特開 2024-168968 被加工物の研削方法

(19)【発行国】日本国特許庁(JP)

(12)【公報種別】公開特許公報(A)

(11)【公開番号】P2024168968

(43)【公開日】2024-12-05

(54)【発明の名称】被加工物の研削方法

(51)【国際特許分類】

   B24B 7/04 20060101AFI20241128BHJP

   H01L 21/304 20060101ALI20241128BHJP

   B24B 19/02 20060101ALI20241128BHJP

   B24B 41/06 20120101ALI20241128BHJP

【ＦＩ】

B24B7/04 A

H01L21/304 631

H01L21/304 601Z

B24B19/02

B24B41/06 L

【審査請求】未請求

【請求項の数】5

【出願形態】ＯＬ

(21)【出願番号】P 2023086065

(22)【出願日】2023-05-25

(71)【出願人】

【識別番号】000134051

【氏名又は名称】株式会社ディスコ

(74)【代理人】

【識別番号】110001014

【氏名又は名称】弁理士法人東京アルパ特許事務所

(72)【発明者】

【氏名】小鮒 勇吾

(72)【発明者】

【氏名】佐竹 海音

【テーマコード（参考）】

3C034

3C043

3C049

5F057

【Ｆターム（参考）】

3C034AA08

3C034BB73

3C034DD10

3C043BA03

3C043BA09

3C043BA12

3C043BA15

3C043BA16

3C043CC04

3C043CC13

3C043DD02

3C043DD04

3C043DD05

3C049AA03

3C049AA14

3C049AA16

3C049AB04

3C049CB01

5F057AA11

5F057AA25

5F057BA15

5F057BB03

5F057BB06

5F057CA13

5F057CA14

5F057CA16

5F057DA08

5F057DA11

5F057DA17

5F057DA22

5F057EB20

5F057FA13

5F057FA39

(57)【要約】

【課題】薄膜が形成されたウェーハを安定的に研削する。
【解決手段】ウェーハ１００の半導体基板１０１における裏面１０３に環状の溝１２０を形成した後、裏面１０３を研削する。このため、研削の際、研削ホイール２８の下面を、環状の溝１２０によってドレスすることができる。したがって、半導体基板１０１の裏面１０３および外周端部の薄膜１０５を研削する際に、研削ホイール２８のコンディションが低下することを、良好に抑制することが可能となる。このため、薄膜１０５が形成されたウェーハ１００を、安定的に研削することが可能である。
【選択図】図５

【特許請求の範囲】

【請求項1】

基板と、該基板の第１面にエピタキシャル成長によって形成された該基板とは異なる材質の薄膜とを有する被加工物の該基板の第２面を研削する被加工物の研削方法であって、
該被加工物における該基板の該第２面に環状の溝を形成することを含む溝形成ステップと、
研削ホイールの回転軌跡を、該被加工物の回転軸と重なる位置に位置付けた状態で、回転する該研削ホイールと回転する該被加工物の該基板における該第２面とを相対的に接近させ、該研削ホイールによって該基板の該第２面を少なくとも該溝の深さ以上研削し、該被加工物を所望の仕上げ厚さに研削することを含む研削ステップと、を備えることを特徴とする、
被加工物の研削方法。

【請求項2】

該溝形成ステップの前に実施され、該被加工物における該基板の該第１面側を第１チャックテーブルの第１保持面によって保持する第１保持ステップ、および、
該溝形成ステップの後であって該研削ステップの前に実施され、該被加工物における該基板の該第１面側を、第２チャックテーブルの第２保持面によって保持する第２保持ステップをさらに含んでおり、
該溝形成ステップは、該第１チャックテーブルの該第１保持面に保持されている該被加工物に対して実施されるとともに、
該研削ステップは、該第２チャックテーブルの該第２保持面に保持されている該被加工物に対して実施される、
請求項１に記載の被加工物の研削方法。

【請求項3】

該基板はシリコンから形成され、該薄膜は窒化ガリウムから形成されている、
請求項１記載の被加工物の研削方法。

【請求項4】

該研削ステップは、回転する該研削ホイールにおける該被加工物の中心から外周端部に向かって移動する部分を、該被加工物の該基板における該第２面に接触させることを含む、
請求項１～３のいずれかに記載の被加工物の研削方法。

【請求項5】

該研削ステップは、回転する該研削ホイールにおける該被加工物の外周端部から中心に向かって移動する部分を、該被加工物の該基板における該第２面に接触させることを含む、
請求項１～３のいずれかに記載の被加工物の研削方法。

【発明の詳細な説明】

【技術分野】

【0001】

本発明は、被加工物の研削方法に関する。

【背景技術】

【0002】

半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ表面に格子状にストリートが形成され、ストリートによって区画された領域に、ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成される。これらのウェーハは、裏面が研削されて所定の厚みへと薄化された後、ストリートに沿って切削装置等によって分割される。これにより、個々の半導体デバイスチップが製造される。

【先行技術文献】

【特許文献】

【0003】

【特許文献1】特開２０１４－１２４６９０号公報

【発明の概要】

【発明が解決しようとする課題】

【0004】

ところで、研削されるウェーハの表面に、エピタキシャル成長によって、該ウェーハとは異なる結晶の薄膜が形成されることがある。エピタキシャル成長では、薄膜は、ウェーハの表面だけでなく、ウェーハの外周端部にも回り込むように形成される。したがって、ウェーハの裏面を研削する際に、ウェーハの外周端部に形成された薄膜も、同時に研削されることとなる。

【0005】

この研削では、ウェーハおよび薄膜という２種類の材質を含む被加工物を研削することとなるため、研削の難易度があがる。例えば、シリコンウェーハに窒化ガリウムの薄膜を形成した場合、窒化ガリウムが硬質材料であるため、研削ホイールの目つぶれおよび目こぼれが発生する可能性がある。

【0006】

したがって、本発明の目的は、エピタキシャル成長によってウェーハの外周端部まで薄膜が形成されたウェーハを、安定的に研削する手法を確立することにある。

【課題を解決するための手段】

【0007】

本発明の被加工物の研削方法（本研削方法）は、基板と、該基板の第１面にエピタキシャル成長によって形成された該基板とは異なる材質の薄膜とを有する被加工物の該基板の第２面を研削する被加工物の研削方法であって、該被加工物における該基板の該第２面に環状の溝を形成することを含む溝形成ステップと、研削ホイールの回転軌跡を、該被加工物の回転軸と重なる位置に位置付けた状態で、回転する該研削ホイールと回転する該被加工物の該基板における該第２面とを相対的に接近させ、該研削ホイールによって該基板の該第２面を少なくとも該溝の深さ以上研削し、該被加工物を所望の仕上げ厚さに研削することを含む研削ステップと、を備えることを特徴とする。

【0008】

また、本研削方法は、該溝形成ステップの前に実施され、該被加工物における該基板の該第１面側を第１チャックテーブルの第１保持面によって保持する第１保持ステップ、および、該溝形成ステップの後であって該研削ステップの前に実施され、該被加工物における該基板の該第１面側を、第２チャックテーブルの第２保持面によって保持する第２保持ステップをさらに含んでいてもよく、該溝形成ステップは、該第１チャックテーブルの該第１保持面に保持されている該被加工物に対して実施されてもよいとともに、該研削ステップは、該第２チャックテーブルの該第２保持面に保持されている該被加工物に対して実施されてもよい。

【0009】

また、本研削方法では、該基板はシリコンから形成されていてもよく、該薄膜は窒化ガリウムから形成されていてもよい。

【0010】

また、本研削方法では、該研削ステップは、回転する該研削ホイールにおける該被加工物の中心から外周端部に向かって移動する部分を、該被加工物の該基板における該第２面に接触させることを含んでいてもよい。

【0011】

また、本研削方法では、該研削ステップは、回転する該研削ホイールにおける該被加工物の外周端部から中心に向かって移動する部分を、該被加工物の該基板における該第２面に接触させることを含んでいてもよい。

【発明の効果】

【0012】

本研削方法では、溝形成ステップにおいて被加工物の基板における第２面に環状の溝を形成した後、研削ステップにおいて、この環状の溝が形成された第２面を、研削ホイールによって研削している。このため、研削の際、研削ホイールの下面を、環状の溝によってドレスすることができる。したがって、基板の第２面および薄膜を研削する際に、研削ホイールのコンディションが低下することを、良好に抑制することが可能となる。このため、薄膜が形成された被加工物を、安定的に研削することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【0013】

【図1】ウェーハの構成を示す断面図である。

【図2】図２（ａ）は、第１保持ステップを示す断面図であり、図２（ｂ）は、第１保持ステップを示す斜視図である。

【図3】図３（ａ）は、溝形成ステップを示す説明図であり、図３（ｂ）は、溝形成ステップを示す斜視図である。

【図4】図４（ａ）は、第２保持ステップを示す断面図であり、図４（ｂ）は、第２保持ステップを示す斜視図である。

【図5】図５（ａ）は、研削ステップを示す説明図であり、図５（ｂ）は、研削ステップを示す斜視図である

【図6】内外研削を示す説明図である。

【図7】外内研削を示す説明図である。

【発明を実施するための形態】

【0014】

本実施形態にかかる被加工物の研削方法は、エピタキシャル成長によって形成された薄膜を有する被加工物を安定的に研削する方法である。
図１に示すように、被加工物の一例であるウェーハ１００は、円板状の半導体基板１０１、および、半導体基板１０１に形成された薄膜１０５を有している。
半導体基板１０１は、シリコンからなる半導体基板であり、第１面である表面１０２、および、第２面である裏面１０３を有している。

【0015】

半導体基板１０１の表面１０２には、薄膜１０５が形成されている。薄膜１０５は、表面１０２にエピタキシャル成長によって形成された、半導体基板１０１の材質とは異なる材質（この材質の結晶）からなる薄膜である。本実施形態では、薄膜１０５の材質は、窒化ガリウムである。なお、薄膜１０５は、エピタキシャル成長によって表面１０２に形成されるため、表面１０２をはみ出て半導体基板１０１の外周端部（側面）にまで到達している。

【0016】

また、半導体基板１０１の裏面１０３は、研削加工が施される被加工面となる。すなわち、本実施形態の研削方法は、半導体基板１０１の裏面１０３を研削する方法である。

【0017】

以下に、本実施形態の研削方法のステップについて説明する。

【0018】

〔第１保持ステップ〕
このステップでは、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、ウェーハ１００における半導体基板１０１の表面１０２側を、切削装置１のチャックテーブルである第１チャックテーブル１０の第１保持面１２によって保持する。

【0019】

第１チャックテーブル１０は、ポーラス部材１１と、ポーラス部材１１の上面が露出するようにポーラス部材１１を収容する枠体１３と、を備えている。ポーラス部材１１の上面は、ウェーハ１００を吸引保持する保持面である第１保持面１２である。第１保持面１２は、吸引源（図示せず）に連通されることにより、ウェーハ１００を吸引保持する。
また、第１チャックテーブル１０は、Ｚ軸方向（鉛直方向）に延びる回転軸３０１を中心に回転可能となっている。

【0020】

第１保持ステップでは、作業者あるいは図示しない搬送装置が、第１チャックテーブル１０の第１保持面１２に、第１保持面１２の中心とウェーハ１００の中心とが重なるように、ウェーハ１００における半導体基板１０１の表面１０２側を載置する。そして、第１保持面１２が吸引源に連通されることにより、ウェーハ１００における半導体基板１０１の表面１０２が、薄膜１０５を介して、第１チャックテーブル１０の第１保持面１２によって吸引保持される。

【0021】

〔溝形成ステップ〕
第１保持ステップの後に実施される溝形成ステップは、第１チャックテーブル１０の第１保持面１２に保持されているウェーハ１００に対して実施される。この溝形成ステップでは、ウェーハ１００における半導体基板１０１の裏面１０３に、環状の溝を形成する。すなわち、切削装置１の第１チャックテーブル１０の第１保持面１２に保持されたウェーハ１００の第１チャックテーブル１０の表面１０２に、環状の溝を形成する。

【0022】

図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、切削装置１は、第１チャックテーブル１０に保持されたウェーハ１００を切削する切削機構１５を有している。切削機構１５は、切削ブレード１７、および、切削ブレード１７を水平方向の回転軸３０２を中心に回転させるブレード回転機構１６を有している。また、切削装置１は、切削機構１５の切削ブレード１７と第１チャックテーブル１０との相対位置を調整可能な第１位置調整機構（図示せず）を有している。

【0023】

溝形成ステップでは、第１位置調整機構によって、ウェーハ１００における半導体基板１０１の裏面１０３の溝形成位置に、切削機構１５の切削ブレード１７を配置する。本実施形態では、この溝形成位置は、半導体基板１０１の裏面１０３の、外周端部（外周縁）から所定距離だけ内側の部分である。

【0024】

そして、第１チャックテーブル１０を矢印４０１に示すように回転させるとともに、ブレード回転機構１６によって切削ブレード１７を矢印４０２に示すように回転させる。この状態で、第１位置調整機構によって切削ブレード１７を下降させて、半導体基板１０１の裏面１０３の溝形成位置に、切削ブレード１７を切り込ませる。

【0025】

これにより、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、ウェーハ１００における半導体基板１０１の裏面１０３の溝形成位置に、環状の溝１２０が形成される。なお、切削ブレード１７の切り込み深さ、すなわち、環状の溝１２０の深さは、後述の研削ステップにおいてウェーハ１００が研削される量（ウェーハ１００の研削量）以下に設定される。
このような環状の溝１２０が裏面１０３に形成された後、作業者あるいは図示しない搬送装置によって、第１チャックテーブル１０からウェーハ１００が取り外される。

【0026】

〔第２保持ステップ〕
第２保持ステップは、溝形成ステップの後であって研削ステップの前に実施される。このステップでは、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、ウェーハ１００における半導体基板１０１の表面１０２側を、研削装置２のチャックテーブルである第２チャックテーブル２０の第２保持面２２によって保持する。

【0027】

第２チャックテーブル２０は、ポーラス部材２１と、ポーラス部材２１の上面が露出するようにポーラス部材２１を収容する枠体２３と、を備えている。ポーラス部材２１の上面は、ウェーハ１００を吸引保持する保持面である第２保持面２２である。第２保持面２２は、吸引源（図示せず）に連通されることにより、ウェーハ１００を吸引保持する。
また、第２チャックテーブル２０は、Ｚ軸方向（鉛直方向）に延びる回転軸３０３を中心に回転可能となっている。

【0028】

第２保持ステップでは、作業者あるいは図示しない搬送装置が、第２チャックテーブル２０の第２保持面２２に、第２保持面２２の中心とウェーハ１００の中心とが重なるように、ウェーハ１００における半導体基板１０１の表面１０２側を載置する。そして、第２保持面２２が吸引源に連通されることにより、ウェーハ１００における半導体基板１０１の表面１０２が、薄膜１０５を介して、第２チャックテーブル２０の第２保持面２２によって吸引保持される。

【0029】

〔研削ステップ〕
第２保持ステップの後に実施される研削ステップは、第２チャックテーブル２０の第２保持面２２に保持されているウェーハ１００に対して実施される。この研削ステップでは、ウェーハ１００における半導体基板１０１の裏面１０３を、切削装置１の研削機構によって所定の研削量だけ研削する。

【0030】

切削装置１は、図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、研削ホイール２８を備えた研削機構２５を有している。研削機構２５は、Ｚ軸方向に延びる回転軸３０４を中心に図示しないモータによって回転されるスピンドル２６と、スピンドル２６の下端に配置されたマウント２７と、マウント２７に装着された研削ホイール２８とを備えている。研削ホイール２８は、ホイール基台２８１と、ホイール基台２８１の下面に環状に配列された略直方体状の複数の研削砥石２８２とを備えている。

【0031】

また、研削装置２は、研削機構２５と第２チャックテーブル２０との相対位置を調整可能な第２位置調整機構（図示せず）を有している。この第２位置調整機構により、研削機構２５の研削ホイール２８を第２チャックテーブル２０に対して相対的に離接させること、および、ウェーハ１００に対する研削ホイール２８の研削軌跡の位置を調整することができる。

【0032】

このような研削機構２５を用いる研削ステップでは、研削ホイール２８の回転軌跡を、ウェーハ１００の回転軸である回転軸３０３と重なる位置に位置付けた状態で、回転する研削ホイール２８と回転するウェーハ１００の半導体基板１０１における裏面１０３とを相対的に接近させ、研削ホイール２８によって半導体基板１０１の裏面１０３を、少なくとも環状の溝１２０の深さ以上研削し、ウェーハ１００を所望の仕上げ厚さに研削する。

【0033】

具体的には、研削ステップでは、まず、第２位置調整機構を用いて、研削機構２５と第２チャックテーブル２０との水平方向（ＸＹ方向）における位置を調整することにより、研削機構２５における研削ホイール２８の回転軌跡を、ウェーハ１００の回転軸である回転軸３０３と重なる位置に位置付ける。すなわち、研削機構２５における研削ホイール２８の研削砥石２８２が、第２チャックテーブル２０に保持されているウェーハ１００の中心を通過するように、研削機構２５と第２チャックテーブル２０との相対位置を調整する。

【0034】

次に、第２チャックテーブル２０を回転させることにより、第２保持面２２に保持されているウェーハ１００を、矢印４０３によって示すように、回転軸３０３を中心に回転させる。さらに、スピンドル２６を回転させることにより、研削ホイール２８を、矢印４０４によって示すように、回転軸３０４を中心に回転させる。この状態で、第２位置調整機構を用いて、研削機構２５を－Ｚ方向に下降させる。これにより、回転する研削ホイール２８と回転するウェーハ１００の半導体基板１０１における裏面１０３とが相対的に接近して、研削ホイール２８の研削砥石２８２が、ウェーハ１００における半導体基板１０１の裏面１０３に接触し、裏面１０３を研削する。

【0035】

そして、この研削ステップでは、研削ホイール２８によって、半導体基板１０１の裏面１０３を、少なくとも環状の溝１２０の深さ以上の所定の研削量だけ研削することによって、ウェーハ１００を、所望の仕上げ厚さに研削する。なお、この研削の際、図６に示すように、研削ホイール２８は、半導体基板１０１の裏面１０３だけでなく、半導体基板１０１の外周端部に形成されている薄膜１０５をも研削することとなる。

【0036】

なお、この研削ステップでは、ウェーハ１００における半導体基板１０１の中心から外周端部に向かって、研削が実施される（内外研削）。すなわち、この研削ステップでは、回転する研削ホイール２８（研削砥石２８２）におけるウェーハ１００の中心から外周端部に向かって移動する部分を、ウェーハ１００における半導体基板１０１の裏面１０３に接触させている。

【0037】

より詳細には、図５（ａ）に示すように、第２チャックテーブル２０の第２保持面２２は、中心を頂点とする円錐面状に形成されている。そして、第２チャックテーブル２０は、第２保持面２２に保持されているウェーハ１００における半導体基板１０１の裏面１０３の半径部分が研削ホイール２８（研削砥石２８２）の下面と平行となるように、傾けられている。ここで、半導体基板１０１の裏面１０３の半径部分は、裏面１０３における研削ホイール２８（研削砥石２８２）の下面に接する部分である。

【0038】

そして、本実施形態では、研削ホイール２８における裏面１０３の半径部分に接する部分が、図６に示すように、裏面１０３を研削しながらウェーハ１００の中心から外周端部に向かって移動するように、第２チャックテーブル２０の傾き、第２チャックテーブル２０の回転方向および研削ホイール２８の回転方向が設定されている。

【0039】

以上のように、本実施形態では、溝形成ステップにおいてウェーハ１００の半導体基板１０１における裏面１０３に環状の溝１２０を形成した後、研削ステップにおいて、この環状の溝１２０が形成された裏面１０３を研削している。このため、研削の際、研削ホイール２８の下面（研削砥石２８２の下面）を、環状の溝１２０によってドレスすること（たとえば、鈍化した砥粒の切れ刃を再生すること）ができる。

【0040】

したがって、半導体基板１０１の裏面１０３および外周端部の薄膜１０５を研削する際に、研削ホイール２８のコンディションが低下すること（たとえば、目つぶれや目こぼれが発生すること）を、良好に抑制することが可能となる。すなわち、研削ホイール２８のコンディションの低下を抑制しながら、裏面１０３および薄膜１０５を良好に研削することができる。このため、薄膜１０５が形成されたウェーハ１００を、安定的に研削することが可能である。

【0041】

また、本実施形態の研削ステップででは、図６に示すように、研削ホイール２８（研削砥石２８２）におけるウェーハ１００の中心から外周端部に向かって移動する部分を、半導体基板１０１の裏面１０３に接触させている（内外研削）。この場合、裏面１０３を研削した研削ホイール２８が、環状の溝１２０の外側の角部１２１でドレスされた後、薄膜１０５を研削することとなる。

【0042】

したがって、研削ホイール２８は、削り難い窒化ガリウムの薄膜１０５を研削する直前に、表面１０２によってドレス（目立て）されるため、薄膜１０５を良好に研削することができる。

【0043】

また、内外研削では、薄膜１０５の窒化ガリウムからなる研削屑を、ウェーハ１００の外部に排出することが容易である。このため、環状の溝１２０は、半導体基板１０１の外周端部に近い位置に形成されることが好ましい。

【0044】

なお、研削ステップでは、ウェーハ１００における半導体基板１０１の外周端部から中心に向かって裏面１０３を研削する外内研削が実施されてもよい。すなわち、研削ステップでは、回転する研削ホイール２８（研削砥石２８２）におけるウェーハ１００の外周端部から中心に向かって移動する部分を、ウェーハ１００における半導体基板１０１の裏面１０３に接触させてもよい。

【0045】

この場合、第２保持面２２に保持されているウェーハ１００における半導体基板１０１の裏面１０３の半径部分に接する研削ホイール２８（研削砥石２８２）の部分が、図７に示すように、裏面１０３を研削しながらウェーハ１００の外周端部から中心に向かって移動するように、第２チャックテーブル２０の傾き、第２チャックテーブル２０の回転方向および研削ホイール２８の回転方向が設定される。

【0046】

この構成では、薄膜１０５を研削した研削ホイール２８が、環状の溝１２０の内側の角部１２２でドレスされた後、半導体基板１０１の裏面１０３を研削することとなる。したがって、研削ホイール２８は、窒化ガリウムの薄膜１０５を研削してコンディションが低下した直後に、環状の溝１２０によってドレスされて、コンディションが回復することとなる。このため、コンディションが回復された状態の研削ホイール２８によって、半導体基板１０１の裏面１０３を良好に研削することが可能となる。

【0047】

また、本実施形態の研削方法では、溝形成ステップにおいて、切削装置１の第１チャックテーブル１０によってウェーハ１００を保持した後（第１保持ステップ）、このウェーハ１００の半導体基板１０１の裏面１０３に、環状の溝１２０を形成している（溝形成ステップ）。さらに、その後、ウェーハ１００を、第１チャックテーブル１０から取り外して、研削装置２の第２チャックテーブル２０によって保持し（第２保持ステップ）、ウェーハ１００の半導体基板１０１の裏面１０３および薄膜１０５を研削している（研削ステップ）。

【0048】

これに関し、本実施形態の研削方法を、ウェーハ１００を保持する保持機構と、ウェーハ１００の半導体基板１０１の裏面１０３に環状の溝１２０を形成可能な溝形成機構と、裏面１０３を研削可能な研削機構とを有する１つの加工装置を用いて実施してもよい。保持機構および溝形成機構としては、たとえば、図３（ａ）に示した第１チャックテーブル１０および切削機構１５を用いることができる。また、研削機構としては、たとえば、図５（ａ）に示した研削機構２５を用いることができる。

【0049】

この場合、加工装置のチャックテーブルによってウェーハ１００を保持した後（保持ステップ）、このウェーハ１００の半導体基板１０１の裏面１０３に、溝形成機構によって環状の溝１２０を形成する（溝形成ステップ）。さらに、その後、チャックテーブルに保持されているウェーハ１００の半導体基板１０１の裏面１０３および薄膜１０５を、研削機構によって研削する（研削ステップ）。

【0050】

この構成によっても、環状の溝１２０によって研削ホイール２８のコンディションの低下を抑制しながら、裏面１０３および薄膜１０５を良好に研削することができる。
また、この構成では、ウェーハ１００を保持するチャックテーブルの数を１つにすることができるので、装置構造を簡略化することが可能である。

【0051】

また、本実施形態では、溝形成ステップにおいて、切削装置１の切削ブレード１７によって、ウェーハ１００の半導体基板１０１の裏面１０３に環状の溝１２０を形成している。これに関し、溝形成ステップでは、レーザー光を用いて裏面１０３に環状の溝１２０を形成してもよい。

【符号の説明】

【0052】

１：切削装置、２：研削装置、
１０：第１チャックテーブル、１１：ポーラス部材、１２：第１保持面、
１３：枠体、１５：切削機構、１６：ブレード回転機構、１７：切削ブレード、
２０：第２チャックテーブル、２１：ポーラス部材、２２：第２保持面、２３：枠体、
２５：研削機構、２６：スピンドル、２７：マウント、２８：研削ホイール、
１００：ウェーハ、１０１：半導体基板、１０２：表面、１０３：裏面、１０５：薄膜、
１２０：溝、１２１：外側の角部、１２２：内側の角部、
２８１：ホイール基台、２８２：研削砥石

【図1】

【図2】

【図3】

【図4】

【図5】

【図6】

【図7】