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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024168298
(43)【公開日】2024-12-05
(54)【発明の名称】接合方法及び接合システム
(51)【国際特許分類】
H01L 21/02 20060101AFI20241128BHJP
H01L 21/66 20060101ALI20241128BHJP
【ＦＩ】
H01L21/02 B
H01L21/66 R
【審査請求】未請求
【請求項の数】20
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023084846
(22)【出願日】2023-05-23
(71)【出願人】
【識別番号】000219967
【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社
(74)【代理人】
【識別番号】100096389
【弁理士】
【氏名又は名称】金本 哲男
(74)【代理人】
【識別番号】100101557
【弁理士】
【氏名又は名称】萩原 康司
(74)【代理人】
【識別番号】100167634
【弁理士】
【氏名又は名称】扇田 尚紀
(74)【代理人】
【識別番号】100187849
【弁理士】
【氏名又は名称】齊藤 隆史
(74)【代理人】
【識別番号】100212059
【弁理士】
【氏名又は名称】三根 卓也
(72)【発明者】
【氏名】永田 篤史
(72)【発明者】
【氏名】増住 拓朗
(72)【発明者】
【氏名】小濱 範史
(72)【発明者】
【氏名】田之上 隼斗
【テーマコード（参考）】
4M106
【Ｆターム（参考）】
4M106CA34
4M106DH12
4M106DH31
4M106DJ05
(57)【要約】
【課題】基板同士が接合された重合基板の接合強度を簡易に推定する。
【解決手段】基板同士を接合する接合方法であって、第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する工程と、前記中心部から外周部に向けた接合における接合速度を測定する工程と、測定された前記接合速度に基づいて、接合速度と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する。
【選択図】図１０
【解決手段】基板同士を接合する接合方法であって、第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する工程と、前記中心部から外周部に向けた接合における接合速度を測定する工程と、測定された前記接合速度に基づいて、接合速度と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板同士を接合する接合方法であって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する工程と、
前記中心部から外周部に向けた接合における接合速度を測定する工程と、
測定された前記接合速度に基づいて、接合速度と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、接合方法。
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する工程と、
前記中心部から外周部に向けた接合における接合速度を測定する工程と、
測定された前記接合速度に基づいて、接合速度と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、接合方法。
【請求項2】
前記接合速度を測定する工程では、前記中心部と前記外周部の間において径方向の２点間の接合速度を測定する、請求項１に記載の接合方法。
【請求項3】
前記接合速度を測定する工程では、少なくとも前記中心部を含まない前記外周部側の２点間の接合速度を測定する、請求項２に記載の接合方法。
【請求項4】
前記接合速度を測定する工程における前記２点は、前記第１基板を真空引きする同一の吸引領域に設けられる、請求項３に記載の接合方法。
【請求項5】
前記接合速度を測定する工程では、前記第１基板における異なる結晶方位に対応する、複数の径方向の２点間の接合速度を測定する、請求項２に記載の接合方法。
【請求項6】
接合された前記重合基板の反り量を測定する工程と、
測定された前記接合速度と前記反り量に基づいて、接合速度及び反り量の組み合わせと接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、請求項１に記載の接合方法。
測定された前記接合速度と前記反り量に基づいて、接合速度及び反り量の組み合わせと接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、請求項１に記載の接合方法。
【請求項7】
基板同士を接合する接合方法であって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する工程と、
接合された前記重合基板の反り量を測定する工程と、
測定された前記反り量に基づいて、反り量と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、接合方法。
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する工程と、
接合された前記重合基板の反り量を測定する工程と、
測定された前記反り量に基づいて、反り量と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、接合方法。
【請求項8】
推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、当該重合基板の接合状態を判定する、請求項１～７のいずれか一項に記載の接合方法。
【請求項9】
推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板と前記第２基板を接合する際の接合条件を制御する、請求項１～７のいずれか一項に記載の接合方法。
【請求項10】
前記第１基板と前記第２基板を接合する工程の前に、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを処理ガスのプラズマにより改質する工程を有し、
推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを改質する際の改質条件を制御する、請求項１～７のいずれか一項に記載の接合方法。
推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを改質する際の改質条件を制御する、請求項１～７のいずれか一項に記載の接合方法。
【請求項11】
推定された前記重合基板の接合強度の情報を、接合された前記重合基板を処理する処理装置に出力する、請求項１～７のいずれか一項に記載の接合方法。
【請求項12】
基板同士を接合する接合システムであって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する接合装置と、
前記中心部から外周部に向けた接合における接合速度を測定する速度測定部と、
測定された前記接合速度に基づいて、接合速度と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する制御装置と、を有する、接合システム。
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する接合装置と、
前記中心部から外周部に向けた接合における接合速度を測定する速度測定部と、
測定された前記接合速度に基づいて、接合速度と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する制御装置と、を有する、接合システム。
【請求項13】
前記速度測定部は、前記中心部と前記外周部の間において径方向の２点間の接合速度を測定する、請求項１２に記載の接合システム。
【請求項14】
前記速度測定部は、少なくとも前記中心部を含まない前記外周部側の２点間の接合速度を測定する、請求項１３に記載の接合システム。
【請求項15】
接合された前記重合基板の反り量を測定する反り測定部を有し、
前記制御装置は、測定された前記接合速度と前記反り量に基づいて、接合速度及び反り量の組み合わせと接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する、請求項１２に記載の接合システム。
前記制御装置は、測定された前記接合速度と前記反り量に基づいて、接合速度及び反り量の組み合わせと接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する、請求項１２に記載の接合システム。
【請求項16】
基板同士を接合する接合システムであって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する接合装置と、
接合された前記重合基板の反り量を測定する反り測定部と、
測定された前記反り量に基づいて、反り量と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する制御装置と、を有する、接合システム。
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する接合装置と、
接合された前記重合基板の反り量を測定する反り測定部と、
測定された前記反り量に基づいて、反り量と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する制御装置と、を有する、接合システム。
【請求項17】
前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、当該重合基板の接合状態を判定する、請求項１２～１６のいずれか一項に記載の接合システム。
【請求項18】
前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板と前記第２基板を接合する際の接合条件を制御する、請求項１２～１６のいずれか一項に記載の接合システム。
【請求項19】
前記接合装置において前記第１基板と前記第２基板を接合する前に、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを処理ガスのプラズマにより改質する改質装置を有し、
前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを改質する際の改質条件を制御する、請求項１２～１６のいずれか一項に記載の接合システム。
前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを改質する際の改質条件を制御する、請求項１２～１６のいずれか一項に記載の接合システム。
【請求項20】
前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度の情報を、接合された前記重合基板を処理する処理装置に出力する、請求項１２～１６のいずれか一項に記載の接合システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本開示は、接合方法及び接合システムに関する。
【背景技術】
【0002】
特許文献１には、ウェハ同士を接合する接合装置が開示されている。かかる接合装置は、上ウェハを吸着保持する上チャックと、上チャックの下方に設けられ、下ウェハを吸着保持する下チャックとを有している。接合装置は、２枚のウェハを上下に対向配置して接合し、重合ウェハを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
【特許文献1】特開２０１７－０７３４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
本開示にかかる技術は、基板同士が接合された重合基板の接合強度を簡易に推定する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
本開示の一態様は、基板同士を接合する接合方法であって、第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する工程と、前記中心部から外周部に向けた接合における接合速度を測定する工程と、測定された前記接合速度に基づいて、接合速度と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する。
【発明の効果】
【0006】
本開示によれば、基板同士が接合された重合基板の接合強度を簡易に推定することができる。
【図面の簡単な説明】
【0007】
【図1】本実施形態にかかる接合システムの構成の概略を示す平面図である。
【図2】上ウェハと下ウェハの構成の概略を示す側面図である。
【図3】表面改質装置の構成の概略を示す断面図である。
【図4】接合装置の構成の概略を示す断面図である。
【図5】上チャックと下チャックの構成の概略を示す断面図である。
【図6】ウェハ処理の主な工程を示す説明図である。
【図7】ウェハ接合処理の主な工程を示す説明図である。
【図8】接合速度を測定する様子を示す説明図である。
【図9】センサの配置を示す説明図である。
【図10】接合速度と接合強度の関係を示す説明図である。
【図11】重合ウェハが反る様子を示す説明図である。
【図12】重合ウェハが反る理由を示す説明図である。
【図13】反り量と接合強度の関係を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0008】
半導体デバイスを３次元に積層する３次元集積技術では、２枚の半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）の接合が行われる。接合処理では、例えばファンデルワールス力及び水素結合（分子間力）によってウェハ同士を接合する。
【0009】
特許文献１に開示された接合装置では、先ず、押圧ピンによって上チャックに吸着保持されている上ウェハの中心部を押圧して下降させ、下チャックに吸着保持されている下ウェハの中心部と当接させる。そうすると、押圧された上ウェハの表面の中心部と下ウェハの表面の中心部との間で、上述した分子間力による接合が開始する。次に、上ウェハの中心部から外周部に向けて上ウェハの真空引きを停止し、上ウェハが下ウェハ上に順次落下して当接し、上述した表面間の分子間力による接合が順次拡がる。こうして、上ウェハの表面と下ウェハの表面が全面で当接し、上ウェハと下ウェハが接合される。
【0010】
重合ウェハにおける上ウェハと下ウェハの接合強度は、重合ウェハの品質に影響する。従来、重合ウェハの接合強度の測定には、いわゆるブレード挿入法を用いることが知られている。ブレード挿入法では、製品用ウェハとは別の、表面にパターンが形成されていない測定用ウェハを用いる。この測定用ウェハを接合した後、測定用重合ウェハの端部から接合界面にブレードを挿入する。そして、測定用重合ウェハの端部が開いた際のクラックを撮像してクラックの径方向長さを測定し、当該クラックの径方向長さから公知の式を用いて接合エネルギーを算出する。
【0011】
しかしながら、ブレード挿入法を用いた場合、ブレードの挿入によって測定用ウェハが損傷を被るので、当該測定用ウェハは廃棄されて再利用ができず、無駄が生じる。また、ブレード挿入法では、使用されるウェハが損傷を被るので、製品用ウェハやパターン付きの高価なウェハを用いることはできず、簡易なパターン無しの測定用ウェハを用いることになる。そうすると、実際の接合強度を測定することが困難で、測定精度に改善の余地がある。
【0012】
本開示にかかる技術は、基板同士が接合された重合基板の接合強度を簡易に推定する。以下、本実施形態にかかる接合システム及び接合方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【0013】
＜接合システムの構成＞
先ず、本実施形態にかかる接合システムの構成について説明する。図１は、接合システム１の構成の概略を示す平面図である。なお、以下の説明では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
先ず、本実施形態にかかる接合システムの構成について説明する。図１は、接合システム１の構成の概略を示す平面図である。なお、以下の説明では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【0014】
接合システム１では、図２に示す基板としてのウェハＷＵ、ＷＬ同士を接合する。以下、後述の接合装置４１で上側に配置されるウェハを第１基板としての「上ウェハＷＵ」といい、下側に配置されるウェハを第２基板としての「下ウェハＷＬ」という。また、上ウェハＷＵにおいて下ウェハＷＬと接合される接合面を「表面ＷＵ１」といい、反対側の面を「裏面ＷＵ２」という。同様に、下ウェハＷＬにおいて上ウェハＷＵと接合される接合面を「表面ＷＬ１」といい、反対側の面を「裏面ＷＬ２」という。以下の説明では、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬを「ウェハＷ」と総称する場合がある。また、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１と下ウェハＷＬの表面ＷＬ１を「表面Ｗ１」と総称し、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２と下ウェハＷＬの裏面ＷＬ２を「裏面Ｗ２」と総称する場合がある。接合システム１では、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬ同士を接合して、重合基板としての重合ウェハＷＴを形成する。
【0015】
図２に示すように接合システム１は、搬入出ステーション２と処理ステーション３を一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２では、例えば外部との間で複数の上ウェハＷＵ、下ウェハＷＬ、重合ウェハＷＴをそれぞれ収容可能なカセットＣＵ、ＣＬ、ＣＴが搬入出される。処理ステーション３は、上ウェハＷＵ、下ウェハＷＬ、重合ウェハＷＴに対して所望の処理を施す各種処理装置を備えている。
【0016】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセット載置板１１が設けられている。カセット載置板１１は、Ｙ軸方向に一列に並べて配置されている。これらのカセット載置板１１には、接合システム１の外部に対してカセットＣＵ、ＣＬ、ＣＴを搬入出する際に、カセットＣＵ、ＣＬ、ＣＴを載置することができる。なお、カセット載置板１１の個数は、本実施形態に限定されず、任意に設定することができる。
【0017】
搬入出ステーション２には、カセット載置台１０のＸ軸正方向側に当該カセット載置台１０に隣接してウェハ搬送部２０が設けられている。ウェハ搬送部２０には、Ｙ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動自在なウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、各カセット載置板１１上のカセットＣＵ、ＣＬ、ＣＴと、後述するトランジション装置５０、５１及び後述する反り測定装置５２の間で上ウェハＷＵ、下ウェハＷＬ、重合ウェハＷＴを搬送できる。
【0018】
処理ステーション３には、各種装置を備えた複数例えば３つの処理ブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３が設けられている。例えば処理ステーション３のＹ軸負方向側には、第１処理ブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３のＹ軸正方向側には、第２処理ブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のＸ軸負方向側には、第３の処理ブロックＧ３が設けられている。
【0019】
第１処理ブロックＧ１には、ウェハＷの表面Ｗ１を改質する表面改質装置３０が配置されている。第２処理ブロックＧ２には、ウェハＷの表面Ｗ１を親水化すると共に、当該表面Ｗ１を洗浄する表面親水化装置４０と、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬを接合する接合装置４１がＸ軸方向に並べて配置されている。第３の処理ブロックＧ３には、上ウェハＷＵ、下ウェハＷＬ、重合ウェハＷＴを一時的に保持するトランジション装置５０、５１と、重合ウェハＷＴの反り量を測定する反り測定部としての反り測定装置５２が積層して配置されている。
【0020】
表面親水化装置４０では、例えばスピンチャックに保持されたウェハＷを回転させながら、当該ウェハＷの表面Ｗ１上に純水を供給する。そうすると、供給された純水はウェハＷの表面Ｗ１上を拡散し、表面Ｗ１が親水化される。なお、以上の構成は一例であり、表面親水化装置４０は、ウェハＷの表面Ｗ１を親水化できれば任意の構成をとることができる。また、表面改質装置３０と接合装置４１の構成は後述する。
【0021】
トランジション装置５０、５１は、上ウェハＷＵ、下ウェハＷＬ、重合ウェハＷＴを、ウェハ搬送部２０のウェハ搬送装置２２と、後述するウェハ搬送部６０のウェハ搬送装置６２との間で受け渡すため、これら上ウェハＷＵ、下ウェハＷＬ、重合ウェハＷＴを一時的に保持する。反り測定装置５２は、接合された重合ウェハＷＴの反り量を測定する。反り測定装置５２の構成は任意であるが、例えば変位計を用いて重合ウェハＷＴの反り量を測定する。
【0022】
第１処理ブロックＧ１～第３の処理ブロックＧ３に囲まれた領域には、ウェハ搬送部６０が設けられている。ウェハ搬送部６０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路６１上を移動自在なウェハ搬送装置６２が設けられている。ウェハ搬送装置６２は、表面改質装置３０、表面親水化装置４０、接合装置４１、トランジション装置５０、５１及び反り測定装置５２の間で上ウェハＷＵ、下ウェハＷＬ、重合ウェハＷＴを搬送できる。
【0023】
以上の接合システム１には、制御装置７０が設けられている。制御装置７０は、例えばＣＰＵやメモリ等を備えたコンピュータであり、図示しないプログラム格納部を有している。プログラム格納部には、接合システム１におけるウェハ処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置７０にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。
【0024】
＜表面改質装置の構成＞
上述した表面改質装置３０では、例えば減圧雰囲気下において、処理ガスである酸素ガス又は窒素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。この酸素イオン又は窒素イオンがウェハＷの表面Ｗ１に照射されて、表面Ｗ１がプラズマ処理され、改質される。
上述した表面改質装置３０では、例えば減圧雰囲気下において、処理ガスである酸素ガス又は窒素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。この酸素イオン又は窒素イオンがウェハＷの表面Ｗ１に照射されて、表面Ｗ１がプラズマ処理され、改質される。
【0025】
図３に示すように表面改質装置３０は、処理容器１００、処理ガス供給部１１０、プラズマ生成部１２０、イオン引き込み部１３０及び排気部１４０を有している。
【0026】
処理容器１００は、内部を密閉可能に構成される。処理容器１００には、図示しないウェハＷの搬入出口が形成され、搬入出口には、図示しないゲートバルブが設けられている。処理容器１００の底部側には、ウェハＷの表面Ｗ１側が上を向いた状態となるように、ウェハＷの裏面Ｗ２を吸着保持するステージ１０１が配置される。ステージ１０１は、例えば、少なくとも一部が絶縁部材で構成される。
【0027】
処理ガス供給部１１０は、処理容器１００の内部に処理ガスを供給する。処理ガス供給部１１０は、処理容器１００の内部に処理ガスを導入するためのガス供給路１１１と、少なくとも１つのガス供給源１１２と、少なくとも１つの流量制御器１１３を備える。ガス供給路１１１は、ガス供給源１１２から供給された処理ガスを処理容器１００の内部に導入する。流量制御器１１３は、例えばマスフローコントローラ、圧力制御式又は流量変調デバイスを含んでもよい。なお、ガス供給源１１２から供給される処理ガスは酸素ガスや窒素ガスに限られず、例えば、アルゴンガスやヘリウムガスが供給されてもよい。
【0028】
プラズマ生成部１２０は、処理容器１００の内部に処理ガスのプラズマを生成する。図示の例では、プラズマ生成部１２０は、表面波プラズマ（ＳＷＰ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）型のプラズマ生成装置を備えているが、プラズマ生成部１２０の構成は特に限定されない。プラズマ生成部１２０は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）、ＥＣＲプラズマ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ－Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ－ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｐｌａｓｍａ）、又は、ヘリコン波励起プラズマ（ＨＷＰ：Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ）等の任意のプラズマ生成装置で構成され得る。また、ＡＣ（Ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部及びＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｕｒｒｅｎｔ）プラズマ生成部を含む、種々のタイプのプラズマ生成部が用いられてもよい。
【0029】
イオン引き込み部１３０は、処理容器１００内に生成されたプラズマの内部に分布するイオンを、ステージ１０１上のウェハＷの表面Ｗ１に引き込む。一例においてイオン引き込み部１３０は、少なくとも１つの電極１３１、高周波電源１３２及びコンデンサ１３３を有する。なお、高周波電源１３２は、ウェハＷの表面Ｗ１へのイオンの引き込みに加え、処理容器１００の内部へのプラズマの生成に用いられてもよい。従って高周波電源１３２は、ソース電力又はバイアス電力のうち少なくとも１つを、電極１３１に供給する。
【0030】
排気部１４０は、例えば処理容器１００の底部に設けられたガス排出口１００ｅに接続される。排気部１４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、処理容器１００の内部圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
【0031】
表面改質装置３０は以上のように構成される。なお、以上の構成は一例であり、表面改質装置３０は、ウェハＷの表面Ｗ１を改質できれば任意の構成をとることができる。
【0032】
＜接合装置の構成＞
上述した接合装置４１では、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬとを、それぞれ表面改質処理と表面親水化処理が順次施された表面ＷＵ１、表面ＷＬ１で接合する。
上述した接合装置４１では、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬとを、それぞれ表面改質処理と表面親水化処理が順次施された表面ＷＵ１、表面ＷＬ１で接合する。
【0033】
図４に示すように接合装置４１は、処理容器２００、上チャック２１０及び下チャック２２０を有している。
【0034】
処理容器２００は、内部を密閉可能に構成される。処理容器２００には、図示しないウェハＷの搬入出口が形成され、搬入出口には、図示しないゲートバルブが設けられている。上チャック２１０は、処理容器２００の天部側に設けられ、下チャック２２０は、処理容器２００の底部側に設けられている。
【0035】
上チャック２１０は、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２を下面で吸着保持する。上チャック２１０は、当該上チャック２１０の上方に設けられた上チャックステージ２１１に支持されている。上チャックステージ２１１には、下チャック２２０に保持された下ウェハＷＬの表面ＷＬ１を撮像する上部撮像部２１２が設けられている。上部撮像部２１２には、例えばＣＣＤカメラが用いられる。
【0036】
上チャックステージ２１１は、当該上チャックステージ２１１の上方において、複数の支持部材２１３を介して処理容器２００の天井面に設けられた、回転部２１４に支持されている。回転部２１４は、上チャックステージ２１１及び上チャック２１０を鉛直軸（θ軸）周りに回転させる。なお、回転部２１４には、上チャック２１０のθ軸方向位置を測定するための図示しない測定部（例えばリニアスケール）が設けられていてもよい。
【0037】
下チャック２２０は、下ウェハＷＬの裏面ＷＬ２を上面で吸着保持する。下チャック２２０は、上チャック２１０の下方に設けられ、上チャック２１０と対向配置可能に構成されている。すなわち、上チャック２１０に保持された上ウェハＷＵと下チャック２２０に保持された下ウェハＷＬは対向して配置可能となっている。下チャック２２０は、当該下チャック２２０の下方に設けられた下チャックステージ２２１に支持されている。下チャックステージ２２１には、上チャック２１０に保持された上ウェハＷＵの表面ＷＵ１を撮像する下部撮像部２２２が設けられている。下部撮像部２２２には、例えばＣＣＤカメラが用いられる。
【0038】
下チャック２２０には、移動部２２３が設けられている。移動部２２３は、下チャックステージ２２１及び下チャック２２０を水平方向に移動させる。また、移動部２２３は、下チャック２２０を鉛直方向に移動させる。なお、移動部２２３には、下チャック２２０の水平方向位置及び鉛直方向位置を測定するための図示しない測定部（例えばレーザ干渉計）が設けられていてもよい。
【0039】
次に、上述した上チャック２１０と下チャック２２０の詳細な構成について、周辺の部材と共に説明する。
【0040】
図５に示すように上チャック２１０には、ピンチャック方式が採用されている。上チャック２１０は、平面視において上ウェハＷＵの径以上の径を有する本体部２３０を有している。本体部２３０の下面には、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２に接触する複数のピン２３１が設けられている。また、本体部２３０の下面の外周部には、ピン２３１と同じ高さを有し、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２の外周部を支持する外側リブ２３２が設けられている。外側リブ２３２は、複数のピン２３１の外側に環状に設けられている。
【0041】
また、本体部２３０の下面には、外側リブ２３２の内側において、ピン２３１と同じ高さを有し、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２を支持する内側リブ２３３が設けられている。内側リブ２３３は、外側リブ２３２と同心円状に環状に設けられている。そして、外側リブ２３２の内側の領域２３４（以下、吸引領域２３４という場合がある。）は、内側リブ２３３の内側の第１吸引領域２３４ａと、内側リブ２３３の外側の第２吸引領域２３４ｂとに区画されている。
【0042】
本体部２３０の下面には、第１吸引領域２３４ａにおいて、上ウェハＷＵを真空引きするための第１吸引口２３５ａが形成されている。第１吸引口２３５ａは、例えば第１吸引領域２３４ａにおいて複数箇所に形成されている。第１吸引口２３５ａには、本体部２３０の内部に設けられた第１吸引管２３６ａが接続されている。さらに第１吸引管２３６ａには、図示しない真空ポンプが接続されている。
【0043】
また、本体部２３０の下面には、第２吸引領域２３４ｂにおいて、上ウェハＷＵを真空引きするための第２吸引口２３５ｂが形成されている。第２吸引口２３５ｂは、例えば第２吸引領域２３４ｂにおいて複数箇所に形成されている。第２吸引口２３５ｂには、本体部２３０の内部に設けられた第２吸引管２３６ｂが接続されている。さらに第２吸引管２３６ｂには、図示しない真空ポンプが接続されている。
【0044】
上ウェハＷＵ、本体部２３０及び外側リブ２３２に囲まれて形成された吸引領域２３４ａ、２３４ｂをそれぞれ吸引口２３５ａ、２３５ｂから真空引きし、吸引領域２３４ａ、２３４ｂを減圧する。上チャック２１０は、第１吸引領域２３４ａと第２吸引領域２３４ｂ毎に上ウェハＷＵを吸着保持可能に構成されている。
【0045】
上チャック２１０の本体部２３０の中心部と上チャックステージ２１１の中心部には、当該本体部２３０と上チャックステージ２１１を厚み方向に貫通する貫通孔２３７が形成されている。本体部２３０の中心部は、上チャック２１０に吸着保持される上ウェハＷＵの中心部に対応している。貫通孔２３７には、後述する押動部２４０におけるアクチュエータ部２４１が挿通するようになっている。
【0046】
上チャック２１０の本体部２３０の外周部と上チャックステージ２１１の外周部には、当該本体部２３０と上チャックステージ２１１を厚み方向に貫通する２つの透過窓２３８ａ、２３８ｂが形成されている。第１透過窓２３８ａと第２透過窓２３８ｂは、径方向内側から外側にこの順で配置されている。透過窓２３８ａ、２３８ｂはそれぞれ、例えば石英で構成され、後述するセンサ２５０ａ、２５０ｂから照射されるＬＥＤ光を透過させる。
【0047】
上チャックステージ２１１の上面中心部には、上ウェハＷＵの中心部を裏面ＷＵ２側から押圧する押動部２４０が設けられている。押動部２４０は、アクチュエータ部２４１とシリンダ部２４２とを有している。
【0048】
アクチュエータ部２４１は、例えば電空レギュレータからの空気によって、貫通孔２３７を挿通して鉛直方向に昇降自在になっている。アクチュエータ部２４１は、例えば電空レギュレータからの空気によって、上ウェハＷＵの中心部と当接し、当該上ウェハＷＵの中心部にかかる押圧荷重を制御できる。
【0049】
アクチュエータ部２４１は、シリンダ部２４２に支持されている。シリンダ部２４２は、例えばモータを内蔵した駆動部によってアクチュエータ部２４１を鉛直方向に移動させることができる。
【0050】
以上のように押動部２４０は、アクチュエータ部２４１によって押圧荷重の制御をし、シリンダ部２４２によってアクチュエータ部２４１の移動の制御をしている。そして、押動部２４０は、後述するウェハＷＵ、ＷＬの接合時に、上ウェハＷＵの中心部と下ウェハＷＬの中心部とを当接させて押圧することができる。
【0051】
上チャックステージ２１１の外周部には、複数、例えば２つのセンサ２５０ａ、２５０ｂが設けられている。第１センサ２５０ａと第２センサ２５０ｂは、径方向内側から外側にこの順で配置されている。第１センサ２５０ａは第１透過窓２３８ａに対応して配置され、第２センサ２５０ｂは第２透過窓２３８ｂに対応して配置されている。
【0052】
センサ２５０ａ、２５０ｂは、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２の高さ位置を測定する。センサ２５０ａ、２５０ｂの測定結果は制御装置７０に出力され、制御装置７０では、後述するように上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２の高さ位置に基づいて、接合速度（ボンディングウェーブの進展速度）を算出する。すなわち、センサ２５０ａ、２５０ｂは、本開示における速度測定部に相当する。
【0053】
下チャック２２０には、上チャック２１０と同様にピンチャック方式が採用されている。下チャック２２０は、平面視において下ウェハＷＬの径以上の径を有する本体部２６０を有している。本体部２６０の上面には、下ウェハＷＬの裏面ＷＬ２に接触する複数のピン２６１が設けられている。また、本体部２６０の上面の外周部には、ピン２６１と同じ高さを有し、下ウェハＷＬの裏面ＷＬ２の外周部を支持する外側リブ２６２が設けられている。外側リブ２６２は、複数のピン２６１の外側に環状に設けられている。
【0054】
また、本体部２６０の上面には、外側リブ２６２の内側において、ピン２６１と同じ高さを有し、下ウェハＷＬの裏面ＷＬ２を支持する内側リブ２６３が設けられている。内側リブ２６３は、外側リブ２６２と同心円状に環状に設けられている。そして、外側リブ２６２の内側の領域２６４（以下、吸引領域２６４という場合がある。）は、内側リブ２６３の内側の第１吸引領域２６４ａと、内側リブ２６３の外側の第２吸引領域２６４ｂとに区画されている。
【0055】
本体部２６０の上面には、第１吸引領域２６４ａにおいて、下ウェハＷＬを真空引きするための第１吸引口２６５ａが形成されている。第１吸引口２６５ａは、例えば第１吸引領域２６４ａにおいて１箇所に形成されている。第１吸引口２６５ａには、本体部２６０の内部に設けられた第１吸引管２６６ａが接続されている。さらに第１吸引管２６６ａには、図示しない真空ポンプが接続されている。
【0056】
また、本体部２６０の上面には、第２吸引領域２６４ｂにおいて、下ウェハＷＬを真空引きするための第２吸引口２６５ｂが形成されている。第２吸引口２６５ｂは、例えば第２吸引領域２６４ｂにおいて複数箇所に形成されている。第２吸引口２６５ｂには、本体部２６０の内部に設けられた第２吸引管２６６ｂが接続されている。さらに第２吸引管２６６ｂには、図示しない真空ポンプが接続されている。
【0057】
下ウェハＷＬ、本体部２６０及び外側リブ２６２に囲まれて形成された吸引領域２６４ａ、２６４ｂをそれぞれ吸引口２６５ａ、２６５ｂから真空引きし、吸引領域２６４ａ、２６４ｂを減圧する。下チャック２２０は、第１吸引領域２６４ａと第２吸引領域２６４ｂ毎に下ウェハＷＬを吸着保持可能に構成されている。
【0058】
下チャック２２０において、本体部２６０の中心部付近には、当該本体部２６０を厚み方向に貫通する図示しない貫通孔が例えば３箇所に形成されている。そして貫通孔には、移動部２２３の下方に設けられた昇降ピンが挿通するようになっている。
【0059】
本体部２６０の外周部には、ウェハＷＵ、ＷＬ、重合ウェハＷＴが下チャック２２０から飛び出したり、滑落したりするのを防止する、図示しないガイド部材が設けられている。ガイド部材は、本体部２６０の外周部に複数箇所、例えば４箇所に等間隔に設けられている。
【0060】
なお、接合装置４１には、接合装置４１に搬送され、上チャック２１０に吸着保持される上ウェハＷＵの表裏面を反転させるための図示しない反転装置が設けられてもよい。接合装置４１に搬送される上ウェハＷＵは、表面改質処理及び表面親水化処理が施された表面ＷＵ１が上側を向いた状態で搬送されるが、この反転装置により表裏面が反転されることで、適切に裏面ＷＵ２を上チャック２１０に保持させることができる。
但し、反転装置の配置はこれに限定されるものではなく、接合装置４１の内部に代えて、接合システム１の処理ステーション３の任意の位置に、上ウェハＷＵの表裏面を反転させるための図示しない反転装置を独立して設けてもよい。
但し、反転装置の配置はこれに限定されるものではなく、接合装置４１の内部に代えて、接合システム１の処理ステーション３の任意の位置に、上ウェハＷＵの表裏面を反転させるための図示しない反転装置を独立して設けてもよい。
【0061】
接合装置４１は以上のように構成される。なお、以上の構成は一例であり、接合装置４１は、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１と下ウェハＷＬの表面ＷＬ１とを接合できれば任意の構成をとることができる。
【0062】
＜接合方法＞
次に、以上のように構成された接合システム１を用いて行われる上ウェハＷＵと下ウェハＷＬの接合方法について説明する。図６は、接合システム１におけるウェハ処理の主な工程を示す説明図である。
次に、以上のように構成された接合システム１を用いて行われる上ウェハＷＵと下ウェハＷＬの接合方法について説明する。図６は、接合システム１におけるウェハ処理の主な工程を示す説明図である。
【0063】
先ず、複数枚の上ウェハＷＵを収容したカセットＣＵ、複数枚の下ウェハＷＬを収容したカセットＣＬ、及び空のカセットＣＴが、搬入出ステーション２のカセット載置板１１に載置される。その後、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣＵ内の上ウェハＷＵが取り出され、処理ステーション３のトランジション装置５０に搬送される。
【0064】
次に上ウェハＷＵは、ウェハ搬送装置６２によって表面改質装置３０に搬送される。表面改質装置３０では、所望の減圧雰囲気下において、処理ガスである酸素ガス又は窒素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。この酸素イオン又は窒素イオンが上ウェハＷＵの表面ＷＵ１に照射されて、当該表面ＷＵ１がプラズマ処理される。そして、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１が改質される（図６の工程ＳＵ１）。
【0065】
次に上ウェハＷＵは、ウェハ搬送装置６２によって表面親水化装置４０に搬送される。表面親水化装置４０では、スピンチャックに保持された上ウェハＷＵを回転させながら、当該上ウェハＷＵ上に純水を供給する。そうすると、供給された純水は上ウェハＷＵの表面ＷＵ１上を拡散し、表面改質装置３０において改質された上ウェハＷＵの表面ＷＵ１に水酸基（シラノール基）が付着して当該表面ＷＵ１が親水化される。また、当該純水によって、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１が洗浄される（図６の工程ＳＵ２）。
【0066】
次に上ウェハＷＵは、ウェハ搬送装置６２によって接合装置４１に搬送される。接合装置４１に搬入された上ウェハＷＵは、図示しない反転装置により表裏面が反転される。またこの際、上ウェハＷＵは、図示しない位置調節機構によって、水平方向の向きが調節される。その後、上チャック２１０に裏面ＷＵ２が吸着保持される。具体的には、吸引領域２３４ａ、２３４ｂにおいて吸引口２３５ａ、２３５ｂを介して上ウェハＷＵを真空引きし、上ウェハＷＵが上チャック２１０に吸着保持される。
【0067】
上ウェハＷＵに上述した各種処理が行われている間、当該上ウェハＷＵに続いて下ウェハＷＬの処理が行われる。先ず、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣＬ内の下ウェハＷＬが取り出され、処理ステーション３のトランジション装置５０に搬送される。
【0068】
次に下ウェハＷＬは、ウェハ搬送装置６２によって表面改質装置３０に搬送され、下ウェハＷＬの表面ＷＬ１が改質される（図６の工程ＳＬ１）。なお、工程ＳＬ１における下ウェハＷＬの表面ＷＬ１の改質は、上述した工程ＳＵ１と同様である。
【0069】
次に下ウェハＷＬは、ウェハ搬送装置６２によって表面親水化装置４０に搬送され、下ウェハＷＬの表面ＷＬ１が親水化される共に当該表面ＷＬ１が洗浄される（図６の工程ＳＬ２）。なお、工程ＳＬ２における下ウェハＷＬの表面ＷＬ１の親水化及び洗浄は、上述した工程ＳＵ２と同様である。
【0070】
次に下ウェハＷＬは、ウェハ搬送装置６２によって接合装置４１に搬送される。接合装置４１に搬入された下ウェハＷＬは、図示しない位置調節機構によって、水平方向の向きが調節された後、下チャック２２０に裏面ＷＬ２が吸着保持される。具体的には、吸引領域２６４ａ、２６４ｂにおいて吸引口２６５ａ、２６５ｂを介して下ウェハＷＬを真空引きし、下ウェハＷＬが下チャック２２０に吸着保持される。
【0071】
次に、上チャック２１０に保持された上ウェハＷＵと下チャック２２０に保持された下ウェハＷＬとの水平方向の位置調節を行う。具体的には、上部撮像部２１２によって、下チャック２２０に保持された下ウェハＷＬの表面ＷＬ１上の予め定められた基準点を順次撮像すると共に、下部撮像部２２２によって、上チャック２１０に保持された上ウェハＷＵの表面ＷＵ１上の予め定められた基準点を順次撮像する。撮像された画像は、制御装置７０に出力される。制御装置７０では、上部撮像部２１２で撮像された画像と下部撮像部２２２で撮像された画像に基づいて、上ウェハＷＵの基準点と下ウェハＷＬの基準点がそれぞれ合致するような位置となるように、回転部２１４により上チャック２１０（上ウェハＷＵ）を回転させるとともに、移動部２２３により下チャック２２０（下ウェハＷＬ）を移動させる。こうして、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬの位置が調節され、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬが所望の位置に対向配置される。
【0072】
次に、上チャック２１０に保持された上ウェハＷＵと下チャック２２０に保持された下ウェハＷＬとの鉛直方向の位置調節を行う。具体的には、移動部２２３により下チャック２２０を鉛直上方に移動させて、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬとの鉛直方向位置の調節を行う。そして、図７（ａ）に示すように上ウェハＷＵと下ウェハＷＬが所望の位置に対向配置される。
【0073】
次に、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬの接合処理が行われる（図６の工程Ｓ３）。具体的には、先ず、図７（ｂ）に示すようにシリンダ部２４２によってアクチュエータ部２４１を下降させ、アクチュエータ部２４１を上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２の中心部に当接させる。
【0074】
次に、図７（ｃ）に示すようにアクチュエータ部２４１の下降を継続し、上ウェハＷＵの中心部を押圧されて下降させることで、上ウェハＷＵの中心部と下ウェハＷＬの中心部を当接させて押圧する。この際、第１吸引領域２３４ａにおける第１吸引口２３５ａからの上ウェハＷＵの真空引きを停止すると共に、第２吸引領域２３４ｂを第２吸引口２３５ｂから真空引きする。そして、上チャック２１０によって上ウェハＷＵの外周部を保持する。
【0075】
上ウェハＷＵの中心部と下ウェハＷＬの中心部を当接させて押圧すると、当該中心部の間で上ウェハＷＵと下ウェハＷＬの接合が開始する（図７（ｃ）中の太線部）。すなわち、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１と下ウェハＷＬの表面ＷＬ１はそれぞれ工程ＳＵ１、ＳＬ１において改質されているため、表面ＷＵ１、ＷＬ１間にファンデルワールス力（分子間力）が生じ、当該表面ＷＵ１、ＷＬ１同士が接合される。さらに、上ウェハＷＵの表面ＷＵ１と下ウェハＷＬの表面ＷＬ１はそれぞれ工程ＳＵ２、ＳＬ２において親水化されているため、表面ＷＵ１、ＷＬ１間の親水基が水素結合し（分子間力）、表面ＷＵ１、ＷＬ１同士が強固に接合される。そして図７（ｄ）に示すように、上述した表面ＷＵ１、表面ＷＬ１間のファンデルワールス力と水素結合による接合は、中心部から外周部に向けて拡散し、ボンディングウェーブが発生する。
【0076】
その後、図７（ｅ）に示すように押動部２４０によって上ウェハＷＵの中心部と下ウェハＷＬの中心部を押圧した状態で、第２吸引領域２３４ｂにおける第２吸引口２３５ｂからの上ウェハＷＵの真空引きを停止する。そうすると、上ウェハＷＵの外周部が下ウェハＷＬ上に落下する。そして、図７（ｆ）に示すように上ウェハＷＵの表面ＷＵ１と下ウェハＷＬの表面ＷＬ１が全面で当接し、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬが接合される。
【0077】
上ウェハＷＵと下ウェハＷＬが接合された重合ウェハＷＴは、ウェハ搬送装置６２によって反り測定装置５２に搬送され、当該重合ウェハＷＴは反り量が測定される。その後、重合ウェハＷＴは、搬入出ステーション２のウェハ搬送装置２２によってカセットＣＴに搬送される。こうして、一連の上ウェハＷＵと下ウェハＷＬのウェハ処理（接合処理）が終了する。
【0078】
なお、このように上ウェハＷＵと下ウェハＷＬを接合して形成された重合ウェハＷＴは、その後、接合システム１の外部に設けられた加熱装置において加熱（アニール）処理が行われる（図６の工程Ｓ４）。なお、この加熱処理は、このように接合システム１の外部で行われてもよいが、接合システム１の処理ステーション３に図示しない加熱装置を設けることで、接合装置４１での上ウェハＷＵと下ウェハＷＬの接合後に行うようにしてもよい。
【0079】
また、加熱処理がされた重合ウェハＷＴは、その後、接合システム１の外部に設けられた研削装置において裏面ＷＵ２の研削処理が行われ、さらに接合システム１の外部に設けられたエッチング装置において裏面ＷＵ２のエッチング処理が行われる。そして、重合ウェハＷＴが薄化される。
【0080】
＜接合強度の推定方法＞
次に、以上のように接合された重合ウェハＷＴの接合強度の推定方法について、２つの実施形態で説明する。なお、以下の説明において、重合ウェハＷＴの接合強度として、加熱処理後の重合ウェハＷＴの接合強度を推定する。
次に、以上のように接合された重合ウェハＷＴの接合強度の推定方法について、２つの実施形態で説明する。なお、以下の説明において、重合ウェハＷＴの接合強度として、加熱処理後の重合ウェハＷＴの接合強度を推定する。
【0081】
（第１実施形態）
第１実施形態では、接合速度（ボンディングウェーブの進展速度）に基づいて、重合ウェハＷＴの接合強度を推定する。
第１実施形態では、接合速度（ボンディングウェーブの進展速度）に基づいて、重合ウェハＷＴの接合強度を推定する。
【0082】
接合装置４１では、上述したように中心部から外周部に向けて拡散するボンディングウェーブを発生させて、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬの接合を接合する。この際、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２の高さが変位するため、この高さ位置に基づいて、ボンディングウェーブの進展速度である接合速度を測定する。
【0083】
図８に示すように、センサ２５０ａ、２５０ｂは、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２の高さ位置を測定する。具体的にはセンサ２５０ａ、２５０ｂは、透過窓２３８ａ、２３８ｂを介して上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２にＬＥＤ光を照射し、当該裏面ＷＵ２からの反射光を受光して、裏面ＷＵ２の高さ位置を測定する。センサ２５０ａ、２５０ｂの測定結果は制御装置７０に出力される。なお、透過窓２３８ａ、２３８ｂを省略し、上チャック２１０の本体部２３０と上チャックステージ２１１を貫通する貫通孔（図示せず）を形成してもよい。かかる場合、センサ２５０ａ、２５０ｂからのＬＥＤ光は、貫通孔を通過して、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２に照射される。
【0084】
制御装置７０では、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２の高さ位置に基づいて、接合速度を算出する。具体的には制御装置７０は、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２の高さ位置から、ボンディングウェーブを検知する。例えば上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２の高さ位置が、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬが接合した際の位置になった際に、ボンディングウェーブが到達したと検知する。そして、第１センサ２５０ａの位置にボンディングウェーブが到達してから第２センサ２５０ｂの位置にボンディングウェーブが到達するまでの時間を算出し、予め把握されているセンサ２５０ａ、２５０ｂ間の距離から、接合速度を算出する。
【0085】
ボンディングウェーブは、中心部から外周部に向けて同心円状に進展する。このため、少なくとも径方向に配置された２つのセンサ２５０ａ、センサ２５０ｂ間の接合速度を測定すれば、当該接合速度がボンディングウェーブの接合速度を代表する。
【0086】
なお、図９に示すように上チャックステージ２１１の上面には、３つ以上のセンサ２５０ａ～２５０ｇが設けられていてもよい。
【0087】
例えばセンサ２５０ｃは、中心部に配置される。かかる場合、径方向Ｄ１において、センサ２５０ｃ、２５０ａ、２５０ｂ間の接合速度を測定することができる。なお、センサ２５０ｃ、２５０ａ間の接合速度とセンサ２５０ａ、２５０ｂ間の接合速度とを比較した場合、外周部側のセンサ２５０ａ、２５０ｂ間の接合速度を測定するのが好ましい。アクチュエータ部２４１によって上ウェハＷＵの中心部と下ウェハＷＬの中心部が押圧されているため、センサ２５０ｃ、２５０ａ間のボンディングウェーブは、この中心部押圧の影響を受ける。このため、アクチュエータ部２４１から離れたセンサ２５０ａ、２５０ｂ間の接合速度を測定するのが好ましい。また、センサ２５０ｃ、２５０ａ間には内側リブ２３３があり、内側リブ２３３の内側の第１吸引口２３５ａに連通する真空ポンプと、内側リブ２３３の外側の第２吸引口２３５ｂに連通する真空ポンプとの個体差によって、接合速度の測定に影響があるおそれがある。この点、センサ２５０ａ、２５０ｂ間には内側リブが無く、すなわち、センサ２５０ａ、２５０ｂは同一の第２吸引領域２３４ｂに設けられるので、このような真空ポンプの個体差の影響を受けずに接合速度を測定することができる。
【0088】
例えばセンサ２５０ｄ、２５０ｅは、径方向Ｄ２においてこの順で配置される。センサ２５０ｄはセンサ２５０ａと同一円周上に配置され、センサ２５０ｅはセンサ２５０ｂと同一円周上に配置される。かかる場合、径方向Ｄ２において、センサ２５０ｄ、２５０ｅ間の接合速度を測定することができる。なお、径方向Ｄ１、Ｄ２では、上ウェハＷＵのクロスとダイアゴナルで結晶方位が異なる場合がある。このように結晶方位が異なると、径方向Ｄ１、Ｄ２で接合速度が異なる場合があるため、例えば径方向Ｄ１における接合速度と径方向Ｄ２における接合速度の平均値を算出し、当該平均値をボンディングウェーブの接合速度としてもよい。かかる場合、接合速度をより正確に測定することができる。
【0089】
例えばセンサ２５０ｆ、２５０ｇは、径方向Ｄ３において中心部を挟んで反対側に配置される。センサ２５０ｆはセンサ２５０ａと同一円周上に配置され、センサ２５０ｇはセンサ２５０ｂと同一円周上に配置される。かかる場合、径方向Ｄ３において、センサ２５０ｆ、２５０ｇ間の接合速度を測定することができる。このように複数の径方向Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３の接合速度を測定することで、接合速度の測定数が多くなり、より正確な接合速度を測定することができる。
【0090】
ここで、本発明者らが鋭意検討したところ、このボンディングウェーブの進展速度である接合速度と、加熱処理後の重合ウェハＷＴの接合強度との間に相関があることが分かった。図１０は、接合速度（横軸）と接合強度（縦軸）の関係を示す説明図である。本発明者らは複数の重合ウェハＷＴに対する接合速度と接合強度を調べ、図１０中にプロットした。図１０を参照すると、点線に示す相関関係がある。
【0091】
そこで、重合ウェハＷＴのウェハ処理の前に、接合速度と接合強度の第１相関関係を取得し、データベース化しておく。この際、例えば従来のブレード挿入法を用いて、加熱処理後の重合ウェハＷＴの接合強度を測定する。第１相関関係は、例えば上ウェハＷＵの表面ＷＵ１と下ウェハＷＬの表面ＷＬ１の特性毎に取得される。また第１相関関係は、例えば表面改質装置３０におけるプラズマ処理条件毎に取得される。そして、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬを接合する際の接合速度を測定する。この測定された接合速度に基づいて、接合速度データベースの第１相関関係から、接合後の重合ウェハＷＴの接合速度を推定することができる。
【0092】
（第２実施形態）
第２実施形態では、接合された重合ウェハＷＴの反り量に基づいて、当該重合ウェハＷＴの接合強度を推定する。
第２実施形態では、接合された重合ウェハＷＴの反り量に基づいて、当該重合ウェハＷＴの接合強度を推定する。
【0093】
接合装置４１では、上述したように中心部から外周部に向けて拡散するボンディングウェーブを発生させて、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬの接合を接合する。この際、押動部２４０によって上ウェハＷＵの中心部を下ウェハＷＬの中心部側に下降させるので、図１１に示すように上ウェハＷＵは下方に凸に反って伸びる。具体的には接合時、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬの間に介在する空気が中心部から外周部に押し出される。下ウェハＷＬは下チャック２２０に吸着保持されて固定されている一方、上ウェハＷＵは上チャック２１０から離脱して固定されていないので、空気の粘性によって上ウェハＷＵは伸びる（図１１中の矢印方向）。かかる場合、上ウェハＷＵと下ウェハＷＬの中心部が合致していても、その外周部では水平方向に位置ずれが生じる現象、いわゆるスケーリングが生じる。そして図１２に示すように、上ウェハＷＵの伸びによって、接合された重合ウェハＷＴは下方に凸に反る。
【0094】
反り測定装置５２では、接合された重合ウェハＷＴの反り量を測定する。図１２に示すように反り量Ｒは、上ウェハＷＵの裏面ＷＵ２の中心部の高さ位置と外周部の高さ位置の差である。
【0095】
ここで、本発明者らが鋭意検討したところ、この重合ウェハＷＴの反り量と、加熱処理後の重合ウェハＷＴの接合強度との間に相関があることが分かった。図１３は、反り量（横軸）と接合強度（縦軸）の関係を示す説明図である。本発明者らは複数の重合ウェハＷＴに対する反り量と接合強度を調べ、図１３中にプロットした。図１３を参照すると、点線に示す相関関係がある。
【0096】
そこで、重合ウェハＷＴのウェハ処理の前に、反り量と接合強度の第２相関関係を取得し、データベース化しておく。この際、例えば従来のブレード挿入法を用いて、加熱処理後の重合ウェハＷＴの接合強度を測定する。第２相関関係は、例えば上ウェハＷＵの表面ＷＵ１と下ウェハＷＬの表面ＷＬ１の特性毎に取得される。また第２相関関係は、例えば表面改質装置３０におけるプラズマ処理条件毎に取得される。そして、反り測定装置５２において重合ウェハＷＴの反り量を測定する。この測定された反り量に基づいて、データベースの第２相関関係から、接合後の重合ウェハＷＴの接合速度を推定することができる。
【0097】
なお、下チャック２２０には、例えば表面が平坦なフラットチャックと、表面が上方に凸に変形した変形チャックが用いられる。変形チャックを用いた場合、下ウェハＷＬが凸に変形し、上述したスケーリングが補正され、接合後の重合ウェハＷＴの反りが抑制される。一方、フラットチャックを用いた場合、下ウェハＷＬは平坦に保持されるので、スケーリングが発生し、接合後の重合ウェハＷＴに反りが生じる。このため、第２実施形態は、下チャック２２０にフラットチャックを用いた場合に有用である。
【0098】
以上のように第１実施形態によれば、接合時の接合速度と重合ウェハＷＴの接合強度との第１相関関係に基づいて、重合ウェハＷＴの接合強度を推定することができる。また、第２実施形態によれば、接合後の重合ウェハＷＴの反り量と重合ウェハＷＴの接合強度との第２相関関係に基づいて、重合ウェハＷＴの接合強度を推定することができる。いずれの実施形態でも、従来のブレード挿入法を用いずに、重合ウェハＷＴの接合強度を簡易に推定することができる。その結果、従来の測定用ウェハを準備する必要がなく、非破壊で製品用の重合ウェハＷＴの接合強度を推定することができる。このため、従来のブレード挿入法を用いた場合の無駄を抑制することがえきる。
【0099】
また、従来のブレード挿入法では簡易なパターン無しの測定用ウェハを用いていたが、上記実施形態によれば、製品用の重合ウェハＷＴの接合強度を推定することができる。このため、実際の接合強度の測定精度を向上させることができる。
【0100】
なお、以上の第１実施形態と第２実施形態を組み合わせてもよい。すなわち、接合時の接合速度及び接合後の重合ウェハＷＴの反り量の組み合わせと、重合ウェハＷＴの接合強度との第３相関関係を取得し、データベース化する。そして、接合装置４１において上ウェハＷＵと下ウェハＷＬを接合する際の接合速度を測定し、反り測定装置５２において重合ウェハＷＴの反り量を測定する。これら測定された接合速度と反り量に基づいて、データベースの第３相関関係から、接合後の重合ウェハＷＴの接合速度を推定することができる。かかる場合、より精度よく接合速度を推定することができる。
【0101】
また、以上の実施形態では、接合後の重合ウェハＷＴの反り量は反り測定装置５２で測定されたが、接合装置４１に反り測定部を設け、当該反り測定部で重合ウェハＷＴの反り量を測定してもよい。或いは、重合ウェハＷＴの反り量は、接合システム１の外部に設けられた反り測定装置で測定してもよい。
【0102】
また、以上の実施形態において第１相関関係、第２相関関係、第３相関関係は、加熱処理後の重合ウェハＷＴの接合強度を測定したものを用いて取得したが、加熱処理前の重合ウェハＷＴの接合強度を測定したものを用いてもよい。かかる場合、接合後であって加熱処理前の重合ウェハＷＴの接合強度を推定することができる。
【0103】
＜推定接合強度の利用方法＞
次に、以上のように推定された重合ウェハＷＴの接合強度の利用方法について説明する。
次に、以上のように推定された重合ウェハＷＴの接合強度の利用方法について説明する。
【0104】
（第１利用方法）
推定された重合ウェハＷＴの接合強度に基づいて、当該重合ウェハＷＴの接合状態を判定してもよい。例えば接合強度が予め定められた閾値と比較し、接合強度が閾値以上であれば重合ウェハＷＴが正常であると判定し、接合強度が閾値未満であれば重合ウェハＷＴが異常であると判定する。
推定された重合ウェハＷＴの接合強度に基づいて、当該重合ウェハＷＴの接合状態を判定してもよい。例えば接合強度が予め定められた閾値と比較し、接合強度が閾値以上であれば重合ウェハＷＴが正常であると判定し、接合強度が閾値未満であれば重合ウェハＷＴが異常であると判定する。
【0105】
重合ウェハＷＴが異常と判定された場合、警告を出力して、以降のウェハ処理を停止してもよい。また、当該重合ウェハＷＴに異常であるというフラッグをたてて、正常な重合ウェハＷＴと区別し、以降のウェハ処理を継続してもよい。さらに、重合ウェハＷＴが異常と判定された場合、接合処理の前工程の検査を行ってもよい。前工程の検査として、例えば接合システム１の表面改質装置３０におけるプラズマ処理条件を検査してもよい。或いは、接合システム１の外部においてウェハＷの表面Ｗ１に成膜処理を行う際の条件、又は表面Ｗ１を研磨する際の条件を検査してもよい。
【0106】
（第２利用方法）
推定された重合ウェハＷＴの接合強度に基づいて、各処理の処理条件をフィードバック制御してもよい。
推定された重合ウェハＷＴの接合強度に基づいて、各処理の処理条件をフィードバック制御してもよい。
【0107】
例えば、重合ウェハＷＴの接合強度に基づいて、接合装置４１で工程Ｓ３の接合処理を行う際の接合条件をフィードバック制御する。フィードバック制御される接合条件としては、例えば上チャック２１０における上ウェハＷＵの吸着圧、下チャック２２０における下ウェハＷＬの吸着圧、押動部２４０のアクチュエータ部２４１のストローク（移動距離）、押動部２４０によってウェハＷＵ、ＷＬの中心部を押圧する際の圧力、鉛直方向位置の調節後のウェハＷＵ、ＷＬ間の距離などが挙げられる。
【0108】
例えば、重合ウェハＷＴの接合強度に基づいて、表面改質装置３０で工程ＳＵ１、ＳＵ２の表面改質処理を行う際のプラズマ処理条件（改質条件）をフィードバック制御する。フィードバック制御されるプラズマ処理条件としては、例えば高周波電源１３２のソース電力、処理容器１００内部の圧力、プラズマ処理の処理時間、処理ガス供給部１１０から供給される処理ガスの流量などが挙げられる。
【0109】
（第３利用方法）
制御装置７０が、推定された重合ウェハＷＴの接合強度の情報を、接合処理の後工程を行う装置に出力してもよい。
制御装置７０が、推定された重合ウェハＷＴの接合強度の情報を、接合処理の後工程を行う装置に出力してもよい。
【0110】
後工程を行う装置は任意であるが、例えば剥離装置である。剥離装置では、薄化された重合ウェハＷＴの接合界面にブレードを挿入して上ウェハＷＵと下ウェハＷＬに分離し、さらにパッドで上ウェハＷＵを保持して移動させることで下ウェハＷＬから剥離する。この際、出力された接合強度に基づいて、剥離条件をフィードフォワード制御する。フィードフォワード制御される剥離条件としては、例えばブレードの挿入速度、パッドの移動速度（剥離速度）、パッドの移動位置などが挙げられる。
【0111】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。例えば、上記実施形態の構成要件は任意に組み合わせることができる。当該任意の組み合せからは、組み合わせにかかるそれぞれの構成要件についての作用及び効果が当然に得られるとともに、本明細書の記載から当業者には明らかな他の作用及び他の効果が得られる。
【0112】
また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は、上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
【0113】
なお、以下のような構成例も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板同士を接合する接合方法であって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する工程と、
前記中心部から外周部に向けた接合における接合速度を測定する工程と、
測定された前記接合速度に基づいて、接合速度と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、接合方法。
（２）前記接合速度を測定する工程では、前記中心部と前記外周部の間において径方向の２点間の接合速度を測定する、前記（１）に記載の接合方法。
（３）前記接合速度を測定する工程では、少なくとも前記中心部を含まない前記外周部側の２点間の接合速度を測定する、前記（２）に記載の接合方法。
（４）前記接合速度を測定する工程における前記２点は、前記第１基板を真空引きする同一の吸引領域に設けられる、前記（３）に記載の接合方法。
（５）前記接合速度を測定する工程では、前記第１基板における異なる結晶方位に対応する、複数の径方向の２点間の接合速度を測定する、前記（２）～（４）のいずれかに記載の接合方法。
（６）接合された前記重合基板の反り量を測定する工程と、
測定された前記接合速度と前記反り量に基づいて、接合速度及び反り量の組み合わせと接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、前記（１）～（５）のいずれかに記載の接合方法。
（７）基板同士を接合する接合方法であって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する工程と、
接合された前記重合基板の反り量を測定する工程と、
測定された前記反り量に基づいて、反り量と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、接合方法。
（８）推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、当該重合基板の接合状態を判定する、前記（１）～（７）のいずれかに記載の接合方法。
（９）推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板と前記第２基板を接合する際の接合条件を制御する、前記（１）～（８）のいずれかに記載の接合方法。
（１０）前記第１基板と前記第２基板を接合する工程の前に、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを処理ガスのプラズマにより改質する工程を有し、
推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを改質する際の改質条件を制御する、前記（１）～（９）のいずれかに記載の接合方法。
（１１）推定された前記重合基板の接合強度の情報を、接合された前記重合基板を処理する処理装置に出力する、前記（１）～（１０）のいずれかに記載の接合方法。
（１２）基板同士を接合する接合システムであって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する接合装置と、
前記中心部から外周部に向けた接合における接合速度を測定する速度測定部と、
測定された前記接合速度に基づいて、接合速度と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する制御装置と、を有する、接合システム。
（１３）前記速度測定部は、前記中心部と前記外周部の間において径方向の２点間の接合速度を測定する、前記（１２）に記載の接合システム。
（１４）前記速度測定部は、少なくとも前記中心部を含まない前記外周部側の２点間の接合速度を測定する、前記（１３）に記載の接合システム。
（１５）接合された前記重合基板の反り量を測定する反り測定部を有し、
前記制御装置は、測定された前記接合速度と前記反り量に基づいて、接合速度及び反り量の組み合わせと接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する、前記（１２）～（１４）のいずれかに記載の接合システム。
（１６）基板同士を接合する接合システムであって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する接合装置と、
接合された前記重合基板の反り量を測定する反り測定部と、
測定された前記反り量に基づいて、反り量と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する制御装置と、を有する、接合システム。
（１７）前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、当該重合基板の接合状態を判定する、前記（１２）～（１６）のいずれかに記載の接合システム。
（１８）前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板と前記第２基板を接合する際の接合条件を制御する、前記（１２）～（１７）のいずれかに記載の接合システム。
（１９）前記接合装置において前記第１基板と前記第２基板を接合する前に、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを処理ガスのプラズマにより改質する改質装置を有し、
前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを改質する際の改質条件を制御する、前記（１２）～（１８）のいずれかに記載の接合システム。
（２０）前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度の情報を、接合された前記重合基板を処理する処理装置に出力する、前記（１２）～（１９）のいずれかに記載の接合システム。
（１）基板同士を接合する接合方法であって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する工程と、
前記中心部から外周部に向けた接合における接合速度を測定する工程と、
測定された前記接合速度に基づいて、接合速度と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、接合方法。
（２）前記接合速度を測定する工程では、前記中心部と前記外周部の間において径方向の２点間の接合速度を測定する、前記（１）に記載の接合方法。
（３）前記接合速度を測定する工程では、少なくとも前記中心部を含まない前記外周部側の２点間の接合速度を測定する、前記（２）に記載の接合方法。
（４）前記接合速度を測定する工程における前記２点は、前記第１基板を真空引きする同一の吸引領域に設けられる、前記（３）に記載の接合方法。
（５）前記接合速度を測定する工程では、前記第１基板における異なる結晶方位に対応する、複数の径方向の２点間の接合速度を測定する、前記（２）～（４）のいずれかに記載の接合方法。
（６）接合された前記重合基板の反り量を測定する工程と、
測定された前記接合速度と前記反り量に基づいて、接合速度及び反り量の組み合わせと接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、前記（１）～（５）のいずれかに記載の接合方法。
（７）基板同士を接合する接合方法であって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する工程と、
接合された前記重合基板の反り量を測定する工程と、
測定された前記反り量に基づいて、反り量と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する工程と、を有する、接合方法。
（８）推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、当該重合基板の接合状態を判定する、前記（１）～（７）のいずれかに記載の接合方法。
（９）推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板と前記第２基板を接合する際の接合条件を制御する、前記（１）～（８）のいずれかに記載の接合方法。
（１０）前記第１基板と前記第２基板を接合する工程の前に、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを処理ガスのプラズマにより改質する工程を有し、
推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを改質する際の改質条件を制御する、前記（１）～（９）のいずれかに記載の接合方法。
（１１）推定された前記重合基板の接合強度の情報を、接合された前記重合基板を処理する処理装置に出力する、前記（１）～（１０）のいずれかに記載の接合方法。
（１２）基板同士を接合する接合システムであって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する接合装置と、
前記中心部から外周部に向けた接合における接合速度を測定する速度測定部と、
測定された前記接合速度に基づいて、接合速度と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する制御装置と、を有する、接合システム。
（１３）前記速度測定部は、前記中心部と前記外周部の間において径方向の２点間の接合速度を測定する、前記（１２）に記載の接合システム。
（１４）前記速度測定部は、少なくとも前記中心部を含まない前記外周部側の２点間の接合速度を測定する、前記（１３）に記載の接合システム。
（１５）接合された前記重合基板の反り量を測定する反り測定部を有し、
前記制御装置は、測定された前記接合速度と前記反り量に基づいて、接合速度及び反り量の組み合わせと接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する、前記（１２）～（１４）のいずれかに記載の接合システム。
（１６）基板同士を接合する接合システムであって、
第１基板の中心部と第２基板の中心部を当接させた状態で、前記中心部から外周部に向けて、前記第１基板と前記第２基板を順次接合して重合基板を形成する接合装置と、
接合された前記重合基板の反り量を測定する反り測定部と、
測定された前記反り量に基づいて、反り量と接合強度との関係から、接合された前記重合基板の接合強度を推定する制御装置と、を有する、接合システム。
（１７）前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、当該重合基板の接合状態を判定する、前記（１２）～（１６）のいずれかに記載の接合システム。
（１８）前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板と前記第２基板を接合する際の接合条件を制御する、前記（１２）～（１７）のいずれかに記載の接合システム。
（１９）前記接合装置において前記第１基板と前記第２基板を接合する前に、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを処理ガスのプラズマにより改質する改質装置を有し、
前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度に基づいて、前記第１基板の表面と第２基板の表面の少なくともいずれかを改質する際の改質条件を制御する、前記（１２）～（１８）のいずれかに記載の接合システム。
（２０）前記制御装置は、推定された前記重合基板の接合強度の情報を、接合された前記重合基板を処理する処理装置に出力する、前記（１２）～（１９）のいずれかに記載の接合システム。
【符号の説明】
【0114】
１ 接合システム
２５０ａ、２５０ｂ センサ
４１ 接合装置
５２ 反り測定装置
７０ 制御装置
ＷＵ 上ウェハ
ＷＬ 下ウェハ
ＷＴ 重合ウェハ
２５０ａ、２５０ｂ センサ
４１ 接合装置
５２ 反り測定装置
７０ 制御装置
ＷＵ 上ウェハ
ＷＬ 下ウェハ
ＷＴ 重合ウェハ
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】