特開 2024-157227 ウエーハの加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024157227

(43)【公開日】2024-11-07

(54)【発明の名称】ウエーハの加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20241030BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20241030BHJP

   B23K 26/53 20140101ALI20241030BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 B

H01L21/78 V

H01L21/78 Q

H01L21/304 631

B23K26/53

【審査請求】未請求

【請求項の数】4

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023071458

(22)【出願日】2023-04-25

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110003524

【氏名又は名称】弁理士法人愛宕綜合特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】中村 勝

(72)【発明者】

【氏名】辻本 浩平

【テーマコード（参考）】

4E168

5F057

5F063

【Ｆターム（参考）】

4E168AE01

4E168CA06

4E168DA02

4E168HA01

4E168JA12

5F057AA01

5F057BA11

5F057BB03

5F057CA14

5F057CA32

5F057DA11

5F057DA22

5F057DA31

5F057FA28

5F057FA30

5F063AA02

5F063CB03

5F063CB07

5F063CB24

5F063CB28

5F063CB29

5F063CC05

5F063DD27

5F063DD64

5F063DD81

5F063DD86

5F063DE03

5F063DE34

5F063DG03

5F063FF01

5F063FF33

(57)【要約】      （修正有）

【課題】第一の面と反対側の第二の面とを有し、該第一の面に分割予定ラインを備えたウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法を提供する。
【解決手段】レーザー光線照射手段２３における加工方法は、ウエーハ１０の第一の面１０ａに保護部材を配設する工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線ＬＢの集光点をウエーハの第二の面１０ｂ側から内部に位置付けて照射して、第一の面に近い側に分割の起点となる第一の改質層を形成する工程と、ウエーハに外力を付与してウエーハを個々のチップに分割する工程と、改質層形成工程の前に、改質層形成によってウエーハの第一の面側が膨張して、生じる湾曲を抑制すべく透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの第二の面に近い側に位置付けて少なくとも環状の改質層１１０ａを含む第二の改質層を形成する工程と、を含む。
【選択図】図３

【特許請求の範囲】

【請求項1】

第一の面と反対側の第二の面とを有し、該第一の面に分割予定ラインを備えたウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの第一の面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの第二の面側から分割予定ラインの内部に位置付けて照射して第一の面に近い側に分割の起点となる第一の改質層を形成する改質層形成工程と、
ウエーハに外力を付与してウエーハを個々のチップに分割する分割工程と、
該改質層形成工程の前に、該改質層形成工程によってウエーハの第一の面側が膨張して第二の面側に生じる湾曲を抑制すべく、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの第二の面に近い側に位置付けて照射して、少なくとも環状の改質層を含む第二の改質層を形成する湾曲抑制工程と、を含み構成されるウエーハの加工方法。

【請求項2】

該湾曲抑制工程において形成される第二の改質層は、環状に形成される改質層に加え、放射状に形成される改質層を含む請求項１に記載のウエーハの加工方法。

【請求項3】

該分割工程は、ウエーハの第二の面側を研削して薄化すると共に分割予定ラインの内部に形成された該第一の改質層を起点としてウエーハを個々のチップに分割する請求項１に記載のウエーハの加工方法。

【請求項4】

ウエーハの第一の面には複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが形成され、
該湾曲抑制工程の第二の改質層は、該外周余剰領域に対応する領域に形成される請求項１に記載のウエーハの加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、第一の面と反対側の第二の面とを有し、該第一の面に分割予定ラインを備えたウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、レーザー加工装置によって分割の起点が形成されて個々のチップに分割され、携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。

【0003】

レーザー加工装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを相対的に加工送りする送り手段と、を含み構成されていて、高精度に分割予定ラインの内部に分割の起点となる改質層を形成することができる（例えば特許文献１を参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２００７－０００９３１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし、ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿ってレーザー光線の集光点をウエーハの表面に近い側に位置付けて照射して改質層を形成すると、ウエーハの表面側が全体的に膨張して、ウエーハに表面側に凸となり裏面側が凹となる湾曲が生じて、チャックテーブルにウエーハが適切に保持されないことから、レーザー光線の集光点が適正な位置に位置付けられず、所望の位置に正確に改質層を形成できないという問題が生じる。当該問題は、ウエーハの表面に近い側に改質層を形成すると共に、該改質層から表面側の分割予定ラインに至るクラックを伸展させる場合に特に影響が大きくなる。

【0006】

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、レーザー光線の集光点をウエーハの表面に近い側に位置付けて照射して改質層を形成し分割の起点とする場合であっても、ウエーハの表面側が膨張し、裏面側に湾曲が生じて、レーザー光線の集光点を適正な位置に位置付けられなくなるという問題を解消できるウエーハの加工方法を提供することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、第一の面と反対側の第二の面とを有し、該第一の面に分割予定ラインを備えたウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの第一の面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの第二の面側から分割予定ラインの内部に位置付けて照射して第一の面に近い側に分割の起点となる第一の改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハに外力を付与してウエーハを個々のチップに分割する分割工程と、該改質層形成工程の前に、該改質層形成工程によってウエーハの第一の面側が膨張して第二の面側に生じる湾曲を抑制すべく、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの第二の面に近い側に位置付けて照射して、少なくとも環状の改質層を含む第二の改質層を形成する湾曲抑制工程と、を含み構成されるウエーハの加工方法が提供される。

【0008】

該湾曲抑制工程において形成される第二の改質層は、環状に形成される改質層に加え、放射状に形成される改質層を含むことが好ましい。また、該分割工程は、ウエーハの第二の面側を研削して薄化すると共に分割予定ラインの内部に形成された該第一の改質層を起点としてウエーハを個々のチップに分割する工程であることが好ましい。さらに、該ウエーハの第一の面には複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが形成され、該湾曲抑制工程の第二の改質層は、該外周余剰領域に対応する領域に形成されることが好ましい。

【発明の効果】

【0009】

本発明のウエーハの加工方法は、第一の面と反対側の第二の面とを有し、該第一の面に分割予定ラインを備えたウエーハを個々のチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの第一の面に保護部材を配設する保護部材配設工程と、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの第二の面側から分割予定ラインの内部に位置付けて照射して第一の面に近い側に分割の起点となる第一の改質層を形成する改質層形成工程と、ウエーハに外力を付与してウエーハを個々のチップに分割する分割工程と、該改質層形成工程の前に、該改質層形成工程によってウエーハの第一の面側が膨張して第二の面側に生じる湾曲を抑制すべく、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点をウエーハの第二の面に近い側に位置付けて照射して、少なくとも環状の改質層を含む第二の改質層を形成する湾曲抑制工程と、を含み構成されることから、改質層形成工程を実施することにより発生するウエーハの第一の面側が凸となり第二の面側が凹となる湾曲を生じさせる力が抑制され、改質層形成工程を実施する際に、レーザー光線の集光点が適正な位置に位置付けられず、第一の改質層が所望の位置に形成されないという問題が解消するウエーハの加工方法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】保護部材配設工程の実施態様を示す斜視図である。

【図2】レーザー加工装置のチャックテーブルにウエーハを保持する態様を示す斜視図である。

【図3】（ａ）湾曲抑制工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示す湾曲抑制工程におけるウエーハの一部拡大断面図である。

【図4】（ａ）第二の改質層の形態を示す概略平面図及び一部拡大断面図、（ｂ）第二の改質層の別の形態を示す概略平面図及び一部拡大断面図である。

【図5】（ａ）図４（ａ）に示す第二の改質層に放射状の改質層を形成した形態を示す概略平面図、（ｂ）図４（ｂ）に示す第二の改質層に放射状の改質層を形成した形態を示す概略平面図である。

【図6】（ａ）改質層形成工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）（ａ）に示す実施態様の一部拡大断面図である。

【図7】（ａ）分割工程の実施態様を示す斜視図、（ｂ）分割工程によって個々のチップに分割されたウエーハを示す斜視図である。

【図8】テープ貼り替え工程の実施態様を示す斜視図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

以下、本発明に基づいて構成されるウエーハの加工方法に係る実施形態について、添付図面を参照しながら、詳細に説明する。

【0012】

本実施形態のウエーハの加工方法によって加工される被加工物は、例えば、図１に示すような第一の面（以下「表面」という）１０ａと、反対側の第二の面（以下「裏面」という）１０ｂと、を有するシリコン（Ｓｉ）のウエーハ１０である。図示のウエーハ１０の表面１０ａには、複数のデバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され形成された中央寄りのデバイス領域１６Ａと、該デバイス領域１６Ａを囲繞する外周余剰領域１６Ｂとが形成されている。なお、図１では、デバイス領域１６Ａと外周余剰領域１６Ｂとを区分する境界線１５が一点鎖線で示されているが、該境界線１５は、説明の都合上記載したものであり、実際にウエーハ１０に形成されたものではない。

【0013】

上記したウエーハ１０を用意したならば、図１に示すように、ウエーハ１０の表面１０ａに、デバイス１２を保護する保護部材として機能する保護テープＴを配設する（保護部材配設工程）。

【0014】

上記した保護部材配設工程を実施して保護テープＴと一体とされたウエーハ１０に対し、後述する第一の改質層を形成する改質層形成工程と、該第一の改質層を分割の起点として個々のチップに分割する分割工程を実施する。ここで、本実施形態では、該改質層形成工程によって形成される第一の改質層によってウエーハ１０の表面１０ａ側が膨張して裏面１０ｂ側に生じる凹状の湾曲が発生することを抑制すべく、該改質層形成工程を実施する前に、以下に説明する第二の改質層を形成する湾曲抑制工程を実施する。

【0015】

本実施形態の湾曲抑制工程を実施するに際し、上記したウエーハ１０を、図２に示すレーザー加工装置２０（一部のみを示している）に搬送し、保護テープＴ側を下方に、裏面１０ｂ側を上方に向けて、チャックテーブル２１に載置する。チャックテーブル２１は、枠体２１ｂと、該枠体２１ｂに囲繞された吸着チャック２１ａとを備えている。該吸着チャック２１ａは、通気性を有するポーラス部材によって形成され、枠体２１ｂは、図示を省略する吸引手段に接続されている。該吸引手段を作動することにより、吸着チャック２１ａに負圧を生成して、ウエーハ１０を吸引保持することができる。

【0016】

レーザー加工装置２０は、上記したチャックテーブル２１に加え、図３（ａ）に示すように、チャックテーブル２１に保持されたウエーハ１０にレーザー光線ＬＢを照射するレーザー光線照射手段２３を備え、さらに、該チャックテーブル２１とレーザー光線照射手段２３とを相対的にＸ軸方向に加工送りするＸ軸送り手段と、チャックテーブル２１とレーザー光線照射手段２３とを相対的にＸ軸方向と直交するＹ軸方向に加工送りするＹ軸送り手段と、該保持手段を矢印Ｒ１で示す方向に回転させる回転駆動手段と、赤外線をチャックテーブル２１に向けて照射すると共に反射した赤外線の反射光を受光することができる赤外線ＣＣＤカメラを含むアライメント手段と、を備えている（いずれも図示は省略する）。上記したレーザー光線照射手段２３によって照射されるレーザー光線ＬＢは、ウエーハ１０を構成するシリコンに対して透過性を有する波長のレーザー光線である。

【0017】

上記のチャックテーブル２１に吸引保持されたウエーハ１０は、Ｘ軸送り手段によって上記のアライメント手段の直下に位置付けられて撮像され、後述する改質層形成工程によって第一の改質層が形成される加工位置、及びこの湾曲抑制工程によって形成される第二の改質層が形成される加工位置を検出する。検出された該加工位置の情報は、図示を省略する制御手段に記憶される。

【0018】

上記したアライメント手段によって検出された第二の改質層を形成する加工位置の情報に基づき、第二の改質層を形成する加工開始位置にレーザー光線照射手段２３の集光器２３ａを位置付ける。なお、第二の改質層を形成する加工位置は、図３（ａ）に示すように、上記した外周余剰領域１６Ｂに対応する領域に設定され、レーザー光線照射手段２３の集光器２３ａを、外周余剰領域１６Ｂの所定の加工開始位置に位置付ける。レーザー光線照射手段２３から照射されるレーザー光線ＬＢの集光点は、図３（ｂ）に示すように、ウエーハ１０の内部であって、ウエーハ１０の厚み方向でみたとき、上方に露出する裏面１０ｂ側に近い位置に位置付けられる。なお、該集光点を位置付ける位置は、ウエーハ１０の外周端部側を形成する面取り部１０ｃ（図３（ｂ）を参照）を避けるように、例えば、外周端部から１．０～２．０ｍｍの領域を避けた内側の外周余剰領域１６Ｂに設定される。

【0019】

上記したように、レーザー光線ＬＢの集光点を位置付けたならば、図３（ａ）に示すように、レーザー光線照射手段２３を作動してレーザー光線ＬＢを照射すると共に、チャックテーブル２１を矢印Ｒ１で示す方向に回転して、図３（ｂ）に示すように、第二の改質層として環状の改質層１１０ａを形成する。該環状の改質層１１０ａは、図４（ａ）に示すように、平面視で外周余剰領域１６Ｂに形成された環状の改質層であり、その中心は、ウエーハ１０の中心と一致するように形成される。

【0020】

なお、上記した環状の改質層１１０ａを形成すべくレーザー加工装置２０によって実施されるレーザー加工条件は、例えば以下のように設定される。
波長 ：１３４２ｎｍ
繰り返し周波数 ：９０ｋＨｚ
平均出力 ：１．２Ｗ
円周送り速度 ：５００ｍｍ／秒

【0021】

図３（ｂ）に示すように、ウエーハ１０の厚み方向でみたとき、環状の改質層１１０ａを裏面１０ｂ側に近い位置に形成することにより、ウエーハ１０において、裏面１０ｂ側が凸となるように湾曲する力が作用する。このように、ウエーハ１０に上記した環状の改質層１１０ａを形成した場合、ウエーハ１０には、表面１０ａが凹となるように湾曲する力が作用するが、チャックテーブル２１の吸着チャック２１ａと該表面１０ａとの間で閉空間が形成されることから、該吸着チャック２１ａに作用する吸引用の負圧が外部に逃げることなく、ウエーハ１０は、チャックテーブル２１に適正に吸引保持される。

【0022】

図３、図４（ａ）に基づき説明した上記の実施形態では、第二の改質層として、外周余剰領域１６Ｂに対応する領域に環状の改質層１１０ａを１条形成するものであったが、第二の改質層の形態はこれに限定されない。例えば、図４（ｂ）に示すように、外周余剰領域１６Ｂに形成した上記の環状の改質層１１０ａに加え、環状の改質層１１０ａと同心円状の環状の改質層１１０ｂを、上記の環状の改質層１１０ａと同様の加工手順により形成し、２条の環状の改質層１１０ａ、１１０ｂを形成するものであってもよい。さらに、前記した２条の環状の改質層を形成することに限定されず、３条以上の環状の改質層を形成するものであってもよい。

【0023】

また、上記した第二の改質層は、上記した環状の改質層１１０ａ、１１０ｂを形成することに加え、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、放射状に形成される改質層１２０ａ、又は１２０ｂを含んでいてもよい。該放射状の改質層１２０ａ、１２０ｂは、上記した環状の改質層１１０ａ、１１０ｂと同様に、外周余剰領域１６Ｂに形成されると共に、ウエーハ１０の厚み方向でみたときに、ウエーハ１０の第二の面、すなわち裏面１０ｂに近い側に形成される。図５（ａ）は、図４（ａ）に示す１条の環状の改質層１１０aが形成されたウエーハ１０に対して放射状の改質層１２０ａを形成したものであり、図５（ｂ）は、図４（ｂ）に示す２条の環状の改質層１１０ａ、１１０ｂが形成されたウエーハ１０に対して、放射状の改質層１２０ｂを形成したものである。このような放射状の改質層１２０ａ、１２０ｂを形成することにより、ウエーハ１０において、より強く裏面１０ｂ側が凸となるように湾曲する力が作用する。上記したように第二の改質層を形成することで湾曲抑制工程が完了する。

【0024】

上記したように、湾曲抑制工程を実施したならば、図６（ａ）、（ｂ）を参照しながら以下に説明する第一の改質層を形成する改質層形成工程を実施する。

【0025】

改質層形成工程は、ウエーハ１０を個々のチップに分割するための起点となる第一の改質層を形成する工程であり、図６（ａ）に示すように、上記の湾曲抑制工程を実施したレーザー加工装置２０によってウエーハ１０をチャックテーブル２１に保持したまま、それに続けて実施することが可能である。本実施形態の改質層形成工程を実施するに際し、上記したアライメント手段によって検出された分割予定ライン１４に基づいて所定方向の分割予定ライン１４をＸ軸方向に整合させる。次いで、所定の分割予定ライン１４の加工開始位置にレーザー光線照射手段２３の集光器２３ａを位置付け、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側から、分割予定ライン１４に対応するウエーハ１０の内部であって表面１０ａに近い側に集光点を位置付けて照射すると共に、上記したＸ軸送り手段を作動して、該保持手段と共にウエーハ１０をＸ軸方向に加工送りして、ウエーハ１０の所定の分割予定ライン１４に沿って第一の改質層１３０を形成する。図６（ｂ）に示すように、第一の改質層１３０は、ウエーハ１０の厚み方向でみて、第一の面、すなわち表面１０ａに近い側に形成される。なお、図６（ａ）では、説明の都合上、上記した環状の改質層１１０ａ、１１０ｂは省略している。

【0026】

上記のように所定の分割予定ライン１４に対応する位置に沿って第一の改質層１３０を形成したならば、上記したＹ軸送り手段を作動して、ウエーハ１０をＹ軸方向に分割予定ライン１４の間隔だけ割り出し送りして、Ｙ軸方向で隣接する未加工の分割予定ライン１４を集光器２３ａの直下に位置付ける。なお、本実施形態のウエーハ１０の分割予定ライン１４は、デバイス１２を構成するチップの寸法に対応する５ｍｍの間隔で形成されており、Ｙ軸方向に割り出し送りする際の間隔は５ｍｍである。そして、上記したのと同様にしてレーザー光線ＬＢの集光点を、分割予定ライン１４に対応するウエーハ１０の内部であって表面１０ａに近い側に位置付けて該レーザー光線ＬＢを照射し、ウエーハ１０をＸ軸方向に加工送りして第一の改質層１３０を形成する。同様にして、ウエーハ１０をＸ軸方向、及びＹ軸方向に加工送りして、Ｘ軸方向に沿うすべての分割予定ライン１４に沿って第一の改質層１３０を形成する。次いで、ウエーハ１０を９０度回転させて、既に第一の改質層１３０を形成した分割予定ライン１４に直交する方向の未加工の分割予定ライン１４をＸ軸方向に整合させる。そして、残りの各分割予定ライン１４に対応するウエーハ１０の内部に、上記したのと同様にしてレーザー光線ＬＢの集光点を位置付けて照射して、ウエーハ１０に形成された全ての分割予定ライン１４に対応するウエーハ１０の内部に改質層１３０を形成する、以上により改質層形成工程が完了する。

【0027】

上記したレーザー加工装置２０によって分割の起点となる第一の改質層１３０を形成すべく実施されるレーザー加工条件は、例えば以下のように設定される。なお、図示はしていないが、第一の改質層１３０を形成する際に、該第一の改質層１３０から表面１０ａに延びるクラックが形成されるように加工条件を設定してもよい。
波長 ：１３４２ｎｍ
繰り返し周波数 ：９０ｋＨｚ
平均出力 ：１．２Ｗ
加工送り速度 ：７００ｍｍ／秒

【0028】

上記した改質層形成工程では、ウエーハ１０を個々のチップに分割する際の分割の起点となる第一の改質層１３０をウエーハ１０の表面１０ａに近い側に形成している。これにより、ウエーハ１０の表面１０ａ側が全体的に膨張して、ウエーハ１０に表面１０ａ側が凸となり裏面１０ｂ側が凹となる湾曲を生じさせる力が作用する。しかし、本実施形態では、該改質層形成工程を実施する前に、上記した湾曲抑制工程を実施しており、裏面１０ｂ側に凸となり表面１０ａ側が凹となる湾曲を生じさせる力を生じさせている。この結果、上記した改質層形成工程を実施することにより発生するウエーハ１０の表面１０ａ側が凸となり裏面１０ｂ側が凹となる湾曲を生じさせる力が抑制される。これにより、改質層形成工程を実施する際に、ウエーハ１０が湾曲して、レーザー光線ＬＢの集光点が適正な位置に位置付けられず、第一の改質層１３０が所望の位置に形成されないという問題が解消する。

【0029】

上記した改質層形成工程によって第一の改質層１３０を形成したならば、ウエーハ１０に対して外力を付与して個々のチップに分割する分割工程を実施する。該分割工程は、例えば、図７（ａ）、（ｂ）を参照しながら以下に説明するように実施される。なお、図７（ａ）、（ｂ）では、第一の改質層１３０、第二の改質層１１０ａ、１１０ｂの記載は省略している。

【0030】

該分割工程を実施するに際し、改質層形成工程によって第一の改質層１３０が形成されたウエーハ１０を、図７に示す研削装置３０（一部のみを示している）に搬送する。研削装置３０は、チャックテーブル３１と、該チャックテーブル３１上に吸引保持されたウエーハ１０の裏面１０ｂを研削して薄化するための研削手段３２とを備えている。研削手段３２は、図示しない回転駆動機構により回転させられる回転スピンドル３３と、回転スピンドル３３の下端に装着されたホイールマウント３４と、ホイールマウント３４に取り付けられ、下面側に複数の研削砥石３６が環状に配設された研削ホイール３５と、を備えている。

【0031】

ウエーハ１０の保護テープＴが貼着された側をチャックテーブル３１に載置して吸引保持したならば、研削手段３２の回転スピンドル３３を図７（ａ）において矢印Ｒ３で示す方向に、例えば６０００ｒｐｍで回転させつつ、チャックテーブル３１を矢印Ｒ４で示す方向に、例えば３００ｒｐｍで回転させる。そして、図示しない研削水供給手段により、研削水をウエーハ１０の裏面１０ｂ上に供給しつつ、研削砥石３６をウエーハ１０の裏面１０ｂに当接させ、研削ホイール３５を、例えば１μｍ／秒の研削送り速度で下方に向けて研削送りする。この際、図示しない接触式又は非接触式の測定ゲージによりウエーハ１０の厚みを測定しながら研削を進めることができ、ウエーハ１０の裏面１０ｂを所定量研削する。この結果、ウエーハ１０が薄化されると共に外力が付与されて、上記した第一の改質層１３０に沿って表面１０ａ側にクラックが伸展して、個々のチップ１２’に分割される。ウエーハ１０が個々のチップ１２’に分割され所定の厚みに形成されたならば、研削手段３０を停止し、図示を省略する洗浄、乾燥工程等を経て、ウエーハ１０を個々のチップ１２’に分割する分割工程が完了し、本実施形態のウエーハの加工方法が完了する。

【0032】

上記したウエーハの加工方法によってウエーハ１０を個々のチップ１２’に分割したならば、必要に応じて、図８を参照しながら以下に説明するテープ貼り替え工程を実施してもよい。該テープ貼り替え工程を実施するに際し、図８に示すようなウエーハ１０を収容可能な開口部Ｆａを有する環状のフレームＦを用意し、上記の如く分割工程が施されたウエーハ１０の裏面１０ｂ側を下方に向けて、該開口部Ｆａの中央に位置付ける。次いで、ウエーハ１０の裏面１０ｂと、フレームＦの裏面とを共に貼着する粘着テープＴ２によって、ウエーハ１０とフレームＦとを支持する。図示のようにウエーハ１０が粘着テープＴ２を介してフレームＦに支持されたならば、図示のようにウエーハ１０の表面１０ａから保護テープＴ１を剥離して露出させる。以上により、テープ貼り替え工程が完了する。これにより、ウエーハ１０が粘着テープＴ２を介してフレームＦに支持されて表面１０ａが露出し、個々に分割されたチップ１２’をウエーハ１０からピックアップし易くなり、例えば、次工程のボンディング工程を実施することが容易になる。

【0033】

なお、上記した実施形態では、第二の改質層を構成する環状の改質層１１０ａ、１１０ｂ、放射状の改質層１２０ａ、１２０ｂ等を、ウエーハ１０の外周余剰領域１６Ｂに形成したが、本発明は、該第二の改質層を、外周余剰領域１６Ｂに形成することに限定されない。すなわち、上記した第二の改質層を外周余剰領域１６Ｂに形成することに替えて、デバイス領域１６Ａに第二の改質層を形成するか、又は外周余剰領域１６Ｂに上記した第二の改質層を形成することに加えて、デバイス領域１６Ａに対しても第二の改質層として機能する改質層を形成するようにしてもよい。デバイス領域１６Ａに形成される該第二の改質層は、上記した実施形態と同様に、環状の改質層であってもよく、放射状の改質層であってもよい。このように湾曲抑制工程においてデバイス領域１６Ａに上記の第二の改質層を形成する場合は、上記した研削装置３０を使用して裏面１０ｂを研削して個々のチップ１２’に分割する際に、デバイス領域１６Ａに形成された該第二の改質層が除去される深さ位置に形成されるようにする。なお、デバイス領域１６Ａに形成された第二の改質層は、改質層形成工程において第一の改質層を形成する際のレーザー光線の照射の妨げになるおそれがある。よって、湾曲抑制工程において第二の改質層を形成する際には、分割予定ライン１４と交差する位置に該第二の改質層を形成しないようにすることが好ましい。これにより、第二の改質層が、改質層形成工程において第一の改質層を形成する際のレーザー加工の妨げになるという問題が回避される。

【0034】

また、本発明の分割工程は、上記した研削装置３０によってウエーハ１０の裏面１０ｂ側を研削すると共に薄化することで外力を付与して個々のチップ１２’に分割することに限定されない。例えば、上記した研削装置３０によってウエーハ１０の裏面１０ｂを研削することに替えて、図８に基づき説明したように、テープ貼り替え工程を実施することでウエーハ１０が粘着テープＴ２を介してフレームＦに支持された状態とし、ウエーハ１０に対して外力を付与すべく該粘着テープＴ２を放射状に拡張することにより、上記した第一の改質層１３０に沿ってウエーハ１０を個々のチップ１２’に分割するようにしてもよい。また、これに替えて、柔軟性のあるマットにウエーハ１０を載置すると共にウエーハ１０の裏面１０ｂに対して図示しないローラーを転がすことで、外力となる押圧力を付与して第一の改質層１３０を起点として個々のチップ１２’に分割するようにしてもよい。

【0035】

なお、上記したように、湾曲抑制工程において第二の改質層を形成する領域と分割工程を実施する方法とは、種々の組み合わせが想定されるが、該分割工程を、研削装置３０によってウエーハ１０の裏面１０ｂを研削することによらず実施する場合、例えば、図８に基づき説明したテープ貼り替え工程を実施して、粘着テープＴ２を放射状に拡張することにより実施して個々のチップ１２’に分割する場合は、デバイス１２が形成されたデバイス領域１６Ａに第二の改質層を形成することは回避することが好ましい。

【符号の説明】

【0036】

１０：ウエーハ
１０ａ：表面（第一の面）
１０ｂ：裏面（第二の面）
１０ｃ：面取り部
１２：デバイス
１２’：チップ
１４：分割予定ライン
１５：境界線
１６Ａ：デバイス領域
１６Ｂ：外周余剰領域
２０：レーザー加工装置
２１：チャックテーブル
２１ａ：吸着チャック
２１ｂ：枠体
２３：レーザー光線照射手段
２３ａ：集光器
３０：研削装置
３１：チャックテーブル
３２：研削手段
３５：研削ホイール
３６：研削砥石
１１０ａ、１１０ｂ：環状の改質層（第二の改質層）
１２０ａ、１２０ｂ：放射状の改質層（第二の改質層）
１３０：第一の改質層
Ｆ：フレーム
Ｔ１：保護テープ
Ｔ２：粘着テープ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】