特開 2024-166668 ウエーハの研削方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024166668

(43)【公開日】2024-11-29

(54)【発明の名称】ウエーハの研削方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/304 20060101AFI20241122BHJP

   B24B 7/04 20060101ALI20241122BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 631

B24B7/04 A

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023082909

(22)【出願日】2023-05-19

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110004185

【氏名又は名称】インフォート弁理士法人

(74)【代理人】

【識別番号】100121083

【弁理士】

【氏名又は名称】青木 宏義

(74)【代理人】

【識別番号】100138391

【弁理士】

【氏名又は名称】天田 昌行

(72)【発明者】

【氏名】関家 一馬

【テーマコード（参考）】

3C043

5F057

【Ｆターム（参考）】

3C043BA03

3C043BA09

3C043BA15

3C043CC04

3C043CC13

3C043DD02

3C043DD04

3C043DD05

5F057AA04

5F057BA11

5F057BB03

5F057CA15

5F057CA16

5F057CA31

5F057CA40

5F057DA10

5F057DA11

5F057DA17

5F057EB17

5F057EB18

5F057FA13

5F057FA30

(57)【要約】

【課題】サポート基板を貼り付けることなく研削後のウエーハに高い剛性を付与できる研削方法を提供する。
【解決手段】ウエーハ１０の研削方法は、保持テーブル１１０に保持されたウエーハ１０の中央領域を研削ホイール１０３で研削して凹部１７を形成するとともに凹部１７の外周側にリング状補強部１８を形成する研削ステップを備える。ウエーハ１０は、凹部１７が形成されたウエーハ１０の変形がリング状補強部１８によって抑制される厚みを備える。
【選択図】図１

【特許請求の範囲】

【請求項1】

ウエーハの研削方法であって、
保持テーブルに保持された該ウエーハの中央領域を研削ホイールで研削して凹部を形成するとともに該凹部の外周側にリング状補強部を形成する研削ステップを備え、
該ウエーハは、該凹部が形成されたウエーハの変形が該リング状補強部によって抑制される厚みを備える
事を特徴とするウエーハの研削方法。

【請求項2】

該ウエーハの表面に、
複数のデバイスが形成されたデバイス領域と、
該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域と、を備え、
該外周余剰領域に対応する領域に該リング状補強部が形成される
事を特徴とする請求項１に記載のウエーハの研削方法。

【請求項3】

該ウエーハの厚みが８００μｍ以上である
事を特徴とする請求項１または２に記載のウエーハの研削方法。

【請求項4】

該ウエーハは、
該ウエーハの厚み ＞＝ 該ウエーハの直径 × ０．７２５／２００
の式を満たす
事を特徴とする請求項１または２に記載のウエーハの研削方法。

【請求項5】

該ウエーハの直径は３００ｍｍ以上である
事を特徴とする請求項１または請求項２に記載のウエーハの研削方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、ウエーハの研削方法に関する。

【背景技術】

【0002】

研削によって薄化されたウエーハの剛性が低下し、その結果、後工程でのウエーハの取り扱いが難しくなることが知られている。このような課題に関連する技術は、例えば、特許文献１、特許文献２に記載されている。

【0003】

特許文献１では、デバイスが設けられたウエーハの中央側の領域のみを研削し、外周側の領域をそのまま残すことで、研削後のウエーハの剛性をある程度に保つＴＡＩＫＯ（登録商標）研削が提案されている。

【0004】

ＴＡＩＫＯ研削が行われた場合であってもウエーハの剛性が十分に確保されず後工程において反りや撓みなどのウエーハの変形が発生する事がある。この点を踏まえ、特許文献２では、ウエーハにサポート基板を貼り付けてからＴＡＩＫＯ研削を行う技術が提案されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0005】

【特許文献1】特開２００７－０１９４６１号公報

【特許文献2】特開２０２２－０４４３１５号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0006】

上述したように、薄化されたウエーハの剛性に関連する課題は、ＴＡＩＫＯ研削により大幅に改善される一方で、より確実に対処するためには、サポート基板を研削前にウエーハに貼り付けるといった手間が生じてしまう。

【0007】

本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、サポート基板を貼り付けることなく研削後のウエーハに高い剛性を付与できる研削方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】

【0008】

本発明の一態様のウエーハの研削方法は、保持テーブルに保持された該ウエーハの中央領域を研削ホイールで研削して凹部を形成するとともに該凹部の外周側にリング状補強部を形成する研削ステップを備え、該ウエーハは、該凹部が形成されたウエーハの変形が該リング状補強部によって抑制される厚みを備える。

【発明の効果】

【0009】

本発明によれば、サポート基板を貼り付けることなく研削後のウエーハに高い剛性を付与できる研削方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【0010】

【図1】ウエーハ表面の一例を示す斜視図である。

【図2】研削工程の一例を示す斜視図である。

【図3】研削工程後のウエーハ裏面の一例を示す斜視図である。

【図4】金属膜形成工程の一例を示す断面図である。

【図5】支持部材固定工程の一例を示す断面図である。

【図6】リング状補強部除去工程の一例を示す斜視図である。

【図7】リング状補強部除去工程の一例を示す断面図である。

【図8】分割工程の一例を示す斜視図である。

【図9】ＳＥＭＩ規格におけるウエーハの直径と厚みの関係を示す説明図である。

【図10】ウエーハの直径、厚み、直径と厚みの比の関係を示す説明図である。

【図11】ウエーハの直径と厚みの比である係数の閾値を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0011】

図面を参照しながら、本実施形態に係るウエーハの研削方法について説明する。なお、研削対象のウエーハは、特に限定しない。半導体ウエーハや光デバイスウエーハに限らず、研削対象になる板状物であればよい。

【0012】

本実施形態に係るウエーハの研削方法は、ＴＡＩＫＯ（登録商標）研削を行う研削工程を含んでいる。ＴＡＩＫＯ研削は、ウエーハの外周領域を残して薄化することにより、リング状の凸部を形成する研削加工をいう。ＴＡＩＫＯ研削によれば、薄化されたウエーハがリング状の凸部によって補強されるため、凸部が形成されない場合に比べてウエーハの変形が抑制される。なお、以降では、ウエーハの外周領域に形成されるリング状の凸部をリング状補強部と記す。

【0013】

しかしながら、従来の研削方法では、リング状補強部によって得られるウエーハの変形を抑制する効果は必ずしも万全ではなく、特に、直径が約３００ｍｍ（１２インチ）以上にもなる大口径のウエーハを薄化した場合には、ウエーハの変形が生じやすい。

【0014】

本願の発明者は、上記の課題について鋭意検討の結果、たとえ大口径のウエーハであっても、特許文献２に記載されるようなサポート基板を用いることなく、十分にそのウエーハの変形を抑制可能な新たな研削方法を見出した。

【0015】

まず、図１から図８を参照しながら、ＴＡＩＫＯ研削を行う研削工程を含むウエーハの加工手順をウエーハの変形抑制の必要性とともに説明する。

【0016】

図１は、ウエーハ１０の表面１１の一例を示す斜視図である。研削対象のウエーハ１０の表面１１には、複数のデバイス１４が形成されたデバイス領域１２が設けられている。このデバイス領域１２は、複数の分割予定ライン１５で区画されている。また、デバイス領域１２の外周側には、デバイス１４が形成されていない外周余剰領域１３が設けられている。

【0017】

即ち、ウエーハ１０の表面１１は、デバイス領域１２と、デバイス領域１２を囲繞する外周余剰領域１３と、を備えている。

【0018】

図２は、研削工程の一例を示す斜視図である。研削工程は、例えば、図２に示す研削装置によって行われる。図２に示す研削装置は、研削機構１００と保持テーブル１１０を備えている。保持テーブル１１０は、ウエーハ１０の表面１１を吸引保持するチャックテーブルであり、ウエーハ１０は、その裏面１６を研削機構１００へ向けた状態で保持テーブル１１０に保持される。

【0019】

研削機構１００のスピンドル１０１の下端にはマウント１０２が設けられ、マウント１０２の下面に多数の研削砥石１０４が環状に配設されたＴＡＩＫＯ研削用の小型の研削ホイール１０３が装着されている。環状の研削砥石１０４は、ダイヤモンド砥粒をメタルボンドやレジンボンド等の結合剤で固めて形成されていて、例えば、デバイス領域１２の半径より大きくウエーハ１０の半径より小さな外径を有している。

【0020】

研削工程では、ウエーハ１０を保持した保持テーブル１１０が図示しないモータ等によって低速回転する。さらに、環状の研削砥石１０４が配設された研削ホイール１０３が保持テーブル１１０と同方向に高速回転しながら研削機構１００が下降する。この際に、環状の研削砥石１０４が保持テーブル１１０の回転とともに回転するウエーハ１０の裏面１６の回転中心に常時接触するように制御されることで、ウエーハ１０の外周領域を残してウエーハ１０を薄化するＴＡＩＫＯ研削が行われる。

【0021】

図３は、研削工程後のウエーハ１０の裏面１６の一例を示す斜視図である。ＴＡＩＫＯ研削では、保持テーブル１１０に保持されたウエーハ１０の中央領域が、研削砥石１０４が設けられた研削ホイール１０３で研削されて薄化されるため、図２及び図３に示すように、ウエーハ１０の裏面１６に凹部１７が形成される。また、凹部１７の形成とともに、その凹部１７の外周側（ウエーハ１０の外周領域）に研削前の厚みを維持したリング状補強部１８が形成される。

【0022】

リング状補強部１８は、表面１１の外周余剰領域１３に対応する裏面１６の領域に形成される。このようなリング状補強部１８と外周余剰領域１３の位置関係は、本実施形態に係る研削工程においては、デバイス領域１２の半径より大きくウエーハ１０の半径より小さい外径を有する環状の研削砥石１０４を、ウエーハ１０の回転中心に常時接触させることによって実現されている。

【0023】

研削によって薄化されたウエーハ１０の剛性の低下は、リング状補強部１８の存在によって抑制されるものの、研削前に比べると薄化されたウエーハ１０の剛性は低下する。薄化された研削後のウエーハ１０の剛性が十分ではない場合には、ウエーハ１０に反り等の変形が生じることになる。

【0024】

このようなウエーハ１０の変形は、その後の工程における各種エラーやウエーハ１０の破損の原因となり得る。これらの望ましくない事象の発生を回避するためには、研削後のウエーハ１０の剛性を十分に確保してウエーハ１０の変形を抑制する必要がある。

【0025】

図４は、金属膜形成工程の一例を示す断面図である。研削工程後に行われる金属膜形成工程では、ウエーハ１０の裏面１６の凹部１７に、金、銀、チタン等の金属膜１９を形成する。裏面１６（凹部１７）に形成する金属膜１９は、表面１１（デバイス領域１２）に形成された各デバイス１４に対して電気的なテストを行うために設けられる。

【0026】

ウエーハ１０に金属膜１９を形成する成膜方法については特に限定しない。スパッタリング法、蒸着法、化学気相成長（ＣＶＤ）法等の任意の成膜方法が採用し得る。

【0027】

金属膜１９の裏面１６に形成された金属膜１９は、ウエーハ１０と異なる熱収縮率を有するため、金属膜１９の形成後には、熱収縮率の違いによって形成前に比べてウエーハ１０に反り等が生じやすくなる。このため、薄化された研削後のウエーハ１０の剛性が十分ではない場合には、ウエーハ１０に反り等の変形が生じることになり、また、生じる変形の大きさも、金属膜形成前よりも大きなものとなり得る。

【0028】

ウエーハ１０の大きな変形は、上述したエラーやウエーハ１０の破損を招きやすい。このため、ウエーハ１０の加工過程において金属膜が形成される場合には、研削後のウエーハ１０の剛性を十分に確保してウエーハ１０の変形を抑制することは、極めて重要である。

【0029】

金属膜形成工程後は、各デバイス１４の電気的特性がテストされる。

【0030】

図５は、支持部材固定工程の一例を示す断面図である。デバイス１４のテスト後に行われる支持部材固定工程では、ダイシングテープ２０によってウエーハ１０と支持部材であるリングフレーム２１が一体化したフレームセットを形成する。

【0031】

フレームセットの形成方法については特に限定しないが、例えば、図示しないロールテープから引き出されたダイシングテープ２０を、図５に示す貼着ローラ２０２でリングフレーム２１とウエーハ１０に押圧しながらその貼着ローラ２０２を回転させることで、ダイシングテープ２０をリングフレーム２１とウエーハ１０とに貼着させてフレームセットを形成してもよい。

【0032】

ダイシングテープ２０の貼着は、テーブル２０１によってウエーハ１０が吸引保持された状態で行われる。しかしながら、研削後のウエーハ１０の剛性不足によりウエーハ１０に反り等の変形が生じている場合には、テーブル２０１の保持面とウエーハ１０の表面１１との間に隙間が生じてしまうため、ウエーハ１０をしっかりと吸引保持することが困難となる。

【0033】

ウエーハ１０をしっかりと吸引保持することができないと、ダイシングテープ２０の貼着も困難となってしまうため、支持部材固定工程においてエラーの発生が増加してしまう。このようなエラーの発生を回避するためには、研削後のウエーハ１０の剛性を十分に確保してウエーハ１０の変形を抑制する必要がある。

【0034】

図６は、リング状補強部除去工程の一例を示す斜視図である。図７は、リング状補強部除去工程の一例を示す断面図である。フレームセットが形成されると、切削機構３００（図６及び図７参照）を備えた切削装置にフレームセットが配置される。

【0035】

切削装置では、ウエーハ１０の裏面１６が図７に示す保持テーブル３１０によって保持され、リングフレーム２１が図示しないクランプによって保持される。これにより、フレームセットは、切削機構３００に表面１１を向けた状態で切削装置に保持される。

【0036】

なお、保持テーブル３１０は、枠体３１１の凹部に埋め込まれたポーラス板３１２を備えたチャックテーブルである。図示しない吸引源の吸引動作によってポーラス板３１２の表面に発生する負圧を用いることで、ウエーハ１０は、保持テーブル３１０に吸引保持される。

【0037】

フレームセットが保持テーブル３１０に保持されると、切削装置はウエーハ１０に対してサークルカットを行う。具体的には、図６及び図７に示すように、切削機構３００は、スピンドル３０２を回転しながらウエーハ１０に向かって下降することで、切削ブレード３０１をウエーハ１０の表面１１のデバイス領域１２と外周余剰領域１３の境界に押し付けてウエーハ１０を切削する。この際、保持テーブル３１０の図示しないスピンドルであって切削機構３００のスピンドル３０２とは直交する方向に回転軸を有するスピンドルが回転することで保持テーブル３１０とともにフレームセットも回転する。

【0038】

その結果、切削機構３００の切削ブレード３０１がウエーハ１０のデバイス領域１２と外周余剰領域１３の境界に沿って円形にウエーハ１０を切削し、デバイス領域１２と外周余剰領域１３を分離する。これにより、外周余剰領域１３に対応する領域に形成されたリング状補強部１８がウエーハ１０（デバイス領域１２）から除去される。

【0039】

図８は、分割工程の一例を示す斜視図である。サークルカット後に行われる分割工程では、切削機構３００がウエーハ１０を分割予定ライン１５に沿って切断してダイシングすることで、ウエーハ１０は個々のデバイス１４が形成されたチップに分割される。

【0040】

具体的には、切削機構３００は、スピンドル３０２を回転しながらウエーハ１０に向かって下降することで、切削ブレード３０１を分割予定ライン１５に押し付けてウエーハ１０を切削する。この際、保持テーブル３１０の基台を分割予定ライン１５と平行な方向に移動させることで、分割予定ライン１５に沿ってウエーハ１０が分割される。このような処理を分割予定ライン１５毎に行うことで、ウエーハ１０は個々のデバイス１４が形成されたチップに分割される。

【0041】

次に、図９から図１１を参照しながら、薄化された研削後のウエーハ１０の剛性の低下を抑制するウエーハの研削方法について詳細に説明する。

【0042】

本願の発明者は、鋭意検討の結果、大口径のウエーハを薄化した場合にウエーハの変形が生じやすくなる原因は、薄化した研削後のウエーハをリング状補強部が十分にサポートできていないこと、つまり、リング状補強部のサポート不足にあると結論づけた。そして、ウエーハの研削方法において、薄化した研削後のウエーハを十分にサポートするリング状補強部を形成することで、大口径のウエーハを薄化した場合であってもウエーハの変形を生じ難くすることができることを見出した。

【0043】

ＴＡＩＫＯ研削において形成されるリング状補強部の厚みがウエーハの元厚に相当することを踏まえると、ウエーハの研削方法において、凹部が形成されたウエーハの変形がリング状補強部によって抑制される厚み（元厚）をウエーハが備えればよい。本実施形態に係る研削方法では、そのような条件を満たすウエーハが用いられる。

【0044】

以下では、デバイスが形成されたシリコンウエーハを用いた研削方法において、ウエーハの変形がリング状補強部によって抑制される元厚をウエーハが備える例を説明する。

【0045】

図９は、ＳＥＭＩ規格におけるウエーハの直径と厚みの関係を示す説明図である。ＳＥＭＩ規格とは、半導体の製造機器メーカーや材料メーカーなどの国際的な業界団体であるＳＥＭＩ（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａl）が定めた規格のことである。

【0046】

ＳＥＭＩ規格では、シリコンウエーハの寸法の標準仕様として、直径と厚みの関係が図９に示すように定められている。このため、市場に流通する多くのシリコンウエーハの直径と厚みの関係も図９に示す関係を満足していると考えられる。

【0047】

図１０は、ウエーハの直径、厚み、直径と厚みの比の関係を示す説明図である。背景が白い部分は、ＴＡＩＫＯ研削後に変形が生じにくいウエーハの仕様を示し、背景が黒い部分は、ＴＡＩＫＯ研削後に変形が生じやすいウエーハの仕様または実用に適しないウエーハの仕様を示している。

【0048】

なお、図１０では、直径が約３００ｍｍ（１２インチ）以上の大口径のウエーハを薄化した場合にはＴＡＩＫＯ研削が行われた場合であってもウエーハの変形が生じやすいことから、１２インチウエーハのＳＥＭＩ規格の範囲内の仕様については背景を黒く表示している。また、厚みが厚すぎるウエーハの仕様（直径３００ｍｍ、厚み１０ｍｍ）についても、研削コストの面から実用性に乏しいと判断して背景を黒く表示している。

【0049】

本願発明者は、１２インチウエーハを薄化した場合にはＴＡＩＫＯ研削が行われた場合であっても、ウエーハの変形が生じやすい点に注目し、ＴＡＩＫＯ研削が行われた１２インチウエーハを確認したところ、リング状補強部が凹部ともに変形している現象を発見し、標準仕様を満たす１２インチウエーハの厚み（元厚）の不足がリング状補強部によるウエーハのサポート不足を引き起こしていると結論づけた。

【0050】

ＳＥＭＩ規格の１２インチウエーハの仕様によれば、１２インチウエーハに関しては最大で７９５μｍの厚みを有するものが市場に流通していると考えられ、標準仕様を満たす１２インチウエーハの厚み（元厚）を超える８００μｍ以上の厚みを有するウエーハは市場に流通していない。このような一般に用いられていない８００μｍ以上の厚みを有するウエーハを用いることで、リング状補強部の厚さも従来のものよりも厚くなるため、研削後のウエーハの変形を従来よりも抑制することができる。

【0051】

従って、ウエーハの研削方法において、ウエーハの厚みは８００μｍ以上であることが望ましい。このようなＳＥＭＩ規格外のウエーハを敢えて用いることで、サポート基板を貼り付けることなく研削後のウエーハに高い剛性を付与できるため、ウエーハの変形を抑制する効果を得ることが可能である。

【0052】

また、本願の発明者は、図１０に示す関係を検討の結果、図９に示すＳＥＭＩ規格で定義された標準仕様のウエーハの元厚と直径の比率が下記に示すようにウエーハが大口径化するほど小さくなることに注目し、大口径のウエーハを薄化した場合にウエーハの変形が生じやすくなる原因として、厚みと直径の比率の低下が影響していると結論づけた。
４インチウエーハ：0.0052
５インチウエーハ：0.005
６インチウエーハ：0.0045
８インチウエーハ：0.00363
１２インチウエーハ：0.00258

【0053】

さらに、８インチウエーハまではＴＡＩＫＯ研削後にウエーハの変形が生じにくく、１２インチウエーハにおいてはＴＡＩＫＯ研削後にウエーハの変形が比較的生じやすいことから、８インチウエーハの厚みと直径の比率が維持されれば、ウエーハのサイズによらずＴＡＩＫＯ研削後にウエーハの変形を抑制することができると結論づけた。

【0054】

従って、ウエーハの研削方法においては、ウエーハは、以下の式（１）を満たすことが望ましい。
ウエーハの厚み ＞＝ ウエーハの直径 × ０．７２５／２００ ・・・（１）

【0055】

式（１）を満たすウエーハを用いることで、ウエーハのサイズ（インチ、直径）によらず、サポート基板を貼り付けることなく研削後のウエーハに高い剛性を付与できるため、ＴＡＩＫＯ研削後にウエーハの変形を抑制することが可能である。特に、直径が３００ｍｍ以上のウエーハが用いられる場合において、式（１）を満たすことが望ましい。これにより、ＳＥＭＩ規格の標準仕様を満たす１２インチウエーハを用いた場合に生じやすかった研削後のウエーハの変形を抑制することが可能となる。

【0056】

図１１は、ウエーハの直径と厚みの比である係数の閾値を示す説明図である。図１１では、上述した２つの具体例におけるウエーハの直径と厚みの比（係数）が閾値として示されている。閾値ＴＨａは、８００μｍの厚みを有する１２インチウエーハの厚みと直径の比率（係数）であり、０．００２６７である。閾値ＴＨｂは、ＳＥＭＩ規格の標準仕様を満たす１２インチウエーハの厚みと直径の比率（係数）であり、０．００３６３である。

【0057】

ウエーハの研削方法において、閾値ＴＨａ以上の比率（係数）を有するウエーハを用いることで、特に１２インチウエーハにおいて、ＴＡＩＫＯ研削後のウエーハの剛性を従来よりも高めることが可能となるため、ウエーハの変形を抑制することができる。また、閾値ＴＨｂ以上の比率（係数）を有するウエーハを用いることで、ウエーハのサイズによらず、ＴＡＩＫＯ研削後のウエーハの剛性を十分に確保することが可能となるため、ウエーハの変形をより確実に抑制することができる。

【0058】

従って、少なくとも閾値ＴＨａ以上の比率を有するウエーハを用いることで、ＴＡＩＫＯ研削後の工程においてウエーハの破損を含む各種のエラーの発生を抑制することができる。また、閾値ＴＨｂ以上の比率を有するウエーハを用いることで、ＴＡＩＫＯ研削後の工程において各種のエラーの発生をさらに抑制することができる。

【0059】

なお、ウエーハの変形に起因してＴＡＩＫＯ研削後の工程において発生する各種のエラーには、研削工程以降の工程での搬送エラー、研削工程実施後にウエーハがカセットに収容されている際にウエーハが撓んで破損するエラー、支持部材固定工程における保持テーブルに吸引保持できないエラーが含まれる。

【0060】

本発明の実施形態は上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の趣旨を逸脱しない範囲において様々に変更、置換、変形されてもよい。さらには、技術の進歩又は派生する別技術によって、本発明の技術的思想を別の仕方で実現することができれば、その方法を用いて実施されてもよい。したがって、特許請求の範囲は、本発明の技術的思想の範囲内に含まれ得る全ての実施態様をカバーしている。

【産業上の利用可能性】

【0061】

以上に説明したように、本発明のウエーハの研削方法によれば、サポート基板を貼り付けることなく研削後のウエーハに高い剛性を付与することができる。このため、特に研削後に剛性が不足しやすい大口径のウエーハの研削において非常に有用である。

【符号の説明】

【0062】

１０ ：ウエーハ
１１ ：表面
１２ ：デバイス領域
１３ ：外周余剰領域
１４ ：デバイス
１５ ：分割予定ライン
１６ ：裏面
１７ ：凹部
１８ ：リング状補強部
１９ ：金属膜
２０ ：ダイシングテープ
２１ ：リングフレーム
１００ ：研削機構
１０１ ：スピンドル
１０２ ：マウント
１０３ ：研削ホイール
１０４ ：研削砥石
１１０ ：保持テーブル
２０１ ：テーブル
２０２ ：貼着ローラ
３００ ：切削機構
３０１ ：切削ブレード
３０２ ：スピンドル
３１０ ：保持テーブル
３１１ ：枠体
３１２ ：ポーラス板
ＴＨａ、ＴＨｂ ：閾値

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10】

【図11】