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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024168460
(43)【公開日】2024-12-05
(54)【発明の名称】ウェーハの加工方法
(51)【国際特許分類】
H01L 21/304 20060101AFI20241128BHJP
H01L 21/683 20060101ALI20241128BHJP
H01L 21/301 20060101ALI20241128BHJP
【ＦＩ】
H01L21/304 601Z
H01L21/68 N
H01L21/78 L
【審査請求】未請求
【請求項の数】2
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2023085165
(22)【出願日】2023-05-24
(71)【出願人】
【識別番号】000134051
【氏名又は名称】株式会社ディスコ
(74)【代理人】
【識別番号】100075384
【弁理士】
【氏名又は名称】松本 昂
(74)【代理人】
【識別番号】100172281
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 知広
(74)【代理人】
【識別番号】100206553
【弁理士】
【氏名又は名称】笠原 崇廣
(74)【代理人】
【識別番号】100189773
【弁理士】
【氏名又は名称】岡本 英哲
(74)【代理人】
【識別番号】100184055
【弁理士】
【氏名又は名称】岡野 貴之
(74)【代理人】
【識別番号】100185959
【弁理士】
【氏名又は名称】今藤 敏和
(72)【発明者】
【氏名】リュ ゾンヒョン
【テーマコード（参考）】
5F057
5F063
5F131
【Ｆターム（参考）】
5F057AA05
5F057AA12
5F057AA31
5F057BA26
5F057BB03
5F057BB09
5F057CA16
5F057CA31
5F057DA17
5F057DA19
5F057DA22
5F057DA31
5F057EC06
5F057EC09
5F057EC16
5F057EC19
5F057FA13
5F057FA28
5F057FA30
5F057FA42
5F063AA04
5F063AA16
5F063AA18
5F063BA03
5F063BA45
5F063DD97
5F063DG23
5F063DG31
5F131AA02
5F131BA31
5F131BA52
5F131BA53
5F131CA09
5F131CA12
5F131CA32
5F131EB01
5F131EB81
5F131EC32
5F131EC33
5F131EC64
5F131EC65
5F131EC72
(57)【要約】
【課題】環状凸部を有するウェーハを高品質、かつ、高い生産性をもって加工する。
【解決手段】裏面の外周部に環状凸部を有するとともに、該裏面の該環状凸部に囲繞される領域に円形凹部が形成されたウェーハの加工方法であって、該ウェーハの表面に糊層を備えないシートを固定するとともに該シートの外周部分に環状フレームを固定することによってウェーハユニットを形成するウェーハユニット形成ステップと、該ウェーハユニット形成ステップの後に、該シートを介して保持テーブルで該ウェーハを保持する保持ステップと、該保持ステップの後に、該ウェーハの該円形凹部に分断溝を形成し、該ウェーハから該環状凸部を分離する分断ステップと、該分断ステップの後に、該環状凸部を該シートから除去する除去ステップと、を含む。
【選択図】図４
【解決手段】裏面の外周部に環状凸部を有するとともに、該裏面の該環状凸部に囲繞される領域に円形凹部が形成されたウェーハの加工方法であって、該ウェーハの表面に糊層を備えないシートを固定するとともに該シートの外周部分に環状フレームを固定することによってウェーハユニットを形成するウェーハユニット形成ステップと、該ウェーハユニット形成ステップの後に、該シートを介して保持テーブルで該ウェーハを保持する保持ステップと、該保持ステップの後に、該ウェーハの該円形凹部に分断溝を形成し、該ウェーハから該環状凸部を分離する分断ステップと、該分断ステップの後に、該環状凸部を該シートから除去する除去ステップと、を含む。
【選択図】図４
【特許請求の範囲】
【請求項1】
裏面の外周部に環状凸部を有するとともに、該裏面の該環状凸部に囲繞される領域に円形凹部が形成されたウェーハの加工方法であって、
該ウェーハの表面に糊層を備えないシートを固定するとともに該シートの外周部分に環状フレームを固定することによってウェーハユニットを形成するウェーハユニット形成ステップと、
該ウェーハユニット形成ステップの後に、該シートを介して保持テーブルで該ウェーハを保持する保持ステップと、
該保持ステップの後に、該ウェーハの該円形凹部に分断溝を形成し、該ウェーハから該環状凸部を分離する分断ステップと、
該分断ステップの後に、該環状凸部を該シートから除去する除去ステップと、を含むウェーハの加工方法。
該ウェーハの表面に糊層を備えないシートを固定するとともに該シートの外周部分に環状フレームを固定することによってウェーハユニットを形成するウェーハユニット形成ステップと、
該ウェーハユニット形成ステップの後に、該シートを介して保持テーブルで該ウェーハを保持する保持ステップと、
該保持ステップの後に、該ウェーハの該円形凹部に分断溝を形成し、該ウェーハから該環状凸部を分離する分断ステップと、
該分断ステップの後に、該環状凸部を該シートから除去する除去ステップと、を含むウェーハの加工方法。
【請求項2】
該ウェーハユニット形成ステップでは、該シートを加熱し押圧して該ウェーハに熱圧着することで該シートを該ウェーハに固定することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、外周部に環状凸部を有するとともに環状凸部に囲繞される領域に円形凹部が形成された裏面を有するウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【0002】
携帯電話、パーソナルコンピュータ等の電子機器には、デバイスチップが搭載されている。デバイスチップは、通常、ＩＣ（Integrated Circuit）等のデバイスが表面側に複数個形成されたウェーハを裏面側から研削して薄化し、ウェーハをデバイス毎に分割して製造される。
【0003】
研削され薄化されたウェーハは、剛性が低下して割れやすい。そこで、ウェーハの裏面のうち複数のデバイスが形成されたデバイス形成領域に対応する領域を研削して円形凹部を形成するとともに、その周囲を環状凸部として残す。この環状凸部は、ウェーハが搬送等される間、薄化された円形凹部を補強する機能を発揮する（例えば、特許文献１参照）。
【0004】
一方、ウェーハを個々のチップに分割する際には環状凸部が分割の妨げとなるため、事前に環状凸部をウェーハから除去する必要がある。環状凸部を除去する際には、円形凹部と環状凸部を含むウェーハの裏面の全域に粘着テープを貼着し、粘着テープを介してウェーハを保持テーブルで保持する。保持テーブルは、ウェーハの円形凹部に対応する凸形状を有し、この凸形状に円形凹部が合わせられる。そして、保持テーブルで保持されたウェーハに環状の分断溝を形成し、環状凸部を除去する（例えば、特許文献２参照）。
【0005】
また、環状凸部をウェーハから除去する別の方法として、ウェーハの表面に粘着テープを貼着し、平坦な保持テーブルで粘着テープを介してウェーハを吸引保持し、環状凸部を切除する分断溝をウェーハに形成する方法が知られている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開２００７－１７３４８７号公報
【特許文献2】特開２０１１－６１１３７号公報
【特許文献3】特開２０１２－５４２７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
いずれの方法で環状凸部を除去する場合においても、ウェーハに貼着される粘着テープの外周部には、環状フレームが貼着される。このとき、ウェーハは、環状フレームに形成された開口に収容される。そして、分断溝を形成する加工をウェーハに実施すると、ウェーハ等から加工屑が発生し周囲に飛散する。一部の飛散した加工屑は、環状フレームの開口中に露出する粘着テープに付着する。そして、ウェーハの搬送や加工等の過程で一部の加工屑が再び飛散してウェーハに付着することがあり、問題となる。
【0008】
また、ウェーハに分断溝を形成して環状凸部を切り離した後、切り離された環状凸部は粘着テープから剥離される。しかしながら、環状凸部はウェーハから分離される前から糊層を備える粘着テープに強い力で貼着されているため、環状凸部の粘着テープからの剥離に大きな力を要する。そして、環状凸部に大きな力がかかり環状凸部が割れて破片がウェーハに飛散することがあった。
【0009】
そこで、紫外線照射により貼着力が低下する糊層を備える粘着テープをウェーハ及び環状フレームに貼着することが考えられる。この場合、ウェーハから切り離された環状凸部を粘着テープから剥離する際に、環状凸部と重なる領域において粘着テープに紫外線を照射し、糊層の粘着力を低下させる。このとき、円形凹部と重なる領域に紫外線が照射されないように、遮蔽部材が使用される。
【0010】
しかしながら、環状凸部と重なる領域に十分な強度で紫外線を照射するために、遮蔽部材で遮蔽できる領域の大きさには制限がある。そのため、円形凹部の外周部と重なる領域で粘着テープにも紫外線が照射され、この領域において粘着テープの貼着力が低下する。粘着テープの粘着力が低下した部分でウェーハを分割する加工を実施すると、当該部分でウェーハが十分に支持されないため、加工が低品質となる。そのため、ウェーハの表面のデバイス形成に使用する領域を狭める必要があり、生産性が低下する。
【0011】
本発明は係る問題点に鑑みてなされたものであり、環状凸部を有するウェーハを高品質、かつ、高い生産性をもって加工するウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
本発明の一態様によれば、裏面の外周部に環状凸部を有するとともに、該裏面の該環状凸部に囲繞される領域に円形凹部が形成されたウェーハの加工方法であって、該ウェーハの表面に糊層を備えないシートを固定するとともに該シートの外周部分に環状フレームを固定することによってウェーハユニットを形成するウェーハユニット形成ステップと、該ウェーハユニット形成ステップの後に、該シートを介して保持テーブルで該ウェーハを保持する保持ステップと、該保持ステップの後に、該ウェーハの該円形凹部に分断溝を形成し、該ウェーハから該環状凸部を分離する分断ステップと、該分断ステップの後に、該環状凸部を該シートから除去する除去ステップと、を含むウェーハの加工方法が提供される。
【0013】
好ましくは、該ウェーハユニット形成ステップでは、該シートを加熱し押圧して該ウェーハに熱圧着することで該シートを該ウェーハに固定する。
【発明の効果】
【0014】
本発明の一態様に係るウェーハの加工方法では、糊層を備えないシートをウェーハ及び環状フレームに固定することでウェーハユニットを形成する。シートは糊層を備えないため、ウェーハに分断溝を形成する際に発生する加工屑がシートに接触しても、加工屑はシートに貼着されない。さらに、環状凸部をシートから除去する際に環状凸部が破損し発生した破片がシートに接触しても、破片はシートに貼着されない。また、シートに接触した加工屑や破片は、洗浄により容易にシートから除去される。
【0015】
また、糊層により粘着テープに強力に貼着されている場合とは異なり、糊層を備えないシートに固定されている場合には環状凸部の除去は比較的容易となる。そのため、除去される環状凸部に大きな力がかかることがなく、破損も起きにくく破片が生じにくい。そのため、シートに接触した加工屑や破片がウェーハ（デバイスチップ）に移ってデバイスチップの品質を低下させることがない。
【0016】
さらに、シートからの環状凸部の除去のためにシートに紫外線を照射する必要もなく、紫外線が照射されることを前提としてウェーハの表面のデバイス形成に使用する領域を狭める必要もない。したがって、デバイスチップの生産性も高まる。
【0017】
したがって、本発明の一態様により、環状凸部を有するウェーハを高品質、かつ、高い生産性をもって加工するウェーハの加工方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0018】
【図3】図３（Ａ）は、ウェーハユニット形成ステップの第２段階における熱圧着装置を模式的に示す断面図であり、図３（Ｂ）は、ウェーハユニット形成ステップの第３段階における熱圧着装置を模式的に示す断面図である。
【図4】ウェーハユニット形成ステップの第４段階における熱圧着装置を模式的に示す断面図である。
【図5】ウェーハユニットを模式的に示す斜視図である。
【図9】実施形態に係るウェーハの加工方法の各ステップの流れを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【0019】
添付図面を参照して、本発明の一態様に係る実施形態について説明する。図１（Ａ）は、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を模式的に示す斜視図であり、図１（Ｂ）は、ウェーハ１１の表面１１ａ側を模式的に示す斜視図である。まず、本実施形態に係るウェーハの加工方法で加工されるウェーハ１１について説明する。
【0020】
ウェーハ１１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、炭化珪素（ＳｉＣ）等の半導体材料で形成された円板状の単結晶基板である。但し、ウェーハ１１の形状、構造、大きさ等に制限はない。図１（Ｂ）に示すように、ウェーハ１１の表面１１ａ側には、格子状に複数の分割予定ライン１９が設定されている。複数の分割予定ライン１９によって区画された各領域には、ＩＣやＬＳＩ等のデバイス２１が形成されている。
【0021】
ウェーハ１１の表面１１ａのうち複数のデバイス２１が形成された領域を囲繞する外周部の領域は、外周余剰領域２３と呼ばれる。また、ウェーハ１１の表面１１ａのうち外周余剰領域２３で囲まれ複数のデバイス２１が形成された領域は、デバイス形成領域２５と呼ばれる。
【0022】
複数のデバイス２１が形成されたウェーハ１１を裏面１１ｂ側から研削して薄化し、分割予定ライン１９に沿ってウェーハ１１を分割すると、それぞれデバイス２１を備える複数の薄型デバイスチップが得られる。ウェーハ１１の分割は、例えば、円環状の切削ブレードを備える切削装置により実施される。しかしながら、研削され薄化されたウェーハ１１は剛性が低下して割れやすく、搬送等の取り扱いが容易でない。
【0023】
そこで、図１（Ａ）に示すように、ウェーハ１１の裏面１１ｂのうち複数のデバイス２１が形成されたデバイス形成領域２５に対応する領域を研削して円形凹部１５を形成するとともに、その周囲を環状凸部１３として残す。この環状凸部１３は、ウェーハ１１が搬送等される間、薄化された円形凹部１５を補強する機能を発揮する。これにより、ウェーハ１１の剛性が保たれ、反りや割れ等が生じにくくなり、取り扱いが容易となる。
【0024】
しかしながら、環状凸部１３を裏面１１ｂ側に有するウェーハ１１を切削装置でそのまま分割予定ライン１９に沿って分割しようとしたとき、薄い円形凹部１５を分割するようにウェーハ１１に形成する分割溝では、厚い環状凸部１３を切断できない。すなわち、環状凸部１３は、ウェーハ１１を個々のチップに分割する際には分割の妨げとなる。
【0025】
そのため、ウェーハ１１を分割する前に環状凸部１３をウェーハ１１から除去する必要がある。本実施形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハ１１の表面１１ａの全域に糊層を備えないシートを熱圧着等の方法により固定する。ウェーハ１１は、シートを介して分割装置の保持テーブルで保持される。
【0026】
次に、ウェーハ１１に固定されるシートについて説明する。図３（Ａ）等には、シート２７を模式的に示す断面図が含まれている。図５等には、シート２７を模式的に示す斜視図が含まれている。シート２７は、ウェーハ１１の外径よりも大きい径を有し、糊層を備えない。また、シート２７は、熱可塑性を有するシートである。
【0027】
シート２７の外周部は、金属製の環状フレーム２９（図５等参照）に配設される。シート２７は、例えば、ポリオレフィン系シート、ポリエステル系シート等の柔軟性を有する樹脂系シートであるが、シート２７の材質はこれに限定されない。
【0028】
ここで、ポリオレフィン系シートは、アルケンをモノマーとして合成されるポリマーのシートである。シート２７に使用されるポリオレフィン系シートは、例えば、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、または、ポリスチレンシート等の可視光に対して透明または半透明なシートである。
【0029】
また、ポリエステル系シートは、ジカルボン酸（２つのカルボキシル基を有する化合物）と、ジオール（２つのヒドロキシル基を有する化合物）と、をモノマーとして合成されるポリマーのシート２７である。シート２７に使用されるポリエステル系シートは、例えば、ポリエチレンテレフタレートシート、または、ポリエチレンナフタレートシート等の可視光に対して透明または半透明なシート２７である。
【0030】
別の観点から説明すると、熱圧着でウェーハ１１に固定される糊層を備えないシート２７は、常温での貯蔵弾性率は１×１０６～１×１０９Ｐａであり、加熱時での貯蔵弾性率は１×１０６～１×１０７Ｐａである熱可塑性樹脂である。ここで、加熱時とは、シート２７がウェーハ１１に熱圧着される際の温度である。例えば、シート２７がポリオレフィンの場合、この温度は８０℃～１００℃としてもよい。
【0031】
なお、シート２７の構成材料として使用される熱可塑性樹脂の貯蔵弾性率の評価には、株式会社日立ハイテク製の粘弾性測定装置“ＤＭＡ７１００”が使用可能である。この粘弾性測定装置は、試料に周期的な変形を与え、これにより生じる応力または歪みを測定することにより、試料の粘弾性特性として貯蔵弾性率、損失弾性率、損失正接（ｔａｎδ）等の温度依存性や周波数依存性を算出できる。
【0032】
粘弾性測定装置を利用した熱可塑性樹脂の貯蔵弾性率の測定は、例えば、昇温速度：２℃／ｍｉｎ、測定温度範囲：室温から２００℃、変形の周波数：１Ｈｚという条件で実施可能である。ただし、貯蔵弾性率の測定条件はこれに限定されない。また、貯蔵弾性率の測定には、他の測定装置が使用されてもよい。
【0033】
シート２７は糊層（粘着剤層）を備えず、十分な粘着性を有しないため、そのままの状態ではウェーハ１１及び環状フレーム２９に貼着できない。シート２７は熱可塑性を有し、所定の圧力を印加しながらウェーハ１１と接合させた状態で融点近傍の温度まで加熱すると、部分的に溶融してウェーハ１１に固定できる。すなわち、シート２７は、ウェーハ１１に熱圧着できる。
【0034】
また、図５に示す通り、シート２７の外周部は金属製の環状フレーム２９に固定される。環状フレーム２９は、ウェーハ１１の径よりも大きい径の開口部（貫通孔）２９ａを備える。例えば、シート２７は、ウェーハ１１よりも先に環状フレーム２９に固定される。シート２７を環状フレーム２９に固定する方法は、例えば、熱圧着である。例えば、シート２７は、ウェーハ１１とともに環状フレーム２９に熱圧着される。または、シート２７は、接着材等により環状フレーム２９に貼着され固定される。
【0035】
最終的にウェーハ１１と、シート２７と、環状フレーム２９と、が一体化されるとウェーハユニット３１（図５等参照）が形成される。ウェーハユニット３１が形成されるとシート２７を介してウェーハ１１を扱えるため、ウェーハ１１の取り扱いが容易となる。また、ウェーハユニット３１の一部となっているウェーハ１１を分割すると、形成された個々のデバイスチップがシート２７に引き続き支持されるため、デバイスチップの取り扱いも容易となる。
【0036】
次に、本実施形態に係るウェーハの加工方法において、シート２７をウェーハ１１に固定する際に使用される熱圧着装置２について説明する。ただし、本実施形態に係るウェーハの加工方法において、シート２７をウェーハ１１に固定する際に熱圧着装置２が使用されなくてもよい。図２（Ａ）から図４には、熱圧着装置２を模式的に示す断面図が含まれている。
【0037】
図２（Ａ）は、熱圧着装置２の一例を模式的に示す断面図である。熱圧着装置２は、例えば、内部にウェーハ１１を収容できる空間を有するチャンバー状のユニットであり、ウェーハ１１の表面１１ａにシート２７を熱圧着する機能を有する。熱圧着装置２は、上方に開口した凹状の下チャンバー６と、下チャンバー６の上方に配設され下方に開口した凹状の上チャンバー４と、を有する。
【0038】
熱圧着装置２の上チャンバー４は、第１減圧ユニット２０に連結され第１開口１２を有する第１凹部８を備える。下チャンバー６は、第２減圧ユニット２２に連結され第２開口１４を有する第２凹部１０を備える。第１減圧ユニット２０及び第２減圧ユニット２２は、例えば、ロータリーポンプ等の真空ポンプである。ただし、第１減圧ユニット２０及び第２減圧ユニットはこれに限定されない。
【0039】
また、熱圧着装置２は、第２凹部１０に配設されウェーハ１１を保持する保持テーブル３２を備える。そして、上チャンバー４の第１開口１２及び下チャンバー６の第２開口１４を合わせることで上チャンバー４及び下チャンバー６を閉じることができる。
【0040】
熱圧着装置２について、より詳細に説明する。上チャンバー４の第１開口１２及び下チャンバー６の第２開口１４は、ウェーハ１１の径よりも大きい内径を有する。また、上チャンバー４の第１凹部８及び下チャンバー６の第２凹部１０は、シート２７の外周部に配設された環状フレーム２９の内径よりも小さい外径を有する。
【0041】
例えば、上チャンバー４は昇降可能である。下チャンバー６の第２開口１４と、上チャンバー４の第１開口１２と、は同形状であり、第２開口１４に第１開口１２が重なるように上チャンバー４を下チャンバー６に下降させると、上チャンバー４及び下チャンバー６の内部に外部とは遮断された空間を形成できる。
【0042】
下チャンバー６には、ウェーハ１１を支持するテーブル状の保持テーブル３２が設けられている。保持テーブル３２には、環状凸部１３及び円形凹部１５が形成された裏面１１ｂが下方に向けられたウェーハ１１が載せられる。
【0043】
保持テーブル３２の上面は、ウェーハ１１を裏面１１ｂ側から支持し保持する保持面３４である。保持テーブル３２は、保持面３４に通じた吸引路（不図示）と、吸引路に接続された吸引源（不図示）と、を備えてもよい。この場合、保持テーブル３２の保持面３４に載せられたウェーハ１１に吸引路を通じて吸引源で生じた吸引力を作用させると、保持テーブル３２でウェーハ１１を吸引保持できる。
【0044】
保持テーブル３２は、主にウェーハ１１の裏面１１ｂの円形凹部１５を支持する円形凸部３４ａと、円形凸部３４ａの外周に配置され主にウェーハ１１の環状凸部１３を支持する環状支持部３４ｂと、を含む。
【0045】
円形凸部３４ａの上面の平面形状は、ウェーハ１１の円形凹部１５に収まる形状であり、円形凹部１５より僅かに小さい形状となる。環状支持部３４ｂは、ウェーハ１１の環状凸部１３の幅（内周と外周の距離）よりも大きい幅（内周と外周の距離）を有する。環状支持部３４ｂの上面と、円形凸部３４ａの上面と、の高さの差は、ウェーハ１１の円形凹部１５と、環状凸部１３と、の高さの差に相当する。すなわち、この差は、ウェーハ１１の円形凹部１５と環状凸部１３の段差部１７（図１（Ｂ）参照）の高さに基づいて適宜決定される。
【0046】
環状支持部３４ｂの上面には、図示しないスペーサーが配されている。スペーサーは、樹脂層等の弾性部材により形成されており、ウェーハ１１の円形凹部１５及び環状凸部１３の高さの差（段差部１７の高さ）のばらつきに対応して厚みが変化する。すなわち、保持テーブル３２は、ウェーハ１１の円形凹部１５及び環状凸部１３の高さの差のばらつきに対応しながらウェーハ１１を適切に保持できる。
【0047】
保持テーブル３２の高さは、ウェーハ１１を保持面３４に載せたとき、ウェーハ１１の表面１１ａと、下チャンバー６の第２開口１４と、の高さが略同一となるように調整されている。または、保持テーブル３２の高さは、ウェーハ１１の表面１１ａよりも下チャンバー６の第２開口１４の方が高くなるように調整されている。
【0048】
上チャンバー４の天井または側壁には、排気部２４が接続されている。排気部２４は、一端が上チャンバー４の第１凹部８に接続され、他端が第１減圧ユニット２０に接続された排気路である。排気部２４の排気路には、上チャンバー４及び第１減圧ユニット２０の接続状態を切り替える第１電磁弁２８（例えば、ソレノイドバルブ）が設けられている。すなわち、第１電磁弁２８を作動させると、上チャンバー４及び第１減圧ユニット２０が接続された接続状態と、互いに切り離された分断状態と、を切り替えられる。
【0049】
下チャンバー６の底壁または側壁には、排気部２６が接続されている。排気部２６は、一端が下チャンバー６の第２凹部１０に接続され、他端が第２減圧ユニット２２に接続された排気路である。排気部２６の排気路には、下チャンバー６及び第２減圧ユニット２２の接続状態を切り替える第２電磁弁３０（例えば、ソレノイドバルブ）が設けられている。すなわち、第２電磁弁３０を作動させると、下チャンバー６及び第２減圧ユニット２２が接続された接続状態と、互いに切り離された分断状態と、を切り替えられる。
【0050】
第１電磁弁２８を作動させて第１減圧ユニット２０及び上チャンバー４を接続すると、上チャンバー４の内部空間１６を減圧できる。また、第２電磁弁３０を作動させて第２減圧ユニット２２及び下チャンバー６を接続すると、下チャンバー６の内部空間１８を減圧できる。
【0051】
熱圧着装置２は、保持テーブル３２に載せられたウェーハ１１、及び、ウェーハ１１に載せられたシート２７を加熱する加熱ユニットを備える。例えば、保持テーブル３２の内部には、加熱ユニットとして機能できるヒーター３６が配設されている。ヒーター３６は、例えば、電熱線である。ヒーター３６を作動させると、ウェーハ１１が加熱されるとともに、ウェーハ１１を通じてシート２７が加熱される。
【0052】
ただし、熱圧着装置２が備える加熱ユニットはこれに限定されない。例えば、上チャンバー４の第１凹部８には、上チャンバー４の内部空間１６に熱風を供給する加熱ユニット（不図示）が設けられてもよい。加熱ユニットは、例えば、空気の流れを生じさせる送風機と、空気を加熱できるヒーターと、を備える。保持テーブル３２にウェーハ１１を載せ、ウェーハ１１の上にシート２７を配設し、加熱ユニットからシート２７に熱風を供給すると、シート２７を加熱できる。
【0053】
次に、本実施形態に係るウェーハの加工方法において、ウェーハ１１の環状凸部１３の除去に使用される切削装置について説明する。図７（Ａ）には、切削装置を模式的に示す斜視図が含まれており、図７（Ｂ）には、切削装置を模式的に示す断面図が含まれている。
【0054】
切削装置３８は、ウェーハ１１（ウェーハユニット３１）を保持する保持テーブル４０と、保持テーブル４０に保持されたウェーハ１１を切削する切削ユニット５０と、を備える。
【0055】
保持テーブル４０は、ウェーハ１１の表面１１ａと同程度の大きさの円形の上面を有する多孔質部材４４と、多孔質部材４４を収容して上方に露出させる枠体４２と、を備える。枠体４２は、多孔質部材４４を収容する収容凹部を上面に有する。枠体４２の内部には、一端が多孔質部材４４に接続され、他端がエジェクタ等の吸引源（不図示）に接続された吸引路（不図示）が形成されている。
【0056】
ウェーハ１１（ウェーハユニット３１）を保持テーブル４０に載せ、吸引源を作動させると、吸引路及び多孔質部材４４を通じてウェーハ１１に負圧が作用する。すなわち、シート２７を介してウェーハ１１が保持テーブル４０に吸引保持される。そして、保持テーブル４０の上面が保持面４６となる。
【0057】
また、保持テーブル４０にはモータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、回転駆動源は保持テーブル４０を保持面４６に概ね平行な回転軸の周りで回転させる。さらに、保持テーブル４０の周囲には、シート２７を介してウェーハ１１を支持する環状フレーム２９を把持して固定する複数のクランプ４８が設けられてもよい。
【0058】
保持テーブル４０の上方には、ウェーハ１１を切削する切削ユニット５０が配設されている。切削ユニット５０は、保持テーブル４０の保持面４６に概ね平行な方向に沿って配置された円筒状のスピンドル５４を備える。スピンドル５４の先端部（一端側）には、ウェーハ１１を切削する環状の切削ブレード５６が装着される。
【0059】
また、スピンドル５４の基端部（他端側）はスピンドルハウジング５２に回転可能に収容されている。スピンドルハウジング５２にはモータ等の回転駆動源（不図示）が収容されており、スピンドル５４の基端部にはこの回転駆動源（不図示）が連結されている。回転駆動源からスピンドル５４を介して伝達される動力により、切削ブレード５６が回転する。
【0060】
スピンドル５４の先端に装着された切削ブレード５６としては、例えばハブタイプの切削ブレード（ハブブレード）が用いられる。ハブブレードは、金属等でなる環状の基台と、基台の外周縁に沿って形成された環状の切刃５８とが一体となって構成される。また、ハブタイプの切削ブレードの切刃５８は、ダイヤモンド等でなる砥粒がニッケルめっき層等の結合材によって固定された電鋳砥石によって構成される。
【0061】
ただし、切削ブレード５６として、ワッシャータイプの切削ブレード（ワッシャーブレード）を用いることもできる。ワッシャーブレードは、砥粒が金属、セラミックス、樹脂等でなる結合材によって固定された環状の切刃５８によって構成される。いずれにせよ、切削ブレード５６は、環状の切刃５８によりウェーハ１１を切削できる。
【0062】
切削ユニット５０は図示しない移動ユニットに接続されており、切削ブレード５６がウェーハ１１を切り込む位置を調整できる。また、切削ユニット５０は図示しない昇降ユニットに接続されており、環状の切刃５８の下端の高さ位置を変更できる。
【0063】
次に、本実施形態に係るウェーハの加工方法において、ウェーハ１１から切り離された環状凸部１３をシート２７から除去する除去ユニットについて説明する。図８（Ｂ）には、除去ユニット６０を模式的に示す断面図が含まれている。図８（Ａ）には、除去ユニット６０の一部の構成を模式的に示す斜視図が含まれている。
【0064】
除去ユニット６０は、高さ方向に略平行に配置された円柱状の腕部６２を有する。腕部６２は、例えば、各々ボールねじ式の高さ方向移動機構（不図示）及び水平方向移動機構（不図示）により、高さ方向及び水平方向に沿って移動可能である。
【0065】
腕部６２の下端部には、円板状のベース板６４の中央部が、腕部６２に対して回転可能に連結されている。腕部６２には、モータ等の回転駆動源（不図示）が内蔵されている。回転駆動源は、ベース板６４を所定の方向に回転させる。
【0066】
ベース板６４の上部には、複数の除去用爪ユニット６６が設けられている。各除去用爪ユニット６６は、直動機構６８を有する。直動機構６８は、進退ロッド７０を進退させるボールねじ機構（不図示）を含む。
【0067】
進退ロッド７０は、直動機構６８のガイド部に対してスライド可能に連結されたナット部（不図示）を含む。ナット部は、直動機構６８のボールねじ（不図示）に回転可能に連結されている。ナット部を直動機構６８で進退させることで、進退ロッド７０は、その長手方向に沿って進退する。本実施形態では、複数の進退ロッド７０が設けられている。複数の進退ロッド７０のそれぞれの位置は、腕部６２を中心とした点対称形とされる。
【0068】
進退ロッド７０の先端部には、直方体状の移動ブロック７２の長手方向の一端部（基端部）が固定されている。進退ロッド７０は、進退ロッド７０の長手方向と、移動ブロック７２の長手方向とが、水平面内で直交する様に、移動ブロック７２に固定されている。
【0069】
移動ブロック７２の他端部（先端部）には、垂直下方に延びる態様で円柱状の回転軸用ロッド７４が固定されている。回転軸用ロッド７４の下端部には、ベアリング７６を介して、除去用爪７８が回転可能に連結されている。
【0070】
除去用爪７８は、各々円板状の上爪７８ａ及び下爪７８ｂと、上爪７８ａ及び下爪７８ｂの中心部を接続する円柱状の接続部７８ｃと、を有する。上爪７８ａ及び下爪７８ｂは、接続部７８ｃを介して固定されている。
【0071】
本実施形態では、図８（Ａ）に示すように３つの除去用爪７８がベース板６４の周方向に沿って略等間隔に互いに離れて配置されており、環状凸部１３をシート２７から剥離し、剥離後の環状凸部１３を三点で支持するために、３つの下爪７８ｂが利用される。ただし、除去ユニット６０において除去用爪７８等の数は３に限定されず、除去ユニット６０は除去用爪７８等を４以上の数で有してもよい。
【0072】
次に、本実施形態に係るウェーハの加工方法の各ステップについて詳述する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、例えば、ウェーハ１１を分割してデバイスチップを形成するデバイスチップの製造方法の一部として実施される。図９は、ウェーハの加工方法（デバイスチップの製造方法）の各ステップの流れを示すフローチャートである。以下、本実施形態に係るウェーハの加工方法について説明するが、以下の説明はデバイスチップの製造方法の各ステップの説明でもある。
【0073】
本実施形態に係るウェーハの処理方法では、まず、ウェーハユニット形成ステップＳ１０を実施する。ウェーハユニット形成ステップＳ１０では、ウェーハ１１の表面１１ａに糊層を備えないシート２７を固定するとともにシート２７の外周部分に環状フレーム２９を固定することによってウェーハユニット３１を形成する。以下、ウェーハユニット形成ステップＳ１０について、段階に分けて説明する。
【0074】
図２（Ｂ）は、ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第１段階における熱圧着装置２及びウェーハ１１を模式的に示す断面図である。ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第１段階では、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を下方に向け、保持テーブル３２の上方にウェーハ１１を移動させ、ウェーハ１１の裏面１１ｂを保持テーブル３２の保持面３４に対面させる。
【0075】
そして、ウェーハ１１を保持テーブル３２の保持面３４上に載せ、保持テーブル３２の吸引源を作動させてウェーハ１１を保持テーブル３２で吸引保持する。より詳細には、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の円形凹部１５を保持テーブル３２の円形凸部３４ａに載せ、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の環状凸部１３を保持テーブル３２の環状支持部３４ｂに載せ、ウェーハ１１を保持テーブル３２で吸引保持する。このとき、シート２７が熱圧着される面となる表面１１ａが上方に露出される。
【0076】
次に、ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第２段階として、シート２７を熱圧着装置２の上チャンバー４及び下チャンバー６で挟み、上チャンバー４の内部空間１６と、下チャンバー６の内部空間１８と、を密閉する。図３（Ａ）は、ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第２段階における熱圧着装置２を模式的に示す断面図である。
【0077】
なお、シート２７の外周部には、予め環状フレーム２９（図５等参照）が固定されてもよい。シート２７の環状フレーム２９への固定は、シート２７を加熱し環状フレーム２９に押圧する熱圧着により実施される。または、シート２７の環状フレーム２９への熱圧着は、ウェーハ１１のシート２７への熱圧着と同時に実施されてもよい。
【0078】
また、接着材を環状フレーム２９及びシート２７で挟み、接着材で環状フレーム２９及びシート２７を接着することでシート２７を環状フレーム２９に固定してもよい。または、シート２７は、外周部にのみ糊層を備え、糊層により環状フレーム２９に貼着されてもよい。
【0079】
ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第２段階では、ウェーハ１１を収容できる開口部２９ａを中央に有する環状フレーム２９と、環状フレーム２９に外周部が固定されたシート２７と、を有するフレームユニットを下チャンバー６に載せる。このとき、下チャンバー６の第２開口１４がシート２７により塞がれる。なお、このときに環状フレーム２９と、第１開口１２及び第２開口１４と、が重ならないように環状フレーム２９の位置が調整される。
【0080】
そして、上チャンバー４を下降させて、ウェーハユニット３１のシート２７を環状フレーム２９の開口部２９ａの内側において第１凹部８の第１開口１２及び第２凹部１０の第２開口１４で挟み、第１凹部８及び第２凹部１０を閉じる。このとき、上チャンバー４の内部空間１６は、シート２７と、第１凹部８と、により密閉される。また、下チャンバー６の内部空間１８は、シート２７と、第２凹部１０と、により密閉される。
【0081】
次に、ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第３段階として、第１凹部８を第１減圧ユニット２０で減圧するとともに、第２凹部１０を第２減圧ユニット２２で減圧する。図３（Ｂ）は、ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第３段階における熱圧着装置２を模式的に示す断面図である。
【0082】
ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第３段階では、第１電磁弁２８を作動させて、第１減圧ユニット２０及び上チャンバー４を接続する。すると、第１減圧ユニット２０により上チャンバー４の第１凹部８の内部空間１６が排気部２４を通じて排気され、内部空間１６が減圧される。そして、第２電磁弁３０を作動させて、第２減圧ユニット２２及び下チャンバー６を接続する。すると、第２減圧ユニット２２により下チャンバー６の第２凹部１０の内部空間１８が排気部２６を通じて排気され、内部空間１８が減圧される。
【0083】
次に、ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第４段階として、第１凹部８の圧力を上昇させ、シート２７をウェーハ１１の表面１１ａに接触させる。例えば、シート２７の上下の圧力差を利用してシート２７をウェーハ１１に押圧して接触させる。図４は、ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第４段階における熱圧着装置２を模式的に示す断面図である。
【0084】
ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第４段階では、まず、第１減圧ユニット２０による上チャンバー４の減圧を停止する。すなわち、第１電磁弁２８を作動させて第１減圧ユニット２０及び上チャンバー４の接続を解除する。このとき、第２電磁弁３０は作動させずに、第２減圧ユニット２２及び下チャンバー６の接続は維持しておく。この場合、上チャンバー４の内部空間１６の圧力が徐々に上昇する。
【0085】
また、熱圧着装置２は、排気部２４等を通じて上チャンバー４を外気に接続できてもよい。この場合、上チャンバー４を外気に接続すると、内部空間１６に急速に空気が流入して上チャンバー４の内部空間１６の圧力が急速に上昇する。
【0086】
上チャンバー４の内部空間１６の圧力が下チャンバー６の内部空間１８の圧力よりも高くなると、内部空間１６及び内部空間１８の間で両者を分離するシート２７には下方に向いた力がかかる。すると、シート２７がウェーハ１１の表面１１ａに向けて押圧される。
【0087】
ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第４段階では、シート２７が下方に押圧されてウェーハ１１の表面１１ａに接触する。または、ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第４段階の開始時点ですでにシート２７がウェーハ１１の表面１１ａに接触しており、この第４段階においてシート２７がウェーハ１１に向けて押圧される。
【0088】
ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第４段階が完了したとき、シート２７とウェーハ１１の間には互いを固定するために十分な大きさの力が働いていない。そこで、シート２７をウェーハ１１に固定するために、シート２７を加熱してシート２７をウェーハ１１の表面１１ａに熱圧着する。
【0089】
次に、ウェーハユニット形成ステップＳ１０の第５段階として、熱圧着装置２の加熱ユニットを作動させてシート２７を加熱する。例えば、熱圧着装置２が加熱ユニットとしてヒーター３６を有する場合、ヒーター３６を作動させてウェーハ１１とともにシート２７を加熱する。
【0090】
第１凹部８の内部空間１６と、第２凹部１０の内部空間１８と、の圧力差によりシート２７がウェーハ１１に向けて押圧されている状態でシート２７がその融点近傍の温度にまで加熱されると、シート２７がウェーハ１１に熱圧着される。シート２７を熱圧着した後は、加熱ユニット（ヒーター３６）を停止させ、シート２７の加熱を停止する。
【0091】
なお、熱圧着を実施する際にシート２７は、好ましくは、その融点以下の温度に加熱される。加熱温度が融点を超えると、シート２７が溶解してシートの形状を維持できなくなる場合があるためである。また、シート２７は、好ましくは、その軟化点以上の温度に加熱される。加熱温度が軟化点に達していなければ熱圧着を適切に実施できないためである。すなわち、シート２７は、その軟化点以上でかつその融点以下の温度に加熱されるのが好ましい。
【0092】
さらに、一部のシート２７は、明確な軟化点を有しない場合もある。そこで、熱圧着を実施する際にシート２７は、好ましくは、その融点よりも２０℃低い温度以上でかつその融点以下の温度に加熱される。
【0093】
例えば、シート２７として使用されるポリオレフィン系シートがポリエチレンシートである場合、加熱温度は１２０℃～１４０℃とされるのが好ましい。また、ポリオレフィン系シートがポリプロピレンシートである場合、加熱温度は１６０℃～１８０℃とされるのが好ましい。さらに、ポリオレフィン系シートがポリスチレンシートである場合、加熱温度は２２０℃～２４０℃とされるのが好ましい。
【0094】
さらに、例えば、シート２７として使用されるポリエステル系シートがポリエチレンテレフタレートシートである場合、加熱温度は２５０℃～２７０℃とされる。また、該ポリエステル系シートがポリエチレンナフタレートシートである場合、加熱温度は１６０℃～１８０℃とされる。ただし、シート２７の加熱温度はこれらに限定されない。
【0095】
加熱ユニットを停止させてシート２７の加熱を停止し、第２電磁弁３０を作動させて第２減圧ユニット２２及び下チャンバー６の接続を解除し、下チャンバー６の内部空間１８の圧力を大気圧に戻した後、上チャンバー４を上昇させる。すると、図５に示す通り、シート２７と、ウェーハ１１と、環状フレーム２９と、が一体化されたウェーハユニット３１が得られる。以上により、ウェーハユニット形成ステップＳ１０が完了する。
【0096】
本実施形態に係るウェーハの処理方法では、ウェーハユニット形成ステップＳ１０の後に、シート２７を介して切削装置３８の保持テーブル４０でウェーハ１１を保持する保持ステップＳ２０を実施する。図６（Ａ）は、保持ステップＳ２０におけるウェーハユニット３１を模式的に示す斜視図であり、図６（Ｂ）は、保持ステップＳ２０におけるウェーハユニット３１を模式的に示す断面図である。
【0097】
保持ステップＳ２０では、熱圧着装置２からウェーハユニット３１を搬出し、ウェーハユニット３１を切削装置３８の保持テーブル４０に載せる。このとき、ウェーハ１１の表面１１ａ側を保持面４６に向け、保持面４６の中心と、ウェーハ１１の表面１１ａの中心と、が重なるようにウェーハ１１の位置を調整する。
【0098】
その後、保持テーブル４０の吸引源（不図示）を作動させ、シート２７を介して保持テーブル４０でウェーハ１１を吸引保持する。また、保持テーブル４０の外周側に配置されたクランプ４８により、ウェーハユニット３１の環状フレーム２９を把持する。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側が上方に露出する。
【0099】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、保持ステップＳ２０の後に、ウェーハ１１の円形凹部１５に分断溝を形成し、ウェーハ１１から環状凸部１３を分離する分断ステップＳ３０を実施する。図７（Ａ）は、分断ステップＳ３０における切削装置３８を模式的に示す斜視図であり、図７（Ｂ）は、分断ステップＳ３０における切削装置３８を模式的に示す断面図である。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）には、ウェーハ１１に形成される分断溝３３が模式的に示されている。
【0100】
ウェーハ１１の分断溝３３が形成される位置は、円形凹部１５の中心を中心とする円形の領域に設定される。特に、分断溝３３が形成される位置は、図１（Ａ）に示される環状凸部１３と円形凹部１５の間の段差部１７に切刃５８が切り込まないように調整される。分断ステップＳ３０においては、まず、切削ユニット５０を移動させることにより、切削ブレード５６の切刃５８は、分断溝３３が形成される領域の上方に位置付けられる。
【0101】
次に、スピンドルハウジング５２の内部に設けられた回転駆動源を作動させて切削ブレード５６の回転を開始し、切削ユニット５０を下降させて切刃５８をウェーハ１１に切り込ませる。そして、切刃５８の下端がシート２７に到達する高さ位置まで切削ユニット５０を下降させ、保持テーブル４０の回転を開始する。そして、保持テーブル４０が１回転以上するとウェーハ１１に円形の分断溝３３が形成され、環状凸部１３がウェーハ１１から切り離される。換言すると、環状凸部１３と円形凹部１５が分断される。
【0102】
なお、切削ユニット５０でウェーハ１１を切削すると、ウェーハ１１や切削ブレード５６の切刃５８から切削屑と摩擦熱が発生する。そのため、切削ブレード５６がウェーハ１１に切り込む際には、純水等で構成される切削水が切削ブレード５６及びウェーハ１１に供給される。そして、ウェーハ１１の切削により発生した切削屑と摩擦熱は、切削水に取り込まれて除去される。
【0103】
ここで、本実施形態に係るウェーハの加工方法とは異なり、シート２７に代えて糊層を備えるダイシングテープが使用される場合、切削屑を取り込んだ切削水がダイシングテープに到達したときに、切削屑が糊層に付着することがある。この場合、その後の工程においてダイシングテープから切削屑が分離することがあり、切削屑がウェーハ１１に到達して付着することもある。ウェーハ１１に切削屑が付着すると、ウェーハ１１から形成されるデバイスチップの品質が低下するため、問題となる。
【0104】
これに対して、本実施形態に係るウェーハの加工方法では、シート２７は糊層を備えない。そのため、切削屑を取り込んだ切削水がシート２７に到達しても、切削屑がシート２７に付着しにくい。また、切削屑がシート２７に付着した場合でも、切削屑はシート２７から容易に除去される。そのため、シート２７からウェーハ１１への切削屑の転移も生じにくく、切削屑によるデバイスチップの品質低下も生じにくい。
【0105】
本実施形態に係るウェーハの加工方法では、分断ステップＳ３０の後に、ウェーハ１１から切り離された環状凸部１３をシート２７から除去する除去ステップＳ４０を実施する。図８（Ａ）は、除去ステップＳ４０におけるウェーハユニット３１を模式的に示す斜視図であり、図８（Ｂ）は、除去ステップＳ４０におけるウェーハユニット３１及び除去ユニット６０を模式的に示す断面図である。
【0106】
図８（Ｂ）には、除去ステップＳ４０でシート２７から除去される際の環状凸部１３を模式的に示す断面図が含まれている。環状凸部１３がウェーハ１１から切り離された後、環状凸部１３を引き上げてシート２７から引き剥がす。すると、ウェーハ１１の円形凹部１５であった部分がシート２７上に残る。すなわち、環状凸部１３が除去されたウェーハ１１と、シート２７と、環状フレーム２９と、が一体化されたウェーハユニット３１が得られる。その後、ウェーハ１１を分割すると、個々のデバイスチップが得られる。
【0107】
除去ステップＳ４０は、例えば、除去ユニット６０の機能により遂行される。除去ユニット６０は、例えば、切削装置３８に組み込まれている。ただし、除去ユニット６０は切削装置３８に組み込まれていなくてもよく、除去ステップＳ４０は、切削装置３８の外部で実施されてもよい。以下、切削装置３８に除去ユニット６０が組み込まれており、保持テーブル４０上で除去ユニット６０により除去ステップＳ４０が実施される場合を例に除去ステップＳ４０について説明する。
【0108】
例えば、除去ステップＳ４０は、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示されるように、分断ステップＳ３０に引き続き保持テーブル４０上で実施される。除去ステップＳ４０では、まず、除去ユニット６０のベース板６４をウェーハ１１の上方に配置する。そして、除去用爪７８がウェーハ１１よりも外側に位置する様に、除去用爪７８を外側に突出させた状態で、ベース板６４を下降させる。
【0109】
除去用爪７８の下爪７８ｂがシート２７と環状凸部１３との境界に位置するまで、腕部６２を下降させた後、下降を止める。次いで、除去用爪７８をベース板６４の内側に向けて移動させる。このとき、下爪７８ｂを、例えば、ウェーハ１１の外周縁から１．６ｍｍだけ内側に移動させる。除去ステップＳ４０では、複数の除去用爪７８がウェーハ１１の周方向に沿って略均等に互いに離れて配置された状態で、シート２７と環状凸部１３との境界に除去用爪７８が挿入される。
【0110】
次に、腕部６２を回転軸としてベース板６４を回転させることで、複数の除去用爪７８をウェーハ１１の外周に沿って回転させながら、腕部６２及びベース板６４を上昇させることで、複数の除去用爪７８を上方に移動させる。なお、除去用爪７８の回転速度は、例えば、１０°／ｓとし、１４秒かけて各除去用爪７８を１４０°回転させる。また、除去用爪７８の上昇速度は、例えば、０．１４ｍｍ／ｓとする。環状凸部１３がシート２７から離れることで、環状凸部１３はシート２７（ウェーハユニット３１）から除去される。
【0111】
本実施形態では、この様に、複数の除去用爪７８をウェーハ１１の周りに回転移動させる動作と、複数の除去用爪７８を上方に移動させる動作とを、合せて行うので、各動作を個別に行う場合に比べて、環状凸部１３をシート２７から除去するのに要する時間を短縮できる。
【0112】
加えて、除去用爪７８の回転移動に伴い、環状凸部１３をシート２７から離れる所定方向に移動させるので、環状凸部１３がシート２７に再付着することがないというメリットがある。
【0113】
また、除去用爪７８は、下爪７８ｂに加えて、上爪７８ａを有する。シート２７から剥がれた環状凸部１３は、勢いよく上昇することがあるが、上爪７８ａを設けることで、環状凸部１３の上昇を上爪７８ａと下爪７８ｂとの範囲に留めることができる。これにより、環状凸部１３の落下を防止できる。
【0114】
なお、このように環状凸部１３をシート２７から除去する際、稀に環状凸部１３に過剰な負荷がかかり、環状凸部１３に割れや欠けが生じることがある。そして、生じた屑や破片等がウェーハユニット３１のウェーハ１１と、環状フレーム２９と、の間でシート２７に落下することがある。
【0115】
しかしながら、シート２７は糊層を備えないため、屑や破片等がシート２７に貼り付くことがない。例えば、ウェーハユニット３１を洗浄装置等で洗浄した際に、このような屑や破片等は極めて容易に除去され、シート２７に残らない。
【0116】
また、そもそも、糊層により粘着テープに強力に貼着されている場合とは異なり、糊層を備えないシート２７に固定されている場合には環状凸部１３の除去は比較的容易となる。そのため、除去される環状凸部１３に大きな力がかかることがなく、破損も起きにくく破片が生じにくい。そのため、ウェーハ１１が分割されて形成されたデバイスチップに後に破片が飛散して付着することがなく、デバイスチップの品質低下が防止される。
【0117】
さらに、シート２７からの環状凸部の除去のためにシート２７に紫外線を照射する必要もなく、紫外線が照射されることを前提としてウェーハ１１の表面１１ａのデバイス形成に使用する領域を狭める必要もない。したがって、デバイスチップの生産性も高まる。
【0118】
なお、上記実施形態では、分断ステップＳ３０において、切削ブレード５６が装着された切削装置３８を使用してウェーハ１１に分断溝３３を形成する場合について説明したが、本発明の一態様はこれに限定されない。すなわち、分断ステップＳ３０では、ウェーハ１１にレーザービームを照射してウェーハ１１をレーザー加工できるレーザー加工装置（不図示）が使用されてもよい。
【0119】
例えば、ウェーハ１１に吸収される波長成分を含むレーザービームをウェーハ１１における分断溝３３の形成が予定された領域に照射し、ウェーハ１１をアブレーション加工する。または、ウェーハ１１を透過する波長成分を含むレーザービームをウェーハ１１における分断溝３３の形成が予定された領域に集光し、当該領域に沿った改質層をウェーハ１１に形成し、改質層を分断起点としてウェーハ１１を分断する。
【0120】
これらの場合においても、本発明の一態様に係るウェーハの加工方法によると、ウェーハ１１のウェーハ１１から切除された環状凸部１３をシート２７から容易に除去できる。この際、環状凸部１３に大きな負荷がかかることはなく、環状凸部１３に破損等が生じて破片がシート２７に落下しても、破片が容易にシート２７から除去される。そのため、後に破片がデバイスチップに付着することはなく、高品質なデバイスチップが形成される。
【0121】
その他、上述の実施形態及び変形例に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。上述の実施形態及び変形例を、適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【0122】
１１ ウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 環状凸部
１５ 円形凹部
１７ 段差部
１９ 分割予定ライン
２１ デバイス
２３ 外周余剰領域
２５ デバイス形成領域
２７ シート
２９ 環状フレーム
２９ａ 開口部
３１ ウェーハユニット
３３ 分断溝
２ 熱圧着装置
４ 上チャンバー
６ 下チャンバー
８ 第１凹部
１０ 第２凹部
１２ 第１開口
１４ 第２開口
１６，１８ 内部空間
２０ 第１減圧ユニット
２２ 第２減圧ユニット
２４ 排気部
２６ 排気部
２８ 第１電磁弁
３０ 第２電磁弁
３２ 保持テーブル
３４ 保持面
３４ａ 円形凸部
３４ｂ 環状支持部
３６ ヒーター
３８ 切削装置
４０ 保持テーブル
４２ 枠体
４４ 多孔質部材
４６ 保持面
４８ クランプ
５０ 切削ユニット
５２ スピンドルハウジング
５４ スピンドル
５６ 切削ブレード
５８ 切刃
６０ 除去ユニット
６２ 腕部
６４ ベース板
６６ 除去用爪ユニット
６８ 直動機構
７０ 進退ロッド
７２ 移動ブロック
７４ 回転軸用ロッド
７６ ベアリング
７８ 除去用爪
７８ａ 上爪
７８ｂ 下爪
７８ｃ 接続部
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１３ 環状凸部
１５ 円形凹部
１７ 段差部
１９ 分割予定ライン
２１ デバイス
２３ 外周余剰領域
２５ デバイス形成領域
２７ シート
２９ 環状フレーム
２９ａ 開口部
３１ ウェーハユニット
３３ 分断溝
２ 熱圧着装置
４ 上チャンバー
６ 下チャンバー
８ 第１凹部
１０ 第２凹部
１２ 第１開口
１４ 第２開口
１６，１８ 内部空間
２０ 第１減圧ユニット
２２ 第２減圧ユニット
２４ 排気部
２６ 排気部
２８ 第１電磁弁
３０ 第２電磁弁
３２ 保持テーブル
３４ 保持面
３４ａ 円形凸部
３４ｂ 環状支持部
３６ ヒーター
３８ 切削装置
４０ 保持テーブル
４２ 枠体
４４ 多孔質部材
４６ 保持面
４８ クランプ
５０ 切削ユニット
５２ スピンドルハウジング
５４ スピンドル
５６ 切削ブレード
５８ 切刃
６０ 除去ユニット
６２ 腕部
６４ ベース板
６６ 除去用爪ユニット
６８ 直動機構
７０ 進退ロッド
７２ 移動ブロック
７４ 回転軸用ロッド
７６ ベアリング
７８ 除去用爪
７８ａ 上爪
７８ｂ 下爪
７８ｃ 接続部
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】