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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024016313
(43)【公開日】2024-02-07
(54)【発明の名称】部材形成方法、積層体製造方法および部材形成装置
(51)【国際特許分類】
C23C 16/455 20060101AFI20240131BHJP
【ＦＩ】
C23C16/455
【審査請求】未請求
【請求項の数】10
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2020214584
(22)【出願日】2020-12-24
(71)【出願人】
【識別番号】000000044
【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100152984
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 秀明
(74)【代理人】
【識別番号】100168985
【弁理士】
【氏名又は名称】蜂谷 浩久
(72)【発明者】
【氏名】渡邊 浩司
(72)【発明者】
【氏名】加藤 亮祐
(72)【発明者】
【氏名】小川 朝敬
(72)【発明者】
【氏名】河原 弘治
【テーマコード（参考）】
4K030
【Ｆターム（参考）】
4K030AA03
4K030AA06
4K030AA10
4K030AA17
4K030BA36
4K030BA37
4K030BA38
4K030BA42
4K030BA49
4K030CA11
4K030EA05
4K030EA06
4K030FA10
4K030JA03
4K030JA05
4K030JA10
4K030KA47
(57)【要約】
【課題】ニアネットシェイプ部材を容易に得る。
【解決手段】基材の表面の上に、熱ＣＶＤ法によって、厚さが異なる部分を有する部材を形成する方法であって、上記基材を加熱しつつ、上記表面に原料ガスをガス出口から供給し、下記条件１～３の少なくともいずれかを満たす、部材形成方法。
条件１：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から上記表面までの垂直距離が上記ガス出口ごとに異なる。
条件２：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から出る上記原料ガスの流量が上記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された上記基材が、上記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
【選択図】図１
【解決手段】基材の表面の上に、熱ＣＶＤ法によって、厚さが異なる部分を有する部材を形成する方法であって、上記基材を加熱しつつ、上記表面に原料ガスをガス出口から供給し、下記条件１～３の少なくともいずれかを満たす、部材形成方法。
条件１：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から上記表面までの垂直距離が上記ガス出口ごとに異なる。
条件２：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から出る上記原料ガスの流量が上記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された上記基材が、上記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材の表面の上に、熱ＣＶＤ法によって、厚さが異なる部分を有する部材を形成する方法であって、
前記基材を加熱しつつ、前記表面に原料ガスをガス出口から供給し、
下記条件１～３の少なくともいずれかを満たす、部材形成方法。
条件１：前記表面と対向する位置に複数の前記ガス出口が配置され、前記ガス出口から前記表面までの垂直距離が前記ガス出口ごとに異なる。
条件２：前記表面と対向する位置に複数の前記ガス出口が配置され、前記ガス出口から出る前記原料ガスの流量が前記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された前記基材が、前記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
前記基材を加熱しつつ、前記表面に原料ガスをガス出口から供給し、
下記条件１～３の少なくともいずれかを満たす、部材形成方法。
条件１：前記表面と対向する位置に複数の前記ガス出口が配置され、前記ガス出口から前記表面までの垂直距離が前記ガス出口ごとに異なる。
条件２：前記表面と対向する位置に複数の前記ガス出口が配置され、前記ガス出口から出る前記原料ガスの流量が前記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された前記基材が、前記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
【請求項2】
前記条件２において、前記原料ガスの前記ガス出口までの流量が、前記ガス出口ごとに異なる、請求項１に記載の部材形成方法。
【請求項3】
前記条件２において、前記ガス出口を構成する開口のサイズが、前記ガス出口ごとに異なる、請求項１に記載の部材形成方法。
【請求項4】
前記ガス出口が、１つの開口または複数の開口によって構成される、請求項１～３のいずれか１項に記載の部材形成方法。
【請求項5】
前記部材が、金属炭化物、金属酸化物、金属窒化物、ホウ素炭化物、ホウ素酸化物およびホウ素窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の部材形成方法。
【請求項6】
前記部材は、前記厚さが異なる部分ごとに異なる構造を有する、請求項１～５のいずれか１項に記載の部材形成方法。
【請求項7】
前記部材が、半導体製造の際に使用される半導体製造装置用部材となる部材であって、
前記半導体製造装置用部材が、成膜装置用部材、エッチング装置用部材、フォーカスリング、エッジリング、サセプタ、電極または排気口である、請求項１～６のいずれか１項に記載の部材形成方法。
前記半導体製造装置用部材が、成膜装置用部材、エッチング装置用部材、フォーカスリング、エッジリング、サセプタ、電極または排気口である、請求項１～６のいずれか１項に記載の部材形成方法。
【請求項8】
前記基材が、炭素、金属、金属炭化物、金属酸化物および金属窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する、請求項１～７のいずれか１項に記載の部材形成方法。
【請求項9】
請求項１～８のいずれか１項に記載の部材形成方法を用いて、前記基材および前記部材を有する積層体を製造する、積層体製造方法。
【請求項10】
基材の表面の上に、熱ＣＶＤ法によって、厚さが異なる部分を有する部材を形成する装置であって、
前記基材を加熱しつつ、前記表面に原料ガスをガス出口から供給し、
下記条件１～３の少なくともいずれかを満たす、部材形成装置。
条件１：前記表面と対向する位置に複数の前記ガス出口が配置され、前記ガス出口から前記表面までの垂直距離が前記ガス出口ごとに異なる。
条件２：前記表面と対向する位置に複数の前記ガス出口が配置され、前記ガス出口から出る前記原料ガスの流量が前記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された前記基材が、前記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
前記基材を加熱しつつ、前記表面に原料ガスをガス出口から供給し、
下記条件１～３の少なくともいずれかを満たす、部材形成装置。
条件１：前記表面と対向する位置に複数の前記ガス出口が配置され、前記ガス出口から前記表面までの垂直距離が前記ガス出口ごとに異なる。
条件２：前記表面と対向する位置に複数の前記ガス出口が配置され、前記ガス出口から出る前記原料ガスの流量が前記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された前記基材が、前記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、部材形成方法、積層体製造方法および部材形成装置に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、ニアネットシェイプ部材の製造が行なわれている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０００－１９９０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
ニアネットシェイプ部材は、最終製品（完成品）に近い形状を有する部材であり、例えば、厚さが異なる部分を有する部材（段差面を有する部材、傾斜面を有する部材など）である。
例えば、平板状の部材から最終製品を得る場合と比較して、ニアネットシェイプ部材を用いることで、最終製品の形状を得るために要する加工量が低減し、コスト面も優れる。
例えば、平板状の部材から最終製品を得る場合と比較して、ニアネットシェイプ部材を用いることで、最終製品の形状を得るために要する加工量が低減し、コスト面も優れる。
【0005】
本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであり、ニアネットシェイプ部材を容易に得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明者らは、鋭意検討した結果、下記構成を採用することにより、上記目的が達成されることを見出し、本発明を完成させた。
【0007】
すなわち、本発明は、以下の［１］～［１０］を提供する。
［１］基材の表面の上に、熱ＣＶＤ法によって、厚さが異なる部分を有する部材を形成する方法であって、上記基材を加熱しつつ、上記表面に原料ガスをガス出口から供給し、下記条件１～３の少なくともいずれかを満たす、部材形成方法。
条件１：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から上記表面までの垂直距離が上記ガス出口ごとに異なる。
条件２：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から出る上記原料ガスの流量が上記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された上記基材が、上記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
［２］上記条件２において、上記原料ガスの上記ガス出口までの流量が、上記ガス出口ごとに異なる、上記［１］に記載の部材形成方法。
［３］上記条件２において、上記ガス出口を構成する開口のサイズが、上記ガス出口ごとに異なる、上記［１］に記載の部材形成方法。
［４］上記ガス出口が、１つの開口または複数の開口によって構成される、上記［１］～［３］のいずれかに記載の部材形成方法。
［５］上記部材が、金属炭化物、金属酸化物、金属窒化物、ホウ素炭化物、ホウ素酸化物およびホウ素窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する、上記［１］～［４］のいずれかに記載の部材形成方法。
［６］上記部材は、上記厚さが異なる部分ごとに異なる構造を有する、上記［１］～［５］のいずれかに記載の部材形成方法。
［７］上記部材が、半導体製造の際に使用される半導体製造装置用部材となる部材であって、上記半導体製造装置用部材が、成膜装置用部材、エッチング装置用部材、フォーカスリング、エッジリング、サセプタ、電極または排気口である、上記［１］～［６］のいずれかに記載の部材形成方法。
［８］上記基材が、炭素、金属、金属炭化物、金属酸化物および金属窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する、上記［１］～［７］のいずれかに記載の部材形成方法。
［９］上記［１］～［８］のいずれかに記載の部材形成方法を用いて、上記基材および上記部材を有する積層体を製造する、積層体製造方法。
［１０］基材の表面の上に、熱ＣＶＤ法によって、厚さが異なる部分を有する部材を形成する装置であって、上記基材を加熱しつつ、上記表面に原料ガスをガス出口から供給し、下記条件１～３の少なくともいずれかを満たす、部材形成装置。
条件１：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から上記表面までの垂直距離が上記ガス出口ごとに異なる。
条件２：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から出る上記原料ガスの流量が上記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された上記基材が、上記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
［１］基材の表面の上に、熱ＣＶＤ法によって、厚さが異なる部分を有する部材を形成する方法であって、上記基材を加熱しつつ、上記表面に原料ガスをガス出口から供給し、下記条件１～３の少なくともいずれかを満たす、部材形成方法。
条件１：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から上記表面までの垂直距離が上記ガス出口ごとに異なる。
条件２：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から出る上記原料ガスの流量が上記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された上記基材が、上記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
［２］上記条件２において、上記原料ガスの上記ガス出口までの流量が、上記ガス出口ごとに異なる、上記［１］に記載の部材形成方法。
［３］上記条件２において、上記ガス出口を構成する開口のサイズが、上記ガス出口ごとに異なる、上記［１］に記載の部材形成方法。
［４］上記ガス出口が、１つの開口または複数の開口によって構成される、上記［１］～［３］のいずれかに記載の部材形成方法。
［５］上記部材が、金属炭化物、金属酸化物、金属窒化物、ホウ素炭化物、ホウ素酸化物およびホウ素窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する、上記［１］～［４］のいずれかに記載の部材形成方法。
［６］上記部材は、上記厚さが異なる部分ごとに異なる構造を有する、上記［１］～［５］のいずれかに記載の部材形成方法。
［７］上記部材が、半導体製造の際に使用される半導体製造装置用部材となる部材であって、上記半導体製造装置用部材が、成膜装置用部材、エッチング装置用部材、フォーカスリング、エッジリング、サセプタ、電極または排気口である、上記［１］～［６］のいずれかに記載の部材形成方法。
［８］上記基材が、炭素、金属、金属炭化物、金属酸化物および金属窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する、上記［１］～［７］のいずれかに記載の部材形成方法。
［９］上記［１］～［８］のいずれかに記載の部材形成方法を用いて、上記基材および上記部材を有する積層体を製造する、積層体製造方法。
［１０］基材の表面の上に、熱ＣＶＤ法によって、厚さが異なる部分を有する部材を形成する装置であって、上記基材を加熱しつつ、上記表面に原料ガスをガス出口から供給し、下記条件１～３の少なくともいずれかを満たす、部材形成装置。
条件１：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から上記表面までの垂直距離が上記ガス出口ごとに異なる。
条件２：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から出る上記原料ガスの流量が上記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された上記基材が、上記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
【発明の効果】
【0008】
本発明によれば、ニアネットシェイプ部材を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【0009】
【図1】第１の実施形態の装置を模式的に示す断面図である。
【図2】第２の実施形態の装置を模式的に示す断面図である。
【図3】第３の実施形態の装置を模式的に示す断面図である。
【図4】第４の実施形態の装置を模式的に示す断面図である。
【図5】第５の実施形態の装置を模式的に示す断面図である。
【図6】第６の実施形態の装置を模式的に示す断面図である。
【図7】第７の実施形態の装置を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0010】
本発明の部材形成方法は、基材の表面の上に、熱ＣＶＤ法によって、厚さが異なる部分を有する部材を形成する方法であって、上記基材を加熱しつつ、上記表面に原料ガスをガス出口から供給し、下記条件１～３の少なくともいずれかを満たす、部材形成方法である。
条件１：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から上記表面までの垂直距離が上記ガス出口ごとに異なる。
条件２：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から出る上記原料ガスの流量が上記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された上記基材が、上記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
条件１：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から上記表面までの垂直距離が上記ガス出口ごとに異なる。
条件２：上記表面と対向する位置に複数の上記ガス出口が配置され、上記ガス出口から出る上記原料ガスの流量が上記ガス出口ごとに異なる。
条件３：加熱された上記基材が、上記表面に沿った方向に、異なる温度を有する。
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。
【0011】
〈第１の実施形態〉
図１に基づいて、第１の実施形態を説明する。第１の実施形態は、少なくとも、上述した条件１を満たす実施形態である。
図１に基づいて、第１の実施形態を説明する。第１の実施形態は、少なくとも、上述した条件１を満たす実施形態である。
【0012】
図１は、第１の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。
図１には、装置１において、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、基材６の表面６ａの上に部材７が形成されている状態が示されている。
図１には、装置１において、熱ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法によって、基材６の表面６ａの上に部材７が形成されている状態が示されている。
【0013】
装置１は、主として、ハウジング２と、ハウジング２の外部から内部空間５に至るガス供給管３と、ハウジング２の内部空間５と外部とを接続する排気管４とを有する。
装置１は、更に、ハウジング２の内部空間５に配置された基材６を加熱するための加熱部９（加熱部９ａおよび加熱部９ｂ）を有する。
以下、装置１が有する各部について、説明する。
装置１は、更に、ハウジング２の内部空間５に配置された基材６を加熱するための加熱部９（加熱部９ａおよび加熱部９ｂ）を有する。
以下、装置１が有する各部について、説明する。
【0014】
ハウジング２の内部空間５には、基材６の裏面６ｂを支持するテーブル８が設けられている。テーブル８は、支柱８ａを中心に回転自在であってもよい。
【0015】
第１の実施形態において、図１に示す基材６は、平板状であり、表面６ａおよび裏面６ｂは、互いに平行な平面である。
テーブル８に支持された基材６の表面６ａと平行な方向を「Ｘ軸方向」と呼び、表面６ａと垂直な方向を「Ｚ軸方向」と呼ぶ。
テーブル８に支持された基材６の表面６ａと平行な方向を「Ｘ軸方向」と呼び、表面６ａと垂直な方向を「Ｚ軸方向」と呼ぶ。
【0016】
ガス供給管３は、ハウジング２の外部から内部空間５に至り、内部空間５に配置された基材６の表面６ａに、熱ＣＶＤ用の原料ガスを供給する。
形成する部材７がＳｉＣ膜である場合、原料ガスとしては、例えば、メタン（ＣＨ４）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）および水素（Ｈ２）を含む混合ガスが挙げられるが、これに限定されない。
形成する部材７がＳｉＣ膜である場合、原料ガスとしては、例えば、メタン（ＣＨ４）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）および水素（Ｈ２）を含む混合ガスが挙げられるが、これに限定されない。
【0017】
ガス供給管３の内部空間５における末端は、閉塞端である。
ガス供給管３の閉塞端を含む一部（「Ｓ字部３３」と呼ぶ）は、Ｘ軸方向に延び、かつ、途中でＳ字状に屈曲している。このため、Ｓ字部３３は、Ｚ軸方向に高低差を有する。
ガス供給管３の閉塞端を含む一部（「Ｓ字部３３」と呼ぶ）は、Ｘ軸方向に延び、かつ、途中でＳ字状に屈曲している。このため、Ｓ字部３３は、Ｚ軸方向に高低差を有する。
【0018】
ガス供給管３のＳ字部３３における、基材６の表面６ａと対向する位置には、ガス出口３１およびガス出口３２が設けられている。
ガス出口３１およびガス出口３２は、それぞれ、複数の開口によって構成されており、開口は、Ｘ軸方向に沿って、一列に配列されている。
第１の実施形態において、開口の形状およびサイズは、いずれも同一である。
開口が円形である場合、そのサイズ（直径）は、例えば、１～５０ｍｍであり、５～２５ｍｍが好ましい。
ガス出口３１およびガス出口３２は、それぞれ、複数の開口によって構成されており、開口は、Ｘ軸方向に沿って、一列に配列されている。
第１の実施形態において、開口の形状およびサイズは、いずれも同一である。
開口が円形である場合、そのサイズ（直径）は、例えば、１～５０ｍｍであり、５～２５ｍｍが好ましい。
【0019】
ガス供給管３の内部を流れる原料ガスは、ガス出口３１およびガス出口３２の開口を経て、基材６の表面６ａに対して、Ｚ軸方向に供給される。
【0020】
ガス供給管３のＳ字部３３において、ガス出口３１の開口が形成されている部分は、ガス出口３２の開口が形成されている部分よりも、基材６の表面６ａに近い。
すなわち、ガス出口３１から基材６の表面６ａまでの垂直距離（Ｚ軸方向の距離）である距離Ｄ１は、ガス出口３２から基材６の表面６ａまでの垂直距離（Ｚ軸方向の距離）である距離Ｄ２よりも短い。
距離Ｄ１および距離Ｄ２は、どちらも、例えば、１～１００ｍｍであり、１０～１５０ｍｍが好ましい。
すなわち、ガス出口３１から基材６の表面６ａまでの垂直距離（Ｚ軸方向の距離）である距離Ｄ１は、ガス出口３２から基材６の表面６ａまでの垂直距離（Ｚ軸方向の距離）である距離Ｄ２よりも短い。
距離Ｄ１および距離Ｄ２は、どちらも、例えば、１～１００ｍｍであり、１０～１５０ｍｍが好ましい。
【0021】
ガス供給管３の断面形状は、特に限定されず、例えば、円形、楕円形、正方形、長方形、多角形が挙げられる。
ガス供給管３は、二重管構造を有していてもよい。この場合、１本のガス供給管３によって、基材６の表面６ａに対して、２種類の原料ガスを供給できる。
ガス供給管３は、二重管構造を有していてもよい。この場合、１本のガス供給管３によって、基材６の表面６ａに対して、２種類の原料ガスを供給できる。
【0022】
排気管４は、例えば、真空ポンプ（図示せず）に接続しており、この真空ポンプの駆動によって、ハウジング２の内部空間５に含まれる気体を、外部に排気する。
【0023】
加熱部９（加熱部９ａおよび加熱部９ｂ）としては、特に限定されず、例えば、抵抗型加熱器であるヒータ；誘導加熱方式で基材６を加熱するコイル；基材６を光学的に加熱するレーザ；等が挙げられる。加熱部９は、テーブル８に埋め込まれていてもよい。
第１の実施形態では、加熱部９ａおよび加熱部９ｂは、どちらも加熱出力が同じであり、テーブル８に支持された基材６を、Ｘ軸方向に均一に加熱する。
加熱部９は、内部空間５において、原料ガスが付着することを抑制するため、実際には、カバー部材（図示せず）によって覆われている。
なお、加熱部９は、基材６を適切に加熱できれば、ハウジング２の外部に配置されていてもよい。
第１の実施形態では、加熱部９ａおよび加熱部９ｂは、どちらも加熱出力が同じであり、テーブル８に支持された基材６を、Ｘ軸方向に均一に加熱する。
加熱部９は、内部空間５において、原料ガスが付着することを抑制するため、実際には、カバー部材（図示せず）によって覆われている。
なお、加熱部９は、基材６を適切に加熱できれば、ハウジング２の外部に配置されていてもよい。
【0024】
このような装置１において、部材７を形成する方法を説明する。
まず、基材６を、表面６ａを上向きにして、テーブル８の上に配置する。任意の器具（図示せず）を用いて、基材６をテーブル８に固定してもよい。
次に、ハウジング２を密閉してから、内部空間５の圧力を調整する。例えば、排気管４に接続する真空ポンプを駆動させて、内部空間５を十分に減圧する。調整後における内部空間５の圧力は、例えば、１０～１００ｋＰａの範囲である。
更に、加熱部９を駆動する。これにより、テーブル８の上に配置された基材６が均一に加熱される。
まず、基材６を、表面６ａを上向きにして、テーブル８の上に配置する。任意の器具（図示せず）を用いて、基材６をテーブル８に固定してもよい。
次に、ハウジング２を密閉してから、内部空間５の圧力を調整する。例えば、排気管４に接続する真空ポンプを駆動させて、内部空間５を十分に減圧する。調整後における内部空間５の圧力は、例えば、１０～１００ｋＰａの範囲である。
更に、加熱部９を駆動する。これにより、テーブル８の上に配置された基材６が均一に加熱される。
【0025】
次に、ハウジング２の外部からガス供給管３に原料ガスを導入する。原料ガス（例えば、メタン、四塩化ケイ素および水素を含む混合ガス）は、ガス供給管３の内部を流通して、Ｓ字部３３に至り、ガス出口３１およびガス出口３２を構成する開口から、加熱された基材６の表面６ａに向けて供給される。
これにより、基材６の表面６ａの近傍で熱ＣＶＤ反応が生じ、基材６の表面６ａの上に、部材７（例えば、ＳｉＣ膜）が形成される。
これにより、基材６の表面６ａの近傍で熱ＣＶＤ反応が生じ、基材６の表面６ａの上に、部材７（例えば、ＳｉＣ膜）が形成される。
【0026】
このとき、第１の実施形態においては、ガス出口３１から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ１は、ガス出口３２から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ２よりも短い。
このため、ガス出口３１と対面する領域の方が、ガス出口３２と対面する領域よりも、原料ガスの供給量が多くなり、熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、図１に示すように、段差面を有する部材７が得られる。
このような部材７は、厚さが異なる部分を有する。すなわち、図１に示す部材７においては、図１中左側部分の方が、図１中右側部分よりも厚い。
このため、ガス出口３１と対面する領域の方が、ガス出口３２と対面する領域よりも、原料ガスの供給量が多くなり、熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、図１に示すように、段差面を有する部材７が得られる。
このような部材７は、厚さが異なる部分を有する。すなわち、図１に示す部材７においては、図１中左側部分の方が、図１中右側部分よりも厚い。
【0027】
その後、ハウジング２から、部材７および基材６からなる積層体を取り出す。積層体から基材６を除去し、部材７のみを使用してもよい。
取り出した部材７に対して、切削、研磨などの加工を施すことにより、段差を形成したり、孔を形成したりして、最終製品を得る。
取り出した部材７に対して、切削、研磨などの加工を施すことにより、段差を形成したり、孔を形成したりして、最終製品を得る。
【0028】
このとき、最終製品の形状が、部材７と同様に段差面を有する形状（例えば、部材７の相似形であり、かつ、部材７よりも小さい形状）である場合、部材７は、最終製品に近い形状を有するニアネットシェイプ部材であると言える。
この場合、例えば平板状の部材から最終製品を得るよりも、ニアネットシェイプ部材である部材７から最終製品を得る方が、加工量が減少する。このため、コスト面も優れる。
この場合、例えば平板状の部材から最終製品を得るよりも、ニアネットシェイプ部材である部材７から最終製品を得る方が、加工量が減少する。このため、コスト面も優れる。
【0029】
更に、ニアネットシェイプ部材を得る場合は、平板状の部材を得るよりも、加工により除去される部分を形成するために要する時間、電力費、原料費などが低減するため、この点からも、コスト面に優れる。
【0030】
なお、部材７がＳｉＣ膜である場合、ＳｉＣ膜は非常に硬いため加工に多くの時間を要することから、ニアネットシェイプ部材である部材７を得ることは、特に有用である。
また、大型の最終製品（具体的には、例えば、直径３００ｍｍ、厚さ３ｍｍを超える大型のフォーカスリング）を得る場合にも、ニアネットシェイプ部材である部材７を用いることは、非常に有用である。
また、大型の最終製品（具体的には、例えば、直径３００ｍｍ、厚さ３ｍｍを超える大型のフォーカスリング）を得る場合にも、ニアネットシェイプ部材である部材７を用いることは、非常に有用である。
【0031】
〈第２の実施形態〉
図２に基づいて、第２の実施形態を説明する。第２の実施形態は、少なくとも、上述した条件１を満たす実施形態である。
図２は、第２の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１に基づいて説明した第１の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
基材６に原料ガスを供給するガス供給管３の本数は、１本に限定されない。第２の実施形態では、２本のガス供給管３（すなわち、ガス供給管３ａおよびガス供給管３ｂ）のそれぞれに、ガス出口３１およびガス出口３２が設けられている。ガス供給管３ａとガス供給管３ｂとで、内部を流れる原料ガスの流量は、同じである。
第２の実施形態においても、ガス出口３１から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ１は、ガス出口３２から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ２よりも短い。
このため、ガス出口３１と対面する領域の方が、ガス出口３２と対面する領域よりも、原料ガスの供給量が多くなり、熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、ニアネットシェイプ部材である部材７が容易に得られる。
図２に基づいて、第２の実施形態を説明する。第２の実施形態は、少なくとも、上述した条件１を満たす実施形態である。
図２は、第２の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１に基づいて説明した第１の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
基材６に原料ガスを供給するガス供給管３の本数は、１本に限定されない。第２の実施形態では、２本のガス供給管３（すなわち、ガス供給管３ａおよびガス供給管３ｂ）のそれぞれに、ガス出口３１およびガス出口３２が設けられている。ガス供給管３ａとガス供給管３ｂとで、内部を流れる原料ガスの流量は、同じである。
第２の実施形態においても、ガス出口３１から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ１は、ガス出口３２から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ２よりも短い。
このため、ガス出口３１と対面する領域の方が、ガス出口３２と対面する領域よりも、原料ガスの供給量が多くなり、熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、ニアネットシェイプ部材である部材７が容易に得られる。
【0032】
〈第３の実施形態〉
図３に基づいて、第３の実施形態を説明する。第３の実施形態は、少なくとも、上述した条件２を満たす実施形態である。
図３は、第３の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１～図２に基づいて説明した第１～第２の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
第３の実施形態では、ガス出口３１から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ１と、ガス出口３２から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ２とは、同じである。
もっとも、第３の実施形態では、ガス供給管３ａの内部を流れる原料ガスの流量（ガス出口３１までの流量）が、ガス供給管３ｂの内部を流れる原料ガスの流量（ガス出口３２までの流量）よりも多い。
このため、ガス出口３１と対面する領域の方が、ガス出口３２と対面する領域よりも、原料ガスの供給量が多くなり、熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、ニアネットシェイプ部材である部材７が容易に得られる。
図３に基づいて、第３の実施形態を説明する。第３の実施形態は、少なくとも、上述した条件２を満たす実施形態である。
図３は、第３の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１～図２に基づいて説明した第１～第２の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
第３の実施形態では、ガス出口３１から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ１と、ガス出口３２から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ２とは、同じである。
もっとも、第３の実施形態では、ガス供給管３ａの内部を流れる原料ガスの流量（ガス出口３１までの流量）が、ガス供給管３ｂの内部を流れる原料ガスの流量（ガス出口３２までの流量）よりも多い。
このため、ガス出口３１と対面する領域の方が、ガス出口３２と対面する領域よりも、原料ガスの供給量が多くなり、熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、ニアネットシェイプ部材である部材７が容易に得られる。
【0033】
なお、ガス出口３１およびガス出口３２から出る黒矢印は、原料ガスおよびその流量を図示したものであり、図３では、視覚的に分かりやすくするために、ガス出口３１から出る黒矢印を、ガス出口３２から出る黒矢印よりも大きく描いている。
【0034】
〈第４の実施形態〉
図４に基づいて、第４の実施形態を説明する。第４の実施形態は、少なくとも、上述した条件２を満たす実施形態である。
図４は、第４の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１～図３に基づいて説明した第１～第３の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
第４の実施形態では、距離Ｄ１と距離Ｄ２とが同じである。更に、第４の実施形態では、ガス供給管３ａとガス供給管３ｂとで、内部を流れる原料ガスの流量も同じである。
もっとも、第４の実施形態では、ガス出口３１を構成する開口のサイズが、ガス出口３２を構成する開口のサイズよりも大きい。
このため、ガス出口３１と対面する領域の方が、ガス出口３２と対面する領域よりも、原料ガスの供給量が多くなり、熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、ニアネットシェイプ部材である部材７が容易に得られる。
図４に基づいて、第４の実施形態を説明する。第４の実施形態は、少なくとも、上述した条件２を満たす実施形態である。
図４は、第４の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１～図３に基づいて説明した第１～第３の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
第４の実施形態では、距離Ｄ１と距離Ｄ２とが同じである。更に、第４の実施形態では、ガス供給管３ａとガス供給管３ｂとで、内部を流れる原料ガスの流量も同じである。
もっとも、第４の実施形態では、ガス出口３１を構成する開口のサイズが、ガス出口３２を構成する開口のサイズよりも大きい。
このため、ガス出口３１と対面する領域の方が、ガス出口３２と対面する領域よりも、原料ガスの供給量が多くなり、熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、ニアネットシェイプ部材である部材７が容易に得られる。
【0035】
なお、図４では、便宜的に、ガス出口３１およびガス出口３２を構成する開口の個数を、それぞれ、１個ずつにしているが、ガス出口３１およびガス出口３２は、それぞれ、同じ個数の複数の開口によって構成されていてもよい。
【0036】
〈第５の実施形態〉
図５に基づいて、第５の実施形態を説明する。第５の実施形態は、少なくとも、上述した条件３を満たす実施形態である。
図５は、第５の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１～図４に基づいて説明した第１～第４の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
第５の実施形態では、第１の実施形態（図１）と同様に、ガス供給管３の本数は１本である。もっとも、ガス供給管３には、Ｓ字部３３は無い。Ｓ字部３３に相当する部分は、Ｘ軸方向に沿って直線状であり、この部分に、基材６の表面６ａまでの垂直距離が同じ複数の開口からなるガス出口３１が設けられている。ガス出口３１を構成する開口から出る原料ガスの流量は、いずれも同じである。
図５に基づいて、第５の実施形態を説明する。第５の実施形態は、少なくとも、上述した条件３を満たす実施形態である。
図５は、第５の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１～図４に基づいて説明した第１～第４の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
第５の実施形態では、第１の実施形態（図１）と同様に、ガス供給管３の本数は１本である。もっとも、ガス供給管３には、Ｓ字部３３は無い。Ｓ字部３３に相当する部分は、Ｘ軸方向に沿って直線状であり、この部分に、基材６の表面６ａまでの垂直距離が同じ複数の開口からなるガス出口３１が設けられている。ガス出口３１を構成する開口から出る原料ガスの流量は、いずれも同じである。
【0037】
第５の実施形態においては、加熱部９ａの加熱出力が、加熱部９ｂの加熱出力よりも大きい。このため、加熱された基材６は、Ｘ軸方向（表面６ａに沿った方向）に、異なる温度を有する。具体的には、基材６の温度は、加熱部９ａが配置されている図５中左側の方が、加熱部９ｂが配置されている、図５中右側よりも高い。
図５中左側の方が図５中右側よりも熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、ニアネットシェイプ部材である部材７が容易に得られる。
図５中左側の方が図５中右側よりも熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、ニアネットシェイプ部材である部材７が容易に得られる。
【0038】
なお、加熱部９の周囲に記載された放射状の線は、加熱部９の加熱出力およびその大きさを図示したものであり、図５では、視覚的に分かりやすくするために、加熱部９ａの周囲にある放射状の線を、加熱部９ｂの周囲にある放射状の線よりも大きく描いている。
【0039】
〈第６の実施形態〉
図６に基づいて、第６の実施形態を説明する。第６の実施形態は、少なくとも、上述した条件２を満たす実施形態である。
図６は、第６の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１～図５に基づいて説明した第１～第５の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
第６の実施形態では、第５の実施形態（図５）と同様に、ガス供給管３の本数は１本であり、基材６の表面６ａまでの垂直距離が同じ複数の開口からなるガス出口３１が設けられている。
もっとも、ガス供給管３の末端（図６中右側）に近づくに従い、ガス出口３１を構成する複数の開口のサイズ（直径）が徐々に小さくなっており、同様に、開口から出る原料ガスの流量も徐々に小さくなっている。ただし、図６においては、便宜的に、開口のサイズをいずれも同一にして描いている。
なお、加熱部９ａと加熱部９ｂとで、加熱出力は同じである。
この場合、ガス供給管３の末端（図６中右側）に近づくに従い、熱ＣＶＤ反応が少なくなり、形成される部材７の厚さが徐々に減る。こうして、図６中左側から右側に向けて下がる傾斜面を有する部材７が得られる。
このような傾斜面を有する部材７も、厚さが異なる部分を有する。すなわち、図６中左側部分の方が、図６中右側部分よりも厚さが大きい。
図６に基づいて、第６の実施形態を説明する。第６の実施形態は、少なくとも、上述した条件２を満たす実施形態である。
図６は、第６の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１～図５に基づいて説明した第１～第５の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
第６の実施形態では、第５の実施形態（図５）と同様に、ガス供給管３の本数は１本であり、基材６の表面６ａまでの垂直距離が同じ複数の開口からなるガス出口３１が設けられている。
もっとも、ガス供給管３の末端（図６中右側）に近づくに従い、ガス出口３１を構成する複数の開口のサイズ（直径）が徐々に小さくなっており、同様に、開口から出る原料ガスの流量も徐々に小さくなっている。ただし、図６においては、便宜的に、開口のサイズをいずれも同一にして描いている。
なお、加熱部９ａと加熱部９ｂとで、加熱出力は同じである。
この場合、ガス供給管３の末端（図６中右側）に近づくに従い、熱ＣＶＤ反応が少なくなり、形成される部材７の厚さが徐々に減る。こうして、図６中左側から右側に向けて下がる傾斜面を有する部材７が得られる。
このような傾斜面を有する部材７も、厚さが異なる部分を有する。すなわち、図６中左側部分の方が、図６中右側部分よりも厚さが大きい。
【0040】
〈第７の実施形態〉
図７に基づいて、第７の実施形態を説明する。第７の実施形態は、少なくとも、上述した条件１を満たす実施形態である。
図７は、第７の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１～図６に基づいて説明した第１～第６の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
第７の実施形態は、基材６の形状以外は、第１の実施形態と同じである。
すなわち、第１～第６の実施形態では、平板状の基材６を示したが、これに限定されず、基材６は、図７に示すように、段差を有していてもよい。この場合、基材６の表面６ａが段差面となっている。
第７の実施形態においても、ガス出口３１から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ１は、ガス出口３２から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ２よりも短い。
このため、ガス出口３１と対面する領域の方が、ガス出口３２と対面する領域よりも、原料ガスの供給量が多くなり、熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、ニアネットシェイプ部材である部材７が容易に得られる。
図７に基づいて、第７の実施形態を説明する。第７の実施形態は、少なくとも、上述した条件１を満たす実施形態である。
図７は、第７の実施形態の装置１を模式的に示す断面図である。図１～図６に基づいて説明した第１～第６の実施形態と同一の部分は同一の符号で示し、説明も省略する。
第７の実施形態は、基材６の形状以外は、第１の実施形態と同じである。
すなわち、第１～第６の実施形態では、平板状の基材６を示したが、これに限定されず、基材６は、図７に示すように、段差を有していてもよい。この場合、基材６の表面６ａが段差面となっている。
第７の実施形態においても、ガス出口３１から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ１は、ガス出口３２から基材６の表面６ａまでの距離Ｄ２よりも短い。
このため、ガス出口３１と対面する領域の方が、ガス出口３２と対面する領域よりも、原料ガスの供給量が多くなり、熱ＣＶＤ反応が多く生じ、形成される部材７の厚さが増す。こうして、ニアネットシェイプ部材である部材７が容易に得られる。
【0041】
〈その他の実施形態〉
上述した実施形態では、基材６の表面６ａの側に部材７を形成したが、基材６の裏面６ｂの側に部材７を形成してもよい。
この場合、ハウジング２の内部空間５において、基材６の裏面６ｂを露出させる。そのために、例えば、テーブル８に代えて、基材６の一部（例えば端部）のみを保持する器具（図示せず）を設けてもよい。
そのうえで、基材６の裏面６ｂと対向する位置にも、例えば、ガス出口３１およびガス出口３２を配置する。これにより、基材６の裏面６ｂに対しても原料ガスが供給されて、この裏面６ｂに接する部材７が形成される。
上述した実施形態では、基材６の表面６ａの側に部材７を形成したが、基材６の裏面６ｂの側に部材７を形成してもよい。
この場合、ハウジング２の内部空間５において、基材６の裏面６ｂを露出させる。そのために、例えば、テーブル８に代えて、基材６の一部（例えば端部）のみを保持する器具（図示せず）を設けてもよい。
そのうえで、基材６の裏面６ｂと対向する位置にも、例えば、ガス出口３１およびガス出口３２を配置する。これにより、基材６の裏面６ｂに対しても原料ガスが供給されて、この裏面６ｂに接する部材７が形成される。
【0042】
更に、上述した実施形態では、一枚の基材６に対してのみ部材７を形成したが、複数の基材６に対して、それぞれ、部材７を形成してもよい。
この場合、例えば、基材６の個数に応じて、ガス供給管３の本数を増やす。これにより、複数の基材６の表面６ａおよび／または裏面６ｂに対しても原料ガスが供給されて、それぞれに、部材７が形成される。
この場合、例えば、基材６の個数に応じて、ガス供給管３の本数を増やす。これにより、複数の基材６の表面６ａおよび／または裏面６ｂに対しても原料ガスが供給されて、それぞれに、部材７が形成される。
【0043】
更に、上述した実施形態では、ガス出口が１つ（ガス出口３１）である場合または２つ（ガス出口３１およびガス出口３２）である場合を示したが、ガス出口の個数は、所望する部材７の形状に応じて、適宜設定され、３つ以上であってもよい。
例えば、ガス出口の個数が３つある場合、そのうち２つのガス出口について、基材６の表面６ａまでの垂直距離は同じであったり、出る原料ガスの流量が同じであったりしてもよい。
例えば、ガス出口の個数が３つある場合、そのうち２つのガス出口について、基材６の表面６ａまでの垂直距離は同じであったり、出る原料ガスの流量が同じであったりしてもよい。
【0044】
〈基材〉
基材６の形状は、上述した実施形態（図１～図７）で示した形状に限定されず、例えば、形成される部材７の形状、用途などに、応じて適宜変更される。
例えば、基材６を表面６ａ（または裏面６ｂ）の側から見たときの形状としては、矩形、円形、楕円形、ドーナッツ形などが挙げられるが、これらに限定されない。
基材６の形状は、上述した実施形態（図１～図７）で示した形状に限定されず、例えば、形成される部材７の形状、用途などに、応じて適宜変更される。
例えば、基材６を表面６ａ（または裏面６ｂ）の側から見たときの形状としては、矩形、円形、楕円形、ドーナッツ形などが挙げられるが、これらに限定されない。
【0045】
基材６の素材は、特に限定されないが、耐熱性を有する素材が好ましい。
具体的には、基材６は、炭素、金属、金属炭化物、金属酸化物および金属窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。
ここで、「金属」としては、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）およびマグネシウム（Ｍｇ）からなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
具体的には、基材６は、炭素、金属、金属炭化物、金属酸化物および金属窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。
ここで、「金属」としては、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）およびマグネシウム（Ｍｇ）からなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【0046】
〈部材（ニアネットシェイプ部材）〉
得られる部材７は、厚さが異なる部分を有する部材であればよく、その形状は、その用途に応じて、適宜変更される。
なお、部材７において、部分の厚さの差は、例えば、０．１～３０ｍｍであり、１～２０ｍｍが好ましい。
得られる部材７は、厚さが異なる部分を有する部材であればよく、その形状は、その用途に応じて、適宜変更される。
なお、部材７において、部分の厚さの差は、例えば、０．１～３０ｍｍであり、１～２０ｍｍが好ましい。
【0047】
得られる部材７は、ニアネットシェイプ部材であり、わずかな加工によって、半導体製造の際に使用される半導体製造装置用部材となる部材であることが好ましい。
ここで、半導体製造装置用部材としては、例えば、成膜装置用部材、エッチング装置用部材、フォーカスリング、エッジリング、サセプタ、電極または排気口が好適に挙げられる。
ここで、半導体製造装置用部材としては、例えば、成膜装置用部材、エッチング装置用部材、フォーカスリング、エッジリング、サセプタ、電極または排気口が好適に挙げられる。
【0048】
部材７は、ＳｉＣ膜に限定されない。
部材７は、金属炭化物、金属酸化物、金属窒化物、ホウ素炭化物、ホウ素酸化物およびホウ素窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。
ここで、金属としては、例えば、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
部材７は、金属炭化物、金属酸化物、金属窒化物、ホウ素炭化物、ホウ素酸化物およびホウ素窒化物からなる群から選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましい。
ここで、金属としては、例えば、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【0049】
上述した実施形態において、得られた部材（ＳｉＣ膜など）は、厚さが異なる部分ごとに構造（結晶子サイズ、結晶方位など）が異なる場合がある。
そこで、本発明者らは、これを実証する試験を行なった。
そこで、本発明者らは、これを実証する試験を行なった。
【0050】
具体的には、炭素製の基材の表面に対して、メタン（ＣＨ４）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）および水素（Ｈ２）を含む混合ガス（構成元素のモル比Ｃ／Ｓｉ＝１４、Ｈ／Ｓｉ＝１）を供給して、熱ＣＶＤ反応を生じさせて、ＳｉＣ膜を形成した。
このとき、上述した条件２を満たすために、基材の表面と対向する位置に、３つのガス出口（ガス出口Ａ～Ｃ）を配置し、各ガス出口から出る原料ガスの流量（単位：ｓｃｃｍ）を、下記表１に示すように異ならせた。
なお、各ガス出口について、開口のサイズは同一とし、基材の表面までの垂直距離も同一とした。更に、熱ＣＶＤ反応に際して、基材を均一に加熱した。
このとき、上述した条件２を満たすために、基材の表面と対向する位置に、３つのガス出口（ガス出口Ａ～Ｃ）を配置し、各ガス出口から出る原料ガスの流量（単位：ｓｃｃｍ）を、下記表１に示すように異ならせた。
なお、各ガス出口について、開口のサイズは同一とし、基材の表面までの垂直距離も同一とした。更に、熱ＣＶＤ反応に際して、基材を均一に加熱した。
【0051】
このようにして得られたＳｉＣ膜は、各ガス出口と対向する位置ごとに、異なる厚さを有していた。具体的には、原料ガスの流量が多くなるに従い、ガス出口Ａ、ＢおよびＣの順に、厚さが増えていた。
得られたＳｉＣ膜の表面について、各ガス出口と対向する位置ごとに、Ｘ線回折データを得て、結晶子サイズ（単位：ｎｍ）を求めた。結果を下記表１に示す。
得られたＳｉＣ膜の表面について、各ガス出口と対向する位置ごとに、Ｘ線回折データを得て、結晶子サイズ（単位：ｎｍ）を求めた。結果を下記表１に示す。
【0052】
【表1】
【0053】
上記表１に示すように、得られたＳｉＣ膜の表面においては、各ガス出口と対向する位置ごとに、結晶子サイズが異なっていた。
したがって、得られたＳｉＣ膜については、厚さが異なる部分ごとに構造（この場合、結晶子サイズ）が異なることが実証された。
したがって、得られたＳｉＣ膜については、厚さが異なる部分ごとに構造（この場合、結晶子サイズ）が異なることが実証された。
【符号の説明】
【0054】
１：装置
２：ハウジング
３、３ａ、３ｂ：ガス供給管
３１：ガス出口
３２：ガス出口
３３：Ｓ字部
４：排気管
５：内部空間
６：基材
６ａ：基材の表面
６ｂ：基材の裏面
７：部材
８：テーブル
８ａ：支柱
９、９ａ、９ｂ：加熱部
Ｄ１、Ｄ２：ガス出口から基材の表面までの垂直距離
２：ハウジング
３、３ａ、３ｂ：ガス供給管
３１：ガス出口
３２：ガス出口
３３：Ｓ字部
４：排気管
５：内部空間
６：基材
６ａ：基材の表面
６ｂ：基材の裏面
７：部材
８：テーブル
８ａ：支柱
９、９ａ、９ｂ：加熱部
Ｄ１、Ｄ２：ガス出口から基材の表面までの垂直距離
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
