特開 2024-157986 ＳｉＣ基板の加工方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024157986

(43)【公開日】2024-11-08

(54)【発明の名称】ＳｉＣ基板の加工方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/301 20060101AFI20241031BHJP

【ＦＩ】

H01L21/78 B

H01L21/78 Q

H01L21/78 V

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023072719

(22)【出願日】2023-04-26

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】鈴木 章文

(72)【発明者】

【氏名】九鬼 潤一

【テーマコード（参考）】

5F063

【Ｆターム（参考）】

5F063AA35

5F063BA45

5F063CB06

5F063CB28

5F063DD31

5F063DD68

5F063DD81

5F063DG01

5F063EE78

5F063EE81

(57)【要約】

【課題】加工品質の低下を抑制しながらも、加工の所要時間を抑制することができるＳｉＣ基板の加工方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣ基板の加工方法は、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して金属膜を分断するとともにＳｉＣ基板に分割予定ラインに沿った溝を形成するレーザ加工ステップ１００１と、レーザ加工ステップ１００１を実施する前または後に、金属膜上にテープを配設するテープマウントステップ１００２と、分割すべき分割予定ラインに隣接した領域のデバイスをＳｉＣ基板の上下から挟持部材で挟持するとともに、分割すべき分割予定ラインを挟んで挟持部材の反対側で分割すべき分割予定ラインに隣接した領域のＳｉＣ基板のデバイスを押圧部材で押圧し分割すべき分割予定ラインに沿ってＳｉＣ基板を分割する分割ステップ１００３と、を備える。
【選択図】図２

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の分割予定ラインが設定されるとともに裏面に金属膜が積層されたＳｉＣ基板の加工方法であって、
該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該分割予定ラインに沿って該金属膜を分断するとともに該ＳｉＣ基板に該分割予定ラインに沿った溝を形成するレーザ加工ステップと、
該レーザ加工ステップを実施する前または後に、該金属膜上にテープを配設するテープマウントステップと、
該レーザ加工ステップと該テープマウントステップとを実施した後、分割すべき分割予定ラインに隣接した領域をＳｉＣ基板の上下から挟持部材で挟持するとともに、該分割すべき分割予定ラインを挟んで該挟持部材の反対側で該分割すべき分割予定ラインに隣接した領域のＳｉＣ基板を押圧部材で押圧し該分割すべき分割予定ラインに沿ってＳｉＣ基板を分割する分割ステップと、を備えたＳｉＣ基板の加工方法。

【請求項2】

該テープマウントステップは、該レーザ加工ステップの前に実施し、
該レーザ加工ステップでは、ＳｉＣ基板の表面側を保持テーブルで保持して該テープ越しに該レーザビームを該金属膜に照射して該金属膜を分断するとともに該ＳｉＣ基板にレーザ加工溝を形成する、請求項１に記載のＳｉＣ基板の加工方法。

【請求項3】

該レーザ加工ステップにおける該レーザビームの集光スポットの形状は楕円形状であり、該レーザ加工ステップでは、該分割予定ラインの伸長方向に該集光スポットの該楕円形状の長軸が位置づけられる、請求項１または請求項２に記載のＳｉＣ基板の加工方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、複数の分割予定ラインが設定されるとともに裏面に金属膜が積層されたＳｉＣ基板の加工方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体基板としてＳｉＣ基板を利用したＳｉＣ半導体デバイスが広く市場に流通しており、ＳｉＣ半導体デバイスは、ＳｉＣ基板上に複数形成された後、個々のデバイスへと分割される。

【0003】

難切削材であるＳｉＣ基板を個々のチップへ分割するためにＳｉＣ基板を切削ブレードで切削するとチッピングと呼ばれる欠けが大きく生じたり、切削ブレードの消耗が激しく生じる。そこで、切削ブレードに超音波振動を付与しつつ切削する切削方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２１－１６７０４６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

しかし、特許文献１に示された切削方法は、切削スピードを上昇させることが難しく加工に時間を要しており、改善が切望されている。また、裏面に金属膜が形成されたＳｉＣ基板の場合は切削ブレードが金属膜を切削することで目潰れして加工品質の悪化を招くという問題もある。

【0006】

本発明の目的は、加工品質の低下を抑制しながらも、加工の所要時間を抑制することができるＳｉＣ基板の加工方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のＳｉＣ基板の加工方法は、複数の分割予定ラインが設定されるとともに裏面に金属膜が積層されたＳｉＣ基板の加工方法であって、該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該分割予定ラインに沿って該金属膜を分断するとともに該ＳｉＣ基板に該分割予定ラインに沿った溝を形成するレーザ加工ステップと、該レーザ加工ステップを実施する前または後に、該金属膜上にテープを配設するテープマウントステップと、該レーザ加工ステップと該テープマウントステップとを実施した後、分割すべき分割予定ラインに隣接した領域をＳｉＣ基板の上下から挟持部材で挟持するとともに、該分割すべき分割予定ラインを挟んで該挟持部材の反対側で該分割すべき分割予定ラインに隣接した領域のＳｉＣ基板を押圧部材で押圧し該分割すべき分割予定ラインに沿ってＳｉＣ基板を分割する分割ステップと、を備えたことを特徴とする。

【0008】

前記ＳｉＣ基板の加工方法において、該テープマウントステップは、該レーザ加工ステップの前に実施し、該レーザ加工ステップでは、ＳｉＣ基板の表面側を保持テーブルで保持して該テープ越しに該レーザビームを該金属膜に照射して該金属膜を分断するとともに該ＳｉＣ基板にレーザ加工溝を形成しても良い。

【0009】

前記ＳｉＣ基板の加工方法において、該レーザ加工ステップにおける該レーザビームの集光スポットの形状は楕円形状であり、該レーザ加工ステップでは、該分割予定ラインの伸長方向に該集光スポットの該楕円形状の長軸が位置づけられても良い。

【発明の効果】

【0010】

本発明は、加工品質の低下を抑制しながらも、加工の所要時間を抑制することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象のＳｉＣ基板の一例を示す斜視図である。

【図2】図２は、実施形態１に係るＳｉＣ基板の加工方法の流れを示すフローチャートである。

【図3】図３は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップにおいて、ＳｉＣ基板の表面にテープを貼着し、テープの外縁部にフレームを貼着した状態を模式的に示す斜視図である。

【図4】図４は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップにおいて、ＳｉＣ基板の金属膜に溝を形成する状態を一部断面で模式的に示す側面図である。

【図5】図５は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップにおいて照射されるレーザビームのスポット形状等を模式的に示す平面図である。

【図6】図６は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップ後のＳｉＣ基板の要部を模式的に示す断面図である。

【図7】図７は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法のテープマウントステップ後のＳｉＣ基板の要部を模式的に示す断面図である。

【図8】図８は、実施形態１に係るワークの加工方法の分割ステップを実施するブレーキング装置の構成例を模式的に示す斜視図である。

【図9】図９は、図８に示されたブレーキング装置の挟持ユニットの下側挟持ユニットの構成を模式的に示す斜視図である。

【図10】図１０は、図８に示されたブレーキング装置の挟持ユニットの上側挟持ユニットの構成を示す一部断面で模式的に示す側面図である。

【図11】図１１は、図８に示されたブレーキング装置の押圧部材を一部断面で模式的に示す側面図である。

【図12】図１２は、図１１に示された矢印ＸＩＩ方向からみた荷重計測部を一部断面で模式的に示す正面図である。

【図13】図１３は、図２に示されたワークの加工方法の分割ステップにおいて、フレーム固定ユニットにフレームを固定した状態を一部断面で模式的に示す側面図である。

【図14】図１４は、図２に示されたワークの加工方法の分割ステップにおいて、挟持部材間に分割すべき分割予定ラインの隣のデバイスを挟持した状態を一部断面で模式的に示す側面図である。

【図15】図１５は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法の分割ステップにおいて、分割すべき分割予定ラインを分割した状態を一部断面で模式的に示す側面図である。

【図16】図１６は、実施形態２に係るＳｉＣ基板の加工方法の流れを示すフローチャートである。

【図17】図１７は、図１６に示されたＳｉＣ基板の加工方法のテープマウントステップ後のＳｉＣ基板等を模式的に示す斜視図である。

【図18】図１８は、図１６に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップにおいてレーザ加工装置が保持テーブルに保持したＳｉＣ基板を保持テーブルを通して下方撮像カメラで撮像する状態を一部断面で模式的に示す側面図である。

【図19】図１９は、図１６に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップにおいてレーザ加工装置がレーザビームを金属膜に照射する状態を一部断面で模式的に示す側面図である。

【図20】図２０は、図１６に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップ後のＳｉＣ基板の要部を模式的に示す断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

【0013】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象のＳｉＣ基板の一例を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係るＳｉＣ基板の加工方法の流れを示すフローチャートである。

【0014】

（ＳｉＣ基板）
実施形態１に係るＳｉＣ基板の加工方法は、図１に示すＳｉＣ基板１の加工方法である。実施形態１では、ＳｉＣ基板１は、ＳｉＣ（炭化ケイ素）を基板２とする円板状の半導体ウェーハ等のウェーハである。ＳｉＣ基板１は、図１に示すように、基板２の表面３に互いに交差する分割予定ライン４が複数設定され、分割予定ライン４によって区画された領域にデバイス５が形成されている。

【0015】

デバイス５は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）、又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、又はメモリ（半導体記憶装置）である。

【0016】

また、実施形態１では、ＳｉＣ基板１は、基板２の表面３の裏側の裏面６に金属膜７が積層されている。

【0017】

（ＳｉＣ基板の加工方法）
実施形態１に係るＳｉＣ基板の加工方法は、ＳｉＣ基板１を分割予定ライン４に沿って個々のチップ１０に分割する方法である。なお、チップ１０は、基板２の一部と、基板２上のデバイス５と、基板２の裏面６側の金属膜７の一部を含む。実施形態１に係る加工方法は、図２に示すように、レーザ加工ステップ１００１と、テープマウントステップ１００２と、分割ステップ１００３とを備える。

【0018】

（レーザ加工ステップ）
図３は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップにおいて、ＳｉＣ基板の表面にテープを貼着し、テープの外縁部にフレームを貼着した状態を模式的に示す斜視図である。図４は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップにおいて、ＳｉＣ基板の金属膜に溝を形成する状態を一部断面で模式的に示す側面図である。図５は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップにおいて照射されるレーザビームのスポット形状等を模式的に示す平面図である。図６は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップ後のＳｉＣ基板の要部を模式的に示す断面図である。

【0019】

レーザ加工ステップ１００１は、分割予定ライン４に沿ってレーザビーム２２２（図４に示す）を照射して分割予定ライン４に沿って金属膜７を分断するとともにＳｉＣ基板１に分割予定ライン４に沿った溝１１（図６に示し、レーザ加工溝に相当）を形成するステップである。実施形態１において、レーザ加工ステップ１００１では、まず、図３に示すように、ＳｉＣ基板１の表面３にＳｉＣ基板１よりも大径な円板状のテープ８の中央部を貼着し、テープ８の外縁部に内径がＳｉＣ基板１の外径よりも大径な環状のフレーム９を貼着する。

【0020】

なお、実施形態１では、テープ８は、非粘着性と可撓性を有する樹脂により構成された基材と、基材に積層されかつ粘着性と可撓性を有する樹脂により構成された糊層とを備え、糊層がＳｉＣ基板１及びフレーム９に貼着される粘着テープ、又は、糊層を備えずに熱可塑性樹脂により構成されかつＳｉＣ基板１及びフレーム９に熱圧着される基材のみから構成されるシートである。

【0021】

また、実施形態１では、フレーム９は、非可撓性の硬質な材料により構成され、実施形態１では、磁性を有する金属により構成されている。

【0022】

実施形態１において、レーザ加工ステップ１００１では、図４に示すレーザ加工装置２０が、開閉弁２１２を開いて吸引源２１３によりＳｉＣ基板１の表面３をテープ８を介して保持テーブル２１の保持面２１１に吸引保持し、フレーム９を保持テーブル２１の周囲に設けられたクランプ部２１４で挟持する。実施形態１において、レーザ加工ステップ１００１では、レーザ加工装置２０が、撮像カメラでＳｉＣ基板１を撮像し、ＳｉＣ基板１とレーザビーム照射ユニット２２の集光器である集光レンズ２２１との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。なお、本発明において、レーザ加工ステップ１００１では、実施形態２と同様に、透明な材料からなる保持テーブル上にＳｉＣ基板１を保持し、ＳｉＣ基板１の下方から保持テーブル越しにＳｉＣ基板１を撮像して、アライメントを遂行しても良い。

【0023】

実施形態１において、レーザ加工ステップ１００１では、レーザ加工装置２０が、図４に示すように、保持テーブル２１とレーザビーム照射ユニット２２とを分割予定ライン４に沿って相対的に移動させながら、発振器が発振した金属膜７に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザビーム２２２を各分割予定ライン４の金属膜７に向かって照射して、アブレーション加工により分割予定ライン４の金属膜７を分断する。なお、実施形態１において、レーザ加工ステップ１００１では、レーザビーム２２２の繰り返し周波数を１２０ｋＨｚとし、ＳｉＣ基板１の加工送り速度を１５０ｍｍ／ｓとし、集光レンズ２２１の開口数（ＮＡ）を０．０６５とし、発振器のレーザビーム２２２の出力を３．９Ｗとする。

【0024】

また、レーザ加工装置２０は、図５に示すように、レーザ加工ステップ１００１におけるレーザビーム２２２の金属膜７の表面における集光スポット２２３の形状は楕円形状である。レーザ加工ステップ１００１では、レーザ加工装置２０は、分割予定ライン４の伸長方向（長手方向ともいう）に集光スポット２２３の楕円形状の長軸が位置づけられている。なお、レーザ加工装置２０は、発振器が発振した円形状のスポット形状のレーザビーム２２２をレーザビーム照射ユニット２２の平凹シリンドリカルレンズ及び平凸シリンドリカルレンズ、マスク、又は複数の直角プリズムにより集光スポット２２３が楕円形状のレーザビームに形成する。実施形態１において、レーザ加工ステップ１００１では、レーザ加工装置８０が、図６に示すように、分割予定ライン４に沿った溝１１を各分割予定ライン４の全長に亘ってＳｉＣ基板１に形成する。なお、溝１１は、金属膜７を分断し、基板２の一部を除去して、底に基板２を露出させている。

【0025】

（テープマウントステップ）
図７は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法のテープマウントステップ後のＳｉＣ基板の要部を模式的に示す断面図である。テープマウントステップ１００２は、レーザ加工ステップ１００１を実施した後に、金属膜７上にテープ１２を配設するステップである。実施形態１において、テープマウントステップ１００２では、図７に示すように、ＳｉＣ基板１の金属膜７にＳｉＣ基板１よりも大径な円板状のテープ１２の中央部を貼着し、テープ１２の外縁部にフレーム９を貼着する。

【0026】

なお、実施形態１では、テープ１２は、テープ８と同様に、非粘着性と可撓性を有する樹脂により構成された基材と、基材に積層されかつ粘着性と可撓性を有する樹脂により構成された糊層とを備え、糊層がＳｉＣ基板１及びフレーム９に貼着される粘着テープ、又は、糊層を備えずに熱可塑性樹脂により構成されかつＳｉＣ基板１及びフレーム９に熱圧着される基材のみから構成されるシートである。

【0027】

（ブレーキング装置）
次に、分割ステップを実施する図８に示されたブレーキング装置３０を説明する。図８は、実施形態１に係るワークの加工方法の分割ステップを実施するブレーキング装置の構成例を模式的に示す斜視図である。図９は、図８に示されたブレーキング装置の挟持ユニットの下側挟持ユニットの構成を模式的に示す斜視図である。図１０は、図８に示されたブレーキング装置の挟持ユニットの上側挟持ユニットの構成を示す一部断面で模式的に示す側面図である。図１１は、図８に示されたブレーキング装置の押圧部材を一部断面で模式的に示す側面図である。図１２は、図１１に示された矢印ＸＩＩ方向からみた荷重計測部を一部断面で模式的に示す正面図である。

【0028】

図８に示されたブレーキング装置３０は、ＳｉＣ基板１を分割予定ライン４に沿って分割して、ＳｉＣ基板１を個々のチップ１０に分割する装置である。ブレーキング装置３０は、図８に示すように、フレーム固定ユニット４０と、検出ユニット４５と、挟持ユニット５０と、押圧部材７０と、制御ユニット７５と、表示ユニット７６と、図示しない入力ユニットとを備える。

【0029】

フレーム固定ユニット４０は、フレーム９を固定するものである。フレーム固定ユニット４０は、装置本体３１上にＸ軸移動ユニット３２により水平方向と平行なＸ軸方向に移動自在に設けられた移動フレーム４１と、移動フレーム４１上に配設されたフレーム固定部材４２とを備える。

【0030】

フレーム固定部材４２は、内外径がフレーム９の内外径と同等の円環状に形成され、上面がフレーム９がテープ１２の外縁部を介して載置される保持面４３となっている。保持面４３は、水平方向に沿って平坦である。実施形態１では、フレーム固定部材４２は、保持面４３に図示しない吸引源に接続した吸引孔が開口している。

【0031】

フレーム固定ユニット４０は、吸引孔が吸引源により吸引されることで、保持面４３に載置されたフレーム９を保持面４３にテープ１２を介して吸引して固定する。なお、本発明では、フレーム９が磁性体により構成されている場合には、フレーム固定ユニット４０は、フレーム固定部材４２内に磁石（永久磁石又は電磁石）を配設しておき、保持面４３に載置されたフレーム９を磁力で吸着して固定しても良く、フレーム９が非磁性体により構成されている場合には、フレーム固定ユニット４０は、保持面４３との間にフレーム９を挟持して、フレーム９を固定するクランプ機構を備えても良い。また、フレーム固定ユニット４０は、図示しない回転駆動機構によりＺ軸方向（鉛直方向ともいう）と平行な軸心回りに回転自在である。

【0032】

なお、Ｘ軸移動ユニット３２は、装置本体３１上に設置され、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させることで移動フレーム４１及びフレーム固定部材４２をＸ軸方向に移動させる周知のモータ及び移動フレーム４１をＸ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール３２１を備える。

【0033】

検出ユニット４５は、フレーム固定ユニット４０でフレーム９が固定されたＳｉＣ基板１の分割予定ライン４を検出するものである。検出ユニット４５は、装置本体３１からＸ軸移動ユニット３２のガイドレール３２１を跨って立設した門型の門型フレーム３３にＹ軸移動ユニット３４により水平方向と平行でかつＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に移動される移動テーブル３５に設置されている。検出ユニット４５は、移動テーブル３５に設置されることで、Ｙ軸移動ユニット３４によりＹ軸方向に移動自在に配設されている。

【0034】

検出ユニット４５は、対物レンズが鉛直方向と平行なＺ軸方向に対向するものを撮像するＣＣＤ（Charge Coupled Device）撮像素子又はＣＭＯＳ（Complementary MOS）撮像素子等の撮像素子を備えた撮像カメラ４６を含む。検出ユニット４５は、撮像カメラ４６の撮像素子が撮像した画像を取得し、取得した画像を制御ユニット７５に出力する。また、検出ユニット４５は、フレーム固定ユニット４０で固定されたフレーム９の開口に収容されたＳｉＣ基板１を撮像して、ＳｉＣ基板１の分割予定ライン４と押圧部材７０等との位置合わせを行うアライメントを遂行するための画像を取得する。

【0035】

なお、門型フレーム３３及び移動テーブル３５は、両表面が鉛直方向と平行なＺ軸方向と平行な平板状でかつ互いに間隔をあけて平行に重ねられている。Ｙ軸移動ユニット３４は、門型フレーム３３上に設置され、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させることで移動テーブル３５をＹ軸方向に移動させる周知のモータ及び移動テーブル３５をＹ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール３４１を備える。

【0036】

挟持ユニット５０は、ＳｉＣ基板１の分割すべき分割予定ライン４に隣接した領域のＳｉＣ基板１のデバイス５をＺ軸方向に沿って上下から挟持するものである。挟持ユニット５０は、図８に示すように、下側挟持ユニット５１と、上側挟持ユニット６０とを備える。

【0037】

下側挟持ユニット５１は、フレーム固定ユニット４０の下方に配置され、フレーム固定ユニット４０に固定されたフレーム９の開口に収容されたＳｉＣ基板１の分割すべき分割予定ライン４の隣接した領域であるデバイス５を下方から押圧するものである。下側挟持ユニット５１は、図９に示すように、Ｚ軸移動ユニット３６によりＺ軸方向に昇降自在に設けられたブラケット５２と、ブラケット５２に軸心回りに回転自在に支持された回転体５３と、回転体５３の外周面から突出した互いに長さの異なる複数の矩形状挟持部材５４（挟持部材に相当）とを備える。

【0038】

回転体５３は、軸心がＹ軸方向と平行に配設され、両端がブラケット５２により回転自在に支持されている。回転体５３は、図示しない回転機構により軸心回りに回転される。複数の矩形状挟持部材５４は、それぞれ厚みが一定のＹ軸方向に直線状の矩形板状に形成され、Ｙ軸方向の長さがそれぞれ異なって様々な長さになるように形成されている。複数の矩形状挟持部材５４のうち最も長い矩形状挟持部材５４の長さは、ＳｉＣ基板１の最も長い分割予定ライン４の長さと同等であり、最も短い矩形状挟持部材５４の長さは、ＳｉＣ基板１の最も短い分割予定ライン４の長さと同等である。

【0039】

複数の矩形状挟持部材５４は、回転体５３の回転によって突出する向きが変更される。複数の矩形状挟持部材５４のうち回転体５３のからＺ軸方向に沿って上向きに配置された矩形状挟持部材５４は、Ｚ軸移動ユニット３６により下降されると、上端がフレーム固定ユニット４０により固定されたフレーム９の開口に収容されたＳｉＣ基板１に貼着したテープ１２よりも下方に位置し、Ｚ軸移動ユニット３６により上昇されると、上端がフレーム固定ユニット４０により固定されたフレーム９の開口に収容されたＳｉＣ基板１よりも上方に位置する。複数の矩形状挟持部材５４のうち回転体５３からＺ軸方向に沿って上向きに配置された矩形状挟持部材５４は、Ｚ軸移動ユニット３６により上昇されると、上端でＳｉＣ基板１の分割すべき分割予定ライン４の隣のデバイス５を裏面６側から上方に押圧する。

【0040】

即ち、下側挟持ユニット５１は、回転体５３の軸心回りの向きを変更することで、上向きとなる矩形状挟持部材５４の長さを選択でき、その選択した矩形状挟持部材５４でＳｉＣ基板１の分割すべき分割予定ライン４の隣のデバイス５を裏面６側から上方に押圧する。

【0041】

なお、Ｚ軸移動ユニット３６は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させることでブラケット５２をＺ軸方向に昇降させる周知のモータ及びブラケット５２をＺ軸方向に昇降自在に支持する周知のガイドレール３６１を備える。

【0042】

上側挟持ユニット６０は、フレーム固定ユニット４０の上方に配置され、フレーム固定ユニット４０により固定されたフレーム９の開口に収容されたＳｉＣ基板１の分割すべき分割予定ライン４の隣でかつ下側挟持ユニット５１により下方から押圧されたデバイス５を、下側挟持ユニット５１との間に挟持するものである。上側挟持ユニット６０は、移動テーブル３５に昇降ユニット３７よりＺ軸方向に移動される移動基台３８に設置されている。

【0043】

移動基台３８は、両表面がＺ軸方向と平行な平板状に形成され、移動テーブル３５上に間隔をあけて重ねられている。移動基台３８には、両表面３が水平方向と平行な水平部材３９が固定されている。

【0044】

昇降ユニット３７は、移動テーブル３５に設置され、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させることで移動基台３８をＺ軸方向に昇降させる周知のモータ３７１及び移動基台３８をＺ軸方向に昇降自在に支持する周知のガイドレール３７２を備える。

【0045】

上側挟持ユニット６０は、図１０に示すように、シリンダユニット６１と、上側挟持部材６２（挟持部材に相当）と、スライドユニット６３とを備える。シリンダユニット６１は、水平部材３９に固定されたシリンダ６１１と、Ｚ軸方向と平行な棒状状に形成され、シリンダ６１１から伸縮自在であるとともに、シリンダ６１１から伸長すると下端が下降するロッド６１２とを備える。

【0046】

上側挟持部材６２は、厚みが一定のＹ軸方向に直線状でかつ両表面がＺ軸方向と平行な矩形板状に形成され、Ｙ軸方向の長さがＳｉＣ基板１の最も長い分割予定ライン４の長さと同等である。上側挟持部材６２は、上端にシリンダユニット６１のロッド６１２の下端が固定されて、移動基台３８に間隔をあけて重ねられている。上側挟持部材６２は、回転体５３から上向きの矩形状挟持部材５４とＺ軸方向に対向する。

【0047】

また、スライドユニット６３は、上側挟持部材６２を移動基台３８に対して相対的にＺ軸方向にスライド自在に支持している。スライドユニット６３は、移動基台３８と上側挟持部材６２とのうちの一方である移動基台３８に固定されかつＺ軸方向と平行な直線状のガイドレール６３１と、移動基台３８と上側挟持部材６２とのうちの他方である上側挟持部材６２に固定されかつガイドレール６３１にこのガイドレール６３１の長手方向即ちＺ軸方向にスライド自在に支持されたスライダ６３２とを備える。

【0048】

上側挟持部材６２は、ロッド６１２が伸長した状態で、昇降ユニット３７により上昇されることで、下端がフレーム固定ユニット４０により固定されたフレーム９の開口に収容されたＳｉＣ基板１よりも上方に位置し、昇降ユニット３７により下降されると、下端が回転体５３のからＺ軸方向に沿って上向きに配置された矩形状挟持部材５４により押圧されたＳｉＣ基板１の分割すべき分割予定ライン４の隣のデバイス５を矩形状挟持部材５４との間に挟持する。

【0049】

押圧部材７０は、分割すべき分割予定ライン４を挟んで挟持ユニット５０の挟持部材５４，６２のＹ軸方向の反対側で分割すべき分割予定ライン４に隣接した領域のＳｉＣ基板１のデバイス５を押圧し、分割すべき分割予定ライン４に沿ってＳｉＣ基板１をブレーキング（分割ともいう）するものである。押圧部材７０は、図１０に示すように、水平部材３９に第２Ｘ軸移動ユニット７１によりＸ軸方向に移動自在に設置された押圧移動基台７２に設置されている。

【0050】

押圧移動基台７２は、両表面がＺ軸方向と平行で、かつ上端側の厚肉部７２１と下端側の薄肉部７２２とを一体に備えて形成され、上側挟持部材６２上に間隔をあけて重ねられている。実施形態１では、押圧移動基台７２は、厚肉部７２１と薄肉部７２２の上側挟持部材６２から離れた側の表面が同一平面状に形成され、上側挟持部材６２側に厚肉部７２１と薄肉部７２２との間の段差が形成されている、また、実施形態１では、押圧移動基台７２は、薄肉部７２２を貫通した平面形状が矩形の開口７２３が設けられている。

【0051】

第２Ｘ軸移動ユニット７１は、水平部材３９に設置され、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させることで押圧移動基台７２をＸ軸方向に移動させる周知のモータ７１１及び押圧移動基台７２をＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレール７１２を備える。

【0052】

押圧部材７０は、Ｙ軸方向に直線状でかつ両表面がＺ軸方向と平行な矩形板状に形成され、Ｙ軸方向の長さがＳｉＣ基板１の最も長い分割予定ライン４の長さと同等である。押圧部材７０は、下端部に下方に向かうにしたがって徐々に厚みを薄くする先程部７０１が形成されている。実施形態１では、先程部７０１は、上側挟持部材６２側の表面がＺ軸方向に沿って平坦に形成され、上側挟持部材６２から離れた側の表面が下方に向かうにしたがって徐々に上側挟持部材６２に近付く方向に水平方向とＺ軸方向との双方に対して傾斜している。

【0053】

また、押圧部材７０は、一対のスライドユニット７３により押圧移動基台７２にＺ軸方向にスライド自在に支持されている。一対のスライドユニット７３は、Ｙ軸方向に間隔をあけて配置されている。スライドユニット７３は、押圧移動基台７２と押圧部材７０とのうちの一方である押圧移動基台７２に固定されかつＺ軸方向と平行な直線状のガイドレール７３１と、押圧移動基台７２と押圧部材７０とのうちの他方である押圧部材７０に固定されかつガイドレール７３１にこのガイドレール７３１の長手方向即ちＺ軸方向にスライド自在に支持されたスライダ７３２とを備える。

【0054】

押圧部材７０は、昇降ユニット３７により上昇されることで、下端がフレーム固定ユニット４０により固定されたフレーム９の開口に収容されたＳｉＣ基板１よりも上方に位置し、昇降ユニット３７により下降されると、Ｙ軸方向に、分割すべき分割予定ライン４を挟持部材５４，６２との間に位置付けるＳｉＣ基板１のデバイス５を下方に押圧する。実施形態１では、押圧部材７０は、ＳｉＣ基板１の上側挟持部材６２とのＹ軸方向の距離がチップ１０の幅の７５％～８５％程度となる位置を下方に押圧する。なお、本発明では、押圧部材７０は、ＳｉＣ基板１の上側挟持部材６２とのＹ軸方向の距離がチップ１０の幅の６５％～９５％程度となる位置を下方に押圧すれば良い。

【0055】

なお、押圧部材７０が押圧する位置が上側挟持部材６２からのＹ軸方向の距離が近すぎても割れにくく、遠すぎても押圧部材７０がすでに割れた分割予定ライン４側に逃げて割れないので、押圧部材７０が、ＳｉＣ基板１の上側挟持部材６２とのＹ軸方向の距離がチップ１０の幅の６５％～９５％程度となる位置、望ましくはチップ１０の幅の７５％～８５％程度となる位置を下方に押圧するのが望ましい。押圧部材７０は、昇降ユニット３７により下降されると、Ｙ軸方向に、分割すべき分割予定ライン４を挟持部材５４，６２との間に位置付けるＳｉＣ基板１のデバイス５を下方に押圧して、この分割すべき分割予定ライン４を分割する。

【0056】

また、押圧部材７０は、図１１に示す荷重測定部７４により押圧移動基台７２に固定されている。荷重測定部７４は、一対のスライドユニット７３間に配置されている。荷重測定部７４は、図１１及び図１２に示すように、押圧部材７０がＳｉＣ基板１を押圧する荷重の値（以下、荷重値と記す）を測定する荷重計７４１と、保持部材７４２と、支持部材７４３と、バネ７４４と、支持部７４５（図１２のみに示す）とを備える。

【0057】

荷重計７４１は、Ｚ軸方向の押圧部材７０がＳｉＣ基板１を押圧する荷重値を測定するものであり、実施形態１では、周知のロードセルであるが、ロードセルに限定されない。荷重計７４１は計測結果である荷重値を制御ユニット７５に出力する。荷重計７４１は、押圧移動基台７２の開口７２３内に配置されている。

【0058】

保持部材７４２は、押圧部材７０に一端部が固定され、押圧部材７０から押圧移動基台７２に向かって延在して他端部が押圧移動基台７２の開口７２３内に配置されている。保持部材７４２は、他端部に荷重計７４１の下端を支持している。

【0059】

支持部材７４３は、押圧移動基台７２の開口７２３内に配置され、上端が開口７２３の上側の内面に固定され、下端が荷重計７４１の上端を支持している。支持部７４５は、押圧移動基台７２の開口７２３内に配置され、下端が開口７２３の下側の内面に固定され、上端が保持部材７４２の下端部を支持している。

【0060】

バネ７４４は、開口７２３の下側の内面と保持部材７４２の他端部との間に配置され、保持部材７４２の他端部を介して、押圧移動基台７２に対して相対的に押圧部材７０を上方に付勢している。実施形態１では、バネ７４４は、押圧部材７０と保持部材７４２と荷重計７４１とを合わせた質量に対応した力で、保持部材７４２及び押圧部材７０を上方に付勢している。バネ７４４が前述した力で付勢することで、押圧部材７０と保持部材７４２と荷重計７４１とを合わせた質量が相殺されて、荷重計７４１は、押圧部材７０と保持部材７４２と荷重計７４１とを合わせた質量よりも小さい荷重値を測定することができる。このように、ブレーキング装置３０は、押圧部材７０がＳｉＣ基板１を押圧する荷重値を測定する荷重計７４１を備える。

【0061】

制御ユニット７５は、ブレーキング装置３０の上述した各構成要素をそれぞれ制御して、ＳｉＣ基板１の各分割予定ライン４を分割する分割動作をブレーキング装置３０に実施させるものである。制御ユニット７５は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット７５の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、ブレーキング装置３０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してブレーキング装置３０の上述した各ユニットに出力する。また、制御ユニット７５は、荷重計７４１で測定された荷重値に基づいて、分割予定ライン４の分割結果を判定し、分割結果を分割予定ライン４と１対１で紐付けて記憶する。

【0062】

表示ユニット７６は、制御ユニット７５に接続し、各種の情報を表示する表示画面７７を備える。入力ユニットは、オペレータがブレーキング装置３０の制御ユニット７５に情報などを入力する際に用いられる。入力ユニットは、制御ユニット７５に接続し、入力された情報を制御ユニット７５に向けて出力する。入力ユニットは、表示ユニット７６の表示画面７７に重ねられたタッチパネルを備える。

【0063】

（分割ステップ）
次に、分割ステップ１００３を説明する。図１３は、図２に示されたワークの加工方法の分割ステップにおいて、フレーム固定ユニットにフレームを固定した状態を一部断面で模式的に示す側面図である。図１４は、図２に示されたワークの加工方法の分割ステップにおいて、挟持部材間に分割すべき分割予定ラインの隣のデバイスを挟持した状態を一部断面で模式的に示す側面図である。図１５は、図２に示されたＳｉＣ基板の加工方法の分割ステップにおいて、分割すべき分割予定ラインを分割した状態を一部断面で模式的に示す側面図である。なお、図１３、図１４及び図１５は、金属膜７を省略している。

【0064】

分割ステップ１００３は、レーザ加工ステップ１００１とテープマウントステップ１００２とを実施した後、分割すべき分割予定ライン４に隣接した領域であるデバイス５をＳｉＣ基板１の上下から挟持部材５４，６２で挟持するとともに、分割すべき分割予定ライン４を挟んで挟持部材５４，６２のＹ軸方向の反対側で分割すべき分割予定ライン４に隣接した領域であるＳｉＣ基板１のデバイス５を押圧部材７０で押圧し分割すべき分割予定ライン４に沿ってＳｉＣ基板１を分割するステップである。

【0065】

実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、先ず、オペレータ等が入力ユニットを操作して分割条件を入力し、制御ユニット７５が分割要件を受け付けて登録する。実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、制御ユニット７５がオペレータ等からの分割動作の開始指示を受け付けると、分割動作、即ち実施形態１では、分割ステップ１００３を開始する。

【0066】

実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、制御ユニット７５がＺ軸移動ユニット３６を制御して下側挟持ユニット５１を下降させ、上側挟持ユニット６０のシリンダユニット６１を制御してロッド６１２を伸長し、昇降ユニット３７を制御して上側挟持ユニット６０及び押圧部材７０を上昇させる。また、実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、制御ユニット７５が第２Ｘ軸移動ユニット７１を制御して上側挟持部材６２の下端と押圧部材７０の下端のＸ軸方向の距離を、分割条件に含まれるチップ１０の幅の７５％～８５％となるように、押圧部材７０のＸ軸方向の位置を調整する。なお、本発明では、上側挟持部材６２の下端と押圧部材７０の下端のＸ軸方向の距離を、チップ１０の幅の６５％～９５％となるように、押圧部材７０のＸ軸方向の位置を調整すれば良い。

【0067】

また、実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、制御ユニット７５がＸ軸移動ユニット３２を制御して、フレーム固定ユニット４０を挟持ユニット５１，６０間から退避させる。実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、フレーム固定ユニット４０の保持面４３上に開口にＳｉＣ基板１を収容したフレーム９がテープ１２の外縁部を介して載置される。実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、制御ユニット７５が吸引源を動作させて、図１３に示すように、フレーム固定ユニット４０の保持面４３にフレーム９をテープ１２の外縁部を介して吸引して固定する。

【0068】

実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、制御ユニット７５がＸ軸移動ユニット３２とＹ軸移動ユニット３４とを制御して、分割条件の分割する順番に基づいて、分割すべき分割予定ライン４（図１３等に示し、以下、符号４－１で記す）の上方に検出ユニット４５を位置付けて、検出ユニット４５の撮像カメラ４６でＳｉＣ基板１の分割予定ライン４－１を含んだ分割予定ライン４－１の周囲を撮像する。実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、制御ユニット７５が検出ユニット４５の撮像カメラ４６で撮像して得た画像に基づいて、分割予定ライン４－１を検出する。

【0069】

実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、制御ユニット７５が回転機構を制御して、分割予定ライン４に対応した長さの矩形状挟持部材５４を回転体５３から上向きに配置し、回転駆動機構を制御して、ＳｉＣ基板１の分割予定ライン４－１をＹ軸方向と平行に位置付ける。実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、制御ユニット７５がＸ軸移動ユニット３２を制御して、分割予定ライン４－１に図８中Ｘ軸方向の奥側に隣接するデバイス５（領域に相当し、以下、図１３に示す符号５－１と記す）の上方に上側挟持部材６２の下端を位置付け、分割予定ライン４－１に図１中Ｘ軸方向の奥側に隣接する図８中Ｘ軸方向の奥側のデバイス５－１の下方に矩形状挟持部材５４の上端を位置付けるとともに、分割予定ライン４－１に図５中Ｘ軸方向の手前側に隣接するデバイス５（領域に相当し、以下、図１３に示す符号５－２と記す）の上方に押圧部材７０の下端を位置付ける。

【0070】

実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、制御ユニット７５がＺ軸移動ユニット３６を制御して、回転体５３及び矩形状挟持部材５４を上昇させて下面側テープ２０７を介してＳｉＣ基板１の分割予定ライン４－１に隣接したデバイス５－１をテープ１２を介して上方に押圧させる。すると、ＳｉＣ基板１が上昇し、シート２２０を介してデバイス５－１が上側挟持部材６２の下端に当接する。こうして、実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、図１４に示すように、ＳｉＣ基板１の分割予定ライン４－１に隣接したデバイス５－１を、テープ１２，８を介して、挟持部材５４，６２間に挟持する。このとき、実施形態１では、押圧部材７０の下端は、ＳｉＣ基板１の表面３よりも上方に位置している。

【0071】

実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、分割条件に基づいて、制御ユニット７５が昇降ユニット３７を制御して、上側挟持ユニット６０の移動基台３８及び押圧部材７０を下降させる。すると、上側挟持部材６２が矩形状挟持部材５４との間にシート２２０及び下面側テープ２０７を介してＳｉＣ基板１の分割予定ライン４－１に隣接したデバイス５－１を挟持しているので、上側挟持部材６２が下降することなく、シリンダユニット６１のロッド６１２が縮小して、スライドユニット６３により移動基台３８に対して相対的に上側挟持部材６２が上昇する。

【0072】

また、上側挟持ユニット６０の移動基台３８及び押圧部材７０が下降すると、押圧部材７０が下降して、押圧部材７０の下端がＳｉＣ基板１の表面３の挟持ユニット５１，６０のＹ軸方向の反対側の分割予定ライン４－１に隣接したデバイス５－２にテープ８を介して当接するとともに、更に押圧部材７０が下降して、図１５に示すように、押圧部材７０の下端が上側挟持部材６２の下端よりも下方に位置して、挟持部材５４，６２と押圧部材７０との間の分割予定ライン４－１を分割する。

【0073】

実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、制御ユニット７５が分割条件とおりに移動基台３８及び押圧部材７０を下降した後、昇降ユニット３７を制御して、移動基台３８及び押圧部材７０を上昇させるとともに、Ｚ軸移動ユニット３６を制御して、回転体５３及び矩形状挟持部材５４を下降させる。また、実施形態１において、分割ステップ１００３では、制御ユニット７５が、荷重計７４１が測定した荷重値に基づいて、分割すべき分割予定ライン４－１の分割結果を判定し、判定した分割結果を分割予定ライン４－１と紐付けて記憶する。

【0074】

実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、分割条件に基づいて、ＳｉＣ基板１の分割予定ライン４のうち端の分割予定ライン４から順に分割する。実施形態１において、分割ステップ１００３では、ブレーキング装置３０は、ＳｉＣ基板１の全ての分割予定ライン４を分割して、ＳｉＣ基板１を個々のチップ１０に分割すると、分割動作即ち分割ステップ１００３を終了する。その後、分割されたチップ１０は、ピックアップされる。

【0075】

以上説明した実施形態１に係るＳｉＣ基板の加工方法は、レーザ加工ステップ１００１において、レーザビーム２２２を照射して金属膜７に溝１１を形成した後、分割ステップ１００３において押圧部材７０でＳｉＣ基板１を押圧して分割する。このために、実施形態１に係るＳｉＣ基板の加工方法は、シリコン等よりも難切削材であるＳｉＣからなる基板２を切削ブレードで切削することがないとともに、切削ブレードで切削する場合よりもＳｉＣ基板１をチップ１０に分割するためのかかる所要時間を抑制できる。

【0076】

その結果、実施形態１に係るＳｉＣ基板の加工方法は、加工品質の低下を抑制しながらも、加工の所要時間を抑制することができるという効果を奏する。

【0077】

また、実施形態１に係るＳｉＣ基板の加工方法は、レーザビーム２２２の集光スポット２２３の形状が楕円形状であり集光スポット２２３の長軸が分割予定ライン４の伸長方向に位置づけられているので、レーザ加工ステップ１００１の高い加工速度の実現と、幅の狭い溝１１を形成することができる。

【0078】

〔実施形態２〕
実施形態２に係るＳｉＣ基板の加工方法を図面に基づいて説明する。図１６は、実施形態２に係るＳｉＣ基板の加工方法の流れを示すフローチャートである。図１７は、図１６に示されたＳｉＣ基板の加工方法のテープマウントステップ後のＳｉＣ基板等を模式的に示す斜視図である。図１８は、図１６に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップにおいてレーザ加工装置が保持テーブルに保持したＳｉＣ基板を保持テーブルを通して下方撮像カメラで撮像する状態を一部断面で模式的に示す側面図である。図１９は、図１６に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップにおいてレーザ加工装置がレーザビームを金属膜に照射する状態を一部断面で模式的に示す側面図である。図２０は、図１６に示されたＳｉＣ基板の加工方法のレーザ加工ステップ後のＳｉＣ基板の要部を模式的に示す断面図である。なお、図１６、図１７、図１８、図１９及び図２０は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。なお、図１８は、金属膜７を省略する。

【0079】

実施形態２に係るＳｉＣ基板の加工方法は、図１６に示すように、実施形態１と同様に、テープマウントステップ１００２と、レーザ加工ステップ１００１と、分割ステップ１００３とを備えている。また、実施形態２に係るＳｉＣ基板の加工方法は、図１６に示すように、テープマウントステップ１００２は、レーザ加工ステップ１００１を実施する前に、金属膜７上にテープ１２を配設する。即ち、実施形態２において、テープマウントステップ１００２は、レーザ加工ステップ１００１の前に実施する。

【0080】

実施形態２において、テープマウントステップ１００２では、図１７に示すように、ＳｉＣ基板１の裏面６側の金属膜７にテープ１２の中央部を貼着し、テープ１２の外縁部にフレーム９を貼着する。

【0081】

実施形態２において、レーザ加工ステップ１００１では、レーザ加工装置８０がモータ８１１とプーリ８１２とプーリ８１２により鉛直方向（Ｚ軸方向ともいう）と平行な軸心回りに回転されるベルト８１３とを備えた回転移動ユニット８１により軸心回りに回転自在な保持テーブル８２の保持板８２１上にＳｉＣ基板１の表面３側が載置され、保持板８２１の外周に設けられたフレーム固定部８２３にフレーム９が載置される。なお、保持板８２１は、石英ガラス、ホウケイ酸ガラス、サファイア、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム等の透明な透明材からなり、上面がＳｉＣ基板１を保持する保持面８２２である。

【0082】

実施形態２において、レーザ加工ステップ１００１では、レーザ加工装置８０が保持板８２１の外縁部に設けられた吸引溝８２４が図示しない吸引源により吸引されて、保持面８２２にＳｉＣ基板１の表面３側を保持面８２２に吸引保持し、フレーム固定部８２３の図示しないバキュームパッドが吸引源により吸引されてフレーム固定部８２３上にフレーム９を吸引保持する。実施形態２において、レーザ加工ステップ１００１では、レーザ加工装置８０が保持テーブル８２を水平方向と平行なＸ軸方向に移動するＸ軸移動ユニット８３と保持テーブル８２を水平方向と平行でかつＸ軸方向に対して直交するＹ軸方向に移動するＹ軸移動ユニット８４と下方撮像カメラ８５をＹ軸方向に移動する第２Ｙ軸移動ユニット８６とを制御して、図１８に示すように、保持テーブル８２の保持板８２１に保持されたＳｉＣ基板１の下方に下方撮像カメラ８５を位置付ける。

【0083】

実施形態２において、レーザ加工ステップ１００１では、レーザ加工装置８０が下方撮像カメラ８５で保持板８２１越しに下方からＳｉＣ基板１を撮像し、ＳｉＣ基板１とレーザビーム照射ユニット２２（図１９に示す）の集光器である集光レンズ２２１との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。実施形態２において、レーザ加工ステップ１００１では、レーザ加工装置８０が、図１９に示すように、移動ユニット８１，８３，８４を制御して保持テーブル８２とレーザビーム照射ユニット２２とを分割予定ライン４に沿って相対的に移動させながら、テープ１２越しに発振器が発振した金属膜７に対して吸収性を有する波長（例えば、３５５ｎｍ）のレーザビーム２２２を各分割予定ライン４の金属膜７に向かって照射して、アブレーション加工により分割予定ライン４の金属膜７を分断する。

【0084】

また、実施形態２において、レーザ加工ステップ１００１では、レーザ加工装置８０のレーザビーム照射ユニット２２が照射するレーザビーム２２２の金属膜７の表面における集光スポット２２３の形状は、実施形態１と同様に、楕円形状であり、分割予定ライン４の伸長方向（長手方向ともいう）に集光スポット２２３の楕円形状の長軸が位置づけられている。実施形態２において、レーザ加工ステップ１００１では、レーザ加工装置８０が、図２０に示すように、分割予定ライン４に沿った溝１１を各分割予定ライン４の全長に亘ってＳｉＣ基板１に形成する。なお、溝１１は、金属膜７を分断し、基板２の一部を除去して、底に基板２を露出させている。

【0085】

なお、実施形態１では、レーザビーム２２２は、テープ１２に対して透過性を有する波長を有するので、溝１１は、ＳｉＣ基板１のみに形成されて、テープ１２には形成されていない。

【0086】

実施形態２に係るＳｉＣ基板の加工方法は、ＳｉＣ基板１の表面３にテープ８の中央部を貼着し、テープ８の外縁部をフレーム９に貼着して、実施形態１と同様に、ブレーキング装置３０により分割ステップ１００３を実施する。

【0087】

実施形態２に係るＳｉＣ基板の加工方法は、レーザ加工ステップにおいて、レーザビーム２２２を照射して金属膜７に溝１１を形成した後、分割ステップ１００３において押圧部材７０でＳｉＣ基板１を押圧して分割するために、ＳｉＣからなる基板２を切削ブレードで切削することがないとともに、切削ブレードで切削する場合よりもＳｉＣ基板１をチップ１０に分割するためのかかる所要時間を抑制でき、加工品質の低下を抑制しながらも、加工の所要時間を抑制することができるという効果を奏する。

【0088】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

【符号の説明】

【0089】

１ ＳｉＣ基板
３ 表面
４ 分割予定ライン
４－１ 分割すべき分割予定ライン
５ デバイス
５－１ デバイス（隣接した領域）
５－２ デバイス（隣接した領域）
６ 裏面
７ 金属膜
１１ 溝（レーザ加工溝）
１２ テープ
５４ 矩形状挟持部材（挟持部材）
６２ 上側挟持部材（挟持部材）
７０ 押圧部材
８２ 保持テーブル
２２２ レーザビーム
２２３ 集光スポット
１００１ レーザ加工ステップ
１００２ テープマウントステップ
１００３ 分割ステップ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】

【図12】

【図13】

【図14】

【図15】

【図16】

【図17】

【図18】

【図19】

【図20】