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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024159488
(43)【公開日】2024-11-08
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/50 20100101AFI20241031BHJP
H01L 33/60 20100101ALI20241031BHJP
F21S 2/00 20160101ALI20241031BHJP
F21S 41/141 20180101ALI20241031BHJP
F21Y 115/10 20160101ALN20241031BHJP
F21W 102/00 20180101ALN20241031BHJP
F21W 131/00 20060101ALN20241031BHJP
【ＦＩ】
H01L33/50
H01L33/60
F21S2/00 100
F21S41/141
F21Y115:10
F21W102:00
F21W131:00
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024018079
(22)【出願日】2024-02-08
(31)【優先権主張番号】P 2023073321
(32)【優先日】2023-04-27
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100138863
【弁理士】
【氏名又は名称】言上 惠一
(72)【発明者】
【氏名】林 達也
(72)【発明者】
【氏名】大倉 信也
【テーマコード（参考）】
5F142
【Ｆターム（参考）】
5F142AA12
5F142BA32
5F142CD02
5F142CD13
5F142CD15
5F142CD17
5F142CD18
5F142CE04
5F142CG03
5F142CG04
5F142CG05
5F142CG24
5F142DA14
5F142DA36
5F142DB24
5F142FA48
5F142GA29
(57)【要約】
【課題】発光面内に高輝度領域と低輝度領域とを有する発光装置を提供する。
【解決手段】光出射面を有する発光素子と、下面と、下面と反対側の上面とを有し、下面が光出射面に対向するように発光素子上に配置された波長変換層と、を含み、波長変換層は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含み、波長変換層の上面及び下面は、第１層と第２層とを含む。
【選択図】図３Ａ
【解決手段】光出射面を有する発光素子と、下面と、下面と反対側の上面とを有し、下面が光出射面に対向するように発光素子上に配置された波長変換層と、を含み、波長変換層は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含み、波長変換層の上面及び下面は、第１層と第２層とを含む。
【選択図】図３Ａ
【特許請求の範囲】
【請求項1】
光出射面を有する発光素子と、
下面と、前記下面と反対側の上面とを有し、前記下面が前記光出射面に対向するように前記発光素子上に配置された波長変換層と、
を含み、
前記波長変換層は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含み、
前記波長変換層の上面及び下面は、前記第１層と前記第２層とを含む、発光装置。
下面と、前記下面と反対側の上面とを有し、前記下面が前記光出射面に対向するように前記発光素子上に配置された波長変換層と、
を含み、
前記波長変換層は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含み、
前記波長変換層の上面及び下面は、前記第１層と前記第２層とを含む、発光装置。
【請求項2】
前記波長変換層上に配置された透光性部材を含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記第１層の第１蛍光体粒子と前記第２層の第２蛍光体粒子は同一の蛍光体材料を含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項4】
前記波長変換層において、前記第１層と前記第２層は接している請求項１に記載の発光装置。
【請求項5】
前記波長変換層において、前記第１層と前記第２層の境界は、前記波長変換層の上面に対して傾斜している請求項４に記載の発光装置。
【請求項6】
前記発光素子の側面と前記波長変換層の側面を被覆する被覆部材をさらに含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項7】
前記発光素子は、支持基板と、前記支持基板上に離隔して配置された複数の発光部を含む請求項１に記載の発光装置。
【請求項8】
平面視において、前記第１層と前記第２層の境界は、隣接する発光部の間に位置する請求項７に記載の発光装置。
【請求項9】
前記複数の発光部は、独立して制御することができる請求項７記載の発光装置。
【請求項10】
前記波長変換層は、第３蛍光体粒子と光反射粒子を含む第３層をさらに備え、
前記第３層における光反射粒子の濃度は前記第２層における光反射粒子の濃度より大きい請求項１に記載の発光装置。
前記第３層における光反射粒子の濃度は前記第２層における光反射粒子の濃度より大きい請求項１に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、ヘッドライト等の車両用灯具の光源として、ＬＥＤが用いられている。例えば、特許文献１には、発光面積の異なる複数の発光素子を組み合わせることで、ヘッドライトに適した配光を有する発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－０１１２５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、発光面内に高輝度領域と低輝度領域とを有する発光装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の実施形態に係る発光装置は、
光出射面を有する発光素子と、
下面と、前記下面と反対側の上面とを有し、前記下面が前記光出射面に対向するように前記発光素子上に配置された波長変換層と、
を含み、
前記波長変換層は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含み、
前記波長変換層の上面及び下面は、前記第１層と前記第２層とを含む。
光出射面を有する発光素子と、
下面と、前記下面と反対側の上面とを有し、前記下面が前記光出射面に対向するように前記発光素子上に配置された波長変換層と、
を含み、
前記波長変換層は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含み、
前記波長変換層の上面及び下面は、前記第１層と前記第２層とを含む。
【発明の効果】
【0006】
本開示の実施形態によれば、発光面内に高輝度領域と低輝度領域とを有する発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】実施形態１に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。
【図2】実施形態１に係る発光装置を模式的に示す平面図である。
【図4A】実施形態１に係る発光装置の製造方法における一工程の一例を模式的に示す平面図である。
【図5A】実施形態１に係る発光装置の製造方法における一工程の一例を模式的に示す平面図である。
【図6A】実施形態１に係る発光装置の製造方法における一工程の一例を模式的に示す平面図である。
【図7A】実施形態１に係る発光装置の製造方法における一工程の一例を模式的に示す平面図である。
【図8】実施形態１に係る発光装置の製造方法における一工程の一例を模式的に示す断面図である。
【図9】実施形態１に係る発光装置の製造方法における一工程の一例を模式的に示す断面図である。
【図10】実施形態１に係る発光装置の製造方法における一工程の一例を模式的に示す断面図である。
【図11】実施形態１に係る発光装置の製造方法における一工程の一例を示す模式的に断面図である。
【図12】実施形態２に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。
【図13】実施形態２に係る発光装置を模式的に示す平面図である。
【図15】実施形態２に係る発光装置の発光素子２を模式的に示す平面図である。
【図16】実施形態２に係る発光装置の配線基板５０を模式的に示す平面図である。
【図17】実施形態３に係る発光装置を模式的に示す斜視図である。
【図18】実施形態３に係る発光装置を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
実施形態を、以下に図面を参照しながら説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置及び発光装置の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示に過ぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張又は簡略化していることがある。また、図面が過度に複雑になることを避けるために、一部の要素の図示を省略したり、断面図として切断面のみを示す端面図を用いたりすることがある。更に、「覆う、被覆する」とは直に接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。また、「配置する」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して配置する場合も含む。なお、本明細書において「平面図」とは、発光装置の発光面側からの図面であることを意味する。
【0009】
本開示に係る実施形態の発光装置は、
光出射面を有する発光素子と、
下面と、下面と反対側の上面とを有し、下面が発光素子の光出射面に対向するように発光素子上に配置された波長変換層と、
を含む。
そして、波長変換層は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含み、波長変換層の上面及び下面は、第１層と第２層とを含む。
以上のように構成された発光装置は、波長変換層の上面及び下面は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含むので、波長変換層の上面から異なる輝度の光を出射することが可能になる。
すなわち、詳細後述するように、第１層に含まれる第１蛍光体粒子の種類及び含有量等、第２層に含まれる第２蛍光体粒子と光反射粒子の種類及び含有量等に基づき、波長変換層の上面における第１層の上面と第２層の上面から異なる輝度の光を出射することが可能になる。
ここで、本明細書において、特定的な記載がない限り、上面とは発光装置における主たる光の出射側の面をいい、下面とは上面と反対側の面をいう。
光出射面を有する発光素子と、
下面と、下面と反対側の上面とを有し、下面が発光素子の光出射面に対向するように発光素子上に配置された波長変換層と、
を含む。
そして、波長変換層は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含み、波長変換層の上面及び下面は、第１層と第２層とを含む。
以上のように構成された発光装置は、波長変換層の上面及び下面は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含むので、波長変換層の上面から異なる輝度の光を出射することが可能になる。
すなわち、詳細後述するように、第１層に含まれる第１蛍光体粒子の種類及び含有量等、第２層に含まれる第２蛍光体粒子と光反射粒子の種類及び含有量等に基づき、波長変換層の上面における第１層の上面と第２層の上面から異なる輝度の光を出射することが可能になる。
ここで、本明細書において、特定的な記載がない限り、上面とは発光装置における主たる光の出射側の面をいい、下面とは上面と反対側の面をいう。
【0010】
また、実施形態の発光装置では、第１層に含まれる第１蛍光体粒子の種類及び含有量等、第２層に含まれる第２蛍光体粒子と光反射粒子の種類及び含有量等に基づき、波長変換層の上面における第１層の上面と第２層の上面から発光スペクトルの異なる光を出射することも可能である。
以下、本開示に係る発光装置の具体的な構成を例示しながら実施形態について説明する。
以下、本開示に係る発光装置の具体的な構成を例示しながら実施形態について説明する。
【0011】
［実施形態１］
図１は、実施形態１に係る発光装置の斜視図である。図２は、実施形態１に係る発光装置を上方から見た平面図である。図３Ａは、図２のＡ－Ａ線における断面図である。
実施形態１に係る発光装置は、図３Ａ等に示すように、配線基板４０と、配線基板４０上に配置された発光素子１と、発光素子１上に配置された波長変換層１０とを含む。波長変換層１０は、下面と下面と反対側の上面とを有し、下面が発光素子の光出射面１ａに対向するように発光素子１上に配置されている。実施形態１の発光装置において、波長変換層１０は、透光性の接合部材１７により下面が発光素子の光出射面１ａに接着されている。波長変換層１０の上面には、透光性部材１５が配置されている。さらに、透光性部材１５の上面（発光装置１００の光出射面）を除き、配線基板４０上で、発光素子１と波長変換層１０と透光性部材１５の側面は被覆部材６０により被覆されている。
図１は、実施形態１に係る発光装置の斜視図である。図２は、実施形態１に係る発光装置を上方から見た平面図である。図３Ａは、図２のＡ－Ａ線における断面図である。
実施形態１に係る発光装置は、図３Ａ等に示すように、配線基板４０と、配線基板４０上に配置された発光素子１と、発光素子１上に配置された波長変換層１０とを含む。波長変換層１０は、下面と下面と反対側の上面とを有し、下面が発光素子の光出射面１ａに対向するように発光素子１上に配置されている。実施形態１の発光装置において、波長変換層１０は、透光性の接合部材１７により下面が発光素子の光出射面１ａに接着されている。波長変換層１０の上面には、透光性部材１５が配置されている。さらに、透光性部材１５の上面（発光装置１００の光出射面）を除き、配線基板４０上で、発光素子１と波長変換層１０と透光性部材１５の側面は被覆部材６０により被覆されている。
【0012】
実施形態１の発光装置１００において、波長変換層１０は、第１蛍光体粒子を含む第１層１１と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層１２とを含み、波長変換層１０の上面及び下面は、第１層１１と第２層１２とを含む。すなわち、波長変換層１０の下面は、第１層１１の下面（以下、第１下面と称することがある）と第２層１２の下面（以下、第２下面と称することがある）とを含み、第１下面と第２下面とがそれぞれ発光素子１の光出射面１ａに対向するように配置され、第１下面及び第２下面からそれぞれ発光素子１の光が第１層１１及び第２層１２に入射される。また、波長変換層１０の上面は、第１層１１の上面（以下、第１上面と称することがある）と第２層１２の上面（以下、第２上面と称することがある）とを含み、第１上面と第２上面とからそれぞれ第１層１１と第２層１２で波長変換した光が出射される。そして、第１上面及び第２上面から出射された光はそれぞれ、透光性部材１５の上面（つまり、発光装置１００の発光領域Ｒ）のそれぞれ一部である第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から出射される。
【0013】
ここで、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から出射される光はそれぞれ、第１層に含まれる第１蛍光体粒子の種類及び含有量等、第２層に含まれる第２蛍光体粒子と光反射粒子の種類及び含有量等に基づく輝度の光を出射することができる。これにより、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から異なる輝度の光を出射することが可能になる。
【0014】
例えば、第１下面から第１層１１に入射される発光素子１の光は、一部が第１層に含まれる第１蛍光体粒子により波長変換されて第１変換光となり、他の一部は変換されることなく第１上面から出射される。これにより、第１変換光と発光素子１の光とが第１上面から出射される。また、第２層の下面から第２層１２に入射される発光素子１の光は、一部が第２層に含まれる第２蛍光体粒子により波長変換されて第２変換光となり、他の一部は変換されることなく第２上面から出射される。このとき第２層１２においては、第２変換光及び第２蛍光体粒子により変換されていない光は、第２層１２に含まれている光反射粒子により散乱される。第２層において光の散乱が生じることにより第２上面から出射される光の光量を減少させることができるので第２上面の輝度、すなわち第２発光領域Ｒ２の輝度を低くできる。また、光反射粒子により散乱された光の一部は例えば第１層１１に入射されて第１層１１の第１上面から出射される。これにより、第１上面から出射される光の量を多くでき、第１発光領域Ｒ１の輝度を高くできる。このようにして、発光装置１００において、第１発光領域Ｒ１を高輝度領域、第２発光領域Ｒ２を第１発光領域Ｒ１に比べて低輝度な光を出射する低輝度領域とすることができる。
【0015】
このような発光面に輝度差のある第１発光領域Ｒ１と第２発光領域Ｒ２とを有する発光装置１００を車載のヘッドライトに用いる場合、照射領域の所望の領域に高輝度領域を配置することが可能となる。このため、リフレクタやレンズ等の複雑な光学設計を用いることなく、所望の配光を得ることが容易となる。これにより、ヘッドライトの小型化が可能となり、ヘッドライトのデザイン性を高めることができる。
【0016】
第１層１１の第１蛍光体粒子と第２層１２の第２蛍光体粒子は同一の蛍光体材料を含むことが好ましい。これにより、第１変換光と第２変換光との発光ピーク波長を同一とすることが可能となり、第１層１１の第１上面と第２層１２の第２上面から同一の発光色の光を出射することが可能になる。なお、第１蛍光体粒子と第２蛍光体粒子が同一の蛍光体材料を含む場合であっても、それぞれに含有される蛍光体材料の含有量を調整することにより、第１層１１の第１上面と第２層１２の第２上面から異なる発光色の光を出射するも可能である。第１層１１の第１蛍光体粒子と第２層１２の第２蛍光体粒子は異なる蛍光体材料を含んでいてもよく、これにより、容易に第１層１１の第１上面と第２層１２の第２上面から異なる発光色の光を出射することが可能になる。
【0017】
波長変換層１０において、第１層１１と第２層１２は接していてもよいし、離れていてもよい。なかでも、波長変換層１０において、第１層１１と第２層１２は対向する側面同士が接していることが好ましい。
波長変換層１０において、第１層１１と第２層１２は接して配置されることにより、発光装置１００の発光領域Ｒにおいて、異なる輝度及び／又は色度を有する第１発光領域Ｒ１と第２発光領域Ｒ２とを隣接させて配置することができる。
この際、第１層１１と第２層１２の界面を波長変換層１０の上面に対して略垂直な面とすることで、第１層１１と第２層１２の境界近傍における、第１上面から出射される光と第２上面から出射される光の輝度差を大きくすることができる。言い換えると第１層１１と第２層１２の境界近傍における輝度の変化を急峻にできる。
また、図３Ｂに示すように、波長変換層１０において、第１層１１と第２層１２が接している場合に、第１層１１と第２層１２の境界を、波長変換層１０の上面に対して傾斜させることにより、境界近傍における輝度の急激な変化を低減できる。
すなわち、第１層１１と第２層１２の境界近傍の構成を仕様に合わせて適宜調整することにより、境界近傍における輝度の変化を設定することができる。ここで、第１層１１と第２層１２の傾斜する境界は、図３Ｂに示すように湾曲していてもよいし、平坦な平面であってもよい。
波長変換層１０において、第１層１１と第２層１２は接して配置されることにより、発光装置１００の発光領域Ｒにおいて、異なる輝度及び／又は色度を有する第１発光領域Ｒ１と第２発光領域Ｒ２とを隣接させて配置することができる。
この際、第１層１１と第２層１２の界面を波長変換層１０の上面に対して略垂直な面とすることで、第１層１１と第２層１２の境界近傍における、第１上面から出射される光と第２上面から出射される光の輝度差を大きくすることができる。言い換えると第１層１１と第２層１２の境界近傍における輝度の変化を急峻にできる。
また、図３Ｂに示すように、波長変換層１０において、第１層１１と第２層１２が接している場合に、第１層１１と第２層１２の境界を、波長変換層１０の上面に対して傾斜させることにより、境界近傍における輝度の急激な変化を低減できる。
すなわち、第１層１１と第２層１２の境界近傍の構成を仕様に合わせて適宜調整することにより、境界近傍における輝度の変化を設定することができる。ここで、第１層１１と第２層１２の傾斜する境界は、図３Ｂに示すように湾曲していてもよいし、平坦な平面であってもよい。
【0018】
以上のように、実施形態１の発光装置は、波長変換層１０が第１蛍光体粒子を含む第１層１１と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層１２とを含んでいるので、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から異なる輝度の光を出射することができる。
また、実施形態１の発光装置は、波長変換層１０が第１蛍光体粒子を含む第１層１１と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層１２とを含んでいるので、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から同一の発光色の光又は異なる発光色の光を出射することができる。
以下、実施形態１の発光装置の各構成について具体的に説明する。
また、実施形態１の発光装置は、波長変換層１０が第１蛍光体粒子を含む第１層１１と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層１２とを含んでいるので、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から同一の発光色の光又は異なる発光色の光を出射することができる。
以下、実施形態１の発光装置の各構成について具体的に説明する。
【0019】
［発光素子１］
発光素子１は、光出射面１ａと、光出射面１ａの反対側に位置する下面と、光出射面１ａと下面とに連なる側面と、を有する。発光素子１は、発光ダイオードを用いることができる。発光素子１は、半導体構造体Ｌ１と、少なくとも一対の正負の素子電極１eを備える。本明細書において、素子電極１eという場合には、説明上特段正負の区別をする必要がない場合に使用し、正負の区別をする必要がある場合には、例えば、ｐ電極、ｎ電極という用語を使用する。半導体構造体Ｌ１は、ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、ｎ側半導体層とｐ側半導体層とに挟まれた活性層とを含み、例えば、支持基板Ｓ１上に配置される。活性層は、単一量子井戸（ＳＱＷ）構造としてもよいし、複数の井戸層を含む多重量子井戸（ＭＱＷ）構造としてもよい。半導体構造体は、例えば、窒化物半導体からなる複数の半導体層を含む。窒化物半導体は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）からなる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含む。活性層の発光ピーク波長は、目的に応じて適宜選択することができる。活性層は、例えば可視光または紫外光を発光可能に構成されている。
発光素子１は、光出射面１ａと、光出射面１ａの反対側に位置する下面と、光出射面１ａと下面とに連なる側面と、を有する。発光素子１は、発光ダイオードを用いることができる。発光素子１は、半導体構造体Ｌ１と、少なくとも一対の正負の素子電極１eを備える。本明細書において、素子電極１eという場合には、説明上特段正負の区別をする必要がない場合に使用し、正負の区別をする必要がある場合には、例えば、ｐ電極、ｎ電極という用語を使用する。半導体構造体Ｌ１は、ｎ側半導体層と、ｐ側半導体層と、ｎ側半導体層とｐ側半導体層とに挟まれた活性層とを含み、例えば、支持基板Ｓ１上に配置される。活性層は、単一量子井戸（ＳＱＷ）構造としてもよいし、複数の井戸層を含む多重量子井戸（ＭＱＷ）構造としてもよい。半導体構造体は、例えば、窒化物半導体からなる複数の半導体層を含む。窒化物半導体は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）からなる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含む。活性層の発光ピーク波長は、目的に応じて適宜選択することができる。活性層は、例えば可視光または紫外光を発光可能に構成されている。
【0020】
半導体構造体は、実施形態１では、ｎ側半導体層と、活性層と、ｐ側半導体層とを含む1つの発光部を有する形態を例示しているが、後述の実施形態で示すように、それぞれｎ側半導体層と、活性層と、ｐ側半導体層とを含む複数の発光部を有していてもよい。なお、発光ピーク波長が同じとは、数ｎｍ程度のばらつきがある場合も含む。複数の発光部の発光ピーク波長の組み合わせは、適宜選択することができる。例えば、半導体構造体が２つの発光部を含む場合、それぞれの発光部が発する光の組み合わせとして、青色光と青色光、緑色光と緑色光、赤色光と赤色光、紫外光と紫外光、青色光と緑色光、青色光と赤色光、または、緑色光と赤色光などの組み合わせが挙げられる。例えば、半導体構造体が３つの発光部を含む場合、それぞれの発光部が発する光の組み合わせとして、青色光、緑色光、及び赤色光とする組み合わせが挙げられる。各発光部は、他の井戸層と発光ピーク波長が異なる井戸層を１以上含んでいてもよい。発光素子１の形状や大きさ等は目的に応じて種々選択できる。
【0021】
発光素子１は、半導体構造体Ｌ１を支持する支持基板Ｓ１を備えていてもよい。支持基板Ｓ１としては、サファイアやスピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）のような絶縁性基板、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＮ等の窒化物系の半導体基板が挙げられる。なお、発光部から出射される光を支持基板を介して取り出す場合（つまり支持基板が光出射面１ａを構成する場合）、支持基板は、透光性を有する材料を用いることが好ましい。
【0022】
発光素子１は、発光素子の少なくとも下面に配置される素子電極を含む。素子電極は、例えば、一対の正負の素子電極が半導体構造体の同一面側に配置される。正負の素子電極は、配線基板４０の配線の位置等を考慮して配置することができる。発光素子１の素子電極は、例えば、導電性接合部材を介して配線基板４０の配線に接続される。導電性接合部材としては、共晶はんだ、金属等の導電ペースト、バンプ等を用いることができる。なお、発光素子１の素子電極と配線とは、導電部材を介することなく直接接合により接続してもよい。
【0023】
［波長変換層１０］
波長変換層１０は上述したように、第１蛍光体粒子を含む第１層１１と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層１２とを含む。波長変換層１０は上面と下面とを有し、波長変換層の上面は第１層１１の上面と第２層１２の上面とを含み、波長変換層１０の下面は第１層１１の下面と第２層１２の下面とを含む。言い替えると波長変換層１０は、第１蛍光体粒子を含む第１層１１と、第１層と隣接して配置され、第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層１２とを含む。第１蛍光体粒子と第２蛍光体粒子は、第１層１１及び第２層１２において、発光素子１からの光の少なくとも一部を異なる波長に波長変換する。
波長変換層１０は上述したように、第１蛍光体粒子を含む第１層１１と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層１２とを含む。波長変換層１０は上面と下面とを有し、波長変換層の上面は第１層１１の上面と第２層１２の上面とを含み、波長変換層１０の下面は第１層１１の下面と第２層１２の下面とを含む。言い替えると波長変換層１０は、第１蛍光体粒子を含む第１層１１と、第１層と隣接して配置され、第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層１２とを含む。第１蛍光体粒子と第２蛍光体粒子は、第１層１１及び第２層１２において、発光素子１からの光の少なくとも一部を異なる波長に波長変換する。
【0024】
波長変換層１０としては、例えば樹脂、ガラス、無機物等の透光性材料をバインダーとして、第１層１１には第１蛍光体粒子である蛍光体と透光性材料とを、第２層には第２蛍光体粒子である蛍光体と光反射粒子である光反射部材と透光性材料とを、混合して成形したものを用いることができる。透光性材料としては、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料、ガラス、セラミック等の無機材料を用いることができる。
【0025】
波長変換層１０において、第１層中の第１蛍光体粒子は分散して配置されていてもよく、一部に偏在して配置されていてもよい。例えば、第１層中において、第１蛍光体粒子は下面側（つまり発光装置１００における発光素子側）に偏在して配置されていてもよい。同様に、第２層中の第２蛍光体粒子と光反射粒子は分散して配置されていてもよく、偏在して配置されていてもよい。例えば、第２層中において、第２蛍光体粒子は下面側（つまり発光装置１００における発光素子側）、光反射粒子は上面側（つまり発光装置１００における発光面側）に偏在して配置されていてもよい。
【0026】
蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｌａ，Ｙ）３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２（Ｓｉ１－ｘＡｌｘ）Ｆ６－ｘ：Ｍｎ ここで、ｘは、０＜ｘ＜１を満たす。）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する量子ドット（例えば、（Ｃｓ，ＦＡ，ＭＡ）（Ｐｂ，Ｓｎ）（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）３ ここで、ＦＡとＭＡは、それぞれホルムアミジニウムとメチルアンモニウムを表す。）、ＩＩ－ＶＩ族量子ドット（例えば、ＣｄＳｅ）、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドット（例えば、ＩｎＰ）、又はカルコパイライト構造を有する量子ドット（例えば、（Ａｇ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２）等を用いることができる。
【0027】
光反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、珪酸カルシウム、酸化亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライト及びこれらの組み合わせ等が挙げられる。なかでも酸化チタンは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であるため好ましい。
【0028】
第１蛍光体粒子及び第２蛍光体粒子として、例えば、以上例示した蛍光体から発光装置１００に要求される仕様に応じて適宜選択することができる。
例えば青色発光素子と組み合わせて白色系の混色光を発光させることができる黄色発光の蛍光体として、Ｙの一部をＧｄで置換した、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ）を好適に用いることができる。そして、白色に発光可能な発光装置１００とする場合、第１層１１に含まれる第１蛍光体粒子の種類及び濃度は、第１層１１から所望の色温度の白色光が所望の強度で出射されるように調整され、第２層１２に含まれる第２蛍光体粒子の種類及び濃度、光反射粒子の種類及び濃度は、第２層１２から所望の色温度の白色の光が所望の強度で出射されるように調整される。
例えば青色発光素子と組み合わせて白色系の混色光を発光させることができる黄色発光の蛍光体として、Ｙの一部をＧｄで置換した、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ）を好適に用いることができる。そして、白色に発光可能な発光装置１００とする場合、第１層１１に含まれる第１蛍光体粒子の種類及び濃度は、第１層１１から所望の色温度の白色光が所望の強度で出射されるように調整され、第２層１２に含まれる第２蛍光体粒子の種類及び濃度、光反射粒子の種類及び濃度は、第２層１２から所望の色温度の白色の光が所望の強度で出射されるように調整される。
【0029】
波長変換層１０は、例えば、後述するガラス板等の透光性部材１５を支持体として、透光性部材１５の表面に配置される構成が挙げられる。波長変換層１０は、ポッティング、印刷、スプレー等により透光性部材１５に配置することができる。波長変換層１０が樹脂を含む場合、透光性部材１５で波長変換層１０（つまり第１層１１及び第２層１２）が支持されるため、第１層１１と第２層１２とを所定の膜厚で隣接して配置することが容易となる。波長変換層１０における第１層１１及び第２層１２の厚さ（つまり上面から下面までの最短長さ）は、同じ厚さであることが好ましい。これにより、１つの波長変換層１０としての厚さが略一定となるため、製造工程において、発光素子１上に波長変換層１０を配置しやすくなる。波長変換層１０の厚さは、第１層１１及び第２層１２からそれぞれ所望の色度の光が所定の強度で出射されるように、第１蛍光体粒子の種類及び濃度、第２蛍光体粒子の種類及び濃度、光反射粒子の種類及び濃度との関係を考慮して設定される。例えば、波長変換層１０の厚さは、発光装置１００の小型化、また波長変換層１０の機械的強度等を考慮して、２０μｍ以上３００μｍ以下、好ましくは５０μｍ以上１５０μｍ以下に設定される。
【0030】
［透光性部材１５］
透光性部材１５は、例えば樹脂、ガラス、無機物等の透光性材料を板状に成形したものが挙げられる。この透光性部材１５は、平面視において波長変換層１０と同等の大きさで波長変換層１０の上面に下面が当接するように配置されている。ここで、同等の大きさとは、透光性部材１５の下面と波長変換層１０の上面との面積の差が、一方又は他方の±５％以内であることを意味する。ガラスとしては、例えばホウ珪酸ガラス、石英ガラス等を用いることができ、樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。なかでも、光により劣化しにくいこと、機械的強度等を考慮して、透光性部材１５はガラスを用いることが好ましい。なお、透光性部材１５には、光拡散部材を含有させてもよい。透光性部材１５に光拡散部材を含有させることで、色度ムラ、輝度ムラを抑制することができる。光拡散部材としては、例えば酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等を用いることができる。
なお、透光性部材１５は、透光性の接着層等の他の部材を介して波長変換層１０上に配置されていてもよい。また、透光性部材１５は、誘電体多層膜等の光学層を介して波長変換層１０上に配置されていてもよい。誘電体多層膜は、例えば、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射膜）である。
透光性部材１５は、例えば樹脂、ガラス、無機物等の透光性材料を板状に成形したものが挙げられる。この透光性部材１５は、平面視において波長変換層１０と同等の大きさで波長変換層１０の上面に下面が当接するように配置されている。ここで、同等の大きさとは、透光性部材１５の下面と波長変換層１０の上面との面積の差が、一方又は他方の±５％以内であることを意味する。ガラスとしては、例えばホウ珪酸ガラス、石英ガラス等を用いることができ、樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。なかでも、光により劣化しにくいこと、機械的強度等を考慮して、透光性部材１５はガラスを用いることが好ましい。なお、透光性部材１５には、光拡散部材を含有させてもよい。透光性部材１５に光拡散部材を含有させることで、色度ムラ、輝度ムラを抑制することができる。光拡散部材としては、例えば酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等を用いることができる。
なお、透光性部材１５は、透光性の接着層等の他の部材を介して波長変換層１０上に配置されていてもよい。また、透光性部材１５は、誘電体多層膜等の光学層を介して波長変換層１０上に配置されていてもよい。誘電体多層膜は、例えば、ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector：分布ブラッグ反射膜）である。
【0031】
［配線基板４０］
配線基板４０は、基材４１と、基材４１の上面に配置された配線４２と、を備える板状の部材である。
基材４１は、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス等の絶縁性材料、シリコン等の半導体材料、金属等の導電性材料により構成することができる。なかでも、耐熱性及び耐光性の高いセラミックスを好適に用いることができる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ＬＴＣＣ等が挙げられる。また、これらの絶縁性材料、半導体材料、導電性材料の複合材料を用いることもできる。基材４１として半導体材料、金属等の導電性材料を用いる場合は、配線４２は、絶縁層を介して基材４１の上面及び下面に配置することができる。
配線基板４０は、基材４１と、基材４１の上面に配置された配線４２と、を備える板状の部材である。
基材４１は、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス等の絶縁性材料、シリコン等の半導体材料、金属等の導電性材料により構成することができる。なかでも、耐熱性及び耐光性の高いセラミックスを好適に用いることができる。セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ＬＴＣＣ等が挙げられる。また、これらの絶縁性材料、半導体材料、導電性材料の複合材料を用いることもできる。基材４１として半導体材料、金属等の導電性材料を用いる場合は、配線４２は、絶縁層を介して基材４１の上面及び下面に配置することができる。
【0032】
配線４２は、少なくとも基材４１の上面に配置される第１配線４２１と第２配線４２２とを含む。配線４２は、更に、上面と反対側の下面に配置される外部接続端子を備えていてもよい。この場合、基材４１の上面に配置された第１配線４２１及び第２配線４２２は、例えば、基材４１の内部や側面に配置された中継配線を介して外部接続端子に接続されていてもよい。配線４２の材料としては、例えば、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐｄ等の金属又は、これらの少なくとも１種を含む合金等が挙げられる。
【0033】
［電子部品３０］
電子部品３０は、例えば、保護素子である。保護素子は、例えば、ツェナーダイオードである。電子部品３０は、例えば、導電部材により第１配線４２１及び第２配線４２２に接続される。尚、発光装置１００は、電子部品３０を備えないものであってもよい。
電子部品３０は、例えば、保護素子である。保護素子は、例えば、ツェナーダイオードである。電子部品３０は、例えば、導電部材により第１配線４２１及び第２配線４２２に接続される。尚、発光装置１００は、電子部品３０を備えないものであってもよい。
【0034】
［被覆部材６０］
被覆部材６０は、配線基板４０上で、透光性部材１５の上面を露出し、透光性部材１５の側面、波長変換層１０の側面、発光素子１の側面を被覆する。発光装置１００が電子部品３０を備える場合、被覆部材６０は、電子部品３０を被覆することが好ましい。
被覆部材６０は、配線基板４０上で、透光性部材１５の上面を露出し、透光性部材１５の側面、波長変換層１０の側面、発光素子１の側面を被覆する。発光装置１００が電子部品３０を備える場合、被覆部材６０は、電子部品３０を被覆することが好ましい。
【0035】
被覆部材６０は、遮光性(具体的には光反射性及び／又は光吸収性)を有することが好ましく、なかでも、光反射性を有することが好ましい。また、被覆部材６０は、絶縁性材料を用いることが好ましい。被覆部材６０としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等を用いることができる。具体的には、被覆部材６０としては、光反射性物質の粒子を含む樹脂が挙げられる。樹脂としては、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフタルアミド樹脂、の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂が挙げられる。なかでも、耐熱性、電気絶縁性に優れ、柔軟性のあるシリコーン樹脂をベースポリマーとして含有する樹脂が好ましい。光反射性物質としては、波長変換層１０の材料として例示した材料の中から選択した材料を用いることができる。また、被覆部材６０は、顔料、カーボンブラック、チタンブラック、グラファイト等の光吸収性物質の粒子をさらに含んでいてもよい。光反射性及び／又は光吸収性を有する被覆部材６０においては、光反射性物質及び／又は光吸収性物質の粒子が樹脂中に分散して配置されていることが好ましい。
【0036】
被覆部材６０の光反射性物質の濃度は、例えば６０質量％以上７０質量％以下とすることが好ましい。光反射性物質の濃度は、光反射性物質を含む被覆部材６０における光反射性物質の割合を示す。被覆部材６０の反射率は、例えば、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましい。反射率とは、発光素子１から出射される光の発光ピーク波長における反射率を意味するものとする。
【0037】
以下、実施形態１の発光装置の製造方法について説明する。
実施形態１の発光装置の製造方法は、
（１）発光素子１を準備する工程ＳＴ１と、
（２）集合基板を準備する工程ＳＴ２と、
（３）波長変換層１０を準備する工程ＳＴ３と、
（４）発光素子１を配置する工程ＳＴ４と、
（５）波長変換層１０を配置する工程ＳＴ５と、
（６）被覆部材を配置する工程ＳＴ６と、
（７）発光装置ごとに個片化する工程ＳＴ７と、
を含む。
また、波長変換層１０を準備する工程ＳＴ３は、
第１樹脂及び第２樹脂を準備する工程ＳＴ３１と、
透光性部材の上に、第１層を配置する工程ＳＴ３２と、
透光性部材の上に、第２層を配置するＳＴ３３と、
波長変換層１０ごとに個片化する工程ＳＴ３４と、
を含む。
以下、各工程について説明する。
実施形態１の発光装置の製造方法は、
（１）発光素子１を準備する工程ＳＴ１と、
（２）集合基板を準備する工程ＳＴ２と、
（３）波長変換層１０を準備する工程ＳＴ３と、
（４）発光素子１を配置する工程ＳＴ４と、
（５）波長変換層１０を配置する工程ＳＴ５と、
（６）被覆部材を配置する工程ＳＴ６と、
（７）発光装置ごとに個片化する工程ＳＴ７と、
を含む。
また、波長変換層１０を準備する工程ＳＴ３は、
第１樹脂及び第２樹脂を準備する工程ＳＴ３１と、
透光性部材の上に、第１層を配置する工程ＳＴ３２と、
透光性部材の上に、第２層を配置するＳＴ３３と、
波長変換層１０ごとに個片化する工程ＳＴ３４と、
を含む。
以下、各工程について説明する。
【0038】
（１）発光素子１を準備する工程ＳＴ１
発光素子１を準備する工程ＳＴ１では、支持基板と、少なくとも１つの発光部を含む半導体構造体と、少なくとも一対の正負の素子電極と、を有する発光素子１を準備する。具体的には、発光素子１において、半導体構造体は支持基板上に配置されており、半導体構造体の支持基板側と反対側の面に少なくとも一対の正負の素子電極が配置されている。ここで、発光素子の光出射面は、支持基板側の表面であり、後述の波長変換層は、支持基板上に配置される。尚、発光素子１は、半導体成長等の工程を経るなど、製造工程の一部又は全てを経ることで準備することができる。あるいは、発光素子１は購入、譲渡等により準備してもよい。
発光素子１を準備する工程ＳＴ１では、支持基板と、少なくとも１つの発光部を含む半導体構造体と、少なくとも一対の正負の素子電極と、を有する発光素子１を準備する。具体的には、発光素子１において、半導体構造体は支持基板上に配置されており、半導体構造体の支持基板側と反対側の面に少なくとも一対の正負の素子電極が配置されている。ここで、発光素子の光出射面は、支持基板側の表面であり、後述の波長変換層は、支持基板上に配置される。尚、発光素子１は、半導体成長等の工程を経るなど、製造工程の一部又は全てを経ることで準備することができる。あるいは、発光素子１は購入、譲渡等により準備してもよい。
【0039】
（２）集合基板を準備する工程ＳＴ２
集合基板を準備する工程ＳＴ２では、発光装置１００の配線基板となる複数の基板領域を含む集合基板を準備する。複数の基板領域は、例えば行列状に配置される。集合基板の準備は、まず、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス等の板状の基材（つまり基材４１の集合体）を準備する。次に、基材の各基板領域にそれぞれ第１配線及び第２配線を形成する。第１配線及び第２配線は、めっき、蒸着、スパッタ等の公知の方法によって形成することができる。なお、集合基板は、予め配線が配置されたものを購入、譲渡等により準備してもよい。
集合基板を準備する工程ＳＴ２では、発光装置１００の配線基板となる複数の基板領域を含む集合基板を準備する。複数の基板領域は、例えば行列状に配置される。集合基板の準備は、まず、例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックス等の板状の基材（つまり基材４１の集合体）を準備する。次に、基材の各基板領域にそれぞれ第１配線及び第２配線を形成する。第１配線及び第２配線は、めっき、蒸着、スパッタ等の公知の方法によって形成することができる。なお、集合基板は、予め配線が配置されたものを購入、譲渡等により準備してもよい。
【0040】
（３）波長変換層１０を準備する工程ＳＴ３
波長変換層１０を準備する工程ＳＴ３では、第１樹脂を用いた第１層と第２樹脂を用いた第２層とが配置された波長変換層を準備する。ここでは、波長変換層１０として、透光性部材上に配置された波長変換層１０を準備する。
例えば、波長変換層１０を準備する工程ＳＴ３は、上述したように、第１樹脂及び第２樹脂を準備する工程ＳＴ３１と、透光性部材の上に第１層を配置する工程ＳＴ３２と、透光性部材の上に第２層を配置するＳＴ３３と、波長変換層ごとに個片化する工程ＳＴ３４と、を含む。
波長変換層１０を準備する工程ＳＴ３では、第１樹脂を用いた第１層と第２樹脂を用いた第２層とが配置された波長変換層を準備する。ここでは、波長変換層１０として、透光性部材上に配置された波長変換層１０を準備する。
例えば、波長変換層１０を準備する工程ＳＴ３は、上述したように、第１樹脂及び第２樹脂を準備する工程ＳＴ３１と、透光性部材の上に第１層を配置する工程ＳＴ３２と、透光性部材の上に第２層を配置するＳＴ３３と、波長変換層ごとに個片化する工程ＳＴ３４と、を含む。
【0041】
第１樹脂及び第２樹脂を準備する工程ＳＴ３１では、第１蛍光体粒子を含む第１樹脂と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２樹脂とを準備する。
【0042】
透光性部材の上に第１層を配置する工程ＳＴ３２では、図４Ａ、図４Ｂに示すように、平板状の透光性部材Ｍ１５の上に、第１層Ｍ１１を、例えばストライプ状に形成する。ここで、透光性部材Ｍ１５は、個片化後に個々の発光装置１００の透光性部材１５となる領域を複数含む集合体をいう。第１層Ｍ１１は、個片化後に個々の発光装置１００の波長変換層を構成する第１層１１を複数含む。第２層Ｍ１２も同様である。ここでは、第１層Ｍ１１をストライプ状に形成する例により示しているが、ストライプ状に限定されるものではなく、格子状等であってもよく、また、島状に形成してもよい。透光性部材Ｍ１５上への第１層の形成は、例えば、マスクを用いて印刷することにより行うことができる。
【0043】
透光性部材の上に第２層を配置する工程ＳＴ３３では、例えば、上述した第１層を形成する工程Ｓ３２と同様に、マスクを用いて印刷することにより第１層Ｍ１１の間に第２層Ｍ１２をストライプ状に形成する。本工程も印刷に限定されるものではなく、例えば、図５Ａ、図５Ｂに示すように、透光性部材Ｍ１５上に、第１層Ｍ１１を囲む枠体Ｆ１２を形成した後に、図６Ａ、図６Ｂに示すように、ポッティング等により第１層Ｍ１１の間に第２層Ｍ１２を形成するようにしてもよい。また第２層Ｍ１２は、島状に形成してもよい。
【0044】
次に、波長変換層１０ごとに個片化する工程ＳＴ３４では、図７Ａ、図７Ｂに示すように、個片化後の波長変換層１０が第１層１１及び第２層１２を含むように（例えば図７Ｂにおいて破線ＤＬ１で示す分離ラインに沿って）、第１層Ｍ１１と第２層Ｍ１２と透光性部材１５とを分割して、透光性部材１５上に配置された波長変換層１０が得られる。
【0045】
以上の工程を経て、透光性部材１５上に配置され、それぞれ第１層１１と第２層１２とを含む波長変換層１０を準備する。
【0046】
（４）発光素子１を配置する工程ＳＴ４
発光素子１を配置する工程ＳＴ４では、集合基板の各基板領域にそれぞれ発光素子１を配置する。発光素子１の配置は例えば、図８に示すように、基板領域においてそれぞれ配線４２に素子電極１ｅが対向するように所定の位置に発光素子１を配置する。配線４２と素子電極１ｅとは例えば導電性接合部材により接合される。また、必要に応じて電子部品３０も同様に所定の位置に配置する。
尚、図８等において符号Ｍ４０を付して示す部材は、被覆部材６０から配線４２を露出させるために設けたマスクである。
発光素子１を配置する工程ＳＴ４では、集合基板の各基板領域にそれぞれ発光素子１を配置する。発光素子１の配置は例えば、図８に示すように、基板領域においてそれぞれ配線４２に素子電極１ｅが対向するように所定の位置に発光素子１を配置する。配線４２と素子電極１ｅとは例えば導電性接合部材により接合される。また、必要に応じて電子部品３０も同様に所定の位置に配置する。
尚、図８等において符号Ｍ４０を付して示す部材は、被覆部材６０から配線４２を露出させるために設けたマスクである。
【0047】
（５）波長変換層１０を配置する工程ＳＴ５
波長変換層１０を配置する工程ＳＴ５では、図９に示すように、集合基板上に配置された発光素子１の光出射面にそれぞれ波長変換層１０を対向させて配置する。発光素子１と波長変換層１０とは、例えば、透光性を有する接合部材等により接合される。ここでは、透光性部材１５とともに波長変換層１０を配置した例を示しているが、波長変換層１０を単独で発光素子１上に配置してもよい。また、透光性部材１５とともに波長変換層１０を配置した後に、透光性部材１５を除去してもよい。以下の説明では、透光性部材１５を含む発光装置の例を説明する。
波長変換層１０を配置する工程ＳＴ５では、図９に示すように、集合基板上に配置された発光素子１の光出射面にそれぞれ波長変換層１０を対向させて配置する。発光素子１と波長変換層１０とは、例えば、透光性を有する接合部材等により接合される。ここでは、透光性部材１５とともに波長変換層１０を配置した例を示しているが、波長変換層１０を単独で発光素子１上に配置してもよい。また、透光性部材１５とともに波長変換層１０を配置した後に、透光性部材１５を除去してもよい。以下の説明では、透光性部材１５を含む発光装置の例を説明する。
【0048】
（６）被覆部材を配置する工程ＳＴ６
被覆部材を配置する工程ＳＴ６では、図１０に示すように、集合基板上に配置された発光素子１、波長変換層１０及び透光性部材１５の側面を覆い、発光装置の発光面となる透光性部材１５の上面を露出させるように被覆部材６０を配置する。被覆部材６０は、例えば、光反射性物質を含む未硬化の樹脂を発光素子１、波長変換層１０及び透光性部材１５の側面を覆うように塗布した後に硬化させることにより配置する。透光性部材１５の上面は、例えば、未硬化の樹脂を透光性部材１５の上面を除く領域に塗布することにより、被覆部材から露出させることができる。
そして、被覆部材６０を配置した後（硬化させた後）、図１１に示すように、マスクＭ４０を除去する。マスクＭ４０は、後述の個片化後に除去してもよい。
なお、被覆部材を配置する工程では、マスクＭ４０を用いずに、集合基板上に被覆部材を保持する壁を配置してもよい。壁は例えば被覆部材を形成する樹脂よりも硬度の高い樹脂を用いることができる。また、壁は基材の一部であってもよく、例えば、配線基板は発光素子が配置される凹部を有する構造であってもよい。
被覆部材を配置する工程ＳＴ６では、図１０に示すように、集合基板上に配置された発光素子１、波長変換層１０及び透光性部材１５の側面を覆い、発光装置の発光面となる透光性部材１５の上面を露出させるように被覆部材６０を配置する。被覆部材６０は、例えば、光反射性物質を含む未硬化の樹脂を発光素子１、波長変換層１０及び透光性部材１５の側面を覆うように塗布した後に硬化させることにより配置する。透光性部材１５の上面は、例えば、未硬化の樹脂を透光性部材１５の上面を除く領域に塗布することにより、被覆部材から露出させることができる。
そして、被覆部材６０を配置した後（硬化させた後）、図１１に示すように、マスクＭ４０を除去する。マスクＭ４０は、後述の個片化後に除去してもよい。
なお、被覆部材を配置する工程では、マスクＭ４０を用いずに、集合基板上に被覆部材を保持する壁を配置してもよい。壁は例えば被覆部材を形成する樹脂よりも硬度の高い樹脂を用いることができる。また、壁は基材の一部であってもよく、例えば、配線基板は発光素子が配置される凹部を有する構造であってもよい。
【0049】
（７）発光装置ごとに個片化する工程
発光装置ごとに個片化する工程では、個々の基板領域の外縁（例えば図１１において破線ＤＬ２で示す分離ライン）に沿って、ブレード等により集合基板を個々の発光装置１００ごとに分離する。
以上のような工程を経て、実施形態１の発光装置１００は作製される。
発光装置ごとに個片化する工程では、個々の基板領域の外縁（例えば図１１において破線ＤＬ２で示す分離ライン）に沿って、ブレード等により集合基板を個々の発光装置１００ごとに分離する。
以上のような工程を経て、実施形態１の発光装置１００は作製される。
【0050】
実施形態１の発光装置１００の製造方法において、第１層１１の上面から出射される光の色度及び発光スペクトル、第２層１２の上面から出射される光の色度及び発光スペクトル、第１発光領域Ｒ１における輝度、第２発光領域Ｒ２における輝度は、発光素子１の種類、波長変換層の材料等それぞれ適切な材料を選択しさらに波長変換層の膜厚等種々のパラメータを適宜設定することにより設定される。
以下、実施形態１の発光装置１００の製造方法における、材料を選択及び関連するパラメータの設定例について説明する。
以下、実施形態１の発光装置１００の製造方法における、材料を選択及び関連するパラメータの設定例について説明する。
【0051】
実施形態１の発光装置１００の製造方法において、発光装置１００の第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２からそれぞれ所定の発光スペクトルの光が出射されるように発光素子１、第１蛍光体粒子及び第２蛍光体粒子の材料が選択される。
例えば、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から同一の発光スペクトルの光を出射させる場合には、例えば、第１蛍光体粒子と第２蛍光体粒子は同一の材料を選択することが好ましい。尚、第１蛍光体粒子と第２蛍光体粒子は同一の材料を選択した場合でも、第１層１１及び第２層１２に含有させる蛍光体粒子の含有量等により出射される光の発光スペクトルは影響を受けるが、第１蛍光体粒子及び第２蛍光体粒子として異なる材料を選択した場合に比較すると、第１層１１及び第２層１２に含有させる蛍光体粒子の含有量等を比較的容易に設定することができる。以上の説明から理解されるように、第１蛍光体粒子及び第２蛍光体粒子として同一の材料を選択した場合でも、第１層１１及び第２層１２に含有させる蛍光体粒子の含有量等を適宜調整することにより、第１発光領域Ｒ１から出射される光の発光スペクトルと第２発光領域Ｒ２から出射される光の発光スペクトルを異ならせることも可能である。
例えば、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から同一の発光スペクトルの光を出射させる場合には、例えば、第１蛍光体粒子と第２蛍光体粒子は同一の材料を選択することが好ましい。尚、第１蛍光体粒子と第２蛍光体粒子は同一の材料を選択した場合でも、第１層１１及び第２層１２に含有させる蛍光体粒子の含有量等により出射される光の発光スペクトルは影響を受けるが、第１蛍光体粒子及び第２蛍光体粒子として異なる材料を選択した場合に比較すると、第１層１１及び第２層１２に含有させる蛍光体粒子の含有量等を比較的容易に設定することができる。以上の説明から理解されるように、第１蛍光体粒子及び第２蛍光体粒子として同一の材料を選択した場合でも、第１層１１及び第２層１２に含有させる蛍光体粒子の含有量等を適宜調整することにより、第１発光領域Ｒ１から出射される光の発光スペクトルと第２発光領域Ｒ２から出射される光の発光スペクトルを異ならせることも可能である。
【0052】
また、実施形態１の発光装置１００の製造方法において、第１層１１の上面の輝度及び第２層１２の上面の輝度をそれぞれ所定の輝度に設定する場合には、例えば、第１樹脂における第１蛍光体粒子の含有量、第２樹脂における第２蛍光体粒子と光反射粒子の含有量、第１層１１の厚さ及び第２層１２の厚さ等を、第１層１１の上面の輝度及び第２層１２の上面の輝度がそれぞれ所定の輝度になるように設定する。
【0053】
例えば、第１蛍光体粒子と第２蛍光体粒子とを同一の蛍光体材料により構成した場合、第１層に含まれる第１蛍光体粒子の含有量、第２層に含まれる第２蛍光体粒子と光反射粒子の種類及び含有量等を適宜調整することにより、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から異なる輝度で光を出射することが可能になる。例えば、第２層１２に含まれている光反射粒子の含有量を多くすると、第２層１２で波長変換された光及び発光素子から第２層１２に入射された光のより多くが散乱されるため、第２上面から出射される光の光量を少なくできる。また、第２層１２で散乱された光が第１層１１に入射することにより、第１層１１の第１上面から出射される光が増え、第１上面から出射される光の量を多くできる。
また、第１層１１における第１蛍光体粒子、第２層１２における第２蛍光体粒子と光反射粒子の配置を調整してもよい。例えば第２層１２において光反射粒子を上面側に偏在させて配置することにより、第２層１２で波長変換された光及び発光素子から第２層１２に入射された光が第１層１１に入射される割合を調整することができ、第１発光領域Ｒ１と第２発光領域Ｒ２の輝度差を調整することができる。このような各層における各粒子の配置位置の調整は、各粒子の種類や粒子径を適宜調整することで設定できる。
また、第１層１１における第１蛍光体粒子、第２層１２における第２蛍光体粒子と光反射粒子の配置を調整してもよい。例えば第２層１２において光反射粒子を上面側に偏在させて配置することにより、第２層１２で波長変換された光及び発光素子から第２層１２に入射された光が第１層１１に入射される割合を調整することができ、第１発光領域Ｒ１と第２発光領域Ｒ２の輝度差を調整することができる。このような各層における各粒子の配置位置の調整は、各粒子の種類や粒子径を適宜調整することで設定できる。
【0054】
以上のように、実施形態１の発光装置１００の製造方法によれば、発光素子１の種類、蛍光体材料を適宜選択し、第１層１１及び第２層１２の蛍光体粒子等の含有量、膜厚等の関連するパラメータを適宜設定することにより、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２からそれぞれ所定の発光色の光を所定の輝度で出射させることができる発光装置を製造することができる。実施形態１の発光装置１００の製造方法では、発光素子１の種類、蛍光体材料の種類、第１層１１及び第２層１２の蛍光体粒子等の含有量及び膜厚等と、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２からそれぞれ出射される光の発光色及び輝度との関係を記憶したデータベースを用いて各工程におけるパラメータを設定することも可能である。
【0055】
実施形態２
本開示に係る実施形態２の発光装置２００は、発光素子２が第１発光部２１と第２発光部２２を備え、第１発光部２１から出射される光が波長変換層１０の第１層１１に入射され、第２発光部２２から出射される光が波長変換層１０の第２層１２に入射されるように構成されている点が実施形態１の発光装置１００とは異なっている。また、発光素子２が第１発光部２１と第２発光部２２を備えることにより、配線基板の配線構造も異なっている。
以下、実施形態２の発光装置２００について、実施形態１の発光装置１００とは異なっている点を中心に説明する。
ここで、図１２は、実施形態２に係る発光装置２００の斜視図である。図１３は、実施形態２に係る発光装置を上方から見た平面図である。図１４は、図１３のＦ－Ｆ線における断面図である。また、図１５は、発光素子２の電極配置を示す平面図であり、図１６は、配線基板５０の配線を示す平面図である。
本開示に係る実施形態２の発光装置２００は、発光素子２が第１発光部２１と第２発光部２２を備え、第１発光部２１から出射される光が波長変換層１０の第１層１１に入射され、第２発光部２２から出射される光が波長変換層１０の第２層１２に入射されるように構成されている点が実施形態１の発光装置１００とは異なっている。また、発光素子２が第１発光部２１と第２発光部２２を備えることにより、配線基板の配線構造も異なっている。
以下、実施形態２の発光装置２００について、実施形態１の発光装置１００とは異なっている点を中心に説明する。
ここで、図１２は、実施形態２に係る発光装置２００の斜視図である。図１３は、実施形態２に係る発光装置を上方から見た平面図である。図１４は、図１３のＦ－Ｆ線における断面図である。また、図１５は、発光素子２の電極配置を示す平面図であり、図１６は、配線基板５０の配線を示す平面図である。
【0056】
実施形態２に係る発光装置２００において、発光素子２は、支持基板Ｓ２上に第１発光部２１と第２発光部２２を備えている。第１発光部２１は、支持基板Ｓ２上に配置された第１半導体構造体Ｌ２１と、第１半導体構造体Ｌ２１上に設けられた素子電極２e１１を備えている。第２発光部２２は、支持基板Ｓ２上に設けられた第２半導体構造体Ｌ２２と、第２半導体構造体Ｌ２２上に設けられた素子電極２e２１を備えている。ここで、第１半導体構造体Ｌ２１と第２半導体構造体Ｌ２２とは、例えば、支持基板Ｓ２上に分離して設けられている。
【0057】
ここで、例えば、第１発光部と第２発光部、言い換えると第１半導体構造体Ｌ２１と第２半導体構造体Ｌ２２とが同一の半導体構造を有していてもよく、異なる半導体構造を有していてもよい。第１半導体構造体Ｌ２１と第２半導体構造体Ｌ２２にそれぞれ分離して素子電極を設けることにより、独立して点灯させることが可能である。また、第１発光部と第２発光部のそれぞれの素子電極を直列に接続することで一括して点灯させることも可能である。第１半導体構造体Ｌ２１と第２半導体構造体Ｌ２２とが同一の発光色の光を発光する場合であっても、波長変換層１０における第１層１１と第２層１２における蛍光体材料、第1蛍光体粒子、第２蛍光体粒子及び光反射材粒子等の含有量を調整することにより異なる発光色の光を第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から出射させることが可能である。
【0058】
実施形態２に係る発光装置２００において、発光素子２の電極は、例えば、図１５に示すように、第１半導体構造体Ｌ２１及び第２半導体構造体Ｌ２２にそれぞれ、中央部にｐ電極２ｅ１２ｐ、２ｅ２２ｐを設け、ｎ電極２ｅ１１ｎ、２ｅ２１ｎをそれぞれｐ電極２ｅ１２ｐ、２ｅ２２ｐの両側に設けることができる。ここで、図１５では、第１半導体構造体Ｌ２１と第２半導体構造体Ｌ２２とを分離した例で示しているが、第１半導体構造体Ｌ２１と第２半導体構造体Ｌ２２とは、それぞれ活性層は分離するが、ｐ側半導体層又はｎ側半導体層が繋がった構成を有していてもよい。
【0059】
実施形態２に係る発光装置２００において、配線基板５０における配線５２は、例えば、図１６に示すように、第１発光部２１に接続される第１配線５２１、第２配線５２２及び第３配線５２３と、第２発光部２２に接続される第４配線５２４、第５配線５２５及び第６配線５２６とを含む。
【0060】
第３配線５２３は、第１発光部２１が実装される領域において、ｐ電極２ｅ１２ｐに対向する位置に配置される。第１配線５２１は、第１発光部２１のｎ電極２ｅ１１ｎに対向する位置、すなわち第３配線５２３の両側に位置する内部接続部と該実装部から端部に延在する第１外部接続部とを含むように設けられる。第２配線５２２は、配線基板の一端部において第１外部接続部に並置して設けられる。ここで、第２配線５２２と第３配線５２３は、例えば、ワイヤ等の導電部材又は基材に設けられた中継配線等により第１配線５２１と導通しないように接続される。
第４配線５２４、第５配線５２５及び第６配線５２６もそれぞれ、第２発光部２２が実装される領域において第１配線５２１、第２配線５２２及び第３配線５２３と同様に設けられる。
以上、第１配線５２１と第４配線５２４及び第３配線５２３と第６配線５２６がいずれも電気的に分離して基材上に配置される例を示したが、第１配線５２１と第４配線５２４又は第３配線５２３と第６配線５２６がいずれか一方は電気的に接続するように設けられていてもよい。
第４配線５２４、第５配線５２５及び第６配線５２６もそれぞれ、第２発光部２２が実装される領域において第１配線５２１、第２配線５２２及び第３配線５２３と同様に設けられる。
以上、第１配線５２１と第４配線５２４及び第３配線５２３と第６配線５２６がいずれも電気的に分離して基材上に配置される例を示したが、第１配線５２１と第４配線５２４又は第３配線５２３と第６配線５２６がいずれか一方は電気的に接続するように設けられていてもよい。
【0061】
以上のように構成された配線基板５０上に、発光素子２は、第１半導体構造体Ｌ２１のｐ電極２ｅ１２ｐが第３配線５２３に接続され、ｎ電極２ｅ１１ｎが第１配線５２１に接続され、第２半導体構造体Ｌ２２のｐ電極２ｅ２２ｐが第６配線５２６に接続され、ｎ電極２ｅ２１ｎが第４配線５２４に接続されるように実装される。
【0062】
尚、実施形態２の発光装置２００において、波長変換層は、実施形態１の発光装置１００と同様に構成され、支持基板Ｓ２を挟んで第１発光部２１の上方に第１層１１が位置し、支持基板Ｓ２を挟んで第２発光部２２の上方に第２層１２が位置するように配置される。
【0063】
以上のように構成された実施形態２の発光装置２００は、波長変換層１０が第１蛍光体粒子を含む第１層１１と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層１２とを含んでいるので、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から異なる輝度の光を出射することができる。
また、実施形態２の発光装置２００は、波長変換層１０が第１蛍光体粒子を含む第１層１１と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層１２とを含んでいるので、実施形態１の発光装置１００と同様、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から同一の発光色の光又は異なる発光色の光を出射することができる。
また、実施形態２の発光装置２００は、波長変換層１０が第１蛍光体粒子を含む第１層１１と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層１２とを含んでいるので、実施形態１の発光装置１００と同様、第１発光領域Ｒ１及び第２発光領域Ｒ２から同一の発光色の光又は異なる発光色の光を出射することができる。
【0064】
特に、実施形態２の発光装置２００は、第１発光部２１及び第２発光部２２の発光色及び発光強度を所望に応じて選択することができるので、容易に第１発光領域Ｒ１と第２発光領域Ｒ２の輝度差、及び発光色の差を大きくできる。
さらに、第１発光部２１と第２発光部２２とを独立して点灯させることができるので、きるので、第１発光領域Ｒ１または第２発光領域Ｒ２の輝度を実質的にゼロにできる。
また、第１発光部２１の発光色及び発光強度、第２発光部２２の発光色及び発光強度を種々選択することが可能であることから、所望の発光色および発光強度の第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２を有する発光装置とすることができる。
さらに、第１発光部２１と第２発光部２２とを独立して点灯させることができるので、きるので、第１発光領域Ｒ１または第２発光領域Ｒ２の輝度を実質的にゼロにできる。
また、第１発光部２１の発光色及び発光強度、第２発光部２２の発光色及び発光強度を種々選択することが可能であることから、所望の発光色および発光強度の第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２を有する発光装置とすることができる。
【0065】
実施形態３
本開示に係る実施形態３の発光装置３００は、波長変換層７０が第１層７１、第２層７２に加え、第１層７１及び第２層７２の間に第３層７３を備えている点で実施形態１の発光装置１００とは異なっている。
ここで、第３層７３は、第３蛍光体粒子と光反射粒子を含み、第３層７３における光反射粒子の濃度は第２層７２における光反射粒子の濃度より小さい。
また、第３層７３に含まれる第３蛍光体粒子は、第１蛍光体粒子及び第２蛍光体粒子のいずれかと同一であっても異なっていてもよい。
第３層７３に含まれる光反射粒子は、第２層７２に含まれる光反射粒子と同一であっても異なっていてもよい。
これにより、発光装置３００は、第１発光領域Ｒ１（高輝度領域）と第２発光領域Ｒ２
（低輝度領域）との間に第３発光領域Ｒ３（中輝度領域）とを有する発光装置３００とすることができる。発光装置３００において、中輝度領域の輝度は、低輝度領域の輝度より大きく、高輝度領域の輝度より小さい。
発光装置３００が中輝度領域を含むことにより、高輝度領域と低輝度領域との間の輝度差を緩やかにすることができる。
本開示に係る実施形態３の発光装置３００は、波長変換層７０が第１層７１、第２層７２に加え、第１層７１及び第２層７２の間に第３層７３を備えている点で実施形態１の発光装置１００とは異なっている。
ここで、第３層７３は、第３蛍光体粒子と光反射粒子を含み、第３層７３における光反射粒子の濃度は第２層７２における光反射粒子の濃度より小さい。
また、第３層７３に含まれる第３蛍光体粒子は、第１蛍光体粒子及び第２蛍光体粒子のいずれかと同一であっても異なっていてもよい。
第３層７３に含まれる光反射粒子は、第２層７２に含まれる光反射粒子と同一であっても異なっていてもよい。
これにより、発光装置３００は、第１発光領域Ｒ１（高輝度領域）と第２発光領域Ｒ２
（低輝度領域）との間に第３発光領域Ｒ３（中輝度領域）とを有する発光装置３００とすることができる。発光装置３００において、中輝度領域の輝度は、低輝度領域の輝度より大きく、高輝度領域の輝度より小さい。
発光装置３００が中輝度領域を含むことにより、高輝度領域と低輝度領域との間の輝度差を緩やかにすることができる。
【0066】
本開示の実施形態に係る発光装置は、例えば、以下の態様を含む。
［項１］
光出射面を有する発光素子と、
下面と、前記下面と反対側の上面とを有し、前記下面が前記光出射面に対向するように前記発光素子上に配置された波長変換層と、
を含み、
前記波長変換層は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含み、
前記波長変換層の上面及び下面は、前記第１層と前記第２層とを含む、発光装置。
［項２］
前記波長変換層上に配置された透光性部材を含む項１に記載の発光装置。
［項３］
前記第１層の第１蛍光体粒子と前記第２層の第２蛍光体粒子は同一の蛍光体材料を含む項１又は２に記載の発光装置。
［項４］
前記波長変換層において、前記第１層と前記第２層は接している項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。
［項５］
前記波長変換層において、前記第１層と前記第２層の境界は、前記波長変換層の上面に対して傾斜している項４に記載の発光装置。
［項６］
前記発光素子の側面と前記波長変換層の側面を被覆する被覆部材をさらに含む項１～５のいずれか１項に記載の発光装置。
［項７］
前記発光素子は、支持基板と、前記支持基板上に離隔して配置された複数の発光部を含む項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。
［項８］
平面視において、前記第１層と前記第２層の境界は、隣接する発光部の間に位置する項７に記載の発光装置。
［項９］
前記複数の発光部は、独立して制御することができる項７又は８に記載の発光装置。
［項１０］
前記波長変換層は、第３蛍光体粒子と光反射粒子を含む第３層をさらに備え、
前記第３層における光反射粒子の濃度は前記第２層における光反射粒子の濃度より大きい項１～９のいずれか１項に記載の発光装置。
［項１］
光出射面を有する発光素子と、
下面と、前記下面と反対側の上面とを有し、前記下面が前記光出射面に対向するように前記発光素子上に配置された波長変換層と、
を含み、
前記波長変換層は、第１蛍光体粒子を含む第１層と第２蛍光体粒子と光反射粒子を含む第２層とを含み、
前記波長変換層の上面及び下面は、前記第１層と前記第２層とを含む、発光装置。
［項２］
前記波長変換層上に配置された透光性部材を含む項１に記載の発光装置。
［項３］
前記第１層の第１蛍光体粒子と前記第２層の第２蛍光体粒子は同一の蛍光体材料を含む項１又は２に記載の発光装置。
［項４］
前記波長変換層において、前記第１層と前記第２層は接している項１～３のいずれか１項に記載の発光装置。
［項５］
前記波長変換層において、前記第１層と前記第２層の境界は、前記波長変換層の上面に対して傾斜している項４に記載の発光装置。
［項６］
前記発光素子の側面と前記波長変換層の側面を被覆する被覆部材をさらに含む項１～５のいずれか１項に記載の発光装置。
［項７］
前記発光素子は、支持基板と、前記支持基板上に離隔して配置された複数の発光部を含む項１～６のいずれか１項に記載の発光装置。
［項８］
平面視において、前記第１層と前記第２層の境界は、隣接する発光部の間に位置する項７に記載の発光装置。
［項９］
前記複数の発光部は、独立して制御することができる項７又は８に記載の発光装置。
［項１０］
前記波長変換層は、第３蛍光体粒子と光反射粒子を含む第３層をさらに備え、
前記第３層における光反射粒子の濃度は前記第２層における光反射粒子の濃度より大きい項１～９のいずれか１項に記載の発光装置。
【産業上の利用可能性】
【0067】
本開示の実施形態に係る発光装置は、ヘッドライト等の車両用照明に好適に利用することができる。その他、本開示の実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置等に利用することができる。
【符号の説明】
【0068】
１００、２００,３００ 発光装置
Ｒ 発光領域
Ｒ１ 第１発光領域
Ｒ２ 第２発光領域
１、２ 発光素子
１ａ 発光素子の光出射面
１e、２e１１、e２２１ 素子電極
Ｌ１ 半導体構造体
Ｌ２１ 第１半導体構造体
Ｌ２２ 第２半導体構造体
Ｓ１、Ｓ２ 支持基板
２１ 第１発光部
２２ 第２発光部
２ｅ１２ｐ、２ｅ２２ｐ ｐ電極
２ｅ１１ｎ、２ｅ２１ｎ ｎ電極
１０、７０ 波長変換層
１１、７１、Ｍ１１ 第１層
１２、７２、Ｍ１２ 第２層
７３ 第３層
１５、Ｍ１５ 透光性部材
１７ 接合部材
４０ 配線基板
４１ 基材
４２、５２ 配線
４２１、５２１ 第１配線
４２２、５２２ 第２配線
５２３ 第３配線
５２４ 第４配線
５２５ 第５配線
５２６ 第６配線
３０ 電子部品
６０ 被覆部材
Ｒ 発光領域
Ｒ１ 第１発光領域
Ｒ２ 第２発光領域
１、２ 発光素子
１ａ 発光素子の光出射面
１e、２e１１、e２２１ 素子電極
Ｌ１ 半導体構造体
Ｌ２１ 第１半導体構造体
Ｌ２２ 第２半導体構造体
Ｓ１、Ｓ２ 支持基板
２１ 第１発光部
２２ 第２発光部
２ｅ１２ｐ、２ｅ２２ｐ ｐ電極
２ｅ１１ｎ、２ｅ２１ｎ ｎ電極
１０、７０ 波長変換層
１１、７１、Ｍ１１ 第１層
１２、７２、Ｍ１２ 第２層
７３ 第３層
１５、Ｍ１５ 透光性部材
１７ 接合部材
４０ 配線基板
４１ 基材
４２、５２ 配線
４２１、５２１ 第１配線
４２２、５２２ 第２配線
５２３ 第３配線
５２４ 第４配線
５２５ 第５配線
５２６ 第６配線
３０ 電子部品
６０ 被覆部材
【図1】
【図2】
【図3A】
【図3B】
【図4A】
【図4B】
【図5A】
【図5B】
【図6A】
【図6B】
【図7A】
【図7B】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】