特開 2024-164428 保護膜の剥離方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024164428

(43)【公開日】2024-11-27

(54)【発明の名称】保護膜の剥離方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/683 20060101AFI20241120BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20241120BHJP

   B23D 5/02 20060101ALI20241120BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 N

H01L21/304 622J

B23D5/02

【審査請求】未請求

【請求項の数】3

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023079892

(22)【出願日】2023-05-15

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】小池 和裕

【テーマコード（参考）】

3C050

5F057

5F131

【Ｆターム（参考）】

3C050AA00

3C050AB01

3C050AD00

5F057AA41

5F057BA11

5F057BB03

5F057BB07

5F057BB09

5F057BB12

5F057BB40

5F057BC03

5F057BC06

5F057BC10

5F057CA14

5F057DA14

5F057DA38

5F057FA13

5F057FA30

5F057FA32

5F057FA34

5F057FA37

5F057GA27

5F131AA02

5F131BA31

5F131CA41

5F131EB01

5F131EC32

5F131EC72

(57)【要約】

【課題】保護膜の除去にかかるコストを抑制することができる保護膜の剥離方法を提供すること。
【解決手段】保護膜の剥離方法は、ウェーハを保持する保持面を有する保持テーブルと、保持面に平行な下面で剥離ブロックを支持する支持基台とを備える旋削装置を用いて、ウェーハから保護膜を剥離する方法であって、保持面でウェーハの裏面を保持する保持ステップ１００１と、保持ステップ１００１の後に、保護膜の表面から所定量だけ低い高さに剥離ブロックを位置付ける位置付けステップ１００２と、位置付けステップ１００２の後に、支持基台及び保持テーブルを平面方向に相対的に移動させると共に、支持基台または保持テーブルのいずれかを回転させてウェーハから保護膜を剥ぎ取る剥離ステップ１００３と、を備え、剥離ブロックの下面は保護膜の表面に対して平行である。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウェーハを保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持面に平行な支持面で剥離ブロックを支持する支持基台とを備える旋削装置を用いて、表面に保護膜を有するウェーハから該保護膜を剥離する保護膜の剥離方法であって、
該保持面で該ウェーハの裏面を保持する保持ステップと、
該保持ステップの後に、該保護膜の表面から所定量だけ低い高さに該剥離ブロックを位置付ける位置付けステップと、
該位置付けステップの後に、該支持基台及び該保持テーブルを平面方向に相対的に移動させると共に、該支持基台または該保持テーブルのいずれかを回転させて該ウェーハから該保護膜を剥ぎ取る剥離ステップと、
を備え、
該剥離ブロックの底端部は該保護膜の表面に対して平行であることを特徴とする保護膜の剥離方法。

【請求項2】

該剥離ステップは該支持基台のみを回転させることを特徴とする請求項１に記載の保護膜の剥離方法。

【請求項3】

該剥離ステップは該保持テーブルのみを回転させることを特徴とする請求項１に記載の保護膜の剥離方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、保護膜の剥離方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体ウェーハの表面には回路パターン形成の為のフォトレジスト膜が被覆されているが、ウェーハを再利用する際にはこのフォトレジストを除去する必要がある。フォトレジストの除去方法としてはアセトンのような有機溶剤を用いることが一般的だが、有機溶剤によって溶けたレジストがウェーハに回り込むとウェーハの再利用ができなくなる為、人の手を介しての除去作業が必要となっていた。

【0003】

また、ウェーハ等の被加工物の表面を平坦にするために、旋削装置（例えば、特許文献１参照）が用いられてきた。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０１３－１５８８４２号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

つまり、従来のフォトレジスト膜などの保護膜を除去する除去方法では、人の手を介する手間や有機溶剤を都度使用する為のコストが掛かるという課題があった。

【0006】

本発明の目的は、保護膜の除去にかかるコストを抑制することができる保護膜の剥離方法を提供することである。

【課題を解決するための手段】

【0007】

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の保護膜の剥離方法は、ウェーハを保持する保持面を有する保持テーブルと、該保持面に平行な支持面で剥離ブロックを支持する支持基台とを備える旋削装置を用いて、表面に保護膜を有するウェーハから該保護膜を剥離する保護膜の剥離方法であって、該保持面で該ウェーハの裏面を保持する保持ステップと、該保持ステップの後に、該保護膜の表面から所定量だけ低い高さに該剥離ブロックを位置付ける位置付けステップと、該位置付けステップの後に、該支持基台及び該保持テーブルを平面方向に相対的に移動させると共に、該支持基台または該保持テーブルのいずれかを回転させて該ウェーハから該保護膜を剥ぎ取る剥離ステップと、を備え、該剥離ブロックの底端部は該保護膜の表面に対して平行であることを特徴とする。

【0008】

前記保護膜の剥離方法において、該剥離ステップは該支持基台のみを回転させても良い。

【0009】

前記保護膜の剥離方法において、該剥離ステップは該保持テーブルのみを回転させても良い。

【発明の効果】

【0010】

本発明は、保護膜の除去にかかるコストを抑制することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【0011】

【図1】図１は、実施形態１に係る保護膜の剥離方法により保護膜が剥離されるウェーハの構成例を模式的に示す斜視図である。

【図2】図２は、実施形態１に係る保護膜の剥離方法に用いられる旋削装置の構成例を示す斜視図である。

【図3】図３は、図２に示された旋削装置の剥離ブロックなどを示す斜視図である。

【図4】図４は、図３に示された剥離ブロックの比較例であるバイト工具を示す斜視図である。

【図5】図５は、実施形態１に係る保護膜の剥離方法の流れを示すフローチャートである。

【図6】図６は、図５に示された保護膜の剥離方法の剥離ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。

【図7】図７は、実施形態１の変形例に係る保護膜の剥離方法の剥離ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。

【発明を実施するための形態】

【0012】

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

【0013】

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る保護膜の剥離方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る保護膜の剥離方法により保護膜が剥離されるウェーハの構成例を模式的に示す斜視図である。図２は、実施形態１に係る保護膜の剥離方法に用いられる旋削装置の構成例を示す斜視図である。図３は、図２に示された旋削装置の剥離ブロックなどを示す斜視図である。図４は、図３に示された剥離ブロックの比較例であるバイト工具を示す斜視図である。図５は、実施形態１に係る保護膜の剥離方法の流れを示すフローチャートである。

【0014】

（ウェーハ）
実施形態１に係る保護膜の剥離方法は、図１に示す表面２に保護膜１０を有するウェーハ１から保護膜１０を剥離する方法である。実施形態１に係る保護膜の剥離方法により保護膜１０が剥離されるウェーハ１は、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）または炭化ケイ素（ＳｉＣ）、又はサファイヤ等を基板とする円板状の半導体ウェーハ、光デバイスウェーハ等である。

【0015】

ウェーハ１は、表面２の複数の分割予定ライン３によって区画された領域にそれぞれデバイス４が形成されている。デバイス４は、例えば、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の集積回路、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）、又はＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）等のイメージセンサ、ＬＥＤ（Light-Emitting Diode）等の光学素子、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）又は半導体メモリ（半導体記憶装置）である。

【0016】

ウェーハ１は、表面２が保護膜１０により被覆されている。実施形態１では、保護膜１０は、集積回路の製造におけるフォトリソグラフィで用いられるフォトレジストと呼ばれる感光性有機物質により構成されている。実施形態１では、保護膜１０の厚みは、１０μｍである。また、本発明では、保護膜１０は、フォトレジストと呼ばれる感光性有機物質に限定されることなく、例えば、絶縁性、可撓性及び粘着性を有する樹脂により構成された糊層と、糊層に積層されかつ絶縁性、可撓性及び非粘着性を有する樹脂により構成された基材層とを備えた粘着テープでも良く、熱可塑性樹脂により構成され糊層を有することなく熱圧着される所謂糊なしテープでも良い。

【0017】

実施形態１において、ウェーハ１は、バイト切削装置の切削精度を確認するために、保護膜１０に旋削切削加工が施されるものである。このために、本発明では、ウェーハ１は、表面２にデバイス４が形成されていなくても良い。なお、バイト切削装置の切削精度とは、バイト工具の保護膜１０の表面１１からの切り込み深さなどの精度である。

【0018】

（旋削装置）
実施形態１に係る保護膜の剥離方法は、図２に示す旋削装置１００を用いて実施される。図２に示す旋削装置１００は、ウェーハ１の表面２上の保護膜１０を旋削加工（以下、旋回切削加工という）して、保護膜１０をウェーハ１の表面２から剥離する加工装置である。旋削装置１００は、図２に示すように、装置基台１０１と、保持テーブル１１０と、旋削ユニット１２０と、加工送りユニット１３０と、切り込み送りユニット１４０と、制御ユニット１６０とを備える。

【0019】

保持テーブル１１０は、ウェーハ１の表面２の裏側の裏面５側を保持面１１１で保持して、ウェーハ１の表面２側の保護膜１０を露出させた状態でウェーハ１を保持するものである。即ち、保持テーブル１１０は、ウェーハ１を保持する保持面１１１を有する。保持テーブル１１０は、ステンレス鋼等の金属材により構成され、かつ外周に立設壁１１３を有した円板状の基台１１２と、基台１１２の底面から立設しかつ立設壁１１３で囲繞された複数の円柱状の支持ピン１１４とを有している。

【0020】

立設壁１１３は、円環状に形成され、基台１１２の外縁から立設している。複数の支持ピン１１４は、等間隔に配置されている。このように構成された保持テーブル１１０の環状の立設壁１１３および複数の支持ピン１１４は、母材がステンレス鋼に構成され、上面にニッケルにより構成されたメッキ層が形成されている。立設壁１１３の上面及び支持ピン１１４の上面は、ウェーハ１を保持する水平方向と平行な保持面１１１を構成する。即ち、保持テーブル１１０は、複数の支持ピン１１４の上端によってウェーハ１を保持する保持面１１１が形成された所謂ピンチャックテーブルである。

【0021】

保持テーブル１１０は、基台１１２の底面に開口した開口を通して図示しない吸引源に接続している。保持テーブル１１０は、吸引源により吸引されることにより、保持面１１１上に載置されたウェーハ１を吸引保持する。保持テーブル１１０は、図示しない回転ユニットによりＺ軸方向と平行な軸心回りに回転自在に支持されている。なお、Ｚ軸方向は、鉛直方向と平行であり保持面１１１と直交する方向である。

【0022】

旋削ユニット１２０は、保持テーブル１１０で保持したウェーハ１の保護膜１０を、スピンドル１２３の下端に装着された旋削ホイール１２２の剥離ブロック１２１で旋回切削加工する加工ユニットである。旋削ユニット１２０は、切り込み送りユニット１４０を介して装置基台１０１に立設した立設壁１０２に支持されている。旋削ユニット１２０は、スピンドル１２３と、スピンドル１２３を軸心回りに回転させるモータ１２４と、スピンドル１２３の下端に装着された旋削ホイール１２２とを有する。スピンドル１２３の軸心は、Ｚ軸方向に沿って配置されている。スピンドル１２３は、モータ１２４により軸心回りに回転されることで、旋削ホイール１２２をＺ軸方向と平行な軸心回りに回転する。

【0023】

旋削ホイール１２２は、図２に示すように、円環状に形成されかつスピンドル１２３の下端の円板状のフランジ１２６に装着される支持基台１２５と、支持基台１２５の保持面１１１に平行な支持面である下面１２７に柱状のシャンク１２８（図３に示す）を介して装着される剥離ブロック１２１（図３に示す）とを備えている。即ち、支持基台１２５は、下面１２７でシャンク１２８を介して剥離ブロック１２１を支持する。

【0024】

シャンク１２８は、図３に示すように、金属からなり柱状に形成されて、支持基台１２５の下面１２７の外縁部に取り付けられて、Ｚ軸方向と平行に延在している。剥離ブロック１２１は、図３に示すように、金属からなり柱状に形成されて、シャンク１２８の下端部に取り付けられている。剥離ブロック１２１は、単結晶ダイヤモンドにより構成されて保護膜１０に切り込んで、保護膜１０を旋回切削加工する切り刃を有する。

【0025】

また、剥離ブロック１２１は、下面１２９（底端部に相当）がシャンク１２８の下端よりも下方に位置しているとともに、水平方向に沿って平坦に形成されている。なお、下面１２９が水平方向に沿っているとは、下面１２９の水平方向とのなす角度が、±５度以下であることをいう。実施形態１において、剥離ブロック１２１は、図４に示す比較例のバイト工具１２１－１と、下面１２９－１の傾き以外、同じ構成である。

【0026】

なお、図４に示すバイト工具１２１－１は、ウェーハ１の表面２の保護膜１０を旋回切削加工して、保護膜１０の表面１１を平坦に形成する工具である。下面１２９－１は、支持基台１２５の径方向の中心に向かうにしたがって徐々に上方に位置するように水平方向に対して傾斜している。なお、バイト工具１２１－１の下面１２９－１の水平方向とのなす角度１２１－２は、１０度以上３０度以下であり、にげ角という。なお、図４において、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0027】

前述したように、剥離ブロック１２１は、下面１２９が水平方向に沿っていることで、下面１２９が加工対象のウェーハ１の表面２の保護膜１０の表面１１に対して平行である。

【0028】

加工送りユニット１３０は、装置基台１０１上に設置され、保持テーブル１１０を旋削ユニット１２０に対して保持面１１１と平行な加工送り方向であるＸ軸方向に相対移動させるものである。加工送りユニット１３０は、保持テーブル１１０を支持した支持基台をＸ軸方向に移動させることで、保持テーブル１１０を旋削ユニット１２０から離間して保持テーブル１１０にウェーハ１が搬入出される搬入出位置と旋削ユニット１２０の下方に位置して旋削ユニット１２０により旋回切削加工される加工位置とに亘って移動させる。加工送りユニット１３０は、搬入出位置と加工位置とに保持テーブル１１０を移動させる移動ユニットである。

【0029】

切り込み送りユニット１４０は、装置基台１０１に立設する立設壁１０２に取り付けられ、旋削ユニット１２０を保持面１１１と直交する切り込み送り方向であるＺ軸方向に移動させるものである。切り込み送りユニット１４０は、旋削ユニット１２０を下降させて剥離ブロック１２１を加工位置の保持テーブル１１０に保持されたウェーハ１に近付け、旋削ユニット１２０を上昇させて剥離ブロック１２１を加工位置の保持テーブル１１０に保持されたウェーハ１から遠ざける。

【0030】

加工送りユニット１３０及び切り込み送りユニット１４０は、軸心回りに回転自在に設けられた周知のボールねじ、ボールねじを軸心回りに回転させる周知のパルスモータ及び保持テーブル１１０又は旋削ユニット１２０をＹ軸方向又はＺ軸方向に移動自在に支持する周知のガイドレールを備える。

【0031】

また、旋削装置１００は、装置基台１０１に設けられたカセット載置台１０３上にカセット１０４が設置される。また、旋削装置１００は、ウェーハ１を搬送する搬送手段である搬送ユニット１５０と、旋回切削加工後のウェーハ１を洗浄する洗浄ユニット１０５と、位置合わせユニット１０６とを備える。

【0032】

カセット１０４は、ウェーハ１を複数枚収容する収容器であり、装置基台１０１の搬入出位置側の端部に設けられたカセット載置台１０３上に設置される。カセット１０４は、旋回切削前後のウェーハ１を収容する。実施形態１では、カセット１０４は、ウェーハ１が下方に位置し保護膜１０が上方に位置した状態で、ウェーハ１を複数枚収容する。カセット載置台１０３は、カセット１０４をＺ軸方向に昇降する。位置合わせユニット１０６は、カセット１０４から取り出された旋回切削加工前のウェーハ１が仮置きされて、その中心位置合わせを行うためのテーブルである。

【0033】

搬送ユニット１５０は、搬入出ユニット１５１と、搬入ユニット１５２と、搬出ユニット１５３とを備える。搬入出ユニット１５１は、例えばＵ字型ハンドを備えるロボットピックであり、Ｕ字型ハンドによってウェーハ１を吸着保持して搬送する。具体的には、搬入出ユニット１５１は、旋回切削加工前のウェーハ１をカセット１０４から位置合わせユニット１０６へ搬出するとともに、旋回切削加工後のウェーハ１を洗浄ユニット１０５からカセット１０４へ搬入する。

【0034】

搬入ユニット１５２は、位置合わせユニット１０６で位置合わせされた旋回切削加工前のウェーハ１を搬入出位置に位置する保持テーブル１１０上に搬入する。搬出ユニット１５３は、搬入出位置に位置する保持テーブル１１０上に保持された旋回切削加工後のウェーハ１を保持テーブル１１０から搬出して洗浄ユニット１０５に搬入する。

【0035】

制御ユニット１６０は、旋削装置１００を構成する上述した各構成要素をそれぞれ制御するものである。即ち、制御ユニット１６０は、ウェーハ１に対する加工動作を旋削装置１００に実行させるものである。制御ユニット１６０は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インタフェース装置とを有し、コンピュータプログラムを実行可能なコンピュータである。

【0036】

制御ユニット１６０の演算処理装置は、ＲＯＭに記憶されているコンピュータプログラムをＲＡＭ上で実行して、旋削装置１００を制御するための制御信号を生成する。制御ユニット１６０の演算処理装置は、生成した制御信号を入出力インタフェース装置を介して旋削装置１００の各構成要素に出力する。

【0037】

また、制御ユニット１６０は、加工動作の状態や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される図示しない表示ユニットと、オペレータが加工条件を登録する際に用いる図示しない入力ユニットと接続されている。実施形態１では、入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルを含んでいる。

【0038】

（保護膜の剥離方法）
実施形態１に係る保護膜の剥離方法は、前述した旋削装置１００を用いて、表面２に保護膜１０を有するウェーハ１から保護膜１０を剥離する方法である。実施形態１に係る保護膜の剥離方法は、バイト切削装置のバイト切削装置の切削精度を確認するために、保護膜１０に旋削切削加工が施されたウェーハ１を再利用するために、ウェーハ１の表面２から保護膜１０を剥離する方法でもあり、前述した旋削装置１００の加工動作でもある。

【0039】

前述した構成の旋削装置１００は、オペレータ等により旋回切削加工前のウェーハ１を収容したカセット１０４が装置基台１０１のカセット載置台１０３に設置され、オペレータ等により入力された加工条件を制御ユニット１６０が受け付け、オペレータが入力した加工動作の開始指示を制御ユニット１６０が受け付けると、加工動作、即ち、実施形態１に係る保護膜の剥離方法を開始して、モータ１２４を駆動してスピンドル１２３及び旋削ホイール１２２の軸心回りの回転を開始する。保護膜の剥離方法は、図５に示すように、保持ステップ１００１と、位置付けステップ１００２と、剥離ステップ１００３とを備える。

【0040】

（保持ステップ）
保持ステップ１００１は、保持テーブル１１０の保持面１１１でウェーハ１の裏面５を保持するステップである。実施形態１において、保持ステップ１００１では、旋削装置１００は、制御ユニット１６０が搬入出ユニット１５１を制御してカセット１０４からウェーハ１を１枚取り出させ、位置合わせユニット１０６へ搬出させる。実施形態１において、加工動作では、旋削装置１００は、制御ユニット１６０が位置合わせユニット１０６を制御してウェーハ１の中心位置合わせを行わせ、搬入ユニット１５２を制御して位置合わせユニット１０６により位置合わせされたウェーハ１の裏面５を搬入出位置に位置する保持テーブル１１０の保持面１１１上に搬入させる。実施形態１において、保持ステップ１００１では、旋削装置１００は、制御ユニット１６０が吸引源に保持テーブル１１０の保持面１１１にウェーハ１の裏面５側を吸引保持させる。

【0041】

（位置付けステップ）
位置付けステップ１００２は、保持ステップ１００１の後に、保護膜１０の表面１１から所定量だけ低い高さに剥離ブロック１２１の下面１２９を位置付けるステップである。実施形態１において、位置付けステップ１００２では、旋削装置１００は、制御ユニット１６０が切り込み送りユニット１４０を制御して、保持面１１１の表面１１から所定量（実施形態１では、３μｍ）だけ低い高さに剥離ブロック１２１の下面１２９を位置付ける。なお、所定量は、０μｍを超えかつ保護膜１０の厚みの半分未満であるのが望ましい。

【0042】

（剥離ステップ）
図６は、図５に示された保護膜の剥離方法の剥離ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。剥離ステップ１００３は、位置付けステップ１００２の後に、支持基台及び保持テーブルを平面方向であるＸ軸方向に相対的に移動させると共に、支持基台１２５または保持テーブル１１０のいずれかをＺ軸方向と平行な軸心回りに回転させてウェーハ１から保護膜１０を剥ぎ取るステップである。実施形態１において、剥離ステップ１００３では、旋削装置１００は、制御ユニット１６０が加工送りユニット１３０を制御して、ウェーハ１を吸引保持した保持テーブル１１０を軸心回りに回転することなく加工位置に向かってＸ軸方向に移動させる。このように、実施形態１において、剥離ステップ１００３では、保持テーブル１１０と旋削ホイール１２２の支持基台１２５とのうち支持基台１２５のみを軸心回りに回転させる。

【0043】

実施形態１において、剥離ステップ１００３では、図６に示すように、旋削装置１００が、制御ユニット１６０が剥離ブロック１２１等に加工液を供給しながら加工位置の保持テーブル１１０上に保持されたウェーハ１の表面２上の保護膜１０に剥離ブロック１２１を切り込ませて旋回切削加工する。すると、剥離ブロック１２１の下面１２９が水平方向に沿って平坦であるために、剥離ブロック１２１の旋回切削加工により生成される保護膜１０の切削屑が剥離ブロック１２１よりも支持基台１２５の下方に侵入することが規制される。

【0044】

また、剥離ブロック１２１の下面１２９が、保護膜１０の表面１１から保護膜１０の厚みの半分未満の高さに位置するので、保護膜１０が剥離ブロック１２１からウェーハ１の表面２から離れる方向の負荷を受けるとともに、保持テーブル１１０の移動により保護膜１０の剥離ブロック１２１から受ける負荷が徐々に増加し、この負荷により保護膜１０が、図６に示すように、搬入出位置から離れた側の端から順に剥離することとなる。

【0045】

実施形態１において、保持テーブル１１０が加工位置に到達して、保護膜１０の全体が剥離ブロック１２１の下方を通過して、剥離ブロック１２１が保護膜１０の全体に旋回切削加工すると、保護膜１０の全体がウェーハ１の表面２から剥離されることとなる。実施形態１において、剥離ステップ１００３では、旋削装置１００は、制御ユニット１６０が加工送りユニット１３０を制御して旋回切削加工を施したウェーハ１を吸引保持した保持テーブル１１０を搬入出位置まで搬送させるとともに、搬入出位置において保持テーブル１１０の吸引保持を停止させる。

【0046】

実施形態１において、剥離ステップ１００３では、旋削装置１００は、制御ユニット１６０が搬出ユニット１５３を制御して洗浄ユニット１０５に搬送させ、洗浄ユニット１０５に洗浄させた後、搬入出ユニット１５１を制御してウェーハ１をカセット１０４に収容させる。なお、旋削装置１００は、カセット１０４内のウェーハ１を順に旋回切削加工し、カセット１０４内の全てのウェーハ１から保護膜１０を剥離すると、加工動作を終了する。

【0047】

以上説明したように、実施形態１に係る保護膜の剥離方法は、剥離ブロック１２１の下面１２９を水平方向に沿って平坦に形成しているので、剥離ブロック１２１が旋回切削加工する際に、保護膜１０に適度な負荷が掛かり、効率的に保護膜１０を剥離することが可能となる。

【0048】

その結果、実施形態１に係る保護膜の剥離方法は、作業者が有機溶剤を用いて保護膜１０を除去する作業の手間を省くことが可能となり、保護膜１０の除去にかかるコストを抑制することができるという効果を奏する。

【0049】

また、実施形態１に係る保護膜の剥離方法は、位置付けステップ１００２において剥離ブロック１２１の下面１２９を保護膜１０の表面１１から保護膜１０の厚みの半分未満だけ低い高さに位置付けるので、剥離ステップ１００３において剥離ブロック１２１が保護膜１０を旋回切削加工する際に、保護膜１０にウェーハ１の表面２から剥離する方向の負荷がかかることとなる。

【0050】

〔変形例〕
本発明の実施形態１の変形例に係る保護膜の剥離方法を図面に基づいて説明する。図７は、実施形態１の変形例に係る保護膜の剥離方法の剥離ステップを一部断面で模式的に示す側面図である。なお、図７は、実施形態１と同一部分に同一符号を付して説明を省略する。

【0051】

変形例に係る保護膜の剥離方法は、旋削装置１００が加工動作、即ち、保護膜の剥離方法を開始しても旋削ホイール１２２の軸心回りの回転を開始することなく、剥離ステップ１００３において、図７に示すように、旋削装置１００は、制御ユニット１６０が加工送りユニット１３０を制御して、ウェーハ１を吸引保持した保持テーブル１１０を軸心回りに回転させながら加工位置に向かって移動させて、剥離ブロック１２１で保護膜１０を旋回切削加工する。このように、実施形態１の変形例において、剥離ステップ１００３では、保持テーブル１１０と旋削ホイール１２２の支持基台１２５とのうち保持テーブル１１０のみを軸心回りに回転させる。

【0052】

変形例に係る保護膜の剥離方法は、剥離ブロック１２１の下面１２９を水平方向に沿って平坦に形成しているので、剥離ブロック１２１が旋回切削加工する際に、保護膜１０に適度な負荷が掛かり、効率的に保護膜１０を剥離することが可能となり、実施形態１と同様に、保護膜１０の除去にかかるコストを抑制することができるという効果を奏する。

【0053】

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

【符号の説明】

【0054】

１ ウェーハ
２ 表面
５ 裏面
１０ 保護膜
１１ 表面
１００ 旋削装置
１１０ 保持テーブル
１１１ 保持面
１２０ 旋削ユニット
１２１ 剥離ブロック
１２５ 支持基台
１２７ 下面（支持面）
１２９ 下面（底端部）
１００１ 保持ステップ
１００２ 位置付けステップ
１００３ 剥離ステップ
Ｘ 平面方向

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】