特開2024-159774反応チャンバーにおいて循環堆積プロセスにより基材上に酸化ハフニウムランタン膜を堆積させるための方法

発明の名称　反応チャンバーにおいて循環堆積プロセスにより基材上に酸化ハフニウムランタン膜を堆積させるための方法

出願人　エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー　（識別番号 519237203）

　　　　特許公開件数ランキング 303 位（100件）（共同出願を含む）

　　　　特許取得件数ランキング 376 位（66件）（共同出願を含む）

公報番号　特開-2024-159774

公報発行日　2024年11月8

公報URL　https://ipforce.jp/patent-jp-P_A1-2024-159774

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