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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024167391
(43)【公開日】2024-12-03
(54)【発明の名称】発光装置
(51)【国際特許分類】
H01L 33/60 20100101AFI20241126BHJP
H01L 33/62 20100101ALI20241126BHJP
【ＦＩ】
H01L33/60
H01L33/62
【審査請求】未請求
【請求項の数】16
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024152216
(22)【出願日】2024-09-04
(62)【分割の表示】P 2022068956の分割
【原出願日】2022-04-19
(71)【出願人】
【識別番号】000226057
【氏名又は名称】日亜化学工業株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100145403
【弁理士】
【氏名又は名称】山尾 憲人
(74)【代理人】
【識別番号】100138863
【弁理士】
【氏名又は名称】言上 惠一
(74)【代理人】
【識別番号】100221501
【弁理士】
【氏名又は名称】式見 真行
(72)【発明者】
【氏名】山ノ井 拓也
(57)【要約】
【課題】高い光取り出し効率を有する発光装置の提供。
【解決手段】底部と、前記底部上に位置する壁部と、により規定される凹部を有する基体と、前記凹部内に配置される発光素子と、前記基体の凹部内における前記底部の上面及び前記壁部の内側面に連続して配置される光反射性部材と、を含み、断面視において、前記壁部の前記内側面は、前記底部の上面から連続する第１面と、前記第１面よりも上方に位置する第２面と、前記第１面の上端と前記第２面の下端とを接続する第３面と、を有し、前記第２面と前記発光素子との間の最短距離は、前記第１面と前記発光素子との間の最短距離よりも大きく、前記第３面は、前記発光素子の上面よりも下方に位置し、前記光反射性部材の上端は、前記壁部の上面よりも下方に位置する、発光装置。
【選択図】図１
【解決手段】底部と、前記底部上に位置する壁部と、により規定される凹部を有する基体と、前記凹部内に配置される発光素子と、前記基体の凹部内における前記底部の上面及び前記壁部の内側面に連続して配置される光反射性部材と、を含み、断面視において、前記壁部の前記内側面は、前記底部の上面から連続する第１面と、前記第１面よりも上方に位置する第２面と、前記第１面の上端と前記第２面の下端とを接続する第３面と、を有し、前記第２面と前記発光素子との間の最短距離は、前記第１面と前記発光素子との間の最短距離よりも大きく、前記第３面は、前記発光素子の上面よりも下方に位置し、前記光反射性部材の上端は、前記壁部の上面よりも下方に位置する、発光装置。
【選択図】図１
【特許請求の範囲】
【請求項1】
底部と、前記底部上に位置する壁部と、により規定される凹部を有する基体と、
前記凹部内に配置される発光素子と、
前記基体の凹部内における前記底部の上面及び前記壁部の内側面に連続して配置される光反射性部材と、
を含み、
断面視において、
前記壁部の前記内側面は、前記底部の上面から連続する第１面と、前記第１面よりも上方に位置する第２面と、前記第１面の上端と前記第２面の下端とを接続する第３面と、を有し、
前記第２面と前記発光素子との間の最短距離は、前記第１面と前記発光素子との間の最短距離よりも大きく、
前記第３面は、前記発光素子の上面と同じ高さ、または、前記発光素子の上面よりも下方に位置し、
前記光反射性部材の上端は、前記壁部の上面よりも下方に位置する、
発光装置。
前記凹部内に配置される発光素子と、
前記基体の凹部内における前記底部の上面及び前記壁部の内側面に連続して配置される光反射性部材と、
を含み、
断面視において、
前記壁部の前記内側面は、前記底部の上面から連続する第１面と、前記第１面よりも上方に位置する第２面と、前記第１面の上端と前記第２面の下端とを接続する第３面と、を有し、
前記第２面と前記発光素子との間の最短距離は、前記第１面と前記発光素子との間の最短距離よりも大きく、
前記第３面は、前記発光素子の上面と同じ高さ、または、前記発光素子の上面よりも下方に位置し、
前記光反射性部材の上端は、前記壁部の上面よりも下方に位置する、
発光装置。
【請求項2】
前記第１面の上端と前記底部の上面との間の距離は、前記第２面の上端と前記第３面との間の距離よりも大きい、請求項１に記載の発光装置。
【請求項3】
前記光反射性部材は、前記底部の上面、前記第１面、前記第３面、及び前記第２面上に、前記第２面の上端に接しないように配置される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項4】
前記壁部の前記内側面は、さらに、前記第２面よりも上方に位置する第４面と、前記第２面の上端と前記第４面の下端とを接続する第５面と、を有し、前記第４面と前記発光素子との間の最短距離は、前記第２面と前記発光素子との間の最短距離よりも大きい、請求項１に記載の発光装置。
【請求項5】
前記第３面は、前記発光素子の上面よりも下方に位置し、
前記第５面は、前記発光素子の上面と同じ高さ、または、前記発光素子の上面よりも下方に位置する、請求項４に記載の発光装置。
前記第５面は、前記発光素子の上面と同じ高さ、または、前記発光素子の上面よりも下方に位置する、請求項４に記載の発光装置。
【請求項6】
前記第２面の上端と前記第３面との間の距離は、前記第４面の上端と前記第５面との間の距離よりも大きい、請求項４に記載の発光装置。
【請求項7】
前記底部の上面に垂直で、前記底部の上面の中心を通る任意の断面における、前記第３面の幅は、前記第５面の幅よりも大きい、請求項４に記載の発光装置。
【請求項8】
前記光反射性部材は、前記底部の上面、前記第１面、前記第３面、前記第２面、前記第５面、及び第４面上に、前記第４面の上端に接しないように配置される、請求項４に記載の発光装置。
【請求項9】
上面視において、前記第３面の外形は、略矩形状であり、
断面視において、前記第３面のうち、各辺の中央部における前記第３面と前記底部の上面との間の距離は、前記第３面のうち、各辺の端部における前記第３面と前記底部の上面との間の距離よりも小さい、請求項１に記載の発光装置。
断面視において、前記第３面のうち、各辺の中央部における前記第３面と前記底部の上面との間の距離は、前記第３面のうち、各辺の端部における前記第３面と前記底部の上面との間の距離よりも小さい、請求項１に記載の発光装置。
【請求項10】
前記光反射性部材は、前記第３面に配置され、
前記第３面の各辺の中央部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さは、前記第３面の各辺の端部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さよりも厚い、請求項９に記載の発光装置。
前記第３面の各辺の中央部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さは、前記第３面の各辺の端部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さよりも厚い、請求項９に記載の発光装置。
【請求項11】
上面視において、前記第５面の外形は、略矩形状であり、
断面視において、前記第５面のうち、各辺の中央部における前記第５面と前記底部の上面との間の距離は、前記第５面のうち、各辺の端部における前記第５面と前記底部の上面との間の距離よりも小さい、請求項８に記載の発光装置。
断面視において、前記第５面のうち、各辺の中央部における前記第５面と前記底部の上面との間の距離は、前記第５面のうち、各辺の端部における前記第５面と前記底部の上面との間の距離よりも小さい、請求項８に記載の発光装置。
【請求項12】
前記光反射性部材は、前記第５面に配置され、
前記第５面の各辺の中央部における前記第５面上の前記光反射性部材の厚さは、前記第５面の各辺の端部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さよりも厚い、請求項１１に記載の発光装置。
前記第５面の各辺の中央部における前記第５面上の前記光反射性部材の厚さは、前記第５面の各辺の端部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さよりも厚い、請求項１１に記載の発光装置。
【請求項13】
前記光反射性部材の表面と前記発光素子との間の距離は、前記壁部の下方から前記壁部の上方に向かって大きくなる、請求項１～１２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項14】
前記発光素子は、基板と、前記基板の下方に位置する半導体構造体と、を有し、
断面視において、前記光反射性部材は、前記壁部の内側面の上端と、前記壁部の内側面の上端と対向する前記発光素子の側面の下端とを結ぶ直線よりも下方に位置する、請求項１～１２のいずれか１項に記載の発光装置。
断面視において、前記光反射性部材は、前記壁部の内側面の上端と、前記壁部の内側面の上端と対向する前記発光素子の側面の下端とを結ぶ直線よりも下方に位置する、請求項１～１２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項15】
上面視において、前記光反射性部材は、前記発光素子と離隔している、請求項１～１２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項16】
さらに、前記基体上に配置される透光性部材を含み、前記透光性部材と前記光反射性部材とが離隔している、請求項１～１２のいずれか１項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
発光装置として、凹部を有する基体の内部に、ＬＥＤ等の発光素子と、かかる発光素子の光を反射する光反射性部材と、を有する発光装置が知られている。例えば、特許文献１には、凹部が形成された成形体と、凹部内にマウントされた半導体発光素子と、成形体の凹部の底面及び側面を覆うように設けられた高反射率の樹脂層と、を有する半導体発光装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２００８－０６０３４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、高い光取り出し効率を有する発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の発光装置は、底部と、前記底部上に位置する壁部と、により規定される凹部を有する基体と、前記凹部内に配置される発光素子と、前記基体の凹部内における前記底部の上面及び前記壁部の内側面に連続して配置される光反射性部材と、を含み、断面視において、前記壁部の前記内側面は、前記底部の上面から連続する第１面と、前記第１面よりも上方に位置する第２面と、前記第１面の上端と前記第２面の下端とを接続する第３面と、を有し、前記第２面と前記発光素子との間の最短距離は、前記第１面と前記発光素子との間の最短距離よりも大きく、前記第３面は、前記発光素子の上面と同じ高さ、または、前記発光素子の上面よりも下方に位置し、前記光反射性部材の上端は、前記壁部の上面よりも下方に位置する。
【発明の効果】
【0006】
本開示は、高い光取り出し効率を有する発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】実施形態１に係る発光装置１００の概略端面図である。
【図5】実施形態２に係る発光装置１０１の概略端面図である。
【図7】実施形態２に係る発光装置１０１のＶＩＩ－ＶＩＩ線における概略断面図である。
【図8】実施形態２に係る発光装置１０１のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線における概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照しながら、本開示に係る発明を実施するための実施形態を説明する。なお、以下に説明する発光装置は、本開示に係る発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本開示に係る発明を以下のものに限定しない。各図面中、同一の機能を有する部材には、同一符号を付している場合がある。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態に分けて示す場合があるが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。後述の実施形態では、前述と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については、実施形態ごとには逐次言及しないものとする。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張して示している場合もある。また、断面図として切断面のみを示す端面図を用いる場合もある。
【0009】
＜実施形態１＞
本開示に係る実施形態１の発光装置１００を、図１及び図２を用いて説明する。図１は、発光装置１００の概略端面図である。図２は、発光装置１００の概略上面図である。なお、図２では、透光性部材を省略している。図１に示す概略端面図は、発光装置１００を、図２に示すＩ－Ｉ線に沿って切断した状態を示す。図２において、Ｉ－Ｉ線は、基体１０の対向する２つの側面１０ｘ，１０ｙの中心を通る。なお、本開示の発光装置において、基体の底部側を下、透光性部材の上面側を上とする。即ち、図１において図面上側を上、下側を下とする。
本開示に係る実施形態１の発光装置１００を、図１及び図２を用いて説明する。図１は、発光装置１００の概略端面図である。図２は、発光装置１００の概略上面図である。なお、図２では、透光性部材を省略している。図１に示す概略端面図は、発光装置１００を、図２に示すＩ－Ｉ線に沿って切断した状態を示す。図２において、Ｉ－Ｉ線は、基体１０の対向する２つの側面１０ｘ，１０ｙの中心を通る。なお、本開示の発光装置において、基体の底部側を下、透光性部材の上面側を上とする。即ち、図１において図面上側を上、下側を下とする。
【0010】
図１及び図２に示すように、本開示に係る実施形態１の発光装置１００は、底部１１と、底部１１上に位置する壁部１２と、により規定される凹部１４を有する基体１０と、凹部１４内に配置される発光素子２０と、基体１０の凹部１４内における底部１１の上面１５及び壁部１２の内側面１６に連続して配置される光反射性部材３０と、を含む。断面視において、壁部１２の内側面１６は、底部１１の上面１５から連続する第１面４１と、第１面４１よりも上方に位置する第２面４２と、第１面４１の上端と第２面４２の下端とを接続する第３面４３と、を有する。第２面４２と発光素子２０との間の最短距離ｄ２は、第１面４１と発光素子２０との間の最短距離ｄ１よりも大きく、第３面４３は、発光素子２０の上面２４と同じ高さ、または、発光素子２０の上面２４よりも下方に位置し、光反射性部材３０の上端３０ａは、壁部１２の上面１２ａよりも下方に位置する。
【0011】
本開示に係る実施形態１の発光装置１００は、基体１０の上面１２ａ上に、接合部材５１を介して配置される透光性部材５０を含む。
【0012】
特許文献１に記載の発光装置は、成形体の凹部に配置される樹脂層の上端が、成形体の上面と概ね同じ高さに位置している。また、特許文献１に記載の発光装置は、成形体の凹部の側面に段差を有しており、発光素子の上面が、凹部の側面の段差より低い位置にある。そのため、特許文献１に記載の発光装置は、発光素子から出射された光のうち、上記段差及び段差よりも上側に配置された樹脂層に当たる光が多くなる。その結果、発光装置から出射された光のうち、樹脂層に反射されずに発光装置の外部に直接放出される光の割合が比較的低くなる。一方、本開示の発光装置は、光反射性部材３０の上端３０ａが壁部１２の上面１２ａよりも下方に位置し、かつ、壁部の第３面４３が、発光素子２０の上面２４と同じ高さ、または、発光素子２０の上面２４よりも下方に位置することから、発光素子２０から出射される光のうち、光反射性部材３０に反射されることなく、発光装置の外部に直接放出される光の割合が高くなる。これにより、発光装置の光取り出し効率を向上させることができる。
【0013】
（基体）
基体１０は、底部１１と、底部１１上に位置する壁部１２と、を有する。底部１１と壁部１２によって凹部１４を規定している。また、基体１０は、凹部１４における底部１１の上面１５上に配置された配線層１７、及び底部１１の下面１８上に配置された外部電極１９を含み得る。
基体１０は、底部１１と、底部１１上に位置する壁部１２と、を有する。底部１１と壁部１２によって凹部１４を規定している。また、基体１０は、凹部１４における底部１１の上面１５上に配置された配線層１７、及び底部１１の下面１８上に配置された外部電極１９を含み得る。
【0014】
図２に示すように、上面視において、基体１０の壁部１２の外縁の形状は、略矩形である。該矩形の各角部は、円弧状に取り除かれた形状である。角部は、直角、丸みを有する形状であってもよい。また、上面視において、第３面４３の内縁の形状、及び第３面４３の外縁の形状は、略矩形である。該矩形の各角部は、丸みを有する形状である。第３面４３の内縁及び外縁の形状は、角部が直角であってもよい。
【0015】
なお、本開示の発光装置において、基体の壁部の外縁の形状は、上記の略矩形に限定されるものではなく、例えば円形等の既知のいずれの形状であってもよい。また、第３面の内縁の形状、及び外縁の形状も、上記の略矩形に限定されるものではなく、例えば基体の壁部の外縁の形状に沿った形状であってもよい。
【0016】
断面視において、壁部１２の内側面１６は、底部１１の上面１５から連続する第１面４１と、第１面４１よりも上方に位置する第２面４２と、第１面４１の上端と第２面４２の下端とを接続する第３面４３と、を有する。第２面４２と発光素子２０との間の最短距離ｄ２は、第１面４１と発光素子２０との間の最短距離ｄ１よりも大きい。第１面４１、第２面４２、及び第３面４３が、上記のように接続されることにより、壁部１２の内側面１６に段差が形成される。壁部１２の内側面１６に段差を配置することにより、発光装置の製造時における光反射性部材の這い上がり、特に壁部１２の上面１２ａへの這い上がりを抑制することができる。
【0017】
第１面４１は、底部１１の上面１５に対して、略垂直に配置され得る。同様に、第２面４２は、底部１１の上面１５に対して、略垂直に配置され得る。本明細書において、略垂直とは、厳密に９０°である場合に限定されず、９０°±３°程度の範囲の角度も含み得る。
【0018】
第１面４１の上端、及び第２面４２の下端は、底部１１の上面１５に対して、実質的に同じ高さに位置する。即ち、第１面４１の上端と第２面４２の下端とを接続する第３面４３は、底部１１の上面１５と略平行に配置され得る。本明細書において、略平行とは、厳密に平行である場合に限定されず、平行からのずれが±３°程度の範囲である場合も含み得る。
【0019】
実施形態１の発光装置１００において、第２面４２の上端は、壁部の上面１２ａの内周縁と一致する。
【0020】
断面視において、第２面４２と発光素子２０との間の最短距離ｄ２は、第１面４１と発光素子２０との間の最短距離ｄ１よりも大きい。換言すれば、断面視において、第２面４２は、第１面４１よりも、基体１０の外側に位置する。典型的には、最短距離ｄ２と最短距離ｄ１との差（即ち、最短距離ｄ２－最短距離ｄ１）は、第３面４３の幅と同じである。
【0021】
第１面４１と発光素子２０との間の最短距離ｄ１は、特に限定されない。第１面４１と発光素子２０との間の最短距離ｄ１は、例えば、０．２ｍｍ以上、好ましくは０．３ｍｍ以上であり得る。最短距離ｄ１を、かかる範囲とすることにより、第１面４１と発光素子２０との間の空間が広くなり、光反射性部材３０の配置の自由度が向上する。これにより、光反射性部材３０と発光素子２０の側面との間の空間が広くなり、発光素子２０の側面から出射される光が光反射性部材３０によって反射されて再び発光素子２０内に入射することなく、発光装置１００の外部に取り出されやすくなることから、発光装置１００の光取り出し効率をより高めることができる。また、最短距離ｄ１は、例えば、２．０ｍｍ以下、好ましくは１．０ｍｍ以下であり得る。最短距離ｄ１を、かかる範囲とすることにより、発光装置１００の小型化が容易になる。一の態様において、最短距離ｄ１は、０．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下、好ましくは０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、例えば０．６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であり得る。
【0022】
第１面４１と発光素子２０との間の最短距離ｄ１に対する、基体の壁部の上面１２ａと底部１１の上面１５との間の距離ｈ０の比（ｈ０／ｄ１）は、好ましくは０．５以上、より好ましくは１．０以上、さらに好ましくは１．２以上であり得る。最短距離ｄ１に対する距離ｈ０の比を、上記の範囲とすることにより、壁部の内側面と発光素子の距離が近くなり、発光装置の小型化が容易になる。また、最短距離ｄ１に対する距離ｈ０の比（ｈ０／ｄ１）は、好ましくは１０．０以下、より好ましくは６．０以下、さらに好ましくは３．０以下であり得る。最短距離ｄ１に対する距離ｈ０の比を、かかる範囲とすることにより、発光素子２０の側面から出射される光が第１面４１に配置される光反射性部材３０に反射されることなく、発光装置１００の外部に直接取り出されやすくなることから、発光装置１００の光取り出し効率をより高めることができる。一の態様において、最短距離ｄ１に対する距離ｈ０の比（ｈ０／ｄ１）は、０．５以上１０．０以下、好ましくは１．０以上６．０以下、より好ましくは１．２以上３．０以下であり得る。
【0023】
断面視における第３面４３の幅ｗ１は、特に限定されない。断面視における第３面４３の幅ｗ１は、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは０．０２ｍｍ以上であり得る。第３面４３の幅ｗ１を、上記の範囲とすることにより、製造時における壁部１２の上面１２ａへの光反射性部材３０の這い上がりを、より抑制することができる。また、第３面４３の幅ｗ１は、例えば、０．５ｍｍ以下、好ましくは０．１ｍｍ以下であり得る。第３面４３の幅ｗ１を、上記の範囲とすることにより、発光装置１００における凹部内の空間が占める割合をより大きくすることができるため、光反射性部材３０の配置の自由度が向上する。これにより、光反射性部材３０と発光素子２０の側面との間の空間を広く確保することができるため、発光素子２０の側面から出射される光が光反射性部材３０によって反射されて再び発光素子２０内に入射することなく、発光装置１００の外部に取り出しやすくすることができる。一の態様において、第３面４３の幅ｗ１は、０．０１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下、好ましくは０．０２ｍｍ以上０．１ｍｍ以下であり得る。
【0024】
第２面４２と発光素子２０との間の最短距離ｄ２は、上記最短距離ｄ１に上記幅ｗ１を加えたものであり得る。
【0025】
断面視において、壁部１２の第３面４３は、発光素子２０の上面２４と同じ高さ、または、発光素子２０の上面２４よりも下方に位置する。換言すれば、第１面４１の上端と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１は、発光素子２０の上面２４と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１０と同じ、または、発光素子２０の上面２４と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１０よりも小さい。好ましくは、壁部１２の第３面４３は、発光素子２０の上面２４よりも下方に位置する。壁部１２の第３面４３を、発光素子２０の上面２４と同じ高さ、または、発光素子２０の上面２４よりも下方に配置することにより、発光素子２０から出射されて壁部１２の上方に向かう光が、光反射性部材３０に反射されることなく、発光装置１００から直接放出されやすくなる。即ち、発光素子２０の発光層の側面と壁部１２の上面１２ａの内縁との間に、直線的な光路が広く確保される。従って、発光素子２０から出射される光のうち、光反射性部材３０に反射されることなく、発光装置１００の上方に直接放出される光の割合が高くなり、発光装置１００の光取り出し効率を高めることができる。
【0026】
断面視における、発光素子２０の上面２４と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１０と、第１面４１の上端と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１との差は、特に限定されない。発光素子２０の上面２４と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１０と、第１面４１の上端と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１との差は、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは０．０２ｍｍ以上であり得る。距離ｈ１０と距離ｈ１との差を、かかる範囲とすることにより、発光装置１００の光取り出し効率をより高くすることができる。また、距離ｈ１０と距離ｈ１との差は、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは０．５ｍｍ以下であり得る。一の態様において、距離ｈ１０と距離ｈ１との差は、０．０１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、好ましくは０．０２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であり得る。
【0027】
断面視において、第１面４１の上端と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１は、第２面４２の上端と第３面４３との間の距離ｈ２より、大きくてもよい。距離ｈ１を距離ｈ２より大きくすることにより、壁部の内側面１６におけるｈ１の割合が大きくなり、第３面４３の位置が高くなる。第３面４３は、発光装置１００の製造時における壁部１２の上面１２ａへの光反射性部材３０の這い上がりを抑制することから、光反射性部材３０は、典型的には、第３面４３の内縁付近まで形成される。従って、本開示の発光装置１００のように第３面４３を有する場合は、第３面４３が高い位置にあるほど、光反射性部材３０をより高い位置まで配置することが容易になる。
【0028】
断面視における、第２面４２の上端と第３面４３との間の距離ｈ２に対する第１面４１の上端と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１の比（ｈ１／ｈ２）は、好ましくは１．０１以上、より好ましくは１．５以上、さらに好ましくは３．０以上であり得る。距離ｈ２に対する距離ｈ１の比を、かかる範囲とすることにより、光反射性部材３０をより高い位置まで形成することが容易になる。また、距離ｈ２に対する距離ｈ１の比（ｈ１／ｈ２）は、好ましくは１６．０以下、より好ましくは８．０以下、さらに好ましくは４．０以下であり得る。距離ｈ２に対する距離ｈ１の比を、かかる範囲とすることにより、第３面４３と壁部の上面１２ａとの距離が大きくなり、光反射性部材３０の、壁部の上面１２ａへの這い上がりをより抑制することができる。一の態様において、距離ｈ２に対する距離ｈ１の比（ｈ１／ｈ２）は、１．０１以上１６．０以下、好ましくは１．５以上８．０以下、より好ましくは３．０以上４．０以下であり得る。
【0029】
基体１０の母材１３は、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂、木材、パルプ等の絶縁材料、半導体、金属（例えば、銅、銀、金、アルミニウム等）等の導電材料の単一材料及びこれらの複合材料によって形成することができる。母材１３の材料は、好ましくは金属、セラミックス等であり、より好ましくは無機材料であるセラミックスであり得る。上記セラミックスとしては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、ムライト等が挙げられる。上記セラミックスは、好ましくは放熱性の高い窒化アルミ二ウムであり得る。母材１３の底部１１と壁部１２とは、同一材料で構成されていてもよく、あるいは、それぞれ異なる部材で構成されていてもよい。
【0030】
図３に示すように、母材１３は、積層構造を有していてもよい。例えば、母材１３は、第１層１０ａと、第２層１０ｂと、第３層１０ｃとが積層されたものであってもよい。かかる態様において、第１層１０ａは、底部１１を構成し、第２層１０ｂ及び第３層１０ｃは、壁部１２を構成し得る。第２層１０ｂの一部は、第１面４１及び第３面４３を構成する。第３層１０ｃの一部は、第２面４２及び壁部の上面１２ａを構成する。各層は、さらに、複数の層から構成される積層構造を有していてもよい。
【0031】
基体１０は、配線層１７と外部電極１９とを含む。図４に示すように、配線層１７は、底部１１の上面１５に配置され、後述する発光素子２０の電極２３と電気的に接続される。尚、図４における一点鎖線は、発光素子２０を配置したときの発光素子２０の外縁を示す。配線層１７は、底部１１の上面１５において、その厚みによる段差によって、光反射性部材３０を堰き止める機能を有し得る。例えば、図４に示す例においては、配線層１７は、発光素子２０の外縁と壁部の第１面４１との間に位置する外縁１７ｂを備えており、底部１１の上面１５において、配線層１７は、その外縁１７ｂの段差により、光反射性部材３０が第１面４１側から発光素子２０側に流れることを抑制することができる。外部電極１９は、底部１１の下面１８に配置される。底部１１は、貫通孔を有しており、配線層１７と外部電極１９とは、貫通孔内に配置される内部配線により電気的に接続される。発光装置１００は、外部電極１９によって外部と電気的に接続される。
【0032】
（発光素子）
発光素子２０は、凹部１４内において、基体１０の底部１１上に配置される。発光素子２０は、好ましくは基体１０の底部１１の中心に配置される。なお、本開示の発光装置において、複数個の発光素子が基体１０の底部１１上に配置されていてもよい。
発光素子２０は、凹部１４内において、基体１０の底部１１上に配置される。発光素子２０は、好ましくは基体１０の底部１１の中心に配置される。なお、本開示の発光装置において、複数個の発光素子が基体１０の底部１１上に配置されていてもよい。
【0033】
図２に示す発光素子２０の上面視における形状は矩形である。なお、本開示の発光装置において、発光素子２０の上面視における形状は、いずれの形状であってもよい。発光素子２０の上面視における形状は、例えば、三角形、六角形等の多角形等であってもよい。
【0034】
上面視において、発光素子２０の外縁の形状である矩形のうち、対向する２辺は、基体１０の外縁の形状である矩形のうち、対向する２辺と平行である。また、発光素子２０の外縁のうち、別の対向する２辺は、基体１０の外縁のうち、別の対向する２辺と平行である。なお、発光素子２０及び基体１０の外縁の形状を矩形とし、上面視において、発光素子２０の外縁のうち対向する２辺が基体１０の外縁の２辺と平行な状態から、発光素子２０の外縁を基体１０の底部１１の中心を通る中心軸に対して４５度回転させた配置としてもよい。
【0035】
発光素子２０は基板２１と半導体層２２を含む。基板２１は、半導体層２２を構成する半導体の結晶を成長可能な結晶成長用基板であり得る。基板２１は、例えば、サファイア基板、又は窒化ガリウム基板である。半導体層２２は、例えば、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層及びｐ型半導体層の間に配置される発光層と、を含む。
【0036】
図１に示すように、実施形態１の発光装置１００において、半導体層２２の下面に２つの電極２３が配置され、それぞれ、配線層１７と電気的に接続される。半導体層２２の下面に配置された２つ電極２３は、いわゆるｐ電極とｎ電極である。ｐ電極は、ｐ型半導体層と電気的に接続されている。ｎ電極は、ｎ型半導体層と電気的に接続されている。
【0037】
半導体層２２は、ダブルヘテロ接合であってもよい。発光層は、単一量子井戸(ＳＱＷ)等の構造を有していてもよいし、多重量子井戸(ＭＱＷ)のように複数の井戸層をもつ構造を有していてもよい。半導体層２２は、可視光または紫外光を発光可能に構成されている。このような発光層を含む半導体層２２は、例えばＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含むことができる。半導体層２２が出射する光のピーク波長は、例えば、２５０ｎｍ以上６３０ｎｍ以下の範囲である。
【0038】
（光反射性部材）
光反射性部材３０は、発光素子２０から出射された光を反射させる。光反射性部材３０で反射された光が発光装置１００から取り出される方向は、基体１０の上方である。
光反射性部材３０は、発光素子２０から出射された光を反射させる。光反射性部材３０で反射された光が発光装置１００から取り出される方向は、基体１０の上方である。
【0039】
光反射性部材３０は、基体１０の壁部１２の内側面１６に沿って、基体１０の底部１１の上面１５上と、壁部の内側面１６上に連続して配置されている。
【0040】
図１に示すように、実施形態１の発光装置１００において、光反射性部材３０は、底部１１の上面１５の一部、第１面４１の全面、第３面４３の全面、及び第２面４２の一部上に連続して配置され、かつ、第２面４２の上端に接しないように配置される。
【0041】
なお、本開示の発光装置において、光反射性部材３０の配置は、図１に示す例に限定されない。例えば、光反射性部材３０は、底部１１の上面１５の一部、第１面４１の全面、及び第３面４３の一部上に連続して配置され、かつ、第２面４２上に配置されていなくてもよい。また、光反射性部材３０は、底部１１の上面１５の一部、及び第１面４１上に連続して配置され、かつ、第２面４２及び第３面４３上には配置されていなくてもよい。
【0042】
底部１１の上面１５のうち光反射性部材３０が配置される領域は、底部１１の上面１５と第１面４１との接続部から、底部１１の上面１５の中心方向へ、０．１ｍｍ以上１．８ｍｍ以下、好ましくは０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の領域であり得る。
【0043】
第２面４２の上端と光反射性部材３０の上端３０ａとの間の距離は、好ましくは０．０５ｍｍ以上、より好ましくは０．１ｍｍ以上、さらに好ましくは０．１５ｍｍ以上であり得る。第２面４２の上端と光反射性部材３０の上端３０ａとの間の距離をかかる範囲とすることにより、発光素子２０から壁部１２の上方に向かう光のうち、光反射性部材３０に反射されることなく、発光装置の外部に直接放出される光が増加するため、発光装置の光取り出し効率が向上する。第２面４２の上端と光反射性部材３０の上端３０ａとの間の距離は、好ましくは０．５ｍｍ以下、より好ましくは０．４ｍｍ以下、さらに好ましくは０．３ｍｍ以下であり得る。第２面４２の上端と光反射性部材の上端３０ａとの間の距離をかかる範囲とすることにより、壁部の内側面１６のより広範囲を光反射性部材３０により覆うことができ、発光装置の光取り出し効率が向上する。
【0044】
図２に示すように、上面視において、光反射性部材３０は、発光素子２０の周囲を囲むように連続して配置され得る。光反射性部材３０を発光素子２０の周囲を囲むように配置することにより、発光素子２０から出射された光のより多くを、反射することができ、発光装置の光取り出し効率が向上する。
【0045】
上面視において、光反射性部材３０は、好ましくは、発光素子２０と離隔して配置され得る。上面視において、光反射性部材３０と発光素子２０との間の最短距離は、好ましくは０．１ｍｍ以上１．５ｍｍ以下、好ましくは０．２ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり得る。
【0046】
光反射性部材３０の表面と発光素子２０との間の最短距離は、基体１０の壁部１２の下方から壁部１２の上方に向かって大きくなり得る。
【0047】
断面視において、光反射性部材３０の表面は、基体１０の外縁側に向かって窪んだ凹曲面を有し得る。光反射性部材３０の表面を凹曲面とすることにより、発光素子２０から出射された光を、より効率的に上方に反射することができる。
【0048】
本開示の発光装置において、光反射性部材の表面は、凹曲面を有するものに限定されない。例えば、断面視において、光反射性部材３０の表面は、発光素子２０に向かって膨らむ凸曲面を有し得るものであってもよい。また、断面視において、光反射性部材３０の表面は、直線状であってもよい。表面が直線状である光反射性部材３０は、その表面と発光素子２０との間の距離が、壁部１２の下方から壁部１２の上方に向かって一定の割合で大きくなる。
【0049】
断面視において、光反射性部材３０は、壁部１２の内側面１６と対向する発光素子２０の半導体層２２の側面の下端Ｐ１と、壁部１２の内側面１６の上端Ｐ２とを結ぶ直線よりも下方に位置する。光反射性部材３０を、Ｐ１とＰ２とを結ぶ直線よりも下方に配置することにより、発光素子２０から出射される光のうち、発光装置の外部に直接放出される光の割合が高くなり、発光装置の光取り出し効率が高くなる。
【0050】
光反射性部材３０は、基体１０の母材１３よりも発光素子２０から出射される光に対する反射率が高いものであれば、特に限定されない。
【0051】
光反射性部材３０は、例えば、樹脂中に光拡散材を含有させた部材であってもよく、複数の無機材料が含有された部材であってもよい。
【0052】
上記樹脂中に光拡散材を含有させた部材において、樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、又はアクリル樹脂等が用いられる。また、光拡散材としては、例えば、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、又は酸化亜鉛等が用いられる。
【0053】
上記複数の無機材料が混ざり合った部材は、光反射材と、光反射材を支持する支持部材と、を含む。
【0054】
光反射材は、例えば、窒化ホウ素又は酸化アルミニウムであり得る。光反射材としての窒化ホウ素又は酸化アルミニウムは、紫外光から可視光までの光を反射させることができる。
【0055】
光反射材は、一次粒子であってもよく、又は、２個以上の一次粒子が凝集した二次粒子であってもよい。また、光反射材は、一次粒子と二次粒子とを含んでいてもよい。
【0056】
光反射材の粒子は、好ましくは、板状の粒子であり得る。
【0057】
光反射材の平均粒径は、好ましくは、０．６μｍ以上４３μｍ以下であり得る。光反射材が窒化ホウ素である場合、光反射材の平均粒径は、例えば、６μｍ以上４３μｍ以下である。光反射材が酸化アルミニウムである場合、光反射材の平均粒径は、例えば、０．６μｍ以上１０μｍ以下である。
【0058】
光反射材の平均粒径は、株式会社日立ハイテクノロジーズ製の走査電子顕微鏡「ＴＭ３０３０Ｐｌｕｓ」を用いて算出される。
まず、カーボン製の両面テープの一方の面を該顕微鏡の試料台に貼りつけ、その後、両面テープの他方の面に光反射材を配置する。顕微鏡の画素数を１２３万画素に設定し、倍率を１０００倍から２０００倍に設定し、１００個の光反射材の粒子の画像を取得する。その後、画像解析ソフトウェアにより各粒子の粒径を測定する。本明細書において、光反射材の粒径は、光反射材の一の主面から見たときの直径のうち最大の直径である。次に、測定した粒子のメジアン径を算出し、該算出値を光反射材の平均粒径とする。また、光反射材の粒径は、ＳＥＭにより光反射性部材の断面を抽出し、画像解析ソフトウェアにより測定して算出してもよい。
まず、カーボン製の両面テープの一方の面を該顕微鏡の試料台に貼りつけ、その後、両面テープの他方の面に光反射材を配置する。顕微鏡の画素数を１２３万画素に設定し、倍率を１０００倍から２０００倍に設定し、１００個の光反射材の粒子の画像を取得する。その後、画像解析ソフトウェアにより各粒子の粒径を測定する。本明細書において、光反射材の粒径は、光反射材の一の主面から見たときの直径のうち最大の直径である。次に、測定した粒子のメジアン径を算出し、該算出値を光反射材の平均粒径とする。また、光反射材の粒径は、ＳＥＭにより光反射性部材の断面を抽出し、画像解析ソフトウェアにより測定して算出してもよい。
【0059】
支持部材は、好ましくは、シリカ及びアルカリ金属を含み得る。
【0060】
光反射性部材３０に含まれるシリカと光反射材との含有比率は、質量比で、例えば、１：４～１：１である。すなわち、光反射性部材３０に含まれる光反射材の質量は、光反射性部材３０に含まれるシリカの質量の、例えば、１～４倍である。シリカと光反射材との含有比率を、１：４～１：１とすることにより、製造時の硬化性を維持しつつ、収縮を低減させることができる。
【0061】
光反射性部材３０に含まれるアルカリ金属は、例えば、カリウム及びナトリウムの一方または両方であり得る。
【0062】
光反射性部材３０は、好ましくは、さらに散乱材を含み得る。光反射性部材３０が散乱材を含むことにより、光反射性部材３０の光反射率が向上する。
【0063】
光反射性部材３０に含まれる散乱材は、例えば、酸化ジルコニウム又は酸化チタンを含む散乱材であり得る。光反射性部材３０中の散乱材は、支持部材のシリカ中に分散して存在する。
【0064】
発光素子２０が紫外光を出射する場合は、散乱材は、好ましくは、紫外波長領域の光吸収の少ない酸化ジルコニウムを含み得る。散乱材に含まれる酸化ジルコニウムは、酸化ジルコニウム単体であってもよく、酸化ジルコニウムの表面にシリカ、酸化アルミニウム、亜鉛、有機等のうちいずれか１又は２以上で構成される被覆膜が被覆されたものであってもよい。また、散乱材に含まれる酸化ジルコニウムは、カルシウムやマグネシウム、イットリウム、アルミニウム等が添加された安定化酸化ジルコニウムや、部分安定化酸化ジルコニウムであってもよい。
【0065】
散乱材に含まれる酸化チタンは、酸化チタン単体であってもよく、酸化チタンの表面に、シリカ、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、亜鉛、有機等のうちいずれか１又は２以上で構成される被覆膜が被覆されたものであってもよい。
【0066】
散乱材の平均粒径は、光反射材の平均粒径より小さいことが望ましい。散乱材の平均粒径を、光反射材の平均粒径より小さくすることにより、光反射材同士の隙間に散乱材が配置されやすくなるため、発光素子２０から出射された光が光反射材同士の隙間を介して光反射性部材３０を透光することを抑制できる。散乱材の平均粒径は、レーザ回析法で測定される。
【0067】
（透光性部材）
実施形態１の発光装置１００は、基体１０上に配置される透光性部材５０を含む。透光性部材５０は、接合部材５１により基体１０上に接続される。透光性部材５０は、光反射性部材３０と離隔して配置される。なお、透光性部材５０は、本開示の発光装置において必須の要素ではなく、有していなくてもよい。
実施形態１の発光装置１００は、基体１０上に配置される透光性部材５０を含む。透光性部材５０は、接合部材５１により基体１０上に接続される。透光性部材５０は、光反射性部材３０と離隔して配置される。なお、透光性部材５０は、本開示の発光装置において必須の要素ではなく、有していなくてもよい。
【0068】
透光性部材５０は、発光素子２０から出射される光を透過する部材であり、好ましくは発光素子２０から出射される光の６０％以上、より好ましくは７０％以上を透過する部材であり得る。
【0069】
透光性部材５０は、透光性の樹脂材料、無機材料等を含む透光性部材である。上記樹脂材料としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、及び、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂などの熱可塑性樹脂が挙げられる。上記無機材料としては、ガラス、サファイア等が挙げられる。
【0070】
透光性部材５０は、蛍光体を含んでいてもよい。
【0071】
上記蛍光体としては、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ４Ａｌ１４Ｏ２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ８ＭｇＳｉ４Ｏ１６Ｃｌ２：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）３（Ｏ，Ｎ）４：Ｅｕ）、αサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ３Ｎ４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ２Ｓｉ０．９９Ａｌ０．０１Ｆ５．９９：Ｍｎ）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体、ペロブスカイト構造を有する蛍光体（例えば、ＣｓＰｂ（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）３）、又は、量子ドット蛍光体（例えば、ＣｄＳｅ、ＩｎＰ、ＡｇＩｎＳ２又はＡｇＩｎＳｅ２）等を用いることができる。透光性部材５０に添加する蛍光体としては、１種類の蛍光体を用いてもよく、複数種類の蛍光体を用いてもよい。
【0072】
接合部材５１としては、例えば、はんだ（例えば、Ａｕ－Ｓｎ、Ａｕ－Ｉｎ）、低融点ガラス、樹脂（例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂）のような接着剤などを用いることができる。
【0073】
（封止部材）
発光装置は、基体１０の凹部１４内に、発光素子２０を封止する封止部材が配置されていてもよい。封止部材の母材として例えば、シリコーン樹脂等を用いることができる。封止部材は、蛍光体が含有されていてもよい。凹部１４内に配置される封止部材は、光反射性部材３０、配線層１７等、基体１０の底部１１上に配置される部材を封止し得る。
発光装置は、基体１０の凹部１４内に、発光素子２０を封止する封止部材が配置されていてもよい。封止部材の母材として例えば、シリコーン樹脂等を用いることができる。封止部材は、蛍光体が含有されていてもよい。凹部１４内に配置される封止部材は、光反射性部材３０、配線層１７等、基体１０の底部１１上に配置される部材を封止し得る。
【0074】
＜実施形態２＞
本開示に係る実施形態２の発光装置１０１を、図５及び図６を用いて説明する。図５は、発光装置１０１の概略端面図である。図６は、発光装置１０１の概略上面図である。図５に示す概略端面図は、発光装置１０１を、図６に示すＶ－Ｖ線に沿って高さ方向に切断した状態を示す。図６において、Ｖ－Ｖ線は、基体１０の対向する２つの側面１０ｘ，１０ｙの中心を通る。
本開示に係る実施形態２の発光装置１０１を、図５及び図６を用いて説明する。図５は、発光装置１０１の概略端面図である。図６は、発光装置１０１の概略上面図である。図５に示す概略端面図は、発光装置１０１を、図６に示すＶ－Ｖ線に沿って高さ方向に切断した状態を示す。図６において、Ｖ－Ｖ線は、基体１０の対向する２つの側面１０ｘ，１０ｙの中心を通る。
【0075】
図５及び図６に示すように、本開示に係る実施形態２の発光装置１０１は、第２面４２よりも上方に位置する第４面４４と、第２面４２の上端と第４面４４の下端とを接続する第５面４５と、を有し、第４面４４と発光素子２０との間の最短距離ｄ５は、第２面４２と発光素子２０との間の最短距離ｄ４よりも大きい点で、上記実施形態１にかかる発光装置１００と主に異なる。
【0076】
図５に示すように、発光装置１０１の基体１０の壁部１２の内側面１６は、断面視において、底部１１の上面１５から連続する第１面４１と、第１面４１よりも上方に位置する第２面４２と、第１面４１の上端と第２面４２の下端とを接続する第３面４３と、第２面４２よりも上方に位置する第４面４４と、第２面４２の上端と第４面４４の下端とを接続する第５面４５と、を有する。第２面４２と発光素子２０との間の最短距離ｄ４は、第１面４１と発光素子２０との間の最短距離ｄ３よりも大きい。第４面４４と発光素子２０との間の最短距離ｄ５は、第４面４４と発光素子２０との間の最短距離ｄ４よりも大きい。第１面４１、第２面４２、第３面４３、第４面４４、及び第５面４５は、上記のように接続されることにより、壁部の内側面１６に２つの段差を形成する。壁部の内側面１６に２つの段差を配置することにより、壁部の内側面１６に段差が配置されていない場合よりも少ない量の光反射性部材３０により壁部の内側面１６を覆うことができる。また、実施形態１に係る発光装置１００と同様に、発光装置の製造時における光反射性部材３０の這い上がり、特に壁部の上面１２ａへの這い上がりを抑制することができる。
【0077】
第１面４１は、底部１１の上面１５に対して、略垂直に配置され得る。同様に、第２面４２、及び第４面４４も、底部１１の上面１５に対して、略垂直に配置され得る。
【0078】
第１面４１の上端と、第２面４２の下端とは、底部１１の上面１５に対して、実質的に同じ高さに位置する。即ち、第１面４１の上端と第２面４２の下端とを接続する第３面４３は、底部１１の上面１５と略平行に配置され得る。第２面４２の上端と、第４面４４の下端とは、底部１１の上面１５に対して、実質的に同じ高さに位置する。即ち、第２面４２の上端と第４面４４の下端とを接続する第５面４５は、底部１１の上面１５と略平行に配置され得る。
【0079】
実施形態２の発光装置１０１において、第４面４４の上端は、壁部の上面１２ａの内周縁と一致する。
【0080】
断面視において、第２面４２と発光素子２０との間の最短距離ｄ４は、第１面４１と発光素子２０との間の最短距離ｄ３よりも大きい。換言すれば、断面視において、第２面４２は、第１面４１よりも、基体１０の外側に位置する。典型的には、最短距離ｄ４と最短距離ｄ３との差（即ち、最短距離ｄ４－最短距離ｄ３）は、第３面４３の幅ｗ２と同じである。
【0081】
断面視において、第４面４４と発光素子２０との間の最短距離ｄ５は、第２面４２と発光素子２０との間の最短距離ｄ４よりも大きい。換言すれば、断面視において、第４面４４は、第２面４２よりも、基体１０の外側に位置する。典型的には、最短距離ｄ５と最短距離ｄ４との差（即ち、最短距離ｄ５－最短距離ｄ４）は、第５面４５の幅ｗ３と同じである。
【0082】
第１面４１と発光素子２０との間の最短距離ｄ３は、特に限定されないが、好ましくは０．２ｍｍ以上、より好ましくは０．３ｍｍ以上であり得る。最短距離ｄ３を、かかる範囲とすることにより、第１面４１と発光素子２０との間の空間が広くなり、光反射性部材３０の配置の自由度が向上する。これにより、光反射性部材３０と発光素子２０の側面との間の空間が広くなり、発光素子２０の側面から出射される光が光反射性部材３０によって反射されて再び発光素子２０内に入射することなく、発光装置１０１の外部に取り出しやすくなることから、発光装置１０１の光取り出し効率をより高めることができる。また、最短距離ｄ３は、特に限定されないが、好ましくは２．０ｍｍ以下、より好ましくは１．０ｍｍ以下であり得る。最短距離ｄ３を、かかる範囲とすることにより、発光装置１０１の小型化が容易になる。一の態様において、距離ｄ３は、０．２ｍｍ以上２．０ｍｍ以下、好ましくは０．３ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、例えば０．６ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であり得る。
【0083】
第１面４１と発光素子２０との間の最短距離ｄ３に対する、基体の壁部の上面１２ａと底部１１の上面１５との間の距離ｈ０の比（ｈ０／ｄ３）は、好ましくは０．５以上、より好ましくは１．０以上、さらに好ましくは１．２以上であり得る。最短距離ｄ１に対する距離ｈ０の比を、上記の範囲とすることにより、壁部１１の内側面１６と発光素子２０の距離が近くなり、発光装置１０１の小型化が容易になる。また、最短距離ｄ３に対する距離ｈ０の比（ｈ０／ｄ３）は、好ましくは１０．０以下、より好ましくは６．０以下、さらに好ましくは３．０以下であり得る。最短距離ｄ３に対する距離ｈ０の比を、１０．０以下とすることにより、発光素子２０の側面から出射される光が第１面４１に配置される光反射性部材３０に反射されることなく、発光装置１０１の外部に取り出しやすくなることから、発光装置１０１の光取り出し効率をより高めることができる。一の態様において、最短距離ｄ１に対する距離ｈ０の比（ｈ０／ｄ３）は、０．５以上１０．０以下、好ましくは１．０以上６．０以下、より好ましくは１．２以上３．０以下であり得る。
【0084】
断面視における第３面４３の幅ｗ２は、特に限定されないが、好ましくは０．０１ｍｍ以上、より好ましくは０．０５ｍｍ以上であり得る。第３面４３の幅ｗ２を、上記の範囲とすることにより、製造時における光反射性部材の這い上がりを、より抑制することができる。また、第３面４３の幅ｗ２は、特に限定されないが、好ましくは２．０ｍｍ以下、より好ましくは１．０ｍｍ以下であり得る。第３面４３の幅ｗ２を、上記の範囲とすることにより、発光装置１０１における凹部内の空間が占める割合をより大きくすることができるため、光反射性部材３０の配置の自由度が向上する。これにより、光反射性部材３０と発光素子２０の側面との間の空間を広く確保することができるため、発光素子２０の側面から出射される光が光反射性部材３０によって反射されて再び発光素子２０内に入射することなく、発光装置１０１の外部に取り出しやすくすることができる。一の態様において、第３面４３の幅ｗ２は、０．０１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下、好ましくは０．０５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり得る。
【0085】
断面視における第５面４５の幅ｗ３は、特に限定されないが、好ましくは０．０１ｍｍ以上、より好ましくは０．０２ｍｍ以上であり得る。第５面４５の幅ｗ３を、上記の範囲とすることにより、製造時における光反射性部材の這い上がりを、より抑制することができる。また、第５面４５の幅ｗ３は、特に限定されないが、好ましくは２．０ｍｍ以下、より好ましくは１．０ｍｍ以下であり得る。第５面４５の幅ｗ３を、上記の範囲とすることにより、発光装置１０１における凹部内の空間が占める割合をより大きくすることができるため、光反射性部材３０の配置の自由度が向上する。これにより、光反射性部材３０と発光素子２０の側面との間の空間を広く確保することができるため、発光素子２０の側面から出射される光が光反射性部材３０によって反射されて再び発光素子２０内に入射することなく、発光装置１０１の外部に取り出しやすくすることができる。一の態様において、第５面４５の幅ｗ３は、０．０１ｍｍ以上２．０ｍｍ以下、好ましくは０．０２ｍｍ以上１．０ｍｍ以下であり得る。
【0086】
断面視において、第３面４３の幅ｗ２は、第５面４５の幅ｗ３よりも大きくてもよい。例えば、底部１１の上面１５に垂直で、底部１１の上面１５の中心を通る任意の断面における、第３面４３の幅ｗ２は、第５面４５の幅ｗ３よりも大きい。第３面４３の幅ｗ２を第５面４５の幅ｗ３よりも大きくすることにより、壁部１２の内側面１６に段差が配置されていない場合よりも少ない量の光反射性部材３０により第１面４１を覆うことができる。その結果、製造時に用いる光反射性部材３０の量を少なくしつつ、光反射性部材３０の表面の傾斜を調整することが容易になる。
【0087】
第５面４５の幅ｗ３に対する第３面４３の幅ｗ２の比（ｗ２／ｗ３）は、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．２以上、さらに好ましくは０．３以上であり得る。また、第５面４５の幅ｗ３に対する第３面４３の幅ｗ２の比（ｗ２／ｗ３）は、好ましくは１０．０以下、より好ましくは８．０以下、さらに好ましくは６．０以下であり得る。一の態様において、第５面４５の幅ｗ３に対する第３面４３の幅ｗ２の比（ｗ２／ｗ３）は、０．１以上１０．０以下、好ましくは０．２以上８．０以下、より好ましくは０．３以上６．０以下であり得る。
【0088】
第２面４２と発光素子２０との間の最短距離ｄ４は、上記最短距離ｄ３に上記第３面４３の幅ｗ２を加えたものであり得る。第４面４４と発光素子２０との間の最短距離ｄ５は、上記最短距離ｄ４に上記第５面４５の幅ｗ３を加えたものであり得る。
【0089】
断面視において、壁部１２の第５面４５は、発光素子２０の上面２４と同じ高さ、又は、発光素子２０の上面２４よりも下方に位置する。換言すれば、第２面４２の上端と底部１１の上面１５との間の距離ｈ６は、発光素子２０の上面２４と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１０と同じ、または、発光素子２０の上面２４と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１０よりも小さい。好ましくは、壁部１２の第５面４５は、発光素子２０の上面２４よりも下方に位置する。壁部１２の第５面４５を、発光素子２０の上面２４と同じ高さ、または、発光素子２０の上面２４よりも下方に配置することにより、発光素子２０から出射されて壁部１２の上方に向かう光が、光反射性部材３０に反射されることなく、発光装置１０１から直接放出されやすくなる。即ち、発光素子２０の発光層の側面と壁部１２の上面１２ａの内縁との間に、直線的な光路が広く確保される。従って、発光素子２０から出射される光のうち、光反射性部材３０に反射されることなく、発光装置１０１の上方に直接放出される光の割合が高くなり、発光装置１０１の光取り出し効率を高めることができる。
【0090】
断面視における、発光素子２０の上面２４と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１０と、第２面４２の上端と底部１１の上面１５との間の距離ｈ６との差は、特に限定されない。発光素子２０の上面２４と底部１１の上面１５との間の距離ｈ１０と、第２面４２の上端と底部１１の上面１５との間の距離ｈ６との差は、例えば、０．０１ｍｍ以上、好ましくは０．０２ｍｍ以上であり得る。距離ｈ１０と距離ｈ６との差を、上記の範囲とすることにより、発光装置１０１の光取り出し効率をより高くすることができる。また、距離ｈ１０と距離ｈ６との差は、特に限定されないが、好ましくは１．０ｍｍ以下、より好ましくは０．５ｍｍ以下であり得る。一の態様において、距離ｈ１０と距離ｈ６との差は、０．０１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下、好ましくは０．０２ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であり得る。
【0091】
断面視において、第１面４１の上端と底部１１の上面１５との間の距離ｈ３は、第２面４２の上端と第３面４３との間の距離ｈ４より、大きくてもよい。距離ｈ３を距離ｈ４より大きくすることにより、壁部の内側面１６におけるｈ３の割合が大きくなり、第３面４３の位置が高くなることから、光反射性部材３０の這い上がりをより高い位置で抑制することができる。これにより、光反射性部材３０をより高い位置まで配置することができる。
【0092】
断面視における、第２面４２の上端と第３面４３との間の距離ｈ４に対する第１面４１の上端と底部１１の上面１５との間の距離ｈ３の比（ｈ３／ｈ４）は、好ましくは０．５以上、より好ましくは０．７以上、さらに好ましくは０．９以上であり得る。距離ｈ４に対する距離ｈ３の比を大きくすることにより、光反射性部材をより高い位置まで形成することが容易になる。また、距離ｈ４に対する距離ｈ３の比（ｈ３／ｈ４）は、好ましくは１．５以下、より好ましくは１．３以下、さらに好ましくは１．１以下であり得る。距離ｈ４に対する距離ｈ３の比を小さくすることにより、第３面４３と壁部の上面１２ａとの距離が大きくなり、光反射性部材の、壁部の上面１２ａへの這い上がりをより抑制することができる。一の態様において、距離ｈ４に対する距離ｈ３の比（ｈ３／ｈ４）は、０．５以上１．５以下、好ましくは０．７以上１．３以下、より好ましくは０．９以上１．１以下であり得る。
【0093】
断面視において、第２面４２の上端と第３面４３との間の距離ｈ４は、第４面４４の上端と第５面４５との間の距離ｈ５より、大きくてもよい。距離ｈ４を距離ｈ５より大きくすることにより、第５面４５の位置が高くなる。第５面４５は、発光装置の製造時における壁部１２の上面１２ａへの光反射性部材３０の這い上がりを抑制することから、光反射性部材３０は、典型的には、第５面４５の内縁付近まで形成される。従って、第５面４５を有する場合は、第５面４５が高い位置にあるほど、光反射性部材３０をより高い位置まで形成することが容易になる。
【0094】
断面視における、第４面４４の上端と第５面４５との間の距離ｈ５に対する第２面４２の上端と第３面４３との間の距離ｈ４の比（ｈ４／ｈ５）は、好ましくは１．０１以上、より好ましくは１．２以上、さらに好ましくは１．５以上であり得る。距離ｈ５に対する距離ｈ４の比を上記の範囲とすることにより、光反射性部材より高い位置まで形成することが容易になる。また、距離ｈ５に対する距離ｈ４の比（ｈ４／ｈ５）は、好ましくは５．０以下、より好ましくは３．０以下、さらに好ましくは２．０以下であり得る。距離ｈ５に対する距離ｈ４の比を上記の範囲とすることにより、第５面４５と壁部の上面１２ａとの距離が大きくなり、光反射性部材３０の、壁部の上面１２ａへの這い上がりをより抑制することができる。一の態様において、距離ｈ５に対する距離ｈ４の比（ｈ４／ｈ５）は、１．０１以上５．０以下、好ましくは１．２以上３．０以下、より好ましくは１．５以上２．０以下であり得る。
【0095】
実施形態１に係る発光装置１００における基体の母材１３と同様に、実施形態２に係る発光装置１０１における基体の母材１３は、積層構造を有していてもよい。例えば、母材１３は、第１層と、第２層と、第３層と、第４層とが積層されたものであってもよい。かかる態様において、第１層は、底部１１を構成し、第２層、第３層及び第４層は、壁部１２を構成し得る。第２層の一部は、第１面４１及び第３面４３を構成する。第３層の一部は、第２面４２及び第５面４５を構成する。第４層の一部は、第４面４４及び壁部の上面１２ａを構成する。各層は、さらに、複数の層から構成される積層構造を有していてもよい。
【0096】
図５に示すように、実施形態２の発光装置１０１において、光反射性部材３０は、底部１１の上面１５の一部、第１面４１の全面、第３面４３の全面、第２面４２の全面、第５面４５の全面、及び第４面４４の一部上に連続して配置され、かつ、第４面４４の上端に接しないように配置される。
【0097】
なお、本開示の発光装置において、光反射性部材３０の配置は、図５に示す例に限定されない。例えば、光反射性部材３０は、底部１１の上面１５の一部、第１面４１の全面、及び第３面４３の全面、第２面４２の全面、及び第５面４５の一部上に連続して配置され、第４面４４上には配置されていなくてもよい。また、光反射性部材３０は、底部の上面１５の一部、第１面４１の全面、第３面４３の全面、及び第２面４２上に連続して配置され、第５面４５及び第４面４４上には配置されていなくてもよい。
【0098】
第４面４４の上端と光反射性部材３０の上端３０ａとの間の距離は、好ましくは０．０５ｍｍ以上、より好ましくは０．１ｍｍ以上、さらに好ましくは０．１５ｍｍ以上であり得る。かかる距離を上記の範囲とすることにより、発光素子２０から壁部１２の上方に向かう光のうち、光反射性部材３０に反射されることなく、発光装置１０１の外部に直接放出される光が増加するため、発光装置１０１の光取り出し効率が向上する。また、第４面４４の上端と光反射性部材３０の上端３０ａとの間の距離は、好ましくは０．５ｍｍ以下、より好ましくは０．４ｍｍ以下、さらに好ましくは０．３ｍｍ以下であり得る。かかる距離を上記の範囲とすることにより、壁部の内側面１６のより広範囲を光反射性部材３０により覆うことができ、発光装置の光取り出し効率が向上する。
【0099】
以下、本開示の実施形態１及び実施形態２の発光装置の変形例について説明する。
【0100】
＜変形例１＞
図７は、図６に示すＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿って切断した発光装置の断面図を示す。図６に示すように、変形例１の発光装置は、上面視において、第３面４３の外形が、略矩形状である。また、図７に示すように、変形例１の発光装置は、断面視において、第３面４３のうち、各辺の中央部における第３面４３と底部の上面１５との間の距離ｈ１１が、第３面４３のうち、各辺の端部における第３面４３と底部の上面１５との間の距離ｈ１２，ｈ１３よりも小さい。
図７は、図６に示すＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿って切断した発光装置の断面図を示す。図６に示すように、変形例１の発光装置は、上面視において、第３面４３の外形が、略矩形状である。また、図７に示すように、変形例１の発光装置は、断面視において、第３面４３のうち、各辺の中央部における第３面４３と底部の上面１５との間の距離ｈ１１が、第３面４３のうち、各辺の端部における第３面４３と底部の上面１５との間の距離ｈ１２，ｈ１３よりも小さい。
【0101】
図８は、図６に示すＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿って切断した発光装置の断面図を示す。図６に示すように、変形例１の発光装置は、上面視において、第５面４５の外形が、略矩形状であり、図８に示すように、断面視において、第５面４５のうち、各辺の中央部における第５面４５と底部の上面１５との間の距離ｈ２１が、第５面４５のうち、各辺の端部における第５面４５と底部の上面１５との間の距離ｈ２２，ｈ２３よりも小さい。
【0102】
なお、実施形態２の変形例１としては、第３面の高さ及び第５面の高さの両方が上記を満たしていてもよく、あるいは、いずれか一方のみが上記を満たしていてもよい。
【0103】
＜変形例２＞
変形例２の発光装置は、上面視において、第３面４３の外形が、略矩形状である。変形例２の発光装置において、光反射性部材３０は、第３面４３上に配置され、第３面４３の各辺の中央部における第３面４３上の光反射性部材３０の厚さが、第３面４３の各辺の端部における第３面４３上の光反射性部材３０の厚さよりも厚い。
変形例２の発光装置は、上面視において、第３面４３の外形が、略矩形状である。変形例２の発光装置において、光反射性部材３０は、第３面４３上に配置され、第３面４３の各辺の中央部における第３面４３上の光反射性部材３０の厚さが、第３面４３の各辺の端部における第３面４３上の光反射性部材３０の厚さよりも厚い。
【0104】
変形例２の発光装置は、上面視において、第５面４５の外形が、略矩形状である。変形例２の発光装置において、光反射性部材３０は、第５面４５に配置され、第５面４５の各辺の中央部における第５面４５上の光反射性部材３０の厚さが、第５面４５の各辺の端部における第３面４３上の光反射性部材３０の厚さよりも厚い。
【0105】
なお、実施形態２の変形例２としては、第３面４３上の光反射性部材３０の厚さ、及び第５面４５上の光反射性部材３０の厚さの両方が上記を満たしていてもよく、あるいは、いずれか一方のみが上記を満たしていてもよい。
【0106】
変形例１と変形例２とは、組み合わせることが好ましい。例えば、断面視において、第３面４３のうち、各辺の中央部における第３面４３と底部の上面１５との間の距離ｈ１１が、第３面４３のうち、各辺の端部における第３面４３と底部の上面１５との間の距離ｈ１２，ｈ１３よりも小さい。また、光反射性部材３０が、第３面４３上に配置され、第３面４３の各辺の中央部における第３面４３上の光反射性部材３０の厚さが、第３面４３の各辺の端部における第３面４３上の光反射性部材３０の厚さよりも厚い。また、上面視において、第５面４５の外形が、略矩形状であり、断面視において、第５面４５のうち、各辺の中央部における第５面４５と底部の上面１５との間の距離ｈ２１が、第５面４５のうち、各辺の端部における第５面４５と底部の上面１５との間の距離ｈ２２，ｈ２３よりも小さい。また、光反射性部材３０は、第５面４５に配置され、第５面４５の各辺の中央部における第５面４５上の光反射性部材３０の厚さは、第５面４５の各辺の端部における第５面４５上の光反射性部材３０の厚さよりも厚い。
【0107】
本明細書は、下記の実施形態を含む。
１．
底部と、前記底部上に位置する壁部と、により規定される凹部を有する基体と、
前記凹部内に配置される発光素子と、
前記基体の凹部内における前記底部の上面及び前記壁部の内側面に連続して配置される光反射性部材と、
を含み、
断面視において、
前記壁部の前記内側面は、前記底部の上面から連続する第１面と、前記第１面よりも上方に位置する第２面と、前記第１面の上端と前記第２面の下端とを接続する第３面と、を有し、
前記第２面と前記発光素子との間の最短距離は、前記第１面と前記発光素子との間の最短距離よりも大きく、
前記第３面は、前記発光素子の上面と同じ高さ、または、前記発光素子の上面よりも下方に位置し、
前記光反射性部材の上端は、前記壁部の上面よりも下方に位置する、
発光装置。
２．
前記第１面の上端と前記底部の上面との間の距離は、前記第２面の上端と前記第３面との間の距離よりも大きい、上記１に記載の発光装置。
３．
前記光反射性部材は、前記底部の上面、前記第１面、前記第３面、及び前記第２面上に、前記第２面の上端に接しないように配置される、上記１又は２に記載の発光装置。
４．
前記壁部の前記内側面は、さらに、前記第２面よりも上方に位置する第４面と、前記第２面の上端と前記第４面の下端とを接続する第５面と、を有し、前記第４面と前記発光素子との間の最短距離は、前記第２面と前記発光素子との間の最短距離よりも大きい、上記１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
５．
前記第３面は、前記発光素子の上面よりも下方に位置し、
前記第５面は、前記発光素子の上面と同じ高さ、または、前記発光素子の上面よりも下方に位置する、上記４に記載の発光装置。
６．
前記第２面の上端と前記第３面との間の距離は、前記第４面の上端と前記第５面との間の距離よりも大きい、上記４又は５に記載の発光装置。
７．
前記底部の上面に垂直で、前記底部の上面の中心を通る任意の断面における、前記第３面の幅は、前記第５面の幅よりも大きい、上記４～６のいずれか１つに記載の発光装置。
８．
前記光反射性部材は、前記底部の上面、前記第１面、前記第３面、前記第２面、前記第５面、及び第４面上に、前記第４面の上端に接しないように配置される、上記４～７のいずれか１つに記載の発光装置。
９．
上面視において、前記第３面の外形は、略矩形状であり、
断面視において、前記第３面のうち、各辺の中央部における前記第３面と前記底部の上面との間の距離は、前記第３面のうち、各辺の端部における前記第３面と前記底部の上面との間の距離よりも小さい、上記１～８のいずれか１つに記載の発光装置。
１０．
前記光反射性部材は、前記第３面に配置され、
前記第３面の各辺の中央部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さは、前記第３面の各辺の端部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さよりも厚い、上記９に記載の発光装置。
１１．
上面視において、前記第５面の外形は、略矩形状であり、
断面視において、前記第５面のうち、各辺の中央部における前記第５面と前記底部の上面との間の距離は、前記第５面のうち、各辺の端部における前記第５面と前記底部の上面との間の距離よりも小さい、上記８に記載の発光装置。
１２．
前記光反射性部材は、前記第５面に配置され、
前記第５面の各辺の中央部における前記第５面上の前記光反射性部材の厚さは、前記第５面の各辺の端部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さよりも厚い、上記１１に記載の発光装置。
１３．
前記光反射性部材の表面と前記発光素子との間の距離は、前記壁部の下方から前記壁部の上方に向かって大きくなる、上記１～１２のいずれか１つに記載の発光装置。
１４．
前記発光素子は、基板と、前記基板の下方に位置する半導体構造体と、を有し、
断面視において、前記光反射性部材は、前記壁部の内側面の上端と、前記壁部の内側面の上端と対向する前記発光素子の側面の下端とを結ぶ直線よりも下方に位置する、上記１～１３のいずれか１つに記載の発光装置。
１５．
上面視において、前記光反射性部材は、前記発光素子と離隔している、上記１～１４のいずれか１つに記載の発光装置。
１６．
さらに、前記基体上に配置される透光性部材を含み、前記透光性部材と前記光反射性部材とが離隔している、上記１～１５のいずれか１つに記載の発光装置。
１．
底部と、前記底部上に位置する壁部と、により規定される凹部を有する基体と、
前記凹部内に配置される発光素子と、
前記基体の凹部内における前記底部の上面及び前記壁部の内側面に連続して配置される光反射性部材と、
を含み、
断面視において、
前記壁部の前記内側面は、前記底部の上面から連続する第１面と、前記第１面よりも上方に位置する第２面と、前記第１面の上端と前記第２面の下端とを接続する第３面と、を有し、
前記第２面と前記発光素子との間の最短距離は、前記第１面と前記発光素子との間の最短距離よりも大きく、
前記第３面は、前記発光素子の上面と同じ高さ、または、前記発光素子の上面よりも下方に位置し、
前記光反射性部材の上端は、前記壁部の上面よりも下方に位置する、
発光装置。
２．
前記第１面の上端と前記底部の上面との間の距離は、前記第２面の上端と前記第３面との間の距離よりも大きい、上記１に記載の発光装置。
３．
前記光反射性部材は、前記底部の上面、前記第１面、前記第３面、及び前記第２面上に、前記第２面の上端に接しないように配置される、上記１又は２に記載の発光装置。
４．
前記壁部の前記内側面は、さらに、前記第２面よりも上方に位置する第４面と、前記第２面の上端と前記第４面の下端とを接続する第５面と、を有し、前記第４面と前記発光素子との間の最短距離は、前記第２面と前記発光素子との間の最短距離よりも大きい、上記１～３のいずれか１つに記載の発光装置。
５．
前記第３面は、前記発光素子の上面よりも下方に位置し、
前記第５面は、前記発光素子の上面と同じ高さ、または、前記発光素子の上面よりも下方に位置する、上記４に記載の発光装置。
６．
前記第２面の上端と前記第３面との間の距離は、前記第４面の上端と前記第５面との間の距離よりも大きい、上記４又は５に記載の発光装置。
７．
前記底部の上面に垂直で、前記底部の上面の中心を通る任意の断面における、前記第３面の幅は、前記第５面の幅よりも大きい、上記４～６のいずれか１つに記載の発光装置。
８．
前記光反射性部材は、前記底部の上面、前記第１面、前記第３面、前記第２面、前記第５面、及び第４面上に、前記第４面の上端に接しないように配置される、上記４～７のいずれか１つに記載の発光装置。
９．
上面視において、前記第３面の外形は、略矩形状であり、
断面視において、前記第３面のうち、各辺の中央部における前記第３面と前記底部の上面との間の距離は、前記第３面のうち、各辺の端部における前記第３面と前記底部の上面との間の距離よりも小さい、上記１～８のいずれか１つに記載の発光装置。
１０．
前記光反射性部材は、前記第３面に配置され、
前記第３面の各辺の中央部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さは、前記第３面の各辺の端部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さよりも厚い、上記９に記載の発光装置。
１１．
上面視において、前記第５面の外形は、略矩形状であり、
断面視において、前記第５面のうち、各辺の中央部における前記第５面と前記底部の上面との間の距離は、前記第５面のうち、各辺の端部における前記第５面と前記底部の上面との間の距離よりも小さい、上記８に記載の発光装置。
１２．
前記光反射性部材は、前記第５面に配置され、
前記第５面の各辺の中央部における前記第５面上の前記光反射性部材の厚さは、前記第５面の各辺の端部における前記第３面上の前記光反射性部材の厚さよりも厚い、上記１１に記載の発光装置。
１３．
前記光反射性部材の表面と前記発光素子との間の距離は、前記壁部の下方から前記壁部の上方に向かって大きくなる、上記１～１２のいずれか１つに記載の発光装置。
１４．
前記発光素子は、基板と、前記基板の下方に位置する半導体構造体と、を有し、
断面視において、前記光反射性部材は、前記壁部の内側面の上端と、前記壁部の内側面の上端と対向する前記発光素子の側面の下端とを結ぶ直線よりも下方に位置する、上記１～１３のいずれか１つに記載の発光装置。
１５．
上面視において、前記光反射性部材は、前記発光素子と離隔している、上記１～１４のいずれか１つに記載の発光装置。
１６．
さらに、前記基体上に配置される透光性部材を含み、前記透光性部材と前記光反射性部材とが離隔している、上記１～１５のいずれか１つに記載の発光装置。
【符号の説明】
【0108】
１００，１０１…発光装置、
１０…基体、１０ｘ，１０ｙ…基体の側面、１１…底部、１２…壁部、１２ａ…壁部の上面、１３…母材、１４…凹部、１５…底部の上面、１６…壁部の内側面、１７…配線層、１８…底部の下面、１９…外部電極、
２０…発光素子、２１…基板、２２…半導体層、２３…電極、２４…発光素子の上面、
３０…光反射性部材、３０ａ…光反射性部材の上端、
４１…第１面、４２…第２面、４３…第３面、４４…第４面、４５…第５面、
５０…透光性部材、５１…接合部材
１０…基体、１０ｘ，１０ｙ…基体の側面、１１…底部、１２…壁部、１２ａ…壁部の上面、１３…母材、１４…凹部、１５…底部の上面、１６…壁部の内側面、１７…配線層、１８…底部の下面、１９…外部電極、
２０…発光素子、２１…基板、２２…半導体層、２３…電極、２４…発光素子の上面、
３０…光反射性部材、３０ａ…光反射性部材の上端、
４１…第１面、４２…第２面、４３…第３面、４４…第４面、４５…第５面、
５０…透光性部材、５１…接合部材
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】