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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024016654
(43)【公開日】2024-02-07
(54)【発明の名称】発光装置の製造方法
(51)【国際特許分類】
H01L 33/00 20100101AFI20240131BHJP
H01L 23/32 20060101ALI20240131BHJP
H01L 33/50 20100101ALI20240131BHJP
【ＦＩ】
H01L33/00 K
H01L23/32 D
H01L33/50
【審査請求】未請求
【請求項の数】9
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022118942
(22)【出願日】2022-07-26
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100107766
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠重
(74)【代理人】
【識別番号】100070150
【弁理士】
【氏名又は名称】伊東 忠彦
(72)【発明者】
【氏名】西岡 誠
(72)【発明者】
【氏名】中江 博人
(72)【発明者】
【氏名】寒川 翔太
【テーマコード（参考）】
5F142
5F241
【Ｆターム（参考）】
5F142DA02
5F142DA14
5F142FA48
5F241AA46
(57)【要約】 （修正有）
【課題】複数の透光性基板が接合された基材を割断する際に、透光性基板が割断されたものを検出可能な発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１と、下面が基材に接合され上面の外形は複数の辺を有する透光性基板２を有する複数の発光素子４と、を有する構造体を準備する工程と、上面視において、透光性基板の上面の対向する二辺それぞれの中点を通る直線である中心線２４と、透光性基板の上面の外形の外側に位置する透光性基板の下面の外縁との間の距離Ａを測定する工程と、隣り合う発光素子間に位置する基材を割断することにより、複数の発光装置に分割する工程と、複数の発光装置に分割する工程の後、中心線と、透光性基板の上面の外形の外側に位置する基材の外縁１１との間の中心線に直交する方向における距離Ｂを測定する工程と、距離Ｂから距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する工程と、を含む発光装置の製造方法。
【選択図】図４
【解決手段】基材１と、下面が基材に接合され上面の外形は複数の辺を有する透光性基板２を有する複数の発光素子４と、を有する構造体を準備する工程と、上面視において、透光性基板の上面の対向する二辺それぞれの中点を通る直線である中心線２４と、透光性基板の上面の外形の外側に位置する透光性基板の下面の外縁との間の距離Ａを測定する工程と、隣り合う発光素子間に位置する基材を割断することにより、複数の発光装置に分割する工程と、複数の発光装置に分割する工程の後、中心線と、透光性基板の上面の外形の外側に位置する基材の外縁１１との間の中心線に直交する方向における距離Ｂを測定する工程と、距離Ｂから距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する工程と、を含む発光装置の製造方法。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基材と、上面と下面とを有する透光性基板の前記上面に発光部を有し、前記透光性基板の前記下面が前記基材に接合された複数の発光素子と、を有する構造体であって、前記透光性基板の前記上面の外形は複数の辺を有する前記構造体を準備する工程と、
上面視において、前記透光性基板の前記上面の前記複数の辺のうち対向する二辺それぞれの中点を通る直線である中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記透光性基板の前記下面の外縁との間の前記中心線に直交する方向における距離Ａを測定する工程と、
前記複数の発光素子のうち隣り合う前記発光素子間に位置する前記基材を割断することにより、複数の発光装置に分割する工程と、
前記複数の発光装置に分割する工程の後、上面視において、前記中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記基材の外縁との間の前記中心線に直交する方向における距離Ｂを測定する工程と、
前記距離Ｂから前記距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する工程と、を含む、発光装置の製造方法。
上面視において、前記透光性基板の前記上面の前記複数の辺のうち対向する二辺それぞれの中点を通る直線である中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記透光性基板の前記下面の外縁との間の前記中心線に直交する方向における距離Ａを測定する工程と、
前記複数の発光素子のうち隣り合う前記発光素子間に位置する前記基材を割断することにより、複数の発光装置に分割する工程と、
前記複数の発光装置に分割する工程の後、上面視において、前記中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記基材の外縁との間の前記中心線に直交する方向における距離Ｂを測定する工程と、
前記距離Ｂから前記距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する工程と、を含む、発光装置の製造方法。
【請求項2】
前記距離Ａは、上面視において、前記中心線に直交する方向における前記中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記透光性基板の前記下面の外縁との間の距離のうち、最長の距離である、請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項3】
前記距離Ｂは、上面視において、前記中心線に直交する方向における前記中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記基材の外縁と間の距離のうち、最短の距離である、請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項4】
上面視における前記透光性基板および前記基材それぞれの外形形状は正方形であり、
前記透光性基板の一辺の長さをＬ１、前記基材の一辺の長さをＬ２とすると、前記所定値Ｘは以下の式（１）を満足する、
Ｘ≦（Ｌ２－Ｌ１）／４ ・・・ （１）
請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
前記透光性基板の一辺の長さをＬ１、前記基材の一辺の長さをＬ２とすると、前記所定値Ｘは以下の式（１）を満足する、
Ｘ≦（Ｌ２－Ｌ１）／４ ・・・ （１）
請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項5】
前記所定値Ｘは以下の式（２）を満足する、
０（μｍ）≦Ｘ（μｍ）≦２５（μｍ） ・・・ （２）
請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
０（μｍ）≦Ｘ（μｍ）≦２５（μｍ） ・・・ （２）
請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項6】
上面視における前記透光性基板および前記基材それぞれの外形形状は矩形であり、
前記判定する工程は、前記透光性基板および前記基材それぞれにおける四辺全てに対して行い、前記四辺全てにおいて前記距離Ｂから前記距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する、請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
前記判定する工程は、前記透光性基板および前記基材それぞれにおける四辺全てに対して行い、前記四辺全てにおいて前記距離Ｂから前記距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する、請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項7】
前記複数の発光装置に分割する工程を行う前に、前記複数の発光素子それぞれにおける、前記透光性基板の前記下面に交差する側面の一部と、前記基材の上面の一部と、を覆う樹脂部を形成する工程を含む、請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項8】
上面視における前記透光性基板の外形形状は正方形であり、
前記透光性基板の正方形における一辺の長さは５００μｍ以上１５００μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
前記透光性基板の正方形における一辺の長さは５００μｍ以上１５００μｍ以下である、請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項9】
前記透光性基板は、サファイアからなる基板であり、
前記構造体を準備する工程は、上面に複数の前記発光部を有する基板を割断することにより、それぞれが前記透光性基板の前記上面に前記発光部を含む複数の前記発光素子に個片化する工程を含む、請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
前記構造体を準備する工程は、上面に複数の前記発光部を有する基板を割断することにより、それぞれが前記透光性基板の前記上面に前記発光部を含む複数の前記発光素子に個片化する工程を含む、請求項１または請求項２に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子等の発光素子を有する発光装置が幅広く使用されている。例えば、特許文献１には、上面にＬＥＤ素子が配置された複数のサファイア基板を蛍光体シートに貼り付けた後、この蛍光体シートを切断することにより、ＬＥＤ装置等の発光装置を製造する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１２－２２７４７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
しかしながら、特許文献１に記載された方法では、サファイア基板等の透光性基板を割断する際に透光性基板が裂開または劈開することにより、透光性基板の側面がその上面の法線に対して傾く場合がある。透光性基板の側面の傾きが大きくなると、複数の透光性基板が蛍光体シート等の基材に接合された後、この基材を割断する際に、基材に接合された透光性基板が基材とともに割断されるおそれがある。これにより、製造される発光装置に不良が生じる場合がある。
【0005】
本開示に係る実施形態は、複数の透光性基板が接合された基材を割断する際に、透光性基板が割断されたものを検出可能な発光装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、基材と、上面と下面とを有する透光性基板の前記上面に発光部を有し、前記透光性基板の前記下面が前記基材に接合された複数の発光素子と、を有する構造体であって、前記透光性基板の前記上面の外形は複数の辺を有する前記構造体を準備する工程と、上面視において、前記透光性基板の前記上面の前記複数の辺のうち対向する二辺それぞれの中点を通る直線である中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記透光性基板の前記下面の外縁との間の前記中心線に直交する方向における距離Ａを測定する工程と、前記複数の発光素子のうち隣り合う前記発光素子間に位置する前記基材を割断することにより、複数の発光装置に分割する工程と、前記複数の発光装置に分割する工程の後、上面視において、前記中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記基材の外縁との間の前記中心線に直交する方向における距離Ｂを測定する工程と、前記距離Ｂから前記距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する工程と、を含む。
【発明の効果】
【0007】
本開示の実施形態によれば、複数の透光性基板が接合された基材を割断する際に、透光性基板が割断されたものを検出可能な発光装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0008】
【図1】第１実施形態に係る発光装置の構成例を示す上面図である。
【図3】第１実施形態に係る発光装置の製造方法の製造工程例を上面図である。
【図5】第２実施形態に係る発光装置の構成例を示す上面図である。
【図7】第２実施形態に係る発光装置の製造方法の製造工程例を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【0009】
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法について図面を参照しながら詳細に説明する。但し、以下に示す形態は、本実施形態の技術思想を具現化するための発光装置の製造方法を例示するものであって、以下に限定するものではない。また、実施形態に記載されている構成部の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本開示の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。
【0010】
以下の説明では、特定の方向や位置を示す用語（例えば「上」、「下」およびそれらの用語を含む別の用語）を用いる場合がある。これらの用語は、参照した図面における相対的な方向や位置を、分かり易くするために用いているにすぎない。各図面が示す部材の大きさ、位置関係等は、説明を明確にするため誇張していることがある。また、以下の説明において、同一の名称、符号については同一もしくは同質の部材を示しており詳細説明を適宜省略する。断面図として、切断面のみを示す端面図を用いる場合がある。
【0011】
各図面において、方向を表すために、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸を有する直交座標を用いる。Ｚ軸方向は上下方向を表し、Ｚ軸の矢印が向く方向は上、上とは反対方向は下を表す。Ｘ軸方向およびＹ軸方向は、Ｚ軸に直交する面内において直交する二方向を表す。また本明細書において、上面視とは上方から対象を視ることをいう。但し、これら方向表現は、本開示の実施形態の方向を限定するものではない。
【0012】
［第１実施形態］
＜発光装置１０の構成例＞
図１および図２は、第１実施形態に係る発光装置１０の構成の一例を示す図である。図１は、発光装置１０の上面図である。図２は、図１におけるII－II線に沿った発光装置１０の断面図である。発光装置１０は、基材１と、透光性基板２と、発光部３と、を有する。本実施形態では、上面視における基材１および透光性基板２それぞれの外形形状は正方形である。図１のＬ１は透光性基板２の一辺の長さを表し、Ｌ２は基材１の一辺の長さを表す。但し、上面視における基材１および透光性基板２それぞれの外形形状は、正方形に限定されるものではなく、長方形、多角形等であってもよい。
＜発光装置１０の構成例＞
図１および図２は、第１実施形態に係る発光装置１０の構成の一例を示す図である。図１は、発光装置１０の上面図である。図２は、図１におけるII－II線に沿った発光装置１０の断面図である。発光装置１０は、基材１と、透光性基板２と、発光部３と、を有する。本実施形態では、上面視における基材１および透光性基板２それぞれの外形形状は正方形である。図１のＬ１は透光性基板２の一辺の長さを表し、Ｌ２は基材１の一辺の長さを表す。但し、上面視における基材１および透光性基板２それぞれの外形形状は、正方形に限定されるものではなく、長方形、多角形等であってもよい。
【0013】
透光性基板２は、上面２１と、下面２２と、側面２３と、を有する。上面２１は、下面２２の反対側に位置している。側面２３は、下面２２と交差する面である。側面２３は、第１側面２３１と、第２側面２３２と、第３側面２３３と、第４側面２３４と、を含む。第１側面２３１および第２側面２３２は、上面２１の法線に対して傾いている。上面視において、第１側面２３１は、Ｘ軸と交差する。上面視において、第１側面２３１に接する上面２１の外縁と、第１側面２３１に接する下面２２の外縁との間のＸ軸方向における距離は、例えば、５μｍ以上３０μｍ以下である。
【0014】
発光部３は、透光性基板２の上面２１に配置されている。透光性基板２の下面２２は、基材１に接合されている。透光性基板２の上面２１の外形は、複数の辺２１０を有する。複数の辺２１０は、第１辺２１１と、第２辺２１２と、第３辺２１３と、第４辺２１４と、を含む。なお、第２側面２３２の一部と第２辺２１２、第３側面２３３の一部と第３辺２１３、第４側面２３４の一部と第４辺２１４、はそれぞれ重なっているため、符号を併記している。以降においても構成部が重なる場合に符号を併記することがある。以下、上記の各構成部について詳細に説明する。
【0015】
（基材１）
基材１は、透光性基板２を支持する。基材１は、例えば、発光部３から透光性基板２を通って入射する光の一部の波長を変換して出射する波長変換部材である。上面視において、基材１の外形は透光性基板２の下面２２よりも大きい。上面視における基材１および透光性基板２の外形形状が正方形である場合、基材１の一辺の長さは透光性基板２の一辺の長さよりも、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下長い。
基材１の上面視における外形形状が正方形である場合、基材１の一辺の長さＬ２は、例えば、６００μｍ以上１８００μｍ以下である。
以下では、基材１が波長変換部材である場合の形態について説明する。
基材１は、透光性基板２を支持する。基材１は、例えば、発光部３から透光性基板２を通って入射する光の一部の波長を変換して出射する波長変換部材である。上面視において、基材１の外形は透光性基板２の下面２２よりも大きい。上面視における基材１および透光性基板２の外形形状が正方形である場合、基材１の一辺の長さは透光性基板２の一辺の長さよりも、例えば、１０μｍ以上２００μｍ以下長い。
基材１の上面視における外形形状が正方形である場合、基材１の一辺の長さＬ２は、例えば、６００μｍ以上１８００μｍ以下である。
以下では、基材１が波長変換部材である場合の形態について説明する。
【0016】
基材１は、透光性基板２の下面２２と直接接している。基材１と透光性基板２の下面２２とは直接接合によって接合されている。直接接合とは、接合する界面において、接着材等の接合部材を用いずに、接合する界面に露出している原子同士が互いに結合する接合形態をいう。
【0017】
基材１は、発光部３から透光性基板２を通って入射する光の一部の波長を変換して放射する蛍光体を含む。基材１が蛍光体を含むことにより、基材１から外部に出射される光は、発光部３からの出射光と、蛍光体により波長変換された光との混色光となる。例えば、発光部３から出射された青色光と、その青色光の一部が蛍光体により波長変換された黄色光とを混合させることにより、白色系の光を発する発光装置１０を得ることができる。
【0018】
基材１は、例えば、蛍光体の焼結体、あるいは、セラミックス、ガラス等の無機材料に蛍光体を含有させたものからなる。蛍光体には、発光部３が出射する光で励起可能なものが使用される。例えば、蛍光体としては、以下に示す具体例のうちの１種を単独で、または、２種以上を組み合わせて用いることができる。蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｌａ，Ｙ）３Ｓｉ６Ｎ１１：Ｃｅ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２（Ｓｉ１－ｘＡｌｘ）Ｆ６－ｘ：Ｍｎ ここで、ｘは、０＜ｘ＜１を満たす。）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する量子ドット（例えば、（Ｃｓ，ＦＡ，ＭＡ）（Ｐｂ，Ｓｎ）（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）３ ここで、ＦＡとＭＡは、それぞれホルムアミジニウムとメチルアンモニウムを表す。）、ＩＩ－ＶＩ族量子ドット（例えば、ＣｄＳｅ）、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドット（例えば、ＩｎＰ）、又はカルコパイライト構造を有する量子ドット（例えば、（Ａｇ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）２）等を用いることができる。これらの蛍光体と、青色発光素子または紫外線発光素子と組み合わせることにより、所望の発光色の発光装置（例えば白色系の発光装置）を得ることができる。例えば、基材１に含まれる蛍光体の種類および濃度を調整することにより白色光を出射する発光装置１０を得ることができる。基材１中の蛍光体の含有量は、例えば、５～５０質量％程度である。
【0019】
基材１は、蛍光体の他に光拡散材を含んでもよい。光拡散材としては、例えば、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等を用いることができる。基材１が無機材料のみを含むことにより、つまり、有機材料を含まないことにより、基材１の熱伝導率を大きくし、放熱性を高めることができる。また、有機材料を含む場合に比べて、基材１の屈折率を大きくし、透光性基板２との屈折率差を小さくできるため、基材１と透光性基板２との界面における反射を低減し、基材１からの出射効率を高めることができる。
【0020】
（透光性基板２）
透光性基板２は、発光部３を支持する。透光性基板２は、例えば、発光部３をエピタキシャル成長させるための基板である。発光部３が窒化物系半導体である場合には、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）等の透光性の絶縁性基板、または、窒化物半導体などの半導体基板等を、透光性基板２として用いることができる。ここでの透光性とは、発光部３から出射される光に対して、少なくとも６０％以上、好ましくは８０％程度以上の透光率を有する性質を指す。本実施形態では一例として、透光性基板２はサファイアからなる基板である。透光性基板２の上面２１は、上面視において、略矩形形状を有する。透光性基板２の厚さは、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下である。
透光性基板２は、発光部３を支持する。透光性基板２は、例えば、発光部３をエピタキシャル成長させるための基板である。発光部３が窒化物系半導体である場合には、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）等の透光性の絶縁性基板、または、窒化物半導体などの半導体基板等を、透光性基板２として用いることができる。ここでの透光性とは、発光部３から出射される光に対して、少なくとも６０％以上、好ましくは８０％程度以上の透光率を有する性質を指す。本実施形態では一例として、透光性基板２はサファイアからなる基板である。透光性基板２の上面２１は、上面視において、略矩形形状を有する。透光性基板２の厚さは、例えば、１００μｍ以上３００μｍ以下である。
【0021】
（発光部３）
発光部３は、発光ダイオード等の半導体発光素子である。発光部３からの出射光のピーク波長に特に制限はない。本実施形態では、発光装置１０は１つの発光部３を含んでいるが、複数の発光部３を含んでいてもよい。発光部３からの出射光は、透光性基板２を透過して透光性基板２の下面２２および側面２３から発光装置１０の外部へ出射する。発光部３は、上面視において、略矩形形状を有する。上面視において、発光部３の外形は、透光性基板２の上面２１の外形よりも小さい。発光部３の厚さは、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下である。
発光部３は、発光ダイオード等の半導体発光素子である。発光部３からの出射光のピーク波長に特に制限はない。本実施形態では、発光装置１０は１つの発光部３を含んでいるが、複数の発光部３を含んでいてもよい。発光部３からの出射光は、透光性基板２を透過して透光性基板２の下面２２および側面２３から発光装置１０の外部へ出射する。発光部３は、上面視において、略矩形形状を有する。上面視において、発光部３の外形は、透光性基板２の上面２１の外形よりも小さい。発光部３の厚さは、例えば、５μｍ以上２０μｍ以下である。
【0022】
発光部３は、積層された複数の半導体層を含む。例えば、発光部３は、発光層（活性層）と、発光層を挟む第１導電型半導体層（例えばｎ型半導体層）および第２導電型半導体層（例えばｐ型半導体層）と、を含む。発光層は、例えば、複数の障壁層と、複数の井戸層とを含む多重量子井戸構造とすることができる。発光層は、第１導電型半導体層と第２導電型半導体層との間に位置している。発光部３は、発光層に含まれる井戸層のバンドギャップに対応した波長の光を出射する。紫外光、青色光から緑色光の可視光を発光可能な半導体層は、例えば、ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体、ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体等の半導体材料を含んで形成されてもよい。具体的には、発光部３は、ＩｎＸＡｌＹＧａ１－Ｘ－ＹＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）等組成を有する窒化物系の半導体材を含んでもよい。発光部３は透光性基板２の上面２１と接している。
【0023】
＜発光装置１０の製造方法例＞
次に、上述した発光装置１０の製造方法について説明する。発光装置１０の製造方法は、（ａ）構造体を準備する工程と、（ｂ）構造体における距離Ａを測定する工程と、（ｃ）構造体を割断することにより、複数の発光装置に分割する工程と、を含む。また、発光装置１０の製造方法は、（ｄ）上記発光装置における距離Ｂを測定する工程と、（ｅ）距離Ｂから距離Ａを差し引いた差分値を用いて判定を行う工程と、を含む。以下、図３および図４を参照して、各工程を詳細に説明する。図３および図４は、発光装置１０の製造方法の製造工程の一例を示す図である。図３は、発光装置１０の製造方法を説明するための上面図である。図４は、図３におけるIV－IV線に沿った断面図である。
次に、上述した発光装置１０の製造方法について説明する。発光装置１０の製造方法は、（ａ）構造体を準備する工程と、（ｂ）構造体における距離Ａを測定する工程と、（ｃ）構造体を割断することにより、複数の発光装置に分割する工程と、を含む。また、発光装置１０の製造方法は、（ｄ）上記発光装置における距離Ｂを測定する工程と、（ｅ）距離Ｂから距離Ａを差し引いた差分値を用いて判定を行う工程と、を含む。以下、図３および図４を参照して、各工程を詳細に説明する。図３および図４は、発光装置１０の製造方法の製造工程の一例を示す図である。図３は、発光装置１０の製造方法を説明するための上面図である。図４は、図３におけるIV－IV線に沿った断面図である。
【0024】
（ａ）構造体を準備する工程
まず、構造体２０を準備する。構造体２０は、基材１と、複数の発光素子４と、を有する。複数の発光素子４のそれぞれは、透光性基板２の上面２１に発光部３を有する。複数の発光素子４それぞれにおける透光性基板２の下面２２は、基材１に接合されている。本実施形態では、複数の発光素子４は、第１発光素子４１と、第２発光素子４２と、第３発光素子４３と、を含む。但し、複数の発光素子４は２つまたは４つ以上の発光素子を含んでもよい。複数の発光素子４は、格子配列、千鳥配列等により、基材１上に配置される。
まず、構造体２０を準備する。構造体２０は、基材１と、複数の発光素子４と、を有する。複数の発光素子４のそれぞれは、透光性基板２の上面２１に発光部３を有する。複数の発光素子４それぞれにおける透光性基板２の下面２２は、基材１に接合されている。本実施形態では、複数の発光素子４は、第１発光素子４１と、第２発光素子４２と、第３発光素子４３と、を含む。但し、複数の発光素子４は２つまたは４つ以上の発光素子を含んでもよい。複数の発光素子４は、格子配列、千鳥配列等により、基材１上に配置される。
【0025】
上述した発光装置１０は、複数の発光素子４のうちの１以上の発光素子４を含むように構造体が割断されることで得られたものである。従って、第１発光素子４１、第２発光素子４２および第３発光素子４３それぞれに含まれる構成部は、発光装置１０の構成部と同じである。図３および図４では、第１発光素子４１のみに符号を付している。以下では、主に第１発光素子４１について説明する。
【0026】
本実施形態では、構造体２０を準備する工程は、上面に複数の発光部３を有する基板を割断することにより、それぞれが透光性基板２の上面２１に発光部３を含む複数の発光素子４に個片化する工程を含む。基板の割断には、ダイヤモンドブレード等を用いたダイシング加工、レーザ光を用いたレーザ加工等を適用できる。ここで、透光性基板２がサファイア等の結晶からなる場合には、割断の際に、結晶の面方位に応じて基板が裂開する場合がある。例えば、透光性基板２の結晶の面方位として、第１側面２３１、第２側面２３２、第３側面２３３、および第４側面２４２のいずれかの面がｍ面に沿った面であると裂開が生じる場合がある。具体的には、透光性基板２の結晶の面方位として、上面２１および下面２２がｃ面に沿った面、第１側面２３１および第２側面２３２がｍ面に沿った面、第３側面２３３および第４側面２３４がａ面に沿った面であると、第１側面２３１および第２側面２３２に裂開が生じる場合がある。図２および図４の例では、第１側面２３１及び第２側面２３２は、上記の裂開により上面２１の法線に対して傾いている。なお、本明細書において構造体２０を準備するとは、構造体を購入することで入手することも含む。
【0027】
個片化された複数の発光素子４のそれぞれは、上述した配列により配置され、基材１に接合される。具体的には、複数の発光素子４それぞれにおける透光性基板２の下面２２が基材１に向き合うように、基材１に対して複数の発光素子４が配置される。基材１と複数の発光素子４における透光性基板２の下面２２とは、直接接合によって接合する。但し、基材１と透光性基板２との接合は、直接接合に限定されず、接着部材等を用いたものであってもよい。
【0028】
（ｂ）構造体における距離Ａを測定する工程
次に、構造体２０における距離Ａを測定する。距離Ａは、上面視において、中心線２４と、透光性基板の下面２２の外縁２２１と、の間の中心線２４に直交する方向における距離である。距離Ａは、複数の発光素子４それぞれについて測定する。中心線２４は、透光性基板２の上面２１の複数の辺のうち対向する二辺それぞれの中点を通る直線である。対向する二辺それぞれの中点は、第１辺２１１と第２辺２１２との間の中点、および第３辺２１３と第４辺２１４との間の中点である。平面視において、外縁２２１の一部は、透光性基板２の上面２１の外縁の外側に位置する。
次に、構造体２０における距離Ａを測定する。距離Ａは、上面視において、中心線２４と、透光性基板の下面２２の外縁２２１と、の間の中心線２４に直交する方向における距離である。距離Ａは、複数の発光素子４それぞれについて測定する。中心線２４は、透光性基板２の上面２１の複数の辺のうち対向する二辺それぞれの中点を通る直線である。対向する二辺それぞれの中点は、第１辺２１１と第２辺２１２との間の中点、および第３辺２１３と第４辺２１４との間の中点である。平面視において、外縁２２１の一部は、透光性基板２の上面２１の外縁の外側に位置する。
【0029】
距離Ａの測定では、例えば、構造体２０に光を照射し、構造体２０をカメラにより撮影する。その後、撮影された画像に対して画像処理を施すことにより距離Ａを測定する。画像処理では、例えば、上面２１の第１辺２１１および第２辺２１２の画像から中心線２４の位置を求める。次に、中心線２４と外縁２２１との間の中心線２４に直交する方向における距離Ａを、画素を目盛として測定する。画像処理は、電気回路、ソフトウェア（ＣＰＵ；Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等により実行可能である。
【0030】
第１辺２１１および第２辺２１２の画像、外縁２２１の画像等を高いコントラストで得るためには、構造体２０に上方から光を照明し、構造体２０の上方からカメラにより撮影することが好ましい。また、カメラが有するレンズの光軸と照明光の光軸とがほぼ同じ軸上にある同軸照明により撮影することが好ましい。さらに、照明光には、可視光を用いることが好ましい。なお、距離Ａの測定は、カメラによる撮影画像を画像処理する方法に限定されず、他の測定方法であってもよい。
【0031】
（ｃ）構造体を割断することにより、複数の発光装置に分割する工程
次に、複数の発光素子４のうち隣り合う発光素子４間に位置する基材１を割断することにより、構造体２０を複数の発光装置１０に分割する。構造体２０の割断には、ダイヤモンドブレード等を用いたダイシング加工、レーザ光を用いたレーザ加工等を適用できる。図３および図４におけるダイヤモンドブレード１００は、構造体２０を割断する際におけるダイヤモンドブレードが相対移動する軌跡またはダイヤモンドブレードそのものを表している。ダイヤモンドブレード１００は、構造体２０に対して相対移動しながら構造体２０を割断できる。
次に、複数の発光素子４のうち隣り合う発光素子４間に位置する基材１を割断することにより、構造体２０を複数の発光装置１０に分割する。構造体２０の割断には、ダイヤモンドブレード等を用いたダイシング加工、レーザ光を用いたレーザ加工等を適用できる。図３および図４におけるダイヤモンドブレード１００は、構造体２０を割断する際におけるダイヤモンドブレードが相対移動する軌跡またはダイヤモンドブレードそのものを表している。ダイヤモンドブレード１００は、構造体２０に対して相対移動しながら構造体２０を割断できる。
【0032】
（ｄ）発光装置における距離Ｂを測定する工程
次に、構造体２０における距離Ｂを測定する。距離Ｂは、上面視において、中心線２４と、透光性基板２の上面２１の外形の外側に位置する基材１の外縁１１と、の間の中心線２４に直交する方向における距離である。距離Ｂは、複数の発光素子４それぞれについて測定する。基材１の外縁１１は、基材１がダイヤモンドブレード１００により割断された面である基材１の側面に対応する。
次に、構造体２０における距離Ｂを測定する。距離Ｂは、上面視において、中心線２４と、透光性基板２の上面２１の外形の外側に位置する基材１の外縁１１と、の間の中心線２４に直交する方向における距離である。距離Ｂは、複数の発光素子４それぞれについて測定する。基材１の外縁１１は、基材１がダイヤモンドブレード１００により割断された面である基材１の側面に対応する。
【0033】
距離Ｂの測定では、例えば、構造体２０に光を照射し、構造体２０をカメラにより撮影する。その後、撮影された画像に対して画像処理を施すことにより、距離Ｂを測定する。画像処理では、例えば、上面２１の第１辺２１１および第２辺２１２の画像から中心線２４の位置を求める。次に、中心線２４と外縁１１との間の中心線２４に直交する方向における距離Ｂを、画素を目盛として測定する。画像処理は、電気回路、ソフトウェア（ＣＰＵ）等により実行できる。
【0034】
第１辺２１１および第２辺２１２の画像、外縁１１の画像等を高いコントラストで得るためには、構造体２０に下方から光を照明し、構造体２０の上方からカメラにより撮影する、いわゆるバックライト照明による撮影が好ましい。なお、距離Ｂの測定は、カメラによる撮影画像を画像処理する方法に限定されず、他の測定方法であってもよい。バックライト照明には、可視光を用いることが好ましい。
【0035】
（ｅ）距離Ｂから距離Ａを差し引いた差分値を用いて判定を行う工程
次に、距離Ｂから距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きいか否かを判定する。本実施形態では、上記差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する。例えば、裂開に伴う透光性基板２の側面２３の傾きが大きいと、上記（ｃ）の工程において、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断される場合がある。透光性基板２が割断されることにより、製造される発光装置１０に不良が生じる。発光装置１０の不良とは、製造された発光装置１０において所定の性能が得られないことをいう。距離Ｂから距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きければ、透光性基板の下面２２の外縁２２１と、基材１の外縁１１と、の間に距離を広く確保できているということが判断できる。これにより、上記（ｃ）の工程において、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断されたものを検出することが可能となる。その結果、不良となった発光装置１０が後の工程で用いられることが低減され、生産性を向上することができる。
次に、距離Ｂから距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きいか否かを判定する。本実施形態では、上記差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する。例えば、裂開に伴う透光性基板２の側面２３の傾きが大きいと、上記（ｃ）の工程において、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断される場合がある。透光性基板２が割断されることにより、製造される発光装置１０に不良が生じる。発光装置１０の不良とは、製造された発光装置１０において所定の性能が得られないことをいう。距離Ｂから距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きければ、透光性基板の下面２２の外縁２２１と、基材１の外縁１１と、の間に距離を広く確保できているということが判断できる。これにより、上記（ｃ）の工程において、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断されたものを検出することが可能となる。その結果、不良となった発光装置１０が後の工程で用いられることが低減され、生産性を向上することができる。
【0036】
上記の距離Ａは、上面視において、中心線２４に直交する方向における、中心線２４と透光性基板２の下面２２の外縁２２１との間の距離のうち、最長の距離であることが好ましい。上面に複数の発光部３を有する基板を割断することにより発光素子４を形成すると、第１側面２３１に凹凸が生じ、距離Ａが一定値ではなくばらつく場合がある。上記の最長の距離を距離Ａとして用いることにより、距離Ａにばらつきがある場合に、透光性基板２の側面が上面２１の法線に対して最も傾いている状態を想定した数値によって上記（ｅ）の工程の判定を行うことができる。これにより、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断されたものをさらに検出しやすくすることができる。
【0037】
上記の距離Ｂは、上面視において、中心線２４に直交する方向における、中心線２４と、基材１の外縁１１と間の距離のうち、最短の距離であることが好ましい。上面に複数の発光素子４を有する基材１を割断することにより発光装置１０を形成すると、基材１の外縁１１に凹凸が生じ、距離Ｂが一定値ではなくばらつく場合がある。上記の最短の距離を距離Ｂとして用いることにより、距離Ｂにばらつきがある場合に、最も基材１の外縁１１と透光性基板２の下面２２の外縁２２１とが近くなる状態を想定した数値によって上記（ｅ）の工程の判定を行うことができる。これにより、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断されたものをさらに検出しやすくすることができる。
【0038】
本実施形態では、所定値Ｘは、以下の式（１）を満足することが好ましい。
Ｘ≦（Ｌ２－Ｌ１）／４ ・・・ （１）
Ｘ≦（Ｌ２－Ｌ１）／４ ・・・ （１）
【0039】
所定値Ｘを大きく設定すると、不良でない発光装置１０を合格でないと判定する誤判定が生じる場合がある。上記の式（１）を満足することにより、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断されたものを検出する際に誤判定が生じることを低減することができる。
【0040】
また、本実施形態では、所定値Ｘ以下の式（２）を満足することがさらに好ましい。
（Ｌ２－Ｌ１）／２０≦Ｘ≦（Ｌ２－Ｌ１）／４ ・・・ （２）
（Ｌ２－Ｌ１）／２０≦Ｘ≦（Ｌ２－Ｌ１）／４ ・・・ （２）
【0041】
所定値Ｘを大きく設定すると、不良でない発光装置１０を合格でないと判定する誤判定が生じる場合がある。一方、所定値Ｘを小さく設定すると、上記の誤判定を低減できる反面、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断されたものが合格と判定される可能性が、所定値Ｘを大きく設定した場合と比較して高くなる。上記の式（２）を満足することにより、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断されたものを検出する際に誤判定が生じることをさらに低減することができる。
【0042】
所定値Ｘは以下の式（３）を満足することが好ましい。
０（μｍ）≦Ｘ（μｍ）≦２５（μｍ） ・・・ （３）
０（μｍ）≦Ｘ（μｍ）≦２５（μｍ） ・・・ （３）
【0043】
上記の式（３）を満足することにより、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断されたものを検出する際に誤判定が生じることを低減することができる。上面視における透光性基板２および基材１それぞれの外形形状が正方形である場合だけでなく、長方形である場合にも、上記効果を得ることができる。
【0044】
所定値Ｘは以下の式（４）を満足することがさらに好ましい。
５（μｍ）≦Ｘ（μｍ）≦２５（μｍ） ・・・ （４）
５（μｍ）≦Ｘ（μｍ）≦２５（μｍ） ・・・ （４）
【0045】
上記の式（４）を満足することにより、測定の誤差を考慮した判定が可能となり、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断されたものを検出する際に誤判定が生じることをさらに低減することができる。
【0046】
上面視における透光性基板２および基材１それぞれの外形形状が矩形である場合には、上記（ｅ）の工程は、透光性基板２および基材１それぞれにおける四辺全てに対して行い、四辺全てにおいて距離Ｂから距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定することが好ましい。なお、矩形には、長方形および正方形の両方が含まれる。透光性基板２および基材１それぞれの四辺に対応する位置を割断すると、透光性基板２および基材１それぞれの四辺において、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断される場合がある。透光性基板２および基材１それぞれにおける四辺全てに対し、上記（ｅ）の工程を行うことにより、基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断されたものをさらに検出しやすくすることができる。
【0047】
本実施形態では、透光性基板２の正方形における一辺の長さＬ１は５００μｍ以上１５００μｍ以下であることが好ましい。基材１に接合された透光性基板２が基材１とともに割断されたものを検出しつつ、誤判定を低減できるからである。
【0048】
［第２実施形態］
第２実施形態に係る発光装置について説明する。なお、第１実施形態と同一の名称および符号は、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
第２実施形態に係る発光装置について説明する。なお、第１実施形態と同一の名称および符号は、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。
【0049】
＜発光装置１０ａの構成例＞
図５および図６は、第２実施形態に係る発光装置１０ａの構成の一例を示す図である。図５は、発光装置１０ａの上面図である。図６は、図５におけるVI－VI線に沿った発光装置１０ａの断面図である。発光装置１０は、樹脂部５を有すること以外は、上記第１実施形態の発光装置１０と同じ構成を有している。樹脂部５は、発光装置１０ａにおける透光性基板２の側面２３の一部と、基材１の上面の一部と、を覆っている。本実施形態では、樹脂部５は、第１側面２３１、第２側面２３２、第３側面２３３および第４側面２３４それぞれの一部と、各側面近傍に位置する基材１の上面の一部と、を覆っている。樹脂部５は、樹脂材料と、光拡散材とを含む。樹脂部５に用いる樹脂材料は、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂の１種以上を含む樹脂またはハイブリッド樹脂等からなる樹脂部材を用いることができる。光拡散材には、例えば、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等を用いることができる。樹脂部５は、発光部３からの光のうち透光性基板２の側面から出射される光を反射することにより基材１側に向けて導光し、基材１から出射させることができる。発光装置１０ａは、樹脂部５を有することにより、発光装置１０ａにおける光の取り出し効率を向上させることができる。
図５および図６は、第２実施形態に係る発光装置１０ａの構成の一例を示す図である。図５は、発光装置１０ａの上面図である。図６は、図５におけるVI－VI線に沿った発光装置１０ａの断面図である。発光装置１０は、樹脂部５を有すること以外は、上記第１実施形態の発光装置１０と同じ構成を有している。樹脂部５は、発光装置１０ａにおける透光性基板２の側面２３の一部と、基材１の上面の一部と、を覆っている。本実施形態では、樹脂部５は、第１側面２３１、第２側面２３２、第３側面２３３および第４側面２３４それぞれの一部と、各側面近傍に位置する基材１の上面の一部と、を覆っている。樹脂部５は、樹脂材料と、光拡散材とを含む。樹脂部５に用いる樹脂材料は、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂の１種以上を含む樹脂またはハイブリッド樹脂等からなる樹脂部材を用いることができる。光拡散材には、例えば、酸化チタン、チタン酸バリウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素等を用いることができる。樹脂部５は、発光部３からの光のうち透光性基板２の側面から出射される光を反射することにより基材１側に向けて導光し、基材１から出射させることができる。発光装置１０ａは、樹脂部５を有することにより、発光装置１０ａにおける光の取り出し効率を向上させることができる。
【0050】
＜発光装置１０ａの製造方法例＞
次に、上述した発光装置１０ａの製造方法について説明する。発光装置１０ａの製造方法は、第１実施形態における上記（ｃ）の工程に対応する複数の発光装置１０ａに分割する工程を行う前に、（ｃ－１）複数の発光素子４それぞれにおける側面２３の一部と、基材１の上面の一部と、を覆う樹脂部５を形成する工程を含む。以下、図７および図８を参照して、上記（ｃ－１）の工程を詳細に説明する。図７および図８は、発光装置１０ａの製造方法の製造工程の一例を示す図である。図７は、発光装置１０ａの製造方法の製造工程を説明するための上面図である。図８は、図７におけるVIII－VIII線に沿った断面図である。なお、発光装置１０ａの製造方法において、（ｃ－１）の工程以外の工程は、第１実施形態における発光装置１０の製造方法と同じである。
次に、上述した発光装置１０ａの製造方法について説明する。発光装置１０ａの製造方法は、第１実施形態における上記（ｃ）の工程に対応する複数の発光装置１０ａに分割する工程を行う前に、（ｃ－１）複数の発光素子４それぞれにおける側面２３の一部と、基材１の上面の一部と、を覆う樹脂部５を形成する工程を含む。以下、図７および図８を参照して、上記（ｃ－１）の工程を詳細に説明する。図７および図８は、発光装置１０ａの製造方法の製造工程の一例を示す図である。図７は、発光装置１０ａの製造方法の製造工程を説明するための上面図である。図８は、図７におけるVIII－VIII線に沿った断面図である。なお、発光装置１０ａの製造方法において、（ｃ－１）の工程以外の工程は、第１実施形態における発光装置１０の製造方法と同じである。
【0051】
（ｃ－１）複数の発光素子それぞれにおける側面の一部と基材の上面の一部とを覆う樹脂部を形成する工程
図４に示す、基材１の上面に複数の発光素子４を配置した状態において、複数の発光素子４間に樹脂部５となる樹脂を配置する。具体的には、樹脂部５となる樹脂の原料である未硬化の樹脂材料を、上面視において複数の発光素子４間に位置する基材１の上面上に、ポッティング等によって配置する。このとき、未硬化の樹脂材料は、表面張力により発光素子４の側面を這いあがる。これにより、図６に示すように、発光装置１０ａにおける透光性基板２の側面２３の一部と、基材１の上面の一部と、は未硬化の樹脂材料により覆われる。その後、所定の時間が経過した後に、未硬化の樹脂材料を加熱して硬化させる。未硬化の樹脂材料が硬化することにより、樹脂部５が形成される。なお、図８では、樹脂材料がそれぞれの発光素子４の側面を覆うように形成される例を示しているが、樹脂材料が隣り合う発光素子４の側面を連続して覆うように形成されてもよい。
図４に示す、基材１の上面に複数の発光素子４を配置した状態において、複数の発光素子４間に樹脂部５となる樹脂を配置する。具体的には、樹脂部５となる樹脂の原料である未硬化の樹脂材料を、上面視において複数の発光素子４間に位置する基材１の上面上に、ポッティング等によって配置する。このとき、未硬化の樹脂材料は、表面張力により発光素子４の側面を這いあがる。これにより、図６に示すように、発光装置１０ａにおける透光性基板２の側面２３の一部と、基材１の上面の一部と、は未硬化の樹脂材料により覆われる。その後、所定の時間が経過した後に、未硬化の樹脂材料を加熱して硬化させる。未硬化の樹脂材料が硬化することにより、樹脂部５が形成される。なお、図８では、樹脂材料がそれぞれの発光素子４の側面を覆うように形成される例を示しているが、樹脂材料が隣り合う発光素子４の側面を連続して覆うように形成されてもよい。
【0052】
（ｃ－１）の工程は、複数の発光装置１０ａに分割する工程を行う前であれば、どの時点に行ってもよい。但し、樹脂部５を形成した後では、透光性基板２の下面２２の外縁２２１が樹脂部５により覆われることにより、カメラにより撮影しても外縁２２１を検出できず、距離Ａを測定できなくなる場合がある。従って、上記（ｂ）の工程を行った後、複数の発光装置１０ａに分割する工程を行う前に、上記（ｃ－１）の工程を行うことが好ましい。
【0053】
本実施形態では、光の取り出し効率を向上させた発光装置１０ａの製造方法において、複数の透光性基板２が接合された基材１を割断する際に、透光性基板２が割断されたものを検出することができる。これ以外の効果は、第１実施形態で説明したものと同じである。
【0054】
以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形および置換を加えることができる。
【0055】
上述した実施形態では、透光性基板が裂開する場合を示したが、透光性基板が劈開する場合においても実施形態を適用でき、上述した効果と同じ効果を得ることができる。
【0056】
本開示の発光装置は、車載用光源のほか、照明用光源、各種インジケーター用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、信号機、車載部品、看板用チャンネルレター等、種々の光源に使用することができる。
【0057】
本開示の態様は、例えば、以下のとおりである。
＜項１＞ 基材と、上面と下面とを有する透光性基板の前記上面に発光部を有し、前記透光性基板の前記下面が前記基材に接合された複数の発光素子と、を有する構造体であって、前記透光性基板の前記上面の外形は複数の辺を有する前記構造体を準備する工程と、上面視において、前記透光性基板の前記上面の前記複数の辺のうち対向する二辺それぞれの中点を通る直線である中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記透光性基板の前記下面の外縁との間の前記中心線に直交する方向における距離Ａを測定する工程と、前記複数の発光素子のうち隣り合う前記発光素子間に位置する前記基材を割断することにより、複数の発光装置に分割する工程と、前記複数の発光装置に分割する工程の後、上面視において、前記中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記基材の外縁との間の前記中心線に直交する方向における距離Ｂを測定する工程と、前記距離Ｂから前記距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する工程と、を含む、発光装置の製造方法である。
＜項２＞ 前記距離Ａは、上面視において、前記中心線に直交する方向における前記中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記透光性基板の前記下面の外縁との間の距離のうち、最長の距離である、前記＜項１＞に記載の発光装置の製造方法である。
＜項３＞ 前記距離Ｂは、上面視において、前記中心線に直交する方向における前記中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記基材の外縁と間の距離のうち、最短の距離である、前記＜項１＞または前記＜項２＞に記載の発光装置の製造方法である。
＜項４＞ 上面視における前記透光性基板および前記基材それぞれの外形形状は正方形であり、前記透光性基板の一辺の長さをＬ１、前記基材の一辺の長さをＬ２とすると、前記所定値Ｘは以下の式（１）を満足する、
Ｘ≦（Ｌ２－Ｌ１）／４ ・・・ （１）
前記＜項１＞から前記＜項３＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
＜項５＞ 前記所定値Ｘは以下の式（２）を満足する、
０（μｍ）≦Ｘ（μｍ）≦２５（μｍ） ・・・ （２）
前記＜項１＞から前記＜項３＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
＜項６＞ 上面視における前記透光性基板および前記基材それぞれの外形形状は矩形であり、前記判定する工程は、前記透光性基板および前記基材それぞれにおける四辺全てに対して行い、前記四辺全てにおいて前記距離Ｂから前記距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する、前記＜項１＞から前記＜項３＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
＜項７＞ 前記複数の発光装置に分割する工程を行う前に、前記複数の発光素子それぞれにおける、前記透光性基板の前記下面に交差する側面の一部と、前記基材の上面の一部と、を覆う樹脂部を形成する工程を含む、前記＜項１＞から前記＜項６＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
＜項８＞ 上面視における前記透光性基板の外形形状は正方形であり、前記透光性基板の正方形における一辺の長さは５００μｍ以上１５００μｍ以下である、前記＜項１＞から前記＜項３＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
＜項９＞ 前記透光性基板は、サファイアからなる基板であり、前記構造体を準備する工程は、上面に複数の前記発光部を有する基板を割断することにより、それぞれが前記透光性基板の前記上面に前記発光部を含む複数の前記発光素子に個片化する工程を含む、前記＜項１＞から前記＜項８＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
＜項１＞ 基材と、上面と下面とを有する透光性基板の前記上面に発光部を有し、前記透光性基板の前記下面が前記基材に接合された複数の発光素子と、を有する構造体であって、前記透光性基板の前記上面の外形は複数の辺を有する前記構造体を準備する工程と、上面視において、前記透光性基板の前記上面の前記複数の辺のうち対向する二辺それぞれの中点を通る直線である中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記透光性基板の前記下面の外縁との間の前記中心線に直交する方向における距離Ａを測定する工程と、前記複数の発光素子のうち隣り合う前記発光素子間に位置する前記基材を割断することにより、複数の発光装置に分割する工程と、前記複数の発光装置に分割する工程の後、上面視において、前記中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記基材の外縁との間の前記中心線に直交する方向における距離Ｂを測定する工程と、前記距離Ｂから前記距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する工程と、を含む、発光装置の製造方法である。
＜項２＞ 前記距離Ａは、上面視において、前記中心線に直交する方向における前記中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記透光性基板の前記下面の外縁との間の距離のうち、最長の距離である、前記＜項１＞に記載の発光装置の製造方法である。
＜項３＞ 前記距離Ｂは、上面視において、前記中心線に直交する方向における前記中心線と、前記透光性基板の前記上面の外形の外側に位置する前記基材の外縁と間の距離のうち、最短の距離である、前記＜項１＞または前記＜項２＞に記載の発光装置の製造方法である。
＜項４＞ 上面視における前記透光性基板および前記基材それぞれの外形形状は正方形であり、前記透光性基板の一辺の長さをＬ１、前記基材の一辺の長さをＬ２とすると、前記所定値Ｘは以下の式（１）を満足する、
Ｘ≦（Ｌ２－Ｌ１）／４ ・・・ （１）
前記＜項１＞から前記＜項３＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
＜項５＞ 前記所定値Ｘは以下の式（２）を満足する、
０（μｍ）≦Ｘ（μｍ）≦２５（μｍ） ・・・ （２）
前記＜項１＞から前記＜項３＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
＜項６＞ 上面視における前記透光性基板および前記基材それぞれの外形形状は矩形であり、前記判定する工程は、前記透光性基板および前記基材それぞれにおける四辺全てに対して行い、前記四辺全てにおいて前記距離Ｂから前記距離Ａを差し引いた差分値が所定値Ｘよりも大きい場合に合格と判定する、前記＜項１＞から前記＜項３＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
＜項７＞ 前記複数の発光装置に分割する工程を行う前に、前記複数の発光素子それぞれにおける、前記透光性基板の前記下面に交差する側面の一部と、前記基材の上面の一部と、を覆う樹脂部を形成する工程を含む、前記＜項１＞から前記＜項６＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
＜項８＞ 上面視における前記透光性基板の外形形状は正方形であり、前記透光性基板の正方形における一辺の長さは５００μｍ以上１５００μｍ以下である、前記＜項１＞から前記＜項３＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
＜項９＞ 前記透光性基板は、サファイアからなる基板であり、前記構造体を準備する工程は、上面に複数の前記発光部を有する基板を割断することにより、それぞれが前記透光性基板の前記上面に前記発光部を含む複数の前記発光素子に個片化する工程を含む、前記＜項１＞から前記＜項８＞のいずれか１つに記載の発光装置の製造方法である。
【符号の説明】
【0058】
１ 基材
１１ 基材の外縁
２ 透光性基板
２１ 上面
２１０ 複数の辺
２１１ 第１辺
２１２ 第２辺
２１３ 第３辺
２１４ 第４辺
２２ 下面
２２１ 透光性基板の下面の外縁
２３ 側面
２３１ 第１側面
２３２ 第２側面
２３３ 第３側面
２３４ 第４側面
２４ 中心線
３ 発光部
４ 発光素子
４１ 第１発光素子
４２ 第２発光素子
４３ 第３発光素子
４４ 第４発光素子
５ 樹脂部
１０、１０ａ 発光装置
２０ 構造体
１００ ダイヤモンドブレード
Ａ、Ｂ 距離
Ｌ１ 透光性基板の一辺の長さ
Ｌ２ 基材の一辺の長さ
１１ 基材の外縁
２ 透光性基板
２１ 上面
２１０ 複数の辺
２１１ 第１辺
２１２ 第２辺
２１３ 第３辺
２１４ 第４辺
２２ 下面
２２１ 透光性基板の下面の外縁
２３ 側面
２３１ 第１側面
２３２ 第２側面
２３３ 第３側面
２３４ 第４側面
２４ 中心線
３ 発光部
４ 発光素子
４１ 第１発光素子
４２ 第２発光素子
４３ 第３発光素子
４４ 第４発光素子
５ 樹脂部
１０、１０ａ 発光装置
２０ 構造体
１００ ダイヤモンドブレード
Ａ、Ｂ 距離
Ｌ１ 透光性基板の一辺の長さ
Ｌ２ 基材の一辺の長さ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】