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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024162657
(43)【公開日】2024-11-21
(54)【発明の名称】配線基板及び配線基板の製造方法
(51)【国際特許分類】
H05K 3/46 20060101AFI20241114BHJP
H05K 1/02 20060101ALI20241114BHJP
H05K 1/11 20060101ALI20241114BHJP
H05K 3/40 20060101ALI20241114BHJP
【ＦＩ】
H05K3/46 N
H05K3/46 B
H05K1/02 N
H05K1/02 P
H05K1/11 H
H05K3/40 E
【審査請求】未請求
【請求項の数】12
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023078390
(22)【出願日】2023-05-11
(71)【出願人】
【識別番号】000190688
【氏名又は名称】新光電気工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】千野 由香里
【テーマコード（参考）】
5E316
5E317
5E338
【Ｆターム（参考）】
5E316AA12
5E316AA15
5E316AA32
5E316AA35
5E316AA43
5E316BB02
5E316BB03
5E316BB04
5E316CC04
5E316CC09
5E316CC10
5E316CC32
5E316DD22
5E316DD32
5E316DD33
5E316EE31
5E316FF03
5E316FF04
5E316FF07
5E316GG15
5E316GG17
5E316HH07
5E317AA24
5E317BB02
5E317BB12
5E317CC25
5E317CC31
5E317CD15
5E317CD25
5E317CD27
5E317CD32
5E317GG20
5E338AA03
5E338AA16
5E338BB14
5E338BB25
5E338CC02
(57)【要約】 （修正有）
【課題】信号の信頼性の低下を抑制することができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板１において、配線層２１０は、複数の信号線２１１と、複数のビアランド２１２と、１又は２以上のプレーン層２１３と、を有する。ビアランド２１２の各々は信号線２１１の１つに繋がる。信号線２１１と、ビアランド２１２とが一体に形成されていてもよい。配線層３１０は、複数の信号線３１１と、複数のビアランド３１２と、１又は２以上のプレーン層３１３と、を有する。ビアランド３１２の各々は信号線３１１の１つに繋がる。信号線３１１と、ビアランド３１２とが一体に形成されていてもよい。信号線２１１と、ビアランド２１２と、導電層１１３と、ビアランド３１２と、信号線３１１とが一体に形成されていてもよい。プレーン層２１３と、導電層１１３と、プレーン層３１３とが一体に形成されていてもよい。
【選択図】図１
【解決手段】配線基板１において、配線層２１０は、複数の信号線２１１と、複数のビアランド２１２と、１又は２以上のプレーン層２１３と、を有する。ビアランド２１２の各々は信号線２１１の１つに繋がる。信号線２１１と、ビアランド２１２とが一体に形成されていてもよい。配線層３１０は、複数の信号線３１１と、複数のビアランド３１２と、１又は２以上のプレーン層３１３と、を有する。ビアランド３１２の各々は信号線３１１の１つに繋がる。信号線３１１と、ビアランド３１２とが一体に形成されていてもよい。信号線２１１と、ビアランド２１２と、導電層１１３と、ビアランド３１２と、信号線３１１とが一体に形成されていてもよい。プレーン層２１３と、導電層１１３と、プレーン層３１３とが一体に形成されていてもよい。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
複数の配線層と、
それぞれが厚さ方向で隣り合う前記配線層の間に設けられた複数の絶縁層と、
を有し、
前記複数の配線層のうちの１つの第１配線層は、
第１信号線と、
前記第１信号線に繋がる第１ビアランドと、
を有し、
前記複数の配線層のうちの前記第１配線層とは異なる１つの第２配線層は、
第２信号線と、
平面視で前記第１ビアランドに重なり、前記第２信号線に繋がる第２ビアランドと、
を有し、
前記第１ビアランドと前記第２ビアランドとの間には、前記複数の絶縁層のうちの２以上の第１絶縁層があり、
前記２以上の第１絶縁層には、当該２以上の第１絶縁層を貫通し、前記第１ビアランドと前記第２ビアランドとを繋ぐ第１ビアホールが形成され、
前記第１ビアホール内に前記第１ビアランド及び前記第２ビアランドに直接接する第１導電性ビアが設けられており、
前記複数の配線層のうちの２以上の第３配線層は、それぞれプレーン層を有し、
隣り合う前記２以上の第３配線層の間には、前記複数の絶縁層のうちの第２絶縁層が１つずつあり、
前記第２絶縁層には、当該第２絶縁層を貫通し、当該第２絶縁層の一方の面に接するプレーン層と、当該第２絶縁層の他方の面に接するプレーン層とを繋ぐ複数の第２ビアホールが形成され、
前記複数の第２ビアホールの各々内に前記プレーン層の両方に直接接する第２導電性ビアが設けられている配線基板。
それぞれが厚さ方向で隣り合う前記配線層の間に設けられた複数の絶縁層と、
を有し、
前記複数の配線層のうちの１つの第１配線層は、
第１信号線と、
前記第１信号線に繋がる第１ビアランドと、
を有し、
前記複数の配線層のうちの前記第１配線層とは異なる１つの第２配線層は、
第２信号線と、
平面視で前記第１ビアランドに重なり、前記第２信号線に繋がる第２ビアランドと、
を有し、
前記第１ビアランドと前記第２ビアランドとの間には、前記複数の絶縁層のうちの２以上の第１絶縁層があり、
前記２以上の第１絶縁層には、当該２以上の第１絶縁層を貫通し、前記第１ビアランドと前記第２ビアランドとを繋ぐ第１ビアホールが形成され、
前記第１ビアホール内に前記第１ビアランド及び前記第２ビアランドに直接接する第１導電性ビアが設けられており、
前記複数の配線層のうちの２以上の第３配線層は、それぞれプレーン層を有し、
隣り合う前記２以上の第３配線層の間には、前記複数の絶縁層のうちの第２絶縁層が１つずつあり、
前記第２絶縁層には、当該第２絶縁層を貫通し、当該第２絶縁層の一方の面に接するプレーン層と、当該第２絶縁層の他方の面に接するプレーン層とを繋ぐ複数の第２ビアホールが形成され、
前記複数の第２ビアホールの各々内に前記プレーン層の両方に直接接する第２導電性ビアが設けられている配線基板。
【請求項2】
前記複数の絶縁層のうちの２以上の絶縁層を貫通して、前記プレーン層のうちの２つのプレーン層を繋ぐビアホールが形成されていない請求項１に記載の配線基板。
【請求項3】
前記第１配線層又は前記第２配線層の少なくとも一方と、前記２以上の第３配線層のうちの１つ又は２つとが同一の配線層である請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項4】
前記第１ビアランドと前記第２ビアランドとの間に他のビアランドがない請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項5】
前記第１信号線及び前記第２信号線を通じて伝送される信号の周波数は１ＧＨｚ以上である請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項6】
前記第１信号線及び前記第２信号線の特性インピーダンスは５０Ωである請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項7】
前記第１配線層は、
前記第１信号線に平行な第３信号線と、
前記第３信号線の端部に繋がる第３ビアランドと、
を有し、
前記第２配線層は、
前記第２信号線に平行な第４信号線と、
平面視で前記第３ビアランドに重なり、前記第４信号線の端部に繋がる第４ビアランドと、
を有し、
前記第１信号線及び前記第３信号線に差動信号が伝送され、
前記第２信号線及び前記第４信号線に前記差動信号が伝送される請求項１又は２に記載の配線基板。
前記第１信号線に平行な第３信号線と、
前記第３信号線の端部に繋がる第３ビアランドと、
を有し、
前記第２配線層は、
前記第２信号線に平行な第４信号線と、
平面視で前記第３ビアランドに重なり、前記第４信号線の端部に繋がる第４ビアランドと、
を有し、
前記第１信号線及び前記第３信号線に差動信号が伝送され、
前記第２信号線及び前記第４信号線に前記差動信号が伝送される請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項8】
前記第１信号線、前記第２信号線、前記第３信号線及び前記第４信号線の特性インピーダンスは１００Ωである請求項７に記載の配線基板。
【請求項9】
前記第１導電性ビアは、単一の金属層から構成されている請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項10】
前記第１ビアホールの直径は、前記第２ビアホールの直径よりも大きい請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項11】
複数の配線層を形成する工程と、
それぞれが厚さ方向で隣り合う前記配線層の間に設けられる複数の絶縁層を形成する工程と、
を有し、
前記複数の配線層のうちの１つの第１配線層は、
第１信号線と、
前記第１信号線に繋がる第１ビアランドと、
を有し、
前記複数の配線層のうちの前記第１配線層とは異なる１つの第２配線層は、
第２信号線と、
平面視で前記第１ビアランドに重なり、前記第２信号線に繋がる第２ビアランドと、
を有し、
前記第１ビアランドと前記第２ビアランドとの間には、前記複数の絶縁層のうちの２以上の第１絶縁層があり、
前記２以上の第１絶縁層には、当該２以上の第１絶縁層を貫通し、前記第１ビアランドと前記第２ビアランドとを繋ぐ第１ビアホールが形成され、
前記第１ビアホール内に前記第１ビアランド及び前記第２ビアランドに直接接する第１導電性ビアが設けられ、
前記複数の配線層のうちの２以上の第３配線層は、それぞれプレーン層を有し、
隣り合う前記２以上の第３配線層の間には、前記複数の絶縁層のうちの第２絶縁層が１つずつあり、
前記第２絶縁層には、当該第２絶縁層を貫通し、当該第２絶縁層の一方の面に接するプレーン層と、当該第２絶縁層の他方の面に接するプレーン層とを繋ぐ複数の第２ビアホールが形成され、
前記複数の第２ビアホールの各々内に前記プレーン層の両方に直接接する第２導電性ビアが設けられる配線基板の製造方法。
それぞれが厚さ方向で隣り合う前記配線層の間に設けられる複数の絶縁層を形成する工程と、
を有し、
前記複数の配線層のうちの１つの第１配線層は、
第１信号線と、
前記第１信号線に繋がる第１ビアランドと、
を有し、
前記複数の配線層のうちの前記第１配線層とは異なる１つの第２配線層は、
第２信号線と、
平面視で前記第１ビアランドに重なり、前記第２信号線に繋がる第２ビアランドと、
を有し、
前記第１ビアランドと前記第２ビアランドとの間には、前記複数の絶縁層のうちの２以上の第１絶縁層があり、
前記２以上の第１絶縁層には、当該２以上の第１絶縁層を貫通し、前記第１ビアランドと前記第２ビアランドとを繋ぐ第１ビアホールが形成され、
前記第１ビアホール内に前記第１ビアランド及び前記第２ビアランドに直接接する第１導電性ビアが設けられ、
前記複数の配線層のうちの２以上の第３配線層は、それぞれプレーン層を有し、
隣り合う前記２以上の第３配線層の間には、前記複数の絶縁層のうちの第２絶縁層が１つずつあり、
前記第２絶縁層には、当該第２絶縁層を貫通し、当該第２絶縁層の一方の面に接するプレーン層と、当該第２絶縁層の他方の面に接するプレーン層とを繋ぐ複数の第２ビアホールが形成され、
前記複数の第２ビアホールの各々内に前記プレーン層の両方に直接接する第２導電性ビアが設けられる配線基板の製造方法。
【請求項12】
前記第１導電性ビアは、導電性ペーストを用いて形成される請求項１１に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
配線基板においては、異なる配線層に形成された信号線は、１又は２以上の導電ビアを介して電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１５－２３３０４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
従来の配線基板では、信号線を通じて伝送される信号の周波数が高くなった場合に、信号の信頼性が低下するおそれがある。
【0005】
本開示は、信号の信頼性の低下を抑制することができる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の一形態によれば、複数の配線層と、それぞれが厚さ方向で隣り合う前記配線層の間に設けられた複数の絶縁層と、を有し、前記複数の配線層のうちの１つの第１配線層は、第１信号線と、前記第１信号線に繋がる第１ビアランドと、を有し、前記複数の配線層のうちの前記第１配線層とは異なる１つの第２配線層は、第２信号線と、平面視で前記第１ビアランドに重なり、前記第２信号線に繋がる第２ビアランドと、を有し、前記第１ビアランドと前記第２ビアランドとの間には、前記複数の絶縁層のうちの２以上の第１絶縁層があり、前記２以上の第１絶縁層には、当該２以上の第１絶縁層を貫通し、前記第１ビアランドと前記第２ビアランドとを繋ぐ第１ビアホールが形成され、前記第１ビアホール内に前記第１ビアランド及び前記第２ビアランドに直接接する第１導電性ビアが設けられており、前記複数の配線層のうちの２以上の第３配線層は、それぞれプレーン層を有し、隣り合う前記２以上の第３配線層の間には、前記複数の絶縁層のうちの第２絶縁層が１つずつあり、前記第２絶縁層には、当該第２絶縁層を貫通し、当該第２絶縁層の一方の面に接するプレーン層と、当該第２絶縁層の他方の面に接するプレーン層とを繋ぐ複数の第２ビアホールが形成され、前記複数の第２ビアホールの各々内に前記プレーン層の両方に直接接する第２導電性ビアが設けられている配線基板が提供される。
【発明の効果】
【0007】
開示の技術によれば、信号の信頼性の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】実施形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【図2】配線層の平面形状の概要を例示する平面図である。
【図3】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その１）である。
【図4】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その２）である。
【図5】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その３）である。
【図6】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その４）である。
【図7】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その５）である。
【図8】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その６）である。
【図9】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その７）である。
【図10】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その８）である。
【図11】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その９）である。
【図12】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その１０）である。
【図13】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その１１）である。
【図14】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その１２）である。
【図15】実施形態に係る配線基板の製造方法を例示する断面図（その１３）である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
以下、本開示の実施形態について添付の図面を参照しながら具体的に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複した説明を省くことがある。
【0010】
［実施形態に係る配線基板の構造］
まず、実施形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、実施形態に係る配線基板を例示する断面図である。
まず、実施形態に係る配線基板の構造について説明する。図１は、実施形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【0011】
図１に示すように、実施形態に係る配線基板１は、例えば、コア層１００と、コア層１００の一方の面に設けられたビルドアップ層２００と、コア層１００の他方の面に設けられたビルドアップ層３００とを有する。配線基板１が、コア層を含まないコアレス基板であってもよい。
【0012】
なお、本実施形態では、便宜上、コア層１００を基準にして、ビルドアップ層２００側を上側又は一方の側、ビルドアップ層３００側を下側又は他方の側とする。また、各部位の上側の面を一方の面又は上面、下側の面を他方の面又は下面とする。但し、配線基板１は天地逆の状態で用いることができ、又は任意の角度で配置することができる。また、平面視とは対象物をコア層１００の一方の面の法線方向から視ることを指し、平面形状とは対象物をコア層１００の一方の面の法線方向から視た形状を指すものとする。
【0013】
コア層１００は、複数の貫通孔１１２が形成された絶縁性の基材１１１と、貫通孔１１２の内壁面に形成された導電層１１３を有する。例えば、基材の材料はガラスエポキシ等であり、導電層１１３の材料は銅（Ｃｕ）等である。コア層１００が導電層１１３の内側に充填された充填材を有してもよい。
【0014】
ビルドアップ層２００は、配線層２１０、２３０、２５０及び２７０と、絶縁層２２０、２４０及び２６０と、ソルダレジスト層２８０とを有する。ビルドアップ層３００は、配線層３１０、３３０、３５０及び３７０と、絶縁層３２０、３４０及び３６０と、ソルダレジスト層３８０とを有する。絶縁層２２０は、厚さ方向で隣り合う配線層２１０と配線層２３０との間に設けられ、絶縁層２４０は、厚さ方向で隣り合う配線層２３０と配線層２５０との間に設けられ、絶縁層２６０は、厚さ方向で隣り合う配線層２５０と配線層２７０との間に設けられている。絶縁層３２０は、厚さ方向で隣り合う配線層３１０と配線層３３０との間に設けられ、絶縁層３４０は、厚さ方向で隣り合う配線層３３０と配線層３５０との間に設けられ、絶縁層３６０は、厚さ方向で隣り合う配線層３５０と配線層３７０との間に設けられている。
【0015】
配線層２１０は、コア層１００の一方の面に形成されている。配線層３１０は、コア層１００の他方の面に形成されている。配線層２１０及び３１０は、導電層１１３により互いに電気的に接続されている。配線層２１０及び３１０、並びに導電層１１３の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。配線層２１０及び３１０の厚さは、例えば、１０μｍ～３０μｍ程度である。
【0016】
配線層２１０は、複数の信号線２１１と、複数のビアランド２１２と、１又は２以上のプレーン層２１３とを有する。ビアランド２１２の各々は信号線２１１の１つに繋がる。信号線２１１と、ビアランド２１２とが一体に形成されていてもよい。配線層３１０は、複数の信号線３１１と、複数のビアランド３１２と、１又は２以上のプレーン層３１３とを有する。ビアランド３１２の各々は信号線３１１の１つに繋がる。信号線３１１と、ビアランド３１２とが一体に形成されていてもよい。信号線２１１と、ビアランド２１２と、導電層１１３と、ビアランド３１２と、信号線３１１とが一体に形成されていてもよい。プレーン層２１３と、導電層１１３と、プレーン層３１３とが一体に形成されていてもよい。プレーン層２１３は電源層又はグランド層（ＧＮＤ層）であり、プレーン層３１３は電源層又はグランド層である。プレーン層２１３の一部が電源層であり、他の一部がグランド層であってもよい。プレーン層３１３の一部が電源層であり、他の一部がグランド層であってもよい。
【0017】
絶縁層２２０は、コア層１００の一方の面に配線層２１０を覆うように形成されている。絶縁層２２０の材料は、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を主成分とする絶縁性樹脂等である。絶縁層２２０の厚さは、例えば３０μｍ～４０μｍ程度である。絶縁層２２０は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有してもよい。絶縁層２２０におけるフィラーの含有量は、要求される熱膨張係数（ＣＴＥ）に応じて適宜設定できる。
【0018】
絶縁層２２０にビアホール２２１及び２２２が形成されている。ビアホール２２１及び２２２は絶縁層２２０を貫通する。ビアホール２２１は、平面視でビアランド２１２と重なり、ビアランド２１２に達する。ビアホール２２２は、平面視でプレーン層２１３と重なり、プレーン層２１３に達する。ビアホール２２２は複数形成されている。ビアホール２２１及び２２２は、逆円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール２２１及び２２２において、上端における開口径が下端における開口径より大きくてもよい。ビアホール２２１内に導電性ビア２２６が設けられている。導電性ビア２２６はビアランド２１２に直接接する。ビアホール２２２内に導電性ビア２２７が設けられている。導電性ビア２２７はプレーン層２１３に直接接する。導電性ビア２２６及び２２７の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール２２２は第２ビアホールの一例である。導電性ビア２２７は第２導電性ビアの一例である。
【0019】
配線層２３０は、絶縁層２２０の一方の面に形成されている。配線層２３０は、複数の信号線２３１と、複数のビアランド２３２と、１又は２以上のプレーン層２３３とを有する。ビアランド２３２の各々は信号線２３１の１つに繋がる。ビアホール２２１がビアランド２３２により塞がれている。信号線２３１と、ビアランド２３２とが一体に形成されていてもよい。信号線２３１と、ビアランド２３２と、導電性ビア２２６とが一体に形成されていてもよい。ビアホール２２２がプレーン層２３３により塞がれている。プレーン層２３３と、導電性ビア２２７とが一体に形成されていてもよい。配線層２３０の材料及び厚さは、例えば、配線層２１０と同様であってもよい。プレーン層２３３は電源層又はグランド層である。プレーン層２３３の一部が電源層であり、他の一部がグランド層であってもよい。
【0020】
絶縁層２４０は、絶縁層２２０の一方の面に配線層２３０を覆うように形成されている。絶縁層２４０の材料及び厚さは、例えば、絶縁層２２０と同様であってもよい。絶縁層２４０は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有してもよい。絶縁層２４０におけるフィラーの含有量は、例えば、絶縁層２２０と同様であってもよい。
【0021】
絶縁層２４０にビアホール２４１及び２４２が形成されている。ビアホール２４１及び２４２は絶縁層２４０を貫通する。ビアホール２４１は、平面視でビアランド２３２と重なり、ビアランド２３２に達する。ビアホール２４２は、平面視でプレーン層２３３と重なり、プレーン層２３３に達する。ビアホール２４２は複数形成されている。ビアホール２４１及び２４２は、逆円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール２４１及び２４２において、上端における開口径が下端における開口径より大きくてもよい。ビアホール２４１内に導電性ビア２４６が設けられている。導電性ビア２４６はビアランド２３２に直接接する。ビアホール２４２内に導電性ビア２４７が設けられている。導電性ビア２４７はプレーン層２３３に直接接する。導電性ビア２４６及び２４７の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール２４２は第２ビアホールの一例である。導電性ビア２４７は第２導電性ビアの一例である。
【0022】
配線層２５０は、絶縁層２４０の一方の面に形成されている。配線層２５０は、複数の信号線２５１と、複数のビアランド２５２と、１又は２以上のプレーン層２５３とを有する。ビアランド２５２の各々は信号線２５１の１つに繋がる。ビアホール２４１がビアランド２５２により塞がれている。信号線２５１と、ビアランド２５２とが一体に形成されていてもよい。信号線２５１と、ビアランド２５２と、導電性ビア２４６とが一体に形成されていてもよい。ビアホール２４２がプレーン層２５３により塞がれている。プレーン層２５３と、導電性ビア２４７とが一体に形成されていてもよい。配線層２５０の材料及び厚さは、例えば、配線層２１０と同様であってもよい。プレーン層２５３は電源層又はグランド層である。プレーン層２５３の一部が電源層であり、他の一部がグランド層であってもよい。
【0023】
絶縁層２６０は、絶縁層２４０の一方の面に配線層２５０を覆うように形成されている。絶縁層２６０の材料及び厚さは、例えば、絶縁層２２０と同様であってもよい。絶縁層２６０は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有してもよい。絶縁層２６０におけるフィラーの含有量は、例えば、絶縁層２２０と同様であってもよい。
【0024】
絶縁層２６０にビアホール２６１及び２６２が形成されている。ビアホール２６１及び２６２は絶縁層２６０を貫通する。ビアホール２６１は、平面視でビアランド２５２と重なり、ビアランド２５２に達する。ビアホール２６２は、平面視でプレーン層２５３と重なり、プレーン層２５３に達する。ビアホール２６２は複数形成されている。ビアホール２６１及び２６２は、逆円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール２６１及び２６２において、上端における開口径が下端における開口径より大きくてもよい。ビアホール２６１内に導電性ビア２６６が設けられている。導電性ビア２６６はビアランド２５２に直接接する。ビアホール２６２内に導電性ビア２６７が設けられている。導電性ビア２６７はプレーン層２５３に直接接する。導電性ビア２６６及び２６７の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール２６２は第２ビアホールの一例である。導電性ビア２６７は第２導電性ビアの一例である。
【0025】
配線層２７０は、絶縁層２６０の一方の面に形成されている。配線層２７０は、複数の信号線２７１と、複数のビアランド２７２と、１又は２以上のプレーン層２７３と、複数の電極パッド２７４とを有する。ビアランド２７２の各々は信号線２７１の１つに繋がる。ビアホール２６１がビアランド２７２により塞がれている。ビアランド２７２が電極パッド２７４として機能してもよい。信号線２７１と、ビアランド２７２と、電極パッド２７４とが一体に形成されていてもよい。信号線２７１と、ビアランド２７２と、電極パッド２７４と、導電性ビア２６６とが一体に形成されていてもよい。ビアホール２６２がプレーン層２７３により塞がれている。プレーン層２７３と、導電性ビア２６７とが一体に形成されていてもよい。配線層２７０の材料及び厚さは、例えば、配線層２１０と同様であってもよい。プレーン層２７３は電源層又はグランド層である。プレーン層２７３の一部が電源層であり、他の一部がグランド層であってもよい。
【0026】
ソルダレジスト層２８０は、絶縁層２６０の一方の面に配線層２７０を覆うように形成されている。ソルダレジスト層２８０に開口部２８１及び２８２が形成されている。開口部２８１及び２８２はソルダレジスト層２８０を貫通する。開口部２８１は、平面視で電極パッド２７４と重なり、電極パッド２７４に達する。開口部２８２は、平面視でプレーン層２７３と重なり、プレーン層２７３に達する。開口部２８２は複数形成されている。開口部２８１内に外部端子２８６が設けられている。外部端子２８６は電極パッド２７４に直接接する。開口部２８２内に外部端子２８７が設けられている。外部端子２８７はプレーン層２７３に直接接する。外部端子２８６及び２８７は、例えば、はんだバンプを有する。はんだバンプの材料としては、錫銀（ＳｎＡｇ）系合金、錫亜鉛（ＳｎＺｎ）系合金及び錫銅（ＳｎＣｕ）系合金等の無鉛はんだ、並びに鉛錫（ＰｂＳｎ）系合金の有鉛はんだが例示される。外部端子２８６及び２８７が導電性ポストを有していてもよい。
【0027】
絶縁層２２０及び２４０に、ビアランド２１２の１つとビアランド２５２の１つとを繋ぐビアホール２９１が形成されている。これら１組のビアランド２１２及び２５２は、平面視で互いに重なり合っている。ビアホール２９１は、平面視で１組のビアランド２１２及び２５２と重なる。ビアホール２９１は、絶縁層２２０及び２４０を貫通する。ビアホール２９１は、逆円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール２９１において、上端における開口径が下端における開口径より大きくてもよい。ビアホール２９１内に導電性ビア２９６が設けられている。導電性ビア２９６は１組のビアランド２１２及び２５２に直接接する。導電性ビア２９６は全てのビアランド２３２から離れており、ビアランド２３２には繋がらない。導電性ビア２９６の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール２９１は第１ビアホールの一例である。導電性ビア２９６は第１導電性ビアの一例である。
【0028】
絶縁層２４０及び２６０に、ビアランド２３２の１つとビアランド２７２の１つとを繋ぐビアホール２９２が形成されている。これら１組のビアランド２３２及び２７２は、平面視で互いに重なり合っている。ビアホール２９２は、平面視で１組のビアランド２３２及び２７２と重なる。ビアホール２９２は、絶縁層２４０及び２６０を貫通する。ビアホール２９２は、逆円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール２９２において、上端における開口径が下端における開口径より大きくてもよい。ビアホール２９２内に導電性ビア２９７が設けられている。導電性ビア２９７は１組のビアランド２３２及び２７２に直接接する。導電性ビア２９７は全てのビアランド２５２から離れており、ビアランド２５２には繋がらない。導電性ビア２９７の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール２９２は第１ビアホールの一例である。導電性ビア２９７は第１導電性ビアの一例である。
【0029】
絶縁層２２０、２４０及び２６０に、ビアランド２１２の１つとビアランド２７２の１つとを繋ぐビアホール２９３が形成されている。これら１組のビアランド２１２及び２７２は、平面視で互いに重なり合っている。ビアホール２９３は、平面視で１組のビアランド２１２及び２７２と重なる。ビアホール２９３は、絶縁層２２０、２４０及び２６０を貫通する。ビアホール２９３は、逆円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール２９３において、上端における開口径が下端における開口径より大きくてもよい。ビアホール２９３内に導電性ビア２９８が設けられている。導電性ビア２９８は１組のビアランド２１２及び２７２に直接接する。導電性ビア２９８は全てのビアランド２３２及び２５２から離れており、ビアランド２３２及び２５２には繋がらない。導電性ビア２９８の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール２９３は第１ビアホールの一例である。導電性ビア２９８は第１導電性ビアの一例である。
【0030】
なお、プレーン層２１３、２３３、２５３及び２７３については、複数の絶縁層を貫通して２つのプレーン層に直接接する導電性ビアは設けられていない。すなわち、プレーン層２１３、２３３、２５３及び２７３については、隣り合うプレーン層の両方に接する導電性ビアのみが設けられている。
【0031】
絶縁層３２０は、コア層１００の他方の面に配線層３１０を覆うように形成されている。絶縁層３２０の材料及び厚さは、例えば、絶縁層２２０と同様であってもよい。絶縁層３２０は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有してもよい。絶縁層３２０におけるフィラーの含有量は、例えば、絶縁層２２０と同様であってもよい。
【0032】
絶縁層３２０にビアホール３２１及び３２２が形成されている。ビアホール３２１及び３２２は絶縁層３２０を貫通する。ビアホール３２１は、平面視でビアランド３１２と重なり、ビアランド３１２に達する。ビアホール３２２は、平面視でプレーン層３１３と重なり、プレーン層３１３に達する。ビアホール３２２は複数形成されている。ビアホール３２１及び３２２は、円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール３２１及び３２２において、下端における開口径が上端における開口径より大きくてもよい。ビアホール３２１内に導電性ビア３２６が設けられている。導電性ビア３２６はビアランド３１２に直接接する。ビアホール３２２内に導電性ビア３２７が設けられている。導電性ビア３２７はプレーン層３１３に直接接する。導電性ビア３２６及び３２７の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール３２２は第２ビアホールの一例である。導電性ビア３２７は第２導電性ビアの一例である。
【0033】
配線層３３０は、絶縁層３２０の他方の面に形成されている。配線層３３０は、複数の信号線３３１と、複数のビアランド３３２と、１又は２以上のプレーン層３３３とを有する。ビアランド３３２の各々は信号線３３１の１つに繋がる。ビアホール３２１がビアランド３３２により塞がれている。信号線３３１と、ビアランド３３２とが一体に形成されていてもよい。信号線３３１と、ビアランド３３２と、導電性ビア３２６とが一体に形成されていてもよい。ビアホール３２２がプレーン層３３３により塞がれている。プレーン層３３３と、導電性ビア３２７とが一体に形成されていてもよい。配線層３３０の材料及び厚さは、例えば、配線層２１０と同様であってもよい。プレーン層３３３は電源層又はグランド層である。プレーン層３３３の一部が電源層であり、他の一部がグランド層であってもよい。
【0034】
絶縁層３４０は、絶縁層３２０の他方の面に配線層３３０を覆うように形成されている。絶縁層３４０の材料及び厚さは、例えば、絶縁層２２０と同様であってもよい。絶縁層３４０は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有してもよい。絶縁層３４０におけるフィラーの含有量は、例えば、絶縁層２２０と同様であってもよい。
【0035】
絶縁層３４０にビアホール３４１及び３４２が形成されている。ビアホール３４１及び３４２は絶縁層３４０を貫通する。ビアホール３４１は、平面視でビアランド３３２と重なり、ビアランド３３２に達する。ビアホール３４２は、平面視でプレーン層３３３と重なり、プレーン層３３３に達する。ビアホール３４２は複数形成されている。ビアホール３４１及び３４２は、円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール３４１及び３４２において、下端における開口径が上端における開口径より大きくてもよい。ビアホール３４１内に導電性ビア３４６が設けられている。導電性ビア３４６はビアランド３３２に直接接する。ビアホール３４２内に導電性ビア３４７が設けられている。導電性ビア３４７はプレーン層３３３に直接接する。導電性ビア３４６及び３４７の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール３４２は第２ビアホールの一例である。導電性ビア３４７は第２導電性ビアの一例である。
【0036】
配線層３５０は、絶縁層３４０の他方の面に形成されている。配線層３５０は、複数の信号線３５１と、複数のビアランド３５２と、１又は２以上のプレーン層３５３とを有する。ビアランド３５２の各々は信号線３５１の１つに繋がる。ビアホール３４１がビアランド３５２により塞がれている。信号線３５１と、ビアランド３５２とが一体に形成されていてもよい。信号線３５１と、ビアランド３５２と、導電性ビア３４６とが一体に形成されていてもよい。ビアホール３４２がプレーン層３５３により塞がれている。プレーン層３５３と、導電性ビア３４７とが一体に形成されていてもよい。配線層３５０の材料及び厚さは、例えば、配線層２１０と同様であってもよい。プレーン層３５３は電源層又はグランド層である。プレーン層３５３の一部が電源層であり、他の一部がグランド層であってもよい。
【0037】
絶縁層３６０は、絶縁層３４０の一方の面に配線層３５０を覆うように形成されている。絶縁層３６０の材料及び厚さは、例えば、絶縁層２２０と同様であってもよい。絶縁層３６０は、シリカ（ＳｉＯ２）等のフィラーを含有してもよい。絶縁層３６０におけるフィラーの含有量は、例えば、絶縁層２２０と同様であってもよい。
【0038】
絶縁層３６０にビアホール３６１及び３６２が形成されている。ビアホール３６１及び３６２は絶縁層３６０を貫通する。ビアホール３６１は、平面視でビアランド３５２と重なり、ビアランド３５２に達する。ビアホール３６２は、平面視でプレーン層３５３と重なり、プレーン層３５３に達する。ビアホール３６２は複数形成されている。ビアホール３６１及び３６２は、円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール３６１及び３６２において、下端における開口径が上端における開口径より大きくてもよい。ビアホール３６１内に導電性ビア３６６が設けられている。導電性ビア３６６はビアランド３５２に直接接する。ビアホール３６２内に導電性ビア３６７が設けられている。導電性ビア３６７はプレーン層３５３に直接接する。導電性ビア３６６及び３６７の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール３６２は第２ビアホールの一例である。導電性ビア３６７は第２導電性ビアの一例である。
【0039】
配線層３７０は、絶縁層３６０の他方の面に形成されている。配線層３７０は、複数の信号線３７１と、複数のビアランド３７２と、１又は２以上のプレーン層３７３と、複数の電極パッド３７４とを有する。ビアランド３７２の各々は信号線３７１の１つに繋がる。ビアホール３６１がビアランド３７２により塞がれている。ビアランド３７２が電極パッド３７４として機能してもよい。信号線３７１と、ビアランド３７２と、電極パッド３７４とが一体に形成されていてもよい。信号線３７１と、ビアランド３７２と、電極パッド３７４と、導電性ビア３６６とが一体に形成されていてもよい。ビアホール３６２がプレーン層３７３により塞がれている。プレーン層３７３と、導電性ビア３６７とが一体に形成されていてもよい。配線層３７０の材料及び厚さは、例えば、配線層２１０と同様であってもよい。プレーン層３７３は電源層又はグランド層である。プレーン層３７３の一部が電源層であり、他の一部がグランド層であってもよい。
【0040】
ソルダレジスト層３８０は、絶縁層３６０の他方の面に配線層３７０を覆うように形成されている。ソルダレジスト層３８０に開口部３８１及び３８２が形成されている。開口部３８１及び３８２はソルダレジスト層３８０を貫通する。開口部３８１は、平面視で電極パッド３７４と重なり、電極パッド３７４に達する。開口部３８２は、平面視でプレーン層３７３と重なり、プレーン層３７３に達する。開口部３８２は複数形成されている。
【0041】
絶縁層３２０及び３４０に、ビアランド３１２の１つとビアランド３５２の１つとを繋ぐビアホール３９１が形成されている。これら１組のビアランド３１２及び３５２は、平面視で互いに重なり合っている。ビアホール３９１は、平面視で１組のビアランド３１２及び３５２と重なる。ビアホール３９１は、絶縁層３２０及び３４０を貫通する。ビアホール３９１は、円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール３９１において、下端における開口径が上端における開口径より大きくてもよい。ビアホール３９１内に導電性ビア３９６が設けられている。導電性ビア３９６は１組のビアランド３１２及び３５２に直接接する。導電性ビア３９６は全てのビアランド３３２から離れており、ビアランド３３２には繋がらない。導電性ビア３９６の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール３９１は第１ビアホールの一例である。導電性ビア３９６は第１導電性ビアの一例である。
【0042】
絶縁層３４０及び３６０に、ビアランド３３２の１つとビアランド３７２の１つとを繋ぐビアホール３９２が形成されている。これら１組のビアランド３３２及び３７２は、平面視で互いに重なり合っている。ビアホール３９２は、平面視で１組のビアランド３３２及び３７２と重なる。ビアホール３９２は、絶縁層３４０及び３６０を貫通する。ビアホール３９２は、円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール３９２において、下端における開口径が上端における開口径より大きくてもよい。ビアホール３９２内に導電性ビア３９７が設けられている。導電性ビア３９７は１組のビアランド３３２及び３７２に直接接する。導電性ビア３９７は全てのビアランド３５２から離れており、ビアランド３５２には繋がらない。導電性ビア３９７の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール３９２は第１ビアホールの一例である。導電性ビア３９７は第１導電性ビアの一例である。
【0043】
絶縁層３２０、３４０及び３６０に、ビアランド３１２の１つとビアランド３７２の１つとを繋ぐビアホール３９３が形成されている。これら１組のビアランド３１２及び３７２は、平面視で互いに重なり合っている。ビアホール３９３は、平面視で１組のビアランド３１２及び３７２と重なる。ビアホール３９３は、絶縁層３２０、３４０及び３６０を貫通する。ビアホール３９３は、円錐台状の凹部であってもよい。すなわち、ビアホール３９３において、下端における開口径が上端における開口径より大きくてもよい。ビアホール３９３内に導電性ビア３９８が設けられている。導電性ビア３９８は１組のビアランド３１２及び３７２に直接接する。導電性ビア３９８は全てのビアランド３３２及び３５２から離れており、ビアランド３３２及び３５２には繋がらない。導電性ビア３９８の材料は、例えば、銅（Ｃｕ）等である。ビアホール３９３は第１ビアホールの一例である。導電性ビア３９８は第１導電性ビアの一例である。
【0044】
なお、プレーン層３１３、３３３、３５３及び３７３については、複数の絶縁層を貫通して２つのプレーン層に直接接する導電性ビアは設けられていない。すなわち、プレーン層３１３、３３３、３５３及び３７３については、隣り合うプレーン層の両方に接する導電性ビアのみが設けられている。
【0045】
ここで、配線層の平面形状の概要について説明する。図２は、配線層の平面形状の概要を例示する平面図である。配線層１０は、信号線２１、３１及び４１と、ビアランド２２Ａ、２２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ、４２Ａ及び４２Ｂと、プレーン層１３とを有する。ビアランド２２Ａは信号線２１の一方の端部に繋がり、ビアランド２２Ｂは信号線２１の他方の端部に繋がる。ビアランド３２Ａは信号線３１の一方の端部に繋がり、ビアランド３２Ｂは信号線３１の他方の端部に繋がる。ビアランド４２Ａは信号線４１の一方の端部に繋がり、ビアランド４２Ｂは信号線４１の他方の端部に繋がる。
【0046】
信号線３１及び４１は、互いに平行に近接して配置されており、差動ペア配線を構成する。信号線２１は信号線３１及び４１から十分に離れて配置されている。信号線２１は、例えばシングルエンド配線である。プレーン層１３は、信号線２１、３１及び４１の周囲にべた状に配置されている。プレーン層１３は信号線３１及び４１の間には設けられていない。ビアランド２２Ａ、２２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ、４２Ａ及び４２Ｂに、下方又は上方に設けられた導電性ビアが接続される。プレーン層１３は電源層又はグランド層であり、プレーン層１３には、例えば、電源電位又は接地電位（ＧＮＤ電位）が供給される。
【0047】
図１では信号線とビアランドとの間の境界を示していないが、配線層２１０、２３０、２５０、３１０、３３０及び３５０は、配線層１０に準じた構成を備えている。また、配線層２７０及び３７０は、配線層１０に準じた構成に電極パッドを加えた構成を備えている。
【0048】
例えば、シングルエンド配線の特性インピーダンスは５０Ω程度であり、差動ペア配線の特性インピーダンスは１００Ω程度である。
【0049】
【0050】
まず、図３（ａ）に示すように、絶縁性の基材１１１と、導電層１０２と、導電層１０３とを備えた積層板１０１を準備する。導電層１０２は基材１１１の上面に設けられ、導電層１０３基材１１１の下面に設けられている。例えば、導電層１０２及び１０３は銅箔である。
【0051】
次いで、図３（ｂ）に示すように、積層板１０１に複数の貫通孔１１２を形成する。貫通孔１１２は、導電層１０２、基材１１１及び導電層１０３を厚さ方向に貫通する。例えば、貫通孔１１２はドリルやレーザを用いた加工等により形成することができる。その後、貫通孔１１２の壁面のデスミア処理を行う。デスミア処理とは、樹脂残渣（スミア）を除去する処理である。デスミア処理は、例えば、過マンガン酸カリウム溶液により行うことができる。
【0052】
その後、同じく図３（ｂ）に示すように、例えばセミアディティブ法又はサブトラクティブ法により、導電層１１３、配線層２１０及び配線層３１０を形成する。配線層２１０は導電層１０２を含み、配線層３１０は導電層１０３を含む。この結果、コア層１００が形成される。
【0053】
続いて、図４（ａ）に示すように、コア層１００の一方の面に配線層２１０を覆うように未硬化の樹脂フィルムを貼付し、コア層１００の他方の面に配線層３１０を覆うように未硬化の樹脂フィルムを貼付する。次いで、これら樹脂フィルムを加熱処理して硬化させることにより、絶縁層２２０及び３２０を形成する。絶縁層２２０及び３２０は、エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の絶縁樹脂から形成される。液状樹脂を塗布することにより、絶縁層２２０及び３２０を形成してもよい。
【0054】
その後、図４（ｂ）に示すように、絶縁層２２０をレーザで加工することにより、ビアランド２１２に達するビアホール２２１と、プレーン層２１３に達するビアホール２２２とを絶縁層２２０に形成する。また、絶縁層３２０をレーザで加工することにより、ビアランド３１２に達するビアホール３２１と、プレーン層３１３に達するビアホール３２２とを絶縁層３２０に形成する。ドリルを用いて絶縁層２２０を加工してもよく、ドリルを用いて絶縁層３２０を加工してもよい。ビアホール２２１、２２２、３２１及び３２２の形成後、好ましくは、デスミア処理を行う。
【0055】
続いて、図５（ａ）に示すように、導電性ビア２２６、導電性ビア２２７及び配線層２３０を同時に形成する。また、導電性ビア３２６、導電性ビア３２７及び配線層３３０を同時に形成する。導電性ビア２２６、導電性ビア２２７、導電性ビア３２６、導電性ビア３２７、配線層２３０及び配線層３３０は、例えばセミアディティブ法によって形成することができる。導電性ビア２２６、導電性ビア２２７、導電性ビア３２６、導電性ビア３２７、配線層２３０及び配線層３３０は、例えば、シード層及びめっき層を含む多層構造を有する。
【0056】
次いで、図５（ｂ）に示すように、絶縁層２２０の上に配線層２３０を覆うように絶縁層２４０を形成する。また、絶縁層３２０の下に配線層３３０を覆うように絶縁層３４０を形成する。絶縁層２４０及び３４０は、絶縁層２２０及び絶縁層３２０と同様の方法で形成することができる。
【0057】
その後、図６に示すように、絶縁層２４０及び２２０をドリルで加工することにより、ビアランド２１２に達するビアホール２９１を絶縁層２４０及び２２０に形成する。また、絶縁層３４０及び３２０をドリルで加工することにより、ビアランド３１２に達するビアホール３９１を絶縁層３４０及び３２０に形成する。レーザを用いて絶縁層２４０及び２２０を加工してもよく、レーザを用いて絶縁層３４０及び３２０を加工してもよい。ビアホール２９１及び３９１の形成後、好ましくは、デスミア処理を行う。
【0058】
続いて、図７に示すように、ビアホール２９１内に導電性ビア２９６を形成し、ビアホール３９１内に導電性ビア３９６を形成する。導電性ビア２９６及び３９６の形成では、例えば、スクリーン印刷法による導電性ペーストの塗布、導電性ペーストを硬化させるための熱処理及び化学機械的研磨（chemical mechanical polishing：ＣＭＰ）等による平坦化処理を行う。導電性ビア２９６及び導電性ビア３９６は、例えば、単一の金属層から構成される。
【0059】
次いで、図８に示すように、絶縁層２４０をレーザで加工することにより、ビアランド２３２に達するビアホール２４１と、プレーン層２３３に達するビアホール２４２とを絶縁層２４０に形成する。また、絶縁層３４０をレーザで加工することにより、ビアランド３３２に達するビアホール３４１と、プレーン層３３３に達するビアホール３４２とを絶縁層３４０に形成する。ドリルを用いて絶縁層２４０を加工してもよく、ドリルを用いて絶縁層３４０を加工してもよい。ビアホール２４１、２４２、３４１及び３４２の形成後、好ましくは、デスミア処理を行う。
【0060】
その後、図９に示すように、導電性ビア２４６、導電性ビア２４７及び配線層２５０を同時に形成する。また、導電性ビア３４６、導電性ビア３４７及び配線層３５０を同時に形成する。導電性ビア２４６、導電性ビア２４７、導電性ビア３４６、導電性ビア３４７、配線層２５０及び配線層３５０は、例えばセミアディティブ法によって形成することができる。導電性ビア２４６、導電性ビア２４７、導電性ビア３４６、導電性ビア３４７、配線層２５０及び配線層３５０は、例えば、シード層及びめっき層を含む多層構造を有する。
【0061】
続いて、図１０に示すように、絶縁層２４０の上に配線層２５０を覆うように絶縁層２６０を形成する。また、絶縁層３４０の下に配線層３５０を覆うように絶縁層３６０を形成する。絶縁層２６０及び３６０は、絶縁層２２０及び絶縁層３２０と同様の方法で形成することができる。
【0062】
次いで、図１１に示すように、絶縁層２６０及び２４０をドリルで加工することにより、ビアランド２３２に達するビアホール２９２を絶縁層２６０及び２４０に形成する。更に、絶縁層２６０、２４０及び２２０をドリルで加工することにより、ビアランド２１２に達するビアホール２９３を絶縁層２６０、２４０及び２２０に形成する。また、絶縁層３６０及び３４０をドリルで加工することにより、ビアランド３３２に達するビアホール３９２を絶縁層３６０及び３４０に形成する。更に、絶縁層３６０、３４０及び３２０をドリルで加工することにより、ビアランド３１２に達するビアホール３９３を絶縁層３６０、３４０及び３２０に形成する。レーザを用いて絶縁層２６０、２４０及び２２０を加工してもよく、レーザを用いて絶縁層３６０、３４０及び３２０を加工してもよい。ビアホール２９２、２９３、３９２及び３９３の形成後、好ましくは、デスミア処理を行う。
【0063】
その後、図１２に示すように、ビアホール２９２内に導電性ビア２９７を形成し、ビアホール２９３内に導電性ビア２９８を形成し、ビアホール３９２内に導電性ビア３９７を形成し、ビアホール３９３内に導電性ビア３９８を形成する。導電性ビア２９７、２９８、３９７及び３９８の形成では、例えば、スクリーン印刷法による導電性ペーストの塗布、導電性ペーストを硬化させるための熱処理及びＣＭＰ等による平坦化処理を行う。ビアホール２９２内への導電性ペーストの塗布と、ビアホール２９３内への導電性ペーストの塗布とを別々に行ってもよく、同時に行ってもよい。ビアホール３９２内への導電性ペーストの塗布と、ビアホール３９３内への導電性ペーストの塗布とを別々に行ってもよく、同時に行ってもよい。導電性ビア２９７、導電性ビア２９８、導電性ビア３９７及び導電性ビア３９８は、例えば、単一の金属層から構成される。
【0064】
続いて、図１３に示すように、絶縁層２６０をレーザで加工することにより、ビアランド２５２に達するビアホール２６１と、プレーン層２５３に達するビアホール２６２とを絶縁層２６０に形成する。また、絶縁層３６０をレーザで加工することにより、ビアランド３５２に達するビアホール３６１と、プレーン層３５３に達するビアホール３６２とを絶縁層３６０に形成する。ドリルを用いて絶縁層２６０を加工してもよく、ドリルを用いて絶縁層３６０を加工してもよい。ビアホール２６１、２６２、３６１及び３６２の形成後、好ましくは、デスミア処理を行う。
【0065】
次いで、図１４に示すように、導電性ビア２６６、導電性ビア２６７及び配線層２７０を同時に形成する。また、導電性ビア３６６、導電性ビア３６７及び配線層３７０を同時に形成する。導電性ビア２６６、導電性ビア２６７、導電性ビア３６６、導電性ビア３６７、配線層２７０及び配線層３７０は、例えばセミアディティブ法によって形成することができる。導電性ビア２６６、導電性ビア２６７、導電性ビア３６６、導電性ビア３６７、配線層２７０及び配線層３７０は、例えば、シード層及びめっき層を含む多層構造を有する。
【0066】
その後、図１５に示すように、絶縁層２６０の上にソルダレジスト層２８０を形成し、絶縁層３６０の下にソルダレジスト層３８０を形成する。その後、ソルダレジスト層２８０に開口部２８１及び２８２を形成し、ソルダレジスト層３８０に開口部３８１及び３８２を形成する。
【0067】
続いて、同じく図１５に示すように、開口部２８１内に電極パッド２７４に直接接する外部端子２８６を形成し、開口部２８２内にプレーン層２７３に直接接する外部端子２８７を形成する。
【0068】
このようにして、実施形態に係る配線基板１を製造することができる。
【0069】
配線基板１においては、信号が伝送される導電性ビアの一部が、複数の絶縁層を貫通するビアホール内に設けられている。このため、信号が伝送される導電性ビアの全てが、単層の絶縁層を貫通するビアホール内に設けられている場合と比較して、導電性ビアの数を低減することができる。導電性ビアには寄生容量及び寄生インダクタンスが存在するため、導電性ビアが多いほど大きな反射ノイズが発生しやすい。本実施形態によれば、導電性ビアの数を低減することができるため、信号線を通じて伝送される信号の周波数が高くなった場合でも、反射ノイズを低減し、信号の信頼性の低下を抑制することができる。
【0070】
また、導電性ビアでは信号線と比較して歩留まり及び信頼性が低くなりやすいが、導電性ビアの数が低減されることで、配線基板１全体の歩留まり及び信頼性を向上することもできる。
【0071】
また、導電性ビアの数の低減に伴って導電性ビアを繋ぐ信号線の数が少なくなった場合、このような信号線によって生じる共振及び電磁妨害（electromagnetic interference：ＥＭＩ）ノイズを低減することもできる。
【0072】
なお、ビアホールの直径は、当該ビアホールが貫通する絶縁層の総厚さが大きいほど、大きいことが好ましい。例えば、ビアホール２９３の上端の直径は５４μｍであってもよく、ビアホール２９１及び２９２の上端の直径は５２μｍであってもよく、ビアホール２２１、２２２、２４１、２４２、２６１及び２６２の上端の直径は５０μｍであってもよい。また、ビアホール３９３の下端の直径は５４μｍであってもよく、ビアホール３９１及び３９２の下端の直径は５２μｍであってもよく、ビアホール３２１、３２２、３４１、３４２、３６１及び３６２の下端の直径は５０μｍであってもよい。
【0073】
更に、本実施形態では、プレーン層２１３、２３３、２５３及び２７３については、隣り合うプレーン層の両方に接する導電性ビアのみが設けられている。また、各プレーン層は複数の導電性ビアを介して電気的に接続されている。このため、安定した電位を確保することができる。
【0074】
なお、信号線に電気的に接続される導電性ビア及びプレーン層に電気的に接続される導電性ビアのいずれにおいても、スタックドビアが含まれてもよく、スタッガードビアが含まれてもよい。
【0075】
また、本開示において、全ての配線層が信号線、ビアランド及びプレーン層の両方を含む必要はない。複数の絶縁層を貫通する導電性ビアに直接接するビアランドを含む配線層（第１配線層、第２配線層）と、プレーン層を含む配線層（第３配線層）とが相違していてもよい。また、第１配線層又は第２配線層が１つの第３配線層と同一の配線層であってもよく、第１配線層及び第２配線層が２つの第３配線層と同一の配線層であってもよい。
【0076】
以上、好ましい実施形態等について詳説したが、本開示は上述した実施形態等に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施形態等に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【0077】
１ 配線基板
１０、２１０、２３０、２５０、２７０、３１０、３３０、３５０、３７０ 配線層
１３、２１３、２３３、２５３、２７３、３１３、３３３、３５３、３７３ プレーン層
２１、３１、４１、２１１、２３１、２５１、２７１、３１１、３３１、３５１、３７１ 信号線
２２Ａ、２２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ、２１２、２３２、２５２、２７２、３１２、３３２、３５２、３７２ ビアランド
２２１、２２２、２４１、２４２、２６１、２６２、２９１、２９２、２９３、３２１、３２２、３４１、３４２、３６１、３６２、３９１、３９２、３９３ ビアホール
２２６、２２７、２４６、２４７、２６６、２６７、２９６、２９７、２９８、３２６、３２７、３４６、３４７、３６６、３６７、３９６、３９７、３９８ 導電性ビア
１０、２１０、２３０、２５０、２７０、３１０、３３０、３５０、３７０ 配線層
１３、２１３、２３３、２５３、２７３、３１３、３３３、３５３、３７３ プレーン層
２１、３１、４１、２１１、２３１、２５１、２７１、３１１、３３１、３５１、３７１ 信号線
２２Ａ、２２Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ、２１２、２３２、２５２、２７２、３１２、３３２、３５２、３７２ ビアランド
２２１、２２２、２４１、２４２、２６１、２６２、２９１、２９２、２９３、３２１、３２２、３４１、３４２、３６１、３６２、３９１、３９２、３９３ ビアホール
２２６、２２７、２４６、２４７、２６６、２６７、２９６、２９７、２９８、３２６、３２７、３４６、３４７、３６６、３６７、３９６、３９７、３９８ 導電性ビア
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】