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(19)【発行国】日本国特許庁(JP)
(12)【公報種別】公開特許公報(A)
(11)【公開番号】P2024017080
(43)【公開日】2024-02-08
(54)【発明の名称】バックプレーン
(51)【国際特許分類】
G03H 1/22 20060101AFI20240201BHJP
G02F 1/13 20060101ALN20240201BHJP
G02F 1/1343 20060101ALN20240201BHJP
【ＦＩ】
G03H1/22
G02F1/13 505
G02F1/1343
【審査請求】未請求
【請求項の数】5
【出願形態】ＯＬ
(21)【出願番号】P 2022119479
(22)【出願日】2022-07-27
(71)【出願人】
【識別番号】000004352
【氏名又は名称】日本放送協会
(74)【代理人】
【識別番号】110001807
【氏名又は名称】弁理士法人磯野国際特許商標事務所
(72)【発明者】
【氏名】柴崎 純一
(72)【発明者】
【氏名】青島 賢一
(72)【発明者】
【氏名】麻生 慎太郎
(72)【発明者】
【氏名】三浦 雅人
(72)【発明者】
【氏名】町田 賢司
【テーマコード（参考）】
2H088
2H092
2K008
【Ｆターム（参考）】
2H088EA47
2H088EA48
2H092GA21
2H092GA25
2H092GA29
2H092GA30
2H092JA23
2H092JB04
2H092JB24
2H092JB43
2H092RA10
2K008CC03
2K008HH26
(57)【要約】
【課題】ホログラム像の品質低下を抑制できるバックプレーンを提供する。
【解決手段】バックプレーン６は、画素２及び画素２の外に設けられた電源コンタクト２２が２次元状に配置されているホログラフィ用のバックプレーンであって、水平方向及び垂直方向の少なくとも一方向において、電源コンタクト２２同士の間隔が異なるように電源コンタクト２２を不規則に配置した表示領域５を有する。
【選択図】図１０
【解決手段】バックプレーン６は、画素２及び画素２の外に設けられた電源コンタクト２２が２次元状に配置されているホログラフィ用のバックプレーンであって、水平方向及び垂直方向の少なくとも一方向において、電源コンタクト２２同士の間隔が異なるように電源コンタクト２２を不規則に配置した表示領域５を有する。
【選択図】図１０
【特許請求の範囲】
【請求項1】
画素及び前記画素の外に設けられた電源コンタクトが２次元状に配置されているホログラフィ用のバックプレーンであって、
水平方向及び垂直方向の少なくとも一方向において、前記電源コンタクト同士の間隔が異なるように前記電源コンタクトを不規則に配置した表示領域を有することを特徴とするバックプレーン。
水平方向及び垂直方向の少なくとも一方向において、前記電源コンタクト同士の間隔が異なるように前記電源コンタクトを不規則に配置した表示領域を有することを特徴とするバックプレーン。
【請求項2】
前記表示領域は、水平方向又は垂直方向の一方向において、前記画素の個数に対する前記電源コンタクトの個数の割合が一定となる長さが、前記画素と前記電源コンタクトとの最小合計数及び前記画素のピッチに基づいて定まる最小長さよりも長いことを特徴とする請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項3】
前記表示領域は、水平方向及び垂直方向の両方向において、前記画素の個数に対する前記電源コンタクトの個数の割合が一定となる長さが、前記画素と前記電源コンタクトとの最小合計数及び前記画素のピッチに基づいて定まる最小長さよりも長いことを特徴とする請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項4】
メモリセル構造がＳＲＡＭ方式であることを特徴とする請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項5】
空間光変調器に用いられることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載のバックプレーン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、ホログラフィ用のバックプレーンに関する。
【背景技術】
【0002】
ホログラフィは、物体の反射光を干渉縞として記録することで、その光のもつ情報をそのまま再生できる技術である（非特許文献１）。ホログラム像による３次元映像では、所定の干渉縞を表示して書き換える空間光変調器（ＳＬＭ：Spatial Light Modulator）が用いられる（非特許文献２）。
【0003】
ホログラム像を見ることができる角度（視域角）はＳＬＭの画素ピッチに比例するので、ホログラム像の広視域化にはＳＬＭの狭画素ピッチ化が必要になる。一方、表示される３次元映像を大きくするには、ＳＬＭの大面積化が必要である。従って、１つのディスプレイに、数千～数万×数千～数万の画素を並べる必要がある。
【0004】
ホログラム像は、ＳＬＭに表示された干渉縞からの回折光によって再生されるため、１フレーム毎に干渉縞をディスプレイに表示させなければならない。つまり、ＳＬＭでは、最後に表示される画素を書き終えるまで、最初に表示された画素が保たれていなければならない。また、ＳＬＭのバックプレーンとして、電圧降下がないＳＲＡＭ方式が知られている（非特許文献３，４）。
【0005】
図１４を参照し、従来のディスプレイ９０について説明する。
ディスプレイ９０は、後記するバックプレーン６と、電源１０と、ビット線１１，１２と、ワード線１３と、接地（ＧＮＤ）１４と、リード線１５と、上部電極１６と、シール材１７と、液晶層１８とを備える。なお、図１４の上段がディスプレイ９０の断面を表しており、図１４の下段がバックプレーン６の回路を表している。
ディスプレイ９０は、後記するバックプレーン６と、電源１０と、ビット線１１，１２と、ワード線１３と、接地（ＧＮＤ）１４と、リード線１５と、上部電極１６と、シール材１７と、液晶層１８とを備える。なお、図１４の上段がディスプレイ９０の断面を表しており、図１４の下段がバックプレーン６の回路を表している。
【0006】
バックプレーン６は、ホログラフィ用のＳＬＭに用いられる狭画素ピッチのバックプレーンであり、画素電極３を有する。例えば、バックプレーン６の画素ピッチは、水平及び垂直それぞれ２μｍ以下である。例えば、バックプレーン６は、ＳＲＡＭ方式の場合、６個のＭＯＳ-ＦＥＴで構成される。ワード線１３の電位をＨｉｇｈにし、ビット線１１，１２に電位を与えることで、フリップフロップの状態が決定し、液晶層１８が駆動して変調を行う。ここで、ワード線１３の電位がＬｏｗになってもＣＭＯＳインバータの電位が固定されるので、液晶層１８の状態も保たれる（非特許文献５，６）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【0007】
【非特許文献1】D.Gabor,“A NEW MICROSCOPIC PRINCIPLE”,Nature,1948.
【非特許文献2】ＮＨＫ技研Ｒ＆Ｄ、２０２１年秋号、Ｎｏ．１８７．
【非特許文献3】D. Banas et.al,“Ferroelectric liquid-crystal spatial light modulators for projection display”, SPIE, 1996.
【非特許文献4】I.D.Rankin et. al,“A new high resolution FLC/VLSI Spatial Light Modulator”,OSA, 1997.
【非特許文献5】電子情報通信学会「知識ベース」、１０群（集積回路）、４編（メモリＬＳＩ）、２章 揮発性高速ＲＡＭ、電子情報通信学会、２０１０
【非特許文献6】ＳＲＡＭ＜デバイス原理＞ 半導体メモリとは？ エレクトロニクス豆知識 、ローム株式会社
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0008】
ＭＯＳ-ＦＥＴを動作させるには、ｐ型基板とｎウェル又はｎ型基板とｐウェルへの電源コンタクトを一定の間隔で設ける必要がある。従来のＳＲＡＭ方式のバックプレーンでは、画素電極内に電源コンタクトを配置するので、画素が大型化してしまう。これに対し、ホログラフィ用のバックプレーンは、画素の極微小化が必要なために、電源コンタクトを画素外に設け、数～数十画素で電源コンタクトを共有する手法を検討する。
【0009】
この場合、電源コンタクトは画素としての機能を持たないため、一定間隔で画素抜けが生じる。数μｍピッチ以下の極微小画素で数ｃｍ角のディスプレイを構成した場合、画素数が数万×数万画素になる。例えば、画素ピッチが１ｕｍ×１ｕｍで、２ｃｍ×２ｃｍのディスプレイを構成した場合、画素数が２０,０００×２０,０００（２０Ｋ×２０Ｋ）画素になる。この例では、電源コンタクトによる画素抜け領域が数十μｍ毎に発生する。
【0010】
２次元映像では、電源コンタクトによる画素抜け領域が、そのまま、映像の欠損として肉眼で視認される。３次元映像では、ディスプレイ上に表示するのは干渉縞であり、干渉縞から再生されたホログラム像を肉眼で視認するので、個々の画素抜け領域が直接３次元映像の欠損につながるわけではない。しかし、３次元映像のディスプレイにおいて、画素抜け領域が周期的に存在する場合、その画素抜け領域が回折格子のように作用し、ホログラム像の品質低下を引き起こすという問題があった。
【0011】
本発明は、前記した問題を解決し、ホログラム像の品質低下を抑制できるバックプレーンを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0012】
前記課題を解決するため、本発明に係るバックプレーンは、画素及び前記画素の外に設けられた電源コンタクトが２次元状に配置されているホログラフィ用のバックプレーンであって、水平方向及び垂直方向の少なくとも一方向において、電源コンタクト同士の間隔が異なるように電源コンタクトを不規則に配置した表示領域を有する構成とした。
【0013】
前記したように、ホログラフィは、光の情報を干渉縞として記録し、再生光と干渉縞の回折によって再生される。そのため、再生像の情報を持つ干渉縞以外に、画素抜け領域が回折格子のように作用するので、再生像の品質が低下する。従って、ホログラム像の品質の低下を引き起こす電源コンタクトによる画素抜け領域の分布を不規則にし、画素抜け領域の周期を長くすることで、回折光を分散させればよい。
【0014】
従って、本発明に係るバックプレーンは、電源コンタクトによる画素抜け領域の位置を不規則にすることで、画素抜け領域による回折角を小さくする。これにより、バックプレーンは、ホログラム像の０次回折光の付近に回折光が集まり、肉眼に入射するホログラム像に不要な光成分が混入しにくいので、ホログラム像の品質低下を抑制できる。
【発明の効果】
【0015】
本発明によれば、ホログラム像の品質低下を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】実施形態において、グレーティングによる回折を説明する説明図である。
【図2】実施形態において、ホログラフィ用のディスプレイの入射光及び出射光を説明する説明図である。
【図4】実施形態に係るバックプレーンの全体構成を表す図である。
【図5A】実施形態において、表示領域を説明する説明図である。
【図6】実施形態において、画素抜け領域を説明する説明図である。
【図7】実施形態において、電源コンタクトを説明する説明図である。
【図8】電源コンタクトを配置するときの参考例を説明する説明図である。
【図9A】参考例における電源コンタクトの配置パターンを説明する説明図である。
【図9B】実施形態において、電源コンタクトの配置パターンを説明する説明図である。
【図10】実施形態において、電源コンタクトを配置するときの第１例を説明する説明図である。
【図11A】参考例の周期を説明する説明図である。
【図11B】第１例の周期を説明する説明図である。
【図12】実施形態において、電源コンタクトを配置するときの第２例を説明する説明図である。
【図13】実施例において、回折角の計算結果を説明する説明図である。
【図14】従来のディスプレイを説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、以下に説明する各実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。また、同一の手段には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
【0018】
（実施形態）
＜回折の原理＞
実施形態に係るバックプレーンの構成を説明する前提として、回折の原理を説明する。
図１に示すように、ディスプレイ２７（図２）がグレーティング３１に相当する干渉縞を表示するので、干渉が発生する。なお、図１には、入射光２５、視域角２８、０次回折光２９及び１次回折光３０を図示した。また、Ｘ軸が水平方向を表し、Ｙ軸が垂直方向を表し、Ｚ軸が奥行方向を表す。
＜回折の原理＞
実施形態に係るバックプレーンの構成を説明する前提として、回折の原理を説明する。
図１に示すように、ディスプレイ２７（図２）がグレーティング３１に相当する干渉縞を表示するので、干渉が発生する。なお、図１には、入射光２５、視域角２８、０次回折光２９及び１次回折光３０を図示した。また、Ｘ軸が水平方向を表し、Ｙ軸が垂直方向を表し、Ｚ軸が奥行方向を表す。
【0019】
以下、説明を簡易にするため、図２に示すように、ホログラフィ用のディスプレイ２７にホログラム像を再生するための入射光２５が斜め上から入射した場合を考える。この場合、出射光２６は、ディスプレイ２７の斜め下から出射する。この出射光２６の付近にホログラム像が再生される。
【0020】
図３には、図２のディスプレイ２７を横方向から見た状態を図示した。ディスプレイ２７に表示された干渉縞が回折し、０次回折光２９、１次回折光３０、…として出射される。なお、２次回折光以降は、一般的に０次回折光２９及び１次回折光３０に比べて強度が小さくなるため、図３では図示を省略している。ホログラム像が１次回折光３０から再生されるため、ホログラム像を視認できる角度を表す視域角２８は、２本の１次回折光３０のなす角となる。また、０次回折光２９はホログラム像の再生には寄与しないため、ホログラム像にとってノイズとなる。
【0021】
このとき、回折角は、以下の式（１）で表される。なお、周期とは、表示領域５において、画素２の個数に対する電源コンタクト２２の個数の割合が一定となる長さのことである。この周期の詳細は後記する。
【0022】
【数1】
【0023】
この式（１）から、周期を大きくすることで、回折角が小さくなることがわかる。従って、図２に示すように、入射光２５を斜めに入射させることで、画素抜け領域１（図５Ａ）による回折光をホログラム像の０次回折光２９の付近に集め、０次回折光２９が視界に入らないようにできる。
【0024】
＜バックプレーンの全体構成＞
図４を参照し、バックプレーン６の全体構成について説明する。
図４に示すように、バックプレーン６は、表示領域５と、周辺回路７，８と、インターフェース９とを備える。
表示領域５は、画素２及び電源コンタクト２２が２次元状に配列されている領域である。以後、説明を簡易にするため、電源コンタクト２２が画素２と同一サイズであることとする。図５Ａ及び図５Ｂに示すように、表示領域５は、電源コンタクト２２により画素抜けが発生する画素抜け領域１と、画素２が配列されている画素領域４とで構成されている。画素２は、角丸四角形状の画素電極３を有する。図６に示すように、画素抜け領域１には電源コンタクト２２のｐウェル３５及びｎウェル３６が対応し、画素電極３には６個のトランジスタ３７が対応する。
図４を参照し、バックプレーン６の全体構成について説明する。
図４に示すように、バックプレーン６は、表示領域５と、周辺回路７，８と、インターフェース９とを備える。
表示領域５は、画素２及び電源コンタクト２２が２次元状に配列されている領域である。以後、説明を簡易にするため、電源コンタクト２２が画素２と同一サイズであることとする。図５Ａ及び図５Ｂに示すように、表示領域５は、電源コンタクト２２により画素抜けが発生する画素抜け領域１と、画素２が配列されている画素領域４とで構成されている。画素２は、角丸四角形状の画素電極３を有する。図６に示すように、画素抜け領域１には電源コンタクト２２のｐウェル３５及びｎウェル３６が対応し、画素電極３には６個のトランジスタ３７が対応する。
【0025】
周辺回路７，８は、表示領域５の駆動回路である。周辺回路７が行方向（水平方向）で各画素を駆動し、周辺回路８が列方向（垂直方向）で各画素を駆動する。
インターフェース９は、バックプレーン６に信号を入出力するインターフェースである。
インターフェース９は、バックプレーン６に信号を入出力するインターフェースである。
【0026】
図７を参照し、電源コンタクト２２について補足する。
図７に示すように、トランジスタ３７などの配線を行う際に、交互に積層させた金属層１９，２１と絶縁層２０とにコンタクトホールという穴を開ける、そして、このコンタクトホールに導体を入れることで、上下の金属層１９，２１を接続したものを電源コンタクト２２と呼ぶ。
なお、複数のトランジスタで構成されるＳＲＡＭ回路の場合、金属層１９，２１及び絶縁層２０が１０層以上にも及ぶ場合があり、電源コンタクト２２の数も多くなる。
図７に示すように、トランジスタ３７などの配線を行う際に、交互に積層させた金属層１９，２１と絶縁層２０とにコンタクトホールという穴を開ける、そして、このコンタクトホールに導体を入れることで、上下の金属層１９，２１を接続したものを電源コンタクト２２と呼ぶ。
なお、複数のトランジスタで構成されるＳＲＡＭ回路の場合、金属層１９，２１及び絶縁層２０が１０層以上にも及ぶ場合があり、電源コンタクト２２の数も多くなる。
【0027】
＜電源コンタクトの配置：参考例＞
従来のバックプレーンでは、電源コンタクトを画素内に配置する。しかし、前記したように、狭画素ピッチのバックプレーン６では電源コンタクト２２を画素２の外に設けている。また、所定数の画素２に対して１個の電源コンタクト２２が必要である。本実施形態では、１２個の画素に対して１個の電源コンタクト２２が必要なため、画素２と電源コンタクト２２との最小合計数が１３個となる。
従来のバックプレーンでは、電源コンタクトを画素内に配置する。しかし、前記したように、狭画素ピッチのバックプレーン６では電源コンタクト２２を画素２の外に設けている。また、所定数の画素２に対して１個の電源コンタクト２２が必要である。本実施形態では、１２個の画素に対して１個の電源コンタクト２２が必要なため、画素２と電源コンタクト２２との最小合計数が１３個となる。
【0028】
図８には、電源コンタクト２２を配置するときの参考例を図示した。なお、図８は、図４に符号αで図示した表示領域５の拡大図である（図１０、図１２も同様）。
図８に示すように、参考例のバックプレーン６では、水平方向において、左端に電源コンタクト２２（画素抜け領域１）が配置され、その電源コンタクト２２の右側に１２個の画素２が連続している。また、参考例のバックプレーン６では、垂直方向において、画素２のみが配置された列と、電源コンタクト２２のみが配置された列とが存在する。
図８に示すように、参考例のバックプレーン６では、水平方向において、左端に電源コンタクト２２（画素抜け領域１）が配置され、その電源コンタクト２２の右側に１２個の画素２が連続している。また、参考例のバックプレーン６では、垂直方向において、画素２のみが配置された列と、電源コンタクト２２のみが配置された列とが存在する。
【0029】
図９Ａに示すように、電源コンタクト２２（画素抜け領域１）が左端に位置するので、１２個の画素２に対する電源コンタクト２２の配置パターン（配置の組み合わせ）が１種類のみとなる。このため、参考例のバックプレーン６では、図１１Ａに示すように、最小合計数の画素２及び電源コンタクト２２で構成される組Ｋが水平方向に繰り返し配置される。このため、参考例のバックプレーン６は、画素抜け領域１が回折格子のように作用し、ホログラム像の品質低下を引き起こしてしまう。なお、組Ｋとは、最小合計数の画素２及び電源コンタクト２２の組み合わせ、例えば、１２個の画素２及び１個の電源コンタクト２２の組み合わせのことである。
【0030】
そこで、表示領域５は、水平方向及び垂直方向の少なくとも一方向において、電源コンタクト２２同士の間隔が異なるように電源コンタクト２２を不規則（ランダム）に配置した。以下、表示領域５において、電源コンタクト２２の配置例について具体的に説明する。
【0031】
＜電源コンタクトの配置：第１例＞
第１例のバックプレーン６では、表示領域５が、水平方向の一方向において、画素２の個数に対する電源コンタクト２２の個数の割合が一定となる周期（長さ）Ｌが、画素２と電源コンタクト２２との最小合計数及び画素ピッチに基づいて定まる最小周期（最小長さ）Ｍよりも長くなる。具体的には、最小周期は、画素２と電源コンタクト２２との最小合計数に画素ピッチを乗じた値となる。
第１例のバックプレーン６では、表示領域５が、水平方向の一方向において、画素２の個数に対する電源コンタクト２２の個数の割合が一定となる周期（長さ）Ｌが、画素２と電源コンタクト２２との最小合計数及び画素ピッチに基づいて定まる最小周期（最小長さ）Ｍよりも長くなる。具体的には、最小周期は、画素２と電源コンタクト２２との最小合計数に画素ピッチを乗じた値となる。
【0032】
電源コンタクト２２は、所定数（例えば、１２個）の画素２毎に必要であるが、必ずしも組Ｋの左端に位置しなくてもよい。つまり、電源コンタクト２２は、組Ｋの左端から２番目、３番目、…、右端に位置してもよい。従って、図９Ｂに示すように、所定数の画素２に対する電源コンタクト２２の配置パターンは、画素数＋１種類となる（例えば、１３種類）。
【0033】
図１０に示すように、第１例のバックプレーン６では、電源コンタクト２２の位置を水平方向にずらし配置パターンを変えて、電源コンタクト２２を不規則に配置している。ここで、第１例のバックプレーン６では、画素抜け領域１の周期構造を水平方向に有する一方、その周期構造を垂直方向に有していないので、画素抜け領域１による回折スポットが水平方向にのみ発生する。
【0034】
図１１Ａに示すように、参考例のバックプレーン６は、１２個の画素２に対して電源コンタクト２２が１個の割合となる周期Ｌを有する。また、参考例のバックプレーン６では、最小周期Ｍが、１２個の画素２と１個の電源コンタクト２２との組Ｋの長さに等しくなる。
【0035】
これに対し、図１１Ｂに示すように、第１例のバックプレーン６では、１２個の画素２に対して電源コンタクト２２が１個の割合となる周期Ｌが最小周期Ｍよりも長くなる。具体的には、第１例のバックプレーン６では、電源コンタクト２２が左から６番目に位置する組Ｋ１、電源コンタクト２２が左端に位置する組Ｋ２が周期的に配置されている。そして、第１例のバックプレーン６では、２組Ｋ１，Ｋ２を構成する２４個の画素２に対して電源コンタクト２２が２個であるから、１２個の画素２に対して電源コンタクト２２が１個の割合となる。従って、第１例のバックプレーン６では、周期Ｌが、２組Ｋ１，Ｋ２に相当する長さ、つまり、最小周期Ｍの２倍となる。このように、周期Ｌを最小周期Ｍよりも長くすることは、電源コンタクト２２同士の間隔が異なるように電源コンタクト２２を不規則に配置することと等価である。
【0036】
なお、第１例のバックプレーン６では、垂直方向の一方向において、周期Ｌを最小周期Ｍよりも長くしてもよい。
また、周期Ｌは、最小周期Ｍの３倍以上の長さであってもよい。
また、周期Ｌは、最小周期Ｍの３倍以上の長さであってもよい。
【0037】
＜電源コンタクトの配置：第２例＞
図１２に示すように、第２例のバックプレーン６では、水平方向及び垂直方向の両方向において、画素２の個数に対する電源コンタクト２２の個数の割合が一定となる周期（長さ）Ｌが、画素２及び電源コンタクト２２の最小合計数及び画素ピッチに基づいて定まる最小周期（最小長さ）Ｍよりも長くなる。
図１２に示すように、第２例のバックプレーン６では、水平方向及び垂直方向の両方向において、画素２の個数に対する電源コンタクト２２の個数の割合が一定となる周期（長さ）Ｌが、画素２及び電源コンタクト２２の最小合計数及び画素ピッチに基づいて定まる最小周期（最小長さ）Ｍよりも長くなる。
【0038】
ここで、第２例のバックプレーン６は、水平方向及び垂直方向のそれぞれにおいて、電源コンタクト２２の位置をずらし、電源コンタクト２２を不規則に配置している。つまり、第２例のバックプレーン６は、第１例のバックプレーン６を水平方向及び垂直方向の両方向に拡張したものである。
【0039】
従って、第２例のバックプレーン６は、画素抜け領域１の周期構造を有していない。このため、第２例のバックプレーン６では、水平方向及び垂直方向の何れでも、電源コンタクト２２による回折スポットは発生するが、回折角が小さくなるので、回折光強度が第１例よりもさらに低下する。
【0040】
［作用・効果］
以上のように、実施形態に係るバックプレーン６は、電源コンタクト２２による画素抜け領域１の位置を不規則にすることで、画素抜け領域１による回折角を小さくする。これにより、バックプレーン６は、ホログラム像の０次回折光の付近に回折光が集まり、肉眼に入射するホログラム像に不要な光成分が混入しにくいので、ホログラム像の品質低下を抑制できる。つまり、バックプレーン６は、電源コンタクト２２が必要な狭画素ピッチバックプレーン構造でありながら、画素抜け領域１からの回折光ノイズ成分を低減することができる。
以上のように、実施形態に係るバックプレーン６は、電源コンタクト２２による画素抜け領域１の位置を不規則にすることで、画素抜け領域１による回折角を小さくする。これにより、バックプレーン６は、ホログラム像の０次回折光の付近に回折光が集まり、肉眼に入射するホログラム像に不要な光成分が混入しにくいので、ホログラム像の品質低下を抑制できる。つまり、バックプレーン６は、電源コンタクト２２が必要な狭画素ピッチバックプレーン構造でありながら、画素抜け領域１からの回折光ノイズ成分を低減することができる。
【0041】
（変形例）
以上、実施形態を詳述してきたが、本発明は前記した実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
前記した実施形態では、バックプレーンがＳＲＡＭ方式のメモリセル構造であることとして説明したが、これに限定されない。例えば、バックプレーンは、ＤＲＡＭ方式のメモリセル構造であってもよい。
前記した実施形態では、バックプレーンが空間光変調器に用いられることとして説明したが、これに限定されない。
以上、実施形態を詳述してきたが、本発明は前記した実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
前記した実施形態では、バックプレーンがＳＲＡＭ方式のメモリセル構造であることとして説明したが、これに限定されない。例えば、バックプレーンは、ＤＲＡＭ方式のメモリセル構造であってもよい。
前記した実施形態では、バックプレーンが空間光変調器に用いられることとして説明したが、これに限定されない。
【0042】
前記した実施形態では、電源コンタクトが画素と同一サイズであることとして説明したが、電源コンタクトが画素と異なるサイズのときもある。この場合、最小周期（最小長さ）は、画素と電源コンタクトとの最小合計数、画素ピッチ及び電源コンタクトのサイズに基づいて定まる。具体的には、最小周期（最小長さ）は、最小合計数のうちの画素の個数に画素ピッチを乗じた値に電源コンタクトのサイズを加算した値となる。
【実施例0043】
図１３を参照し、バックプレーンの回折角を説明する。なお、第１例（図１０）と同様のバックプレーンを実施例１とし、第２例（図１２）と同様のバックプレーンを実施例２とする。また、３９個の画素に対して電源コンタクトが１個必要であり（つまり、最小合計数が４０個）、画素ピッチが１μｍであることとする。また、説明を簡易にするため、電源コンタクトが画素と同じサイズであることとする。従って、参考例（図８）、実施例１，２の何れでも、画素及び電源コンタクトの最小合計数に画素ピッチを乗じることで、最小周期が４０μｍとなる。なお、参考例では、周期が最小周期に等しくなる。
【0044】
図１３に示すように、前記式（１）を利用し、参考例及び実施例１，２について、赤、青、緑の各波長で計算した。周期が長くなるほど、1つの周期に含まれる画素の欠陥（電源コンタクトの数）が多くなる。従って、欠陥による回折光についても、高次（２次以上）の回折光が出現するので、１次光～５次光の回折角を計算した。なお、画素ピッチが１μｍのとき、ディスプレイが再生するホログラム像の回折角は、赤（波長６３３ｎｍ）で３９．２７度、緑（波長５００ｎｍ）で３０．００度、青（波長４００ｎｍ）で２３．５８度である。
【0045】
参考例では、周期が最小周期に等しくなるので、そのときの回折角を計算した。実施例１，２では、３つの異なる周期で回折角の計算を行った。具体的には、画素が１９５個で電源コンタクトが５個のときの周期２００μｍ、画素が５８５個で電源コンタクトが１５個のときの周期６００μｍ、画素が９７５個で電源コンタクトが２５個のときの周期１０００μｍのそれぞれで回折角を計算した。
【0046】
図１３から、画素と電源コンタクトの周期が長くなるほど回折角が小さくなることがわかる。この計算結果から、参考例では、０次回折光を基準に最大で５度程度までの角度で、画素の欠陥による回折光が観察されてしまう。しかし、実施例１，２のように周期を大きくすることで、５次回折光まで現れると仮定した場合でも、回折角が１度未満になり、回折光の観察が困難であることが分かる。
【符号の説明】
【0047】
１ 画素抜け領域
２ 画素
３ 画素電極
４ 画素領域
５ 表示領域
６ バックプレーン
７，８ 周辺回路
９ インターフェース
２２ 電源コンタクト
Ｌ 周期
Ｍ 最小周期
２ 画素
３ 画素電極
４ 画素領域
５ 表示領域
６ バックプレーン
７，８ 周辺回路
９ インターフェース
２２ 電源コンタクト
Ｌ 周期
Ｍ 最小周期
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9A】
【図9B】
【図10】
【図11A】
【図11B】
【図12】
【図13】
【図14】
