特開 2024-158960 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024158960

(43)【公開日】2024-11-08

(54)【発明の名称】基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラム

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/31 20060101AFI20241031BHJP

   H01L 21/324 20060101ALI20241031BHJP

【ＦＩ】

H01L21/31 E

H01L21/31 B

H01L21/324 R

【審査請求】未請求

【請求項の数】17

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023074631

(22)【出願日】2023-04-28

(71)【出願人】

【識別番号】318009126

【氏名又は名称】株式会社ＫＯＫＵＳＡＩ ＥＬＥＣＴＲＩＣ

(74)【代理人】

【識別番号】110001519

【氏名又は名称】弁理士法人太陽国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】板谷 秀治

(72)【発明者】

【氏名】菊池 俊之

【テーマコード（参考）】

5F045

【Ｆターム（参考）】

5F045AA03

5F045AA20

5F045AC11

5F045DP03

5F045EB03

5F045EC05

5F045EC07

5F045EE04

5F045EF05

5F045EG01

5F045EG05

5F045EK07

5F045GB06

5F045GB15

(57)【要約】

【課題】処理ガスを用いて基板を処理する基板処理装置において、処理ガス供給配管の内部に残留した処理ガスの影響を低減可能な技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理容器と、前記基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理ガス供給部と前記処理容器とに接続され、前記処理容器に前記処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、前記処理ガス供給配管に設けられた排気部と、前記処理ガス供給配管内の残留ガスを前記排気部から排気するよう制御可能な制御部と、を備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する処理容器と、
前記基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記処理ガス供給部と前記処理容器とに接続され、前記処理容器に前記処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、
前記処理ガス供給配管に設けられた排気部と、
前記処理ガス供給配管内の残留ガスを前記排気部から排気するよう制御可能な制御部と、
を備える、基板処理装置。

【請求項2】

前記排気部は、前記処理ガス供給配管における、前記処理ガス供給部側よりも前記処理容器側に近い位置に設けられている、
請求項１に記載の、基板処理装置。

【請求項3】

前記排気部は、前記処理ガス供給配管に接続される処理ガス排気配管を有する、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記処理ガス排気配管は、前記処理ガス排気配管を開閉するバルブを有する、
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記バルブは、前記処理ガスの温度に耐えることができる材料で構成される、
請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記処理ガス排気配管は、金属製で構成され、内壁に腐食防止の加工がされている、
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記処理ガス供給配管の内部に残留した残留ガスを検知する検知部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記処理ガス供給配管から残留ガスを排気する残留ガス排気時間を計測し、前記残留ガス排気時間があらかじめ定められた閾値を超えた場合に排気異常の通知を行う、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記閾値を記憶する記憶部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記記憶部より取得した前記閾値と前記残留ガス排気時間とを比較することで、異常判定を行う、
請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記記憶部は、前記制御部から前記排気異常が通知された場合に、前記排気異常の履歴を記憶する、
請求項８に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記基板の処理状態を表示する表示部と、
をさらに備え、
前記制御部は、前記排気異常が通知された場合に、前記排気異常を前記表示部に表示するよう制御を行う、
請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記制御部は、前記残留ガス排気時間が前記閾値に満たない場合は通知を行わない、
請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記排気部は、前記処理容器内の残留ガスを排気することが可能な、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記制御部は、前記処理容器内の残留ガスを排気するよう前記排気部を制御可能な、
請求項１２に記載の基板処理装置。

【請求項14】

基板を処理する処理ガスを処理ガス供給配管に接続される処理ガス供給部から前記基板を処理する処理容器に供給する工程と、
前記処理容器内で前記基板を処理する工程と、
前記処理ガス供給配管に設けた排気部によって、前記処理ガス供給配管内の残留ガスを前記排気部から排気する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。

【請求項15】

前記排気部は、前記処理ガス供給配管における、前記処理ガス供給部側よりも前記処理容器側に近い位置に設けられており、前記排気する工程では、さらに前記処理容器内の残留ガスを前記排気部から排気する、
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。

【請求項16】

基板を処理する処理ガスを処理ガス供給配管に接続される処理ガス供給部から前記基板を処理する処理容器に供給する手順と、
前記処理容器内で前記基板を処理する手順と、
前記処理ガス供給配管に設けた排気部によって、前記処理ガス供給配管内の残留ガスを前記排気部から排気する手順と、
を有するコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。

【請求項17】

前記排気部は、前記処理ガス供給配管における、前記処理ガス供給部側よりも前記処理容器側に近い位置に設けられており、前記排気する手順では、さらに前記処理容器内の残留ガスを前記排気部から排気する、
請求項１６に記載のプログラム。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置、半導体装置の製造方法、及びプログラムに関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造工程における基板処理では、例えば、特許文献１に記載のような基板処理装置が使用されている。この種の基板処理装置では、基板を処理する処理空間に基板を配置し、処理空間内に処理ガスを供給して基板を処理する。また処理空間内の排気を行う排気部が設けられ、処理空間内の排気を行っている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０２０－４９５７５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

上記特許文献１に記載の技術では、処理容器へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管の内部に処理ガスが残留し、それが基板処理に影響する可能性がある。

【0005】

本開示は、処理ガスを用いて基板を処理する基板処理装置において、処理ガス供給配管の内部に残留した処理ガスの影響を低減可能な技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様によれば、基板を処理する処理容器と、前記基板を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理ガス供給部と前記処理容器とに接続され、前記処理容器に前記処理ガスを供給する処理ガス供給配管と、前記処理ガス供給配管に設けられた排気部と、前記処理ガス供給配管内の残留ガスを前記排気部から排気するよう制御可能な制御部と、を備える技術が提供される。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、処理ガスを用いて基板を処理する基板処理装置において、処理ガス供給配管の内部に残留した処理ガスの影響を低減可能となる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】本開示の実施形態に係る基板処理装置を表す図である。

【図2】本開示の実施形態に係る基板処理装置のコントローラを示すブロック図である。

【図3】本開示の実施形態に係る基板処理装置におけるガス供給部を示す図である。

【図4】図３に続けて本開示の実施形態に係る基板処理装置におけるガス供給部を示す図である。

【図5】図４に続けて本開示の実施形態に係る基板処理装置におけるガス供給部を示す図である。

【図6】図５に続けて本開示の実施形態に係る基板処理装置におけるガス供給部を示す図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下、実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。また、図面に示される、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は、現実のものとは必ずしも一致していない。また、複数の図面の相互間においても、各要素の寸法の関係、各要素の比率等は必ずしも一致していない。

【0010】

（基板処理装置の概要）
本実施形態で説明する基板処理装置は、半導体装置の製造工程で用いられるもので、処理対象となる基板を処理室に収容した状態で当該基板をヒータなどにより加熱して処理を施すものである。基板処理装置が処理対象とする基板としては、例えば、半導体装置（半導体デバイス）が作り込まれる半導体ウエハ基板（以下、単に「ウエハ」という。）が挙げられる。また、基板処理装置が行う処理としては、例えば、酸化処理、拡散処理、イオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニール、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）反応による成膜処理等が挙げられる。

【0011】

（構成）
次に、本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の概略構成例について、図１を用いて説明する。図１は、本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の斜透視図である。

【0012】

（装置全体）
基板処理装置２００は、基板１００を処理する処理容器２０２を有する。処理容器２０２は、例えば横断面が円形であり扁平な密閉容器として構成されている。また、処理容器２０２は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やステンレス（ＳＵＳ）などの金属材料により構成されている。処理容器２０２内には、基板としてのシリコン基板等の基板１００を処理する処理空間２０５と、基板１００を処理空間２０５に搬送する際に基板１００が通過する搬送空間２０６とが形成されている。処理容器２０２は、上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂで構成される。上部容器２０２ａと下部容器２０２ｂの間には仕切り板２０８が設けられる。

【0013】

下部容器２０２ｂの側面には、ゲートバルブ１４９に隣接した基板搬入出口１４８が設けられており、基板１００は基板搬入出口１４８を介して図示しない真空搬送室との間を移動する。下部容器２０２ｂの底部側には、リフトピン２０７が複数設けられている。さらに、下部容器２０２ｂは接地されている。

【0014】

処理空間２０５を構成する処理室は、例えば基板載置台(サセプタ)２１２とシャワーヘッド２３０で構成される。処理空間２０５内には、基板１００が載置される基板載置部２１０が設けられている。基板載置部２１０は、基板１００を載置する基板載置面２１１と、基板載置面２１１を表面に持つ基板載置台２１２と、基板載置台２１２に内包された加熱源としてのヒータ２１３を主に有する。基板載置台２１２には、リフトピン２０７が貫通する貫通孔２１４が、リフトピン２０７と対応する位置にそれぞれ設けられている。ヒータ２１３には、ヒータ２１３の温度を制御する温度制御部２２０が接続される。

【0015】

基板載置台２１２はシャフト２１７によって支持される。シャフト２１７の支持部は処理容器２０２の底壁に設けられた穴２１５を貫通しており、さらには支持板２１６を介して処理容器２０２の外部で駆動系である第１の昇降機構としての昇降機構２１８に接続されている。昇降機構２１８を作動させてシャフト２１７及び基板載置台２１２を昇降させることにより、基板載置面２１１上に載置される基板１００を昇降させることが可能となっている。なお、シャフト２１７下端部の周囲はベローズ２１９により覆われている。処理容器２０２内は気密に保持されている。

【0016】

基板載置台２１２は、基板１００の搬送時には、基板載置面２１１が基板搬入出口１４８に対向する位置（基板搬送位置と言う）まで下降し、基板１００の処理時には、図１で示されるように、基板１００が処理空間２０５内の基板処理位置となるまで上昇する。

【0017】

リフトピン２０７は、支持板３１６を介して処理容器２０２の外部で駆動系である第２の昇降機構としての昇降機構３１８に接続されている。昇降機構３１８を作動させてリフトピン２０７を昇降させることにより、リフトピン２０７の先端部を基板載置面２１１の上面から突出させて、リフトピン２０７の先端部で基板１００を下方から支持するように構成させることが可能となっている。また、昇降機構３１８を作動させて、リフトピン２０７の先端部を貫通孔２１４の内部に埋没させて、リフトピン２０７の先端部で貫通孔２１４を塞ぐように構成させることが可能となっている。

【0018】

具体的には、基板載置台２１２を基板搬送位置まで下降させた時には、リフトピン２０７の上端部が基板載置面２１１の上面から突出して、リフトピン２０７が基板１００を下方から支持するようになっている。また、図１に示すように、基板載置台２１２を基板処理位置まで上昇させたときには、リフトピン２０７の先端部は、基板載置台２１２の貫通孔２１４で基板１００に触れない位置に移動する。これによりリフトピン２０７の先端部は、複数のリフトピン２０７で基板載置台２１２の貫通孔２１４を塞ぐように構成される。つまり、リフトピン２０７の先端部は基板載置面２１１の上面から貫通孔２１４の内部に埋没して、基板載置面２１１が基板１００の裏面を下方から支持するようになっている。

【0019】

処理空間２０５の上部（上流側）には、シャワーヘッド２３０が設けられている。シャワーヘッド２３０は、蓋２３１を有する。蓋２３１は、フランジ２３２を有し、フランジ２３２は、上部容器２０２ａ上に支持される。さらに、蓋２３１は位置決め部２３３を有する。位置決め部２３３が上部容器２０２ａに嵌合されることで、蓋２３１が固定される。

【0020】

シャワーヘッド２３０は、バッファ空間２３４を有する。バッファ空間２３４は、蓋２３１と位置決め部２３３で構成される空間をいう。バッファ空間２３４と処理空間２０５は連通している。バッファ空間２３４に供給されたガスは、バッファ空間２３４の内部で拡散し、処理空間２０５に均一に供給される。ここではバッファ空間２３４と処理空間２０５を別の構成として説明したが、それに限るものではなく、バッファ空間２３４を処理空間２０５に含めてもよい。

【0021】

処理空間２０５は、主に上部容器２０２ａ、基板処理ポジションにおける基板載置台２１２の上部構造で構成される。また、バッファ空間２３４及び処理空間２０５を構成する構造を処理室と呼ぶ。すなわち、本実施形態において処理室は、シャワーヘッド２３０を含む。なお、処理室は処理空間２０５を構成する構造であればよく、上記構造にとらわれないことは言うまでもない。

【0022】

搬送空間２０６は、主に下部容器２０２ｂ、基板処理ポジションにおける基板載置台２１２の下部構造で構成される。搬送空間２０６を構成する構造を搬送室と呼ぶ。搬送室は処理室の下方に配される。なお、搬送室は搬送空間２０６を構成する構造であればよく、上記構造にとらわれないことは言うまでもない。

【0023】

（ガス供給部）
続いてガス供給部２４０を説明する。ガス供給部２４０は、処理ガス供給部２４３、不活性ガス供給部２４７、バイパス配管２４９ａ、第一排気部２６２、第二排気部２６３を有している。また、共通ガス供給配管２４２には、接続部２５４を介して処理ガス供給配管２４３ａ、不活性ガス供給配管２４７ａ、及び第一排気部２６２が接続されている。

【0024】

共通ガス供給配管２４２は、接続部２５４との間に、第三バルブ２５２ｃを有している。この第三バルブ２５２ｃが開弁している場合に、接続部２５４から共通ガス供給配管２４２を通って処理容器２０２へ、ガスが流れる。なお、接続部２５４の内部の圧力が処理容器２０２の内部の圧力よりも小さい場合には、処理容器２０２から共通ガス供給配管２４２を通って接続部２５４へガスが流れる。

【0025】

また、本実施形態において、接続部２５４は、後述する処理ガス供給配管２４３ａ及び共通ガス供給配管２４２を合わせた配管のうち、処理ガス供給部２４３側よりもシャワーヘッド２３０に近い側に設けられている。ここで、「シャワーヘッド２３０に近い側」とは、一例として、後述する第二バルブ２５２ｂから接続部２５４までに生じる管摩擦抵抗による圧力損失と、接続部２５４からシャワーヘッド２３０までに生じる管摩擦抵抗による圧力損失と、が実質的に等しくなる箇所を指す。なぜならば、後述する処理ガス供給配管２４３ａとシャワーヘッド２３０とを比べた場合、一般的には処理ガス供給配管２４３ａのほうが管体の内径が大きく（流路抵抗が小さい）ため、コンダクタンスが大きい。このため、第二バルブ２５２ｂから接続部２５４までに生じる管摩擦抵抗による圧力損失と、接続部２５４からシャワーヘッド２３０までに生じる管摩擦抵抗による圧力損失と、を等しくした場合、接続部２５４の位置は、シャワーヘッド２３０に近い側となるためである。

【0026】

処理ガス供給配管２４３ａを含む処理ガス供給部２４３からは基板１００を処理する処理ガスが主に供給され、不活性ガス供給部２４７からは主に不活性ガスが供給される。

【0027】

（処理ガス供給部、及び処理ガス供給配管）
処理ガス供給部２４３は、処理ガス供給配管２４３ａに接続され、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４３ｃと、開度調整弁である第二バルブ２５２ｂとを備えている。処理ガス供給配管２４３ａには上流方向から順に、処理ガス供給源２４３ｂ、ＭＦＣ２４３ｃ、第二バルブ２５２ｂが設けられている。なお、処理ガス供給部２４３に処理ガス供給源２４３ｂを含めても良い。

【0028】

そして、処理ガス供給配管２４３ａは、接続部２５４と接続されている。これにより処理ガス供給部２４３から供給された処理ガスが、共通ガス供給配管２４２を介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。

【0029】

処理ガス供給源２４３ｂは、一例として酸化ガスを生成し、その酸化ガスをＭＦＣ２４３ｃに供給する。酸化剤（酸化ガス）としては、例えば、酸素（Ｏ）及び水素（Ｈ）含有ガスを用いることができる。Ｏ及びＨ含有ガスとしては、例えば、水蒸気（Ｈ２Ｏガス）、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）ガス、水素（Ｈ２）ガス＋酸素（Ｏ２）ガス、Ｈ２ガス＋オゾン（Ｏ３）ガス等を用いることができる。また、酸化剤としては、Ｏ及びＨ含有ガスの他、例えば、酸素（Ｏ）含有ガスを用いることができる。Ｏ含有ガスとしては、例えば、Ｏ２ガス、Ｏ３ガス、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）ガス、一酸化窒素（ＮＯ）ガス、二酸化窒素（ＮＯ２）ガス、一酸化炭素（ＣＯ）ガス、二酸化炭素（ＣＯ２）ガス等を用いることができる。なお、Ｏ及びＨ含有ガスも、Ｏ含有ガスの一種である。酸化剤としては、これらのうち１以上を用いることができる。また、本実施形態では、処理ガス供給源２４３ｂは、キャリアガスを供給することなく、原料ガスのみを供給する場合を例として説明する。

【0030】

また、処理ガス供給配管２４３ａは、分岐部２４３ｅ、及び検知部２４３ｄを有する。分岐部２４３ｅは、処理ガス供給部２４３の下流側に配置されており、後述するバイパス配管２４９ａと接続されている。

【0031】

検知部２４３ｄは、処理ガス供給配管２４３ａの内部の処理ガスの濃度を検知するセンサである。言い換えれば、検知部２４３ｄは、処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留したガスを検知する。検知部２４３ｄは、処理ガス供給配管２４３ａの内部における処理ガスの濃度をコントローラ２８０に通知する。

【0032】

（不活性ガス供給部、及び不活性ガス供給配管）
不活性ガス供給部２４７は、不活性ガス供給配管２４７ａに接続され、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４７ｃを備えている。不活性ガス供給配管２４７ａには上流方向から順に、不活性ガス供給源２４７ｂ、ＭＦＣ２４７ｃが設けられている。なお、不活性ガス供給部２４７に不活性ガス供給源２４７ｂを含めても良い。

【0033】

不活性ガス供給源２４７ｂは、不活性ガスが供給される。不活性ガスは、例えば窒素（Ｎ２）ガスである。

【0034】

不活性ガス供給配管２４７ａは、第四バルブ２５２ｄを介して接続部２５４と接続されている。これにより不活性ガス供給部２４７から供給された不活性ガスが、共通ガス供給配管２４２を介して、シャワーヘッド２３０内に供給される。

【0035】

なお、不活性ガス供給源２４７ｂから供給される不活性ガスの圧力は、処理ガス供給源２４３ｂから供給される供給ガスの圧力よりも大きい。また、接続部２５４に供給される不活性ガスの圧力は、処理ガスの圧力よりも大きい。不活性ガス供給源２４７ｂから供給される不活性ガスは、基板処理工程では、処理容器２０２やシャワーヘッド２３０内に留まったガスをパージするパージガスとして作用する。

【0036】

また、不活性ガス供給配管２４７ａは、分岐部２４７ｅを有する。分岐部２４７ｅは、不活性ガス供給部２４７の下流側に配置されており、後述するバイパス配管２４９ａと接続されている。

【0037】

（バイパス配管）
バイパス配管２４９ａは、第一バルブ２５２ａと、第五バルブ２５２ｅと、第六バルブ２５２ｆと、分岐部２４９ｅとを有している。また、バイパス配管２４９ａは、不活性ガス供給配管２４７ａの分岐部２４７ｅに第一バルブ２５２ａを介して接続され、処理ガス供給配管２４３ａの分岐部２４３ｅに第五バルブ２５２ｅを介して接続される。また、バイパス配管２４９ａは、第六バルブ２５２ｆを介して後述する第二排気部２６３と接続される。なお、第一バルブ２５２ａ、第五バルブ２５２ｅ、及び第六バルブ２５２ｆは、それぞれ分岐部２４９ｅを介してバイパス配管２４９ａに設けられている。すなわち、バイパス配管２４９ａは、分岐部２４９ｅにより三方に分岐する配管である。

【0038】

（第一排気部）
第一排気部２６２は、接続部２５４に接続され、ガス供給部２４０における配管の内部のガスを排気する部分である。言い換えれば、第一排気部２６２は、処理ガス供給配管２４３ａに設けられている。なお、第一排気部２６２は、本開示に係る排気部の一例である。

【0039】

より具体的には、第一排気部２６２は、処理ガス排気配管の一例である第一処理ガス排気配管２６２ａを有しており、第一処理ガス排気配管２６２ａの一端が接続部２５４に、他端が後述する処理室排気部２６１と接続されている。また、第一処理ガス排気配管２６２ａは、第七バルブ２５２ｇを有している。

【0040】

第一処理ガス排気配管２６２ａは、第七バルブ２５２ｇを介し接続部２５４と接続されており、第七バルブ２５２ｇが開弁した場合に、接続部２５４からガス供給部２４０における配管の内部のガスが第一処理ガス排気配管２６２ａに流れる。なお、第一処理ガス排気配管２６２ａは、金属製で構成され、内壁に腐食防止の加工がされている。

【0041】

なお、本実施形態における第一排気部２６２は、処理空間２０５に残留した残留ガスを排気することが可能とされている。また、第七バルブ２５２ｇは、後述するようにシャワーヘッド２３０内において高温とされた処理ガスの温度に耐えることができる材料で構成されている。

【0042】

ところで、上述のように、第一処理ガス排気配管２６２ａは、接続部２５４と接続されており、接続部２５４は、処理ガス供給配管２４３ａ及び共通ガス供給配管２４２とを合わせた配管のうち、シャワーヘッド２３０に近い側に設けられている。すなわち、本実施形態において第一排気部２６２は、処理ガス供給配管２４３ａ及び共通ガス供給配管２４２を合わせた配管のうち、シャワーヘッド２３０に近い側に設けられている。

【0043】

（第二排気部）
第二排気部２６３は、バイパス配管２４９ａと接続され、ガス供給部２４０における配管の内部のガスを排気する部分である。

【0044】

より具体的には、第二排気部２６３は、第二処理ガス排気配管２６３ａを有しており、後述する処理室排気部２６１と接続されている。また、第二処理ガス排気配管２６３ａは、第七バルブ２５２ｇを有している。第二処理ガス排気配管２６３ａは、金属製で構成され、内壁に腐食防止の加工がされている。

【0045】

また、第二処理ガス排気配管２６３ａは、第六バルブ２５２ｆを介してバイパス配管２４９ａと接続されている。これにより、ガス供給部２４０における配管の内部のガスは、第六バルブ２５２ｆが開弁した場合に、バイパス配管２４９ａから第二処理ガス排気配管２６３ａに流れる。なお、第六バルブ２５２ｆは、後述するようにシャワーヘッド２３０内において高温とされた処理ガスの温度に耐えることができる材料で構成されている。

【0046】

なお、本実施形態において第二バルブ２５２ｂは、一例として開度調整弁である。また、本実施形態において第二バルブ２５２ｂを除き、ガス供給部２４０が有するそれぞれのバルブは、一例として開閉弁である。なお、以後の説明において、第一バルブ２５２ａから第七バルブ２５２ｇを特に区別しない場合は、単にバルブ２５２と称す。

【0047】

（排気部）
処理容器２０２の雰囲気を排気する排気部は、処理空間２０５の雰囲気を排気する処理室排気部２６１で主に構成される。

【0048】

処理室排気部２６１は、排気管２６１ａとバルブ２６１ｂ、ＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２６１ｃ、圧力検出部２６１ｄを有する。排気管２６１ａは、処理空間２０５に連通するよう設けられる。排気管２６１ａには、処理空間２０５内を所定の圧力に制御する圧力制御器であるＡＰＣ２６１ｃ、処理空間２０５の圧力を計測する第一の圧力検出部２６１ｄが設けられる。ＡＰＣ２６１ｃは開度調整可能な弁体（図示せず）を有し、後述するコントローラ２８０からの指示に応じて排気管２６１ａのコンダクタンスを調整する。また、排気管２６１ａにおいてＡＰＣ２６１ｃの上流側にはバルブ２６１ｂが設けられる。

【0049】

排気管２６１ａの下流側には、ＤＰ（Ｄｒｙ Ｐｕｍｐ。ドライポンプ）２７８が設けられる。ＤＰ２７８は、排気管２６１ａを介して、処理空間２０５の雰囲気を排気する。

【0050】

また、本実施形態における処理室排気部２６１は、第一排気部２６２及び第二排気部２６３と接続されている。より具体的には、図１に示されるように、排気管２６１ａのＡＰＣ２６１ｃの下流側には、第一処理ガス排気配管２６２ａと、第二処理ガス排気配管２６３ａと、が接続されている。なお、図１において、第一処理ガス排気配管２６２ａ及び第二処理ガス排気配管２６３ａは、それぞれ配管の途中の図示を省略している。

【0051】

このように、本実施形態におけるＤＰ２７８は、排気管２６１ａを介して第一処理ガス排気配管２６２ａ及び第二処理ガス排気配管２６３ａと接続されている。このため、ＤＰ２７８は、第一処理ガス排気配管２６２ａ及び第二処理ガス排気配管２６３ａを介して、ガス供給部２４０における配管内部のガスを排気する。

【0052】

（コントローラ）
次に、図２を用いて、本実施形態における制御部の一例であり、基板処理装置２００の各部の動作を制御するコントローラ２８０について説明する。図２は、本開示の実施形態に係る基板処理装置のコントローラを説明する図である。

【0053】

基板処理装置２００は、基板処理装置２００の各部の動作を制御するコントローラ２８０を有している。コントローラ２８０は、図２に記載のように、演算部（ＣＰＵ）２８０ａ、一時記憶部（ＲＡＭ）２８０ｂ、記憶部２８０ｃ、Ｉ／Ｏポート２８０ｄを少なくとも有する。コントローラ２８０は、Ｉ／Ｏポート２８０ｄを介して基板処理装置２００の各構成に接続され、送受信部２８３を介して上位コントローラ（上位装置）２７０や使用者の指示に応じて記憶部２８０ｃからプログラムやレシピを呼び出し、その内容に応じて各構成の動作を制御する。基板処理装置２００の各構成には、昇降機構２１８，３１８が含まれる。コントローラ２８０は、後述する図３～図６の説明において記載する各工程（基板を搬入する工程～基板を搬出する工程)を実施するための手順が記載されたプログラムを実施することで、昇降機構２１８，３１８の動作を制御することができるように構成されている。

【0054】

また、コントローラ２８０は、前述の処理室排気部２６１及び、バルブ２５２と接続されている。すなわち、コントローラ２８０は、後述する図３～図６の説明において記載する各工程（基板を搬入する工程～基板を搬出する工程)を実施するための手順が記載されたプログラムを実施することで、処理室排気部２６１、バルブ２５２の動作を制御可能に構成されている。すなわち、コントローラ２８０は、処理ガス供給配管２４３ａ内の残留ガスを第一排気部２６２から排気するよう制御可能とされており、また、処理容器２０２内の残留ガスを処理室排気部２６１から排気するよう制御可能とされている。

【0055】

また、コントローラ２８０は、前述の検知部２４３ｄと接続されており、処理ガス供給配管２４３ａの内部のガスの濃度を測定する。

【0056】

また、コントローラ２８０は、後述する各工程においてガス供給部２４０から配管の内部のガスを排気する時間である、残留ガス排気時間を計測する。より具体的には、ＣＰＵ２８０ａは、コントローラ２８０が排気処理を実行した時点から経過した時間を排気処理が完了するまで計測する。そしてＣＰＵ２８０ａは、記憶部２８０ｃに格納されたあらかじめ定められた閾値を取得し、あらかじめ定められた閾値と、残留ガス排気時間とを比較し、残留ガス排気時間が閾値よりも長い場合に、排気異常と判定する。

【0057】

また、本実施形態におけるコントローラ２８０には、一例としてタッチパネルである入出力装置２８１が接続されている。この入出力装置２８１は、コントローラ２８０から出力された情報を表示する機能を有している。コントローラ２８０は、ＣＰＵ２８０ａが排気異常を判定した場合に、入出力装置２８１に排気異常が生じていることを表示させるよう制御を行う。すなわち、本実施形態において入出力装置２８１は、表示部の一例であり、排気異常が生じていることを表示させることは、通知を行うことの一例である。

【0058】

なお、本実施形態におけるコントローラ２８０は、排気異常が生じていると判定した場合に、記憶部２８０ｃに排気異常を記録する。言い換えれば、記憶部２８０ｃは、コントローラ２８０から排気異常が通知された場合に、排気異常の履歴を記憶する。

【0059】

なお、本実施形態におけるコントローラ２８０は、残留ガス排気時間が記憶部２８０ｃに記憶された閾値よりも短い場合においては、入出力装置２８１に通知を行わない。

【0060】

なお、コントローラ２８０は、専用のコンピュータとして構成してもよいし、汎用のコンピュータとして構成してもよい。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ（ＵＳＢ Ｆｌａｓｈ Ｄｒｉｖｅ）やメモリカード等の半導体メモリ）２８２を用意し、外部記憶装置２８２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすることにより、本実施形態に係るコントローラ２８０を構成することができる。また、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置２８２を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用いても良いし、上位装置２７０から送受信部２８３を介して情報を受信し、外部記憶装置２８２を介さずにプログラムを供給するようにしてもよい。また、入出力装置２８１を用いて、コントローラ２８０に指示をしても良い。

【0061】

なお、記憶部２８０ｃや外部記憶装置２８２は、コンピュータで読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶部２８０ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置２８２単体のみを含む場合、又は、その両方を含む場合がある。

【0062】

（半導体装置の製造方法）
次に、半導体装置の製造方法の一工程を説明する。ここでは、基板１００上にＳｉＯ２膜を形成する膜形成工程を説明する。以下の説明において、基板処理装置２００を構成する各部の動作はコントローラ２８０により制御される。

【0063】

（基板を搬入する工程）
図１の基板処理装置２００において、ゲートバルブ１４９を開いて、基板搬入出口１４８から処理容器２０２の下部容器２０２ｂ内の基板１００を搬入する。基板１００は、基板載置台２１２に配置された貫通孔２１４を通して基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に載置される。ゲートバルブ１４９が閉じられる。その後、基板載置台２１２が上昇し、基板１００が基板載置台２１２に載置される。そして、基板載置台２１２が基板処理位置で停止し、次に、複数のリフトピン２０７が貫通孔２１４内で基板１００に触れない位置に移動される。これにより、基板載置台２１２の貫通孔２１４が複数のリフトピン２０７で塞がれるように構成されている。基板１００は図１に記載されている状態とされている。

【0064】

なお、この状態においては、図１、及び図３に示されるように、ガス供給部２４０におけるそれぞれのバルブ２５２は、閉弁された状態とされている。

【0065】

なお、図１、及び図３に示される状態において、バイパス配管２４９ａ及び処理ガス供給配管２４３ａの内部は、処理ガス源から供給される処理ガスの圧力、及び不活性ガス供給源２４７ｂから供給される不活性ガスの圧力よりも低圧とされている。言い換えれば、バイパス配管２４９ａは、あらかじめ第二排気部２６３によって真空引きされており、処理ガス供給配管２４３ａは、あらかじめ第一排気部２６２によって真空引きされている。

【0066】

また、図１、及び図３に示される状態において、コントローラ２８０は、ＤＰ２７８を駆動させると共に、ＡＰＣ２１６ｃの開度をあらかじめ定めた開度としている。また、コントローラ２８０は、バルブ２６１ｂを開弁した状態としている。すなわち、処理容器２０２の内部は、真空引きされている。

【0067】

（処理ガスを供給する工程）
処理ガスを供給する工程では、コントローラ２８０は、図４に示されるように、第二バルブ２５２ｂ及び第三バルブ２５２ｃを開弁する。これにより、処理ガスは、処理ガス供給部２４３の処理ガス供給源２４３ｂから処理ガス供給配管２４３ａを通って処理容器２０２に供給される。

【0068】

（基板１００を処理する工程）
続いて、図４に示されるように、基板１００を処理する工程においては、コントローラ２８０は、処理ガスをシャワーヘッド２３０から処理容器２０２内の基板１００に向かって吹き付ける。そしてコントローラ２８０は、基板１００が処理ガスに曝露した状態をあらかじめ定められた時間だけ保つ。これにより、基板１００上には、ＳｉＯ２膜が形成される。

【0069】

（不活性ガスをパージする工程）
続いて、図５に示されるようにコントローラ２８０は、第一バルブ２５２ａ、第四バルブ２５２ｄ、第五バルブ２５２ｅを開弁する。これにより、不活性ガスは、接続部２５４から、共通ガス供給配管２４２を通って処理容器２０２内に流れる。これにより、接続部２５４から処理容器２０２までの空間は、不活性ガスによってパージされる。

【0070】

また、図５に示されるように、本実施形態におけるコントローラ２８０は、第二バルブ２５２ｂが開弁された状態を保つことにより、処理ガス供給配管２４３ａにおける第二バルブ２５２ｂから分岐部２４３ｅまでを処理ガスを溜める。これにより、コントローラ２８０は、処理ガス供給配管２４３ａにおける第二バルブ２５２ｂから分岐部２４３ｅの間にガスバリア２４３ｆを形成する。

【0071】

また、上述のように、本実施形態においてバイパス配管２４９ａの内部は、基板１００を処理工程するまで不活性ガスの圧力よりも低圧とされていたため、不活性ガスは、第一バルブ２５２ａを通ってバイパス配管２４９ａに流れる。また、同様に処理ガス供給配管２４３ａの内部の不活性ガスは、第四バルブ２５２ｄを通ってバイパス配管２４９ａに流れる。このため、処理ガス供給配管２４３ａの内部は、不活性ガス供給配管２４７ａの内部よりも低圧となるため、不活性ガスは、接続部２５４から処理ガス供給配管２４３ａの上流に向かって流れる。これにより、処理ガス供給配管２４３ａの内部は、不活性ガスによってパージされる。

【0072】

なお、図５に示されるように、処理ガス供給配管２４３ａにおける第二バルブ２５２ｂから分岐部２４３ｅまでには、ガスバリア２４３ｆが形成されている。また、図５に示されるように処理ガス供給配管２４３ａの下流側から分岐部２４３ｅに向かって不活性ガスが流れるため、ガスバリア２４３ｆの部分では、処理ガスの圧力が高まる。このため、処理ガス供給配管２４３ａにおける第二バルブ２５２ｂから分岐部２４３ｅまでの部分では、不活性ガスが処理ガスに混ざりにくい。

【0073】

（残留ガスを排気部から排気する工程）
続いて、コントローラ２８０は、第二バルブ２５２ｂを閉弁して、処理ガスの供給を停止する。

【0074】

また、コントローラ２８０は、第二バルブ２５２ｂを閉弁した後、第一バルブ２５２ａ、第四バルブ２５２ｄ、及び第五バルブ２５２ｅを閉弁して、不活性ガスの接続部２５４及びバイパス配管２４９ａへの供給を停止する。

【0075】

また、コントローラ２８０は、図６に示されるように、第一バルブ２５２ａ、第四バルブ２５２ｄ、及び第五バルブ２５２ｅを閉弁した後、第六バルブ２５２ｆ、及び第七バルブ２５２ｇを開弁する。そしてコントローラ２８０は、処理ガス供給配管２４３ａ及び処理容器２０２の内部に残留した残留ガス（処理ガスと不活性ガスとが混合したガス）を、第一排気部２６２から排気する。また、コントローラ２８０は、バイパス配管２４９ａの内部に残留した残留ガスを、第二排気部２６３から排気する。

【0076】

そして、コントローラ２８０は、処理ガス供給配管２４３ａの内部の残留ガスを排気した後（残留ガスの濃度が、あらかじめ定められた閾値以下となったことを確認した後）、第七バルブ２５２ｇを閉弁する。また、コントローラ２８０は、バイパス配管２４９ａの内部の残留ガスを排気した後、第六バルブ２５２ｆを閉弁する。なお、第六バルブ２５２ｆ及び第七バルブ２５２ｇを閉弁する時期は、異なっていてもよい。すなわち、コントローラ２８０は、処理ガス供給配管２４３ａの内部の残留ガスが排気されたことを確認すれば、バイパス配管２４９ａの内部に残留ガスが残留した状態においても、第七バルブ２５２ｇを閉弁し、次の工程に移行してもよい。

【0077】

（基板１００を搬出する工程）
そして、基板載置台２１２及び複数のリフトピン２０７は、基板搬送位置に移動し、基板１００が基板載置台２１２の表面から突き出した複数のリフトピン２０７の上に載置される。次に、基板処理装置２００のゲートバルブ１４９が開かれて、基板搬入出口１４８から処理容器２０２内の基板１００が処理容器２０２の外部へ搬出される。その後、ゲートバルブ１４９が閉じられて、基板処理工程が終了する。搬出された基板１００は、次の処理工程へ搬送される。

【0078】

そして、上述の工程を繰り返すことにより、基板１００が次々と処理される。

【0079】

なお、上述の残留ガスを排気部から排気する工程において、コントローラ２８０は、第七バルブ２５２ｇを開弁させると共に、残留ガス排気時間の計測を始める。また、コントローラ２８０は、記憶部２８０ｃに格納され、あらかじめ定められた閾値と、残留ガス排気時間を比較し、排気異常の判定を行う。そしてコントローラ２８０は、排気異常が生じていると判定した場合に、入出力装置２８１に排気の異常を表示させる。

【0080】

続いて、本実施形態による基板処理装置２００の作用及び効果を説明する。

【0081】

（作用及び効果）
本実施形態に係る基板処理装置２００によれば、処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留した処理ガスは、第一排気部２６２から排気される。

【0082】

ここで、本実施形態に係る基板処理装置２００では、処理ガス供給配管２４３ａに第一排気部２６２を設けることにより、処理室を介さずに処理ガス供給配管２４３ａ内の残留ガスを排気し、基板１００の処理サイクルタイムを短縮する。

【0083】

したがって、本実施形態に係る基板処理装置２００によれば、処理室へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留した処理ガスを、処理室を通して排気する構成と比べ、速やかに排気することができる。

【0084】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００では、第一排気部２６２は、処理ガス供給配管２４３ａにおける、処理ガス源よりも処理容器２０２側に近い位置に接続されている。このため、本実施形態に係る基板処理装置２００によれば、処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留したガスだけではなく、処理容器２０２内のシャワーヘッド２３０の処理ガス供給側の残留ガスも排気しやすい。

【0085】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００では、第一排気部２６２は、処理ガス供給配管２４３ａに接続される第一処理ガス排気配管２６２ａを有する。このため、本実施形態に係る基板処理装置２００によれば、処理ガス供給配管２４３ａの内部の残留ガスを第一排気部２６２から速やかに排気することができる。

【0086】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００では、第一処理ガス排気配管２６２ａは、第七バルブ２５２ｇを有する。このため、本実施形態に係る基板処理装置２００によれば、処理ガス供給配管２４３ａの内部の残留ガスを排気する制御をすることができる。

【0087】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００では、第一バルブ２５２ａは、処理ガスの温度に耐えることができる材料で構成される。このため、本実施形態に係る基板処理装置２００によれば、処理ガスにより第一バルブ２５２ａが高温状態となった場合でも正常に動作する。

【0088】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００では、第一処理ガス排気配管２６２ａは、金属製で構成され、内壁に腐食防止の加工がされている。このため、本実施形態に係る基板処理装置２００によれば、第一処理ガス排気配管２６２ａが処理ガスによる腐食に耐える。

【0089】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００では、処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留した残留ガスを検知する検知部２４３ｄをさらに備えている。また、コントローラ２８０は、処理ガス供給配管２４３ａから残留ガスを排気する残留ガス排気時間を計測し、残留ガス排気時間があらかじめ定められた閾値を超えた場合に排気異常の通知を行う。

【0090】

本実施形態の基板処理装置２００によれば、検知部２４３ｄが残留ガスを検知することによって、残留ガス排気時間を明確に計測することができる。またこれにより、本実施形態の基板処理装置２００によれば、作業者に処理ガスが排気されたことを知らせることができる。

【0091】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００は、閾値を記憶する記憶部２８０ｃをさらに備えている。またコントローラ２８０は、記憶部２８０ｃより取得した閾値と残留ガス排気時間とを比較することで、異常判定を行う。

【0092】

本実施形態の基板処理装置２００によれば、作業者がコントローラ２８０に対して都度閾値の設定を行うことがなくなり、作業者が誤った閾値の設定を行うことを回避することができる。

【0093】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００では、記憶部２８０ｃは、コントローラ２８０から排気異常が通知された場合に、排気異常の履歴を記憶する。このため、本実施形態に係る基板処理装置２００によれば、過去に発生した排気する工程の異常を作業者が確認することができる。

【0094】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００は、基板１００の処理状態を表示する表示部をさらに備える。また、コントローラ２８０は、排気異常が通知された場合に、排気異常を表示部に表示する。このため、本実施形態に係る基板処理装置２００によれば、排気する工程で異常が発生した場合に、作業者が異常の確認を行いやすい。

【0095】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００では、コントローラ２８０は、残留ガス排気時間が閾値に満たない場合は通知を行わない。このため、本実施形態に係る基板処理装置２００によれば、不要な通知によって発生する、基板処理を行う作業者の負担が低減される。

【0096】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００では、第一排気部２６２は、処理容器２０２内の残留ガスを排気することが可能とされている。

【0097】

処理容器２０２の上部側には処理ガスを供給する共通ガス供給配管２４２が設けられ、共通ガス供給配管２４２から供給された処理ガスを処理容器２０２内のシャワーヘッド２３０を介して処理空間２０５に均一に供給する。しかし、シャワーヘッド２３０が有するバッファ空間２３４に滞留するガスは処理空間２０５を介して短時間での排気を行うことは難しい。処理容器２０２近傍に設けられた第一排気部２６２によりシャワーヘッド２３０内の残留ガスを排気することで、処理容器２０２から排気を行うよりも短時間で排気を行うことができる。

【0098】

また、本実施形態に係る基板処理装置２００では、コントローラ２８０は、処理容器２０２内の残留ガスを排気するよう第一排気部２６２を制御可能とされている。このため、本実施形態に係る基板処理装置２００によれば、コントローラ２８０が処理容器２０２内の残留ガスの排気を自動で行うため、基板処理を行う作業者の負担が低減される。

【0099】

また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留した処理ガスは、第一排気部２６２から排気される。

【0100】

ここで、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、処理ガス供給配管２４３ａに第一排気部２６２を設けることにより、処理室を介さずに処理ガス供給配管２４３ａ内の残留ガスを排気し、基板１００の処理におけるサイクルタイムを短縮する。

【0101】

したがって、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、処理室へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留した処理ガスを、処理室を通して排気する製造方法と比べ、速やかに排気することができる。

【0102】

また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、第一排気部２６２は、処理ガス供給配管２４３ａにおける、処理ガス供給部２４３側よりも処理容器２０２側に近い位置に設けられている。また、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、排気する工程では、さらに処理容器２０２内の残留ガスを第一排気部２６２から排気する。

【0103】

本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留したガスだけではなく、処理容器２０２内のシャワーヘッド２３０の処理ガス供給側の残留ガスも排気しやすい。

【0104】

また、本実施形態に係るプログラムは、基板１００を処理する処理ガスを処理ガス供給配管２４３ａに接続される処理ガス供給部２４３から基板１００を処理する処理容器２０２に供給する手順と、を、コントローラ２８０に実行させる。また、本実施形態に係るプログラムは、処理容器２０２内で基板１００を処理する手順と、を、コントローラ２８０に実行させる。そして、本実施形態に係るプログラムは、処理ガス供給配管２４３ａに設けた第一排気部２６２によって、処理ガス供給配管２４３ａ内の残留ガスを第一排気部２６２から排気する手順と、をコントローラ２８０に実行させる。

【0105】

本実施形態に係るプログラムによれば、処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留した処理ガスは、第一排気部２６２から排気される。

【0106】

上述のように、本実施形態に係る基板処理装置２００では、処理ガス供給配管２４３ａに第一排気部２６２を設けることにより、処理室を介さずに処理ガス供給配管２４３ａ内の残留ガスを排気し、基板１００の処理サイクルタイムを短縮する。

【0107】

したがって、本実施形態に係るプログラムによれば、処理室へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留した処理ガスを、処理室を通して排気する処理を実行させるプログラムと比べ、速やかに排気することができる。

【0108】

また、本実施形態に係るプログラムは、排気する手順では、第一排気部２６２から、さらに処理容器２０２内の残留ガスを排気させることをコントローラ２８０に実行させる。

【0109】

このため、本実施形態に係るプログラムによれば、処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留したガスだけではなく、処理容器２０２内のシャワーヘッド２３０の処理ガス供給側の残留ガスも排気しやすい。

【0110】

（変形例）
なお、上述の説明において、第一排気部２６２は、処理ガス供給配管２４３ａにおける処理ガス供給部２４３側よりも処理容器２０２に近い位置に設けられているとしたが、本実施形態に係る基板処理装置２００は、これに限られない。例えば、処理ガス供給配管２４３ａ内の残留ガスを第一排気部２６２から排気することが可能とされていれば、接続部２５４は、処理容器２０２側よりも処理ガス供給部２４３に近い位置に設けられていてもよい。

【0111】

また、上述の説明において、第一排気部２６２は、第一処理ガス排気配管２６２ａを有していたが、本実施形態に係る基板処理装置２００は、これに限られない。例えば、処理ガス供給配管２４３ａ内の残留ガスを排気することが可能とされていれば、第一排気部２６２は、第一処理ガス排気配管２６２ａを有さずに、外部に排気してもよい。

【0112】

また、上述の説明において、処理ガス供給配管２４３ａには、検知部２４３ｄが設けられていたが、本実施形態に係る基板処理装置２００は、これに限られない。例えば、コントローラ２８０は、計測された排気時間があらかじめ定められた閾値を超えた場合に、処理ガス供給配管２４３ａの内部の残留ガスが排気されたと判定してもよい。

【0113】

また、上述の説明において、コントローラ２８０は、排気時間があらかじめ定められた閾値を超えた場合に、排気異常の通知を行っていたが、本実施形態に係る基板処理装置２００は、これに限られない。例えば、コントローラ２８０は、排気異常の通知を行わなくてもよい。

【0114】

また、上述の説明において、コントローラ２８０は、排気異常が生じた場合に、排気異常の履歴を記憶部２８０ｃに記憶していたが、本実施形態に係る基板処理装置２００は、これに限られない。例えば、コントローラ２８０は、排気異常が生じた場合においても排気異常の履歴を記憶しなくてもよい。

【0115】

また、上述の説明において、コントローラ２８０は、排気異常が生じた場合に、排気異常を入出力装置２８１に表示させていたが、本実施形態に係る基板処理装置２００は、これに限られない。例えば、コントローラ２８０は、排気異常が生じた場合においても、排気異常を入出力装置２８１に表示させなくてもよい。

【0116】

また、上述の説明において、第一排気部２６２は、処理室の内部の残留ガスを排気可能とされていたが、本実施形態に係る基板処理装置２００は、これに限られない。例えば、第一排気部２６２は、処理ガス供給配管２４３ａの内部の残留ガスを排気することが可能とされていれば、処理室の内部の残留ガスについては排気することが可能とされていなくてもよい。

【0117】

これらの変形例においても、処理容器２０２へ処理ガスを供給する処理ガス供給配管２４３ａの内部に残留した処理ガスを、処理室を通して排気する構成と比べ、速やかに排気することができる。また、上述の態様や変形例は、適宜組み合わせて用いることができる。このときの処理手順、処理条件は、例えば、上述の態様や変形例の処理手順、処理条件と同様とすることができる。

【0118】

また、上述の態様では、一度に１枚又は数枚の基板を処理する枚葉式の基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本開示は上述の態様に限定されず、例えば、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用することができる。また、上述の態様では、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本開示は上述の態様に限定されず、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用することができる。

【0119】

これらの基板処理装置を用いる場合においても、上述の態様や変形例と同様な処理手順、処理条件にて各処理を行うことができ、上述の態様や変形例と同様の効果が得られる。

【0120】

以上、添付図面を参照しながら本開示の実施形態を説明したが、本開示の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例又は応用例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。

【符号の説明】

【0121】

１００ 基板
２０２ 処理容器
２４３ 処理ガス供給部
２６２ 第一排気部（排気部の一例）
２６２ａ 第一処理ガス排気配管（処理ガス排気配管の一例）
２８０ コントローラ（制御部の一例）

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】