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特開2024-167411ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび導電膜付き基板
(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024167411
(43)【公開日】2024-12-03
(54)【発明の名称】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクおよび導電膜付き基板
(51)【国際特許分類】
G03F 1/24 20120101AFI20241126BHJP
【ＦＩ】
G03F1/24
【審査請求】有
【請求項の数】26
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2024155171
(22)【出願日】2024-09-09
(62)【分割の表示】P 2024539758の分割
【原出願日】2024-03-07
(31)【優先権主張番号】P 2023043149
(32)【優先日】2023-03-17
(33)【優先権主張国・地域又は機関】JP
(71)【出願人】
【識別番号】000000044
【氏名又は名称】ＡＧＣ株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】110002000
【氏名又は名称】弁理士法人栄光事務所
(72)【発明者】
【氏名】小野 佑介
(72)【発明者】
【氏名】岩岡 啓明
(72)【発明者】
【氏名】筆谷 大河
(57)【要約】
【課題】導電膜側から入射させた場合に、波長１０００～１１００ｎｍ、および６００～７００ｎｍの範囲の光を透過し、波長４００～５００ｎｍの範囲の光の透過が抑制されるとともに、露光装置へ固定した際の固定力に優れる、ＥＵＶマスクブランクの提供。
【解決手段】基板と、上記基板の裏面側に配置される導電膜と、上記基板の表面側に配置される反射層と、上記反射層上に配置される吸収層とを有し、上記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、上記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、上記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍ、６００～７００ｎｍ、４００～５００ｎｍにおける屈折率と消衰係数、並びに上記導電膜の膜厚ｔおよび抵抗率が特定範囲内である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクに関する。
【選択図】なし
【解決手段】基板と、上記基板の裏面側に配置される導電膜と、上記基板の表面側に配置される反射層と、上記反射層上に配置される吸収層とを有し、上記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、上記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、上記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍ、６００～７００ｎｍ、４００～５００ｎｍにおける屈折率と消衰係数、並びに上記導電膜の膜厚ｔおよび抵抗率が特定範囲内である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクに関する。
【選択図】なし
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板の裏面側に配置される導電膜と、
前記基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
前記反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下であり、
導電膜のシート抵抗値は、０．１Ω／□以上２５０Ω／□以下である、
ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
前記基板の裏面側に配置される導電膜と、
前記基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
前記反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下であり、
導電膜のシート抵抗値は、０．１Ω／□以上２５０Ω／□以下である、
ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項2】
前記導電膜が、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一方を含有する、請求項１に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項3】
前記導電膜が、ＴａとＮとを含有する、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項4】
前記導電膜は、Ｎを０ａｔ％超、６５ａｔ％以下含有する、請求項３に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項5】
前記導電膜が、ＴａとＢとを含有する、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項6】
前記導電膜は、Ｂを０ａｔ％超、３５ａｔ％以下含有する、請求項５に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項7】
前記導電膜の抵抗率は、０．０５０ｍΩ・ｃｍ以上、３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項8】
前記導電膜が、Ｔａを含有し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法で観測される前記導電膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークの半値幅ＦＷＨＭが１．５～４．０°である、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項9】
前記導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下である、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項10】
前記導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％未満である、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項11】
前記導電膜の表面硬度が１０．０ＧＰａ以上である、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項12】
前記導電膜上には更に上層が設けられ、
前記上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
前記上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項13】
前記導電膜の表面粗さ（Ｒｑ）は、０．６００ｎｍ以下である、請求項１または２に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
【請求項14】
基板上に導電膜を有する、導電膜付き基板であって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下であり、
導電膜のシート抵抗値は、０．１Ω／□以上２５０Ω／□以下である、
導電膜付き基板。
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下であり、
導電膜のシート抵抗値は、０．１Ω／□以上２５０Ω／□以下である、
導電膜付き基板。
【請求項15】
前記導電膜が、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一方を含有する、請求項１４に記載の導電膜付き基板。
【請求項16】
前記導電膜が、ＴａとＮとを含有する、請求項１４または１５に記載の導電膜付き基板。
【請求項17】
前記導電膜は、Ｎを０ａｔ％超、６５ａｔ％以下含有する、請求項１６に記載の導電膜付き基板。
【請求項18】
前記導電膜が、ＴａとＢとを含有する、請求項１４または１５に記載の導電膜付き基板。
【請求項19】
前記導電膜は、Ｂを０ａｔ％超、３５ａｔ％以下含有する、請求項１８に記載の導電膜付き基板。
【請求項20】
前記導電膜の抵抗率は、０．０５０ｍΩ・ｃｍ以上、３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、請求項１４または１５に記載の導電膜付き基板。
【請求項21】
前記導電膜が、Ｔａを含有し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法で観測される前記導電膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークの半値幅ＦＷＨＭが１．５～４．０°である、請求項１４または１５に記載の導電膜付き基板。
【請求項22】
前記導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下である、請求項１４または１５に記載の導電膜付き基板。
【請求項23】
前記導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％未満である、請求項１４または１５に記載の導電膜付き基板。
【請求項24】
前記導電膜の表面硬度が１０．０ＧＰａ以上である、請求項１４または１５に記載の導電膜付き基板。
【請求項25】
前記導電膜上には更に上層が設けられ、
前記上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、請求項１４または１５に記載の導電膜付き基板。
前記上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、請求項１４または１５に記載の導電膜付き基板。
【請求項26】
前記導電膜の表面粗さ（Ｒｑ）は、０．６００ｎｍ以下である、請求項１４または１５に記載の導電膜付き基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶマスクブランク」という。）、および該ＥＵＶマスクブランクの製造に使用される導電膜付き基板に関する。
【背景技術】
【0002】
従来、半導体産業において、Ｓｉ基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が使用されてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速する一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度である。液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（１９３ｎｍ）の液浸法を用いても２０～３０ｎｍ程度が限界と予想される。そこで２０～３０ｎｍ以降の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術のＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指す。具体的には波長１０～２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【0003】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近い。そのため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶリソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが使用される。
【0004】
一方で、光の短波長化とは別に、位相シフトマスクを利用した解像度向上技術が提案されている。位相シフトマスクは、マスクパターンの透過部を、隣接する透過部とは異なる物質または形状とすることにより、それらを透過した光に１８０度の位相差を与えるものである。したがって両透過部の間の領域では、１８０度位相の異なる透過回折光同士が打ち消し合い、光強度が極めて小さくなって、マスクコントラストが向上し、結果的に転写時の焦点深度が拡大するとともに転写精度が向上する。なお、位相差は原理上１８０度が最良であるが、実質的に１７５～１８５度程度であれば、解像度向上効果は十分得られる。
【0005】
マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶマスクブランクの場合、ガラス製等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。
【0006】
反射層としては、ＥＵＶ光に対して低屈折率となる低屈折率層と、ＥＵＶ光に対して高屈折率となる高屈折率層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められた多層反射膜が通常使用される。多層反射膜の低屈折率層としては、モリブデン（Ｍｏ）層が、高屈折率層としては、ケイ素（Ｓｉ）層が通常使用される。
【0007】
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
【0008】
多層反射膜および吸収層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリング法を用いてガラス基板の光学面上に成膜される。多層反射膜および吸収層を成膜する際、ガラス基板は支持手段によって保持される。ガラス基板の支持手段として、機械的チャックおよび静電チャックがあるが、発塵性の問題から、静電チャックが好ましく用いられる。また、マスクパターニングプロセス時、あるいは露光時のマスクハンドリングの際にも、ガラス基板の支持手段として静電チャックが用いられる。
【0009】
静電チャックは、半導体装置の製造プロセスにおいて、シリコン（Ｓｉ）ウエハの支持手段として従来用いられている技術である。このため、ガラス基板のように、誘電率および導電率の低い基板の場合、Ｓｉウエハの場合と同程度のチャック力を得るには、高電圧を印加する必要があるため、絶縁破壊を生じる危険性がある。
【0010】
そのため、基板の静電チャッキングを促進するため、基板を挟んで多層反射膜と反対側に導電膜が形成される。
【0011】
ＥＵＶマスクおよびそれに用いるＥＵＶマスクブランクでは、反射層としての多層反射膜や、吸収層での内部応力によって発生する基板の変形が問題となる場合がある。ＥＵＶマスクやＥＵＶマスクブランクの裏面側から、パルスレーザ光を局所的に照射して、ガラス基板を局所的に加熱することにより、多層反射膜や吸収層での内部応力による基板の変形を改善する技術が、新たに導入されつつある。
【0012】
上記技術を適用するため、特許文献１は、波長４００～８００ｎｍの光線透過率が高い裏面に導電膜が形成されたＥＵＶマスクブランクを提供している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0013】
【特許文献1】日本国特開２０１５－１５４２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0014】
一方、導電膜形成後の欠陥検査には波長４８８ｎｍのＡｒレーザが用いられる。導電膜がこの波長域の光線透過率が高いと欠陥検査を実施できない。そのため、導電膜は、この波長域の光線透過率が低いことが求められる。
【0015】
導電膜形成後の欠陥検査に波長４８８ｎｍのＡｒレーザを用いる場合、レーザ光を局所的に照射して、多層反射膜や吸収層での内部応力による基板の変形を改善するには、波長１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザや、波長６３２ｎｍのＨｅ：Ｎｅレーザを使用し得る。これらのレーザを使用する場合、導電膜は、これらの波長域の光線透過率が高いことが求められる。
【0016】
また、ＥＵＶマスクブランクは、吸収層にパターン形成した後に、露光装置に適用される。このとき、導電膜が形成されたＥＵＶマスクブランクは、露光装置へ固定する際に固定力が不十分となることがある。このような固定力が不十分となることを防ぐためには、導電膜の抵抗率を低下させることが有効である。
【0017】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、導電膜側から入射させた場合に、波長１０００～１１００ｎｍの範囲の光および波長６００～７００ｎｍの範囲の光を十分に透過し、波長４００～５００ｎｍの範囲の光の透過が抑制されるとともに、露光装置へ固定した際の固定力に優れるＥＵＶマスクブランクの提供、および該ＥＵＶマスクブランクの製造に使用される導電膜付き基板の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0018】
本発明者らは、以下の構成により上記課題を解決できることを見出した。
（１） 基板と、
基板の裏面側に配置される導電膜と、
基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
導電膜の波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（２） 基板と、
基板の裏面側に配置される導電膜と、
基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（３） 導電膜が、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一方を含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（４） 導電膜が、ＴａとＮとを含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（５） 導電膜は、Ｎを０ａｔ％超、６５ａｔ％以下含有する、（４）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（６） 導電膜が、ＴａとＢとを含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（７） 導電膜は、Ｂを０ａｔ％超、３５ａｔ％以下含有する、（６）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（８） 導電膜の抵抗率は、０．０５０ｍΩ・ｃｍ以上、３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（９） 導電膜が、Ｔａを含有し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法で観測される導電膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークの半値幅ＦＷＨＭが１．５～４．０°である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１０） 導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１１） 導電膜のシート抵抗値が２５０Ω／□以下である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１２） 導電膜の表面硬度が１０．０ＧＰａ以上である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１３） 導電膜上には更に上層が設けられ、
上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１４） 前記導電膜の表面粗さ（Ｒｑ）は、０．６００ｎｍ以下である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１５） 基板上に導電膜を有する、導電膜付き基板であって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、導電膜付き基板。
（１６） 基板上に導電膜を有する、導電膜付き基板であって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、導電膜付き基板。
（１７） 前記導電膜が、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一方とを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（１８） 前記導電膜が、ＴａとＮとを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（１９） 前記導電膜は、Ｎを０ａｔ％超、６５ａｔ％以下含有する、（１８）に記載の導電膜付き基板。
（２０） 前記導電膜が、ＴａとＢとを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２１） 前記導電膜は、Ｂを０ａｔ％超、３５ａｔ％以下含有する、（２０）に記載の導電膜付き基板。
（２２） 前記導電膜の抵抗率は、０．０５０ｍΩ・ｃｍ以上、３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２３） 前記導電膜が、Ｔａを含有し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法で観測される前記導電膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークの半値幅ＦＷＨＭが１．５～４．０°である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２４） 前記導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２５） 前記導電膜のシート抵抗値が２５０Ω／□以下である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２６） 前記導電膜の表面硬度が１０．０ＧＰａ以上である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２７） 前記導電膜上には更に上層が設けられ、
前記上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２８） 前記導電膜の表面粗さ（Ｒｑ）は、０．６００ｎｍ以下である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（１） 基板と、
基板の裏面側に配置される導電膜と、
基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
導電膜の波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（２） 基板と、
基板の裏面側に配置される導電膜と、
基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（３） 導電膜が、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一方を含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（４） 導電膜が、ＴａとＮとを含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（５） 導電膜は、Ｎを０ａｔ％超、６５ａｔ％以下含有する、（４）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（６） 導電膜が、ＴａとＢとを含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（７） 導電膜は、Ｂを０ａｔ％超、３５ａｔ％以下含有する、（６）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（８） 導電膜の抵抗率は、０．０５０ｍΩ・ｃｍ以上、３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（９） 導電膜が、Ｔａを含有し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法で観測される導電膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークの半値幅ＦＷＨＭが１．５～４．０°である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１０） 導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１１） 導電膜のシート抵抗値が２５０Ω／□以下である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１２） 導電膜の表面硬度が１０．０ＧＰａ以上である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１３） 導電膜上には更に上層が設けられ、
上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１４） 前記導電膜の表面粗さ（Ｒｑ）は、０．６００ｎｍ以下である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１５） 基板上に導電膜を有する、導電膜付き基板であって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、導電膜付き基板。
（１６） 基板上に導電膜を有する、導電膜付き基板であって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、導電膜付き基板。
（１７） 前記導電膜が、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一方とを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（１８） 前記導電膜が、ＴａとＮとを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（１９） 前記導電膜は、Ｎを０ａｔ％超、６５ａｔ％以下含有する、（１８）に記載の導電膜付き基板。
（２０） 前記導電膜が、ＴａとＢとを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２１） 前記導電膜は、Ｂを０ａｔ％超、３５ａｔ％以下含有する、（２０）に記載の導電膜付き基板。
（２２） 前記導電膜の抵抗率は、０．０５０ｍΩ・ｃｍ以上、３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２３） 前記導電膜が、Ｔａを含有し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法で観測される前記導電膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークの半値幅ＦＷＨＭが１．５～４．０°である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２４） 前記導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２５） 前記導電膜のシート抵抗値が２５０Ω／□以下である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２６） 前記導電膜の表面硬度が１０．０ＧＰａ以上である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２７） 前記導電膜上には更に上層が設けられ、
前記上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２８） 前記導電膜の表面粗さ（Ｒｑ）は、０．６００ｎｍ以下である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
【発明の効果】
【0019】
本発明の実施形態のＥＵＶマスクブランク（以下、本実施形態のＥＵＶマスクブランクともいう）は、導電膜側から入射させた場合に、波長１０００～１１００ｎｍの範囲の光および波長６００～７００ｎｍの範囲の光を透過し、波長４００～５００ｎｍの範囲の光の透過が抑制される。また、導電膜の抵抗率が十分に低いことで、露光装置に固定した際に優れた固定力が得られる。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【発明を実施するための形態】
【0021】
本実施形態のＥＵＶマスクブランクの第一の態様は、基板と、前記基板の裏面側に配置される導電膜と、前記基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、前記導電膜の波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であり、前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする。
【0022】
本発明の実施形態のＥＵＶマスクブランクの第二の態様は、基板と、前記基板の裏面側に配置される導電膜と、前記基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、前記反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、前記導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする。
【0023】
以下、図面を参照して本実施形態のＥＵＶマスクブランクを説明する。なお、以下本実施形態のＥＵＶマスクブランクの説明は、特段の説明が無い限り、本実施形態のＥＵＶマスクブランクの第一の態様および第二の態様の両方に当てはまるものとする。
【0024】
図１は、本発明のＥＵＶマスクブランクの１実施形態を示す概略断面図である。図１に示すＥＵＶマスクブランク１０は、基板１１の一方の面（図中、基板１１の上面）にＥＵＶ光を反射する反射層１３と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層１４と、が、この順に形成されている。基板１１の他方の面（図中、基板１１の下面）に導電膜１２が形成されている。以下、本明細書において、反射層１３および吸収層１４が配置されている側の基板１１の面を基板１１の表面とし、導電膜１２が配置されている側の基板１１の面を基板１１の裏面とする。
【0025】
以下、本実施形態のＥＵＶマスクブランク１０の個々の構成要素について説明する。
【0026】
基板１１は、ＥＵＶマスクブランク用の基板としての特性を満たす。そのため、基板１１は、低熱膨張係数を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れる。ここで、上記低熱膨張係数とは、具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±０．０５×１０－７／℃が好ましく、０±０．０３×１０－７／℃がより好ましい。基板１１としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えばＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属等の基板も使用できる。
【0027】
基板１１は、表面粗さ（Ｒｑ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有すると、パターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるため好ましい。
【0028】
基板１１の大きさや厚さ等はマスクの設計値等により適宜決定される。後で示す実施例では外形６インチ（１５２ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラスを使用した。
【0029】
基板１１の表面に欠点が存在しないのが好ましい。しかし、欠点が存在していても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じなければよい。具体的には、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅は６０ｎｍ以下が好ましい。凹状欠点の半値幅とは、凹状欠点の深さの１／２深さ位置での幅を指す。凸状欠点の半値幅とは、凸状欠点の高さの１／２高さ位置での幅を指す。
【0030】
導電膜１２は、波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下である。
【0031】
屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍおよび消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが上記範囲であると、導電膜１２が、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が高いため、基板の変形を改善するために波長１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＡＧレーザを用いる際に好ましい。
【0032】
導電膜１２の波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率は、１．０％以上が好ましく、２．０％以上がより好ましく、２．５％以上がさらに好ましい。導電膜１２の波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率の上限は特に制限されないが、例えば３．５％以下である。
【0033】
導電膜１２の屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍは、５．２００以下が好ましい。導電膜１２の屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍの下限は特に制限されないが、例えば４．０００以上である。
【0034】
導電膜１２の消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍは、５．１００以下が好ましい。導電膜１２の消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍの下限は特に制限されないが、例えば３．０００以上である。
【0035】
導電膜１２は、波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下である。
【0036】
屈折率ｎλ６００－７００ｎｍおよび消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが上記範囲であると、導電膜１２が、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が高いため、基板の変形を改善するために波長６３２ｎｍのＨｅ：Ｎｅレーザを用いる際に好ましい。
【0037】
導電膜１２の波長６００～７００ｎｍの光線透過率は、１．０％以上が好ましく、１．５％以上がより好ましい。導電膜１２の波長６００～７００ｎｍの光線透過率の上限は特に制限されないが、例えば２．５％以下である。
【0038】
導電膜１２の屈折率ｎλ６００－７００ｎｍは、４．２００以下が好ましい。導電膜１２の屈折率ｎλ６００－７００ｎｍの下限は特に制限されないが、例えば３．１００以上である。
【0039】
導電膜１２の消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍは、４．４００以下が好ましい。導電膜１２の消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍの上限は特に制限されないが、例えば２．５００以上である。
【0040】
本実施形態のＥＵＶマスクブランクの第一の態様において、導電膜１２は、波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上である。
本実施形態のＥＵＶマスクブランクの第二の態様において、導電膜１２は、波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であるのが好ましく、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であるのが好ましい。
本実施形態のＥＵＶマスクブランクの第二の態様において、導電膜１２は、波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であるのが好ましく、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であるのが好ましい。
【0041】
屈折率ｎλ４００－５００ｎｍおよび消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが上記範囲であると、導電膜１２が、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が低いため、欠陥検査に波長４８８ｎｍのＡｒレーザを用いる際に好ましい。
【0042】
導電膜１２の波長４００～５００ｎｍの光線透過率は、１．０％以下が好ましく、１．０％未満がより好ましい。導電膜１２の波長４００～５００ｎｍの光線透過率の下限は特に制限されないが、例えば０．７％以上である。
【0043】
導電膜１２の屈折率ｎλ４００－５００ｎｍは、２．６００以上が好ましく、２．６５０以上がより好ましく、２．７００以上がさらに好ましい。導電膜１２の屈折率ｎλ４００－５００ｎｍの上限は特に制限されないが、例えば３．３００以下である。
【0044】
導電膜１２の消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍは、０．５００以上が好ましく、１．０００以上がより好ましく、１．５００以上がさらに好ましく、１．８００以上が特に好ましい。導電膜１２の消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍの上限は特に制限されないが、例えば４．３００以下である。
【0045】
本実施形態のＥＵＶマスクブランクの第一の態様において、導電膜１２は、波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であるのが好ましく、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であるのが好ましい。
本実施形態のＥＵＶマスクブランクの第二の態様において、導電膜１２は、波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上である。
本実施形態のＥＵＶマスクブランクの第二の態様において、導電膜１２は、波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上である。
【0046】
導電膜１２の屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍは、２．６００以上が好ましく、２．７００以上がより好ましく、２．８００以上がさらに好ましい。導電膜１２の屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍの上限は特に制限されないが、例えば３．３００以下である。
【0047】
導電膜１２の消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍは、０．５００以上が好ましく、１．０００以上がより好ましく、１．５００以上がさらに好ましく、２．０００以上が特に好ましく、２．２００以上が最も好ましい。導電膜１２の消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍの上限は特に制限されないが、例えば４．３００以下である。
【0048】
導電膜１２は、膜厚ｔが２０～３５０ｎｍである。
膜厚ｔが２０ｎｍ以上であることで、波長４００～５００ｎｍの光線透過率を十分に低下できる。
膜厚ｔが３５０ｎｍ超だと、屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍおよび消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが上記範囲を満たしていても、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が十分高くならない。また、屈折率ｎλ６００－７００ｎｍおよび消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが上記範囲を満たしていても、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が十分高くならない。
膜厚ｔが２０ｎｍ以上であることで、波長４００～５００ｎｍの光線透過率を十分に低下できる。
膜厚ｔが３５０ｎｍ超だと、屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍおよび消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが上記範囲を満たしていても、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が十分高くならない。また、屈折率ｎλ６００－７００ｎｍおよび消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが上記範囲を満たしていても、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が十分高くならない。
【0049】
導電膜１２の膜厚ｔは、２０ｎｍ以上が好ましく、２５ｎｍ以上がより好ましく、３０ｎｍ以上がさらに好ましい。導電膜１２の膜厚ｔは、３００ｎｍ以下が好ましく、２００ｎｍ以下がより好ましく、１００ｎｍ以下がさらに好ましい。
【0050】
屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍ、屈折率ｎλ６００－７００ｎｍおよび屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが上記範囲を満たし、かつ消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍ、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍおよび消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが上記範囲を満たす導電膜１２は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくとも一方を含有する。
また、屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍ、屈折率ｎλ６００－７００ｎｍおよび屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが上記範囲を満たし、かつ消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍ、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍおよび消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが上記範囲を満たす導電膜１２は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくとも一方を含有する。
また、屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍ、屈折率ｎλ６００－７００ｎｍおよび屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが上記範囲を満たし、かつ消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍ、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍおよび消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが上記範囲を満たす導電膜１２は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくとも一方を含有する。
【0051】
導電膜１２が窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくとも一方を含有する。すなわち、導電膜１２に含まれるＮとＢの合計含有量が０ａｔ％超である。これにより、導電膜１２をアモルファス化することができる。ＮとＢの合計含有量は、２ａｔ％以上が好ましく、５ａｔ％以上がより好ましく、１０ａｔ％以上がさらに好ましい。
【0052】
また、導電膜の抵抗率の観点から、ＮとＢの合計含有量は６５ａｔ％以下であり、好ましくは６０ａｔ％以下であり、より好ましくは４０ａｔ％以下である。すなわち、ＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超６５ａｔ％以下である。
【0053】
なお、上記同様の観点から、導電膜１２にＮが含まれる場合において、Ｎの含有量は０ａｔ％超が好ましく、２ａｔ％以上がより好ましく、５ａｔ％以上がさらに好ましく、１０ａｔ％以上がよりさらに好ましい。また、導電膜１２にＮが含まれる場合において、Ｎの含有量は好ましくは６５ａｔ％以下であり、より好ましくは６０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは４０ａｔ％以下である。
【0054】
また、上記同様の観点から、導電膜１２にＢが含まれる場合において、Ｂの含有量は０ａｔ％超が好ましく、５ａｔ％以上がより好ましく、１０ａｔ％以上がさらに好ましく、１５ａｔ％以上がよりさらに好ましい。また、導電膜１２にＢが含まれる場合において、Ｂの含有量は好ましくは６５ａｔ％以下であり、より好ましくは５０ａｔ％以下であり、さらに好ましくは４０ａｔ％以下であり、特に好ましくは３５ａｔ％以下であり、最も好ましくは３０ａｔ％以下である。
【0055】
導電膜１２は、さらに、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一方を含有することが好ましい。具体的には、ＴａおよびＮを含有するＴａＮ膜、ＴａおよびＢを含有するＴａＢ膜、ＣｒおよびＮを含有するＣｒＮ膜、ＣｒおよびＢを含有するＣｒＢ膜が挙げられる。これらの中でも、ＴａＮ膜が、膜の硬度が高く、膜応力が大きいため好ましい。
【0056】
導電膜１２としてＴａＮ膜を用いる場合、ＴａＮ膜におけるＮの含有率が０ａｔ％超であると、基板１１に対するＴａＮ膜の硬度が向上するため好ましく、２ａｔ％以上がより好ましく、１０ａｔ％以上がさらに好ましく、１５ａｔ％以上が特に好ましい。ＴａＮ膜におけるＮの含有率が６５ａｔ％以下であると、ＴａＮ膜の表面平滑性が向上し、ＴａＮ膜のシート抵抗値が低下するため好ましく、６０ａｔ％以下がより好ましく、５５ａｔ％以下がさらに好ましい。
【0057】
導電膜１２としてＴａＢ膜を用いる場合、ＴａＢ膜におけるＢの含有率が０ａｔ％超であると、膜密着性が向上し、表面平滑性が向上するため好ましく、５ａｔ％以上がより好ましく、１０ａｔ％以上がさらに好ましく、１５ａｔ％以上が特に好ましく、２０ａｔ％以上が最も好ましい。ＴａＢ膜におけるＢの含有率が３５ａｔ％以下であると、硬度が向上するため好ましく、３０ａｔ％以下がより好ましい。
【0058】
導電膜１２としてＣｒＮ膜を用いる場合、ＣｒＮ膜におけるＮの含有率が０ａｔ％超であると、基板１１に対するＣｒＮ膜の硬度が向上するため好ましく、１ａｔ％以上がより好ましく、２ａｔ％以上がさらに好ましい。ＣｒＮ膜におけるＮの含有率が６５ａｔ％以下であると、ＣｒＮ膜の表面平滑性が向上し、ＣｒＮ膜のシート抵抗値が低下するため好ましく、５０ａｔ％以下がより好ましく、３０ａｔ％以下がさらに好ましく、１５ａｔ％以下が特に好ましい。
【0059】
導電膜１２としてＴａＮ膜およびＣｒＮ膜の積層膜を用いてもよい。上記構成の積層膜は、ＴａＮ膜を含有するため、膜の硬度が高く、膜応力が大きい。
【0060】
上記構成の積層膜を用いる場合、基板１１側からＴａＮ膜、ＣｒＮ膜の順に積層した積層膜を用いることが好ましい。なお、上記構成の積層膜を用いる場合、積層膜の合計膜厚が上記した導電膜１２の膜厚を満たす。また、ＴａＮ膜におけるＮの含有率、およびＣｒＮ膜におけるＮの含有率は、それぞれ上記した範囲を満たす。
【0061】
また、導電膜１２上には更に上層が設けられてもよい。上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する膜であることが好ましい。導電膜１２上に更に上層が設けられることによって、機械特性の向上や、自然酸化膜形成による光学特性変化を抑制できる。
【0062】
導電膜１２の上層としてＣｒＯ膜を用いる場合、ＣｒＯ膜におけるＯの含有率が５ａｔ％以上であると、ＣｒＯ膜の硬度が向上するため好ましく、８ａｔ％以上がより好ましく、１０ａｔ％以上がさらに好ましい。ＣｒＯ膜におけるＯの含有率が３０ａｔ％以下であると、ＣｒＯ膜の表面平滑性が向上し、ＣｒＯ膜のシート抵抗値が低下するため好ましく、２５ａｔ％以下がより好ましく、２０ａｔ％以下がさらに好ましく、１５ａｔ％以下が特に好ましい。
【0063】
導電膜１２の上層の膜厚ｔ’は、５ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましく、１５ｎｍ以上がさらに好ましく、２０ｎｍ以上が特に好ましい。導電膜１２の上層の膜厚ｔ’は、１００ｎｍ以下が好ましく、７０ｎｍ以下がより好ましく、５０ｎｍ以下がさらに好ましい。
【0064】
導電膜１２がＴａを含有する場合、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法で観測される導電膜１２由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークの半値幅ＦＷＨＭが１．５～４．０°であることが好ましい。半値幅ＦＷＨＭが１．５°以上であると、導電膜の結晶化が抑制され、導電膜１２表面の平滑性が高くなる。半値幅ＦＷＨＭは、２．０°以上がより好ましく、３．０°以上がさらに好ましい。
【0065】
一方、半値幅ＦＷＨＭが４．０°以下であると、導電膜の結晶性が低くなりすぎないため、膜の硬度が低くならない。そのため、繰り返し使用により摩耗し、重ね合わせ精度が低下することがない。
【0066】
導電膜１２の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である。一般的に、露光装置に対するＥＵＶマスクの固定力は、導電膜１２の抵抗率が小さくなるほど向上する。本実施形態においては、導電膜１２の抵抗率が３．５ｍΩ・ｃｍ以下と十分に低いため、露光装置へＥＵＶマスクを固定する際に、優れた固定力が得られる。導電膜１２の抵抗率は１．０ｍΩ・ｃｍ以下が好ましく、０．３２０ｍΩ・ｃｍ以下がより好ましく、０．３００ｍΩ・ｃｍ以下がさらに好ましく、０．２５０ｍΩ・ｃｍ以下が特に好ましい。
【0067】
また、導電膜１２の抵抗率の下限は特に制限されないが、０．０５０ｍΩ・ｃｍ以上であることが好ましく、０．０６０ｍΩ・ｃｍ以上がより好ましく、０．０６５ｍΩ・ｃｍ以上がさらに好ましい。
【0068】
導電膜１２の抵抗率は抵抗率計で行い、詳細な測定条件は後段の実施例の測定方法に従う。
【0069】
導電膜１２の抵抗率を上記範囲内とするには、導電膜に含まれる窒素やホウ素含有量を調整する方法が挙げられる。なお、導電膜１２上に更に上層が設けられている場合も、上層と比べて導電膜の抵抗率が十分低い場合は、積層時の抵抗率をそのまま導電膜の抵抗率とみなすことができる。導電膜の抵抗率が上層と比べて十分に低くなるような導電膜と上層の組み合わせとしては、例えば、導電膜としてＴａＮ膜、上層としてＣｒＯ膜の組み合わせが挙げられる。
【0070】
導電膜１２は、シート抵抗値が低いと静電チャックによるチャック力が向上するため好ましい。導電膜１２のシート抵抗値は、２５０Ω／□以下が好ましく、２００Ω／□以下がより好ましく、１５０Ω／□以下がさらに好ましく、１００Ω／□以下がなおさらに好ましく、８０Ω／□以下が特に好ましい。
【0071】
また、導電膜１２のシート抵抗値は、０．１Ω／□以上が好ましく、０．５Ω／□以上がより好ましく、１．０Ω／□以上がさらに好ましい。
【0072】
導電膜１２は、表面粗さが小さいと静電チャックとの密着性が向上するため好ましい。導電膜１２の表面粗さは、Ｒｑ（二乗平均平方根高さ、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３）で０．６００ｎｍ以下が好ましく、０．４００ｎｍ以下がより好ましく、０．２００ｎｍ以下がさらに好ましく、０．１５０ｎｍ以下が特に好ましく、０．１００ｎｍ以下が最も好ましい。導電膜１２の表面粗さは、Ｒｑで０．０３０ｎｍ以上が好ましく、０．０５０ｎｍ以上がより好ましく、０．０７０ｎｍ以上がさらに好ましい。なお成膜時に用いるガスのガス圧が０．３Ｐａ以上の場合、導電膜の表面粗さは高くなる傾向がある。
【0073】
導電膜１２は、表面硬度が高いと静電チャックとの擦れによるパーティクルの発生が抑制されるため好ましい。導電膜１２の表面硬度は、１０．０ＧＰａ以上が好ましい。
【0074】
また、導電膜１２の表面硬度は、１６．０ＧＰａ以下が好ましく、１４．０ＧＰａ以下がより好ましく、１２．０ＧＰａ以下がさらに好ましい。ここで、導電膜１２の表面硬度の測定方法は特に限定されず、公知の方法、具体的には例えば、ビッカース硬さ試験、ロックウェル硬さ試験、ブリネル硬さ試験、ナノインデンテーション試験等を用いることができる。これらの中でも、ナノインデンテーション試験は、薄膜の表面硬度を測定する際に広く使用される。
【0075】
なお、導電膜１２として、ＴａＮ膜、ＣｒＮ膜、またはＣｒＮ膜およびＴａＮ膜の積層膜を用いれば、導電膜１２の表面硬度が高く、表面硬度が１０．０ＧＰａ以上となる。
【0076】
図１に示すＥＵＶマスクブランク１０において、基板１１の表面側に形成された反射層１３および吸収層１４では膜応力が発生する。基板１１の裏面側に形成された導電膜１２でも膜応力が発生する。ＥＵＶマスクブランクでは、基板１１の表面側で発生する応力と、基板１１の裏面側で発生する応力とが打ち消し合う結果、応力が加わることによって生じる基板の変形を抑制する。
【0077】
ＥＵＶマスクブランクの一例として、下記構成のＥＵＶマスクブランクにおける基板の変形を抑制する場合、基板１１の裏面側に導電膜１２を形成した導電膜付き基板の平坦度が５００ｎｍ以下が好ましく、４００ｎｍ以下がより好ましく、３００ｎｍ以下がさらに好ましい。
【0078】
（構成）
基板：ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス基板（外形１５２ｍｍ角で、厚さ６．３ｍｍ）
反射層：Ｓｉ／Ｍｏ多層反射膜（Ｓｉ膜（４．５ｎｍ）およびＭｏ膜（２．３ｎｍ）を交互に４０周期積層（合計膜厚２７２ｎｍ））
吸収層：ＴａＮＨ膜（膜厚６０ｎｍ）
基板：ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系ガラス基板（外形１５２ｍｍ角で、厚さ６．３ｍｍ）
反射層：Ｓｉ／Ｍｏ多層反射膜（Ｓｉ膜（４．５ｎｍ）およびＭｏ膜（２．３ｎｍ）を交互に４０周期積層（合計膜厚２７２ｎｍ））
吸収層：ＴａＮＨ膜（膜厚６０ｎｍ）
【0079】
なお、導電膜１２として、ＴａＮ膜、ＴａＢ膜、またはＣｒＮ膜およびＴａＮ膜の積層膜を用いれば、導電膜１２の膜応力が大きく、導電膜付き基板の平坦度が５００ｎｍ以下となる。
【0080】
ＥＵＶマスクブランクからＥＵＶマスクを作製する際には前処理として熱処理を実施する場合がある。この熱処理により、基板１１の表面側に形成された反射層１３や吸収層１４の膜応力が、膜応力の緩和により低下する。また、基板１１の裏面側に形成された導電膜１２の膜応力が、膜応力の緩和により低下する。膜応力の緩和により応力が低下すると、基板１１の変形が抑制できなくなり、ＥＵＶマスクブランクを用いて作製されるＥＵＶマスクに形成されるパターンに位置ずれを生じるおそれがある。
【0081】
導電膜１２は、熱処理による膜応力の緩和が少ないことが好ましい。熱処理の前後に測定した導電膜付き基板の平坦度の差を、熱処理による膜応力の緩和の指標にできる。基板１１の裏面側に導電膜１２を形成した導電膜付き基板を１３６℃で２０分間熱処理した場合に、熱処理の前後に測定した導電膜付き基板の下記式で求まる平坦度（反り）の熱緩和率が１５％以下が好ましく、１２％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましい。当該平坦度（反り）の熱緩和率の下限は特に制限されないが、例えば１．０％以上である。
平坦度の熱緩和率（％）＝｛（熱処理前のＴａＮ導電膜付き基板の平坦度－熱処理後のＴａＮ導電膜付き基板の平坦度）／熱処理前のＴａＮ導電膜付き基板の平坦度｝×１００
平坦度の熱緩和率（％）＝｛（熱処理前のＴａＮ導電膜付き基板の平坦度－熱処理後のＴａＮ導電膜付き基板の平坦度）／熱処理前のＴａＮ導電膜付き基板の平坦度｝×１００
【0082】
なお、上記平坦度は、フジノン社製平坦度測定機を用いて測定する。
【0083】
導電膜１２は、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法により形成できる。
【0084】
スパッタリング法によって、例えば、導電膜１２として、ＴａＮ膜を形成する場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、窒素（Ｎ２）と、を含む雰囲気中で、Ｔａターゲットを用いてスパッタリング法を実施すればよい。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
【0085】
（成膜条件）
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ｎ２ガス濃度：好ましくは２～５０ｖｏｌ％、より好ましくは２～４０ｖｏｌ％、さらに好ましくは２～３０ｖｏｌ％。ガス圧：好ましくは１×１０－１Ｐａ～３×１０－１Ｐａ、より好ましくは１×１０－１Ｐａ～２×１０－１Ｐａ、さらに好ましくは１×１０－１Ｐａ～１．５×１０－１Ｐａ。）
投入電力：好ましくは３００～１５００Ｗ、より好ましくは５００～１０００Ｗ
成膜速度：好ましくは０．０１０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは０．０５０～０．１００ｎｍ／ｓｅｃ
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ｎ２ガス濃度：好ましくは２～５０ｖｏｌ％、より好ましくは２～４０ｖｏｌ％、さらに好ましくは２～３０ｖｏｌ％。ガス圧：好ましくは１×１０－１Ｐａ～３×１０－１Ｐａ、より好ましくは１×１０－１Ｐａ～２×１０－１Ｐａ、さらに好ましくは１×１０－１Ｐａ～１．５×１０－１Ｐａ。）
投入電力：好ましくは３００～１５００Ｗ、より好ましくは５００～１０００Ｗ
成膜速度：好ましくは０．０１０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは０．０５０～０．１００ｎｍ／ｓｅｃ
【0086】
スパッタリング法によって、例えば、導電膜１２として、ＴａＢ膜を形成する場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスを含む雰囲気中で、ＴａターゲットおよびＢターゲット、またはＴａＢ化合物ターゲットを用いてスパッタリング法を実施すればよい。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
【0087】
（成膜条件）
ターゲット：ＴａターゲットおよびＢターゲット、またはＴａＢ化合物ターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～５．０×１０－１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～４．０×１０－１Ｐａ、さらに好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～３．０×１０－１Ｐａ。）
投入電力：好ましくは３００～１５００Ｗ、より好ましくは５００～１０００Ｗ
成膜速度：好ましくは０．０１０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは０．０１０～０．１００ｎｍ／ｓｅｃ
ターゲット：ＴａターゲットおよびＢターゲット、またはＴａＢ化合物ターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～５．０×１０－１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～４．０×１０－１Ｐａ、さらに好ましくは１．０×１０－１Ｐａ～３．０×１０－１Ｐａ。）
投入電力：好ましくは３００～１５００Ｗ、より好ましくは５００～１０００Ｗ
成膜速度：好ましくは０．０１０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは０．０１０～０．１００ｎｍ／ｓｅｃ
【0088】
スパッタリング法によって、例えば、導電膜１２として、ＣｒＮ膜を形成する場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、窒素（Ｎ２）と、を含む雰囲気中で、Ｃｒターゲットを用いてスパッタリング法を実施すればよい。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
【0089】
（成膜条件）
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ｎ２ガス濃度：好ましくは２０～６０ｖｏｌ％、より好ましくは３０～６０ｖｏｌ％、さらに好ましくは４０～６０ｖｏｌ％。ガス圧：好ましくは１×１０－１Ｐａ～３×１０－１Ｐａ、より好ましくは１×１０－１Ｐａ～２×１０－１Ｐａ、さらに好ましくは１×１０－１Ｐａ～１．５×１０－１Ｐａ。）
投入電力：好ましくは３００～２０００Ｗ、より好ましくは５００～２０００Ｗ
成膜速度：好ましくは０．０１０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは０．０５０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ｎ２ガス濃度：好ましくは２０～６０ｖｏｌ％、より好ましくは３０～６０ｖｏｌ％、さらに好ましくは４０～６０ｖｏｌ％。ガス圧：好ましくは１×１０－１Ｐａ～３×１０－１Ｐａ、より好ましくは１×１０－１Ｐａ～２×１０－１Ｐａ、さらに好ましくは１×１０－１Ｐａ～１．５×１０－１Ｐａ。）
投入電力：好ましくは３００～２０００Ｗ、より好ましくは５００～２０００Ｗ
成膜速度：好ましくは０．０１０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは０．０５０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ
【0090】
スパッタリング法によって、例えば、導電膜１２上に上層として、ＣｒＯ膜を形成する場合、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）のうち少なくともひとつを含む不活性ガスと、酸素（Ｏ２）と、を含む雰囲気中で、Ｃｒターゲットを用いてスパッタリング法を実施すればよい。マグネトロンスパッタリング法を用いる場合、具体的には以下の成膜条件で実施すればよい。
【0091】
（成膜条件）
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＯ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度：好ましくは１０～４０ｖｏｌ％、より好ましくは２０～４０ｖｏｌ％、さらに好ましくは３０～４０ｖｏｌ％。ガス圧：好ましくは１×１０－１Ｐａ～２．０×１０－１Ｐａ、より好ましくは１×１０－１Ｐａ～１．８×１０－１Ｐａ、さらに好ましくは１×１０－１Ｐａ～１．６×１０－１Ｐａ。）
投入電力：好ましくは３００～１０００Ｗ、より好ましくは５００～１０００Ｗ
成膜速度：好ましくは０．０１０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは０．０５０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＯ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度：好ましくは１０～４０ｖｏｌ％、より好ましくは２０～４０ｖｏｌ％、さらに好ましくは３０～４０ｖｏｌ％。ガス圧：好ましくは１×１０－１Ｐａ～２．０×１０－１Ｐａ、より好ましくは１×１０－１Ｐａ～１．８×１０－１Ｐａ、さらに好ましくは１×１０－１Ｐａ～１．６×１０－１Ｐａ。）
投入電力：好ましくは３００～１０００Ｗ、より好ましくは５００～１０００Ｗ
成膜速度：好ましくは０．０１０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ、より好ましくは０．０５０～０．２００ｎｍ／ｓｅｃ
【0092】
反射層１３は、ＥＵＶマスクブランクの反射層として所望の特性を有する限り特に限定されない。ここで、反射層１３に特に要求される特性は、高ＥＵＶ光線反射率である。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を入射角６度で反射層１３表面に照射した際に、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６５％以上がより好ましい。
【0093】
反射層１３としては、高ＥＵＶ光線反射率を達成できるため、通常は高屈折率層と低屈折率層とを交互に複数回積層させた多層反射膜が使用される。反射層１３をなす多層反射膜において、高屈折率層には、Ｍｏが広く使用され、低屈折率層にはＳｉが広く使用される。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜が最も一般的である。但し、多層反射膜はこれに限定されず、Ｒｕ／Ｓｉ多層反射膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層反射膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層反射膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層反射膜も使用できる。
【0094】
反射層１３をなす多層反射膜を構成する各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層に要求されるＥＵＶ光線反射率に応じて適宜選択できる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜を例にとると、ＥＵＶ光線反射率の最大値が６０％以上の反射層１３とするには、多層反射膜は膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを繰り返し単位数が３０～６０になるように積層させればよい。
【0095】
なお、反射層１３をなす多層反射膜を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法等、周知の成膜方法を用いて所望の厚さに成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いてＳｉ／Ｍｏ多層反射膜を形成する場合、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０－２～２．７×１０－２Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００～１５００Ｖ、成膜速度０．０３０～０．３００ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４．５ｎｍになるようにＳｉ膜を成膜し、次に、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０－２～２．７×１０－２Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００Ｖ～１５００Ｖ、成膜速度０．０３０～０．３００ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２．３ｎｍになるようにＭｏ膜を成膜するのが好ましい。これを１周期として、Ｓｉ膜およびＭｏ膜を４０～５０周期積層することによりＳｉ／Ｍｏ多層反射膜が成膜される。
【0096】
吸収層１４に特に要求される特性は、ＥＵＶ光線反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層１４表面に照射した際の、波長１３．５ｎｍ付近の最大光線反射率は、５％以下が好ましく、３％以下がより好ましく、１％以下がさらに好ましい。
【0097】
上記の特性を達成するため、吸収層１４は、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成される。ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料を用いることが好ましい。本明細書において、タンタル（Ｔａ）を主成分とする材料と言った場合、当該材料中Ｔａを２０ａｔ％以上含有する材料を意味する。吸収層１４は、３０ａｔ％以上Ｔａを含有することが好ましく、３５ａｔ％以上含有することがより好ましく、４０ａｔ％以上含有することがさらに好ましく、４５ａｔ％以上含有することが特に好ましく、５０ａｔ％以上含有することが最も好ましい。
【0098】
吸収層１４に用いるＴａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にハフニウム（Ｈｆ）、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ホウ素（Ｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、錫（Ｓｎ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銀（Ａｇ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金
（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含有することが好ましい。
（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、セレン（Ｓｅ）、テルル（Ｔｅ）、水素（Ｈ）および窒素（Ｎ）のうち少なくとも１成分を含有することが好ましい。
【0099】
Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮ、ＴａＰｄ、ＴａＳｎ、ＴａＰｄＮ、ＴａＳｎ、ＴａＣｒ、ＴａＭｎ、ＴａＦｅ、ＴａＣｏ、ＴａＡｇ、ＴａＣｄ、ＴａＩｎ、ＴａＳｂ、ＴａＷ等が挙げられる。
【0100】
上記した構成の吸収層１４は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法等の成膜方法を用いて形成できる。
【0101】
例えば、吸収層１４として、マグネトロンスパッタリング法を用いてＴａＮＨ膜を形成する場合、ターゲットとしてＴａターゲットを用い、スパッタリングガスとして、ＡｒとＮ２とＨ２の混合ガス（Ｈ２ガス濃度：１～３０ｖｏｌ％、Ｎ２ガス濃度：５～７５ｖｏｌ％、Ａｒガス濃度：１０～９４ｖｏｌ％、ガス圧：０．５×１０－１～１．０Ｐａ）、投入電力３００～２０００Ｗ、成膜速度０．５～６０ｎｍ／ｍｉｎで、厚さ２０～９０ｎｍとなるように成膜することが好ましい。
【0102】
本実施形態のＥＵＶマスクブランク１０は、図１に示す構成、すなわち、基板１１、導電膜１２、反射層１３、および吸収層１４以外の構成を有していてもよい。
【0103】
本実施形態のＥＵＶマスクブランクにおいては、反射層１３と吸収層１４との間に保護層が形成されてもよい。保護層はエッチングプロセス、通常はドライエッチングプロセスにより吸収層１４にパターン形成する際に、反射層１３がエッチングプロセスによりダメージを受けないよう、反射層１３の保護を目的として設けられる。したがって保護層の材質としては、吸収層１４のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層１４よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。上記の特性を満たすため、保護層は、ルテニウム（Ｒｕ）を含有する材料からなることが好ましい。Ｒｕを含有する材料の具体例としては、ＲｕおよびＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ、ＲｕＮｂ、ＲｕＴｉ、ＲｕＹ、ＲｕＺｒ、ＲｕＬａ等）が例示される。Ｒｕを含有する材料としては、当該材料中にＲｕを４０．０ａｔ％以上含有する材料が好ましく、より好ましくは５０．０ａｔ％以上、さらに好ましくは５５．０ａｔ％以上含有する材料である。
【0104】
保護層を形成する場合、その厚さは１～２０ｎｍが好ましく、１～５ｎｍがより好ましい。
【0105】
保護層を形成する場合、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜する。マグネトロンスパッタリング法によりＲｕ膜を成膜する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス（ガス圧：１．０×１０－２～１０×１０－１Ｐａ）を使用して投入電圧３０～１５００Ｖ、成膜速度０．０２０～１．０００ｎｍ／ｓｅｃで厚さ２～５ｎｍとなるように成膜するのが好ましい。
【0106】
なお、反射層１３の上に保護層を設けた場合であっても、波長１３．５ｎｍ付近の光線反射率の最大値は、６０％以上が好ましく、６３％以上がより好ましく、６５％以上がさらに好ましい。
【0107】
さらに、本実施形態のＥＵＶマスクブランクにおいては、吸収層１４上にマスクパターンの検査に使用する検査光における低反射層が形成されていてもよい。
【0108】
低反射層はマスクパターンの検査に使用する検査光において、低反射となるような膜で構成される。ＥＵＶマスクを作製する際、吸収層にパターンを形成した後、このパターンが設計通りに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として通常２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収層がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収層表面との反射率の差によって検査される。
【0109】
ここで、前者は反射層表面または保護層表面であり、通常は保護層表面である。したがって、検査光の波長に対する反射層表面または保護層表面と、吸収層表面と、の反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査ができないことになる。検査光の波長に対する反射層表面または保護層表面と、吸収層表面と、の反射率の差が小さい場合は、低反射層の形成により、検査時のコントラストが良好となる。吸収層上に低反射層を形成する場合、該低反射層は、検査光の波長領域の光線を低反射層表面に照射した際に、該検査光の波長の最大光線反射率は、１５％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、５％以下がさらに好ましい。
【0110】
低反射層は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収層よりも低い材料で構成されることが好ましい。
【0111】
この特性を満たす低反射層としては、タンタル（Ｔａ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、ケイ素（Ｓｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）からなる群から選ばれる少なくともひとつと、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）からなる群から選ばれる少なくともひとつと、を含有するものがある。このような低反射層の好適例としては、ＴａＰｄＯ層、ＴａＰｄＯＮ層、ＴａＯＮ層、ＣｒＯ層、ＣｒＯＮ層、ＳｉＯＮ層、ＳｉＮ層、ＨｆＯ層、ＨｆＯＮ層が挙げられる。
【0112】
低反射層中のＴａ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｈｆの合計含有率は、１０～５５ａｔ％、特に１０～５０ａｔ％であると、パターン検査光の波長領域に対する光学特性を制御できるという理由で好ましい。
【0113】
また、低反射層中におけるＯおよびＮの合計含有率が、４５～９０ａｔ％、特に５０～９０ａｔ％であると、パターン検査光の波長領域に対する光学特性を制御できるという理由で好ましい。なお、該低反射層中のＴａ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｈｆ、ＯおよびＮの合計含有率は９５～１００ａｔ％が好ましく、９７～１００ａｔ％がより好ましく、９９～１００ａｔ％がさらに好ましい。
【0114】
上記した構成の低反射層は、Ｔａ、Ｐｄ、Ｃｒ、ＳｉおよびＨｆのうち少なくともひとつ、を含有するターゲットを用いてスパッタリング法を行うことにより形成できる。ここで、ターゲットとしては、上記した２種類以上の金属ターゲット、および、化合物ターゲットのいずれも使用できる。
【0115】
なお、２種類以上の金属ターゲットの使用は、低反射層の構成成分を調整するのに好都合である。なお、２種類以上の金属ターゲットを使用する場合、ターゲットへの投入電力を調整することによって、吸収層の構成成分を調整できる。一方、化合物ターゲットを使用する場合、形成される低反射層が所望の組成となるように、ターゲット組成をあらかじめ調整することが好ましい。
【0116】
上記のターゲットを用いたスパッタリング法は、吸収層の形成を目的とするスパッタリング法と同様、不活性ガス雰囲気中で実施できる。
【0117】
但し、低反射層が酸素（Ｏ）を含有する場合、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、ＫｒおよびＸｅのうち少なくともひとつと、Ｏ２と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。低反射層がＮを含有する場合、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、ＫｒおよびＸｅのうち少なくともひとつと、Ｎ２と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。低反射層がＯおよびＮを含有する場合、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、ＫｒおよびＸｅのうち少なくともひとつと、Ｏ２およびＮ２と、を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタリング法を実施する。
【0118】
具体的なスパッタリング法の実施条件は、使用するターゲットやスパッタリング法を実施する不活性ガス雰囲気の組成によっても異なるが、いずれの場合においても以下の条件でスパッタリング法を実施すればよい。
不活性ガス雰囲気がＡｒとＯ２の混合ガス雰囲気の場合を例に低反射層の形成条件を以下に示す。
不活性ガス雰囲気がＡｒとＯ２の混合ガス雰囲気の場合を例に低反射層の形成条件を以下に示す。
【0119】
（低反射層の形成条件）
ガス圧：１．０×１０－１～５０×１０－１Ｐａ、好ましくは１．０×１０－１～４０×１０－１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０－１～３０×１０－１Ｐａ。
スパッタリングガス：ＡｒとＯ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度：３～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～６０ｖｏｌ％、より好ましくは１０～４０ｖｏｌ％）
投入電力：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ
成膜速度：０．０１～６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．０５～４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．１～３０ｎｍ／ｍｉｎ
ガス圧：１．０×１０－１～５０×１０－１Ｐａ、好ましくは１．０×１０－１～４０×１０－１Ｐａ、より好ましくは１．０×１０－１～３０×１０－１Ｐａ。
スパッタリングガス：ＡｒとＯ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度：３～８０ｖｏｌ％、好ましくは５～６０ｖｏｌ％、より好ましくは１０～４０ｖｏｌ％）
投入電力：３０～１０００Ｗ、好ましくは５０～７５０Ｗ、より好ましくは８０～５００Ｗ
成膜速度：０．０１～６０ｎｍ／ｍｉｎ、好ましくは０．０５～４５ｎｍ／ｍｉｎ、より好ましくは０．１～３０ｎｍ／ｍｉｎ
【0120】
なお、Ａｒ以外の不活性ガスあるいは複数の不活性ガスを使用する場合、その不活性ガスの合計濃度が上記したＡｒガス濃度と同じ濃度範囲にする。また、不活性ガス雰囲気がＮ２を含有する場合はＮ２濃度、不活性ガス雰囲気がＮ２およびＯ２を含有する場合、その合計濃度を上記した酸素濃度と同じ濃度範囲にする。
【0121】
なお、本実施形態のＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収層上に低反射層を形成することが好ましいのは、パターンの検査光の波長とＥＵＶ光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてＥＵＶ光（１３．５ｎｍ付近）を使用する場合、吸収層上に低反射層を形成する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるに伴い短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収層上に低反射層を形成する必要はないと考えられる。
【0122】
本実施形態のＥＵＶマスクブランクにおいて、吸収層１４上（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層上）に、日本国特開２００９－５４８９９号公報や日本国特開２００９－２１５８２号公報に記載のハードマスク層、すなわち、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層および低反射層）のエッチング条件に対して耐性を有する材料の層、が形成されていてもよい。このようなハードマスク層を形成して、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層および低反射層）のエッチング条件における吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層および低反射層）とハードマスク層とのエッチング選択比、具体的には、吸収層（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層および低反射層）のエッチング条件での吸収層のエッチングレート（吸収層上に低反射層が形成されている場合は吸収層および低反射層のエッチングレート）と、ハードマスク層のエッチングレートと、の比を高めることで、レジストを薄膜化できる。
【0123】
次に、本実施形態の導電膜付き基板について説明する。本実施形態の導電膜付き基板は、基板上に導電膜を有する。ここで、基板および導電膜は、本実施形態のＥＵＶマスクブランクにおける基板および導電膜と同じである。すなわち、本実施形態のＥＵＶマスクブランクは、本実施形態の導電膜付き基板の前記導電膜が設けられた面の反対側の面に反射層と吸収層を形成してなる。
【0124】
以上説明したように、本明細書には以下の構成が開示されている。
（１） 基板と、
基板の裏面側に配置される導電膜と、
基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
導電膜の波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（２） 基板と、
基板の裏面側に配置される導電膜と、
基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（３） 導電膜が、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一方を含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（４） 導電膜が、ＴａとＮとを含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（５） 導電膜は、Ｎを０ａｔ％超、６５ａｔ％以下含有する、（４）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（６） 導電膜が、ＴａとＢとを含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（７） 導電膜は、Ｂを０ａｔ％超、３５ａｔ％以下含有する、（６）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（８） 導電膜の抵抗率は、０．０５０ｍΩ・ｃｍ以上、３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（９） 導電膜が、Ｔａを含有し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法で観測される導電膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークの半値幅ＦＷＨＭが１．５～４．０°である、（３）または（４）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１０） 導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下である、（１）～（４）のいずれか１つに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１１） 導電膜のシート抵抗値が２５０Ω／□以下である、（１）～（４）のいずれか１つに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１２） 導電膜の表面硬度が１０．０ＧＰａ以上である、（１）～（４）のいずれか１つに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１３） 導電膜上には更に上層が設けられ、
上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、（１）～（４）のいずれか１つに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１４） 前記導電膜の表面粗さ（Ｒｑ）は、０．６００ｎｍ以下である、（１）～（４）のいずれか１つに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１５） 基板上に導電膜を有する、導電膜付き基板であって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、導電膜付き基板。
（１６） 基板上に導電膜を有する、導電膜付き基板であって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、導電膜付き基板。
（１７） 前記導電膜が、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一方とを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（１８） 前記導電膜が、ＴａとＮとを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（１９） 前記導電膜は、Ｎを０ａｔ％超、６５ａｔ％以下含有する、（１８）に記載の導電膜付き基板。
（２０） 前記導電膜が、ＴａとＢとを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２１） 前記導電膜は、Ｂを０ａｔ％超、３５ａｔ％以下含有する、（２０）に記載の導電膜付き基板。
（２２） 前記導電膜の抵抗率は、０．０５０ｍΩ・ｃｍ以上、３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２３） 前記導電膜が、Ｔａを含有し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法で観測される前記導電膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークの半値幅ＦＷＨＭが１．５～４．０°である、（１７）または（１８）に記載の導電膜付き基板。
（２４） 前記導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下である、（１５）～（１８）のいずれか１つに記載の導電膜付き基板。
（２５） 前記導電膜のシート抵抗値が２５０Ω／□以下である、（１５）～（１８）のいずれか１つに記載の導電膜付き基板。
（２６） 前記導電膜の表面硬度が１０．０ＧＰａ以上である、（１５）～（１８）のいずれか１つに記載の導電膜付き基板。
（２７） 前記導電膜上には更に上層が設けられ、
前記上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、（１５）～（１８）のいずれか１つに記載の導電膜付き基板。
（２８） 前記導電膜の表面粗さ（Ｒｑ）は、０．６００ｎｍ以下である、（１５）～（１８）のいずれか１つに記載の導電膜付き基板。
（１） 基板と、
基板の裏面側に配置される導電膜と、
基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
導電膜の波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（２） 基板と、
基板の裏面側に配置される導電膜と、
基板の表面側に配置され、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
反射層上に配置され、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とを有する、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクであって、
導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（３） 導電膜が、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一方を含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（４） 導電膜が、ＴａとＮとを含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（５） 導電膜は、Ｎを０ａｔ％超、６５ａｔ％以下含有する、（４）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（６） 導電膜が、ＴａとＢとを含有する、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（７） 導電膜は、Ｂを０ａｔ％超、３５ａｔ％以下含有する、（６）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（８） 導電膜の抵抗率は、０．０５０ｍΩ・ｃｍ以上、３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、（１）または（２）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（９） 導電膜が、Ｔａを含有し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法で観測される導電膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークの半値幅ＦＷＨＭが１．５～４．０°である、（３）または（４）に記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１０） 導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下である、（１）～（４）のいずれか１つに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１１） 導電膜のシート抵抗値が２５０Ω／□以下である、（１）～（４）のいずれか１つに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１２） 導電膜の表面硬度が１０．０ＧＰａ以上である、（１）～（４）のいずれか１つに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１３） 導電膜上には更に上層が設けられ、
上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、（１）～（４）のいずれか１つに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１４） 前記導電膜の表面粗さ（Ｒｑ）は、０．６００ｎｍ以下である、（１）～（４）のいずれか１つに記載のＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランク。
（１５） 基板上に導電膜を有する、導電膜付き基板であって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、導電膜付き基板。
（１６） 基板上に導電膜を有する、導電膜付き基板であって、
前記導電膜は、窒素（Ｎ）およびホウ素（Ｂ）の少なくともいずれか一方を含有し、
前記導電膜に含まれるＮとＢの合計含有量は０ａｔ％超、６５ａｔ％以下であり、
前記導電膜の波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下であり、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下であり、
前記導電膜の波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下であり、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下であり、
前記導電膜の波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上であり、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、
前記導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍであり、
導電膜の抵抗率は３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、導電膜付き基板。
（１７） 前記導電膜が、タンタル（Ｔａ）およびクロム（Ｃｒ）のうち少なくとも一方とを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（１８） 前記導電膜が、ＴａとＮとを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（１９） 前記導電膜は、Ｎを０ａｔ％超、６５ａｔ％以下含有する、（１８）に記載の導電膜付き基板。
（２０） 前記導電膜が、ＴａとＢとを含有する、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２１） 前記導電膜は、Ｂを０ａｔ％超、３５ａｔ％以下含有する、（２０）に記載の導電膜付き基板。
（２２） 前記導電膜の抵抗率は、０．０５０ｍΩ・ｃｍ以上、３．５ｍΩ・ｃｍ以下である、（１５）または（１６）に記載の導電膜付き基板。
（２３） 前記導電膜が、Ｔａを含有し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法で観測される前記導電膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークの半値幅ＦＷＨＭが１．５～４．０°である、（１７）または（１８）に記載の導電膜付き基板。
（２４） 前記導電膜は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上であり、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下である、（１５）～（１８）のいずれか１つに記載の導電膜付き基板。
（２５） 前記導電膜のシート抵抗値が２５０Ω／□以下である、（１５）～（１８）のいずれか１つに記載の導電膜付き基板。
（２６） 前記導電膜の表面硬度が１０．０ＧＰａ以上である、（１５）～（１８）のいずれか１つに記載の導電膜付き基板。
（２７） 前記導電膜上には更に上層が設けられ、
前記上層はクロム（Ｃｒ）と、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）からなる群から選択される少なくとも１種の元素とを含有する、（１５）～（１８）のいずれか１つに記載の導電膜付き基板。
（２８） 前記導電膜の表面粗さ（Ｒｑ）は、０．６００ｎｍ以下である、（１５）～（１８）のいずれか１つに記載の導電膜付き基板。
【実施例0125】
以下に例１～１０を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。なお、例１～３、５、１０は実施例であり、例４、６～９は比較例である。
【0126】
＜例１＞
本例では、基板の一方の面に導電膜としてＴａＮ膜を形成した。
成膜用の基板として、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用した。このガラス基板の２０℃における熱膨張係数は０．０２×１０－７／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０７ｍ２／ｓ２である。このガラス基板を研磨により、表面粗さ（Ｒｑ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
本例では、基板の一方の面に導電膜としてＴａＮ膜を形成した。
成膜用の基板として、ＳｉＯ２－ＴｉＯ２系のガラス基板（外形６インチ（１５２ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用した。このガラス基板の２０℃における熱膨張係数は０．０２×１０－７／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０７ｍ２／ｓ２である。このガラス基板を研磨により、表面粗さ（Ｒｑ）が０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
【0127】
基板の一方の面側に、導電膜として、ＴａＮ膜を、マグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ＴａＮ膜の成膜条件は以下のとおりである。
（成膜条件）
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２との混合ガス（Ａｒ：９０ｖｏｌ％、Ｎ２：１０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１０００Ｗ
成膜速度：６ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：５６ｎｍ
（成膜条件）
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２との混合ガス（Ａｒ：９０ｖｏｌ％、Ｎ２：１０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１２Ｐａ）
投入電力：１０００Ｗ
成膜速度：６ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：５６ｎｍ
【0128】
（ＴａＮ膜の組成分析）
ＴａＮ膜の組成を、ラザフォード後方散乱分析装置Ｘ線光電子分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＲＢＳ）を用いて測定した。ＴａＮ膜のＮ含有率は２１．０ａｔ％であった。
ＴａＮ膜の組成を、ラザフォード後方散乱分析装置Ｘ線光電子分光装置（Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ：ＲＢＳ）を用いて測定した。ＴａＮ膜のＮ含有率は２１．０ａｔ％であった。
【0129】
（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
形成したＴａＮ膜について、波長１０００～１１００ｎｍの屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍ、および消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍを分光エリプソメーター（メーカ：Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製、型式：Ｍ２０００－ＤＩ）を用いて求めた。ＴａＮ膜が形成されている側の面から光線を入射し、偏光状態を室温にて測定、解析を実施して、波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍ、および消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍを算出した。また、同様の手順で、波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍ、および消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍ、波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍ、および消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍ、ならびに波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍ、および消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍを算出した。結果を表２に示す。
形成したＴａＮ膜について、波長１０００～１１００ｎｍの屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍ、および消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍを分光エリプソメーター（メーカ：Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌｌａｍ社製、型式：Ｍ２０００－ＤＩ）を用いて求めた。ＴａＮ膜が形成されている側の面から光線を入射し、偏光状態を室温にて測定、解析を実施して、波長１０００～１１００ｎｍにおける屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍ、および消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍを算出した。また、同様の手順で、波長６００～７００ｎｍにおける屈折率ｎλ６００－７００ｎｍ、および消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍ、波長４００～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４００－５００ｎｍ、および消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍ、ならびに波長４８０～５００ｎｍにおける屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍ、および消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍを算出した。結果を表２に示す。
【0130】
（光線透過率）
ＴａＮ膜成膜後の基板について、ＴａＮ膜が形成されている側の面から光線を垂直に入射し、１７５～２０００ｎｍの波長範囲で光線透過率を、分光光度計（メーカ：日立ハイテクノロジー社製、型式：Ｕ－４１００）を用いて測定し、波長１０００～１１００ｎｍにおける光線透過率、波長６００～７００ｎｍにおける光線透過率、および波長４００～５００ｎｍにおける光線透過率を求めた。波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上、および波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下を満たす場合は〇とし、これらのうちいずれか１つでも満たさない場合は×とした。結果を表１に示す。
ＴａＮ膜成膜後の基板について、ＴａＮ膜が形成されている側の面から光線を垂直に入射し、１７５～２０００ｎｍの波長範囲で光線透過率を、分光光度計（メーカ：日立ハイテクノロジー社製、型式：Ｕ－４１００）を用いて測定し、波長１０００～１１００ｎｍにおける光線透過率、波長６００～７００ｎｍにおける光線透過率、および波長４００～５００ｎｍにおける光線透過率を求めた。波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率が１．０％以上、波長６００～７００ｎｍの光線透過率が１．０％以上、および波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％以下を満たす場合は〇とし、これらのうちいずれか１つでも満たさない場合は×とした。結果を表１に示す。
【0131】
（ＸＲＤ 半値幅ＦＷＨＭ）
ＴａＮ膜に対し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法による測定を実施した。ＴａＮ膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークのメインピーンを回折角３０～４０°の範囲について半値幅ＦＷＨＭを測定した。結果を表１に示す。
ＴａＮ膜に対し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法による測定を実施した。ＴａＮ膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークのメインピーンを回折角３０～４０°の範囲について半値幅ＦＷＨＭを測定した。結果を表１に示す。
【0132】
（表面硬度）
ナノインデンテーション試験により、ＴａＮ膜の表面硬度を測定した。表面硬度が１０．０ＧＰａ以上の場合は〇とし、表面硬度が１０．０ＧＰａ未満の場合は×とした。結果を表１に示す。
ナノインデンテーション試験により、ＴａＮ膜の表面硬度を測定した。表面硬度が１０．０ＧＰａ以上の場合は〇とし、表面硬度が１０．０ＧＰａ未満の場合は×とした。結果を表１に示す。
【0133】
（抵抗率）
ＴａＮ膜の抵抗率を以下条件で算出した。抵抗率が３．５ｍΩ・ｃｍ以下の場合は〇とし、３．５ｍΩ・ｃｍ超の場合は×とした。なお、抵抗率が３．５ｍΩ・ｃｍ以下と十分に低ければ、ＥＵＶマスクブランクから作製したＥＵＶマスクを露光装置に固定する際に、十分な固定力が得られるとみなすことができる。
サンプルの導電膜の表面から抵抗率を評価した。
・評価装置：日東精工アナリテック社 ロレスタ－ＧＸ
・測定点数：９点
・測定範囲：１４９ｍｍ×１４９ｍｍ
ＴａＮ膜の抵抗率を以下条件で算出した。抵抗率が３．５ｍΩ・ｃｍ以下の場合は〇とし、３．５ｍΩ・ｃｍ超の場合は×とした。なお、抵抗率が３．５ｍΩ・ｃｍ以下と十分に低ければ、ＥＵＶマスクブランクから作製したＥＵＶマスクを露光装置に固定する際に、十分な固定力が得られるとみなすことができる。
サンプルの導電膜の表面から抵抗率を評価した。
・評価装置：日東精工アナリテック社 ロレスタ－ＧＸ
・測定点数：９点
・測定範囲：１４９ｍｍ×１４９ｍｍ
【0134】
（表面粗さ）
表面粗さ（二乗平均面粗さＲＱ）はＳＩＩ社製の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で２μｍ×２μｍの範囲で測定した。
表面粗さ（二乗平均面粗さＲＱ）はＳＩＩ社製の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）で２μｍ×２μｍの範囲で測定した。
【0135】
（平坦度の熱緩和率）
ＴａＮ膜形成後のＴａＮ膜付基板の平坦度を、フジノン社製平坦度測定機を用いて測定した。次に、ＴａＮ膜付基板を１３６℃で２０分間熱処理した後のＴａＮ膜付基板の平坦度を、フジノン社製平坦度測定機を用いて測定した。次に、下記式により平坦度の熱緩和率を算出し、平坦度の熱緩和率が１５％以下の場合は〇とし、１５％超の場合は×とした。
平坦度の熱緩和率（％）＝｛（熱処理前のＴａＮ膜付基板の平坦度－熱処理後のＴａＮ膜付基板の平坦度）／熱処理前のＴａＮ膜付基板の平坦度｝×１００
ＴａＮ膜形成後のＴａＮ膜付基板の平坦度を、フジノン社製平坦度測定機を用いて測定した。次に、ＴａＮ膜付基板を１３６℃で２０分間熱処理した後のＴａＮ膜付基板の平坦度を、フジノン社製平坦度測定機を用いて測定した。次に、下記式により平坦度の熱緩和率を算出し、平坦度の熱緩和率が１５％以下の場合は〇とし、１５％超の場合は×とした。
平坦度の熱緩和率（％）＝｛（熱処理前のＴａＮ膜付基板の平坦度－熱処理後のＴａＮ膜付基板の平坦度）／熱処理前のＴａＮ膜付基板の平坦度｝×１００
【0136】
＜例２＞
本例では、基板の一方の面に導電膜として、ＴａＮ膜およびＣｒＮ膜の積層膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。
ＴａＮ膜およびＣｒＮ膜の成膜条件はそれぞれ以下のとおりである。
（ＴａＮ膜）
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：６０ｖｏｌ％、Ｎ２：４０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１１Ｐａ）
投入電力：１０００Ｗ
成膜速度：３．９ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２３ｎｍ
（ＣｒＮ膜）
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：５３ｖｏｌ％、Ｎ２：４７ｖｏｌ％、ガス圧：０．１０Ｐａ）
投入電力：１７００Ｗ
成膜速度：１１．４ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２６ｎｍ
本例では、基板の一方の面に導電膜として、ＴａＮ膜およびＣｒＮ膜の積層膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。
ＴａＮ膜およびＣｒＮ膜の成膜条件はそれぞれ以下のとおりである。
（ＴａＮ膜）
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：６０ｖｏｌ％、Ｎ２：４０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１１Ｐａ）
投入電力：１０００Ｗ
成膜速度：３．９ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２３ｎｍ
（ＣｒＮ膜）
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：５３ｖｏｌ％、Ｎ２：４７ｖｏｌ％、ガス圧：０．１０Ｐａ）
投入電力：１７００Ｗ
成膜速度：１１．４ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２６ｎｍ
【0137】
（ＴａＮ膜およびＣｒＮ膜の組成分析）
ＴａＮ膜およびＣｒＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＴａＮ膜のＮ含有率は５９．０ａｔ％であり、ＣｒＮ膜のＮ含有率は４．２ａｔ％であった。
ＴａＮ膜およびＣｒＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＴａＮ膜のＮ含有率は５９．０ａｔ％であり、ＣｒＮ膜のＮ含有率は４．２ａｔ％であった。
【0138】
（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
積層膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。なお、表２に記載の屈折率ｎ、消衰係数ｋはＴａＮ膜の値を示しており、ＣｒＮ膜の屈折率ｎ、消衰係数ｋは、例３、４および９の値と同じであった。
積層膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。なお、表２に記載の屈折率ｎ、消衰係数ｋはＴａＮ膜の値を示しており、ＣｒＮ膜の屈折率ｎ、消衰係数ｋは、例３、４および９の値と同じであった。
【0139】
（光線透過率）
積層膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
（ＸＲＤ 半値幅ＦＷＨＭ）
ＴａＮ膜に対し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法による測定を実施し、ＴａＮ膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークのメインピーンを回折角３０～４０°の範囲について半値幅ＦＷＨＭを測定した。結果を表１に示す。
積層膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
（ＸＲＤ 半値幅ＦＷＨＭ）
ＴａＮ膜に対し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法による測定を実施し、ＴａＮ膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークのメインピーンを回折角３０～４０°の範囲について半値幅ＦＷＨＭを測定した。結果を表１に示す。
【0140】
（表面硬度）
積層膜の表面硬度を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
積層膜の表面硬度を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0141】
（抵抗率）
積層膜の抵抗率を例１の場合と同様の測定方法で測定した。この際、ＴａＮ膜およびＣｒＮ膜の抵抗率が測定される。結果を表１に示す。
積層膜の抵抗率を例１の場合と同様の測定方法で測定した。この際、ＴａＮ膜およびＣｒＮ膜の抵抗率が測定される。結果を表１に示す。
【0142】
（表面粗さ）
積層膜の表面粗さを例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
積層膜の表面粗さを例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0143】
（平坦度の熱緩和率）
積層膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
積層膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0144】
＜例３＞
本例では、基板の一方の面に導電膜として、ＣｒＮ膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。
ＣｒＮ膜の成膜条件は以下のとおりである。
（成膜条件）
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：５３ｖｏｌ％、Ｎ２：４７ｖｏｌ％、ガス圧：０．１０Ｐａ）
投入電力：１７００Ｗ
成膜速度：１１．４ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：４０ｎｍ
本例では、基板の一方の面に導電膜として、ＣｒＮ膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。
ＣｒＮ膜の成膜条件は以下のとおりである。
（成膜条件）
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：５３ｖｏｌ％、Ｎ２：４７ｖｏｌ％、ガス圧：０．１０Ｐａ）
投入電力：１７００Ｗ
成膜速度：１１．４ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：４０ｎｍ
【0145】
（ＣｒＮ膜の組成分析）
ＣｒＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＣｒＮ膜のＮ含有率は４．２ａｔ％であった。
ＣｒＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＣｒＮ膜のＮ含有率は４．２ａｔ％であった。
【0146】
（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
ＣｒＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
ＣｒＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
【0147】
（光線透過率）
ＣｒＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＣｒＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0148】
（表面硬度）
ＣｒＮ膜の表面硬度を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＣｒＮ膜の表面硬度を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0149】
（抵抗率）
ＣｒＮ膜の抵抗率を例１と同様の測定方法を用いて測定した。結果を表１に示す。
ＣｒＮ膜の抵抗率を例１と同様の測定方法を用いて測定した。結果を表１に示す。
【0150】
（平坦度の熱緩和率）
ＣｒＮ膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＣｒＮ膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0151】
＜例４＞
本例は、ＣｒＮ膜の膜厚を３６０ｎｍとした以外、例３と同様の手順を実施した。
本例は、ＣｒＮ膜の膜厚を３６０ｎｍとした以外、例３と同様の手順を実施した。
【0152】
（ＣｒＮ膜の組成分析）
ＣｒＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＣｒＮ膜のＮ含有率は４．２ａｔ％であった。
ＣｒＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＣｒＮ膜のＮ含有率は４．２ａｔ％であった。
【0153】
（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
ＣｒＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
ＣｒＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
【0154】
（光線透過率）
ＣｒＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＣｒＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0155】
（表面硬度）
ＣｒＮ膜の表面硬度を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＣｒＮ膜の表面硬度を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0156】
（抵抗率）
ＣｒＮ膜の抵抗率を例１と同様の測定方法を用いて測定した。結果を表１に示す。
ＣｒＮ膜の抵抗率を例１と同様の測定方法を用いて測定した。結果を表１に示す。
【0157】
（平坦度の熱緩和率）
ＣｒＮ膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＣｒＮ膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0158】
＜例５＞
本例では、基板の一方の面に導電膜として、ＴａＢ膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。
ＴａＢ膜の成膜条件は以下のとおりである。
（成膜条件）
ターゲット：ＴａＢ化合物ターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：０．２０５Ｐａ）
投入電力：１０００Ｗ
成膜速度：１．６７ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：５６ｎｍ
本例では、基板の一方の面に導電膜として、ＴａＢ膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。
ＴａＢ膜の成膜条件は以下のとおりである。
（成膜条件）
ターゲット：ＴａＢ化合物ターゲット
スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：０．２０５Ｐａ）
投入電力：１０００Ｗ
成膜速度：１．６７ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：５６ｎｍ
【0159】
（ＴａＢ膜の組成分析）
ＴａＢ膜の組成を、ＲＢＳおよびＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて測定した。ＴａＢ膜のＮ含有率は０．０ａｔ％であり、Ｂの含有量は２８.０ａｔ％であった。
ＴａＢ膜の組成を、ＲＢＳおよびＸ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いて測定した。ＴａＢ膜のＮ含有率は０．０ａｔ％であり、Ｂの含有量は２８.０ａｔ％であった。
【0160】
（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
ＴａＢ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
ＴａＢ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
【0161】
（光線透過率）
積層膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
積層膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0162】
（ＸＲＤ 半値幅ＦＷＨＭ）
ＴａＢ膜に対し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法による測定を実施し、ＴａＢ膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークのメインピーンを回折角３０～４０°の範囲について半値幅ＦＷＨＭを測定した。結果を表１に示す。
ＴａＢ膜に対し、ｏｕｔ ｏｆ ｐｌａｎｅ ＸＲＤ法による測定を実施し、ＴａＢ膜由来の回折ピーク中、Ｔａのｂｃｃ（１１０）面に帰属される回折ピークのメインピーンを回折角３０～４０°の範囲について半値幅ＦＷＨＭを測定した。結果を表１に示す。
【0163】
（表面硬度）
ＴａＢ膜の表面硬度を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＴａＢ膜の表面硬度を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0164】
（抵抗率）
ＴａＢ膜の抵抗率を例１と同様の測定方法を用いて測定した。結果を表１に示す。
ＴａＢ膜の抵抗率を例１と同様の測定方法を用いて測定した。結果を表１に示す。
【0165】
（表面粗さ）
ＴａＢ膜の表面粗さを例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＴａＢ膜の表面粗さを例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0166】
（平坦度の熱緩和率）
ＴａＢ膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＴａＢ膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0167】
＜例６＞
本例では、基板の一方の面に導電膜として、ＴａＯＮ膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。
ＴａＯＮ膜の成膜条件は以下のとおりである。
（成膜条件）
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：Ｎ２とＯ２の混合ガス（Ｎ２：８８ｖｏｌ％、Ｏ２：１２ｖｏｌ％、ガス圧：０．１８Ｐａ）
投入電力：１０００Ｗ
成膜速度：０．９ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：６０ｎｍ
本例では、基板の一方の面に導電膜として、ＴａＯＮ膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。
ＴａＯＮ膜の成膜条件は以下のとおりである。
（成膜条件）
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：Ｎ２とＯ２の混合ガス（Ｎ２：８８ｖｏｌ％、Ｏ２：１２ｖｏｌ％、ガス圧：０．１８Ｐａ）
投入電力：１０００Ｗ
成膜速度：０．９ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：６０ｎｍ
【0168】
（ＴａＯＮ膜の組成分析）
ＴａＯＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＴａＯＮ膜のＮ含有率は６．０ａｔ％であり、Ｏの含有量は６８．０ａｔ％であった。
ＴａＯＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＴａＯＮ膜のＮ含有率は６．０ａｔ％であり、Ｏの含有量は６８．０ａｔ％であった。
【0169】
（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
ＴａＯＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
ＴａＯＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
【0170】
（光線透過率）
ＴａＯＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＴａＯＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0171】
（抵抗値）
ＴａＯＮ膜の抵抗率を例１と同様の測定方法を用いて測定した。結果を表１に示す。
ＴａＯＮ膜の抵抗率を例１と同様の測定方法を用いて測定した。結果を表１に示す。
【0172】
＜例７＞
本例では、基板の一方の面に導電膜として、ＣｒＯＮ膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。
ＣｒＯＮ膜の成膜条件は以下のとおりである。
（成膜条件）
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２とＯ２の混合ガス（Ａｒ：３３ｖｏｌ％、Ｎ２：２２ｖｏｌ％、Ｏ２：４５ｖｏｌ％、ガス圧：０．０９Ｐａ）
投入電力：７５０Ｗ
成膜速度：１．８６ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：６０ｎｍ
本例では、基板の一方の面に導電膜として、ＣｒＯＮ膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。
ＣｒＯＮ膜の成膜条件は以下のとおりである。
（成膜条件）
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２とＯ２の混合ガス（Ａｒ：３３ｖｏｌ％、Ｎ２：２２ｖｏｌ％、Ｏ２：４５ｖｏｌ％、ガス圧：０．０９Ｐａ）
投入電力：７５０Ｗ
成膜速度：１．８６ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：６０ｎｍ
【0173】
（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
ＣｒＯＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
ＣｒＯＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
【0174】
（光線透過率）
ＣｒＯＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＣｒＯＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0175】
＜例８＞
本例では、ＴａＮ膜の膜厚を１７ｎｍとした以外、例１と同様の手順を実施した。
本例では、ＴａＮ膜の膜厚を１７ｎｍとした以外、例１と同様の手順を実施した。
【0176】
（ＴａＮ膜の組成分析）
ＴａＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＴａＮ膜のＮ含有率は２１．０ａｔ％であった。
ＴａＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＴａＮ膜のＮ含有率は２１．０ａｔ％であった。
【0177】
（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
ＴａＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
ＴａＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
【0178】
（光線透過率）
ＴａＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＴａＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0179】
（平坦度の熱緩和率）
ＴａＮ膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＴａＮ膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0180】
＜例９＞
本例では、ＣｒＮ膜の膜厚を１２ｎｍとした以外、例３と同様の手順を実施した。
本例では、ＣｒＮ膜の膜厚を１２ｎｍとした以外、例３と同様の手順を実施した。
【0181】
（ＣｒＮ膜の組成分析）
ＣｒＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＣｒＮ膜のＮ含有率は４．２ａｔ％であった。
ＣｒＮ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＣｒＮ膜のＮ含有率は４．２ａｔ％であった。
【0182】
（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
ＣｒＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
ＣｒＮ膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。
【0183】
（光線透過率）
ＣｒＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＣｒＮ膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0184】
（平坦度の熱緩和率）
ＣｒＮ膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
ＣｒＮ膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0185】
＜例１０＞
本例では、基板の一方の面に導電膜としてＴａＮ膜、さらに上層としてＣｒＯ膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ＴａＮ膜については、膜厚を変化させた以外は、例２のＴａＮ膜と同様の成膜条件で成膜した。
ＴａＮ膜およびＣｒＯ膜の成膜条件はそれぞれ以下のとおりである。
本例では、基板の一方の面に導電膜としてＴａＮ膜、さらに上層としてＣｒＯ膜をマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜した。ＴａＮ膜については、膜厚を変化させた以外は、例２のＴａＮ膜と同様の成膜条件で成膜した。
ＴａＮ膜およびＣｒＯ膜の成膜条件はそれぞれ以下のとおりである。
【0186】
（ＴａＮ膜）
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：６０ｖｏｌ％、Ｎ２：４０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１１Ｐａ）
投入電力：１０００Ｗ
成膜速度：３．９ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：３０ｎｍ
ターゲット：Ｔａターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：６０ｖｏｌ％、Ｎ２：４０ｖｏｌ％、ガス圧：０．１１Ｐａ）
投入電力：１０００Ｗ
成膜速度：３．９ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：３０ｎｍ
【0187】
（ＣｒＯ膜）
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＯ２の混合ガス（Ａｒ：６６ｖｏｌ％、Ｏ２：３４ｖｏｌ％、ガス圧：０．１６Ｐａ）
投入電力：７５０Ｗ
成膜速度：９．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２７ｎｍ
ターゲット：Ｃｒターゲット
スパッタリングガス：ＡｒとＯ２の混合ガス（Ａｒ：６６ｖｏｌ％、Ｏ２：３４ｖｏｌ％、ガス圧：０．１６Ｐａ）
投入電力：７５０Ｗ
成膜速度：９．０ｎｍ／ｍｉｎ
膜厚：２７ｎｍ
【0188】
（ＴａＮ膜およびＣｒＯ膜の組成分析）
ＴａＮ膜およびＣｒＯ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＴａＮ膜のＮ含有率は５９．０ａｔ％であり、ＣｒＯ膜のＯ含有率は１５．０ａｔ％であった。
ＴａＮ膜およびＣｒＯ膜の組成をＲＢＳを用いて測定した。ＴａＮ膜のＮ含有率は５９．０ａｔ％であり、ＣｒＯ膜のＯ含有率は１５．０ａｔ％であった。
【0189】
（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）
積層膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。なお、表２に記載の屈折率ｎ、消衰係数ｋはＣｒＯ膜の値を示しており、ＴａＮ膜の屈折率ｎ、消衰係数ｋは、例２のＴａＮ膜の値と同じであった。
積層膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを例１と同様の手順で測定した。結果を表２に示す。なお、表２に記載の屈折率ｎ、消衰係数ｋはＣｒＯ膜の値を示しており、ＴａＮ膜の屈折率ｎ、消衰係数ｋは、例２のＴａＮ膜の値と同じであった。
【0190】
（光線透過率）
積層膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
積層膜の光線透過率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0191】
（表面硬度）
積層膜の表面硬度を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
積層膜の表面硬度を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0192】
（抵抗率）
ＴａＮ膜の抵抗率を例１と同様の測定方法を用いて測定した。結果を表１に示す。
ＴａＮ膜の抵抗率を例１と同様の測定方法を用いて測定した。結果を表１に示す。
【0193】
（表面粗さ）
積層体の表面粗さを例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
積層体の表面粗さを例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0194】
（平坦度の熱緩和率）
積層膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
積層膜付基板の平坦度の熱緩和率を例１と同様の手順で測定した。結果を表１に示す。
【0195】
【表1】
【0196】
【表2】
【0197】
屈折率ｎλ１０００－１１００ｎｍが５．３００以下、消衰係数ｋλ１０００－１１００ｎｍが５．２００以下、屈折率ｎλ６００－７００ｎｍが４．３００以下、消衰係数ｋλ６００－７００ｎｍが４．５００以下、屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．６００以上、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０以上であり、屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００以上、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０以上であり、導電膜の膜厚ｔが２０～３５０ｎｍの例１、２、３、５、１０は、光線透過率の評価が〇であり、さらに、導電膜の抵抗率の評価が〇であった。
【0198】
導電膜１２がＴａＮ膜の例１、ＣｒＮ膜およびＴａＮ膜の積層膜の例２、ＴａＢ膜の例５、ならびにＴａＮ膜に上層としてＣｒＯ膜を設けた例１０は、導電膜付き基板の平坦度の熱緩和率の評価が〇であった。
【0199】
導電膜１２がＴａＮ膜の例１、ＣｒＮ膜およびＴａＮ膜の積層膜の例２、ならびにＣｒＮ膜の例３は、導電膜１２の表面硬度が１０．０ＧＰａ以上であり、表面硬度が〇であった。
【0200】
屈折率ｎλ４００－５００ｎｍが２．５００未満、消衰係数ｋλ４００－５００ｎｍが０．４４０未満、屈折率ｎλ４８０－５００ｎｍが２．５００未満、消衰係数ｋλ４８０－５００ｎｍが０．４４０未満の例６、７は、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％超と高く、光線透過率の評価が×であった。また、比較例６は、導電膜の抵抗率の評価が×だった。
【0201】
導電膜の膜厚ｔが３５０ｎｍ超の例４は、波長１０００～１１００ｎｍの光線透過率、および波長６００～７００ｎｍの光線透過率がいずれも０．０％であり、光線透過率の評価が×であった。
【0202】
導電膜の膜厚ｔが２０ｎｍ未満の例８、９は、波長４００～５００ｎｍの光線透過率が１．０％超と高く、光線透過率の評価が×であった。
【0203】
以上、図面を参照しながら各種の実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例又は修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上記実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。
【0204】
なお、本出願は、２０２３年３月１７日出願の日本特許出願（特願２０２３－０４３１４９）に基づくものであり、その内容は本出願の中に参照として援用される。
【符号の説明】
【0205】
１０：ＥＵＶマスクブランク
１１：基板
１２：導電膜
１３：反射層（多層反射膜）
１４：吸収層
１１：基板
１２：導電膜
１３：反射層（多層反射膜）
１４：吸収層
【図1】