特開 2024-168452 基板処理装置および搬送位置調整方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024168452

(43)【公開日】2024-12-05

(54)【発明の名称】基板処理装置および搬送位置調整方法

(51)【国際特許分類】

   H01L 21/677 20060101AFI20241128BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20241128BHJP

【ＦＩ】

H01L21/68 A

H01L21/304 648A

H01L21/304 651Z

H01L21/304 648G

【審査請求】未請求

【請求項の数】14

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023085154

(22)【出願日】2023-05-24

(71)【出願人】

【識別番号】000219967

【氏名又は名称】東京エレクトロン株式会社

(74)【代理人】

【識別番号】110002147

【氏名又は名称】弁理士法人酒井国際特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】梅▲崎▼ 翔太

(72)【発明者】

【氏名】木本 晃司

(72)【発明者】

【氏名】大関 雅人

(72)【発明者】

【氏名】検崎 亮介

【テーマコード（参考）】

5F131

5F157

【Ｆターム（参考）】

5F131AA02

5F131BA37

5F131CA09

5F131CA18

5F131DA22

5F131DA42

5F131DB22

5F131DB51

5F131DD03

5F131KA40

5F131KB16

5F131KB32

5F157AB02

5F157AB13

5F157AB14

5F157AB33

5F157AB45

5F157AB48

5F157AB51

5F157AB64

5F157AB90

5F157AC03

5F157AC56

5F157BB22

5F157BB44

5F157CB14

5F157CB26

5F157CB27

5F157CD11

5F157CE23

5F157CE83

5F157CF22

5F157CF42

5F157CF44

5F157DC21

(57)【要約】

【課題】処理容器の内部および外部での相対的な基板の位置ずれを抑制すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板を処理する処理ユニットを備える。処理ユニットは、基板を収容する処理容器と、処理容器の内部において基板を水平に支持する第１支持部と、処理容器の外部において基板を水平に支持する第２支持部とを有する。第１支持部および第２支持部は、少なくとも処理容器へ基板を搬入出する方向から見て、処理容器の内部および外部における基板の中心軸どうしが一致するように基板を支持する。
【選択図】図８

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板を処理する処理ユニットを備え、
前記処理ユニットは、
前記基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の内部において前記基板を水平に支持する第１支持部と、
前記処理容器の外部において前記基板を水平に支持する第２支持部と
を有し、
前記第１支持部および前記第２支持部は、
少なくとも前記処理容器へ前記基板を搬入出する方向から見て、前記処理容器の内部および外部における前記基板の中心軸どうしが一致するように前記基板を支持する、基板処理装置。

【請求項2】

前記基板を保持し、前記処理ユニットとの間で前記基板の受け渡しを行うために移動自在な基板保持部を有する搬送装置と、
前記基板保持部に保持された前記基板の位置を検出する検出部と
制御部と
をさらに備え、
前記制御部は、
前記第２支持部に前記基板を受け渡した後に前記検出部で検出される前記基板の位置と、規定の基準位置とのずれ量に基づき、前記基板保持部の位置を補正し、
前記処理ユニットへの前記基板の搬送時に、補正後の前記基板保持部の位置に基づき、前記基板保持部から前記第１支持部に前記基板を受け渡すように前記搬送装置を制御する
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項3】

前記処理容器の外部において前記基板の重量を測定する測定ユニットをさらに備え、
前記測定ユニットは、
前記基板を水平に支持して前記基板の重量を測定する第３支持部を有し、
前記基板保持部は、
前記測定ユニットとの間で前記基板の受け渡しを行うために移動自在であり、
前記制御部は、
前記測定ユニットへの前記基板の搬送時に、補正後の前記基板保持部の位置に基づき、前記基板保持部から前記第３支持部に前記基板を受け渡すように前記搬送装置を制御する
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項4】

前記制御部は、
前記測定ユニットから前記処理ユニットへの前記基板の搬送時に、前記基板保持部を水平方向に旋回させることなく前記基板保持部を用いて前記第３支持部から前記第１支持部へ前記基板を受け渡すように前記搬送装置を制御する
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項5】

前記第１支持部は、
前記処理容器の内部における底面に設けられる
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項6】

前記処理ユニットは、
上部または下部が開放された前記処理容器を開閉可能な蓋体を有し、
前記第１支持部は、
前記蓋体に設けられる
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項7】

前記第２支持部は、
前記処理容器の鉛直方向における外面に設けられる
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項8】

複数の前記処理ユニットを備え、
前記第２支持部は、
複数の前記処理ユニットにおける各前記処理容器に対して、個別に設けられる
請求項１に記載の基板処理装置。

【請求項9】

前記第２支持部は、
前記処理容器の鉛直方向における外面から立ち上がる複数の支柱と、
前記複数の支柱の各々に設けられた支持台と、
前記支持台上に設けられ、前記基板保持部から受け渡される前記基板を前記支持台に向けて案内することにより、前記基板の位置を前記基準位置に近づけるガイド部材と
を有する
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項10】

複数の前記処理ユニットを備え、
前記第３支持部は、
複数の前記処理ユニットにおける各前記処理容器に対して、個別に設けられる
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項11】

前記測定ユニットは、
前記基板が前記処理容器に収容される前に、液膜が形成された前記基板の重量を測定する
請求項３に記載の基板処理装置。

【請求項12】

前記測定ユニットは、
前記処理容器の内部において前記液膜の乾燥処理が行われた後の前記基板の重量をさらに測定する
請求項１１に記載の基板処理装置。

【請求項13】

前記搬送装置が配置される搬送ブロックに隣接して配置され、前記基板が載置される受渡部をさらに備え、
前記搬送装置は、
液膜を形成する液処理ユニットおよび前記処理ユニットが配置される処理ブロックと、前記受渡部との間で前記基板保持部を用いて前記基板の搬送を行い、
前記受渡部は、
前記液処理ユニットによって前記液膜が形成される前の前記基板の重量、または前記処理容器の内部において前記液膜の乾燥処理が行われた後の前記基板の重量を測定する
請求項２に記載の基板処理装置。

【請求項14】

基板を処理する処理ユニットと、
前記基板を保持し、前記処理ユニットとの間で前記基板の受け渡しを行うために移動自在な基板保持部を有する搬送装置と、
前記基板保持部に保持された前記基板の位置を検出する検出部と
を備え、
前記処理ユニットは、
前記基板を収容する処理容器と、
前記処理容器の内部において前記基板を水平に支持する第１支持部と、
前記処理容器の外部において前記基板を水平に支持する第２支持部と
を有する基板処理装置において、
前記第２支持部に前記基板を受け渡した後に前記検出部で検出される前記基板の位置と、規定の基準位置とのずれ量に基づき、前記基板保持部の位置を補正することと、
前記処理ユニットへの前記基板の搬送時に、補正後の前記基板保持部の位置に基づき、前記基板保持部から前記第１支持部に前記基板を受け渡すように前記搬送装置を制御することと
を含む、搬送位置調整方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本開示は、基板処理装置および搬送位置調整方法に関する。

【背景技術】

【0002】

従来、基板の表面に乾燥防止用の液膜を形成した後、液膜が形成された基板を超臨界流体と接触させて基板を乾燥させる超臨界乾燥処理が知られている。

【0003】

超臨界乾燥処理を行う基板処理装置として、特許文献１には、液膜が形成された基板に対して超臨界乾燥処理を行う乾燥ユニットと、液膜による基板の被覆状態を検査する検査ユニットとが鉛直方向に重ねて配置された基板処理装置が開示されている。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0004】

【特許文献1】特開２０２２－３０８５１号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0005】

本開示は、処理容器の内部および外部での相対的な基板の位置ずれを抑制することができる技術を提供する。

【課題を解決するための手段】

【0006】

本開示の一態様による基板処理装置は、基板を処理する処理ユニットを備える。処理ユニットは、基板を収容する処理容器と、処理容器の内部において基板を水平に支持する第１支持部と、処理容器の外部において基板を水平に支持する第２支持部とを有する。第１支持部および第２支持部は、少なくとも処理容器へ基板を搬入出する方向から見て、処理容器の内部および外部における基板の中心軸どうしが一致するように基板を支持する。

【発明の効果】

【0007】

本開示によれば、処理容器の内部および外部での相対的な基板の位置ずれを抑制することができる。

【図面の簡単な説明】

【0008】

【図1】図１は、実施形態に係る基板処理システムを上方から見た模式的な断面図である。

【図2】図２は、実施形態に係る基板処理システムを側方から見た模式的な断面図である。

【図3】図３は、実施形態に係る基板処理システムにおいて実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。

【図4】図４は、ウェハの搬送手順を示す図である。

【図5】図５は、実施形態に係る液処理ユニットの構成例を示す図である。

【図6】図６は、実施形態に係る測定ユニットおよび乾燥ユニットの構成を示す模式断面図である。

【図7】図７は、乾燥ユニットの処理容器の内部にウェハが収容された状態の一例を示す模式断面図である。

【図8】図８は、乾燥ユニットの処理容器を開口部側から見た模式的な側断面図である。

【図9】図９は、実施形態に係る基板処理システムにより実行される一連の動作の手順を示すフローチャートである。

【図10A】図１０Ａは、実施形態に係る基板処理システムにより実行される搬送位置調整処理の他の一例を示す動作説明図である。

【図10B】図１０Ｂは、実施形態に係る基板処理システムにより実行される搬送位置調整処理の他の一例を示す動作説明図である。

【図10C】図１０Ｃは、実施形態に係る基板処理システムにより実行される搬送位置調整処理の他の一例を示す動作説明図である。

【図10D】図１０Ｄは、実施形態に係る基板処理システムにより実行される搬送位置調整処理の他の一例を示す動作説明図である。

【図10E】図１０Ｅは、実施形態に係る基板処理システムにより実行される搬送位置調整処理の他の一例を示す動作説明図である。

【図10F】図１０Ｆは、実施形態に係る基板処理システムにより実行される搬送位置調整処理の他の一例を示す動作説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0009】

以下に、本開示による基板処理装置および搬送位置調整方法を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。

【0010】

また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。

【0011】

従来、基板の表面に乾燥防止用の液膜を形成した後、液膜が形成された基板を超臨界流体と接触させて基板を乾燥させる超臨界乾燥処理が知られている。

【0012】

超臨界乾燥処理を行う基板処理装置として、特許文献１には、液膜が形成された基板に対して超臨界乾燥処理を行う乾燥ユニットと、液膜による基板の被覆状態を検査する検査ユニットとが鉛直方向に重ねて配置された基板処理装置が開示されている。

【0013】

しかしながら、上述した従来技術には、処理容器の内部および外部での相対的な基板の位置ずれを抑制するという点で更なる改善の余地がある。

【0014】

たとえば、特許文献１に記載の基板処理装置では、液膜が形成された基板は、検査ユニットおよび乾燥ユニットに、この順番で搬送される。このとき、たとえば乾燥ユニットの処理容器内外において基板の位置が相対的にずれると、液膜が形成された基板が乾燥ユニットの処理容器内に適切に搬送されないおそれがあり、超臨界乾燥処理に影響が生じる可能性がある。

【0015】

そこで、処理容器の内部および外部での相対的な基板の位置ずれを抑制することができる技術が期待されている。

【0016】

＜基板処理システムの構成＞
まず、実施形態に係る基板処理システム（基板処理装置の一例）の構成について図１および図２を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システムを上方から見た模式的な断面図である。また、図２は、実施形態に係る基板処理システムを側方から見た模式的な断面図である。

【0017】

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。

【0018】

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の半導体ウェハＷ（以下、「ウェハＷ」と記載する）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。

【0019】

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられる。搬送部１２の内部には、搬送装置１３と受渡部１４とが配置される。

【0020】

搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。受渡部１４は、後述の液処理ユニット１７によって液膜が形成される前のウェハＷの重量を測定することができる。または、受渡部１４は、後述の乾燥ユニット１９によって液膜の乾燥処理が行われた後のウェハＷの重量を測定することができる。

【0021】

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送ブロック４と、第１処理ブロック５と、第２処理ブロック６とを備える。

【0022】

搬送ブロック４は、搬送エリア１５と、搬送装置１６とを備える。搬送エリア１５は、たとえば、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に沿って延在する直方体状の領域である。搬送エリア１５には、搬送装置１６が配置される。

【0023】

搬送装置１６は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構（基板保持部の一例）１６ａを備える。また、搬送装置１６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構１６ａを用いて受渡部１４、第１処理ブロック５および第２処理ブロック６の間でウェハＷの搬送を行う。

【0024】

第１処理ブロック５および第２処理ブロック６は、搬送エリア１５の両側において搬送エリア１５に隣接して配置される。一例として、第１処理ブロック５は、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）における搬送エリア１５の一方側（Ｙ軸正方向側）に配置される。また、第２処理ブロック６は、搬入出ステーション２および処理ステーション３の並び方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｙ軸方向）における搬送エリア１５の他方側（Ｙ軸負方向側）に配置される。

【0025】

また、図２に示すように、複数の第１処理ブロック５および複数の第２処理ブロック６が、鉛直方向に沿って多段に配置されてもよい。本実施形態において、複数の第１処理ブロック５および複数の第２処理ブロック６の段数は３段であるが、複数の第１処理ブロック５および複数の第２処理ブロック６の段数は３段に限定されない。

【0026】

このように、実施形態に係る基板処理システム１において、複数の第１処理ブロック５および複数の第２処理ブロック６は、搬送ブロック４の両側において多段に配置されてもよい。そして、各段に配置された第１処理ブロック５および第２処理ブロック６と受渡部１４との間のウェハＷの搬送は、搬送ブロック４に配置された１台の搬送装置１６によって行われてもよい。

【0027】

第１処理ブロック５は、液処理ユニット１７を備える。

【0028】

液処理ユニット１７は、ウェハＷのパターン形成面である上面を洗浄する洗浄処理を行う。また、液処理ユニット１７は、洗浄処理後のウェハＷの上面に液膜を形成する液膜形成処理を行う。液処理ユニット１７の構成については後述する。

【0029】

第２処理ブロック６は、測定ユニット１８と、乾燥ユニット（処理ユニットの一例）１９と、供給ユニット２０とを備える。

【0030】

測定ユニット１８は、液膜形成処理前後のウェハＷの重量を測定する。測定ユニット１８の構成については後述する。

【0031】

乾燥ユニット１９は、液膜形成処理後のウェハＷに対して超臨界乾燥処理を行う。具体的には、乾燥ユニット１９は、液膜形成処理後のウェハＷを超臨界状態の処理流体と接触させることによって同ウェハＷを乾燥させる。乾燥ユニット１９の構成については後述する。

【0032】

供給ユニット２０は、乾燥ユニット１９に対して処理流体を供給する。具体的には、供給ユニット２０は、流量計、流量調整器、背圧弁、ヒータなどを含む供給機器群と、供給機器群を収容する筐体とを備える。本実施形態において、供給ユニット２０は、処理流体としてＣＯ２を乾燥ユニット１９に供給する。

【0033】

また、図２に示すように、測定ユニット１８および乾燥ユニット１９は、鉛直方向に重ねて配置される。一例として、測定ユニット１８が、乾燥ユニット１９の上に重ねて配置される。測定ユニット１８は、乾燥ユニット１９の下に重ねて配置されてもよい。測定ユニット１８および乾燥ユニット１９が鉛直方向に重ねて配置されることにより、第２処理ブロック６の設置面積が低減される。

【0034】

基板処理システム１は、制御装置７を備える。制御装置７は、たとえばコンピュータであり、制御部７１と記憶部７２とを備える。

【0035】

制御部７１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。かかるマイクロコンピュータのＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されているプログラムを読み出して実行することにより、搬送装置１３，１６、液処理ユニット１７、乾燥ユニット１９および供給ユニット２０等の制御を実現する。

【0036】

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置７の記憶部７２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

【0037】

記憶部７２は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）などの半導体メモリ素子、または、ハードディスク、光ディスクなどの記憶装置によって実現される。

【0038】

＜搬送フロー＞
次に、上述した基板処理システム１におけるウェハＷの搬送フローについて図３および図４を参照して説明する。図３は、実施形態に係る基板処理システム１において実行される一連の基板処理の手順を示すフローチャートである。また、図４は、ウェハＷの搬送手順を示す図である。なお、図３に示す一連の基板処理は、制御部７１の制御に従って実行される。また、図３に示す一連の基板処理の前に、搬送装置１６によるウェハＷの搬送位置を調整する搬送位置調整処理が実行される。搬送位置調整処理ついては、後述する。

【0039】

図３に示すように、基板処理システム１では、まず、搬入処理が行われる（ステップＳ１０１）。搬入処理では、搬送装置１３（図１参照）がキャリアＣからウェハＷを取り出して受渡部１４へ載置する（図４の手順Ｓ１参照）。受渡部１４は、たとえばロードセル等の重量計を有する。受渡部１４は、重量計を用いて、液処理ユニット１７によって液膜が形成される前のウェハＷの重量を測定する。つづいて、搬送装置１６（図１参照）が受渡部１４からウェハＷを取り出して液処理ユニット１７に搬入する（図４の手順Ｓ２参照）。

【0040】

つづいて、基板処理システム１では、液処理ユニット１７において洗浄処理が行われる（ステップＳ１０２）。液処理ユニット１７は、ウェハＷのパターン形成面である上面に各種の処理液を供給することにより、ウェハＷの上面からパーティクルや自然酸化膜等を除去する。

【0041】

つづいて、基板処理システム１では、液処理ユニット１７において液膜形成処理が行われる（ステップＳ１０３）。液処理ユニット１７は、洗浄処理後のウェハＷの上面に液体状態のＩＰＡ（以下、「ＩＰＡ液体」と記載する）を供給することにより、ウェハＷの上面にＩＰＡ液体による液膜を形成する。

【0042】

液膜形成処理後のウェハＷは、搬送装置１６により、液処理ユニット１７から測定ユニット１８に搬送される（図４の手順Ｓ３）。

【0043】

つづいて、基板処理システム１では、測定ユニット１８を用いて液量検出処理が行われる（ステップＳ１０４）。測定ユニット１８は、液膜形成処理後のウェハＷの重量を測定する。そして、制御部７１は、受渡部１４によって測定された液膜形成処理前のウェハＷの重量と、測定ユニット１８によって測定された液膜形成処理後のウェハＷの重量との差を算出し、算出した差に基づいて、ウェハＷに形成された液膜の液量を検出する。

【0044】

そして、基板処理システム１では、ウェハＷに形成された液膜の液量が正常であるか否かを判定する判定処理が行われる。判定処理において、制御部７１は、ウェハＷに形成された液膜の液量が規定の許容範囲内であるか否かを判定する。許容範囲は、超臨界乾燥処理後のウェハＷに、不良ウェハとなるパターン倒れや、パーティクル等の不具合が発生しない範囲である。そして、制御部７１は、ウェハＷに形成された液膜の液量が規定の許容範囲内である場合に、超臨界乾燥処理の実行を許容する。制御部７１は、ウェハＷに形成された液膜の液量が規定の許容範囲内である場合に、超臨界乾燥処理の実行を停止するとともにアラートを出力してもよい。

【0045】

超臨界乾燥処理の実行が許容されると、測定ユニット１８へ搬送された液膜形成処理後のウェハＷは、測定ユニット１８から乾燥ユニット１９へ搬送される（図４の手順Ｓ４）。そして、基板処理システム１では、乾燥ユニット１９において超臨界乾燥処理が行われる（ステップＳ１０５）。超臨界乾燥処理において、乾燥ユニット１９は、液膜形成処理後のウェハＷを超臨界状態の処理流体と接触させることによって液膜形成処理後のウェハＷを乾燥させる。

【0046】

つづいて、基板処理システム１では、搬出処理が行われる（ステップＳ１０６）。搬出処理では、搬送装置１６が、超臨界乾燥処理後のウェハＷを乾燥ユニット１９から取り出して受渡部１４へ搬送する（図４の手順Ｓ５参照）。その後、搬送装置１３が超臨界乾燥処理後のウェハＷを受渡部１４から取り出してキャリアＣへ搬送する（図４の手順Ｓ６参照）。搬出処理を終えると、１枚のウェハＷについての一連の基板処理が終了する。

【0047】

＜液処理ユニットの構成＞
次に、液処理ユニット１７の構成について図５を参照して説明する。図５は、実施形態に係る液処理ユニット１７の構成例を示す図である。液処理ユニット１７は、たとえば、スピン洗浄によりウェハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置として構成される。

【0048】

図５に示すように、液処理ユニット１７は、処理空間を形成するアウターチャンバー３３内に配置されたウェハ保持機構３５にてウェハＷをほぼ水平に保持し、このウェハ保持機構３５を鉛直軸周りに回転させることによりウェハＷを回転させる。そして、液処理ユニット１７は、回転するウェハＷの上方にノズルアーム３６を進入させ、かかるノズルアーム３６の先端部に設けられる薬液ノズル３６ａから薬液やリンス液を予め定められた順に供給することにより、ウェハＷの上面の洗浄処理を行う。

【0049】

また、液処理ユニット１７には、ウェハ保持機構３５の内部にも薬液供給路３５ａが形成されている。そして、かかる薬液供給路３５ａから供給された薬液やリンス液によって、ウェハＷの下面も洗浄される。

【0050】

洗浄処理は、たとえば、最初にアルカリ性の薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去が行われ、次に、リンス液である脱イオン水（DeIonized Water：以下、「ＤＩＷ」と記載する）によるリンス洗浄が行われる。次に、酸性薬液である希フッ酸水溶液（Diluted HydroFluoric acid：以下、「ＤＨＦ」と記載する）による自然酸化膜の除去が行われ、次に、ＤＩＷによるリンス洗浄が行われる。

【0051】

上述の各種薬液は、アウターチャンバー３３や、アウターチャンバー３３内に配置されるインナーカップ３４に受け止められて、アウターチャンバー３３の底部に設けられる排液口３３ａや、インナーカップ３４の底部に設けられる排液口３４ａから排出される。さらに、アウターチャンバー３３内の雰囲気は、アウターチャンバー３３の底部に設けられる排気口３３ｂから排気される。

【0052】

液膜形成処理は、洗浄処理におけるリンス処理の後に行われる。具体的には、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構３５を回転させながら、ウェハＷの上面および下面にＩＰＡ液体を供給する。これにより、ウェハＷの両面に残存するＤＩＷがＩＰＡに置換される。その後、液処理ユニット１７は、ウェハ保持機構３５の回転を緩やかに停止する。

【0053】

液膜形成処理を終えたウェハＷは、その上面にＩＰＡ液体の液膜が形成された状態のまま、ウェハ保持機構３５に設けられた不図示の受け渡し機構により搬送装置１６に受け渡され、液処理ユニット１７から搬出される。ウェハＷ上に形成された液膜は、液処理ユニット１７から測定ユニット１８へのウェハＷの搬送中や、測定ユニット１８への搬入動作中に、ウェハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。また、ウェハＷ上に形成された液膜は、測定ユニット１８から乾燥ユニット１９へのウェハＷの搬送中や、乾燥ユニット１９への搬入動作中に、ウェハＷ上面の液体が蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防止する。

【0054】

＜測定ユニットおよび乾燥ユニットの構成＞
つづいて、測定ユニット１８および乾燥ユニット１９の構成について図６～図８を参照して説明する。図６は、実施形態に係る測定ユニット１８および乾燥ユニット１９の構成を示す模式断面図である。また、図７は、乾燥ユニット１９の処理容器５１の内部にウェハＷが収容された状態の一例を示す模式断面図である。また、図８は、乾燥ユニット１９の処理容器５１を開口部５１ａ側から見た模式的な側断面図である。

【0055】

まず、乾燥ユニット１９の構成を説明する。図６および図７に示すように、乾燥ユニット１９は、処理容器５１と、蓋体５２と、第１支持部５３と、第２支持部５４とを備える。

【0056】

処理容器５１は、たとえば１６～２０ＭＰａ程度の高圧環境を形成することのできる圧力容器である。処理容器５１は、搬送エリア１５（図１参照）のＹ軸負方向側に配置され、超臨界乾燥処理は、処理容器５１内部の処理空間５１１にて行われる。処理容器５１は、平面視矩形状を有しており、複数（ここでは、４つ）の側面のうち搬送エリア１５に面する側面に、ウェハＷの搬入出に用いられる開口部５１ａを有する。

【0057】

蓋体５２は、図示しない移動機構および回動機構に接続されており、これらの移動機構および回動機構によって閉塞位置および待機位置との間で移動および回動することができる。閉塞位置は、蓋体５２が開口部５１ａを閉塞する位置である。待機位置は、蓋体５２が開口部５１ａを開放する位置であって、開口部５１ａへのウェハＷの搬入出経路とは干渉しない位置である。

【0058】

第１支持部５３は、処理容器５１の内部においてウェハＷを水平に支持する。第１支持部５３は、ウェハＷを下方から支持する支持ピンであり、処理容器５１の内部における底面に設けられる。

【0059】

第２支持部５４は、処理容器５１の外部においてウェハＷを水平に支持する。第２支持部５４は、搬送装置１６によるウェハＷの搬送位置を調整する搬送位置調整処理に用いられる。第２支持部５４は、処理容器５１の鉛直方向における外面（ここでは、処理容器５１の上面）に設けられる。第２支持部５４は、処理容器５１の下面に設けられてもよい。第２支持部５４の一部は、測定ユニット１８内に位置している。

【0060】

実施形態では、第１支持部５３および第２支持部５４が、図８に示すように、少なくとも処理容器５１へウェハＷを搬入出する方向から見て、処理容器５１の内部および外部におけるウェハＷの中心軸どうしが一致するようにウェハＷを支持する。換言すれば、第１支持部５３および第２支持部５４は、少なくとも処理容器５１の開口部５１ａ側からの側面視において、処理容器５１の内部および外部におけるウェハＷの中心軸どうしが一致するようにウェハＷを支持する。このように、第１支持部５３に支持されるウェハＷの中心軸と、第２支持部５４に支持されるウェハＷの中心軸とが一致するため、処理容器５１の内部および外部での相対的なウェハＷの位置ずれを抑制することができる。仮に、処理容器５１の内部および外部におけるウェハＷの中心軸どうしが一致していない場合、搬送装置１６は、液膜形成処理後のウェハＷを測定ユニット１８から乾燥ユニット１９へ搬送する際に、鉛直軸を中心とする旋回動作を行う必要が生じる。これに対し、実施形態では、かかる旋回動作を行う必要がない。したがって、鉛直軸を中心とする旋回動作に伴って、ウェハＷの上面に形成された液膜がウェハＷから振り切られる可能性を低減することができる。

【0061】

また、実施形態では、第１支持部５３が処理容器５１の内部における底面に設けられるため、第１支持部５３が蓋体５２に対して設けられる場合と比べて、第１支持部５３の振動を抑制することができる。したがって、実施形態によれば、第１支持部５３の振動に伴って、ウェハＷの上面に形成された液膜がウェハＷから滴下する可能性を低減することができる。

【0062】

また、実施形態では、第２支持部５４が処理容器５１の鉛直方向における外面に設けられるため、乾燥ユニット１９の近傍において搬送装置１６によるウェハＷの搬送位置を調整することができる。したがって、実施形態によれば、処理容器５１の内部および外部での相対的なウェハＷの位置ずれをより抑制することができる。

【0063】

また、実施形態では、第２支持部５４が、複数の乾燥ユニット１９における各処理容器５１に対して、個別に設けられる。したがって、実施形態によれば、複数の乾燥ユニット１９における各処理容器５１の内部および外部での相対的なウェハＷの位置ずれを抑制することができる。

【0064】

第２支持部５４は、複数（ここでは、４つ）の支柱６１と、支持台６２と、ガイド部材６３とを有する。複数の支柱６１は、処理容器５１の鉛直方向における外面（ここでは、処理容器５１の上面）から立ち上がるように設けられる。支持台６２は、扁平な円形状を有する台座であり、複数の支柱６１の各々に設けられる。

【0065】

ガイド部材６３は、支持台６２上に設けられる。ガイド部材６３は、平面視で円形状を有し、側面視で下方に向かうにつれて幅が広がるテーパ状を有する。ガイド部材６３の上面からは、支柱６１の先端が突出している。ガイド部材６３の底部周縁は、支持台６２の周縁よりも内側に位置している。これにより、支持台６２の上面の一部が露出し、支持台６２がウェハＷの周縁を下方から支持することが可能となる。ガイド部材６３は、搬送装置１６のウェハ保持機構１６ａから受け渡されるウェハＷを側面において受け取り、受け取ったウェハＷを支持台６２に向けて案内する。これにより、ガイド部材６３は、ウェハＷの位置を規定の基準位置に近づけることができる。基準位置は、たとえば、処理容器５１の内部および外部におけるウェハＷの中心軸どうしが一致するように予め設定された位置である。

【0066】

処理容器５１には、供給部５５と排出部５６とが設けられる。供給部５５は、供給ユニット２０（図１参照）の供給機器群に接続されており、供給ユニット２０から供給される処理流体を処理空間５１１に供給する。排出部５６は、処理空間５１１から処理流体を排出する。

【0067】

供給部５５は、処理容器５１における処理空間５１１の開口部５１ａが形成される側とは反対側の側面に設けられる。供給部５５は、側方に向かって開口する供給口から処理空間５１１に対して処理流体を水平方向に供給する。

【0068】

排出部５６は、処理容器５１における処理空間５１１の底面に設けられる。排出部５６は、上方に向かって開口する排出口から処理流体を排出する。

【0069】

乾燥ユニット１９は、供給部５５から処理空間５１１に処理流体を供給しつつ、排出部５６を介して処理空間５１１内の処理流体を排出する。処理流体の排出路には、処理空間５１１からの処理流体の排出量を調整するダンパが設けられており、処理空間５１１内の圧力が所望の圧力に調整されるようにダンパによって処理流体の排出量が調整される。これにより、処理空間５１１において処理流体の超臨界状態が維持される。以下では、超臨界状態の処理流体を「超臨界流体」と記載する場合がある。

【0070】

処理容器５１は、開口部５１ａよりも開口部５１ａの開蓋方向側に突出した第１突出部３１３および第２突出部３１４を備える。第１突出部３１３は、開口部５１ａの下部からＹ軸正方向に向かって突出し、第２突出部３１４は、開口部５１ａの上部からＹ軸正方向に向かって突出する。

【0071】

第１突出部３１３には、第１突出部３１３の上面と下面とを連通する第１挿通孔３１５が形成されている。また、第２突出部３１４には、第１挿通孔３１５と鉛直方向において対向する位置（すなわち第１挿通孔３１５の上方）に、第２突出部３１４の上面と下面とを連通する第２挿通孔３１６が形成されている。

【0072】

また、乾燥ユニット１９は、ロック部材５７を備える。ロック部材５７は、第１突出部３１３に形成された第１挿通孔３１５に挿通されている。ロック部材５７には、ロック部材５７を鉛直方向に沿って移動させる昇降機構５８が接続される。

【0073】

かかる乾燥ユニット１９では、まず、ウェハＷの搬入処理が行われる。搬入処理において、搬送装置１６が、ウェハ保持機構１６ａに保持されたウェハＷを第１支持部５３に請け渡す。そして、乾燥ユニット１９は、待機位置に配置された蓋体５２を開閉位置まで移動および回動させる。これにより、第１支持部５３に支持されたウェハＷが処理容器５１の処理空間５１１に収容されるとともに、蓋体５２によって処理空間５１１が密閉された状態となる。

【0074】

また、乾燥ユニット１９は、ロック部材５７を昇降機構５８によって上昇させることにより、ロック部材５７を第２突出部３１４に形成された第２挿通孔３１６に挿通させる。

【0075】

ロック部材５７は、処理空間５１１に供給された処理流体によってもたらされる内圧に抗して、処理空間５１１に向けて蓋体５２を押し付ける。これにより、蓋体５２によって処理空間５１１が密閉された状態を維持することができる。

【0076】

つづいて、乾燥ユニット１９では、昇圧処理が行われる。昇圧処理において、乾燥ユニット１９は、供給部５５から処理容器５１の処理空間５１１に処理流体を供給することにより、処理空間５１１の圧力を上昇させる。これにより、処理空間５１１の圧力は、大気圧から処理圧力まで上昇する。処理圧力は、処理流体であるＣＯ２が超臨界状態となる臨界圧力（約７．２ＭＰａ）を超える圧力であり、たとえば、１６ＭＰａ程度である。かかる昇圧処理により、処理空間５１１内の処理流体が超臨界状態に相変化して、ウェハＷの表面に液盛りされたＩＰＡ液体が超臨界状態の処理流体に溶け込み始める。なお、供給ユニット２０から供給される処理流体は、超臨界状態であってもよいし、液体状態であってもよい。

【0077】

つづいて、乾燥ユニット１９では、流通処理が行われる。流通処理において、乾燥ユニット１９は、処理空間５１１の圧力を処理圧力に保ったまま、供給部５５から処理空間５１１に処理流体を供給しつつ、処理空間５１１に供給された処理流体を排出部５６から処理空間５１１の外部へ排出する。これにより、処理空間５１１には、ウェハＷの周囲で所定の向きに流動する処理流体の層流が形成される。

【0078】

ウェハＷのパターン形成面（上面）に存在するＩＰＡ液体は、高圧状態（たとえば、１６ＭＰａ）である超臨界流体と接触することで、徐々に超臨界流体に溶解していき、最終的には、超臨界流体に置き換わる。これにより、パターンの間の隙間は、超臨界流体によって満たされた状態となる。

【0079】

つづいて、乾燥ユニット１９では、減圧処理が行われる。減圧処理において、乾燥ユニット１９は、処理空間５１１の圧力を高圧状態から大気圧まで減圧する。これにより、パターン間の隙間を満たしていた超臨界流体が通常のすなわち気体状態の処理流体に変化する。このようにしてパターンの間のＩＰＡ液体は除去され、ウェハＷの乾燥処理が完了する。

【0080】

ここでは、乾燥防止用の液体としてＩＰＡ液体を用い、処理流体としてＣＯ２を用いることとしたが、ＩＰＡ以外の液体を乾燥防止用の液体として用いてもよいし、ＣＯ２以外の流体を処理流体として用いてもよい。

【0081】

つづいて、測定ユニット１８の構成を説明する。図６および図７に示すように、測定ユニット１８は、ケース４１と、第３支持部４２と、ベース部材４３と、支持部材４４とを備える。ケース４１には、搬送装置１６によってウェハＷを搬入出するための開口部４１ａが形成される。

【0082】

第３支持部４２は、たとえばロードセルであり、ウェハＷを水平に支持してウェハＷの重量を測定する。具体的には、第３支持部４２は、液処理ユニット１７によって液膜が形成された後、且つ、処理容器５１に収容される前のウェハＷの重量を測定する。第３支持部４２は、測定したウェハＷの重量に関する信号を制御部７１に出力する。

【0083】

ベース部材４３は、第３支持部４２の下部に設けられる。ベース部材４３は、ケース４１の底部を貫通して位置する第２支持部５４の上方に配置される。ベース部材４３は、第２支持部５４よりも開口部４１ａ側に突出する突出部４３ａを有している。突出部４３ａは、第２支持部５４を用いた搬送位置調整処理に用いられる。

【0084】

支持部材４４は、ケース４１の底部から第２支持部５４よりも高い位置まで立ち上がるように設けられ、ベース部材４３を下方から支持する。

【0085】

第３支持部４２は、複数の乾燥ユニット１９における各処理容器５１に対して、ベース部材４３および支持部材４４を介して個別に設けられる。したがって、実施形態によれば、複数の乾燥ユニット１９における各処理容器５１に関して、各処理容器５１に収容される前のウェハＷの重量を個別に測定することができる。

【0086】

＜搬送位置調整処理＞
次に、実施形態に係る基板処理システム１により実行される搬送位置調整処理を含む一連の動作について図９を参照して説明する。図９は、実施形態に係る基板処理システム１により実行される一連の動作の手順を示すフローチャートである。

【0087】

図９に示すように、制御部７１は、搬送装置１３、１６を用いて、ウェハＷをキャリアＣから受渡部１４を経由して乾燥ユニット１９に搬送し、搬送装置１６のウェハ保持機構１６ａから第２支持部５４にウェハＷを受け渡す（ステップＳ２０１）。これにより、ウェハＷの周縁と第２支持部５４のガイド部材６３とが当接し、ウェハＷがガイド部材６３によって支持台６２に向けて案内される。このため、ウェハＷの位置が規定の基準位置に近づく。

【0088】

制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａを上昇させ、第２支持部５４からウェハＷを持ち上げる。ここで、ウェハ保持機構１６ａには、ウェハ保持機構１６ａに保持されたウェハＷの位置を検出する位置センサ（検出部の一例、不図示）が設けられている。

【0089】

制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａの位置センサを用いて、ウェハＷの位置を検出する（ステップＳ２０２）。

【0090】

制御部７１は、検出されたウェハＷの位置と基準位置とのずれ量を算出する（ステップＳ２０３）。

【0091】

制御部７１は、ずれ量が予め定められた許容範囲内であるか否かを判定する（ステップＳ２０４）。ずれ量が許容範囲内である場合（ステップＳ２０４Ｙｅｓ）、制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａの位置を補正することなく、基板処理を実行する（ステップＳ２０６）。ステップＳ２０６の基板処理は、図３に示した基板処理に相当する。

【0092】

一方、ずれ量が許容範囲内ではない場合（ステップＳ２０４Ｎｏ）、制御部７１は、ずれ量に基づき、ウェハ保持機構１６ａの位置を補正し（ステップＳ２０５）、その後、基板処理を実行する（ステップＳ２０６）。

【0093】

実施形態では、制御部７１は、乾燥ユニット１９へのウェハＷの搬送時に、補正後のウェハ保持機構１６ａの位置に基づき、ウェハ保持機構１６ａから第１支持部５３にウェハＷを受け渡すように搬送装置１６を制御する。たとえば、制御部７１は、液膜形成処理後のウェハＷを測定ユニット１８から乾燥ユニット１９へ搬送する際に（図４の手順Ｓ４）、補正後のウェハ保持機構１６ａの位置に基づき、搬送装置１６を制御する。これにより、実施形態によれば、乾燥ユニット１９へのウェハＷの搬送位置が適切に調整された状態で、測定ユニット１８から乾燥ユニット１９へのウェハの搬送を実行することができる。

【0094】

また、制御部７１は、測定ユニット１８へのウェハＷの搬送時に、補正後のウェハ保持機構１６ａの位置に基づき、ウェハ保持機構１６ａから第３支持部４２にウェハＷを受け渡すように搬送装置１６を制御する。たとえば、制御部７１は、液膜形成処理後のウェハＷを液処理ユニット１７から測定ユニット１８へ搬送する際に（図４の手順Ｓ３）、補正後のウェハ保持機構１６ａの位置に基づき、搬送装置１６を制御する。これにより、実施形態によれば、測定ユニット１８へのウェハＷの搬送位置が適切に調整された状態で、液処理ユニット１７から測定ユニット１８へのウェハの搬送を実行することができる。

【0095】

また、制御部７１は、測定ユニット１８から乾燥ユニット１９へのウェハＷの搬送時に、ウェハ保持機構１６ａを水平方向に旋回させることなくウェハ保持機構１６ａを用いて第３支持部４２から第１支持部５３へウェハＷを受け渡すように搬送装置１６を制御する。これにより、実施形態によれば、鉛直軸を中心とする旋回動作に伴って、ウェハＷの上面に形成された液膜がウェハＷから振り切られる可能性を低減することができる。

【0096】

＜搬送位置調整処理の他の一例＞
なお、図９の例では、ウェハＷの位置と基準位置とのずれ量に基づきウェハ保持機構１６ａの位置を補正する場合を例示したが、開示技術はこれに限られない。たとえば、各種の調整部材を用いてウェハ保持機構１６ａの位置をより精度良く補正するようにしてもよい。以下、実施形態に係る基板処理システム１により実行される搬送位置調整処理の他の一例について図１０Ａ～図１０Ｆを参照して説明する。図１０Ａ～図１０Ｆは、実施形態に係る基板処理システム１により実行される搬送位置調整処理の他の一例を示す動作説明図である。

【0097】

搬送装置１６は、ウェハ保持機構１６ａを用いて、搬送部１２内のストッカ（不図示）に格納された真空吸着部材１０１を保持する。真空吸着部材１０１は、ウェハＷが載置された場合に、ウェハＷの下面を真空吸着してウェハ保持機構１６ａに固定することができる。真空吸着部材１０１は、真空吸着に関する圧力を検出する圧力センサを備え、圧力センサによる検出結果を示す信号を制御部７１へ出力する。制御部７１は、真空吸着部材１０１上にウェハＷを載置し且つ固定する。

【0098】

制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａによって、真空吸着部材１０１上に載置されたウェハＷを測定ユニット１８のケース４１内に進入させる（図１０Ａ参照）。

【0099】

制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａを降下させる（図１０Ｂ参照）。これにより、真空吸着部材１０１上に載置されたウェハＷがベース部材４３の突出部４３ａに当接して、真空吸着部材１０１から離脱する。ウェハＷが真空吸着部材１０１から離脱すると、真空吸着部材１０１の圧力センサによる検出結果が変化する。制御部７１は、真空吸着部材１０１の圧力センサによる検出結果が変化する高さ位置に基づき、Ｚ軸方向におけるウェハ保持機構１６ａの位置を、ウェハＷとベース部材４３との干渉を発生させない高さ位置に補正する。

【0100】

制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａを上昇させることにより、真空吸着部材１０１上にウェハＷを載置し且つ固定する。制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａによって、真空吸着部材１０１上に載置されたウェハＷを測定ユニット１８のケース４１外に退避させる。

【0101】

制御部７１は、補正後のウェハ保持機構１６ａの位置に基づき、真空吸着部材１０１上に載置されたウェハＷを測定ユニット１８のケース４１内に進入させる（図１０Ｃ参照）。

【0102】

制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａを降下させる（図１０Ｄ参照）。これにより、真空吸着部材１０１上に載置されたウェハＷが第２支持部５４のガイド部材６３に当接して、真空吸着部材１０１から離脱する。ウェハＷが真空吸着部材１０１から離脱すると、真空吸着部材１０１の圧力センサによる検出結果が変化する。制御部７１は、真空吸着部材１０１の圧力センサによる検出結果が変化する高さ位置に基づき、Ｚ軸方向におけるウェハ保持機構１６ａの位置を、ウェハＷを第２支持部５４に受け渡すことができる高さ位置に補正する。また、真空吸着部材１０１から離脱したウェハＷは、ガイド部材６３によって支持台６２に向けて案内される。このため、ウェハＷの位置が規定の基準位置に近づく。

【0103】

制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａを上昇させ、第２支持部５４からウェハＷを持ち上げる。ここで、ウェハ保持機構１６ａには、ウェハ保持機構１６ａに保持されたウェハＷの位置を検出する位置センサ（検出部の一例、不図示）が設けられている。

【0104】

制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａの位置センサを用いて、Ｘ軸方向およびＹ軸方向におけるウェハＷの位置を検出する。制御部７１は、検出されたウェハＷの位置と基準位置とのずれ量を算出する。制御部７１は、ずれ量に基づき、ウェハ保持機構１６ａの位置を補正する。

【0105】

搬送装置１６は、ウェハ保持機構１６ａを用いて、搬送部１２内のストッカ（不図示）に格納された調整基板１０２を保持する。調整基板１０２は、第２支持部５４の複数（ここでは、４つ）の支柱６１に対応する複数（ここでは、４つ）の位置に、ガイド溝１０２ａを有する。ガイド溝１０２ａは、テーパ面である内面を有し、かかる内面と支柱６１の先端とを当接させることにより、調整基板１０２を内面に沿って移動させる。これにより、ガイド溝１０２ａは、調整基板１０２の位置を規定の基準位置に近づけることができる。

【0106】

制御部７１は、補正後のウェハ保持機構１６ａの位置に基づき、ウェハ保持機構１６ａに保持された調整基板１０２を測定ユニット１８のケース４１内に進入させる（図１０Ｅ参照）。

【0107】

制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａを降下させる（図１０Ｆ参照）。これにより、調整基板１０２がガイド溝１０２ａの内面において支柱６１の先端に当接して、ウェハ保持機構１６ａから離脱する。ウェハ保持機構１６ａから離脱した調整基板１０２は、ガイド溝１０２ａの内面に沿って移動する。このため、調整基板１０２の位置が規定の基準位置に近づく。

【0108】

制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａを上昇させ、第２支持部５４からウェハＷを持ち上げる。ここで、ウェハ保持機構１６ａには、ウェハ保持機構１６ａに保持されたウェハＷの位置を検出する位置センサ（検出部の一例、不図示）が設けられている。

【0109】

制御部７１は、ウェハ保持機構１６ａの位置センサを用いて、Ｘ軸方向およびＹ軸方向におけるウェハＷの位置を検出する。制御部７１は、検出されたウェハＷの位置と基準位置とのずれ量を算出する。制御部７１は、ずれ量に基づき、ウェハ保持機構１６ａの位置を補正する。

【0110】

このように、実施形態に係る基板処理システム１は、調整部材（つまり、真空吸着部材１０１および調整基板１０２）を用いてウェハ保持機構１６ａの位置を２段階で補正する。これにより、ウェハ保持機構１６ａの位置をより精度良く補正することができる。

【0111】

以上のように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理システム１）は、基板（一例として、ウェハＷ）を処理する処理ユニット（一例として、乾燥ユニット１９）を備える。処理ユニットは、基板を収容する処理容器（一例として、処理容器５１）と、処理容器の内部において基板を水平に支持する第１支持部（一例として、第１支持部５３）と、処理容器の外部において基板を水平に支持する第２支持部（一例として、第２支持部５４）とを有する。第１支持部および第２支持部は、少なくとも処理容器へ基板を搬入出する方向から見て、処理容器の内部および外部における基板の中心軸どうしが一致するように基板を支持する。これにより、実施形態によれば、処理容器の内部および外部での相対的な基板の位置ずれを抑制することができる。

【0112】

＜変形例＞
変形例に係る基板処理システム１では、乾燥ユニット１９が、上部または下部が開放された処理容器を開閉可能な蓋体を有してもよい。そして、第１支持部５３は、かかる蓋体に設けられてもよい。これにより、処理容器のメンテナンスを容易化することができる。

【0113】

変形例に係る基板処理システム１では、測定ユニット１８が、処理容器５１の内部において液膜の乾燥処理が行われた後のウェハＷ、つまり、超臨界乾燥処理後のウェハＷの重量をさらに測定してもよい。受渡部１４が、超臨界乾燥処理後のウェハＷの重量をさらに測定してもよい。かかる場合、制御部７１は、測定ユニット１８によって測定された液膜形成処理後のウェハＷの重量と、測定ユニット１８または受渡部１４によって測定された超臨界乾燥処理後のウェハＷの重量との差に基づいて、ウェハＷに形成された液膜の液量を検出してもよい。

【0114】

今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

【符号の説明】

【0115】

１ 基板処理システム
４ 搬送ブロック
５ 第１処理ブロック
６ 第２処理ブロック
７ 制御装置
１４ 受渡部
１６ 搬送装置
１６ａ ウェハ保持機構
１７ 液処理ユニット
１８ 測定ユニット
１９ 乾燥ユニット
４１ ケース
４１ａ 開口部
４２ 第３支持部
５１ 処理容器
５１ａ 開口部
５３ 第１支持部
５４ 第２支持部
６１ 支柱
６２ 支持台
６３ ガイド部材
７１ 制御部
７２ 記憶部
５１１ 処理空間
Ｗ ウェハ

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】

【図8】

【図9】

【図10A】

【図10B】

【図10C】

【図10D】

【図10E】

【図10F】