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特開2024-168280基板処理装置および基板処理方法

書誌要約請求の範囲詳細な説明課題実施例実施するための形態図面の説明

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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024168280

(43)【公開日】2024-12-05

(54)【発明の名称】基板処理装置および基板処理方法

(51)【国際特許分類】

H01L 21/304 20060101AFI20241128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/304 648G

H01L21/304 644C

H01L21/304 644B

H01L21/304 644G

H01L21/304 648A

【審査請求】未請求

【請求項の数】16

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023084822

(22)【出願日】2023-05-23

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】100120031

【弁理士】

【氏名又は名称】宮嶋学

(74)【代理人】

【識別番号】100106655

【弁理士】

【氏名又は名称】森秀行

(72)【発明者】

【氏名】佐藤好友

【テーマコード（参考）】

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F157AA15

5F157AB02

5F157AB14

5F157AB33

5F157AB49

5F157AB51

5F157AB64

5F157AB90

5F157AC01

5F157AC26

5F157BA03

5F157BA07

5F157CB13

5F157CD29

5F157CE07

5F157CE28

5F157CE29

5F157CE83

5F157CF40

5F157CF42

5F157CF44

5F157DB02

(57)【要約】

【課題】ブラシ洗浄の条件を自動で最適化する。
【解決手段】基板処理装置は、容器搬出入部にある容器から取り出された基板の第２面に対してブラシ処理を行うブラシ処理部と、ブラシ処理部で処理される前およびブラシ処理部で処理された後に基板を裏返す基板反転部と、基板の第２面に対して、基板がブラシ処理部で処理される前に撮像する処理前撮像を行うとともに、基板がブラシ処理部で処理された後に容器に戻される前に撮像する処理後撮像を行う基板撮像部と、制御部とを備え、制御部が、処理後撮像の結果に基づいて、処理済みの基板が良品か否かを判定し、かつ、処理前撮像および処理後撮像のうちの少なくとも一方に基づいて、処理前撮像が行われた基板、またはその後に処理される基板の前記ブラシ処理部におけるブラシ処理の処理条件を必要に応じて変更する。
【選択図】図６

【特許請求の範囲】

【請求項1】

複数の基板を、当該複数の基板の各々の第１面を上向きに第２面を下向きにした状態で収容する容器が載置される容器搬出入部と、
ブラシを用いて前記基板の前記第２面に対して研磨または異物除去のためのブラシ処理を行うブラシ処理部と、
前記容器から取り出された前記基板を、前記ブラシ処理部で処理される前に裏返して前記第２面を上向きにするとともに、当該基板を前記ブラシ処理部で処理された後であってかつ前記容器に戻す前に裏返して前記第１面を上向きにする基板反転部と、
前記容器から取り出された前記基板の前記第２面に対して、当該基板が前記ブラシ処理部で処理される前に撮像する処理前撮像を行うとともに、当該基板が前記ブラシ処理部で処理された後に前記容器に戻される前に撮像する処理後撮像を行う基板撮像部と、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記処理後撮像の結果に基づいて、処理済みの基板が良品か否かを判定し、かつ、前記処理前撮像および前記処理後撮像のうちの少なくとも一方に基づいて、前記処理前撮像が行われた基板、またはその後に処理される基板の前記ブラシ処理部におけるブラシ処理の処理条件を必要に応じて変更するように構成されている、基板処理装置。

【請求項2】

前記制御部は、前記処理後撮像に基づいて求められたブラシ処理部による処理後の基板の前記第２面の状態が予め定められた基準を満たしていない場合に、その基板を不合格と判定するように構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記制御部は、予め定められた枚数の不合格基板が発生した後に、前記ブラシ処理部におけるブラシ処理の条件を変更するように構成されている、請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記制御部は、前記ブラシ処理部において処理された基板の前記処理前撮像と前記処理後撮像の比較結果に基づいて、前記ブラシ処理部における処理条件の変更の要否、あるいは前記ブラシの交換の要否を判断するように構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記制御部は、前記処理前撮像の結果に基づいて、当該処理前撮像の対象となった基板と同じ基板の前記ブラシ処理部におけるブラシ処理の条件を必要に応じて変更するように構成されている、請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記ブラシ処理部は、
前記基板の前記第２面を上向きにして前記基板を保持するとともに回転させる基板保持回転部と、
研磨または異物除去のためのブラシを回転させる回転機構、前記ブラシを前記基板保持回転部により保持された前記基板の前記第２面に押し付ける押圧機構、前記ブラシを前記基板の前記第２面上を水平方向に移動させる水平移動機構と、を有するブラシ駆動部と、を有しており
前記制御部は、前記比較結果に応じて、前記ブラシ処理の条件を定義するパラメータとしての、
前記基板保持回転部による前記基板の回転速度、
前記ブラシ駆動部の前記押圧機構による前記ブラシの前記基板に対する押し付け圧、
前記ブラシ駆動部の水平移動機構による前記ブラシの移動速度、および
前記ブラシ駆動部の水平移動機構による前記ブラシの移動回数、
のうちの少なくとも１つを変更するように構成されている、
請求項４に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記基板反転部と前記基板撮像部とが一体化されて１つの基板反転検査部を形成しており、
前記基板反転検査部は、当該基板反転検査部内において前記基板反転部および前記基板撮像部の間で基板を水平方向に搬送する基板水平搬送機構を備えている、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項8】

前記基板撮像部は、撮像装置としてラインカメラを有しており、前記基板水平搬送機構による前記基板の水平移動を利用して前記基板の第２面をスキャン撮像するように構成されている、請求項７に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記基板反転部は複数設けられ、これら複数の基板反転部は、前記ブラシ処理部で処理される前の基板を裏返すための第１基板反転部と、前記ブラシ処理部で処理された後の基板を裏返すための第２基板反転部とに分けられており、
前記基板撮像部は複数設けられ、これら複数の基板撮像部は、前記ブラシ処理部で処理される前の基板を撮像するための第１基板撮像部と、前記ブラシ処理部で処理された後の基板を裏返すための第２基板撮像部とに分けられている、
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項10】

前記第１基板反転部と前記第１基板撮像部とが一体化されて１つの第１基板反転撮像部を形成しており、
前記第１基板反転撮像部は、当該第１基板反転撮像部内において前記第１基板反転部および前記第１基板撮像部の間で基板を水平方向に搬送する第１基板水平搬送機構を備えており、
前記第２基板反転部と前記第２基板撮像部とが一体化されて１つの第２基板反転撮像部を形成しており、
前記第２基板反転撮像部は、当該第２基板反転撮像部内において前記第２基板反転部および前記第２基板撮像部の間で基板を水平方向に搬送する第２基板水平搬送機構を備えている、
請求項９に記載の基板処理装置。

【請求項11】

複数の基板を、当該複数の基板の各々の第１面を上向きに第２面を下向きにした状態で収容する容器が載置される容器搬出入部と、
ブラシを用いて前記基板の前記第２面に対して研磨または異物除去のためのブラシ処理を行うブラシ処理部と、
前記容器から取り出された前記基板を、前記ブラシ処理部で処理される前に裏返して前記第２面を上向きにするとともに、当該基板を前記ブラシ処理部で処理された後であってかつ前記容器に戻す前に裏返して前記第１面を上向きにする基板反転部と、
前記容器から取り出された前記基板の前記第２面に対して、当該基板が前記ブラシ処理部で処理される前に撮像する処理前撮像を行うとともに、当該基板が前記ブラシ処理部で処理された後に前記容器に戻される前に撮像する処理後撮像を行う基板撮像部と、
を備えた基板処理装置を用いて行われる基板処理方法において、
前記容器から取り出された前記基板の前記第２面を、当該基板が前記ブラシ処理部で処理される前に前記基板撮像部により撮像する処理前撮像を行うことと、
前記処理前撮像の後に、前記基板に前記ブラシ処理部でブラシ処理を施すことと、
前記ブラシ処理部で処理された前記基板の前記第２面を、前記容器に戻される前に前記基板撮像部により撮像する処理後撮像を行うことと、
前記処理後撮像の結果に基づいて、処理済みの基板が良品か否かを判定することと、
前記処理前撮像および前記処理後撮像のうちの少なくとも一方に基づいて、前記処理前撮像が行われた基板、またはその後に処理される基板の前記ブラシ処理部におけるブラシ処理の処理条件を必要に応じて変更することと、
を備えた基板処理方法。

【請求項12】

前記処理後撮像に基づいて求められたブラシ処理部による処理後の基板の前記第２面の状態が予め定められた基準を満たしていない場合に、その基板を不合格と判定することをさらに備えた、請求項１１に記載の基板処理方法。

【請求項13】

予め定められた枚数の不合格基板が発生した後に、前記ブラシ処理部におけるブラシ処理の条件が変更される、請求項１２に記載の基板処理方法。

【請求項14】

前記ブラシ処理部において処理された基板の前記処理前撮像と前記処理後撮像の比較結果に基づいて、前記ブラシ処理部における処理条件の変更の要否、あるいは前記ブラシの交換の要否の判断が行われる、請求項１１に記載の基板処理方法。

【請求項15】

前記処理前撮像の結果に基づいて、当該処理前撮像の対象となった基板と同じ基板の前記ブラシ処理部におけるブラシ処理の条件が必要に応じて変更される、請求項１１に記載の基板処理方法。

【請求項16】

前記ブラシ処理部は、
前記基板の前記第２面を上向きにして前記基板を保持するとともに回転させる基板保持回転部と、
研磨または異物除去のためのブラシを回転させる回転機構、前記ブラシを前記基板保持回転部により保持された前記基板の前記第２面に押し付ける押圧機構、前記ブラシを前記基板の前記第２面上を水平方向に移動させる水平移動機構と、を有するブラシ駆動部と、を有しており
前記比較結果に応じて、前記ブラシ処理の条件を定義するパラメータとしての、
前記基板保持回転部による前記基板の回転速度、
前記ブラシ駆動部の前記押圧機構による前記ブラシの前記基板に対する押し付け圧、
前記ブラシ駆動部の水平移動機構による前記ブラシの移動速度、および
前記ブラシ駆動部の水平移動機構による前記ブラシの移動回数、
のうちの少なくとも１つが変更される、
請求項１４に記載の基板処理方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体装置の製造においては、露光工程のデフォーカス対策等を目的として、半導体ウエハ等の基板の裏面（デバイスが形成されない面）に付着した異物を除去するために、ブラシ洗浄が行われている。特許文献１には、このようなブラシ洗浄を行うための装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１３－２１０２６号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

本開示は、ブラシ洗浄の条件を自動で最適化し得る技術を提供するものである。

【課題を解決するための手段】

【0005】

本開示の一実施形態によれば、複数の基板を、当該複数の基板の各々の第１面を上向きに第２面を下向きにした状態で収容する容器が載置される容器搬出入部と、ブラシを用いて前記基板の前記第２面に対して研磨または異物除去のためのブラシ処理を行うブラシ処理部と、前記容器から取り出された前記基板を、前記ブラシ処理部で処理される前に裏返して前記第２面を上向きにするとともに、当該基板を前記ブラシ処理部で処理された後であってかつ前記容器に戻す前に裏返して前記第１面を上向きにする基板反転部と、前記容器から取り出された前記基板の前記第２面に対して、当該基板が前記ブラシ処理部で処理される前に撮像する処理前撮像を行うとともに、当該基板が前記ブラシ処理部で処理された後に前記容器に戻される前に撮像する処理後撮像を行う基板撮像部と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記処理後撮像の結果に基づいて、処理済みの基板が良品か否かを判定し、かつ、前記処理前撮像および前記処理後撮像うちの少なくとも一方に基づいて、前記処理前撮像が行われた基板、またはその後に処理される基板の前記ブラシ処理部におけるブラシ処理の処理条件を必要に応じて変更するように構成されている基板処理装置が提供される。

【発明の効果】

【0006】

上記の本開示の一実施形態によればブラシ洗浄の条件を自動で最適化することができる。

【図面の簡単な説明】

【0007】

【図1】基板処理装置の第１実施形態に係る基板処理システムの概略横断面図である。

【図2】図１の基板処理システムの概略縦断面図である。

【図3】第１実施形態に係る基板処理システムに組み込み得るブラシ洗浄ユニットの一構成例を示す概略縦断面図である。

【図4】図３のブラシ洗浄ユニットの概略横断面図である。

【図5】ブラシ洗浄ユニットで用いることができるブラシの概略構成を示す斜視図である。

【図6】第１実施形態に係る基板処理システムに組み込み得る反転／撮像複合ユニットの一構成例を示す概略縦断面図である。

【図7】図６の反転／撮像複合ユニットのトレイと周辺部品との関係の一例を示す概略平面図である。

【図8】図６の反転／撮像複合ユニットに組み込まれる反転機構の一例を示す斜視図である。

【図9】基板処理装置の第２実施形態に係る基板処理システムの概略横断面図である。

【図10】図２の基板処理システムの概略縦断面図である。

【発明を実施するための形態】

【0008】

以下に、添付図面を参照して、基板処理装置の実施形態に係る基板処理システムの構成について説明する。方向の説明を容易にするため、ＸＹＺ直交座標系を設定し（図１の左下を参照）ている。

【0009】

図１および図２は、第１実施形態に係る基板処理システム１の全体構成を示している。

【0010】

基板処理システム１は、基板搬出入ブロック２０と、インターフェースブロック３０と、処理ブロック４０とを備えている。

【0011】

基板搬出入ブロック２０は、ステージ部（容器搬出入部）２１と、第１搬送部２２とを有している。ステージ部２１には、基板処理システム１の外部から運ばれてきた複数の基板搬送容器Ｆ（例えばＦＯＵＰ）を載置することができる。基板搬送容器Ｆ（以下、単に「容器Ｆ」と呼ぶ）は、鉛直方向に等間隔に設けられた複数のスロットを有し、各スロットに１枚のウエハＷ（基板）が水平姿勢で収容されている。

【0012】

第１搬送部２２には、第１搬送ロボット２３が設けられている。第１搬送ロボット２３は、後述する搬送動作が可能であるならばその構成は任意であるが、例えば昇降機能付きの多軸水平多関節ロボットから構成することができる。第１搬送ロボット２３は、エンドエフェクタとして、例えば二股フォーク状の基板把持アームを有する。この基板把持アームを用いて、第１搬送ロボット２３はステージ部２１上に置かれた任意の基板搬送容器Ｆの任意のスロットに対してウエハＷの出し入れをすることができる。

【0013】

インターフェースブロック３０には、複数台例えば８台のバッファユニット３１と、複数台例えば８台の受け渡しユニット３２とが、鉛直方向に積層されて設けられている。バッファユニット３１は、第１搬送ロボット２３がアクセス可能な高さ位置に設けられている。

【0014】

バッファユニット３１は、ウエハＷを一時的に保管するために用いられる。受け渡しユニット３２は、搬送ロボット（後述の垂直搬送ロボット３３および第２搬送ロボット６５）との間のウエハＷの受け渡しのために一時的にウエハＷを載置するために用いられる。好ましくは、バッファユニット３１および受け渡しユニット３２はそれぞれ、未処理ウエハを置くためのものと、処理済みウエハを置くためのものとに分けられている。

【0015】

インターフェースブロック３０には、さらに、１台以上の垂直搬送ロボット３３が設けられている。図示例では、垂直搬送ロボット３３は、バッファユニット３１および受け渡しユニット３２を積層してなる積層体の両脇に１台ずつ設けられている。垂直搬送ロボット３３は、Ｚ方向に移動可能な昇降体と、この昇降体にＹ方向に進退可能に設けられたエンドエフェクタとしての基板把持アームを有している。この基板把持アームを用いて、垂直搬送ロボット３３は、任意のバッファユニット３１および任意の受け渡しユニット３２に対してウエハＷの出し入れを行うことができる。

【0016】

処理ブロック４０は、複数台例えば８台のブラシ洗浄ユニット４１と、複数台例えば８台の反転ユニット４２と、複数台例えば８台の撮像ユニット４３と、第２搬送部４５とを有している。第２搬送部４５には、1台以上ここでは２台の第２搬送ロボット４６が設けられている。

【0017】

反転ユニット４２は、ウエハＷを裏返すためのものであり、半導体製造装置の技術分野では「リバーサ」などとも呼ばれている。撮像ユニット４３は、ウエハＷの裏面にある異物あるいは傷等を検出するために、カメラまたはスキャナ等の撮像機器を用いてウエハＷの裏面を撮像するものである。第１実施形態では、１台の反転ユニット４２と１台の撮像ユニット４３とが一体化されて単一の反転／撮像複合ユニット４４を構成している。

【0018】

第１実施形態では、第２搬送部４５の両側にそれぞれ４台ずつの、反転／撮像複合ユニット４４と、ブラシ洗浄ユニット４１とが上下に積層された状態で配置されている。第２搬送ロボット４６は、後述する搬送動作が可能であるならばその構成は任意であるが、例えば昇降機能付きの多軸水平多関節ロボットから構成することができる。第２搬送ロボット４６は、エンドエフェクタとして、例えば二股フォーク状の基板把持アームを有する。この基板把持アームを用いて、第２搬送ロボット４６は、任意の反転／撮像複合ユニット４４および任意のブラシ洗浄ユニット４１に対してウエハＷの出し入れを行うことができる。

【0019】

第１実施形態では、処理ブロック４０は上層および下層の２層に分かれており、２台の第２搬送ロボット４６の一方が上層にあるユニット（４１，４４）間でウエハを搬送し、他方が下層にあるユニット間でウエハを搬送する。

【0020】

なお、第１搬送ロボット２３、第２搬送ロボット４６および垂直搬送ロボット３３は、いずれも半導体製造装置の技術分野において周知のものを用いることができる。これらの搬送ロボットについての詳細な構造の図示および説明は省略する。

【0021】

図１に示すように、基板処理システム１は、制御装置１００を備えている。制御装置１００は、たとえばコンピュータからなり、演算部１０１と記憶部１０２とを備える。記憶部１０２には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラム（処理レシピも含む）が格納される。演算部１０１は、記憶部１０２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。

【0022】

プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置１００の記憶部１０２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

【0023】

次に、各ユニットの構成について説明する。

【0024】

図３および図４を参照して、ブラシ洗浄ユニット４１の構成について説明する。ブラシ洗浄ユニット４１は、半導体製造装置の技術分野では「スクラバー」などとも呼ばれている。ブラシ洗浄ユニット４１は、ハウジング４１１（ユニットチャンバ）を有している。ハウジング４１１内には、ウエハＷを保持して回転させるスピンチャック４１２（基板保持回転部）が設けられている。スピンチャック４１２が有する基板保持機構４１２１は、メカニカルチャックと呼ばれる形式のものである。基板保持機構４１２１は、ウエハＷの周縁を把持する複数（例えば４個）の把持爪４１２２によりウエハＷを水平姿勢で保持するように構成されている。スピンチャック４１２は、電動モータ等の回転駆動機構４１２３により、保持したウエハＷを鉛直軸線周りに回転させることができる。

【0025】

スピンチャック４１２の周囲には、回転するウエハＷから飛散する液を受ける液受けカップ４１３が設けられている。液受けカップ４１３の底部には、排気口４１３１および排液口４１３２が設けられている。液受けカップ４１３が受け止めた液は、排液口４１３２を介して液受けカップ４１３から排出される。排気口４１３１を介して液受けカップ４１３内を吸引することにより、ファンフィルタユニット４１４から下向きに吹き出された清浄空気の流れが液受けカップ４１３内に引きこまれる。これにより、ウエハＷの近傍に気流が形成され、ウエハＷから飛散した液滴のウエハＷへの再付着が防止される。

【0026】

ブラシ洗浄ユニット４１は、２つのブラシ駆動アーム４１４Ｇ，４１４Ｗを有している（図４を参照）。ブラシ駆動アーム４１４Ｇの先端部には研磨用のブラシ４１５Ｇが保持されており、ブラシ駆動アーム４１４Ｗの先端部には洗浄用のブラシ４１５Ｗが保持されている。ブラシ駆動アーム４１４Ｇ，４１４Ｗは、担持したブラシ４１５Ｇ、４１５Ｗを、平面視でカップ４１３の外側のホームポジション（待機位置）と、スピンチャック４１２により保持されたウエハＷの中心部に対応する位置との間の任意の位置に、任意の移動速度で移動させることができる。図示された実施形態においては、ブラシ駆動アーム４１４Ｇ，４１４Ｗは、各々に割り当てられた並進駆動機構によりガイドレールに沿ってＹ方向に並進運動可能に構成されている。従って、ブラシ４１５Ｇ、４１５ＷもＹ方向に並進運動する。

【0027】

ブラシ駆動アーム４１４Ｇ，４１４Ｗには、保持したブラシ４１５Ｇ，４１５Ｗを昇降させることができる昇降機構４１８Ｇ，４１８Ｗが設けられている（鎖線で概略的に示した）。昇降機構４１８Ｇ，４１８Ｗを利用することにより、ブラシ４１５Ｇ，４１５Ｗを所望の押し付け力によりスピンチャック４１２により保持されたウエハＷに押し付けることができる。

【0028】

ブラシ駆動アーム４１４Ｇ，４１４Ｗには、回転駆動機構４１９Ｇ，４１９Ｗが内蔵されている（鎖線で概略的に示した）。回転駆動機構４１９Ｇ，４１９Ｗは、ブラシ４１５Ｇ，４１５Ｗを任意の速度で回転させることができる。

【0029】

研磨用のブラシ４１５Ｇの構成の一例を、図５に概略的に示した。研磨用のブラシ４１５Ｇは、ＰＶＡスポンジからなる基部に、研磨用砥粒を担持する研磨シートを張り付けた構成を有している。研磨シートは図５においてハッチングを付けた領域に貼り付けられる。洗浄用のブラシ４１５Ｗは、研磨シートを有しない点を除き研磨用のブラシ４１５Ｇと概ね同じ構成を有している。また、図示はしていないが、コンビブラシと呼ばれる形式のブラシがあり、これは洗浄用のブラシ４１５Ｗに洗浄液（薬液）の吐出機能を設けたものである。これらのブラシはいずれも半導体製造装置の技術分野において周知のものであるため、詳細な図示および説明は省略する。

【0030】

ブラシ洗浄ユニット４１は、さらに、複数ここでは２つのノズルアーム４１６Ａ，４１６Ｂを有している。一実施形態においては、一方のノズルアーム４１６Ａの先端部に洗浄液およびリンス液の一方を択一的に吐出するためのノズル４１７Ａが担持され、他方のノズルアーム４１６Ｂの先端部に二流体吐出するためのノズル４１７Ｂ（二流体ノズル）が担持されている。ノズル４１７Ｂからは、例えば、リンス液のミストと窒素ガスとの混合流体が吐出される。その他の処理流体を吐出するノズルを追加してもよい。

【0031】

ノズルアーム４１６Ａ，４１６Ｂは、担持したノズル４１７Ａ，４１７Ｂを、平面視でカップ４１３の外側のホームポジション（待機位置）と、スピンチャック４１２により保持されたウエハＷの中心部に対応する位置との間の任意の位置に、任意の移動速度で移動させることができる。図示された実施形態においては、ノズルアーム４１６Ａ，４１６Ｂは各々に割り当てられた旋回駆動機構により、ノズルアーム４１６Ａ，４１６Ｂの基端部を通過する鉛直軸線周りに旋回運動可能に構成されている。ノズルアーム４１６Ａ，４１６Ｂの旋回駆動機構には、ノズルアーム４１６Ａ，４１６Ｂを昇降させる昇降機構が併設されている。

【0032】

各ノズルには、処理流体の供給源から、処理流体供給制御機構が設けられた供給ラインを介して、所要の処理流体（洗浄液、リンス液、窒素ガス等）が供給される。処理流体供給制御機構としては、開閉弁、流量制御弁、流量計等の機器を含んでいる。図３において、参照符号４１７１は洗浄液供給源を示し、参照符号４１７２はリンス液供給源を示し、参照符号４１７３は洗浄液用の処理流体供給制御機構を示し、参照符号４１７４はリンス液用の処理流体供給制御機構を示す。また、参照符号４１７５はリンス液供給源を示し、参照符号４１７６は窒素ガス供給源を示し、参照符号４１７７はリンス液用の処理流体供給制御機構を示し、そして、参照符号４１７８は窒素ガス用の処理流体供給制御機構を示している。

【0033】

次に、図６～図８を参照して、反転／撮像複合ユニット４４の構成について説明する。図６に示すように、反転／撮像複合ユニット４４は、共通のハウジング４４１を有している。ハウジング４４１の内部は、反転エリア４４１Ａと、撮像エリア４４１Ｂとを有している。

【0034】

ハウジング４４１の内部には、反転エリア４４１Ａ内の待機位置と撮像エリア４４１Ｂ内の撮像位置との間を移動するトレイ４４２（基板支持体）が設けられている。図示された実施形態において、このトレイ４４２は、ガイドレール４４３に沿って移動する移動体４４４に固定されたベースプレート（基部）４４６により保持されている。図６および図７に示すように、トレイ４４２は、ウエハＷの円周方向に沿って等間隔で設けられた小さな複数の（図示例では４つの）支持片４４５によりウエハＷを下方から支持するように構成されている。

【0035】

反転エリア４４１Ａ内には反転機構（「リバーサー」とも呼ばれる）４２０が設けられている。反転機構４２０としては、半導体製造装置の技術分野において公知の適当なものを用いることができるが、その一例が図８に示されている。

【0036】

反転機構４２０は、ベース４２３に設けられた支柱４２４と、支柱に沿って昇降可能な昇降スライダ４２５と、図示しない回転機構を介して昇降スライダ４２５に回転可能に取り付けられた水平アーム４２６と、水平アーム４２６の先端に放射状に設けられた４本の保持アーム４２７と、各保持アーム４２７の先端に設けられた可動の把持爪４２８とを有している。

【0037】

なお、図６には、図面の煩雑化を防止するため、反転機構４２０の構成要素のうちの水平アーム４２６および保持アーム４２７だけが示されていることに注意されたい。

【0038】

反転機構４２２の４つの把持爪４２８をウエハＷの周縁に近づけるように移動させることにより、トレイ４４２の支持片４４５上に支持されたウエハＷを把持爪４２８によって把持することができる。この状態で、昇降スライダ４２５を上昇させることにより、ウエハＷをトレイ４４２の上方に持ち上げることができる。さらにこの状態で、水平アーム４２６を水平方向に延びる回転軸線周りに１８０度回転させることにより、ウエハＷを裏返すことができる。次いで、昇降スライダ４２５を下降させ、さらに把持爪４２８を開放することにより、裏返したウエハＷをトレイ４４２の支持片４４５上に載置することができる。反転エリア４４１Ａは、上記のウエハＷの反転操作を可能とするために十分な高さ方向寸法を有している。反転エリア４４１Ａの高さ方向寸法は撮像エリア４４１Ｂの高さ方向寸法より大きい。

【0039】

上記のウエハＷの反転操作を可能とするため、トレイ４４２には、水平アーム４２６を上下方向に通過させることができるように形成された第１切除部４４７が設けられている。また、ウエハＷを保持するとともに図８に示した状態から１８０度反転した保持アーム４２７が裏返したウエハＷをトレイ４４２の支持片４４５上に載置する動作を可能とし得る程度に、トレイ４４２とベースプレート４４６との間の鉛直方向距離は十分に大きく設定されている。

【0040】

さらに、トレイ４４２には、第２切除部４４８が設けられている。この第２切除部４４８は、ハウジング４４１の入口４４１０から反転エリア４４１Ａに侵入してきた、第２搬送ロボット４６のエンドエフェクタである基板把持アーム４７（例えば二股のフォーク状部材）とトレイ４４２の支持片４４５との間で、ウエハＷの受け渡しを可能とする。つまり、第２切除部４４８を通って基板把持アーム４７は、トレイ４４２よりも下方の高さ位置まで下降することができ、これによりトレイ４４２の支持片４４５上にウエハＷを置くことができる。また、トレイ４４２とベースプレート４４６との間の隙間に空の基板把持アーム４７を挿入し、基板把持アーム４７を上昇させることにより、基板把持アーム４７はトレイ４４２からウエハＷを取り去ることができる。

【0041】

トレイ４４２は、１つ以上（図示例では例えば４本）の連結支柱４５０により、ベースプレート４４６に連結されている。連結支柱４５０は、例えば図７に示すように、トレイ４４２の下面の４隅から、ベースプレート４４６に向けて延びている。

【0042】

トレイ４４２と反転機構４２２との間のウエハＷの受け渡し、およびトレイ４４２と第２搬送ロボット４６との間の受け渡しを補助するため、リフトピン（図示せず）を追加で設けてもよい。リフトピンは、例えば、ウエハＷの下面の周縁部（エッジエクスクルージョン）のうちの支持片４４５と接する部分および反転機構４２２の把持爪４２８に把持される部分以外の部分を支持するように設けることができる。第２搬送ロボット４６あるいは反転機構４２２とトレイ４４２との間でのウエハＷの受け渡しをリフトピン介して行うことにより、トレイ４４２の構成をシンプルにすることができる。

【0043】

この場合、上昇位置にあるリフトピンの上に第２搬送ロボット４６（あるいは反転機構４２２）がウエハＷを置き、その後、リフトピンを下降させることによりウエハＷをトレイ４４２に置くことができる。また、トレイ４４２に置かれたウエハＷをリフトピンにより持ち上げ、その後、第２搬送ロボット４６（あるいは反転機構４２２）がリフトピンからウエハを取り去ってもよい。このようにすることにより、トレイ４４２がウエハＷの受け渡しの邪魔になることは無い。

【0044】

このようなリフトピンを介したウエハＷの受け渡しは半導体製造装置の分野で良く知られており、図示および詳細な説明は省略する。なお、リフトピンおよびその昇降機構は、ガイドレール４４３および移動体４４４と干渉しない位置に設ければよい。

【0045】

撮像エリア４４１Ｂの奥の壁（反転エリア４４１Ａから遠い側の壁）またはその近傍にはカメラ４３２が設けられている。このカメラ４３２は例えばエリアカメラであり、撮像位置に位置するトレイ４４２に載置されたウエハＷの表面全域を一度に撮像することができるようになっている。

【0046】

撮像エリア４４１Ｂの手前側の壁（反転エリア４４１Ａに近い側の壁）またはその近傍には照明装置４３３が設けられており、撮像位置に位置するトレイ４４２に載置されたウエハＷの表面全域を照明することができるようになっている。照明装置４３３は撮像エリア４４１Ｂの天井壁に設けてもよい。

【0047】

なお、このようなエリアカメラを用いたウエハＷの表面（裏面）検査技術は、本件出願人の先行特許出願に係る特許公開公報（例えば特開２０１６－１５７８４１号公報、特開２０１５－２１５１９３号公報、特開２０１４－１１５１４０号公報、特開２０１８－０５６５７４号公報等）に記載されており、これらの公報に開示された技術は、本開示における撮像技術に適用することができる。

【0048】

エリアカメラの代わりに、ラインカメラ（ラインスキャンカメラ）を用いてもよい。ラインカメラは、例えば参照符号４３４が付けられた鎖線の四角で概略的に示すように、撮像エリア４４１Ｂの反転エリア４４１Ａに近い側において、トレイ４４２に載置されたウエハＷの移動経路に近接して、移動経路の真上に設けることができる。画像光をラインカメラ４３４に導くために１つ以上の反射鏡を設けてもよい。そうすることによりラインカメラ４３４の設置位置の自由度が向上する。

【0049】

ラインカメラ４３４を用いる場合には、照明装置としてはラインライト（線状照明）を用いてもよい。このようなラインライトは、例えば参照符号４３５が付けられた鎖線の四角で概略的に示すように、ラインカメラ４３４と並べて設けることができる。２つのラインライト４３５をラインカメラ４３４の両脇に設け、これらのラインライトから線状の撮像領域に向けて照明光を照射してもよい。

【0050】

上記のラインカメラを用いた構成によれば、ウエハＷを載置したトレイ４４２を移動させるときに、ラインカメラ４３４によりウエハＷの裏面全域をスキャンすることができる。このため、スキャンのためだけに移動機構を設ける必要が無い。また、ウエハＷの移動中に撮像が行われるため、ウエハＷの検査に必要な時間を短縮することができる。

【0051】

＜ウエハＷの流れの説明＞
次に、一枚のウエハＷに対する搬送および処理の流れについて説明する。

【0052】

基板搬出入ブロック２０のステージ部２１上にある容器Ｆには、複数のウエハＷが、各ウエハＷの表面（デバイスが形成される面（第１面））が上向きとなるように収容されている。容器Ｆから、第１搬送ロボット２３が１枚のウエハＷを取り出し、インターフェースブロック３０のバッファユニット３１に搬入する。垂直搬送ロボット３３がバッファユニット３１からウエハＷを取り出し、受け渡しユニット３２に搬入する。

【0053】

第２搬送ロボット４６が受け渡しユニット３２からウエハＷを取り出し、ウエハＷを洗浄前検査専用の反転／撮像複合ユニット４４の反転エリア４４１Ａに搬入する。第２搬送ロボット４６は、ウエハＷをトレイ４４２に置く。

【0054】

次に、反転機構４２２の保持アーム４２７がトレイ４４２上のウエハＷを把持して持ち上げ、ウエハＷを裏返し、ウエハＷの裏面（デバイスが形成されない面（第２面））が上面となるようにする。その後、保持アーム４２７は下降してトレイ４４２にウエハを置く。

【0055】

次に、ウエハＷが載置されたトレイ４４２が撮像エリア４４１Ｂ内に移動する。撮像エリア４４１Ｂ内の所定位置にウエハＷが載置されたトレイ４４２が停止すると、カメラ４３２によりウエハＷの裏面が撮像される。カメラ４３２により取得された画像データは、制御装置１００に送られる。制御装置１００は、画像解析を行い、ウエハＷの裏面の傷、異物、パーティクル等の欠陥の検査が行われる（洗浄前検査）。この洗浄前検査により、処理前のウエハＷの裏面（被処理面）の欠陥の数、サイズ、形状等を把握することができる。

【0056】

なお、画像解析においては、画像からウエハＷのノッチの位置を検出し、ノッチの位置と関連付けてウエハＷ上の欠陥の分布を示すマップを作成することが好ましい。これに代えて、ノッチアライナーを反転／撮像複合ユニット４４に組み込んでもよい。この場合、ウエハＷはノッチを特定の向きに位置決めされた状態で撮像される。

【0057】

ラインカメラ４３４が設けられる場合には、ウエハＷが載置されたトレイ４４２が反転エリア４４１Ａから撮像エリア４４１Ｂに移動するときに、トレイ４４２の動きを利用してウエハＷの裏面がスキャン撮像され、これによりウエハＷの裏面全体が撮像される。ウエハＷが載置されたトレイ４４２が撮像エリア４４１Ｂから反転エリア４４１Ａに戻るときに、ウエハＷの裏面をスキャン撮像してもよい。

【0058】

他の実施形態として、ラインカメラ４３４およびラインライト４３５を、トレイ４４２に載置されたウエハＷの移動経路に近接して、移動経路の真下に設けてもよい。この場合、反転／撮像複合ユニット４４の反転エリア４４１Ａに搬入されたウエハＷは、裏返されずに撮像エリア４４１Ｂに移動され、検査の終了後に反転エリア４４１Ａで裏返され、その後に第２搬送ロボット４６により搬出される。なおこの場合、ラインカメラ４３４およびラインライト４３５は、移動するトレイ４４２と衝突しないように設けられる。具体的には例えば、連結支柱４５０の数を減らして図７における下側のみに設けること、ラインカメラ４３４およびラインライト４３５を撮像エリア４４１Ｂの奥側から反転エリア４４１Ａの方に向けて延びる片持ち支持体により支持する、等の構成が考えられる。

【0059】

なお、基板載置台に載置されて移動する基板の下向きの面を撮像することにより基板の下向きの面を検査する技術は、本件出願人の先行特許出願に係る特許公開公報（例えば特開２０１４－１０９４３６号公報、特開２０１４－１０９４３６号公報等）に記載されており、これらの公報に開示された技術は、本開示における撮像技術に適用することができる。また、基板の下方を移動する撮像ユニットにより基板の下向きの面を撮像することにより基板の下向きの面を検査する技術は、本件出願人の先行特許出願に係る特許公開公報（例えば特開２０１３－１３７２９２号公報等）に記載されており、このの公報に開示された技術は、本開示における撮像技術に適用することができる。

【0060】

処理前のウエハＷの撮像の終了後、ウエハＷが載置されたトレイ４４２が反転エリア４４１Ａに戻される。第２搬送ロボット４６が反転エリア４４１Ａに入り、トレイ４４２上のウエハＷを把持し、反転／撮像複合ユニット４４から退出する。

【0061】

第２搬送ロボット４６は、ウエハＷの裏面が上向きのままの状態で、ウエハＷをブラシ洗浄ユニット４１に搬入する。ウエハＷはスピンチャック４１２により保持される。

【0062】

ブラシ洗浄ユニット４１で行われる処理の一例について簡単に説明する。まず、基板の回転を開始する。次に、研磨用のブラシ４１５Ｇを回転するウエハＷの裏面に押し当て、研磨用のブラシ４１５ＧをウエハＷの半径方向に沿って移動させる。ブラシ４１５Ｇは、ウエハＷの半径方向に沿って、ウエハＷの中心部と周縁部との間を１回以上往復移動させてもよい。これにより、ウエハＷの裏面に存在する比較的大きな欠陥（例えば異物、固着物等）が除去される（ブラシ研磨処理）。

【0063】

次に、引き続き回転するウエハＷの裏面の中心部にノズルから第１洗浄液を供給しつつ、洗浄用のブラシ４１５Ｗを回転するウエハＷの裏面に押し当て、洗浄用のブラシ４１５ＷをウエハＷの半径方向に沿って移動させる。ブラシ４１５Ｗは、ウエハＷの半径方向に沿って、ウエハＷの中心部と周縁部との間を１回以上往復移動させてもよい。これにより、ウエハＷの裏面に付着した研磨屑、パーティクル等の異物が除去される（ブラシ洗浄処理）。

【0064】

次に、引き続き回転するウエハＷのウエハＷの裏面に二流体ノズルから二流体（第２洗浄液のミストと窒素ガス等の不活性ガスとの混合流体）を供給する。このとき、二流体がウエハＷの裏面に衝突する衝突点がウエハＷの中心部と周縁部との間を移動するように二流体ノズルを移動させながら、二流体ノズルから二流体を吐出する。これにより、ブラシ研磨処理およびブラシ洗浄処理により除去されなかった異物（例えばパーティクル）がウエハＷの裏面から除去される（二流体洗浄処理）。

【0065】

次に、引き続き回転するウエハＷの裏面の中央部にノズルからリンス液（例えばＤＩＷ）を供給する。これにより、ウエハＷの裏面に残留している洗浄液由来の残渣、微小粒子などが洗い流される（リンス処理）。

【0066】

次に、ウエハＷへの液の供給を停止し、ウエハＷを引き続き回転させる（好ましくは回転速度を増す）ことにより、ウエハＷの表面に残留した液を振り切って乾燥させる（振り切り乾燥処理）。

【0067】

以上によりブラシ洗浄ユニット４１におけるウエハＷへの処理が終了する。

【0068】

次に、第２搬送ロボット４６がブラシ洗浄ユニット４１からウエハＷを取り出し、このウエハＷを洗浄後検査専用の反転／撮像複合ユニット４４の反転エリア４４１Ａに搬入する。第２搬送ロボット４６は、ウエハＷをトレイ４４２に置く。

【0069】

次に、ウエハＷの裏面を上向きのままにしてウエハＷが載置されたトレイ４４２が撮像エリア４４１Ｂ内に移動する。撮像エリア４４１Ｂ内において、洗浄前の撮像と同様にして洗浄後の撮像が行われる。また洗浄前検査と同様に、制御装置１００において、画像解析により、ウエハＷの裏面の欠陥の検査が行われる（洗浄後検査）。

【0070】

洗浄後検査の終了後、ウエハＷが載置されたトレイ４４２が反転エリア４４１Ａに戻される。その後、前述した手順と同様の手順により、反転機構４２２が、ウエハＷの表面（デバイスが形成される面）が上向きになるようにウエハＷを裏返し、その後ウエハＷをトレイ４４２に置く。

【0071】

次に、第２搬送ロボット４６が反転エリア４４１Ａに入り、トレイ４４２上のウエハＷを把持し、反転／撮像複合ユニット４４から退出する。第２搬送ロボット４６は、ウエハＷを受け渡しユニット３２に搬入する。垂直搬送ロボット３３が受け渡しユニット３２からウエハＷを取り出し、バッファユニット３１に搬入する。

【0072】

第１搬送ロボット２３がバッファユニット３１からウエハＷを取り出し、基板搬出入ブロック２０のステージ部２１上にある容器ＦにウエハＷを搬入する。

【0073】

以上により、基板処理システム１内における一連のウエハＷの搬送及び処理が終了する。

【0074】

制御装置１００は、洗浄前検査（処理前撮像）の結果および／または洗浄後検査（処理後撮像）の結果に基づいてブラシ研磨処理およびブラシ洗浄処理におけるプロセス条件（例えば、ウエハ回転速度、ブラシの押し付け圧、ブラシのスキャン速度（半径方向の移動速度）、ブラシの往復回数、処理時間等）の変更の要否を判断し、変更が必要と判断された場合には、予め定められたルールに従ってプロセス条件を変更することができるように構成されている。以下に、制御装置１００により行われるプロセス条件の変更のフローの例について説明する。なお、以下の例では、ウエハＷの裏面に存在する欠陥として、傷（打痕、スクラッチ等）、噛み込み異物等（以下、記述の簡略化のため単に「傷」と呼ぶこととする）を例にとって説明する。

【0075】

制御装置１００は、ブラシ洗浄ユニット４１における洗浄処理後のウエハＷの裏面の状態が予め定められた基準を満たしていない（例えば許容できないサイズまたは数の傷が存在する）のであれば、そのウエハＷを不合格と判定する。この不合格と判定されたウエハＷは、例えば、バッファユニット３１に搬送してそこで一時的に保管して、その後に再処理してもよい。

【0076】

不合格と判定されたウエハＷが発生した場合には、処理レシピの見直しの要否が判断される。

【0077】

不合格のウエハＷが発生する原因としては、処理前からあった傷が（例えばブラシ研磨により）十分に除去されていないこと、あるいは、ブラシ研磨により新たな傷を形成してしまったこと、が挙げられる。

【0078】

不合格となった原因の判断のため、洗浄前検査の結果と洗浄後検査の結果との比較（例えば、洗浄前検査により得られた画像データと洗浄後検査により得られた画像データとの差分の算出）が行われる。

【0079】

洗浄前後の変化の第１の事例について説明する。洗浄前に存在していた不均一な（規則性の無い）傷が、同心円状の傷になったとする。この場合、ブラシ研磨により元の傷は消すことができたが、ブラシ研磨により新たな傷を生成してしまったものと判断される。ブラシ研磨処理において発生しうる同心円状の研磨傷は、（ａ）ブラシのスキャン速度を大きくすること、（ｂ）ウエハＷの回転速度を小さくすること、（ｃ）ブラシの押し付け圧を大きくすること、により低減することができることがわかっているため、ブラシ研磨のプロセス条件を少なくとも（ａ）、（ｂ）、（ｃ）のいずれかを行うことにより変更することが考えられる。

【0080】

この場合、同心円状の研磨傷の発生状況に応じて、その研磨傷を減少させることが可能な修正されたブラシ研磨のプロセス条件を予め試験により求めておき、それを制御装置１００のデータベースに格納してくことができる。そして、制御装置１００は、洗浄後検査結果に基づいて、データベースを参照して最適なプロセス条件を選択して、その選択されたプロセス条件を用いて次に処理されるウエハＷのブラシ研磨を行うことができる。

【0081】

なお、処理レシピは予備的な処理試験の結果に基づいて作成されたものであるため、ブラシ研磨のプロセス条件が不適切であることに起因して不合格ウエハＷが生じた確率は比較的低く、何らかのイレギュラー（例えば研磨ブラシに不具合が生じた等）により不合格ウエハＷが生じた可能性もある。このため、１枚の不合格ウエハＷが発生した場合、制御装置１００は、研磨ブラシの検査をオペレータに促す通知をユーザインターフェース（ディスプレイ等）を介して発生させてもよい。

【0082】

これに代えて、１枚の不合格ウエハＷが発生した場合、直ちにブラシ研磨のプロセス条件を変更してもよい。あるいは、２枚の以上の予め定められた枚数の不合格ウエハＷが連続して発生した場合に、ブラシ研磨のプロセス条件を変更してもよい。

【0083】

洗浄前後の変化の第２の事例について説明する。洗浄前に存在していた不均一な（規則性の無い）傷のサイズ（大きさ、深さ等）が洗浄により小さくなったが未だに許容範囲外であり、かつ、問題となるレベルの同心円状の傷は存在しないものとする。

【0084】

この場合、原因として、洗浄前に存在していた傷のサイズが大きすぎること、あるいは、ブラシの損耗等が考えられる。

【0085】

不合格のウエハＷの洗浄前検査結果のデータを参照することによりそのウエハＷに洗浄前に存在していた傷のサイズが大きすぎることが判明したら、その後に処理されるウエハＷに対するブラシ研磨のプロセス条件は変更しないものと決定することができる。

【0086】

なお、洗浄前検査においてウエハＷに存在している傷に関して例えばそのサイズが大きすぎることが判明したら、そのウエハＷに対して処理を行うことを中止するか、あるいは、ウエハＷに対してのみブラシ研磨のプロセス条件を変更（例えばブラシ研磨処理時間を長くするか、ブラシの往復回数を増やす）して処理を行ってもよい。

【0087】

洗浄前検査結果のデータを参照することにより洗浄前に存在していた傷のサイズが大きくないにも関わらず洗浄後のウエハＷが不合格となった場合には、例えば、ブラシの損耗が原因と判断される。この場合、制御装置１００は、研磨ブラシの交換をオペレータに促す通知をユーザインターフェース（ディスプレイ等）を介して発生させてもよい。これに代えて、その後に処理されるウエハＷに対するブラシ研磨のプロセス条件を変更してブラシ研磨の処理時間を長くしてもよい。

【0088】

なお、１つの処理ユニット１６内において連続して処理された複数のウエハＷの各々における洗浄前検査の結果と洗浄後検査の結果との比較データを蓄積しておき、この蓄積されたデータに基づいてブラシの損耗状態の経時変化を把握することができる。このブラシの損耗状態の経時変化データに基づいて、徐々にブラシ研磨の条件を変更してもよい。

【0089】

また、各ウエハＷに対して、そのウエハＷの洗浄前検査結果に基づいて、そのウエハＷのブラシ研磨のプロセス条件を修正して処理を行ってもよい。この場合、例えば傷の大きさおよびタイプに応じた最適なブラシ研磨の条件を予め試験により求めておき、それを制御装置１００のデータベースに格納してくことができる。そして、制御装置１００は、洗浄前検査結果に基づいて、データベースを参照して最適なプロセス条件を選択して、ウエハＷのブラシ研磨を行わせることができる。この場合、そのウエハＷに対する洗浄後検査結果は、単にそのウエハＷの合否判定だけでなく、プロセス条件の修正の妥当性確認にも用いることができ、データベースのブラッシュアップにも役立てることができる。

【0090】

なお、上記の説明では、ブラシ研磨のプロセス条件の変更についてのみ記載したが、これに限定されるものではなく、処理前検査および処理後検査のデータは、二流体洗浄処理の条件（二流体ノズルのスキャンスピード、第２洗浄液および不活性ガスの流量等）の変更の要否判断にも用いることができる。

【0091】

上記実施形態によれば、１枚のウエハＷが容器Ｆから取り出されて処理されて再び容器Ｆに戻されるまでの間に、当該1枚のウエハＷに対して撮像による処理前検査および処理後検査が行われる。そして処理後検査の結果に基づいて、処理済みの基板が良品か否かが判定され、かつ、処理前検査および処理後検査うちの少なくとも一方に基づいて、処理前検査が行われた基板、またはその後（例えばその次）に処理されるウエハＷ（基板）に対するブラシ処理の処理条件を変更するようになっている。このため、妥当でない処理条件により処理されるウエハＷが生じる可能性を大幅に低減することができ、処理の歩留まりを向上させることができる。なお、不良品（不合格）と判断されたウエハＷは再処理（例えば再研磨）により救済することができる場合があるが、再処理が必要となるウエハＷの発生を抑制することは有益である。

【0092】

次に、図９および図１０を参照して別の実施形態（以下、「第２実施形態」と呼ぶ）について説明する。第２実施形態では、上述した実施形態（以下、「第１実施形態」と呼ぶ）に対して以下の点が異なる。
（１）反転／撮像複合ユニット４４に代えて、互いに分離された反転ユニット４２および撮像ユニット４３が設けられていること。従って、反転／撮像複合ユニット４４に設けられていた水平移動可能なトレイ４４２は存在しない。その代わりに、反転ユニット４２および撮像ユニット４３にそれぞれウエハ載置台が設けられている。ウエハ載置台は、ウエハＷのエッジエクスクルージョンの領域を下方から支持する。
（２）反転ユニット４２および撮像ユニット４３は、インターフェースブロック３０に設けられていること。
（３）反転ユニット４２は、バッファユニット３１および受け渡しユニット３２と同じ水平方向位置において、バッファユニット３１および受け渡しユニット３２と一緒に積層されていること。
（４）反転ユニット４２と撮像ユニット４３との間のウエハＷの受け渡しは、垂直搬送ロボット３３’を介して行われること。このため、垂直搬送ロボット３３’は、Ｚ方向に移動可能な昇降体と、この昇降体にＹ方向に進退可能に設けられたエンドエフェクタとしての基板把持アームに加えて、昇降体をθ方向に回転させる（Ｚ軸周りに回転させる）回転機構を備えている。
上記（１）～（４）以外の点については、第２実施形態は第１実施形態と同じである。

【0093】

次に、第２実施形態におけるウエハの流れについて第１実施形態との差異を中心に簡単に説明する。

【0094】

基板搬出入ブロック２０のステージ部２１上にある容器Ｆから、第１搬送ロボット２３が１枚のウエハＷを取り出し、インターフェースブロック３０の未処理ウエハ用のバッファユニット３１に搬入する。垂直搬送ロボット３３’がバッファユニット３１からウエハＷを取り出し、このウエハＷを未処理ウエハ用の反転ユニット４２に搬送する。反転ユニット４２は、ウエハＷを裏返す。

【0095】

次に垂直搬送ロボット３３’が、裏返されたウエハＷを未処理ウエハ用の撮像ユニット４３に搬送する。撮像ユニット４３はウエハＷの裏面の撮像を行い、この画像データに基づいて制御装置１００がウエハＷの裏面の状態の検査を行う（処理前検査）。

【0096】

次に垂直搬送ロボット３３’が、ウエハＷを未処理ウエハ用の受け渡しユニット３２に搬送する。この第２実施形態では、受け渡しユニット３２は、ウエハＷの表面の周縁部（エッジエクスクルージョンの領域）を支持するように構成されている。

【0097】

次に、第２搬送ロボット４６が受け渡しユニット３２からウエハＷを取り出し、ウエハＷをブラシ洗浄ユニット４１に搬入する。ブラシ洗浄ユニット４１内で、第１実施形態で説明した処理と同様の処理が行われる。

【0098】

次に、第２搬送ロボット４６がブラシ洗浄ユニット４１からウエハＷを取り出し、このウエハＷを処理済みウエハ用の受け渡しユニット３２に搬入する。

【0099】

次に垂直搬送ロボット３３’が、受け渡しユニット３２からウエハＷを取り出し、処理済ウエハ用の撮像ユニット４３に搬送する。撮像ユニット４３はウエハＷの裏面の撮像を行い、この画像データに基づいて制御装置１００がウエハＷの裏面の状態の検査を行う（処理後検査）。

【0100】

次に垂直搬送ロボット３３’が、ウエハＷを処理済みウエハ用の反転ユニット４２に搬送する。反転ユニット４２は、ウエハＷの表面（デバイスが形成される面）が上向きになるようにウエハＷを裏返す。