP
C09J 7/30 20180101ALI20241029BHJP
C09J 163/00 20060101ALI20241029BHJP
C09J 11/06 20060101ALI20241029BHJP
C09J 4/02 20060101ALI20241029BHJP
B32B 27/38 20060101ALI20241029BHJP
【ＦＩ】
H01L23/30 B
C09J7/30
C09J163/00
C09J11/06
C09J4/02
B32B27/38
【審査請求】有
【請求項の数】15
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023070817
(22)【出願日】2023-04-24
(11)【特許番号】
(45)【特許公報発行日】2024-09-18
(71)【出願人】
【識別番号】000004455
【氏名又は名称】株式会社レゾナック
(74)【代理人】
【識別番号】100088155
【弁理士】
【氏名又は名称】長谷川 芳樹
(74)【代理人】
【識別番号】100128381
【弁理士】
【氏名又は名称】清水 義憲
(74)【代理人】
【識別番号】100169454
【弁理士】
【氏名又は名称】平野 裕之
(74)【代理人】
【識別番号】100211018
【弁理士】
【氏名又は名称】財部 俊正
(72)【発明者】
【氏名】石毛 紘之
(72)【発明者】
【氏名】木村 亮介
(72)【発明者】
【氏名】佐藤 慎
(72)【発明者】
【氏名】祖父江 省吾
【テーマコード（参考）】
4F100
4J004
4J040
4M109
【Ｆターム（参考）】
4F100AK53A
4F100AK53B
4F100BA02
4F100BA16
4F100CA02A
4F100CA02B
4F100CA30B
4F100CB02A
4F100CB02B
4F100EH461
4F100EH46A
4F100EH46B
4F100EJ91
4F100GB41
4F100YY00A
4F100YY00B
4J004AA10
4J004AA13
4J004AB05
4J004CA04
4J004CA06
4J004CE01
4J004FA05
4J040EC001
4J040FA132
4J040HB26
4J040HC23
4J040HD30
4J040HD36
4J040JA09
4J040JB02
4J040KA11
4J040KA16
4J040KA29
4J040KA42
4J040MA10
4J040NA20
4M109AA02
4M109BA04
4M109BA05
4M109CA10
4M109CA11
4M109CA12
4M109CA22
4M109DB12
4M109EA02
4M109EB02
(57)【要約】
【課題】充分な封止性を確保しつつ、フィレットの発生量を抑えることができる、半導体用フィルム状接着剤を提供すること。
【解決手段】厚さ方向に沿って、フラックス化合物を含まない第１の接着剤領域と、フラックス化合物を含む第２の接着剤領域とを有し、第１の接着剤領域が、第１のエポキシ樹脂と、第１のイミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、を含み、第２の接着剤領域が、第２のエポキシ樹脂と、第２のイミダゾール系硬化剤と、フラックス化合物と、を含む、半導体用フィルム状接着剤。
【選択図】なし
【解決手段】厚さ方向に沿って、フラックス化合物を含まない第１の接着剤領域と、フラックス化合物を含む第２の接着剤領域とを有し、第１の接着剤領域が、第１のエポキシ樹脂と、第１のイミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、を含み、第２の接着剤領域が、第２のエポキシ樹脂と、第２のイミダゾール系硬化剤と、フラックス化合物と、を含む、半導体用フィルム状接着剤。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
厚さ方向に沿って、フラックス化合物を含まない第１の接着剤領域と、フラックス化合物を含む第２の接着剤領域とを有し、
前記第１の接着剤領域が、第１のエポキシ樹脂と、第１のイミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、を含み、
前記第２の接着剤領域が、第２のエポキシ樹脂と、第２のイミダゾール系硬化剤と、前記フラックス化合物と、を含む、半導体用フィルム状接着剤。
前記第１の接着剤領域が、第１のエポキシ樹脂と、第１のイミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、を含み、
前記第２の接着剤領域が、第２のエポキシ樹脂と、第２のイミダゾール系硬化剤と、前記フラックス化合物と、を含む、半導体用フィルム状接着剤。
【請求項2】
前記第１の接着剤領域が、ラジカル重合開始剤を含まない、請求項１に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【請求項3】
前記第１のエポキシ樹脂及び前記第２のエポキシ樹脂の少なくとも一方が、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【請求項4】
前記第１のエポキシ樹脂及び前記第２のエポキシ樹脂の少なくとも一方が、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂を含む、請求項１に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【請求項5】
第１のイミダゾール系硬化剤及び第２のイミダゾール系硬化剤の少なくとも一方がトリアジン環を有する、請求項１に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【請求項6】
前記第１の接着剤領域における、前記（メタ）アクリル化合物の含有量に対する前記第１のエポキシ樹脂の含有量の比が、質量比で、３～１１である、請求項１に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【請求項7】
前記（メタ）アクリル化合物が、（メタ）アクリロイル基を２～８有する多官能（メタ）アクリル化合物を含む、請求項１に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【請求項8】
前記フラックス化合物が、ポリカルボン酸を含む、請求項１に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【請求項9】
前記第１の接着剤領域の厚さが１～５０μｍであり、
前記第２の接着剤領域の厚さが、前記第１の接着剤領域の厚さの０．５～２倍である、請求項１に記載の半導体用フィルム状接着剤。
前記第２の接着剤領域の厚さが、前記第１の接着剤領域の厚さの０．５～２倍である、請求項１に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【請求項10】
非導電性である、請求項１に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【請求項11】
半導体チップと基体とを接合するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を封止するために用いられる、請求項１に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【請求項12】
請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体用フィルム状接着剤の製造方法であって、
第１の接着剤層、及び、第２の接着剤層のうちの一方を他方の上に設ける工程を備え、
前記第１の接着剤層が、フラックス化合物を含まず、前記第１のエポキシ樹脂と、前記第１のイミダゾール系硬化剤と、前記（メタ）アクリル化合物と、を含む層であり、
前記第２の接着剤層が、前記第２のエポキシ樹脂と、前記第２のイミダゾール系硬化剤と、前記フラックス化合物と、を含む層である、半導体用フィルム状接着剤の製造方法。
第１の接着剤層、及び、第２の接着剤層のうちの一方を他方の上に設ける工程を備え、
前記第１の接着剤層が、フラックス化合物を含まず、前記第１のエポキシ樹脂と、前記第１のイミダゾール系硬化剤と、前記（メタ）アクリル化合物と、を含む層であり、
前記第２の接着剤層が、前記第２のエポキシ樹脂と、前記第２のイミダゾール系硬化剤と、前記フラックス化合物と、を含む層である、半導体用フィルム状接着剤の製造方法。
【請求項13】
請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体用フィルム状接着剤と、
前記半導体用フィルム状接着剤上であって、前記第２の接着剤領域からみて、前記第１の接着剤領域側とは反対側に設けられたバックグラインドテープと、を備える、接着剤テープ。
前記半導体用フィルム状接着剤上であって、前記第２の接着剤領域からみて、前記第１の接着剤領域側とは反対側に設けられたバックグラインドテープと、を備える、接着剤テープ。
【請求項14】
半導体チップと、前記第１の接着剤領域の前記第２の接着剤領域とは反対側の面が前記半導体チップ側を向くように前記半導体チップ上に設けられた、請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体用フィルム状接着剤と、を備える、フィルム状接着剤付き半導体チップを用意する工程と、
前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤側から基体上に配置し、加熱することにより、前記半導体チップの接続部と前記基体の接続部とを電気的に接続するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を封止する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤側から基体上に配置し、加熱することにより、前記半導体チップの接続部と前記基体の接続部とを電気的に接続するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を封止する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
【請求項15】
第１接続部を有する半導体チップと、前記第１接続部と電気的に接続された第２接続部を有する基体と、前記半導体チップと前記基体とを接合するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を充填する封止部と、を備え、
前記封止部が、請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体用フィルム状接着剤の硬化物である、半導体装置。
前記封止部が、請求項１～１１のいずれか一項に記載の半導体用フィルム状接着剤の硬化物である、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、半導体用フィルム状接着剤、半導体用フィルム状接着剤の製造方法、接着剤テープ、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体チップと基板とを接続するには、金ワイヤ等の金属細線を用いるワイヤーボンディング方式が広く適用されている。一方、半導体装置に対する高機能化、高集積化、高速化等の要求に対応するため、半導体チップ又は基板にバンプと呼ばれる導電性突起を形成して、半導体チップと基板とを直接接続するフリップチップ接続方式（ＦＣ接続方式）が広まりつつある。
【0003】
例えば、半導体チップ及び基板間の接続に関して、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）等に盛んに用いられているＣＯＢ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｂｏａｒｄ）型の接続方式もＦＣ接続方式に該当する。また、ＦＣ接続方式は、半導体チップ上に接続部（例えば、バンプ及び配線）を形成して、半導体チップ間を接続するＣＯＣ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｃｈｉｐ）型の接続方式にも広く用いられている。
【0004】
また、さらなる小型化、薄型化及び高機能化が強く要求されるパッケージでは、上述した接続方式を用いてチップを積層し多段化した、チップスタック型パッケージ、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ Ｏｎ Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）等も広く普及し始めている。このような積層・多段化技術は、半導体チップ等を三次元的に配置することから、二次元的に配置する手法と比較してパッケージを小さくできる。また、半導体の性能向上、ノイズ低減、実装面積の削減、省電力化等にも有効であることから、次世代の半導体配線技術として注目されている。
【0005】
ところで、一般に接続部同士の接続には、接続信頼性（例えば絶縁信頼性）を十分に確保する観点から、金属接合が用いられている。上記接続部（例えば、バンプ及び配線）に用いられる主な金属としては、はんだ、スズ、金、銀、銅、ニッケル等があり、これらの複数種を含んだ導電材料も用いられている。接続部に用いられる金属は、表面が酸化して酸化膜が生成してしまうこと、及び、表面に酸化物等の不純物が付着してしまうことにより、接続部の接続面に不純物が生じる場合がある。このような不純物が残存すると、半導体チップと基板との間、又は２つの半導体チップの間における接続信頼性（例えば絶縁信頼性）が低下し、上述した接続方式を採用するメリットが損なわれてしまうことが懸念される。
【0006】
また、これらの不純物の発生を抑制する方法として、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒｂｉｌｉｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅｓ）処理等で知られる接続部を酸化防止膜でコーティングする方法があるが、この酸化防止膜は接続プロセス時のはんだ濡れ性の低下、接続性の低下等の原因となる場合がある。
【0007】
そこで、上述の酸化膜及び不純物を除去する方法として、半導体材料にフラックス剤を含有する単層フィルムを用いた方法（例えば、特許文献１参照）、熱硬化性樹脂層と酸成分を含有する熱可塑性樹脂層とからなる二層フィルムを用いた方法等が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0008】
【特許文献1】国際公開２０１３／１２５０８６号
【特許文献2】国際公開２０１６／１１７３５０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0009】
本開示の一側面は、充分な封止性を確保しつつ、フィレットの発生量を抑えることができる、半導体用フィルム状接着剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0010】
本開示は、以下の［１］～［１５］を提供する。
【0011】
［１］
厚さ方向に沿って、フラックス化合物を含まない第１の接着剤領域と、フラックス化合物を含む第２の接着剤領域とを有し、
前記第１の接着剤領域が、第１のエポキシ樹脂と、第１のイミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、を含み、
前記第２の接着剤領域が、第２のエポキシ樹脂と、第２のイミダゾール系硬化剤と、前記フラックス化合物と、を含む、半導体用フィルム状接着剤。
厚さ方向に沿って、フラックス化合物を含まない第１の接着剤領域と、フラックス化合物を含む第２の接着剤領域とを有し、
前記第１の接着剤領域が、第１のエポキシ樹脂と、第１のイミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、を含み、
前記第２の接着剤領域が、第２のエポキシ樹脂と、第２のイミダゾール系硬化剤と、前記フラックス化合物と、を含む、半導体用フィルム状接着剤。
【0012】
［２］
前記第１の接着剤領域が、ラジカル重合開始剤を含まない、［１］に記載の半導体用フィルム状接着剤。
前記第１の接着剤領域が、ラジカル重合開始剤を含まない、［１］に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【0013】
［３］
前記第１のエポキシ樹脂及び前記第２のエポキシ樹脂の少なくとも一方が、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む、［１］又は［２］に記載の半導体用フィルム状接着剤。
前記第１のエポキシ樹脂及び前記第２のエポキシ樹脂の少なくとも一方が、２５℃で液状のエポキシ樹脂を含む、［１］又は［２］に記載の半導体用フィルム状接着剤。
【0014】
［４］
前記第１のエポキシ樹脂及び前記第２のエポキシ樹脂の少なくとも一方が、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
前記第１のエポキシ樹脂及び前記第２のエポキシ樹脂の少なくとも一方が、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂を含む、［１］～［３］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
【0015】
［５］
第１のイミダゾール系硬化剤及び第２のイミダゾール系硬化剤の少なくとも一方がトリアジン環を有する、［１］～［４］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
第１のイミダゾール系硬化剤及び第２のイミダゾール系硬化剤の少なくとも一方がトリアジン環を有する、［１］～［４］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
【0016】
［６］
前記第１の接着剤領域における、前記（メタ）アクリル化合物の含有量に対する前記第１のエポキシ樹脂の含有量の比が、質量比で、３～１１である、［１］～［５］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
前記第１の接着剤領域における、前記（メタ）アクリル化合物の含有量に対する前記第１のエポキシ樹脂の含有量の比が、質量比で、３～１１である、［１］～［５］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
【0017】
［７］
前記（メタ）アクリル化合物が、（メタ）アクリロイル基を２～８有する多官能（メタ）アクリル化合物を含む、［１］～［６］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
前記（メタ）アクリル化合物が、（メタ）アクリロイル基を２～８有する多官能（メタ）アクリル化合物を含む、［１］～［６］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
【0018】
［８］
前記フラックス化合物が、ポリカルボン酸を含む、［１］～［７］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
前記フラックス化合物が、ポリカルボン酸を含む、［１］～［７］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
【0019】
［９］
前記第１の接着剤領域の厚さが１～５０μｍであり、
前記第２の接着剤領域の厚さが、前記第１の接着剤領域の厚さの０．５～２倍である、［１］～［８］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
前記第１の接着剤領域の厚さが１～５０μｍであり、
前記第２の接着剤領域の厚さが、前記第１の接着剤領域の厚さの０．５～２倍である、［１］～［８］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
【0020】
［１０］
非導電性である、［１］～［９］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
非導電性である、［１］～［９］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
【0021】
［１１］
半導体チップと基体とを接合するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を封止するために用いられる、［１］～［１０］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
半導体チップと基体とを接合するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を封止するために用いられる、［１］～［１０］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤。
【0022】
［１２］
［１］～［１１］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤の製造方法であって、
第１の接着剤層、及び、第２の接着剤層のうちの一方を他方の上に設ける工程を備え、
前記第１の接着剤層が、フラックス化合物を含まず、前記第１のエポキシ樹脂と、前記第１のイミダゾール系硬化剤と、前記（メタ）アクリル化合物と、を含む層であり、
前記第２の接着剤層が、前記第２のエポキシ樹脂と、前記第２のイミダゾール系硬化剤と、前記フラックス化合物と、を含む層である、半導体用フィルム状接着剤の製造方法。
［１］～［１１］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤の製造方法であって、
第１の接着剤層、及び、第２の接着剤層のうちの一方を他方の上に設ける工程を備え、
前記第１の接着剤層が、フラックス化合物を含まず、前記第１のエポキシ樹脂と、前記第１のイミダゾール系硬化剤と、前記（メタ）アクリル化合物と、を含む層であり、
前記第２の接着剤層が、前記第２のエポキシ樹脂と、前記第２のイミダゾール系硬化剤と、前記フラックス化合物と、を含む層である、半導体用フィルム状接着剤の製造方法。
【0023】
［１３］
［１］～［１１］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤と、
前記半導体用フィルム状接着剤上であって、前記第２の接着剤領域からみて、前記第１の接着剤領域側とは反対側に設けられたバックグラインドテープと、を備える、接着剤テープ。
［１］～［１１］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤と、
前記半導体用フィルム状接着剤上であって、前記第２の接着剤領域からみて、前記第１の接着剤領域側とは反対側に設けられたバックグラインドテープと、を備える、接着剤テープ。
【0024】
［１４］
半導体チップと、前記第１の接着剤領域の前記第２の接着剤領域とは反対側の面が前記半導体チップ側を向くように前記半導体チップ上に設けられた、［１］～［１１］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤と、を備える、フィルム状接着剤付き半導体チップを用意する工程と、
前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤側から基体上に配置し、加熱することにより、前記半導体チップの接続部と前記基体の接続部とを電気的に接続するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を封止する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
半導体チップと、前記第１の接着剤領域の前記第２の接着剤領域とは反対側の面が前記半導体チップ側を向くように前記半導体チップ上に設けられた、［１］～［１１］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤と、を備える、フィルム状接着剤付き半導体チップを用意する工程と、
前記フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記フィルム状接着剤側から基体上に配置し、加熱することにより、前記半導体チップの接続部と前記基体の接続部とを電気的に接続するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を封止する工程と、を備える、半導体装置の製造方法。
【0025】
［１５］
第１接続部を有する半導体チップと、前記第１接続部と電気的に接続された第２接続部を有する基体と、前記半導体チップと前記基体とを接合するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を充填する封止部と、を備え、
前記封止部が、［１］～［１１］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤の硬化物である、半導体装置。
第１接続部を有する半導体チップと、前記第１接続部と電気的に接続された第２接続部を有する基体と、前記半導体チップと前記基体とを接合するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を充填する封止部と、を備え、
前記封止部が、［１］～［１１］のいずれかに記載の半導体用フィルム状接着剤の硬化物である、半導体装置。
【発明の効果】
【0026】
本開示によれば、充分な封止性を確保しつつ、フィレットの発生量を抑えることができる、半導体用フィルム状接着剤を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0027】
【発明を実施するための形態】
【0028】
本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル、及び、それに対応するメタクリルの少なくとも一方を意味する。「（メタ）アクリロイル」、「（メタ）アクリレート」等の他の類似の表現においても同様である。また、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。また、個別に記載した上限値及び下限値は任意に組み合わせ可能である。また、以下で例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する該複数の物質の合計量を意味する。
【0029】
以下、場合により図面を参照しつつ本開示の実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【0030】
＜半導体用フィルム状接着剤＞
一実施形態の半導体用フィルム状接着剤（以下、単に「フィルム状接着剤」という。）は、半導体チップ等の接続部材の接続（接合）及び封止に用いられる接着剤であり、半導体チップと基体とを接合するとともに、半導体チップと基体との隙間を封止するために好適に用いられる。
一実施形態の半導体用フィルム状接着剤（以下、単に「フィルム状接着剤」という。）は、半導体チップ等の接続部材の接続（接合）及び封止に用いられる接着剤であり、半導体チップと基体とを接合するとともに、半導体チップと基体との隙間を封止するために好適に用いられる。
【0031】
図１は、一実施形態のフィルム状接着剤を示す模式断面図である。同図に示されるフィルム状接着剤１は、厚さ方向（図１の上下方向）に沿って、フラックス化合物を含まない第１の接着剤領域２と、フラックス化合物を含む第２の接着剤領域３とを有する。第１の接着剤領域２は、エポキシ樹脂と、イミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、を含み、第２の接着剤領域は、エポキシ樹脂と、イミダゾール系硬化剤と、上記フラックス化合物と、を含む。以下では、第１の接着剤領域２を構成する接着剤を第１の接着剤といい、第２の接着剤領域３を構成する接着剤を第２の接着剤という。また、第１の接着剤に含まれるエポキシ樹脂及びイミダゾール系硬化剤をそれぞれ第１のエポキシ樹脂及び第１のイミダゾール系硬化剤といい、第２の接着剤に含まれるエポキシ樹脂及びイミダゾール系硬化剤をそれぞれ第２のエポキシ樹脂及び第２のイミダゾール系硬化剤という。
【0032】
第１の接着剤領域２及び第２の接着剤領域３は、所定の厚みを有しており、例えば、図１に示すように、フィルム状接着剤１の主面方向（図１の左右方向）に沿って延在している。第１の接着剤領域２及び第２の接着剤領域３は、層状であってもよい。すなわち、第１の接着剤領域２及び第２の接着剤領域３は、それぞれ第１の接着剤層及び第２の接着剤層であってもよい。第１の接着剤領域２と第２の接着剤領域３との境界は、必ずしも明瞭ではなく、視認可能でない場合もある。なお、図１において、第１の接着剤領域２と第２の接着剤領域３とは互いに隣接しているが、第１の接着剤領域２と第２の接着剤領域３との間に、第１の接着剤領域２及び第２の接着剤領域３とは異なる領域（例えば第１の接着剤と第２接着剤との混合物を含む領域）が存在していてもよい。
【0033】
ところで、近年、パッケージの高機能化及び高集積化に伴い、層間のギャップ及び配線間のピッチが狭くなってきていることから、接続時に流動した接着剤が接続部材（例えば半導体チップ）の端からはみ出しやすくなっており、フィレットと呼ばれるはみ出し部分が形成されやすくなってきている。このようなフィレットは接続部材の破損の原因となり得るため、充分な封止性を確保しつつ、フィレットの発生量を低減する手法の開発が求められている。フィレットを抑制するために単に流動性の低い接着剤を用いる場合、接続部材の接続部間が接着剤で充分に埋め込まれずにボイド等の不具合の原因となることがあるため、単に接着剤の流動性を低くするだけでは上記問題の解決は困難である。
【0034】
一方、本発明者らの検討結果、上記フィルム状接着剤によれば、充分な封止性を確保しつつ、接続部材同士の接続を行う際のボイドの発生及び接着剤の過剰な流動によるフィレットの発生を抑制し得ることが明らかになった。このような効果が奏される理由は定かではないが、第１の接着剤領域２及び第２の接着剤領域３が上記特定の組成を有することから、第１の接着剤領域２が貼り付け時にはボイドの発生の原因となる未充填部を生じさせにくい適度な流動性を有しつつ、接続時には第２の接着剤領域３よりも早く硬化してフィレットの発生の原因となる過度な流動を生じ難いこと、第２の接着剤領域３が第１の接着剤領域２よりも流動しやすく、未封止部を生じさせ難いこと等が原因と推察される。
【0035】
第１の接着剤領域２の厚さ（フィルム状接着剤１の厚さ方向の長さ）は、フィルム状接着剤１が貼り付けられる接続部材における接続部の高さとの関係で適宜設定されてよい。上記接続部の高さをｙ１とし、第１の接着剤領域２の厚さをｘ１とすると、ｘ１とｙ１との関係は、第１の接着剤の硬化物が接続部間に介入し難くなり、接続信頼性をさらに向上させることができる観点から、ｘ１＜ｙ１を満たすことが好ましく、１．０ｘ１＜ｙ１≦１．５ｘ１を満たすことがより好ましい。具体的には、第１の接着剤領域２の厚さは、１～５０μｍであってよく、３～５０μｍ、４～３０μｍ又は５～２０μｍであってもよい。
【0036】
第２の接着剤領域３の厚さは、第１の接着剤領域２の厚さの０．５～２倍であってよく、０．５～２．５倍又は０．５～３倍であってもよい。具体的には、第２の接着剤領域３の厚さ（フィルム状接着剤１の厚さ方向の長さ）は、１～５０μｍであってよく、３～５０μｍ、４～３０μｍ又は５～２０μｍであってもよい。
【0037】
フィルム状接着剤１の厚さ（例えば第１の接着剤領域２の厚さと第２の接着剤領域３の厚さの合計）は、接続部材が有する接続部との関係で適宜設定されてよい。接続部の高さの和をｘとし、フィルム状接着剤の総厚をｙとした場合、ｘとｙとの関係は、圧着時の接続性及び接着剤の充填性の観点から、０．７０ｘ≦ｙ≦１．３ｘを満たすことが好ましく、０．８０ｘ≦ｙ≦１．２ｘを満たすことがより好ましい。第１の接着剤の硬化物が接続部の間に介入し難くなり、接続信頼性がより一層向上する観点では、ｙ＞ｘを満たすことが好ましい。具体的には、フィルム状接着剤１の厚さは、２～１００μｍであってよく、６～１００μｍ、８～６０μｍ又は１０～４０μｍであってもよい。
【0038】
以下、第１の接着剤領域２を構成する第１の接着剤、及び、第２の接着剤領域３を構成する第２の接着剤について説明する。
【0039】
（第１の接着剤）
第１の接着剤は、第１のエポキシ樹脂と、第１のイミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、を含み、フラックス化合物を含まない。ここで、第１の接着剤がフラックス化合物を含まないとは、第１の接着剤におけるフラックス化合物の含有量が、現状の検出限界以下（例えば、第１の接着剤の全量基準で０．０１質量％以下）であることを意味する。
第１の接着剤は、第１のエポキシ樹脂と、第１のイミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、を含み、フラックス化合物を含まない。ここで、第１の接着剤がフラックス化合物を含まないとは、第１の接着剤におけるフラックス化合物の含有量が、現状の検出限界以下（例えば、第１の接着剤の全量基準で０．０１質量％以下）であることを意味する。
【0040】
［第１のエポキシ樹脂］
第１のエポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物である。第１のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及び各種多官能エポキシ樹脂を使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。これらの中でも、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂（トリフェノールメタン骨格含有エポキシ樹脂）を用いる場合、フィレットの発生量がより低減される傾向がある。
第１のエポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物である。第１のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及び各種多官能エポキシ樹脂を使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。これらの中でも、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂（トリフェノールメタン骨格含有エポキシ樹脂）を用いる場合、フィレットの発生量がより低減される傾向がある。
【0041】
第１のエポキシ樹脂は、高温での接続時に分解して揮発成分が発生することを抑制する観点から、接続時の温度が２５０℃の場合は、２５０℃における熱重量減少量率が５％以下のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、接続時の温度が３００℃の場合は、３００℃における熱重量減少量率が５％以下のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【0042】
第１のエポキシ樹脂としては、フィルム表面の割れ及びひびの発生を抑制しやすい観点から、２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下、単に「液状エポキシ樹脂」という。）を用いてもよい。ここで、「２５℃で液状」とは、Ｅ型粘度計で測定した２５℃における粘度が４００Ｐａ・ｓ以下であることをいう。液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡＤ型のグリシジルエーテル、ビスフェノールＳ型のグリシジルエーテル、ビスフェノールＦ型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、３官能型又は４官能型のグリシジルアミン等が挙げられる。
【0043】
第１の接着剤における液状エポキシ樹脂の含有量は、フィルム表面の割れ及びひびの発生を抑制しやすい観点から、第１の接着剤に含まれる第１のエポキシ樹脂の全量を基準として、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましく、２０質量％以上がさらに好ましい。液状エポキシ樹脂の含有量は、フィルムのタック性が過剰に高まることを抑制しやすい観点、及び、エッジフュージョンを抑制しやすい観点から、第１のエポキシ樹脂の全量を基準として、３０質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましい。
【0044】
第１のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１００～３０００ｇ／ｅｑであってよく、１００～２０００ｇ／ｅｑ又は１００～１５００ｇ／ｅｑであってもよい。第１のエポキシ樹脂のエポキシ当量が上記範囲にあると、加熱時の反応性と流動性のバランスが良好となりやすい。
【0045】
第１の接着剤における第１のエポキシ樹脂の含有量は、フィレットの発生を抑制しやすくする観点では、第１の接着剤の全量基準で、２５質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、３５質量％以上がさらに好ましい。第１のエポキシ樹脂の含有量は、良好な封止性が得られやすくなる観点、及び、ボイドの発生が抑制されやすくなる観点では、第１の接着剤の全量を基準として、５０質量％以下が好ましく、４５質量％以下がより好ましく、４０質量％以下がさらに好ましい。
【0046】
第１の接着剤における第１のエポキシ樹脂の含有量は、上記（メタ）アクリル化合物の含有量との関係で設定されてもよい。第１の接着剤における、（メタ）アクリル化合物の含有量に対する第１のエポキシ樹脂の含有量の比が、質量比で、３～１１であると、高い接続信頼性が得られやすくなり、フィレットの発生量もより低減される傾向がある。上記比は、フィレットの発生量がさらに低減される観点から、５以上、７以上又は９以上であってもよく、上記効果に加えて、良好な封止性が得られやすくなる観点、及び、ボイドの発生が抑制されやすくなる観点から、１０以下であってもよい。
【0047】
［第１のイミダゾール系硬化剤］
イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノ－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、及び、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体が挙げられる。また、これらをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤を用いることもできる。これらは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの中でも、より良好な封止性が得られやすくなる観点及びボイドの発生を抑制しやすくなる観点では、トリアジン環を有する化合物が好ましく用いられる。
イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノ－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、及び、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体が挙げられる。また、これらをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤を用いることもできる。これらは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの中でも、より良好な封止性が得られやすくなる観点及びボイドの発生を抑制しやすくなる観点では、トリアジン環を有する化合物が好ましく用いられる。
【0048】
第１の接着剤における第１のイミダゾール系硬化剤の含有量は、加熱時の硬化性が向上する観点から、第１の接着剤に含まれる第１のエポキシ樹脂１００質量部に対して、１質量部以上が好ましく、２質量部以上がより好ましく、３質量部以上がさらに好ましい。第１のイミダゾール系硬化剤の含有量は、接続部間への第１の接着剤の介入をより起こり難くすることができる観点では、第１のエポキシ樹脂１００質量部に対して、１０質量部以下が好ましく、７質量部以下がより好ましく、５質量部以下がさらに好ましい。
【0049】
［（メタ）アクリル化合物］
（メタ）アクリル化合物は、分子内に１個以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。（メタ）アクリル化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、フルオレン型、アダマンタン型又はイソシアヌル酸型の骨格を含有する（メタ）アクリル化合物；各種多官能（メタ）アクリル化合物（前記骨格を含有する（メタ）アクリル化合物を除く）等を使用することができる。多官能（メタ）アクリル化合物としては、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレート（ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等）、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、多官能（メタ）アクリル化合物が好ましく、ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレートがより好ましい。多官能（メタ）アクリル化合物の官能基数（（メタ）アクリロイル基の数）は、好ましくは２～８であり、より好ましくは３～７であり、さらに好ましくは４～６である。
（メタ）アクリル化合物は、分子内に１個以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物である。（メタ）アクリル化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、フルオレン型、アダマンタン型又はイソシアヌル酸型の骨格を含有する（メタ）アクリル化合物；各種多官能（メタ）アクリル化合物（前記骨格を含有する（メタ）アクリル化合物を除く）等を使用することができる。多官能（メタ）アクリル化合物としては、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレート（ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等）、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、多官能（メタ）アクリル化合物が好ましく、ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレートがより好ましい。多官能（メタ）アクリル化合物の官能基数（（メタ）アクリロイル基の数）は、好ましくは２～８であり、より好ましくは３～７であり、さらに好ましくは４～６である。
【0050】
（メタ）アクリル化合物の分子量は、例えば、４００～２０００である。（メタ）アクリル化合物の分子量は、２０００より小さいことが好ましく、１０００以下であることがより好ましい。（メタ）アクリル化合物の分子量が小さいほど反応が進行しやすく、硬化反応率が高くなる。
【0051】
（メタ）アクリル化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【0052】
第１の接着剤における（メタ）アクリル化合物の含有量は、フィレットの発生量をより低減する観点では、第１の接着剤の全量を基準として、１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上がさらに好ましい。（メタ）アクリル化合物の含有量は、封止性を向上させる観点及びボイドの発生を抑制する観点では、第１の接着剤の全量を基準として、１０質量％以下が好ましく、７質量％以下がより好ましく、５質量％以下がさらに好ましい。これらの観点から、（メタ）アクリル化合物の含有量は、第１の接着剤の全量を基準として、１～１０質量％が好ましく、３～７質量％がより好ましく、３～５質量％がさらに好ましい。
【0053】
［その他の成分］
第１の接着剤は、上記以外の成分（その他の成分）をさらに含有してもよい。
第１の接着剤は、上記以外の成分（その他の成分）をさらに含有してもよい。
【0054】
例えば、第１の接着剤は、エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂（熱により熱硬化剤との反応によって硬化する化合物）を含んでいてもよい。エポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。第１の接着剤がエポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂を含有する場合、第１の接着剤における第１のエポキシ樹脂の含有量は、第１の接着剤に含まれる熱硬化性樹脂の全量を基準として、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。第１のエポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の全量を基準として、１００質量％であってもよい。
【0055】
また、例えば、第１の接着剤は、イミダゾール系硬化剤以外の熱硬化剤を含んでいてもよい。イミダゾール系硬化剤以外の熱硬化剤としては、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、ホスフィン系硬化剤等が挙げられる。第１の接着剤がイミダゾール系硬化剤以外の熱硬化剤を含有する場合、第１の接着剤における第１のイミダゾール系硬化剤の含有量は、加熱を低温で実施した場合に速やかに硬化を進行させることができる、接続部に酸化膜が生じることを抑制するフラックス活性により、接続信頼性を向上させることができるといった観点から、第１の接着剤に含まれる熱硬化剤の全量を基準として、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。第１のイミダゾール系硬化剤の含有量は、熱硬化剤の全量を基準として、１００質量％であってもよい。
【0056】
また、例えば、第１の接着剤は、（メタ）アクリル化合物以外のラジカル重合性化合物（熱、光、放射線、電気化学的作用等によるラジカルの発生に伴い、ラジカル重合反応が可能である化合物）を含んでいてもよい。（メタ）アクリル化合物以外のラジカル重合性化合物としては、ビニル化合物等が挙げられる。第１の接着剤が（メタ）アクリル化合物以外のラジカル重合性化合物を含有する場合、第１の接着剤における（メタ）アクリル化合物の含有量は、第１の接着剤に含まれるラジカル重合性化合物の全量を基準として、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。（メタ）アクリル化合物の含有量は、ラジカル重合性化合物の全量を基準として、１００質量％であってもよい。
【0057】
また、例えば、第１の接着剤は熱可塑性樹脂を含有していてもよい。熱可塑性樹脂は、耐熱性の向上及びフィルム形成性の向上に寄与する。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂及びアクリルゴムが挙げられる。これらの中でも、優れた耐熱性及びフィルム形成性が得られやすくなる観点から、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂及びポリカルボジイミド樹脂が好ましく、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂及びアクリルゴムがより好ましい。これらの熱可塑性樹脂は単独で又は２種以上の混合物若しくは共重合体として使用することもできる。
【0058】
熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、例えば１００００以上であり、２００００以上又は３００００以上であってもよい。このような熱可塑性樹脂によれば、第１の接着剤の耐熱性及びフィルム形成性を一層向上させることができる。熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、耐熱性の向上効果が得られやすくなる観点から、１００００００以下であってよく、５０００００以下であってもよい。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、高速液体クロマトグラフィー（株式会社島津製作所製、商品名：Ｃ－Ｒ４Ａ）を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。測定には、例えば、下記の条件を用いることができる。
検出器：ＬＶ４０００ ＵＶ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ（株式会社日立製作所製、商品名）
ポンプ：Ｌ６０００ Ｐｕｍｐ（株式会社日立製作所製、商品名）
カラム：Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ－Ｓ３００ＭＤＴ－５（計２本）（日立化成株式会社製、商品名）
溶離液：ＴＨＦ／ＤＭＦ＝１／１（容積比）＋ＬｉＢｒ（０．０３ｍｏｌ／Ｌ）＋Ｈ３ＰＯ４（０．０６ｍｏｌ／Ｌ）
流量：１ｍＬ／分
検出器：ＬＶ４０００ ＵＶ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ（株式会社日立製作所製、商品名）
ポンプ：Ｌ６０００ Ｐｕｍｐ（株式会社日立製作所製、商品名）
カラム：Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ－Ｓ３００ＭＤＴ－５（計２本）（日立化成株式会社製、商品名）
溶離液：ＴＨＦ／ＤＭＦ＝１／１（容積比）＋ＬｉＢｒ（０．０３ｍｏｌ／Ｌ）＋Ｈ３ＰＯ４（０．０６ｍｏｌ／Ｌ）
流量：１ｍＬ／分
【0059】
熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、フィルム状接着剤１の接続部材（例えば半導体チップ）への貼付性に優れる観点から、１２０℃以下が好ましく、１００℃以下がより好ましく、８５℃以下がさらに好ましい。上記Ｔｇとは、ＤＳＣ（パーキンエルマー社製、商品名：ＤＳＣ－７型）を用いて、サンプル量１０ｍｇ、昇温速度１０℃／分、測定雰囲気：空気の条件で測定したときのＴｇである。
【0060】
第１の接着剤における熱可塑性樹脂の含有量は、第１の接着剤の耐熱性及びフィルム形成性が向上しやすくなる観点から、第１の接着剤の全量基準で、５質量％以上が好ましく、７質量％以上がより好ましく、１０質量％以上がさらに好ましい。熱可塑性樹脂の含有量は、フィレットの発生を抑制しやすくする観点では、第１の接着剤の全量を基準として、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。
【0061】
また、例えば、第１の接着剤は、フィラー（充填剤）を含有していてもよい。フィラーは、第１の接着剤の粘度、第１の接着剤の硬化物の物性等の制御に有効である。具体的には、フィラーを用いることで、接続時のボイド発生の抑制、第１の接着剤の硬化物の吸湿率の低減等を図ることができる。フィラーは、無機フィラー（無機粒子）であっても、有機フィラー（有機粒子）であってもよい。無機フィラーとしては、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、マイカ、窒化ホウ素等の絶縁性無機フィラーが挙げられる。これらの中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン及び窒化ホウ素からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましく、シリカ、アルミナ及び窒化ホウ素からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることがより好ましい。有機フィラーとしては、例えば、樹脂フィラー（樹脂粒子）が挙げられる。樹脂フィラーとしては、ポリウレタン、ポリイミド等が挙げられる。樹脂フィラーによれば、２６０℃等の高温での柔軟性を付与することができる。なお、熱可塑性樹脂で構成される有機フィラーは、上記熱可塑性樹脂には該当しないものとする。
【0062】
絶縁信頼性にさらに優れる観点から、フィラーは絶縁性であることが好ましい。第１の接着剤は、銀、はんだ、カーボンブラック等の導電性材料を含むフィラー（導電性フィラー）を含有していないことが好ましい。
【0063】
フィラーの物性は、表面処理によって適宜調整されてもよい。フィラーは、分散性又は接着力が向上する観点から、表面処理を施したフィラーであってよい。表面処理剤としては、グリシジル系（エポキシ系）、アミン系、フェニル系、フェニルアミノ系、（メタ）アクリル系、ビニル系の化合物等が挙げられる。
【0064】
フィラーの平均粒径は、例えば、０．５～１．５μｍである。フィラーの平均粒径は、フリップチップ接続時のかみ込み防止の観点から、１．５μｍ以下が好ましく、視認性（透明性）に優れる観点から、１．０μｍ以下がより好ましい。なお、フィラーの平均粒径は、粒子の全体積を１００％として粒子径による累積度数分布曲線を求めたとき、体積５０％に相当する点の粒子径であり、レーザ回折散乱法を用いた粒度分布測定装置等で測定することができる。
【0065】
第１の接着剤におけるフィラーの含有量は、放熱性が低くなることが抑制される観点、及び、ボイドの発生、吸湿率が大きくなること等を抑制しやすい観点から、第１の接着剤の全量を基準として、２５質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、３５質量％以上がさらに好ましい。フィラーの含有量は、接続部へのフィラーの噛み込み（トラッピング）が生じることを抑制する観点から、第１の接着剤の全量を基準として、６０質量％以下が好ましく、５５質量％以下がより好ましく、５０質量％以下がさらに好ましい。
【0066】
フィラーが無機フィラーと有機フィラーとを含む場合、第１の接着剤における無機フィラーの含有量は、第１の接着剤に含まれるフィラーの全量を基準として、６０質量％以上、７０質量％以上又は８０質量％以上であってよく、９８質量％以下、９５質量％以下又は９０質量％以下であってよく、６０～９８質量％、７０～９５質量％又は８０～９０質量％であってよい。
【0067】
また、例えば、第１の接着剤は、ラジカル重合開始剤を含有していてもよい。ラジカル重合開始剤は、光ラジカル重合開始剤であってよく、熱ラジカル重合開始剤であってもよい。
【0068】
光ラジカル重合開始剤は、例えば、１５０～７５０ｎｍの範囲内の波長を含む光（例えば紫外光）の照射により分解して遊離ラジカルを発生する化合物であり、オキシムエステル構造、ビスイミダゾール構造、アクリジン構造、α－アミノアルキルフェノン構造、アミノベンゾフェノン構造、Ｎ－フェニルグリシン構造、アシルフォスフィンオキサイド構造、ベンジルジメチルケタール構造、α－ヒドロキシアルキルフェノン構造、α－ヒドロキシアセトフェノン構造等の構造を有する公知の光重合開始剤が挙げられる。
【0069】
熱ラジカル重合開始剤としては、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ジ（４－ｔ－ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ（２－エチルヘキシル）パーオキシジカーボネート、クミルパーオキシネオデカノエート、ジラウロイルパーオキサイド、１－シクロヘキシル－１－メチルエチルパーオキシネオデカノエート、ｔ－ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ－ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ－ブチルパーオキシピバレート、１，１，３，３－テトラメチルブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、２，５－ジメチル－２，５－ジ（２－エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ヘキシルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシネオヘプタノエート、ｔ－アミルパーオキシ－２－エチルヘキサノエート、ジ－ｔ－ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ｔ－アミルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、３－ヒドロキシ－１，１－ジメチルブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ－アミルパーオキシネオデカノエート、ジ（３－メチルベンゾイル）パーオキサイド、ジベンゾイルパーオキサイド、ジ（４－メチルベンゾイル）パーオキサイド、ｔ－ヘキシルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ－ブチルパーオキシマレイン酸、ｔ－ブチルパーオキシ－３，５，５－トリメチルヘキサノエート、ｔ－ブチルパーオキシラウレート、２，５－ジメチル－２，５－ジ（３－メチルベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルパーオキシ－２－エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ－ヘキシルパーオキシベンゾエート、２，５－ジメチル－２，５－ジ（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ－ブチルパーオキシベンゾエート、ジブチルパーオキシトリメチルアジペート、ｔ－アミルパーオキシノルマルオクトエート、ｔ－アミルパーオキシイソノナノエート、ｔ－アミルパーオキシベンゾエート等の有機過酸化物；２，２’－アゾビス－２，４－ジメチルバレロニトリル、１，１’－アゾビス（１－アセトキシ－１－フェニルエタン）、２，２’－アゾビスイソブチロニトリル、２，２’－アゾビス（２－メチルブチロニトリル）、４，４’－アゾビス（４－シアノバレリン酸）、１，１’－アゾビス（１－シクロヘキサンカルボニトリル）等のアゾ化合物などが挙げられる。
【0070】
第１の接着剤におけるラジカル重合開始剤の含有量は、フィレットの抑制、ボイドの低減、及び封止性の向上といった効果をさらに高める観点から、第１の接着剤に含まれる（メタ）アクリル化合物１００質量部に対して、０．１質量部未満であることが好ましく、０．０１質量部以下であることがより好ましい。同様の観点から、第１の接着剤は、ラジカル重合開始剤を含まないことがさらに好ましい。ここで、第１の接着剤がラジカル重合開始剤を含まないとは、第１の接着剤におけるラジカル重合開始剤の含有量が、現状の検出限界以下（例えば、第１の接着剤の全量基準で０．０１質量％以下）であることを意味する。
【0071】
第１の接着剤には、酸化防止剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、レベリング剤、イオントラップ剤等の添加剤がさらに含有されていてもよい。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの含有量については、各添加剤の効果が発現するように適宜調整すればよい。
【0072】
（第２の接着剤）
第２の接着剤は、第２のエポキシ樹脂と、第２のイミダゾール系硬化剤と、フラックス化合物と、を含む。
第２の接着剤は、第２のエポキシ樹脂と、第２のイミダゾール系硬化剤と、フラックス化合物と、を含む。
【0073】
［第２のエポキシ樹脂及び第２のイミダゾール系硬化剤］
第２のエポキシ樹脂及び第２のイミダゾール系熱硬化剤としては、第１のエポキシ樹脂及び第１のイミダゾール系硬化剤として例示したものと同じものを使用することができ、それらの好ましい態様も同じである。第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂とは同じであっても異なっていてもよく、第１のイミダゾール系硬化剤と第２のイミダゾール系硬化剤とは同じであっても異なっていてもよい。
第２のエポキシ樹脂及び第２のイミダゾール系熱硬化剤としては、第１のエポキシ樹脂及び第１のイミダゾール系硬化剤として例示したものと同じものを使用することができ、それらの好ましい態様も同じである。第１のエポキシ樹脂と第２のエポキシ樹脂とは同じであっても異なっていてもよく、第１のイミダゾール系硬化剤と第２のイミダゾール系硬化剤とは同じであっても異なっていてもよい。
【0074】
第２の接着剤における第２のエポキシ樹脂の含有量は、フィレットの発生を抑制しやすくする観点では、第２の接着剤の全量基準で、２５質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、３５質量％以上がさらに好ましい。第２のエポキシ樹脂の含有量は、良好な封止性及び接着性が得られやすくなる観点では、第２の接着剤の全量を基準として、５０質量％以下が好ましく、４５質量％以下がより好ましく、４０質量％以下がさらに好ましい。
【0075】
第２の接着剤における第２のイミダゾール系硬化剤の含有量は、加熱時の硬化性が向上する観点から、第２の接着剤に含まれる第２のエポキシ樹脂１００質量部に対して、１質量部以上が好ましく、２質量部以上がより好ましく、３質量部以上がさらに好ましい。第２のイミダゾール系硬化剤の含有量は、接続部間への第２の接着剤の介入をより起こり難くすることができる観点では、第２の接着剤に含まれる第２のエポキシ樹脂１００質量部に対して、１０質量部以下が好ましく、７質量部以下がより好ましく、５質量部以下がさらに好ましい。
【0076】
［フラックス化合物］
フラックス化合物は、フラックス活性を有する化合物である。フラックス化合物としては、はんだ等の表面の酸化膜を還元除去して、金属接合を容易にするものであれば、特に制限なく公知のものを用いることができる。フラックス化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてよい。
フラックス化合物は、フラックス活性を有する化合物である。フラックス化合物としては、はんだ等の表面の酸化膜を還元除去して、金属接合を容易にするものであれば、特に制限なく公知のものを用いることができる。フラックス化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いてよい。
【0077】
フラックス化合物は、充分なフラックス活性が得られ、より優れた接続信頼性が得られる観点から、カルボキシ基を有する化合物（カルボン酸）であることが好ましく、２つ以上のカルボキシ基を有するポリカルボン酸であることがより好ましい。ポリカルボン酸のカルボキシ基の数は２つであることが好ましい。ポリカルボン酸は、カルボキシ基を１つ有する化合物（モノカルボン酸）と比較して、接続時の高温によって揮発し難い。そのため、該化合物によれば、ボイドの発生を一層抑制できる。また、ポリカルボン酸の中でも、カルボキシ基を２つ有する化合物は、カルボキシ基を３つ以上有する化合物と比較して、保管時・接続作業時等におけるフィルム状接着剤１の粘度上昇の抑制効果に優れる。
【0078】
カルボキシ基を有するフラックス化合物としては、下記式（１）で表される基を有する化合物が好ましく用いられる。
【0079】
【化1】
【0080】
式（１）中、Ｒ１は、水素原子又は電子供与性基を示す。
【0081】
耐リフロー性に優れる観点及び接続信頼性にさらに優れる観点では、Ｒ１が電子供与性であることが好ましい。本実施形態では、第２の接着剤が、エポキシ樹脂を含有した上で、式（１）で表される基を有する化合物のうち、Ｒ１が電子供与性基である化合物をさらに含有することがより好ましい。この場合、フリップチップ接続方式においても、耐リフロー性及び接続信頼性により優れる半導体装置の作製が容易となる。
【0082】
電子供与性基としては、例えば、アルキル基、水酸基、アミノ基、アルコキシ基、アルキルアミノ基等が挙げられる。電子供与性基としては、他の成分（例えば、エポキシ樹脂）と反応しにくい基が好ましく、具体的には、アルキル基、水酸基又はアルコキシ基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
【0083】
アルキル基は、直鎖状であっても分岐状であってもよいが、直鎖状であることが好ましい。アルキル基としては、炭素数１～１０のアルキル基が好ましく、炭素数１～５のアルキル基がより好ましい。アルキル基の炭素数は、多いほど電子供与性及び立体障害が大きくなる傾向にある。炭素数が上記範囲であるアルキル基は、電子供与性及び立体障害のバランスに優れる。
【0084】
カルボキシ基を２つ有するフラックス化合物としては、下記式（２）で表される化合物を好適に用いることができる。下記式（２）で表される化合物によれば、半導体装置の耐リフロー性及び接続信頼性を一層向上させることができる。
【0085】
【化2】
【0086】
式（２）中、Ｒ１は式（１）と同義である。Ｒ２は、水素原子又は電子供与性基を示し、ｎは０又は１以上の整数を示す。
【0087】
Ｒ２によって示される電子供与性は、Ｒ１として説明した上述の電子供与性基の例と同じである。Ｒ２はＲ１と同じであっても異なっていてもよい。複数存在するＲ２は互いに同一でも異なっていてもよい。
【0088】
式（２）におけるｎは、１以上であることが好ましい。ｎが１以上であると、ｎが０である場合と比較して、接続時の高温によってもフラックス化合物が揮発し難く、ボイドの発生を一層抑制することができる。また、式（２）におけるｎは、１５以下であることが好ましく、１１以下であることがより好ましく、６以下又は４以下であってもよい。ｎが１５以下であると、一層優れた接続信頼性が得られる。
【0089】
上記のようなフラックス化合物の具体例としては、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸等のジカルボン酸、並びに、これらのジカルボン酸の２位に電子供与性基が置換した化合物（例えば２－メチルグルタル酸）などが挙げられる。これらの中でも、エポキシ樹脂及びイミダゾール系硬化剤との組み合わせにより、フィレットの抑制、ボイドの低減、及び封止性の向上といった効果がさらに向上する観点から、２－メチルグルタル酸が好ましく用いられる。
【0090】
フラックス化合物の融点は、１５０℃以下が好ましく、１４０℃以下がより好ましく、１３０℃以下がさらに好ましい。このようなフラックス化合物は、エポキシ樹脂とイミダゾール系硬化剤との硬化反応が生じる前にフラックス活性が充分に発現しやすい。そのため、このようなフラックス化合物を用いることで、接続信頼性に一層優れる半導体装置を得ることができる。フラックス化合物は、室温（２５℃）で固形であるものが好ましい。フラックス化合物の融点は、２５℃以上が好ましく、５０℃以上がより好ましい。なお、本明細書中、融点が１５０℃以下とは、融点の上限点が１５０℃以下であることを意味し、融点が２５℃以上とは、融点の下限点が２５℃以上であることを意味する。
【0091】
第２の接着剤におけるフラックス化合物の含有量は、フラックス効果がより良好に得られる観点から、第２の接着剤の全量基準で、０．１質量％以上が好ましく、０．３質量％以上がより好ましく、０．５質量％以上がさらに好ましい。フラックス化合物の含有量は、半導体装置作製時のウェハの反り量を低減する観点から、第２の接着剤の全量基準で、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、２質量％以下がさらに好ましい。
【0092】
［その他の成分］
第２の接着剤は、第１の接着剤に含まれ得るその他の成分として例示した成分を含んでいてもよい。第１の接着剤中の熱可塑性樹脂と、第２の接着剤中の熱可塑性樹脂とは、同じであっても異なっていてもよい。フィラー等のその他の成分についても同様である。
第２の接着剤は、第１の接着剤に含まれ得るその他の成分として例示した成分を含んでいてもよい。第１の接着剤中の熱可塑性樹脂と、第２の接着剤中の熱可塑性樹脂とは、同じであっても異なっていてもよい。フィラー等のその他の成分についても同様である。
【0093】
第２の接着剤における熱可塑性樹脂の含有量は、第２の接着剤の耐熱性及びフィルム形成性が向上しやすくなる観点から、第２の接着剤の全量基準で、５質量％以上が好ましく、７質量％以上がより好ましく、１０質量％以上がさらに好ましい。熱可塑性樹脂の含有量は、フィレットの発生を抑制しやすくする観点では、第２の接着剤の全量を基準として、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下がさらに好ましい。
【0094】
第２の接着剤におけるフィラーの含有量は、放熱性が低くなることが抑制される観点、及び、ボイドの発生、吸湿率が大きくなること等を抑制しやすい観点から、第２の接着剤の全量を基準として、２５質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、３５質量％以上がさらに好ましい。フィラーの含有量は、接続部へのフィラーの噛み込み（トラッピング）が生じることを抑制する観点から、第２の接着剤の全量を基準として、６０質量％以下が好ましく、５５質量％以下がより好ましく、５０質量％以下がさらに好ましい。
【0095】
第２の接着剤におけるラジカル重合開始剤の含有量は、第２の接着剤の全量基準で０．０１質量部以下であってよい。すなわち、第２の接着剤はラジカル重合開始剤を含まなくてよい。
【0096】
フラックス化合物の中にはラジカルと反応するものがあること、及び、ラジカル重合性化合物が存在することで加熱時に硬化反応が急速に進行し、接続部間に硬化物が介入しやすくなることから、第２の接着剤は、ラジカル重合性化合物を含有しないことが好ましい。ラジカル重合性化合物の含有量は、第２の接着剤の全量を基準として、０．５質量％以下が好ましく、０．０５質量％以下がより好ましく、０質量％がさらに好ましい。
【0097】
フィルム状接着剤１は、非導電性であることが好ましい。すなわち、フィルム状接着剤１は、いわゆるＮＣＦ（Ｎｏｎ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）であることが好ましい。
【0098】
以上説明したフィルム状接着剤１は、第１の接着剤領域２側（第２の接着剤領域３とは反対側）の面上、及び／又は、第２の接着剤領域３側（第１の接着剤領域２とは反対側）の面上に、支持フィルム、保護フィルム等の基材が設けられた状態で提供されてよい。本開示では、基材と、該基材上に設けられたフィルム状接着剤とを備える積層体を接着剤テープという。
【0099】
基材としては、後述するフィルム状接着剤の製造方法で用いられる基材として例示される基材を用いることができるが、フィルム状接着剤１の第２の接着剤領域３側に設けられる基材は、バックグラインドテープであることが好ましい。すなわち、本開示の好適な他の一実施形態は、上記フィルム状接着剤１と、該フィルム状接着剤１上であって、第２の接着剤領域３からみて、第１の接着剤領域２側とは反対側に設けられたバックグラインドテープと、を備える、接着剤テープ（バックグラインドテープ付き接着剤テープ）である。
【0100】
バックグラインドテープは、通常、一方の主面側が粘着層となるように構成されているが、この場合、バックグラインドテープは、粘着層側の面がフィルム状接着剤１側となるように（例えば、粘着層とフィルム状接着剤とが接するように）、フィルム状接着剤１上に設けられる。基材の厚さ（例えば、バックグラインドテープの厚さ）は、２０～３００μｍであってよい。
【0101】
接着剤テープは、後述するフィルム状接着剤の製造方法、すなわち、基材上に塗液を塗布し、塗膜を形成し乾燥させる方法により得られた、基材とフィルム状接着剤との積層体であってよく、フィルム状接着剤１に基材を貼り付ける（例えば、フィルム状接着剤１と基材とをラミネートする）ことにより得られた積層体であってもよい。基材がバックグラインドテープである場合、バックグラインドテープの粘着層の上で塗液の塗布及び乾燥が行われると、粘着層の破壊、粘着剤と接着剤との間の成分移行等の不具合が生じる可能性があるため、フィルム状接着剤１にバックグラインドテープを貼り付けることにより接着剤テープを得ることが好ましい。
【0102】
＜半導体用フィルム状接着剤の製造方法＞
フィルム状接着剤１の製造方法の一実施形態は、第１の接着剤層、及び、第２の接着剤層のうちの一方を他方の上に設ける工程を備える。ここで、第１の接着剤層は、上記第１の接着剤で構成される層（すなわち、フラックス化合物を含まず、第１のエポキシ樹脂と、第１のイミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、を含む層）であり、フィルム状接着剤１において第１の接着剤領域２を形成する。第２の接着剤層は、上記第２の接着剤で構成される層（すなわち、第２のエポキシ樹脂と、第２のイミダゾール系硬化剤と、フラックス化合物と、を含む層）であり、フィルム状接着剤１において第２の接着剤領域３を形成する。
フィルム状接着剤１の製造方法の一実施形態は、第１の接着剤層、及び、第２の接着剤層のうちの一方を他方の上に設ける工程を備える。ここで、第１の接着剤層は、上記第１の接着剤で構成される層（すなわち、フラックス化合物を含まず、第１のエポキシ樹脂と、第１のイミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、を含む層）であり、フィルム状接着剤１において第１の接着剤領域２を形成する。第２の接着剤層は、上記第２の接着剤で構成される層（すなわち、第２のエポキシ樹脂と、第２のイミダゾール系硬化剤と、フラックス化合物と、を含む層）であり、フィルム状接着剤１において第２の接着剤領域３を形成する。
【0103】
一実施形態において、上記工程は、例えば、上記第１の接着剤層を備える第１の接着剤フィルムと、上記第２の接着剤層を備える第２の接着剤フィルムとを貼り合わせる工程であってよい。この実施形態では、フィルム状接着剤１の製造方法が、上記第１の接着剤フィルムと、上記第２の接着剤フィルムとを用意する工程をさらに備えてよい。
【0104】
第１の接着剤フィルムを用意する工程は、基材（例えばフィルム状の基材）上に第１の接着剤層を形成することを含んでいてもよい。基材上に第１の接着剤層を形成する場合、例えば、まず、第１のエポキシ樹脂と、第１のイミダゾール系硬化剤と、（メタ）アクリル化合物と、必要に応じて添加される他の成分（フィラー、熱可塑性樹脂、添加剤等）とを、有機溶剤中に加え、攪拌混合、混練等により、溶解又は分散させて、第１の接着剤を含む塗液を調製する。その後、離型処理を施した基材上に、上記塗液をナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター等を用いて塗布して塗膜を形成した後、加熱により塗膜中から有機溶剤を減少させる。これにより、基材上に第１の接着剤層を形成することができる。
【0105】
塗液の調製に用いる有機溶剤としては、各成分を均一に溶解又は分散し得る特性を有するものが好ましく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、及び酢酸エチルが挙げられる。これらの有機溶剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。塗液を調製する際の攪拌混合及び混練は、例えば、攪拌機、らいかい機、３本ロール、ボールミル、ビーズミル又はホモディスパーを用いて行うことができる。
【0106】
基材としては、有機溶剤を揮発させる際の加熱条件に耐え得る耐熱性を有するものであれば特に制限はなく、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等のポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等のポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム及びポリエーテルイミドフィルムを例示できる。基材は、これらのフィルムからなる単層のものに限られず、２種以上の材料からなる多層フィルムであってもよい。基材は、表面に離型処理が施されたフィルムであってもよい。
【0107】
基材上の塗膜から有機溶剤を揮発させる際の乾燥条件は、有機溶剤が充分に揮発する条件とすることが好ましく、具体的には、５０～２００℃、０．１～９０分間の加熱を行うことが好ましい。実装後のボイド又は粘度調整に影響がなければ、有機溶剤は、第１の接着剤全量に対して１．５質量％以下まで除去されることが好ましい。
【0108】
第２の接着剤フィルムを用意する工程は、基材上に第２の接着剤層を形成することを含んでいてもよい。第２のエポキシ樹脂と、第２のイミダゾール系硬化剤と、フラックス化合物と、必要に応じて添加される他の成分（フィラー、熱可塑性樹脂、添加剤等）とを用いること以外は、第１の接着剤層の形成方法と同様の方法により基材上に第２の接着剤層を形成することができる。
【0109】
第１の接着剤フィルムと第２の接着剤フィルムとを貼り合わせる方法としては、例えば、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等の方法が挙げられる。ラミネートは、例えば、３０～１２０℃の加熱条件下で行ってよい。
【0110】
フィルム状接着剤１は、例えば、基材上に第１の接着剤層及び第２の接着剤層のうちの一方を形成した後、得られた第１の接着剤層又は第２の接着剤層上に、第１の接着剤層及び第２の接着剤層のうちの他方を形成することにより得てもよい。第１の接着剤層及び第２の接着剤層は、上述した方法により形成することができる。
【0111】
フィルム状接着剤１は、例えば、基材上に第１の接着剤と第２の接着剤とを実質的に同時に形成することにより得てもよい。第１の接着剤と第２の接着剤とを同時に塗工作製する方法としては、例えば、逐次塗工方式、多層塗工方式等の塗工方法が挙げられる。
【0112】
＜半導体装置＞
次に、上記実施形態の半導体用フィルム状接着剤を用いて製造される半導体装置について説明する。
次に、上記実施形態の半導体用フィルム状接着剤を用いて製造される半導体装置について説明する。
【0113】
図２は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図２（ａ）に示す半導体装置１００は、互いに対向する半導体チップ２０及び基体２５と、半導体チップ２０及び基体２５の互いに対向する面にそれぞれ配置された配線（第１接続部及び第２接続部）１５と、半導体チップ２０及び基体２５の配線１５を互いに接続する接続バンプ３０と、半導体チップ２０と基体２５との隙間を充填する接着剤（第１の接着剤及び第２の接着剤）の硬化物からなる封止部４０とを有している。半導体チップ２０及び基体２５は、配線１５及び接続バンプ３０によりフリップチップ接続されている。配線１５及び接続バンプ３０は、接着剤の硬化物により封止されており外部環境から遮断されている。封止部４０は、第１の接着剤の硬化物を含む上部部分４０ａと、第２の接着剤の硬化物を含む下部部分４０ｂとを有している。
【0114】
図２（ｂ）に示す半導体装置２００は、互いに対向する半導体チップ２０及び基体２５と、半導体チップ２０及び基体２５の互いに対向する面にそれぞれ配置されたバンプ（第１接続部及び第２接続部）３２と、半導体チップ２０と基体２５との隙間を充填する接着剤（第１の接着剤及び第２の接着剤）の硬化物からなる封止部４０とを有している。半導体チップ２０及び基体２５は、対向するバンプ３２が互いに接続されることによりフリップチップ接続されている。バンプ３２は、接着剤の硬化物により封止されており外部環境から遮断されている。封止部４０は、第１の接着剤の硬化物を含む上部部分４０ａと、第２の接着剤の硬化物を含む下部部分４０ｂとを有している。
【0115】
半導体チップ２０としては、特に限定はなく、シリコン、ゲルマニウム等の同一種類の元素から構成される元素半導体から構成される半導体チップ、ガリウムヒ素、インジウムリン等の化合物半導体から構成される半導体チップを用いることができる。
【0116】
基体２５としては、半導体チップ２０を搭載するために用いられるものであれば特に制限はなく、例えば、半導体チップ、半導体ウエハ、配線回路基板等が挙げられる。
【0117】
基体２５として用いることができる半導体チップの例は、上記半導体チップ２０の例と同じであり、基体２５として半導体チップ２０と同じ半導体チップを用いてもよい。
【0118】
基体２５として用いることができる半導体ウエハとしては、特に限定はなく、上記半導体チップ２０に例示した半導体チップが複数連結した構成を有するものであってよい。
【0119】
基体２５として用いることができる配線回路基板としては、特に制限はなく、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエステル、セラミック、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン等を主な成分とする絶縁基板の表面に、金属膜の不要な個所をエッチング除去して形成された配線（配線パターン）１５を有する回路基板、上記絶縁基板の表面に金属めっき等によって配線１５が形成された回路基板、上記絶縁基板の表面に導電性物質を印刷して配線１５が形成された回路基板などを用いることができる。
【0120】
配線１５、バンプ３２等の接続部は、主成分として、金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ－銀、スズ－鉛、スズ－ビスマス、スズ－銅、スズ－銀－銅等）、ニッケル、スズ、鉛などを含有しており、複数の金属を含有していてもよい。
【0121】
上記金属の中でも、接続部の電気伝導性・熱伝導性に優れたパッケージとする観点では、金、銀及び銅が好ましく、銀及び銅がより好ましい。コストが低減されたパッケージとする観点では、安価な材料である、銀、銅及びはんだが好ましく、銅及びはんだがより好ましく、はんだがさらに好ましい。室温において金属の表面に酸化膜が形成すると生産性が低下すること及びコストが増加することがあるため、酸化膜の形成を抑制する観点では、金、銀、銅及びはんだが好ましく、金、銀、はんだがより好ましく、金、銀がさらに好ましい。
【0122】
上記配線１５及びバンプ３２の表面には、金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えば、スズ－銀、スズ－鉛、スズ－ビスマス、スズ－銅等）、スズ、ニッケルなどを主な成分とする金属層が、例えばメッキにより形成されていてもよい。この金属層は単一の成分のみで構成されていても、複数の成分から構成されていてもよい。また、上記金属層は、単層又は複数の金属層が積層された構造をしていてもよい。
【0123】
半導体装置は、半導体装置１００及び２００に示すような構造（パッケージ）が複数積層されたものであってもよい。この場合、半導体装置１００及び２００は、金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ－銀、スズ－鉛、スズ－ビスマス、スズ－銅、スズ－銀－銅等）、スズ、ニッケルなどを含むバンプ、配線等で互いに電気的に接続されていてもよい。
【0124】
半導体装置を複数積層する手法としては、図３に示すように、例えばＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）技術が挙げられる。図３に示す半導体装置５００では、インターポーザ５０上に形成された配線１５が半導体チップ２０の配線１５と接続バンプ３０を介して接続されることにより、半導体チップ２０とインターポーザ５０とはフリップチップ接続されている。半導体チップ２０とインターポーザ５０との隙間には接着剤（第１の接着剤及び第２の接着剤）の硬化物が充填されており、封止部４０を構成している。上記半導体チップ２０におけるインターポーザ５０と反対側の表面上には、配線１５、接続バンプ３０及び封止部４０を介して半導体チップ２０が繰り返し積層されている。半導体チップ２０の表裏におけるパターン面の配線１５は、半導体チップ２０の内部を貫通する孔内に充填された貫通電極３４により互いに接続されている。なお、貫通電極３４の材質としては、銅、アルミニウム等を用いることができる。
【0125】
このようなＴＳＶ技術により、通常は使用されない半導体チップの裏面からも信号を取得することが可能となる。さらには、半導体チップ２０内に貫通電極３４を垂直に通すため、対向する半導体チップ２０間、並びに、半導体チップ２０及びインターポーザ５０間の距離を短くし、柔軟な接続が可能である。本実施形態の半導体用フィルム状接着剤は、このようなＴＳＶ技術において、対向する半導体チップ２０間、並びに、半導体チップ２０及びインターポーザ５０間の半導体用フィルム状接着剤として適用することができる。
【0126】
また、エリヤバンプチップ技術等の自由度の高いバンプ形成方法では、インターポーザを介さないでそのまま半導体チップをマザーボードに直接実装できる。本実施形態の半導体用フィルム状接着剤は、このような半導体チップをマザーボードに直接実装する場合にも適用することができる。なお、本実施形態の半導体用フィルム状接着剤は、２つの配線回路基板を積層する場合に、基板間の隙間（空隙）を封止する際にも適用することができる。
【0127】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、上記実施形態の半導体用フィルム状接着剤を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
次に、上記実施形態の半導体用フィルム状接着剤を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
【0128】
一実施形態の半導体装置の製造方法は、例えば、半導体チップと、第１の接着剤領域の第２の接着剤領域とは反対側の面が前記半導体チップ側を向くように半導体チップ上に設けられた、上記実施形態の半導体用フィルム状接着剤と、を備える、フィルム状接着剤付き半導体チップを用意する工程と、フィルム状接着剤付き半導体チップを、フィルム状接着剤側から基体上に配置し、加熱することにより、半導体チップの接続部と基体の接続部とを電気的に接続するとともに、半導体チップと基体との隙間を封止する工程と、を備える。半導体装置の製造方法は、上記実施形態の半導体用フィルム状接着剤を、第１の接着剤領域側から、半導体チップ若しくはその前駆体の接続面に貼り付ける工程をさらに備えていてもよい。ここで、半導体チップの前駆体とは、加工によって半導体チップとなる部材を意味する。半導体チップの前駆体の具体例は、半導体ウエハである。半導体チップの前駆体として半導体ウエハを用いる場合、半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ又はフィルム状接着剤付き半導体ウエハをダイシングする工程をさらに備えていてもよい。
【0129】
半導体装置の製造方法では、上述したバックグラインドテープ付き接着剤テープを用いてもよい。この場合、半導体装置の製造方法は、バックグラインドテープ付き接着剤テープを、半導体用フィルム状接着剤側から、半導体チップの前駆体である半導体ウエハの接続面に貼り付けるラミネート工程と、接着剤テープが貼り付けられた半導体ウエハを接着剤テープとは反対側から研削するバックグラインド工程と、をさらに備えてよい。
【0130】
以下では、半導体チップの前駆体（半導体ウエハ）を用いる態様を例に挙げて、半導体装置の製造方法についてより詳細に説明する。
【0131】
図４～図８は、半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。一実施形態の製造方法は、以下に示す工程（ａ）～（ｅ）を含む。
工程（ａ）：一方の主面（接続面）に接続部（第１接続部）５を有する半導体ウエハＡと、半導体ウエハＡの該主面上に、第１の接着剤領域２側の面が半導体ウエハＡ側となるように設けられた、フィルム状接着剤１と、を備える積層体６を用意する工程（図４参照。）
工程（ｂ）：積層体６のフィルム状接着剤１が設けられている側とは反対側（半導体ウエハＡの接続部５が設けられている側とは反対側）を研削するバックグラインド工程（図５参照。）
工程（ｃ）：積層体６を個片化し、接続部５を有するフィルム状接着剤付き半導体チップ８を得る工程（図６参照。）
工程（ｄ）：フィルム状接着剤付き半導体チップ８を、個片化されたフィルム状接着剤１ａ側からピックアップする工程（図７参照。）
工程（ｅ）：フィルム状接着剤付き半導体チップ８を、一方の主面（接続面）に接続部（第２接続部）１０を有する基体９の該主面上に、フィルム状接着剤１ａ側から配置し、加熱することにより、フィルム状接着剤付き半導体チップ８の接続部５と、基体９の接続部１０とを、電気的に接続するとともに、半導体チップ８と基体９との隙間を封止する工程（図８参照。）
なお、あらかじめ厚さが調整された半導体ウエハを用いる場合には、工程（ｂ）は実施しなくてもよい。
工程（ａ）：一方の主面（接続面）に接続部（第１接続部）５を有する半導体ウエハＡと、半導体ウエハＡの該主面上に、第１の接着剤領域２側の面が半導体ウエハＡ側となるように設けられた、フィルム状接着剤１と、を備える積層体６を用意する工程（図４参照。）
工程（ｂ）：積層体６のフィルム状接着剤１が設けられている側とは反対側（半導体ウエハＡの接続部５が設けられている側とは反対側）を研削するバックグラインド工程（図５参照。）
工程（ｃ）：積層体６を個片化し、接続部５を有するフィルム状接着剤付き半導体チップ８を得る工程（図６参照。）
工程（ｄ）：フィルム状接着剤付き半導体チップ８を、個片化されたフィルム状接着剤１ａ側からピックアップする工程（図７参照。）
工程（ｅ）：フィルム状接着剤付き半導体チップ８を、一方の主面（接続面）に接続部（第２接続部）１０を有する基体９の該主面上に、フィルム状接着剤１ａ側から配置し、加熱することにより、フィルム状接着剤付き半導体チップ８の接続部５と、基体９の接続部１０とを、電気的に接続するとともに、半導体チップ８と基体９との隙間を封止する工程（図８参照。）
なお、あらかじめ厚さが調整された半導体ウエハを用いる場合には、工程（ｂ）は実施しなくてもよい。
【0132】
（工程（ａ））
工程（ａ）は、あらかじめ作製された積層体６を用意する工程であってよく、積層体６を作製する工程であってもよい。積層体６は、例えば、以下の方法により作製してよい。
工程（ａ）は、あらかじめ作製された積層体６を用意する工程であってよく、積層体６を作製する工程であってもよい。積層体６は、例えば、以下の方法により作製してよい。
【0133】
まず、フィルム状接着剤１の第２の接着剤領域３側に基材４が設けられた接着剤テープを用意し、これを所定の装置に配置する（図４（ａ）参照。）。基材４は、例えばバックグラインドテープである。次いで、一方の主面に接続部５（配線、バンプ等）を有する半導体ウエハＡを準備し、半導体ウエハＡの該主面（接続部５が設けられている面、接続面）上にフィルム状接着剤１を貼り付ける。これにより、半導体ウエハＡ、第１の接着剤領域２、第２の接着剤領域３がこの順に積層された積層体６が得られる（図４（ｂ）参照。）。
【0134】
フィルム状接着剤１の貼付は、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等によって行うことができる。フィルム状接着剤１の供給面積及び厚みは、半導体ウエハ及び基体のサイズ、接続部の高さ等によって適宜設定される。なお、図４では、フィルム状接着剤１の厚さが半導体ウエハＡの接続部５の高さよりも大きく、接続部５がフィルム状接着剤１によって被覆されているが、フィルム状接着剤１の厚さが接続部５の高さよりも小さくてもよい。
【0135】
（工程（ｂ））
工程（ｂ）では、例えばグラインダーＧを用いて、積層体６の半導体ウエハＡを研削する（図５（ａ）及び図５（ｂ）参照。）。これにより、半導体ウエハＡが薄化される。研削後の半導体ウエハの厚さは、例えば、１０μｍ～３００μｍであってよい。半導体装置の小型化、薄型化の観点から、半導体ウエハの厚さを２０μｍ～１００μｍとすることが好ましい。
工程（ｂ）では、例えばグラインダーＧを用いて、積層体６の半導体ウエハＡを研削する（図５（ａ）及び図５（ｂ）参照。）。これにより、半導体ウエハＡが薄化される。研削後の半導体ウエハの厚さは、例えば、１０μｍ～３００μｍであってよい。半導体装置の小型化、薄型化の観点から、半導体ウエハの厚さを２０μｍ～１００μｍとすることが好ましい。
【0136】
（工程（ｃ））
工程（ｃ）では、例えば、まず、積層体６の半導体ウエハＡ側にダイシングテープ７を貼り付け、これを所定の装置に配置する（図６（ａ）参照。）。基材４は、ダイシングテープ７への積層体６の貼り付け前又は貼り付け後に剥離してよい。次いで、積層体６をダイシングソウＤによりダイシングする。こうして、積層体６が個片化され、半導体チップＡ’上にフィルム状接着剤１ａを備えるフィルム状接着剤付き半導体チップ８が得られる（図６（ｂ）参照。）。半導体チップＡ’のフィルム状接着剤１ａ側の面には接続部５が設けられている。フィルム状接着剤１ａは第１の接着剤領域（第１の接着剤からなる領域）２ａと第２の接着剤領域（第２の接着剤からなる領域）３ａとを有している。
工程（ｃ）では、例えば、まず、積層体６の半導体ウエハＡ側にダイシングテープ７を貼り付け、これを所定の装置に配置する（図６（ａ）参照。）。基材４は、ダイシングテープ７への積層体６の貼り付け前又は貼り付け後に剥離してよい。次いで、積層体６をダイシングソウＤによりダイシングする。こうして、積層体６が個片化され、半導体チップＡ’上にフィルム状接着剤１ａを備えるフィルム状接着剤付き半導体チップ８が得られる（図６（ｂ）参照。）。半導体チップＡ’のフィルム状接着剤１ａ側の面には接続部５が設けられている。フィルム状接着剤１ａは第１の接着剤領域（第１の接着剤からなる領域）２ａと第２の接着剤領域（第２の接着剤からなる領域）３ａとを有している。
【0137】
（工程（ｄ））
工程（ｄ）では、例えば、ダイシングテープ７をエキスパンド（拡張）することにより、上記ダイシングにより得られたフィルム状接着剤付き半導体チップ８を互いに離間させつつ、ダイシングテープ７側からニードルＮで突き上げられたフィルム状接着剤付き半導体チップ８を、フィルム状接着剤１ａ側からピックアップツールＰでピックアップする（図７参照。）。ピックアップされたフィルム状接着剤付き半導体チップ８は、ボンディングツールに受け渡されて工程（ｅ）でのボンディングに使用される。
工程（ｄ）では、例えば、ダイシングテープ７をエキスパンド（拡張）することにより、上記ダイシングにより得られたフィルム状接着剤付き半導体チップ８を互いに離間させつつ、ダイシングテープ７側からニードルＮで突き上げられたフィルム状接着剤付き半導体チップ８を、フィルム状接着剤１ａ側からピックアップツールＰでピックアップする（図７参照。）。ピックアップされたフィルム状接着剤付き半導体チップ８は、ボンディングツールに受け渡されて工程（ｅ）でのボンディングに使用される。
【0138】
（工程（ｅ））
工程（ｅ）では、例えば、まず、一方面に接続部１０（第２接続部）を有する半導体チップ搭載用の基体９を用意し、フィルム状接着剤付き半導体チップ８と基体９との位置合わせを行う。次いで、ボンディングツールを用いて、フィルム状接着剤付き半導体チップ８を、フィルム状接着剤１ａ側から基体９の接続部１０（配線、バンプ等）が設けられた主面上に配置し加熱することにより、フィルム状接着剤付き半導体チップ８と基体９とを接合する（図８（ａ）及び図８（ｂ）参照。）。これにより、フィルム状接着剤付き半導体チップ８の接続部５と基体９の接続部１０とが電気的に接続されるとともに、半導体チップＡ’と基体９との間にフィルム状接着剤１ａの硬化物からなる封止部１ａ’が形成され、半導体チップ８と基体９との隙間が封止されて、フィルム状接着剤付き半導体チップ８と基体９との接合体である半導体装置１１が得られる。封止部１ａ’は、第１の接着剤の硬化物を含む上部分２ａ’と、第２の接着剤の硬化物を含む下部分３ａ’を有している。
工程（ｅ）では、例えば、まず、一方面に接続部１０（第２接続部）を有する半導体チップ搭載用の基体９を用意し、フィルム状接着剤付き半導体チップ８と基体９との位置合わせを行う。次いで、ボンディングツールを用いて、フィルム状接着剤付き半導体チップ８を、フィルム状接着剤１ａ側から基体９の接続部１０（配線、バンプ等）が設けられた主面上に配置し加熱することにより、フィルム状接着剤付き半導体チップ８と基体９とを接合する（図８（ａ）及び図８（ｂ）参照。）。これにより、フィルム状接着剤付き半導体チップ８の接続部５と基体９の接続部１０とが電気的に接続されるとともに、半導体チップＡ’と基体９との間にフィルム状接着剤１ａの硬化物からなる封止部１ａ’が形成され、半導体チップ８と基体９との隙間が封止されて、フィルム状接着剤付き半導体チップ８と基体９との接合体である半導体装置１１が得られる。封止部１ａ’は、第１の接着剤の硬化物を含む上部分２ａ’と、第２の接着剤の硬化物を含む下部分３ａ’を有している。
【0139】
接続部５及び接続部１０の一方にはんだバンプが用いられる場合（例えば、接続部５又は接続部１０が、はんだバンプが設けられた配線である場合）、接続部５と接続部１０とがはんだ接合されることにより電気的かつ機械的に接続される。
【0140】
工程（ｅ）の加熱は半導体チップを配置しながら行ってよく、半導体チップを配置した後に行ってもよい。工程（ｅ）の加熱及び配置は、熱圧着であってよい。工程（ｅ）は、位置合わせをした後に仮固定する工程（仮固定工程）と、加熱処理することによって、接続部に設けられたバンプ（例えばはんだバンプ）を溶融させて半導体チップＡ’と基体９とを接合するとともに接続部を封止する工程（封止工程）とを含んでいてもよい。仮固定の段階では、金属接合を形成することが必ずしも必要ではないため、仮固定工程は、低荷重、短時間及び低温度で実施することができる。そのため、工程（ｅ）において仮固定工程と封止工程とを実施する場合、生産性が向上するとともに接続部の劣化を抑制することができる。
【0141】
仮固定のために加えられる荷重は、接続部（バンプ）の数、接続部（バンプ）の高さばらつきの吸収、接続部（バンプ）の変形量等の制御を考慮して適宜設定される。荷重は、ボイドを排除し、接続部を接触させやすくする観点では、大きいほど好ましい。荷重は、例えば、接続部（例えばバンプ）１個辺り、０．００９Ｎ～０．２Ｎが好ましい。
【0142】
封止工程での加熱は、接続部の金属の融点以上に加熱可能な装置を用いて行ってよい。加熱温度は、フィルム状接着剤の硬化が進行する温度が好ましく、完全に硬化する温度がより好ましい。加熱温度及び加熱時間は適宜設定される。
【0143】
封止工程での加熱時間は、接続部を構成する金属の種類により異なるが、生産性が向上する観点では、短時間であるほど好ましい。接続部にはんだバンプが用いられる場合、加熱時間は２０秒以下が好ましく、１０秒以下がより好ましく、５秒以下がさらに好ましい。銅－銅又は銅－金の金属接続の場合は、接続時間は６０秒以下が好ましい。
【0144】
封止工程では、加熱及び加圧が可能な装置を用いて、加熱とともに加圧を行ってもよい。すなわち、封止工程での加熱は、熱圧着による加熱であってよい。この場合、荷重（接続荷重）は、接続部材のサイズ、接続部の数、高さのばらつき、加圧による接続部の変形量等を考慮して設定される。接続荷重は、例えば、大気圧を超えて１ＭＰａ以下であってよい。ボイド抑制及び接続性向上の観点では、荷重が大きいほど好ましく、フィレット抑制の観点では、荷重が小さいほど好ましい。これらの観点から、荷重は０．０５～０．５ＭＰａであることが好ましい。圧着時間（接続時間）は、接続部を構成する金属の種類により異なるが、生産性が向上する観点から短時間であるほど好ましい。接続部がはんだバンプである場合、圧着時間は２０秒以下が好ましく、１０秒以下がより好ましく、５秒以下がさらに好ましい。なお、圧着機を用いた直接的な加圧ではフィレットに圧着機の熱が伝わり難いため、フィレットまで充分に効果させやすい観点から、気圧による加圧が好ましい。一括封止及びフィレット抑制の観点からも、加熱時の加圧は気圧による加圧（加圧リフロー炉、加圧オーブン等による加圧）とすることが好ましい。
【0145】
半導体チップＡ’と基体９とを接続した後、オーブン等で加熱処理を行って、さらに接続信頼性を高めてもよい。
【実施例0146】
以下、実施例により本開示をより具体的に説明するが、本開示は実施例に限定されるものではない。
【0147】
実施例及び比較例で使用した材料の詳細は以下のとおり。
（液状エポキシ樹脂）
・ＹＸ７１１０Ｂ８０：柔軟性エポキシ、三菱ケミカル株式会社製、商品名「ｊＥＲＹＸ７１１０Ｂ８０」、「ｊＥＲ」は登録商標（以下同じ）
・ＹＬ９８３Ｕ：ビスフェノールＦ型液状エポキシ、三菱ケミカル株式会社製、商品名「ｊＥＲＹＬ９８３Ｕ」
（固形エポキシ樹脂）
・ＥＰ１０３２：トリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ、三菱ケミカル株式会社製、商品名「ｊＥＲ１０３２Ｈ６０」
（イミダゾール系硬化剤）
・２ＰＨＺ－ＰＷ：２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、四国化成工業株式会社製、商品名
・２ＭＡＯＫ－ＰＷ：２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体、四国化成工業株式会社製、商品名
（フェノキシ樹脂）
・ＺＸ－１３５６－２：フェノキシ樹脂、東都化成株式会社製、商品名、Ｔｇ＝約７１℃、重量平均分子量Ｍｗ＝約６３０００
（アクリル化合物）
Ａ－ＤＰＨ：ジペンタエリスリトールポリアクリレート、新中村化学工業株式会社製、商品名
（有機フィラー）
・ＥＸＬ－２６５５：コアシェルタイプ有機微粒子、ロームアンドハースジャパン（株）製、商品名
（シリカフィラー）
・ＫＥ１８０Ｇ－ＨＬＡ：シリカフィラー、株式会社アドマテックス製、商品名
（フラックス化合物）
・２－メチルグルタル酸：アルドリッチ社製、融点＝約７８℃
（液状エポキシ樹脂）
・ＹＸ７１１０Ｂ８０：柔軟性エポキシ、三菱ケミカル株式会社製、商品名「ｊＥＲＹＸ７１１０Ｂ８０」、「ｊＥＲ」は登録商標（以下同じ）
・ＹＬ９８３Ｕ：ビスフェノールＦ型液状エポキシ、三菱ケミカル株式会社製、商品名「ｊＥＲＹＬ９８３Ｕ」
（固形エポキシ樹脂）
・ＥＰ１０３２：トリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ、三菱ケミカル株式会社製、商品名「ｊＥＲ１０３２Ｈ６０」
（イミダゾール系硬化剤）
・２ＰＨＺ－ＰＷ：２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、四国化成工業株式会社製、商品名
・２ＭＡＯＫ－ＰＷ：２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体、四国化成工業株式会社製、商品名
（フェノキシ樹脂）
・ＺＸ－１３５６－２：フェノキシ樹脂、東都化成株式会社製、商品名、Ｔｇ＝約７１℃、重量平均分子量Ｍｗ＝約６３０００
（アクリル化合物）
Ａ－ＤＰＨ：ジペンタエリスリトールポリアクリレート、新中村化学工業株式会社製、商品名
（有機フィラー）
・ＥＸＬ－２６５５：コアシェルタイプ有機微粒子、ロームアンドハースジャパン（株）製、商品名
（シリカフィラー）
・ＫＥ１８０Ｇ－ＨＬＡ：シリカフィラー、株式会社アドマテックス製、商品名
（フラックス化合物）
・２－メチルグルタル酸：アルドリッチ社製、融点＝約７８℃
【0148】
＜実施例１～７及び比較例１＞
（第１の接着剤フィルムの作製）
表１に示す成分を、ＮＶ値（［乾燥後の塗料分質量］／［乾燥前の塗料分質量］×１００）が６０％になるように有機溶剤（メチルエチルケトン）に添加し、混合液を得た。この際、各成分の添加量は表１に示す量（単位：質量部）とした。その後、上記混合液に、Φ１．０ｍｍのビーズ及びΦ２．０ｍｍのビーズを加え、ビーズミル（フリッチュ・ジャパン株式会社、遊星型微粉砕機Ｐ－７）で３０分撹拌した。ビーズの添加量は、混合液の不揮発分量（有機溶剤以外の成分の合計量）と同質量とした。撹拌後、ビーズをろ過によって除去した。これにより、第１の接着剤層形成用の塗液１Ａ～８Ａを得た。
（第１の接着剤フィルムの作製）
表１に示す成分を、ＮＶ値（［乾燥後の塗料分質量］／［乾燥前の塗料分質量］×１００）が６０％になるように有機溶剤（メチルエチルケトン）に添加し、混合液を得た。この際、各成分の添加量は表１に示す量（単位：質量部）とした。その後、上記混合液に、Φ１．０ｍｍのビーズ及びΦ２．０ｍｍのビーズを加え、ビーズミル（フリッチュ・ジャパン株式会社、遊星型微粉砕機Ｐ－７）で３０分撹拌した。ビーズの添加量は、混合液の不揮発分量（有機溶剤以外の成分の合計量）と同質量とした。撹拌後、ビーズをろ過によって除去した。これにより、第１の接着剤層形成用の塗液１Ａ～８Ａを得た。
【0149】
得られた塗液１Ａ～８Ａを用いて、第１の接着剤層１Ａ～８Ａをそれぞれ備える第１の接着剤フィルム（第１の接着剤フィルム１Ａ～８Ａ）を得た。具体的には、まず、塗液を、基材フィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名「ピューレックスＡ５４」）上に、乾燥後の膜厚が４．５μｍとなるように、小型精密塗工装置（廉井精機）で塗工した。次いで、塗膜をクリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）で乾燥（８０℃／１０ｍｉｎ）することにより、第１の接着剤層を備える第１の接着剤フィルムを得た。
【0150】
【表1】
【0151】
（第２の接着剤フィルムの作製）
表２に示す成分を、ＮＶ値が６０％になるように有機溶剤（メチルエチルケトン）に添加し、混合液を得た。この際、各成分の添加量は表２に示す量（単位：質量部）とした。その後、上記混合液に、Φ１．０ｍｍのビーズ及びΦ２．０ｍｍのビーズを加え、ビーズミル（フリッチュ・ジャパン株式会社、遊星型微粉砕機Ｐ－７）で３０分撹拌した。ビーズの添加量は、混合液の不揮発分量（有機溶剤以外の成分の合計量）と同質量とした。撹拌後、ビーズをろ過によって除去し、第２の接着剤層形成用の塗液１Ｂ及び塗液２Ｂを得た。
表２に示す成分を、ＮＶ値が６０％になるように有機溶剤（メチルエチルケトン）に添加し、混合液を得た。この際、各成分の添加量は表２に示す量（単位：質量部）とした。その後、上記混合液に、Φ１．０ｍｍのビーズ及びΦ２．０ｍｍのビーズを加え、ビーズミル（フリッチュ・ジャパン株式会社、遊星型微粉砕機Ｐ－７）で３０分撹拌した。ビーズの添加量は、混合液の不揮発分量（有機溶剤以外の成分の合計量）と同質量とした。撹拌後、ビーズをろ過によって除去し、第２の接着剤層形成用の塗液１Ｂ及び塗液２Ｂを得た。
【0152】
得られた塗液１Ｂを、基材フィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名「ピューレックスＡ５４」）上に、乾燥後の膜厚が４．５μｍとなるように、小型精密塗工装置（廉井精機）で塗工した。次いで、塗膜をクリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）で乾燥（８０℃／１０ｍｉｎ）することにより、第２の接着剤層１Ｂを備える第２の接着剤フィルム１Ｂを得た。また、塗液１Ｂに代えて塗液２Ｂを用いたこと以外は同様にして、第２の接着剤層２Ｂを備える第２の接着剤フィルム２Ｂを得た。
【0153】
【表2】
【0154】
（フィルム状接着剤の作製）
上記で作製した第１の接着剤フィルム１Ａ～８Ａのいずれか１つと、第２の接着剤フィルム１Ｂ又は２Ｂとを、表３に示す組み合わせでラミネートすることで、第１の接着剤層と第２の接着剤層とを積層し、実施例１～７及び比較例１のフィルム状接着剤（総厚９．０μｍ）を作製した。ラミネート温度は５０℃とした。
上記で作製した第１の接着剤フィルム１Ａ～８Ａのいずれか１つと、第２の接着剤フィルム１Ｂ又は２Ｂとを、表３に示す組み合わせでラミネートすることで、第１の接着剤層と第２の接着剤層とを積層し、実施例１～７及び比較例１のフィルム状接着剤（総厚９．０μｍ）を作製した。ラミネート温度は５０℃とした。
【0155】
＜比較例２＞
上記「第２の接着剤フィルムの作製」と同様にして第２の接着剤層１Ｂを備える第２の接着剤フィルム１Ｂを得た後、得られた第２の接着剤層１Ｂを２層積層して、比較例２のフィルム状接着剤（総厚９．０μｍ）を得た。
上記「第２の接着剤フィルムの作製」と同様にして第２の接着剤層１Ｂを備える第２の接着剤フィルム１Ｂを得た後、得られた第２の接着剤層１Ｂを２層積層して、比較例２のフィルム状接着剤（総厚９．０μｍ）を得た。
【0156】
＜評価＞
実施例１～７及び比較例１～２で得られたフィルム状接着剤を用いて、以下の手順で接続構造体（半導体装置）を作製した。また、得られた接続構造体を用いて、以下に示す方法で、フィレット長さ、ボイド及び封止性の評価を行った。結果を表３に示す。
実施例１～７及び比較例１～２で得られたフィルム状接着剤を用いて、以下の手順で接続構造体（半導体装置）を作製した。また、得られた接続構造体を用いて、以下に示す方法で、フィレット長さ、ボイド及び封止性の評価を行った。結果を表３に示す。
【0157】
（接続構造体の作製）
実施例１～７及び比較例１～２で得られたフィルム状接着剤を所定のサイズ（縦８ｍｍ×横８ｍｍ×厚さ９．０μｍ）に切り抜き、評価用サンプルを作製した。次いで、評価用サンプルをはんだバンプ付き半導体チップ（チップサイズ：縦７．３ｍｍ×横７．３ｍｍ×厚さ０．１５ｍｍ、バンプ高さ：銅ピラー＋はんだ計約４０μｍ、バンプ数３２８）の該はんだバンプが設けられている面（接続面）に貼付し、評価サンプルとはんだバンプ付き半導体チップとの積層体を得た。この際、実施例１～７及び比較例１では、第１の接着剤層側（第２の接着剤層とは反対側）からはんだバンプ付き半導体チップに貼付した。次に、フリップ実装装置「ＦＣＢ３」（パナソニック製、商品名）を用いて、上記積層体を評価サンプル側からガラスエポキシ基板（ガラスエポキシ基材：４２０μｍ厚、銅配線：９μｍ厚）上に実装した。実装は、圧着ヘッド温度を３５０℃とし、圧着時間を３秒とし、圧着圧力を０．５ＭＰａとする条件で行った。これにより、ガラスエポキシ基板と、はんだバンプ付き半導体チップとがデイジーチェーン接続された接続構造体（半導体装置）を得た。
実施例１～７及び比較例１～２で得られたフィルム状接着剤を所定のサイズ（縦８ｍｍ×横８ｍｍ×厚さ９．０μｍ）に切り抜き、評価用サンプルを作製した。次いで、評価用サンプルをはんだバンプ付き半導体チップ（チップサイズ：縦７．３ｍｍ×横７．３ｍｍ×厚さ０．１５ｍｍ、バンプ高さ：銅ピラー＋はんだ計約４０μｍ、バンプ数３２８）の該はんだバンプが設けられている面（接続面）に貼付し、評価サンプルとはんだバンプ付き半導体チップとの積層体を得た。この際、実施例１～７及び比較例１では、第１の接着剤層側（第２の接着剤層とは反対側）からはんだバンプ付き半導体チップに貼付した。次に、フリップ実装装置「ＦＣＢ３」（パナソニック製、商品名）を用いて、上記積層体を評価サンプル側からガラスエポキシ基板（ガラスエポキシ基材：４２０μｍ厚、銅配線：９μｍ厚）上に実装した。実装は、圧着ヘッド温度を３５０℃とし、圧着時間を３秒とし、圧着圧力を０．５ＭＰａとする条件で行った。これにより、ガラスエポキシ基板と、はんだバンプ付き半導体チップとがデイジーチェーン接続された接続構造体（半導体装置）を得た。
【0158】
（フィレット量）
上記で得られた接続構造体を、デジタルマイクロスコープＶＨＸ－６０００（キーエンス製）を用いて、半導体チップ側から観察し、半導体チップの周囲４辺よりはみ出した接着剤（フィレット）の長さを測定した。各辺におけるフィレットの長さとしては、はみ出した接着剤の端部から半導体チップまでの最短距離の最大値を採用した。フィレット量は、４辺のそれぞれで測定したフィレットの長さの平均値により評価した。該平均値が１００μｍ未満であれば、フィレットの発生量が充分に低減されていると判断し、上記平均値が１００μｍ以上である場合をフィレット抑制効果が不十分であると判断した。
上記で得られた接続構造体を、デジタルマイクロスコープＶＨＸ－６０００（キーエンス製）を用いて、半導体チップ側から観察し、半導体チップの周囲４辺よりはみ出した接着剤（フィレット）の長さを測定した。各辺におけるフィレットの長さとしては、はみ出した接着剤の端部から半導体チップまでの最短距離の最大値を採用した。フィレット量は、４辺のそれぞれで測定したフィレットの長さの平均値により評価した。該平均値が１００μｍ未満であれば、フィレットの発生量が充分に低減されていると判断し、上記平均値が１００μｍ以上である場合をフィレット抑制効果が不十分であると判断した。
【0159】
（ボイド）
上記で得られた接続構造体について、超音波映像診断装置（商品名「Ｉｎｓｉｇｈｔ－３００」、インサイト製）により外観画像を撮り、スキャナＧＴ－９３００ＵＦ（ＥＰＳＯＮ社製、商品名）でチップ上の接着剤層（半導体用フィルム状接着剤の硬化物からなる層）の画像を取り込み、画像処理ソフトＡｄｏｂｅ Ｐｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）を用いて、色調補正、二階調化によりボイド部分を識別し、ヒストグラムによりボイド部分の占める割合を算出した。チップ上の接着剤部分の面積を１００％として、ボイド発生率が５％以下の場合を「Ａ」とし、５％より多く１０％以下の場合を「Ｂ」とし、１０％より多い場合を「Ｃ」として評価した。
上記で得られた接続構造体について、超音波映像診断装置（商品名「Ｉｎｓｉｇｈｔ－３００」、インサイト製）により外観画像を撮り、スキャナＧＴ－９３００ＵＦ（ＥＰＳＯＮ社製、商品名）でチップ上の接着剤層（半導体用フィルム状接着剤の硬化物からなる層）の画像を取り込み、画像処理ソフトＡｄｏｂｅ Ｐｈｏｔｏｓｈｏｐ（登録商標）を用いて、色調補正、二階調化によりボイド部分を識別し、ヒストグラムによりボイド部分の占める割合を算出した。チップ上の接着剤部分の面積を１００％として、ボイド発生率が５％以下の場合を「Ａ」とし、５％より多く１０％以下の場合を「Ｂ」とし、１０％より多い場合を「Ｃ」として評価した。
【0160】
（封止性）
上記で得られた接続構造体を、半導体・ＦＰＤ検査顕微鏡ＭＸ６３（ＯＬＹＭＰＵＳ製）を用いて、半導体チップ側から観察し、チップ四角の未充填部分の長さを測定した。未充填部分の長さは、チップ四角から充填部位までの最短距離の最大値を採用した。封止性は未充填部分の長さが５００μｍ未満であれば「Ａ」、５００μｍ以上であれば「Ｂ」として評価した。
上記で得られた接続構造体を、半導体・ＦＰＤ検査顕微鏡ＭＸ６３（ＯＬＹＭＰＵＳ製）を用いて、半導体チップ側から観察し、チップ四角の未充填部分の長さを測定した。未充填部分の長さは、チップ四角から充填部位までの最短距離の最大値を採用した。封止性は未充填部分の長さが５００μｍ未満であれば「Ａ」、５００μｍ以上であれば「Ｂ」として評価した。
【0161】
【表3】
【符号の説明】
【0162】
１，１ａ…半導体用フィルム状接着剤、２，２ａ…第１の接着剤領域、３，３ａ…第２の接着剤領域、４…基材、５…接続部（第１接続部）、９…基体、１０…接続部（第１接続部）、１１…半導体装置、１５…配線（第１接続部及び第２接続部）、２０…半導体チップ、２５…基体、３０…接続バンプ、３２…バンプ（第１接続部及び第２接続部）、４０…封止部、１００，２００，５００…半導体装置、Ａ…半導体ウエハ、Ａ’…半導体チップ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】