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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024168188
(43)【公開日】2024-12-05
(54)【発明の名称】基板処理装置
(51)【国際特許分類】
H01L 21/3065 20060101AFI20241128BHJP
【ＦＩ】
H01L21/302 101G
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023084648
(22)【出願日】2023-05-23
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100126480
【弁理士】
【氏名又は名称】佐藤 睦
(74)【代理人】
【識別番号】100140431
【弁理士】
【氏名又は名称】大石 幸雄
(74)【代理人】
【識別番号】100135677
【弁理士】
【氏名又は名称】澤井 光一
(74)【代理人】
【識別番号】100131598
【弁理士】
【氏名又は名称】高村 和宗
(72)【発明者】
【氏名】網倉 紀彦
(72)【発明者】
【氏名】松本 直樹
【テーマコード（参考）】
5F004
【Ｆターム（参考）】
5F004AA16
5F004BA09
5F004BB08
5F004BB12
5F004BB13
5F004BB22
5F004BB28
(57)【要約】
【課題】バッフル構造を含む基板処理装置において、チャンバ内の汚染を低減することができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板支持部とチャンバの側壁との間に配置される第１の環状バッフルプレートと、第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、第１の磁石構造体を含む第２の環状バッフルプレートと、チャンバの外に配置される第１の駆動ユニットであって、第２の磁石構造体を横方向に回転させることで、第１の磁石構造体を横方向に回転させ、第１の磁石構造体の横方向の回転により、第１の環状バッフルプレートに対して第２の環状バッフルプレートを横方向に回転させるように構成される第１のアクチュエータと、を含む、第１の駆動ユニットと、を備える。
【選択図】図３
【解決手段】基板処理装置は、基板支持部とチャンバの側壁との間に配置される第１の環状バッフルプレートと、第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、第１の磁石構造体を含む第２の環状バッフルプレートと、チャンバの外に配置される第１の駆動ユニットであって、第２の磁石構造体を横方向に回転させることで、第１の磁石構造体を横方向に回転させ、第１の磁石構造体の横方向の回転により、第１の環状バッフルプレートに対して第２の環状バッフルプレートを横方向に回転させるように構成される第１のアクチュエータと、を含む、第１の駆動ユニットと、を備える。
【選択図】図３
【特許請求の範囲】
【請求項1】
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面、下面及び第１の外側エッジ面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有し、前記第２の環状バッフルプレートは、前記第１の外側エッジ面に配置される第１の磁石構造体を含む、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバの外に配置される第１の駆動ユニットであって、前記第１の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を横方向に回転させることで、前記第１の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第１の磁石構造体の横方向の回転により、前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを横方向に回転させるように構成される第１のアクチュエータと、を含む、前記第１の駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面、下面及び第１の外側エッジ面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有し、前記第２の環状バッフルプレートは、前記第１の外側エッジ面に配置される第１の磁石構造体を含む、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバの外に配置される第１の駆動ユニットであって、前記第１の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を横方向に回転させることで、前記第１の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第１の磁石構造体の横方向の回転により、前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを横方向に回転させるように構成される第１のアクチュエータと、を含む、前記第１の駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
【請求項2】
前記第１の磁石構造体は、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第１の非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において横方向に沿って交互に配列される、
請求項１に記載の基板処理装置。
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第１の非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において横方向に沿って交互に配列される、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項3】
前記第１のＳ極磁石及び前記第１のＮ極磁石は、前記第２の開口の横寸法の５０％以下の横寸法を有する、
請求項２に記載の基板処理装置。
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項4】
前記第１のＳ極磁石及び前記第１のＮ極磁石は、前記第２の開口の横寸法の２５％以下の横寸法を有する、
請求項２に記載の基板処理装置。
請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項5】
前記第１の領域は、前記第２の開口の横寸法と略同じ横寸法を有し、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
請求項４に記載の基板処理装置。
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項6】
前記第２の領域は、前記第１の領域の横寸法と同じかそれよりも大きい横寸法を有する、
請求項５に記載の基板処理装置。
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項7】
前記第１の環状バッフルプレートは、前記チャンバに対し固定され、
前記第２の環状バッフルプレートは、前記第１の環状バッフルプレートの下方に配置される、
請求項１に記載の基板処理装置。
前記第２の環状バッフルプレートは、前記第１の環状バッフルプレートの下方に配置される、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項8】
前記チャンバの外に配置される第２の駆動ユニットを、さらに備え、
前記第２の環状バッフルプレートは、第３の磁石構造体を含み、
前記第２の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の磁石構造体に対向するように配置される第４の磁石構造体と、
前記第４の磁石構造体を縦方向に回転又は移動させることにより、前記第３の磁石構造体を縦方向に移動させ、前記第３の磁石構造体の移動により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される第２のアクチュエータと、を含む、
請求項７に記載の基板処理装置。
前記第２の環状バッフルプレートは、第３の磁石構造体を含み、
前記第２の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の磁石構造体に対向するように配置される第４の磁石構造体と、
前記第４の磁石構造体を縦方向に回転又は移動させることにより、前記第３の磁石構造体を縦方向に移動させ、前記第３の磁石構造体の移動により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される第２のアクチュエータと、を含む、
請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項9】
前記第３の磁石構造体は、１又は複数の第３のＳ極磁石及び１又は複数の第３のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第３のＳ極磁石及び前記１又は複数の第３のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第３の領域において縦方向に沿って交互に配列され、
前記第４の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第４のＳ極磁石と、１又は複数の第４のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第３の外側エッジ面を有し、前記第３の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第４のＳ極磁石及び前記１又は複数の第４のＮ極磁石は、前記第３の外側エッジ面の第４の領域において縦方向に沿って交互に配列される、
請求項８に記載の基板処理装置。
前記１又は複数の第３のＳ極磁石及び前記１又は複数の第３のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第３の領域において縦方向に沿って交互に配列され、
前記第４の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第４のＳ極磁石と、１又は複数の第４のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第３の外側エッジ面を有し、前記第３の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第４のＳ極磁石及び前記１又は複数の第４のＮ極磁石は、前記第３の外側エッジ面の第４の領域において縦方向に沿って交互に配列される、
請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項10】
前記チャンバ内に配置され、前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される昇降ユニットと、
前記チャンバ外に配置される第２の駆動ユニットと、をさらに備え、
前記昇降ユニットは、第３の磁石構造体を含み、
前記第２の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の磁石構造体に対向するように配置される第４の磁石構造体と、
前記第４の磁石構造体を横方向に回転させることにより、前記第３の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第３の磁石構造体の回転により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される第２のアクチュエータと、を含む、
請求項７に記載の基板処理装置。
前記チャンバ外に配置される第２の駆動ユニットと、をさらに備え、
前記昇降ユニットは、第３の磁石構造体を含み、
前記第２の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の磁石構造体に対向するように配置される第４の磁石構造体と、
前記第４の磁石構造体を横方向に回転させることにより、前記第３の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第３の磁石構造体の回転により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される第２のアクチュエータと、を含む、
請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項11】
前記第３の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第３のＳ極磁石と、１又は複数の第３のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第３の外側エッジ面を有し、
前記１又は複数の第３のＳ極磁石及び前記１又は複数の第３のＮ極磁石は、前記第２の非接触ギアの前記第３の外側エッジ面の第３の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第４の磁石構造体は、第３の非接触ギアと、１又は複数の第４のＳ極磁石と、１又は複数の第４のＮ極磁石と、を含み、
前記第３の非接触ギアは、第４の外側エッジ面を有し、前記第４の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第４のＳ極磁石及び前記１又は複数の第４のＮ極磁石は、前記第４の外側エッジ面の第４の領域において横方向に沿って交互に配列される、
請求項１０に記載の基板処理装置。
前記第２の非接触ギアは、第３の外側エッジ面を有し、
前記１又は複数の第３のＳ極磁石及び前記１又は複数の第３のＮ極磁石は、前記第２の非接触ギアの前記第３の外側エッジ面の第３の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第４の磁石構造体は、第３の非接触ギアと、１又は複数の第４のＳ極磁石と、１又は複数の第４のＮ極磁石と、を含み、
前記第３の非接触ギアは、第４の外側エッジ面を有し、前記第４の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第４のＳ極磁石及び前記１又は複数の第４のＮ極磁石は、前記第４の外側エッジ面の第４の領域において横方向に沿って交互に配列される、
請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項12】
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面、下面及び第１の外側エッジ面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有し、前記第２の環状バッフルプレートは、第１の磁石構造体を含む、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバの外に配置される駆動ユニットであって、前記駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を縦方向に回転又は移動させることにより、前記第１の磁石構造体を縦方向に移動させ、前記第１の磁石構造体の移動により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面、下面及び第１の外側エッジ面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有し、前記第２の環状バッフルプレートは、第１の磁石構造体を含む、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバの外に配置される駆動ユニットであって、前記駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を縦方向に回転又は移動させることにより、前記第１の磁石構造体を縦方向に移動させ、前記第１の磁石構造体の移動により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
【請求項13】
前記第１の磁石構造体は、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において縦方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において縦方向に沿って交互に配列される、
請求項１２に記載の基板処理装置。
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において縦方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において縦方向に沿って交互に配列される、
請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項14】
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
請求項１３に記載の基板処理装置。
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項15】
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面及び下面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有する、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバ内に配置され、前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される昇降ユニットであって、前記昇降ユニットは、第１の磁石構造体を含む、前記昇降ユニットと、
前記チャンバ外に配置される駆動ユニットであって、前記駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を横方向に回転させることにより、前記第１の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第１の磁石構造体の回転により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面及び下面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有する、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバ内に配置され、前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される昇降ユニットであって、前記昇降ユニットは、第１の磁石構造体を含む、前記昇降ユニットと、
前記チャンバ外に配置される駆動ユニットであって、前記駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を横方向に回転させることにより、前記第１の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第１の磁石構造体の回転により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
【請求項16】
前記第１の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第１のＳ極磁石と、１又は複数の第１のＮ極磁石と、を含み、
前記第１の非接触ギアは、第１の外側エッジ面を有し、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第１の非接触ギアの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において横方向に沿って交互に配列される、
請求項１５に記載の基板処理装置。
前記第１の非接触ギアは、第１の外側エッジ面を有し、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第１の非接触ギアの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において横方向に沿って交互に配列される、
請求項１５に記載の基板処理装置。
【請求項17】
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
請求項１６に記載の基板処理装置。
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
請求項１６に記載の基板処理装置。
【請求項18】
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置されるバッフル構造体であって、前記バッフル構造体は、周方向に沿って配列される複数のバッフルセグメントを含み、前記複数のバッフルセグメントの各バッフルセグメントは、上面及び下面を有する本体部と、第１の磁石構造体と、前記本体部と第１の磁石構造体との間において径方向に沿って延在する回転軸と、を含む、前記バッフル構造体と、
前記複数のバッフルセグメントにそれぞれ対応し、前記チャンバの外に配置される複数の駆動ユニットであって、前記複数の駆動ユニットの各駆動ユニットは、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、前記第２の磁石構造体を回転させることで、前記第１の磁石構造体を回転させ、前記第１の磁石構造体の回転により前記バッフル構造体の前記本体部を前記回転軸を中心に回転させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置されるバッフル構造体であって、前記バッフル構造体は、周方向に沿って配列される複数のバッフルセグメントを含み、前記複数のバッフルセグメントの各バッフルセグメントは、上面及び下面を有する本体部と、第１の磁石構造体と、前記本体部と第１の磁石構造体との間において径方向に沿って延在する回転軸と、を含む、前記バッフル構造体と、
前記複数のバッフルセグメントにそれぞれ対応し、前記チャンバの外に配置される複数の駆動ユニットであって、前記複数の駆動ユニットの各駆動ユニットは、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、前記第２の磁石構造体を回転させることで、前記第１の磁石構造体を回転させ、前記第１の磁石構造体の回転により前記バッフル構造体の前記本体部を前記回転軸を中心に回転させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
【請求項19】
前記第１の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第１のＳ極磁石と、１又は複数の第１のＮ極磁石と、を含み、
前記第１の非接触ギアは、前記チャンバの前記側壁に対向する第１の面を有し、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第１の非接触ギアの前記第１の面において周方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第２の面を有し、前記第２の面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の非接触ギアの前記第１の面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の非接触ギアの前記第２の面において周方向に沿って交互に配列される、請求項１８に記載の基板処理装置。
前記第１の非接触ギアは、前記チャンバの前記側壁に対向する第１の面を有し、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第１の非接触ギアの前記第１の面において周方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第２の面を有し、前記第２の面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の非接触ギアの前記第１の面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の非接触ギアの前記第２の面において周方向に沿って交互に配列される、請求項１８に記載の基板処理装置。
【請求項20】
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
請求項１９に記載の基板処理装置。
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
請求項１９に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示の例示的実施形態は、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【0002】
基板処理装置において、排気リングをチャンバ内のギアにより駆動する技術として、特許文献１に記載された技術がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】米国特許出願公開２０１８/０２０２０４５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示は、バッフル構造を含む基板処理装置において、チャンバ内の汚染を低減することができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一つの例示的実施形態における基板処理装置は、側壁を有するチャンバと、チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部とチャンバの側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、第１の環状バッフルプレートは、上面から下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、第１の環状バッフルプレートと、第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面、下面及び第１の外側エッジ面を有する第２の環状バッフルプレートであって、第２の環状バッフルプレートは、上面から下面まで貫通する複数の第２の開口を有し、第２の環状バッフルプレートは、第１の外側エッジ面に配置される第１の磁石構造体を含む、第２の環状バッフルプレートと、チャンバの外に配置される第１の駆動ユニットであって、第１の駆動ユニットは、チャンバの側壁を介して第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、第２の磁石構造体を横方向に回転させることで、第１の磁石構造体を横方向に回転させ、第１の磁石構造体の横方向の回転により、第１の環状バッフルプレートに対して第２の環状バッフルプレートを横方向に回転させるように構成される第１のアクチュエータと、を含む、第１の駆動ユニットと、を備える。
【発明の効果】
【0006】
本開示の一つの例示的実施形態によれば、バッフル構造を含む基板処理装置において、チャンバ内の汚染を低減することができる技術を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。
【図2】第１の実施の形態におけるプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【図3】第１の環状バッフルプレート及び第２の環状バッフルプレートの構成の一例を説明するための図である。
【図4】第１の環状バッフルプレート、第２の環状バッフルプレート及び第１の駆動ユニットの構成の一例を説明するための図である。
【図5】第１の磁石構造体における第１のＳ極磁石と第１のＮ極磁石の配置例と、第２の磁石構造体における第２のＳ極磁石と第２のＮ極磁石の配置例を説明するための図である。
【図6A】プラズマ処理空間の内部圧力を相対的に低くする場合における第１の開口と第２の開口の位置調整の一例を示す図である。
【図6B】プラズマ処理空間の内部圧力を相対的に高くする場合における第１の開口と第２の開口の位置調整の一例を示す図である。
【図6C】プラズマ処理空間の内部圧力を中程度にする場合における第１の開口と第２の開口の位置調整の一例を示す図である。
【図7】第２の実施の形態におけるプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【図8】第１の環状バッフルプレート、第２の環状バッフルプレート及び第２の駆動ユニットの構成の一例を説明するための図である。
【図9A】プラズマ処理空間の内部圧力を相対的に低くする場合における第１の開口と第２の開口の距離調整の一例を示す図である。
【図9B】プラズマ処理空間の内部圧力を相対的に高くする場合における第１の開口と第２の開口の距離調整の一例を示す図である。
【図10】第１の環状バッフルプレート、第２の環状バッフルプレート及び第２の駆動ユニットの他の構成例を説明するための図である。
【図11】第２の駆動ユニットがチャンバの側壁に沿った複数個所に配置される例を説明するための図である。
【図12】プラズマ処理装置が、第２の環状バッフルプレートの移動をガイドするガイドシャフトを有する場合の例を説明するための図である。
【図13】第２の環状バッフルプレートの貫通孔とガイドシャフトに設けられた磁石の配置例を示す図である。
【図14】第２の実施の形態において、プラズマ処理装置が、第１の環状バッフルプレート、第２の環状バッフルプレート、昇降ユニット及び第２の駆動ユニットを有する場合の例を説明するための図である。
【図15】第３の実施の形態におけるプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【図16】バッフル構造体と駆動ユニットの構成例を説明するための図である。
【図17】バッフル構造体と駆動ユニットの構成例を説明するための図である。
【図18】第１の磁石構造体の第１のＳ極磁石及び第１のＮ極磁石の配置例を示す図である。
【図19】第２の磁石構造体の第２のＳ極磁石及び第２のＮ極磁石の配置例を示す図である。
【図20】バッフル構造体における本体部を９０°回転させ、本体部間に開口を形成する様子を示す図である。
【図21A】プラズマ処理空間の内部圧力を相対的に低くする場合における本体部の回転角度調整の一例を示す図である。
【図21B】プラズマ処理空間の内部圧力を相対的に高くする場合における本体部の回転角度調整の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、本開示の各実施形態について説明する。
【0009】
一つの例示的実施形態において、側壁を有するチャンバと、チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部とチャンバの側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、第１の環状バッフルプレートは、上面から下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、第１の環状バッフルプレートと、第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面、下面及び第１の外側エッジ面を有する第２の環状バッフルプレートであって、第２の環状バッフルプレートは、上面から下面まで貫通する複数の第２の開口を有し、第２の環状バッフルプレートは、第１の外側エッジ面に配置される第１の磁石構造体を含む、第２の環状バッフルプレートと、チャンバの外に配置される第１の駆動ユニットであって、第１の駆動ユニットは、チャンバの側壁を介して第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、第２の磁石構造体を横方向に回転させることで、第１の磁石構造体を横方向に回転させ、第１の磁石構造体の横方向の回転により、第１の環状バッフルプレートに対して第２の環状バッフルプレートを横方向に回転させるように構成される第１のアクチュエータと、を含む、第１の駆動ユニットと、を備える、基板処理装置が提供される。
【0010】
一つの例示的実施形態において、第１の磁石構造体は、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石を含み、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石は、第２の環状バッフルプレートの第１の外側エッジ面の第１の領域において横方向に沿って交互に配列され、第２の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、第１の非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、第２の外側エッジ面は、チャンバの側壁を介して第２の環状バッフルプレートの第１の外側エッジ面に対向し、１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、第２の外側エッジ面の第２の領域において横方向に沿って交互に配列される。
【0011】
一つの例示的実施形態において、第１のＳ極磁石及び第１のＮ極磁石は、第２の開口の横寸法の５０％以下の横寸法を有する。
【0012】
一つの例示的実施形態において、第１のＳ極磁石及び第１のＮ極磁石は、第２の開口の横寸法の２５％以下の横寸法を有する。
【0013】
一つの例示的実施形態において、第１の領域は、第２の開口の横寸法と略同じ横寸法を有し、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む。
【0014】
一つの例示的実施形態において、第２の領域は、第１の領域の横寸法と同じかそれよりも大きい横寸法を有する。
【0015】
一つの例示的実施形態において、第１の環状バッフルプレートは、チャンバに対し固定され、第２の環状バッフルプレートは、第１の環状バッフルプレートの下方に配置される。
【0016】
一つの例示的実施形態において、チャンバの外に配置される第２の駆動ユニットを、さらに備え、第２の環状バッフルプレートは、第３の磁石構造体を含み、第２の駆動ユニットは、チャンバの側壁を介して第３の磁石構造体に対向するように配置される第４の磁石構造体と、第４の磁石構造体を縦方向に回転又は移動させることにより、第３の磁石構造体を縦方向に移動させ、第３の磁石構造体の移動により第１の環状バッフルプレートに対して第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される第２のアクチュエータと、を含む。
【0017】
一つの例示的実施形態において、第３の磁石構造体は、１又は複数の第３のＳ極磁石及び１又は複数の第３のＮ極磁石を含み、１又は複数の第３のＳ極磁石及び１又は複数の第３のＮ極磁石は、第２の環状バッフルプレートの第１の外側エッジ面の第３の領域において縦方向に沿って交互に配列され、第４の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第４のＳ極磁石と、１又は複数の第４のＮ極磁石と、を含み、第２の非接触ギアは、第３の外側エッジ面を有し、第３の外側エッジ面は、チャンバの側壁を介して第２の環状バッフルプレートの第１の外側エッジ面に対向し、１又は複数の第４のＳ極磁石及び１又は複数の第４のＮ極磁石は、第３の外側エッジ面の第４の領域において縦方向に沿って交互に配列される。
【0018】
一つの例示的実施形態において、チャンバ内に配置され、第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される昇降ユニットと、チャンバ外に配置される第２の駆動ユニットと、をさらに備え、昇降ユニットは、第３の磁石構造体を含み、第２の駆動ユニットは、チャンバの側壁を介して第３の磁石構造体に対向するように配置される第４の磁石構造体と、第４の磁石構造体を横方向に回転させることにより、第３の磁石構造体を横方向に回転させ、第３の磁石構造体の回転により第１の環状バッフルプレートに対して第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される第２のアクチュエータと、を含む。
【0019】
一つの例示的実施形態において、第３の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第３のＳ極磁石と、１又は複数の第３のＮ極磁石と、を含み、第２の非接触ギアは、第３の外側エッジ面を有し、１又は複数の第３のＳ極磁石及び１又は複数の第３のＮ極磁石は、第２の非接触ギアの第３の外側エッジ面の第３の領域において横方向に沿って交互に配列され、第４の磁石構造体は、第３の非接触ギアと、１又は複数の第４のＳ極磁石と、１又は複数の第４のＮ極磁石と、を含み、第３の非接触ギアは、第４の外側エッジ面を有し、第４の外側エッジ面は、チャンバの側壁を介して第３の外側エッジ面に対向し、１又は複数の第４のＳ極磁石及び１又は複数の第４のＮ極磁石は、第４の外側エッジ面の第４の領域において横方向に沿って交互に配列される。
【0020】
一つの例示的実施形態において、側壁を有するチャンバと、チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部とチャンバの側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、第１の環状バッフルプレートは、上面から下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、第１の環状バッフルプレートと、第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面、下面及び第１の外側エッジ面を有する第２の環状バッフルプレートであって、第２の環状バッフルプレートは、上面から下面まで貫通する複数の第２の開口を有し、第２の環状バッフルプレートは、第１の磁石構造体を含む、第２の環状バッフルプレートと、チャンバの外に配置される駆動ユニットであって、駆動ユニットは、チャンバの側壁を介して第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、第２の磁石構造体を縦方向に回転又は移動させることにより、第１の磁石構造体を縦方向に移動させ、第１の磁石構造体の移動により第１の環状バッフルプレートに対して第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータと、を含む、駆動ユニットと、を備える、基板処理装置が提供される。
【0021】
一つの例示的実施形態において、第１の磁石構造体は、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石を含み、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石は、第２の環状バッフルプレートの第１の外側エッジ面の第１の領域において縦方向に沿って交互に配列され、第２の磁石構造体は、非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、第２の外側エッジ面は、チャンバの側壁を介して第２の環状バッフルプレートの第１の外側エッジ面に対向し、１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、第２の外側エッジ面の第２の領域において縦方向に沿って交互に配列される。
【0022】
一つの例示的実施形態において、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む。
【0023】
一つの例示的実施形態において、側壁を有するチャンバと、チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部とチャンバの側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、第１の環状バッフルプレートは、上面から下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、第１の環状バッフルプレートと、第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面及び下面を有する第２の環状バッフルプレートであって、第２の環状バッフルプレートは、上面から下面まで貫通する複数の第２の開口を有する、第２の環状バッフルプレートと、チャンバ内に配置され、第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される昇降ユニットであって、昇降ユニットは、第１の磁石構造体を含む、昇降ユニットと、チャンバ外に配置される駆動ユニットであって、駆動ユニットは、チャンバの側壁を介して第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、第２の磁石構造体を横方向に回転させることにより、第１の磁石構造体を横方向に回転させ、第１の磁石構造体の回転により第１の環状バッフルプレートに対して第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータと、を含む、駆動ユニットと、を備える、基板処理装置が提供される。
【0024】
一つの例示的実施形態において、第１の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第１のＳ極磁石と、１又は複数の第１のＮ極磁石と、を含み、第１の非接触ギアは、第１の外側エッジ面を有し、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石は、第１の非接触ギアの第１の外側エッジ面の第１の領域において横方向に沿って交互に配列され、第２の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、第２の非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、第２の外側エッジ面は、チャンバの側壁を介して第１の外側エッジ面に対向し、１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、第２の外側エッジ面の第２の領域において横方向に沿って交互に配列される。
【0025】
一つの例示的実施形態において、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む。
【0026】
一つの例示的実施形態において、側壁を有するチャンバと、チャンバ内に配置される基板支持部と、基板支持部とチャンバの側壁との間に配置されるバッフル構造体であって、バッフル構造体は、周方向に沿って配列される複数のバッフルセグメントを含み、複数のバッフルセグメントの各バッフルセグメントは、上面及び下面を有する本体部と、第１の磁石構造体と、本体部と第１の磁石構造体との間において径方向に沿って延在する回転軸と、を含む、バッフル構造体と、複数のバッフルセグメントにそれぞれ対応し、チャンバの外に配置される複数の駆動ユニットであって、複数の駆動ユニットの各駆動ユニットは、チャンバの側壁を介して第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、第２の磁石構造体を回転させることで、第１の磁石構造体を回転させ、第１の磁石構造体の回転によりバッフル構造体の本体部を回転軸を中心に回転させるように構成されるアクチュエータと、を含む、駆動ユニットと、を備える、基板処理装置が提供される。
【0027】
一つの例示的実施形態において、第１の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第１のＳ極磁石と、１又は複数の第１のＮ極磁石と、を含み、第１の非接触ギアは、チャンバの側壁に対向する第１の面を有し、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石は、第１の非接触ギアの第１の面において周方向に沿って交互に配列され、第２の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、第２の非接触ギアは、第２の面を有し、第２の面は、チャンバの側壁を介して第１の非接触ギアの第１の面に対向し、１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、第２の非接触ギアの第２の面において周方向に沿って交互に配列される。
【0028】
一つの例示的実施形態において、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む。
【0029】
以下、図面を参照して、本開示の各実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づいて上下左右等の位置関係を説明する。図面の寸法比率は実際の比率を示すものではなく、また、実際の比率は図示の比率に限られるものではない。
【0030】
（第１の実施の形態）
＜プラズマ処理システムの一例＞
図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
＜プラズマ処理システムの一例＞
図１は、プラズマ処理システムの構成例を説明するための図である。一実施形態において、プラズマ処理システムは、プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。プラズマ処理システムは、基板処理システムの一例であり、プラズマ処理装置１は、基板処理装置の一例である。プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、基板支持部１１及びプラズマ生成部１２を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、プラズマ処理空間を有する。また、プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間に供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。ガス供給口は、後述するガス供給部２０に接続され、ガス排出口は、後述する排気システム４０に接続される。基板支持部１１は、プラズマ処理空間内に配置され、基板を支持するための基板支持面を有する。
【0031】
プラズマ生成部１２は、プラズマ処理空間内に供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマを生成するように構成される。プラズマ処理空間において形成されるプラズマは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ；Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ ｐｌａｓｍａ）、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等であってもよい。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。一実施形態において、ＡＣプラズマ生成部で用いられるＡＣ信号（ＡＣ電力）は、１００ｋＨｚ～１０ＧＨｚの範囲内の周波数を有する。従って、ＡＣ信号は、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号及びマイクロ波信号を含む。一実施形態において、ＲＦ信号は、 １００ｋＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。
【0032】
制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。
【0033】
以下に、プラズマ処理装置１の一例としての容量結合型のプラズマ処理装置の構成例について説明する。図２は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。
【0034】
容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０（単に「チャンバ」ともいう。）、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
【0035】
基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１２を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。
【0036】
一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０及び静電チャック１１１１を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１２は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ電源３１及び／又はＤＣ電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。
【0037】
リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。
【0038】
また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１２及び基板のうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。
【0039】
シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。
【0040】
ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する少なくとも１つの流量変調デバイスを含んでもよい。
【0041】
電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ生成部１２の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。
【0042】
一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。
【0043】
第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。
【0044】
また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。
【0045】
種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号がパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。
【0046】
排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
【0047】
プラズマ処理装置１は、第１の環状バッフルプレート２００と、第２の環状バッフルプレート２０１と、第１の駆動ユニット２０２を含んでよい。
【0048】
第１の環状バッフルプレート２００及び第２の環状バッフルプレート２０１は、基板支持部１１とチャンバ１０の側壁１０ａとの間に配置されてよい。第２の環状バッフルプレート２０１は、第１の環状バッフルプレート２００と縦方向Ｚに重複し、第１の環状バッフルプレート２００の下に配置されてよい。
【0049】
図３は、第１の環状バッフルプレート２００及び第２の環状バッフルプレート２０１の構成の一例を説明する図である。なお、図３では、説明のため、第１の環状バッフルプレート２００と第２の環状バッフルプレート２０１を離して示している。図３に示すように、第１の環状バッフルプレート２００は、上面２１０及び下面２１１を含んでよい。第１の環状バッフルプレート２００には、上面２１０から下面２１１まで貫通する複数の第１の開口２１２が形成されてよい。複数の第１の開口２１２は、第１の環状バッフルプレート２００の全周にわたり横方向（周方向）Ｙに並べて配置されてよい。複数の第１の開口２１２は、周方向Ｙに等間隔に配置されてよい。各第１の開口２１２は、平面視で、径方向Ｘに長い略長方形のスリット形状を有してよい。第１の環状バッフルプレート２００は、基板支持部１１又はチャンバ１０に対し固定されてよい。
【0050】
第２の環状バッフルプレート２０１は、上面２２０と、下面２２１と、第１の外側エッジ面２２２と、第１の磁石構造体２２３とを含んでよい。第２の環状バッフルプレート２０１には、上面２２０から下面２２１まで貫通する複数の第２の開口２２４が形成されてよい。複数の第２の開口２２４は、第２の環状バッフルプレート２０１の全周にわたり周方向Ｙに並べて配置されてよい。複数の第２の開口２２４は、周方向Ｙに等間隔に配置されてよい。各第２の開口２２４は、平面視で、径方向Ｘに長い略長方形のスリット形状を有してよい。各第２の開口２２４は、第１の開口２１２と同じ数、同じ形及び同じ大きさを有していてよい。第２の環状バッフルプレート２０１は、基板支持部１１又はチャンバ１０に対し周方向Ｙに回転自在に取り付けられてよい。
【0051】
図３及び図４に示すように、第２の環状バッフルプレート２０１は、チャンバ１０の側壁１０ａに近接配置された環状外周部２３０を含んでよい。環状外周部２３０は、円筒形状を有してよい。環状外周部２３０は、上面２２０及び下面２２１の最外周から下方に向けて延設されてよい。第１の外側エッジ面２２２は、環状外周部２３０の外周面であってよい。第１の外側エッジ面２２２（環状外周部２３０の外側面）は、内側に凹む環状凹部２３１を有してよい。第１の外側エッジ面２２２は、チャンバ１０の側壁１０ａの内面に近接してよい。
【0052】
第１の磁石構造体２２３は、１又は複数の第１のＳ極磁石２４０と、１又は複数の第１のＮ極磁石２４１を含んでよい。第１のＳ極磁石２４０と第１のＮ極磁石２４１は、第１の外側エッジ面２２２の環状凹部２３１に配置されてよい。図５に示すように、第１のＳ極磁石２４０及び第１のＮ極磁石２４１は、第１の外側エッジ面２２２の第１の領域Ｒ１において横方向（周方向）Ｙに沿って交互に配列されてよい。
【0053】
第１の領域Ｒ１は、第２の開口２２４の横寸法Ｄ１と略同じ横寸法Ｌ１を有してよい。第１のＳ極磁石２４０及び第１のＮ極磁石２４１は、第２の開口２２４の横寸法Ｄ１の５０％以下の横寸法Ｍ１を有してよい。この場合、第１のＳ極磁石２４０及び第１のＮ極磁石２４１は、第１の領域Ｒ１に、少なくとも２つ以上（第１のＳ極磁石２４０が一つ以上、第１のＮ極磁石２４１が一つ以上）配置されてよい。第１のＳ極磁石２４０及び第１のＮ極磁石２４１は、第２の開口２２４の横寸法Ｄ１の２５％以下の横寸法Ｍ１を有してよい。この場合、第１のＳ極磁石２４０及び第１のＮ極磁石２４１は、第１の領域Ｒ１に、少なくとも４つ以上（第１のＳ極磁石２４０が２つ以上、第１のＮ極磁石２４１が２つ以上）配置されてよい。
【0054】
図２及び図４に示すように、第１の駆動ユニット２０２は、チャンバ１０の外に配置されてよい。第１の駆動ユニット２０２は、チャンバ１０の側壁１０ａの近傍に配置されてよい。第１の駆動ユニット２０２は、第２の磁石構造体２５０と、第１のアクチュエータ２５１を含んでよい。
【0055】
図４に示すように、第１のアクチュエータ２５１は、第２の磁石構造体２５０を横方向に回転させることができてよい。第１のアクチュエータ２５１は、モータ２６０と、モータ２６０によって回転するシャフト２６１を備えてよい。シャフト２６１は、縦方向Ｚに延設し、縦方向Ｚに向いた回転軸を備えてよい。
【0056】
第２の磁石構造体２５０は、シャフト２６１に固定されてよい。第２の磁石構造体２５０は、第１の非接触ギア２７０と、１又は複数の第２のＳ極磁石２７１と、１又は複数の第２のＮ極磁石２７２とを含んでよい。
【0057】
第１の非接触ギア２７０は、第２の外側エッジ面２８０を有してよい。第１の非接触ギア２７０は、中心軸が縦方向Ｚに向いた円柱形状を有してよい。第２の外側エッジ面２８０は、チャンバ１０の側壁１０ａを介して第１の磁石構造体２２３に対向してよい。第２の外側エッジ面２８０は、チャンバ１０の側壁１０ａの外面に近接してよい。
【0058】
図５に示すように、第２のＳ極磁石２７１及び第２のＮ極磁石２７２は、第２の外側エッジ面２８０の第２の領域Ｒ２に横方向に沿って交互に配列されてよい。
【0059】
第２の領域Ｒ２は、第２の開口２２４の横寸法Ｄ１と略同じ横寸法Ｌ２を有してよい。第２のＳ極磁石２７１及び第２のＮ極磁石２７２は、第１のＳ極磁石２４０及び第１のＮ極磁石２４１と同様の横寸法Ｍ２を有してよい。第２のＳ極磁石２７１及び第２のＮ極磁石２７２は、第２の開口２２４の横寸法Ｄ１の５０％以下の横寸法Ｍ２を有してよい。この場合、第２のＳ極磁石２７１及び第２のＮ極磁石２７２は、第２の領域Ｒ２に、少なくとも２つ以上（第２のＳ極磁石２７１が一つ以上、第２のＮ極磁石２７２が一つ以上）配置されてよい。第２のＳ極磁石２７１及び第２のＮ極磁石２７２は、第２の開口２２４の横寸法Ｄ１の２５％以下の横寸法Ｍ２を有してよい。この場合、第２のＳ極磁石２７１及び第２のＮ極磁石２７２は、第２の領域Ｒ２に、少なくとも４つ以上（第２のＳ極磁石２７１が２つ以上、第２のＮ極磁石２７２が２つ以上）配置されてよい。第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１の横寸法Ｌ１と同じかそれよりも大きい横寸法Ｌ２を有してよい。第２のＳ極磁石２７１は、第１のＮ極磁石２４１に対向し、第２のＮ極磁石２７２は、第１のＳ極磁石２４０に対向してよい。第２のＳ極磁石２７１及び第２のＮ極磁石２７２は、第１のＳ極磁石２４０と第１のＮ極磁石２４１と同じ数であってよいし、異なる数であってよい。
【0060】
第１のアクチュエータ２５１は、第２の磁石構造体２５０を横方向に回転させることで、第１の磁石構造体２２３を横方向Ｙに回転させ、当該第１の磁石構造体２２３の横方向の回転により、第１の環状バッフルプレート２００に対して第２の環状バッフルプレート２０１を横方向Ｙに回転させることができてよい。
【0061】
＜プラズマ処理方法の一例＞
プラズマ処理方法は、プラズマを用いて基板Ｗ上の膜をエッチングするエッチング処理を含む。一実施形態において、プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置１において制御部２により実行される。
プラズマ処理方法は、プラズマを用いて基板Ｗ上の膜をエッチングするエッチング処理を含む。一実施形態において、プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置１において制御部２により実行される。
【0062】
先ず、基板Ｗが、搬送アームによりチャンバ１０内に搬入され、リフターにより基板支持部１１に載置され、図２に示すように基板支持部１１上に吸着保持される。
【0063】
次に、処理ガスが、ガス供給部２０によりシャワーヘッド１３に供給され、シャワーヘッド１３からプラズマ処理空間１０ｓに供給される。このとき供給される処理ガスは、基板Ｗのエッチング処理のために必要な活性種を生成するガスを含む。
【0064】
１又は複数のＲＦ信号がＲＦ電源３１から上部電極及び／又は下部電極に供給される。プラズマ処理空間１０ｓ内の雰囲気はガス排出口１０ｅから排気され、プラズマ処理空間１０ｓの内部は減圧されてもよい。これにより、プラズマ処理空間１０ｓの基板支持部１１上に、処理ガスからプラズマが生成され、基板Ｗがエッチング処理される。
【0065】
プラズマは、第１の環状バッフルプレート２００及び第２の環状バッフルプレート２０１より上のプラズマ処理空間１０ｓで生成される。プラズマ処理空間１０ｓの雰囲気は、第１の環状バッフルプレート２００の第１の開口２１２及び第２の環状バッフルプレート２０１の第２の開口２２４を通じて下降し、ガス排出口１０ｅからチャンバ１０の外に排気される。
【0066】
プラズマ処理空間１０ｓの内部の圧力は、第１の環状バッフルプレート２００の第１の開口２１２と、第２の環状バッフルプレート２０１の第２の開口２２４との周方向Ｙの相対的な位置を変更することで調整される。図６Ａに示すように、プラズマ処理空間１０ｓの内部圧力を相対的に低く調整する場合には、第１の開口２１２と第２の開口２２４の周方向Ｙの位置を合わせてよい。このとき、平面視で、第１の開口２１２の開口率が１００％となってよい。図６Ｂに示すように、プラズマ処理空間１０ｓの内部圧力を相対的に高く調整する場合には、第１の開口２１２と第２の開口２２４の周方向Ｙの位置をずらしてよい。このとき、平面視で、第１の開口２１２の開口率が０％となってよい。図６Ｃに示すように、プラズマ処理空間１０ｓの内部圧力を相対的に中程度に調整する場合には、第１の開口２１２と第２の開口２２４の周方向Ｙの位置を一部ずらしてよい。このとき、平面視で、第１の開口２１２の開口率が５０％となってよい。
【0067】
このとき、図４に示す第１のアクチュエータ２５１により、第２の磁石構造体２５０が横方向に回転する。そして、第２の磁石構造体２５０の磁力により、チャンバ１０の内部の第１の磁石構造体２２３が横方向Ｙに回転する。これにより第２の環状バッフルプレート２０１が横方向Ｙに回転し、第１の開口２１２と第２の開口２２４の周方向Ｙの位置が調整される。
【0068】
本例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置１が、第１の環状バッフルプレート２００と、第１の磁石構造体２２３を有する第２の環状バッフルプレート２０１と、チャンバ１０の外に配置される第１の駆動ユニット２０２とを備える。そして、第１の駆動ユニット２０２が、第２の磁石構造体２５０を横方向に回転させることで、第１の磁石構造体２２３を横方向Ｙに回転させ、当該第１の磁石構造体２２３の横方向Ｙの回転により、第１の環状バッフルプレート２００に対して第２の環状バッフルプレート２０１を横方向Ｙに回転させるように構成される第１のアクチュエータ２５１を備える。これにより、第２の環状バッフルプレート２０１を駆動するためにチャンバ１０内にギアを配置したり、チャンバ１０内でギア用のグリースを用いる必要がないので、バッフル構造を含むプラズマ処理装置において、チャンバ１０内の汚染を低減することができる。
【0069】
（第２の実施の形態）
図７は、第２の実施の形態におけるプラズマ処理装置１の構成例を説明するための図である。図８は、第１の環状バッフルプレート、第２の環状バッフルプレート及び第２の駆動ユニットの構成の一例を説明するための図である。図７及び図８に示すように、プラズマ処理装置１は、第１の環状バッフルプレート２００と、第２の環状バッフルプレート２０１と、第２の駆動ユニット６００を含んでよい。
図７は、第２の実施の形態におけるプラズマ処理装置１の構成例を説明するための図である。図８は、第１の環状バッフルプレート、第２の環状バッフルプレート及び第２の駆動ユニットの構成の一例を説明するための図である。図７及び図８に示すように、プラズマ処理装置１は、第１の環状バッフルプレート２００と、第２の環状バッフルプレート２０１と、第２の駆動ユニット６００を含んでよい。
【0070】
第１の環状バッフルプレート２００は、第１の実施の形態と同様であってよい。すなわち、第１の環状バッフルプレート２００は、上面２１０及び下面２１１、複数の第１の開口２１２を含んでよい。
【0071】
第２の環状バッフルプレート２０１は、第１の実施の形態と同様に、上面２２０と、下面２２１と、第１の外側エッジ面２２２と、複数の第２の開口２２４を含んでよい。第２の環状バッフルプレート２０１は、第３の磁石構造体６１０を含んでよい。第２の開口２２４と第１の開口２１２は、周方向Ｙの位置が互いにずれてよい。第２の環状バッフルプレート２０１は、基板支持部１１又はチャンバ１０に対し縦方向Ｚに移動自在に取り付けられてよい。
【0072】
図８に示すように、第３の磁石構造体６１０は、１又は複数の第３のＳ極磁石６２０と、１又は複数の第３のＮ極磁石６２１を含んでよい。第３のＳ極磁石６２０と第３のＮ極磁石６２１は、第１の外側エッジ面２２２の第３の領域において縦方向Ｚに沿って交互に配列されてよい。
【0073】
第２の駆動ユニット６００は、チャンバ１０の外に配置されてよい。第２の駆動ユニット６００は、チャンバ１０の側壁１０ａの近傍に配置されてよい。第２の駆動ユニット６００は、第４の磁石構造体６３０と、第２のアクチュエータ６３１を含んでよい。
【0074】
第２のアクチュエータ６３１は、第４の磁石構造体６３０を縦方向Ｚに移動させることができてよい。第２のアクチュエータ６３１は、モータ６５０と、ボールねじ６５１を備えてよい。ボールねじ６５１のねじ軸は、縦方向に延設してよい。
【0075】
第４の磁石構造体６３０は、第２の非接触ギア６６０と、１又は複数の第４のＳ極磁石６６１と、１又は複数の第４のＮ極磁石６６２とを含んでよい。
【0076】
第２の非接触ギア６６０は、第３の外側エッジ面６８０を有してよい。第２の非接触ギア６６０は、中心軸が縦方向Ｚに向いた円柱形状を有してよい。第２の非接触ギア６６０は、ボールねじ６５１の移動するナット部分であってよい。第３の外側エッジ面６８０は、チャンバ１０の側壁１０ａを介して第３の磁石構造体６１０に対向してよい。第３の外側エッジ面６８０は、チャンバ１０の側壁１０ａの外面に近接してよい。
【0077】
第４のＳ極磁石６６１及び第４のＮ極磁石６６２は、第３の外側エッジ面６８０の第３の領域Ｒ３に縦方向Ｚに沿って交互に配列されてよい。第４のＳ極磁石６６１は、第３のＮ極磁石６２１に対向し、第４のＮ極磁石６６２は、第３のＳ極磁石６２０に対向してよい。第４のＳ極磁石６６１及び第４のＮ極磁石６６２は、第３のＳ極磁石６２０と第３のＮ極磁石６２１と同じ数であってよいし、異なる数であってよい。
【0078】
第２のアクチュエータ６３１は、第４の磁石構造体６３０を縦方向Ｚに移動させることにより、第３の磁石構造体６１０を縦方向Ｚに移動させ、当該第３の磁石構造体６１０の移動により第１の環状バッフルプレート２００に対して第２の環状バッフルプレート２０１を縦方向Ｚに移動させることができてよい。
【0079】
その他のプラズマ処理装置１の構成は、第１の実施の形態と同様であってもよい。
【0080】
プラズマ処理時のプラズマ処理空間１０ｓの内部の圧力は、第１の環状バッフルプレート２００の第１の開口２１２と、第２の環状バッフルプレート２０１の第２の開口２２４との縦方向Ｚの距離を変更することで調整される。図９Ａに示すように、プラズマ処理空間１０ｓの内部圧力を相対的に低く調整する場合には、第１の開口２１２と第２の開口２２４の縦方向Ｚの距離を離してよい。図９Ｂに示すように、プラズマ処理空間１０ｓの内部圧力を相対的に高く調整する場合には、第１の開口２１２と第２の開口２２４の縦方向Ｚの距離を近づけてよい。
【0081】
このとき、図７又は図８に示す第２のアクチュエータ６３１により、第４の磁石構造体６３０が縦方向Ｚに移動する。そして、第４の磁石構造体６３０の磁力により、チャンバ１０の内部の第３の磁石構造体６１０が縦方向Ｚに移動する。これにより第２の環状バッフルプレート２０１が縦方向Ｚに移動し、第１の開口２１２と第２の開口２２４の縦方向Ｚの距離が調整される。
【0082】
本例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置１が、第１の環状バッフルプレート２００と、第３の磁石構造体６１０を有する第２の環状バッフルプレート２０１と、チャンバ１０の外に配置される第２の駆動ユニット６００とを備える。そして、第２の駆動ユニット６００が、第４の磁石構造体６３０を縦方向Ｚに移動させることにより、第３の磁石構造体６１０を縦方向Ｚに移動させ、当該第３の磁石構造体６１０の移動により第１の環状バッフルプレート２００に対して第２の環状バッフルプレート２０１を縦方向に移動させる第２のアクチュエータ６３１を備える。これにより、第２の環状バッフルプレート２０１を駆動するためにチャンバ１０内にギアを配置したり、チャンバ１０内でギア用のグリースを用いる必要がないので、バッフル構造を含むプラズマ処理装置において、チャンバ１０内の汚染を低減することができる。
【0083】
上記第２の実施の形態において、図１０に示すように、第３の磁石構造体６１０は、縦方向Ｚに延在するプレート７００を有してよい。プレート７００は、第２の環状バッフルプレート２０１の外側端部から下方に向かって延在してよい。プレート７００は、チャンバ１０の側壁１０ａに沿って側壁１０ａの近傍に配置されてよい。
【0084】
第３のＳ極磁石６２０と第３のＮ極磁石６２１は、プレート７００の第１の外側エッジ面７０１に縦方向Ｚに沿って交互に配列されてよい。
【0085】
第４の磁石構造体６３０の第２の非接触ギア６６０は、中心軸がチャンバ１０の側壁１０ａに沿った周方向Ｙに向いた円柱形状を有してよい。第４のＳ極磁石６６１及び第４のＮ極磁石６６２は、第２の非接触ギア６６０の第３の外側エッジ面６８０に周方向（縦方向）に沿って交互に配列されてよい。
【0086】
第２のアクチュエータ６３１は、第４の磁石構造体６３０を縦方向Ｚに回転させることにより、第３の磁石構造体６１０を縦方向Ｚに移動させ、当該第３の磁石構造体６１０の移動により第１の環状バッフルプレート２００に対して第２の環状バッフルプレート２０１を縦方向Ｚに移動させることができてよい。
【0087】
以上の第２の実施の形態において、図１１に示すように、第２の駆動ユニット６００は、チャンバ１０の側壁１０ａに沿った複数個所に配置されてよい。第２の駆動ユニット６００は、３つ以上配置されてよい。第２の駆動ユニット６００は、チャンバ１０の側壁１０ａの周方向Ｙに沿って等間隔に配置されてよい。この場合、第２の環状バッフルプレート２０１が傾いたり位置ずれすることが抑制される。また、複数の第２の駆動ユニット６００により、第２の環状バッフルプレート２０１を適切に支持することができる。
【0088】
以上の第２の実施の形態において、図１２に示すように、プラズマ処理装置１は、第２の環状バッフルプレート２０１の縦方向Ｚの移動をガイドするガイドシャフト７１０を有してよい。第２の環状バッフルプレート２０１には、縦方向Ｚに貫通する貫通孔７１１が形成されてよい。ガイドシャフト７１０は、貫通孔７１１を縦方向Ｚに通過してよい。ガイドシャフト７１０は、上端が第１の環状バッフルプレート２００に固定され、下端がチャンバ１０の底壁に固定されてよい。
【0089】
図１３に示すように、貫通孔７１１の内面とガイドシャフト７１０の外面には、互いに近づかないように磁石が配置されてよい。貫通孔７１１の内面とガイドシャフト７１０の外面には、それぞれ、Ｓ極磁石７１２とＮ極磁石７１３が周方向に交互に配列されてよい。
【0090】
この場合、第２の環状バッフルプレート２０１がガイドシャフト７１０に沿って縦方向Ｚに移動するので、第２の環状バッフルプレート２０１の位置がずれることが抑制される。これによって、第３の磁石構造体６１０及び第４の磁石構造体６３０による第２の環状バッフルプレート２０１の移動が適切に行われる。
【0091】
図１４に示すように、第２の実施の形態におけるプラズマ処理装置１は、第１の環状バッフルプレート２００と、第２の環状バッフルプレート２０１と、昇降ユニット８００と、第２の駆動ユニット８０１を含んでよい。
【0092】
昇降ユニット８００は、チャンバ１０内に配置されてよい。昇降ユニット８００は、第２の環状バッフルプレート２０１を縦方向Ｚに移動させることができてよい。昇降ユニット８００は、第３の磁石構造体８１０を含んでよい。昇降ユニット８００は、ねじ付きのシャフト８１１を含んでよい。シャフト８１１は、第２の環状バッフルプレート２０１に固定されてよい。シャフト８１１は、第２の環状バッフルプレート２０１から下方に延設されてよい。第３の磁石構造体８１０は、シャフト８１１に取り付けられてよい。第３の磁石構造体８１０は、第２の非接触ギア８２０と、１又は複数の第３のＳ極磁石８２１と、１又は複数の第３のＮ極磁石８２２を含んでよい。第２の非接触ギア８２０は、第３の外側エッジ面８３０を有してよい。第２の非接触ギア８２０は、中心軸が縦方向Ｚに向いた円柱形状を有してよい。第３の外側エッジ面８３０は、チャンバ１０の側壁１０ａの内面に近接してよい。
【0093】
１又は複数の第３のＳ極磁石８２１及び１又は複数の第３のＮ極磁石８２２は、第２の非接触ギア８２０の第３の外側エッジ面８３０の第３の領域において横方向に沿って交互に配列されてよい。第３の領域は、環状の第３の外側エッジ面８３０の全周であってよい。
【0094】
第２の駆動ユニット８０１は、チャンバ１０の外に配置されてよい。第２の駆動ユニット８０１は、チャンバ１０の側壁１０ａの近傍に配置されてよい。第２の駆動ユニット８０１は、第４の磁石構造体８４０と、第２のアクチュエータ８４１を含んでよい。
【0095】
第２のアクチュエータ８４１は、第４の磁石構造体８４０を横方向に回転させることができてよい。第２のアクチュエータ８４１は、モータ８５０と、モータ８５０によって回転するシャフト８５１を備えてよい。シャフト８５１は、縦方向に延設し、縦方向に向いた回転軸を備えてよい。
【0096】
第４の磁石構造体８４０は、シャフト８５１に固定されてよい。第４の磁石構造体８４０は、第３の非接触ギア８６０と、１又は複数の第４のＳ極磁石８６１と、１又は複数の第４のＮ極磁石８６２とを含んでよい。
【0097】
第３の非接触ギア８６０は、第４の外側エッジ面８６３を有してよい。第３の非接触ギア８６０は、中心軸が縦方向Ｚに向いた円柱形状を有してよい。第４の外側エッジ面８６３は、チャンバ１０の側壁１０ａを介して第３の磁石構造体８１０に対向してよい。第４の外側エッジ面８６３は、チャンバ１０の側壁１０ａの外面に近接してよい。
【0098】
第４のＳ極磁石８６１と第４のＮ極磁石８６２は、第４の外側エッジ面８６３の第４の領域に横方向に沿って交互に配列されてよい。第４の領域は、環状の第４の外側エッジ面８６３の全周であってよい。第４のＳ極磁石８６１及び第４のＮ極磁石８６２は、第３のＳ極磁石８２１と第３のＮ極磁石８２２と同じ数であってよいし、異なる数であってよい。
【0099】
第２のアクチュエータ８４１は、第４の磁石構造体８４０を横方向に回転させることで、チャンバ１０の内部の第３の磁石構造体８１０を横方向に回転させ、当該第３の磁石構造体８１０の横方向の回転により、シャフト８５１を介して第１の環状バッフルプレート２００に対して第２の環状バッフルプレート２０１を縦方向Ｚに移動させることができてよい。
【0100】
プラズマ処理装置１は、以上の第２の実施の形態で記載した第２の環状バッフルプレート２０１を縦方向Ｚに移動させる機構と、第１の実施の形態で記載した第２の環状バッフルプレート２０１を横方向Ｙに回転させる機構とを両方備えてよい。
【0101】
（第３の実施の形態）
図１５は、第３の実施の形態におけるプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。図１６は、バッフル構造体と駆動ユニットの構成例を説明するための図である。図１６は、チャンバを水平面で切断したときの図である。図１７は、バッフル構造体と駆動ユニットの構成例を説明するための図である。図１７は、チャンバを鉛直面で切断したときの図である。
図１５は、第３の実施の形態におけるプラズマ処理装置の構成例を説明するための図である。図１６は、バッフル構造体と駆動ユニットの構成例を説明するための図である。図１６は、チャンバを水平面で切断したときの図である。図１７は、バッフル構造体と駆動ユニットの構成例を説明するための図である。図１７は、チャンバを鉛直面で切断したときの図である。
【0102】
【0103】
バッフル構造体９００は、基板支持部１１とチャンバ１０の側壁１０ａとの間に配置されてよい。
【0104】
図１６に示すように、バッフル構造体９００は、周方向Ｙに沿って配列される複数のバッフルセグメント９１０を含んでよい。複数のバッフルセグメント９１０の各バッフルセグメント９１０は、本体部９２０と、第１の磁石構造体９２１と、本体部９２０と第１の磁石構造体９２１との間において径方向Ｘに沿って延在する回転軸９２２とを含んでよい。
【0105】
本体部９２０は、上面９３０と下面９３１を有してよい。本体部９２０は、環状のプレートを分割した扇形状を有してよい。本体部９２０は、同じ中心を有し径の異なる２つの円弧辺と、当該２つの円弧辺の両端同士を接続し径方向に延設される２つの辺とで囲まれる形状を有してよい。本体部９２０には、上面９３０から下面９３１まで貫通する１又は複数の開口９３２が形成されてよい。複数の開口９３２は、本体部９２０の周方向Ｙに並べて配置されてよい。複数の開口９３２は、周方向Ｙに等間隔に配置されてよい。各開口９３２は、平面視で、径方向Ｘに長い略長方形のスリット形状を有してよい。
【0106】
回転軸９２２は、本体部９２０の周方向Ｙの中心から径方向Ｘの外側に向けて延在してよい。回転軸９２２は、水平方向に向けて延在してよい。回転軸９２２は、本体部９２０と第１の磁石構造体９２１の間を接続してよい。
【0107】
図１７に示すように、第１の磁石構造体９２１は、第１の非接触ギア９５０と、１又は複数の第１のＳ極磁石９５１と、１又は複数の第１のＮ極磁石９５２とを含んでよい。
【0108】
第１の非接触ギア９５０は、第１の面９６０を有してよい。第１の非接触ギア９５０は、板面が径方向Ｘに向いた円板形状を有してよい。第１の非接触ギア９５０の第１の面９６０は、チャンバ１０の側壁１０ａの内面に近接してよい。
【0109】
図１８に示すように、第１のＳ極磁石９５１及び第１のＮ極磁石９５２は、第１の面９６０において周方向Ｙに沿って交互に配列されてよい。第１のＳ極磁石９５１及び第１のＮ極磁石９５２は、第１の面９６０の全周にわたり配置されてよい。
【0110】
図１６に示すように駆動ユニット９０１は、複数のバッフルセグメント９１０にそれぞれ対応し、チャンバ１０の外に配置されてよい。
【0111】
【0112】
アクチュエータ９７１は、第２の磁石構造体９７０を回転させることができてよい。アクチュエータ９７１は、モータ９８０と、モータ９８０によって回転する回転軸９８１を備えてよい。回転軸９８１は、回転軸９２２の延長線上にあり、径方向Ｘの水平方向に延在してよい。
【0113】
図１７に示すように、第２の磁石構造体９７０は、回転軸９８１の先端に固定されてよい。第２の磁石構造体９７０は、第２の非接触ギア９９０と、１又は複数の第２のＳ極磁石９９１と、１又は複数の第２のＮ極磁石９９２とを含んでよい。
【0114】
第２の非接触ギア９９０は、第２の面９９５を有してよい。第２の非接触ギア９９０は、板面が径方向Ｘに向いた円板形状を有してよい。第２の面９９５は、チャンバ１０の側壁１０ａを介して第１の磁石構造体９２１に対向してよい。第２の面９９５は、チャンバ１０の側壁１０ａの外面に近接してよい。
【0115】
図１９に示すように、第２のＳ極磁石９９１と第２のＮ極磁石９９２は、第２の面９９５において周方向に沿って交互に配列されてよい。第２のＳ極磁石９９１と第２のＮ極磁石９９２は、第２の面９９５の全周にわたり配置されてよい。
【0116】
図１７に示すように、第２のＳ極磁石９９１は、第１のＮ極磁石９５２に対向し、第２のＮ極磁石９９２は、第１のＳ極磁石９５１に対向してよい。第２のＳ極磁石９９１と第２のＮ極磁石９９２は、第１のＳ極磁石９５１と第１のＮ極磁石９５２と同じ数であってよいし、異なる数であってよい。
【0117】
アクチュエータ９７１は、第２の磁石構造体９７０を回転させることで、第１の磁石構造体９２１を回転させ、当該第１の磁石構造体９２１の回転によりバッフル構造体９００の本体部９２０を回転軸９２２を中心に回転させることができてよい。図２０に示すように、アクチュエータ９７１は、本体部９２０の板面を９０°回転させ、隣り合う２つの本体部９２０の間に開口を形成することができてよい。
【0118】
その他のプラズマ処理装置１の構成は、第１の実施の形態及び第２の実施の形態と同様であってもよい。
【0119】
プラズマ処理時のプラズマ処理空間１０ｓの内部の圧力は、バッフル構造体９００の本体部９２０の回転角度（開度）を変更することで調整される。図２１Ａに示すように、プラズマ処理空間１０ｓの内部圧力を相対的に低く調整する場合には、本体部９２０の回転角度を鉛直に近づけ、隣り合う本体部９２０の隙間を大きくしてよい。図２１Ｂに示すように、プラズマ処理空間１０ｓの内部圧力を相対的に高く調整する場合には、本体部９２０の回転角度を水平に近づけ、隣り合う本体部９２０の隙間を小さくしてよい。
【0120】
このとき、図１６及び図２０に示すアクチュエータ９７１により、第２の磁石構造体９７０が回転軸９８１を中心に縦方向Ｚに回転する。そして、第２の磁石構造体９７０の磁力により、チャンバ１０の内部の第１の磁石構造体９２１が回転軸９２２を中心に縦方向Ｚに回転する。これによりバッフル構造体９００の本体部９２０が縦方向Ｚに回転し、本体部９２０の角度が調整される。
【0121】
本例示的実施形態によれば、プラズマ処理装置１が、複数のバッフルセグメント９１０を含むバッフル構造体９００と、チャンバ１０の外に配置される駆動ユニット９０１を備える。そして、駆動ユニット９０１は、第２の磁石構造体９７０を回転させることで、第１の磁石構造体９２１を回転させ、当該第１の磁石構造体９２１の回転によりバッフル構造体９００の本体部９２０を回転軸９２２を中心に回転させるように構成されるアクチュエータ９７１を備える。これにより、バッフル構造体９００を駆動するためにチャンバ１０内にギアを配置したり、チャンバ１０内でギア用のグリースを用いる必要がないので、バッフル構造を含むプラズマ処理装置において、チャンバ１０内の汚染を低減することができる。
【0122】
第３の実施の形態において、回転軸９２２がチャンバ１０の側壁１０ａの外側まで延在し、第１の磁石構造体９２１がチャンバ１０の側壁１０ａの外側に配置されてよい。この場合、駆動ユニット９０１は、ギアなどの機械的な機構を用いて、チャンバ１０の側壁１０ａの外側において、回転軸９２２を直接駆動してよい。
【0123】
参考例として、駆動ユニット９０１は、チャンバ１０の側壁１０ａの内側に配置されてよい。すなわち、プラズマ処理装置１は、バッフル構造体の各バッフルセグメントの本体部を回転軸を中心に回転させる駆動ユニットを備え、かかる駆動ユニットは、チャンバ１０の側壁１０ａの内側に配置されてよい。
【0124】
上記第１～第３の実施形態は、容量結合型のプラズマ処理装置であったが、これに限定されるものではなく、他のプラズマ装置に適用してよい。例えば、容量結合型のプラズマ処理装置に代えて、誘導結合型のプラズマ処理装置が用いられてもよい。上記実施形態は、プラズマ処理装置以外の基板処理装置に適用してよい。
【0125】
本開示の実施形態は、以下の態様をさらに含む。
【0126】
（付記１）
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面、下面及び第１の外側エッジ面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有し、前記第２の環状バッフルプレートは、前記第１の外側エッジ面に配置される第１の磁石構造体を含む、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバの外に配置される第１の駆動ユニットであって、前記第１の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を横方向に回転させることで、前記第１の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第１の磁石構造体の横方向の回転により、前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを横方向に回転させるように構成される第１のアクチュエータと、を含む、前記第１の駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面、下面及び第１の外側エッジ面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有し、前記第２の環状バッフルプレートは、前記第１の外側エッジ面に配置される第１の磁石構造体を含む、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバの外に配置される第１の駆動ユニットであって、前記第１の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を横方向に回転させることで、前記第１の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第１の磁石構造体の横方向の回転により、前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを横方向に回転させるように構成される第１のアクチュエータと、を含む、前記第１の駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
【0127】
（付記２）
前記第１の磁石構造体は、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第１の非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において横方向に沿って交互に配列される、
付記１に記載の基板処理装置。
前記第１の磁石構造体は、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第１の非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において横方向に沿って交互に配列される、
付記１に記載の基板処理装置。
【0128】
（付記３）
前記第１のＳ極磁石及び前記第１のＮ極磁石は、前記第２の開口の横寸法の５０％以下の横寸法を有する、
付記２に記載の基板処理装置。
前記第１のＳ極磁石及び前記第１のＮ極磁石は、前記第２の開口の横寸法の５０％以下の横寸法を有する、
付記２に記載の基板処理装置。
【0129】
（付記４）
前記第１のＳ極磁石及び前記第１のＮ極磁石は、前記第２の開口の横寸法の２５％以下の横寸法を有する、
付記２に記載の基板処理装置。
前記第１のＳ極磁石及び前記第１のＮ極磁石は、前記第２の開口の横寸法の２５％以下の横寸法を有する、
付記２に記載の基板処理装置。
【0130】
（付記５）
前記第１の領域は、前記第２の開口の横寸法と略同じ横寸法を有し、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
付記４に記載の基板処理装置。
前記第１の領域は、前記第２の開口の横寸法と略同じ横寸法を有し、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
付記４に記載の基板処理装置。
【0131】
（付記６）
前記第２の領域は、前記第１の領域の横寸法と同じかそれよりも大きい横寸法を有する、
付記２から５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記第２の領域は、前記第１の領域の横寸法と同じかそれよりも大きい横寸法を有する、
付記２から５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【0132】
（付記７）
前記第１の環状バッフルプレートは、前記チャンバに対し固定され、
前記第２の環状バッフルプレートは、前記第１の環状バッフルプレートの下方に配置される、
付記１から６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記第１の環状バッフルプレートは、前記チャンバに対し固定され、
前記第２の環状バッフルプレートは、前記第１の環状バッフルプレートの下方に配置される、
付記１から６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【0133】
（付記８）
前記チャンバの外に配置される第２の駆動ユニットを、さらに備え、
前記第２の環状バッフルプレートは、第３の磁石構造体を含み、
前記第２の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の磁石構造体に対向するように配置される第４の磁石構造体と、
前記第４の磁石構造体を縦方向に回転又は移動させることにより、前記第３の磁石構造体を縦方向に移動させ、前記第３の磁石構造体の移動により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される第２のアクチュエータと、を含む、
付記１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記チャンバの外に配置される第２の駆動ユニットを、さらに備え、
前記第２の環状バッフルプレートは、第３の磁石構造体を含み、
前記第２の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の磁石構造体に対向するように配置される第４の磁石構造体と、
前記第４の磁石構造体を縦方向に回転又は移動させることにより、前記第３の磁石構造体を縦方向に移動させ、前記第３の磁石構造体の移動により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される第２のアクチュエータと、を含む、
付記１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【0134】
（付記９）
前記第３の磁石構造体は、１又は複数の第３のＳ極磁石及び１又は複数の第３のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第３のＳ極磁石及び前記１又は複数の第３のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第３の領域において縦方向に沿って交互に配列され、
前記第４の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第４のＳ極磁石と、１又は複数の第４のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第３の外側エッジ面を有し、前記第３の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第４のＳ極磁石及び前記１又は複数の第４のＮ極磁石は、前記第３の外側エッジ面の第４の領域において縦方向に沿って交互に配列される、
付記８に記載の基板処理装置。
前記第３の磁石構造体は、１又は複数の第３のＳ極磁石及び１又は複数の第３のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第３のＳ極磁石及び前記１又は複数の第３のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第３の領域において縦方向に沿って交互に配列され、
前記第４の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第４のＳ極磁石と、１又は複数の第４のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第３の外側エッジ面を有し、前記第３の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第４のＳ極磁石及び前記１又は複数の第４のＮ極磁石は、前記第３の外側エッジ面の第４の領域において縦方向に沿って交互に配列される、
付記８に記載の基板処理装置。
【0135】
（付記１０）
前記チャンバ内に配置され、前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される昇降ユニットと、
前記チャンバ外に配置される第２の駆動ユニットと、をさらに備え、
前記昇降ユニットは、第３の磁石構造体を含み、
前記第２の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の磁石構造体に対向するように配置される第４の磁石構造体と、
前記第４の磁石構造体を横方向に回転させることにより、前記第３の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第３の磁石構造体の回転により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される第２のアクチュエータと、を含む、
付記１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
前記チャンバ内に配置され、前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される昇降ユニットと、
前記チャンバ外に配置される第２の駆動ユニットと、をさらに備え、
前記昇降ユニットは、第３の磁石構造体を含み、
前記第２の駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の磁石構造体に対向するように配置される第４の磁石構造体と、
前記第４の磁石構造体を横方向に回転させることにより、前記第３の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第３の磁石構造体の回転により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される第２のアクチュエータと、を含む、
付記１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【0136】
（付記１１）
前記第３の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第３のＳ極磁石と、１又は複数の第３のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第３の外側エッジ面を有し、
前記１又は複数の第３のＳ極磁石及び前記１又は複数の第３のＮ極磁石は、前記第２の非接触ギアの前記第３の外側エッジ面の第３の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第４の磁石構造体は、第３の非接触ギアと、１又は複数の第４のＳ極磁石と、１又は複数の第４のＮ極磁石と、を含み、
前記第３の非接触ギアは、第４の外側エッジ面を有し、前記第４の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第４のＳ極磁石及び前記１又は複数の第４のＮ極磁石は、前記第４の外側エッジ面の第４の領域において横方向に沿って交互に配列される、
付記１０に記載の基板処理装置。
前記第３の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第３のＳ極磁石と、１又は複数の第３のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第３の外側エッジ面を有し、
前記１又は複数の第３のＳ極磁石及び前記１又は複数の第３のＮ極磁石は、前記第２の非接触ギアの前記第３の外側エッジ面の第３の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第４の磁石構造体は、第３の非接触ギアと、１又は複数の第４のＳ極磁石と、１又は複数の第４のＮ極磁石と、を含み、
前記第３の非接触ギアは、第４の外側エッジ面を有し、前記第４の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第３の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第４のＳ極磁石及び前記１又は複数の第４のＮ極磁石は、前記第４の外側エッジ面の第４の領域において横方向に沿って交互に配列される、
付記１０に記載の基板処理装置。
【0137】
（付記１２）
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面、下面及び第１の外側エッジ面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有し、前記第２の環状バッフルプレートは、第１の磁石構造体を含む、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバの外に配置される駆動ユニットであって、前記駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を縦方向に回転又は移動させることにより、前記第１の磁石構造体を縦方向に移動させ、前記第１の磁石構造体の移動により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面、下面及び第１の外側エッジ面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有し、前記第２の環状バッフルプレートは、第１の磁石構造体を含む、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバの外に配置される駆動ユニットであって、前記駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を縦方向に回転又は移動させることにより、前記第１の磁石構造体を縦方向に移動させ、前記第１の磁石構造体の移動により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
【0138】
（付記１３）
前記第１の磁石構造体は、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において縦方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において縦方向に沿って交互に配列される、
付記１２に記載の基板処理装置。
前記第１の磁石構造体は、１又は複数の第１のＳ極磁石及び１又は複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において縦方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第２の環状バッフルプレートの前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において縦方向に沿って交互に配列される、
付記１２に記載の基板処理装置。
【0139】
（付記１４）
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
付記１３に記載の基板処理装置。
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
付記１３に記載の基板処理装置。
【0140】
（付記１５）
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面及び下面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有する、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバ内に配置され、前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される昇降ユニットであって、前記昇降ユニットは、第１の磁石構造体を含む、前記昇降ユニットと、
前記チャンバ外に配置される駆動ユニットであって、前記駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を横方向に回転させることにより、前記第１の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第１の磁石構造体の回転により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置され、上面及び下面を有する第１の環状バッフルプレートであって、前記第１の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第１の開口を有する、前記第１の環状バッフルプレートと、
前記第１の環状バッフルプレートと縦方向に重複するように配置され、上面及び下面を有する第２の環状バッフルプレートであって、前記第２の環状バッフルプレートは、前記上面から前記下面まで貫通する複数の第２の開口を有する、前記第２の環状バッフルプレートと、
前記チャンバ内に配置され、前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成される昇降ユニットであって、前記昇降ユニットは、第１の磁石構造体を含む、前記昇降ユニットと、
前記チャンバ外に配置される駆動ユニットであって、前記駆動ユニットは、
前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、
前記第２の磁石構造体を横方向に回転させることにより、前記第１の磁石構造体を横方向に回転させ、前記第１の磁石構造体の回転により前記第１の環状バッフルプレートに対して前記第２の環状バッフルプレートを縦方向に移動させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
【0141】
（付記１６）
前記第１の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第１のＳ極磁石と、１又は複数の第１のＮ極磁石と、を含み、
前記第１の非接触ギアは、第１の外側エッジ面を有し、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第１の非接触ギアの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において横方向に沿って交互に配列される、
付記１５に記載の基板処理装置。
前記第１の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第１のＳ極磁石と、１又は複数の第１のＮ極磁石と、を含み、
前記第１の非接触ギアは、第１の外側エッジ面を有し、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第１の非接触ギアの前記第１の外側エッジ面の第１の領域において横方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第２の外側エッジ面を有し、前記第２の外側エッジ面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の外側エッジ面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の外側エッジ面の第２の領域において横方向に沿って交互に配列される、
付記１５に記載の基板処理装置。
【0142】
（付記１７）
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
付記１６に記載の基板処理装置。
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
付記１６に記載の基板処理装置。
【0143】
（付記１８）
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置されるバッフル構造体であって、前記バッフル構造体は、周方向に沿って配列される複数のバッフルセグメントを含み、前記複数のバッフルセグメントの各バッフルセグメントは、上面及び下面を有する本体部と、第１の磁石構造体と、前記本体部と第１の磁石構造体との間において径方向に沿って延在する回転軸と、を含む、前記バッフル構造体と、
前記複数のバッフルセグメントにそれぞれ対応し、前記チャンバの外に配置される複数の駆動ユニットであって、前記複数の駆動ユニットの各駆動ユニットは、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、前記第２の磁石構造体を回転させることで、前記第１の磁石構造体を回転させ、前記第１の磁石構造体の回転により前記バッフル構造体の前記本体部を前記回転軸を中心に回転させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
側壁を有するチャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
前記基板支持部と前記チャンバの前記側壁との間に配置されるバッフル構造体であって、前記バッフル構造体は、周方向に沿って配列される複数のバッフルセグメントを含み、前記複数のバッフルセグメントの各バッフルセグメントは、上面及び下面を有する本体部と、第１の磁石構造体と、前記本体部と第１の磁石構造体との間において径方向に沿って延在する回転軸と、を含む、前記バッフル構造体と、
前記複数のバッフルセグメントにそれぞれ対応し、前記チャンバの外に配置される複数の駆動ユニットであって、前記複数の駆動ユニットの各駆動ユニットは、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の磁石構造体に対向するように配置される第２の磁石構造体と、前記第２の磁石構造体を回転させることで、前記第１の磁石構造体を回転させ、前記第１の磁石構造体の回転により前記バッフル構造体の前記本体部を前記回転軸を中心に回転させるように構成されるアクチュエータと、を含む、前記駆動ユニットと、
を備える、基板処理装置。
【0144】
（付記１９）
前記第１の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第１のＳ極磁石と、１又は複数の第１のＮ極磁石と、を含み、
前記第１の非接触ギアは、前記チャンバの前記側壁に対向する第１の面を有し、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第１の非接触ギアの前記第１の面において周方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第２の面を有し、前記第２の面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の非接触ギアの前記第１の面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の非接触ギアの前記第２の面において周方向に沿って交互に配列される、付記１８に記載の基板処理装置。
前記第１の磁石構造体は、第１の非接触ギアと、１又は複数の第１のＳ極磁石と、１又は複数の第１のＮ極磁石と、を含み、
前記第１の非接触ギアは、前記チャンバの前記側壁に対向する第１の面を有し、
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、前記第１の非接触ギアの前記第１の面において周方向に沿って交互に配列され、
前記第２の磁石構造体は、第２の非接触ギアと、１又は複数の第２のＳ極磁石と、１又は複数の第２のＮ極磁石と、を含み、
前記第２の非接触ギアは、第２の面を有し、前記第２の面は、前記チャンバの前記側壁を介して前記第１の非接触ギアの前記第１の面に対向し、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び１又は複数の第２のＮ極磁石は、前記第２の非接触ギアの前記第２の面において周方向に沿って交互に配列される、付記１８に記載の基板処理装置。
【0145】
（付記２０）
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
付記１９に記載の基板処理装置。
前記１又は複数の第１のＳ極磁石及び前記１又は複数の第１のＮ極磁石は、複数の第１のＳ極磁石及び複数の第１のＮ極磁石を含み、
前記１又は複数の第２のＳ極磁石及び前記１又は複数の第２のＮ極磁石は、複数の第２のＳ極磁石及び複数の第２のＮ極磁石を含む、
付記１９に記載の基板処理装置。
【0146】
以上の各実施形態は、説明の目的で記載されており、本開示の範囲を限定することを意図するものではない。以上の各実施形態は、本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく種々の変形をなし得る。例えば、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態に追加することができる。また、ある実施形態における一部の構成要素を、他の実施形態の対応する構成要素と置換することができる。
【符号の説明】
【0147】
１……プラズマ処理装置、１０……チャンバ、１１……基板支持部、２００……第１の環状バッフルプレート、２０１……第２の環状バッフルプレート、２０２……第１の駆動ユニット、２２３……第１の磁石構造体、２５０……第２の磁石構造体、２５１……第１のアクチュエータ、Ｗ…基板
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6A】
【図6B】
【図6C】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21A】
【図21B】